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08-01-2019 дата публикации

지능형 발전제어 장치 및 발전 제어방법

Номер: KR0101933389B1
Автор: 지태한, 최광옥, 정현욱, 조한신, 신현재
Принадлежит: 에이치케이엠엔에스(주)

... 본 발명에 따른 지능형 발전제어 장치는 차량에 장착된 배터리; 배터리를 충전시키기 위한 전력을 발전하는 알터네이터; 차량 내에 장착되어 사용자 입력정보를 입력받고 부하정보를 측정하며, 차속정보를 측정하는 표시장치; 배터리의 음극부에 장착되고, 배터리와 표시장치로부터 전달되는 정보를 이용하여 배터리의 충/방전여부를 결정한 후, 알터네이터가 ON/OFF되도록 제어하는 IBS 통합 제어기;를 포함하여, 엔진 컨트롤 유닛(Engine ECU)의 변경이나, 별도의 배터리 센선 사용, 그리고 발전량을 조절할 수 있는 스마트 알터네이터(Smart Alternator)로의 변경 없이도 발전제어가 가능한 효과가 있다.

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Номер записи: 1
15-06-2018 дата публикации

차량용 도어스위치

Номер: KR0101867571B1
Автор: 조한신
Принадлежит: 현대자동차주식회사

... 본 발명은, 차체패널에 장착되어 도어의 닫힘에 의해 푸시버튼이 눌려짐에 따라 상기 도어의 개폐여부를 감지하는 차량용 도어스위치에 있어서, 상기 푸시버튼의 끝단에 장착되어 도어의 닫힘에 따라 탄성변형하는 범퍼부;를 포함하며, 상기 푸시버튼의 끝단에는 직경이 확장된 플랜지가 형성되되, 상기 범퍼부는 플랜지를 내포하도록 푸시버튼에 일체로 고정결합된 것을 특징으로 한다. 상기와 같은 구성의 본 발명은 오버슬램범퍼를 삭제할 수 있으므로, 도어의 외관을 더욱 간결하게 구성할 수 있으며 상품성을 향상시킬 수 있고, 공정 수를 축소하여 원가를 절감할 수 있는 효과가 있다.

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Номер записи: 2
30-05-2018 дата публикации

LOW PROBABILITY OF INTERCEPT TRANSMISSION METHOD IN MULTI-ANTENNA AMPLIFICATION AND RETRANSMISSION RELAY FOR SECURITY TRANSMISSION AND APPARATUS THEREOF

Номер: KR1020180057077A
Автор: SONG, CHANG ICK, LEE, KYOUNG JAE, JO, HAN SHIN
Принадлежит:

The present invention relates to a low probability of intercept transmission method in multi-antenna amplification and retransmission relay for security transmission and an apparatus thereof. The transmission method comprises the following steps. A transmission end receives a first input signal. A repeater receives a second input signal from the transmission terminal through an H channel. Then, the repeater outputs first and second output signals to reception ends through G and T channels. The plurality of reception ends include an legal reception end and wiretapping end. The apparatus achieves a low probability of intercept from a wiretapper and has an effect of transmitting problem of backward compatibility and multiple data stream. COPYRIGHT KIPO 2018 (100) Transmitter (200) Relay unit (310) Legitimate receiver (320) Eavesdropping end (AA) First input signal (BB) Second input signal (CC) First output signal (DD) Second output signal ...

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Номер записи: 3
11-10-2018 дата публикации

APPARATUS FOR CONTROLLING INTELLIGENT POWER GENERATION AND POWER GENERATION CONTROL METHOD

Номер: KR1020180110690A
Автор: JEE, TAE HAN, CHOI, KWANG OK, JUNG, HYUN WOOK, CHO, HAN SHIN, SHIN, HYUN JAE
Принадлежит:

According to the present invention, provided is an intelligent power generation control apparatus, which comprises: a battery mounted on a vehicle; an alternator generating power for charging the battery; a display apparatus mounted on the vehicle, receiving user input information, measuring load information, and measuring vehicle speed information; and an IBS integrated controller mounted on a cathode unit of the battery, determining whether or not the battery is charged or discharged by using information delivered from the battery and the display apparatus, and controlling the alternator to enable the same to be on and off. Accordingly, power generation can be controlled without replacement of an engine ECU, the use of an additional battery sensor, and replacement with a smart alternator, capable of adjusting a power generation amount. COPYRIGHT KIPO 2018 (AA) Vehicle power generation system (BB) Conventional technology for riding ...

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Номер записи: 4
27-06-2018 дата публикации

전력 반도체 소자 및 그 제조방법

Номер: KR0101870807B1
Автор: 김영준, 우혁, 김태엽, 조한신, 박태영, 이주환
Принадлежит: 현대오트론 주식회사

... 본 발명은 상기 전력 반도체 소자는 기판 내에 서로 이격된 제 1 트렌치 및 제 2 트렌치에 각각 배치된 한 쌍의 게이트 전극, 상기 기판 내에서 상기 제 1 트렌치 및 상기 제 2 트렌치 사이에 배치된 제 1 도전형의 바디 영역, 상기 기판 내에서 상기 제 1 트렌치 및 제 2 트렌치의 바닥면과 적어도 일측면을 각각 둘러싸면서 서로 이격 배치된 한 쌍의 제 1 도전형의 플로팅 영역, 및 상기 기판 내에서 상기 한 쌍의 제 1 도전형의 플로팅 영역 아래로부터 상기 한 쌍의 제 1 도전형의 플로팅 영역 사이를 통과하여 상기 제 1 도전형의 바디 영역까지 이어지는, 제 2 도전형의 드리프트 영역을 포함하며, 상기 드리프트 영역에서 상기 한 쌍의 제 1 도전형의 플로팅 영역 사이의 제 2 도전형 도핑 농도는 상기 한 쌍의 제 1 도전형의 플로팅 영역 아래의 제 2 도전형 도핑 농도 보다 상대적으로 더 높은 전력 반도체 소자를 제공한다.

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Номер записи: 5
04-10-2018 дата публикации

파워 모듈 패키지의 제조방법 및 이를 이용한 파워 모듈 패키지

Номер: KR0101897641B1
Автор: 조한신
Принадлежит: 현대오트론 주식회사

... 본 발명은 세라믹층과 상기 세라믹층의 하면에 금속회로패턴이 형성된 기판을 준비하는 단계; 칩과 스페이서를 실장하기 위해서, 상기 세라믹층의 적어도 일부를 제거함으로써 내부공간을 형성하는 단계; 상기 내부공간 내에 칩과 스페이서를 실장하는 단계; 상기 칩과 상기 금속회로패턴을 전기적으로 연결하기 위해서, 와이어 본딩을 수행하는 단계; 상기 기판의 시그널 단자와 터미널 단자에 리드프레임을 각각 접합하는 단계; 상기 칩과 상기 세라믹층 사이의 상기 내부공간 및 상기 기판의 외주면을 감싸도록 몰딩하는 단계; 상기 스페이서와 상기 몰딩부 상에 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 금속층 상에 보호층을 형성하는 단계;를 포함하는 파워 모듈 패키지의 제조방법 및 이를 이용하여 구현한 파워 모듈 패키지를 제공한다.

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Номер записи: 6
08-08-2018 дата публикации

도어트림 패드 장착구조

Номер: KR0101886442B1
Автор: 조한신
Принадлежит: 현대자동차주식회사

... 본 발명은 도어트림 패드 장착구조에 관한 것으로, 패드 장착홈이 형성된 도어트림; 상기 패드 장착홈에 삽입되는 패드; 및 상기 패드를 도어트림의 패드 장착홈에 장착하는 패드 장착부를 포함하며, 상기 패드 장착부는 패드 장착홈의 상부에 구비되어 패드의 상부를 지지하는 상부 장착부재와, 패드의 하부를 지지하고 상부 장착부재가 결합되면서 패드를 고정하는 하부 장착부재를 포함한다.

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Номер записи: 7
08-03-2016 дата публикации

DOOR CHECKER

Номер: KR101601555B1
Автор: CHO, HAN SHIN, LEE, JOO HAK
Принадлежит: HYUNDAI MOTOR COMPANY, DAEDONG DOOR INCORPORATED

The present invention relates to a door checker applied to maintain open and closed states when a door is open and closed. The door checker includes; an outer case having an opening unit on one side; a checker arm installed in the outer case to move; a vehicle body connection unit installed on one end of the checker arm and exposed to the outside through the opening unit; an inner case installed at the other end of the checker arm and having a roller on one side coming into contact with the outer case and a slider on the other side coming into the contact with the outer case so that the checker arm can move in the outer case; and a profiler attached to inner one side of the outer case coming into contact with the roller and guiding a movement of the roller. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 8
29-12-2017 дата публикации

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR1020170143390A
Автор: KIM, YOUNG JOON, WOO, HYUK, KIM, TAE YEOP, CHO, HAN SIN, PARK, TAE YOUNG, LEE, JU HWAN
Принадлежит:

The present invention provides a power semiconductor device comprising: a pair of gate electrodes which are arranged in a first trench and a second trench which are separated from each other in a substrate; a first conductive body region which is arranged between the first trench and the second trench in the substrate; a pair of first conductive floating regions which are separated from each other while surrounding the bottom surfaces of the first trench and the second trench and at least one side surface thereof in the substrate; and a second conductive drift region which is connected to the first conductive body region by passing through a gap between the first conductive floating regions from the bottom of the first conductive floating regions in the substrate. A second conductive doping concentration between the first conductive floating regions in the drift region is relatively higher than a second conductive doping concentration at the bottom of the first conductive floating regions ...

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Номер записи: 9
06-08-2018 дата публикации

보안 전송을 위한 다중안테나 증폭 및 재전송 릴레이 저피탐지율 전송 방법 및 장치

Номер: KR0101885966B1
Автор: 송창익, 이경재, 조한신
Принадлежит: 한국교통대학교산학협력단

... 본 발명은 보안 전송을 위한 다중안테나 증폭 및 재전송 릴레이 저피탐지율 전송 방법 및 장치에 관한 것으로, 송신단이 제 1입력신호를 입력받는 단계; 중계기가 상기 송신단으로부터 H채널을 통해 제 2입력신호를 입력받는 단계; 중계기가 제 1출력신호 및 제 2출력신호를 G 채널 및 T 채널을 통해 수신단으로 출력하는 단계;를 포함하며, 상기 복수 개의 수신단은, 합법적 수신단 및 도청단을 포함하며, 도청자로부터 저피탐지율을 달성하고, 하위 호환성(backward compatibility)의 문제 및 다중데이터 스트림을 전송을 가능한 효과가 있음 ...

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Номер записи: 10
02-08-2018 дата публикации

전력 반도체 소자

Номер: KR0101870809B1
Автор: 김영준, 우혁, 김태엽, 조한신, 박태영, 이주환
Принадлежит: 현대오트론 주식회사

... 본 발명은 액티브(active) 영역 및 에지(edge) 영역을 포함하고, 제 1 도전형의 불순물이 도핑된 반도체를 함유하는 기판, 상기 기판의 에지 영역 상에 형성된 절연막, 상기 절연막 상에 형성된 필드 플레이트 패턴 및 상기 기판의 에지 영역 내부에 매립되어 상기 기판의 상부면과 나란한 벡터 성분을 가지는 방향으로 신장하는 적어도 하나 이상의 제 2 도전형의 제 1 도핑 영역을 포함하는 전력 반도체 소자를 제공한다.

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Номер записи: 11
07-06-2018 дата публикации

MANUFACTURING METHOD OF POWER MODULE PACKAGE AND POWER MODULE PACKAGE USING SAME

Номер: KR1020180060791A
Автор: CHO, HAN SIN
Принадлежит:

The present invention provides a manufacturing method of a power module package and a power module package implemented by using the same. The manufacturing method of a power module package comprises the following steps of preparing a substrate having a ceramic layer and a metal circuit pattern formed on a lower surface of the ceramic layer; forming an inner space by removing at least a part of the ceramic layer, in order to mount a chip and a spacer; mounting the chip and the spacer in the inner space; performing wire bonding in order to electrically connect the chip and the metal circuit pattern; bonding a lead frame to each of a signal terminal and a terminal of the substrate; molding the inside of the substrate to surround the inner space between the chip and the ceramic layer and the outer peripheral surface of the substrate; forming a metal layer on the spacer and the molded part; and forming a protective layer on the metal layer. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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Номер записи: 12
13-07-2016 дата публикации

Multi band anttena

Номер: KR0101639212B1
Автор: 정용주, 박세일, 이준원, 조한신
Принадлежит: 삼영쎌레트라(주)

... 본 발명은 멀티 밴드 안테나에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 밴드 안테나는, 서로 다른 복수의 대역의 신호를 송수신하기 위한 멀티 밴드 안테나에 있어서, 전기를 공급하는 급전부; 상기 급전부와 일단이 연결되고, 상기 안테나를 길이 방향으로 연장시키는 절연부; 상기 절연부 내부에 급전부와 연결되는 도체로 이루어진 방사체, 및 상기 방사체 또는 상기 절연부와 이격되어 외부를 둘러싸는 슬리브를 포함하는 저주파 수신부; 및 상기 절연부 및 상기 절연부의 외부 표면에 나선형으로 권취되는 헬리컬 코일을 포함하는 고주파 수신부를 포함한다.

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Номер записи: 13
29-12-2017 дата публикации

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер: KR1020170143391A
Автор: KIM, YOUNG JOON, WOO, HYUK, KIM, TAE YEOP, CHO, HAN SIN, PARK, TAE YOUNG, LEE, JU HWAN
Принадлежит:

The present invention provides a power semiconductor device which includes a substrate comprising: an active region and an edge region containing a semiconductor doped with a first conductive type impurity, an insulation film formed on the edge region of the substrate, a field plate pattern formed on the insulation film, and at least one or more second conductive type first doping regions buried in the edge region of the substrate and extended in a direction to have a vector component in parallel to an upper side of the substrate. Accordingly, the present invention is able to reduce deterioration of a characteristic due to a change in semiconductor interface charge. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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Номер записи: 14
31-12-2018 дата публикации

MANUFACTURING METHOD OF POWER SEMICONDUCTOR MODULE

Номер: KR1020180138466A
Автор: LEE, JU HWAN, CHO, HAN SIN
Принадлежит:

The present invention relates to a manufacturing method of a power semiconductor module, capable of protecting a chip from various impacts by minimizing the impacts. The present invention includes the following steps: preparing a lower substrate; forming a chip on the lower substrate; forming a spacer on the chip, in which the spacer is able to transmit an electrical signal and heat dissipation upward or downward; fixing at least a part of the lower substrate, the chip and the spacer using a jig for module assembly; bonding a lead frame to at least a portion of the lower substrate; and performing wire bonding to electrically connect the chip and the lead frame. In order to prevent the spacer from being warped or twisted by the heat generated in the steps of bonding the lead frame and performing the wire bonding, a frame for fixing the spacer in the jig for module assembly has at least a bending prevention member. The bending prevention member fixes an upper edge of the spacer. COPYRIGHT ...

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Номер записи: 15
04-03-2016 дата публикации

APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLING INTER-SECTOR INTERFERENCE IN COMMUNICATION SYSTEM BASED ON SDMA FOR UPLINK

Номер: KR0101599988B1
Автор: 문준, 이성호, 윤순영, 문철, 조한신
Принадлежит: 삼성전자주식회사, 한국교통대학교산학협력단

... 본 발명은 상향링크 공간분할 다중접속 기반 통신시스템에서 인접 섹터간 간섭을 억제하기 위한 장치 및 방법에 관한 것으로, 공간분할 다중접속(Spatial Division Multiple Access: SDMA) 기반의 무선통신시스템에서 인접 섹터간 간섭을 억제하기 위한 장치에 있어서, 각각 단말에 대해서 서비스 섹터 및 간섭 섹터를 결정하는 섹터 결정기와, 상기 서비스 섹터와 상기 간섭 섹터가 결정된 단말들에 대해 단말집합을 구성하여, 적어도 하나 이상의 단말집합 별 상향링크 평균간섭전력을 계산하고, 상기 단말집합 별 상향링크 평균간섭전력을 이용하여, 적어도 하나 이상의 단말집합에 대해 스케줄링 우선순위를 결정하는 우선순위 결정부와, 상기 적어도 하나 이상의 단말 집합 중에서, 스케줄링 우선순위가 가장 높은 제 1 단말집합을 선택하고, 상기 선택된 제 1 단말집합이 포함된 제 1 섹터와 상기 적어도 하나 이상의 제 2 간섭 섹터들이 서로 간섭을 주지 않도록 상기 적어도 하나 이상의 제 2 간섭 섹터에서 제 2 단말집합을 선택하는 섹터 선택부를 포함한다.

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Номер записи: 16
13-12-2017 дата публикации

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR1020170137421A
Автор: KIM, YOUNG JOON, WOO, HYUK, KIM, TAE YEOP, CHO, HAN SIN, PARK, TAE YOUNG, LEE, JU HWAN
Принадлежит:

The present invention provides a power semiconductor device comprising: a gate electrode disposed in a trench of a substrate; a first conductive body region disposed on one side of the gate electrode in the substrate and a second conductive source region disposed adjacent to the gate electrode in the first conductive body region; a first conductive floating region disposed on the other side of the gate electrode in the substrate; a first conductive edge doping region spaced from the first conductive floating region in the substrate, and electrically connected to the source region; a second conductive edge junction isolation region interposed between the first conductive floating region and the first conductive edge doping region in the substrate; and a second drift region disposed under the first conductive floating region, the first conductive edge doping region, and the second conductive edge junction isolation region in the substrate, wherein a second conductive doping concentration ...

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Номер записи: 17
18-10-2017 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер: KR101786738B1
Автор: KIM, TAE YEOP, WOO, HYUK, KIM, YOUNG JOON, PARK, TAE YOUNG, CHO, HAN SIN, CHOI, YOON CHUL
Принадлежит: HYUNDAI AUTRON CO., LTD.

The present invention provides a semiconductor device capable of ensuring the operation stability through a barrier region, and a manufacturing method thereof. According to an embodiment of the present invention, the semiconductor device comprises: a substrate including a first surface and a second surface facing the first surface; an epi layer formed on the first surface of the substrate and having a first conductivity type; a base region formed in the epi layer and having a second conductivity type different from the first conductivity type; a source region formed in the base region and having the first conductivity type; a channel region separated from the source region in the base region and having the first conductivity type; and the barrier region formed between the source region and the channel region and having the second conductivity type. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 18
22-12-2015 дата публикации

MULTI-BAND ANTENNA

Номер: KR1020150142328A
Автор: JUNG, YOUNG JU, PARK, SE II, LEE, JOON WON, CHO, HAN SIN
Принадлежит:

The present invention relates to a multi-band antenna. The multi-band antenna for transmitting and receiving signals of different ranges according to an embodiment of the present invention includes an electricity supply part which supplies electricity; an insulting part which is connected to one end of the electricity supply part and extends the antenna in a longitudinal direction; a low frequency wave receiving part which includes a radiation body which comprises a conductor connected to the electricity supply part in the insulating part, and a sleeve which is separated from the radiation body or the insulating part and surrounds the outside; and a high frequency wave receiving part which includes a helical coil which is spirally wound around the insulating part and the outer surface of the insulating part. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 19
27-06-2018 дата публикации

전력 반도체 소자 및 그 제조방법

Номер: KR0101870808B1
Автор: 김영준, 우혁, 김태엽, 조한신, 박태영, 이주환
Принадлежит: 현대오트론 주식회사

... 본 발명은 기판의 트렌치 내에 배치된 게이트 전극, 상기 기판 내에서 상기 게이트 전극의 일측에 배치된 제 1 도전형의 바디 영역과 상기 제 1 도전형의 바디 영역 내에 상기 게이트 전극에 인접하여 배치된 제 2 도전형의 소스 영역, 상기 기판 내에서 상기 게이트 전극의 타측에 배치된 제 1 도전형의 플로팅 영역, 상기 기판 내에서 상기 제 1 도전형의 플로팅 영역과 이격 배치되되 상기 소스 영역과는 전기적으로 연결된 제 1 도전형의 에지 도핑 영역, 상기 기판 내에서 상기 제 1 도전형의 플로팅 영역과 상기 제 1 도전형의 에지 도핑 영역 사이에 개재된 제 2 도전형의 에지 정션 분리(edge junction isolation) 영역 및 상기 기판 내에서 상기 제 1 도전형의 플로팅 영역, 상기 제 1 도전형의 에지 도핑 영역 및 상기 제 2 도전형의 에지 정션 분리 영역 아래에 배치된 제 2 도전형의 드리프트 영역을 포함하고, 상기 에지 정션 분리 영역의 제 2 도전형 도핑 농도는 상기 드리프트 영역의 제 2 도전형 도핑 농도 보다 상대적으로 더 높은, 전력 반도체 소자를 제공한다.

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Номер записи: 20