Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 6. Отображено 6.
08-05-2017 дата публикации

박막 트랜지스터, 이를 포함하는 어레이 기판 및 이의 제조 방법

Номер: KR0101732988B1
Автор: 김기원, 윤갑수, 이우근, 권영근, 류혜영, 이진원, 이현정
Принадлежит: 삼성디스플레이 주식회사

... 박막 트랜지스터는 반도체 패턴, 제1 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극 및 제2 게이트 전극을 포함한다. 상기 제1 게이트 전극은 상기 반도체 패턴과 절연되고, 제1 도전패턴에 포함된다. 제2 게이트 전극은 제1 게이트 전극과 전기적으로 연결되고, 반도체 패턴, 소스 전극 및 드레인 전극과 각각 절연된다. 제2 게이트 전극은 소스 전극 및 드레인 전극은 제2 도전패턴에 포함된다. 어레이 기판은 제1 도전패턴, 제1 게이트 절연층, 반도체 패턴, 제2 게이트 절연층, 제2 도전패턴, 제3 도전패턴을 포함한다. 제1 도전패턴은 제1 게이트 전극을 포함한다. 제2 도전패턴은 소스 전극, 드레인 전극 및 제2 게이트 전극을 포함한다. 제2 게이트 전극은 제1 게이트 전극과 전기적으로 연결되고, 반도체 패턴, 소스 전극 및 드레인 전극과 각각 절연된다.

Подробнее
Номер записи: 1
04-11-2016 дата публикации

표시 기판 및 이의 제조 방법

Номер: KR0101671952B1
Автор: 박재우, 이동훈, 조성행, 이우근, 류혜영, 최영주
Принадлежит: 삼성디스플레이 주식회사

... 표시 기판은 게이트 라인, 데이터 라인, 게이트 절연층, 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함한다. 게이트 라인은 베이스 기판 위에 제1 방향으로 연장된다. 데이터 라인은 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된다. 게이트 절연층은 게이트 라인 및 게이트 전극 위에 형성된다. 박막 트랜지스터는 게이트 라인과 전기적으로 연결된 게이트 전극, 인듐을 포함하는 산화물을 포함하는 제1 반도체 패턴 및 인듐-프리 산화물을 포함하는 제2 반도체 패턴을 포함하는 산화물 반도체 패턴, 및 산화물 반도체 패턴 위에 서로 이격 배치된 소스 및 드레인 전극들을 포함한다. 화소 전극은 드레인 전극과 전기적으로 연결된다. 이에 따라, 산화물 반도체 패턴에 포함된 원소가 석출되는 것을 방지할 수 있으므로, 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.

Подробнее
Номер записи: 2
02-02-2017 дата публикации

박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법

Номер: KR0101701212B1
Автор: 류혜영, 이우근, 최영주, 정경재, 이진원, 최승하, 변희준, 윤필상
Принадлежит: 삼성디스플레이 주식회사

... 산화물 반도체 패턴의 열화에 따른 소자의 열화를 감소시키는 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법이 제공된다. 박막 트랜지스터 기판은, 게이트 전극이 형성된 절연 기판, 절연 기판 상에 형성된 게이트 절연막, 게이트 절연막 위에 배치된 산화물 반도체 패턴, 산화물 반도체 패턴 상에 형성된 식각 방지 패턴, 및 식각 방지 패턴 상에 형성된 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하되, 산화물 반도체 패턴은 소오스 전극 및 드레인 전극 사이에 위치하는 에지부를 포함하며, 에지부는 적어도 하나의 전도성 영역 및 적어도 하나의 비전도성 영역을 포함한다.

Подробнее
Номер записи: 3
16-12-2016 дата публикации

표시 장치 및 이의 제조 방법

Номер: KR0101687311B1
Автор: 최영주, 이우근, 류혜영, 김기원
Принадлежит: 삼성디스플레이 주식회사

... 표시 장치 및 이의 제조 방법에서, 표시 장치는 베이스 기판 상에 형성된 게이트 라인 및 게이트 전극을 포함하는 게이트 패턴, 산화물 반도체를 포함하는 반도체 패턴, 제1 구리 합금막을 포함하며, 산화물 반도체층과 제1 구리 합금막을 포함하는 데이터 금속층을 동시에 식각하는 식각액 조성물을 이용하여 형성된 데이터 라인, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 소스 패턴 및 드레인 전극과 전기적으로 연결된 화소 전극을 포함한다. 이에 따라, 생산성 및 제조 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Подробнее
Номер записи: 4
18-10-2017 дата публикации

DISPLAY APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR1020170115630A
Автор: RYU, HYE YOUNG, KIM, YU JIN, PARK, SO YEON, SHIN, YO SIK
Принадлежит:

Provided is a display apparatus comprising: a substrate; a touch electrode disposed on the substrate; a routing wiring connected to the touch electrode; a light blocking film disposed on the touch electrode; a semiconductor layer disposed on the light blocking film; a source electrode and a drain electrode disposed on the semiconductor layer to be spaced apart from each other; and a gate electrode disposed on the source electrode and the drain electrode. Therefore, the number of masks can be reduced while a single contact structure and an in-cell touch structure are being included. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

Подробнее
Номер записи: 5
31-05-2017 дата публикации

박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법

Номер: KR0101741732B1
Автор: 류혜영, 이진원, 이우근, 변희준, 주 신
Принадлежит: 삼성디스플레이 주식회사

... 본 발명은 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 벙법에 관한 것이다. 상기 박막 트랜지스터 표시판은 기판, 상기 기판 위에 형성된 제1 측벽들을 가지는 광차단층, 상기 광차단층 위에 형성되고 제2 측벽들을 가지는 제1 보호막, 상기 제1 보호막 위에 형성되고 제3 및 제4 측벽들을 각각 가지며 서로 이격되고 분리된 제1 전극 및 제2 전극, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 노출된 상기 제1 보호막 위와 상기 제3 및 상기 제4 측벽들과 상기 제1 및 상기 제2 전극들의 적어도 일부분 위에 형성된 산화물 반도체층, 상기 산화물 반도체층과 상기 산화물 반도체층에 의해 노출된 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 위와 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 측벽들 위에 형성된 절연막, 상기 산화물 반도체층과 중첩하도록 상기 절연막 위에 형성된 제3 전극 및 상기 제3 전극 및 상기 절연막 위에 형성되고, 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되어 있는 제4 전극을 포함한다. 상기 제1 및 제 2 측벽들은 실질적으로 동일한 선상에 위치한다.

Подробнее
Номер записи: 6