Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 2. Отображено 2.
16-12-2016 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF BLOCKING LEAKAGE CURRENT AND METHOD FOR FABRICATING SAME

Номер: KR1020160144164A
Автор: YU, HYUN KWAN, KIM, KOOK TAE, PARK, CHAN JIN, SHIN, DONG SUK, LIM, YOUNG DAL, HONG, SA HWAN
Принадлежит:

A semiconductor device and a method of forming the same are provided. The semiconductor device comprises a gate assembly located on a device isolation layer; a gate spacer located on a side of the gate assembly; a contact assembly located on the gate spacer; an air gap located between the device isolation layer and the contact assembly; and a first spacer capping layer positioned between the gate spacer and the air gap. The first spacer capping layer has the gate spacer and etch selectivity. So, a leakage current can be blocked. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

Подробнее
Номер записи: 1
16-03-2023 дата публикации

수직 적층된 전계 효과 트랜지스터들을 포함하는 집적회로 소자

Номер: KR20230037348A
Автор: 김도희, 장성욱, 구봉진, 이공수, 홍사환
Принадлежит:

... 집적회로 소자는 기판 상에서 제1 수평 방향으로 길게 연장된 핀형 활성 영역과, 상기 핀형 활성 영역 상의 제1 수직 레벨에 배치되고 제1 도전형의 제1 소스/드레인 영역을 포함하는 제1 트랜지스터와, 상기 핀형 활성 영역 상의 상기 제1 수직 레벨보다 높은 제2 수직 레벨에 배치되고 상기 제1 소스/드레인 영역과 수직 방향으로 오버랩되어 있는 제2 도전형의 제2 소스/드레인 영역을 포함하는 제2 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 소스/드레인 영역 및 상기 제2 소스/드레인 영역은 서로 다른 크기를 가진다.

Подробнее
Номер записи: 2