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18-08-2022 дата публикации

자율주행 차량의 구동 예측 시스템

Номер: KR20220115690A
Автор: 박예담, 김예진, 조연식, 박지은, 박수조
Принадлежит:

... 본 발명은 자율주행 차량이 구동하는 경우에 구동 속도, 구동 방향, 구동 거리를 직관적으로 표시하고 보행자가 이를 인식하여 불안감을 해소시키도록 하는 자율주행 차량의 구동 예측 시스템을 제공한다. 이에 본 발명의 일 측면에 따른 자율주행 차량의 구동 예측 시스템은, 자율주행 차량의 구동 속도, 구동 방향 및 구동 거리 중 적어도 어느 하나를 제어하는 제어부, 상기 구동 방향 또는 구동 거리에 따라 구동 예상 범위를 출력하는 출력부를 포함한다.

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Номер записи: 1
18-08-2022 дата публикации

자율주행 차량 간 통신에 의한 교통 안전 시스템

Номер: KR20220115691A
Автор: 박예담, 김예진, 조연식, 박지은, 박수조
Принадлежит:

... 본 발명은 자율주행 차량 간 통신하여 어느 하나의 자율주행 차량이 감지한 안전관련 이벤트에 대해 다른 자율주행 차량에게 송신하고 전체 자율주행 차량이 안전한 대응을 위한 군집 표시를 수행하는 것을 자율주행 차량 간 통신에 의한 교통 안전 시스템을 제공한다. 이에, 본 발명의 일 측면에 따른 자율주행 차량 간 통신에 의한 교통 안전 시스템은 특정 이벤트를 감지하는 제1 자율주행 차량, 및 상기 특정 이벤트를 자체적으로 감지하거나 혹은 상기 제1 자율주행 차량이 감지한 특정 이벤트를 수신하는 제2 자율주행 차량을 포함하고, 상기 제1 및 제2 자율주행 차량은 군집 표시를 수행한다.

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Номер записи: 2
30-01-2023 дата публикации

소금을 주원료로 하는 혼합조성물과 이를 이용한 친환경 온돌용 바닥재 및 소금방

Номер: KR20230014139A
Автор: 조영동, 조연식
Принадлежит:

... 본 발명은 소금을 주원료로 하여 황토와 백토 및 숯을 혼합하여 원적외선 및 음이온이 방출되는 혼합조성물 및 이를 이용한 친환경 온돌용 바닥재에 관한 발명이다. 본 발명은 입도 0.1 ~ 0.5mm이며 염화나트륨 함량 90% 이상의 소금알갱이 55 ~ 60중량%; 325 ~ 500 mesh이며 염화나트륨 함량 90% 이상의 소금분말 18 ~ 22중량%; 325 ~ 500 mesh의 황토분말 7 ~ 10중량%; 325 ~ 500 mesh의 백토분말 7 ~ 10중량%; 및 325 ~ 500 mesh의 대나무 백탄 숯분말 1 ~ 2중량%;로 구성되는 소금을 주원료로 하는 혼합조성물을 제공한다. 이러한 본 발명은 소금을 주원료로 하여 혼합조성물과 바닥재 및 소금방을 제공함으로써 원적외선 및 음이온이 방출되는 효과를 가지며, 간수를 사용함으로써 결합력이 향상되고 우수한 강도를 가지는 효과가 있다.

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Номер записи: 3
18-07-2018 дата публикации

실리콘 절연막 형성방법

Номер: KR0101879789B1
Автор: 이상두, 김정미, 민철홍, 신승철, 심재용, 유진혁, 윤상민, 이동엽, 이민수, 조연식, 천민호
Принадлежит: 주성엔지니어링(주)

... 본 발명은 소스 가스로서 실리콘 함유 가스 및 반응가스로서 산소 또는 질소가 포함된 가스를 공급하여 기판 상에 제1 실리콘 절연막을 형성하는 공정; 및 탄소 함유 가스를 공급하면서 플라즈마 처리를 수행하여 상기 제1 실리콘 절연막을 Si-C 결합을 가지는 제2 실리콘 절연막으로 변경하는 공정을 포함하는 실리콘 절연막 형성방법을 제공한다.

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Номер записи: 4
02-02-2017 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON INSULATION LAYER FORMATION METHOD THEREOF

Номер: KR1020170011710A
Автор: LEE, SANG DU, KIM, JEONG MI, MIN, CHUL HONG, SHIN, SEUNG CHUL, SHIM, JAE YONG, YOO, JIN HYUK, YUN, SANG MIN, LEE, DONG YEUP, LEE, MIN SU, CHO, YOUN SIK, CHEON, MIN HO
Принадлежит:

An embodiment of the present invention relates to a semiconductor device and a silicon insulation layer formation method thereof, which can fill a gap without a void when forming an insulation layer in a semiconductor substrate having a trench formed thereon, and can prevent the insulation layer from being easily etched by an acid-based chemical solution. According to an embodiment of the present invention, the silicon insulation layer formation method comprises: a first step of forming a silicon insulation layer on a substrate having a trench formed thereon by supplying silicon-containing gas and oxygen gas or nitrogen gas; a second step of post-processing the silicon insulation layer by supplying carbon-containing gas; and a third step of repeating the first step and the second step. COPYRIGHT KIPO 2017 (S101) Forming a silicon insulation layer (1100) on a semiconductor substrate (1000) (S102) Processing with plasma after spraying carbon-containing gas (G1) on the silicon insulation layer ...

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Номер записи: 5
07-11-2017 дата публикации

METHOD FOR FORMING SILICON INSULATING FILM

Номер: KR1020170123294A
Автор: LEE SANG DU, KIM JEONG MI, MIN CHUL HONG, SHIN SEUNG CHUL, SHIM JAE YONG, YOO JIN HYUK, YUN SANG MIN, LEE DONG YEUP, LEE MIN SU, CHO YOUN SIK, CHEON MIN HO
Принадлежит:

Provided is a method for forming a silicon insulating film. The method for forming a silicon insulating film comprises: supplying a silicon-containing gas as a source gas and a gas containing oxygen or nitrogen as a reaction gas to form a first silicon insulating film on a substrate; and performing a plasma processing while supplying a carbon-containing gas to change the first silicon insulating film into a second silicon insulating film having a Si-C bond. Therefore, the silicon insulating film is not easily etched by an acid-based chemical solution. COPYRIGHT KIPO 2017 (S101) Forming a silicon insulating film on a semiconductor substrate (S102) Performing plasma processing after spraying carbon containing gas on a silicon insulating film (S103) Repeat step S101 and step S102 n times ...

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Номер записи: 6