Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 2. Отображено 2.
01-01-2008 дата публикации

Low 1c screw dislocation 3 inch silicon carbide wafer

Номер: US0007314520B2
Автор: Adrian Powell, Mark Brady, Stephen G. Mueller, Valeri F. Tsvetkov, Robert T. Leonard, POWELL ADRIAN, BRADY MARK, MUELLER STEPHEN G, TSVETKOV VALERI F, LEONARD ROBERT T, MUELLER STEPHEN G., TSVETKOV VALERI F., LEONARD ROBERT T.
Принадлежит: Cree, Inc., CREE INC, CREE, INC.

A high quality single crystal wafer of SiC is disclosed having a diameter of at least about 3 inches and a 1 c screw dislocation density of less than about 2000 cm-2.

Подробнее
Номер записи: 1
06-04-2006 дата публикации

Low 1c screw dislocation 3 inch silicon carbide wafer

Номер: US2006073707A1
Автор: POWELL ADRIAN, BRADY MARK, MUELLER STEPHEN G, TSVETKOV VALERI F, LEONARD ROBERT T, MUELLER STEPHEN G., TSVETKOV VALERI F., LEONARD ROBERT T.
Принадлежит:

A high quality single crystal wafer of SiC is disclosed having a diameter of at least about 3 inches and a 1 c screw dislocation density of less than about 2000 cm-2.

Подробнее
Номер записи: 2