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24-04-2018 дата публикации

대면적 단결정 2 차원 물질의 제조 방법

Номер: KR0101851578B1
Автор: 황동목, 이재현, 임재영, 장현식
Принадлежит: 성균관대학교산학협력단

... 제 1 금속 기재에서 성장된 단결정 2 차원 물질을 박리하여 씨드를 수득하는 단계; 제 2 기재에 상기 씨드를 전사하는 단계; 및 상기 전사된 씨드를 성장시켜 대면적 단결정 2 차원 물질을 수득하는 단계를 포함하는, 대면적 단결정 2 차원 물질의 제조 방법에 관한 것이다.

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Номер записи: 1
25-04-2018 дата публикации

그래핀과 폴리머의 복합체 및 그 제조방법

Номер: KR0101851570B1
Автор: 이은경, 최병룡, 차승남, 이재현, 황동목
Принадлежит: 삼성전자주식회사, 성균관대학교 산학협력단

... 그래핀과 폴리머의 복합체 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 그래핀과 폴리머의 복합체는 3차원 형상을 가지는 적어도 하나의 폴리머 구조물; 및 상기 폴리머 구조물 상에 형성되는 그래핀층;을 포함한다.

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Номер записи: 2
26-10-2016 дата публикации

MANUFACTURING METHOD OF MONOCRYSTALLINE TWO-DIMENSIONAL MATERIAL HAVING LARGE AREA

Номер: KR1020160123725A
Автор: WHANG, DONG MOK, LEE, JAE HYUN, LIM, JAE YOUNG, JANG, HYUN SIC
Принадлежит:

The present invention relates to a manufacturing method of a monocrystalline two-dimensional material having a large area. More particularly, the manufacturing method comprises the following steps of: obtaining a seed by delaminating a monocrystalline two-dimensional material grown on a first metal substrate; transcribing the seed on a second substrate; and growing the transcribed seed, and obtaining a monocrystalline two-dimensional material having a large area. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 3
11-01-2017 дата публикации

DIRECT GROWTH METHOD FOR GRAPHENE

Номер: KR1020170004106A
Автор: WHANG, DONG MOK, LEE, JAE HYUN, SHIN, HYEON JIN
Принадлежит:

A direct growth method for graphene comprises the step of supplying a raw material gas including a carbon-containing compound and a catalytic gas including a germanium-containing compound in a chamber on which a substrate is placed. Accordingly, without a metal catalyst layer, graphene can grow directly on a non-metallic surface. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 4
30-07-2015 дата публикации

Synthesis method for nanowires

Номер: KR0101538742B1
Автор: 이은경, 황동목, 최병룡, 김병성
Принадлежит: 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단

... 나노와이어의 합성방법이 개시된다. 개시된 합성방법은, 기판 상에 게르마늄을 포함하는 제1 산화물층을 형성하는 단계; 상기 제1 산화물층을 열처리하여 핵(nuclei)을 포함하는 제2 산화물층을 형성하는 단계; 및 화학기상증착법에 의해 상기 핵으로부터 게르마늄을 포함하는 나노와이어(nanowire)를 성장시키는 단계;를 포함한다.

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Номер записи: 5
09-08-2017 дата публикации

화학 기상 증착 장치

Номер: KR0101766778B1
Автор: 황동목, 최재영, 김기철, 임재영, 채수동
Принадлежит: 성균관대학교산학협력단

... 화학 기상 증착 장치는 챔버, 상기 챔버 내부에 위치하며, 상부면에 기판이 놓이는 스테이지부, 일단이 스테이지부의 하부면에 연결되어 스테이지부를 지지하는 지지대, 및 스테이지부의 하부면과 지지대의 일단 사이에 위치하며, 스테이지부의 기울기를 조절하는 틸팅부를 포함하고, 틸팅부는 기판에 대한 증착 공정 시 스테이지부를 가스가 주입되는 방향을 향해 기울이되, 스테이지부를 가스가 주입되는 부분으로부터 먼 영역은 상승시키고 가까운 영역은 하강시킨다.

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Номер записи: 6
18-07-2017 дата публикации

게르마늄층을 이용한 그래핀 제조방법

Номер: KR0101758649B1
Автор: 이은경, 최병룡, 황동목, 이재현
Принадлежит: 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단

... 게르마늄층을 이용한 그래핀 제조방법이 개시된다. 개시된 게르마늄층을 이용한 그래핀 제조방법은, 기판 상에 게르마늄층을 형성하는 단계와, 상기 기판이 배치된 챔버 내에 탄소함유 개스를 공급하여 상기 게르마늄층 상에 직접 그래핀을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 그래핀 제조방법은 촉매금속층을 사용하지 않으므로, 촉매금속으로 오염되지 않은 그래핀층을 제조할 수 있다.

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Номер записи: 7
17-07-2018 дата публикации

그래핀 구조체 및 그 제조방법과, 그래핀 소자 및 그 제조방법

Номер: KR0101878751B1
Автор: 최병룡, 이은경, 황동목
Принадлежит: 삼성전자주식회사, 성균관대학교 산학협력단

... 그래핀 구조체 및 그 제조방법과, 그래핀 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 그래핀 구조체는, 기판 상에 형성되는 측면이 노출된 성장층과, 상기 성장층의 측면에 성장된 그래핀을 포함한다.

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Номер записи: 8
07-07-2016 дата публикации

Porous nano structure and Manufacturing Method of the same

Номер: KR0101636907B1
Автор: 이은경, 황동목, 최병룡, 우선확
Принадлежит: 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단

... 다공성 나노구조체 및 그 제조 방법에 대해 개시된다. 개시된 다공성 나노구조체는 나노 와이어 또는 나노 튜브의 표면 및 내부에 공동이 형성된 것으로, 공동이 나노 구조체 내부를 관통하여 형성된 구조의 나노 구조체에 관한 것이다.

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Номер записи: 9
28-12-2016 дата публикации

N-DOPED GRAPHENE OXIDE/GRAPHENE BILAYER STRUCTURE AND PREPARING METHOD THEREOF

Номер: KR1020160149672A
Автор: WHANG, DONG MOK, SEO, YOUNG MIN, CHO, HYE JIN
Принадлежит:

The present invention relates to an N-doped graphene oxide/graphene bilayer structure and a method for manufacturing the N-doped graphene oxide/graphene bilayer structure. The method comprises the steps of: forming a graphene oxide by treating the first graphene with oxygen-plasma; forming a graphene oxide/graphene bilayer structure by transferring the graphene oxide on the second graphene; and doping the graphene oxide/graphene bilayer structure by using an amine-containing functional group. According to the present invention, graphene oxide which is a transparent single layer can be formed. COPYRIGHT KIPO 2017 (AA) Forming a first graphene (BB) Oxygen plasma treatment (CC) Forming a graphene oxide (DD) Transferring the graphene oxide on a second graphene (EE) Forming an N-doped graphene oxide/graphene bilayer structure (FF) Doping an amine-containing functional group in an Ar atmosphere (GG) Forming a graphene oxide/graphene bilayer structure ...

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Номер записи: 10
12-06-2017 дата публикации

불연속 영역을 포함하는 나노 구조체 및 이를 포함하는 열전 소자

Номер: KR0101745616B1
Автор: 이은경, 최병룡, 이준호, 황동목, 이종운
Принадлежит: 삼성전자주식회사, 성균관대학교 산학협력단

... 불연속 영역을 포함하는 나노 구조체 및 이를 포함하는 열전 소자에 대해 개시된다. 개시된 나노 구조체는 내부에 결함 영역 등의 불연속 영역이 형성된 것으로 열전 소자 등의 응용시 열전체의 포논 산란 효과를 유도하며 열전 효율을 증가시킬 수 있다.

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Номер записи: 11
12-04-2016 дата публикации

Composite structure of graphene and nanostructure and method of manufacturing the same

Номер: KR0101611422B1
Автор: 최병룡, 이은경, 황동목, 김병성
Принадлежит: 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단

... 그래핀과 나노 구조체의 복합 구조체 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 복합 구조체는 적어도 하나의 그래핀(graphene)과, 이 그래핀을 관통하도록 형성되는 것으로, 1차원 형상을 가지는 적어도 하나의 나노구조체;를 포함한다.

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Номер записи: 12
21-11-2018 дата публикации

그래핀 전사 방법 및 이를 이용한 소자의 제조방법

Номер: KR0101920720B1
Автор: 최재영, 이재현, 황동목
Принадлежит: 삼성전자주식회사, 성균관대학교 산학협력단

... 그래핀 전사 방법 및 이를 이용한 소자의 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 그래핀 전사 방법은 비금속 촉매(예컨대, 반도체 촉매)를 포함하는 기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계, 상기 그래핀층 상에 박막을 형성하는 단계 및 상기 기판으로부터 상기 그래핀층과 상기 박막의 적층 구조물을 분리하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 비금속 촉매(예컨대, 반도체 촉매)는 Ge 및 SiGe 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 박막은 무기물 박막일 수 있고, 단층 또는 다층 구조로 형성할 수 있다. 상기 기판으로부터 상기 적층 구조물을 분리하는 단계는 물리적 박리 공정으로 수행할 수 있다. 상기 기판으로부터 상기 적층 구조물을 분리하는 단계 전, 상기 박막 상에 유기막을 형성하는 단계를 더 수행할 수 있다.

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Номер записи: 13
24-10-2018 дата публикации

그래핀 볼 구조체 및 그 제조방법

Номер: KR0101910977B1
Автор: 이은경, 최병룡, 이재현, 황동목
Принадлежит: 삼성전자주식회사, 성균관대학교 산학협력단

... 그래핀 볼 구조체 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 그래핀 볼 구조체는, 반도체 물질을 포함하는 구 형상의 코어(core) 및 상기 코어를 둘러싸도록 형성되는 것으로, 그래핀을 포함하는 그래핀 셸(graphene shell)을 포함한다.

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Номер записи: 14
29-08-2017 дата публикации

N-도핑된 그래핀 옥사이드/그래핀의 이중층 구조체 및 이의 제조 방법

Номер: KR0101772675B1
Автор: 황동목, 서영민, 조혜진
Принадлежит: 성균관대학교산학협력단

N-도핑된 그래핀 옥사이드/그래핀의 이중층 구조체 및 상기 N-도핑된 그래핀 옥사이드/그래핀의 이중층 구조체의 제조 방법에 관한 것이다.

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Номер записи: 15
26-01-2017 дата публикации

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS

Номер: KR101700273B1
Автор: WHANG, DONG MOK, CHOI, JAE YOUNG, KIM, KI CHUL, SEO, YOUNG MIN, HWANG, SEOK MOON
Принадлежит: RESEARCH & BUSINESS FOUNDATION SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY

The present invention proposes a chemical vapor deposition apparatus. According to an embodiment of the present invention, the chemical vapor deposition apparatus includes: a chamber where a process proceeds therein; a stage unit positioned inside the chamber and arranged on the top surface thereof with a substrate; a heater block positioned inside the chamber to control the temperature inside the chamber; a pressure adjustment line for adjusting the pressure inside the chamber; a gas distribution unit for providing gas in the direction of the stage unit; at least one gas supply line for providing the gas to the gas distribution unit; and a gas distribution unit heater for controlling the temperature of the gas distribution unit. The gas distribution unit includes a plurality of gas distribution plates disposed parallel to each other at a predetermined distance in the direction away from the stage unit, and the gas distribution plate is perforated thereon with a plurality of gas holes spaced ...

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Номер записи: 16
21-02-2017 дата публикации

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS

Номер: KR1020170019244A
Автор: WHANG, DONG MOK, CHOI, JAE YOUNG, KIM, KI CHUL, LIM, JAE YOUNG, CHAE, SU DONG
Принадлежит:

A chemical vapor deposition apparatus includes a chamber, a stage part which is located inside the chamber and loads a substrate on an upper side thereof, a supporter whose one end is connected to the lower side of the stage part to support the stage part, and a tilting unit which is located between the lower side of the stage part and one end of the supporter and controls the tilt of the stage part. The tilting unit tilts the stage part toward a gas injection direction in a substrate deposition process, raises a region of the stage part which is distant from a gas injection part, and drops a region of the stage part which is close to the gas injection part. Accordingly, the present invention can uniformly form a 2D material including graphene or a thin film by constantly maintaining a material reaction region. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 17
02-01-2017 дата публикации

REACTIVE CHAMBER FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION DEVICE

Номер: KR101691993B1
Автор: WHANG, DONG MOK, KIM, BUM JUN, JANG, HYUN SIC, CHOI, JAE YOUNG, KIM, KI CHUL
Принадлежит: RESEARCH & BUSINESS FOUNDATION SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY

The present invention relates to a reactive chamber for a chemical vapor deposition device. According to an embodiment of the present invention, a reactive chamber for a chemical vapor deposition device comprises: a base loading unit on which a base is loaded; a gas supplying unit which supplies reactive gas; a gas discharging unit which discharges reactive gas; and a temperature control device which controls the internal temperature of the reactive chamber. The temperature control device includes: a first temperature control device comprising a plurality of first conduction lines arranged in parallel at regular intervals on one side of the reactive chamber; and a second temperature control device arranged to be faced with the first temperature control device and comprising a plurality of second conduction lines arranged in parallel at regular intervals, crossing the first conduction lines. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 18