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08-01-2018 дата публикации

산화물 소결체 및 반도체 디바이스

Номер: KR0101816468B1

Автор: 미야나가 미키, 와타타니 겐이치, 소가베 고이치, 아와타 히데아키, 구리스 겐이치

... 인듐과, 텅스텐과, 아연 및 주석 중 적어도 하나를 포함하는 산화물 소결체이며, 결정상으로서 텅스텐과, 아연 및 주석 중 적어도 하나를 포함하는 복산화물 결정상을 포함하는 산화물 소결체, 그리고 이 산화물 소결체를 타겟으로서 이용하여 스퍼터법에 의해 형성한 산화물 반도체막(14)을 포함하는 반도체 디바이스(10)가 제공된다.

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Номер записи: 1

10-05-2017 дата публикации

산화물 소결체 및 그 제조 방법, 스퍼터 타겟, 그리고 반도체 디바이스

Номер: KR1020170049630A

Автор: 미야나가 미키, 와타타니 겐이치, 소가베 고이치

Принадлежит:

... 인듐과 텅스텐과 아연을 포함하는 산화물 소결체로서, 빅스바이트(bixbite)형 결정상을 주성분으로서 포함하고, 겉보기 밀도가 6.5 g/㎤보다 크고 7.1 g/㎤ 이하이고, 인듐, 텅스텐 및 아연의 합계에 대한 텅스텐의 함유율이 1.2 원자%보다 크고 30 원자%보다 작고, 인듐, 텅스텐 및 아연의 합계에 대한 아연의 함유율이 1.2 원자%보다 크고 30 원자%보다 작은 산화물 소결체, 이것을 포함하는 스퍼터 타겟, 그리고 상기 스퍼터 타겟을 이용하여 스퍼터법에 의해 형성한 산화물 반도체막(14)을 포함하는 반도체 디바이스(10)가 제공된다.

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Номер записи: 2

08-06-2016 дата публикации

산화물 소결체 및 그 제조 방법, 스퍼터 타겟, 및 반도체 디바이스

Номер: KR1020160065188A

Автор: 미야나가 미키, 와타타니 겐이치, 소가베 고이치, 아와타 히데아키

Принадлежит:

... 인듐, 텅스텐 및 아연을 함유하고, 빅스바이트형(bixbite type) 결정상을 주성분으로서 포함하며, 겉보기 밀도가 6.8 g/㎤보다 크고 7.2 g/㎤ 이하이고, 인듐, 텅스텐 및 아연의 합계에 대한 텅스텐의 함유율이 0.5 원자%보다 크고 1.2 원자% 이하이며, 인듐, 텅스텐 및 아연의 합계에 대한 아연의 함유율이 0.5 원자%보다 크고 1.2 원자% 이하인 산화물 소결체 및 그 제조 방법, 상기 산화물 소결체를 포함하는 스퍼터 타겟, 및 상기 스퍼터 타겟을 이용하여 스퍼터법에 의해 형성한 산화물 반도체막(14)을 포함하는 반도체 디바이스(10)가 제공된다.

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Номер записи: 3

27-07-2016 дата публикации

산화물 소결체 및 반도체 디바이스

Номер: KR1020160089498A

Автор: 미야나가 미키, 와타타니 겐이치, 소가베 고이치, 아와타 히데아키, 구리스 겐이치

Принадлежит:

... 인듐과, 텅스텐과, 아연 및 주석 중 적어도 하나를 포함하는 산화물 소결체이며, 결정상으로서 텅스텐과, 아연 및 주석 중 적어도 하나를 포함하는 복산화물 결정상을 포함하는 산화물 소결체, 그리고 이 산화물 소결체를 타겟으로서 이용하여 스퍼터법에 의해 형성한 산화물 반도체막(14)을 포함하는 반도체 디바이스(10)가 제공된다.

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Номер записи: 4

23-12-2015 дата публикации

산화물 소결체 및 그 제조 방법, 스퍼터 타겟, 그리고 반도체 디바이스

Номер: KR1020150143812A

Автор: 미야나가 미키, 와타타니 겐이치, 소가베 고이치

Принадлежит:

... 인듐과 텅스텐과 아연을 포함하는 산화물 소결체로서, 빅스바이트(bixbite)형 결정상을 주성분으로서 포함하고, 겉보기 밀도가 6.5 g/㎤보다 크고 7.1 g/㎤ 이하이고, 인듐, 텅스텐 및 아연의 합계에 대한 텅스텐의 함유율이 1.2 원자%보다 크고 30 원자%보다 작고, 인듐, 텅스텐 및 아연의 합계에 대한 아연의 함유율이 1.2 원자%보다 크고 30 원자%보다 작은 산화물 소결체, 이것을 포함하는 스퍼터 타겟, 그리고 상기 스퍼터 타겟을 이용하여 스퍼터법에 의해 형성한 산화물 반도체막(14)을 포함하는 반도체 디바이스(10)가 제공된다.

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Номер записи: 5

31-05-2018 дата публикации

산화물 소결체 및 그 제조 방법, 스퍼터 타겟, 및 반도체 디바이스

Номер: KR0101863467B1

Автор: 미야나가 미키, 와타타니 겐이치, 소가베 고이치, 아와타 히데아키

Принадлежит: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

... 인듐, 텅스텐 및 아연을 함유하고, 빅스바이트형(bixbite type) 결정상을 주성분으로서 포함하며, 겉보기 밀도가 6.8 g/㎤보다 크고 7.2 g/㎤ 이하이고, 인듐, 텅스텐 및 아연의 합계에 대한 텅스텐의 함유율이 0.5 원자%보다 크고 1.2 원자% 이하이며, 인듐, 텅스텐 및 아연의 합계에 대한 아연의 함유율이 0.5 원자%보다 크고 1.2 원자% 이하인 산화물 소결체 및 그 제조 방법, 상기 산화물 소결체를 포함하는 스퍼터 타겟, 및 상기 스퍼터 타겟을 이용하여 스퍼터법에 의해 형성한 산화물 반도체막(14)을 포함하는 반도체 디바이스(10)가 제공된다.

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Номер записи: 6

18-01-2017 дата публикации