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27-12-2018 дата публикации

ROTATION ELECTRIC CONNECTOR FOR VACUUM

Номер: KR1020180137270A
Автор: YOON, HO BIN, SHIN, SEUNG CHUL, YOO, JIN HYUK
Принадлежит:

A rotation electric connector for vacuum according to an embodiment of the present invention includes a cylindrical rotor made of an insulator material; an upper conductive ring and a lower conductive ring disposed to surround the side surface of the rotor and spaced apart from each other; and an intermediate insulating barrier disposed between the upper conductive ring and the lower conductive ring. The intermediate insulating barrier blocks plasma formation between the upper conductive ring and the lower conductive ring. It is possible to perform electrical connection of rotary motion and high voltage without parasitic discharge. COPYRIGHT KIPO 2019 ...

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Номер записи: 1
29-03-2023 дата публикации

반도체 소자 및 이의 제조 방법

Номер: KR102514620B1
Автор: 김윤재, 김철, 손용훈, 유진혁, 정우진
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 본 발명은 반도체 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 활성 패턴을 갖는 기판; 상기 활성 패턴을 가로지르는 도전 패턴; 상기 도전 패턴의 적어도 일 측벽 상의 스페이서 구조체; 및 상기 도전 패턴 상의 캐핑 구조체를 포함한다. 상기 캐핑 구조체는, 제1 캐핑 패턴 및 제2 캐핑 패턴을 포함하고, 상기 제2 캐핑 패턴은, 상기 제1 캐핑 패턴의 상면 및 상기 스페이서 구조체의 상면 상에 배치된다.

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Номер записи: 2
14-05-2024 дата публикации

챔버 세정 방법, 박막 증착 방법 및 기판 처리 장치

Номер: KR102665773B1
Автор: 김지훈, 신승철, 유진혁
Принадлежит: 주성엔지니어링(주)

... 본 발명은 챔버 세정 가스로 인하여 박막의 증착률에 대한 차이를 줄이고, 균일도를 향상시킬 수 있는 챔버 세정 방법 및 챔버 세정 후 박막을 증착하는 방법, 기판 처리 장치를 제공하는 것으로, 본 발명에 따른 챔버 세정 방법은 플루오린(F)를 포함하는 제 1 세정 가스로 챔버 내부로 분사하는 제 1 단계; H2O를 포함하는 제 2 세정 가스를 상기 챔버 내부로 분사하는 제 2 단계; 및 기판을 투입하기 전 박막을 증착하는 제 3 단계를 포함하여 박막의 증착률 및 균일도가 향상될 수 있다.

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Номер записи: 3
03-08-2017 дата публикации

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

Номер: KR1020170089288A
Автор: YOO, JIN HYUK, CHEON, MIN HO, HWANG, CHUL JOO
Принадлежит:

The present invention relates to a substrate processing apparatus to which a source gas and a reaction gas are injected comprises: a first exhaust line exhausting a first exhaust gas containing a source gas more than a reaction gas; a second exhaust line exhausting a second exhaust gas containing the reaction gas more than the source gas; a capturing device installed in the first exhaust line; and a third exhaust line connected to an exhaust pump to exhaust the first exhaust gas passing through the capturing device and the second exhaust gas passing through the second exhaust line. Therefore, difficulties in controlling the uneven characteristics and quality of a thin film can be solved. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 4
02-09-2016 дата публикации

AIR PUMP HAVING CROSS-SHAPED KNOT MEMBER

Номер: KR1020160103889A
Автор: KIM, SANG GIL, YU, JIN HYEOK, KANG, KI SEOK, KIM, PYEONG AHN, KWAK, CHAN WOO, KANG, HYE SEUNG, MUN, GAM SEONG
Принадлежит:

According to the present invention, an air pump having a cross-shaped knot member comprises: a piston (100) which is a cylindrical rod, and has a handle (101) formed on one end thereof and a suction plate (102) mounted on the other end thereof to compress air to allow a portion thereof on which the suction plate (102) is mounted to be inserted into a cylinder (200); the cylinder (200) of a cylindrical shape to accommodate the piston (100); a discharge device (300) mounted on a portion of the cylinder (200) opposite to a piston (100) insertion portion and provided with an air discharge pipe (302) formed therein; and a knot member (400) comprising an outlet (402) connected to an end of the air discharge pipe (302) of the discharge device (300) to finally discharge compressed air, and four grooves (401) formed on a portion of a side of the outlet (402). COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 5
25-01-2024 дата публикации

연료전지용 분리판 조립체 및 이를 포함하는 연료전지 스택

Номер: KR20240010990A
Автор: 유진혁
Принадлежит:

... 본 발명은 내측 기밀라인과 외측 기밀라인 사이에 형성되는 면압 약화지점의 면압을 강화시킬 수 있는 연료전지용 분리판 조립체 및 이를 포함하는 연료전지 스택에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시형태에 따른 한 쌍의 분리판이 접합되어 이루어져서 막전극접합체를 둘러싸서 지지하는 서브가스켓을 사이에 두고 대향 배치되면서 적층되는 연료전지용 분리판 조립체로서, 일면으로 제 1 반응면이 형성되고, 타면으로 제 1 냉각면이 형성되는 제 1 분리판과; 일면으로 상기 제 1 분리판의 제 1 냉각면과 대향되도록 배치되는 제 2 냉각면이 형성되고, 타면으로 상기 서브가스켓에 대향되는 제 2 반응면이 형성되며, 상기 제 2 냉각면에는 상기 제 1 분리판과의 사이에 기밀을 형성하는 냉각 기밀라인이 형성되고, 상기 제 2 반응면에는 상기 서브가스켓 사이에서 기밀을 형성하는 내측 기밀라인과 상기 제 2 반응면의 가장자리 영역에서 기밀을 형성하는 외측 기밀라인이 형성되는 제 2 분리판을 포함하고, 상기 제 2 분리판의 내측 기밀라인과 외측 기밀라인 사이 영역에는 면압을 형성하기 위한 적어도 하나 이상의 지지수단이 구비되는 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 6
03-02-2023 дата публикации

연료전지용 분리판 조립체 및 이를 포함하는 연료전지 스택

Номер: KR20230016977A
Автор: 유진혁, 신선도, 김경민, 송병근
Принадлежит:

... 본 발명은 수소가 유입되는 영역에서 반응가스의 유동 압력에 의해 분리판이 변형되는 것을 방지할 수 있는 연료전지용 분리판 조립체 및 이를 포함하는 연료전지 스택에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시형태에 따른 연료전지용 분리판 조립체는 일면으로 수소와 공기가 반응되도록 수소가 유동되는 애노드 반응면이 형성되고, 타면으로 냉각이 이루어지는 애노드 냉각면이 형성되는 애노드 분리판과; 일면으로 상기 애노드 분리판의 애노드 반응면과 대향되도록 배치되어 수소와 공기가 반응되도록 공기가 유동되는 캐소드 반응면이 형성되고, 타면으로 냉각이 이루어지는 캐소드 냉각면이 형성되는 캐소드 분리판과; 상기 애노드 분리판 중 수소가 유입되는 영역에 배치되어 애노드 분리판의 변형을 방지시키는 보강판을 포함한다.

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Номер записи: 7
31-01-2018 дата публикации

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

Номер: KR1020180010712A
Автор: KIM, JI HOON, SHIN, SEUNG CHUL, YOO, JIN HYUK, CHO, BYOUNG HA
Принадлежит:

Disclosed is a substrate processing apparatus. According to the present invention, when a substrate is loaded and supported in a susceptor, a contact support member is contracted by the substrate and the contact support member is firmly in contact with the lower surface of the substrate by an elastic force of the contracted contact support member. Accordingly, it prevents the substrate from being moved on the susceptor by centrifugal force generated by the susceptor′s rotation. When the substrate is loaded and supported on the susceptor, the space between the substrate and the susceptor is closed, thus maintaining low pressure. When a processing gas is injected in a chamber to process the substrate, the chamber becomes a relatively high-pressure state. Then, due to the pressure difference between the relatively high pressure of the chamber and the relatively low pressure of the space between the substrate and the susceptor, the lower surface of the substrate is firmly in contact with the ...

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05-03-2025 дата публикации

파릴렌 가스 공급 방법, 파릴렌막 형성 방법, 및 파릴렌막 형성 장치

Номер: KR20250029378A
Автор: 김진수, 유진혁, 김영운, 김태학, 이용훈, 황철주
Принадлежит:

... 본 발명은 챔버 내의 기판 상에 파릴렌막을 형성하기 위한 파릴렌 가스를 공급하는 방법으로, 상기 챔버의 외부에 마련된 리모트 플라즈마 발생기의 내부 공간에 파릴렌 가스를 공급하는 단계; 상기 내부 공간에서 파릴렌 가스를 활성화시키는 단계; 및 상기 내부 공간에서 활성화된 파릴렌 가스를 상기 챔버 내로 공급하는 단계를 포함하는 파릴렌 가스 공급 방법, 파릴렌막 형성 방법, 및 파릴렌막 형성 장치에 관한 것이다.

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14-02-2019 дата публикации

기판처리장치

Номер: KR0101948282B1
Автор: 신승철, 김지훈, 유진혁
Принадлежит: 주성엔지니어링(주)

... 기판처리장치가 개시된다. 본 발명에 따른 기판처리장치는, 챔버의 구획된 공간으로 소스가스 및 반응가스를 각각 분사하는 소스가스 분사유닛의 분사부 및 반응가스 분사유닛의 분사부 중, 적어도 하나의 분사부가 독립적으로 제어되는 2개의 영역으로 구획 형성된다. 그러면, 소스가스 분사유닛의 분사구를 이용하여 소스가스가 적게 증착된 기판의 부위로 더 많은 소스가스를 분사하거나, 반응가스 분사유닛의 분사구를 이용하여 소스가스가 적게 증착된 기판의 부위로 더 많은 반응가스를 분사하여 더 많은 소스가스가 증착되게 할 수 있으므로, 기판의 전면(全面)에 균일한 박막을 형성할 수 있는 효과가 있을 수 있다.

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Номер записи: 10
22-01-2018 дата публикации

SUBSTRATE PROCESSING DEVICE

Номер: KR1020180007262A
Автор: SHIN, SEUNG CHUL, KIM, JI HOON, YOO, JIN HYUK, CHO, BYOUNG HA
Принадлежит:

A substrate processing device is disclosed. When a substrate is mounted and supported on a susceptor, a flow prevention member provided on the susceptor is contracted by the substrate and is firmly in contact with a lower surface of the substrate by elastic force of the contracted flow prevention member. When the substrate is loaded or unloaded to the susceptor of a chamber, the chamber is depressurized to a vacuum. When the substrate is mounted and supported on the susceptor and is in contact with the flow prevention member, the inside of the flow prevention member is kept closed and the pressure reduced state is maintained. Thereafter, when process gas is injected in the chamber to process the substrate, the pressure of the chamber becomes relatively high compared to the pressure inside the flow prevention member due to the process gas injected into the chamber. Therefore, the lower surface of the substrate is more firmly in contact with the flow prevention member due to a pressure difference ...

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Номер записи: 11
07-07-2011 дата публикации

HETEROJUNCTION SOLAR CELL, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер: KR2011081239A1
Автор: YOO, Jin Hyuk
Принадлежит:

The present invention relates to a heterojunction solar cell and a method for manufacturing same. The heterojunction solar cell comprises: a semiconductor wafer having a predetermined polarity; a first semiconductor layer formed on one surface of the semiconductor wafer; a second semiconductor layer formed on the other surface of the semiconductor wafer and having a polarity opposite to that of the first semiconductor layer; a first electrode formed on the first semiconductor layer; a second electrode formed on the second semiconductor layer; and at least a first interface layer or a second interface layer, wherein the first interface layer includes ZnO formed between the first semiconductor layer and the first electrode, and the second interface layer includes ZnO formed between the second semiconductor layer and the second electrode. In the heterojunction solar cell according to the present invention, an interface layer is formed between the first semiconductor layer and the first electrode ...

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Номер записи: 12
28-06-2017 дата публикации

MOTOR FRAME

Номер: KR1020170073011A
Автор: PARK, YUN BUM, HAN, KWANG JIN, YOO, JIN HYUK, JUNG, YOUNG HOON
Принадлежит:

A motor frame is disclosed. The motor frame according to an embodiment of the present invention includes: a main frame in which components of a motor are formed; and a front cover and a rear cover covering the opened front and rear surfaces of the main frame and including cores into which the components of the motor are inserted. An area between the main frame and the core has a vertically asymmetrical shape. Accordingly, the present invention can increase the output of the motor under the same shaft height condition and easily cool the motor. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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01-07-2015 дата публикации

A chiller system and a control method the same

Номер: KR0101533146B1
Автор: 이호림, 온슬기, 유진혁, 황윤제
Принадлежит: 엘지전자 주식회사

... 본 발명은 칠러 시스템 및 그 제어방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 칠러 시스템에는, 수요처; 상기 수요처에 냉수를 공급하기 위하여 냉동 사이클이 구동되는 다수의 칠러 모듈; 상기 다수의 칠러 모듈을 동시에 또는 순차적으로 구동하기 위하여 운전신호를 발생시키는 메인 제어장치; 상기 다수의 칠러 모듈에 각각 제공되며, 상기 메인 제어장치의 운전신호에 기초하여, 상기 칠러 모듈의 작동을 제어하는 모듈 제어장치; 및 상기 모듈 제어장치에 통신 가능하게 연결되며, 상기 다수의 칠러 모듈에 전원을 선택적으로 인가하는 기동 장치가 포함된다.

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Номер записи: 14
26-01-2017 дата публикации

전력 변환기 및 전력 변환 방법

Номер: KR0101699772B1
Автор: 유진혁, 금동진
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 인덕터 피크 전류 보상 기능을 갖는 전력 변환기 및 전력 변환 방법이 개시된다. 전력 변환기는 전력 변환부 및 구동 회로를 포함한다. 전력 변환부는 풀업 구동신호, 풀다운 구동신호 및 직류 입력전압에 기초하여 직류 출력전압을 발생한다. 구동 회로는 인덕터 피크 전류를 보상하고 직류 출력전압 및 보상된 인덕터 피크 전류에 기초하여 펄스 주파수 변조(PFM)와 펄스 폭 변조(PWM)를 수행하여 풀업 구동신호와 풀다운 구동 신호를 발생한다. 따라서, 전력 변환기는 직류 출력전압의 크기가 변화해도 균일한 부하 전류에서 펄스 주파수 변조와 펄스 폭 변조 사이의 모드 전환을 수행하고 변환 효율이 높다.

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Номер записи: 15
24-12-2018 дата публикации

SMART INDICATION LAMP

Номер: KR1020180136135A
Автор: YU, JIN HYUCK
Принадлежит:

The present invention relates to a smart indication lamp capable of showing information to a following vehicle. According to the present invention, a lamp is connected to a portion on which a logo mark of each vehicle maker is placed, such that information about the vehicle is shown to other following vehicles or thanks is able to be shown to a vehicle which gives way. COPYRIGHT KIPO 2019 ...

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Номер записи: 16
16-12-2022 дата публикации

연료전지용 분리판 어셈블리 및 이를 포함하는 연료전지용 단위셀과 연료전지 스택

Номер: KR20220166118A
Автор: 유진혁
Принадлежит:

... 본 발명은 분리판의 구조를 개선하여 반응기체의 유동을 향상시킨 연료전지용 분리판 어셈블리 및 이를 포함하는 연료전지용 단위셀과 연료전지 스택에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시형태에 따른 연료전지용 분리판 어셈블리는 중앙에 제 1 반응영역이 상부방향으로 돌출되어 형성되고, 상기 제 1 반응영역의 일측으로 복수의 제 1 입구매니폴드가 형성되는 제 1 입구영역이 형성되며, 상기 제 1 반응영역의 타측으로 복수의 제 1 출구매니폴드가 형성되는 제 1 출구영역이 형성되는 제 1 분리판과; 중앙에 제 2 반응영역이 상부방향으로 돌출되어 형성되고, 상기 제 2 반응영역의 일측으로 복수의 제 2 입구매니폴드가 형성되는 제 2 입구영역이 형성되고, 상기 제 2 반응영역의 타측으로 복수의 제 2 출구매니폴드가 형성되는 제 2 출구영역이 형성되는 제 2 분리판을 포함하고, 상기 제 1 분리판에는 상기 제 1 반응영역의 제 1 입구영역 측 단부에 상기 제 1 입구매니폴드 중 제 1 반응기체가 유입되는 제 1 입구매니폴드의 상부공간과 상기 제 1 반응영역의 하부공간을 연통시키는 반응기체 유입공이 형성되고, 상기 제 1 반응영역의 제 1 출구영역 측 단부에 상기 제 1 반응영역의 하부공간과 상기 제 1 출구매니폴드 중 제 1 반응기체가 배출되는 제 1 출구매니폴드의 상부공간을 연통시키는 반응기체 배출공이 형성되는 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 17
23-09-2016 дата публикации

영전류 검출 회로를 포함하는 전력 변환기 및 전력 변환 방법

Номер: KR0101658783B1
Автор: 유진혁, 금동진, 오형석
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 영전류 검출 회로의 옵셋을 조절할 수 있는 전력 변환기 및 전력 변환 방법이 개시된다. 전력 변환기는 전력 변환부 및 스위치 구동부를 포함한다. 전력 변환부는 풀업 구동신호, 풀다운 구동신호 및 직류 입력 전압에 기초하여 직류 출력전압을 발생한다. 스위치 구동부는 직류 출력전압에 기초하여 제 1 검출 전압신호를 발생하고 제 1 검출 전압신호에 응답하여 영전류 검출 회로의 오프셋 전압을 조절하여 영전류 검출신호를 발생한다. 또한, 스위치 구동부는 제 1 검출 전압신호 및 영전류 검출신호에 기초하여 펄스 주파수 변조(PFM)를 수행하고 풀업 구동신호 및 상기 풀다운 구동신호를 발생한다. 따라서, 전력 변환기는 영전류 검출 회로의 오프셋 산포의 영향을 덜 받고 전력 소모가 적다.

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Номер записи: 18
20-04-2018 дата публикации

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

Номер: KR1020180040320A
Автор: SON, CHEONG, YOO, JIN HYUK, CHO, BYOUNG HA
Принадлежит:

Disclosed are a substrate processing apparatus and a substrate processing method. According to an embodiment of the present invention, in the substrate processing apparatus and the substrate processing method, a first reaction gas containing oxygen is injected into a chamber to perform plasma treatment at a frequency of 13.56 to 950 MHz. Then, since oxygen-containing plasma collides with a thin film deposited on a substrate several times per unit time, the thin film is hardened, so that a deposition rate and uniformity of the thin film can be improved. A second reaction gas containing hydrogen is injected into the chamber to perform plasma treatment at a frequency of 450 KHz to 1 MHz. Then, since hydrogen containing plasma collides with the thin film with a large force, the density of the thin film is improved. Therefore, the film quality may be improved. In addition, the density of plasma existing on an upper surface of a pattern formed on the substrate and an upper part of a side surface ...

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Номер записи: 19
06-09-2022 дата публикации

저비중 웨더스트립 조성물

Номер: KR102440703B1
Автор: 조미영, 박준철, 유진혁, 김수진, 김철홍
Принадлежит: 현대자동차주식회사, 기아 주식회사, (주) 화승소재

... 본 발명은 에틸렌-프로필렌-디엔 모노머(EPDM) 및 에틸렌-프로필렌 모노머(EPM)를 포함하는 고무탄성체 100중량부에 대하여, 파라핀계 오일 80~100중량부, 가교활성제 2~15중량부, 가교촉진제 0.3~9중량부, 가교제 0.5~3중량부, 발포제 2~4중량부 및 흡습제 1~10중량부를 포함하고, 상기 발포제는 캡슐발포제 및 화학발포제를 포함하고, 상기 캡슐발포제 및 화학발포제는 0.5~1.5:0.5~1.5의 중량비로 배합되는 구성을 마련한다. 상기와 같은 저비중 웨더스트립 조성물은 저비중이면서도 강성 및 가공성이 우수하다.

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Номер записи: 20
10-05-2024 дата публикации

시트프레임 모듈 및 이를 포함하는 연료전지용 단위셀

Номер: KR20240063542A
Автор: 유진혁, 정병헌, 한승훈, 권덕훈, 윤종진, 노종혁
Принадлежит:

... 본 발명은 분리판과 별개로 평평한 형태로 구성되는 다수의 시트프레임을 접합하여 반응기체의 기밀라인 및 유동 경로를 형성할 수 있는 시트프레임 모듈 및 이를 포함하는 연료전지용 단위셀에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시형태에 따른 시트프레임 모듈은 연료전지용 한 쌍의 분리판 사이에 배치되어 반응기체의 기밀라인 및 유동 경로를 형성하는 시트프레임 모듈로서, 막전극접합체가 중앙에 배치되는 센터 시트프레임과; 상기 센터 시트프레임의 일측면과 상기 한 쌍의 분리판 중 어느 하나의 분리판 사이에 배치되어 제 1 반응기체의 기밀라인 및 유동경로를 형성하는 제 1 사이드 시트프레임과; 상기 센터 시트프레임의 타측면과 상기 한 쌍의 분리판 중 다른 하나의 분리판 사이에 배치되어 제 2 반응기체의 기밀라인 및 유동경로를 형성하는 제 2 사이드 시트프레임을 포함한다.

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Номер записи: 21
05-12-2022 дата публикации

세포 스페로이드 제조를 위한 하이드로겔 조성물 및 이를 이용한 세포 스페로이드 제조방법

Номер: KR102474741B1
Автор: 천종기, 민도식, 오은하, 남대환, 전소영, 유진혁
Принадлежит: (재)씨젠의료재단

... 본 발명은 3차원 세포 스페로이드 제조를 위한 하이드로겔 조성물; 이를 이용하여 3차원 세포 스페로이드를 제조하는 방법; 및 상기 방법으로 제조된 3차원 세포 스페로이드에 관한 것이다. 본 발명의 세포 스페로이드의 제조방법은, 폴록사머 및 소태아혈청을 포함하는 하이드로겔 조성물을 상온에서 다수의 웰(well)을 갖는 세포 배양 플레이트에 웰(well) 당 10 ~ 20 μl씩 돔(dome) 형태로 떨어뜨려 겔(gel) 상태로 변화시킨 후 여기에 세포를 주입하여 성장시킴으로써, 크기가 특정화된 각각의 하이드로겔 내부에서 스페로이드가 개별적으로 형성될 수 있는바, 스페로이드의 크기 제어가 가능하며, 세포 배양 플레이트 이외에 별도의 장비가 필요하지 않는 이점을 갖는다. 또한, 본 발명의 세포 스페로이드의 제조방법은 스페로이드가 포함된 겔(gel)을 단순히 세척하는 과정을 통해 겔(gel)로부터 스페로이드를 쉽게 수득할 수 있다. 또한, 본 발명의 세포 스페로이드의 제조방법을 이용하는 경우 1일 이내에 스페로이드가 형성될 수 있는바, 배양 시간이 단축되는 이점을 갖는다.

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Номер записи: 22
02-03-2017 дата публикации

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

Номер: KR1020170022459A
Автор: CHEON, MIN HO, YOO, JIN HYUK, HWANG, CHUL JOO
Принадлежит:

The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method. The substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention comprises: a process chamber; a substrate support part which is installed in the process chamber to support a plurality of substrates and rotates in a certain direction; a chamber lid covering the upper part of the process chamber to face the substrate support part; and a gas spraying part which is installed in the chamber lid and sprays first and second gases, which are different from each other, to the plurality of substrates by spatially separating the first and second gases. The substrate support part can comprise: a first disk provided to be able to rotate; and at least one second disk which is disposed on the first disk to mount the substrates thereon, and rotates and revolves around the center of the first disk as the first disk rotates. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 23
09-06-2017 дата публикации

TRANSFER CHAMBER AND SUBSTRATE TREATMENT SYSTEM

Номер: KR1020170064352A
Автор: KIM, JONG SIK, KANG, TAE HOON, KIM, DO HYUNG, KIM, SANG BO, KIM, YOUNG HYUN, YOO, JIN HYUK
Принадлежит:

The present invention includes: a load lock chamber for the carry, to which at least one substrate is inserted, and which repeats vacuum and atmospheric conditions; a process chamber for forming a semiconductor layer on the substrate; and a transfer chamber for transferring at least one substrate of the load lock chamber into the process chamber. The transfer chamber includes: a body providing a space for accommodating at least one substrate; and a lid part provided to open and close an upper surface of the body. The lid part includes: a heating part for supplying heat to at least one substrate accommodated in the body on one surface thereof; and a cooling part disposed on one side of the lid part to cool the lid part. The cooling part is disposed at a predetermined interval outwardly radially from the heating part. Accordingly, the present invention is able to prevent a phenomenon where the temperature of a substrate is reduced so as to increase the adsorption uniformity of the substrate ...

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Номер записи: 24
16-06-2016 дата публикации

SUBSTRATE PROCESSING METHOD

Номер: WO2016093564A1
Автор: SHIN, Seung Chul, YOO, Jin Hyuk, CHEON, Min Ho, HWANG, Chul-Joo
Принадлежит:

An embodiment of a substrate processing method may comprise: a spay step for spraying gas including a source material, which contains silicon, onto a substrate received in a reaction chamber; a deposition step for generating plasma including oxygen radicals and depositing the source material on the substrate to form a deposited oxide film; and a surface treatment step for subjecting the deposited film to plasma surface treatment by spraying plasma gas including the oxygen radicals thereto.

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Номер записи: 25
06-11-2015 дата публикации

METHOD FOR FORMING THIN FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING METHOD FOR FORMING THIN FILM

Номер: KR1020150124514A
Автор: SHIN, SEUNG CHUL, YOO, JIN HYUK, CHO, BYOUNG HA, CHEON, MIN HO
Принадлежит:

The present invention provides a method for forming a thin film and a method for manufacturing a nonvolatile memory device using the same which comprise the following steps of: depositing a thin film layer on a substrate; and including impurities in the thin film layer by performing treatment on the thin film layer. Deposition and treatment of the thin film layer are repetitively performed several times. COPYRIGHT KIPO 2016 (A1,A2) Nitrogen plasma treatment ...

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05-07-2018 дата публикации

펄스 스키핑 모드를 갖는 벅 컨버터 및 그것의 제어 방법

Номер: KR0101874406B1
Автор: 유진혁, 송민규
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 본 발명에서는 전력 변환 효율이 향상된 벅 컨버터가 제공된다. 본 발명에 따른 펄스 스키핑 모드를 갖는 벅 컨버터는 전원 단자와 부하 단자를 연결 또는 차단하는 스위칭 부, 스위칭 부를 제어하기 위한 PWM 신호를 제공하는 PWM 제어부 및 부하 단자에 흐르는 전류를 참조하여 PWM 신호를 제어하는 제 1 제어 신호 및 PWM 신호의 펄스 폭을 확장시키는 제 2 제어 신호를 제공하는 제어 신호 생성부를 포함한다.

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28-12-2015 дата публикации

IMAGE TOE SOCKS

Номер: KR1020150144524A
Автор: KIM, UN HOI, YU, JIN HYUCK
Принадлежит:

The present invention relates to an image toe socks. In order to improve negative image on a basic toe socks, a front side is covered with a breathable material such as a ramie fabric, and a lining is formed in a net structure so as to maximize air permeability. Therefore, it is possible to hide one′s weaknesses, and inherent effects of the toe socks are maintained, allowing a user to walk with confidence even in a public place. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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27-12-2018 дата публикации

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

Номер: KR1020180137269A
Автор: YOON, HO BIN, SHIN, SEUNG CHUL, YOO, JIN HYUK
Принадлежит:

According to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus comprises: a disk having a plurality of electrostatic chucks periodically arranged on a predetermined radius in a central axis; a disk support supporting the disk; a DC line penetrating through the disk support to be electrically connected to the electrostatic chucks; and a power supply source to supply power to the DC line. The DC line comprises: a first DC line penetrating through the disk support in the power supply source; a power distribution unit distributing the first DC line to connect the first DC line to each of the electrostatic chucks; and a plurality of second DC lines connected to each of the electrostatic chucks in the power distribution unit. COPYRIGHT KIPO 2019 ...

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25-01-2018 дата публикации

GAS SPRAYER FOR SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, AND SUBSTRATE TREATMENT DEVICE

Номер: WO2018016802A1
Автор: YOON, Ho Bin, SHIN, Seung Chul, YOO, Jin Hyuk, CHO, Byoung Ha
Принадлежит:

The present invention relates to a gas sprayer for a substrate treatment device and the substrate treatment device, which comprise: a plasma generation part for generating plasma in order to perform a treatment process on a substrate supported by a substrate support part; a ground body to which the plasma generation part is coupled; and a plasma-shielding part for shielding the plasma generated by the plasma generation part, wherein the plasma generation part comprises a first electrode for generating plasma, and a second electrode which is coupled to the ground body in a location separated from the first electrode such that a gas-spraying space for spraying a process gas is formed in the space between the second electrode and the first electrode, and wherein the plasma-shielding part shields the plasma generated by the plasma generation part, from the inside and/or outside of the substrate.

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03-08-2017 дата публикации

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

Номер: WO2017131404A1
Автор: KIM, Se Young, KWON, Su-Young, YOO, Jin Hyuk, CHO, Byoung Ha, CHEON, Min Ho, HWANG, Chul-Joo
Принадлежит:

The present invention relates to a substrate processing apparatus for spraying a source gas and a reactive gas, the apparatus comprising: a first exhaust line for discharging a first exhaust gas containing more of the source gas than of the reactive gas; a second exhaust line for discharging a second exhaust gas containing more of the reactive gas than of the source gas; a capturing device provided on the first exhaust line; and a third exhaust line connected to an exhaust pump so as to discharge the first exhaust gas having passed through the capturing device and the second exhaust gas having passed through the second exhaust line.

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18-08-2016 дата публикации

태양전지의 제조방법 및 제조 시스템

Номер: KR0101648729B1
Автор: 유진혁, 김동곤
Принадлежит: 주성엔지니어링(주)

... 본 발명은 조면화 공정 후 발생하는 자연 산화막의 제거 및 반도체층을 진공의 단절없이 연속 공정으로 진행하는 태양전지 제조에 대한 방법 및 시스템에 관한 것으로, 태양전지의 제조방법은 반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 산화막을 형성하는 단계; 공정챔버에서 상기 산화막을 제거하는 공정과 상기 반도체 기판 상에 반도체층을 형성하는 공정을 진공의 단절없이 연속적으로 수행하는 단계; 및 상기 반도체층 상에 전면전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

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12-11-2015 дата публикации

Voltage biasing circuit and memory system having the same

Номер: KR0101568356B1
Автор: 유진혁
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 적은 면적으로 바이어스 전압에 포함된 노이즈를 제거할 수 있는 전압 바이어싱 회로가 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 전압 바이어싱 회로는, 서브 스레스홀드 영역에서 동작하는 MOS 트랜지스터를 사용하여 매우 적은 면적으로도 큰 저항값을 얻을 수 있음으로써 바이어스 전압에 포함된 노이즈를 효율적으로 제거할 수 있다.

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26-10-2016 дата публикации

INTEGRATED CIRCUIT, CABLE ASSEMBLY INCLUDING SAME, AND OPERATING METHOD OF INTEGRATED CIRCUIT

Номер: KR1020160123973A
Автор: KIM, JE KOOK, YU, JIN HYUCK, CHEON, YOU SO
Принадлежит:

Disclosed is an integrated circuit. The integrated circuit includes: a first fin which is connected to an operation voltage transmission line to transmit operation voltage; a second fin which is capable of being connected to a CC line; and a switching circuit which connects a first resistance and a ground line by using channel voltage supplied to the second fin in a state that the first resistance, the ground line, and the operation voltage are not applied, and blocks the first resistance and the ground line based on the operation voltage. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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08-03-2018 дата публикации

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

Номер: KR1020180024520A
Автор: SHIN, SEUNG CHUL, YOO, JIN HYUK, LEE, MIN SU, CHOI, DONG HWAN
Принадлежит:

The present invention provides a substrate processing apparatus which comprises: a first disk including a plurality of seating holes periodically disposed in a fixed radius from the central axis and disposed in a chamber to rotate; a plurality of second disks respectively disposed in the seating holes and rotating while revolving along with the rotation of the first disk; a first rotary connector structure disposed between the second disk and the seating hole and providing an electrical connection while providing a rotational movement to the second disk; an electrostatic chuck mounted on the second disk and fixing a substrate by receiving power through the first rotary connector structure; a first magnetic gear fixed on the second disk and providing torque to the second disk; and a second magnetic gear disposed in the chamber, interacting with the first magnetic gear, and not rotating. Accordingly, the substrate processing apparatus can stably support the substrate mounted on the second ...

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23-02-2017 дата публикации

SUBSTRATE TREATMENT DEVICE AND SUBSTRATE TREATMENT METHOD

Номер: WO2017030414A1
Автор: CHEON, Min Ho, YOO, Jin Hyuk, HWANG, Chul-Joo
Принадлежит:

A substrate treatment device according to one embodiment of the present invention comprises: a process chamber; a substrate support part provided in the process chamber so as to support a plurality of substrates, and rotating in a predetermined direction; a chamber lid covering an upper part of the process chamber so as to face the substrate support part; and a gas spray part provided on the chamber lid so as to spray different first and second gases onto the plurality of substrates by spatially dividing the first and second gases, wherein the substrate support part can comprise: a first disc provided so as to be rotatable; and at least one second disc disposed on the first disc so as to enable the substrates to be loaded, and rotating along with the rotation of the first disc and revolving around the center of the first disc.

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13-12-2022 дата публикации

시각장애인을 위한 주문 시스템 및 방법

Номер: KR102477206B1
Автор: 백남칠, 유진혁
Принадлежит: (주)건융아이비씨

... 본 발명은 시각장애인이 키오스크 근처에서 편리하게 키오스크를 이용하여 주문할 수 있도록 하는 시각장애인을 위한 주문 시스템 및 방법에 관한 것이다. 이를 위하여, 본 발명은 물건의 판매정보 또는 매장정보를 저에너지 오디오 브로드캐스트방식으로 송출하는 키오스크단말기; 상기 키오스크단말기에 설치되어 저에너지 오디오 브로드캐스트 채널정보를 송출하는 NFC모듈; 상기 키오스크단말기의 디스플레이 및 통신을 제어하는 키오스크제어부; 상기 NFC모듈로부터 저에너지 오디오 브로드캐스트 채널정보를 독출하여 페어링되어 있는 단말기로 상기 저에너지 오디오 브로드캐스트 채널정보를 전송하는 휴대단말기; 상기 휴대단말기로부터 저에너지 오디오 브로드캐스트 채널정보를 수신받고 상기 저에너지 오디오 브로드캐스트 채널정보를 이용하여 해당 채널로 전환하여 상기 키오스크단말기에서 송신되는 소리정보를 수신받는 오디오 리시버를 포함하여 구성되는 시각장애인을 위한 주문 시스템을 제공한다. 따라서, 본 발명에 의하면, 키오스크가 시각장애인을 자동으로 인식하여 필요한 정보를 본인의 리시버를 통해 들을 수 있게 함으로써 시각장애인이 편리하게 키오스크를 이용할 수 있는 이점이 있다.

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29-01-2018 дата публикации

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

Номер: KR1020180009451A
Автор: SHIN, SEUNG CHUL, YOO, JIN HYUK, CHO, BYOUNG HA
Принадлежит:

Disclosed is a substrate processing apparatus. According to the substrate processing apparatus of the present invention, the upper surface of a substrate facing a gas injection unit is located at the same height as the upper surface of a disk facing the gas injection unit or at a higher position than the upper surface of the disk with respect to the height direction of a chamber. Therefore, since reaction gas and by-products of the process gas are quickly discharged without being stagnated on the upper surface of the substrate on which source gas of the process gas is deposited, the reaction gas and by-products of the process gas do not affect the upper surface of the substrate. Accordingly, the film quality of the substrate can be improved. In addition, since the distance from the gas injection unit to the upper surface of the substrate is narrower than the distance from the gas injection unit to the upper surface of the disk, the reaction gas and by-products of the process gas are not ...

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19-04-2023 дата публикации

MEA 타발장치 및 MEA 타발방법

Номер: KR20230051972A
Автор: 유승아, 이한형, 김선일, 양현각, 박지한, 김유석, 유진혁
Принадлежит:

MEA 타발장치 및 MEA 타발방법에 관한 것으로써, 일 구현예에 따른 MEA 타발장치는 MEA 공급부에서 공급되는 MEA의 전극을 지나 빛이 새어나오는지 감지한 후, 빛이 투과되지 않게 빛이 투과되지 않는 영역으로 타발부를 위치 조정하여 타발하므로, 쉽고 간단하게 타발 위치를 맞출 수 있으므로, 타발을 위한 정렬을 각각 맞춰야 할 필요가 없고, 추가적인 제어 세팅할 필요가 없이, 자동적으로 정밀하고도 정확한 타발이 가능하므로 불량 발생률을 줄일 수 있다. 또한, 핀홀 검수부를 추가적으로 둔다면 MEA 내 전극에 뚫린 구멍인 핀홀 유무를 쉽게 판단할 수 있으므로, 핀홀로 인한 불량을 손쉽게 검수할 수 있는 특징이 있다.

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08-11-2017 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR1020170123378A
Автор: KIM, YOON JAE, KIM, CHEOL, SON, YONG HOON, YOO, JIN HYUK, JUNG, WOO JIN
Принадлежит:

The present invention relates to a semiconductor device and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a semiconductor device including: a substrate with an active pattern; a conductive pattern crossing the active pattern; a spacer structure formed on at least one sidewall of the conductive pattern; and a capping structure formed on the conductive pattern. The capping structure includes a first capping pattern and a second capping pattern, and the second capping pattern is disposed on an upper surface of the first capping pattern and on an upper surface of the spacer structure. Accordingly, the present invention can improve the operation speed of the semiconductor device. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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18-07-2018 дата публикации

실리콘 절연막 형성방법

Номер: KR0101879789B1
Автор: 이상두, 김정미, 민철홍, 신승철, 심재용, 유진혁, 윤상민, 이동엽, 이민수, 조연식, 천민호
Принадлежит: 주성엔지니어링(주)

... 본 발명은 소스 가스로서 실리콘 함유 가스 및 반응가스로서 산소 또는 질소가 포함된 가스를 공급하여 기판 상에 제1 실리콘 절연막을 형성하는 공정; 및 탄소 함유 가스를 공급하면서 플라즈마 처리를 수행하여 상기 제1 실리콘 절연막을 Si-C 결합을 가지는 제2 실리콘 절연막으로 변경하는 공정을 포함하는 실리콘 절연막 형성방법을 제공한다.

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07-12-2016 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер: KR1020160139504A
Автор: YU, IL HYUK, YOO, JIN HYUK, CHO, WON TAE, HWANG, CHUL JOO
Принадлежит:

The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device, which is to fill a gap of a trench formed in the semiconductor device without a void. According to the present invention, the method for manufacturing a semiconductor device includes: a first step of loading a substrate on which the trench is formed into a chamber; a second step of raising the inner temperature of the chamber; a third step of spraying a sputtering matter onto the substrate; a fourth step of spraying a reaction gas onto the substrate and reacting the reaction gas with the sputtering matter; a fifth step of removing a residual matter remaining after a thin film is formed in the fourth step and the third step by spraying a purge gas onto the substrate; and a sixth step of hardening the thin film formed by spraying a substrate treatment gas onto the substrate. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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04-06-2020 дата публикации

AUTOMATIC ANSWERING METHOD AND SYSTEM USING SIMILAR USER MATCHING

Номер: WO2020111329A1
Автор: HYUN, Sung Jun, YU, Jin Hyeok, PARK, Sang Hwan
Принадлежит:

An automatic answering system for analyzing a question input by a user and automatically generating an answer according to an embodiment of the present invention may include: a user matching unit which matches the user with a similar user who is similar to the user, among questioners included in collected data; a question matching unit which matches the input question with a similar question that is similar to the input question, among questions included in the collected data; and an answer detection unit which detects an answer to the similar question as an answer to the input question on the basis of a user similarity which represents the similarity between the user and the similar user, and a question similarity which represents the similarity between the input question and the similar question.

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29-09-2017 дата публикации

전동기 프레임

Номер: KR0101783026B1
Автор: 박윤범, 한광진, 유진혁, 정영훈
Принадлежит: 현대일렉트릭앤에너지시스템(주)

... 전동기 프레임을 개시한다. 본 발명의 일실시예에 따른 전동기 프레임은 전동기의 구성요소가 내부에 구비되는 메인프레임; 상기 메인프레임의 개방된 전면과 후면을 덮으며, 전동기의 구성요소가 삽입되는 코어가 형성된 전,후면덮개; 를 포함하며, 상기 메인프레임과 코어 사이의 영역은 상하로 비대칭인 형상을 가질 수 있다.

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10-01-2019 дата публикации

반도체 소자

Номер: KR0101936752B1
Автор: 유진혁, 장대현, 공유철, 신경섭
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 반도체 소자를 제공한다. 이 반도체 소자는 반도체 기판 상에 배치된 도전성 패턴을 포함한다. 상기 도전성 패턴 상에 배치되며 서로 동일한 레벨에 위치하는 제1 도전성 라인 및 제2 도전성 라인이 제공된다. 상기 제1 및 제2 도전성 라인들 사이에 라인 분리 패턴이 배치된다. 상기 제1 도전성 라인 및 상기 도전성 패턴을 관통하는 제1 수직 구조체가 제공된다. 상기 제2 도전성 라인 및 상기 도전성 패턴을 관통하는 제2 수직 구조체가 제공된다. 상기 도전성 패턴을 관통하며 상기 라인 분리 패턴과 접촉하는 보조 패턴이 제공된다.

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16-06-2016 дата публикации

METHOD FOR TREATING SUBSTRATE

Номер: KR1020160069138A
Автор: SHIN, SEUNG CHUL, YOO, JIN HYUK, CHEON, MIN HO, HWANG, CHUL JOO
Принадлежит:

According to an embodiment of the present invention, a method for treating a substrate includes: a spraying step of spraying a gas including a source material containing silicon onto a substrate received in a reaction chamber; a deposition step of generating plasma including an oxygen radical and depositing the source material on the substrate to form an oxide deposition film; and a surface treating step of spraying a plasma gas including the oxygen radical and plasma surface-treating the deposition film, thereby satisfying required density and step coverage, and remarkably reducing the generation of a cavity. COPYRIGHT KIPO 2016 (AA) Start (BB) End (C1,C2) No (D1,D2) Yes (S100) Spraying step (S110) Deposition step (S120) First determination step: Deposition film is formed into a set thickness? (S130) First purge step (S140) Surface process step (S150) Second purge step (S160) Second determination step: Deposition film forms a plurality of layers?

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11-01-2021 дата публикации

BRAILLE INPUT DEVICE CONNECTED WITH OUTSIDE TERMINAL

Номер: KR102201811B1
Автор: 유진혁
Принадлежит: (주)건융아이비씨

... 본 발명은 시각장애인들이 간편하게 몸에 지니고 다니면서 언제 어디서나 매우 편리하게 의사소통을 할 수 있는 외부단말기 연동 점자입력장치에 관한 것이다. 이를 위하여, 본 발명은, 점자 입력을 위한 복수 개의 입력키를 포함하는 입력부; 상기 입력부에 의해 입력된 점자를 문자코드로 변환시켜 주는 입력변환부; 및 상기 입력변환부에 의해 변환된 문자코드를 외부 단말기로 전송하여 주는 통신부를 포함하여 구성되는 외부단말기 연동 점자입력장치를 제공한다. 따라서, 본 발명에 의하면, 시각장애인들이 간편하게 휴대하고 다닐 수 있으며, 언제든지 서로 용이하게 의사소통을 할 수 있는 장점이 있다.

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Номер записи: 47
29-01-2018 дата публикации

GAS SPRAY APPARATUS FOR SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

Номер: KR1020180009705A
Автор: YOON, HO BIN, SHIN, SEUNG CHUL, YOO, JIN HYUK, CHO, BYOUNG HA
Принадлежит:

The present invention relates to a gas spray apparatus for a substrate processing apparatus, and to a substrate processing apparatus comprising: a plasma generation unit which generates a plasma to perform processing on a substrate supported by a substrate support unit; a ground body to which the plasma generation unit is coupled; and a plasma shielding unit which shields the plasma generated by the plasma generation unit. The plasma generation unit includes a first electrode for generating a plasma, and a second electrode coupled to the ground body at a position separated from the first electrode to form a gas spray space for spraying a process gas between the first electrode and the second electrode. The plasma shielding unit shields the plasma generated by the plasma generation unit from at least one of the inner and outer side of the substrate. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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Номер записи: 48
18-09-2017 дата публикации

기판형 태양전지 및 그 제조방법

Номер: KR0101779057B1
Автор: 유진혁, 김형석
Принадлежит: 주성엔지니어링(주)

... 본 발명은, 반도체 웨이퍼로 이루어진 제1 반도체층; 상기 제1 반도체층의 일면에 형성된 제2 반도체층; 상기 제2 반도체층 상에 형성되며, 상기 제2 반도체층의 소정 영역이 노출되도록 콘택부를 구비하는 반사방지층; 상기 제1 반도체층의 타면에 형성된 제3 반도체층; 상기 제3 반도체층 상에 형성된 후면 전극; 및 상기 콘택부를 통해서 상기 제2 반도체층과 연결되어 있는 전면 전극을 포함하여 이루어지고, 이때, 상기 전면 전극과 접하는 상기 제2 반도체층의 일면에는 제1 요철구조 및 상기 제1 요철구조의 표면에 제2 요철구조가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지, 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따르면, 제2 반도체층의 일면에 제1 요철구조 및 제2 요철구조와 같은 이중의 요철구조가 형성되어 있기 때문에, 전면 전극과 접하게 되는 제2 반도체층의 표면거칠기가 증가되고, 따라서, 제2 반도체층과 전면 전극 사이의 접착력이 증가될 수 있어 태양전지의 효율 저하가 방지될 수 있다.

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Номер записи: 49
02-02-2017 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON INSULATION LAYER FORMATION METHOD THEREOF

Номер: KR1020170011710A
Автор: LEE, SANG DU, KIM, JEONG MI, MIN, CHUL HONG, SHIN, SEUNG CHUL, SHIM, JAE YONG, YOO, JIN HYUK, YUN, SANG MIN, LEE, DONG YEUP, LEE, MIN SU, CHO, YOUN SIK, CHEON, MIN HO
Принадлежит:

An embodiment of the present invention relates to a semiconductor device and a silicon insulation layer formation method thereof, which can fill a gap without a void when forming an insulation layer in a semiconductor substrate having a trench formed thereon, and can prevent the insulation layer from being easily etched by an acid-based chemical solution. According to an embodiment of the present invention, the silicon insulation layer formation method comprises: a first step of forming a silicon insulation layer on a substrate having a trench formed thereon by supplying silicon-containing gas and oxygen gas or nitrogen gas; a second step of post-processing the silicon insulation layer by supplying carbon-containing gas; and a third step of repeating the first step and the second step. COPYRIGHT KIPO 2017 (S101) Forming a silicon insulation layer (1100) on a semiconductor substrate (1000) (S102) Processing with plasma after spraying carbon-containing gas (G1) on the silicon insulation layer ...

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30-10-2018 дата публикации

SUBSTRATE TREATING APPARATUS

Номер: KR1020180117966A
Автор: SHIN, SEUNG CHUL, KIM, JI HOON, YOO, JIN HYUK
Принадлежит:

Disclosed is a substrate treating apparatus. According to the present invention, the substrate treating apparatus is divided into two areas in which at least one injection unit is independently controlled of an injection unit of a source gas injection unit and an injection unit of a reactant gas injection unit respectively injecting a source gas and a reaction gas into the divided areas of a chamber. Then, a uniform thin film may be formed on the entire surface of the substrate since more source gas can be deposited by injecting more source gas to a portion of the substrate where the source gas is less deposited using the injection unit of the source gas injection unit or by injecting more reactant gas to the portion of the substrate where the source gas is less deposited using the injection unit of the reactant gas injection unit. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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Номер записи: 51
19-03-2025 дата публикации

UNITIZED FUEL CELL

Номер: KR20250037925A
Автор: 노종혁, 유진혁, 권덕훈, 정병헌, 한승훈
Принадлежит:

... 셀프레임; 셀프레임에 적층되고, 단부에 냉각매체가 유통되는 매니폴드홀이 형성되고, 매니폴드홀에서 연장된 일정 면적의 냉각매체 안내부가 형성되며, 안내부에 사출홀이 형성된 분리판; 및 매니폴드홀의 테두리를 감싸며 냉각매체가 유통되는 개구가 형성된 실링본체, 안내부의 사출홀에 대응되도록 위치되어 냉각매체 유로를 형성하는 유로가이드, 안내부의 반응면 측에 사출되며 사출홀을 통해 냉각면측에 유로가이드가 사출되도록 하는 사출브릿지를 포함하는 가스켓;을 포함하는 일체화 연료전지가 소개된다.

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Номер записи: 52
12-10-2017 дата публикации

METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING SIGNAL OF MIMO

Номер: KR1020170111595A
Автор: HUH, JOONG KWAN, CHOI, JUN WON, SONG, JAE WOOK, YOON, SUK HYON, LEE, KYU IN, BAE, JI SU, YOO, JIN HYEOK
Принадлежит:

The present invention provides a method and apparatus for detecting an MIMO signal. The apparatus for detecting an MIMO signal according to the present invention performs a tree structure search on M number of transmission symbols based on a tree search technique, wherein M is a natural number. Here, in the uppermost layer for each tree structure, a searching process for different transmission symbols is performed among the M transmission symbols. Also, the apparatus for detecting an MIMO signal according to the present invention detects an MIMO signal by searching for M number of tree structures. It is possible to detect highly reliable MIMO signal with low complexity. COPYRIGHT KIPO 2017 (AA) Node for searching by selecting at least one node among lower level nodes (BB) Other nodes ...

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Номер записи: 53
12-10-2018 дата публикации

AUTOMATIC ANSWERING METHOD AND SYSTEM USING SIMILAR USER MATCHING

Номер: KR1020180112718A
Автор: HYUN SUNG JUN, YU JIN HYEOK, PARK SANG HWAN
Принадлежит:

According to an embodiment of the present invention, an automatic answering system for analyzing a question inputted from a user and automatically generating an answer includes: a user matching unit for matching a similar user who is similar to the user among questioners included in collected data; a question matching unit for matching a similar question which is similar to the inputted question among the questions included in the collected data; and an answer detecting unit which detects an answer to the similar question as an answer to the inputted question based on a user similarity degree indicating a similarity degree between the user and the similar user and a question similarity degree indicating a similarity degree between the inputted question and the similar question. Accordingly, the present invention can improve the satisfaction or reliability of the answer. COPYRIGHT KIPO 2018 (100) Q & A system (210) Question/answer collection unit (220) Question/answer formatting unit (230 ...

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Номер записи: 54
20-12-2018 дата публикации

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND ROTARY ELECTRIC CONNECTOR FOR VACUUM

Номер: WO2018230883A1
Автор: YOON, Ho Bin, SHIN, Seung Chul, YOO, Jin Hyuk
Принадлежит:

A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention comprises: a disc comprising a plurality of electrostatic chucks periodically disposed on a constant radius from a central axis; a disc support for supporting the disc; a DC line electrically connected to the plurality of electrostatic chucks through the disc support; and a power supply for supplying power to the DC line. The DC line comprises: a first DC line passing through the disc support in the power supply; a power distribution unit for distributing the first DC line to connect the first DC line to each of the plurality of electrostatic chucks; and a plurality of second DC lines connected to each of the plurality of electrostatic chucks in the power distribution unit.

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19-06-2018 дата публикации

CHAMBER CLEANING METHOD, THIN FILM DEPOSITING METHOD, AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE

Номер: KR1020180066504A
Автор: KIM, JI HOON, SHIN, SEUNG CHUL, YOO, JIN HYUK
Принадлежит:

The present invention provides a chamber cleaning method which reduces a difference in a deposition rate of a thin film due to a chamber cleaning gas and improves uniformity, a method for depositing a thin film after cleaning a chamber, and a substrate processing device. The chamber cleaning method according to the present invention comprises: a first step of injecting a first cleaning gas containing fluorine (F) into the chamber; a second step of injecting a second cleaning gas containing H_2O into the chamber; and a third step of depositing the thin film before introducing a substrate. Therefore, the deposition rate and the uniformity of the thin film can be improved. COPYRIGHT KIPO 2018 (AA) First cleaning gas (BB) Second cleaning gas (CC) Source gas (DD) Purge gas (EE) Reacting gas ...

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07-11-2017 дата публикации

METHOD FOR FORMING SILICON INSULATING FILM

Номер: KR1020170123294A
Автор: LEE SANG DU, KIM JEONG MI, MIN CHUL HONG, SHIN SEUNG CHUL, SHIM JAE YONG, YOO JIN HYUK, YUN SANG MIN, LEE DONG YEUP, LEE MIN SU, CHO YOUN SIK, CHEON MIN HO
Принадлежит:

Provided is a method for forming a silicon insulating film. The method for forming a silicon insulating film comprises: supplying a silicon-containing gas as a source gas and a gas containing oxygen or nitrogen as a reaction gas to form a first silicon insulating film on a substrate; and performing a plasma processing while supplying a carbon-containing gas to change the first silicon insulating film into a second silicon insulating film having a Si-C bond. Therefore, the silicon insulating film is not easily etched by an acid-based chemical solution. COPYRIGHT KIPO 2017 (S101) Forming a silicon insulating film on a semiconductor substrate (S102) Performing plasma processing after spraying carbon containing gas on a silicon insulating film (S103) Repeat step S101 and step S102 n times ...

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27-02-2023 дата публикации

연료전지용 분리판

Номер: KR20230026853A
Автор: 송병근, 유진혁, 신선도
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... 본 발명은 냉각수가 유동되는 압력에 의해 확산영역에서 형상이 변형되는 방지할 수 있는 연료전지용 분리판에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시형태에 따른 연료전지용 분리판은 일면은 반응면을 이루고, 타면은 냉각면을 이루도록 판형으로 형성되며, 중앙에 반응영역이 형성되고, 상기 반응영역의 양측으로 각각 반응가스 또는 냉각수가 유입 또는 배출되는 다수의 매니폴드가 관통되는 한 쌍의 매니폴드영역이 형성되며, 상기 반응영역과 한 쌍의 매니폴드영역 사이에는 반응가스 또는 냉각수의 유동을 확산시키는 한 쌍의 확산영역이 형성되는 분리판 본체와; 상기 한 쌍의 확산영역에 형성되되, 상기 한 쌍의 매니폴드영역에 각각 형성된 적어도 한 쌍 이상의 매니폴드에서 상기 반응영역으로 확산되는 다수의 확산유로를 형성시키는 다수의 유로가이드 가스켓;을 포함한다.

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13-10-2015 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON-BASED INSULATING FILM

Номер: KR1020150114628A
Автор: KIM, DOO YOUNG, KANG, DAE WON, KIM, KA LAM, SEO, SEUNG HOON, YOO, JIN HYUK, LEE, DONG YEUP, LEE, SEONG KWANG, CHO, BYOUNG HA
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The present invention relates to a method for manufacturing a silicon-based insulating film through a deposition process by using a compound as a silicon source, which is expressed by chemical formula 1, wherein X_1 to X_10 are independent halogen materials. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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03-08-2018 дата публикации

SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS

Номер: KR1020180087948A
Автор: KIM, TAE SOO, SHIN, SEUNG CHUL, YOO, JIN HYUK
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Disclosed is a substrate treatment apparatus. In a substrate treatment apparatus according to the present invention, a purge gas injection unit and a cleaning gas injection unit of a third gas injection unit are partitioned and independently formed. That is, purge gas injected from the purge gas injection unit and cleaning gas injected from the cleaning gas injection unit are partitioned and independently injected. Therefore, when the purge gas is injected in the third gas injection unit, the cleaning gas is prevented from being mixed into the purge gas being injected. Accordingly, source gas is not affected by the cleaning gas, so that characteristics of a thin film to be deposited can be improved. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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28-04-2011 дата публикации

HETERO-JUNCTION SOLAR CELL AND A FABRICATION METHOD THEREFOR

Номер: KR2011049270A1
Автор: YOO, Jin Hyuk
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The present invention relates to a hetero-junction solar cell and a fabrication method therefor, the hetero-junction solar cell comprising: a semiconductor wafer having a predetermined polarity; a first semiconductor layer formed on one side of the semiconductor wafer; a second semiconductor layer, which is formed on the other side of the semiconductor wafer and has a different polarity from the first semiconductor layer; a first electrode formed on the first semiconductor layer; and a second electrode formed on the second semiconductor layer, wherein the first semiconductor layer is composed of a low-doped semiconductor layer formed on one side of the semiconductor wafer and a high-doped semiconductor layer formed on the low-doped semiconductor layer. By forming a low-doped semiconductor layer on the surface of the semiconductor wafer before forming the high-dope semiconductor layer as in the present invention, the occurrence of defects on the surface of the semiconductor wafer may be ...

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19-09-2018 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер: KR1020180103402A
Автор: KIM, YOON JAE, KIM, DONG KWON, KIM, HO YOUNG, YOO, JIN HYUK, JUNG, WOO JIN
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A semiconductor device is disclosed. The semiconductor device comprises a fin-type active region protruding from a substrate and extending in a first direction parallel to the top surface of the substrate; a gate electrode surrounding the top and side surfaces of the fin-type active region on the substrate and extending in a second direction across the fin-type active region; a gate spacer structure disposed on both sidewalls of the gate electrode and having a top surface located at a level higher than the top surface of the gate electrode; an insulating capping layer disposed on the gate electrode and extending in the second direction; an insulating liner disposed on the both sidewalls of the insulating capping layer, extending in the second direction and having a second thickness less than the first thickness of the gate spacer structure; and a self-aligned contact connected to the fin-type active region and having a sidewall contacting the sidewall of the gate spacer structure and the ...

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