08-08-2002 дата публикации
Номер: KR100332334B1
과충방전 검출회로의 비교기의 이득을 충분히 얻음으로써, 제어회로의 관통전류를 억제하고, 전지와 과충방전 검출회로 사이에 보호저항을 삽입해도, 과충방전 검출전압의 설정을 어긋나게 하거나 발진하는 등의 현상이 나타나지 않고 정확한 과충방전 검출을 가능하게 한다. 2개의 직렬전지(101, 102), 전지 각각의 분할저항기(103, 104, 105, 106), 기준전압(107, 108), 전압 비교회로(109, 110)로 구성된 과충방전 검출회로에 비교기(107)의 구성을 N채널 MOS 입력형의 비교기로 구성하고, 비교기(108)의 구성을 P채널 MOS 입력형의 비교기로 구성함으로써, 최적의 큰 이득이 얻어진다. 제어회로(111)에서 사용하는 CMOS 논리 소자에 흐르는 관통 전류를 억제하며, 보호저항(203), (205)에 의해, 검출전압이 상승하거나, 발진하는 과충방전 검출회로의 오동작을 일으키는 것을 방지한다. By sufficiently obtaining the gain of the comparator of the overcharge / discharge detection circuit, the current flow of the control circuit can be suppressed, and even if a protection resistor is inserted between the battery and the overcharge / discharge detection circuit, the setting of the overcharge / discharge detection voltage is shifted or oscillated This does not appear and enables accurate overcharge and discharge detection. The comparator (2) consists of two series cells (101, 102), split resistors (103, 104, 105, 106), reference voltages (107, 108), and voltage comparison circuits (109, 110). By configuring the configuration of 107 as an N-channel MOS input comparator, and configuring the comparator 108 as a P-channel MOS input comparator, an optimum large gain can be obtained. The through current flowing through the CMOS logic element used in the control circuit 111 is suppressed, and the protection resistors 203 and 205 prevent the detection voltage from rising or causing the overcharge and discharge detection circuit to malfunction. .
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