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26-04-2016 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер: KR0101615650B1
Автор: 박윤문, 심재황, 박세영, 김건수, 이재한, 성승원
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 반도체 소자 및 그 형성방법이 제공된다. 본 발명에 따른 반도체 소자는, 셀 영역과 셀영역에 인접한 코어 영역을 포함하는 반도체 기판, 셀 영역과 상기 코어 영역 내의 활성 영역들, 활성 영역들을 덮는 층간 절연막, 층간 절연막을 관통하며 셀 영역의 활성 영역들 상에 제1 방향으로 배열되는 셀 콘택들, 층간 절연막을 관통하며 코어 영역의 활성 영역들 상에 제1 방향으로 배열되는 코어 콘택들을 포함할 수 있다. 코어 콘택들은 활성 영역들과 전기적으로 연결되는 접속 콘택과, 상기 접속 콘택의 일 측에 상기 활성 영역들과 절연된 더미 콘택을 포함할 수 있다.

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Номер записи: 1
27-09-2017 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер: KR1020170108765A
Автор: CHUN, KWAN YOUNG, PARK, YOON MOON, SEO, KANG ILL, YANG, WON SUK
Принадлежит:

Provided are a semiconductor device and a method of manufacturing the same. The semiconductor device comprises: a first active region; a second active region spaced apart from the first active region; and a first gate line which includes a first gate part which intersects a first active region along a first virtual line, a second gate part which intersects the second active region along a second virtual line, and a third gate part connecting the first gate part and the second gate part and extended along a third virtual line intersecting with the first virtual line and the second virtual line. The first to third gate parts are arranged on the same plane. It is possible to provide a semiconductor device having a wide contact area. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 2
07-11-2018 дата публикации

어성초 추출물을 유효성분으로 포함하는 항산화, 항염증용 및 피부 재생용 조성물

Номер: KR0101915952B1
Автор: 김태완, 허담, 김태훈, 박윤문, 김현석, 손건호, 서승환, 이지혜
Принадлежит: 안동대학교 산학협력단, 동우당제약(주)

... 본 발명의 어성초 추출물은 효소 처리 및 초고압 균질화 처리를 포함하는 추출방법으로 추출된 것으로, 상기 추출방법은 불용성 섬유질 성분을 가용화시켜 추출 수율과 생리활성이 증진되며, 부산물의 발생을 감소시켜 제조 단계 측면에서도 경쟁력을 확보할 수 있다. 또한, 본 발명의 어성초 추출물을 유효성분으로 포함하는 항산화 및 항염증용 조성물은 항산화기능과 염증 매개물질인 NO의 발생을 억제하므로, 항산화 및 항염증용 화장료 조성물 및 염증성 질환의 예방 및 치료용 약학 조성물로서 유용하게 사용될 수 있다.

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Номер записи: 3
07-02-2018 дата публикации

COMPOSITION FOR ANTIOXIDATION, ANTI-INFLAMMATION, AND SKIN REGENERATION CONTAINING HOUTTUYNIA CORDATA EXTRACT AS ACTIVE INGREDIENT

Номер: KR1020180012955A
Автор: KIM, TAE WAN, HUH, DAM, KIM, TAE HOON, PARK, YOUN MOON, KIM, HYUN SEOK, SON, KUN HO, SEO, SEUNG HWAN, LEE, JI HYE
Принадлежит:

A Houttuynia cordata extract of the present invention is obtained via an extraction method including enzyme treatment and ultrahigh pressure homogenization treatment. The extraction method can increase physiological activities and extraction yield by solubilizing insoluble fiber components, and also secures competitiveness in the production steps by reducing production of by-products. In addition, a composition for antioxidation and anti-inflammation containing the Houttuynia cordata extract as an active ingredient is capable of suppressing production of NO which is an inflammation mediator and has antioxidant functions, thereby being useful as pharmaceutical compositions for preventing and treating inflammatory diseases and cosmetic compositions for antioxidation and anti-inflammation. COPYRIGHT KIPO 2018 (AA) Untreated group (BB) Houttuynia cordata (CC) Ultrahigh pressure homogeneity (DD) Vis + ultrahigh pressure (EE) Pec+ ultrahigh pressure ...

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Номер записи: 4
09-08-2016 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR1020160094239A
Автор: BAE, DEOK HAN, KIM, DONG KWON, KIM, JONG HYUK, PARK, YOON MOON
Принадлежит:

Provided are a semiconductor device including a stable dummy pattern, and a manufacturing method thereof. The semiconductor device comprises: a first dummy gate having a first width; a second dummy gate having a second width to be adjacent to the first dummy gate in a longitudinal direction; and at least one bridge to connect the first and second dummy gates, wherein the widths of the first and second widths are narrower than the width of a minimum processing line. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 5
29-04-2016 дата публикации

Semiconductor Device including Resistor and Method of Fabricating the same

Номер: KR0101616972B1
Автор: 박윤문, 김건수, 신진현, 심재황
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 저항 소자를 갖는 반도체 장치 및 그 형성 방법을 제공한다. 이 방법은 반도체기판상에 트렌치를 정의하는 주형 패턴들을 형성하고, 주형 패턴들 상에 트렌치를 가로지르는 저항 패턴을 형성하고, 저항 패턴 상에 서로 이격된 제 1 및 제 2 도전 패턴들을 국소적으로 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

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Номер записи: 6
08-03-2023 дата публикации

반도체 장치 및 그 제조 방법

Номер: KR102508287B1
Автор: 천관영, 박윤문, 서강일, 양원석
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 반도체 장치는 제1 액티브 영역, 상기 제1 액티브 영역과 이격된 제2 액티브 영역, 및 제1 가상의 라인을 따라 상기 제1 액티브 영역과 교차되는 제1 게이트 파트와, 제2 가상의 라인을 따라 상기 제2 액티브 영역과 교차되는 제2 게이트 파트와, 상기 제1 게이트 파트와 상기 제2 게이트 파트를 연결하고, 상기 제1 가상의 라인 및 상기 제2 가상의 라인과 교차되는 제3 가상의 라인을 따라 연장되는 제3 게이트 파트를 포함하는 제1 게이트 라인을 포함하되, 상기 제1 내지 제3 게이트 파트는, 동일 평면 상에 배치된다.

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Номер записи: 7
11-04-2016 дата публикации

Flash semiconductor device having tripple well structure

Номер: KR0101610829B1
Автор: 박윤문, 박세준, 성석강, 장동훈
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 플래시 메모리 소자와 그 웰 구조가 제안된다. 플래시 메모리 소자는, 다수의 메모리 셀들이 하나의 셀 스트링에 직렬로 연결되는 낸드(NAND) 플래시 메모리 셀 영역; 워드 라인을 통하여 상기 메모리 셀들과 연결되는 저전압 및 고전압 스위치가 위치하는 제1주변 영역; 및 상기 저전압 및 고전압 스위치의 벌크 영역과 연결되는 벌크 전압 스위치가 위치하는 제2주변 영역을 포함하고, 상기 제1주변 영역은, 저전압 스위치용 엔모스 타입 트랜지스터(NMOS Tr)가 위치되는 제1 저전압 엔모스 영역(LV NMOS); 저전압 스위치용 피모스 타입 트랜지스터(PMOS Tr)가 위치되는 저전압 피모스 영역(LV PMOS); 고전압 스위치용 엔모스 타입 트랜지스터(NMOS Tr)가 위치되는 제1 고전압 엔모스 영역(HV NMOS); 및 고전압 스위치용 피모스 타입 트랜지스터(PMOS Tr)가 위치되는 고전압 피모스 영역(HV PMOS)을 포함하며, 상기 제2주변 영역은, 고전압의 벌크 전압 스위치용 엔모스 타입 트랜지스터(NMOS Tr)가 위치되는 제2 고전압 엔모스 영역(HV NMOS)을 포함하고, 상기 메모리 셀들이 위치하는 상기 셀 영역에 상기 메모리 셀들을 수용하는 포켓 P-웰과, 상기 포켓 P-웰을 포위하는 N-웰이 제공되고, 상기 고전압의 벌크 전압 스위치용 엔모스 타입 트랜지스터(NMOS Tr)가 위치되는 상기 제2 고전압 엔모스 영역(HV NMOS)에 상기 엔모스 타입 트랜지스터(NMOS Tr)을 수용하는 포켓 P-웰과 상기 포켓 P-웰을 포위하는 N-웰이 제공될 수 있다.

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Номер записи: 8