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21-08-2017 дата публикации

유기 일렉트로닉스용 재료, 유기 일렉트로닉스 소자, 유기 일렉트로 루미네센스 소자, 및 그것을 사용한 표시 소자, 조명 장치, 표시 장치

Номер: KR0101769836B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명은, 구동 전압의 저감이나 안정적으로 장시간 구동이 가능한 유기 일렉트로닉스 소자를 제조할 수 있는 유기 일렉트로닉스용 재료를 제공한다. 적어도, 이온 화합물과 전하 수송성 유닛을 가지는 화합물(이하, 전하 수송성 화합물이라고 함)을 함유하는 유기 일렉트로닉스용 재료로서, 상기 이온 화합물이, 상대 양이온(counter cations)과 상대 음이온(counter anions)으로 이루어지고, 상기 상대 양이온이, H+, 탄소 양이온, 질소 양이온, 산소 양이온, 천이 금속을 가지는 양이온 중 적어도 1종 또는 2종 이상인, 유기 일렉트로닉스용 재료이다.

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31-10-2016 дата публикации

열경화성 광반사용 수지 조성물, 이것을 이용한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 그 제조 방법, 및 광반도체 장치

Номер: KR0101671086B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 광반도체 소자 탑재용 기판에 필요하게 되는 광학 특성 및 내열 착색성 등의 각종 특성이 뛰어남과 동시에, 트랜스퍼 성형법 등에 의한 성형 가공시의 이형성이 뛰어나고, 연속 성형 가능한 열경화성 광반사용 수지 조성물, 그러한 수지 조성물을 사용하여, 신뢰성이 높은 광반도체 도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치, 및 그들을 효율 좋게 제조하는 방법을 제공한다. (A)에폭시 수지, (B)경화제, (C)경화 촉매, (D)무기 충전제, (E)백색 안료, (F)첨가제 및 (G)이형제를 주성분으로 하는 열경화성 광반사용 수지 조성물로서, 상기 수지 조성물의 경화 후의 광파장 400nm에 있어서의 광확산 반사율이 80% 이상이며, 트랜스퍼 성형에 있어서의 연속 성형 가능수가 100회 이상인 열경화성 광반사용 수지 조성물을 조제하여 사용한다.

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21-02-2018 дата публикации

아크릴계 엘라스토머 및 이것을 이용한 조성물

Номер: KR0101830973B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 고온 고습하에서 뛰어난 전기 절연성을 가지며, 또한 장기간의 신뢰성이 뛰어난 아크릴계 엘라스토머 및 이것을 이용한 아크릴계 엘라스토머 조성물을 제공하는 것. 구조 단위로서, 적어도 하기 일반식(I), (II) 및 (III)의 구조를 포함하는 아크릴계 엘라스토머로 한다. [화1] (X는, 탄소수 5~22의 지환식 탄화수소를 포함하는 치환기를 나타낸다. R1은 수소 또는 메틸기를 나타낸다.) [화2] (Y는, 탄소수 1~10의 탄화수소기를 포함하는 치환기를 나타낸다. R2는 메틸기를 나타낸다.) [화3] (Z는, OH기, 혹은, 카르복실기, 히드록실기, 산무수물기, 아미노기, 아미드기 및 에폭시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 관능기를 포함하는 치환기를 나타낸다. R3은 수소 또는 메틸기를 나타낸다.) ...

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30-01-2019 дата публикации

반도체 장치의 제조 방법

Номер: KR0101944200B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 생산 효율의 향상을 도모할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 반도체 장치(1)의 제조 방법에서는, 반도체 소자(3)를 씰링하는 씰링재(7)를 부여하고, 반도체 소자(3)와 대향하는 금형에 릴리스 필름(F)을 두고서 상부 금형(22)과 하부 금형(24)에 의해 씰링재(7)를 경화시키는 공정을 포함하며, 릴리스 필름(F)에서의 씰링재(7)와의 접촉측에, 전자파를 차폐하기 위한 금속층(9)을 미리 마련하여, 씰링재(7)를 경화시키는 공정에서 씰링재(7)에 금속층(9)을 전사한다.

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03-08-2015 дата публикации

SOLAR-CELL SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR-CELL SUBSTRATE, SOLAR-CELL ELEMENT, AND SOLAR CELL

Номер: KR0101541657B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명은, 선택 에미터 구조를 갖는 태양 전지에 있어서 전극 바로 아래의 n 형 불순물 농도가 높은 n+ 형 확산층과 전극 사이의 위치 어긋남을 억제하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은, n 형 확산층과, 상기 n 형 확산층보다 n 형 불순물 농도가 높은 n+ 형 확산층을 갖고, 상기 n+ 형 확산층의 표면이 오목부를 갖는 반도체 기판인 태양 전지 기판, 태양 전지 기판의 제조 방법, 태양 전지 소자 및 태양 전지를 제공한다.

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08-01-2018 дата публикации

전열시트, 전열시트의 제작방법, 및 방열 장치

Номер: KR0101815719B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명의 전열시트는, 기재시트와, 상기 기재시트의 한쪽의 표면상에, 상기 기재시트의 두께의 1~30%의 두께의 금속박(C)를 갖는다. 상기 기재시트는, 실온에서 탄성을 나타내는 바인더 성분(A)와 이방성을 가지는 흑연분(B)를 함유하고, 흑연분(B)가 두께 방향으로 배향하고 있다.

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20-10-2017 дата публикации

액상 조성물, 및 그것을 사용한 저항체막, 저항체 소자 및 배선판

Номер: KR0101788731B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명은, 안정된 저항값을 나타내는 저항체를 형성 가능한 액상(液狀) 조성물을 제공한다. 본 발명의 액상 조성물의 일태양은, (a) 에폭시 수지와, (b) 카본 블랙 입자와, (c) 카본 나노 튜브와, (d) 25℃에 있어서의 증기압이 1.34×103 Pa 미만인 용제를 포함하는 액상 조성물이다.

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18-02-2016 дата публикации

PROTECTIVE FILM FOR TOUCH PANEL ELECTRODE, AND TOUCH PANEL

Номер: KR0101592803B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명은, 바인더 폴리머와, 광중합성 화합물과, 광중합 개시제를, 함유하는 감광성 수지 조성물로 이루어지는 감광층의 소정 부분을 경화시켜 얻어지는 터치패널용 전극의 보호막으로, 열분해 가스크로마토그래피 질량분석에 의해 헵타노니트릴 및 벤조산이 검출되는 터치패널용 전극의 보호막을 제공한다.

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28-10-2015 дата публикации

STRUCTURE CONTAINING CONDUCTOR CIRCUIT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND HEAT-CURABLE RESIN COMPOSITION

Номер: KR0101564179B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명에 관련되는 도체 회로를 갖는 구조체의 제조 방법은, 열경화성 수지층에 형성되는 개구의 형상에 맞추어, 제1의 패턴화 공정에 있어서 제1의 감광성 수지층을 패턴화함으로써, 여러 가지 형상의 개구를 형성할 수 있다. 또한, 이 도체 회로를 갖는 구조체의 제조 방법에서는, 레이저로 개구를 형성하는 경우와는 달리, 복수의 개구를 동시에 형성할 수 있는 것에 더하여, 개구 주변의 수지의 잔사를 저감할 수 있다. 이 때문에, 반도체 소자의 핀수가 증가되고, 다수의 미세한 개구를 형성할 필요가 생긴 경우이라도, 뛰어난 신뢰성을 갖는 구조체를 충분히 효율적으로 제조할 수 있다.

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18-04-2017 дата публикации

접착제 조성물, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치

Номер: KR0101728203B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명은, 반도체칩 및 배선 회로 기판의 각각의 접속부가 서로 전기적으로 접속된 반도체 장치 또는 복수의 반도체칩의 각각의 접속부가 서로 전기적으로 접속된 반도체 장치에서 접속부를 밀봉하는 접착제 조성물로서, 에폭시 수지와, 경화제와, 아크릴계 표면 처리 충전재를 함유하는 접착제 조성물에 관한 것이다.

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23-01-2018 дата публикации

연축전지로 이루어지는 조전지의 리프레시 충전 방법 및 충전 장치

Номер: KR0101820807B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 충전 시간을 짧게 하면서, 필요한 충전량을 얻을 수 있는, 연축전지로 이루어지는 조전지의 리프레시 충전 방법 및 충전 장치를 제공한다. 정전압 충전 모드에 있어서, 소정의 임계값 S0과 하한 전류값의 사이에, 단계적으로 작아지는 n개(n은 1 이상의 정수)의 중간 임계값 S1 내지 Sn을 설정하고, 또한 충전 전류가 그 n개의 중간 임계값 S1 내지 Sn에 도달하면 계수가 개시되는 n개의 예비 타이머 시간 T1내지 Tn을 설정한다. 최대 타이머 시간 Tm과 n개의 예비 타이머 시간 T1 내지 Tn은 Tm>T1>…>Tn의 관계를 충족시키도록 설정하고, 하한 전류값이 검지되기 전에, 최대 타이머 시간 Tm 및 n개의 예비 타이머 시간 T1 내지 Tn 중 어느 하나의 계수가 완료되면, 충전을 정지한다.

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24-02-2016 дата публикации

MULTILAYER RESIN SHEET AND METHOD FOR PRODUCING SAME, METHOD FOR PRODUCING MULTILAYER RESIN SHEET CURED PRODUCT, AND HIGHLY THERMALLY CONDUCTIVE RESIN SHEET LAMINATE AND METHOD FOR PRODUCING SAME

Номер: KR0101597390B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 다층 수지 시트를, 메소겐 골격을 갖는 에폭시 수지, 경화제 및 무기 충전재를 포함하는 수지층과, 상기 수지층의 적어도 일방의 면 상에 형성된 절연성 접착제층을 포함하여 구성한다. 그 다층 수지 시트에서 유래되는 다층 수지 시트 경화물은 높은 열전도율을 갖고, 절연성, 접착 강도가 양호하고, 또한 열충격 내성도 우수하여 전기, 전자 기기에 사용하는 전기 절연 재료로서 바람직하다.

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10-01-2017 дата публикации

유기 일렉트로닉스 재료, 잉크 조성물 및 유기 일렉트로닉스 소자

Номер: KR0101695139B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 잉크 조성물로 한 경우에 저온 경화성이 우수하고, 구동 전압의 저감이나 안정된 장시간 구동이 가능한 유기 일렉트로닉스 소자를 제작할 수 있는 유기 일렉트로닉스 재료를 제공한다. 하기 일반식(1)로 표시되는 이온 화합물과 전하 수송성 유닛을 갖는 화합물(이하, 전하 수송성 화합물이라고 함)을 적어도 함유하는 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로닉스 재료이다. [일반식(1) 중, Ar은 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, Ra∼Rb는 각각 독립적으로 수소 원자(H), 알킬기, 벤질기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, Ar, Ra 및 Rb는 서로 연결되어 고리를 형성해도 좋다. 단, Ra∼Rb의 적어도 하나는 수소 원자(H), 알킬기 및 벤질기 중 어느 것이다. A는 음이온을 나타낸다.] ...

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18-01-2018 дата публикации

감광성 수지 조성물, 감광성 필름, 리브 패턴의 형성 방법, 중공 구조와 그 형성 방법 및 전자 부품

Номер: KR0101820074B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 내습열성이 우수하며, 경화물이 고온에서 높은 탄성율을 가지고, 중공 구조 유지성도 우수한 감광성 수지 조성물, 및 그것을 사용한 감광성 필름, 리브 패턴의 형성 방법, 중공 구조와 그 형성 방법 및 전자 부품을 제공한다. 중공 구조를 가지는 전자 부품에 있어서 상기 중공 구조를 형성하는 리브재 또는 커버재로서 사용되는 감광성 수지 조성물로서, (A) 적어도 1개의 에틸렌성 불포화기를 가지는 광 중합성 화합물과 (B) 광 중합 개시제를 함유하여 이루어지는 감광성 수지 조성물 및 상기 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 감광성 필름을 사용하는 것을 특징으로 한다. (A) 성분으로서는, 아크릴레이트 화합물 또는 메타크릴레이트 화합물, 구체적으로는, 아미드기를 함유하는 아크릴레이트 화합물 또는 메타크릴레이트 화합물이나 우레탄 결합을 함유하는 아크릴레이트 화합물 또는 메타크릴레이트 화합물을 사용한다.

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06-04-2016 дата публикации

RFID TAG

Номер: KR0101609959B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 소형(한 변이 1.9 내지 13㎜의 정방형)이라도, 수㎝ 이상의 통신 거리를 확보 가능하며, 또한 종래의 온칩 안테나에 비해 비용을 저감 가능한 RFID 태그를 제공한다. RFID 태그(80)는, 안테나(20)와, 상기 안테나(20)에 접속된 IC 칩(30)과, 이 IC 칩(30) 및 안테나(20)를 밀봉하는 밀봉재(10)를 갖고, 상기 안테나(20)가, 코일 안테나 또는 루프 안테나이며, 상기 안테나(20)의 인덕턴스 L과 상기 IC 칩(30)의 정전 용량 C를 포함하여 형성되는 전기 회로의 공진 주파수 f0가, IC 칩(30)의 동작 주파수 또는 그 부근이다.

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06-04-2018 дата публикации

연마제 및 기판의 연마 방법

Номер: KR0101846607B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명은 프탈산 화합물, 이소프탈산 화합물 및 하기 일반식 (I) 로 나타내는 알킬디카르복실산 화합물 그리고 이들의 염 및 산무수물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종으로 이루어지는 카르복실산 유도체와, 금속 방식제와, 물을 함유하고, pH 가 4.0 이하인, 코발트 원소를 함유하는 층을 연마하기 위한 연마제를 제공한다. 일반식 (I) 중, R 은 탄소수가 4 ∼ 10 인 알킬렌기를 나타낸다. HOOC-R-COOH … (I) ...

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04-12-2018 дата публикации

전지 시스템

Номер: KR0101925196B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 복수 종류의 전지를 스위치 SW를 통해 접속하는 전지 시스템에 있어서, 전압(충전율)으로 스위치 SW를 전환한 경우에는, 전지의 직류 저항에 따라서는, 충전 시의 충전 전하를 더 증가시킬 수 있는 경우가 있었다. 본 발명은 충전 전하를 더 증가시킬 수 있도록 하는 스위치 SW 전환 제어를 제공하는 것에 있다. 본 발명의 제1 특징은, 제1 전지와 제2 전지가 스위치 SW를 통해 병렬로 접속된 전지 시스템에 있어서, 각 전지의 저항과 OCV를 계측하여 충전 전류를 추정하는 수단을 요하고, 충전 전하가 커지도록 하는 스위치 SW 조합으로 전환함으로써, 충전 전하를 더욱 증가시킬 수 있다.

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21-11-2018 дата публикации

회로 접속 재료 및 회로 기판의 접속 구조체

Номер: KR0101920952B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명은 접착제 성분, 도전 입자, 평균 입경이 7 내지 75nm인 실리카 충전재 및 평균 입경이 130 내지 2000nm인 유기 충전재를 함유하고, 실리카 충전재의 함유량이, 접착제 성분의 전체 질량 또는 전체 부피를 기준으로서 각각 10질량% 이상 80질량% 미만 또는 5부피% 이상 40부피% 미만이고, 유기 충전재의 함유량이, 접착제 성분의 전체 질량 또는 전체 부피를 기준으로서 각각 5 내지 20질량% 또는 5 내지 20부피%인 회로 접속 재료를 제공한다.

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20-02-2019 дата публикации

절연 피복용 입자, 절연 피복 도전 입자, 이방 도전 재료 및 접속 구조체

Номер: KR0101950516B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명은, 표면이 도전성을 갖는 금속을 포함하는 기재 입자를 피복하여 절연 피복 도전 입자를 형성하기 위한 절연 피복용 입자이며, 코어 입자 및 셸층을 갖는 코어셸 구조를 구비하고, 코어 입자가 유기 고분자를 포함하고, 셸층이 SiO4/2 단위, RSiO3/2 단위 및 R2SiO2/2 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 단위를 갖는 실리콘계 화합물을 포함하는 절연 피복용 입자에 관한 것이다. 상기 R은, 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 6 내지 24의 방향족기, 비닐기 및 γ-(메트)아크릴옥시프로필기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 나타낸다.

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24-08-2016 дата публикации

무기 형광체 함유 폴리머 입자, 무기 형광체 함유 폴리머 입자의 제조 방법, 및 태양 전지 모듈

Номер: KR0101650801B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 무기 형광체와 투명 재료를 포함하는 무기 형광체 함유 폴리머 입자. 투명 재료가, 비닐 화합물의 중합체인 비닐 수지인 것이 바람직하다. 비닐 화합물로서는, 5 mPa·s∼30 mPa·s의 점도(25℃)를 가지는 비닐 화합물을 10 질량% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 또는 하기 일반식(I-1) 및 일반식(I-2)으로 표시되는 구조를 가지는 화합물 중 적어도 한쪽을 포함하는 것이 바람직하다. 식(I-1) 및 식(I-2) 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 알킬기를 나타낸다. R1과 R2는 서로 연결되어 환을 형성할 수도 있다. 무기 형광체로서는, 표면 처리제에 의해 표면 개질(改質)된 무기 형광체인 것이 바람직하고, 표면 처리제가 커플링제인 것이 더욱 바람직하고, 커플링제가, 반응성 치환기를 가지는 실리콘 올리고머인 것이 더욱 바람직하다.

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27-12-2018 дата публикации

도전 패턴의 형성 방법, 도전 패턴 기판 및 터치 패널 센서

Номер: KR0101932778B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명의 도전 패턴의 형성 방법은, 기판 상에 형성된 감광성 수지층과, 감광성 수지층의 기판과는 반대측의 면에 형성된 도전막을 포함하는 감광층에, 패턴상으로 활성 광선을 조사하는 제 1 노광 공정과, 산소 존재하에서, 감광층의 적어도 제 1 노광 공정에서의 미노광부의 일부 또는 전부에 활성 광선을 조사하는 제 2 노광 공정과, 제 2 노광 공정 후에 감광층을 현상함으로써 도전 패턴을 형성하는 현상 공정을 구비한다.

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11-10-2018 дата публикации

알루미늄 규산염, 금속 이온 흡착제 및 이들의 제조 방법

Номер: KR0101907048B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명의 알루미늄 규산염은, 원소 몰비 Si/Al가 0.3∼1.0이며,27Al-NMR에 3 ppm 부근에 피크를 가지고,29Si-NMR에 -78 ppm 부근의 피크 A 및 -85 ppm 부근의 피크 B를 가지고, 분말 X선 회절에 있어서 2θ=26.9°및 40.3°부근에 피크를 가진다. 그리고, 피크 A에 대한 피크 B의 면적 비율이 2.0∼9.0이거나, 또는 100,000배의 투과형 전자 현미경 사진에 있어서 길이 50 nm 이상의 관상물(管狀物)이 존재하지 않는다. 상기 알루미늄 규산염은, 규산 이온 용액 및 알루미늄 이온 용액의 반응 생성물을 탈염 및 고체 분리하고, 이어서, 수성 매체 중, 산의 존재 하, 규소 원자 농도가 100 mmol/L 이상이면서, 또한 알루미늄 원자 농도가 100 mmol/L 이상이 되는 농도 조건에서 가열 처리하고, 탈염 및 고체 분리하여 제조된다.

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23-03-2018 дата публикации

포지티브형 감광성 수지 조성물, 레지스트 패턴의 제조 방법 및 전자 부품

Номер: KR0101841794B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은, 페놀성 수산기를 가지는 알칼리 가용성 수지와, 광에 의해 산을 생성하는 화합물과, 열가교제와, 에폭시기 및 술피드기로부터 선택되는 적어도 1종의 관능기를 가지는 실란 화합물을 함유한다.

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04-05-2018 дата публикации

수지 조성물, 수지 시트, 수지 시트 경화물, 수지 시트 적층체, 수지 시트 적층체 경화물 및 그 제조 방법, 반도체 장치, 그리고 LED 장치

Номер: KR0101854948B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명은 에폭시 수지 모노머와, 하기 일반식 (I) 로 나타내는 구조 단위를 갖는 화합물을 함유하는 노볼락 수지와, 필러를 함유하고, 상기 필러가 레이저 회절법을 이용하여 측정되는 입자직경 분포에 있어서, 0.01 ㎛ 이상 1 ㎛ 미만, 1 ㎛ 이상 10 ㎛ 미만, 및 10 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하의 각각의 범위에 피크를 가지며, 10 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하의 입자직경을 갖는 필러가 질화붕소 입자를 함유하는 수지 조성물을 제공한다. 하기 일반식 (I) 중, R1 은 알킬기, 아릴기, 또는 아르알킬기를 나타내고, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 또는 아르알킬기를 나타내고, m 은 0 ∼ 2 의 수를, n 은 1 ∼ 7 의 수를 나타낸다.

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02-10-2015 дата публикации

ADHESIVE SHEET FOR SEMICONDUCTOR, AND DICING TAPE INTEGRATED ADHESIVE SHEET FOR SEMICONDUCTOR

Номер: KR0101557171B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 확장에 의한 절단성이 양호하여 개편화가 가능하고, 또한 몰드시에 배선 기판의 요철에의 매입성이 뛰어난 반도체용 접착 시트 및 다이싱 일체형 반도체용 접착 시트를 제공한다. 고분자량 성분 및 필러를 함유하는 수지 조성물로 이루어지는 반도체용 접착 시트로서, 경화 전의 접착 시트의 0℃에 있어서의 파단신도가 40% 이하이며, 경화 후의 접착 시트의 175℃에 있어서의 탄성률이 0.1~10MPa인 것을 특징으로 하는 반도체용 접착 시트.

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08-01-2019 дата публикации

다층 수지 시트, 수지 시트 적층체, 다층 수지 시트 경화물 및 그 제조 방법, 금속박이 형성된 다층 수지 시트, 그리고 반도체 장치

Номер: KR0101936449B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 열경화성 수지 및 필러를 함유하는 수지 조성물층과, 상기 수지 조성물층의 적어도 일방의 면 상에 배치되고, 상기 수지 조성물층과는 대향하지 않는 면의 산술 평균 표면 조도 Ra 가 1.5 ㎛ 이하인 접착재층을 갖는 다층 수지 시트를 제공한다.

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31-05-2016 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING THERMALLY CONDUCTIVE SHEET

Номер: KR0101626237B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 기재와, 상기 기재 상에 설치된 열전도성 입자 및 열경화성 수지를 포함하는 필름을 갖는, 제1 기재 부착 필름 및 제2 기재 부착 필름을 적어도 준비하고, 상기 제1 기재 부착 필름 및 제2 기재 부착 필름의 각각의 상기 필름을 접촉시키고, 대향하여 배치되어 한쌍을 이루는 제1 롤 및 제2 롤의 롤 사이에 배치하고, 상기 한쌍을 이루는 제1 롤 및 제2 롤을 회전시켜, 상기 필름의 막두께 방향으로 압력을 부가하며, 또한 제1 기재 부착 필름 및 제2 기재 부착 필름을 중첩시켜 반송하는 것을 포함하는, 결합된 복수의 필름을 포함하는 열전도 시트의 제조방법.

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23-01-2017 дата публикации

미끄럼 베어링 조립체

Номер: KR0101699189B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

Cu의 사용량을 저감하고 제조 비용을 저감함과 함께, 기지에 대한 고착성이 높은 황화물을 분산시킨 건설기계의 관절용의 미끄럼 베어링 조립체를 제공한다. 건설기계의 관절에 이용되는 미끄럼 베어링 조립체이며, 적어도 축과 미끄럼 베어링인 철계 소결재로 이루어지는 부시로 이루어지고, 부시는, 전체 조성이, 질량비로, Cu:0.1~10%, C:0.2~1.2%, Mn:0.03~0.9%, S:0.36~1.68%, 잔부:Fe 및 불가피 불순물로 이루어지며, 마르텐사이트 조직을 주로 하는 기지 중에, 기공이 분산함과 함께, 황화물 입자가 석출 분산하는 금속 조직을 나타내고, 황화물 입자가, 기지에 대해 1~7체적%의 비율로 분산한다.

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07-12-2015 дата публикации

THERMOSETTING RESIN COMPOSITION, EPOXY RESIN MOLDING MATERIAL, AND POLYVALENT CARBOXYLIC ACID CONDENSATE

Номер: KR0101575209B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명의 에폭시 수지 성형 재료는, (A) 에폭시 수지 및 (B) 경화제를 함유하고, (B) 경화제가 다가 카르복시산 축합체를 포함하는 것이다. 또한, 본 발명의 열경화성 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지 및 (B) 경화제를 함유하고, ICI 콘-플레이트형 점도계에 의해 측정되는 (B) 경화제의 점도가, 150℃에서 1.0∼1,000mPaㆍs이다.

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26-06-2017 дата публикации

방오 도료용 폴리에스테르 수지, 그의 제조 방법, 방오 도료 조성물, 방오 도막, 방오 기재

Номер: KR0101751142B1

... 저VOC를 유지한 채 저장 안정성을 개선함으로써 1액화가 가능해지고, 또한 경화성을 향상시킬 수 있고, 장기에 걸쳐 양호한 방오성, 도막 물성을 공급하는 것이 가능한 방오 도료용 폴리에스테르 수지 및 그의 제조 방법 및 방오 도료 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 방오 도료용 폴리에스테르 수지는, (a) 3가 이상의 알코올과, (b) 이염기산 또는 그의 무수물과, (c) 2가의 알코올을 반응시킨 후, 이어서 (d) 지환식 이염기산 또는 그의 무수물을 반응시켜 얻어진다.

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31-03-2016 дата публикации

SINTERED ALLOY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR0101607866B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 소결 합금은, 질량% 로, Cr : 10.37 ~ 39.73, Ni : 5.10 ~ 24.89, Si : 0.14 ~ 2.52, Cu : 1.0 ~ 10.0, P : 0.1 ~ 1.5, C : 0.18 ~ 3.20, 및 잔부로서 Fe 및 불가피한 불순물들로 본질적으로 이루어지고; 상 A 가 10 ~ 50 ㎛ 의 평균 입자 직경을 가진 석출된 금속 탄화물을 포함하고; 상 B 가 10 ㎛ 이하의 평균 입자 직경을 가진 석출된 금속 탄화물을 포함하며; 상기 상 A 는 상기 상 B 에 랜덤하게 분산되고, 상기 상 A 에서의 석출된 금속 탄화물의 평균 입자 직경 (DA) 은 상기 상 B 의 석출된 금속 탄화물의 평균 입자 직경 (DB) 보다 더 크다.

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05-02-2016 дата публикации

ADHESIVE AND ADHESIVE MATERIAL USING SAME, AND USAGE METHOD THEREFOR

Номер: KR0101592662B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 카르복실기를 적어도 2 개 갖는 모노머 (A) 및 아미노기를 적어도 2 개 갖는 모노머 (B) 를 함유하는 중합성 모노머를 축합 중합하여 얻어지는 구조 단위를 갖는 축합계 수지를 함유하고, 하기 (1) 및 (2) 중 적어도 일방, 그리고 하기 (3) 을 만족시키는 점착제. (1) 상기 모노머 (A), 상기 모노머 (A) 의 무수물 및 상기 모노머 (B) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 25 ℃ 에서 액상이다. (2) 상기 축합계 수지가 폴리옥시알칸디일기를 갖는다. (3) 상기 모노머 (A) 가 이소프탈산을 함유한다.

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04-05-2018 дата публикации

히드록시알킬 (메타)아크릴산 에스테르의 제조 방법

Номер: KR0101854917B1
Автор: 카메이 준이치
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 번잡한 정제 공정을 필요로 하는 일 없이, 효율적으로 고순도의 히드록시알킬 (메타)아크릴산 에스테르를 제조할 수 있는 제조 방법을 제공한다. 비닐 에테르 함유 알코올을 에스테르 교환법에 의해 (메타)아크릴화하여 비닐 에테르 함유 (메타)아크릴산 에스테르로 하고, 산촉매 및 글리콜의 존재 하, 탈비닐화 반응을 실시한 후에, 글리콜을 더 첨가하여 탈아세탈화 반응을 실시하는 것을 특징으로 하는 히드록시알킬 (메타)아크릴산 에스테르의 제조 방법이다.

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03-08-2015 дата публикации

COMPOSITION THAT FORMS N-TYPE DIFFUSION LAYER, N-TYPE DIFFUSION LAYER MANUFACTURING METHOD AND SOLAR CELL ELEMENT MANUFACTURING METHOD

Номер: KR0101541660B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... n 형 확산층 형성 조성물은, P2O5, SiO2 및 CaO 를 함유하는 유리 분말과 분산매를 함유한다. 그 n 형 확산층 형성 조성물을 반도체 기판 상에 도포하여 열확산 처리를 실시함으로써, n 형 확산층, 및 n 형 확산층을 갖는 태양 전지 소자가 제조된다.

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31-12-2015 дата публикации

ENGRAVED PLATE AND BASE MATERIAL HAVING CONDUCTOR LAYER PATTERN USING THE ENGRAVED PLATE

Номер: KR0101581265B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 기재와, 기재의 표면에 절연층을 구비하고, 절연층에 개구 방향을 향해 폭이 넓게 기재가 노출되어 있는 오목부가 형성되어 있는 오목판, 및 오목판을 이용해서 전사 방법에 의해 제조한 도체층 패턴을 갖는 기재 및 도체층 패턴을 제공한다.

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07-09-2018 дата публикации

열경화성 수지 조성물, 에폭시 수지 성형 재료 및 다가 카르복시산 축합체

Номер: KR0101895831B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명의 에폭시 수지 성형 재료는, (A) 에폭시 수지 및 (B) 경화제를 함유하고, (B) 경화제가 다가 카르복시산 축합체를 포함하는 것이다. 또한, 본 발명의 열경화성 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지 및 (B) 경화제를 함유하고, ICI 콘-플레이트형 점도계에 의해 측정되는 (B) 경화제의 점도가, 150℃에서 1.0∼1,000mPaㆍs이다.

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17-07-2015 дата публикации

ORGANIC ELECTRONIC MATERIAL, POLYMERIZATION INITIATOR AND THERMAL POLYMERIZATION INITIATOR, INK COMPOSITION, ORGANIC THIN FILM AND PRODUCTION METHOD FOR SAME, ORGANIC ELECTRONIC ELEMENT, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, LIGHTING DEVICE, DISPLAY ELEMENT, AND DISPLAY DEVICE

Номер: KR0101537654B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 전하 수송성 화합물과, 용제에 대한 용해도가 높고 전자 수용성을 가지는 이온성 화합물을 포함하는 유기 일렉트로닉스 재료를 제공한다. 전하 수송성 화합물과 이온성 화합물을 함유하고, 상기 이온성 화합물 중 적어도 하나가 하기 일반식 (1b)∼(3b)로 표시되는 화합물 중 어느 1종인 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로닉스 재료. (식 중, Y1∼Y6는 각각 독립적으로 2가의 연결기, R1∼R6는 각각 독립적으로, 전자 구인성 유기 치환기(이들의 구조 중에 치환기, 헤테로 원자를 추가로 가질 수도 있고, 또한, R1, R2 및 R3, 또는 R4∼R6는 각각이 결합하여 환상 또는 폴리머상이 될 수도 있음)를 나타낸다. L+는 1가의 양이온을 나타낸다).

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16-01-2017 дата публикации

금속 구리막 및 그 제조 방법, 금속 구리 패턴 및 그것을 이용한 도체 배선, 금속 구리 범프, 열전도로, 접합재, 및 액상(液狀) 조성물

Номер: KR0101697055B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 기판 밀착성, 저체적 저항률, 심부 금속성이 양호한 금속 구리막, 및 그 금속 구리막을 기판의 데미지 없이 심부까지 환원하여 제조할 수 있는 금속 구리막의 제조 방법을 제공한다. 구리 산화물과, 금속상의 천이 금속 혹은 합금, 또는 금속 원소를 포함하는 천이 금속 착체를 함께 함유하여 이루어지는 구리계 입자 퇴적층을, 120℃ 이상으로 가열한 가스상의 포름산 및/또는 포름알데히드에 의해 처리해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속 구리막이다. 상기 구리 산화물로서는, 산화 제1구리 및/또는 산화 제2구리인 것이 바람직하고, 상기 천이 금속, 합금, 또는 천이 금속 착체가, 각각, Cu, Pd, Pt, Ni, Ag, Au, 및 Rh로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속, 또는 그 금속을 포함하는 합금, 또는 그 금속 원소를 포함하는 착체인 것이 바람직하다.

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08-08-2018 дата публикации

슬러리, 연마액 세트, 연마액, 기판의 연마 방법 및 기판

Номер: KR0101886895B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 실시 형태에 관한 연마액은 지립과 첨가제와 물을 함유하고, 지립이 하기 조건 (a) 또는 (b) 중 적어도 한쪽을 만족하는 것이다. (a) 지립의 함유량을 1.0질량%로 조정한 수분산액에서 파장 400nm의 광에 대하여 흡광도 1.50 이상을 제공함과 함께, 지립의 함유량을 1.0질량%로 조정한 수분산액에서 파장 500nm의 광에 대하여 광투과율 50%/cm 이상을 제공한다. (b) 지립의 함유량을 0.0065질량%로 조정한 수분산액에서 파장 290nm의 광에 대하여 흡광도 1.000 이상을 제공함과 함께, 지립의 함유량을 1.0질량%로 조정한 수분산액에서 파장 500nm의 광에 대하여 광투과율 50%/cm 이상을 제공한다.

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18-04-2016 дата публикации

MULTILAYER WIRING BOARD

Номер: KR0101613388B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 다층 배선판은, 적어도 2층 이상의 금속박 배선을 갖고, 표면 실장형 부품을 실장하는 실장면 측에 배치되는 제 1 금속박 배선층과, 실장면의 반대측에 배치되며, 절연 피복 와이어가 배선되는 와이어 배선층과, 제 1 금속박 배선층의 표면에 위치하는 금속박 배선을, 제 1 금속박 배선층의 내층의 금속박 배선 및 와이어 배선층의 절연 피복 와이어 중 적어도 한쪽에 전기적으로 접속하는 도통부를 갖는 제 1 층간 도통 구멍을 구비하며, 제 1 층간 도통 구멍의 구멍 지름이, 다층 배선판의 판 두께 방향으로 다르다.

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21-09-2017 дата публикации

수지 조성물, 및 그것을 이용한 수지 시트, 프리프레그, 적층판, 금속 기판 및 프린트 배선판

Номер: KR0101780536B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 중량 누적 입도 분포의 소입경측으로부터의 누적 50%에 대응하는 평균 입자경(D50)이 1 nm∼500 nm이고, α-알루미나를 포함하는 제1 필러와, 중량 누적 입도 분포의 소입경측으로부터의 누적 50%에 대응하는 평균 입자경(D50)이 1 ㎛∼100 ㎛인 제2 필러와, 분자 내에 메소겐기를 갖는 열경화성 수지를 포함하는 수지 조성물이다.

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22-07-2016 дата публикации

점착제 및 그것을 사용한 점착재, 그리고 그들의 사용 방법

Номер: KR0101642174B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 카르복실기를 적어도 2 개 갖는 모노머 (A) 및 아미노기를 적어도 2 개 갖는 모노머 (B) 를 함유하는 중합성 모노머를 축합 중합하여 얻어지는 구조 단위를 갖는 축합계 수지를 함유하고, 하기 (1) 및 (2) 중 적어도 일방, 그리고 하기 (3) 을 만족시키는 점착제. (1) 상기 모노머 (A), 상기 모노머 (A) 의 무수물 및 상기 모노머 (B) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 25 ℃ 에서 액상이다. (2) 상기 축합계 수지가 폴리옥시알칸디일기를 갖는다. (3) 상기 축합계 수지가 시클로헥산 고리를 갖는다.

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05-09-2017 дата публикации

감광성 도전 필름, 도전막의 형성 방법, 도전 패턴의 형성 방법 및 도전막 기판

Номер: KR0101774885B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명과 관련되는 감광성 도전 필름(10)은, 지지 필름(1)과, 그 지지 필름(1) 상에 설치되어 도전성 섬유를 함유하는 도전층(2)과, 그 도전층(2) 상에 설치된 감광성 수지층(3)을 구비한다.

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13-03-2017 дата публикации

반도체 밀봉 충전용 열 경화성 수지 조성물 및 반도체 장치

Номер: KR0101715985B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명은 고온하에서의 접속 신뢰성이 우수한, 즉 고온에서도 충분한 접착력, 양호한 접속 상태에서 반도체를 밀봉 충전하는 것이 가능한 반도체 밀봉 충전 용 열 경화성 수지 조성물을 제공하는 것에 관한 것이다. 또한, 열 경화성 수지, 경화제, 플럭스제, 평균 입경이 상이한 적어도 2종 이상의 무기 충전재를 필수 성분으로 하고 있고, 상기 무기 충전재는 평균 입경이 100 nm 이하인 무기 충전재, 및 평균 입경이 100 nm 초과인 무기 충전재를 포함하는 반도체 밀봉 충전용 열 경화성 수지 조성물에 관한 것이다.

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10-05-2017 дата публикации

열경화성 수지 조성물, 및 이를 이용한 프리프레그, 지지체 부착 절연 필름, 적층판 및 인쇄 배선판

Номер: KR0101733646B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명은, 1 분자 중에 적어도 2개의 N-치환 말레이미드기를 갖는 말레이미드 화합물 (a)와, 1 분자 중에 적어도 2개의 1급 아미노기를 갖는 아민 화합물 (b)를 유기 용매 중에서 반응시켜 제조되는 불포화 말레이미드기를 갖는 수지 조성물 (A), 열경화성 수지 (B) 및 이소시아네이트 마스크 이미다졸이나 에폭시 마스크 이미다졸 등의 변성 이미다졸 화합물 (C)를 함유하는 열경화성 수지 조성물, 및 이를 이용한 프리프레그, 지지체 부착 절연 필름, 적층판 및 인쇄 배선판에 관한 것이다.

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15-01-2019 дата публикации

에폭시 수지 조성물, 이 에폭시 수지 조성물을 사용한 프리프레그, 지지체가 부착된 수지 필름, 금속박 피복 적층판 및 다층 프린트 배선판

Номер: KR0101938895B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명에 관련된 에폭시 수지 조성물은 (A) 인 함유 경화제와 (B) 에폭시 수지를 함유하고, 그 (A) 인 함유 경화제는 하기 화학식 (1) 로 나타내는 인 화합물이고, 화학식 (1) 에 있어서의 R 로 나타내는 유기기가 페놀성 수산기를 2 개 이상 가지며, 그 유기기의 분자량이 190 이상이다.

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05-07-2016 дата публикации

EPOXY RESIN CURING AGENT, EPOXY RESIN COMPOSITION, HARDENED MATERIAL THEREOF, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер: KR0101636587B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명은, 다가 카르복실산 무수물 및 수산기가 550mgKOH/g 이하의 수지상 고분자를 포함하고, 바람직하게는 상기 수지상 고분자의 중량 평균 분자량이 2000 이하인 에폭시 수지 경화제에 관한 것이고, 이것에 의해, 저점도로 취급성이 양호한 에폭시 수지 조성물이 얻어지고, 또한 착색이 적고, 내크랙성 및 투명성이 뛰어난 경화물이 얻어진다.

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08-01-2019 дата публикации

카본 나노 튜브의 제조 방법

Номер: KR0101936447B1

... 본 발명은 아세틸렌, 이산화탄소 및 불활성 가스로 이루어지는 원료 가스를, 촉매를 담지시킨 지지체 상에 유통시킴으로써, 지지체 상에 카본 나노 튜브를 합성시키는 합성 공정을 갖고, 원료 가스에 있어서, 아세틸렌의 분압이 1.33×101 ∼ 1.33×104 Pa 이고, 이산화탄소의 분압이 1.33×101 ∼ 1.33×104 Pa 이며, 또한, 아세틸렌과 이산화탄소의 분압비 (아세틸렌/이산화탄소) 가 0.1 ∼ 10 인 카본 나노 튜브의 제조 방법에 관한 것이다.

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05-02-2016 дата публикации

RESIN COMPOSITION FOR PRODUCTION OF CLAD LAYER, RESIN FILM FOR PRODUCTION OF CLAD LAYER UTILIZING THE RESIN COMPOSITION, AND OPTICAL WAVEGUIDE AND OPTICAL MODULE EACH UTILIZING THE RESIN COMPOSITION OR THE RESIN FILM

Номер: KR0101592612B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 중량 평균 분자량이 10만을 초과하는 (메타)아크릴 폴리머, (B) 우레탄(메타)아크릴레이트, 및 (D) 라디칼 중합 개시제를 함유하는 광도파로의 클래드층 형성용 수지 조성물, 및 클래드층 형성용 수지 필름, 이들을 이용하여 제작한 광도파로 및 광모듈이다. 굴곡 내구성, 비틀림 내구성이 뛰어난 클래드층 형성용 수지 조성물, 및 클래드층 형성용 수지 필름, 이들을 이용하여 제작한 광도파로 및 광모듈을 제공한다.

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21-11-2018 дата публикации

접착제용 개질제 및 그의 제조 방법, 접착제 조성물 및 회로 접속 구조체

Номер: KR0101920938B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명은, 하기 화학식 (1)로 나타내는 반복 단위 및/또는 하기 화학식 (2)로 나타내는 반복 단위를 갖는 수지를 포함하는, 접착제용 개질제 및 접착제 조성물에 관한 것이다.

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16-03-2017 дата публикации

내마모성 구리계 소결 합금

Номер: KR0101717347B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 전체 조성이, 질량비로, Ni: 2.0~16.0%, Si: 0.2~4.0%, 및 잔부가 Cu 및 불가피 불순물로 이루어지고, 기공과, 구리 혹은 구리-니켈 합금으로 이루어지는 기지와, 기지 중에 분산되는 입상의 니켈 규화물로 이루어지는 금속 조직을 나타냄과 더불어, 니켈 규화물은 2㎛ 이상의 크기인 것을 포함하는 내마모성 소결 구리 합금이다.

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12-10-2016 дата публикации

광도파로의 제조방법, 광도파로 및 광전기 복합배선판

Номер: KR0101665740B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... (1) 제1 클래드층을 형성하는 공정, 그 제1 클래드층 상의 적어도 한쪽의 단부에 코어층 형성용 수지 필름을 적층하여 제1 코어층을 형성하는 공정, 그 제1 코어층 상 및 그 제1 클래드층 상의 전면에 코어층 형성용 수지 필름을 적층하여 제2 코어층을 형성하는 공정, 그 제1 및 상기 제2 코어층을 패터닝하여 코어 패턴을 형성하는 공정, 그 코어 패턴 및 상기 제1 클래드층 상에 제2 클래드층을 형성하여 코어 패턴을 매립하는 공정을 갖는 플렉시블 광도파로의 제조방법, (2) 하부 클래드층, 코어부, 및 상부 클래드층으로 이루어지고, 상부 클래드층의 폭이 적어도 굴곡부에 있어서는, 하부 클래드층의 폭보다도 작고, 단부에 있어서는, 하부 클래드층의 폭과 같거나 작고, 하부 클래드층은 굴곡부의 폭이 단부의 폭과 같거나 작은 플렉시블 광도파로 및 그 제조방법이다. 굴곡 내구성이 뛰어나고, 광손실이 적은 플렉시블 광도파로 및 상기 제조방법이다.

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28-10-2015 дата публикации

PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE, PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE MATERIAL USING SAME, AND METHOD FOR USING SAID ADHESIVE AND MATERIAL

Номер: KR0101564156B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 카르복실기를 적어도 2 개 갖는 모노머 (A) 및 아미노기를 적어도 2 개 갖는 모노머 (B) 를 함유하는 중합성 모노머를 축합 중합하여 얻어지는 구조 단위를 갖는 축합계 수지를 함유하고, 하기 (1) 및 (2) 중 적어도 일방을 만족시키는 점착제. (1) 상기 모노머 (A), 상기 모노머 (A) 의 무수물 및 상기 모노머 (B) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이, 25 ℃ 에서 액상이다. (2) 상기 축합계 수지가, 폴리옥시알칸디일기를 갖는다.

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11-09-2015 дата публикации

ADHESIVE COMPOSITION, FILM-LIKE ADHESIVE, AND CONNECTION STRUCTURE FOR CIRCUIT MEMBER

Номер: KR0101552759B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명의 접착제 조성물은 (a) (메트)아크릴산알킬에스테르-부타디엔-스티렌 공중합체 또는 복합체, (메트)아크릴산알킬에스테르-실리콘 공중합체 또는 복합체, 및 실리콘-(메트)아크릴산 공중합체 또는 복합체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 유기 미립자를 함유하는 것이다.

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12-07-2018 дата публикации

리튬 이온 이차전지 음극용 탄소 입자, 리튬 이온 이차전지용 음극 및 리튬 이온 이차전지

Номер: KR0101878129B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 리튬 이온 이차전지 음극용 탄소 입자에 있어서, 2×10~2×104Å의 세공의 세공 체적이, 탄소 입자 중량당 0.1ml/g 이하이고, X선 회절 측정으로부터 구해지는 흑연 결정의 층간 거리 d(002)가 3.38Å이하이며, C축 방향의 결정자 사이즈 Lc가 500Å 이상이며, 입자 단면의 원형도가 0.6~0.9로 한다. 그에 의해, 고용량을 가지며, 보다 급속 충전 특성이 뛰어난 리튬 이온 이차전지 음극용 탄소 입자, 그것을 이용한 리튬 이온 이차전지용 음극, 리튬 이온 이차전지를 제공할 수 있다.

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23-06-2016 дата публикации

PRINTING INK, METAL NANOPARTICLES USED IN THE SAME, WIRING, CIRCUIT BOARD, AND SEMICONDUCTOR PACKAGE

Номер: KR0101633152B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

Cu 및/또는 CuO를 포함하는 금속 나노 입자를 포함하는 인쇄법용 잉크로서, 분산제 등의 첨가제를 사용하지 않고 양호한 분산성과 계시적인 분산 안전성이 얻어지는 인쇄법용 잉크를 제공한다. Cu 및/또는 CuO를 포함하는 금속 나노 입자를 함유하며, 이온성 불순물량이 전고형분 중에서 2600ppm 이하인 인쇄법용 잉크이다. 본 발명의 인쇄법용 잉크는, 이온설 불순물량이 전고형물 중에서 2600ppm 이하인, Cu 및/또는 CuO를 포함하는 금속 나노 입자를 분산매에 분산함으로써 얻어진다.

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08-11-2017 дата публикации

히드록시알킬(메타)아크릴산에스테르의 제조방법

Номер: KR0101795813B1
Автор: 카메이 준이치
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 번잡한 정제 공정을 필요로 하는 일 없이, 고순도의 히드록시알킬(메타)아크릴산에스테르를 효율적으로 제조할 수 있는 제조방법을 제공한다. 비닐에테르 함유 알코올을 에스테르 교환법에 의해 (메타)아크릴화하여 비닐에테르 함유 (메타)아크릴산에스테르로 하고, 산촉매 및 물의 존재하, 탈비닐화 반응을 행한 후에, 물을 더 첨가하여 탈아세탈화 반응을 행하는 것을 특징으로 하는히드록시알킬(메타)아크릴산에스테르의 제조방법.

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18-01-2019 дата публикации

접착재 릴, 블록킹 억제 방법, 접착재 릴의 교환 방법, 접착재 테이프의 조출 방법, 접착재 릴의 제조 방법, 릴 키트, 및 곤포체

Номер: KR0101940355B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 접착재 릴은 권심과, 권심의 양측에 서로 대향하도록 설치된 한 쌍의 측판과, 권심에 감겨 있고, 테이프상의 기재 및 그의 한쪽면 상에 설치된 접착제층을 갖는 접착재 테이프를 구비하고, 접착재 테이프는 당해 접착재 테이프의 종단부로부터 소정 길이에 걸쳐 접착제층이 사용되지 않는 권취제거부를 갖는다.

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06-12-2016 дата публикации

리플로우 필름, 땜납 범프 형성 방법, 땜납 접합의 형성 방법 및 반도체 장치

Номер: KR0101678749B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명은, 용매에 용해 가능한 열가소성 수지와, 땜납 입자를 포함하는 필름으로서, 상기 땜납 입자는 상기 필름 중에 분산된 상태인 것을 특징으로 하는 리플로우 필름, 및 (A) 기판의 전극면측에 상기 리플로우 필름을 재치하는 공정, (B) 평판을 더 재치하여 고정하는 공정, (C) 가열하는 공정, 및 (D) 상기 리플로우 필름을 용해 제거하는 공정을 포함하는 땜납 범프 형성 방법에 관한 것이다. 이에 의하면, 땜납 성분을 자기 조직화에 의해 기판의 전극 위에 편재시킴으로써, 보존성, 운반성, 및 사용시의 핸들링성이 뛰어나고, 전극에 대하여만 선택적으로 땜납 범프 또는 땜납 접합을 형성할 수 있는 리플로우 필름을 제공한다.

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13-12-2018 дата публикации

수지 조성물 시트, 금속박이 부착된 수지 조성물 시트, 메탈 베이스 배선판 재료, 메탈 베이스 배선판, 및 LED 광원 부재

Номер: KR0101929067B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명의 수지 조성물 시트는 열경화성 수지와 페놀 수지와 절연성 무기 필러를 함유하는 수지 조성물로 형성되고, 표면에 있어서의 최대 깊이 0.5 ㎛ 이상의 오목부의 점유율이 면적률로 4 % 이하이다.

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09-12-2016 дата публикации

유리 조성물 및 그것을 사용한 도전성 페이스트 조성물, 전극 배선 부재와 전자 부품

Номер: KR0101683239B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명에 관련된 유리 조성물은, 천이 금속과 인을 포함하고, 상기 천이 금속이 텅스텐, 철, 망간 중 어느 1종 이상과 바나듐인 유리 조성물로서, 상기 유리 조성물은, JIG 조사 대상 물질의 레벨 A 및 레벨 B에 예시되어 있는 물질을 함유하지 않고, 연화점이 550℃ 이하인 것을 특징으로 한다.

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28-12-2016 дата публикации

반도체 장치 및 그 제조 방법

Номер: KR0101690626B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 반도체 칩 및 배선 회로 기판의 각각의 접속부가 서로 전기적으로 접속된 반도체 장치, 또는 복수의 반도체 칩의 각각의 접속부가 서로 전기적으로 접속된 반도체 장치의 제조 방법으로서, 상기 접속부 중 적어도 일부를, 하기 식(1)으로 표시되는 기를 가지는 화합물을 함유하는 반도체용 접착제를 사용하여 봉지(封止)하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법. [화학식 1] [식 중, R1은, 전자 공여성기를 나타낸다.] ...

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07-03-2018 дата публикации

리튬 이온 이차 전지용 부극재, 리튬 이온 이차 전지용 부극재의 제조 방법, 리튬 이온 이차 전지용 부극재 슬러리, 리튬 이온 이차 전지용 부극 및 리튬 이온 이차 전지

Номер: KR0101836026B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 배향면이 비평행이 되도록 집합 또는 결합하고 있는 복수의 편평상의 흑연 입자와, 구상의 흑연 입자를 포함하는 복합 입자를 포함하고, 라만 측정의 R값이 0.03 이상 0.10 이하이고, 수은 압입법으로 얻어지는 세공 직경이 0.1㎛ 이상 8㎛ 이하의 범위에 있어서의 세공 용적이 0.2mL/g 이상 1.0mL/g 이하인 리튬 이온 이차 전지용 부극재.

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13-10-2016 дата публикации

반도체용 접착제, 플럭스제, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치

Номер: KR0101666101B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 에폭시 수지, 경화제 및 하기 식(1)으로 표시되는 기를 가지는 화합물을 함유하는, 반도체용 접착제. [화학식 1] [식 중, R1은, 전자 공여성기를 나타낸다.] ...

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26-05-2016 дата публикации

RFID TAG AND AUTOMATIC RECOGNITION SYSTEM

Номер: KR0101624811B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명은 소형일지라도, 통신 거리를 확보 가능하고, 내열성을 갖고, 게다가 종래의 온 칩 안테나나 패키지화한 것에 비해, 비용을 저감 가능한 RFID 태그 및 이를 이용한 자동 인식 시스템을 제공하는 것이다. 수지제의 기재와, 이 기재 상의 중앙부에 배치된 IC 칩과, 이 IC 칩의 외주부에 배치되고, 상기 IC 칩과 접속되어 전기적 폐회로를 형성하는 단층의 안테나와, 상기 IC 칩 및 안테나를 밀봉하는 밀봉재를 갖는 RFID 태그로서, 상기 안테나가, 코일 안테나 또는 루프 안테나이며, 상기 안테나의 공진 주파수 f0이, IC 칩의 동작 주파수 또는 그 부근이며, 상기 IC 칩의 동작 주파수가, 13.56㎒ 내지 2.45㎓, 또는 0.86 내지 0.96㎓이며, 상기 RFID 태그의 사이즈가, 세로 13㎜ 이하 × 가로 13㎜ 이하 × 높이 1.0㎜ 이하인 RFID 태그 및 이를 이용한 자동 인식 시스템이다.

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27-02-2017 дата публикации

N-치환 말레이미드기를 갖는 폴리페닐렌에테르 유도체, 및 그것을 사용한 열경화성 수지 조성물, 수지 바니시, 프리프레그, 금속 피복 적층판 및 다층 프린트 배선판

Номер: KR0101710854B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 하기 일반식 (I)로 표시되는 N-치환 말레이미드기를, 분자 중에 적어도 1개 갖는 폴리페닐렌에테르 유도체, 및 그것을 사용한 열경화성 수지 조성물, 프리프레그, 금속 피복 적층판 및 다층 프린트 배선판이다. (식 중, R1은 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 내지 5의 지방족 탄화수소기 또는 할로겐 원자를 나타내고, R2는 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 내지 5의 지방족 탄화수소기 또는 할로겐 원자를 나타내고, A1은 특정한 일반식으로 표현되는 잔기이고, m은 1 이상의 정수를 나타내는 구조 단위수이고, x 및 y는 1 내지 4의 정수임) ...

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27-02-2019 дата публикации

접착시트 및 반도체 장치의 제조 방법

Номер: KR0101953052B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명의 접착시트는, (A)고분자량 성분과, (B1)연화점이 50℃ 미만인 열경화성 성분과, (B2)연화점이 50℃ 이상 100℃ 이하인 열경화성 성분과, (C)연화점이 100℃ 이하인 페놀 수지를 포함하는 수지 조성물로 이루어지고, 그 수지 조성물 100질량%를 기준으로 하여, 상기 (A)고분자량 성분을 11∼22질량%, 상기 (B1)연화점이 50℃ 미만인 열경화성 성분을 10∼20질량%, 상기 (B2)연화점이 50℃ 이상 100℃ 이하인 열경화성 성분을 10∼20질량%, 상기 (C)연화점이 100℃ 이하인 페놀 수지를 15∼30질량% 함유한다.

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05-11-2015 дата публикации

PREPREG AND THE APPLIED PRODUCTS FOR LOW THERMAL EXPANSION AND LOW DIELECTRIC LOSS

Номер: KR0101565907B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명은 가공성을 열화시키는 일 없이, 유전정접, 중량, Z 방향의 열팽창계수, 비용을 저감한 고주파 대응 배선판 재료 및 그것을 사용한 전자부품을 제공하는 것을 목적으로 한다. 이를 위하여 본 발명에서는 폴리올레핀섬유와 유리섬유와 저열팽창성 수지 조성물을 복합화한 프리프레그와 그 경화물을 절연층으로 하는 전기부품을 제공한다.

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04-04-2018 дата публикации

리튬 이온 이차전지 음극용 탄소 입자, 리튬 이온 이차전지용 음극 및 리튬 이온 이차전지

Номер: KR0101845369B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 리튬 이온 이차전지 음극용 탄소 입자에 있어서, 2×10~2×104Å의 세공의 세공 체적이, 탄소 입자 중량당 0.1ml/g 이하이고, X선 회절 측정으로부터 구해지는 흑연 결정의 층간 거리 d(002)가 3.38Å이하이며, C축 방향의 결정자 사이즈 Lc가 500Å 이상이며, 입자 단면의 원형도가 0.6~0.9로 한다. 그에 의해, 고용량을 가지며, 보다 급속 충전 특성이 뛰어난 리튬 이온 이차전지 음극용 탄소 입자, 그것을 이용한 리튬 이온 이차전지용 음극, 리튬 이온 이차전지를 제공할 수 있다.

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24-03-2017 дата публикации

반도체 기판 및 그 제조 방법, 태양 전지 소자, 그리고 태양 전지

Номер: KR0101719885B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명은 반도체층과, K, Na, Li, Ba, Sr, Ca, Mg, Be, Zn, Pb, Cd, V, Sn, Zr, Mo, La, Nb, Ta, Y, Ti, Zr, Ge, Te 및 Lu 로 이루어지는 군에서 선택되는 금속 원자의 적어도 1 종, 그리고 n 형 불순물 원자 및 p 형 불순물 원자로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 불순물 원자를 함유하는 불순물 확산층을 갖는 반도체 기판을 제공한다.

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29-08-2017 дата публикации

유기 일렉트로닉스용 재료, 유기 일렉트로닉스 소자, 유기 일렉트로 루미네센스 소자, 및 그것을 사용한 표시 소자, 조명 장치, 표시 장치

Номер: KR0101772499B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명은, 구동 전압의 저감이나 안정적으로 장시간 구동이 가능한 유기 일렉트로닉스 소자를 제조할 수 있는 유기 일렉트로닉스용 재료를 제공한다. 적어도, 이온 화합물과 전하 수송성 유닛을 가지는 화합물(이하, 전하 수송성 화합물이라고 함)을 함유하는 유기 일렉트로닉스용 재료로서, 상기 이온 화합물이, 상대 양이온(counter cations)과 상대 음이온(counter anions)으로 이루어지고, 상기 상대 양이온이, H+, 탄소 양이온, 질소 양이온, 산소 양이온, 천이 금속을 가지는 양이온 중 적어도 1종 또는 2종 이상인, 유기 일렉트로닉스용 재료이다.

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17-08-2015 дата публикации

OPTICAL WAVEGUIDE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер: KR0101545038B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 무기 충전재를 포함하는 수지 기판상에, 적어도 자외선 흡수층, 하부 클래드층, 패터닝된 코어층, 및 상부 클래드층이 이 순서로 적층된 광도파로로서, 코어층의 패터닝이 노광·현상에 의해 실시되고, 또한 자외선 흡수층의 두께가 10~50㎛인 것을 특징으로 하는 광도파로, 및 무기 충전재를 포함하는 수지 기판상에 자외선 흡수층을 형성하는 공정, 그 자외선 흡수층상에 하부 클래드층을 형성하는 공정, 하부 클래드층상에 코어층을 형성하는 공정, 코어층을 노광하여 소정 형상의 패턴을 전사하는 공정, 현상하여 코어 패턴을 형성한다.

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30-03-2016 дата публикации

IRON BASE SINTERED ALLOY FOR SLIDING MEMBER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер: KR0101607744B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 내소부성을 향상시킨 슬라이딩 부재용 철기 소결 합금 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다. 슬라이딩 부재용 철기 소결 합금을, 전체 조성이, 질량비로, Cu:10~30%, C:0.2~2.0%, Mn:0.03~0.9%, S:0.36~3.65%, 잔부:Fe 및 불가피 불순물로 이루어지며, 마르텐사이트 조직을 주로 하는 기지 중에, 구리상과 기공이 분산됨과 함께, 황화물 입자가 상기 기지 중 및 상기 구리상 중에 석출 분산되는 금속 조직을 나타내고, 상기 황화물 입자가, 상기 기지에 대해 1~30체적%의 비율로 분산되는 것으로 한다.

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15-12-2017 дата публикации

리튬 이온 2차 전지용 음극재, 그 음극재를 이용한 리튬 이온 2차 전지용 음극 및 리튬 이온 2차 전지

Номер: KR0101809766B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 종래의 리튬 이온 2차 전지와 비교하여, 불가역 용량이 작고, 입출력 특성 및 수명특성이 우수한 리튬 이온 2차 전지, 및 그것을 얻기 위한 리튬 이온 2차 전지용 음극재 및 그 음극재를 이용하여 이루어지는 리튬 이온 2차 전지용 음극을 제공한다. 핵으로 이루어지는 탄소 재료의 표면에 탄소층을 가지는 리튬 이온 2차 전지용 음극재로서, (A) XRD 측정에서 구해지는 탄소 002면의 면간격이 3.40~3.70Å, (B) 상기 탄소 재료에 대한 상기 탄소층의 비율(질량비)이 0.005~0.1, (C) 77K에서의 질소 흡착 측정에서 구한 비표면적이 0.5~10.0㎡/g, (D) 273K에서의 이산화탄소 흡착에서 구한 비표면적 Y와, 상기 탄소 재료에 대한 상기 탄소층의 비율(질량비) X가 하기 식(Ⅰ)을 만족하는 리튬 이온 2차 전지용 음극재이다. 0<Y<AX+2.5 [단, A=100으로 한다] 식(Ⅰ) ...

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13-04-2018 дата публикации

수지 조성물 및 이것을 이용한 프리프레그, 적층판, 인쇄 배선판

Номер: KR0101832869B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명은, (a) 1 분자 구조 중에 적어도 2개의 N-치환 말레이미드기를 갖는 말레이미드 화합물과, (b) 1 분자 구조 중에 적어도 1개의 반응성 유기기를 갖는 실리콘 화합물을 함유하는 수지 조성물 및 이것을 이용한 프리프레그, 적층판 및 인쇄 배선판에 관한 것이다. 본 발명은 내열성, 저열팽창성이 우수한 수지 조성물, 이것을 이용한 프리프레그, 적층판 및 인쇄 배선판을 제공할 수 있다.

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25-04-2017 дата публикации

도금 공정용 프라이머층, 배선판용 적층판 및 그의 제조 방법, 다층 배선판 및 그의 제조 방법

Номер: KR0101730218B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 다관능형 에폭시 수지 (A), 에폭시 수지 경화제 (B), 및 소정의 구조 단위를 갖는 페놀성 수산기 함유 폴리부타디엔 변성 폴리아미드 수지 (C)를 포함하는 프라이머층용 수지 조성물에 의해 형성되어 이루어지는 도금 공정용 프라이머층이며, (C) 성분의 배합 비율이, (A) 성분 및 (B) 성분의 합계 100 질량부에 대하여 5 질량부 이상 25 질량부 미만인 도금 공정용 프라이머층, 당해 프라이머층을 갖는 배선판용 적층판 및 그의 제조 방법, 및 당해 프라이머층을 갖는 다층 배선판 및 그의 제조 방법이다.

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14-02-2017 дата публикации

페놀류 노볼락 수지의 제조 방법 및 페놀류 노볼락 수지를 이용한 레진코티드샌드

Номер: KR0101706783B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 페놀류와 포름알데히드류를 반응시켜 얻어지는 페놀류 노볼락 수지의 제조 방법에 있어서, 상기 반응의 촉매로서 금속화합물 존재하에서 반응시키고, 또한 상기 금속화합물의 촉매 작용을 실활시키기 위하여 킬레이트제를 가하는, 페놀류 노볼락 수지의 제조 방법, 및 그 페놀류 노볼락 수지를 이용하는 레진코디드샌드이다. 수율 좋게(70%이상), 오르토율 30~60%, 바람직하게는 오르토율 40~55%의 페놀류 노볼락 수지를 제조하는 방법, 및 페놀류 노볼락 수지를 이용하여, 높은 경화성을 갖는 레진코티드샌드를 제공할 수 있다.

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26-04-2018 дата публикации

리튬 이온 캐패시터용 극판군 유닛의 제조 방법 및 리튬 이온 캐패시터

Номер: KR0101851572B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 집전 부재와 극판을 확실하게 용접하여, 용접부의 저항이 낮은 리튬 이온 캐패시터용 극판군 유닛을 제조하는 방법 및 리튬 이온 캐패시터를 제공한다. 정극판(9)의 미도포 시공부(25)와 부극판(11)의 미도포 시공부(33)가 역방향으로 세퍼레이터(13, 15)보다도 외측으로 돌출되도록 구성하고, 축심(7)을 중심으로 하여 단면 소용돌이 형상으로 권회되어 극판군(5)을 구성한다. 또한, 극판군(5)의 직경 방향의 중앙 영역에 있어서, 금속 리튬 지지 부재(17)의 권회층이 위치하도록 금속 리튬 지지 부재(17)가 부극판(11) 상에 배치되어 있다. 부극 집전 부재(45)를 미도포 시공부(33) 상에 얹은 상태에서, 레이저 광을 연속적으로 발생하는 직접 집광형 반도체 레이저 장치를 사용하여 용접을 행하여, 리튬 이온 캐패시터용 극판군 유닛(2)을 제조한다. 용기(3)에 리튬 이온 캐패시터용 극판군 유닛(2)을 수납하여, 리튬 이온 캐패시터(1)를 얻는다.

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04-06-2018 дата публикации

나노카본재료 제조장치 및 나노카본재료 제조방법

Номер: KR0101864455B1

... 나노카본재료 제조장치(1)는, 원료 가스 및 캐리어 가스의 공급을 받아 나노카본재료를 성장시키는 반응관(2)과, 반응관(2)에 접속되어, 나노카본재료와 캐리어 가스의 에어로졸상의 혼합체가 통과하는 연결관(4)과, 연결관(4)에 접속되어, 혼합체로부터 나노카본재료를 회수하는 회수관(3)을 구비하며, 회수관(3)은, 연결관(4)과의 접속부분(33)보다 위쪽에 위치하여, 혼합체에 포함되는 캐리어 가스를 외부로 배출하는 배출부(32)와, 연결관(4)과의 접속부분(33)보다 아래쪽에 위치하여, 중력 침강에 의해 혼합체로부터 분리한 나노카본재료를 포착하는 포착부(31)를 가지는 것을 특징으로 한다.

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31-07-2017 дата публикации

접착재 릴

Номер: KR0101763458B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명에 관한 접착재 릴은 와인딩 코어와, 와인딩 코어의 양측에 서로 대향하도록 설치된 한 쌍의 측판과, 테이프 형상의 기재 및 그 한쪽 면 상에 설치된 접착제층을 갖고, 와인딩 코어에 권취된 접착재 테이프를 구비하고, 접착재 테이프는 기재의 접착제층이 형성되어 있지 않은 면이 와인딩 코어측을 향하도록 와인딩 코어에 권취되어 있다.

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18-01-2019 дата публикации

접착 테이프용 릴, 권중체, 곤포물, 릴의 접착 테이프를 권회하기 위한 접착 테이프용 릴로서의 용도, 및 접착 테이프용 릴의 제조 방법

Номер: KR0101940349B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명은 접착 테이프용 릴이며, 접착 테이프가 휘감긴 권심을 갖는 제1 측판과, 권심을 사이에 두고 제1 측판과 대향하도록 배치된 제2 측판을 구비하고, 제2 측판은 권심의 측면에서 권심의 몸통 주위에 서로 이격하여 설치된 복수의 고착부에 의해 제1 측판에 고정되어 있는 것을 특징으로 한다.

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07-04-2016 дата публикации

METHOD FOR PRODUCING ALKYLDIOL MONOGLYCIDYL ETHER

Номер: KR0101610557B1
Автор: 가메이, 준이치
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명은, 번잡한 정제 공정을 필요로 하지 않고, 알킬디올모노글리시딜에테르를 효율적으로 제조할 수 있는 제조 방법을 제공한다. 비닐에테르 함유 알코올을 에피할로히드린과 반응시켜 비닐에테르 함유 글리시딜에테르로 하고, 산 촉매 및 물의 존재하에 탈비닐화 반응을 행한 후, 이어서 산 수용액을 첨가하여 아세탈 분해 반응을 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 알킬디올모노글리시딜에테르의 제조 방법에 관한 것이다.

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03-09-2015 дата публикации

HEAT RADIATION SHEET AND HEAT RADIATION DEVICE

Номер: KR0101550083B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 높은 방열성과 취급성이 뛰어나며, 또한 사용되는 온도 변화에 따라 올 수 있는 특성을 갖는 방열 시트 및 그것을 이용한 방열 장치를 제공한다. 방열 시트를, (A) 열가소성 고무 성분과, (B) 열경화성 고무 성분과, 그 (B) 열경화성 고무 성분에 가교 가능한 (C) 열경화형 고무 경화제를 포함하는 바인더 성분에, 이방성 흑연가루가 일정 방향으로 배향된 것으로 한다.

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29-06-2016 дата публикации

OPTICAL WAVEGUIDE

Номер: KR0101634831B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 하부 클래드층, 패터닝된 코어층, 상부 클래드층 및 상부 저탄성층이 이 순서로 적층되는 광도파로로서, 상기 상부 저탄성층 형성용 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 필름의 25℃에서의 인장 탄성률이 1~2000MPa이며, 또한 상기 상부 클래드층 형성용 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 두께 110㎛의 경화 필름의 전체 광선 투과율이 90% 이상인 것을 특징으로 하는 광도파로이다. 내굴곡성이 양호하고, 또한 광학특성이 양호한 광도파로를 제공할 수 있다.

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18-01-2019 дата публикации

접착제 조성물 및 그것을 사용한 반도체 장치

Номер: KR0101940363B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 은 원자를 함유하는 은 입자 및 금속 아연을 함유하는 아연 입자를 포함하는 접착제 조성물로서, 그 접착제 조성물에 있어서의 고형분 중의 전(全) 천이금속 원자에 대하여, 은 원자의 함유량이 90질량% 이상이며, 아연 원자의 함유량이 0.01질량% 이상 0.6질량% 이하인 접착제 조성물.

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30-11-2018 дата публикации

밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 전자 부품 장치

Номер: KR0101924233B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명은 (A) 1분자 중에 에폭시기를 2개 이상 함유하는 에폭시 수지, (B) 경화제 및 (C) 1분자 중에 페놀성 수산기를 1개 이상 갖는 벤조페논 유도체를 함유하는 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다. 상기 (C) 1분자 중에 페놀성 수산기를 1개 이상 갖는 벤조페논 유도체의 함유율이 0.1 질량% 이상 1.0 질량% 이하이면 바람직하고, (D) 실란 화합물, (E) 경화 촉진제나 (F) 무기 충전제를 더 함유하면 바람직하다.

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16-01-2019 дата публикации

에폭시 수지 조성물 및 전자 부품 장치

Номер: KR0101939429B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 하기 일반식 (I)로 표시되는 화합물을 함유하는 (A) 에폭시 수지와, 하기 일반식 (II)로 표시되는 화합물을 함유하는 (B) 페놀 수지와, 하기 일반식 (III)으로 표시되는 화합물을 함유하는 (C) 디히드록시나프탈렌 화합물을 함유하는 에폭시 수지 조성물. 식 (I) 중, R은 수소 원자를 나타내고, n은 0∼10의 정수를 나타낸다. 식 (II) 중, R1은 수소 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 탄소수 1∼2의 알콕시기를 나타내고, 서로 동일해도 달라도 되고, n은 0∼10의 정수를 나타낸다. 식 (III) 중, R1은 수소 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 탄소수 1∼2의 알콕시기를 나타낸다.

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16-10-2017 дата публикации

카본 나노튜브 및 수소의 동시 제조 방법, 및, 카본 나노튜브 및 수소의 동시 제조 장치

Номер: KR0101785593B1

... 본 발명의 카본 나노튜브 및 수소의 동시 제조 방법은, 탄소 원자 및 수소 원자를 함유하여 가열 상태에서 분해되는 탄소원과, 그 탄소원으로부터 카본 나노튜브 및 H2를 생성하기 위한 촉매를 사용하여, 반응기 중에 배치된 가열 상태의 지지체 위에 상기 카본 나노튜브를 합성하고, 동시에 상기 탄소원으로부터 상기 H2를 합성하는 카본 나노튜브 및 수소의 동시 제조 방법으로서, 상기 탄소원을 포함하는 원료 가스를, 상기 촉매를 담지시킨 상기 지지체 위에 유통시킴으로써, 상기 지지체 위에 상기 카본 나노튜브를 합성하고, 동시에 기류 중에 상기 H2를 합성하는 합성 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 방법이다.

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04-05-2018 дата публикации

감광성 도전 필름, 도전막의 형성 방법, 도전 패턴의 형성 방법 및 도전막 기판

Номер: KR0101855056B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명과 관련되는 감광성 도전 필름(10)은, 지지 필름(1)과, 그 지지 필름(1) 상에 설치되어 도전성 섬유를 함유하는 도전층(2)과, 그 도전층(2) 상에 설치된 감광성 수지층(3)을 구비한다.

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31-03-2017 дата публикации

유기 일렉트로닉스 재료, 잉크 조성물 및 유기 일렉트로닉스 소자

Номер: KR0101722302B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 잉크 조성물로 한 경우에 보존 안정성이 우수하고, 구동 전압의 저감이나 안정된 장시간 구동이 가능한 유기 일렉트로닉스 소자를 높은 수율로 제작할 수 있는 유기 일렉트로닉스 재료, 및 상기 유기 일렉트로닉스 재료를 포함하는 잉크 조성물을 제공한다. 하기 일반식(1)로 표시되는 이온 화합물과, 전하 수송성 유닛을 갖는 화합물(이하, 전하 수송성 화합물이라고 함)을 적어도 함유하는 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로닉스 재료, 및 상기 재료를 포함하는 잉크 조성물이다. [일반식(1) 중, Ra∼Rc는 각각 독립적으로 수소 원자(H), 알킬기 또는 벤질기를 나타내고, N은 아릴기와는 결합하지 않는다. A는 음이온을 나타낸다.] ...

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28-12-2016 дата публикации

은 황화 방지재, 은 황화 방지막의 형성 방법, 발광 장치의 제조 방법 및 발광 장치

Номер: KR0101690627B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명의 은 황화 방지제는, 점토와 바인더를 함유한다.

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15-06-2018 дата публикации

p 형 확산층 형성 조성물, p 형 확산층의 제조 방법, 및 태양 전지 소자의 제조 방법

Номер: KR0101868163B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명의 p 형 확산층 형성 조성물은, 억셉터 원소를 함유하며 라이프 타임 킬러 원소의 총량이 1000 ppm 이하인 유리 분말과, 분산매를 함유한다. 이 p 형 확산층 형성 조성물을 도포하고 열확산 처리를 실시함으로써, p 형 확산층, 및 p 형 확산층을 갖는 태양 전지 소자가 제조된다.

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09-12-2016 дата публикации

유리 조성물 및 그것을 사용한 유리 페이스트 조성물, 피복 부재, 봉착 부재와 전자부품

Номер: KR0101683237B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명과 관련되는 유리 조성물은, 천이금속, 인, 바륨 및 아연을 포함하는 유리 조성물로서, 상기 유리 조성물은, 상기 천이금속으로서 바나듐을 포함하고, 또한, 텅스텐 및/또는 철을 포함하고, JIG 조사 대상 물질인 레벨 A 및 레벨 B에 열거되어 있는 물질을 포함하지 않고, 또한, 연화점이 430℃ 이상 530℃ 이하이고, 30℃에서 250℃까지의 평균 선팽창 계수가 6ppm/℃ 이상 9/ppm℃ 이하인 것을 특징으로 한다.

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13-12-2018 дата публикации

필름상 회로 접속 재료 및 회로 접속 구조체

Номер: KR0101929073B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명에서는, 대향하는 회로 전극 사이에 개재하여 상기 회로 전극끼리를 전기적으로 접속하기 위해 사용되는 접착제층을 갖고, 접착제층이 (a) 열가소성 수지, (b) 경화성 물질, (c) 경화제 및 (d) 염료를 함유하는 접착제 성분과, 플라스틱 핵체 및 상기 플라스틱 핵체를 피복하는 금속층을 가지며, 상기 금속층의 최외층이 Ni, Ni 합금 및 Ni 산화물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 도금에 의해 형성된 층이며, 평균 입경이 2.0 내지 3.5㎛인 도전 입자를 포함하는 필름상 회로 접속 재료가 개시된다.

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12-02-2018 дата публикации

리튬 이온 이차 전지용 정극 및 그것을 사용한 리튬 이온 이차 전지

Номер: KR0101828729B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 정극 집전체와, 상기 정극 집전체 위에 설치되며, 도전성 입자와 중합체 입자와 수용성 고분자를 포함하는 PTC층과, 상기 PTC층 위에 설치되는 정극 활물질층을 구비하는 리튬 이온 이차 전지용 정극 및 그것을 사용한 리튬 이온 이차 전지.

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06-08-2018 дата публикации

감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 레지스트 패턴의 제조방법, 리드 프레임의 제조방법, 프린트 배선판의 제조방법 및 프린트 배선판

Номер: KR0101885928B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... [과제] 광감도, 텐트 신뢰성, 밀착성 및 해상도가 뛰어난 감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 레지스트 패턴의 제조방법, 프린트 배선판의 제조방법, 리드 프레임의 제조방법 및 프린트 배선판의 제공. [해결 수단] (A) 바인더 폴리머, (B) 에틸렌성 불포화 결합을 적어도 1개 가지는 광중합성 화합물, (C) 광중합 개시제, 및 (D) 증감 색소를 함유하고, 상기 (B)성분이 디펜타에리스리톨 유래의 골격을 가지는 (메타)아크릴레이트 화합물을 포함하고, 상기 (D)성분이 피라졸린 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물.

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14-02-2018 дата публикации

건조제 수용기 및 접착 테이프용 릴

Номер: KR0101829504B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명의 건조제 수용기 (1)은, 접착 테이프 (T)가 권취된 권심 (22)와, 권심 (22)를 사이에 두고 설치된 한쌍의 측판 (23, 24)를 구비하며, 접착 테이프 (T)의 권취 또는 풀림을 행하는 장치의 회전축을 통과하는 축 구멍 (25)가 설치된 접착 테이프용 릴 (21)에 이용되는 건조제 수용기 (1)로서, 축 구멍 (25) 내에 들어맞는 형상을 하여, 건조제 (K)가 수용되는 중공부를 갖는 본체부 (2)와, 본체부 (2)에 설치되며, 본체부 (2)가 축 구멍 (25) 내에 배치되었을 때에 측판의 외측면에 접촉하는 플랜지부 (3)을 구비하는 것을 특징으로 한다. 이 구성에 의해, 측판 (23, 24) 사이의 간격이 좁은 접착 테이프용 릴 (21)에 이 건조제 수용기 (1)을 세팅한 경우에도, 접착 테이프용 릴 (21)을 곤포 주머니 내에 깔끔하게 수용하는 것이 가능해진다.

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26-04-2016 дата публикации

DESICCANT CONTAINER AND ADHESIVE-TAPE REEL

Номер: KR0101615796B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명의 건조제 수용기 (1)은, 접착 테이프 (T)가 권취된 권심 (22)와, 권심 (22)를 사이에 두고 설치된 한쌍의 측판 (23, 24)를 구비하며, 접착 테이프 (T)의 권취 또는 풀림을 행하는 장치의 회전축을 통과하는 축 구멍 (25)가 설치된 접착 테이프용 릴 (21)에 이용되는 건조제 수용기 (1)로서, 축 구멍 (25) 내에 들어맞는 형상을 하여, 건조제 (K)가 수용되는 중공부를 갖는 본체부 (2)와, 본체부 (2)에 설치되며, 본체부 (2)가 축 구멍 (25) 내에 배치되었을 때에 측판의 외측면에 접촉하는 플랜지부 (3)을 구비하는 것을 특징으로 한다. 이 구성에 의해, 측판 (23, 24) 사이의 간격이 좁은 접착 테이프용 릴 (21)에 이 건조제 수용기 (1)을 세팅한 경우에도, 접착 테이프용 릴 (21)을 곤포 주머니 내에 깔끔하게 수용하는 것이 가능해진다.

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15-06-2018 дата публикации

바니시, 프리프레그, 수지 부착 필름, 금속박장 적층판, 인쇄 배선판

Номер: KR0101868161B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 본 발명은, 아미노기와 반응하는 관능기를 가지며 다환식 구조를 포함하는 수지의 상기 관능기의 적어도 일부와, 아미노기를 갖는 화합물의 상기 아미노기를 용매 중에서 반응시켜 얻어지는 바니시, 페놀성 수산기와 반응하는 관능기를 가지며 다환식 구조를 포함하는 수지의 상기 관능기의 적어도 일부와, 페놀성 수산기를 갖는 화합물의 상기 페놀성 수산기를 용매 중에서 반응시켜 얻어지는 바니시이다. 또한, 이들 어느 하나의 바니시를 이용하여 얻어지는 프리프레그, 수지 부착 필름, 금속박장 적층판 및 인쇄 배선판이다.

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04-08-2016 дата публикации

광도파로, 광전기 혼재기판 및 광모듈

Номер: KR0101645749B1
Принадлежит: 히타치가세이가부시끼가이샤

... 하부 클래드층, 패턴화된 코어층, 및 상부 클래드층으로 이루어지는 광도파로로서, 그 일단부에 위치 맞춤용 부딪침부를 갖고, 또한 상기 코어층의 상기 부딪침부 형성 단부와는 다른 위치에 광로 변환 미러면이 형성되는 것을 특징으로 하는 광도파로이다. 광배선품 또는 광전기복합배선 부품에 광소자가 탑재되어 있지 않은 간단한 형태로 하고, 또한, 광소자와 광배선 부품(광도파로) 또는 광전기복합배선 부품(광전기혼재기판)의 광도파로의 코어를, 높은 위치 정밀도로 결합가능하게 할 수 있는 광도파로 및 광전기 혼재기판, 및 광도파로 또는 광전기 혼재기판과 커넥터로 이루어지는 광모듈을 제공할 수 있다.

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