30-01-2020 дата публикации
Номер: DE102012204420B4
Halbleitervorrichtung mit:einem Halbleitersubstrat (1) mit einer ersten Hauptoberfläche (1A) und einer zweiten Hauptoberfläche (1B), die einander gegenüberliegen,einem ersten und einem zweiten Isoliertgate-Feldeffekttransistorabschnitt (32), von denen jeder einen Isoliertgateaufbau auf einer Seite der ersten Hauptoberfläche (1A) und eine Emitterregion (3) eines ersten Leitungstyps aufweist, die in der ersten Hauptoberfläche (1A) ausgebildet ist, um den Fluss eines Hauptstroms zwischen der ersten Hauptoberfläche (1A) und der zweiten Hauptoberfläche (1B) zu ermöglichen,einem Stabilisierungsplattenabschnitt (33), der in einer Region in der ersten Hauptoberfläche (1A) ausgebildet ist, die zwischen dem ersten und dem zweiten Isoliertgate-Feldeffekttransistorabschnitt (32) liegt, undeiner Emitterelektrode (11), die auf der ersten Hauptoberfläche (1A) vorhanden ist,wobei der Stabilisierungsplattenabschnitt (33) eine erste Stabilisierungsplatte (5b) aufweist, die so angeordnet ist, dass sie dem ersten Isoliertgate-Feldeffektransistorabschnitt (32) am nächstgelegenen ist, sowie eine zweite Stabilisierungsplatte (5b), die so angeordnet ist, dass sie dem zweiten Isoliertgate-Feldeffekttransistorabschnitt (32) am nächstgelegenen ist, undwobei die Emitterelektrode (11) mit der Emitterregion (3) sowohl des ersten als auch des zweiten Isoliertgate-Feldeffekttransistorabschnitts (32) elektrisch verbunden ist, mit sowohl der ersten Stabilisierungsplatte (5b) als auch der zweiten Stabilisierungsplatte (5b) elektrisch verbunden ist, und mit einer dazwischengefügten Isolationsschicht (4b) auf der gesamten ersten Hauptoberfläche (1A) angeordnet ist, die zwischen der ersten Stabilisierungsplatte (5b) und der zweiten Stabilisierungsplatte (5b) liegt,wobei sowohl der erste als auch der zweite Isoliertgate-Feldeffekttransistorabschnitt (32) eine Bodykontaktregion (6) eines zweiten Leitungstyps beinhalten, die in der ersten Hauptoberfläche (1A) des Halbleitersubstrats (1) ausgebildet ist, ...
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