Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 4933277. Отображено 200.
10-08-2002 дата публикации

СПОСОБ ИЗОЛЯЦИИ КАНАВКАМИ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО УСТРОЙСТВА

Номер: RU2187174C2
Автор: СИН Ю-гюн (KR), ПАРК Мун-хан (KR), ХОНГ Суг-хун (KR)
Принадлежит: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД. (KR)

Изобретение относится к полупроводниковой технике. Предложен способ изоляции канавками с использованием двух типов оксидных пленок. Канавки в полупроводниковой подложке заполняют многослойной пленкой из двух оксидных пленок, нанесенных последовательно и имеющих различные характеристики напряжения. Производят уплотнение композитной оксидной пленки, заполняющей канавки. Затем выравнивают композитную оксидную пленку, заполняющую канавки, до тех пор, пока верхняя поверхность трафаретного слоя не обнажается. Таким образом, в канавках получают заполняющий канавки слой. Техническим результатом изобретения является снижение напряжения в районе изоляции полупроводниковой подложки и повышение степени интеграции полупроводникового устройства. 16 з. п. ф-лы, 7 ил., 1 табл.

Подробнее
Номер записи: 1
10-02-2002 дата публикации

КОСМИЧЕСКАЯ СОЛНЕЧНАЯ ЭЛЕКТРОСТАНЦИЯ

Номер: RU2179137C2
Автор: Трубицын А.П., Ким О.Д., Крылов В.И., Адамович А.Б., Кобяков Д.П., Дудов В.И.
Принадлежит: Кобяков Дмитрий Петрович, Ким Олег Давидович, Дудов Владимир Ильич, Крылов Владимир Иванович, Трубицын Александр Павлович, Адамович Андрей Борисович

Изобретение относится к космической энергетике, в частности к фотопреобразователям с концентраторами солнечной энергии. Предлагаемая электростанция включает в себя параболический концентратор солнечной энергии, ее приемник и фотоэлементы. При этом между горячими стенками приемника и фотоэлементами расположена движущаяся кольцевая перфорированная лента. На ленту нанесено интерференционное покрытие из окислов кремния и титана. Это покрытие отражает нефотоактивную часть тепловой энергии от стенок приемника, нагретых излучением от концентратора. Лента имеет выступающие за пределы приемника части для ее радиационного охлаждения. Изобретение направлено на упрощение конструкции солнечной батареи данного типа и снижение воздействия на фотоэлементы нефотоактивной части теплового излучения. 1 ил.

Подробнее
Номер записи: 2
27-06-2008 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР ДЛЯ БЕЗОПАСНОГО ЭЛЕКТРОННОГО ЭЛЕМЕНТА

Номер: RU2328056C2
Автор: Барановский Дмитрий Моисеевич (RU)
Принадлежит: Барановский Дмитрий Моисеевич (RU)

Изобретение относится к коммутационной технике и может быть использовано в устройствах автоматики и телемеханики. Изобретение позволяет получить полупроводниковые приборы для безопасных электронных элементов. Сущность изобретения: в полупроводниковом приборе, содержащем кристалл со структурно интегрированными пассивными и активными компонентами, полевой транзистор с обеднением канала, диод сток-подложка и высокоомный резистор интегрированы в структуру кристалла так, что обрыв электрических соединений его внутренних компонентов является невозможной неисправностью. В другом варианте полупроводникового прибора для безопасного электронного элемента, по крайней мере, одной контактной площадке кристалла соответствуют два внешних вывода полупроводникового прибора, каждый из которых связан с контактной площадкой кристалла несоприкасающимися друг с другом перемычками. 2 н.п. ф-лы, 4 ил.

Подробнее
Номер записи: 3
27-06-2008 дата публикации

СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ЛИНИЕЙ ФОТОЛИТОГРАФИИ И УСТРОЙСТВО ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

Номер: RU2328055C2
Автор: Ивлиев Максим Николаевич (RU), Емельянов Александр Егорович (RU), Абрамов Геннадий Владимирович (RU)
Принадлежит: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежская государственная технологическая академия (ВГТА) (RU)

Изобретение относится к системам автоматического цифрового управления объектами и может быть использовано в микроэлектронной промышленности. Техническим результатом изобретения является повышение эффективности работы системы управления линией фотолитографии и повышение экономической эффективности за счет более рационального использования сети передачи данных. Сущность изобретения: в способе управления линией фотолитографии каждый модуль линии устанавливают на несущей раме, производят подключение всех блоков каждого модуля к кабельной системе, проводят запуск отладочного режима работы, при котором осуществляют пакетный обмен информацией по сети с использованием принципа состязательности, по результатам которого определяют характеристики технологических объектов каждого модуля, загрузку сети, параметр обмена и оптимальную частоту опроса устройств. При реализации управления информацию о состоянии технологического объекта каждого модуля предварительно обрабатывают, формируя пакеты данных, и ...

Подробнее
Номер записи: 4
27-11-2008 дата публикации

СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ НЕОРГАНИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ИЗ РЕАКЦИОННОГО РАСТВОРА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

Номер: RU2340039C2
Автор: УИТСИТТ Элизабет Энн (US), БАРРОН Эндрю Р. (US)
Принадлежит: Уильям Марш Райс Юнивесити (US)

Изобретение относится к технологии осаждения диоксида кремния на подложке из раствора при низких температурах таким образом, чтобы получить гомогенный рост диоксида кремния. Сущность изобретения: в способе осаждения неорганического материала из реакционного раствора на подложку посредством химической обработки активируют указанную подложку для роста указанного неорганического материала, погружают указанную подложку в реакционный раствор для осаждения указанного неорганического материала на указанную подложку и осуществляют регенерацию указанного реакционного раствора при погруженном состоянии указанной подложки в указанном реакционном растворе посредством добавления того же самого неорганического материала к указанному реакционному раствору для обеспечения непрерывного роста указанного неорганического материала на подложке. Устройство для осаждения неорганического материала на подложку содержит первый контейнер, содержащий реакционный раствор, подложку, второй контейнер, в котором размещена ...

Подробнее
Номер записи: 5
10-02-2002 дата публикации

СПОСОБ КОНТРОЛЯ ДЕФЕКТНОСТИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК

Номер: RU2179351C2
Автор: Скупов В.Д., Смолин В.К.
Принадлежит: Научно-исследовательский институт измерительных систем

Использование: в технологии микроэлектроники для контроля качества подзатворных диэлектриков, маскирующих, защитных или изолирующих слоев. Технический результат способа - повышение чувствительности контроля дефектности диэлектрических пленок за счет снижения экранирующего дефекты влияния примесей. Сущность изобретения: способ контроля дефектности пленок включает эллипсометрические измерения показателя преломления пленки. Перед измерениями к пленке перпендикулярно ее поверхности в течение 90-120 мин прикладывают постоянное электрическое напряжение, величина которого в 10-50 раз меньше напряжения пробоя, о степени дефектности пленки судят по скорости изменения ее показателя преломления после снятия напряжения. 1 табл.

Подробнее
Номер записи: 6
27-11-2002 дата публикации

СПОСОБ ИОННОГО СИНТЕЗА В КРЕМНИИ ЗАХОРОНЕННОГО СЛОЯ ИЗОЛЯТОРА

Номер: RU2193803C2
Автор: Кривелевич С.А., Маковийчук М.И., Денисенко Ю.И., Паршин Е.О.
Принадлежит: Институт микроэлектроники и информатики РАН

Изобретение относится к способам создания многослойных структур "кремний на изоляторе" с захороненным слоем изолятора. Способ включает имплантацию ионов кислорода в подложку кремния с достехиометрическими дозами с образованием в ней диоксида кремния, имплантацию ионов, содержащих другое вещество, с энергией, обеспечивающей близкое расположение или совпадение максимума профиля концентрации атомов этого вещества относительно имплантированного кислорода, термообработку, в результате которой атомы данного вещества мигрируют в сторону максимума профиля кислорода, где их существенные доли от общего количества образуют с кремнием химическое соединение с изоляторными свойствами. В качестве ионов другого вещества используют компоненты, входящие в состав которых атомы вещества совместно с диоксидом кремния образуют стекло, причем глубина максимума профиля концентрации этих атомов совпадает или расположена дальше от поверхности подложки, чем у имплантированного кислорода. Термообработку проводят в ...

Подробнее
Номер записи: 7
10-05-2008 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ДАВЛЕНИЯ

Номер: RU2324158C2
Автор: КАЙЗЕР Ральф (DE), МАСТ Мартин (DE), РОГГЕ Бертольд (DE), ХАБИБИ Масуд (DE)
Принадлежит: РОБЕРТ БОШ ГМБХ (DE)

Изобретение применяется для измерения давления, прежде всего для измерения высокого давления. Техническим результатом изобретения является возможность измерять высокое давление, превышающее 70 бар, при как можно меньшей передаче термомеханических напряжений на уязвимый к растрескиванию полупроводниковый датчик давления. Устройство имеет установленный в корпусе датчик давления, с первой стороны которого расположены чувствительные элементы и воспринимающая давление мембрана и со второй стороны которого, обратной первой его стороне, имеется углубление, проходящее от этой второй его стороны до воспринимающей давление мембраны. Датчик давления выполнен в виде полупроводникового датчика давления, который своим окружающим углубление краевым участком со второй стороны непосредственно припаян слоем припоя к несущей детали, в которой выполнен первый участок канала подвода давления, таким образом, что этот первый участок канала подвода давления и углубление сообщаются между собой. С наружной стороны ...

Подробнее
Номер записи: 8
20-07-2002 дата публикации

МОЩНАЯ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ ДИАПАЗОНА

Номер: RU2185687C2
Автор: Иовдальский В.А. (RU)
Принадлежит: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД. (KR), Иовдальский Виктор Анатольевич (RU)

Использование: в полупроводниковой технике. Сущность изобретения: в мощной гибридной интегральной схеме СВЧ-диапазона, в которой диэлектрическая плата выполнена из двух частей, герметично соединенных обратными сторонами, кристаллы расположены в углублениях с отверстиями в дне, заполненными электропроводящим материалом. Углубления выполнены на лицевых поверхностях обеих частей платы. Крышка герметично присоединена к лицевым поверхностям частей платы. Техническим результатом изобретения является улучшение массогабаритных характеристик, увеличение прочности и надежности, технологичность. 2 з.п.ф-лы, 2 ил.

Подробнее
Номер записи: 9
10-06-2008 дата публикации

ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ, ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЭЛЕМЕНТ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МАТЕРИАЛА, ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЭЛЕМЕНТАИ СПОСОБ ИХ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Номер: RU2326466C2
Автор: ИМАЙ Исао (JP), ОТА Тосинори (JP), ТОСО Цуеси (JP), НИСИИКЕ Удзихиро (JP), ЕСИЗАВА Хироки (JP), ФУДЗИТА Коуити (JP)
Принадлежит: ИСИКАВАДЗИМА-ХАРИМА ХЭВИ ИНДАСТРИЗ КО., ЛТД. (JP)

Изобретение относится к области термоэлектрического преобразования энергии. Сущность: термоэлектрический полупроводниковый материал имеет богатые Те фазы, тонко диспергированные в фазе сложного полупроводникового соединения. Направления протяженности грани С большинства кристаллических зерен ориентированы единообразно. Способ изготовления включает в себя приготовление смеси, состоящей из состава (Bi-Sb2)Te3 с добавленным к нему избытком Те, плавление смеси и кристаллизацию расплава на поверхности охлаждающего валка с окружной скоростью вращения 5 м/с или менее. Получают листообразный материал толщиной 30 мкм или более. Наслаивают листообразные термоэлектрические полупроводниковые материалы в направлении толщины, осуществляют их формование с уплотнением в пресс-форме. Получают формованное изделие и осуществляют пластическую деформацию формованного изделия таким образом, что усилие сдвига прикладывается в одноосевом направлении, приблизительно параллельном направлению наслаивания термоэлектрических ...

Подробнее
Номер записи: 10
10-02-2008 дата публикации

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО ПРОВОДА, СПОСОБ МОДИФИЦИРОВАНИЯ ОКСИДНОГО СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО ПРОВОДА И ОКСИДНЫЙ СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ ПРОВОД

Номер: RU2316837C2
Автор: ЙАМАЗАКИ Коухеи (JP), КАТО Такеси (JP), КОБАЙАСИ Синити (JP)
Принадлежит: СУМИТОМО ЭЛЕКТРИК ИНДАСТРИЗ, ЛТД. (JP)

Способ производства оксидного сверхпроводящего провода, включает в себя стадии получения материала провода в виде, при котором порошок исходного материала оксидного сверхпроводящего материала покрыт металлом, и стадии термообработки, заключающиеся в том, что полученный материал провода подвергают термообработке в атмосфере повышенного давления с общим давлением 1 МПа или более и менее 50 МПа в ходе термообработки, при этом операцию повышения давления начинают при такой температуре, с которой 0,2%-ый условный предел текучести металла становится меньшим, чем общее давление в ходе термообработки. Технический результат - обеспечение подавления образования пустот между кристаллами оксидного сверхпроводящего материала и вздутие материала оксидного сверхпроводящего провода, а также обеспечение возможности легко регулировать парциальное давление кислорода во время термообработки, что приводит к улучшению плотности критического тока полученного материала провода. 5 н. и 17 з.п. ф-лы, 27 ил., 3 табл ...

Подробнее
Номер записи: 11
27-04-2008 дата публикации

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛАСТИНЫ КРЕМНИЯ

Номер: RU2323503C2
Автор: Кукушкин Сергей Арсеньевич (RU), Осипов Андрей Викторович (RU), Калинкин Игорь Петрович (RU)
Принадлежит: Общество с ограниченной ответственностью "Кристалл" (ООО "Кристалл") (RU)

Изобретение относится к полупроводниковой технике, конкретно к способам химической обработки поверхности монокристаллических пластин кремния, химически устойчивых на воздухе и пригодных для выращивания эпитаксиальных полупроводниковых пленок. Сущность изобретения: способ обработки поверхности монокристаллической пластины кремния, ориентированной по плоскости Si(100) или Si(111), включает очистку указанной поверхности с последующим пассивированием атомами водорода. Очистку поверхности кремния осуществляют сначала в кипящем растворе трихлорэтилена в течение 10-20 минут два раза с промывкой деионизированной водой, а затем в водном аммиачно-пероксидном растворе состава: 5 объемов Н2О, 1 объем Н2О2 30%, 1 объем NH4OH 25% при 75-82°С или в водном соляно-пероксидном растворе состава: 6 объемов Н2О, 1 объем Н2О2 30%, 1 объем HCl 37% при 75-82°С с последующей ступенчатой трехкратной промывкой деионизированной водой по 5-10 минут на каждой ступени, а пассивирование атомами водорода осуществляют обработкой ...

Подробнее
Номер записи: 12
27-10-2008 дата публикации

ТВЕРДОТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО ЗАХВАТА ИЗОБРАЖЕНИЯ

Номер: RU2337502C2
Автор: ИНУИ Фумихиро (JP), НОДА Томоюки (JP), ТАКАХАСИ Хидеказу (JP)
Принадлежит: КЭНОН КАБУСИКИ КАЙСЯ (JP)

Изобретение относится к твердотельному устройству захвата изображения (ТУЗИ) для использования в сканере, видеокамере, цифровом фотоаппарате и т.п. ТУЗИ содержит совокупность пиксельных модулей, каждый из которых включает в себя элемент фотоэлектрического преобразования, сигнальную линию, в которую считываются электрические сигналы из упомянутого множества пиксельных элементов, первый конденсаторный элемент, первый электрод которого подсоединен к сигнальной линии, усилитель, входной вывод которого подсоединен ко второму электроду первого конденсаторного элемента, и второй конденсаторный элемент, подсоединенный между входным выводом и выходным выводом усилителя. При этом значение емкости первого конденсаторного элемента меньше во время выполнения режима сложения, чем во время выполнения режима несложения, что позволяет делать коэффициент усиления усилителя меньше во время выполнения режима сложения, чем во время выполнения режима несложения. 5 з.п. ф-лы, 8 ил.

Подробнее
Номер записи: 13
02-10-2023 дата публикации

Микрофлюидное устройство и способ его изготовления

Номер: RU2804459C2
Автор: ГУ Юй (CN)
Принадлежит: СУЧЖОУ СКАЙУЕЛЛ ХЕЛТКЕАР ИНФОРМЕЙШН КО., ЛТД. (CN)

Изобретение относится к области микрогидродинамики, в частности к микрофлюидному устройству и способу его изготовления Сущность: микрофлюидное устройство, содержащее первую подложку, имеющую первую монтажную сторону, и вторую подложку, имеющую вторую монтажную сторону, выполненную с возможностью соединения с первой монтажной стороной для сборки первой подложки и второй подложки друг с другом. По меньшей мере одна сторона из первой монтажной стороны и второй монтажной стороны имеет канал камеры для текучей среды, и после соединения первой подложки и второй подложки друг с другом канал камеры для текучей среды образует камеру для текучей среды, имеющую впускное отверстие для текучей среды и выпускное отверстие для текучей среды. Указанная по меньшей мере одна сторона из первой монтажной стороны и второй монтажной стороны, имеющая канал камеры для текучей среды, имеет выпускную расширительную канавку, расположенную смежно с выпускным отверстием для текучей среды и проходящую от него вниз по ...

Подробнее
Номер записи: 14
10-07-2011 дата публикации

СОПОЛИМЕРЫ НА ОСНОВЕ ПРОИЗВОДНЫХ ЗАМЕЩЕННОГО ЦИКЛОПЕНТАНОНБИТИОФЕНА И СПОСОБ ИХ ПОЛУЧЕНИЯ

Номер: RU2423392C2
Автор: Трошин Павел Анатольевич (RU), Костяновский Владислав Александрович (RU), Сусарова Диана Каримовна (RU), Пономаренко Сергей Анатольевич (RU), Музафаров Азиз Мансурович (RU), Разумов Владимир Федорович (RU), Мышковская Екатерина Николаевна (RU)
Принадлежит: Учреждение Российской академии наук Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова РАН (RU), Учреждение Российской академии наук Институт проблем химической физики РАН (ИПХФ РАН) (RU)

Изобретение относится к области химической технологии высокомолекулярных соединений. Описаны сополимеры на основе производных замещенного циклопентанонбитиофена общей формулы (I), где Х означает S или остаток дициановинильной группы формулы (II-а), или моноциановинильной группы общей формулы (II-б), или остаток цикла из ряда: диоксаланового общей формулы II-в), дитиоланового общей формулы (II-г), диоксанового общей формулы (II-д), дитианового общей формулы (II-е), где R1 означает CF3, F, перфторалкильный радикал С2-С8 или сложноэфирную группу -СОО-А, где А означает алкильный радикал C1-C20, возможно разветвленный или арилметиленовый фрагмент, содержащий 7-20 атомов углерода в структуре; R2 означает Н или радикал СН3; Ar означает одинаковые или различные ароматические или гетероароматические фрагменты, выбранные из ряда: замещенный или незамещенный 1,4-фенилен общей формулы (III-а), замещенный циклопентабитиофен общей формулы (III-б), замещенный или незамещенный тиофен общей формулы (III-в ...

Подробнее
Номер записи: 15
20-05-2011 дата публикации

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ (ВАРИАНТЫ) И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ)

Номер: RU2419180C2
Автор: Заддэ Виталий Викторович (RU), Семенова Ольга Ивановна (RU), Стребков Дмитрий Семенович (RU)
Принадлежит: Российская Академия Сельскохозяйственных наук государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ) (RU)

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей (ФП). Полупроводниковый фотопреобразователь содержит участки с n+-р (р+-n)-переходом, покрытые металлическими контактами, а на фоточувствительной поверхности - базовую область р- или n-типа проводимости, с нанесенной пассивирующей просветляющей пленкой, n+-р (р+-n)-переход выполнен в виде множества периодически повторяющихся микроучастков шириной 0,1-30 мкм, промежутки между микроучастками 10-300 мкм содержат базовую область со скоростью поверхностной рекомбинации неосновных носителей ниже 100 см/сек, при этом расстояние между уровнями расположения n+-р (р+-n)-перехода и фоточувствительной поверхностью не превышает 50 мкм, а ширина микроучастков меньше промежутков по меньшей мере в 10 раз. Задачей предлагаемого изобретения является повышение КПД и снижение стоимости изготовления ФП. Также предложены второй вариант выполнения фотопреобразователя ...

Подробнее
Номер записи: 16
27-05-2011 дата публикации

СОЕДИНЕНИЯ ДЛЯ ОРГАНИЧЕСКИХ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ

Номер: RU2419648C2
Автор: ФОРТТЕ Рокко (DE), ВЕСТВЕБЕР Хорст (DE), ПАРАМ Амир (DE), БЮЗИНГ Арне (DE), ХАЙЛЬ Хольгер (DE), ШТЁССЕЛЬ Филипп (DE)
Принадлежит: МЕРК ПАТЕНТ ГМБХ (DE)

Изобретение относится к органическим электролюминесцентным устройствам на основе соединений формулы (1) ! ! где Y, Z выбраны из N, P, P=O, C=O, O, S, S=O и SO2; Ar1, Ar2, Ar3 выбраны из бензола, нафталина, антрацена, фенантрена, пиридина, пирена или тиофена, необязательно замещенных R1; Ar4, Ar5, Ar6, Ar7 выбраны из бензола, нафталина, антрацена, фенантрена, пиридина, пирена, тиофена, трифениламина, дифенил-1-нафтиламина, дифенил-2-нафтиламина, фенилди(1-нафтил)амина, фенилди(2-нафтил)амина или спиробифлуорена, необязательно замещенных R1; Е - одинарная связь, N(R1), О, S или C(R1)2; R1 представляет собой Н, F, CN, алкил, где СН2 группы могут быть заменены на -R2C=CR2-, -C≡C-, -О- или -S-, и Н может быть заменен на F, необязательно замещенные арил или гетероарил, где R1 могут образовывать кольцо друг с другом; R2 - Н, алифатический или ароматический углеводород; X1, X4, X2, X3 - выбраны из C(R1)2, C=O, C=NR1, О, S, S=O, SO2, N(R1), P(R1), P(=O)R1, C(R1)2-C(R1)2, C(R1)2-C(R1)2-C(R1)2, C( ...

Подробнее
Номер записи: 17
20-12-2011 дата публикации

ЗАЩИТНЫЙ КОРПУС ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ МИКРОСИСТЕМЫ, СОДЕРЖАЩИЙ ПРОМЕЖУТОЧНЫЙ ТРАНСЛЯТОР ПРОВОДКИ

Номер: RU2436726C2
Автор: ПАРБО Серж (FR), ФУРРЬЕ Ален (FR), КЕР Режи (FR)
Принадлежит: ТАЛЬ (FR)

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано, например, в микрогирометрах, микроакселерометрах, микродатчиках давления. Изобретение направлено на повышение надежности, что обеспечивается за счет использования в защитном корпусе электромеханической микросистемы промежуточного транслятора проводки. Причем, защитный корпус образован стенкой, изготовленной из электроизоляционного материала и формирующей закрытую камеру. Упомянутая стенка имеет внутреннюю поверхность, ориентированную внутрь камеры, и наружную поверхность, находящуюся в контакте с внешней средой. Внутренние электрические контакты, располагающиеся на внутренних поверхностях, и наружные электрические контакты, располагающиеся на наружных поверхностях, попарно электрически связаны между собой. Первая поверхность плоской электромеханической микросистемы закреплена на внутренней стенке корпуса, а вторая содержит электрические контакты этой микросистемы. Первый конец проволочного соединения, изготовленного ...

Подробнее
Номер записи: 18
27-08-2016 дата публикации

ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТЕПЛОВОЙ НАСОС С НАНОПЛЕНОЧНЫМИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ ВЕТВЯМИ

Номер: RU2595911C2
Автор: Челушкин Дмитрий Алексеевич (RU), Челушкина Татьяна Алексеевна (RU), Гаджиев Хаджимурат Магомедович (RU), Исмаилов Тагир Абдурашидович (RU)
Принадлежит: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU)

Изобретение относится к системам теплообмена. Технический результат - повышение эффективности термоэлектрического теплового насоса за счет уменьшения выделения паразитного тепла Джоуля в полупроводниковых ветвях и создание условий для возникновения дополнительного термоэффекта между горячими и холодными спаями, изготовленными из разных металлов. Это достигается тем, что полупроводниковые ветви p- и n-типа изготавливаются в виде нанопленок с практически нулевым сопротивлением протекающему току за счет большого соотношения поперечного сечения и высоты ветви. Изготовление горячего и холодного спаев из двух металлов с различными термоэлектрическими характеристиками позволяет трансформировать паразитные термоэлектрические эффекты между металлическими спаями и полупроводниками в дополнительное охлаждение. Использование представленного устройства позволит создать тепловые насосы большей эффективности при малых габаритах, причем перспективным направлением является создание многослойных тепловых ...

Подробнее
Номер записи: 19
10-02-2016 дата публикации

СРЕДСТВО ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА ПОСЛЕ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ ДЛЯ ПЕРСПЕКТИВНЫХ ОБЛАСТЕЙ ПРИМЕНЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Номер: RU2575012C2
Автор: КЛИПП Андреас (DE), ШЕН МейЧин (TW), ЧЕН ЧиенШин (TW), ЧАН ЧиаХао (TW)
Принадлежит: БАСФ СЕ (DE)

Изобретение относится к композиции для удаления фоторезиста после ионной имплантации, содержащей: (a) амин, (b) органический растворитель А, и (c) сорастворитель, где содержание воды в композиции составляет менее 0.5 мас. % композиции; амин представляет собой гидроксид четвертичного аммония и присутствует в количестве от 1 до 4 мас. % композиции; органический растворитель А выбран из группы, состоящей из диметилсульфоксида (DMSO), диметилсульфона (DMSO2), 1-метил-2-пирролидинона (NMP), γ-бутиролактона (BLO)(GBL), этилметилкетона, 2-пентанона, 3-пентанона, 2-гексанона и изобутилметилкетона, 1-пропанола, 2-пропанола, бутилового спирта, пентанола, 1-гексанола, 1-гептанола, 1-октанола, этилдигликоля (EDG), бутилдигликоля (BDG), бензилового спирта, бензальдегида, N,N-диметилэтаноламина, ди-н-пропиламина, три-н-пропиламина, изобутиламина, втор-бутиламина, циклогексиламина, метиланилина, о-толуидина, м-толуидина, о-хлоранилина, м-хлоранилина, октиламина, N,N-диэтилгидроксиламина, N,N-диметилформамида ...

Подробнее
Номер записи: 20
20-01-2016 дата публикации

ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО

Номер: RU2573607C2
Автор: ШПАН Герхард (AT), ВАГНЕР Мартин (AT)
Принадлежит: О-ФЛЕКС ТЕХНОЛОГИЗ ГМБХ (DE)

Изобретение относится к термоэлектрическому преобразованию энергии, например, в выпускных системах отработавших газов автомобилей для эффективного использования энергии. Сущность: устройство содержит термоэлектрический генератор с поглощающей тепло от источника тепла горячей стороной, отдающей тепло в теплоотвод холодной стороной и электрическими подключениями для отдачи электрической энергии с выходным напряжением, электрическую схему с максимально допустимым входным напряжением, входы которой соединены с электрическими подключениями термоэлектрического генератора. Термоэлектрический генератор (1) содержит по меньшей мере один термоэлектрический элемент, состоящий из n-слоя (2) и p-слоя (3) термоэлектрического материала с образованием вдоль граничного слоя p-n-перехода (4). Параллельно граничному слою между горячей и холодной сторонами (5, 6) термоэлектрического генератора (1) прилагается температурный градиент. N- и p-слои (2, 3) термоэлектрического генератора (1) имеют толщину (11), ...

Подробнее
Номер записи: 21
10-06-2016 дата публикации

СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК НА ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖЕК ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

Номер: RU2586265C2
Автор: Шангереева Бийке Алиевна (RU), Саркаров Тажидин Экберович (RU), Шахмаева Айшат Расуловна (RU), Исмаилов Тагир Абдурашидович (RU), Литовченко Мария Николаевна (RU), Захарова Патимат Расуловна (RU), Шангереев Юсуп Пахрудинович (RU)
Принадлежит: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU)

Изобретение относится к технологии изготовления солнечных элементов. Способ согласно изобретению заключается в том, что на поверхности подложки формируют тонкий слой пленки диоксида кремния за счет горения водорода и сухого кислорода в среде азота при расходе газов: N=450 л/ч; H=75 л/ч; O=750±50 л/ч. Температура рабочей зоны 900±10°C. Разброс по толщине пленки диоксида кремния на подложке составил 3,0÷3,5%. Изобретение обеспечивает получение на поверхности подложки однородной и равномерной диэлектрической пленки диоксида кремния при низких температурах. 3 пр.

Подробнее
Номер записи: 22
20-03-2016 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО С ОСЬЮ СИММЕТРИИ

Номер: RU2577787C2
Автор: Шретер Юрий Георгиевич (RU), Ребане Юрий Тоомасович (RU), Миронов Алексей Владимирович (RU)
Принадлежит: Шретер Юрий Георгиевич (RU), Ребане Юрий Тоомасович (RU), Миронов Алексей Владимирович (RU)

Полупроводниковое светоизлучающее устройство белого цвета содержит оптически прозрачный корпус с нанесенным на стенках люминофором. Внутри корпуса установлены лазерные диоды, имеющие ось симметрии. Причем лазерные диоды расположены последовательно на оси симметрии светоизлучающего устройства таким образом, что их оси симметрии совпадают между собой. Торцы лазерных диодов соединены так, что они находятся в электрическом и механическом контакте и образуют линейку лазерных диодов, диаграмма направленности излучения которой имеет ось симметрии, совпадающую с осью симметрии светоизлучающего устройства. Технический результат заключается в создании полупроводникового светоизлучающего устройства белого света большой интенсивности светового излучения без увеличения размеров светоизлучающих элементов, обеспечивающего при этом однородную засветку люминофора. 1 з.п. ф-лы, 9 ил.

Подробнее
Номер записи: 23
27-08-2016 дата публикации

ДВУХКОМПОНЕНТНЫЙ ЭЛЕКТРОН-СЕЛЕКТИВНЫЙ БУФЕРНЫЙ СЛОЙ И ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЯЧЕЙКИ НА ЕГО ОСНОВЕ

Номер: RU2595342C2
Автор: Левин Роман Евгеньевич (UA), Корнев Алексей Борисович (RU), Трошин Павел Анатольевич (RU), Разумов Владимир Федорович (RU)
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской академии наук (ИПХФ РАН) (RU)

Настоящее изобретение относится к использованию производных фуллеренов в оптоэлектронных устройствах, таких как фотовольтаические ячейки, формулы (I):,где F - [60]фуллерен или [70]фуллерен, М представляет собой COOH, r представляет собой целое число от 2 до 8, Z представляет собой группу -(СН)-, Ar, или -S-, n представляет собой число от 1 до 12, Y представляет собой алифатическую С-Суглеродную цепь, Ar представляет собой фенил, бифенил или нафтил и X представляет собой Н, Cl или независимую от Y С-Суглеродную цепь. Предложено новое применение указанных соединений в двухкомпонентном электрон-селективном буферном слое органической фотовольтаической ячейке, позволяющее повысить эффективность солнечных батарей. 9 з.п. ф-лы, 1 пр., 1 табл., 5 ил.

Подробнее
Номер записи: 24
20-02-2016 дата публикации

ПОЛИМЕРЫ БЕНЗОДИТИОФЕНА И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ В КАЧЕСТВЕ ОРГАНИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Номер: RU2575852C2
Автор: Никола БЛУЕН (GB), Франк Эгон МЕЙЕР (GB), Мигель КАРРАСКО-ОРОСКО (GB), Стивен ТИРНИ (GB), Чаншэн ВАН (GB), Уилльям МИТЧЕЛЛ (GB)
Принадлежит: МЕРК ПАТЕНТ ГМБХ (DE)

Изобретение относится к новому полимеру бензодитиофена, способу его получения, к полимерной смеси и составу, используемым в качестве полупроводников в органических электронных устройствах, к применению полимера, а также к оптическому, электрооптическому или электронному компоненту или устройству. Полимер бензодитиофена имеет формулу I. Способ получения полимера заключается в проведении реакции полимеризации исходных мономеров. Полимерная смесь включает вышеуказанный полимер и полимер, имеющий полупроводниковые свойства, свойства переноса заряда, переноса дырки/электрона, блокирования дырки/электрона, электропроводимости, фотопроводимости или светоизлучения. Состав включает вышеуказанный полимер или полимерную смесь и растворитель, предпочтительно органический растворитель. Полимер применяют в качестве переносчика носителей заряда, полупроводникового, электропроводящего, фотопроводящего или светоизлучающего вещества. Оптический, электрооптический или электронный компонент или устройство ...

Подробнее
Номер записи: 25
10-02-2016 дата публикации

СЕТЧАТАЯ МИКРО- И НАНОСТРУКТУРА, В ЧАСТНОСТИ ДЛЯ ОПТИЧЕСКИ ПРОЗРАЧНЫХ ПРОВОДЯЩИХ ПОКРЫТИЙ, И СПОСОБ ЕЁ ПОЛУЧЕНИЯ

Номер: RU2574249C2
Автор: Фадеев Юрий Владимирович (RU), Хартов Станислав Викторович (RU), Шиверский Алексей Валерьевич (RU), Карпова Дарина Валерьевна (RU), Симунин Михаил Максимович (RU), Воронин Антон Сергеевич (RU)
Принадлежит: Общество с ограниченной ответственностью "Прозрачные электроды" (RU)

Изобретение относится к химической промышленности, микроэлектронике и нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении прозрачных проводящих покрытий, светопоглощающих и светопреобразующих слоёв для оптических и фотовольтаических устройств, самоочищающихся поверхностей, биометрических материалов, мембран, катализаторов. Сетчатую микро- и наноструктуру получают путём формирования на подложке слоя вещества, образующего трещины в процессе химической и/или физической реакции, и использования полученного слоя в качестве шаблона для задания геометрии микро- и наноструктуры. Полученная сетчатая микро- и наноструктура содержит проводящий или диэлектрический слой, выполненный в виде единой ажурной структуры, соответствующей геометрии трещин. Изобретение позволяет не использовать сложные методы литографии, повысить механическую надёжность структуры и её электропроводность. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 2 ил.

Подробнее
Номер записи: 26
27-11-2016 дата публикации

УСОВЕРШЕНСТВОВАННОЕ МАСКИРОВАНИЕ ДЛЯ РИСУНКОВ НА СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ УСТРОЙСТВАХ

Номер: RU2603434C2
Автор: ФЛЕЙГЕ Рейнхолд Антониус (NL), ШВАБ Хольгер (NL)
Принадлежит: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В. (NL)

Настоящее изобретение относится к светоизлучающему устройству по меньшей мере с двумя активными областями и к более надежному способу изготовления такого устройства, в котором слой первого электрода осаждают через маску, покрывающую активный материал. Второй активный материал осаждают через другую маску таким образом, чтобы область, которая покрывает и простирается за пределы слоя первого электрода, была покрыта органическим материалом. Затем слой второго электрода покрывают через маску таким образом, чтобы он покрывал весь второй активный материал. Изобретение обеспечивает улучшение рабочих характеристик устройства. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 11 ил.

Подробнее
Номер записи: 27
20-11-2016 дата публикации

ТВЕРДОТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО ЗАХВАТА ИЗОБРАЖЕНИЙ И ЭЛЕКТРОННАЯ КАМЕРА

Номер: RU2602754C2
Автор: МУРАТА Хиронобу (JP)
Принадлежит: НИКОН КОРПОРЕЙШН (JP)

Твердотельное устройство формирования изображений согласно настоящему варианту осуществления включает в себя второй датчик изображений, имеющий органическую пленку фотоэлектрического преобразования, пропускающую конкретный свет, и первый датчик изображений, который уложен в слои на той же полупроводниковой подложке, что и подложка второго датчика изображений, и который принимает конкретный свет, пропущенный вторым датчиком изображений, в котором пиксель для обнаружения фокуса обеспечивается во втором датчике изображений или первом датчике изображений. Технический результат - реализация способа автофокусировки независимо от пикселя для формирования изображений без использования усложненной обработки интерполяции пикселей и усложненной оптической системы. 4 н. и 15 з.п. ф-лы, 14 ил.

Подробнее
Номер записи: 28
10-11-2016 дата публикации

ДЖОЗЕФСОНОВСКИЙ МАГНИТНЫЙ ПОВОРОТНЫЙ ВЕНТИЛЬ

Номер: RU2601775C2
Автор: Бакурский Сергей Викторович (RU), Куприянов Михаил Юрьевич (RU), Соловьев Игорь Игоревич (RU), Кленов Николай Викторович (RU)
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) (RU)

Использование: для создания джозефсоновского магнитного поворотного вентиля. Сущность изобретения заключается в том, что джозефсоновский магнитный поворотный вентиль включает два сверхпроводящих электрода с токоподводами и область слабой связи между ними в виде тонкопленочной слоистой структуры, содержащей: промежуточный сверхпроводящий слой, отделенный от нижнего сверхпроводящего электрода слоем изолятора; нанесенный на часть промежуточного сверхпроводящего слоя слой нормального металла; слой магнитного материала, нанесенный как на слой нормального металла, так и на оставшуюся не закрытой последним поверхность промежуточного сверхпроводящего слоя с образованием границы между слоем нормального металла и слоем магнитного материала. Технический результат: обеспечение возможности увеличения изменения амплитуды критического тока перехода под действием малого магнитного потока. 2 н. и 22 з.п. ф-лы, 5 ил.

Подробнее
Номер записи: 29
10-12-2016 дата публикации

СВЕТОДИОДНЫЙ ИСТОЧНИК СВЕТА С УДАЛЕННЫМ ЛЮМИНОФОРОМ

Номер: RU2604059C2
Автор: Денисов Борис Николаевич (RU), Никишин Евгений Васильевич (RU), Лавренко Лилия Максимовна (RU), Гришаев Владимир Яковлевич (RU), Горюнов Владимир Александрович (RU)
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва" (RU)

Изобретение относится к светотехнике и может быть использовано для упрощения конструкций, повышения выхода излучения и улучшения спектра излучения источника света на основе светодиодов. Технический результат заключается в повышении эффективности источника света и обеспечении равномерной освещенности колбы светодиодного источника света за счет помещения слоя люминофора во внутреннюю поверхность колбы и выбора особой поверхности формы. Технический результат достигается тем, что светодиодный источник света с удаленным люминофором содержит колбу из оптически прозрачного материала с коэффициентом преломления больше единицы и меньше квадрата коэффициента преломления люминофора, во внутреннюю поверхность которой внедрен люминофор. Внутри колбы установлены светодиоды. Поверхность колбы из органического материала имеет форму, рассчитанную по индикатрисе излучения светодиодов и обеспечивающую одинаковую освещенность светодиодами во всех точках поверхности колбы. Люминофор внедрен во внутреннюю поверхность ...

Подробнее
Номер записи: 30
20-01-2002 дата публикации

ДЕТЕКТОР ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Номер: RU2178602C2
Автор: Толбанов О.П., Хан А.В., Айзенштат Г.И.
Принадлежит: Федеральное государственное унитарное предприятие "НИИПП"

Использование: для регистрации заряженных частиц и гамма квантов. Сущность: детектор ионизирующего излучения выполнен из высокоомного полупроводника (ν,π или i - типов) и содержит катод из полупроводника р-типа, анод из полупроводника n-типа, а также омические контакты к ним. Анод выполнен в виде полоски с двумя омическими контактами, созданными с двух противоположных сторон этой полоски и вне активной области детектора, часть полоски n-типа, также лежащая за пределами активной области детектора, выполнена с зауженным сечением, причем полоска анода создана из полупроводника, в котором реализуется эффект Ганна, например, арсенид галлия, на первый и второй омические контакты анода подают напряжение такой полярности, чтобы электроны, попавшие в анод, двигались в зауженную часть полоски. Технический результат изобретения заключается в увеличении выходного сигнала. 1 ил.

Подробнее
Номер записи: 31
10-10-2002 дата публикации

СВЕРХПРОВОДНИК ТЕПЛОТЫ

Номер: RU2190533C2
Автор: КУ Юши (US)
Принадлежит: КУ Юши (US)

Сверхтеплопроводящий материал состоит из трех основных слоев, первый слой состоит из различных комбинаций металлов и радикала дихромата; второй слой формируется поверх первого слоя и состоит из различных комбинаций металлов, таких как кобальт, марганец, бериллий, стронций и радикал дихромата; третий слой формируется поверх второго слоя и состоит из различных комбинаций оксидов металлов, дихроматов, монокристаллического кремния, хромата стронция и β-титана. Эти три слоя могут быть наложены на трубопроводе и подвергнуты тепловой поляризации с тем, чтобы сформировать сверхпроводящее теплоту устройство, передающее теплоту без потери теплоты в цепи, или могут быть наложены на пару пластин, имеющих полость малого объема по сравнению с площадью поверхности с тем, чтобы сформировать теплоотвод, который в состоянии очень быстро рассеивать теплоту от источника теплоты. Изобретение позволит получить недорогой в изготовлении, простой по дизайну, исполнению и использованию материал и устройство из него ...

Подробнее
Номер записи: 32
27-10-2002 дата публикации

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА С Т-ОБРАЗНЫМ УПРАВЛЯЮЩИМ ЭЛЕКТРОДОМ СУБМИКРОННОЙ ДЛИНЫ

Номер: RU2192069C2
Автор: Окшин А.А., Валиев К.А., Горбацевич А.А., Орликовский А.А., Семин Ю.Ф., Шмелев С.С., Кривоспицкий А.Д.
Принадлежит: Физико-технологический институт РАН

Изобретение может быть использовано в микро- и наноэлектронике. Сущность изобретения: при изготовлении полупроводникового прибора с Т-образной конфигурацией управляющего электрода с помощью оптической литографии используется субмикронная щель во вспомогательном слое диэлектрик-металл, которая создается за счет зазора между двумя маскирующими металлическими слоями, образующегося в результате селективного химического травления открытых от фоторезиста участков первого слоя металла с одновременным подтравом его под резист на требуемую глубину, повторного нанесения на диэлектрик металлического слоя, "взрыва" фоторезиста и последующего плазмохимического травления диэлектрика через зазор, при этом для формирования Т-образной конфигурации управляющего электрода используются и материалы вспомогательного слоя, и металл управляющего электрода. В качестве вспомогательного слоя диэлектрик-металл могут применяться SiO2, Si3N4, Al2O3 - Cr, Ni, Ti, V, Au или Al, а для управляющего электрода Au или Al.

Подробнее
Номер записи: 33
20-07-2002 дата публикации

ЛАВИННЫЙ ФОТОПРИЕМНИК (ВАРИАНТЫ)

Номер: RU2185689C2
Автор: Головин В.М., Бондаренко Г.Б.
Принадлежит: Головин Виктор Михайлович

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для регистрации излучений различных диапазонов спектра и заряженных частиц. Технический результат изобретения заключается в повышении чувствительности фотоприемника путем уменьшения темновых токов. Сущность: лавинный фотоприемник по варианту 1 содержит полупроводниковую подложку, дополнительно сформированную на подложке область противоположного подложке типа проводимости, размещенные в последней локальные области одного с подложкой типа проводимости, расположенные между ними сильнолегированные области противоположного подложке типа проводимости, а также буферный слой и металлический электрод, размещенные над каждой из локальных областей. Сильнолегированные области расположены между локальными областями в одном направлении вдоль поверхности фотоприемника. Лавинный фотоприемник по варианту 2 содержит диэлектрическую подложку, дополнительно сформированный на ней тонкий полупроводниковый слой, выполненные в нем локальные ...

Подробнее
Номер записи: 34
27-12-2008 дата публикации

ВЕРТИКАЛЬНЫЕ СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ НАНОТРУБОК И СПОСОБЫ ИХ ФОРМИРОВАНИЯ

Номер: RU2342315C2
Автор: ФУРУКАВА Тошихару (US), ХЕЙКИ Марк Чарлз (US), ХОЛМС Стивен Джон (US), ХОРАК Дейвид Вацлав (US), КОУБУРГЕР Чарлз Уилльям III (US)
Принадлежит: ИНТЕРНЭШНЛ БИЗНЕС МАШИНЗ КОРПОРЕЙШН (US)

Изобретение относится к вертикальным структурам полупроводниковых устройств, включающих нанотрубки в качестве конструктивного элемента, и способам изготовления таких структур. Сущность изобретения: предложена вертикальная структура полупроводникового устройства, включающая подложку, образующую в основном горизонтальную плоскость, электрод затвора, выступающий от подложки в вертикальном направлении, полупроводниковые нанотрубки, проходящие в вертикальном направлении через электрод затвора между их противоположными первым и вторым концами, диэлектрик затвора, электрически изолирующий указанные полупроводниковые нанотрубки от электрода затвора, сток, электрически связанный со вторым концом полупроводниковых нанотрубок, и контакт истока, расположенный на той же стороне, что и сток, и сформированный посредством создания контактного окна в изолирующем слое, изолирующем его от электрода затвора, причем контакт истока электрически связан с указанным первым концом полупроводниковых нанотрубок. Изобретение ...

Подробнее
Номер записи: 35
10-08-2008 дата публикации

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ P-N ПЕРЕХОДОВ В КРЕМНИИ

Номер: RU2331136C2
Автор: Осико Вячеслав Васильевич (RU), Бутылкина Наталия Александровна (RU), Лукьянов Альберт Евдокимович (RU), Бузынин Александр Николаевич (RU)
Принадлежит: ИНСТИТУТ ОБЩЕЙ ФИЗИКИ ИМ. А.М. ПРОХОРОВА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (RU), САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД. (KR)

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и устройств и может использоваться для формирования p-n переходов в кремнии. Сущность изобретения: в способе формирования p-n перехода в кристалле кремния, включающем обработку поверхности кристалла пучком ионов, обработку поверхности кристалла выполняют пучком не легирующих пластину ионов. Способ обеспечивает упрощение, удешевление и повышение химической чистоты процесса формирования p-n перехода в образце кремния за счет использования нового физического эффекта быстрого низкотемпературного перераспределения примеси в полупроводнике. 10 з.п. ф-лы, 2 ил.

Подробнее
Номер записи: 36
20-08-2008 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ

Номер: RU2331717C2
Автор: Дрозд Виктор Евгеньевич (RU)
Принадлежит: Общество с ограниченной ответственностью "Наноинженерия"(ООО "Наноинженерия") (RU)

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии, к области тонкопленочного материаловедения, а именно к устройствам для нанесения тонких пленок и диэлектриков. Устройство содержит камеру с рабочей частью внутреннего пространства в форме цилиндра, внутри которой расположены основание, подложка для нанесения пленок, система напуска реагентов и буферных газов, нагревательные элементы и двигатель с валом. При этом основание и подложка выполнены с плоскими и гладкими рабочими поверхностями и установлены с возможностью образования регулируемого зазора между ними за счет изменения в нем давления буферного газа, противодействующего весу груза, размещенного на подложке для регулирования величины зазора между подложкой и основанием. Вал двигателя закреплен нежестко и на нем установлена подвижная муфта для передачи вращения подложке относительно неподвижного основания. В рабочей поверхности основания выполнены углубления, длина которых не превышает радиуса рабочей поверхности основания ...

Подробнее
Номер записи: 37
20-04-2016 дата публикации

ЛИНЗА ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ИЗЛУЧЕНИЯ ЛАЗЕРНОГО ДИОДА

Номер: RU2581448C2
Автор: Черниченко Владимир Викторович (RU), Шепеленко Виталий Борисович (RU)
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU)

Линза для формирования излучения лазерного диода включает расположенные по ходу излучения излучающего элемента диода внутреннюю и внешнюю поверхности. Центральная зона внутренней поверхности имеет оптическую силу, обеспечивающую коллимирование потока излучения. Внешняя поверхность линзы имеет призменную форму, вершина которой расположена от источника излучения, и содержит основную поверхность, расположенную в непосредственной близости от излучающего элемента диода, и вспомогательную поверхность, установленную под углом к продольной оси линзы и к основной поверхности. Углы расположения внешней основной и вспомогательной поверхностей линзы выбраны таким образом, чтобы обеспечить угол полного внутреннего отражения. Поток излучения излучающего элемента полностью отражается от внутренней стороны основной поверхности внутрь корпуса линзы и выходит под прямым углом к ее вспомогательной поверхности. Технический результат заключается в создании оптического устройства, обеспечивающего максимальную ...

Подробнее
Номер записи: 38
10-03-2016 дата публикации

СИД МОДУЛЬ МОДИФИЦИРУЕМОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНТНОЙ ТРУБКИ, РАСПОЛОЖЕННЫЙ ВНУТРИ ГЕРМЕТИЗИРОВАННОЙ СТЕКЛЯННОЙ ТРУБКИ

Номер: RU2576382C2
Автор: ХИКМЕТ Рифат Ата Мустафа (NL), ВАН ДЕР ВЕЛ Питер Йозеф Клара (NL), КРИГЕ Ян Корнелис (NL), СИЛЛЕССЕН Йоханнес Франсискус Мария (NL), ВЕГ Рене Теодорус (NL), ДРИССЕНС Рене Мартен Арьан (NL)
Принадлежит: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В. (NL)

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является увеличение срока работы. Устройство (100) со светодиодом содержит внешний корпус (102), элемент (114) светодиода, который включает в себя по меньшей мере один светодиод (114а), расположенный внутри внешнего корпуса (102), выводящую свет часть (108), составляющую часть внешнего корпуса (102), герметизированную полость (104), содержащую контролируемую атмосферу, и герметик (110), предназначенный для герметизации полости. Технический результат достигается за счет того, что устройство снабжено удаленным элементом (116) с органическим люминофором и газопоглотителем, расположенными в герметизированной полости, и основанием. Выводящая свет часть (108) является внешней оболочкой корпуса (102), соединенной с основанием при помощи герметика. Удаленный элемент (116) из органического люминофора представляет собой колпак, покрывающий светодиоды (114а), и расположенный между светодиодами и внешней оболочкой. Газопоглотитель ...

Подробнее
Номер записи: 39
20-09-2005 дата публикации

СТАНОК ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

Номер: RU2260872C2
Автор: ДЖОУНС Оливер Дейвид (US), ДЬЮИТ Джон Г. (US), ФРОСТ Дейвид Т. (US)
Принадлежит: ЛАМ РИСЕРЧ КОРПОРЕЙШН (US)

Использование: для обработки полупроводниковых пластин. Сущность изобретения: станок для обработки полупроводниковых пластин содержит пару опорно-приводных роликов, которые служат опорами для вертикально расположенной полупроводниковой пластины и приводятся во вращение соединенным с ними приводным ремнем. Станок также содержит два расположенных друг напротив друга подвижных обрабатывающих пластину блока, каждый из которых содержит первый и второй обрабатывающие элементы, которые производят обработку пластин при их установке в первом и втором положении. Представлен также второй вариант станка для обработки полупроводниковых пластин и узел крепления самоцентрирующейся оправки. Техническим результатом изобретения является разработка станка для круговой обработки полупроводниковых пластин, на котором можно было бы изготавливать пластины с требуемой формой боковых поверхностей при минимальном количестве остающихся на них после обработки круговых царапин и выполнении большого количества технологических ...

Подробнее
Номер записи: 40
20-10-2005 дата публикации

СПОСОБ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ ФОСФОРОМ И ВЫРАЩИВАНИЯ ОКСИДА НА КРЕМНИИ В ПРИСУТСТВИИ ПАРА

Номер: RU2262773C2
Автор: РОГЕНСКИ Расселл Б. (US), РЭПП Джеймс Е. (US)
Принадлежит: ТЕКНЕГЛАС, ИНК. (US)

Использование: для легирования кремния фосфором с использованием твердого источника легирующего вещества. Сущность изобретения: способ легирования кремниевой пластины включает размещение кремниевой пластины в пространственном отношении к твердому источнику фосфорного легирующего вещества при первой температуре в течение времени, достаточного для осаждения фосфорсодержащего слоя на поверхности пластины, и последующее окисление легированной кремниевой пластины влажным кислородом или пирогенным паром при второй температуре, более низкой, чем первая температура. Кремниевую пластину удерживают в пространственном отношении к твердому источнику фосфорного легирующего вещества во время стадии окисления. Температуры выбирают так, что твердый источник фосфорного легирующего вещества выделяет P2O5 при первой температуре, а вторая температура является достаточно более низкой, чем первая температура, чтобы уменьшить выделение P2O5 из твердого источника фосфорного легирующего вещества во время стадии ...

Подробнее
Номер записи: 41
27-08-2005 дата публикации

ФЕРРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ КОНТУР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Номер: RU2259605C2
Автор: ЧЕН Личун (SE), ЙОХАНССОН Никлас (SE)
Принадлежит: ТИН ФИЛМ ЭЛЕКТРОНИКС АСА (NO)

Изобретение относится к Ферроэлектрическому запоминающему контуру и способу его изготовления. Техническим результатом является повышение степени поляризации ферроэлектрической ячейки памяти и снижение напряженности поля. Ферроэлектрический запоминающий контур содержит ферроэлектрическую ячейку памяти в виде тонкой ферроэлектрической полимерной пленки, два электрода, при этом, по меньшей мере, один из электродов содержит, по меньшей мере, один контактный слой, который содержит проводящий полимер, находящийся в контакте с ячейкой памяти, и, в случае необходимости, второй слой в виде металлической пленки, находящейся в контакте с проводящим полимером. Способ изготовления ферроэлектрического запоминающего контура включает в себя операции нанесения на подложку первого контактного слоя в виде тонкой пленки проводящего полимера и нанесения тонкой ферроэлектрической полимерной пленки на первый контактный слой и второго контактного слоя на тонкую ферроэлектрическую полимерную пленку. 2 н. и 13 з.п ...

Подробнее
Номер записи: 42
27-05-2001 дата публикации

ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЕМАЯ И ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ НАКОПИТЕЛЬНАЯ ЯЧЕЙКА

Номер: RU2168242C2
Автор: Йозеф ВИННЕРЛ (DE), Георг ТЕМПЕЛЬ (DE)
Принадлежит: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ (DE)

Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: электрически стираемая и программируемая энергонезависимая накопительная ячейка, которая образована только одним образованным переходом исток-канал-сток МОП-транзистором, в котором в полупроводниковой подложке (1) первого типа проводимости выполнены область стока (2) и область истока (3) второго типа проводимости с полярностью, противоположной первому типу проводимости, с находящимся на плавающем потенциале электродом затвора (4), который электрически изолирован от области стока (2) туннельным оксидом и от находящейся между областью стока и истока (2, 3) канальной области (9) оксидом затвора (5, 10) и протирается в направлении перехода исток-канал-сток по меньшей мере над частью канальной области (9) и частью области стока (2), и с управляющим электродом (7), который электрически изолирован оксидом связи (8) от электрода затвора (4). Для программирования накопительной ячейки к управляющему электроду (7) прикладывают высокое отрицательное ...

Подробнее
Номер записи: 43
10-05-2001 дата публикации

ЛИНЕЙКА ЛАЗЕРНЫХ ДИОДОВ

Номер: RU2166821C2
Автор: Аполлонов В.В., Машковский Д.А., Тимошкин В.Н., Филоненко В.А., Кузьминов В.В., Державин С.И., Прохоров А.М.
Принадлежит: ЗАО "Энергомаштехника"

Изобретение относится к области полупроводниковых лазеров и может быть использовано в волоконно-оптической связи, медицине, при обработке материалов. Сущность: линейка лазерных диодов с просветляющим покрытием внешнего торца имеет высокоотражающее покрытие заднего глухого торца, содержит лазерные диоды, цилиндрическую микролинзу, плоское внешнее зеркало, причем в линейке использованы широкоапертурные (S > 50 мкм) многомодовые в поперечном направлении лазерные диоды, режим работы которых переведен из собственного многомодового в одномодовый в поперечном направлении во внешнем резонаторе, в котором лазерные диоды синхронизированы за счет дифракционного обмена излучением при отражении от плоского внешнего зеркала. Концентрация всей энергии излучения в центральный пик достигается за счет использования свойства гауссовского пучка изменять кривизну собственного волнового фронта и свой поперечный размер при распространении в свободном пространстве и свойства положительной линзы значительно уменьшать ...

Подробнее
Номер записи: 44
27-03-2001 дата публикации

МНОГОЦЕЛЕВАЯ СОЛНЕЧНАЯ БАТАРЕЯ

Номер: RU2164722C2
Автор: Ефремов Г.А., Лизунов А.А., Минасбеков Д.А., Смирнов А.В., Трушков В.Н.
Принадлежит: Научно-производственное объединение машиностроения

Изобретение относится к солнечным батареям (СБ) с прямым преобразованием солнечной энергии в электрическую с помощью фотоэлектрических преобразователей (ФЭП), а именно к солнечным батареям с охлаждаемыми модулями. Сущность: солнечная батарея, содержащая ФЭП, выполнена многомодульной, ФЭП каждого модуля размещены на несущей подложке, имеющей каналы для протекания хладагента, а модули закреплены и загерметизированы в общих силовых подводящем и отводящем коллекторах, каждый из которых выполнен в виде двух профилей уголкового вида, жестко соединенных между собой. По периметру модулей в месте их стыка с коллекторами установлены упругие уплотнения, наборные вкладыши для поджатия уплотнений в боковом направлении, герметизируемые герметиком, ограничители перемещения модулей в продольном направлении, имеющие зазор с модулями, а один из уголковых профилей коллектора закреплен с возможностью перемещения перпендикулярно плоскости размещения ФЭП. Техническим результатом изобретения является повышение ...

Подробнее
Номер записи: 45
27-08-2011 дата публикации

СПОСОБ ПРОИЗВОДСТВА КОМБИНИРОВАННЫХ СОЛНЕЧНЫХ ПАНЕЛЕЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО И ТЕПЛОВОГО ТИПА И СООТВЕТСТВУЮЩАЯ СОЛНЕЧНАЯ ПАНЕЛЬ

Номер: RU2427766C2
Автор: АГУЛЬЯ Хорхе Мигель (IT)
Принадлежит: С.И.Е.М С.Р.Л. (IT)

Изобретение относится к способу производства комбинированных солнечных панелей фотоэлектрического и теплового типа, способных преобразовывать солнечную энергию как в электрическую, так и тепловую энергию с высокой эффективностью (кпд). Изобретение, кроме того, относится к солнечной панели, произведенной посредством такого способа. Способ производства комбинированных солнечных панелей (10) фотоэлектрического и теплового типа, содержащий этапы изготовления тепловой панели (12), имеющей по меньшей мере одну плоскую сторону (26b); изготовления фотоэлектрической панели (11), предназначенной комбинироваться с упомянутой тепловой панелью (12) через упомянутую плоскую сторону (26b) и содержащей по меньшей мере одну секцию фотоэлектрических элементов и прозрачный лист (15); этап изготовления фотоэлектрической панели (11) содержит этапы нанесения некоторого числа клеевых пятен соответственно между упомянутой плоской стороной (26b) и упомянутой по меньшей мере одной секцией и между упомянутой по меньшей ...

Подробнее
Номер записи: 46
27-11-2011 дата публикации

ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ МАТЕРИАЛ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ (Y, Gd)-СОДЕРЖАЩИХ НАНОЧАСТИЦ И СВЯЗАННЫХ С ПОВЕРХНОСТЬЮ ОРГАНИЧЕСКИХ ЛИГАНДОВ

Номер: RU2434925C2
Автор: ОПИЦ Йоахим (NL), ВИХЕРТ Детлеф Уве (NL), ХУППЕРТЦ Петра (NL), ЮСТЕЛ Томас (NL), БЕТТЕНТРУП Хельга (NL)
Принадлежит: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В. (NL)

Изобретение относится к материалам-преобразователям для флуоресцентных источников света. Предлагается люминесцентный материал для светоизлучающего прибора, включающий (Y,Gd)-содержащий материал наночастиц, связанный с по меньшей мере одной молекулой органического лиганда. Предлагается также светоизлучающий прибор, в частности светоизлучающий диод, включающий указанный люминесцентный материал, и система, включающая указанный люминесцентный материал и/или указанный светоизлучающий прибор. Предложенный люминесцентный материал обладает адаптацией к различным длинам волн испускания полупроводника и областям применения светоизлучающего диода. 3 н. и 7 з.п. ф-лы, 3 ил.

Подробнее
Номер записи: 47
27-02-2011 дата публикации

ЛЕГИРОВАННЫЕ ТЕЛЛУРИДЫ СВИНЦА ДЛЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРИМЕНЕНИЯ

Номер: RU2413042C2
Автор: ХААСС Франк (DE)
Принадлежит: БАСФ СЕ (DE)

Изобретение касается полупроводниковых материалов, содержащих свинец и теллур, а также, по меньшей мере, одну или две другие примеси, а также содержащих эти материалы термоэлектрических генераторов и устройств Пельтье. Полупроводниковый материал с проводимостью р- или n-типа на основе легированных теллуридов свинца имеет соединение общей формулы (I) ! ! со следующими значениями: в каждом случае независимо n означает количество химических элементов, отличных от Pb и Те, ! 1 част./млн≤х1, …, xn≤0,05, -0,05≤z≤0,05 и n=2, А1…An - отличные друг от друга и выбраны из группы элементов: Al, Ge, Sn, Bi, Ti, Zr, Hf, Nb, Та, Cu, Ag, или n=1, А1 выбран из Zr, Ag, Cu. Данные термоэлектрически активные материалы имеют высокий КПД и обнаруживают свойства, подходящие для различных областей применения: в качестве теплового насоса, в холодильниках и сушилках, для кондиционирования транспортных средств и зданий, для одновременного нагрева и охлаждения потоков веществ в процессах их разделения, в качестве ...

Подробнее
Номер записи: 48
27-05-2011 дата публикации

ПРОВОЛОКА ДЛЯ МИКРОСВАРКИ

Номер: RU2419662C2
Автор: БИШОФФ Альбрехт (DE), ШРЕПЛЕР Лутц (DE), ЦИНГГ Хольгер (DE)
Принадлежит: В.К. ХЕРАЕУС ГМБХ (DE)

Изобретение относится к области металлургии, в частности к сплавам на основе золота и получению из них проволоки для микросварки. Сплав на основе золота содержит 99,9 весовых % золота и 1-1000 частей на миллион, в частности 10-100 частей на миллион кальция, 1-1000 частей на миллион, в частности 10-100 частей на миллион иттербия и/или европия, 1-100 частей на миллион мишметалла церия и 1-10 частей на миллион бериллия, при этом сплав закристаллизован в виде твердого раствора. Способ получения сплава на основе золота включает выплавление в вакууме однородной лигатуры, содержащей кальций, иттербий и/или европий, введение ее в золото, при необходимости с добавлением кальция, европия и/или иттербия, до получения лигатуры с золотом в качестве основного компонента, которую затем вводят в расплав золота совместно с другой лигатурой, содержащей золото в качестве основного компонента и легирующие добавки бериллия Be и мишметалла церия Се. Технический результат - получение сплава, характеризующегося ...

Подробнее
Номер записи: 49
27-06-2011 дата публикации

СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ПРИБОР

Номер: RU2422946C2
Автор: БЕРНЕР Херберт Фридрих (NL), ГРАБОВСКИ Штефан Петер (NL), БЕХТЕЛЬ Ханс-Хельмут (NL)
Принадлежит: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В. (NL)

Настоящее изобретение относится к светоизлучающему прибору (30), имеющему по меньшей мере первый (10) и второй светоизлучающий элемент (20), причем первый светоизлучающий элемент (10) излучает первый свет (1), а второй светоизлучающий элемент (20) излучает второй свет (2), каждый светоизлучающий элемент (10, 20) представляет собой ОСИД (10, 20), ОСИД (10, 20) содержит многослойную структуру с подложкой (14, 24), первым (11, 21) и вторым (12, 22) электродами и органическим слоем (13, 23), обеспеченным между первым (11, 21) и вторым электродом (12, 22), светоизлучающий прибор (30) покидает свет (3), причем по меньшей мере часть упомянутого света (3) обеспечивается путем наложения первого (1) и второго света (2). Согласно изобретению противоположные подложки (14, 24) имеют расстояние D друг от друга, составляющее в диапазоне 1,5 мкм ≤ D ≤ 150 мкм, предпочтительно в диапазоне 5 мкм ≤ D ≤ 100 мкм, а более предпочтительно в диапазоне 10 мкм ≤ D ≤ 50 мкм. Изобретение обеспечивает светоизлучающий ...

Подробнее
Номер записи: 50
20-09-2005 дата публикации

ПРОВЕРКА СХЕМЫ НА АСИНХРОННЫЙ СБРОС

Номер: RU2260813C2
Автор: ГРАЙЗЕНТВЭЙТ Ричард Рой (GB)
Принадлежит: АРМ ЛИМИТЕД (GB)

Изобретение относится к области проверки интегральных схем. Сущность: интегральная схема снабжена последовательной цепью тестового сканирования для выполнения проверки надлежащий работы интегральной схемы. Работа асинхронного сигнала сброса может быть проверена с использованием ячейки цепи сканирования, генерирующей сигнал сброса, которая выполнена так, что значение сигнала сброса, хранящееся в схеме этой ячейки с фиксацией состояния, асинхронно запирается, чтобы оно подавалось на схемную часть, под управлением сигнала, обеспечивающего сканирование. Схемы с фиксацией состояния, входящие в схемную часть, подвергаемую проверке, которые переводятся в состояние с заданными значениями при правильной работе сброса, могут быть предварительно загружены противоположными значениями сигнала до выполнения проверки функции сброса. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 7 ил.

Подробнее
Номер записи: 51
27-09-2005 дата публикации

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ САМОСОВМЕЩЕННЫХ ТРАНЗИСТОРОВ СО СВЕРХКОРОТКОЙ ДЛИНОЙ КАНАЛА, ПОЛУЧАЕМОЙ НЕЛИТОГРАФИЧЕСКИМ МЕТОДОМ

Номер: RU2261499C2
Автор: ГУДЕСЕН Ханс Гуде (BE)
Принадлежит: ТИН ФИЛМ ЭЛЕКТРОНИКС АСА (NO)

Использование: для изготовления транзисторов со сверхкороткой длиной канала. Сущность изобретения: способ изготовления транзисторов со сверхкороткой длиной канала включает следующие этапы: осаждение электропроводящего материала на подложку из полупроводникового материала, формирование рельефа первых параллельных полосковых электродов с шагом, определяемым соответствующими правилами конструирования, при этом оставляют открытыми области подложки в виде полосок между первыми электродами, осаждение барьерного слоя, покрывающего первые электроды вплоть до подложки, легирование подложки в открытых областях, осаждение электропроводящего материала поверх легированных областей подложки с формированием вторых параллельных полосковых электродов, удаление барьерного слоя, при котором оставляют вертикальные каналы, проходящие вниз до нелегированных областей подложки между первыми и вторыми электродами, легирование подложки в открытых областях нижней части каналов, заполнение каналов барьерным материалом ...

Подробнее
Номер записи: 52
27-07-2005 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ РИСУНКОВ

Номер: RU2257603C2
Автор: САНДСТРЕМ Торбьерн (SE)
Принадлежит: МИКРОНИК ЛАЗЕР СИСТЕМЗ АБ (SE)

Использование: изобретение относится к устройству, предназначенному для создания рисунка с чрезвычайно высоким разрешением на заготовке, например, такого как рисунок на полупроводниковом чипе с линиями шириной 50 мм. Сущность изобретения: устройство содержит источник для испускания электромагнитного излучения в диапазоне длин волн 100 нм и ниже, пространственный модулятор, имеющий множество пикселей, электронную систему обработки и подачи данных, принимающую цифровое описание рисунка, подлежащего записи, выделяющую из него последовательность частичных рисунков, преобразующую упомянутые частичные рисунки в сигналы модулятора и подающую упомянутые сигналы в модулятор, и прецизионную механическую систему для перемещения упомянутой заготовки и/или проекционной системы друг относительно друга. Оно также содержит электронную систему управления, координирующую перемещение заготовки, подачу сигналов в модулятор и интенсивность излучения, так, чтобы упомянутый рисунок сшивался вместе от частичных ...

Подробнее
Номер записи: 53
10-05-2005 дата публикации

КМДП-ФОТОПРИЕМНИК

Номер: RU2251760C2
Автор: Скрылёв П.А. (RU), Шилин В.А. (RU), Стемпковский А.Л. (RU)
Принадлежит: Шилин Виктор Абрамович (RU), Стемпковский Александр Леонидович (RU), Скрылёв Павел Александрович (RU)

Изобретение относится к области полупроводниковых ИС и может быть использовано для создания фоточувствительных цифровых и аналоговых устройств. Техническим результатом настоящего изобретения является выделение движущихся фрагментов на изображении непосредственно в фокальной плоскости кристалла за счет реализации межкадрового вычитания. Сущность: в схеме КМОП-фотоприемника, содержащего фоточувствительный затвор и управляющие МОП-транзисторы: транзистор восстановления, сток которого подключен к шине питания, а исток - ко входу истокового повторителя, построенного на двух транзисторах, транзистор связи, исток которого контактирует с каналом фоточувствительного затвора, исток восстанавливающего транзистора подключен к фоточувствительному затвору, а сток транзистора связи - к дополнительному источнику питания. Управляющие импульсы, поступающие на вход восстанавливающего транзистора, и затвор транзистора связи обеспечивают экстракцию зарядов двух соседних кадров из канала фоточувствительного ...

Подробнее
Номер записи: 54
10-05-2005 дата публикации

СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ РЕЗКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ, А ТАКЖЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЮСТИРОВКИ И СПОСОБ ТЕСТИРОВАНИЯ ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОРИЕНТАЦИИ КРИСТАЛЛА

Номер: RU2251598C2
Автор: ХАММЕР Ральф (DE), КУМАНН Корнелиа (DE), КЛЯЙНВЕХТЕР Андре (DE), ГРУШИНСКИ Ральф (DE), ФЛАДЕ Тило (DE)
Принадлежит: ФРАЙБЕРГЕР КОМПАУНД МАТИРИАЛЗ ГМБХ (DE)

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой промышленности. Сущность изобретения: способ разделения монокристалла, в частности GaAs, заключается в том, что монокристалл (1) разрезается, по меньшей мере, на две части и режущий инструмент (2, 3; 8, 8а, 8b, 8с) перемещают относительно друг друга в направлении продвижения (V), при этом монокристалл (1) ориентируют таким образом, что заданная кристаллографическая ориентация (К) лежит в плоскости (Т) резки, а угол (р) между заданным кристаллографическим направлением (К) и направлением продвижения (V) выбирают таким образом, чтобы силы, которые действуют на режущий инструмент во время резки в направлении, перпендикулярном плоскости резки, компенсировали бы друг друга или представляли собой заданную силу. Изобретение позволяет увеличить скорость резки и улучшить качество получаемых пластин, что позволяет обходиться без этапов их последующей обработки. 4 н. и 12 з.п. ф-лы, 12 ил.

Подробнее
Номер записи: 55
10-05-2001 дата публикации

ЛИНЕЙКА ЛАЗЕРНЫХ ДИОДОВ

Номер: RU2166822C2
Автор: Аполлонов В.В., Машковский Д.А., Тимошкин В.Н., Филоненко В.А., Кузьминов В.В., Державин С.И., Прохоров А.М.
Принадлежит: ЗАО "Энергомаштехника"

Изобретение относится к полупроводниковым лазерам и может быть использовано в волоконно-оптической связи, медицине, при обработке материалов. Линейка лазерных диодов с просветляющим покрытием внешнего торца имеет высокоотражающее покрытие заднего глухого торца, содержит лазерные диоды, цилиндрическую микролинзу, плоское внешнее зеркало, причем в линейке использованы широкоапертурные (S > 50 мкм) многомодовые в поперечном направлении лазерные диоды, режим работы которых переведен из собственного многомодового в одномодовый в поперечном направлении во внешнем резонаторе, в котором лазерные диоды синхронизированы за счет дифракционного обмена излучением при отражении от плоского внешнего зеркала. Концентрация всей энергии излучения в центральный пик достигается за счет использования свойства гауссовского пучка изменять кривизну собственного волнового фронта и свой поперечный размер при распространении в свободном пространстве и свойства положительной линзы переносить перетяжку гауссовского ...

Подробнее
Номер записи: 56
27-06-2001 дата публикации

ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

Номер: RU2169963C2
Автор: Бельсков А.П., Бельсков П.А.
Принадлежит: Бельсков Павел Анатольевич, Бельсков Анатолий Павлович

Изобретение относится к устройствам, предназначенным для преобразования энергии постоянного тока на входе в энергию постоянного тока на выходе, и может быть использовано в качестве энергоустановки в системах электропитания потребителей объектов многих областей науки и техники. Техническим результатом является расширение функциональных возможностей фотопреобразователя. Результат достигается тем, что в состав предлагаемого устройства введен источник вторичного электропитания, вход которого электрически соединен обратной связью с выходом фотопреобразователя.

Подробнее
Номер записи: 57
20-11-2002 дата публикации

СПОСОБ ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ ТВЕРДЫХ ТЕЛ

Номер: RU2193080C2
Автор: Реутов В.Ф., Дмитриев С.Н.
Принадлежит: Объединенный институт ядерных исследований

Изобретение относится к области легирования твердых тел путем облучения ионами фазообразующих элементов и может быть использовано для ионной модификации структуры и физико-механических свойств металлов, полупроводников и сверхпроводников. Сущность способа ионного легирования твердых тел заключается в том, что одновременно или последовательно облучают объекты ионами инертного газа и ионами фазообразующих элементов, причем путем облучения ионами инертного газа в объекте формируют газовые нанопоры с одновременным или последовательным заполнением их объема ионами фазообразующих элементов. Изобретение решает задачу повышения эффективности ионного легирования и осуществление практической реализации условий формирования и синтезирования в твердых телах монодисперсных нановыделений различных фаз с высокой объемной плотностью. 4 ил.

Подробнее
Номер записи: 58
10-01-2002 дата публикации

ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ С КОНТАКТИРОВАНИЕМ НОВОГО ТИПА И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Номер: RU2178222C2
Автор: ХЕЛЛЕБРАНД Ханс (DE), ЛУБИТЦ Карл (DE), ХАМАНН Кристоф (DE), ВОЛЬФФ Андреас (DE), КРАМЕР Дитер (DE), ШЕРЕР Клеменс (DE)
Принадлежит: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ (DE)

При работе пьезоэлектрических исполнительных элементов в многослойной конструкции вследствие напряжений во время поляризации или во время работы пьезоэлектрического исполнительного элемента могут появляться трещины в полосках металлизации, которые размещены снаружи на исполнительном элементе для контактирования электродных слоев. Сущность изобретения: предлагается наносить электрически проводящие контактные лепестки на полоски металлизации, чтобы оставалась выступающая область так, что при появляющихся трещинах последние электрически шунтировались. Технический результат: повышение надежности электрического контактирования. 2 с. и 9 з. п. ф-лы, 6 ил.

Подробнее
Номер записи: 59
20-12-2002 дата публикации

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ФОТОРЕЗИСТИВНОЙ МАСКИ

Номер: RU2195047C2
Автор: Латышева Н.Д., Скупов В.Д., Смолин В.К.
Принадлежит: Научно-исследовательский институт измерительных систем

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в литографических процессах при изготовлении полупроводниковых приборов, интегральных схем и печатных плат. Сущность изобретения: в способе формирования фоторезистивной маски, включающем нанесение на подложку слоя позитивного фоторезиста на основе нафтохинондиазида, его сушку, экспонирование, проявление, обработку в неорганической жидкости и задубливание, в качестве неорганической жидкости используют жидкий азот, а задубливание осуществляют в два этапа, между которыми производят обработку в жидком азоте, причем продолжительность первого этапа задубливания составляет 0,25-0,35 общей продолжительности задубливания. Технический результат - повышение плотности материала фоторезистивной маски и, как следствие, повышение выхода годных. 1 табл.

Подробнее
Номер записи: 60
20-12-2002 дата публикации

СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ

Номер: RU2195046C2
Автор: Бокарев В.П., Просий А.Д., Гущин О.П., Горнев Е.С.
Принадлежит: Акционерное общество открытого типа "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон"

Использование: в микроэлектронике для очистки поверхности пластин в процессе изготовления сверхбольших интегральных схем. Сущность: помещают очищаемую пластину в вакуумную камеру и обрабатывают поверхность пластины интенсивной струей криоаэрозоля азота и аргона, с добавками примеси кислорода в присутствии ультрафиолетового излучения с длиной волны менее 200 нм. Технический результат изобретения заключается в повышении эффективности очистки от органических примесей поверхности со сглаженным рельефом. 1 табл.

Подробнее
Номер записи: 61
27-10-2002 дата публикации

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ

Номер: RU2191848C2
Автор: Манжа Н.М., Бурзин С.Б., Красников Г.Я., Нечипоренко А.П.
Принадлежит: Акционерное общество открытого типа "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон"

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегральных микросхем. Предлагаемый способ получения диоксида кремния включает формирование последнего при пониженном давлении с добавками хлорсодержащего вещества, улучшающего электрофизические параметры диоксида кремния. 2 с. и 4 з.п.ф-лы.

Подробнее
Номер записи: 62
20-10-2002 дата публикации

ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР

Номер: RU2191447C2
Автор: Горбач В.Д., Соколов О.Г., Муранов Г.К., Вялов А.П., Баукин В.Е.
Принадлежит: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт технологии судостроения", Открытое акционерное общество "Инженерно-производственная фирма "КРИОТЕРМ"

Изобретение относится к области преобразования тепловой энергии в электрическую и может быть использовано в термоэлектрических генераторах (ТЭГ), применяемых с целью утилизации отработавшего тепла ядерных реакторов, двигателей внутреннего сгорания (ДВС), дизельных и других тепловых двигателей. Техническим результатом является повышение добротности термоэлементов, собранных в специальные модули за счет увеличения единичной мощности самих модулей, а также за счет повышения рабочей температуры горячего спая. Для достижения указанного технического результата предлагается ТЭГ, содержащий узел нагревателя, узел охладителя и батареи термоэлементов, выполненные в виде модулей, которые собраны в блок, размещенный между узлами нагревателя и охладителя. Узел нагревателя может быть выполнен полым, что дает возможность устанавливать его на выхлопной трубе ДВС или дизеля. Предложенная конструкция в сочетании с 4-компонентным материалом термоэлементов обеспечивает получение компактного генератора, который ...

Подробнее
Номер записи: 63
27-09-2002 дата публикации

УПРУГИЙ ФРИКЦИОННЫЙ ФИКСАТОР РАДИАТОРА

Номер: RU2190312C2
Автор: Петров В.О., Почашев И.Н.
Принадлежит: Петров Валериан Олегович, Почашев Игорь Николаевич

Изобретение относится к электротехнической промышленности, в частности к устройствам для отвода тепла, а именно к фиксаторам для закрепления радиаторов охлаждения или тепловых электротехнических приборов. Упругий фрикционный фиксатор радиатора содержит ось, на которой закреплены рычаг и скобы. Рычаг снабжен петлей с рабочей полкой, припетлевым плечом и плечом, состоящим из фрикционной части для прилегания к радиатору и управляющей части для передачи усилий, обеспечивающих приведение в рабочее состояние фиксатора. В момент фиксации ось рычага располагается в петле рычага. Техническим результатом предложенного устройства является упрощение установки и снятия фиксатора радиатора при замене охлаждающего прибора, рациональное распределение прижимного усилия для обеспечения плоскостного контакта радиатора и охлаждаемого прибора, унификация фиксатора под различные типоразмеры. 10 з. п.ф-лы, 2 ил.

Подробнее
Номер записи: 64
20-04-2002 дата публикации

ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЛИНЕЙНЫЙ ШАГОВЫЙ ДВИГАТЕЛЬ

Номер: RU2181522C2
Автор: Буров С.В. (RU), Окатов Ю.В. (RU)
Принадлежит: Самсунг Электроникс Ко., Лтд. (KR), Окатов Юрий Владимирович (RU), Буров Сергей Вячеславович (RU)

Использование: в качестве исполнительного механизма. Сущность изобретения: пьезоэлектрический линейный шаговый двигатель содержит корпус с закрепленными в нем фиксирующими узлами и подвижную часть. Фиксирующие узлы выполнены из не менее двух пьезоблоков, расположенных в продольной плоскости друг за другом. Каждый пьезоблок состоит из сдвигающего пьезоэлемента и фиксирующего пьезоэлемента, разделенных относительно друг друга, корпуса и фрикционного элемента изоляторами. Подвижная часть имеет не менее одной направляющей, которая входит в соответствующую направляющую на фрикционных элементах, выполненных разрезными. Промежутки между пьезоблоками заполнены эластичным изоляционным материалом. Технический результат: повышение точности и усилия. 1 з.п. ф-лы, 16 ил.

Подробнее
Номер записи: 65
27-07-2002 дата публикации

ТЕРМОЭЛЕКТРОГЕНЕРАТОР

Номер: RU2186439C2
Автор: Никольский Ю.А.
Принадлежит: Никольский Юрий Анатольевич

Изобретение относится к области устройств, используемых в электронной технике для получения термоЭДС. Сущность: Термоэлектрогенератор изготовлен на основе гетероструктуры n-InSb-SiO2-р-Si в виде подложки из окисленного кремния с перекристаллизованной пленкой n-InSb. За счет дислокаций несоответствия и значительной разности работ выхода контактирующих материалов возникает удельная термоЭДС ~40-50 мВ/К в диапазоне температур 77-300 К.

Подробнее
Номер записи: 66
20-07-2002 дата публикации

УСТРОЙСТВО ТЕРМООБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

Номер: RU2185682C2
Автор: ГЕЦЦО Марио (US), ВАКИЛ Химансу Бачубхай (US), БЕРГМАН Рольф Сверре (US), ПЕЙДЖ Тимоти Дитрих (US), ХЮ Чарльз Сэмюель (US), СИЛВЕРСТЕЙН Сет Дэвид (US), ГОРЧИЦА Томас Берт (US)
Принадлежит: ДЖЕНЕРАЛ ЭЛЕКТРИК КОМПАНИ (US)

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводников. Устройство для термообработки, по меньшей мере, одной полупроводниковой пластины включает в себя камеру реактора, содержащую материал, по существу, прозрачный для излучения в диапазоне длин волн примерно от 200 до примерно 800 нм, для закрепления, по меньшей мере, одной полупроводниковой пластины. По меньшей мере, на части камеры реактора может быть покрытие, содержащее материал, по существу, отражающий инфракрасное излучение. Источник излучения подает энергию излучения на, по меньшей мере, одну полупроводниковую пластину через покрытие и камеру реактора. Источник излучения может включать в себя ультрафиолетовую газоразрядную лампу, галогенную инфракрасную лампу накаливания или металлогалогенную газоразрядную лампу видимого излучения. Покрытие может располагаться на внутренней либо внешней поверхности камеры реактора. Если камера реактора имеет внутреннюю и наружную стенки, то покрытие может быть расположено либо на внутренней ...

Подробнее
Номер записи: 67
10-01-2008 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МОДУЛЬ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МОДУЛЯ

Номер: RU2314596C2
Автор: КНАПП Вольфганг (CH)
Принадлежит: АББ РИСЕРЧ ЛТД (CH)

Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике. Сущность изобретения: полупроводниковый модуль содержит базовый элемент, изоляционный элемент с двухсторонним металлизированным покрытием, расположенный с помощью первого из обоих металлизированных покрытий на базовом элементе, и по меньшей мере один полупроводниковый элемент, расположенный на другом из обоих металлизированных покрытий. На краевом участке изоляционного элемента расположен электроизоляционный слой, причем поверхность этого изоляционного слоя образует с поверхностью второго металлизированного покрытия общую плоскую поверхность. Предложен также способ изготовления полупроводникового модуля. Техническим результатом изобретения является создание полупроводникового модуля, характеризующегося повышенной диэлектрической прочностью и одновременно простотой изготовления. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 5 ил.

Подробнее
Номер записи: 68
27-02-2008 дата публикации

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ОГРАНИЧИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ (ВАРИАНТЫ)

Номер: RU2318271C2
Автор: Бадалян Грачья Пайлакович (RU), Тадевосян Роберт Грачикович (AM), Григорян Давид Рафаэлович (RU)
Принадлежит: ЗАО "Дегаль" (RU), Тадевосян Роберт Грачикович (AM)

Изобретение относится к области полупроводниковых ограничителей напряжения и может быть использовано при защите электронных устройств от перенапряжений, а также при конструировании и технологии создания названных приборов. Техническим результатом заявленного изобретения является создание ограничителя напряжения, конструкция которого не предполагает использование дорогостоящего монокристаллического материала, проста в изготовлении. Заявленная конструкция ограничителя обеспечивает пробивное напряжение порядка 40÷40000 В и при обратном токе 10÷10000 А. Сущность изобретения: высоковольтный полупроводниковый ограничитель напряжения содержит кремниевую подложку с последовательно сформированным на ее поверхности, по крайней мере, одним изолирующим слоем, обеспечивающим изоляцию подложки, и слоем толщиной 0,1-10 мкм из поликристаллического кремнийсодержащего материала, в котором выполнены чередующиеся, последовательно соединенные области р-n+-р-n+...р или n+-p-n+ ...n+-p-n+ или p-n+...p-n+ типов ...

Подробнее
Номер записи: 69
10-07-2008 дата публикации

ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОФТАЛЬМОЛОГИЧЕСКИХ ОРОШЕНИЙ

Номер: RU2328250C2
Автор: Исмаилов Муслим Исмаилович (RU), Курбанов Курамагомед Казимович (RU), Аминов Гарун Ильясович (RU), Исмаилов Тагир Абдурашидович (RU), Алиев Абдул-Гамид Давудович (RU), Аминова Ирина Юрьевна (RU)
Принадлежит: ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU)

Изобретение относится к медицине, в частности к офтальмологии. Термоэлектрическое устройство для офтальмологических орошений содержит емкость для лекарственного препарата, соединенную гибким шлангом со штуцером кожуха, в котором установлен термоэлектрический модуль, и датчики температуры. Кожух выполнен из теплоизоляционного пластика, с двух противоположных сторон которого имеются трубкообразные удлинения, одно из которых заканчивается штуцером, а другое - каплеобразным расширением с набором мелких отверстий, к обоим спаям термоэлектрического модуля присоединены игольчатые радиаторы. Внутренняя полость кожуха на участке от термоэлектрического модуля до отверстий каплеобразного расширения разделена теплоизоляционной перегородкой, установленной в плоскости термоэлектрического модуля, на две равные части, с другой стороны от термоэлектрического модуля также имеется перегородка, которая заканчивается задвижкой, выполненной с возможностью вращения на оси и перемещения посредством рычагов и биметаллической ...

Подробнее
Номер записи: 70
27-10-2008 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ МАЛЫХ РАЗНОСТЕЙ ТЕМПЕРАТУР

Номер: RU2337333C2
Автор: Кузнецов Михаил Александрович (RU)
Принадлежит: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ТГТУ" (ГОУ ВПО "ТГТУ") (RU)

Изобретение относится к области метрологии и может быть использовано в химической и других отраслях промышленности для измерения расхода веществ, находящихся как в жидкой, так и в газовой фазах, для контроля процессов мембранного разделения. Изобретение направлено на повышение точности (не хуже 0,5% при доверительной вероятности 0,95) измерения разностей температур до 0,1 К при абсолютных температурах до 650 К, что обеспечивается за счет того, что в устройстве для измерения малых разностей температур, которое представляет собой дифференциальную многоспайную термопару из термоэлектродной проволоки, используется термоэлектродная проволока из сплавов хромель и копель, причем термоэлектроды в пары выбраны из одного класса партий проволоки хромеля и копеля и подвергнуты отжигу при температуре 750-770 К путем протяжки через печь со скоростью 0,06-0,08 м/с, а раскроены и промаркированы термоэлектроды таким образом, чтобы при сборке они оказались в той же последовательности, что и в заводской бухте ...

Подробнее
Номер записи: 71
10-09-2008 дата публикации

ПЬЕЗОЭЛЕМЕНТ ДЛЯ ФОКУСИРУЮЩЕГО УЛЬТРАЗВУКОВОГО ИЗЛУЧАТЕЛЯ

Номер: RU2333023C2
Автор: Головнин Владимир Алексеевич (RU), Шахворостов Дмитрий Юрьевич (RU), Зеленов Владимир Иванович (RU), Гаврилова Елена Александровна (RU)
Принадлежит: Открытое акционерное общество "ЭЛПА" (ОАО "ЭЛПА") (RU)

Изобретение относится к медицинской технике, в частности для применения в ингаляторах. Пьезоэлемент для фокусирующего ультразвукового излучателя выполнен из пьезокерамики в виде части сферической оболочки с углом раскрытия до 180°. В вершине части сферической оболочки пьезоэлемента выполнен плоский участок, толщина которого совпадает с толщиной части сферической оболочки, а соотношение диаметра плоского участка и диаметра части сферической оболочки составляет 15-25% для обеспечения максимального акустического давления в фокальном пятне на резонансной частоте. Использование изобретения позволяет эффективно фокусировать акустическое излучение в зоне геометрического фокуса пьезоэлемента. 7 ил.

Подробнее
Номер записи: 72
07-05-2024 дата публикации

Способ металлизации термокомпенсирующей изолирующей подложки припоем AuSn для пайки полупроводниковых лазерных диодов

Номер: RU2818934C2
Автор: Лапшина Оксана Александровна (RU), Козырев Антон Андреевич (RU), Гуляев Александр Андреевич (RU)
Принадлежит: ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "ИНЖЕКТ" (RU)

Изобретение может быть использовано для получения пайкой неразъемных соединений полупроводниковых лазерных излучателей с термокомпенсирующей подложкой. Для получения соединения последовательно формируют следующие слои. На адгезионный слой, граничащий с поверхностью подложки, наносят слой золота или меди, толщину которого выбирают из условия получения требуемой электропроводности подложки. Затем наносят второй адгезионный слой, а затем барьерный слой. На барьерном слое формируют слой припоя олово-золото в виде монослоя из сплава AuSn. Затем наносят финишный защитный слой из золота. На лазерный диод также наносят слой золота. Соединение выполняют под воздействием тепла и давления, достаточных для расплавления припоя. В результате осуществления способа получают композиционный припой, обеспечивающий надёжное соединение, при этом использование достаточной толщины слоя металла с высокой электропроводностью позволяет использовать этот способ для пайки лазерных диодов с высокой мощностью. 6 з.п ...

Подробнее
Номер записи: 73
20-04-2001 дата публикации

ИСТОЧНИК ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Номер: RU2165663C2
Автор: Корляков А.В., Лучинин В.В., Костромин С.В., Никитин И.В.
Принадлежит: Центр технологий микроэлектроники, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет

Изобретение относится к микроэлектронике и касается конструкции изготовления малоинерционного микроэлектронного источника ИК излучения. Сущность: устройство содержит кремниевую подложку и прикрепленный к ней электролюминесцентный элемент, выполненный из кремнийсодержащего материала и снабженный токоподводящими контактами и электрически изолированный от подложки с помощью пассивирующего покрытия из SiO2. Электролюминесцентный элемент изготовлен из SiC и выполнен в виде мостика. Наиболее целесообразным является размещение электролюминесцентного элемента в отверстии, выполненном в подложке. Технический результат - расширение диапазона ИК излучения. 2 з. п.ф-лы, 1 табл., 4 ил.

Подробнее
Номер записи: 74
07-06-2024 дата публикации

Устройство для фиксации керамических игл

Номер: RU2820742C2
Автор: Корячко Владимир Владимирович (RU), Челапкин Данил Геннадьевич (RU), Белецкий Владимир Евгеньевич (RU), Разумов Виталий Борисович (RU), Горностаев Павел Александрович (RU)
Принадлежит: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Электронное специальное-технологическое оборудование" (RU)

Изобретение относится к области вакуумно-плазменного оборудования. Устройство для фиксации керамических игл включает плавающее крепление, на котором благодаря зажимной гайке обеспечивается возможность фиксации керамической иглы. При этом подвижное в направлениях вертикальной и горизонтальной осей плавающее крепление с помощью замка обеспечивает возможность его установки на жесткой опоре, фиксация в вертикальном направлении которой обеспечивается посредством регулировки установочных винтов. Изобретение обеспечивает надежное и герметичное крепление керамической иглы с обеспечением ее самоустановки в технологическое отверстие подложкодержателя. 1 ил.

Подробнее
Номер записи: 75
22-05-2018 дата публикации

КВАНТОВО-РАДИОИЗОТОПНЫЙ ГЕНЕРАТОР ПОДВИЖНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА И ФОТОНОВ В КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКЕ ПОЛУПРОВОДНИКА

Номер: RU2654829C2
Автор: Войтович Виктор Евгеньевич (EE), Гордеев Александр Иванович (RU), Думаневич Анатолий Николаевич (RU)
Принадлежит: Гордеев Александр Иванович (RU)

Использование: для изготовления микромощных источников электроэнергии и квантового электромагнитного излучения фотонов с различными длинами волн. Сущность изобретения заключается в том, что квантово-радиоизотопный генератор подвижных носителей заряда и фотонов в кристаллической решетке полупроводника на основе контактного энерговзаимодействия радиоактивных материалов - изотопов, излучающих электроны с энергиями до 220 килоэлектронвольт и более, с кристаллами кремния с межатомными ковалентными связями содержит высоколегированную монокристаллическую подложку n-типа проводимости, последовательно выполненные на ней высокоомный слой n-типа проводимости и субмикронный по толщине высоколегированный слой р-типа проводимости, образующие приповерхностный плоский или рельефный р-n переход с встроенной областью пространственного заряда в границах физического р-n перехода, находящегося без воздействия внешне приложенного электрического поля, а также омические контакты к высоколегированным областям обоих ...

Подробнее
Номер записи: 76
29-03-2018 дата публикации

ИСПУСКАЮЩИЙ СВЕТ УЗЕЛ, ЛАМПА И ОСВЕТИТЕЛЬНЫЙ ПРИБОР

Номер: RU2648980C2
Автор: ВАН БОММЕЛ Тис (NL), ХИКМЕТ Рифат Ата Мустафа (NL)
Принадлежит: ФИЛИПС ЛАЙТИНГ ХОЛДИНГ Б.В. (NL)

Изобретение относится к области светотехники. Узел 100, испускающий свет, содержит первый источник 112 света, второй источник 118 света, первый люминесцентный материал 106, второй люминесцентный материал 116 и окно 102 выхода света. Первый источник 112 света испускает свет 110 в ультрафиолетовом спектральном диапазоне. Второй источник 118 света испускает свет в синем спектральном диапазоне, имеющем первую пиковую длину волны. Первый люминесцентный материал 106 скомпонован для приема света 110 от первого источника 112 света и конфигурируется для поглощения света 110 в ультрафиолетовом спектральном диапазоне и для преобразования части поглощенного света в свет 104 в синем спектральном диапазоне. Второй люминесцентный материал 116 скомпонован для приема света 105 от второго источника 118 света и конфигурируется для почти полного преобразования принятого света 105 в синем спектральном диапазоне, принятом от второго источника света, в свет со спектральным диапазоном света, имеющим вторую пиковую ...

Подробнее
Номер записи: 77
21-03-2018 дата публикации

МНОГОКАНАЛЬНЫЙ ИНФРАКРАСНЫЙ ФОТОПРИЕМНЫЙ МОДУЛЬ

Номер: RU2647977C2
Автор: Ременный Максим Анатольевич (RU), Матвеев Борис Анатольевич (RU)
Принадлежит: Общество с ограниченной ответственностью "ИоффеЛЕД" (RU)

Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для детектирования и испускания инфракрасного (ИК) излучения. Многоканальный инфракрасный фотоприемный модуль содержит дискретные полупроводниковые фотоприемники (1, 2) с возрастающей по ходу входящих лучей граничной длиной волны фоточувствительности (λ>λ) причем пространство между двумя фотоприемниками заполнено оптическим клеем (3) на основе стекла, прозрачного для рабочего диапазона длин волн второго по ходу лучей фотоприемника (2). Модуль обеспечивает фоточувствительность к излучению в средней инфракрасной области спектра.3 з.п. ф-лы, 8 ил.

Подробнее
Номер записи: 78
20-04-2015 дата публикации

ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ И/ИЛИ ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КОМПОЗИЦИОННЫЙ ТВЕРДЫЙ МАТЕРИАЛ, СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ И ПРИМЕНЕНИЕ ТАКОГО МАТЕРИАЛА

Номер: RU2548604C2
Автор: ДАВИД Шарлотта (FR), ЛЯКАБАН Колетт (FR), ДАНТРА Эрик (FR), КАПСАЛЬ Жан-Фабьен (FR)
Принадлежит: ЮНИВЕРСИТЕ ПОЛЬ САБАТЬЕ ТУЛУЗ III (FR)

Изобретение относится к пьезоэлектрическому и/или пироэлектрическому композиционному материалу. Сущность: материал включает диэлектрическую матрицу (11), наполнитель по меньшей мере из одного неорганического пьезоэлектрического и/или пироэлектрического материала. Наполнитель включает нитевидные наночастицы (12), распределенные по всему объему твердой диэлектрической матрицы (11) с количеством по объему менее 50%. Основные направления удлинения нитевидных наночастиц (12) неорганического наполнителя, распределенного в диэлектрической матрице (11), имеют по существу изотропное распределение в твердой диэлектрической матрице (11). Изобретение также относится к способу изготовления и применения такого гибридного материала для получения конструкционных деталей и пленок на носителе, полученных осаждением на поверхности такого субстрата. Технический результат: высокий пьезоэлектрический и/или пироэлектрический отклик при сниженной доле функционального наполнителя, обеспечение сочетания пластичности ...

Подробнее
Номер записи: 79
20-03-2015 дата публикации

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ГРАФЕНА

Номер: RU2544266C2
Автор: Плеханов Владимир Георгиевич (RU), Журавлева Любовь Михайловна (RU)
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет путей сообщения" МГУПС (МИИТ) (RU)

Изобретение относится к области производства полупроводниковых материалов, используемых в наноэлектронике. Техническим результатом изобретения является достижение определенной концентрации изотопа углерода С, что обеспечит открытие запрещенной зоны в десятки мэВ. В способе изготовления полупроводникового графена используют заготовку графита, воздействуют по всей поверхности заготовки потоком тепловых нейтронов, затем производят ее механическую обработку для отделения атомарных слоев графита с заданной концентрацией изотопа углерода С, определяющей ширину запрещенной зоны. 3 ил.

Подробнее
Номер записи: 80
20-09-2015 дата публикации

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ КАРБИДА КРЕМНИЯ С ПОМОЩЬЮ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Номер: RU2563324C2
Автор: Шафеев Георгий Айратович (RU), Бармина Екатерина Владимировна (RU), Серков Антон Алексеевич (RU)
Принадлежит: Общество с ограниченной ответственностью "Энергомаштехника" (ООО "ЭМТ") (RU)

Настоящее изобретение относится к области получения наноструктур на поверхности карбида кремния. Cпособ получения наноструктур на поверхности карбида кремния содержит этапы, на которых устанавливают твердую мишень в рабочую кювету с жидкостью, устанавливают рабочую кювету с твердой мишенью на координатный столик, осуществляют лазерную абляцию при помощи Nd:YAG лазера, работающего в импульсном режиме, при этом Nd:YAG лазер осуществляет облучение твердой мишени ультрафиолетовым излучением на длине волны 355 нм, с длительностью импульса 10 пс, с частотой повторения импульса 50 кГц и со средней мощностью 3,5 Вт, и в качестве жидкости используют воду, прошедшую этап очистки в системе обратного осмоса. Технический результат изобретения заключается в увеличении коэффициента пропускания карбида кремния. 2 ил.

Подробнее
Номер записи: 81
20-07-2001 дата публикации

ПОЛИРОВАЛЬНЫЙ СОСТАВ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ТИПА А2IВ>VI И СПОСОБ ПОЛИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ТИПА А2IВ>VI

Номер: RU2170991C2
Автор: Мустафаев А.Г., Тешев Р.Ш.
Принадлежит: Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова

Изобретение относится к материаловедению полупроводников. Технический результат изобретения заключается в получении высококачественной поверхности полупроводников AI2V1, имеющей высокие электрофизические характеристики. Сущность: используют композицию, содержащую 2 - 20% аморфного аэросила, 3 - 60% кислотного травителя, 20 - 95% воды, при следующих режимах обработки: удельное давление на образцы 100 - 150 г/см2, скорость подачи композиции 20 - 25 мл/мин, скорость вращения полировального стола 230 - 280 об/мин, длительность полирования 20 - 90 мин.

Подробнее
Номер записи: 82
27-07-2012 дата публикации

КОРПУС ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ

Номер: RU2457575C2
Автор: Троицкий Вячеслав Леонидович (RU), Горьков Алексей Викторович (RU), Пилавова Лариса Владимировна (RU), Серегин Вячеслав Сергеевич (RU)
Принадлежит: ЗАО "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ" (RU)

Использование: электронная техника, конструирование планарных металлокерамических корпусов. Сущность изобретения: корпус интегральной схемы содержит керамическое основание с размещенными на его поверхности контактными площадками и изолирующую многовыводную рамку прямоугольной формы, состоящую из связанных между собой уголками наружных и изолирующих пластин, на которых размещены группы планарных выводов. Выводы, содержащие рабочую и контактирующую части, выполнены зигзагообразной формы, при этом шаг расположения выводов рабочей части не равен шагу расположения выводов контактирующей части, а выводы контактирующей части выполнены параллельно выводам рабочей части с шагом, равным шагу расположения контактов тестирующих устройств. Предложенная конструкция корпуса интегральной схемы позволяет производить тестирование интегральных схем с установкой его в стандартные разъемы контактирующих устройств зарубежного и отечественного унифицированного оборудования. 2 ил.

Подробнее
Номер записи: 83
27-09-2004 дата публикации

КАМЕРА ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ И СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКИ В ТАКОЙ КАМЕРЕ

Номер: RU2237314C2
Автор: МАРАШИН Роберт А. (US), КЕННЕДИ Уильям С. (US), УИКЕР Томас Е. (US)
Принадлежит: ЛЭМ РИСЕРЧ КОРПОРЕЙШН (US)

Изобретение относится к области электротехники, в частности к травильным камерам с плазмой высокой плотности. Камера содержит электростатический держатель, предназначенный для удержания пластины, и расходуемые части, которые являются в высокой степени устойчивыми к травлению и в меньшей степени восприимчивы к образованию загрязнений и температуру которых можно регулировать, что является техническим результатом изобретения. Расходуемые части содержат вкладыш камеры, имеющий нижнюю секцию крепления, и стенку, которая сконфигурирована таким образом, что она окружает электростатический держатель. Расходуемые части также включают держатель вкладыша, имеющий нижний выступ, гибкую стенку и верхний выступ. Гибкая стенка сконфигурирована таким образом, что она окружает внешнюю поверхность стенки вкладыша камеры, при этом гибкая стенка держателя вкладыша расположена на некотором расстоянии от стенки вкладыша камеры. Нижний выступ держателя вкладыша сконфигурирован так, что он находится в прямом тепловом ...

Подробнее
Номер записи: 84
10-07-2004 дата публикации

УСОВЕРШЕНСТВОВАННЫЙ ГЕНЕРАТОР РИСУНКОВ

Номер: RU2232411C2
Автор: САНДСТРЕМ Торбьерн (SE)
Принадлежит: МИКРОНИК ЛАЗЕР СИСТЕМЗ АБ. (SE)

Использование: в печати рисунков с высокой точностью на фоточувствительных поверхностях, а также при непосредственной записи рисунков, и, кроме того, в других видах прецизионной печати. Технический результат изобретения: однородность изображения от пикселя к пикселю, повышение яркости и стабильности изображения. Сущность: настоящее изобретение относится к устройству для создания рисунка на заготовке, чувствительной к излучению, например, такой как фотошаблон, панель дисплея или микрооптический прибор. Устройство содержит источник излучения и пространственный модулятор света (ПМС), имеющий множество модулирующих элементов (пикселей). Оно также содержит электронную систему обработки и подачи данных, подающую возбуждающие сигналы в модулятор, прецизионную механическую систему для перемещения упомянутой заготовки и электронную систему управления, координирующую перемещение заготовки, подачу сигналов в модулятор и интенсивность излучения так, чтобы упомянутый рисунок сшивался из частичных изображений ...

Подробнее
Номер записи: 85
10-08-2006 дата публикации

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ В ФЕРРОЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ЗАПОМИНАЮЩЕМ УСТРОЙСТВЕ И ФЕРРОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Номер: RU2281567C2
Автор: ГУСТАФССОН Геран (SE), КАРЛССОН Йохан (SE), ЛЬЮНГКРАНТЦ Хенрик (SE), ЭДВАРДССОН Никлас (SE)
Принадлежит: ТИН ФИЛМ ЭЛЕКТРОНИКС АСА (NO)

Изобретение относится к способу изготовления ферроэлектрических ячеек памяти и к ферроэлектрическому запоминающему устройству. Техническим результатом является возможность обеспечения высокой плотности ячеек, а также возможность нанесения верхних электродов без повреждения ферроэлектрического запоминающего материала. Указанное запоминающее устройство содержит ферроэлектрические ячейки памяти, по меньшей мере, два набора электродов, параллельных другим электродам набора, причем электроды одного набора расположены, по существу, ортогонально электродам ближайшего следующего набора электродов. Способ изготовления указанных ячеек памяти в составе указанного запоминающего устройства заключается в том, что формируют первый электрод, содержащий, по меньшей мере, один слой металла и, по меньшей мере, один металлооксидный слой, поверх первого электрода наносят ферроэлектрический слой, состоящий из тонкой пленки ферроэлектрического полимера, а затем на этот ферроэлектрический слой наносят, по меньшей ...

Подробнее
Номер записи: 86
20-08-2006 дата публикации

ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ БАТАРЕЯ

Номер: RU2282273C2
Автор: Исмаилов Тагир Абдурашидович (RU), Вердиев Микаил Гаджимагомедович (RU), Евдулов Олег Викторович (RU)
Принадлежит: Дагестанский государственный технический университет (ДГТУ) (RU)

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению, в частности к конструкциям каскадных термоэлектрических батарей (ТЭБ). Технический результат: повышение эффективности и надежности, а также упрощение технологии изготовления каскадной ТЭБ. Сущность: ТЭБ содержит N каскадов, каждый из которых состоит из последовательно соединенных в электрическую цепь посредством коммутационных пластин чередующихся ветвей, изготовленных соответственно из полупроводника р-типа и n-типа. Электрическое соединение ветвей осуществляется посредством контакта ветвь р-типа - коммутационная пластина - ветвь n-типа, где ветвь р-типа контактирует торцевой поверхностью с одной из поверхностей коммутационной пластины, а ветвь n-типа - с противоположной. Коммутационные пластины имеют площадь, несколько большую, чем площадь поперечного сечения ветвей р- и n-типа, вследствие чего их части выступают за поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ. Части коммутационных пластин, образующих холодные контакты, выступают ...

Подробнее
Номер записи: 87
20-04-2004 дата публикации

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ СВЧ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ

Номер: RU2227344C2
Автор: Ромась Л.М., Широкова Л.С., Проскуровский Д.И., Голиков А.В., Кагадей В.А.
Принадлежит: Федеральное государственное унитарное предприятие "НИИПП"

Использование: в технологии микроэлектроники при получении дискретных приборов и интегральных схем. В способе изготовления мощных СВЧ полевых транзисторов с барьером Шоттки формируют n+-n структуру GaAs путем ионного легирования полуизолирующей подложки с последующим высокотемпературным отжигом. После высокотемпературного отжига на поверхность структуры наносят диэлектрическую пленку, прозрачную для проникновения водорода, проводят обработку структуры в атомарном водороде при температуре 100-200°С в течение 20-120 мин, удаляют диэлектрическую пленку и выполняют низкотемпературный отжиг при температуре 400-475°С в течение 5-20 мин. Диэлектрическую пленку выполняют из SiO2 толщиной d=3-15 нм. Техническим результатом изобретения является повышение рабочей мощности и увеличение напряжения пробоя стока. 1 з.п. ф-лы, 2 табл.

Подробнее
Номер записи: 88
10-09-2004 дата публикации

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СЛОЁВ СУЛЬФИДА СВИНЦА

Номер: RU2236033C2
Автор: Филачёв А.М. (RU), Казарова Ю.А. (RU), Бутров Ю.П. (RU), Красовский Е.А. (RU), Храпунов М.Л. (RU), Залевская Л.Н. (RU), Глобус Е.Р. (RU)
Принадлежит: Государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН" (RU)

Изобретение относится к способам получения фоточувствительных слоев сульфида свинца, которые применяют при изготовлении полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению. Способ получения фоточувствительных слоев сульфида свинца заключается в химическом осаждении фоточувствительных слоев на изолирующую подложку с заданными центрами кристаллизации в течение 60-150 мин из предварительно выдержанной в течение 15-60 мин после приготовления смеси водных растворов, которая получается последовательным прибавлением к 20-25% раствору щелочи 8-16% раствора сульфита натрия, 6-10% раствора дитионита натрия, 8-15% раствора тиомочевины и добавлением 20-25% раствора соли свинца при определенном весовом соотношении компонентов смеси. Способ позволяет получать малоинерционные слои сульфида свинца с высоким уровнем интегральной чувствительности и реализовать управляемый процесс получения фоточувствительных слоев сульфида свинца с оптимальными параметрами. 2 з.п. ф-лы, 2 табл.

Подробнее
Номер записи: 89
27-03-2004 дата публикации

МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР

Номер: RU2226307C2
Автор: Аронов В.Л., Диковский В.И.
Принадлежит: Государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Пульсар"

Изобретение относится к конструированию и производству мощных СВЧ-транзисторов. Предложен мощный СВЧ-транзистор, включающий в себя корпус с внутренним коллекторным электродом, разделенным на секции, с резисторами, смонтированными на нем и включенными последовательно между соседними секциями внутреннего коллекторного электрода, с внешним коллекторным электродом и коллекторным выводом, присоединенным к нему. Также содержит транзисторные кристаллы, смонтированные, по крайней мере, по одному в каждой секции внутреннего коллекторного электрода, согласующий конденсатор, смонтированный одним из электродов между внутренним и внешним коллекторными электродами транзистора на металлическом основании, соединенном с общим электродом транзистора. При этом другой электрод конденсатора, внешний коллекторный электрод и присоединенный к нему коллекторный вывод соосно разделены, по крайней мере, на две секции, между соседними секциями электрода конденсатора смонтированы и включены к ним последовательно резисторы ...

Подробнее
Номер записи: 90
10-11-2004 дата публикации

ФОТОПРИЕМНИК

Номер: RU2239917C2
Автор: Шестаков Н.П. (RU), Сысоев А.М. (RU), Иваненко А.А. (RU)
Принадлежит: Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН (RU)

Фотоприемник для измерения пространственно-временного распределения амплитуд и фаз интерференционного поля, проходящих через фотоприемник встречных световых потоков, без искажения их волнового фронта, содержит подложку, интерференционно-чувствительные фотоэлектрические элементы и электроды. Подложка выполнена в виде стеклянной плоскопараллельной пластины, на половину одной поверхности которой нанесен слой MgF2, в центре подложки нанесены интерференционно-чувствительные фотоэлектрические элементы PbS. Технический результат - получение квадратурных сигналов для реверсивного измерения пространственно-временного распределения амплитуд и фаз интерференционного поля встречных световых потоков. 4 ил.

Подробнее
Номер записи: 91
20-02-2004 дата публикации

ФОТОПРИЕМНИК (ВАРИАНТЫ)

Номер: RU2224331C2
Автор: Сысоев А.М., Иваненко А.А., Шестаков Н.П.
Принадлежит: Институт физики им. Л.В.Киренского СО РАН

Изобретение относится к оптоэлектронике, голографии, интерферометрии, спектроскопии Фурье и предназначено для электронного измерения пространственно-временного распределения амплитуд и фаз световых волн. Фотоприемник, содержащий фотоэлектрический слой, подложку и подводящие электроды, выполнен из элементов, которые в пределах рабочей площади фотоприемника имеют суммарное пропускание больше 10% и суммарное отклонение от равномерного изменения оптической толщины по рабочей площади и по рабочей длине фотоприемника меньше λmin/4, а фотоэлектрический слой в пределах рабочей площади фотоприемника имеет оптическую толщину меньше λmin/2, или больше λ0/2 и не кратную λ0/2, где λmin - длина волны коротковолновой границы рабочего спектрального диапазона фотоприемника, λ0 - рабочая длина волны фотоприемника. Технический результат - упрощение оптической схемы, уменьшение габаритов оптических приборов. 2 с.п. ф-лы, 7 ил.

Подробнее
Номер записи: 92
10-01-2004 дата публикации

ФОТОЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ УСТАНОВКА И СПОСОБ ОБЛУЧЕНИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

Номер: RU2221313C2
Автор: Антонюк О.Б., Васильченко Ю.В.
Принадлежит: Антонюк Олег Борисович, Васильченко Юрий Владимирович

Изобретение относится к фотоэнергетике и может быть использовано в качестве автономного источника электроэнергии. Техническим результатом изобретения является оптимизация условий облучения фотопреобразователей. Сущность изобретения заключается в том, что в предлагаемой фотоэнергетической установке фотопреобразователи размещены в полой камере, заполненной активной средой, и отделены от излучателя стенкой этой полой камеры, прозрачной для потока электромагнитной энергии. Фотопреобразователи облучают электромагнитным излучением, создаваемым возбужденной активной средой, заполняющей полую камеру, а активную среду возбуждают потоком электромагнитной энергии от источника излучения, находящегося за пределами полой камеры. 2 с.п. ф-лы, 1 ил.

Подробнее
Номер записи: 93
27-01-2004 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР

Номер: RU2222844C2
Автор: Иовдальский В.А.
Принадлежит: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток"

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике. Предложенный полупроводниковый прибор содержит подложку, на которой расположен по крайней мере один пленочный проводник с круглой контактной площадкой, которая окружена зоной, заполненной мелкими проводящими пленочными элементами, а также проволочный соединительный проводник с утолщением на конце, соединенный с контактной площадкой и частью мелких проводящих пленочных элементов. При этом диаметр контактной площадки равен 1-2 диаметрам проволочного соединительного проводника, размер зоны мелких проводящих пленочных элементов меньше или равен 5 диаметрам проволочного соединительного проводника. Мелкие проводящие пленочные элементы имеют размер 1-15 мкм, а расстояние между ними и удаление их от контактной площадки равно 0,5-10 мкм. В результате улучшаются характеристики полупроводникового прибора, повышается надежность. 1 ил.

Подробнее
Номер записи: 94
20-06-2004 дата публикации

МАГНИТНЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ

Номер: RU2231214C2
Автор: КАУБЕРН Расселл (GB)
Принадлежит: КЕМБРИДЖ ЮНИВЕРСИТИ ТЕКНИКАЛ СЕРВИСИЗ ЛИМИТЕД (GB)

Изобретение относится к логическим схемам, реализуемым магнитными квантовыми точками. Техническим результатом является обеспечение работы заявленного устройства при высоких температурах, а также повышение экономических показателей производства интегральных схем. Для этого логическое устройство сформировано из цепочек, состоящих из точек из магнитного материала, при этом каждая точка имеет ширину 200 нм или меньше и отделена от других точек достаточно малым расстоянием, чтобы обеспечить магнитное взаимодействие соседних точек. 7 з.п. ф-лы, 5 ил.

Подробнее
Номер записи: 95
20-06-2004 дата публикации

ДИСКОВОД МАГНИТНОГО ДИСКА

Номер: RU2231134C2
Автор: ПИНАРБАСИ Мустафа (US)
Принадлежит: ХИТАЧИ ГЛОБАЛ СТОРУДЖ ТЕКНОЛОДЖИЗ НЕЗЕЛЕНДЗ Б.В. (NL)

Изобретение относится к дисководу магнитного диска, имеющему по меньшей мере одну с опирающейся на воздушный зазор поверхностью (ОВЗП) магнитную головку, с выполненными за одно целое считывающей и записывающей частями. Считывающая часть включает используемый в качестве первичного преобразователя спиновый клапан, чувствительный к действию магнитных полей и имеющий ОВЗП. Предложенная в изобретении конструкция дисковода магнитного диска имеет спиновый клапан с повышенной магниторезистивностью, простую конструкцию. 3 з.п. ф-лы, 14 ил.

Подробнее
Номер записи: 96
10-01-2017 дата публикации

Способ изготовления полупроводникового прибора

Номер: RU2606246C2
Автор: Мустафаев Арслан Гасанович (RU), Мустафаев Абдулла Гасанович (RU), Мустафаев Гасан Абакарович (RU)
Принадлежит: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) (RU)

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с повышенной стабильностью параметров. Предложен способ изготовления полупроводникового прибора, включающий процессы создания активных областей прибора и подзатворного диэлектрика. Согласно изобретению после формирования подзатворного диэлектрика последовательно проводят легирование окисла ионами бора с энергией 55 кэВ, дозой 3⋅10сми ионами фтора с энергией 55кэВ, дозой 1⋅10смс последующим отжигом при температуре 900°C в течение 15 мин в среде азота. Изобретение обеспечивает повышение стабильности, снижение плотности дефектов, технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. 1 табл.

Подробнее
Номер записи: 97
11-05-2017 дата публикации

ИНКАПСУЛИРУЮЩАЯ БАРЬЕРНАЯ МНОГОСЛОЙНАЯ СТРУКТУРА

Номер: RU2618824C2
Автор: РАМАДАС, Сентил Кумар (SG), ШАНМУГАВЕЛ, Сараванан (SG)
Принадлежит: ТЕРА-БАРЬЕР ФИЛМС ПТЕ ЛТД (SG), ЭДЖЕНСИ ФО САЙЕНС, ТЕКНОЛОДЖИ ЭНД РЕСЁРЧ (SG)

Изобретение относится к барьерным полимерным пленкам и касается инкапсулирующей барьерной многослойной структуры, способной инкапсулировать изделие, чувствительное к влаге и/или кислороду. Структура содержит многослойную пленку, включающую: один или более барьерный слой(и) с низкой влаго- и/или кислородопроницаемостью; один или более герметизирующий слой(и), расположенный в контакте с поверхностью по меньшей мере одного барьерного слоя и тем самым закрывающий дефекты, присутствующие в барьерном слое. Один или более герметизирующий слой(и) содержит(ат) множество инкапсулированных наночастиц, реакционноспособных в том смысле, что они способны взаимодействовать с влагой и/или кислородом, замедляя проникновение влаги и/или кислорода через дефекты, присутствующие в барьерном слое. Инкапсуляцию частиц осуществляют путем полимеризации полимеризуемого соединения (мономерного или полимерного соединения с полимеризуемыми группами) или сшивания сшиваемого соединения на поверхности реакционноспособных ...

Подробнее
Номер записи: 98
27-05-2015 дата публикации

КОМПОЗИЦИИ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ РЕЗИСТА И СПОСОБЫ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВ

Номер: RU2551841C2
Автор: КЛИПП Андреас (DE)
Принадлежит: БАСФ СЕ (DE)

Изобретение относится к способу изготовления электрических устройств, содержащему стадии: 1) нанесение изоляционного диэлектрического слоя, состоящего из по меньшей мере одного материала с низкой или ультранизкой диэлектрической проницаемостью, на поверхность подложки, 2) нанесение позитивного или негативного слоя резиста на поверхность изоляционного диэлектрического слоя, 3) подвергание слоя резиста селективному воздействию электромагнитного излучения или корпускулярного излучения, 4) проявление селективно подвергнутого излучению слоя резиста для образования рисунка в резисте, 5) сухое травление изоляционного диэлектрического слоя с использованием рисунка в резисте в качестве маски для образования проводных канавок и/или сквозных отверстий, сообщающихся с поверхностью подложки, 6) выбор по меньшей мере одного полярного органического растворителя (А) из группы, состоящей из: диэтилентриамина, N-метилимидазола, 3-амино-1-пропанола, 5-амино-1-пентанола и диметилсульфоксида, проявляющего в ...

Подробнее
Номер записи: 99
10-05-2015 дата публикации

КОНТРОЛИРУЕМОЕ ОБРАЗОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ СИНТЕТИЧЕСКОМ АЛМАЗНОМ МАТЕРИАЛЕ

Номер: RU2550197C2
Автор: ХАН Ризван Уддин Ахмад (GB), ДЭВИС Николас Мэттью (GB), МАРТИНЬЮ Филип Морис (GB), ДИЛЛОН Харприт Каур (GB), ТВИТЧЕН Дэниэл Джеймс (GB)
Принадлежит: ЭЛЕМЕНТ СИКС ЛИМИТЕД (GB)

Изобретение относится к производству монокристаллического алмазного материала химическим осаждением из газовой фазы (CVD), который используется в оптических, механических, люминесцентных и/или электронных устройствах. Алмазный слой содержит сетку непараллельных взаимно пересекающихся дислокаций, как это видно на рентгеновском топографическом изображении сечения или в условиях люминесцентной методики, причем слой имеет толщину, равную или большую чем 1 мкм, сетка непараллельных дислокаций простирается по объему, составляющему, по меньшей мере, 30% от полного объема алмазного слоя, и при этом сетка непараллельных дислокаций содержит первый набор дислокаций, распространяющихся в первом направлении через алмазный слой, и второй набор дислокаций, распространяющихся во втором направлении через алмазный слой, причем угол между первым и вторым направлениями находится в пределах от 40° до 100°, как это видно на рентгеновском топографическом изображении сечения или в условиях люминесцентной методики ...

Подробнее
Номер записи: 100
16-08-1995 дата публикации

Устройство для высокотемпературной обработки полупроводниковых пластин

Номер: RU0000000749U1
Автор: Бурьба В.В., Жилин Л.М., Матовников В.А., Шеин Ю.Ф.
Принадлежит: Акционерное общество "Кремний"

1. Устройство для высокотемпературной обработки полупроводниковых пластин, включающее печь с горизонтальной трубой и кассету, средство для центровки и удержания пластин, учел регулировки усилия сжатия пластин, отличающееся тем, что кассета выполнена в виде грех жестко сваренных между собой кварцевых труб разной длины и диаметра, а средства для центровки и удержания пластин выполнено в виде двух кварцевых чашек, двух кремниевых шайб, одна из шайб имеет одну сторону плоскую, другую вогнутую, другая шайба имеет одну сторону плоскую, другую выпуклую, и кварцевой скобы, на которой расположены кварцевые чашки и кремниевые шайбы. 2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что кварцевая скоба продольно наклонена. 3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что кварцевая чашка со стороны узла регулировки усилия сжатия имеет по краю диаметр больше 1/3 диаметра кремниевой шайбы. (19) RU (11) (13) 749 U1 (51) МПК H01L 21/68 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 93042518/25, 25.08.1993 (46) Опубликовано: 16.08.1995 (71) Заявитель(и): Акционерное общество "Кремний" (73) Патентообладатель(и): Акционерное общество "Кремний" Ñòðàíèöà: 1 U 1 7 4 9 R U U 1 (57) Формула полезной модели 1. Устройство для высокотемпературной обработки полупроводниковых пластин, включающее печь с горизонтальной трубой и кассету, средство для центровки и удержания пластин, учел регулировки усилия сжатия пластин, отличающееся тем, что кассета выполнена в виде грех жестко сваренных между собой кварцевых труб разной длины и диаметра, а средства для центровки и удержания пластин выполнено в виде двух кварцевых чашек, двух кремниевых шайб, одна из шайб имеет одну сторону плоскую, другую вогнутую, другая шайба имеет одну сторону плоскую, другую выпуклую, и кварцевой скобы, на которой расположены кварцевые чашки и кремниевые шайбы. 2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что кварцевая скоба продольно наклонена. 3. Устройство по п. ...

Подробнее
Номер записи: 101
16-09-1995 дата публикации

Мощный биполярный переключательный транзистор

Номер: RU0000000867U1
Автор: Гордеев А.И., Королев А.Ф., Левин А.А., Насейкин В.О.
Принадлежит: Государственное предприятие - Особое конструкторское бюро "Искра"

Мощный биполярный переключательный транзистор, содержащий в структуре эмиттерную область, расположенную в базовой области и выполненную в виде узких полос, соединенных между собой общей металлизацией, образующей контактную площадку, размеры которой достаточны для присоединения внешнего вывода эмиттера, отличающийся тем, что общая металлизация, образующая контактную площадку, располагается над областями эмиттера и базы поперек полос эмиттера. (19) RU (11) (13) 867 U1 (51) МПК H01L 29/73 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 93041424/25, 18.08.1993 (46) Опубликовано: 16.09.1995 (71) Заявитель(и): Государственное предприятие - Особое конструкторское бюро "Искра" R U 8 6 7 (57) Формула полезной модели Мощный биполярный переключательный транзистор, содержащий в структуре эмиттерную область, расположенную в базовой области и выполненную в виде узких полос, соединенных между собой общей металлизацией, образующей контактную площадку, размеры которой достаточны для присоединения внешнего вывода эмиттера, отличающийся тем, что общая металлизация, образующая контактную площадку, располагается над областями эмиттера и базы поперек полос эмиттера. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) Мощный биполярный переключательный транзистор 8 6 7 (73) Патентообладатель(и): Государственное предприятие - Особое конструкторское бюро "Искра" R U (72) Автор(ы): Королев А.Ф., Гордеев А.И., Насейкин В.О., Левин А.А. RU 867 U1 RU 867 U1 RU 867 U1 RU 867 U1 RU 867 U1 RU 867 U1

Подробнее
Номер записи: 102
16-10-1995 дата публикации

Солнечная батарея

Номер: RU0000000978U1
Автор: Винке А.Л., Курицын Н.С., Сетова Л.М.
Принадлежит: Товарищество с ограниченной ответственностью - Фирма "Нартекс"

Солнечная батарея, состоящая из цепочки солнечных элементов, расположенных на подложке и помещенных в корпус, отличающаяся тем, что цепочка из солнечных элементов соединена с подложкой с помощью компаунда на кремнийорганической основе, а с тыльной стороны батарея загерметизирована компаундом на кремнийорганической основе с наполнителем, причем место пайки выходного кабеля с электрическими выводами цепочки загерметизировано колпачком при помощи герметика. (19) RU (11) (13) 978 U1 (51) МПК H01L 31/48 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 93028340/25, 01.06.1993 (46) Опубликовано: 16.10.1995 (71) Заявитель(и): Товарищество с ограниченной ответственностью - Фирма "Нартекс" (73) Патентообладатель(и): Товарищество с ограниченной ответственностью - Фирма "Нартекс" U 1 9 7 8 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Солнечная батарея, состоящая из цепочки солнечных элементов, расположенных на подложке и помещенных в корпус, отличающаяся тем, что цепочка из солнечных элементов соединена с подложкой с помощью компаунда на кремнийорганической основе, а с тыльной стороны батарея загерметизирована компаундом на кремнийорганической основе с наполнителем, причем место пайки выходного кабеля с электрическими выводами цепочки загерметизировано колпачком при помощи герметика. 9 7 8 (54) Солнечная батарея R U (72) Автор(ы): Винке А.Л., Сетова Л.М., Курицын Н.С. RU 978 U1 RU 978 U1 RU 978 U1 RU 978 U1 RU 978 U1

Подробнее
Номер записи: 103
16-11-1995 дата публикации

Групповой спутник-носитель для бескорпусных интегральных микросхем

Номер: RU0000001171U1
Автор: Гультяев Юрий Павлович, Иванов Николай Викторович
Принадлежит: Гультяев Юрий Павлович, Иванов Николай Викторович

Групповой спутник-носитель для бескорпусных интегральных микросхем на полиамидной рамке, в которой имеются установочные отверстия, содержащий жесткое основание, изготовленное из изоляционного материала с отверстиями, в которых утоплены кристаллы микросхем, отличающийся тем, что к основанию, выполненному по форме и размерам унифицированной полупроводниковой пластины, адгезивом прикреплены рамки микросхем с точностью, заданной при взаимодействии установочных отверстий рамок микросхем и центрирующих отверстий, выполненных в основании, которое со стороны, противоположной размещению рамок, закрыто защитной пленкой. (19) RU (11) (13) 1 171 U1 (51) МПК H01L 21/68 (1995.01) H01L 21/70 (1995.01) H01L 21/82 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 5057749/10, 25.08.1992 (46) Опубликовано: 16.11.1995 (71) Заявитель(и): Гультяев Юрий Павлович, Иванов Николай Викторович (73) Патентообладатель(и): Гультяев Юрий Павлович, Иванов Николай Викторович U 1 1 1 7 1 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Групповой спутник-носитель для бескорпусных интегральных микросхем на полиамидной рамке, в которой имеются установочные отверстия, содержащий жесткое основание, изготовленное из изоляционного материала с отверстиями, в которых утоплены кристаллы микросхем, отличающийся тем, что к основанию, выполненному по форме и размерам унифицированной полупроводниковой пластины, адгезивом прикреплены рамки микросхем с точностью, заданной при взаимодействии установочных отверстий рамок микросхем и центрирующих отверстий, выполненных в основании, которое со стороны, противоположной размещению рамок, закрыто защитной пленкой. 1 1 7 1 (54) Групповой спутник-носитель для бескорпусных интегральных микросхем R U (72) Автор(ы): Гультяев Юрий Павлович, Иванов Николай Викторович RU 1 171 U1 RU 1 171 U1 RU 1 171 U1 RU 1 171 U1 RU 1 171 U1 RU 1 171 U1

Подробнее
Номер записи: 104
16-11-1995 дата публикации

Спутник-носитель для бескорпусной интегральной микросхемы

Номер: RU0000001172U1
Автор: Гультяев Юрий Павлович, Иванов Николай Викторович
Принадлежит: Гультяев Юрий Павлович, Иванов Николай Викторович

Спутник-носитель для бескорпусной интегральной микросхемы на полиамидной рамке, в которой выполнены установочные отверстия, содержащий жесткое основание из изоляционного материала, имеющее центрирующие отверстия для взаимной ориентации микросхем и основания, отличающийся тем, что основание имеет в центре углубление, в котором располагается кристалл микросхемы, а рамка микросхемы закреплена на основании адгезивом, который наносится при соосном расположении центрирующих отверстий основания и установочных отверстий рамки микросхемы. (19) RU (11) (13) 1 172 U1 (51) МПК H01L 21/68 (1995.01) H01L 21/70 (1995.01) H01L 21/82 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 5057750/10, 25.08.1992 (46) Опубликовано: 16.11.1995 (71) Заявитель(и): Гультяев Юрий Павлович, Иванов Николай Викторович (73) Патентообладатель(и): Гультяев Юрий Павлович, Иванов Николай Викторович U 1 1 1 7 2 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Спутник-носитель для бескорпусной интегральной микросхемы на полиамидной рамке, в которой выполнены установочные отверстия, содержащий жесткое основание из изоляционного материала, имеющее центрирующие отверстия для взаимной ориентации микросхем и основания, отличающийся тем, что основание имеет в центре углубление, в котором располагается кристалл микросхемы, а рамка микросхемы закреплена на основании адгезивом, который наносится при соосном расположении центрирующих отверстий основания и установочных отверстий рамки микросхемы. 1 1 7 2 (54) Спутник-носитель для бескорпусной интегральной микросхемы R U (72) Автор(ы): Гультяев Юрий Павлович, Иванов Николай Викторович RU 1 172 U1 RU 1 172 U1 RU 1 172 U1 RU 1 172 U1

Подробнее
Номер записи: 105
16-12-1995 дата публикации

Полупроводниковый светодиод

Номер: RU0000001389U1
Автор: Грехов И.В., Шулекин А.Ф., яссиевич И.Н.
Принадлежит: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН

Полупроводниковый светодиод на основе кремния, содержащий последовательно расположенные p+ - подложку, p-слой, легированный эрбием и кислородом, p-слой и прозрачный для излучения токопроводящий слой, отличающийся тем, что между легированным и токопроводящим слоями дополнительно введен туннельно-тонкий диэлектрический слой толщиной d, отвечающий соотношению: d0>d>Eв/(q*Eпр) , где d0 - максимально возможная толщина для туннелирования электрона, см; Ев - энергия электронов, достаточная для ударного возбуждения ионов эрбия, Дж; Епр - напряженность поля при пробое диэлектрика, В/см; q - заряд электрона, кул. (19) RU (11) (13) 1 389 U1 (51) МПК H01L 33/00 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 94005893/25, 14.02.1994 (46) Опубликовано: 16.12.1995 (71) Заявитель(и): Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (73) Патентообладатель(и): Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН U 1 1 3 8 9 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Полупроводниковый светодиод на основе кремния, содержащий последовательно расположенные p+ - подложку, p-слой, легированный эрбием и кислородом, p-слой и прозрачный для излучения токопроводящий слой, отличающийся тем, что между легированным и токопроводящим слоями дополнительно введен туннельно-тонкий диэлектрический слой толщиной d, отвечающий соотношению: d0>d>Eв/(q*Eпр) , где d0 - максимально возможная толщина для туннелирования электрона, см; Ев энергия электронов, достаточная для ударного возбуждения ионов эрбия, Дж; Епр напряженность поля при пробое диэлектрика, В/см; q - заряд электрона, кул. 1 3 8 9 (54) Полупроводниковый светодиод R U (72) Автор(ы): Грехов И.В., Шулекин А.Ф., яссиевич И.Н. RU 1 389 U1 RU 1 389 U1 RU 1 389 U1 RU 1 389 U1 RU 1 389 U1 RU 1 389 U1

Подробнее
Номер записи: 106
16-03-1996 дата публикации

КОРПУС МОЩНОГО ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ТРАНЗИСТОРА С ГЕРМЕТИЗАЦИЕЙ ПРЕСС-МАТЕРИАЛОМ

Номер: RU0000001928U1
Автор: Никотин В.Н., Чечельницкий В.Б.
Принадлежит: Акционерное общество "Элиз"

КОРПУС МОЩНОГО ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ТРАНЗИСТОРА С ГЕРМЕТИЗАЦИЕЙ ПРЕСС-МАТЕРИАЛОМ, состоящий из держателя, выводной рамки, соединенных между собой механически, и пресс-материала для герметизации транзистора, отличающийся тем, что выводная рамка имеет сквозное отверстие прямоугольной формы, частично перекрывает держатель, и в четырех местах механически соединена с держателем так, чтобы образовывалась полость на посадочной поверхности под кристалл держателя. (19) RU (11) (13) 1 928 U1 (51) МПК H01L 23/02 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 94022118/25, 16.06.1994 (46) Опубликовано: 16.03.1996 (71) Заявитель(и): Акционерное общество "Элиз" (72) Автор(ы): Никотин В.Н., Чечельницкий В.Б. U 1 1 9 2 8 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели КОРПУС МОЩНОГО ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ТРАНЗИСТОРА С ГЕРМЕТИЗАЦИЕЙ ПРЕСС-МАТЕРИАЛОМ, состоящий из держателя, выводной рамки, соединенных между собой механически, и пресс-материала для герметизации транзистора, отличающийся тем, что выводная рамка имеет сквозное отверстие прямоугольной формы, частично перекрывает держатель, и в четырех местах механически соединена с держателем так, чтобы образовывалась полость на посадочной поверхности под кристалл держателя. 1 9 2 8 (54) КОРПУС МОЩНОГО ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ТРАНЗИСТОРА С ГЕРМЕТИЗАЦИЕЙ ПРЕСС-МАТЕРИАЛОМ R U (73) Патентообладатель(и): Акционерное общество "Элиз" RU 1 928 U1 RU 1 928 U1 RU 1 928 U1 RU 1 928 U1 RU 1 928 U1 RU 1 928 U1 RU 1 928 U1

Подробнее
Номер записи: 107
16-03-1996 дата публикации

СТРУКТУРА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Номер: RU0000001929U1
Автор: Бурьба В.В., Жилин Л.М., Матовников В.А., Шеин Ю.Ф.
Принадлежит: Акционерное общество "Кремний"

1. СТРУКТУРА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, имеющая слой низкоомного полупроводника, отличающаяся тем, что низкоомный слой имеет меньшую толщину и к нему через соединительный слой стекла дополнительно присоединена опорная подложка, не вызывающая автолегирования, имеющая большую толщину, чем низкоомный слой. 2. Структура по п. 1, отличающаяся тем, что в качестве соединительного слоя применяется боросиликатное стекло. (19) RU (11) (13) 1 929 U1 (51) МПК H01L 27/02 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 93039572/25, 10.08.1993 (46) Опубликовано: 16.03.1996 (71) Заявитель(и): Акционерное общество "Кремний" (73) Патентообладатель(и): Акционерное общество "Кремний" U 1 1 9 2 9 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели 1. СТРУКТУРА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, имеющая слой низкоомного полупроводника, отличающаяся тем, что низкоомный слой имеет меньшую толщину и к нему через соединительный слой стекла дополнительно присоединена опорная подложка, не вызывающая автолегирования, имеющая большую толщину, чем низкоомный слой. 2. Структура по п. 1, отличающаяся тем, что в качестве соединительного слоя применяется боросиликатное стекло. 1 9 2 9 (54) СТРУКТУРА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ R U (72) Автор(ы): Матовников В.А., Жилин Л.М., Шеин Ю.Ф., Бурьба В.В. RU 1 929 U1 RU 1 929 U1 RU 1 929 U1 RU 1 929 U1 RU 1 929 U1 RU 1 929 U1

Подробнее
Номер записи: 108
16-03-1996 дата публикации

ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ БАТАРЕЯ

Номер: RU0000001930U1
Автор: Копаев В.Г., Петров В.А., Шалаев Н.В.
Принадлежит: Предприятие "АИТ"

1. ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ БАТАРЕЯ, содержащая ветви n- и р-типов проводимости, выполненные из прессованных полупроводниковых материалов, коммутационные шины, присоединенные к торцевым поверхностям ветвей через прослойки из антидиффузионного материала, и токоотводы, выполненные в виде участков коммутационных шин концевых ветвей, выступающих над боковыми поверхностями этих ветвей, отличающаяся тем, что каждый токоотвод имеет Г-образную форму, при этом участок токоотвода, расположенный вдоль боковой поверхности ветви, выполнен по меньшей мере с одним отверстием, заполненным полупроводниковым материалом ветви. 2. Батарея по п. 1, отличающаяся тем, что токоотвод выполнен округлым в зоне перехода его вертикального участка в горизонтальный. 3. Батарея по п. 1, отличающаяся тем, что участок токоотвода, расположенный над отверстием, размещен с зазором относительно боковой поверхности ветви. 4. Батарея по п. 1, отличающаяся тем, что участок токоотвода, расположенный вдоль боковой поверхности ветви, выполнен с покрытием из электроизоляционного материала. 5. Батарея по п. 1, отличающаяся тем, что каждый токоотвод выполнен с несколькими отверстиями, заполненными полупроводниковым материалом ветви, расположенными симметрично относительно плоскости, проходящей через центр ветви. (19) RU (11) (13) 1 930 U1 (51) МПК H01L 35/02 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 94004597/25, 08.02.1994 (46) Опубликовано: 16.03.1996 (71) Заявитель(и): Предприятие "АИТ" (73) Патентообладатель(и): Предприятие "АИТ" Ñòðàíèöà: 1 U 1 1 9 3 0 R U U 1 (57) Формула полезной модели 1. ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ БАТАРЕЯ, содержащая ветви n- и р-типов проводимости, выполненные из прессованных полупроводниковых материалов, коммутационные шины, присоединенные к торцевым поверхностям ветвей через прослойки из антидиффузионного материала, и токоотводы, выполненные в виде участков коммутационных шин концевых ветвей, выступающих над ...

Подробнее
Номер записи: 109
16-03-1996 дата публикации

КАСКАДНАЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ БАТАРЕЯ

Номер: RU0000001931U1
Автор: Копаев В.Г., Петров В.А., Шалаев Н.В.
Принадлежит: Предприятие "АИТ"

1. КАСКАДНАЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ БАТАРЕЯ, содержащая ветви n- и р-типов проводимости, выполненные из полупроводниковых прессованных материалов и состоящие из последовательно соединенных участков, торцевые поверхности которых через прослойки из антидиффузионного материала присоединены к коммутационным шинам, электроизоляционные проставки, размещенные между боковыми поверхностями смежных ветвей, и токоотводы, отличающаяся тем, что смежные участки ветвей n- и р-типов проводимости имеют одинаковую высоту, а электроизоляционные проставки выполнены из комбинированного материала, состоящего из ленты на основе стеклоткани с чешуйками слюды, распределенными в ней, и кремнийорганического связующего, и присоединены к боковым поверхностям ветвей. 2. Батарея по п. 1, отличающаяся тем, что в нее введены дополнительные прослойки из антидиффузионного материала, которые присоединены к смежным участкам каждой ветви. 3. Батарея по п. 2, отличающаяся тем, что дополнительные прослойки выполнены из прессованного материала. 4. Батарея по п. 2, отличающаяся тем, что дополнительные прослойки изготовлены из предварительно напыляемого антидиффузионного материала. 5. Батарея по п. 2, отличающаяся тем, что дополнительные прослойки выполнены из антидиффузионного материала, используемого для присоединения ветвей к коммутационным шинам. (19) RU (11) (13) 1 931 U1 (51) МПК H01L 35/32 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 94004596/25, 08.02.1994 (46) Опубликовано: 16.03.1996 (71) Заявитель(и): Предприятие "АИТ" (73) Патентообладатель(и): Предприятие "АИТ" Ñòðàíèöà: 1 U 1 1 9 3 1 R U U 1 (57) Формула полезной модели 1. КАСКАДНАЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ БАТАРЕЯ, содержащая ветви n- и р-типов проводимости, выполненные из полупроводниковых прессованных материалов и состоящие из последовательно соединенных участков, торцевые поверхности которых через прослойки из антидиффузионного материала присоединены к коммутационным ...

Подробнее
Номер записи: 110
16-04-1996 дата публикации

МНОГОКРИСТАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ

Номер: RU0000002052U1
Автор: Микитин В.М., Файзулаев Б.Н.
Принадлежит: Научно-исследовательский центр электронной вычислительной техники

1. МНОГОКРИСТАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ, содержащий подложку, выполненную из полупроводникового материала, например кремния, на поверхности которой установлены внутренние и внешние контактные площадки, соединенные между собой посредством металлизированных проводников, расположенных на соответствующих слоях металлизации, установлены кристаллы микросхем, выводы которых соединены с соответствующими внутренними контактными площадками, основание, крышку и внешние выводы, отличающийся тем, что основание выполнено монолитно с подложкой из полупроводникового материала, например кремния, крышка установлена на подложку со стороны кристаллов микросхем, причем между крышкой и подложкой по периметру крышки расположен слой из полимерного клеевого материала, а внешние выводы модуля подсоединены к внешним контактным площадкам подложки, которые установлены по периметру подложки с наружной стороны крышки. 2. Модуль по п.1, отличающийся тем, что подложка содержит полупроводниковые структуры, например запоминающее устройство, микропроцессоры. 3. Модуль по пп.1 и 2, отличающийся тем, что крышка модуля выполнена из кремния или керамического материала. 4. Модуль по пп.1 и 2, отличающийся тем, что на основании с внешней стороны установлена укрепляющая пластина, причем между основанием и укрепляющей пластиной расположен слой из полимерного клеевого материала. 5. Модуль по п.4, отличающийся тем, что укрепляющая пластина выполнена из кремния или керамического материала, например нитрида алюминия. 6. Модуль по пп.1 и 4, отличающийся тем, что на основании или укрепляющей пластине с внешней стороны установлен радиатор, причем между радиатором и основанием или укрепляющей плстиной расположен слой из полимерного клеевого материала. (19) RU (11) (13) 2 052 U1 (51) МПК H01L 23/02 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 94015804/25, 28.04.1994 (46) Опубликовано: 16.04.1996 (71) Заявитель(и): Научно-исследовательский центр ...

Подробнее
Номер записи: 111
16-04-1996 дата публикации

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЛУЧИСТОЙ ЭНЕРГИИ ИСТОЧНИКА СВЕТА

Номер: RU0000002053U1
Автор: Смирнов Виталий Викторович
Принадлежит: Смирнов Виталий Викторович

1. ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЛУЧИСТОЙ ЭНЕРГИИ ИСТОЧНИКА СВЕТА, содержащий полупроводниковые элементы, электрически соединенные между собой в батареи и оптически сопряженные с источником света, отличающийся тем, что он снабжен по крайней мере двумя группами плоских панелей, двумя парами направляющих и блоком электрических аккумуляторов, полупроводниковые элементы выполнены в виде фотодиодов и размещены на обращенной к источнику света поверхности каждой плоской панели, которые установлены под углом друг к другу и последовательно соединены между собой по боковым сторонам, параллельным оси источника света, плоские панели первой группы зафиксированы относительно источника света, соединения между ними выполнены жесткими, а угол между каждой парой смежных плоских панелей, поверхности которых обращены друг к другу и к источнику света, равен 10 - 20, плоские панели других групп соединены между собой с возможностью поворота смежных плоских панелей относительно друг друга вокруг соответствующих осей, параллельных оси источника света и установлены с возможностью перемещения относительно источника света по направляющим и фиксации в требуемом положении, причем фотодиоды, установленные на плоских панелях этих групп, электрически соединены в батареи и подключены к блоку электрических аккумуляторов, а максимальный угол между обращенными друг к другу и к источнику света поверхностями плоских панелей не превышает 20. 2. Преобразователь по п.1, отличающийся тем, что плоские панели второй и последующих групп соединены между собой с помощью упругих V-образных элементов. 3. Преобразователь по п.1, отличающийся тем, что он снабжен двумя зеркальными отражателями, выполненными в форме усеченных конусов, расположенных по обе стороны и соосно источнику света, причем малые основания отражателей обращены к источнику света. 4. Преобразователь по п.1, отличающийся тем, что фотодиоды выполнены с зеркальным тыльным электрическим контактом. 5. Преобразователь по п.1, отличающийся тем, что крайние панели первой ...

Подробнее
Номер записи: 112
16-04-1996 дата публикации

МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ

Номер: RU0000002054U1
Автор: Верный А.А., Власов О.А., Лебедев В.Н., Першкова С.В., Теймуров Ш.Х., Хитрова Л.М., Хряпов В.Т.
Принадлежит: Государственный научный центр Российской Федерации "Научно-производственное объединение "Орион"

1. МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ, включающий параллельные полупроводниковые столбики p- и n-типов с тепло- и электроизоляционным материалом между ними, торцы которых, покрытые никелем, спаяны с коммутационной платой с нанесенной на нее многослойной металлизацией, отличающийся тем, что коммутационная плата выполнена из гибкой, прозрачной полиимидной пленки. 2. Модуль по п.1, отличающийся тем, что многослойная металлизация нанесена на обе стороны коммутационной платы с электрической связью между ними. (19) RU (11) (13) 2 054 U1 (51) МПК H01L 35/04 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 95101423/25, 06.01.1995 (46) Опубликовано: 16.04.1996 (71) Заявитель(и): Государственный научный центр Российской Федерации "Научно-производственное объединение "Орион" U 1 2 0 5 4 R U (57) Формула полезной модели 1. МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ, включающий параллельные полупроводниковые столбики p- и n-типов с тепло- и электроизоляционным материалом между ними, торцы которых, покрытые никелем, спаяны с коммутационной платой с нанесенной на нее многослойной металлизацией, отличающийся тем, что коммутационная плата выполнена из гибкой, прозрачной полиимидной пленки. 2. Модуль по п.1, отличающийся тем, что многослойная металлизация нанесена на обе стороны коммутационной платы с электрической связью между ними. Ñòðàíèöà: 1 U 1 (54) МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ 2 0 5 4 (73) Патентообладатель(и): Государственный научный центр Российской Федерации "Научно-производственное объединение "Орион" R U (72) Автор(ы): Власов О.А., Верный А.А., Лебедев В.Н., Першкова С.В., Теймуров Ш.Х., Хитрова Л.М., Хряпов В.Т. RU 2 054 U1 RU 2 054 U1 RU 2 054 U1 RU 2 054 U1

Подробнее
Номер записи: 113
16-07-1996 дата публикации

КОРПУС ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

Номер: RU0000002465U1
Автор: Гордеев А.И., Куц В.А., Насейкин В.О., Филиппов В.В., Шепилова Л.И.
Принадлежит: Государственное предприятие - Особое конструкторское бюро "Искра"

Корпус полупроводникового прибора, содержащий металлокерамическую ножку, состоящую из фланца с последовательно напаянными керамическими изоляторами для взаимной изоляции выводов и баллона, состоящего из трубчатого каркаса с впаянным в него керамическим изолятором, в отверстия которого также впаяны три наконечника, отличающийся тем, что фланец имеет плоскую ромбовидную форму с двумя строго ориентированными крепежными отверстиями. (19) RU (11) (13) 2 465 U1 (51) МПК H01L 23/02 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 94015460/20, 26.04.1994 (46) Опубликовано: 16.07.1996 (71) Заявитель(и): Государственное предприятие - Особое конструкторское бюро "Искра" 2 4 6 5 R U (57) Формула полезной модели Корпус полупроводникового прибора, содержащий металлокерамическую ножку, состоящую из фланца с последовательно напаянными керамическими изоляторами для взаимной изоляции выводов и баллона, состоящего из трубчатого каркаса с впаянным в него керамическим изолятором, в отверстия которого также впаяны три наконечника, отличающийся тем, что фланец имеет плоскую ромбовидную форму с двумя строго ориентированными крепежными отверстиями. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) КОРПУС ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2 4 6 5 (73) Патентообладатель(и): Государственное предприятие - Особое конструкторское бюро "Искра" R U (72) Автор(ы): Филиппов В.В., Шепилова Л.И., Гордеев А.И., Куц В.А., Насейкин В.О. RU 2 465 U1 RU 2 465 U1 RU 2 465 U1 RU 2 465 U1

Подробнее
Номер записи: 114
16-07-1996 дата публикации

КОРПУС ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

Номер: RU0000002467U1
Автор: Гордеев А.И., Куц В.А., Насейкин В.О., Севастьянов Н.В., Филиппов В.В., Шепилова Л.И.
Принадлежит: Государственное предприятие - Особое конструкторское бюро "Искра"

Корпус полупроводникового прибора, содержащий металлокерамическую ножку, состоящую из фланца с последовательно напаянными на него керамическим изолятором и выводами, и баллона, состоящего из трубчатого каркаса с впаянными в него керамическим изолятором, в отверстия которого впаяны три наконечника, отличающийся тем, что фланец имеет плоскую ромбовидную форму с двумя строго ориентированными сквозными крепежными отверстиями. (19) RU (11) (13) 2 467 U1 (51) МПК H01L 23/02 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 94015462/20, 26.04.1994 (46) Опубликовано: 16.07.1996 (71) Заявитель(и): Государственное предприятие - Особое конструкторское бюро "Искра" 2 4 6 7 R U (57) Формула полезной модели Корпус полупроводникового прибора, содержащий металлокерамическую ножку, состоящую из фланца с последовательно напаянными на него керамическим изолятором и выводами, и баллона, состоящего из трубчатого каркаса с впаянными в него керамическим изолятором, в отверстия которого впаяны три наконечника, отличающийся тем, что фланец имеет плоскую ромбовидную форму с двумя строго ориентированными сквозными крепежными отверстиями. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) КОРПУС ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2 4 6 7 (73) Патентообладатель(и): Государственное предприятие - Особое конструкторское бюро "Искра" R U (72) Автор(ы): Севастьянов Н.В., Филиппов В.В., Шепилова Л.И., Гордеев А.И., Куц В.А., Насейкин В.О. RU 2 467 U1 RU 2 467 U1 RU 2 467 U1 RU 2 467 U1

Подробнее
Номер записи: 115
16-07-1996 дата публикации

МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ОХЛАЖДАЮЩИЙ МОДУЛЬ

Номер: RU0000002468U1
Автор: Беляев Владислав Петрович, Верный Александр Абрамович, Лебедев Вильям Николаевич, Хитрова Людмила Михайловна, Хряпов Владимир Тимофеевич
Принадлежит: Беляев Владислав Петрович, Верный Александр Абрамович, Лебедев Вильям Николаевич, Хитрова Людмила Михайловна, Хряпов Владимир Тимофеевич

Многоэлементный термоэлектрический охлаждающий модуль, включающий параллельные полупроводниковые столбики р- и п-типов с тепло- и электроизоляционным материалом между ними, многослойное металлическое покрытие, попарно соединяющее столбики р- и п-типов в последовательную цепочку с двумя внешними электрическими выводами и жестко связанное с электроизоляционными пластинами, отличающийся тем, что в качестве тепло- и электроизоляционного материала между столбиками использован полимерный пористый компаунд, а для жесткой связи с электроизоляционной пластиной между многослойным металлическим покрытием каждой пары столбиков, полимерным пористым компаундом и электроизоляционной пластиной размещен слой теплопроводного электроизоляционного клея. (19) RU (11) (13) 2 468 U1 (51) МПК H01L 35/34 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 94012900/25, 13.04.1994 (46) Опубликовано: 16.07.1996 (71) Заявитель(и): Лебедев Вильям Николаевич, Беляев Владислав Петрович, Хитрова Людмила Михайловна, Верный Александр Абрамович, Хряпов Владимир Тимофеевич U 1 2 4 6 8 R U (57) Формула полезной модели Многоэлементный термоэлектрический охлаждающий модуль, включающий параллельные полупроводниковые столбики р- и п-типов с тепло- и электроизоляционным материалом между ними, многослойное металлическое покрытие, попарно соединяющее столбики р- и п-типов в последовательную цепочку с двумя внешними электрическими выводами и жестко связанное с электроизоляционными пластинами, отличающийся тем, что в качестве тепло- и электроизоляционного материала между столбиками использован полимерный пористый компаунд, а для жесткой связи с электроизоляционной пластиной между многослойным металлическим покрытием каждой пары столбиков, полимерным пористым компаундом и электроизоляционной пластиной размещен слой теплопроводного электроизоляционного клея. Ñòðàíèöà: 1 U 1 (54) МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ОХЛАЖДАЮЩИЙ МОДУЛЬ 2 4 6 8 ( ...

Подробнее
Номер записи: 116
16-08-1996 дата публикации

АКУСТИЧЕСКИЙ ДАТЧИК

Номер: RU0000002682U1
Автор: Alekseev V.A., Kabanov A.A., Sidorenko A.S., Алексеев В.А., Кабанов А.А., Сидоренко А.С.
Принадлежит: Tovarishchestvo s ogranichennoj otvetstvennost'ju - Firma "Abigar", Товарищество с ограниченной ответственностью - Фирма "Абигар"

Акустический датчик, содержащий корпус и пьезоэлемент, размещенный на концентраторе, отличающийся тем, что он снабжен основанием с по меньшей мере тремя выступами со стороны, обращенной к контролируемой поверхности, а также инерционным элементом и пружиной зонтичного изгиба, при этом концентратор выполнен в виде конического выступа в центре основания, а пьезоэлемент размещен на этом выступе и подпружинен к нему через инерционный элемент. (19) RU (11) (13) 2 682 U1 (51) МПК H01L 41/08 (1995.01) G01M 3/24 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 95112448/20, 01.08.1995 (46) Опубликовано: 16.08.1996 (71) Заявитель(и): Товарищество с ограниченной ответственностью - Фирма "Абигар", Tovarishchestvo s ogranichennoj otvetstvennost'ju - Firma "Abigar" U 1 2 6 8 2 R U (57) Формула полезной модели Акустический датчик, содержащий корпус и пьезоэлемент, размещенный на концентраторе, отличающийся тем, что он снабжен основанием с по меньшей мере тремя выступами со стороны, обращенной к контролируемой поверхности, а также инерционным элементом и пружиной зонтичного изгиба, при этом концентратор выполнен в виде конического выступа в центре основания, а пьезоэлемент размещен на этом выступе и подпружинен к нему через инерционный элемент. Ñòðàíèöà: 1 U 1 (54) АКУСТИЧЕСКИЙ ДАТЧИК 2 6 8 2 (73) Патентообладатель(и): Товарищество с ограниченной ответственностью - Фирма "Абигар", Tovarishchestvo s ogranichennoj otvetstvennost'ju - Firma "Abigar" R U (72) Автор(ы): Кабанов А.А., Сидоренко А.С., Алексеев В.А., Kabanov A.A. , Sidorenko A.S. , Alekseev V.A. RU 2 682 U1 RU 2 682 U1 RU 2 682 U1 RU 2 682 U1

Подробнее
Номер записи: 117
16-09-1996 дата публикации

КАМЕРА ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ МЕТОДОМ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ

Номер: RU0000002888U1
Автор: Горбылев В.А., Залевский И.Д.
Принадлежит: Акционерное общество закрытого типа "Сигма-Плюс", Залевский Игорь Дмитриевич

Камера для осаждения слоев методом МОС-гидридной эпитаксии, включающая корпус, в котором размещены кварцевый реактор, блок подложкодержателя, содержащий станину и плату, а также три полых кварцевых стержня, один конец каждого из которых помещен в станине блока подложкодержателя, а противоположные концы соединены с устройством для их перемещения, отличающаяся тем, что в корпусе камеры, выполненной из металла, инертного по отношению к ПГС и продуктам реакции, дополнительно размещен нагревательный элемент, станина блока подложкодержателя жестко соединена со стенкой реактора, стержни размещены перпендикулярно по отношению к стенкам реактора в соосных отверстиях в реакторе и основании станины, расположенных на равном расстоянии от центра станины и друг от друга. (19) RU (11) (13) 2 888 U1 (51) МПК H01L 21/205 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 95112214/20, 18.07.1995 (46) Опубликовано: 16.09.1996 (71) Заявитель(и): Акционерное общество закрытого типа "Сигма-Плюс" (73) Патентообладатель(и): Акционерное общество закрытого типа "Сигма-Плюс", Залевский Игорь Дмитриевич U 1 2 8 8 8 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Камера для осаждения слоев методом МОС-гидридной эпитаксии, включающая корпус, в котором размещены кварцевый реактор, блок подложкодержателя, содержащий станину и плату, а также три полых кварцевых стержня, один конец каждого из которых помещен в станине блока подложкодержателя, а противоположные концы соединены с устройством для их перемещения, отличающаяся тем, что в корпусе камеры, выполненной из металла, инертного по отношению к ПГС и продуктам реакции, дополнительно размещен нагревательный элемент, станина блока подложкодержателя жестко соединена со стенкой реактора, стержни размещены перпендикулярно по отношению к стенкам реактора в соосных отверстиях в реакторе и основании станины, расположенных на равном расстоянии от центра станины и друг от друга. 2 8 ...

Подробнее
Номер записи: 118
16-03-1997 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЖИДКОСТНОГО ТРАВЛЕНИЯ

Номер: RU0000003838U1
Автор: Иванов В.Ю.
Принадлежит: Научно-производственное объединение "Орион"

Устройство для жидкостного травления, содержащее емкость для травителя с размещенными внутри нее дефлектором потока травителя и объектом травления, и центробежный насос, включающий обойму с ротором, отличающееся тем, что обойма с ротором насоса размещена внутри емкости для травителя, ротору насоса приданы магнитные свойства, на центральной части крышки обоймы ротора как на опоре размещен объект травления, вне емкости соосно с насосом размещен магнит привода. (19) RU (11) (13) 3 838 U1 (51) МПК H01L 21/302 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 95102085/20, 13.02.1995 (46) Опубликовано: 16.03.1997 (71) Заявитель(и): Научно-производственное объединение "Орион" (72) Автор(ы): Иванов В.Ю. U 1 3 8 3 8 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Устройство для жидкостного травления, содержащее емкость для травителя с размещенными внутри нее дефлектором потока травителя и объектом травления, и центробежный насос, включающий обойму с ротором, отличающееся тем, что обойма с ротором насоса размещена внутри емкости для травителя, ротору насоса приданы магнитные свойства, на центральной части крышки обоймы ротора как на опоре размещен объект травления, вне емкости соосно с насосом размещен магнит привода. 3 8 3 8 (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЖИДКОСТНОГО ТРАВЛЕНИЯ R U (73) Патентообладатель(и): Научно-производственное объединение "Орион" RU 3 838 U1 RU 3 838 U1 RU 3 838 U1 RU 3 838 U1 RU 3 838 U1 RU 3 838 U1

Подробнее
Номер записи: 119
16-03-1997 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР

Номер: RU0000003839U1
Автор: Воронков В.Б., Грехов И.В., Козлов В.А.
Принадлежит: Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН

Полупроводниковый прибор, содержащий последовательно расположенные р, n и n слои с боковой поверхностью, образующий угол 20≅α≅45 с плоскостями p и n слоев, отличающийся тем, что участок р слоя длиной l ≅ 1/3 W  , примыкающий к упомянутой боковой поверхности, расположен под углом 10≅α≅45 к остальной части p слоя, где W   - ширина области объемного заряда на боковой поверхности при напряжении лавинного пробоя. (19) RU (11) (13) 3 839 U1 (51) МПК H01L 29/00 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 95109009/20, 01.06.1995 (46) Опубликовано: 16.03.1997 (71) Заявитель(и): Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН (73) Патентообладатель(и): Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН U 1 слоев, отличающийся тем, что участок р слоя длиной l ≅ 1/3 W0 0 3, примыкающий к упомянутой боковой поверхности, расположен под углом 10 °≅α2≅45 ° к остальной части p слоя, где W0 0 3 - ширина области объемного заряда на боковой поверхности R U 3 8 3 9 при напряжении лавинного пробоя. Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Полупроводниковый прибор, содержащий последовательно расположенные р, n и n + слои с боковой поверхностью, образующий угол 20 °≅α1≅45 ° с плоскостями p и n 3 8 3 9 (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР R U (72) Автор(ы): Грехов И.В., Козлов В.А., Воронков В.Б. RU 3 839 U1 RU 3 839 U1 RU 3 839 U1 RU 3 839 U1 RU 3 839 U1 RU 3 839 U1 RU 3 839 U1

Подробнее
Номер записи: 120
16-07-1997 дата публикации

КРЕМНИЕВАЯ ЭПИТАКСИАЛЬНАЯ СТРУКТУРА

Номер: RU0000004633U1
Автор: Бурьба В.В., Жилин Л.М., Матовников В.А., Натарин П.К., Шеин Ю.Ф.
Принадлежит: Акционерное общество "Кремний"

1. Кремниевая эпитаксиальная структура, включающая опорный слой кремния с концентрацией донорной примеси более 1•10  см  и рабочий слой кремния с концентрацией донорной примеси менее 1•10  см , отличающаяся тем, что между опорным и рабочими слоями сформированы два дополнительных легированных фосфором слоя, один из которых, прилегающий к опорному слою, имеет толщину d = 0,5 - 5 мкм и удельное сопротивление ρ= (1 - 50)ρ, второй, прилегающий к опорному слою, имеет толщину d= (0,5 - 0,9)d и удельное сопpотивление ρ= (0,02 - 2)ρ где d - толщина первого дополнитнльного слоя; ρ - удельное сопротивление первого дополнительного слоя; ρ - удельное сопротивление опорного слоя; d - толщина второго дополнительного слоя; d - расчетная и экспериментальная суммарная глубина диффузии в рабочий слой; ρ - удельное сопротивление второго дополнительного слоя; ρ - удельное сопротивление рабочего слоя. 2. Структура по п.10, отличающаяся тем, что первый дополнительный слой сформирован в опорном слое. 3. Структура по п.1, отличающаяся тем, что на обратной стороне опорного слоя сформирован слой поликремния. (19) RU (11) (13) 4 633 U1 (51) МПК H01L 21/20 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 93053653/25, 06.12.1993 (46) Опубликовано: 16.07.1997 (71) Заявитель(и): Акционерное общество "Кремний" R U (72) Автор(ы): Жилин Л.М., Матовников В.А., Бурьба В.В., Натарин П.К., Шеин Ю.Ф. (73) Патентообладатель(и): Акционерное общество "Кремний" U 1 R U 4 6 3 3 0,5 - 5 мкм и удельное сопротивление ρ1= (1 - 50)ρo c, второй, прилегающий к опорному слою, имеет толщину d2= (0,5 - 0,9)dΣ д и ф . ф . и удельное сопpотивление ρ2= (0,02 - 2)ρp c где d1 - толщина первого дополнитнльного слоя; ρ1 - удельное сопротивление первого дополнительного слоя; ρo c - удельное сопротивление опорного слоя; d2 - толщина второго дополнительного слоя; dΣ д и ф . ф . - расчетная и экспериментальная суммарная глубина диффузии в рабочий слой; ρ2 ...

Подробнее
Номер записи: 121
05-01-2012 дата публикации

Laptop computer support

Номер: US20120000398A1
Автор: Barry P. Sween, Richard James Elgie
Принадлежит: Belkin International Inc

Articles for supporting computers on users' laps and for isolating the users from heat from the computers. Embodiments may include a body, a top surface for contacting the computer, a bottom surface for contacting the user's lap, and back and front walls or surfaces. In various embodiments, the body defines a hollow area and a side opening, the back is taller than the front, the top surface is at an acute angle to the bottom surface, the bottom surface has a greater horizontal dimension from front to back than the top surface, the bottom surface has a greater horizontal dimension from left to right than the top surface; the article has a cross section that is a trapezoid (e.g., isosceles), the article comprises a foam portion (e.g., tubular) and fabric covering the foam portion, or a combination thereof. In some embodiments, each surface comprises the foam covered with fabric.

Подробнее
Номер записи: 122
16-08-1997 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СТРУКТУРА НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ

Номер: RU0000004857U1
Автор: Могильная Т.Ю., Смирнова Н.В., Суминов В.М.
Принадлежит: Московский государственный авиационный технологический университет им.К.Э.Циолковского

Полупроводниковая структура на основе кремния, состоящая из кремниевой подложки и слоя диоксида кремния, отличающаяся тем, что между подложкой и слоем диоксида кремния имеется дополнительный слой кремния толщиной не более толщины слоя диоксида кремния, слой диоксида кремния и дополнительный слой кремния содержат свинец, причем в дополнительном слое количество его составляет 1,5 - 2,2% от содержания кремния. (19) RU (11) (13) 4 857 U1 (51) МПК H01L 21/31 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 95102910/20, 01.03.1995 (46) Опубликовано: 16.08.1997 (71) Заявитель(и): Московский государственный авиационный технологический университет им.К.Э.Циолковского 4 8 5 7 R U (57) Формула полезной модели Полупроводниковая структура на основе кремния, состоящая из кремниевой подложки и слоя диоксида кремния, отличающаяся тем, что между подложкой и слоем диоксида кремния имеется дополнительный слой кремния толщиной не более толщины слоя диоксида кремния, слой диоксида кремния и дополнительный слой кремния содержат свинец, причем в дополнительном слое количество его составляет 1,5 - 2,2% от содержания кремния. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СТРУКТУРА НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ 4 8 5 7 (73) Патентообладатель(и): Московский государственный авиационный технологический университет им.К.Э.Циолковского R U (72) Автор(ы): Суминов В.М., Могильная Т.Ю., Смирнова Н.В. RU 4 857 U1 RU 4 857 U1 RU 4 857 U1 RU 4 857 U1

Подробнее
Номер записи: 123
16-08-1997 дата публикации

ВСТРОЕННЫЙ АВТОМОБИЛЬНЫЙ ХОЛОДИЛЬНИК

Номер: RU0000004858U1
Автор: Захарцев Ю.В.
Принадлежит: ТОО "Комплексные термоэлектрические системы"

Встроенный автомобильный холодильник, содержащий корпус, состоящий из рабочей камеры, крышки и откидного столика, и агрегат охлаждения, включающий источник холода, радиатор теплосброса, вентилятор и регулятор температуры, а также радиатор теплопоглощения, отличающийся тем, что агрегат охлаждения в качестве источника холода содержит по крайней мере один термоэлектрический модуль, работающий на эффекте Пельтье, регулятор температуры, радиатор теплосброса и вентилятор установлены на внешней стенке корпуса, регулятор теплопоглощения выполнен на внутренней стенке корпуса в виде металлической обшивки, при этом тепловыделяющая и теплопоглощающая поверхности модуля находятся в тепловом контакте с радиатором теплосброса и радиатором теплопоглощения соответственно. (19) RU (11) (13) 4 858 U1 (51) МПК H01L 35/00 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 96112873/20, 27.06.1996 (46) Опубликовано: 16.08.1997 (71) Заявитель(и): ТОО "Комплексные термоэлектрические системы" (72) Автор(ы): Захарцев Ю.В. U 1 4 8 5 8 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Встроенный автомобильный холодильник, содержащий корпус, состоящий из рабочей камеры, крышки и откидного столика, и агрегат охлаждения, включающий источник холода, радиатор теплосброса, вентилятор и регулятор температуры, а также радиатор теплопоглощения, отличающийся тем, что агрегат охлаждения в качестве источника холода содержит по крайней мере один термоэлектрический модуль, работающий на эффекте Пельтье, регулятор температуры, радиатор теплосброса и вентилятор установлены на внешней стенке корпуса, регулятор теплопоглощения выполнен на внутренней стенке корпуса в виде металлической обшивки, при этом тепловыделяющая и теплопоглощающая поверхности модуля находятся в тепловом контакте с радиатором теплосброса и радиатором теплопоглощения соответственно. 4 8 5 8 (54) ВСТРОЕННЫЙ АВТОМОБИЛЬНЫЙ ХОЛОДИЛЬНИК R U (73) Патентообладатель(и): ТОО " ...

Подробнее
Номер записи: 124
16-09-1997 дата публикации

ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ БАТАРЕЯ

Номер: RU0000005047U1
Автор: Захарцев Ю.В.
Принадлежит: Товарищество с ограниченной ответственностью "Комплексные термоэлектрические системы"

1. Термоэлектрическая батарея, содержащая по меньшей мере один ряд чередующихся полупроводниковых стержней n-типа и p-типа, расположенных продольно на расстоянии между собой, и поперечно расположенные между ними теплообменные элементы из электро- и теплопроводного материала, каждый из которых соединен с двумя соседними полупроводниковыми стержнями, причем по меньшей мере один теплообменный элемент выполнен петлеобразным с первым концом, электрически и жестко механически соединенным с одним из соседних полупроводниковых стержней, и вторым концом, электрически и жестко механически соединенным с другим из соседних полупроводниковых стержней, отличающаяся тем, что петлеобразный теплообменный элемент выполнен незамкнутым с зазором между его концами, соединенными с соседними полупроводниковыми стержнями. 2. Батарея по п.1, отличающаяся тем, что незамкнутый петлеобразный теплообменный элемент выполнен из двух частей, жестко соединенных между собой со стороны, противоположной его концам. 3. Батарея по п.1, отличающаяся тем, что она снабжена по меньшей мере одним кожухом, охватывающим полупроводниковые стержни и концы теплообменных элементов, соединенные с полупроводниковыми стержнями. 4. Батарея по п. 3, отличающаяся тем, что кожух выполнен с пазами для прохода концов теплообменных элементов, соединенных с полупроводниковыми стержнями, и снабжен установленными в пазах уплотнителями. (19) RU (11) (13) 5 047 U1 (51) МПК H01L 35/28 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 96113299/20, 04.07.1996 (46) Опубликовано: 16.09.1997 (71) Заявитель(и): Товарищество с ограниченной ответственностью "Комплексные термоэлектрические системы" (73) Патентообладатель(и): Товарищество с ограниченной ответственностью "Комплексные термоэлектрические системы" Ñòðàíèöà: 1 U 1 5 0 4 7 R U U 1 (57) Формула полезной модели 1. Термоэлектрическая батарея, содержащая по меньшей мере один ряд чередующихся ...

Подробнее
Номер записи: 125
16-10-1997 дата публикации

МИКРОЭНЕРГОМОДУЛЬ

Номер: RU0000005290U1
Автор: Шрейбер Борис Танхумович
Принадлежит: Шрейбер Борис Танхумович

Микроэнергомодуль, содержащий корпус, фотоэлектрический преобразователь (ФЭП), аккумулятор и электроды его подключения, отличающийся тем, что он содержит концентратор светового потока, микропереключатель, лампочку и ее электроды, крышку аккумулятора, верхний и нижний фиксирующие обручи и электрические связи, соединяющие плюсовой выход ФЭП с одноименным электродом аккумулятора и первым входом лампочки, минусовой выход ФЭП через нормально замкнутые контакты микропереключателя - с минусовым электродом аккумулятора, а третий нормально отключенный контакт микропереключателя соединен с вторым электродом лампочки, причем корпус состоит из левой и правой разъемных частей, зеркально симметричных относительно центральной вертикальной оси и содержащих симметричные внутренние пазы для свободной установки концентратора светового потока, ФЭП, микропереключателя, аккумулятора и лампочки, а также вертикальные пазы электрических связей и шарикового стержня и горизонтальные наружные пазы верхнего и нижнего фиксирующих обручей, при этом концентратор выполнен открытым снаружи для попадания на него внешнего светового потока, а паз концентратора сообщается с пазом ФЭП, через паз микропереключателя выведена наружу кнопка микропереключателя, лампочка выведена наружу в нижней части корпуса, установленные в свои пазы концентратор, ФЭП, микропереключатель, лампочка и их связи охватываются левой и правой частями корпуса и скрепляются верхним фиксирующим обручем, одевающимся на свой паз сверху устройства, аккумулятор и шариковый стержень скрепляются в устройстве с помощью нижнего фиксирующего обруча, одевающегося на свой паз снизу устройства, аккумулятор в своем пазу прижимается к своим электродам с помощью крышки аккумулятора, охватываемой нижним фиксирующим обручем, верхний фиксирующий обруч выполнен таким образом, что одновременно является прищепкой устройства. (19) RU (11) (13) 5 290 U1 (51) МПК H01L 31/04 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ ...

Подробнее
Номер записи: 126
16-11-1997 дата публикации

ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРИЕМНИК ИЗЛУЧЕНИЯ

Номер: RU0000005472U1
Автор: Долганин Юрий Никитович, Загулин Виктор Владимирович
Принадлежит: Долганин Юрий Никитович, Загулин Виктор Владимирович

Пироэлектрический приемник излучения, содержащий размещенные в герметичном корпусе, подложку и два чувствительных элемента, выходы которых соединены по дифференциальной схеме, отличающийся тем, что чувствительные элементы расположены по обе стороны подложки напротив друг друга. (19) RU (11) (13) 5 472 U1 (51) МПК H01L 31/00 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 96119054/20, 24.09.1996 (46) Опубликовано: 16.11.1997 (71) Заявитель(и): Долганин Юрий Никитович, Загулин Виктор Владимирович (73) Патентообладатель(и): Долганин Юрий Никитович, Загулин Виктор Владимирович U 1 5 4 7 2 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Пироэлектрический приемник излучения, содержащий размещенные в герметичном корпусе, подложку и два чувствительных элемента, выходы которых соединены по дифференциальной схеме, отличающийся тем, что чувствительные элементы расположены по обе стороны подложки напротив друг друга. 5 4 7 2 (54) ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРИЕМНИК ИЗЛУЧЕНИЯ R U (72) Автор(ы): Долганин Юрий Никитович, Загулин Виктор Владимирович RU 5 472 U1 RU 5 472 U1 RU 5 472 U1 RU 5 472 U1 RU 5 472 U1

Подробнее
Номер записи: 127
16-12-1997 дата публикации

ЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО

Номер: RU0000005680U1
Автор: Скупов В.Д., Смолин В.К.
Принадлежит: Научно-исследовательский институт измерительных систем

Электронное устройство, например датчик параметров внешней среды, содержащий монокристаллическую кремниевую подложку со сформированными на ее рабочей стороне резистивными элементами, закрепленную в корпусе через теплоизолирующую прокладку, отличающееся тем, что прокладка выполнена заодно с подложкой из окисленного пористого кремния. (19) RU (11) (13) 5 680 U1 (51) МПК H01L 23/34 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 96114071/20, 16.07.1996 (46) Опубликовано: 16.12.1997 (71) Заявитель(и): Научно-исследовательский институт измерительных систем (73) Патентообладатель(и): Научно-исследовательский институт измерительных систем U 1 5 6 8 0 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Электронное устройство, например датчик параметров внешней среды, содержащий монокристаллическую кремниевую подложку со сформированными на ее рабочей стороне резистивными элементами, закрепленную в корпусе через теплоизолирующую прокладку, отличающееся тем, что прокладка выполнена заодно с подложкой из окисленного пористого кремния. 5 6 8 0 (54) ЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО R U (72) Автор(ы): Скупов В.Д., Смолин В.К. RU 5 680 U1 RU 5 680 U1 RU 5 680 U1 RU 5 680 U1 RU 5 680 U1 RU 5 680 U1

Подробнее
Номер записи: 128
16-02-1998 дата публикации

ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР

Номер: RU0000006088U1
Автор: Алешин В.Н., Копылов О.Г., Шалаев Н.В.
Принадлежит: Акционерное общество "Позит" (Правдинский опытный завод источников тока)

1. Термоэлектрический генератор, содержащий корпус, в котором размещены термоэлектрические модули, каждый из которых состоит из термоэлектрических батарей с примыкающими к ним "горячим" теплообменником и радиатором, и газовые горелки, расположенные вблизи "горячих" теплообменников, отличающийся тем, что в него дополнительно введены рама, перегородки, выполненные с возможностью взаимного перемещения, и стяжные элементы, распределенные по крайней мере вдоль одной из сторон рамы, причем перегородки размещены во взаимно перпендикулярных плоскостях и образуют параллельные ряды ячеек, в каждой из которых установлен термоэлектрический модуль, при этом горелки выполнены в виде параллельно расположенных трубчатых насадок, установленных перпендикулярно рядам ячеек. 2. Генератор по п. 1, отличающийся тем, что "горячий" теплообменник каждого термоэлектрического модуля имеет форму параллелепипеда с системой вертикальных каналов, на противоположных боковых поверхностях которого расположены термоэлектрические батареи, при этом он размещен над насадком горелки. 3. Генератор по п. 1, отличающийся тем, что каждый трубчатый насадок выполнен с огневыми отверстиями и запальными отверстиями, размещенными вдоль образующей трубчатого насадка, причем огневые отверстия расположены вблизи центральной зоны "горячего" теплообменника, а запальные отверстия расположены между смежными ячейками. 4. Генератор по п.3, отличающийся тем, что диаметр огневого отверстия превышает диаметр запального отверстия, а расстояние между смежными огневыми отверстиями превышает расстояние между смежными запальными отверстиями. 5. Генератор по п.1, отличающийся тем, что в него дополнительно введены теплоизоляционные проставки, расположенные между "горячими" теплообменниками смежных ячеек, и металлические перемычки, размещенные на проставках и примыкающие к смежным "горячим" теплообменникам. 6. Генератор по п.5, отличающийся тем, что перемычки выполнены из металла с высоким значением коэффициента отражения. 7. ...

Подробнее
Номер записи: 129
16-03-1998 дата публикации

ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР

Номер: RU0000006284U1
Автор: Алешин В.Н., Копылов О.Г., Шалаев Н.В.
Принадлежит: Акционерное общество "Позит" (Правдинский опытный завод источников тока)

1. Термоэлектрический генератор, содержащий термоэлектрическую сборку и источник тепловой энергии, выполненный в виде баллона с органическим топливом и горелки-светильника, размещенной над ним, при этом термоэлектрическая сборка состоит из теплообменника с вертикально ориентированными каналами, на боковых поверхностях которого расположены термоэлектрические батареи с размещенными на них последовательно расположенными радиаторами и пластинчатыми пужинами, оболочки, охватывающей с натягом сборку и опорных элементов, выполненных в виде стержней, отличающийся тем, что в него дополнительно введены отражатель, установленный над теплообменником, и кольцевые опоры, присоединенные к стержням, при этом отражатель выполнен в виде округлой поверхности, выступающей за пределы теплообменника, а одна из кольцевых опор размещена на баллоне и имеет внутренний диаметр, не превышающий наружный диаметр баллона. 2. Генератор по п.1, отличающийся тем, что расстояние от верхней поверхности теплообменника до отражателя составляет 0,5 - 0,8 величины диаметра отражателя. 3. Генератор по п.1, отличающийся тем, что отражатель ориентирован соосно с центральной вертикальной осью теплообменника и выступает за его пределы на расстояние, составляющее 0,05 - 0,25 величины диаметра отражателя. 4. Генератор по п.1, отличающийся тем, что внутренняя часть отражателя выполнена из материала, степень черноты которого не превышает 0,1. 5. Генератор по п.1, отличающийся тем, что стержни выступают за пределы кольцевой опоры, размещенной на баллоне, на 10 - 15 мм. (19) RU (11) (13) 6 284 U1 (51) МПК H01L 35/32 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 97106606/20, 17.04.1997 (71) Заявитель(и): Акционерное общество "ПОЗИТ" (Правдинский опытный завод источников тока) (46) Опубликовано: 16.03.1998 6 2 8 4 R U (57) Формула полезной модели 1. Термоэлектрический генератор, содержащий термоэлектрическую сборку и источник тепловой ...

Подробнее
Номер записи: 130
05-01-2012 дата публикации

Multi-directional solar energy collector system

Номер: US20120000509A1
Автор: Cheng-Hong Chen
Принадлежит: Epistar Corp

The present disclosure provides a multi-directional solar energy collector system. It comprises a light concentration device which includes one or plural light concentration lens and one or plural chambers. By means of the light concentration device, the incoming light can be concentrated once or multiple time, then is guided to the solar cell. The system is able to collect incoming light from various directions without consuming additional power.

Подробнее
Номер записи: 131
05-01-2012 дата публикации

Graphene Solar Cell

Номер: US20120000516A1
Автор: Ageeth A. Bol, Ahmed Maarouf, Amal Kasry, Dennis M. Newns, George S. Tulevski, Glenn J. Martyna, Razvan A. Nistor
Принадлежит: Egypt Nanotechnology Center EGNC, International Business Machines Corp

A solar cell includes a semiconductor portion, a graphene layer disposed on a first surface of the semiconductor portion, and a first conductive layer patterned on the graphene layer, the first conductive layer including at least one bus bar portion and a plurality of fingers extending from the at least one bus bar portion.

Подробнее
Номер записи: 132
05-01-2012 дата публикации

Graphene Solar Cell And Waveguide

Номер: US20120000521A1
Автор: Ageeth A. Bol, Ahmed Maarouf, Amal Kasry, Dennis M. Newns, George S. Tulevski, Glenn J. Martyna, Marcelo Kuroda, Razvan A. Nistor
Принадлежит: Egypt Nanotechnology Center EGNC, International Business Machines Corp

A solar cell includes a semiconductor portion, a graphene layer disposed on a first surface of the semiconductor portion, and a first conductive layer patterned on the graphene layer, the first conductive layer including at least one bus bar portion, a plurality of fingers extending from the at least one bus bar portion, and a refractive layer disposed on the first conductive layer.

Подробнее
Номер записи: 133
05-01-2012 дата публикации

Moisture resistant cord plate for a photovoltaic module

Номер: US20120000524A1
Автор: Brian E. Cohen, George Bukovinszky, James J. Poddany, Raymond Domsic
Принадлежит: Individual

This invention relates to a moisture resistant cord plate for a photovoltaic module, methods of manufacturing photovoltaic modules, and methods for generating electricity from photovoltaic modules.

Подробнее
Номер записи: 134
05-01-2012 дата публикации

CIGS Solar Cell and Method for Manufacturing thereof

Номер: US20120000531A1
Автор: Yan-Way LI
Принадлежит: GCSOL Tech CO Ltd

A CIGS solar cell includes a glass substrate, a light absorbing surface and a photoelectric transducer structure. The glass substrate includes a plurality of arrayed protrusions. The arrayed protrusions protrude from at least one surface of the glass substrate, wherein the depth from the top of the arrayed protrusions to the bottom of the arrayed protrusions is predetermined. The light absorbing surface is located on the top of the arrayed protrusions, the side of the arrayed protrusions and the surface of the glass substrate between the arrayed protrusions. The photoelectric transducer structure includes an n-type semiconductor layer, an i-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer.

Подробнее
Номер записи: 135
16-04-1998 дата публикации

УСТАНОВКА ДЛЯ НЕПРЕРЫВНОЙ ХИМИЧЕСКОЙ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ИЗДЕЛИЙ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

Номер: RU0000006469U1
Автор: Клюева Т.Б., Красников Г.Я., Просий А.Д., Савельев В.А., Селиванова И.Н., Хаханина Т.И.
Принадлежит: Хаханина Татьяна Ивановна

Установка для непрерывной жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, включающая рабочую ванну, электрохимическую ячейку, подключенную к системе электропитания, напорный, накопительный и сборный баки, фильтры и насосы, соединенные между собой с помощью трубопроводов и запорнорегулирующей арматуры в гидравлическую систему, отличающаяся тем, что гидравлическая система циркуляции раствора выполнена в виде двух сообщающихся между собой контуров: контура очистки пластин и контура активации - очистки раствора; накопительный бак для активированного раствора в напорный бак, а сборный бак сообщен дополнительным трубопроводом с линией передачи раствора в рабочую ванну. (19) RU (11) (13) 6 469 U1 (51) МПК H01L 21/312 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 97100953/20, 21.01.1997 (46) Опубликовано: 16.04.1998 (71) Заявитель(и): Хаханина Татьяна Ивановна 6 4 6 9 R U (57) Формула полезной модели Установка для непрерывной жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, включающая рабочую ванну, электрохимическую ячейку, подключенную к системе электропитания, напорный, накопительный и сборный баки, фильтры и насосы, соединенные между собой с помощью трубопроводов и запорнорегулирующей арматуры в гидравлическую систему, отличающаяся тем, что гидравлическая система циркуляции раствора выполнена в виде двух сообщающихся между собой контуров: контура очистки пластин и контура активации - очистки раствора; накопительный бак для активированного раствора в напорный бак, а сборный бак сообщен дополнительным трубопроводом с линией передачи раствора в рабочую ванну. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) УСТАНОВКА ДЛЯ НЕПРЕРЫВНОЙ ХИМИЧЕСКОЙ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ИЗДЕЛИЙ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН 6 4 6 9 (73) Патентообладатель(и): Хаханина Татьяна Ивановна R U (72) Автор(ы): Хаханина Т.И., Клюева Т.Б., ...

Подробнее
Номер записи: 136
16-04-1998 дата публикации

ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ОХЛАЖДАЮЩИЙ МОДУЛЬ

Номер: RU0000006470U1
Автор: Каменский В.Т.
Принадлежит: Специализированное конструкторско-технологическое бюро "Норд"

1. Термоэлектрический охлаждающий модуль, содержащий полупроводниковые ветви n- и р-типов проводимости, соединенные коммутационными шинами, которые присоединены соответственно к охлаждающей и к теплоотводящей теплообменной пластине, отличающийся тем, что каждая из коммутационных шин, расположенных по крайней мере на одной из теплообменных пластин, присоединена к ней посредством теплоконтактного соединения, выполненного в виде слоя упругого клеевого компаунда. 2. Модуль по п.1, отличающийся тем, что коммутационные шины, расположенные на охлаждающей теплообменной пластине, присоединены к ней посредством теплоконтактных соединений, выполненных из упругого клеевого компаунда. 3. Модуль по п.1, отличающийся тем, что толщина слоя упругого клеевого компаунда 10 - 50 мкм. 4. Модуль по п.1, отличающийся тем, что компаунд выполнен из вещества на силоксановой основе. 5. Модуль по п.1, отличающийся тем, что компаунд выполнен из силиконовой резины. 6. Модуль по п.1, отличающийся тем, что каждая коммутационная шина присоединена к соответствующей теплообменной пластине посредством теплоконтактного соединения, выполненного в виде слоя упругого клеевого компаунда. 7. Модуль по п.6, отличающийся тем, что он выполнен каскадным и состоит из термоэлектрических батарей, разделенных теплообменными пластинами, присоединенными к коммутационным шинам батарей посредством упругого клеевого компаунда. (19) RU (11) (13) 6 470 U1 (51) МПК H01L 35/28 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 97114936/20, 11.09.1997 (46) Опубликовано: 16.04.1998 (71) Заявитель(и): Специализированное конструкторско-технологическое бюро "Норд" (73) Патентообладатель(и): Специализированное конструкторско-технологическое бюро "Норд" Ñòðàíèöà: 1 U 1 6 4 7 0 R U U 1 (57) Формула полезной модели 1. Термоэлектрический охлаждающий модуль, содержащий полупроводниковые ветви n- и р-типов проводимости, соединенные коммутационными шинами, ...

Подробнее
Номер записи: 137
16-06-1998 дата публикации

УСТАНОВКА ДЛЯ ОТМЫВКИ И НАНЕСЕНИЯ КОМПОЗИЦИИ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛАСТИНЫ

Номер: RU0000006944U1
Автор: Камынин Андрей Николаевич
Принадлежит: Камынин Андрей Николаевич

Установка для отмывки и нанесения композиции на полупроводниковые пластины, содержащая вращающийся от центрифуги рабочий столик с отверстием для вакуумного присасывания, дозирующие устройства, защитный кожух, механизм подачи пластин и механизм приема обработанных пластин, которые расположены по разные стороны установки относительно рабочего столика, отличающаяся тем, что механизм подачи пластин имеет центрирующие шторки, выполненные наклонно, нижний размер которых соответствует диаметру обрабатываемой пластины, вакуумные присоски обоих механизмов перемещения пластин закреплены на каретках, имеющих общие для них направляющие, соединенные с помощью рычагов с пневмоцилиндрами, а рабочий столик выполнен с возможностью подъема и опускания и снабжен защитным кожухом с кольцом-ловушкой, выполненной по периметру кожуха под острым углом разбрызгиваемому потоку воздуха с отработанными частицами и имеющий резервуар для отработанных частиц, а также около рабочего столика размещен щеточный узел с двумя щетками для отмывки пластин. (19) RU (11) (13) 6 944 U1 (51) МПК H01L 21/304 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 97109129/20, 30.05.1997 (46) Опубликовано: 16.06.1998 (71) Заявитель(и): Камынин Андрей Николаевич (72) Автор(ы): Камынин Андрей Николаевич R U (73) Патентообладатель(и): Камынин Андрей Николаевич 6 9 4 4 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Установка для отмывки и нанесения композиции на полупроводниковые пластины, содержащая вращающийся от центрифуги рабочий столик с отверстием для вакуумного присасывания, дозирующие устройства, защитный кожух, механизм подачи пластин и механизм приема обработанных пластин, которые расположены по разные стороны установки относительно рабочего столика, отличающаяся тем, что механизм подачи пластин имеет центрирующие шторки, выполненные наклонно, нижний размер которых соответствует диаметру обрабатываемой пластины, вакуумные присоски ...

Подробнее
Номер записи: 138
16-06-1998 дата публикации

УСТАНОВКА ДЛЯ НЕПРЕРЫВНОГО ЖИДКОСТНОГО ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ И ОЧИСТКИ ИЗДЕЛИЙ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

Номер: RU0000006945U1
Автор: Клюева Т.Б., Ковалев А.А., Красников Г.Я., Савельев В.А., Селиванова И.Н., Хаханина Т.И.
Принадлежит: Хаханина Татьяна Ивановна

Установка для непрерывного жидкостного химического травления и очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, включающая узел для травления и очистки поверхности изделий, электрохимическую ячейку, подключенную к системе электропитания, напорный, накопительный баки, фильтры и насосы, соединенные между собой с помощью трубопроводов и запорно-регулирующей арматурой в гидравлическую систему, отличающаяся тем, что узел для травления и очистки выполнен в виде центробежного реактора spray-процесса, соединенного трубопроводами с промежуточным баком в замкнутую гидравлическую систему, а промежуточный бак сообщен дополнительным трубопроводом и запорно-регулирующей арматурой с накопительным и напорным баками. (19) RU (11) (13) 6 945 U1 (51) МПК H01L 21/312 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 97100668/20, 21.01.1997 (46) Опубликовано: 16.06.1998 (71) Заявитель(и): Хаханина Татьяна Ивановна 6 9 4 5 R U (57) Формула полезной модели Установка для непрерывного жидкостного химического травления и очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, включающая узел для травления и очистки поверхности изделий, электрохимическую ячейку, подключенную к системе электропитания, напорный, накопительный баки, фильтры и насосы, соединенные между собой с помощью трубопроводов и запорно-регулирующей арматурой в гидравлическую систему, отличающаяся тем, что узел для травления и очистки выполнен в виде центробежного реактора spray-процесса, соединенного трубопроводами с промежуточным баком в замкнутую гидравлическую систему, а промежуточный бак сообщен дополнительным трубопроводом и запорно-регулирующей арматурой с накопительным и напорным баками. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) УСТАНОВКА ДЛЯ НЕПРЕРЫВНОГО ЖИДКОСТНОГО ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ И ОЧИСТКИ ИЗДЕЛИЙ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН 6 9 4 5 (73) Патентообладатель(и): Хаханина Татьяна Ивановна R U (72) ...

Подробнее
Номер записи: 139
16-06-1998 дата публикации

УСТАНОВКА ДЛЯ НЕПРЕРЫВНОГО ЖИДКОСТНОГО ХИМИЧЕСКОГО СНЯТИЯ СЛОЕВ ПОЛИМЕРОВ И ДРУГИХ ЗАГРЯЗНЕНИЙ С ПОВЕРХНОСТИ ИЗДЕЛИЙ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

Номер: RU0000006946U1
Автор: Клюева Т.Б., Ковалев А.А., Красников Г.Я., Савельев В.А., Селиванова И.Н., Хаханина Т.И.
Принадлежит: Хаханина Татьяна Ивановна

Установка для непрерывного жидкостного химического снятия слоев полимеров и других загрязнений с поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, включающая травильную ванну, электрохимическую ячейку, подключенную к системе электропитания, напорный, накопительный и сборный баки, фильтры очистки раствора и насосы, соединенные между собой с помощью трубопроводов и запорно-регулируюей арматурой в гидравлическую систему, отличающаяся тем, что установка снабжена дополнительным расходным баком, причем расходный бак соединен трубопроводами с травильной ванной и накопительной емкостью. (19) RU (11) (13) 6 946 U1 (51) МПК H01L 21/312 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 97100669/20, 21.01.1997 (46) Опубликовано: 16.06.1998 (71) Заявитель(и): Хаханина Татьяна Ивановна 6 9 4 6 R U (57) Формула полезной модели Установка для непрерывного жидкостного химического снятия слоев полимеров и других загрязнений с поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, включающая травильную ванну, электрохимическую ячейку, подключенную к системе электропитания, напорный, накопительный и сборный баки, фильтры очистки раствора и насосы, соединенные между собой с помощью трубопроводов и запорно-регулируюей арматурой в гидравлическую систему, отличающаяся тем, что установка снабжена дополнительным расходным баком, причем расходный бак соединен трубопроводами с травильной ванной и накопительной емкостью. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) УСТАНОВКА ДЛЯ НЕПРЕРЫВНОГО ЖИДКОСТНОГО ХИМИЧЕСКОГО СНЯТИЯ СЛОЕВ ПОЛИМЕРОВ И ДРУГИХ ЗАГРЯЗНЕНИЙ С ПОВЕРХНОСТИ ИЗДЕЛИЙ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН 6 9 4 6 (73) Патентообладатель(и): Хаханина Татьяна Ивановна R U (72) Автор(ы): Хаханина Т.И., Клюева Т.Б., Селиванова И.Н., Савельев В.А., Красников Г.Я., Ковалев А.А. RU 6 946 U1 RU 6 946 U1 RU 6 946 U1 RU 6 946 U1 RU 6 946 U1 RU 6 946 U1 RU 6 946 U1 RU 6 946 U1

Подробнее
Номер записи: 140
16-07-1998 дата публикации

ФОТОЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЭНЕРГИИ

Номер: RU0000007245U1
Автор: Гираев М.А., Османов О.М.
Принадлежит: Дагестанский государственный университет

Фотоэлектрохимический преобразователь энергии, включающий два твердотельных электрода, помещенные в растворе электролита, отличающийся тем, что в качестве рабочего фотоанода использован каскадный электрод, состоящий из нескольких полупроводниковых пластин, разделенных друг от друга тонким слоем электролита, а омический контакт подведен к тыльной поверхности конечной полупроводниковой пластинки. (19) RU (11) (13) 7 245 U1 (51) МПК H01L 31/00 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 96107355/20, 03.04.1996 (46) Опубликовано: 16.07.1998 (71) Заявитель(и): Дагестанский государственный университет (72) Автор(ы): Гираев М.А., Османов О.М. R U (73) Патентообладатель(и): Дагестанский государственный университет (54) ФОТОЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЭНЕРГИИ U 1 7 2 4 5 R U U 1 Ñòðàíèöà: 1 7 2 4 5 (57) Формула полезной модели Фотоэлектрохимический преобразователь энергии, включающий два твердотельных электрода, помещенные в растворе электролита, отличающийся тем, что в качестве рабочего фотоанода использован каскадный электрод, состоящий из нескольких полупроводниковых пластин, разделенных друг от друга тонким слоем электролита, а омический контакт подведен к тыльной поверхности конечной полупроводниковой пластинки. RU 7 245 U1 RU 7 245 U1 RU 7 245 U1 RU 7 245 U1 RU 7 245 U1 RU 7 245 U1 RU 7 245 U1 RU 7 245 U1 RU 7 245 U1 RU 7 245 U1 RU 7 245 U1

Подробнее
Номер записи: 141
16-07-1998 дата публикации

ОХЛАДИТЕЛЬ-НАГРЕВАТЕЛЬ ДЛЯ ПИЩЕВЫХ ЖИДКОСТЕЙ В ПРОМЫШЛЕННОЙ ТАРЕ

Номер: RU0000007246U1
Автор: Вовк С.М., Орлов А.Н.
Принадлежит: ООО - Компания "Тера"

1. Охладитель-нагреватель для пищевых жидкостей в промышленной таре, состоящий из изоляционного кожуха, внутри которого размещен цилиндрический корпус с крышкой и плоским днищем, снабженный термоэлектрической батареей, подключаемой к источнику энергии, отличающийся тем, что термоэлектрическая батарея размещена на внешней поверхности цилиндрической стенки корпуса в средней его части, причем на кожухе установлена кнопка переключения полюсности. 2. Охладитель-нагреватель для пищевых жидкостей в промышленной таре, отличающийся тем, что термоэлектрическая батарея сопряжена с воздушным теплообменником, имеющим игольчатое оребрение. (19) RU (11) (13) 7 246 U1 (51) МПК H01L 35/00 (1995.01) F25B 21/00 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 96123396/20, 17.12.1996 (46) Опубликовано: 16.07.1998 (71) Заявитель(и): ООО - Компания "Тера" (72) Автор(ы): Вовк С.М., Орлов А.Н. U 1 7 2 4 6 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели 1. Охладитель-нагреватель для пищевых жидкостей в промышленной таре, состоящий из изоляционного кожуха, внутри которого размещен цилиндрический корпус с крышкой и плоским днищем, снабженный термоэлектрической батареей, подключаемой к источнику энергии, отличающийся тем, что термоэлектрическая батарея размещена на внешней поверхности цилиндрической стенки корпуса в средней его части, причем на кожухе установлена кнопка переключения полюсности. 2. Охладитель-нагреватель для пищевых жидкостей в промышленной таре, отличающийся тем, что термоэлектрическая батарея сопряжена с воздушным теплообменником, имеющим игольчатое оребрение. 7 2 4 6 (54) ОХЛАДИТЕЛЬ-НАГРЕВАТЕЛЬ ДЛЯ ПИЩЕВЫХ ЖИДКОСТЕЙ В ПРОМЫШЛЕННОЙ ТАРЕ R U (73) Патентообладатель(и): ООО - Компания "Тера" U 1 U 1 7 2 4 6 7 2 4 6 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 7 246 U1 RU 7 246 U1 RU 7 246 U1 RU 7 246 U1 RU 7 246 U1 RU 7 246 U1

Подробнее
Номер записи: 142
16-08-1998 дата публикации

МОДУЛЬ ЭНЕРГОСБЕРЕЖЕНИЯ

Номер: RU0000007548U1
Автор: Шрейбер Борис Танхумович
Принадлежит: Шрейбер Борис Танхумович

Модуль энергосбережения, содержащий в качестве источника постоянного тока фотоэлектрический преобразователь, аккумулятор, переключатель и контактный выход для подключения нагрузки, отличающийся тем, что он также содержит второй, третий, ... n-й источники постоянного тока, второй, третий, n-й аккумуляторы, второй, третий, n-й переключатели, n реле автоматического управления, n компараторов предельно низкого напряжения аккумуляторов, n усилителей сигналов компараторов, сетевой переключатель, сетевой усилитель, сетевое реле, схема совпадения, динамик, n индикаторов источников постоянного тока, n индикаторов предельно низкого напряжения аккумуляторов, предохранитель, сглаживающей конденсатор, n диодов развязки источников постоянного тока n диодов развязки нагрузки, контактные разъемы выходов источников постоянного тока и клемм аккумуляторов, при этом каждые n-е источник постоянного тока, аккумулятор, переключатель, реле автоматического управления, компаратор предельно низкого напряжения аккумулятора, усилитель сигнала компаратора, диоды развязки, индикаторы и контактные разъемы образуют автономный энергоблок, в котором плюсовой выход источника постоянного тока через прямовключенный диод развязки источника постоянного тока соединен с анодом индикатора источника постоянного тока и через контактный разъем - со входами переключателя и реле, выходы которых соединены между собой и с анодом диода развязки по цепи нагрузки, плюсовой вывод аккумулятора соединен с первым входом компаратора и через контактный разъем - с общим выводом переключателя, двунаправленный вывод которого соединен с общим выводом реле, первый вход катушки которого соединен с выводом усилителя, первый вход которого соединен с выходом компаратора и с анодом индикатора предельно низкого напряжения аккумулятора, минусовые выводы источника постоянного тока, аккумулятора, катоды индикаторов и вторые входы компаратора, усилителя и катушки реле соединены с общей шиной, вход переключателя соединен с группой ...

Подробнее
Номер записи: 143
16-09-1998 дата публикации

АПТЕЧКА

Номер: RU0000007588U1
Автор: Гладких Л.М., Орлов А.Н.
Принадлежит: ООО - Компания "Тера"

1. Аптечка, содержащая корпус в виде двух камер с крышками и замками, отличающаяся тем, что одна из камер выполнена теплоизолированной и снабжена термоэлектрической батареей, сопряженной с радиатором. 2. Аптечка по п.1, отличающаяся тем, что термоэлектрическая батарея установлена на задней внешней поверхности теплоизолированной камеры и соединена с источником питания посредством электровилки-преобразователя. (19) RU (11) (13) 7 588 U1 (51) МПК A47B 67/02 (1995.01) H01L 35/28 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 97103653/20, 18.03.1997 (46) Опубликовано: 16.09.1998 (71) Заявитель(и): ООО - Компания "Тера" (72) Автор(ы): Гладких Л.М., Орлов А.Н. R U (73) Патентообладатель(и): ООО - Компания "Тера" (54) АПТЕЧКА U 1 7 5 8 8 R U U 1 Ñòðàíèöà: 1 7 5 8 8 (57) Формула полезной модели 1. Аптечка, содержащая корпус в виде двух камер с крышками и замками, отличающаяся тем, что одна из камер выполнена теплоизолированной и снабжена термоэлектрической батареей, сопряженной с радиатором. 2. Аптечка по п.1, отличающаяся тем, что термоэлектрическая батарея установлена на задней внешней поверхности теплоизолированной камеры и соединена с источником питания посредством электровилки-преобразователя. RU 7 588 U1 RU 7 588 U1 RU 7 588 U1 RU 7 588 U1 RU 7 588 U1 RU 7 588 U1

Подробнее
Номер записи: 144
16-10-1998 дата публикации

ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ МОДУЛЬ

Номер: RU0000008159U1
Автор: Бобков В.А., Неуймин О.А.
Принадлежит: Открытое акционерное общество "Российская электротехническая компания"

Выпрямительный модуль для много фазного выпрямителя, содержащий не менее трех таблеточных полупроводниковых вентилей, анодную и катодную сборные шины, одна из которых является групповым жидкостным охладителем, и токоотводы по числу вентилей, отличающийся тем, что одна из сборных шин выполнена в виде правильной призмы или круглого цилиндра, а таблеточные полупроводниковые вентили и токоотводы симметрично относительно ее оси закреплены на групповом жидкостном охладителе. (19) RU (11) (13) 8 159 U1 (51) МПК H01L 25/03 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 97106852/20, 24.04.1997 (46) Опубликовано: 16.10.1998 (71) Заявитель(и): Открытое акционерное общество "Российская электротехническая компания" (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество "Российская электротехническая компания" U 1 8 1 5 9 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Выпрямительный модуль для много фазного выпрямителя, содержащий не менее трех таблеточных полупроводниковых вентилей, анодную и катодную сборные шины, одна из которых является групповым жидкостным охладителем, и токоотводы по числу вентилей, отличающийся тем, что одна из сборных шин выполнена в виде правильной призмы или круглого цилиндра, а таблеточные полупроводниковые вентили и токоотводы симметрично относительно ее оси закреплены на групповом жидкостном охладителе. 8 1 5 9 (54) ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ МОДУЛЬ R U (72) Автор(ы): Неуймин О.А., Бобков В.А. U 1 U 1 8 1 5 9 8 1 5 9 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 8 159 U1 RU 8 159 U1 RU 8 159 U1 RU 8 159 U1 RU 8 159 U1

Подробнее
Номер записи: 145
16-10-1998 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР

Номер: RU0000008160U1
Автор: Круглов Ю.В.
Принадлежит: Закрытое акционерное общество "Протон-оптоэлектроника"

Полупроводниковый прибор, содержащий по меньшей мере от одного до n кристаллов, приклеенных с помощью клея и разваренных на плате с выводами, светопровод и рассеивающую цветную линзу, отличающийся тем, что светопровод, представляющий собой пластину воронкообразной формы, укрепленную меньшим диаметром посредством штырей к плате с кристаллами, причем кристаллы расположены в центре цветной рассеивающей линзы. (19) RU (11) (13) 8 160 U1 (51) МПК H01L 33/00 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 97117803/20, 24.10.1997 (46) Опубликовано: 16.10.1998 (71) Заявитель(и): Закрытое акционерное общество "Протон-оптоэлектроника" (72) Автор(ы): Круглов Ю.В. U 1 8 1 6 0 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Полупроводниковый прибор, содержащий по меньшей мере от одного до n кристаллов, приклеенных с помощью клея и разваренных на плате с выводами, светопровод и рассеивающую цветную линзу, отличающийся тем, что светопровод, представляющий собой пластину воронкообразной формы, укрепленную меньшим диаметром посредством штырей к плате с кристаллами, причем кристаллы расположены в центре цветной рассеивающей линзы. 8 1 6 0 (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР R U (73) Патентообладатель(и): Закрытое акционерное общество "Протон-оптоэлектроника" U 1 U 1 8 1 6 0 8 1 6 0 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 8 160 U1 RU 8 160 U1 RU 8 160 U1

Подробнее
Номер записи: 146
16-12-1998 дата публикации

СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД

Номер: RU0000008836U1
Автор: Абрамов А.В., Дерягин Н.Г.
Принадлежит: Абрамов Александр Владимирович

1. Светоизлучающий диод, включающий корпус и светоизлучающий кристалл, размещенный в прозрачном для излучения материале корпуса с показателем преломления N < N < N, причем часть поверхности корпуса, не выводящая излучение за счет полного внутреннего отражения, выполнена в форме эллиптического параболоида, отличающийся тем, что светоизлучающий кристалл расположен на круглой площадке, причем обращенная к упомянутому кристаллу поверхность площадки выполнена отражающей излучение, а радиус площадки удовлетворяет следующему соотношению: R = L/2+H•ctgα, где N - показатель преломления окружающей среды; N - показатель преломления материала корпуса; N - показатель преломления светоизлучающего кристалла; R - радиус отражающей излучение площадки, мм; L - горизонтальный размер светоизлучающего кристалла, мм; H - расстояние от р-п-перехода светоизлучающего кристалла до отражающей излучение площадки, мм; α - максимальный угол излучения, при котором на границе материал корпуса среда выполняется условие полного внутреннего отражения света, испускаемого светоизлучающим кристаллом, град. 2. Диод по п.1, отличающийся тем, что отражающая излучение поверхность круглой площадки выполнена зеркальной. 3. Диод по п.1, отличающийся тем, что отражающая излучение поверхность круглой площадки выполнена диффузно-рассеивающей. (19) RU (11) (13) 8 836 U1 (51) МПК H01L 33/00 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 97121564/20, 22.12.1997 (46) Опубликовано: 16.12.1998 (71) Заявитель(и): Абрамов Александр Владимирович (72) Автор(ы): Абрамов А.В., Дерягин Н.Г. R U (73) Патентообладатель(и): Абрамов Александр Владимирович (54) СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД U 1 8 8 3 6 R U Nк - показатель преломления светоизлучающего кристалла; R - радиус отражающей излучение площадки, мм; L - горизонтальный размер светоизлучающего кристалла, мм; H - расстояние от р-п-перехода светоизлучающего кристалла до отражающей излучение площадки, мм; α - ...

Подробнее
Номер записи: 147
16-01-1999 дата публикации

СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД

Номер: RU0000009094U1
Автор: Сыралев В.А.
Принадлежит: Закрытое акционерное общество "Планета-СИД"

Светоизлучающий диод, содержащий полупроводниковый светоизлучающий кристалл, кристаллодержатель, фару, внутри которой размещается кристалл, и световыводящую колбу, отличающийся тем, что над центром фары, в световыводящей колбе выполнен выступ, торцевая поверхность которого изготовлена светопроницаемой, а остальная поверхность колбы и выступа изготовлена светонепроницаемой. (19) RU (11) (13) 9 094 U1 (51) МПК H01L 33/00 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 98102135/20, 13.02.1998 (46) Опубликовано: 16.01.1999 (72) Автор(ы): Сыралев В.А. (73) Патентообладатель(и): Закрытое акционерное общество "Планета-СИД" U 1 9 0 9 4 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Светоизлучающий диод, содержащий полупроводниковый светоизлучающий кристалл, кристаллодержатель, фару, внутри которой размещается кристалл, и световыводящую колбу, отличающийся тем, что над центром фары, в световыводящей колбе выполнен выступ, торцевая поверхность которого изготовлена светопроницаемой, а остальная поверхность колбы и выступа изготовлена светонепроницаемой. 9 0 9 4 (54) СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД R U Адрес для переписки: 173004 Новгород, ул.Федоровский ручей 2/13, ЗАО "Планета-СИД" (71) Заявитель(и): Закрытое акционерное общество "Планета-СИД" U 1 U 1 9 0 9 4 9 0 9 4 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 9 094 U1 RU 9 094 U1 RU 9 094 U1 RU 9 094 U1

Подробнее
Номер записи: 148
16-05-1999 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИНДИКАТОР

Номер: RU0000010005U1
Автор: Архипов С.В., Волошин С.П.
Принадлежит: Закрытое акционерное общество "Протон-Импульс"

Полупроводниковый индикатор, содержащий корпус, выполненный за одно целое с цокольной частью, источник излучения, содержащий от 1 до n кристаллов, светоизлучающих диодов и связанный с электрическими контактами, расположенными на цокольной части корпуса, отличающийся тем, что между электрическими контактами цокольной части и источником излучения введен электронный блок, установленный внутри корпуса, причем входы электронного блока соединены с электрическими контактами цокольной части корпуса, а выходы - с контактами источника излучения. (19) RU (11) 10 005 (13) U1 (51) МПК H01L 33/00 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ Адрес для переписки: 302027, Орел, ул.Лескова, 19, ЗАО "Протон-Импульс" (72) Автор(ы): Волошин С.П., Архипов С.В. (73) Патентообладатель(и): Закрытое акционерное общество "Протон-Импульс" U 1 1 0 0 0 5 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Полупроводниковый индикатор, содержащий корпус, выполненный за одно целое с цокольной частью, источник излучения, содержащий от 1 до n кристаллов, светоизлучающих диодов и связанный с электрическими контактами, расположенными на цокольной части корпуса, отличающийся тем, что между электрическими контактами цокольной части и источником излучения введен электронный блок, установленный внутри корпуса, причем входы электронного блока соединены с электрическими контактами цокольной части корпуса, а выходы - с контактами источника излучения. 1 0 0 0 5 (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИНДИКАТОР R U (46) Опубликовано: 16.05.1999 (71) Заявитель(и): Закрытое акционерное общество "Протон-Импульс" (21), (22) Заявка: 98114238/20, 20.07.1998 RU 10 005 U1 RU 10 005 U1 RU 10 005 U1 RU 10 005 U1

Подробнее
Номер записи: 149
16-05-1999 дата публикации

ОХЛАДИТЕЛЬ-ПОДОГРЕВАТЕЛЬ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ

Номер: RU0000010006U1
Автор: Захарцев Ю.В., Токарев И.В.
Принадлежит: Закрытое акционерное общество "КТС-МИСиС"

Охладитель-подогреватель термоэлектрический, содержащий корпус и последовательно расположенные в нем держатель емкости, термоэлектрический модуль, радиатор и вентилятор, отличающийся тем, что держатель, термоэлектрический модуль, радиатор и вентилятор расположены соосно и вертикально друг под другом, при этом держатель выполнен в верхней части корпуса в виде цилиндра с теплоизоляционными стенками. (19) RU (11) 10 006 (13) U1 (51) МПК H01L 35/00 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ Адрес для переписки: 117419, Москва, ул.Орджоникидзе, 8/9, КТС-МИСиС, Скомороховой Т.С. (72) Автор(ы): Токарев И.В., Захарцев Ю.В. (73) Патентообладатель(и): Закрытое акционерное общество "КТС-МИСиС" U 1 1 0 0 0 6 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Охладитель-подогреватель термоэлектрический, содержащий корпус и последовательно расположенные в нем держатель емкости, термоэлектрический модуль, радиатор и вентилятор, отличающийся тем, что держатель, термоэлектрический модуль, радиатор и вентилятор расположены соосно и вертикально друг под другом, при этом держатель выполнен в верхней части корпуса в виде цилиндра с теплоизоляционными стенками. 1 0 0 0 6 (54) ОХЛАДИТЕЛЬ-ПОДОГРЕВАТЕЛЬ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ R U (46) Опубликовано: 16.05.1999 (71) Заявитель(и): Закрытое акционерное общество "КТС-МИСиС" (21), (22) Заявка: 98115456/20, 05.08.1998 U 1 U 1 1 0 0 0 6 1 0 0 0 6 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 10 006 U1 RU 10 006 U1 RU 10 006 U1 RU 10 006 U1 RU 10 006 U1

Подробнее
Номер записи: 150
16-06-1999 дата публикации

ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ОХЛАЖДАЮЩИЙ МОДУЛЬ

Номер: RU0000010289U1
Автор: Каменский В.Т.
Принадлежит: Специализированное конструкторско-технологическое бюро "Норд"

1. Термоэлектрический охлаждающий модуль, содержащий охлаждающую и теплоотводящую теплообменные пластины, установленные на расстоянии друг от друга одна под другой, размещенную между теплообменными пластинами группу термоэлементов, каждый из которых включает полупроводниковые ветви n и p-типа проводимости, соединенные электропроводными коммутационными шинами, которые присоединены своими контактными поверхностями к теплообменным пластинам посредством теплоконтактного соединения, отличающийся тем, что теплоконтактное соединение выполнено из высокотеплопроводного, клеевого, упругого материала, толщина которого составляет 10 - 70 мкм, при этом площадь поверхности теплоконтактного соединения, соприкасающейся с каждой коммутационной шиной, не менее площади ее контактной поверхности. 2. Модуль по п.1, отличающийся тем, что теплоконтактное соединение выполнено в виде отдельных участков, каждый из которых соединяет соответствующую коммутационную шину с теплообменной пластиной. 3. Модуль по п.1, отличающийся тем, что теплоконтактное соединение выполнено в виде сплошного слоя. 4. Модуль по п.1, отличающийся тем, что теплоконтактное соединение выполнено из материала с высоким электрическим сопротивлением. 5. Модуль по п.1, отличающийся тем, что по меньшей мере одна из теплообменных пластин выполнена из алюминия или его сплавов и имеет по меньшей мере на поверхности, обращенной к полупроводниковым ветвям, покрытие, выполненное в виде окисной пленки толщиной 6 - 30 мкм. 6. Термоэлектрический охлаждающий модуль, содержащий охлаждающую и теплоотводящую теплообменные пластины, установленные на расстоянии друг от друга одна под другой, размещенную между теплообменными пластинами группу термоэлементов, каждый из которых включает полупроводниковые ветви n и p-типа проводимости, соединенные электропроводными коммутационными шинами, которые присоединены к теплообменным пластинам, отличающийся тем, что по меньшей мере охлаждающая теплообменная пластина выполнена из электроизоляционного, ...

Подробнее
Номер записи: 151
05-01-2012 дата публикации

Semiconductor light emitting device and wafer

Номер: US20120001151A1
Автор: Hiroshi Katsuno, Kei Kaneko, Mitsuhiro Kushibe, Yasuo Ohba
Принадлежит: Toshiba Corp

A semiconductor light emitting device includes a first layer made of at least one of n-type GaN and n-type AlGaN; a second layer made of Mg-containing p-type AlGaN; and a light emitting section provided between the first layer and the second layer. The light emitting section included a plurality of barrier layers made of Si-containing Al x Ga 1-x-y In y N (0≦x, 0≦y, x+y≦1), and a well layer provided between each pair of the plurality of barrier layers and made of GaInN or AlGaInN. The plurality of barrier layers have a nearest barrier layer and a far barrier layer. The nearest barrier layer is nearest to the second layer among the plurality of barrier layers. The nearest barrier layer includes a first portion and a second portion. The first portion is made of Si-containing Al x Ga 1-x-y In y N (0≦x, 0≦y, x+y≦1). The second portion is provided between the first portion and the second layer and is made of Al x Ga 1-x-y In y N (0≦x, 0≦y, x+y≦1). The Si concentration in the second portion is lower than a Si concentration in the first portion and lower than a Si concentration in the far barrier layer.

Подробнее
Номер записи: 152
05-01-2012 дата публикации

Semiconductor substrate and semiconductor device

Номер: US20120001195A1
Автор: Isao Makabe, Keiichi Yui, Ken Nakata, Takamitsu Kitamura
Принадлежит: Sumitomo Electric Industries Ltd

A semiconductor substrate inclu8des an AlN layer that is formed so as to contact a Si substrate and has an FWMH of a rocking curve of a (002) plane by x-ray diffraction, the FWMH being less than or equal to 1500 seconds, and a GaN-based semiconductor layer formed on the AlN layer.

Подробнее
Номер записи: 153
16-09-1999 дата публикации

ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

Номер: RU0000011392U1
Автор: Белевцев А.В., Улановский А.А.
Принадлежит: Общество с ограниченной ответственностью "Производственная компания "ТЕСЕЙ"

1. Термоэлектрический преобразователь, состоящий из термоэлектродов, изолированных друг от друга керамической соломкой и помещенных в защитную арматуру, состоящую из внутреннего и наружного керамических чехлов, отличающийся тем, что соломка выполнена одноканальной и нанизана на каждый термоэлектрод так, что стыки соломки, нанизанной на один термоэлектрод, совпадают с телом соломки, нанизанной на другой термоэлектрод, а пространство между керамическими чехлами заполнено минеральной изоляцией. 2. Термоэлектрический преобразователь по п.1, отличающийся тем, что термоэлектроды выполнены из платиносодержащего материала. 3. Термоэлектрический преобразователь по п.1, отличающийся тем, что соломка выполнена из корунда. 4. Термоэлектрический преобразователь по п.1, отличающийся тем, что внутренний чехол выполнен из корунда. 5. Термоэлектрический преобразователь по п.1, отличающийся тем, что минеральная изоляция содержит порошок оксида алюминия. 6. Термоэлектрический преобразователь по п.1, отличающийся тем, что минеральная изоляция содержит порошок оксида магния. (19) RU (11) 11 392 (13) U1 (51) МПК H01L 35/00 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 99107422/20, 13.04.1999 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 13.04.1999 (46) Опубликовано: 16.09.1999 (72) Автор(ы): Улановский А.А., Белевцев А.В. 1 1 3 9 2 R U (57) Формула полезной модели 1. Термоэлектрический преобразователь, состоящий из термоэлектродов, изолированных друг от друга керамической соломкой и помещенных в защитную арматуру, состоящую из внутреннего и наружного керамических чехлов, отличающийся тем, что соломка выполнена одноканальной и нанизана на каждый термоэлектрод так, что стыки соломки, нанизанной на один термоэлектрод, совпадают с телом соломки, нанизанной на другой термоэлектрод, а пространство между керамическими чехлами заполнено минеральной изоляцией. 2. Термоэлектрический преобразователь по п.1, ...

Подробнее
Номер записи: 154
16-09-1999 дата публикации

ГИЛЬЗА ЗАЩИТНАЯ ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО

Номер: RU0000011393U1
Автор: Каржавина Г.П.
Принадлежит: Общество с ограниченной ответственностью "Производственная компания "ТЕСЕЙ"

1. Гильза защитная для преобразователя термоэлектрического, выполненная в виде детали с глухим отверстием и включающая погружную часть, монтажный элемент и элемент крепления преобразователя термоэлектрического, отличающаяся тем, что монтажный элемент выполнен в виде кольцевого буртика, расположенного на наружной поверхности, примыкающей к погружной части, элемент крепления преобразователя термоэлектрического удален от монтажного элемента не менее чем на 200 мм, а наружная поверхность погружной части имеет конический и цилиндрический участки. 2. Гильза по п. 1, отличающаяся тем, что наружная поверхность погружной части имеет три последовательно расположенных участка: цилиндрический, конический и цилиндрический, причем наибольший диаметр погружной части расположен у монтажного элемента. (19) RU (11) 11 393 (13) U1 (51) МПК H01L 35/02 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 99107435/20, 13.04.1999 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 13.04.1999 (46) Опубликовано: 16.09.1999 (72) Автор(ы): Каржавина Г.П. (73) Патентообладатель(и): Общество с ограниченной ответственностью "Производственная компания "ТЕСЕЙ" U 1 1 1 3 9 3 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели 1. Гильза защитная для преобразователя термоэлектрического, выполненная в виде детали с глухим отверстием и включающая погружную часть, монтажный элемент и элемент крепления преобразователя термоэлектрического, отличающаяся тем, что монтажный элемент выполнен в виде кольцевого буртика, расположенного на наружной поверхности, примыкающей к погружной части, элемент крепления преобразователя термоэлектрического удален от монтажного элемента не менее чем на 200 мм, а наружная поверхность погружной части имеет конический и цилиндрический участки. 2. Гильза по п. 1, отличающаяся тем, что наружная поверхность погружной части имеет три последовательно расположенных участка: цилиндрический, конический и цилиндрический, ...

Подробнее
Номер записи: 155
16-09-1999 дата публикации

ИНЖЕКЦИОННЫЙ ИСТОЧНИК ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Номер: RU0000011400U1
Автор: Васильев Ю.Б., Сучалкин С.Д.
Принадлежит: Васильев Юрий Борисович, Сучалкин Сергей Дорианович

1. Инжекционный источник оптического излучения на основе гетероструктуры II типа полупроводниковых соединений и/или их твердых растворов, образующей активную область, содержащую по меньшей мере один набор из разделенных барьерным слоем двух основных слоев, один из которых образует квантовую яму, находящуюся в зоне проводимости, а другой основной слой образует квантовую яму в валентной зоне, при этом каждая из упомянутых ям имеет по меньшей мере одно разрешенное энергетическое состояние, отличающийся тем, что в отсутствии внешнего электрического поля разрешенное энергетическое состояние в яме, находящейся в зоне проводимости, лежит по энергии ниже разрешенного энергетического состояния в яме, находящейся в валентной зоне, а барьерный слой является туннельно непрозрачным для носителей заряда, барьерный слой выполнен из полупроводниковой сверхрешетки или из варизонного полупроводникового твердого раствора, край запрещенной зоны у которых на одной из гетерограниц совпадает с краем запрещенной зоны примыкающего к этой границе основного слоя активной области, при этом край зоны проводимости барьерного слоя монотонно возрастает по энергии по направлению ко второй гетерогранице со слоем, содержащим яму в валентной зоне, и на самой гетерогранице превышает по энергии уровень разрешенного состояния в этой яме, или край валентной зоны барьерного слоя монотонно уменьшается по энергии ко второй гетерогранице со слоем, содержащим яму в зоне проводимости, и на самой границе расположен ниже по энергии уровня разрешенного состояния в этой яме, или из двух сверхрешеток, или двух варизонных полупроводниковых твердых растворов, у одной из упомянутых сверхрешеток или у одного из упомянутых растворов край зоны проводимости совпадает с краем зоны проводимости основного слоя на их границе, а у второй из упомянутых сверхрешеток или у второго из упомянутых растворов край валентной зоны совпадает с краем валентной зоны основного слоя на их границе, при этом у первой из упомянутых сверхрешеток ...

Подробнее
Номер записи: 156
05-01-2012 дата публикации

Led chip package structure

Номер: US20120001203A1
Автор: Bily Wang, Jonnie Chuang, Wen-Kuei Wu
Принадлежит: Harvatek Corp

A LED chip package structure includes a substrate unit, a light-emitting unit, and a package unit. The substrate unit includes a strip substrate body. The light-emitting unit includes a plurality of LED chips disposed on the strip substrate body and electrically connected to the strip substrate body. The package unit includes a strip package colloid body disposed on the strip substrate body to cover the LED chips, wherein the strip package colloid body has an exposed top surface and an exposed surrounding peripheral surface connected between the exposed top surface and the strip substrate body, and the strip package colloid body has at least one exposed lens portion projected upwardly from the exposed top surface thereof and corresponding to the LED chips. Hence, light beams generated by the LED chips pass through the strip package colloid body to form a strip light-emitting area on the strip package colloid body.

Подробнее
Номер записи: 157
05-01-2012 дата публикации

Optoelectronic Semiconductor Component and Display Means

Номер: US20120001208A1
Автор: Michael Wittmann, Peter Brick, Sven Weber-Rabsilber
Принадлежит: Individual

In at least one embodiment, an optoelectronic semiconductor component includes at least two optoelectronic semiconductor chips, which are designed to emit electromagnetic radiation in mutually different wavelength ranges when in operation. The semiconductor chips are mounted on a mounting surface of a common carrier. Furthermore, the optoelectronic semiconductor component contains at least two non-rotationally symmetrical lens bodies, which are designed to shape the radiation into mutually different emission angles in two mutually orthogonal directions parallel to the mounting surface. One of the lens bodies is here associated with or arranged downstream of each of the semiconductor chips in an emission direction.

Подробнее
Номер записи: 158
05-01-2012 дата публикации

Light emitting device and method of fabricating the same

Номер: US20120001218A1
Автор: Hwan Hee Jeong, Ji Hyung Moon, June O. Song, Kwang Ki CHOI, Sang Youl Lee, Se Yeon Jung, Tae-yeon Seong
Принадлежит: LG Innotek Co Ltd

Provided are a light emitting device and a method of fabricating the same. The light emitting device includes a first conductive type semiconductor layer, a second conductive type semiconductor layer, and an active layer between the first conductive type semiconductor layer and the second conductive type semiconductor layer, the active layer being formed of a semiconductor material. Also, the light emitting device further includes a current spreading layer comprising a plurality of carbon nanotube bundles physically connected to each other on one of the first and second conductive type semiconductor layers.

Подробнее
Номер записи: 159
05-01-2012 дата публикации

Single poly cmos imager

Номер: US20120001242A1
Автор: Howard E. Rhodes
Принадлежит: Round Rock Research LLC

More complete charge transfer is achieved in a CMOS or CCD imager by reducing the spacing in the gaps between gates in each pixel cell, and/or by providing a lightly doped region between adjacent gates in each pixel cell, and particularly at least between the charge collecting gate and the gate downstream to the charge collecting gate. To reduce the gaps between gates, an insulator cap with spacers on its sidewalls is formed for each gate over a conductive layer. The gates are then etched from the conductive layer using the insulator caps and spacers as hard masks, enabling the gates to be formed significantly closer together than previously possible, which, in turn increases charge transfer efficiency. By providing a lightly doped region on between adjacent gates, a more complete charge transfer is effected from the charge collecting gate.

Подробнее
Номер записи: 160
05-01-2012 дата публикации

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер: US20120001258A1
Автор: Wan Soo Kim
Принадлежит: Hynix Semiconductor Inc

A semiconductor device includes a gate metal buried within a trench included in a semiconductor substrate including an active region defined by an isolation layer, a spacer pattern disposed on an upper portion of a sidewall of a gate metal, a first gate oxide layer disposed between the spacer pattern and the trench, a second gate oxide layer disposed below the first gate oxide layer and the gate metal, and a junction region disposed in the active region to overlap the first gate oxide layer.

Подробнее
Номер записи: 161
05-01-2012 дата публикации

Hall sensor

Номер: US20120001280A1
Автор: Takaaki Hioka, Toshihiko Omi
Принадлежит: Seiko Instruments Inc

Provided is a highly-sensitive Hall element capable of eliminating an offset voltage without increasing the chip size. The Hall element includes: a Hall sensing portion having a shape of a cross and four convex portions; Hall voltage output terminals which are arranged at the centers of the front edges of the four convex portions, respectively; and control current input terminals which are arranged on side surfaces of each of the convex portions independently of the Hall voltage output terminals. In this case, the Hall voltage output terminal has a small width and the control current input terminal has a large width.

Подробнее
Номер записи: 162
05-01-2012 дата публикации

Semiconductor Constructions

Номер: US20120001299A1
Автор: Todd Jackson Plum
Принадлежит: Micron Technology Inc

Some embodiments include methods of forming capacitors. A first section of a capacitor may be formed to include a first storage node, a first dielectric material, and a first plate material. A second section of the capacitor may be formed to include a second storage node, a second dielectric material, and a second plate material. The first and second sections may be formed over a memory array region, and the first and second plate materials may be electrically connected to first and second interconnects, respectively, that extend to over a region peripheral to the memory array region. The first and second interconnects may be electrically connected to one another to couple the first and second plate materials to one another. Some embodiments include capacitor structures, and some embodiments include methods of forming DRAM arrays.

Подробнее
Номер записи: 163
16-11-1999 дата публикации

РАДИОЭЛЕКТРОННЫЙ БЛОК

Номер: RU0000011947U1
Автор: Вапничный В.И., Миронов А.В.
Принадлежит: Вапничный Владимир Иванович, Миронов Андрей Вадимович

1. Радиоэлектронный блок, содержащий корпус с закрепленной в нем установочной платой для крепления радиоэлектронных элементов и перегородкой с встроенным в нее первым вентилятором, при этом перегородка разделяет полость корпуса на два изолированных друг от друга отсека, в которых размещены радиоэлементы, теплообменник, расположенный в полости корпуса, и второй вентилятор, установленный в первом из двух отверстий корпуса, служащий для забора хладагента снаружи, при этом между установочной платой и поверхностью корпуса имеются щели для циркуляции потока хладагента в полости корпуса, отличающийся тем, что теплообменником является трубообразный герметичный относительно полости корпуса радиатор с внутренними ребрами, образующими его внутренние каналы, наружная поверхность которого предназначена для прикрепления охлаждаемых радиоэлектронных элементов, к входной торцевой поверхности радиатора присоединен второй вентилятор, выходная торцевая поверхность радиатора, служащая для выхода хладагента, совмещена со вторым отверстием корпуса, а герметичное соединение установочной платы с корпусом осуществлено по его торцевой стенке, ограничивающей первый отсек, из которого происходит забор хладагента первым вентилятором, по боковой стенке, наиболее удаленной от радиатора, герметично соединенного с установочной платой, и по боковой стенке, ограничивающей второй отсек, в который нагнетается хладагент первым вентилятором, при этом между дном корпуса, его торцевой стенкой, ограничивающей второй отсек, боковой поверхностью корпуса, расположенной вблизи радиатора, ограничивающей первый отсек, и установочной платой и между наружной поверхностью радиатора и крышкой корпуса выполнены указанные щели с площадями сечения относительно направления циркулирующего потока хладагента S1, S2, S3, S4 соответственно, причем S1 = (0,5 - 3) S, S2 = (0,5 - 3) S, S3 = (0,5 - 3) S, S4 = (0,5 - 3) S, где S - проходное сечение первого вентилятора, определяемое как разность между площадью, ограниченной ...

Подробнее
Номер записи: 164
05-01-2012 дата публикации

Double molded chip scale package

Номер: US20120001322A1
Автор: Luke England, Yong Liu
Принадлежит: Fairchild Semiconductor Corp

Chip scale semiconductor packages and methods for making and using the same are described. The chip scale semiconductor packages (CSPs) contain a die with an integrated circuit device, a patterned plating layer, and a second interconnect structure formed from a Cu etched substrate that has a portion of an upper surface connected to the patterned plating layer, a side surface, and a bottom surface. The die can be attached to the patterned plating layer by a first interconnect structure that uses wirebonding or that uses a flip chip attachment process. The CSP contains a double molded structure where a first molding layer encapsulates the die, the patterned plating layer, the first interconnect structure, and the upper surface of the second interconnect structure. The second molding layer encapsulates the side surface of the second interconnect structure without encapsulating the bottom surface of the second interconnect structure. With such a configuration, the second molding layer helps control warpage during the manufacturing process and no printed circuit board (PCB) substrate is needed when the package is used in an electronic device since the signal routing is performed by the second interconnect structure. Other embodiments are described.

Подробнее
Номер записи: 165
05-01-2012 дата публикации

Semiconductor device

Номер: US20120001341A1
Автор: Akihiro Niimi, Shigeo Ide
Принадлежит: Denso Corp

The semiconductor device has a unit stack body including a plurality of units stacked on one another. Each unit includes a power terminal constituted of a lead part and a connection part. The connection part is formed with a projection and a recess. When the units are stacked on one another, the projection of one unit is fitted to the recess of the adjacent unit, so that the power terminals of the respective unit are connected to one another.

Подробнее
Номер записи: 166
05-01-2012 дата публикации

Semiconductor package having a stacked structure

Номер: US20120001347A1
Автор: Chan-Min Han, Jin-yang Lee, Kil-Soo Kim
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD

A semiconductor package includes a substrate, a first semiconductor chip stacked on the substrate and a second semiconductor chip stacked on the first semiconductor chip. In the semiconductor package, the second semiconductor chip is rotated to be stacked on the first semiconductor chip. The semiconductor package is used in an electronic system.

Подробнее
Номер записи: 167
05-01-2012 дата публикации

Clamping device of micro-nano imprint process and the method thereof

Номер: US20120001365A1
Автор: Fuh-Yu Chang
Принадлежит: National Taiwan University of Science and Technology NTUST

The invention discloses a clamping device of the micro/nano imprint process and the method thereof for clamping a substrate. The clamping device comprises a first module, a second module and a locking module. The first module and the second module are used to accommodate and support at least one mold. The mold has a predetermined structure. The locking module is used to lock the first module and the second module. The clamping device drives the mold to imprint the substrate or the material layer of the substrate by a predetermined way.

Подробнее
Номер записи: 168
20-01-2000 дата публикации

РАЗЪЕМ ТЕРМОПАРНЫЙ КОМПЕНСИРОВАННЫЙ

Номер: RU0000012628U1
Автор: Данилов В.И., Данилова О.М., Сулаберидзе В.Ш.
Принадлежит: Государственный научный центр Российской Федерации Научно-исследовательский институт атомных реакторов

Разъем термопарный компенсированный для соединения термопреобразователя с измерительной линией и состоящий из розетки, устанавливаемой изготовителем термопреобразователя и подсоединяемой им к выводам термопары с помощью пайки, и вилки, поставляемой отдельно и устанавливаемой на измерительную линию, имеющий ключ для однозначного соединения элементов электрической измерительной цепи, отличающийся тем, что в качестве компенсатора термоэлектродвижущей силы в месте соединения термопреобразователя с измерительной линией служит пружинный фиксирующий элемент из сплавов, выбираемых в зависимости от типа применяемой термопары. (19) RU (11) 12 628 (13) U1 (51) МПК H01L 35/10 (2000.01) H01R 24/04 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 99114670/20, 05.07.1999 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 05.07.1999 (46) Опубликовано: 20.01.2000 (72) Автор(ы): Сулаберидзе В.Ш., Данилов В.И., Данилова О.М. 1 2 6 2 8 R U (57) Формула полезной модели Разъем термопарный компенсированный для соединения термопреобразователя с измерительной линией и состоящий из розетки, устанавливаемой изготовителем термопреобразователя и подсоединяемой им к выводам термопары с помощью пайки, и вилки, поставляемой отдельно и устанавливаемой на измерительную линию, имеющий ключ для однозначного соединения элементов электрической измерительной цепи, отличающийся тем, что в качестве компенсатора термоэлектродвижущей силы в месте соединения термопреобразователя с измерительной линией служит пружинный фиксирующий элемент из сплавов, выбираемых в зависимости от типа применяемой термопары. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) РАЗЪЕМ ТЕРМОПАРНЫЙ КОМПЕНСИРОВАННЫЙ 1 2 6 2 8 (73) Патентообладатель(и): Государственный научный центр Российской Федерации Научно-исследовательский институт атомных реакторов R U Адрес для переписки: 433510, Димитровград, Ульяновская обл., ГНЦ РФ НИИАР (71) Заявитель(и): Государственный научный центр ...

Подробнее
Номер записи: 169
05-01-2012 дата публикации

Method and device for harvesting energy from ocean waves

Номер: US20120001427A1
Автор: Balakrishnan Nair, Sivaraman Guruswamy
Принадлежит: Individual

A method and device for generating electricity from ocean waves. The device includes at least one magnetostrictive element and one or more electrically conductive coils or circuits. When the magnetostrictive element is deployed in a body of water, the motion of the body of water, including wave motion, causes changes in the strain of the magnetostrictive element. The electrically conductive coil or circuit is within the vicinity of the magnetostrictive element. A corresponding change in magnetic field around the magnetostrictive element generates an electric voltage and/or electric current in the electrically conductive coil or circuit.

Подробнее
Номер записи: 170
10-04-2000 дата публикации

ГЕЛИОУСТАНОВКА

Номер: RU0000013418U1
Автор: Карнаухов А.В.
Принадлежит: Гольдштейн Яков Абраммерович, Карнаухов Алексей Валерьевич

1. Гелиоустановка, содержащая один или несколько концентраторов, снабженных приводами, систему слежения за Солнцем с блоком управления приводами и неподвижно закрепленный приемник излучения, отличающаяся тем, что приводы выполнены с возможностью обеспечения прямолинейного возвратно-поступательного плоскопараллельного перемещения концентраторов. 2. Гелиоустановка по п.1, отличающаяся тем, что концентраторы выполнены зеркальными. 3. Гелиоустановка по пп.1 и 2, отличающаяся тем, что приемник излучения выполнен в виде фотоэлектрического преобразователя. (19) RU (11) 13 418 (13) U1 (51) МПК F24J 2/20 (2000.01) H01L 31/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2000101607/20 , 24.01.2000 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 24.01.2000 (46) Опубликовано: 10.04.2000 (72) Автор(ы): Карнаухов А.В. (73) Патентообладатель(и): Карнаухов Алексей Валерьевич, Гольдштейн Яков Абраммерович R U Адрес для переписки: 103009, Москва, Средний Кисловский пер., д.7/10, кв.26 Попову А.С. (71) Заявитель(и): Гольдштейн Яков Абраммерович 1 3 4 1 8 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели 1. Гелиоустановка, содержащая один или несколько концентраторов, снабженных приводами, систему слежения за Солнцем с блоком управления приводами и неподвижно закрепленный приемник излучения, отличающаяся тем, что приводы выполнены с возможностью обеспечения прямолинейного возвратно-поступательного плоскопараллельного перемещения концентраторов. 2. Гелиоустановка по п.1, отличающаяся тем, что концентраторы выполнены зеркальными. 3. Гелиоустановка по пп.1 и 2, отличающаяся тем, что приемник излучения выполнен в виде фотоэлектрического преобразователя. 1 3 4 1 8 U 1 (54) ГЕЛИОУСТАНОВКА U 1 U 1 1 3 4 1 8 1 3 4 1 8 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 13 418 U1 RU 13 418 U1 RU 13 418 U1 RU 13 418 U1

Подробнее
Номер записи: 171
27-06-2000 дата публикации

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ

Номер: RU0000014094U1
Автор: Каржавин А.В.
Принадлежит: ООО "Производственная компания "ТЕСЕЙ"

Термоэлектрический преобразователь, состоящий из вставки и защитной арматуры, выполненной в виде заглушенного с одной стороны металлического чехла, отличающийся тем, что чехол выполнен составным из последовательно и неразъемно соединенных участков, причем заглушенный участок выполнен из сплава или стали с жаропрочностными характеристиками выше, чем жаропрочностные характеристики остальной части чехла, а длина заглушенного участка l выбирается из соотношения l≥10d+0,37(L-10d), где d - наружный диаметр чехла в месте стыка; L - общая длина чехла. (19) RU (11) 14 094 (13) U1 (51) МПК H01L 35/02 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2000101875/20 , 03.02.2000 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 03.02.2000 (71) Заявитель(и): ООО "Производственная компания "ТЕСЕЙ" (72) Автор(ы): Каржавин А.В. Адрес для переписки: 249020, Калужская обл., г.Обнинск, а/я 9004, Базанову Ю.Б. (73) Патентообладатель(и): ООО "Производственная компания "ТЕСЕЙ" U 1 1 4 0 9 4 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Термоэлектрический преобразователь, состоящий из вставки и защитной арматуры, выполненной в виде заглушенного с одной стороны металлического чехла, отличающийся тем, что чехол выполнен составным из последовательно и неразъемно соединенных участков, причем заглушенный участок выполнен из сплава или стали с жаропрочностными характеристиками выше, чем жаропрочностные характеристики остальной части чехла, а длина заглушенного участка l выбирается из соотношения l≥10d+0,37(L-10d), где d - наружный диаметр чехла в месте стыка; L - общая длина чехла. 1 4 0 9 4 (54) ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ R U (46) Опубликовано: 27.06.2000 RU 14 094 U1 RU 14 094 U1 RU 14 094 U1 RU 14 094 U1

Подробнее
Номер записи: 172
20-07-2000 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЛАЗЕРНОГО НАПЫЛЕНИЯ

Номер: RU0000014405U1
Автор: Буримов В.Н., Жерихин А.Н., Попков В.Л.
Принадлежит: Отделение перспективных лазерных технологий Института проблем лазерных и информационных технологий РАН

1. Устройство для лазерного напыления, включающее импульсный лазер, объектив, мишень, механизм смены мишеней, подложку с напыляемой пленкой, нагреватель подложки и устройство сепарации напыляемых частиц, отличающееся тем, что устройство сепарации напыляемых частиц выполнено в виде вращающегося диска. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что диск выполнен с прорезью, причем конфигурация прорези соответствует конфигурации напыляемой пленки, а линейная скорость движения прорези определена соотношением: v > L/t, где v - линейная скорость прорези; L - линейный размер напыляемой пленки в направлении, перпендикулярном радиусу сепаратора; t - пауза между приходом атомно-молекулярной компоненты и капельной фазы на пленку. 3. Устройство по п. 2, отличающееся тем, что вращение диска и запуск лазера синхронизованы таким образом, что прорезь диска устройства сепарации напыляемых частиц расположена между мишенью и подложкой в момент прихода лазерного импульса на мишень. 4. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что с внешней стороны диска расположены лопатки. 5. Устройство по п. 4, отличающееся тем, что размер каждой из лопаток вдоль направления радиуса диска больше размера напыляемой пленки в том же направлении, а размер каждой из лопаток в направлении, перпендикулярном плоскости диска, и расстояние между лопатками определяется соотношением: l/v > s/V, где l - размер лопатки в направлении, перпендикулярном плоскости диска; v - скорость разлета капель; s - расстояние между лопатками; V - линейная скорость лопаток. (19) RU (11) 14 405 (13) U1 (51) МПК H01L 21/00 (2000.01) C23C 14/46 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2000106282/20 , 20.03.2000 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 20.03.2000 (46) Опубликовано: 20.07.2000 (72) Автор(ы): Жерихин А.Н., Буримов В.Н., Попков В.Л. 1 4 4 0 5 R U (57) Формула полезной модели 1. Устройство для лазерного напыления, включающее импульсный ...

Подробнее
Номер записи: 173
27-08-2000 дата публикации

ПРИЕМНИК ИЗЛУЧЕНИЯ

Номер: RU0000014789U1
Автор: Беженцев Н.А., Комаров Н.В., Крашенинников В.С., Кузнецов Н.С., Ляпунов С.И.
Принадлежит: Закрытое акционерное общество "Матричные технологии"

Приемник излучения, содержащий охлаждаемое керамическое основание и кристалл с фоточувствительными элементами, снабженный электрическими выводами, отличающийся тем, что электрические выводы выполнены в виде столбиков и прикреплены к боковой поверхности основания. (19) RU (11) 14 789 (13) U1 (51) МПК H01L 31/024 (2000.01) H01L 23/52 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2000111155/20 , 11.05.2000 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 11.05.2000 (46) Опубликовано: 27.08.2000 (72) Автор(ы): Беженцев Н.А., Комаров Н.В., Крашенинников В.С., Кузнецов Н.С., Ляпунов С.И. R U 1 4 7 8 9 (57) Формула полезной модели Приемник излучения, содержащий охлаждаемое керамическое основание и кристалл с фоточувствительными элементами, снабженный электрическими выводами, отличающийся тем, что электрические выводы выполнены в виде столбиков и прикреплены к боковой поверхности основания. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) ПРИЕМНИК ИЗЛУЧЕНИЯ 1 4 7 8 9 (73) Патентообладатель(и): Закрытое акционерное общество "Матричные технологии" R U Адрес для переписки: 113545, Москва, Днепропетровский проезд 4а, ЗАО "Матричные технологии" (71) Заявитель(и): Закрытое акционерное общество "Матричные технологии" RU 14 789 U1 RU 14 789 U1 RU 14 789 U1

Подробнее
Номер записи: 174
05-01-2012 дата публикации

Dense Nanoscale Logic Circuitry

Номер: US20120001653A1
Автор: Dmitri Borisovich Strukov, Philip J. Kuekes
Принадлежит: Hewlett Packard Development Co LP

One embodiment of the present invention is directed to hybrid-nanoscale/microscale device comprising a microscale layer that includes microscale and/or submicroscale circuit components and that provides an array of microscale or submicroscale pins across an interface surface; and at least two nanoscale-layer sub-layers within a nanoscale layer that interfaces to the microscale layer, each nanoscale-layer sub-layer containing regularly spaced, parallel nanowires, each nanowire of the at least two nanoscale-layer sub-layers in electrical contact with at most one pin provided by the microscale layer, the parallel nanowires of successive nanoscale-layer sub-layers having different directions, with the nanowires of successive nanoscale-layer sub-layers intersecting to form programmable crosspoints.

Подробнее
Номер записи: 175
05-01-2012 дата публикации

Nanoelectronic differential amplifiers and related circuits implemented on a segment of a graphene nanoribbon

Номер: US20120001689A1
Автор: Lester F. Ludwig
Принадлежит: Pike Group LLC

A multiple transistor differential amplifier is implemented on a segment of a single graphene nanoribbon. Differential amplifier field effect transistors are formed on the graphene nanoribbon from a first group of electrical conductors in contact with the graphene nanoribbon and a second group of electrical conductors insulated from, but exerting electric fields on, the graphene nanoribbon thereby forming the gates of the field effect transistors. A transistor in one portion of the graphene nanoribbon and a transistor in another portion of the graphene nanoribbon are responsive to respective incoming electrical signals. A current source, also formed on the graphene nanoribbon, is connected with the differential amplifier, and the current source and the differential amplifier operating together generate an outgoing signal responsive to the incoming electrical signal. In an example application, the resulting circuit can be used to interface with electrical signals of nanoscale sensors and actuators,

Подробнее
Номер записи: 176
20-09-2000 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

Номер: RU0000015148U1
Автор: Бобков А.В., Неуймин О.А.
Принадлежит: Открытое акционерное общество "Российская электротехническая компания"

1. Полупроводниковый преобразователь, содержащий трансформаторный узел и полупроводниковые вентили, отличающийся тем, что трансформаторный узел выполнен в виде трех однофазных трансформаторов, каждый из которых содержит по меньшей мере один кольцевой магнитопровод, сетевую и вентильные обмотки, причем каждая вентильная обмотка имеет по меньшей мере один виток, состоящий из одного вертикального и одного горизонтального элементов, выполненных из жестких прямолинейных шин, вертикальный элемент обмотки охвачен кольцевым магнитопроводом, а горизонтальные элементы обмотки трех однофазных трансформаторов являются основанием преобразователя. 2. Полупроводниковый преобразователь по п.1, отличающийся тем, что полупроводниковые вентили установлены на вертикальных элементах вентильных обмоток однофазных трансформаторов непосредственно на выходе из магнитопровода. (19) RU (11) 15 148 (13) U1 (51) МПК H01L 25/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2000104618/20 , 28.02.2000 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 28.02.2000 (46) Опубликовано: 20.09.2000 (72) Автор(ы): Бобков А.В., Неуймин О.А. (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество "Российская электротехническая компания" U 1 1 5 1 4 8 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели 1. Полупроводниковый преобразователь, содержащий трансформаторный узел и полупроводниковые вентили, отличающийся тем, что трансформаторный узел выполнен в виде трех однофазных трансформаторов, каждый из которых содержит по меньшей мере один кольцевой магнитопровод, сетевую и вентильные обмотки, причем каждая вентильная обмотка имеет по меньшей мере один виток, состоящий из одного вертикального и одного горизонтального элементов, выполненных из жестких прямолинейных шин, вертикальный элемент обмотки охвачен кольцевым магнитопроводом, а горизонтальные элементы обмотки трех однофазных трансформаторов являются основанием преобразователя. 2 ...

Подробнее
Номер записи: 177
10-10-2000 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

Номер: RU0000015422U1
Автор: Антошкин В.И., Егоров А.И., Кирсанов Ю.Д., Кузнецов А.В., Кузнецов С.В., Миронов С.В., Новиков А.В., Попов И.В.
Принадлежит: Закрытое акционерное общество "ОКБ завода "Красное знамя"

1. Фотоэлектрический преобразователь, содержащий полупроводниковую пластину с контактной сеткой на лицевой стороне, состоящей из проходящих без разрыва параллельно поперечной оси с определенным шагом друг от друга узких токосъемных полос, пересекаемых под углом 90 двумя более широкими токосборными полосами, расположенными симметрично по обе стороны от продольной оси и имеющими уширения в виде площадок на боковых сторонах, и контактном на тыльной стороне, отличающийся тем, что площадки на боковых сторонах токосборных полос расположены на пересечениях токосборных полос с токосъемными полосами и имеют площадь от 0,5 до 0,9 мм. 2. Фотоэлектрический преобразователь по п.1, отличающийся тем, что площадки на боковых сторонах токосборных полос выполнены в форме треугольника. 3. Фотоэлектрический преобразователь по п.1 или 2, отличающийся тем, что площадки на боковых сторонах токосборных полос расположены симметрично или асимметрично относительно продольной оси фотоэлектрического преобразователя. (19) RU (11) 15 422 (13) U1 (51) МПК H01L 31/04 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2000112190/20 , 19.05.2000 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 19.05.2000 (46) Опубликовано: 10.10.2000 (73) Патентообладатель(и): Закрытое акционерное общество "ОКБ завода "Красное знамя" 1 5 4 2 2 (72) Автор(ы): Попов И.В., Егоров А.И., Кузнецов С.В., Антошкин В.И., Кирсанов Ю.Д., Миронов С.В., Кузнецов А.В., Новиков А.В. R U Адрес для переписки: 390043, г.Рязань, проезд Шабулина 2А, ЗАО "ОКБ завода "Красное знамя", начальнику отдела Майоровой А.И. (71) Заявитель(и): Закрытое акционерное общество "ОКБ завода "Красное знамя" 1 5 4 2 2 R U (57) Формула полезной модели 1. Фотоэлектрический преобразователь, содержащий полупроводниковую пластину с контактной сеткой на лицевой стороне, состоящей из проходящих без разрыва параллельно поперечной оси с определенным шагом друг от друга узких токосъемных ...

Подробнее
Номер записи: 178
10-10-2000 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

Номер: RU0000015423U1
Автор: Антошкин В.И., Егоров А.И., Кирсанов Ю.Д., Кузнецов А.В., Кузнецов С.В., Миронов С.В., Новиков А.В., Попов И.В.
Принадлежит: Закрытое акционерное общество "ОКБ завода "Красное знамя"

1. Фотоэлектрический преобразователь, содержащий полупроводниковую пластину с контактной сеткой на лицевой стороне, состоящей из проходящих без разрыва параллельно поперечной оси с определенным шагом друг от друга узких токосъемных полос, пересекаемых под углом 90 двумя более широкими токосборными полосами, расположенными симметрично по обе стороны от продольной оси и имеющими уширения в виде площадок на концах с размерами, соизмеримыми с шагом для присоединения металлических шинок, и контактом на тыльной стороне, отличающийся тем, что в токосборных полосах площадки на концах выполнены в форме восьмиугольника с площадью не более 9 мм. 2. Фотоэлектрический преобразователь по п.1 или 2, отличающийся тем, что, по меньшей мере, одна сторона восьмиугольника равна ширине токосборной полосы. 3. Фотоэлектрический преобразователь по п.1 или 2, отличающийся тем, что, по меньшей мере, высота восьмиугольника равна шагу. (19) RU (11) 15 423 (13) U1 (51) МПК H01L 31/04 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2000112191/20 , 19.05.2000 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 19.05.2000 (46) Опубликовано: 10.10.2000 (73) Патентообладатель(и): Закрытое акционерное общество "ОКБ завода "Красное знамя" 1 5 4 2 3 (72) Автор(ы): Попов И.В., Егоров А.И., Кузнецов С.В., Антошкин В.И., Кирсанов Ю.Д., Миронов С.В., Кузнецов А.В., Новиков А.В. R U Адрес для переписки: 390043, г.Рязань, проезд Шабулина 2А, ЗАО "ОКБ завода "Красное знамя", начальнику отдела Майоровой А.И. (71) Заявитель(и): Закрытое акционерное общество "ОКБ завода "Красное знамя" 1 5 4 2 3 R U (57) Формула полезной модели 1. Фотоэлектрический преобразователь, содержащий полупроводниковую пластину с контактной сеткой на лицевой стороне, состоящей из проходящих без разрыва параллельно поперечной оси с определенным шагом друг от друга узких токосъемных полос, пересекаемых под углом 90 o двумя более широкими токосборными полосами, ...

Подробнее
Номер записи: 179
20-10-2000 дата публикации

ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

Номер: RU0000015523U1
Автор: Жилин Е.Н., Лимаренко А.А., Солотов В.А., Юрьев Е.П.
Принадлежит: Общество с ограниченной ответственностью "Постас Лтд"

Термоэлектрический преобразователь, содержащий батарею металлических термопар в свернутом виде, соединенных последовательно, и размещенную в цилиндрическом металлическом корпусе таким образом, что горячие спаи термопар расположены на одном конце корпуса, а холодные спаи термопар на другом конце корпуса, содержащего металлический кожух, надеваемый на корпус, в котором размещено изолированное соединение двух выводных концов батареи термопар с медными проводами, оканчивающихся клеммами, отличающийся тем, что батарея термопар находится в одной плоскости и размещена в плоском прямоугольном корпусе таким образом, что каждый термоэлемент батареи находится в контакте только с последующим и все термоэлементы батареи контактируют с корпусом, кожух, надеваемый на корпус, также имеет плоскую форму. (19) RU (11) 15 523 (13) U1 (51) МПК H01L 35/32 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2000116174/20 , 28.06.2000 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 28.06.2000 (46) Опубликовано: 20.10.2000 (72) Автор(ы): Солотов В.А., Юрьев Е.П., Лимаренко А.А., Жилин Е.Н. 1 5 5 2 3 R U (57) Формула полезной модели Термоэлектрический преобразователь, содержащий батарею металлических термопар в свернутом виде, соединенных последовательно, и размещенную в цилиндрическом металлическом корпусе таким образом, что горячие спаи термопар расположены на одном конце корпуса, а холодные спаи термопар на другом конце корпуса, содержащего металлический кожух, надеваемый на корпус, в котором размещено изолированное соединение двух выводных концов батареи термопар с медными проводами, оканчивающихся клеммами, отличающийся тем, что батарея термопар находится в одной плоскости и размещена в плоском прямоугольном корпусе таким образом, что каждый термоэлемент батареи находится в контакте только с последующим и все термоэлементы батареи контактируют с корпусом, кожух, надеваемый на корпус, также имеет плоскую форму. ...

Подробнее
Номер записи: 180
20-11-2000 дата публикации

ОПТИЧЕСКАЯ НАСАДКА ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ИСТОЧНИКА/ПРИЕМНИКА СВЕТА БЕСПРОВОДНЫХ СИСТЕМ СВЯЗИ

Номер: RU0000015941U1
Автор: Дроботенко А.В., Кузнецов В.Л., Никулин С.Ю.
Принадлежит: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственная компания "Катарсис"

1. Оптическая насадка для полупроводникового источника/приемника беспроводных системы связи, содержащая полупроводниковый источник/приемник света, окруженный сверху иммерсионной линзой, зафиксированный в узком основании этой линзы и снабженный электрическими выводами для подключения к электронной части беспроводной системы связи, отличающаяся тем, что иммерсионная линза выполнена в форме усеченного конуса. 2. Оптическая насадка по п.1, отличающаяся тем, что на узком основании иммерсионной линзы нанесен дополнительный иммерсионный слой, в котором зафиксированы упомянутые электрические выводы таким образом, что слой покрывает их, и толщина слоя соизмерима с высотой выступающих электрических выводов. 3. Оптическая насадка по пп. 1 и 2, отличающаяся тем, что материал иммерсионной линзы имеет показатель преломления выше, чем показатель преломления материала дополнительного иммерсионного слоя. (19) RU (11) 15 941 (13) U1 (51) МПК H01L 31/00 (2000.01) G02B 27/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2000115497/20 , 08.06.2000 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 08.06.2000 (46) Опубликовано: 20.11.2000 (72) Автор(ы): Дроботенко А.В., Никулин С.Ю., Кузнецов В.Л. 1 5 9 4 1 R U (57) Формула полезной модели 1. Оптическая насадка для полупроводникового источника/приемника беспроводных системы связи, содержащая полупроводниковый источник/приемник света, окруженный сверху иммерсионной линзой, зафиксированный в узком основании этой линзы и снабженный электрическими выводами для подключения к электронной части беспроводной системы связи, отличающаяся тем, что иммерсионная линза выполнена в форме усеченного конуса. 2. Оптическая насадка по п.1, отличающаяся тем, что на узком основании иммерсионной линзы нанесен дополнительный иммерсионный слой, в котором зафиксированы упомянутые электрические выводы таким образом, что слой покрывает их, и толщина слоя соизмерима с высотой выступающих ...

Подробнее
Номер записи: 181
27-11-2000 дата публикации

ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

Номер: RU0000016043U1
Автор: Солотов В.А., Юрьев Е.П.
Принадлежит: Общество с ограниченной ответственностью "Постас Лтд."

Термоэлектрический преобразователь, состоящий из батареи металлических термопар, соединенных последовательно, цилиндрического корпуса, выполненного из стали, и цилиндрического кожуха, выполненного из латуни, выводных концов термобатареи с клеммами, отличающийся тем, что кожух изготавливается из стали и с помощью сварки соединяется со стальным корпусом. (19) RU (11) 16 043 (13) U1 (51) МПК H01L 35/32 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2000116173/20 , 28.06.2000 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 28.06.2000 (46) Опубликовано: 27.11.2000 (72) Автор(ы): Солотов В.А., Юрьев Е.П. (73) Патентообладатель(и): Общество с ограниченной ответственностью "Постас Лтд." U 1 1 6 0 4 3 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Термоэлектрический преобразователь, состоящий из батареи металлических термопар, соединенных последовательно, цилиндрического корпуса, выполненного из стали, и цилиндрического кожуха, выполненного из латуни, выводных концов термобатареи с клеммами, отличающийся тем, что кожух изготавливается из стали и с помощью сварки соединяется со стальным корпусом. 1 6 0 4 3 (54) ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ R U Адрес для переписки: 413119, Саратовская обл., г. Энгельс, ОАО "Сигнал", отд.63, Джоболде Т.А. (71) Заявитель(и): Общество с ограниченной ответственностью "Постас Лтд." RU 16 043 U1 RU 16 043 U1 RU 16 043 U1 RU 16 043 U1

Подробнее
Номер записи: 182
10-12-2000 дата публикации

ГИЛЬЗА ЗАЩИТНАЯ ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО

Номер: RU0000016222U1
Автор: Улановский А.А.
Принадлежит: ООО "Производственная компания "ТЕСЕЙ"

1. Гильза защитная для преобразователя термоэлектрического, выполненная в виде детали с глухим отверстием и включающая погружную часть, монтажный элемент и элемент крепления преобразователя термоэлектрического, отличающаяся тем, что монтажный элемент выполнен в виде фланца. 2. Гильза по п.1, отличающаяся тем, что наружная поверхность погружной части выполнена цилиндрической. 3. Гильза по п.1, отличающаяся тем, что наружная поверхность погружной части выполнена конической. (19) RU (11) 16 222 (13) U1 (51) МПК H01L 35/02 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2000119305/20 , 24.07.2000 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 24.07.2000 (71) Заявитель(и): ООО "Производственная компания "ТЕСЕЙ" (72) Автор(ы): Улановский А.А. Адрес для переписки: 249020, Калужская обл., г. Обнинск, а/я 9004, Ю.Б. Базанову (73) Патентообладатель(и): ООО "Производственная компания "ТЕСЕЙ" U 1 1 6 2 2 2 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели 1. Гильза защитная для преобразователя термоэлектрического, выполненная в виде детали с глухим отверстием и включающая погружную часть, монтажный элемент и элемент крепления преобразователя термоэлектрического, отличающаяся тем, что монтажный элемент выполнен в виде фланца. 2. Гильза по п.1, отличающаяся тем, что наружная поверхность погружной части выполнена цилиндрической. 3. Гильза по п.1, отличающаяся тем, что наружная поверхность погружной части выполнена конической. 1 6 2 2 2 (54) ГИЛЬЗА ЗАЩИТНАЯ ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО R U (46) Опубликовано: 10.12.2000 U 1 U 1 1 6 2 2 2 1 6 2 2 2 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 16 222 U1 RU 16 222 U1 RU 16 222 U1

Подробнее
Номер записи: 183
10-01-2001 дата публикации

СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД

Номер: RU0000016569U1
Автор: Засемков В.С., Коротков Ю.А.
Принадлежит: Красноярский фонд "Конверсионный технопарк"

1. Светодиод, включающий цилиндрический корпус с источником излучения, контактные электроды, отличающийся тем, что на цилиндрической образующей выполнена резьба, а на светоизлучающем торце выполнено углубление под отвертку. 2. Светодиод по п.1, отличающийся тем, что углубление под отвертку выполнено крестообразной формы. (19) RU (11) 16 569 (13) U1 (51) МПК H01L 33/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2000118854/20 , 17.07.2000 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 17.07.2000 (46) Опубликовано: 10.01.2001 (72) Автор(ы): Коротков Ю.А., Засемков В.С. (73) Патентообладатель(и): Красноярский фонд "Конверсионный технопарк" U 1 1 6 5 6 9 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели 1. Светодиод, включающий цилиндрический корпус с источником излучения, контактные электроды, отличающийся тем, что на цилиндрической образующей выполнена резьба, а на светоизлучающем торце выполнено углубление под отвертку. 2. Светодиод по п.1, отличающийся тем, что углубление под отвертку выполнено крестообразной формы. 1 6 5 6 9 (54) СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД R U Адрес для переписки: 660032, г.Красноярск, ул. Дубенского 6, Красноярский фонд "Конверсионный технопарк" (71) Заявитель(и): Красноярский фонд "Конверсионный технопарк" U 1 U 1 1 6 5 6 9 1 6 5 6 9 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 16 569 U1 RU 16 569 U1 RU 16 569 U1 RU 16 569 U1

Подробнее
Номер записи: 184
10-02-2001 дата публикации

МОДУЛЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СИЛОВОЙ

Номер: RU0000016803U1
Автор: Коломиец В.И., Марков А.М., Новиков А.В., Савкин А.И., Самчик Н.И.
Принадлежит: Коломиец Валентин Иванович, Марков Александр Михайлович, Новиков Александр Васильевич, Савкин Анатолий Иванович, Самчик Николай Иванович

Модуль полупроводниковый силовой, содержащий основание, изолирующие прокладки, полупроводниковые элементы, силовые и управляющие выводы, изолирующие втулки, на которые надеты стальные шайбы и тарельчатые пружины, траверсы и системы "стягивающий винт-гайка" для прижатия полупроводниковых приборов к силовым выводам и основанию, отличающийся тем, что стягивающие стальные винты вкручены через траверсы в запрессованные в основании стальные гайки или через выборки в основании в стальные траверсы. (19) RU (11) 16 803 (13) U1 (51) МПК H01L 21/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2000118240/20 , 13.07.2000 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 13.07.2000 (46) Опубликовано: 10.02.2001 U 1 R U (57) Формула полезной модели Модуль полупроводниковый силовой, содержащий основание, изолирующие прокладки, полупроводниковые элементы, силовые и управляющие выводы, изолирующие втулки, на которые надеты стальные шайбы и тарельчатые пружины, траверсы и системы "стягивающий винт-гайка" для прижатия полупроводниковых приборов к силовым выводам и основанию, отличающийся тем, что стягивающие стальные винты вкручены через траверсы в запрессованные в основании стальные гайки или через выборки в основании в стальные траверсы. Ñòðàíèöà: 1 U 1 (54) МОДУЛЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СИЛОВОЙ 1 6 8 0 3 (73) Патентообладатель(и): Савкин Анатолий Иванович, Коломиец Валентин Иванович, Марков Александр Михайлович, Новиков Александр Васильевич, Самчик Николай Иванович 1 6 8 0 3 (72) Автор(ы): Савкин А.И., Коломиец В.И., Марков А.М., Новиков А.В., Самчик Н.И. R U Адрес для переписки: 355042, г.Ставрополь, а/я 1205, ЗАО "Энергомодуль" (71) Заявитель(и): Савкин Анатолий Иванович, Коломиец Валентин Иванович, Марков Александр Михайлович, Новиков Александр Васильевич, Самчик Николай Иванович U 1 U 1 1 6 8 0 3 1 6 8 0 3 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 16 803 U1 RU 16 803 U1 RU 16 803 U1 RU 16 803 U1 RU 16 803 U1 RU 16 803 U1

Подробнее
Номер записи: 185
10-03-2001 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР

Номер: RU0000017103U1
Автор: Бежан О.И., Комарова Г.Н., Кузин Ю.И., Михайлов А.В., Седых В.В., Усманов С.А.
Принадлежит: ОАО "Протон"

Полупроводниковый прибор, содержащий рефлектор, закрепленные в нем печатную плату с установленными светодиодами и рассеивающий элемент, отличающийся тем, что светодиоды расположены таким образом, что их оптическая ось относительно перпендикуляра, восстановленного от плоскости печатной платы, находится под углом 20-40 для направления светового потока в сторону печатной платы, отражающая поверхность которой выполнена в виде участков луженной фольги. (19) RU (11) 17 103 (13) U1 (51) МПК H01L 33/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2000121438/20 , 10.08.2000 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 10.08.2000 (46) Опубликовано: 10.03.2001 (72) Автор(ы): Михайлов А.В., Седых В.В., Комарова Г.Н., Бежан О.И., Усманов С.А., Кузин Ю.И. 1 7 1 0 3 R U (57) Формула полезной модели Полупроводниковый прибор, содержащий рефлектор, закрепленные в нем печатную плату с установленными светодиодами и рассеивающий элемент, отличающийся тем, что светодиоды расположены таким образом, что их оптическая ось относительно перпендикуляра, восстановленного от плоскости печатной платы, находится под углом 20-40 o для направления светового потока в сторону печатной платы, отражающая поверхность которой выполнена в виде участков луженной фольги. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР 1 7 1 0 3 (73) Патентообладатель(и): ОАО "Протон" R U Адрес для переписки: 302027, г.Орел, ул. Лескова 19, ОАО "Протон" (71) Заявитель(и): ОАО "Протон" RU 17 103 U1 RU 17 103 U1 RU 17 103 U1

Подробнее
Номер записи: 186
20-03-2001 дата публикации

ОХЛАЖДАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ НЕРАВНОМЕРНО РАСПРЕДЕЛЕННОЙ ТЕПЛОВОЙ НАГРУЗКИ

Номер: RU0000017250U1
Автор: МЯКИ Ярмо, Сунтио Теуво
Принадлежит: Муунтолайте Ой

1. Охлаждающий элемент (400) для охлаждения помещенного в корпус электрического устройства (100) посредством конвекционного потока среды, причем охлаждающий элемент включает в себя заднюю пластину и ребра (401), прикрепленные к нему на определенных расстояниях, отличающийся тем, что ширина по меньшей мере одного зазора (402) между ребрами различна в разных точках и зазоры между ребрами направлены так, что открываются преимущественно на те стороны электрического устройства, где при рабочем положении электрического устройства находится пустое пространство. 2. Охлаждающий элемент (400) по п.1, отличающийся тем, что ребра (401) являются изогнутыми. 3. Охлаждающий элемент (400) по п.1, отличающийся тем, что ширина зазора (402) между множеством ребер в разных точках является различной, так, что ширина зазоров (402) между ребрами является наибольшей в тех точках охлаждающего элемента, которые в процессе использования охлаждающего элемента будут направлены вниз и/или вбок, и наименьшей в тех точках охлаждающего элемента, где указанное помещенное в корпус электрическое устройство (100) содержит компонент, вырабатывающий много тепла в процессе использования. (19) RU (11) 17 250 (13) U1 (51) МПК H05K H05K H01L H01L 5/02 (2000.01) 7/20 (2000.01) 23/367 (2000.01) 23/467 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2000116144/20 , 23.11.1998 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 23.11.1998 (72) Автор(ы): СУНТИО Теуво (FI), МЯКИ Ярмо (FI) (46) Опубликовано: 20.03.2001 (73) Патентообладатель(и): МУУНТОЛАЙТЕ ОЙ (FI) (85) Дата перевода заявки PCT на национальную фазу: 21.06.2000 (74) Патентный поверенный: Егорова Галина Борисовна Адрес для переписки: 129010, Москва, ул. Большая Спасская 25, стр.3, ООО "Городисский и Партнеры", Егоровой Г.Б. R U 1 7 2 5 0 (54) ОХЛАЖДАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ НЕРАВНОМЕРНО РАСПРЕДЕЛЕННОЙ ТЕПЛОВОЙ НАГРУЗКИ (57) Формула полезной модели 1. Охлаждающий элемент (400) для ...

Подробнее
Номер записи: 187
27-03-2001 дата публикации

ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР ТОКА ДЛЯ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ СИСТЕМ НА ТРУБОПРОВОДАХ ГАЗОВЫХ И НЕФТЯНЫХ СКВАЖИН

Номер: RU0000017379U1
Автор: Ананенков А.Г., Битюков В.С., Булучевский А.Н., Горяинов Ю.А., Дедиков Е.В., Коротаев Ю.П., Неелов Ю.В., Подюк В.Г., Райкевич А.И., Ремизов В.В., Семененко В.Ф., Якупов З.Г.
Принадлежит: Ананенков Александр Георгиевич, Битюков Владимир Сергеевич, Булучевский Анатолий Николаевич, Горяинов Юрий Афанасьевич, Дедиков Евгений Васильевич, Коротаев Юрий Павлович, Неелов Юрий Васильевич, Подюк Василий Григорьевич, Райкевич Александр Иосифович, Ремизов Валерий Владимирович, Семененко Валерий Фокович, Якупов Зимфир Галимухаметович

1. Термоэлектрический генератор тока для измерительных систем на трубопроводах газовых и нефтяных скважин, содержащий теплообменный блок, выполненный в виде полумуфты, батарею термоэлементов, охлаждающий блок и устройство для поджима к трубопроводу, отличающийся тем, что на контактирующей с трубой поверхности полумуфты выполнена полость, которая содержит теплопроводную жидкость, при этом по периметру полости установлена прокладка, выполненная из упругого материала. 2. Генератор по п.1, отличающийся тем, что полость выполнена глубиной не менее 3 мм. 3. Генератор по п. 1 или 1 и 2, отличающийся тем, что на обращенной к трубе торцевой поверхности полумуфты выполнены отверстия, которые соединены с полостью. 4. Генератор по п. 3, отличающийся тем, что в отверстия установлены пробки. 5. Генератор по п.1, или 1 и 2, или 1 - 3, или 1 - 4, отличающийся тем, что устройство для поджима выполнено в виде балки и стяжных болтов, при этом балка установлена поперек трубопровода симметрично его оси и закреплена болтами с возможностью образования в ней упругих напряжений от изгиба. (19) RU (11) 17 379 (13) U1 (51) МПК H01L 35/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2000127159/20 , 31.10.2000 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 31.10.2000 (46) Опубликовано: 27.03.2001 (54) ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР ТОКА ДЛЯ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ СИСТЕМ НА ТРУБОПРОВОДАХ ГАЗОВЫХ И НЕФТЯНЫХ СКВАЖИН Ñòðàíèöà: 1 U 1 1 7 3 7 9 R U U 1 (73) Патентообладатель(и): Ананенков Александр Георгиевич, Битюков Владимир Сергеевич, Булучевский Анатолий Николаевич, Горяинов Юрий Афанасьевич, Дедиков Евгений Васильевич, Коротаев Юрий Павлович, Неелов Юрий Васильевич, Подюк Василий Григорьевич, Райкевич Александр Иосифович, Ремизов Валерий Владимирович, Семененко Валерий Фокович, Якупов Зимфир Галимухаметович 1 7 3 7 9 (72) Автор(ы): Ананенков А.Г., Битюков В.С., Булучевский А.Н., Горяинов Ю.А., Дедиков Е.В., Коротаев Ю.П., ...

Подробнее
Номер записи: 188
05-01-2012 дата публикации

Pixel structure with multiple transfer gates

Номер: US20120002089A1
Автор: Bram Wolfs, Guy Meynants, Xinyang Wang
Принадлежит: CMOSIS BVBA

A pixel structure comprises a photo-sensitive element for generating charge in response to incident light. A first transfer gate is connected between the photo-sensitive element and a first charge conversion element. A second transfer gate is connected between the photo-sensitive element and a second charge conversion element. An output stage outputs a first value related to charge at the first charge conversion element and outputs a second value related to charge at the second charge conversion element. A controller controls operation of the pixel structures and causes a pixel structure. The controller causes the pixel structure to: acquire charges on the photo-sensitive element during an exposure period; transfer a first portion of the charges acquired during the exposure period from the photo-sensitive element to the first charge conversion element via the first transfer gate; and transfer a second portion of the charges acquired during the exposure period from the photo-sensitive element to the second charge conversion element via the second transfer gate.

Подробнее
Номер записи: 189
27-04-2001 дата публикации

НИЗКОВОЛЬТНАЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ БАТАРЕЯ

Номер: RU0000017818U1
Автор: Баймаков А.Н., Байтингер Е.М., Бондарев В.В., Будорагин Ю.А., Гераськин М.В., Драпкин М.А., Копысов В.В., Мучник Г.Г., Назаров А.В., Попов А.С., Рогозин А.М., Синицын С.А., Фомин С.В.
Принадлежит: Будорагин Юрий Александрович, Драпкин Михаил Арнольдович, Рогозин Александр Михайлович

Низковольтная термоэлектрическая батарея, содержащая термоэлементы, отличающаяся тем, что термоэлементы изготовлены из хромелькопеля и размещены между двумя теплопроводящими керамическими пластинами. (19) RU (11) 17 818 (13) U1 (51) МПК H01L 35/02 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2000129437/20 , 27.11.2000 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 27.11.2000 (46) Опубликовано: 27.04.2001 (57) Формула полезной модели Низковольтная термоэлектрическая батарея, содержащая термоэлементы, отличающаяся тем, что термоэлементы изготовлены из хромелькопеля и размещены между двумя теплопроводящими керамическими пластинами. U 1 R U 1 7 8 1 8 (54) НИЗКОВОЛЬТНАЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ БАТАРЕЯ Ñòðàíèöà: 1 U 1 (73) Патентообладатель(и): Драпкин Михаил Арнольдович, Рогозин Александр Михайлович, Будорагин Юрий Александрович 1 7 8 1 8 (72) Автор(ы): Драпкин М.А., Рогозин А.М., Будорагин Ю.А., Копысов В.В., Синицын С.А., Назаров А.В., Гераськин М.В., Фомин С.В., Попов А.С., Баймаков А.Н., Бондарев В.В., Мучник Г.Г., Байтингер Е.М. R U Адрес для переписки: 454091, г.Челябинск, ул. Красная, 42, кв.39, М.А.Драпкину (71) Заявитель(и): Драпкин Михаил Арнольдович, Рогозин Александр Михайлович, Будорагин Юрий Александрович U 1 U 1 1 7 8 1 8 1 7 8 1 8 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 17 818 U1 RU 17 818 U1 RU 17 818 U1 RU 17 818 U1

Подробнее
Номер записи: 190
10-06-2001 дата публикации

КОНСТРУКЦИЯ СИЛОВОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО БЛОКА

Номер: RU0000018325U1
Автор: Барашков А.А., Мишанин В.Е., Монтвилишский Б.Д., Новиков А.В., Савкин А.И., Савкин В.И.
Принадлежит: Барашков Александр Алексеевич, Мишанин Виктор Ефимович, Монтвилишский Борис Данилович, Новиков Александр Васильевич, Савкин Анатолий Иванович, Савкин Вячеслав Иванович

1. Конструкция силового полупроводникового блока, состоящая из полупроводниковых приборов, одним из электродов которых является металлический корпус, вторым электродом является вывод металлических перемычек, служащих для параллельного соединения полупроводниковых приборов, токоподводящих шин, предназначенных для присоединения полупроводникового блока к электрической схеме, не менее двух оребренных охладителей, имеющих плоскую область, тарельчатых пружин, обеспечивающих прижимной электрический контакт, изоляторов, стяжных устройств, в которой полупроводниковые приборы запрессованы в отверстия, изготовленные в плоской области охладителей, корпусы полупроводниковых приборов находятся в тепловом и электрическом контакте с охладителем, выводы приборов направлены в сторону, противоположную ребрам охладителя, полупроводниковые приборы каждого охладителя разделены на группы, в каждой группе выводы приборов соединены между собой металлической перемычкой, охладители с установленными в них полупроводниковыми приборами соединены посредством стяжных устройств, при этом ребра охладителей ориентированы в противоположные стороны, токоподводящие шины расположены между плоскими областями охладителей, отличающаяся тем, что в металлических перемычках и охладителях не менее чем в двух точках изготовлены соосные отверстия, куда вставлены направляющие штифты, на которых размещены изоляторы, тарельчатые пружины и токоподводящие шины, при этом изоляторы и тарельчатые пружины находятся между плоской областью охладителя и металлическими перемычками, а токоподводящие шины установлены на металлических перемычках. 2. Конструкция силового полупроводникового блока по п.1, отличающаяся тем, что плоская область охладителя выступает за его ребра по длине. 3. Конструкция силового полупроводникового блока по пп.1 и 2, отличающаяся тем, что между металлическими перемычками и токоподводящими шинами помещены пластины из электрически изоляционного материала. 4. Конструкция силового полупроводникового блока ...

Подробнее
Номер записи: 191
10-06-2001 дата публикации

СИЛОВОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ БЛОК

Номер: RU0000018328U1
Автор: Мишанин В.Е., Новиков А.В., Савкин А.И., Савкин В.И.
Принадлежит: Мишанин Виктор Ефимович, Новиков Александр Васильевич, Савкин Анатолий Иванович, Савкин Вячеслав Иванович

1. Силовой полупроводниковый блок, состоящий из оребренного охладителя, полупроводниковых приборов, запрессованных в отверстия в плоской части охладителя, токовводов, соединяющих полупроводниковые приборы в электрическую схему, отличающийся тем, что полупроводниковые приборы помещены в плоскую часть охладителя на глубину контактного соприкосновения с ребром охладителя. 2. Силовой полупроводниковый блок по п.1, отличающийся тем, что контактная площадь донышка корпуса полупроводникового прибора с ребром охладителя составляет не менее 20% площади донышка. 3, Силовой полупроводниковый блок по п. 2, отличающийся тем, что в плоской части оребренного охладителя имеются сквозные каналы для подвода воздуха в межреберное пространство со стороны плоской части. 4. Силовой полупроводниковый блок по п.3, отличающийся тем, что в ребрах охладителя изготовлены каналы для вентиляции межреберного пространства. (19) RU (11) 18 328 (13) U1 (51) МПК H02K 9/00 (2000.01) H01L 23/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2000129083/20 , 28.11.2000 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 28.11.2000 (46) Опубликовано: 10.06.2001 (71) Заявитель(и): Мишанин Виктор Ефимович, Новиков Александр Васильевич, Савкин Анатолий Иванович, Савкин Вячеслав Иванович 1 8 3 2 8 (73) Патентообладатель(и): Мишанин Виктор Ефимович, Новиков Александр Васильевич, Савкин Анатолий Иванович, Савкин Вячеслав Иванович R U (72) Автор(ы): Мишанин В.Е., Новиков А.В., Савкин А.И., Савкин В.И. Адрес для переписки: 141141, Московская обл., г.Химки, ул. Парковая, 8-28, В.Е.Мишанину 1 8 3 2 8 R U (57) Формула полезной модели 1. Силовой полупроводниковый блок, состоящий из оребренного охладителя, полупроводниковых приборов, запрессованных в отверстия в плоской части охладителя, токовводов, соединяющих полупроводниковые приборы в электрическую схему, отличающийся тем, что полупроводниковые приборы помещены в плоскую часть охладителя ...

Подробнее
Номер записи: 192
05-01-2012 дата публикации

Driving circuit and liquid crystal display device including the same

Номер: US20120002146A1
Автор: Jin-Cheol Hong, Min-Hwa Kim
Принадлежит: Individual

A tape carrier package (TCP) includes a film, a plurality of output leads and a plurality of input leads on the film, the plurality of output leads and the plurality of input leads being disposed on different sides, first and second TCP alignment marks arranged on opposing sides of the plurality of output leads, and a third TCP alignment mark at a central portion of the plurality of output leads.

Подробнее
Номер записи: 193
10-08-2001 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР

Номер: RU0000019215U1
Автор: Круглов Ю.В., Семенова Н.Н., Снитков Л.Ф.
Принадлежит: Открытое акционерное общество "Протон"

Полупроводниковый прибор, загерметизированный прозрачным или светорассеивающим компаундом, содержащий основание, имеющее от двух до n запрессованных штырей с контактными площадками, два из которых являются выводами прибора, от одного до n-1 последовательно соединенных кристаллов, приклеенных с помощью электропроводящего клея и разваренных на контактных площадках, отличающийся тем, что основание выполнено из поликарбоната, причем выводы прибора залиты на выходе из основания компаундом. (19) RU (11) 19 215 (13) U1 (51) МПК H01L 33/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2001102470/20 , 30.01.2001 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 30.01.2001 (46) Опубликовано: 10.08.2001 (72) Автор(ы): Круглов Ю.В., Семенова Н.Н., Снитков Л.Ф. (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество "Протон" U 1 1 9 2 1 5 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Полупроводниковый прибор, загерметизированный прозрачным или светорассеивающим компаундом, содержащий основание, имеющее от двух до n запрессованных штырей с контактными площадками, два из которых являются выводами прибора, от одного до n-1 последовательно соединенных кристаллов, приклеенных с помощью электропроводящего клея и разваренных на контактных площадках, отличающийся тем, что основание выполнено из поликарбоната, причем выводы прибора залиты на выходе из основания компаундом. 1 9 2 1 5 (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР R U Адрес для переписки: 302027, г.Орел, ул. Лескова, 19, ОАО "Протон" (71) Заявитель(и): Открытое акционерное общество "Протон" U 1 U 1 1 9 2 1 5 1 9 2 1 5 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 19 215 U1 RU 19 215 U1

Подробнее
Номер записи: 194
10-08-2001 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР

Номер: RU0000019216U1
Автор: Круглов Ю.В., Семенова Н.Н., Снитков Л.Ф.
Принадлежит: Открытое акционерное общество "Протон"

Полупроводниковый прибор, загерметизированный прозрачным или светорассеивающим компаундом, содержащий основание, имеющее от двух до "n" контактных площадок, два вывода, от одного до "n-1" последовательно соединенных кристаллов, приклеенных с помощью электропроводящего клея и разваренных на контактных площадках, отличающийся тем, что основание выполнено в виде печатной платы в форме круга с вытравленными контактными площадками. (19) RU (11) 19 216 (13) U1 (51) МПК H01L 33/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2001102471/20 , 30.01.2001 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 30.01.2001 (46) Опубликовано: 10.08.2001 (72) Автор(ы): Круглов Ю.В., Семенова Н.Н., Снитков Л.Ф. (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество "Протон" U 1 1 9 2 1 6 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Полупроводниковый прибор, загерметизированный прозрачным или светорассеивающим компаундом, содержащий основание, имеющее от двух до "n" контактных площадок, два вывода, от одного до "n-1" последовательно соединенных кристаллов, приклеенных с помощью электропроводящего клея и разваренных на контактных площадках, отличающийся тем, что основание выполнено в виде печатной платы в форме круга с вытравленными контактными площадками. 1 9 2 1 6 (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР R U Адрес для переписки: 302027, г.Орел, ул. Лескова 19, ОАО "Протон" (71) Заявитель(и): Открытое акционерное общество "Протон" RU 19 216 U1 RU 19 216 U1 RU 19 216 U1

Подробнее
Номер записи: 195
10-08-2001 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР

Номер: RU0000019217U1
Автор: Аксенов И.В., Круглов Ю.В., Семенова Н.Н., Снитков Л.Ф.
Принадлежит: Открытое акционерное общество "Протон"

Полупроводниковый прибор, содержащий 3n кристаллов, приклеенных с помощью клея и разваренных на плате с 2n выводами, светопровод, рассеивающую линзу, отличающийся тем, что кристаллы разделены между собой на две и более до n групп, каждая из которых содержит три кристалла, последовательно соединенных и равноудаленных от геометрического центра светопровода, образуя в его пределах равносторонний треугольник с равномерно расположенными по кругу кристаллами. (19) RU (11) 19 217 (13) U1 (51) МПК H01L 33/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2001102472/20 , 30.01.2001 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 30.01.2001 (46) Опубликовано: 10.08.2001 (72) Автор(ы): Аксенов И.В., Круглов Ю.В., Семенова Н.Н., Снитков Л.Ф. (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество "Протон" U 1 1 9 2 1 7 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Полупроводниковый прибор, содержащий 3n кристаллов, приклеенных с помощью клея и разваренных на плате с 2n выводами, светопровод, рассеивающую линзу, отличающийся тем, что кристаллы разделены между собой на две и более до n групп, каждая из которых содержит три кристалла, последовательно соединенных и равноудаленных от геометрического центра светопровода, образуя в его пределах равносторонний треугольник с равномерно расположенными по кругу кристаллами. 1 9 2 1 7 (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР R U Адрес для переписки: 302027, г.Орел, ул. Лескова, 19, ОАО "Протон" (71) Заявитель(и): Открытое акционерное общество "Протон" RU 19 217 U1 RU 19 217 U1 RU 19 217 U1 RU 19 217 U1 RU 19 217 U1

Подробнее
Номер записи: 196
27-08-2001 дата публикации

УСТРОЙСТВО ОХЛАЖДЕНИЯ КОМПЬЮТЕРА

Номер: RU0000019426U1
Автор: Александров Р.Ю.
Принадлежит: Александров Роман Юрьевич

1. Устройство охлаждения компьютера, включающее взаимосвязанные между собой и смонтированные в корпусе системного блока компьютера вентилятор с элементами защиты и элементы управления с транзисторами и привод, отличающееся тем, что статор привода вентилятора снабжен предохранительным узлом, расположенным параллельно обмоткам статора, который выполнен в виде соединенных между собой резистора и диода, а узел переключения обмоток имеет элемент защиты транзисторов, который выполнен в виде последовательно включенных в цепь коллектора и эмиттера дополнительного резистора и соединенного с узлом переключения стабилизатора напряжения. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что предохранительный узел выполнен в виде последовательно соединенных между собой резисторов. 3. Устройство по пп.1 и 2, отличающееся тем, что резисторы по величине сопротивления выполнены разновеликими. 4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что предохранительный узел выполнен в виде последовательно соединенных между собой резистора и диода. 5. Устройство по п.1, отличающееся тем, что предохранительный узел выполнен в виде последовательно соединенных резистора, диода и стабилитрона. 6. Устройство по п.1, отличающееся тем, что предохранительный узел выполнен в виде последовательно соединенных между собой конденсатора и резистора. 7. Устройство по п.1, отличающееся тем, что обмотки статора привода выполнены проводом с термопрочной изоляцией с показателями температуры от -50 до +200С. 8. Устройство по п.1, отличающееся тем, что конденсаторы узла переключения обмоток выполнены с напряжением пробоя не менее 50 Вольт. (19) RU (11) 19 426 (13) U1 (51) МПК G06F 1/20 (2000.01) H01L 23/34 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2001107248/20 , 27.03.2001 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 27.03.2001 (46) Опубликовано: 27.08.2001 (72) Автор(ы): Александров Р.Ю. (73) Патентообладатель(и): Александров Роман Юрьевич R ...

Подробнее
Номер записи: 197
10-09-2001 дата публикации

ГИЛЬЗА ЗАЩИТНАЯ

Номер: RU0000019610U1
Автор: Улановский А.А.
Принадлежит: ООО "Производственная компания "ТЕСЕЙ"

Гильза защитная, состоящая из защитного чехла, монтажного элемента, элемента крепления преобразователя термоэлектрического, узла ввода-вывода инертного газа и разделительной трубки для формирования потока инертного газа внутри защитного чехла, отличающаяся тем, что защитный чехол выполнен из сплава ХН45Ю. (19) RU (11) 19 610 (13) U1 (51) МПК H01L 35/02 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2000127497/20 , 08.11.2000 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 08.11.2000 (71) Заявитель(и): ООО "Производственная компания "ТЕСЕЙ" (72) Автор(ы): Улановский А.А. Адрес для переписки: 249035, Калужская обл., г.Обнинск, а/я 9004, Ю.Б.Базанову (73) Патентообладатель(и): ООО "Производственная компания "ТЕСЕЙ" (57) Формула полезной модели Гильза защитная, состоящая из защитного чехла, монтажного элемента, элемента крепления преобразователя термоэлектрического, узла ввода-вывода инертного газа и разделительной трубки для формирования потока инертного газа внутри защитного чехла, отличающаяся тем, что защитный чехол выполнен из сплава ХН45Ю. 1 9 6 1 0 (54) ГИЛЬЗА ЗАЩИТНАЯ R U (46) Опубликовано: 10.09.2001 R U 1 9 6 1 0 U 1 U 1 Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 1 9 6 1 0 1 9 6 1 0 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 19 610 U1 RU 19 610 U1 RU 19 610 U1

Подробнее
Номер записи: 198
10-10-2001 дата публикации

КОНСТРУКЦИЯ ГИБРИДНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ

Номер: RU0000019958U1
Автор: Барановский Д.М., Череповский Ю.П.
Принадлежит: ЗАО "Синтез электронных компонентов"

1. Гибридная интегральная схема, состоящая из основания, на котором расположены электронные элементы, отличающаяся тем, что на поверхность основания нанесен компаунд, первоначальная вязкость которого подбирается таким образом, чтобы он, свободно растекаясь, покрывал электронные элементы, удерживаясь в пределах основания за счет сил поверхностного натяжения, принятую таким образом форму компаунд сохраняет после полимеризации. 2. Гибридная интегральная схема по п.1, отличающаяся тем, что дополнительно в первоначально жидкий компаунд введены частицы непрозрачного вещества, и/или нанесено непрозрачное покрытие, либо на всю поверхность полимеризованного компаунда, либо локально на фоточувствительные электронные элементы, и/или гибридная интегральная схема накрыта непрозрачным чехлом. (19) RU (11) 19 958 (13) U1 (51) МПК H01L 27/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2001108694/20 , 30.03.2001 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 30.03.2001 (46) Опубликовано: 10.10.2001 (72) Автор(ы): Череповский Ю.П., Барановский Д.М. (73) Патентообладатель(и): ЗАО "Синтез электронных компонентов" R U Адрес для переписки: 302020, г.Орел, Наугорское ш., 5, ЗАО "СИНТЭК" (71) Заявитель(и): ЗАО "Синтез электронных компонентов" 1 9 9 5 8 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели 1. Гибридная интегральная схема, состоящая из основания, на котором расположены электронные элементы, отличающаяся тем, что на поверхность основания нанесен компаунд, первоначальная вязкость которого подбирается таким образом, чтобы он, свободно растекаясь, покрывал электронные элементы, удерживаясь в пределах основания за счет сил поверхностного натяжения, принятую таким образом форму компаунд сохраняет после полимеризации. 2. Гибридная интегральная схема по п.1, отличающаяся тем, что дополнительно в первоначально жидкий компаунд введены частицы непрозрачного вещества, и/или нанесено непрозрачное покрытие, ...

Подробнее
Номер записи: 199
10-10-2001 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР

Номер: RU0000019960U1
Автор: Круглов Ю.В., Семенова Н.Н., Снитков Л.Ф.
Принадлежит: Открытое акционерное общество "Протон"

Полупроводниковый прибор, содержащий светопровод с отражателями, плату с запрессованными выводами, кристаллы, приклеенные на траверсу с помощью клея и разваренные в пределах внутренних окон отражателей, загерметизированные светорассеивающим компаундом, отличающийся тем, что выводы выполнены формованными, а траверсы на плате под наклейку и разварку кристаллов имеют реперные метки. (19) RU (11) 19 960 (13) U1 (51) МПК H01L 33/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2001106102/20 , 11.03.2001 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 11.03.2001 (46) Опубликовано: 10.10.2001 (72) Автор(ы): Круглов Ю.В., Семенова Н.Н., Снитков Л.Ф. (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество "Протон" U 1 1 9 9 6 0 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Полупроводниковый прибор, содержащий светопровод с отражателями, плату с запрессованными выводами, кристаллы, приклеенные на траверсу с помощью клея и разваренные в пределах внутренних окон отражателей, загерметизированные светорассеивающим компаундом, отличающийся тем, что выводы выполнены формованными, а траверсы на плате под наклейку и разварку кристаллов имеют реперные метки. 1 9 9 6 0 (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР R U Адрес для переписки: 302027, г.Орел, ул. Лескова, 19, ОАО "Протон" (71) Заявитель(и): Открытое акционерное общество "Протон" RU 19 960 U1 RU 19 960 U1 RU 19 960 U1 RU 19 960 U1

Подробнее
Номер записи: 200