Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 2. Отображено 2.
11-01-2007 дата публикации

PIXEL ARRAY STRCUTURE

Номер: US20070007533A1
Автор: Yi-Tyng Wu, Tsuan-Lun Lung, Chih-Hung Cheng, Kuan-Te Pai
Принадлежит:

A pixel array structure is provided. The pixel array structure comprises a plurality of pixel units and a plurality of dielectric walls. Each dielectric wall is disposed between two neighboring pixel units, wherein each pixel unit comprises at least one organic light emitting diode and a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS). The organic light emitting diode comprises a transparent electrode, a bottom electrode, and a light emitting material between the transparent electrode and the bottom electrode. The CMOS is disposed in a substrate. The substrate comprises a top-metal-layer structure located thereon and the top-metal-layer structure comprises an upmost top metal layer. Further, the bottom electrode of the CMOS is the upmost top metal layer of the top-metal-layer structure and the upmost top metal layer is a titanium metal layer.

Подробнее
Номер записи: 1
28-08-2001 дата публикации

Method for manufacturing trench isolation

Номер: US0006281063B1
Автор: Yi-Min Jen, Kuan-Te Pai, JEN YI-MIN, PAI KUAN-TE
Принадлежит: United Microelectronics Corp., UNITED MICROELECTRONICS CORP, UNITED MICROELECTRONICS CORP.

A method for manufacturing a trench isolation in a semiconductor device is disclosed, wherein a silicon nitride layer used as an anti-diffusion layer mask that defines an isolation region on a silicon substrate and a thermal oxidation process that is performed on active regions are previously used. A silicon substrate having a first pad oxide layer and a first silicon nitride layer formed thereon is first provided. Then the first pad oxide layer and the first silicon nitride layer are patterned to form an anti-diffusion layer mask and to expose an active region of the silicon substrate. Next the silicon substrate is oxidized to form a first silicon dioxide layer, wherein lateral oxidation on the active region of the silicon substrate underneath the first pad oxide layer and the first silicon nitride layer provides an edge of the first silicon dioxide layer in the shape of a bird's beak. Moreover, the first silicon nitride layer, the first pad oxide layer and the first silicon dioxide layer ...

Подробнее
Номер записи: 2