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07-10-2015 дата публикации

BSI IMAGE SENSOR PACKAGE WITH VARIABLE-HEIGHT SILICON FOR EVEN RECEPTION OF DIFFERENT WAVELENGTHS

Номер: KR0101557495B1
Автор: 오가네시안 베이그, 하바 벨가셈, 모하메드 일야스, 사발리아 피유시, 미셀 크레이그
Принадлежит: 난창 오-필름 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 리미티드

... 이면 조사용 마이크로전자 이미지 센서 어셈블리 및 마이크로전자 이미지 센서 어셈블리의 제조 방법을 제공한다. 마이크로전자 이미지 센서 어셈블리는 앞면에 노출된 콘택 및 뒷면을 통해 상이한 파장의 광을 수광하도록 구성된 감광 소자를 구비하는 마이크로전자 소자를 포함한다. 반도체 영역은 제1 감광 소자와 뒷면 사이의 제1 두께와 제2 감광 소자와 뒷면 사이의 제2 두께를 가지며, 제1 감광 소자와 제2 감광 소자는 실질적으로 동일한 세기의 광을 수광한다. 반도체 영역 중의 하나 이상의 감광 소자에 인접한 공간을 적어도 실질적으로 충전하는 유전 영역을 제공한다. 유전 영역은 하나 이상의 광 도파로를 포함할 수 있다.

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Номер записи: 1
31-05-2016 дата публикации

BSI IMAGE SENSOR PACKAGE WITH EMBEDDED ABSORBER FOR EVEN RECEPTION OF DIFFERENT WAVELENGTHS

Номер: KR0101626011B1
Автор: 오가네시안 베이그, 하바 벨가셈, 모하메드 일야스, 사발리아 피유시, 미셀 크레이그
Принадлежит: 난창 오-필름 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 리미티드

... 이면 조사용 마이크로전자 이미지 센서 어셈블리 및 마이크로전자 이미지 센서 어셈블리의 제조 방법을 제공한다. 마이크로전자 이미지 센서 어셈블리는 앞면에 노출된 콘택 및 뒷면을 통해 상이한 파장의 광을 수광하도록 구성된 감광 소자를 구비하는 마이크로전자 소자를 포함한다. 반도체 영역은 제1 감광 소자 및 제2 감광 소자 중의 하나 이상의 감광 소자 상에 개구를 포함한다. 반도체 영역은 제1 감광 소자와 뒷면 사이의 제1 두께와 제2 감광 소자와 뒷면 사이의 제2 두께를 갖는다. 흡광 재료는 상기 반도체 영역의 상부에서, 제1 및 제2 감광 소자가 실질적으로 동일한 세기의 광을 수광하도록 상기 감광 소자 중의 하나 이상의 감광 소자 상의 개구 내에 위치한다.

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Номер записи: 2
13-09-2016 дата публикации

어셈블리 후 평탄화를 갖는 미세전자 엘리먼트

Номер: KR1020160107364A
Автор: 오가네시안 베이그, 하바 벨가셈, 미셀 크레이그, 모하메드 일야스, 사발리아 피유시
Принадлежит:

... 미세전자 유닛은, 전면, 전면으로부터 이격된 후면, 및 전면에 개구를 가진 리세스를 가진 캐리어 구조와 캐리어 구조의 전면 아래에 위치된 내부 표면을 포함한다. 미세전자 유닛은 내부 표면에 인접한 저부 표면, 저부 표면으로부터 이격된 최상부 표면, 및 최상부 표면의 복수의 콘택트들을 가진 미세전자 엘리먼트를 포함할 수 있다. 미세전자 엘리먼트는 미세전자 엘리먼트의 콘택트들와 전기적으로 연결된 단자들을 포함할 수 있다. 미세전자 유닛은 미세전자 엘리먼트의 적어도 최상부 표면와 접촉하는 유전 영역을 포함할 수 있다. 유전 영역은 캐리어 구조의 전면과 같은 평면에 위치하거나 캐리어 구조의 전면보다 위에 위치한 평면 표면을 가질 수 있다. 그 단자들은 외부 엘리먼트와의 상호연결을 위한 유전 영역의 표면에서 노출될 수 있다.

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Номер записи: 3
27-06-2018 дата публикации

액티브 칩을 연결하는 인터포저를 갖는 적층형 마이크로 전자 어셈블리

Номер: KR0101871866B1
Автор: 하바 벨가셈, 오가네시안 베이그, 모하메드 일야스, 사발리아 피유시, 미셀 크레이그
Принадлежит: 테세라, 인코포레이티드

... 마이크로 전자 어셈블리(100)는, 제1 및 제2 마이크로 전자 요소(102, 112)의 전면(104, 114)에 인접한 액티브 반도체 장치를 각각 구현하는 제1 및 제2 마이크로 전자 요소와, 10ppm/℃ 미만의 CTE를 갖는 재료의 인퍼포저(120)를 포함할 수 있다. 각각의 마이크로 전자 요소(102, 112)는 각각의 전면(104, 114)에서 노출되는 도전성 패드(106, 116)를 가질 수 있다. 인터포저(120)는, 인터포저의 개구부(222) 내에서 연장하고 인터포저의 제1 표면 및 제2 표면(227, 229)에서 노출되는 제2 도전성 요소(118)를 가질 수 있다. 제1 및 제2 표면(227, 229)은 각각의 제1 및 제2 마이크로 전자 요소(102, 112)의 전면(104, 114)을 향할 수 있다. 각각의 마이크로 전자 요소(102, 112)는 각각의 마이크로 전자 요소의 후면(237, 239)으로부터 전면(104, 114) 쪽으로 연장하는 개구부(206, 216) 내에 연장하는 제1 도전성 요소(236, 238)를 포함할 수 있다. 제1 도전성 요소(236, 238) 중의 하나 이상이 각각의 제1 또는 제2 마이크로 전자 요소(102, 112)의 도전성 패드(204, 214)를 통해 연장할 수 있다.

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Номер записи: 4
24-02-2016 дата публикации

MICROELECTRONIC ELEMENTS WITH REAR CONTACTS CONNECTED WITH VIA FIRST OR VIA MIDDLE STRUCTURES

Номер: KR0101597341B1
Автор: 오가네시안 베이그, 하바 벨가셈, 모하메드 일야스, 미셀 크레이그, 사발리아 피유시
Принадлежит: 테세라, 인코포레이티드

... 마이크로전자 유닛은 예컨대 집적회로칩과 같은 마이크로전자 요소를 포함하며, 이 마이크로전자 요소는 단결정 형태의 반도체 영역을 갖는다. 반도체 영역은, 제1 방향으로 연장하는 전면, 전면에 인접한 능동 회로 요소, 전면으로부터 원격으로 위치되는 후면, 및 후면 쪽으로 연장하는 도전성 비아를 갖는다. 도전성 비아는 무기 유전체층에 의해 반도체 영역과 절연될 수 있다. 개구부는 부분적으로 반도체 영역의 두께를 통해 후면으로부터 연장할 수 있으며, 개구부와 도전성 비아가 제1 방향에서의 각각의 폭을 갖는다. 개구부의 폭은 개구부가 도전성 비아를 만나는 곳에서의 도전성 비아의 폭보다 크게 될 수 있다. 후면 컨택은 도전성 비아에 전기 접속될 수 있고, 외부 회로 요소와의 전기 접속을 위해 후면에서 노출될 수 있다.

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Номер записи: 5
18-05-2016 дата публикации

어셈블리 후 평탄화를 갖는 미세전자 엘리먼트

Номер: KR1020160055968A
Автор: 오가네시안 베이그, 하바 벨가셈, 미셀 크레이그, 모하메드 일야스, 사발리아 피유시
Принадлежит:

... 미세전자 유닛은, 전면, 전면으로부터 이격된 후면, 및 전면에 개구를 가진 리세스를 가진 캐리어 구조와 캐리어 구조의 전면 아래에 위치된 내부 표면을 포함한다. 미세전자 유닛은 내부 표면에 인접한 저부 표면, 저부 표면으로부터 이격된 최상부 표면, 및 최상부 표면의 복수의 콘택트들을 가진 미세전자 엘리먼트를 포함할 수 있다. 미세전자 엘리먼트는 미세전자 엘리먼트의 콘택트들와 전기적으로 연결된 단자들을 포함할 수 있다. 미세전자 유닛은 미세전자 엘리먼트의 적어도 최상부 표면와 접촉하는 유전 영역을 포함할 수 있다. 유전 영역은 캐리어 구조의 전면과 같은 평면에 위치하거나 캐리어 구조의 전면보다 위에 위치한 평면 표면을 가질 수 있다. 그 단자들은 외부 엘리먼트와의 상호연결을 위한 유전 영역의 표면에서 노출될 수 있다.

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Номер записи: 6
12-05-2016 дата публикации

MICROELECTRONIC ELEMENTS WITH POST-ASSEMBLY PLANARIZATION

Номер: KR0101619942B1
Автор: 오가네시안 베이그, 하바 벨가셈, 미셀 크레이그, 모하메드 일야스, 사발리아 피유시
Принадлежит: 테세라, 인코포레이티드

... 미세전자 유닛은, 전면, 전면으로부터 이격된 후면, 및 전면에 개구를 가진 리세스를 가진 캐리어 구조와 캐리어 구조의 전면 아래에 위치된 내부 표면을 포함한다. 미세전자 유닛은 내부 표면에 인접한 저부 표면, 저부 표면으로부터 이격된 최상부 표면, 및 최상부 표면의 복수의 콘택트들을 가진 미세전자 엘리먼트를 포함할 수 있다. 미세전자 엘리먼트는 미세전자 엘리먼트의 콘택트들와 전기적으로 연결된 단자들을 포함할 수 있다. 미세전자 유닛은 미세전자 엘리먼트의 적어도 최상부 표면와 접촉하는 유전 영역을 포함할 수 있다. 유전 영역은 캐리어 구조의 전면과 같은 평면에 위치하거나 캐리어 구조의 전면보다 위에 위치한 평면 표면을 가질 수 있다. 그 단자들은 외부 엘리먼트와의 상호연결을 위한 유전 영역의 표면에서 노출될 수 있다.

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Номер записи: 7
10-10-2018 дата публикации

웨이퍼 내의 컴플라이언트 상호접속부

Номер: KR0101906467B1
Автор: 오가네시안 베이그, 하바 벨가셈, 모하메드 일야스, 사발리아 피유시, 미셀 크레이그
Принадлежит: 테세라, 인코포레이티드

... 마이크로전자 유닛(12)이 기판(20) 및 전기적으로 도전성 소자(40)를 포함한다. 기판(20)은 10 ppm/℃ 보다 작은 CTE를 갖고, 기판을 통해 연장하지 않는 리세스(30)를 갖는 주요 표면(21) 및 리세스 내에 배치되는 10 GPa 보다 작은 탄성률을 갖는 물질(50)을 포함할 수 있다. 전기적으로 도전성 소자(40)는 리세스(30) 위에 놓이고 기판(20)에 의해 지지되는 앵커부(41)로부터 연장하는 연결부(42)를 포함할 수 있다. 연결부(42)는 마이크로전자 유닛(12)의 외부에 있는 컴포넌트(14)와의 접속을 위해 주요 표면(21)에 적어도 부분적으로 노출될 수 있다.

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Номер записи: 8
30-01-2019 дата публикации

다공성 기판 내의 비아

Номер: KR0101943998B1
Автор: 모함메드 일리아스, 하바 벨가셈, 우조 사이프리안, 사발리아 피유시
Принадлежит: 테세라, 인코포레이티드

... 마이크로전자 유닛(10)은, 전방 및 후방 표면(22, 21)들과 능동 반도체 소자들을 가지며, 후방 표면의 소정 영역에 걸쳐 대칭적 또는 비대칭적 분포로 배열되는 복수의 개방부(12)들을 갖는 기판(20); 전방 표면에서 노출되는 제1 및 제2 패드(24)들에 접속되는 제1 및 제2 전도체 비아(50)들; 및 개방부들 중 각자의 개방부들 내에서 연장되는 복수의 제1 및 제2 전도성 상호접속부(40)들을 포함할 수 있다. 복수의 제1 전도성 상호접속부(40)들은 개방부(12)들 중 적어도 하나의 개방부에 의해 복수의 제2 전도성 상호접속부(40)들로부터 분리될 수 있으며, 상기 적어도 하나의 개방부는 절연체 재료(70)로 적어도 부분적으로 충전된다. 개방부(12)들의 분포는 제1 방향(D1)으로 이격된 적어도 m개의 개방부들 및 제1 방향을 횡단하는 제2 방향(D2)으로 이격된 n개의 개방부를 포함할 수 있다.

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Номер записи: 9
17-05-2017 дата публикации

어셈블리 후 평탄화를 갖는 미세전자 엘리먼트

Номер: KR0101736890B1
Автор: 오가네시안 베이그, 하바 벨가셈, 미셀 크레이그, 모하메드 일야스, 사발리아 피유시
Принадлежит: 테세라, 인코포레이티드

... 미세전자 유닛은, 전면, 전면으로부터 이격된 후면, 및 전면에 개구를 가진 리세스를 가진 캐리어 구조와 캐리어 구조의 전면 아래에 위치된 내부 표면을 포함한다. 미세전자 유닛은 내부 표면에 인접한 저부 표면, 저부 표면으로부터 이격된 최상부 표면, 및 최상부 표면의 복수의 콘택트들을 가진 미세전자 엘리먼트를 포함할 수 있다. 미세전자 엘리먼트는 미세전자 엘리먼트의 콘택트들와 전기적으로 연결된 단자들을 포함할 수 있다. 미세전자 유닛은 미세전자 엘리먼트의 적어도 최상부 표면와 접촉하는 유전 영역을 포함할 수 있다. 유전 영역은 캐리어 구조의 전면과 같은 평면에 위치하거나 캐리어 구조의 전면보다 위에 위치한 평면 표면을 가질 수 있다. 그 단자들은 외부 엘리먼트와의 상호연결을 위한 유전 영역의 표면에서 노출될 수 있다.

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Номер записи: 10
08-05-2018 дата публикации

칩의 양 측면들로부터의 스테이징된 비아 형성

Номер: KR0101855216B1
Автор: 오가네시안 베이그, 하바 벨가셈, 모하메드 일야스, 미셀 크레이그, 사발리아 피유시
Принадлежит: 테세라, 인코포레이티드

... 반도체 어셈블리(10)를 제조하는 방법은, 전면(21), 후면(22), 및 복수의 전도성 패드들(50)을 구비하는 반도체 소자(20)를 제공하는 단계; 전면(21) 위로부터 각 전도성 패드(50)에 적용되는 프로세싱에 의해 적어도 그 전도성 패드들(50)의 각 전도성 패드를 통해 연장되는 적어도 하나의 홀(40)을 형성하는 단계; 적어도 하나의 홀(30) 및 개구(40)가 전면과 후면 사이의 위치에서 만나도록, 적어도 부분적으로 반도체 소자(20)의 두께를 통하여 후면(22)으로부터 연장되는 개구(30)를 형성하는 단계; 및 외부 디바이스로의 전기적 연결을 위해 후면(22)에서 노출된 적어도 하나의 전도성 소자(60, 80)를 형성하는 단계를 포함하고, 적어도 하나의 전도성 소자가 적어도 하나의 홀(30) 내에서 그리고 적어도 개구(40)로 연장되고, 그 전도성 소자는 각각의 전도성 패드(50)와 전기적으로 연결된다.

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Номер записи: 11
22-09-2016 дата публикации

어셈블리 후 평탄화를 갖는 미세전자 엘리먼트

Номер: KR0101656814B1
Автор: 오가네시안 베이그, 하바 벨가셈, 미셀 크레이그, 모하메드 일야스, 사발리아 피유시
Принадлежит: 테세라, 인코포레이티드

... 미세전자 유닛은, 전면, 전면으로부터 이격된 후면, 및 전면에 개구를 가진 리세스를 가진 캐리어 구조와 캐리어 구조의 전면 아래에 위치된 내부 표면을 포함한다. 미세전자 유닛은 내부 표면에 인접한 저부 표면, 저부 표면으로부터 이격된 최상부 표면, 및 최상부 표면의 복수의 콘택트들을 가진 미세전자 엘리먼트를 포함할 수 있다. 미세전자 엘리먼트는 미세전자 엘리먼트의 콘택트들와 전기적으로 연결된 단자들을 포함할 수 있다. 미세전자 유닛은 미세전자 엘리먼트의 적어도 최상부 표면와 접촉하는 유전 영역을 포함할 수 있다. 유전 영역은 캐리어 구조의 전면과 같은 평면에 위치하거나 캐리어 구조의 전면보다 위에 위치한 평면 표면을 가질 수 있다. 그 단자들은 외부 엘리먼트와의 상호연결을 위한 유전 영역의 표면에서 노출될 수 있다.

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Номер записи: 12