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Применить Всего найдено 7. Отображено 7.
03-08-2015 дата публикации

SOLAR-CELL SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR-CELL SUBSTRATE, SOLAR-CELL ELEMENT, AND SOLAR CELL

Номер: KR0101541657B1
Автор: 사토 데츠야, 요시다 마사토, 노지리 다케시, 마치이 요이치, 이와무로 미츠노리, 오리타 아키히로
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명은, 선택 에미터 구조를 갖는 태양 전지에 있어서 전극 바로 아래의 n 형 불순물 농도가 높은 n＋ 형 확산층과 전극 사이의 위치 어긋남을 억제하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은, n 형 확산층과, 상기 n 형 확산층보다 n 형 불순물 농도가 높은 n＋ 형 확산층을 갖고, 상기 n＋ 형 확산층의 표면이 오목부를 갖는 반도체 기판인 태양 전지 기판, 태양 전지 기판의 제조 방법, 태양 전지 소자 및 태양 전지를 제공한다.

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Номер записи: 1
03-08-2015 дата публикации

COMPOSITION THAT FORMS N-TYPE DIFFUSION LAYER, N-TYPE DIFFUSION LAYER MANUFACTURING METHOD AND SOLAR CELL ELEMENT MANUFACTURING METHOD

Номер: KR0101541660B1
Автор: 마치이 요이치, 요시다 마사토, 노지리 다케시, 이와무로 미츠노리, 오리타 아키히로, 아다치 슈이치로, 사토 데츠야
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... n 형 확산층 형성 조성물은, P2O5, SiO2 및 CaO 를 함유하는 유리 분말과 분산매를 함유한다. 그 n 형 확산층 형성 조성물을 반도체 기판 상에 도포하여 열확산 처리를 실시함으로써, n 형 확산층, 및 n 형 확산층을 갖는 태양 전지 소자가 제조된다.

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Номер записи: 2
23-12-2015 дата публикации

반도체 기판 및 그 제조 방법, 태양 전지 소자, 그리고 태양 전지

Номер: KR1020150143868A
Автор: 사토 데츠야, 요시다 마사토, 노지리 다케시, 마치이 요이치, 이와무로 미츠노리, 오리타 아키히로
Принадлежит:

... 본 발명은 반도체층과, K, Na, Li, Ba, Sr, Ca, Mg, Be, Zn, Pb, Cd, V, Sn, Zr, Mo, La, Nb, Ta, Y, Ti, Zr, Ge, Te 및 Lu 로 이루어지는 군에서 선택되는 금속 원자의 적어도 1 종, 그리고 n 형 불순물 원자 및 p 형 불순물 원자로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 불순물 원자를 함유하는 불순물 확산층을 갖는 반도체 기판을 제공한다.

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Номер записи: 3
24-03-2017 дата публикации

반도체 기판 및 그 제조 방법, 태양 전지 소자, 그리고 태양 전지

Номер: KR0101719885B1
Автор: 사토 데츠야, 요시다 마사토, 노지리 다케시, 마치이 요이치, 이와무로 미츠노리, 오리타 아키히로
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명은 반도체층과, K, Na, Li, Ba, Sr, Ca, Mg, Be, Zn, Pb, Cd, V, Sn, Zr, Mo, La, Nb, Ta, Y, Ti, Zr, Ge, Te 및 Lu 로 이루어지는 군에서 선택되는 금속 원자의 적어도 1 종, 그리고 n 형 불순물 원자 및 p 형 불순물 원자로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 불순물 원자를 함유하는 불순물 확산층을 갖는 반도체 기판을 제공한다.

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Номер записи: 4
15-06-2018 дата публикации

ｐ 형 확산층 형성 조성물, ｐ 형 확산층의 제조 방법, 및 태양 전지 소자의 제조 방법

Номер: KR0101868163B1
Автор: 마치이 요이치, 요시다 마사토, 노지리 다케시, 오카니와 카오루, 이와무로 미츠노리, 아다치 슈이치로, 사토 데츠야, 기자와 게이코
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명의 p 형 확산층 형성 조성물은, 억셉터 원소를 함유하며 라이프 타임 킬러 원소의 총량이 1000 ppm 이하인 유리 분말과, 분산매를 함유한다. 이 p 형 확산층 형성 조성물을 도포하고 열확산 처리를 실시함으로써, p 형 확산층, 및 p 형 확산층을 갖는 태양 전지 소자가 제조된다.

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Номер записи: 5
02-05-2016 дата публикации

n형 확산층 형성 조성물, n형 확산층의 형성 방법, n형 확산층 구비 반도체 기판의 제조 방법, 및 태양 전지 소자의 제조 방법

Номер: KR1020160047480A
Автор: 사토 데츠야, 요시다 마사토, 노지리 다케시, 구라타 야스시, 아시자와 도라노스케, 마치이 요이치, 이와무로 미츠노리, 오리타 아키히로, 시미즈 마리, 사토 에이치
Принадлежит:

... 본 발명은 도너 원소를 포함하는 유리 입자와, 분산매와, 유기 금속 화합물을 함유하는 n형 확산층 형성 조성물, 이것을 이용한 n형 확산층의 형성 방법, n형 확산층 구비 반도체 기판의 제조 방법, 및 태양 전지 소자의 제조 방법에 관한 것이다.

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Номер записи: 6
07-03-2018 дата публикации

ｎ 형 확산층 형성 조성물, ｎ 형 확산층의 제조 방법, 및 태양 전지 소자의 제조 방법

Номер: KR0101835897B1
Автор: 마치이 요이치, 요시다 마사토, 노지리 다케시, 오카니와 가오루, 이와무로 미츠노리, 아다치 슈이치로, 사토 데츠야, 기자와 게이코
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명의 n 형 확산층 형성 조성물은, 도너 원소를 함유하며 라이프 타임 킬러 원소의 총량이 1000 ppm 이하인 유리 분말과, 분산매를 함유한다. 이 n 형 확산층 형성 조성물을 도포하고 열확산 처리를 실시함으로써, n 형 확산층, 및 n 형 확산층을 갖는 태양 전지 소자가 제조된다.

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Номер записи: 7