Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год

Применить Всего найдено 1011341. Отображено 100.
16-08-1995 дата публикации

Устройство для высокотемпературной обработки полупроводниковых пластин

Номер: RU0000000749U1

1. Устройство для высокотемпературной обработки полупроводниковых пластин, включающее печь с горизонтальной трубой и кассету, средство для центровки и удержания пластин, учел регулировки усилия сжатия пластин, отличающееся тем, что кассета выполнена в виде грех жестко сваренных между собой кварцевых труб разной длины и диаметра, а средства для центровки и удержания пластин выполнено в виде двух кварцевых чашек, двух кремниевых шайб, одна из шайб имеет одну сторону плоскую, другую вогнутую, другая шайба имеет одну сторону плоскую, другую выпуклую, и кварцевой скобы, на которой расположены кварцевые чашки и кремниевые шайбы. 2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что кварцевая скоба продольно наклонена. 3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что кварцевая чашка со стороны узла регулировки усилия сжатия имеет по краю диаметр больше 1/3 диаметра кремниевой шайбы. (19) RU (11) (13) 749 U1 (51) МПК H01L 21/68 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 93042518/25, 25.08.1993 (46) Опубликовано: 16.08.1995 (71) Заявитель(и): Акционерное общество "Кремний" (73) Патентообладатель(и): Акционерное общество "Кремний" Ñòðàíèöà: 1 U 1 7 4 9 R U U 1 (57) Формула полезной модели 1. Устройство для высокотемпературной обработки полупроводниковых пластин, включающее печь с горизонтальной трубой и кассету, средство для центровки и удержания пластин, учел регулировки усилия сжатия пластин, отличающееся тем, что кассета выполнена в виде грех жестко сваренных между собой кварцевых труб разной длины и диаметра, а средства для центровки и удержания пластин выполнено в виде двух кварцевых чашек, двух кремниевых шайб, одна из шайб имеет одну сторону плоскую, другую вогнутую, другая шайба имеет одну сторону плоскую, другую выпуклую, и кварцевой скобы, на которой расположены кварцевые чашки и кремниевые шайбы. 2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что кварцевая скоба продольно наклонена. 3. Устройство по п. ...

Подробнее
16-09-1995 дата публикации

Мощный биполярный переключательный транзистор

Номер: RU0000000867U1

Мощный биполярный переключательный транзистор, содержащий в структуре эмиттерную область, расположенную в базовой области и выполненную в виде узких полос, соединенных между собой общей металлизацией, образующей контактную площадку, размеры которой достаточны для присоединения внешнего вывода эмиттера, отличающийся тем, что общая металлизация, образующая контактную площадку, располагается над областями эмиттера и базы поперек полос эмиттера. (19) RU (11) (13) 867 U1 (51) МПК H01L 29/73 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 93041424/25, 18.08.1993 (46) Опубликовано: 16.09.1995 (71) Заявитель(и): Государственное предприятие - Особое конструкторское бюро "Искра" R U 8 6 7 (57) Формула полезной модели Мощный биполярный переключательный транзистор, содержащий в структуре эмиттерную область, расположенную в базовой области и выполненную в виде узких полос, соединенных между собой общей металлизацией, образующей контактную площадку, размеры которой достаточны для присоединения внешнего вывода эмиттера, отличающийся тем, что общая металлизация, образующая контактную площадку, располагается над областями эмиттера и базы поперек полос эмиттера. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) Мощный биполярный переключательный транзистор 8 6 7 (73) Патентообладатель(и): Государственное предприятие - Особое конструкторское бюро "Искра" R U (72) Автор(ы): Королев А.Ф., Гордеев А.И., Насейкин В.О., Левин А.А. RU 867 U1 RU 867 U1 RU 867 U1 RU 867 U1 RU 867 U1 RU 867 U1

Подробнее
16-11-1995 дата публикации

Групповой спутник-носитель для бескорпусных интегральных микросхем

Номер: RU0000001171U1

Групповой спутник-носитель для бескорпусных интегральных микросхем на полиамидной рамке, в которой имеются установочные отверстия, содержащий жесткое основание, изготовленное из изоляционного материала с отверстиями, в которых утоплены кристаллы микросхем, отличающийся тем, что к основанию, выполненному по форме и размерам унифицированной полупроводниковой пластины, адгезивом прикреплены рамки микросхем с точностью, заданной при взаимодействии установочных отверстий рамок микросхем и центрирующих отверстий, выполненных в основании, которое со стороны, противоположной размещению рамок, закрыто защитной пленкой. (19) RU (11) (13) 1 171 U1 (51) МПК H01L 21/68 (1995.01) H01L 21/70 (1995.01) H01L 21/82 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 5057749/10, 25.08.1992 (46) Опубликовано: 16.11.1995 (71) Заявитель(и): Гультяев Юрий Павлович, Иванов Николай Викторович (73) Патентообладатель(и): Гультяев Юрий Павлович, Иванов Николай Викторович U 1 1 1 7 1 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Групповой спутник-носитель для бескорпусных интегральных микросхем на полиамидной рамке, в которой имеются установочные отверстия, содержащий жесткое основание, изготовленное из изоляционного материала с отверстиями, в которых утоплены кристаллы микросхем, отличающийся тем, что к основанию, выполненному по форме и размерам унифицированной полупроводниковой пластины, адгезивом прикреплены рамки микросхем с точностью, заданной при взаимодействии установочных отверстий рамок микросхем и центрирующих отверстий, выполненных в основании, которое со стороны, противоположной размещению рамок, закрыто защитной пленкой. 1 1 7 1 (54) Групповой спутник-носитель для бескорпусных интегральных микросхем R U (72) Автор(ы): Гультяев Юрий Павлович, Иванов Николай Викторович RU 1 171 U1 RU 1 171 U1 RU 1 171 U1 RU 1 171 U1 RU 1 171 U1 RU 1 171 U1

Подробнее
16-11-1995 дата публикации

Спутник-носитель для бескорпусной интегральной микросхемы

Номер: RU0000001172U1

Спутник-носитель для бескорпусной интегральной микросхемы на полиамидной рамке, в которой выполнены установочные отверстия, содержащий жесткое основание из изоляционного материала, имеющее центрирующие отверстия для взаимной ориентации микросхем и основания, отличающийся тем, что основание имеет в центре углубление, в котором располагается кристалл микросхемы, а рамка микросхемы закреплена на основании адгезивом, который наносится при соосном расположении центрирующих отверстий основания и установочных отверстий рамки микросхемы. (19) RU (11) (13) 1 172 U1 (51) МПК H01L 21/68 (1995.01) H01L 21/70 (1995.01) H01L 21/82 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 5057750/10, 25.08.1992 (46) Опубликовано: 16.11.1995 (71) Заявитель(и): Гультяев Юрий Павлович, Иванов Николай Викторович (73) Патентообладатель(и): Гультяев Юрий Павлович, Иванов Николай Викторович U 1 1 1 7 2 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Спутник-носитель для бескорпусной интегральной микросхемы на полиамидной рамке, в которой выполнены установочные отверстия, содержащий жесткое основание из изоляционного материала, имеющее центрирующие отверстия для взаимной ориентации микросхем и основания, отличающийся тем, что основание имеет в центре углубление, в котором располагается кристалл микросхемы, а рамка микросхемы закреплена на основании адгезивом, который наносится при соосном расположении центрирующих отверстий основания и установочных отверстий рамки микросхемы. 1 1 7 2 (54) Спутник-носитель для бескорпусной интегральной микросхемы R U (72) Автор(ы): Гультяев Юрий Павлович, Иванов Николай Викторович RU 1 172 U1 RU 1 172 U1 RU 1 172 U1 RU 1 172 U1

Подробнее
16-03-1996 дата публикации

КОРПУС МОЩНОГО ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ТРАНЗИСТОРА С ГЕРМЕТИЗАЦИЕЙ ПРЕСС-МАТЕРИАЛОМ

Номер: RU0000001928U1

КОРПУС МОЩНОГО ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ТРАНЗИСТОРА С ГЕРМЕТИЗАЦИЕЙ ПРЕСС-МАТЕРИАЛОМ, состоящий из держателя, выводной рамки, соединенных между собой механически, и пресс-материала для герметизации транзистора, отличающийся тем, что выводная рамка имеет сквозное отверстие прямоугольной формы, частично перекрывает держатель, и в четырех местах механически соединена с держателем так, чтобы образовывалась полость на посадочной поверхности под кристалл держателя. (19) RU (11) (13) 1 928 U1 (51) МПК H01L 23/02 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 94022118/25, 16.06.1994 (46) Опубликовано: 16.03.1996 (71) Заявитель(и): Акционерное общество "Элиз" (72) Автор(ы): Никотин В.Н., Чечельницкий В.Б. U 1 1 9 2 8 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели КОРПУС МОЩНОГО ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ТРАНЗИСТОРА С ГЕРМЕТИЗАЦИЕЙ ПРЕСС-МАТЕРИАЛОМ, состоящий из держателя, выводной рамки, соединенных между собой механически, и пресс-материала для герметизации транзистора, отличающийся тем, что выводная рамка имеет сквозное отверстие прямоугольной формы, частично перекрывает держатель, и в четырех местах механически соединена с держателем так, чтобы образовывалась полость на посадочной поверхности под кристалл держателя. 1 9 2 8 (54) КОРПУС МОЩНОГО ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ТРАНЗИСТОРА С ГЕРМЕТИЗАЦИЕЙ ПРЕСС-МАТЕРИАЛОМ R U (73) Патентообладатель(и): Акционерное общество "Элиз" RU 1 928 U1 RU 1 928 U1 RU 1 928 U1 RU 1 928 U1 RU 1 928 U1 RU 1 928 U1 RU 1 928 U1

Подробнее
16-03-1996 дата публикации

СТРУКТУРА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Номер: RU0000001929U1

1. СТРУКТУРА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, имеющая слой низкоомного полупроводника, отличающаяся тем, что низкоомный слой имеет меньшую толщину и к нему через соединительный слой стекла дополнительно присоединена опорная подложка, не вызывающая автолегирования, имеющая большую толщину, чем низкоомный слой. 2. Структура по п. 1, отличающаяся тем, что в качестве соединительного слоя применяется боросиликатное стекло. (19) RU (11) (13) 1 929 U1 (51) МПК H01L 27/02 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 93039572/25, 10.08.1993 (46) Опубликовано: 16.03.1996 (71) Заявитель(и): Акционерное общество "Кремний" (73) Патентообладатель(и): Акционерное общество "Кремний" U 1 1 9 2 9 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели 1. СТРУКТУРА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, имеющая слой низкоомного полупроводника, отличающаяся тем, что низкоомный слой имеет меньшую толщину и к нему через соединительный слой стекла дополнительно присоединена опорная подложка, не вызывающая автолегирования, имеющая большую толщину, чем низкоомный слой. 2. Структура по п. 1, отличающаяся тем, что в качестве соединительного слоя применяется боросиликатное стекло. 1 9 2 9 (54) СТРУКТУРА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ R U (72) Автор(ы): Матовников В.А., Жилин Л.М., Шеин Ю.Ф., Бурьба В.В. RU 1 929 U1 RU 1 929 U1 RU 1 929 U1 RU 1 929 U1 RU 1 929 U1 RU 1 929 U1

Подробнее
16-04-1996 дата публикации

МНОГОКРИСТАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ

Номер: RU0000002052U1

1. МНОГОКРИСТАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ, содержащий подложку, выполненную из полупроводникового материала, например кремния, на поверхности которой установлены внутренние и внешние контактные площадки, соединенные между собой посредством металлизированных проводников, расположенных на соответствующих слоях металлизации, установлены кристаллы микросхем, выводы которых соединены с соответствующими внутренними контактными площадками, основание, крышку и внешние выводы, отличающийся тем, что основание выполнено монолитно с подложкой из полупроводникового материала, например кремния, крышка установлена на подложку со стороны кристаллов микросхем, причем между крышкой и подложкой по периметру крышки расположен слой из полимерного клеевого материала, а внешние выводы модуля подсоединены к внешним контактным площадкам подложки, которые установлены по периметру подложки с наружной стороны крышки. 2. Модуль по п.1, отличающийся тем, что подложка содержит полупроводниковые структуры, например запоминающее устройство, микропроцессоры. 3. Модуль по пп.1 и 2, отличающийся тем, что крышка модуля выполнена из кремния или керамического материала. 4. Модуль по пп.1 и 2, отличающийся тем, что на основании с внешней стороны установлена укрепляющая пластина, причем между основанием и укрепляющей пластиной расположен слой из полимерного клеевого материала. 5. Модуль по п.4, отличающийся тем, что укрепляющая пластина выполнена из кремния или керамического материала, например нитрида алюминия. 6. Модуль по пп.1 и 4, отличающийся тем, что на основании или укрепляющей пластине с внешней стороны установлен радиатор, причем между радиатором и основанием или укрепляющей плстиной расположен слой из полимерного клеевого материала. (19) RU (11) (13) 2 052 U1 (51) МПК H01L 23/02 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 94015804/25, 28.04.1994 (46) Опубликовано: 16.04.1996 (71) Заявитель(и): Научно-исследовательский центр ...

Подробнее
16-07-1996 дата публикации

КОРПУС ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

Номер: RU0000002465U1

Корпус полупроводникового прибора, содержащий металлокерамическую ножку, состоящую из фланца с последовательно напаянными керамическими изоляторами для взаимной изоляции выводов и баллона, состоящего из трубчатого каркаса с впаянным в него керамическим изолятором, в отверстия которого также впаяны три наконечника, отличающийся тем, что фланец имеет плоскую ромбовидную форму с двумя строго ориентированными крепежными отверстиями. (19) RU (11) (13) 2 465 U1 (51) МПК H01L 23/02 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 94015460/20, 26.04.1994 (46) Опубликовано: 16.07.1996 (71) Заявитель(и): Государственное предприятие - Особое конструкторское бюро "Искра" 2 4 6 5 R U (57) Формула полезной модели Корпус полупроводникового прибора, содержащий металлокерамическую ножку, состоящую из фланца с последовательно напаянными керамическими изоляторами для взаимной изоляции выводов и баллона, состоящего из трубчатого каркаса с впаянным в него керамическим изолятором, в отверстия которого также впаяны три наконечника, отличающийся тем, что фланец имеет плоскую ромбовидную форму с двумя строго ориентированными крепежными отверстиями. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) КОРПУС ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2 4 6 5 (73) Патентообладатель(и): Государственное предприятие - Особое конструкторское бюро "Искра" R U (72) Автор(ы): Филиппов В.В., Шепилова Л.И., Гордеев А.И., Куц В.А., Насейкин В.О. RU 2 465 U1 RU 2 465 U1 RU 2 465 U1 RU 2 465 U1

Подробнее
16-07-1996 дата публикации

КОРПУС ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

Номер: RU0000002467U1

Корпус полупроводникового прибора, содержащий металлокерамическую ножку, состоящую из фланца с последовательно напаянными на него керамическим изолятором и выводами, и баллона, состоящего из трубчатого каркаса с впаянными в него керамическим изолятором, в отверстия которого впаяны три наконечника, отличающийся тем, что фланец имеет плоскую ромбовидную форму с двумя строго ориентированными сквозными крепежными отверстиями. (19) RU (11) (13) 2 467 U1 (51) МПК H01L 23/02 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 94015462/20, 26.04.1994 (46) Опубликовано: 16.07.1996 (71) Заявитель(и): Государственное предприятие - Особое конструкторское бюро "Искра" 2 4 6 7 R U (57) Формула полезной модели Корпус полупроводникового прибора, содержащий металлокерамическую ножку, состоящую из фланца с последовательно напаянными на него керамическим изолятором и выводами, и баллона, состоящего из трубчатого каркаса с впаянными в него керамическим изолятором, в отверстия которого впаяны три наконечника, отличающийся тем, что фланец имеет плоскую ромбовидную форму с двумя строго ориентированными сквозными крепежными отверстиями. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) КОРПУС ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2 4 6 7 (73) Патентообладатель(и): Государственное предприятие - Особое конструкторское бюро "Искра" R U (72) Автор(ы): Севастьянов Н.В., Филиппов В.В., Шепилова Л.И., Гордеев А.И., Куц В.А., Насейкин В.О. RU 2 467 U1 RU 2 467 U1 RU 2 467 U1 RU 2 467 U1

Подробнее
16-09-1996 дата публикации

КАМЕРА ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ МЕТОДОМ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ

Номер: RU0000002888U1

Камера для осаждения слоев методом МОС-гидридной эпитаксии, включающая корпус, в котором размещены кварцевый реактор, блок подложкодержателя, содержащий станину и плату, а также три полых кварцевых стержня, один конец каждого из которых помещен в станине блока подложкодержателя, а противоположные концы соединены с устройством для их перемещения, отличающаяся тем, что в корпусе камеры, выполненной из металла, инертного по отношению к ПГС и продуктам реакции, дополнительно размещен нагревательный элемент, станина блока подложкодержателя жестко соединена со стенкой реактора, стержни размещены перпендикулярно по отношению к стенкам реактора в соосных отверстиях в реакторе и основании станины, расположенных на равном расстоянии от центра станины и друг от друга. (19) RU (11) (13) 2 888 U1 (51) МПК H01L 21/205 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 95112214/20, 18.07.1995 (46) Опубликовано: 16.09.1996 (71) Заявитель(и): Акционерное общество закрытого типа "Сигма-Плюс" (73) Патентообладатель(и): Акционерное общество закрытого типа "Сигма-Плюс", Залевский Игорь Дмитриевич U 1 2 8 8 8 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Камера для осаждения слоев методом МОС-гидридной эпитаксии, включающая корпус, в котором размещены кварцевый реактор, блок подложкодержателя, содержащий станину и плату, а также три полых кварцевых стержня, один конец каждого из которых помещен в станине блока подложкодержателя, а противоположные концы соединены с устройством для их перемещения, отличающаяся тем, что в корпусе камеры, выполненной из металла, инертного по отношению к ПГС и продуктам реакции, дополнительно размещен нагревательный элемент, станина блока подложкодержателя жестко соединена со стенкой реактора, стержни размещены перпендикулярно по отношению к стенкам реактора в соосных отверстиях в реакторе и основании станины, расположенных на равном расстоянии от центра станины и друг от друга. 2 8 ...

Подробнее
16-03-1997 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЖИДКОСТНОГО ТРАВЛЕНИЯ

Номер: RU0000003838U1
Автор: Иванов В.Ю.

Устройство для жидкостного травления, содержащее емкость для травителя с размещенными внутри нее дефлектором потока травителя и объектом травления, и центробежный насос, включающий обойму с ротором, отличающееся тем, что обойма с ротором насоса размещена внутри емкости для травителя, ротору насоса приданы магнитные свойства, на центральной части крышки обоймы ротора как на опоре размещен объект травления, вне емкости соосно с насосом размещен магнит привода. (19) RU (11) (13) 3 838 U1 (51) МПК H01L 21/302 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 95102085/20, 13.02.1995 (46) Опубликовано: 16.03.1997 (71) Заявитель(и): Научно-производственное объединение "Орион" (72) Автор(ы): Иванов В.Ю. U 1 3 8 3 8 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Устройство для жидкостного травления, содержащее емкость для травителя с размещенными внутри нее дефлектором потока травителя и объектом травления, и центробежный насос, включающий обойму с ротором, отличающееся тем, что обойма с ротором насоса размещена внутри емкости для травителя, ротору насоса приданы магнитные свойства, на центральной части крышки обоймы ротора как на опоре размещен объект травления, вне емкости соосно с насосом размещен магнит привода. 3 8 3 8 (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЖИДКОСТНОГО ТРАВЛЕНИЯ R U (73) Патентообладатель(и): Научно-производственное объединение "Орион" RU 3 838 U1 RU 3 838 U1 RU 3 838 U1 RU 3 838 U1 RU 3 838 U1 RU 3 838 U1

Подробнее
16-03-1997 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР

Номер: RU0000003839U1

Полупроводниковый прибор, содержащий последовательно расположенные р, n и n слои с боковой поверхностью, образующий угол 20≅α≅45 с плоскостями p и n слоев, отличающийся тем, что участок р слоя длиной l ≅ 1/3 W  , примыкающий к упомянутой боковой поверхности, расположен под углом 10≅α≅45 к остальной части p слоя, где W   - ширина области объемного заряда на боковой поверхности при напряжении лавинного пробоя. (19) RU (11) (13) 3 839 U1 (51) МПК H01L 29/00 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 95109009/20, 01.06.1995 (46) Опубликовано: 16.03.1997 (71) Заявитель(и): Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН (73) Патентообладатель(и): Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН U 1 слоев, отличающийся тем, что участок р слоя длиной l ≅ 1/3 W0 0 3, примыкающий к упомянутой боковой поверхности, расположен под углом 10 °≅α2≅45 ° к остальной части p слоя, где W0 0 3 - ширина области объемного заряда на боковой поверхности R U 3 8 3 9 при напряжении лавинного пробоя. Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Полупроводниковый прибор, содержащий последовательно расположенные р, n и n + слои с боковой поверхностью, образующий угол 20 °≅α1≅45 ° с плоскостями p и n 3 8 3 9 (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР R U (72) Автор(ы): Грехов И.В., Козлов В.А., Воронков В.Б. RU 3 839 U1 RU 3 839 U1 RU 3 839 U1 RU 3 839 U1 RU 3 839 U1 RU 3 839 U1 RU 3 839 U1

Подробнее
16-07-1997 дата публикации

КРЕМНИЕВАЯ ЭПИТАКСИАЛЬНАЯ СТРУКТУРА

Номер: RU0000004633U1

1. Кремниевая эпитаксиальная структура, включающая опорный слой кремния с концентрацией донорной примеси более 1•10  см  и рабочий слой кремния с концентрацией донорной примеси менее 1•10  см , отличающаяся тем, что между опорным и рабочими слоями сформированы два дополнительных легированных фосфором слоя, один из которых, прилегающий к опорному слою, имеет толщину d = 0,5 - 5 мкм и удельное сопротивление ρ= (1 - 50)ρ, второй, прилегающий к опорному слою, имеет толщину d= (0,5 - 0,9)d и удельное сопpотивление ρ= (0,02 - 2)ρ где d - толщина первого дополнитнльного слоя; ρ - удельное сопротивление первого дополнительного слоя; ρ - удельное сопротивление опорного слоя; d - толщина второго дополнительного слоя; d - расчетная и экспериментальная суммарная глубина диффузии в рабочий слой; ρ - удельное сопротивление второго дополнительного слоя; ρ - удельное сопротивление рабочего слоя. 2. Структура по п.10, отличающаяся тем, что первый дополнительный слой сформирован в опорном слое. 3. Структура по п.1, отличающаяся тем, что на обратной стороне опорного слоя сформирован слой поликремния. (19) RU (11) (13) 4 633 U1 (51) МПК H01L 21/20 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 93053653/25, 06.12.1993 (46) Опубликовано: 16.07.1997 (71) Заявитель(и): Акционерное общество "Кремний" R U (72) Автор(ы): Жилин Л.М., Матовников В.А., Бурьба В.В., Натарин П.К., Шеин Ю.Ф. (73) Патентообладатель(и): Акционерное общество "Кремний" U 1 R U 4 6 3 3 0,5 - 5 мкм и удельное сопротивление ρ1= (1 - 50)ρo c, второй, прилегающий к опорному слою, имеет толщину d2= (0,5 - 0,9)dΣ д и ф . ф . и удельное сопpотивление ρ2= (0,02 - 2)ρp c где d1 - толщина первого дополнитнльного слоя; ρ1 - удельное сопротивление первого дополнительного слоя; ρo c - удельное сопротивление опорного слоя; d2 - толщина второго дополнительного слоя; dΣ д и ф . ф . - расчетная и экспериментальная суммарная глубина диффузии в рабочий слой; ρ2 ...

Подробнее
05-01-2012 дата публикации

Laptop computer support

Номер: US20120000398A1
Принадлежит: Belkin International Inc

Articles for supporting computers on users' laps and for isolating the users from heat from the computers. Embodiments may include a body, a top surface for contacting the computer, a bottom surface for contacting the user's lap, and back and front walls or surfaces. In various embodiments, the body defines a hollow area and a side opening, the back is taller than the front, the top surface is at an acute angle to the bottom surface, the bottom surface has a greater horizontal dimension from front to back than the top surface, the bottom surface has a greater horizontal dimension from left to right than the top surface; the article has a cross section that is a trapezoid (e.g., isosceles), the article comprises a foam portion (e.g., tubular) and fabric covering the foam portion, or a combination thereof. In some embodiments, each surface comprises the foam covered with fabric.

Подробнее
16-08-1997 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СТРУКТУРА НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ

Номер: RU0000004857U1

Полупроводниковая структура на основе кремния, состоящая из кремниевой подложки и слоя диоксида кремния, отличающаяся тем, что между подложкой и слоем диоксида кремния имеется дополнительный слой кремния толщиной не более толщины слоя диоксида кремния, слой диоксида кремния и дополнительный слой кремния содержат свинец, причем в дополнительном слое количество его составляет 1,5 - 2,2% от содержания кремния. (19) RU (11) (13) 4 857 U1 (51) МПК H01L 21/31 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 95102910/20, 01.03.1995 (46) Опубликовано: 16.08.1997 (71) Заявитель(и): Московский государственный авиационный технологический университет им.К.Э.Циолковского 4 8 5 7 R U (57) Формула полезной модели Полупроводниковая структура на основе кремния, состоящая из кремниевой подложки и слоя диоксида кремния, отличающаяся тем, что между подложкой и слоем диоксида кремния имеется дополнительный слой кремния толщиной не более толщины слоя диоксида кремния, слой диоксида кремния и дополнительный слой кремния содержат свинец, причем в дополнительном слое количество его составляет 1,5 - 2,2% от содержания кремния. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СТРУКТУРА НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ 4 8 5 7 (73) Патентообладатель(и): Московский государственный авиационный технологический университет им.К.Э.Циолковского R U (72) Автор(ы): Суминов В.М., Могильная Т.Ю., Смирнова Н.В. RU 4 857 U1 RU 4 857 U1 RU 4 857 U1 RU 4 857 U1

Подробнее
16-12-1997 дата публикации

ЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО

Номер: RU0000005680U1

Электронное устройство, например датчик параметров внешней среды, содержащий монокристаллическую кремниевую подложку со сформированными на ее рабочей стороне резистивными элементами, закрепленную в корпусе через теплоизолирующую прокладку, отличающееся тем, что прокладка выполнена заодно с подложкой из окисленного пористого кремния. (19) RU (11) (13) 5 680 U1 (51) МПК H01L 23/34 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 96114071/20, 16.07.1996 (46) Опубликовано: 16.12.1997 (71) Заявитель(и): Научно-исследовательский институт измерительных систем (73) Патентообладатель(и): Научно-исследовательский институт измерительных систем U 1 5 6 8 0 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Электронное устройство, например датчик параметров внешней среды, содержащий монокристаллическую кремниевую подложку со сформированными на ее рабочей стороне резистивными элементами, закрепленную в корпусе через теплоизолирующую прокладку, отличающееся тем, что прокладка выполнена заодно с подложкой из окисленного пористого кремния. 5 6 8 0 (54) ЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО R U (72) Автор(ы): Скупов В.Д., Смолин В.К. RU 5 680 U1 RU 5 680 U1 RU 5 680 U1 RU 5 680 U1 RU 5 680 U1 RU 5 680 U1

Подробнее
16-04-1998 дата публикации

УСТАНОВКА ДЛЯ НЕПРЕРЫВНОЙ ХИМИЧЕСКОЙ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ИЗДЕЛИЙ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

Номер: RU0000006469U1

Установка для непрерывной жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, включающая рабочую ванну, электрохимическую ячейку, подключенную к системе электропитания, напорный, накопительный и сборный баки, фильтры и насосы, соединенные между собой с помощью трубопроводов и запорнорегулирующей арматуры в гидравлическую систему, отличающаяся тем, что гидравлическая система циркуляции раствора выполнена в виде двух сообщающихся между собой контуров: контура очистки пластин и контура активации - очистки раствора; накопительный бак для активированного раствора в напорный бак, а сборный бак сообщен дополнительным трубопроводом с линией передачи раствора в рабочую ванну. (19) RU (11) (13) 6 469 U1 (51) МПК H01L 21/312 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 97100953/20, 21.01.1997 (46) Опубликовано: 16.04.1998 (71) Заявитель(и): Хаханина Татьяна Ивановна 6 4 6 9 R U (57) Формула полезной модели Установка для непрерывной жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, включающая рабочую ванну, электрохимическую ячейку, подключенную к системе электропитания, напорный, накопительный и сборный баки, фильтры и насосы, соединенные между собой с помощью трубопроводов и запорнорегулирующей арматуры в гидравлическую систему, отличающаяся тем, что гидравлическая система циркуляции раствора выполнена в виде двух сообщающихся между собой контуров: контура очистки пластин и контура активации - очистки раствора; накопительный бак для активированного раствора в напорный бак, а сборный бак сообщен дополнительным трубопроводом с линией передачи раствора в рабочую ванну. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) УСТАНОВКА ДЛЯ НЕПРЕРЫВНОЙ ХИМИЧЕСКОЙ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ИЗДЕЛИЙ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН 6 4 6 9 (73) Патентообладатель(и): Хаханина Татьяна Ивановна R U (72) Автор(ы): Хаханина Т.И., Клюева Т.Б., ...

Подробнее
16-06-1998 дата публикации

УСТАНОВКА ДЛЯ ОТМЫВКИ И НАНЕСЕНИЯ КОМПОЗИЦИИ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛАСТИНЫ

Номер: RU0000006944U1

Установка для отмывки и нанесения композиции на полупроводниковые пластины, содержащая вращающийся от центрифуги рабочий столик с отверстием для вакуумного присасывания, дозирующие устройства, защитный кожух, механизм подачи пластин и механизм приема обработанных пластин, которые расположены по разные стороны установки относительно рабочего столика, отличающаяся тем, что механизм подачи пластин имеет центрирующие шторки, выполненные наклонно, нижний размер которых соответствует диаметру обрабатываемой пластины, вакуумные присоски обоих механизмов перемещения пластин закреплены на каретках, имеющих общие для них направляющие, соединенные с помощью рычагов с пневмоцилиндрами, а рабочий столик выполнен с возможностью подъема и опускания и снабжен защитным кожухом с кольцом-ловушкой, выполненной по периметру кожуха под острым углом разбрызгиваемому потоку воздуха с отработанными частицами и имеющий резервуар для отработанных частиц, а также около рабочего столика размещен щеточный узел с двумя щетками для отмывки пластин. (19) RU (11) (13) 6 944 U1 (51) МПК H01L 21/304 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 97109129/20, 30.05.1997 (46) Опубликовано: 16.06.1998 (71) Заявитель(и): Камынин Андрей Николаевич (72) Автор(ы): Камынин Андрей Николаевич R U (73) Патентообладатель(и): Камынин Андрей Николаевич 6 9 4 4 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Установка для отмывки и нанесения композиции на полупроводниковые пластины, содержащая вращающийся от центрифуги рабочий столик с отверстием для вакуумного присасывания, дозирующие устройства, защитный кожух, механизм подачи пластин и механизм приема обработанных пластин, которые расположены по разные стороны установки относительно рабочего столика, отличающаяся тем, что механизм подачи пластин имеет центрирующие шторки, выполненные наклонно, нижний размер которых соответствует диаметру обрабатываемой пластины, вакуумные присоски ...

Подробнее
16-06-1998 дата публикации

УСТАНОВКА ДЛЯ НЕПРЕРЫВНОГО ЖИДКОСТНОГО ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ И ОЧИСТКИ ИЗДЕЛИЙ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

Номер: RU0000006945U1

Установка для непрерывного жидкостного химического травления и очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, включающая узел для травления и очистки поверхности изделий, электрохимическую ячейку, подключенную к системе электропитания, напорный, накопительный баки, фильтры и насосы, соединенные между собой с помощью трубопроводов и запорно-регулирующей арматурой в гидравлическую систему, отличающаяся тем, что узел для травления и очистки выполнен в виде центробежного реактора spray-процесса, соединенного трубопроводами с промежуточным баком в замкнутую гидравлическую систему, а промежуточный бак сообщен дополнительным трубопроводом и запорно-регулирующей арматурой с накопительным и напорным баками. (19) RU (11) (13) 6 945 U1 (51) МПК H01L 21/312 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 97100668/20, 21.01.1997 (46) Опубликовано: 16.06.1998 (71) Заявитель(и): Хаханина Татьяна Ивановна 6 9 4 5 R U (57) Формула полезной модели Установка для непрерывного жидкостного химического травления и очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, включающая узел для травления и очистки поверхности изделий, электрохимическую ячейку, подключенную к системе электропитания, напорный, накопительный баки, фильтры и насосы, соединенные между собой с помощью трубопроводов и запорно-регулирующей арматурой в гидравлическую систему, отличающаяся тем, что узел для травления и очистки выполнен в виде центробежного реактора spray-процесса, соединенного трубопроводами с промежуточным баком в замкнутую гидравлическую систему, а промежуточный бак сообщен дополнительным трубопроводом и запорно-регулирующей арматурой с накопительным и напорным баками. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) УСТАНОВКА ДЛЯ НЕПРЕРЫВНОГО ЖИДКОСТНОГО ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ И ОЧИСТКИ ИЗДЕЛИЙ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН 6 9 4 5 (73) Патентообладатель(и): Хаханина Татьяна Ивановна R U (72) ...

Подробнее
16-06-1998 дата публикации

УСТАНОВКА ДЛЯ НЕПРЕРЫВНОГО ЖИДКОСТНОГО ХИМИЧЕСКОГО СНЯТИЯ СЛОЕВ ПОЛИМЕРОВ И ДРУГИХ ЗАГРЯЗНЕНИЙ С ПОВЕРХНОСТИ ИЗДЕЛИЙ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

Номер: RU0000006946U1

Установка для непрерывного жидкостного химического снятия слоев полимеров и других загрязнений с поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, включающая травильную ванну, электрохимическую ячейку, подключенную к системе электропитания, напорный, накопительный и сборный баки, фильтры очистки раствора и насосы, соединенные между собой с помощью трубопроводов и запорно-регулируюей арматурой в гидравлическую систему, отличающаяся тем, что установка снабжена дополнительным расходным баком, причем расходный бак соединен трубопроводами с травильной ванной и накопительной емкостью. (19) RU (11) (13) 6 946 U1 (51) МПК H01L 21/312 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 97100669/20, 21.01.1997 (46) Опубликовано: 16.06.1998 (71) Заявитель(и): Хаханина Татьяна Ивановна 6 9 4 6 R U (57) Формула полезной модели Установка для непрерывного жидкостного химического снятия слоев полимеров и других загрязнений с поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, включающая травильную ванну, электрохимическую ячейку, подключенную к системе электропитания, напорный, накопительный и сборный баки, фильтры очистки раствора и насосы, соединенные между собой с помощью трубопроводов и запорно-регулируюей арматурой в гидравлическую систему, отличающаяся тем, что установка снабжена дополнительным расходным баком, причем расходный бак соединен трубопроводами с травильной ванной и накопительной емкостью. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) УСТАНОВКА ДЛЯ НЕПРЕРЫВНОГО ЖИДКОСТНОГО ХИМИЧЕСКОГО СНЯТИЯ СЛОЕВ ПОЛИМЕРОВ И ДРУГИХ ЗАГРЯЗНЕНИЙ С ПОВЕРХНОСТИ ИЗДЕЛИЙ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН 6 9 4 6 (73) Патентообладатель(и): Хаханина Татьяна Ивановна R U (72) Автор(ы): Хаханина Т.И., Клюева Т.Б., Селиванова И.Н., Савельев В.А., Красников Г.Я., Ковалев А.А. RU 6 946 U1 RU 6 946 U1 RU 6 946 U1 RU 6 946 U1 RU 6 946 U1 RU 6 946 U1 RU 6 946 U1 RU 6 946 U1

Подробнее
16-10-1998 дата публикации

ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ МОДУЛЬ

Номер: RU0000008159U1

Выпрямительный модуль для много фазного выпрямителя, содержащий не менее трех таблеточных полупроводниковых вентилей, анодную и катодную сборные шины, одна из которых является групповым жидкостным охладителем, и токоотводы по числу вентилей, отличающийся тем, что одна из сборных шин выполнена в виде правильной призмы или круглого цилиндра, а таблеточные полупроводниковые вентили и токоотводы симметрично относительно ее оси закреплены на групповом жидкостном охладителе. (19) RU (11) (13) 8 159 U1 (51) МПК H01L 25/03 (1995.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 97106852/20, 24.04.1997 (46) Опубликовано: 16.10.1998 (71) Заявитель(и): Открытое акционерное общество "Российская электротехническая компания" (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество "Российская электротехническая компания" U 1 8 1 5 9 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Выпрямительный модуль для много фазного выпрямителя, содержащий не менее трех таблеточных полупроводниковых вентилей, анодную и катодную сборные шины, одна из которых является групповым жидкостным охладителем, и токоотводы по числу вентилей, отличающийся тем, что одна из сборных шин выполнена в виде правильной призмы или круглого цилиндра, а таблеточные полупроводниковые вентили и токоотводы симметрично относительно ее оси закреплены на групповом жидкостном охладителе. 8 1 5 9 (54) ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ МОДУЛЬ R U (72) Автор(ы): Неуймин О.А., Бобков В.А. U 1 U 1 8 1 5 9 8 1 5 9 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 8 159 U1 RU 8 159 U1 RU 8 159 U1 RU 8 159 U1 RU 8 159 U1

Подробнее
05-01-2012 дата публикации

Semiconductor substrate and semiconductor device

Номер: US20120001195A1
Принадлежит: Sumitomo Electric Industries Ltd

A semiconductor substrate inclu8des an AlN layer that is formed so as to contact a Si substrate and has an FWMH of a rocking curve of a (002) plane by x-ray diffraction, the FWMH being less than or equal to 1500 seconds, and a GaN-based semiconductor layer formed on the AlN layer.

Подробнее
05-01-2012 дата публикации

Led chip package structure

Номер: US20120001203A1
Принадлежит: Harvatek Corp

A LED chip package structure includes a substrate unit, a light-emitting unit, and a package unit. The substrate unit includes a strip substrate body. The light-emitting unit includes a plurality of LED chips disposed on the strip substrate body and electrically connected to the strip substrate body. The package unit includes a strip package colloid body disposed on the strip substrate body to cover the LED chips, wherein the strip package colloid body has an exposed top surface and an exposed surrounding peripheral surface connected between the exposed top surface and the strip substrate body, and the strip package colloid body has at least one exposed lens portion projected upwardly from the exposed top surface thereof and corresponding to the LED chips. Hence, light beams generated by the LED chips pass through the strip package colloid body to form a strip light-emitting area on the strip package colloid body.

Подробнее
05-01-2012 дата публикации

Optoelectronic Semiconductor Component and Display Means

Номер: US20120001208A1
Принадлежит: Individual

In at least one embodiment, an optoelectronic semiconductor component includes at least two optoelectronic semiconductor chips, which are designed to emit electromagnetic radiation in mutually different wavelength ranges when in operation. The semiconductor chips are mounted on a mounting surface of a common carrier. Furthermore, the optoelectronic semiconductor component contains at least two non-rotationally symmetrical lens bodies, which are designed to shape the radiation into mutually different emission angles in two mutually orthogonal directions parallel to the mounting surface. One of the lens bodies is here associated with or arranged downstream of each of the semiconductor chips in an emission direction.

Подробнее
05-01-2012 дата публикации

Single poly cmos imager

Номер: US20120001242A1
Автор: Howard E. Rhodes
Принадлежит: Round Rock Research LLC

More complete charge transfer is achieved in a CMOS or CCD imager by reducing the spacing in the gaps between gates in each pixel cell, and/or by providing a lightly doped region between adjacent gates in each pixel cell, and particularly at least between the charge collecting gate and the gate downstream to the charge collecting gate. To reduce the gaps between gates, an insulator cap with spacers on its sidewalls is formed for each gate over a conductive layer. The gates are then etched from the conductive layer using the insulator caps and spacers as hard masks, enabling the gates to be formed significantly closer together than previously possible, which, in turn increases charge transfer efficiency. By providing a lightly doped region on between adjacent gates, a more complete charge transfer is effected from the charge collecting gate.

Подробнее
05-01-2012 дата публикации

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер: US20120001258A1
Автор: Wan Soo Kim
Принадлежит: Hynix Semiconductor Inc

A semiconductor device includes a gate metal buried within a trench included in a semiconductor substrate including an active region defined by an isolation layer, a spacer pattern disposed on an upper portion of a sidewall of a gate metal, a first gate oxide layer disposed between the spacer pattern and the trench, a second gate oxide layer disposed below the first gate oxide layer and the gate metal, and a junction region disposed in the active region to overlap the first gate oxide layer.

Подробнее
05-01-2012 дата публикации

Semiconductor Constructions

Номер: US20120001299A1
Автор: Todd Jackson Plum
Принадлежит: Micron Technology Inc

Some embodiments include methods of forming capacitors. A first section of a capacitor may be formed to include a first storage node, a first dielectric material, and a first plate material. A second section of the capacitor may be formed to include a second storage node, a second dielectric material, and a second plate material. The first and second sections may be formed over a memory array region, and the first and second plate materials may be electrically connected to first and second interconnects, respectively, that extend to over a region peripheral to the memory array region. The first and second interconnects may be electrically connected to one another to couple the first and second plate materials to one another. Some embodiments include capacitor structures, and some embodiments include methods of forming DRAM arrays.

Подробнее
16-11-1999 дата публикации

РАДИОЭЛЕКТРОННЫЙ БЛОК

Номер: RU0000011947U1

1. Радиоэлектронный блок, содержащий корпус с закрепленной в нем установочной платой для крепления радиоэлектронных элементов и перегородкой с встроенным в нее первым вентилятором, при этом перегородка разделяет полость корпуса на два изолированных друг от друга отсека, в которых размещены радиоэлементы, теплообменник, расположенный в полости корпуса, и второй вентилятор, установленный в первом из двух отверстий корпуса, служащий для забора хладагента снаружи, при этом между установочной платой и поверхностью корпуса имеются щели для циркуляции потока хладагента в полости корпуса, отличающийся тем, что теплообменником является трубообразный герметичный относительно полости корпуса радиатор с внутренними ребрами, образующими его внутренние каналы, наружная поверхность которого предназначена для прикрепления охлаждаемых радиоэлектронных элементов, к входной торцевой поверхности радиатора присоединен второй вентилятор, выходная торцевая поверхность радиатора, служащая для выхода хладагента, совмещена со вторым отверстием корпуса, а герметичное соединение установочной платы с корпусом осуществлено по его торцевой стенке, ограничивающей первый отсек, из которого происходит забор хладагента первым вентилятором, по боковой стенке, наиболее удаленной от радиатора, герметично соединенного с установочной платой, и по боковой стенке, ограничивающей второй отсек, в который нагнетается хладагент первым вентилятором, при этом между дном корпуса, его торцевой стенкой, ограничивающей второй отсек, боковой поверхностью корпуса, расположенной вблизи радиатора, ограничивающей первый отсек, и установочной платой и между наружной поверхностью радиатора и крышкой корпуса выполнены указанные щели с площадями сечения относительно направления циркулирующего потока хладагента S1, S2, S3, S4 соответственно, причем S1 = (0,5 - 3) S, S2 = (0,5 - 3) S, S3 = (0,5 - 3) S, S4 = (0,5 - 3) S, где S - проходное сечение первого вентилятора, определяемое как разность между площадью, ограниченной ...

Подробнее
05-01-2012 дата публикации

Double molded chip scale package

Номер: US20120001322A1
Автор: Luke England, Yong Liu
Принадлежит: Fairchild Semiconductor Corp

Chip scale semiconductor packages and methods for making and using the same are described. The chip scale semiconductor packages (CSPs) contain a die with an integrated circuit device, a patterned plating layer, and a second interconnect structure formed from a Cu etched substrate that has a portion of an upper surface connected to the patterned plating layer, a side surface, and a bottom surface. The die can be attached to the patterned plating layer by a first interconnect structure that uses wirebonding or that uses a flip chip attachment process. The CSP contains a double molded structure where a first molding layer encapsulates the die, the patterned plating layer, the first interconnect structure, and the upper surface of the second interconnect structure. The second molding layer encapsulates the side surface of the second interconnect structure without encapsulating the bottom surface of the second interconnect structure. With such a configuration, the second molding layer helps control warpage during the manufacturing process and no printed circuit board (PCB) substrate is needed when the package is used in an electronic device since the signal routing is performed by the second interconnect structure. Other embodiments are described.

Подробнее
05-01-2012 дата публикации

Semiconductor device

Номер: US20120001341A1
Автор: Akihiro Niimi, Shigeo Ide
Принадлежит: Denso Corp

The semiconductor device has a unit stack body including a plurality of units stacked on one another. Each unit includes a power terminal constituted of a lead part and a connection part. The connection part is formed with a projection and a recess. When the units are stacked on one another, the projection of one unit is fitted to the recess of the adjacent unit, so that the power terminals of the respective unit are connected to one another.

Подробнее
05-01-2012 дата публикации

Semiconductor package having a stacked structure

Номер: US20120001347A1
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD

A semiconductor package includes a substrate, a first semiconductor chip stacked on the substrate and a second semiconductor chip stacked on the first semiconductor chip. In the semiconductor package, the second semiconductor chip is rotated to be stacked on the first semiconductor chip. The semiconductor package is used in an electronic system.

Подробнее
05-01-2012 дата публикации

Clamping device of micro-nano imprint process and the method thereof

Номер: US20120001365A1
Автор: Fuh-Yu Chang

The invention discloses a clamping device of the micro/nano imprint process and the method thereof for clamping a substrate. The clamping device comprises a first module, a second module and a locking module. The first module and the second module are used to accommodate and support at least one mold. The mold has a predetermined structure. The locking module is used to lock the first module and the second module. The clamping device drives the mold to imprint the substrate or the material layer of the substrate by a predetermined way.

Подробнее
20-07-2000 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЛАЗЕРНОГО НАПЫЛЕНИЯ

Номер: RU0000014405U1

1. Устройство для лазерного напыления, включающее импульсный лазер, объектив, мишень, механизм смены мишеней, подложку с напыляемой пленкой, нагреватель подложки и устройство сепарации напыляемых частиц, отличающееся тем, что устройство сепарации напыляемых частиц выполнено в виде вращающегося диска. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что диск выполнен с прорезью, причем конфигурация прорези соответствует конфигурации напыляемой пленки, а линейная скорость движения прорези определена соотношением: v > L/t, где v - линейная скорость прорези; L - линейный размер напыляемой пленки в направлении, перпендикулярном радиусу сепаратора; t - пауза между приходом атомно-молекулярной компоненты и капельной фазы на пленку. 3. Устройство по п. 2, отличающееся тем, что вращение диска и запуск лазера синхронизованы таким образом, что прорезь диска устройства сепарации напыляемых частиц расположена между мишенью и подложкой в момент прихода лазерного импульса на мишень. 4. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что с внешней стороны диска расположены лопатки. 5. Устройство по п. 4, отличающееся тем, что размер каждой из лопаток вдоль направления радиуса диска больше размера напыляемой пленки в том же направлении, а размер каждой из лопаток в направлении, перпендикулярном плоскости диска, и расстояние между лопатками определяется соотношением: l/v > s/V, где l - размер лопатки в направлении, перпендикулярном плоскости диска; v - скорость разлета капель; s - расстояние между лопатками; V - линейная скорость лопаток. (19) RU (11) 14 405 (13) U1 (51) МПК H01L 21/00 (2000.01) C23C 14/46 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2000106282/20 , 20.03.2000 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 20.03.2000 (46) Опубликовано: 20.07.2000 (72) Автор(ы): Жерихин А.Н., Буримов В.Н., Попков В.Л. 1 4 4 0 5 R U (57) Формула полезной модели 1. Устройство для лазерного напыления, включающее импульсный ...

Подробнее
27-08-2000 дата публикации

ПРИЕМНИК ИЗЛУЧЕНИЯ

Номер: RU0000014789U1

Приемник излучения, содержащий охлаждаемое керамическое основание и кристалл с фоточувствительными элементами, снабженный электрическими выводами, отличающийся тем, что электрические выводы выполнены в виде столбиков и прикреплены к боковой поверхности основания. (19) RU (11) 14 789 (13) U1 (51) МПК H01L 31/024 (2000.01) H01L 23/52 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2000111155/20 , 11.05.2000 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 11.05.2000 (46) Опубликовано: 27.08.2000 (72) Автор(ы): Беженцев Н.А., Комаров Н.В., Крашенинников В.С., Кузнецов Н.С., Ляпунов С.И. R U 1 4 7 8 9 (57) Формула полезной модели Приемник излучения, содержащий охлаждаемое керамическое основание и кристалл с фоточувствительными элементами, снабженный электрическими выводами, отличающийся тем, что электрические выводы выполнены в виде столбиков и прикреплены к боковой поверхности основания. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) ПРИЕМНИК ИЗЛУЧЕНИЯ 1 4 7 8 9 (73) Патентообладатель(и): Закрытое акционерное общество "Матричные технологии" R U Адрес для переписки: 113545, Москва, Днепропетровский проезд 4а, ЗАО "Матричные технологии" (71) Заявитель(и): Закрытое акционерное общество "Матричные технологии" RU 14 789 U1 RU 14 789 U1 RU 14 789 U1

Подробнее
05-01-2012 дата публикации

Dense Nanoscale Logic Circuitry

Номер: US20120001653A1
Принадлежит: Hewlett Packard Development Co LP

One embodiment of the present invention is directed to hybrid-nanoscale/microscale device comprising a microscale layer that includes microscale and/or submicroscale circuit components and that provides an array of microscale or submicroscale pins across an interface surface; and at least two nanoscale-layer sub-layers within a nanoscale layer that interfaces to the microscale layer, each nanoscale-layer sub-layer containing regularly spaced, parallel nanowires, each nanowire of the at least two nanoscale-layer sub-layers in electrical contact with at most one pin provided by the microscale layer, the parallel nanowires of successive nanoscale-layer sub-layers having different directions, with the nanowires of successive nanoscale-layer sub-layers intersecting to form programmable crosspoints.

Подробнее
05-01-2012 дата публикации

Nanoelectronic differential amplifiers and related circuits implemented on a segment of a graphene nanoribbon

Номер: US20120001689A1
Автор: Lester F. Ludwig
Принадлежит: Pike Group LLC

A multiple transistor differential amplifier is implemented on a segment of a single graphene nanoribbon. Differential amplifier field effect transistors are formed on the graphene nanoribbon from a first group of electrical conductors in contact with the graphene nanoribbon and a second group of electrical conductors insulated from, but exerting electric fields on, the graphene nanoribbon thereby forming the gates of the field effect transistors. A transistor in one portion of the graphene nanoribbon and a transistor in another portion of the graphene nanoribbon are responsive to respective incoming electrical signals. A current source, also formed on the graphene nanoribbon, is connected with the differential amplifier, and the current source and the differential amplifier operating together generate an outgoing signal responsive to the incoming electrical signal. In an example application, the resulting circuit can be used to interface with electrical signals of nanoscale sensors and actuators,

Подробнее
20-09-2000 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

Номер: RU0000015148U1

1. Полупроводниковый преобразователь, содержащий трансформаторный узел и полупроводниковые вентили, отличающийся тем, что трансформаторный узел выполнен в виде трех однофазных трансформаторов, каждый из которых содержит по меньшей мере один кольцевой магнитопровод, сетевую и вентильные обмотки, причем каждая вентильная обмотка имеет по меньшей мере один виток, состоящий из одного вертикального и одного горизонтального элементов, выполненных из жестких прямолинейных шин, вертикальный элемент обмотки охвачен кольцевым магнитопроводом, а горизонтальные элементы обмотки трех однофазных трансформаторов являются основанием преобразователя. 2. Полупроводниковый преобразователь по п.1, отличающийся тем, что полупроводниковые вентили установлены на вертикальных элементах вентильных обмоток однофазных трансформаторов непосредственно на выходе из магнитопровода. (19) RU (11) 15 148 (13) U1 (51) МПК H01L 25/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2000104618/20 , 28.02.2000 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 28.02.2000 (46) Опубликовано: 20.09.2000 (72) Автор(ы): Бобков А.В., Неуймин О.А. (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество "Российская электротехническая компания" U 1 1 5 1 4 8 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели 1. Полупроводниковый преобразователь, содержащий трансформаторный узел и полупроводниковые вентили, отличающийся тем, что трансформаторный узел выполнен в виде трех однофазных трансформаторов, каждый из которых содержит по меньшей мере один кольцевой магнитопровод, сетевую и вентильные обмотки, причем каждая вентильная обмотка имеет по меньшей мере один виток, состоящий из одного вертикального и одного горизонтального элементов, выполненных из жестких прямолинейных шин, вертикальный элемент обмотки охвачен кольцевым магнитопроводом, а горизонтальные элементы обмотки трех однофазных трансформаторов являются основанием преобразователя. 2 ...

Подробнее
10-02-2001 дата публикации

МОДУЛЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СИЛОВОЙ

Номер: RU0000016803U1

Модуль полупроводниковый силовой, содержащий основание, изолирующие прокладки, полупроводниковые элементы, силовые и управляющие выводы, изолирующие втулки, на которые надеты стальные шайбы и тарельчатые пружины, траверсы и системы "стягивающий винт-гайка" для прижатия полупроводниковых приборов к силовым выводам и основанию, отличающийся тем, что стягивающие стальные винты вкручены через траверсы в запрессованные в основании стальные гайки или через выборки в основании в стальные траверсы. (19) RU (11) 16 803 (13) U1 (51) МПК H01L 21/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2000118240/20 , 13.07.2000 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 13.07.2000 (46) Опубликовано: 10.02.2001 U 1 R U (57) Формула полезной модели Модуль полупроводниковый силовой, содержащий основание, изолирующие прокладки, полупроводниковые элементы, силовые и управляющие выводы, изолирующие втулки, на которые надеты стальные шайбы и тарельчатые пружины, траверсы и системы "стягивающий винт-гайка" для прижатия полупроводниковых приборов к силовым выводам и основанию, отличающийся тем, что стягивающие стальные винты вкручены через траверсы в запрессованные в основании стальные гайки или через выборки в основании в стальные траверсы. Ñòðàíèöà: 1 U 1 (54) МОДУЛЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СИЛОВОЙ 1 6 8 0 3 (73) Патентообладатель(и): Савкин Анатолий Иванович, Коломиец Валентин Иванович, Марков Александр Михайлович, Новиков Александр Васильевич, Самчик Николай Иванович 1 6 8 0 3 (72) Автор(ы): Савкин А.И., Коломиец В.И., Марков А.М., Новиков А.В., Самчик Н.И. R U Адрес для переписки: 355042, г.Ставрополь, а/я 1205, ЗАО "Энергомодуль" (71) Заявитель(и): Савкин Анатолий Иванович, Коломиец Валентин Иванович, Марков Александр Михайлович, Новиков Александр Васильевич, Самчик Николай Иванович U 1 U 1 1 6 8 0 3 1 6 8 0 3 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 16 803 U1 RU 16 803 U1 RU 16 803 U1 RU 16 803 U1 RU 16 803 U1 RU 16 803 U1

Подробнее
20-03-2001 дата публикации

ОХЛАЖДАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ НЕРАВНОМЕРНО РАСПРЕДЕЛЕННОЙ ТЕПЛОВОЙ НАГРУЗКИ

Номер: RU0000017250U1
Принадлежит: Муунтолайте Ой

1. Охлаждающий элемент (400) для охлаждения помещенного в корпус электрического устройства (100) посредством конвекционного потока среды, причем охлаждающий элемент включает в себя заднюю пластину и ребра (401), прикрепленные к нему на определенных расстояниях, отличающийся тем, что ширина по меньшей мере одного зазора (402) между ребрами различна в разных точках и зазоры между ребрами направлены так, что открываются преимущественно на те стороны электрического устройства, где при рабочем положении электрического устройства находится пустое пространство. 2. Охлаждающий элемент (400) по п.1, отличающийся тем, что ребра (401) являются изогнутыми. 3. Охлаждающий элемент (400) по п.1, отличающийся тем, что ширина зазора (402) между множеством ребер в разных точках является различной, так, что ширина зазоров (402) между ребрами является наибольшей в тех точках охлаждающего элемента, которые в процессе использования охлаждающего элемента будут направлены вниз и/или вбок, и наименьшей в тех точках охлаждающего элемента, где указанное помещенное в корпус электрическое устройство (100) содержит компонент, вырабатывающий много тепла в процессе использования. (19) RU (11) 17 250 (13) U1 (51) МПК H05K H05K H01L H01L 5/02 (2000.01) 7/20 (2000.01) 23/367 (2000.01) 23/467 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2000116144/20 , 23.11.1998 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 23.11.1998 (72) Автор(ы): СУНТИО Теуво (FI), МЯКИ Ярмо (FI) (46) Опубликовано: 20.03.2001 (73) Патентообладатель(и): МУУНТОЛАЙТЕ ОЙ (FI) (85) Дата перевода заявки PCT на национальную фазу: 21.06.2000 (74) Патентный поверенный: Егорова Галина Борисовна Адрес для переписки: 129010, Москва, ул. Большая Спасская 25, стр.3, ООО "Городисский и Партнеры", Егоровой Г.Б. R U 1 7 2 5 0 (54) ОХЛАЖДАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ НЕРАВНОМЕРНО РАСПРЕДЕЛЕННОЙ ТЕПЛОВОЙ НАГРУЗКИ (57) Формула полезной модели 1. Охлаждающий элемент (400) для ...

Подробнее
05-01-2012 дата публикации

Pixel structure with multiple transfer gates

Номер: US20120002089A1
Принадлежит: CMOSIS BVBA

A pixel structure comprises a photo-sensitive element for generating charge in response to incident light. A first transfer gate is connected between the photo-sensitive element and a first charge conversion element. A second transfer gate is connected between the photo-sensitive element and a second charge conversion element. An output stage outputs a first value related to charge at the first charge conversion element and outputs a second value related to charge at the second charge conversion element. A controller controls operation of the pixel structures and causes a pixel structure. The controller causes the pixel structure to: acquire charges on the photo-sensitive element during an exposure period; transfer a first portion of the charges acquired during the exposure period from the photo-sensitive element to the first charge conversion element via the first transfer gate; and transfer a second portion of the charges acquired during the exposure period from the photo-sensitive element to the second charge conversion element via the second transfer gate.

Подробнее
10-06-2001 дата публикации

КОНСТРУКЦИЯ СИЛОВОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО БЛОКА

Номер: RU0000018325U1

1. Конструкция силового полупроводникового блока, состоящая из полупроводниковых приборов, одним из электродов которых является металлический корпус, вторым электродом является вывод металлических перемычек, служащих для параллельного соединения полупроводниковых приборов, токоподводящих шин, предназначенных для присоединения полупроводникового блока к электрической схеме, не менее двух оребренных охладителей, имеющих плоскую область, тарельчатых пружин, обеспечивающих прижимной электрический контакт, изоляторов, стяжных устройств, в которой полупроводниковые приборы запрессованы в отверстия, изготовленные в плоской области охладителей, корпусы полупроводниковых приборов находятся в тепловом и электрическом контакте с охладителем, выводы приборов направлены в сторону, противоположную ребрам охладителя, полупроводниковые приборы каждого охладителя разделены на группы, в каждой группе выводы приборов соединены между собой металлической перемычкой, охладители с установленными в них полупроводниковыми приборами соединены посредством стяжных устройств, при этом ребра охладителей ориентированы в противоположные стороны, токоподводящие шины расположены между плоскими областями охладителей, отличающаяся тем, что в металлических перемычках и охладителях не менее чем в двух точках изготовлены соосные отверстия, куда вставлены направляющие штифты, на которых размещены изоляторы, тарельчатые пружины и токоподводящие шины, при этом изоляторы и тарельчатые пружины находятся между плоской областью охладителя и металлическими перемычками, а токоподводящие шины установлены на металлических перемычках. 2. Конструкция силового полупроводникового блока по п.1, отличающаяся тем, что плоская область охладителя выступает за его ребра по длине. 3. Конструкция силового полупроводникового блока по пп.1 и 2, отличающаяся тем, что между металлическими перемычками и токоподводящими шинами помещены пластины из электрически изоляционного материала. 4. Конструкция силового полупроводникового блока ...

Подробнее
10-06-2001 дата публикации

СИЛОВОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ БЛОК

Номер: RU0000018328U1

1. Силовой полупроводниковый блок, состоящий из оребренного охладителя, полупроводниковых приборов, запрессованных в отверстия в плоской части охладителя, токовводов, соединяющих полупроводниковые приборы в электрическую схему, отличающийся тем, что полупроводниковые приборы помещены в плоскую часть охладителя на глубину контактного соприкосновения с ребром охладителя. 2. Силовой полупроводниковый блок по п.1, отличающийся тем, что контактная площадь донышка корпуса полупроводникового прибора с ребром охладителя составляет не менее 20% площади донышка. 3, Силовой полупроводниковый блок по п. 2, отличающийся тем, что в плоской части оребренного охладителя имеются сквозные каналы для подвода воздуха в межреберное пространство со стороны плоской части. 4. Силовой полупроводниковый блок по п.3, отличающийся тем, что в ребрах охладителя изготовлены каналы для вентиляции межреберного пространства. (19) RU (11) 18 328 (13) U1 (51) МПК H02K 9/00 (2000.01) H01L 23/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2000129083/20 , 28.11.2000 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 28.11.2000 (46) Опубликовано: 10.06.2001 (71) Заявитель(и): Мишанин Виктор Ефимович, Новиков Александр Васильевич, Савкин Анатолий Иванович, Савкин Вячеслав Иванович 1 8 3 2 8 (73) Патентообладатель(и): Мишанин Виктор Ефимович, Новиков Александр Васильевич, Савкин Анатолий Иванович, Савкин Вячеслав Иванович R U (72) Автор(ы): Мишанин В.Е., Новиков А.В., Савкин А.И., Савкин В.И. Адрес для переписки: 141141, Московская обл., г.Химки, ул. Парковая, 8-28, В.Е.Мишанину 1 8 3 2 8 R U (57) Формула полезной модели 1. Силовой полупроводниковый блок, состоящий из оребренного охладителя, полупроводниковых приборов, запрессованных в отверстия в плоской части охладителя, токовводов, соединяющих полупроводниковые приборы в электрическую схему, отличающийся тем, что полупроводниковые приборы помещены в плоскую часть охладителя ...

Подробнее
05-01-2012 дата публикации

Driving circuit and liquid crystal display device including the same

Номер: US20120002146A1
Принадлежит: Individual

A tape carrier package (TCP) includes a film, a plurality of output leads and a plurality of input leads on the film, the plurality of output leads and the plurality of input leads being disposed on different sides, first and second TCP alignment marks arranged on opposing sides of the plurality of output leads, and a third TCP alignment mark at a central portion of the plurality of output leads.

Подробнее
27-08-2001 дата публикации

УСТРОЙСТВО ОХЛАЖДЕНИЯ КОМПЬЮТЕРА

Номер: RU0000019426U1

1. Устройство охлаждения компьютера, включающее взаимосвязанные между собой и смонтированные в корпусе системного блока компьютера вентилятор с элементами защиты и элементы управления с транзисторами и привод, отличающееся тем, что статор привода вентилятора снабжен предохранительным узлом, расположенным параллельно обмоткам статора, который выполнен в виде соединенных между собой резистора и диода, а узел переключения обмоток имеет элемент защиты транзисторов, который выполнен в виде последовательно включенных в цепь коллектора и эмиттера дополнительного резистора и соединенного с узлом переключения стабилизатора напряжения. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что предохранительный узел выполнен в виде последовательно соединенных между собой резисторов. 3. Устройство по пп.1 и 2, отличающееся тем, что резисторы по величине сопротивления выполнены разновеликими. 4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что предохранительный узел выполнен в виде последовательно соединенных между собой резистора и диода. 5. Устройство по п.1, отличающееся тем, что предохранительный узел выполнен в виде последовательно соединенных резистора, диода и стабилитрона. 6. Устройство по п.1, отличающееся тем, что предохранительный узел выполнен в виде последовательно соединенных между собой конденсатора и резистора. 7. Устройство по п.1, отличающееся тем, что обмотки статора привода выполнены проводом с термопрочной изоляцией с показателями температуры от -50 до +200С. 8. Устройство по п.1, отличающееся тем, что конденсаторы узла переключения обмоток выполнены с напряжением пробоя не менее 50 Вольт. (19) RU (11) 19 426 (13) U1 (51) МПК G06F 1/20 (2000.01) H01L 23/34 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2001107248/20 , 27.03.2001 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 27.03.2001 (46) Опубликовано: 27.08.2001 (72) Автор(ы): Александров Р.Ю. (73) Патентообладатель(и): Александров Роман Юрьевич R ...

Подробнее
10-10-2001 дата публикации

КОНСТРУКЦИЯ ГИБРИДНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ

Номер: RU0000019958U1

1. Гибридная интегральная схема, состоящая из основания, на котором расположены электронные элементы, отличающаяся тем, что на поверхность основания нанесен компаунд, первоначальная вязкость которого подбирается таким образом, чтобы он, свободно растекаясь, покрывал электронные элементы, удерживаясь в пределах основания за счет сил поверхностного натяжения, принятую таким образом форму компаунд сохраняет после полимеризации. 2. Гибридная интегральная схема по п.1, отличающаяся тем, что дополнительно в первоначально жидкий компаунд введены частицы непрозрачного вещества, и/или нанесено непрозрачное покрытие, либо на всю поверхность полимеризованного компаунда, либо локально на фоточувствительные электронные элементы, и/или гибридная интегральная схема накрыта непрозрачным чехлом. (19) RU (11) 19 958 (13) U1 (51) МПК H01L 27/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2001108694/20 , 30.03.2001 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 30.03.2001 (46) Опубликовано: 10.10.2001 (72) Автор(ы): Череповский Ю.П., Барановский Д.М. (73) Патентообладатель(и): ЗАО "Синтез электронных компонентов" R U Адрес для переписки: 302020, г.Орел, Наугорское ш., 5, ЗАО "СИНТЭК" (71) Заявитель(и): ЗАО "Синтез электронных компонентов" 1 9 9 5 8 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели 1. Гибридная интегральная схема, состоящая из основания, на котором расположены электронные элементы, отличающаяся тем, что на поверхность основания нанесен компаунд, первоначальная вязкость которого подбирается таким образом, чтобы он, свободно растекаясь, покрывал электронные элементы, удерживаясь в пределах основания за счет сил поверхностного натяжения, принятую таким образом форму компаунд сохраняет после полимеризации. 2. Гибридная интегральная схема по п.1, отличающаяся тем, что дополнительно в первоначально жидкий компаунд введены частицы непрозрачного вещества, и/или нанесено непрозрачное покрытие, ...

Подробнее
10-10-2001 дата публикации

ФИКСАТОР РАДИАТОРА

Номер: RU0000019987U1

1. Фиксатор радиатора, содержащий ось, рычаг и, по крайней мере, две скобы, отличающийся тем, что рычаг содержит петлю с рабочей частью, припетлевое плечо рычага, фрикционное плечо рычага, а последнее состоит из фрикционной части и управляющей, через которую передаются усилия, обеспечивающие приведение в рабочее состояние фиксатора. 2. Фиксатор радиатора по п.1, отличающийся тем, что, по крайней мере, одна из скоб содержит, по крайней мере, одну петлю, припетлевое плечо скобы, зацепное плечо скобы и рабочую часть скобы. 3. Фиксатор радиатора по пп.1 и 2, отличающийся тем, что ось выполнена полой. 4. Фиксатор радиатора по пп.1-3, отличающийся тем, что длина скоб различна. 5. Фиксатор радиатора по пп.1-4, отличающийся тем, что петли рычага расположены снаружи петель скоб. 6. Фиксатор радиатора по пп.1-4, отличающийся тем, что петли рычага расположены внутри петель скоб. 7. Фиксатор радиатора по пп.1-4, отличающийся тем, что петли рычага расположены снаружи петель скоб, а петли скоб чередуются друг с другом: первой - второй - первой - второй. 8. Фиксатор радиатора по пп.1-4, отличающийся тем, что петли рычага расположены внутри петель скоб, а петли скоб чередуются друг с другом: первой - второй - рычага - первой - второй. 9. Фиксатор радиатора по пп.1-5, отличающийся тем, что петли скоб подвижные. 10. Фиксатор радиатора по пп.1-5, отличающийся тем, что петли скоб неподвижные. 11. Фиксатор радиатора по пп.1-10, отличающийся тем, что припетлевое плечо скобы выполнено с компенсатором длины и/или жесткости. 12. Фиксатор радиатора по пп.1-11, отличающийся тем, что рабочая часть петли рычага выполнена линейной, или в форме эллипса, или в форме гиперболы или в форме параболы. (19) RU (11) 19 987 (13) U1 (51) МПК H05K 7/20 (2000.01) H01L 23/34 (2000.01) F28F 7/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2001115211/20 , 06.06.2001 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 06.06.2001 (46) ...

Подробнее
05-01-2012 дата публикации

CPP-Type Magnetoresistive Element Including Spacer Layer

Номер: US20120002330A1
Принадлежит: TDK Corp

An MR element includes a first ferromagnetic layer, a second ferromagnetic layer, and a spacer layer disposed between the first and second ferromagnetic layers. The spacer layer includes a nonmagnetic metal layer, a first oxide semiconductor layer, and a second oxide semiconductor layer that are stacked in this order. The nonmagnetic metal layer is made of Cu, and has a thickness in the range of 0.3 to 1.5 nm. The first oxide semiconductor layer is made of a Ga oxide semiconductor, and has a thickness in the range of 0.5 to 2.0 nm. The second oxide semiconductor layer is made of a Zn oxide semiconductor, and has a thickness in the range of 0.1 to 1.0 nm.

Подробнее
10-11-2001 дата публикации

ОПТОЭЛЕКТРОННАЯ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА

Номер: RU0000020615U1

Гибридная интегральная микросхема, включающая в себя внешние выводы, диэлектрическое основание, на котором расположены электрически связанные между собой и внешними выводами элементы, отличающаяся тем, что на диэлектрическое основание гибридной интегральной микросхемы дополнительно установлены электрически связанные с элементами и внешними выводами кристаллы светодиодов и фотоприемников, оптические связи между которыми осуществляются локально сформированными оптически прозрачными диэлектрическими перемычками. (19) RU (11) 20 615 (13) U1 (51) МПК H01L 27/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2000133021/20 , 28.12.2000 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 28.12.2000 (46) Опубликовано: 10.11.2001 (72) Автор(ы): Череповский Ю.П., Барановский Д.М. (73) Патентообладатель(и): Закрытое акционерное общество "Синтез электронных компонентов" U 1 2 0 6 1 5 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Гибридная интегральная микросхема, включающая в себя внешние выводы, диэлектрическое основание, на котором расположены электрически связанные между собой и внешними выводами элементы, отличающаяся тем, что на диэлектрическое основание гибридной интегральной микросхемы дополнительно установлены электрически связанные с элементами и внешними выводами кристаллы светодиодов и фотоприемников, оптические связи между которыми осуществляются локально сформированными оптически прозрачными диэлектрическими перемычками. 2 0 6 1 5 (54) ОПТОЭЛЕКТРОННАЯ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА R U Адрес для переписки: 302020, г. Орел, Наугорское ш., 5, ЗАО "СИНТЭК" (71) Заявитель(и): Закрытое акционерное общество "Синтез электронных компонентов" U 1 U 1 2 0 6 1 5 2 0 6 1 5 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 20 615 U1 RU 20 615 U1 RU 20 615 U1

Подробнее
27-11-2001 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО

Номер: RU0000020805U1

1. Полупроводниковое устройство, содержащее корпус, металлическое основание, полупроводниковый элемент с электродами, металлические шины, изоляционную подложку, отличающееся тем, что на нижнем электроде, по крайней мере, одного полупроводникового элемента расположено дополнительное металлическое кольцо, наружный диаметр которого равен диаметру нижнего электрода, а полупроводниковый элемент размещен внутри дополнительного металлического кольца, при этом на дополнительном металлическом кольце и верхнем электроде полупроводникового элемента расположены металлические шины. 2. Полупроводниковое устройство по п.1, отличающееся тем, что дополнительное металлическое кольцо соединено с нижним электродом методом пайки, а металлическое основание, изоляционная подложка, металлические шины с верхним электродом и с дополнительным металлическим кольцом, полупроводниковый элемент с электродами соединены методом прижима. 3. Полупроводниковое устройство по п.1, отличающееся тем, что дополнительное металлическое кольцо, полупроводниковый элемент соединены с нижним электродом методом пайки, а металлическое основание, изоляционная подложка, полупроводниковые элемент с верхним электродом, металлические шины с верхним электродом и с дополнительным металлическим кольцом соединены методом прижима. 4. Полупроводниковое устройство по п.1, отличающееся тем, что металлическое основание, изоляционная подложка, нижний электрод с дополнительным металлическим кольцом, полупроводниковый элемент с нижним электродом соединены методом пайки, а верхний электрод с полупроводниковым элементом, металлические шины с верхним электродом и дополнительным металлическим кольцом соединены методом прижима. 5. Полупроводниковое устройство по п.1, отличающееся тем, что дополнительное кольцо, нижний и верхний электроды выполнены из металлизированного низкоомного полупроводника. 6. Полупроводниковое устройство по п.1, отличающееся тем, что пространство между дополнительным кольцом и верхним электродом заполнено слоем ...

Подробнее
27-11-2001 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО

Номер: RU0000020806U1

1. Полупроводниковое устройство, содержащее металлическое основание с корпусом, внутри которого расположены изоляционные подложки, полупроводниковые элементы и/или приборы, несущую плату, изоляционные слои герметика, которые заполняют корпус, крышку, выводы для подачи сигнала управления и выводы для подключения регулируемого напряжения, отличающееся тем, что на одной из поверхностей несущей платы установлен по крайней мере один вспомогательный оптотиристор, а также установлены по крайней мере один выпрямительный мост, содержащий четыре полупроводниковых диода, причем анод и катод оптотиристора присоединены к выводам выпрямительного моста, с которых подается выпрямленное напряжение, а к двум другим выводам присоединены выводы управления силовых полупроводниковых элементов, например тиристоров, которые размещены на металлических шинах и которые одной поверхностью соединены с одной из поверхностей изоляционных подложек, другая поверхность изоляционных подложек соединена с металлическим основанием, к аноду и катоду излучающего диода вспомогательного оптотиристора подсоединены полупроводниковые элементы несущей платы, образующие входное устройство, подключенные к выводам для подачи сигнала управления, при этом между выводами для подачи сигнала управления и выводами для подключения регулируемого напряжения установлен изоляционный барьер. 2. Полупроводниковое устройство по п.1, отличающееся тем, что в цепи излучающего диода установлены элементы несущей платы, обеспечивающие защиту излучающего диода от перегрузки по току управления ограничением амплитудного и/или среднего значения тока управления на заданном интервале времени. 3. Полупроводниковое устройство по п.1, отличающееся тем, что металлические шины и силовые полупроводниковые элементы, например тиристоры, полупроводниковые элементы и/или приборы, несущая плата, изоляционные подложки соединены с металлическим основанием путем прижима. 4. Полупроводниковое устройство по п.1, отличающееся тем, что силовые тиристоры, ...

Подробнее
27-11-2001 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО

Номер: RU0000020808U1

1. Полупроводниковое устройство, содержащее металлическое основание, корпус, внутри которого расположены изоляционные подложки, полупроводниковые элементы, металлические шины, изоляционный слой герметика, крышку, внешние электроды, отличающееся тем, что на металлическом основании размещена, по крайней мере, одна дополнительная металлическая подложка, на которой размещена изоляционная подложка, размеры которой больше размеров дополнительной металлической подложки, при этом на изоляционной подложке размещена первая металлическая шина, размеры основания которой равны размерам дополнительной металлической подложки, на поверхности первой металлической шины расположен катод или анод, по крайней мере, одного полупроводникового элемента, а на аноде или катоде полупроводникового элемента расположена вторая металлическая шина, при этом ширина металлических шин совпадает с наибольшей из сторон (диаметром) полупроводникового элемента, вокруг которого расположено дополнительное изоляционное кольцо, а корпус снабжен, по крайней мере, двумя дополнительными выступами с отверстиями, в которых размещены винты. 2. Полупроводниковое устройство по п.1, отличающееся тем, что дополнительная металлическая подложка, изоляционная подложка, металлические шины, полупроводниковый элемент соединены с металлическим основанием методом прижима, при этом пружина размещена таким образом, что отверстия дополнительных выступов корпуса совпадают с отверстиями на концах пружины, в которых размещены винты для соединения корпуса, дополнительной металлической подложки, изоляционной подложки, полупроводникового элемента, металлических шин с металлическим основанием. 3. Полупроводниковое устройство по п.1, отличающееся тем, что в дополнительном изоляционном кольце выполнен паз, в котором размещена пружина. 4. Полупроводниковое устройство по п.1, отличающееся тем, что на второй металлической шине расположен анод или катод, по крайней мере, одного полупроводникового элемента, на катоде или аноде которого ...

Подробнее
10-12-2001 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МОДУЛЬ

Номер: RU0000020986U1

1. Полупроводниковый модуль, содержащий металлическое основание, корпус, внутри которого размещены изоляционные подложки, металлические шины, полупроводниковые элементы, крышку, отличающийся тем, что в металлическом основании выполнено, по крайней мере, одно отверстие, в котором размещен металлический диск, диаметр торца которого со стороны размещенной на нем изоляционной подложки больше диаметра отверстия, а на изоляционной подложке размещена первая металлическая шина, на верхней поверхности которой размещен полупроводниковый элемент. 2. Полупроводниковый модуль по п.1, отличающийся тем, что на верхней поверхности полупроводникового элемента размещена вторая металлическая шина, на которой размещен дополнительный верхний электрод, на котором размещено изолирующее кольцо, на котором размещена, по крайней мере, одна тарельчатая пружина, при этом диаметр торца дополнительного верхнего электрода, размещенного на второй металлической шине, больше диаметра дополнительного верхнего электрода, размещенного внутри изолирующего кольца и тарельчатой пружины. 3. Полупроводниковый модуль по п.1, отличающийся тем, что в металлическом диске и дополнительном верхнем электроде сформированы каналы для пропускания хладагента. 4. Полупроводниковый модуль по п.1, отличающийся тем, что коэффициент теплопроводности металлического диска и дополнительного верхнего электрода больше коэффициента теплопроводности металлического основания. 5. Полупроводниковый модуль по п.1, отличающийся тем, что площадь торца металлического диска меньше площади размещенной на нем изоляционной подложки. 6. Полупроводниковый модуль по п.1, отличающийся тем, что в корпусе выполнены выступы, в которых размещены дополнительные пластины, в отверстиях которой размещены винты, которые соединяют корпус с металлическим основанием. (19) RU (11) 20 986 (13) U1 (51) МПК H01L 23/34 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2001119956/20 , 23 ...

Подробнее
20-12-2001 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО

Номер: RU0000021114U1

1. Полупроводниковое выпрямительное устройство, содержащее полупроводниковые структуры с р-n-переходом и/или полупроводниковые приборы, контактные металлические пластины, фасонные металлические шины, электроизолирующий теплопроводящий слой, общее металлическое основание, опорный элемент, нажимные болты, изолирующие кольца, корпус, крышку, компаунд, отличающееся тем, что в корпусе выполнен, по крайней мере, один кольцеобразный паз, в котором размещен электроизолирующий теплопроводящий слой, на котором размещена первая фасонная металлическая шина, на которой размещена, по крайней мере, одна полупроводниковая структура и/или полупроводниковый прибор, на верхней поверхности которых размещена контактная металлическая пластина и вторая фасонная металлическая шина, изолирующее кольцо, на котором в свою очередь размещена, по крайней мере, одна дополнительная пружина, соединенная с опорным элементом, в котором выполнены отверстия, в которых размещены управляющие выводы и/или выводы излучающих диодов, нажимные болты, прижимающие опорный элемент к дополнительной пружине, полупроводниковую структуру к контактной металлической пластине, фасонную металлическую шину через электроизолирующий теплопроводящий слой, а также корпус к общему металлическому основанию. 2. Полупроводниковое выпрямительное устройство по п.1, отличающееся тем, что опорный элемент и дополнительная пружина выполнены из металла. 3. Полупроводниковое выпрямительное устройство по п.1, отличающееся тем, что опорный элемент выполнен из изоляционного материала. 4. Полупроводниковое выпрямительное устройство по п.1, отличающееся тем, что в корпусе выполнены отверстия, в которых размещены нажимные болты, соединяющие опорный элемент и корпус с общим металлическим основанием. 5. Полупроводниковое выпрямительное устройство по п.1, отличающееся тем, что первая фасонная металлическая шина одной полупроводниковой структуры соединена с контактной металлической пластиной другой полупроводниковой структуры дополнительной ...

Подробнее
20-01-2002 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА НА ПЛАСТИНУ

Номер: RU0000021481U1

Устройство для нанесения фоторезиста на пластину методом центрифугирования, характеризующееся тем, что оно снабжено держателем, одна сторона которого выполнена гладкой, а на другой стороне имеется несколько установочных штифтов, расположенных по периферии держателя. (19) RU (11) 21 481 (13) U1 (51) МПК H01L 21/027 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2001126224/20 , 03.10.2001 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 03.10.2001 (46) Опубликовано: 20.01.2002 (72) Автор(ы): Былинкин С.Ф., Миронов С.Г. R U 2 1 4 8 1 (57) Формула полезной модели Устройство для нанесения фоторезиста на пластину методом центрифугирования, характеризующееся тем, что оно снабжено держателем, одна сторона которого выполнена гладкой, а на другой стороне имеется несколько установочных штифтов, расположенных по периферии держателя. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА НА ПЛАСТИНУ 2 1 4 8 1 (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество Арзамасское научно-производственное предприятие "ТЕМП-АВИА" R U Адрес для переписки: 607220, Нижегородская обл., г. Арзамас, ул. Кирова, 26, ОАО АНПП "ТЕМП-АВИА" (71) Заявитель(и): Открытое акционерное общество Арзамасское научно-производственное предприятие "ТЕМП-АВИА" U 1 U 1 2 1 4 8 1 2 1 4 8 1 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 21 481 U1 RU 21 481 U1 RU 21 481 U1

Подробнее
27-01-2002 дата публикации

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ДМДП-ТРАНЗИСТОР

Номер: RU0000021697U1

Высоковольтный ДМДП-транзистор, содержащий полупроводниковую подложку с диффузионными низко- и высоколегированными областями обоих типов проводимости и дополнительную низколегированную область стока, планарно размещенные электроды истока, стока и затвора, заключенного вместе с подзатворным диэлектриком в слой защитного материала, отличающийся тем, что над самосовмещенными низко- и высоколегированной областями стока расположен дополнительный слой диэлектрика толщиной не менее 1,5 мкм, а расширенный электрод затвора выполняет функцию полевой обкладки. (19) RU (11) 21 697 (13) U1 (51) МПК H01L 29/84 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2001116976/20 , 20.06.2001 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 20.06.2001 (46) Опубликовано: 27.01.2002 (72) Автор(ы): Кшенский О.Н., Макаренко С.В., Федичкина Т.В., Федосов В.С. (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество "Протон" U 1 2 1 6 9 7 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Высоковольтный ДМДП-транзистор, содержащий полупроводниковую подложку с диффузионными низко- и высоколегированными областями обоих типов проводимости и дополнительную низколегированную область стока, планарно размещенные электроды истока, стока и затвора, заключенного вместе с подзатворным диэлектриком в слой защитного материала, отличающийся тем, что над самосовмещенными низко- и высоколегированной областями стока расположен дополнительный слой диэлектрика толщиной не менее 1,5 мкм, а расширенный электрод затвора выполняет функцию полевой обкладки. 2 1 6 9 7 (54) ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ДМДП-ТРАНЗИСТОР R U Адрес для переписки: 302027, г.Орел, ул. Лескова, 19, ОАО "Протон", ОНТД (71) Заявитель(и): Открытое акционерное общество "Протон" U 1 U 1 2 1 6 9 7 2 1 6 9 7 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 21 697 U1 RU 21 697 U1 RU 21 697 U1 RU 21 697 U1

Подробнее
27-02-2002 дата публикации

КОНСТРУКЦИЯ СИЛОВОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МОДУЛЯ НА ОХЛАДИТЕЛЕ

Номер: RU0000021981U1
Автор: Савкин А.И.

1. Конструкция силового полупроводникового модуля на охладителе состоит из корпуса модуля, крышки корпуса, основания, на котором смонтированы полупроводниковые выпрямительные элементы, каждый из которых имеет не менее двух электродов, нижних и верхних шин, являющихся электродами модуля, направляющих контактов, расположенных на полупроводниковых выпрямительных элементах, электрических изоляторов, одетых на направляющие контакты, с установленными на них плоскими шайбами, тарельчатыми пружинами, траверсами, отличающаяся тем, что основанием модуля является оребренный охладитель, имеющий плоскую область, на которой смонтированы полупроводниковые выпрямительные элементы модуля, верхние шины модуля одеты на направляющие контакты, находятся с ним в электрическом контакте и изолированы от траверс электрическими изоляторами направляющих контактов. 2. Конструкция силового полупроводникового модуля на охладителе по п.1, отличающаяся тем, что управляющий электрод выпрямительного элемента установлен в полости направляющего контакта, при этом его внешний вывод проходит через отверстия в направляющем контакте, электрическом изоляторе направляющего контакта и траверсе. 3. Конструкция силового полупроводникового модуля на охладителе по пп.1 и 2, отличающаяся тем, что управляющий электрод соединен с катодным электродом фоточувствительного полупроводникового выпрямительного элемента, размещенного в корпусе модуля. (19) RU (11) 21 981 (13) U1 (51) МПК H01L 23/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2001119539/20 , 18.07.2001 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 18.07.2001 (46) Опубликовано: 27.02.2002 (72) Автор(ы): Савкин А.И. (73) Патентообладатель(и): Савкин Анатолий Иванович R U Адрес для переписки: 140140, Московская обл., Раменский р-он, ст. Удельная, ул. Островского, 26, А.И.Савкину (71) Заявитель(и): Савкин Анатолий Иванович Ñòðàíèöà: 1 2 1 9 8 1 R U U 1 (57) Формула полезной ...

Подробнее
27-02-2002 дата публикации

СИЛОВОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ БЛОК

Номер: RU0000021982U1
Автор: Савкин А.И.

1. Силовой полупроводниковый выпрямительный блок, состоящий из полупроводниковых приборов с электродами, металлических перемычек, служащих для электрического соединения полупроводниковых приборов, токоподводящих шин, предназначенных для присоединения силового полупроводникового выпрямительного блока к электрической схеме, не менее двух оребренных охладителей, имеющих плоскую область, расположенную перпенидкулярно ребрам, соединенных между собой стяжными устройствами с ориентацией ребер в противоположные стороны, изоляторов, отличающийся тем, что полупроводниковые приборы, расположенные на плоских областях оребренных охладителей, соединены между собой металлическими перемычками, выступающими за плоские области оребренных охладителей, установленными на изоляторах, укрепленных на плоских областях оребренных охладителей, попарно электрически соединенными между собой в местах, расположенных за пределами плоских областей оребренных охладителей. 2. Силовой полупроводниковый выпрямительный блок по п.1, отличающийся тем, что металлические перемычки установлены перпендикулярно ребрам охладителей. 3. Силовой полупроводниковый выпрямительный блок по пп.1 и 2, отличающийся тем, что металлические перемычки установлены параллельно ребрам охладителей. 4. Силовой полупроводниковый выпрямительный блок по пп.1-3, отличающийся тем, что на ребрах охладителей установлены токоотводящие шины. (19) RU (11) 21 982 (13) U1 (51) МПК H01L 29/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2001119515/20 , 18.07.2001 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 18.07.2001 (46) Опубликовано: 27.02.2002 (72) Автор(ы): Савкин А.И. (73) Патентообладатель(и): Савкин Анатолий Иванович R U Адрес для переписки: 140140, Московская обл., Раменский р-н, ст. Удельная, ул. Островского, 26, А.И.Савкину (71) Заявитель(и): Савкин Анатолий Иванович Ñòðàíèöà: 1 2 1 9 8 2 R U U 1 (57) Формула полезной модели 1. Силовой ...

Подробнее
10-04-2002 дата публикации

КОНСТРУКЦИЯ СИЛОВОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МУЛЬТИМОДУЛЯ

Номер: RU0000022584U1

1. Конструкция силового полупроводникового мультимодуля, состоящая из корпуса мультимодуля, полупроводниковых приборов, размещенных в корпусе мультимодуля, каждый из которых имеет собственный корпус с установленными в нем полупроводниковыми элементами, не менее двух электродов, одним из которых является металлическое основание прибора, вторым электродом является вывод прибора, нижней шины, на которой размещены полупроводниковые приборы, верхних шин, служащих для соединения между собой выводов полупроводниковых приборов, плоских шайб, тарельчатых пружин, обеспечивающих прижимной электрический контакт между верхней шиной, электродами полупроводниковых приборов и нижней шиной, электрически изолированной траверсы, стяжных винтов, оребренного охладителя, имеющего плоскую область, расположенную перпендикулярно ребрам, отличающаяся тем, что имеет не менее двух нижних шин с установленными на них полупроводниковыми приборами фланцевой конструкции, которые размещены на плоской части оребренного охладителя и электрически изолированы от него теплопроводящими изоляторами, в нижних шинах изготовлены отверстия, соосные с отверстиями в основаниях полупроводниковых приборов, в которые вставлены штифты, препятствующие перемещению полупроводниковых приборов относительно плоскости нижних шин, в отверстия выводов полупроводниковых приборов вставлены направляющие изоляторы, на которые одеты верхние шины, плоские шайбы, тарельчатые пружины, траверсы, соединенные с оребренным охладителем стяжными винтами, проходящими через сквозные отверстия в его плоской части, вкрученными в планки, вложенные между ребер охладителя. 2. Конструкция силового полупроводникового мультимодуля по п.1, отличающаяся тем, что участки верхних и нижних шин, служащие для подключения мультимодуля к внешней электрической схемы, выведены из корпуса мультимодуля, не пересекая тел траверс. 3. Конструкция силового полупроводникового мультимодуля по пп.1 и 2, отличающаяся тем, что на концах ребер охладителя параллельно его ...

Подробнее
10-04-2002 дата публикации

СИЛОВОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР ШТЫРЕВОЙ КОНСТРУКЦИИ

Номер: RU0000022585U1

Силовой полупроводниковый прибор штыревой конструкции содержащий металлическое основание с гранями под гаечный ключ, имеющее резьбовую часть, расположенную по вертикальной оси прибора, являющуюся одним из электродов прибора, крышку полупроводникового прибора, установленную на металлическом основании, выводов, являющихся другими электродами силового полупроводникового прибора, полупроводникового выпрямительного элемента, размещенного на металлическом основании внутри крышки, отличающийся тем, что крышка полупроводникового прибора выполнена из диэлектрического материала и имеет нижнюю и верхнюю части с бортиком между ними, причем геометрические внешние и внутренние размеры нижней части крышки больше соответствующих размеров ее верхней части, внешний и внутренний контуры нижней части крышки аналогичны контуру металлического основания, нижняя часть крышки плотно охватывает металлическое основание до его резьбовой части, под бортиком крышки, расположенным между ее нижней и верхней частями, прилегающим к металлическому основанию, установлен уплотнитель из эластичного материала, внутренняя полость верхней части крышки заполнена герметизирующим компаундом, внешние части выводов полупроводникового прибора, выступающие из верхней части крышки, являются плоскими по всей длине. (19) RU (11) 22 585 (13) U1 (51) МПК H01L 23/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2001119538/20 , 18.07.2001 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 18.07.2001 (46) Опубликовано: 10.04.2002 U 1 2 2 5 8 5 R U (54) СИЛОВОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР ШТЫРЕВОЙ КОНСТРУКЦИИ (57) Формула полезной модели Силовой полупроводниковый прибор штыревой конструкции содержащий металлическое основание с гранями под гаечный ключ, имеющее резьбовую часть, расположенную по вертикальной оси прибора, являющуюся одним из электродов прибора, крышку полупроводникового прибора, установленную на металлическом основании, выводов, ...

Подробнее
10-04-2002 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ БЛОК С ТАБЛЕТОЧНЫМИ ПРИБОРАМИ

Номер: RU0000022586U1
Автор: Савкин А.И.

1. Полупроводниковый блок с таблеточными приборами, состоящий из полупроводниковых приборов таблеточной конструкции, имеющих не менее двух электродов, металлических перемычек, служащей для электрического соединения полупроводниковых приборов между собой, оребренного охладителя, имеющего плоскую область, расположенную перпендикулярно плоскости ребер, на которой расположены полупроводниковые приборы, тарельчатых пружин, обеспечивающих прижимной электрический контакт, электрических изоляторов, отличающийся тем, что полупроводниковый блок содержит множество полупроводниковых приборов таблеточной конструкции, на каждом из которых установлен контакт, представляющий собой металлическое тело, состоящее из основания, прилегающего к полупроводниковому прибору, и хвостовика, на хвостовики контактов надета металлическая перемычка и электрические изоляторы с установленными на них тарельчатыми пружинами, на части электрических изоляторов, выступающие за тарельчатые пружины, одета траверса, имеющая отверстия, соосные с отверстиями в плоской части охладителя, и соединенная с ним винтами для создания прижимного электрического контакта. 2. Полупроводниковый блок с таблеточными приборами по п.1, отличающийся тем, что к металлической перемычке тарельчатыми прижат токовод. 3. Полупроводниковый блок с таблеточными приборами по пп.1 и 2, отличающийся тем, что металлические перемычки имеют части, выступающие за плоскость траверсы, к которым прижаты тоководы, расположенные над траверсой и электрически изолированные от траверсы. 4. Полупроводниковый блок с таблеточными приборами по пп.1-3, отличающийся тем, что не менее двух оребренных охладителей механически соединены между собой таким образом, что их ребра направлены в противоположные стороны. (19) RU (11) 22 586 (13) U1 (51) МПК H01L 25/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2001112915/20 , 16.05.2001 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: ...

Подробнее
10-04-2002 дата публикации

СИЛОВОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ БЛОК ПРИЖИМНОЙ КОНСТРУКЦИИ

Номер: RU0000022587U1

1. Силовой полупроводниковый блок прижимной конструкции, состоящий из полупроводниковых приборов таблеточной конструкции, имеющих не менее двух электродов, металлических перемычек, служащих для соединения полупроводниковых приборов между собой, токовводов, предназначенных для присоединения полупроводникового блока к электрической схеме, не менее двух ребристых охладителей, имеющих плоскую область, расположенную перпендикулярно плоскости ребер, тарельчатых пружин, обеспечивающих прижимной электрический контакт, изоляторов, стяжных устройств, в которой полупроводниковые приборы расположены на плоской области охладителей, соединенных между собой стяжными устройствами, при этом ребра охладителей ориентированы в противоположные стороны, токовводы расположены между плоскими областями стянутых охладителей, отличающийся тем, что полупроводниковые приборы расположены симметрично относительно плоскости токовводов и прижаты к плоской области оребренных охладителей упругими элементами, установленными между металлическими перемычками и проходящими сквозь отверстия в токовводах, соосных с электродами полупроводниковых приборов. 2. Силовой полупроводниковый блок прижимной конструкции по п.1, отличающийся тем, что между плоскими областями охладителей и полупроводниковыми приборами установлены электрические изоляторы и плоские токоотводы. (19) RU (11) 22 587 (13) U1 (51) МПК H01L 29/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2001110818/20 , 25.04.2001 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 25.04.2001 (46) Опубликовано: 10.04.2002 (72) Автор(ы): Новиков А.В., Савкин А.И. (73) Патентообладатель(и): Новиков Александр Васильевич, Савкин Анатолий Иванович Ñòðàíèöà: 1 U 1 2 2 5 8 7 R U U 1 (57) Формула полезной модели 1. Силовой полупроводниковый блок прижимной конструкции, состоящий из полупроводниковых приборов таблеточной конструкции, имеющих не менее двух электродов, металлических перемычек ...

Подробнее
27-08-2002 дата публикации

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

Номер: RU0000024880U1

Интегральный тензопреобразователь, содержащий резистивный делитель напряжения со средним отводом, подключенный одним плечом к первой шине питания, другим плечом - к "минусовой" шине питания, операционный усилитель с неинвертирующим и инвертирующим входами, подключенный неинвертирующим входом к среднему отводу резистивного делителя напряжения, тензометрический мост, включенный одной диагональю между первым и вторым выходными выводами устройства, другой диагональю - между выходом операционного усилителя и "минусовой" шиной питания, первый резистор, включенный между инвертирующим входом операционного усилителя и "минусовой" шиной питания, термоэлемент, отличающийся тем, что в него дополнительно введен второй резистор, включенный между выходом операционного усилителя и его инвертирующим входом, а термоэлемент включен последовательно в цепь другого плеча резистивного делителя напряжения. (19) RU (11) 24 880 (13) U1 (51) МПК G01L 19/00 (2000.01) H01L 25/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2002103236/20 , 14.02.2002 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 14.02.2002 (46) Опубликовано: 27.08.2002 (72) Автор(ы): Ратанин С.Б., Кужненков А.С. 2 4 8 8 0 R U (57) Формула полезной модели Интегральный тензопреобразователь, содержащий резистивный делитель напряжения со средним отводом, подключенный одним плечом к первой шине питания, другим плечом - к "минусовой" шине питания, операционный усилитель с неинвертирующим и инвертирующим входами, подключенный неинвертирующим входом к среднему отводу резистивного делителя напряжения, тензометрический мост, включенный одной диагональю между первым и вторым выходными выводами устройства, другой диагональю - между выходом операционного усилителя и "минусовой" шиной питания, первый резистор, включенный между инвертирующим входом операционного усилителя и "минусовой" шиной питания, термоэлемент, отличающийся тем, что в него дополнительно ...

Подробнее
27-09-2002 дата публикации

ДВУХКОЛЛЕКТОРНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ МАГНИТОТРАНЗИСТОР С МНОГОСЛОЙНЫМ КОНЦЕНТРАТОРОМ МАГНИТНОГО ПОЛЯ

Номер: RU0000025369U1

Двухколлекторный биполярный магнитотранзистор с многослойным концентратором магнитного поля, в котором в качестве концентратора магнитного поля использована многослойная структура из пленок пермаллоя FeN и высокорезистивных немагнитных слоев, чередующихся 2N раз, при N более 3, где N целое число, при этом концентратор в плане имеет форму зеркально отображенных трапеций с зазором между меньшими основаниями, обращенными друг к другу не более 10 мкм, расположенных центрально симметрично относительно магниточувствительной оси магнитотранзистора и имеющих геометрические размеры, когда высота каждой трапеции превышает размеры ее большего основания, а меньшее основание каждой трапеции в плане перекрывает длину эмиттерной области магнитотранзистора не менее чем на 10% от общей длины этой области. (19) RU (11) 25 369 (13) U1 (51) МПК H01L 29/82 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2002107551/20 , 01.04.2002 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 01.04.2002 (46) Опубликовано: 27.09.2002 2 5 3 6 9 R U (54) ДВУХКОЛЛЕКТОРНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ МАГНИТОТРАНЗИСТОР С МНОГОСЛОЙНЫМ КОНЦЕНТРАТОРОМ МАГНИТНОГО ПОЛЯ (57) Формула полезной модели Двухколлекторный биполярный магнитотранзистор с многослойным концентратором магнитного поля, в котором в качестве концентратора магнитного поля использована многослойная структура из пленок пермаллоя Fe 1 9N8 1 и высокорезистивных немагнитных слоев, чередующихся 2N раз, при N более 3, где N целое число, при этом концентратор в плане имеет форму зеркально отображенных трапеций с зазором между меньшими основаниями, обращенными друг к другу не более 10 мкм, расположенных центрально симметрично относительно магниточувствительной оси магнитотранзистора и имеющих геометрические размеры, когда высота каждой трапеции превышает размеры ее большего основания, а меньшее основание каждой трапеции в плане перекрывает длину эмиттерной области магнитотранзистора не менее ...

Подробнее
20-11-2002 дата публикации

ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ

Номер: RU0000026277U1
Автор: Новиков В.В.

1. Электронный модуль, содержащий диэлектрическую коммутационную плату с установленными на ней методом "флип - чип" кристаллами интегральных схем, отличающийся тем, что между каждым кристаллом и коммутационной платой по периметру кристалла имеется металлическая герметизирующая рамка, состоящая из тех же слоев, что и электрические выводы от контактных площадок кристалла к контактным площадкам коммутационной платы, и формируемая одновременно с этими выводами. 2. Электронный модуль по п.1, отличающийся тем, что для обеспечения теплоотвода на мощных кристаллах интегральных схем с тыльной стороны установлены индивидуальные радиаторы. 3. Электронный модуль по п.1, отличающийся тем, что содержит один кристалл, установленный на плате, размеры которой в плане равны размерам кристалла, а электрические выводы от кристалла выполнены в виде сквозных отверстий через плату, заполненных металлом. 4. Электронный модуль по п.3, отличающийся тем, что в качестве герметизируемого компонента используется изделие на поверхностных акустических волнах. (19) RU (11) 26 277 (13) U1 (51) МПК H01L 27/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2002112681/20 , 08.05.2002 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 08.05.2002 (46) Опубликовано: 20.11.2002 (72) Автор(ы): Новиков В.В. (73) Патентообладатель(и): Новиков Владимир Васильевич R U Адрес для переписки: 191187, г.Санкт-Петербург, а/я 578, патентная служба (71) Заявитель(и): Новиков Владимир Васильевич Ñòðàíèöà: 1 2 6 2 7 7 R U U 1 (57) Формула полезной модели 1. Электронный модуль, содержащий диэлектрическую коммутационную плату с установленными на ней методом "флип - чип" кристаллами интегральных схем, отличающийся тем, что между каждым кристаллом и коммутационной платой по периметру кристалла имеется металлическая герметизирующая рамка, состоящая из тех же слоев, что и электрические выводы от контактных площадок кристалла к контактным площадкам ...

Подробнее
10-01-2003 дата публикации

МОДУЛЬ ПАВ

Номер: RU0000027267U1

Модуль ПАВ, содержащий два фильтра на ПАВ с малыми потерями на отдельных пьезоэлектрических пластинах, соединенных через малошумящий усилитель, расположенными в одном корпусе, отличающийся тем, что в модуле ПАВ использован безвыводной металлокерамический корпус для поверхностного монтажа, а фильтры на ПАВ выполнены на пьезоэлектрических пластинах со значением k≥0,05, где k - коэффициент электромеханической связи. (19) RU (11) 27 267 (13) U1 (51) МПК H01L 27/00 (2000.01) H05K 1/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2002111795/20 , 06.05.2002 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 06.05.2002 (46) Опубликовано: 10.01.2003 (72) Автор(ы): Доберштейн С.А. 2 7 2 6 7 R U (57) Формула полезной модели Модуль ПАВ, содержащий два фильтра на ПАВ с малыми потерями на отдельных пьезоэлектрических пластинах, соединенных через малошумящий усилитель, расположенными в одном корпусе, отличающийся тем, что в модуле ПАВ использован безвыводной металлокерамический корпус для поверхностного монтажа, а фильтры на ПАВ выполнены на пьезоэлектрических пластинах со значением k 2≥0,05, где k - коэффициент электромеханической связи. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) МОДУЛЬ ПАВ 2 7 2 6 7 (73) Патентообладатель(и): Федеральное государственное унитарное предприятие Омский научно-исследовательский институт приборостроения R U Адрес для переписки: 644009, г.Омск, ул.Масленникова, 231, ФГУП ОНИИП (71) Заявитель(и): Федеральное государственное унитарное предприятие Омский научно-исследовательский институт приборостроения RU 27 267 U1 RU 27 267 U1 RU 27 267 U1 RU 27 267 U1 RU 27 267 U1

Подробнее
05-01-2012 дата публикации

Copper interconnection structure and method for forming copper interconnections

Номер: US20120003390A1
Принадлежит: Advanced Interconnect Materials LLC

A copper interconnection structure includes an insulating layer, an interconnection body including copper in an opening provided on the insulating layer, and a diffusion barrier layer formed between the insulating layer and the interconnection body. The diffusion barrier layer includes an oxide layer including manganese having a compositional ratio of oxygen to manganese (y/x) less than 2.

Подробнее
27-01-2003 дата публикации

РАДИАТОР

Номер: RU0000027439U1

1. Радиатор для электронных элементов, имеющих по меньшей мере одну контактную площадку для контактирования с теплоотводящей поверхностью радиатора, отличающийся тем, что теплоотводящая поверхность радиатора выполнена в виде проводника печатной платы. 2. Радиатор по п.1, отличающийся тем, что упомянутый проводник расположен с обоих сторон платы, снабженной переходными металлизированными отверстиями, соединяющими проводники на обоих сторонах платы. 3. Радиатор по п.1, отличающийся тем, что упомянутый печатный проводник покрыт дополнительным слоем металла. (19) RU (11) 27 439 (13) U1 (51) МПК H01L 23/36 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2002123781/20 , 09.09.2002 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 09.09.2002 (46) Опубликовано: 27.01.2003 (72) Автор(ы): Закатин В.Г., Семёнов И.А. 2 7 4 3 9 R U (57) Формула полезной модели 1. Радиатор для электронных элементов, имеющих по меньшей мере одну контактную площадку для контактирования с теплоотводящей поверхностью радиатора, отличающийся тем, что теплоотводящая поверхность радиатора выполнена в виде проводника печатной платы. 2. Радиатор по п.1, отличающийся тем, что упомянутый проводник расположен с обоих сторон платы, снабженной переходными металлизированными отверстиями, соединяющими проводники на обоих сторонах платы. 3. Радиатор по п.1, отличающийся тем, что упомянутый печатный проводник покрыт дополнительным слоем металла. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) РАДИАТОР 2 7 4 3 9 (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество Арзамасское научно-производственное предприятие "ТЕМП-АВИА" R U Адрес для переписки: 607220, г. Арзамас, Нижегородская обл., ул. Кирова, 26, ОАО АНПП "ТЕМП-АВИА" (71) Заявитель(и): Открытое акционерное общество Арзамасское научно-производственное предприятие "ТЕМП-АВИА" U 1 U 1 2 7 4 3 9 2 7 4 3 9 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 27 439 U1 RU 27 439 U1 RU 27 439 U1 RU 27 439 U1 RU 27 439 U1 RU 27 439 U1 RU ...

Подробнее
05-01-2012 дата публикации

Active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive for re-release and dicing die-bonding film

Номер: US20120003470A1
Принадлежит: Nitto Denko Corp

Provided is an active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive for re-release, which has a small influence on an environment or a human body, can be easily handled, can largely change its pressure-sensitive adhesiveness before and after irradiation with an active energy ray, and can express high pressure-sensitive adhesiveness before the irradiation with the active energy ray and express high releasability after the irradiation with the active energy ray. The active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive for re-release includes an active energy ray-curable polymer (P), in which the polymer (P) includes one of a polymer obtained by causing a carboxyl group-containing polymer (P3) and an oxazoline group-containing monomer (m3) to react with each other, and a polymer obtained by causing an oxazoline group-containing polymer (P4) and a carboxyl group-containing monomer (m2) to react with each other.

Подробнее
10-03-2003 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖЕК

Номер: RU0000028284U1

Устройство для обработки подложек, содержащее корпус, ванну, вал с транспортирующим ротором, соединенным с приводами, механизм ориентации, состоящий из закрепленного на валу ориентатора и пневмоцилиндра, на штоке которого установлена планка, отличающееся тем, что ориентатор выполнен в виде коромысла образной формы с симметричными плечами, снабженного двумя подшипниками, которые закреплены на осях плеч коромысла и взаимодействуют с выступом упомянутой планки, выполненным в виде прямоугольного треугольника, вершина малого острого угла которого смещена от оси симметрии планки, проходящей через ось симметрии вала. (19) RU (11) 28 284 (13) U1 (51) МПК H01L 21/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2002119820/20 , 22.07.2002 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 22.07.2002 (46) Опубликовано: 10.03.2003 (72) Автор(ы): Комаров В.Н., Комаров Р.В. подшипниками, которые закреплены на осях плеч коромысла и взаимодействуют с выступом упомянутой планки, выполненным в виде прямоугольного треугольника, вершина малого острого угла которого смещена от оси симметрии планки, проходящей через ось симметрии вала. R U 2 8 2 8 4 (57) Формула полезной модели Устройство для обработки подложек, содержащее корпус, ванну, вал с транспортирующим ротором, соединенным с приводами, механизм ориентации, состоящий из закрепленного на валу ориентатора и пневмоцилиндра, на штоке которого установлена планка, отличающееся тем, что ориентатор выполнен в виде образной формы с симметричными плечами, снабженного двумя коромысла Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖЕК 2 8 2 8 4 (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения" R U Адрес для переписки: 394033, г. Воронеж, Ленинский пр-т, 160, Генеральному директору ОАО "НИИПМ", В.С. Щербакову (71) Заявитель(и): Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский ...

Подробнее
10-03-2003 дата публикации

РЕНТГЕНОШАБЛОН

Номер: RU0000028285U1

1. Рентгеношаблон, имеющий металлический слой, выполненный в виде рисунка на прозрачной для УФ-излучения подложке, отличающийся тем, что в качестве металлического слоя использована система слоев Cr-Cu-Cr, покрытая слоями меди толщиной 5-10 мкм и свинца толщиной 25-30 мкм, а подложка является гибкой и прозрачной, по крайней мере, в одном из участков диапазоне длин волн в пределах от 10 до 4 • 10 нм. 2. Рентгеношаблон по п.1, отличающийся тем, что рисунок металлического слоя на подложке имеет вид сетки с шириной линии сетки 100-200 мкм. 3. Рентгеношаблон по п. 2, отличающийся тем, что рисунок сетки имеет квадратную или прямоугольную форму. (19) RU (11) 28 285 (13) U1 (51) МПК H01L 21/033 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2001124959/20 , 13.09.2001 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 13.09.2001 (46) Опубликовано: 10.03.2003 (72) Автор(ы): Любимов В.К., Кузнецов В.Ф., Котов А.Н., Тимкин В.Н., Михайличенко Н.М. R U Адрес для переписки: 103482, Москва, корп.360, кв. 375, В.К. Любимову (71) Заявитель(и): Любимов Виктор Константинович (73) Патентообладатель(и): Любимов Виктор Константинович U 1 2 8 2 8 5 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели 1. Рентгеношаблон, имеющий металлический слой, выполненный в виде рисунка на прозрачной для УФ-излучения подложке, отличающийся тем, что в качестве металлического слоя использована система слоев Cr-Cu-Cr, покрытая слоями меди толщиной 5-10 мкм и свинца толщиной 25-30 мкм, а подложка является гибкой и прозрачной, по крайней мере, в одном из участков диапазоне длин волн в пределах от 10 -5 до 4 • 10 2 нм. 2. Рентгеношаблон по п.1, отличающийся тем, что рисунок металлического слоя на подложке имеет вид сетки с шириной линии сетки 100-200 мкм. 3. Рентгеношаблон по п. 2, отличающийся тем, что рисунок сетки имеет квадратную или прямоугольную форму. 2 8 2 8 5 (54) РЕНТГЕНОШАБЛОН U 1 U 1 2 8 2 8 5 2 8 2 8 5 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU ...

Подробнее
10-03-2003 дата публикации

УСТАНОВКА ДЛЯ ГЕТТЕРИРУЮЩЕЙ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

Номер: RU0000028286U1

1. Установка для геттерирующей обработки полупроводниковых пластин, содержащая: средство транспортировки с установочными площадками для подачи обрабатываемых пластин в зону обработки; устройство распыления, которое размещено оппозитно зоне обработки и включает, по меньшей мере, средство распыления; насосную станцию, которая содержит, по меньшей мере, резервуар для формирования жидкофазной технологической смеси и насос для ее подачи в зону обработки, отличающаяся тем, что установка снабжена программируемыми приводами, один из которых установлен с возможностью передачи рабочего хода транспортному средству, а другой - с возможностью обеспечения осциллирующего движения устройству распыления, при этом средство транспортировки выполнено в виде рабочего стола карусельного типа, а устройство распыления установлено с возможностью осцилляции относительно зоны обработки с амплитудой, соответствующей диаметру обрабатываемой пластины и выполнено с дозатором-накопителем смеси капельного типа, который расположен перед средством распыления, кроме того, насос выполнен со средствами перемешивания технологической смеси. 2. Установка по п.1, отличающаяся тем, что средства фиксации и базирования обрабатываемых пластин на установочных площадках рабочего стола выполнены в виде вакуумного присоса. 3. Установка по п.1 отличающаяся тем, что средства фиксации и базирования обрабатываемых пластин осуществлены посредством поверхностного натяжения жидкой фазы, размещенной между взаимообращенными поверхностями упомянутых пластин и установочных площадок. 4. Установка по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что насос упомянутой насосной станции выполнен с двумя нагнетательными отверстиями, а средство для формирования жидкофазной технологической смеси выполнено в виде трубки с радиальными отверстиями, которая расположена в нижней части резервуара и подсоединена к одному из нагнетательных отверстий насоса. 5. Установка по любому из пп.1-4, отличающаяся тем, что средство для формирования жидкофазной ...

Подробнее
20-05-2003 дата публикации

УСТАНОВКА ДЛЯ РЕЗКИ ПЛАСТИН ИЗ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ НА "ЧИП"ы

Номер: RU0000029616U1

1. Установка для резки пластин из полупроводниковых материалов на “ЧИП”ы, которая включает: станину; средства возвратно-поступательного перемещения обрабатываемой пластины по оси координат “X”, ортогональной координатной системы отсчета (КСО) “X”, “Y”, “Z”, “р” установки; средства возвратно-поступательного перемещения режущего инструмента (который выполнен в виде одиночного абразивного круга с внешней режущей кромкой) по оси координат “Y”, включающие двигатель и шпиндель, функционально являющийся установочным средством для вышеуказанного режущего инструмента, обеспечивающим возможность пространственной ориентации плоскости последнего вдоль оси “X” ортогонально плоскости “Х,Y” КСО установки; средства осуществления поворота обрабатываемой пластины на заданный угол по координате “р” в плоскости параллельной плоскости “Х,Y” КСО установки, которые включают предметный стол для установки пластины с предварительно нанесенной на ее поверхность (по дорожкам разделения этой пластины на “ЧИП”ы) визуально воспринимаемой сеткой; средства возвратно-поступательного перемещения по оси координат “Z”, а также систему управления установки, включающую системный блок, видеоконтрольное устройство и устройство визуалиазации регистрируемой упомянутым видеоконтрольным устройством оптической информации (со сформированной на устройстве визуализации системой юстировки), связанные с соответствующими средствами перемещения установки посредством блока управления, отличающаяся тем, что видеоконтрольное устройство выполнено в виде двух телевизионных компьютерных микроскопов (ТКМ), установленных вдоль оси “Y” КСО установки на заданном расстоянии относительно центра вращения предметного стола с возможностью исключения вибрационного взаимодействия с динамическими узлами установки и используемых для последовательного визуального отображения упомянутыми ТКМ на устройстве визуализации регистрируемой в их поле зрения оптической информации в виде периферийных отрезков одной из дорожек разделения пластины на ...

Подробнее
27-06-2003 дата публикации

Силовой полупроводниковый блок

Номер: RU0000030464U1

Силовой полупроводниковый блок, содержащий силовые полупроводниковые приборы и групповой испарительно-воздушный охладитель с оребренным трубчатым конденсатором и испарителем, выполненным в виде плиты с внутренними каналами, к которому прижаты полупроводниковые приборы, отличающийся тем, что разделенные между собой каналы испарителя выполнены параллельно друг другу, и каждый канал испарителя соединен со своей отдельной группой оребренных трубок конденсатора, установленных под углом 45-75° к испарителю, который образует термически единую плиту. (19) RU (11) 30 464 (13) U1 (51) МПК H01L 23/26 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2002135434/20 , 27.12.2002 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 27.12.2002 (46) Опубликовано: 27.06.2003 (72) Автор(ы): Тимофеев А.А., Киселёв И.Г., Буянов А.Б., Хохлов А.А. 3 0 4 6 4 R U (57) Формула полезной модели Силовой полупроводниковый блок, содержащий силовые полупроводниковые приборы и групповой испарительно-воздушный охладитель с оребренным трубчатым конденсатором и испарителем, выполненным в виде плиты с внутренними каналами, к которому прижаты полупроводниковые приборы, отличающийся тем, что разделенные между собой каналы испарителя выполнены параллельно друг другу, и каждый канал испарителя соединен со своей отдельной группой оребренных трубок конденсатора, установленных под углом 45-75° к испарителю, который образует термически единую плиту. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) Силовой полупроводниковый блок 3 0 4 6 4 (73) Патентообладатель(и): Петербургский государственный университет путей сообщения R U Адрес для переписки: 190031, Санкт-Петербург, Московский пр., 9, ПГУПС (71) Заявитель(и): Петербургский государственный университет путей сообщения U 1 U 1 3 0 4 6 4 3 0 4 6 4 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 30 464 U1 RU 30 464 U1 RU 30 464 U1 RU 30 464 U1 RU 30 464 U1

Подробнее
10-09-2003 дата публикации

Выпрямительный блок-клеммник

Номер: RU0000032332U1

1. Выпрямительный блок-клеммник, содержащий панель с ламелями и клеммами для подключения внешних устройств, отверстиями для крепления и выступами для пространственного разделения элементов, расположенных на панели, выпрямитель, охладитель, отличающийся тем, что на панели выполнен элемент фиксации корпуса выпрямителя, на котором расположен охладитель. 2. Выпрямительный блок-клеммник по п.1, отличающийся тем, что охладитель выполнен из пластин. 3. Выпрямительный блок-клеммник по п.1, отличающийся тем, что клеммы для подключения внешних устройств расположены на панели. 4. Выпрямительный блок-клеммник по п.1, отличающийся тем, что имеет элемент крепления выпрямителя и охладителя к панели. 5. Выпрямительный блок-клеммник по п.1, отличающийся тем, что с оборотной стороны в местах крепления панели выполнены выступы. 6. Выпрямительный блок-клеммник по п.1, отличающийся тем, что две стороны панели, смежные меньшей, выполнены вогнутыми. (19) RU (11) 32 332 (13) U1 (51) МПК H02M 7/00 (2000.01) H01L 25/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2003100303/20 , 04.01.2003 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 04.01.2003 (46) Опубликовано: 10.09.2003 (72) Автор(ы): Леонов Ю.К., Григорьев В.Н. 3 2 3 3 2 (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский проектно-конструкторский и технологический институт релестроения с опытным производством" R U Адрес для переписки: 428000, г.Чебоксары, пр-т И. Яковлева, 4, ОАО "ВНИИР" (71) Заявитель(и): Открытое акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский проектно-конструкторский и технологический институт релестроения с опытным производством" 3 2 3 3 2 R U (57) Формула полезной модели 1. Выпрямительный блок-клеммник, содержащий панель с ламелями и клеммами для подключения внешних устройств, отверстиями для крепления и выступами для пространственного разделения элементов, расположенных на ...

Подробнее
10-12-2003 дата публикации

Блок позисторов для защиты абонентских линий АТС

Номер: RU0000034802U1

Блок позисторов для защиты абонентских линий АТС, включающий корпус, два позистора, отличающийся тем, что содержит четыре выводных контакта и электроизоляционную прокладку. (19) RU (11) 34 802 (13) U1 (51) МПК H01C 7/02 (2000.01) H01L 23/522 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2003123330/20 , 28.07.2003 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 28.07.2003 (46) Опубликовано: 10.12.2003 (73) Патентообладатель(и): Республиканское унитарное научно-производственное предприятие "Витебский завод радиодеталей" (BY) R U Адрес для переписки: 210604, г.Витебск, ул. М. Горького, 145, РУНПП "ВЗРД", БНТИ (72) Автор(ы): Ильющенко Дмитрий Александрович (BY), Борзов Виктор Кузьмич (BY) (54) Блок позисторов для защиты абонентских линий АТС 3 4 8 0 2 Формула полезной модели Блок позисторов для защиты абонентских линий АТС, включающий корпус, два позистора, отличающийся тем, что содержит четыре выводных контакта и электроизоляционную прокладку. R U 3 4 8 0 2 U 1 U 1 Ñòðàíèöà: 1 RU 34 802 U1 RU 34 802 U1 RU 34 802 U1 RU 34 802 U1 RU 34 802 U1

Подробнее
27-02-2004 дата публикации

Термокамера для испытания электронных изделий

Номер: RU0000036155U1

Термокамера для испытаний электронных изделий, содержащая кожух, в котором размещена рабочая камера, вентилятор, установленный в рабочей камере между вытяжным и нагнетательным патрубками, узел очистки рециркуляционного воздуха, установленный в нагнетательном патрубке и выполненный в виде соосно соединенных суживающегося диффузора из биметалла с внутренними канавками, полости которых имеют вид "ласточкина хвоста", и расширяющегося сопла, осушивающего устройства, заполненного адсорбирующим веществом, отличающаяся тем, что на внутренней поверхности расширяющегося сопла от выходного отверстия сужающегося диффузора до осушивающего устройства выполнены канавки, кривизна которых образована по отрицательному вращению винтовой линии, при этом кривизна внутренних канавок суживающегося диффузора образована по положительному вращению винтовой линии. (19) RU (11) 36 155 (13) U1 (51) МПК H01L 21/66 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ Адрес для переписки: 305040, г.Курск, ул. 50 лет Октября, 96, Курск ГТУ, ОИС (73) Патентообладатель(и): Курский государственный технический университет (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 27.10.2003 R U (46) Опубликовано: 27.02.2004 (72) Автор(ы): Кобелев В.Н., Титов Д.В., Кобелев Н.С., Красных П.А. (21), (22) Заявка: 2003130895/20 , 27.10.2003 3 6 1 5 5 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Термокамера для испытаний электронных изделий, содержащая кожух, в котором размещена рабочая камера, вентилятор, установленный в рабочей камере между вытяжным и нагнетательным патрубками, узел очистки рециркуляционного воздуха, установленный в нагнетательном патрубке и выполненный в виде соосно соединенных суживающегося диффузора из биметалла с внутренними канавками, полости которых имеют вид "ласточкина хвоста", и расширяющегося сопла, осушивающего устройства, заполненного адсорбирующим веществом, отличающаяся тем, что на внутренней поверхности расширяющегося сопла от ...

Подробнее
10-03-2004 дата публикации

ЛАЗЕРНЫЙ МОДУЛЬ

Номер: RU0000036570U1

1. Лазерный модуль, содержащий полый цилиндрический корпус, в котором на одной оптической оси расположены оптическая система и лазерный диод с выводами, подключенными к электронной схеме управления, отличающийся тем, что корпус выполнен из двух частей, в одной из которых расположена оптическая система и лазерный диод, а в другой - электронная схема, при этом диод снабжен прижимным элементом, обеспечивающим тепловой контакт лазерного диода и корпуса и имеющим отверстие для выводов лазерного диода. 2. Лазерный модуль по п.1, отличающийся тем, что части корпуса имеют резьбовое соединение. (19) RU (11) 36 570 (13) U1 (51) МПК H01L 23/04 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2003135056/20 , 08.12.2003 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 08.12.2003 (46) Опубликовано: 10.03.2004 (73) Патентообладатель(и): Закрытое акционерное общество "КАНТЕГИР" U 1 3 6 5 7 0 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели 1. Лазерный модуль, содержащий полый цилиндрический корпус, в котором на одной оптической оси расположены оптическая система и лазерный диод с выводами, подключенными к электронной схеме управления, отличающийся тем, что корпус выполнен из двух частей, в одной из которых расположена оптическая система и лазерный диод, а в другой - электронная схема, при этом диод снабжен прижимным элементом, обеспечивающим тепловой контакт лазерного диода и корпуса и имеющим отверстие для выводов лазерного диода. 2. Лазерный модуль по п.1, отличающийся тем, что части корпуса имеют резьбовое соединение. 3 6 5 7 0 (54) ЛАЗЕРНЫЙ МОДУЛЬ R U Адрес для переписки: 410012, г.Саратов, ул. Московская, 155, СГУ, ПЛО, пат.пов. О.И. Куприяновой, рег.№ 330 (72) Автор(ы): Свердлов М.И., Миряха А.Н., Алябьев А.Ю., Степухович А.В., Самойлов А.Е., Соколов С.Н. RU 36 570 U1 RU 36 570 U1 RU 36 570 U1 RU 36 570 U1 RU 36 570 U1

Подробнее
27-04-2004 дата публикации

ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ФОТОЭЛЕМЕНТ И ОКТРОН НА ИХ ОСНОВЕ

Номер: RU0000037575U1

1. Фотолюминесцентный излучатель, включающий электролюминесцентный диод из арсенида галлия, генерирующий первичное излучение в интервале длин волн 0,8-0,9 мкм, а также нанесенный на диэлектрическую подложку поликристаллический слой селенида свинца, поглощающий первичное излучение и вторично излучающий в интервале длин волн 2-5 мкм, отличающийся тем, что в селенид свинца совокупно введены добавка, направленно изменяющая положение длины волны максимума излучения, время нарастания и спада импульса излучения, и добавка, увеличивающая мощность излучения фотолюминесцентного излучателя. 2. Излучатель по п.1, отличающийся тем, что добавка, направленно изменяющая положение длины волны максимума излучения, время нарастания и спада импульса излучения, состоит из селенида кадмия в количестве 0,1-20 мол.%, а добавка, увеличивающая мощность излучения, состоят из висмута, хлора (йода) в количестве 0,005-0,05 ат.% и кислорода в количестве 0,01-0,1 ат.%, причем эти элементы введены в соотношении соответственно 1:1:2. 3. Полупроводниковый фотоэлемент, преобразующий излучение с длиной волны в интервале 0,5-5 мкм, включающий слой селенида свинца на диэлектрической подложке с сформированным в нем потенциальным барьером, отличающийся тем, что в качестве полупроводникового материала, преобразующего энергию излучения с длиной волны 0,5-5 мкм, применен селенид свинца с совокупно введенными добавкой, направленно изменяющей область спектральной чувствительности, значение длины волны максимума спектральной чувствительности, время нарастания и спада фото ЭДС, и добавкой, увеличивающей токовую чувствительность и фото ЭДС фотоэлемента. 4. Фотоэлемент по п.3, отличающийся тем, что добавка, направленно изменяющая область спектральной чувствительности, значение длины волны максимума спектральной чувствительности, время нарастания и спада фото ЭДС, состоит из селенида кадмия в количестве 0,1-20 мол.%, а добавка, увеличивающая токовую чувствительность и фото ЭДС, состоят из висмута, хлора (йода) в ...

Подробнее
10-05-2004 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ОКОНЧАНИЯ ПРОЦЕССА СУХОГО ТРАВЛЕНИЯ СТРУКТУРООБРАЗУЮЩЕГО СЛОЯ МИКРОСХЕМЫ

Номер: RU0000037875U1

Устройство для контроля окончания процесса сухого травления структурообразующего слоя микросхемы в вакуумной камере, содержащее источник светового излучения, систему формирования светового луча и системы приема и регистрации информативного сигнала, отличающееся тем, что источник светового излучения, система формирования светового луча и система приема информативного сигнала выполнены совместно на базе оптического микроскопа с осветителем видимой части спектра, используемым в качестве источника светового излучения, и цветной видеокамерой, используемой в качестве системы приема оптического сигнала, при этом в качестве системы формирования светового луча использована схема падающего через объектив микроскопа света, а в качестве системы регистрации информативного сигнала использован компьютер, информационный вход которого подключен к выходу цветной видеокамеры, причем оптический микроскоп установлен снаружи вакуумной камеры с возможностью нормального освещения участка поверхности вытравливаемого слоя и приема лучей отраженного света объективом микроскопа через оптическое окно, встроенное в вакуумную камеру. (19) RU (11) 37 875 (13) U1 (51) МПК H01L 21/66 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2003119751/20 , 30.06.2003 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 30.06.2003 (46) Опубликовано: 10.05.2004 3 7 8 7 5 R U (57) Формула полезной модели Устройство для контроля окончания процесса сухого травления структурообразующего слоя микросхемы в вакуумной камере, содержащее источник светового излучения, систему формирования светового луча и системы приема и регистрации информативного сигнала, отличающееся тем, что источник светового излучения, система формирования светового луча и система приема информативного сигнала выполнены совместно на базе оптического микроскопа с осветителем видимой части спектра, используемым в качестве источника светового излучения, и цветной видеокамерой, ...

Подробнее
20-05-2004 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДВУХСТОРОННЕЙ ОЧИСТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН С ПОМОЩЬЮ МЕГАЗВУКА

Номер: RU0000037952U1

Устройство для двухсторонней очистки полупроводниковых пластин с помощью мегазвука, содержащее ванну для очистки пластин моющим раствором, мегазвуковой излучатель, механизм вращения пластин, взаимодействующий с приводом, отличающееся тем, что механизм вращения пластин выполнен в виде двух валов, каждый из которых снабжен роликом с клиновидным пазом и установлен в опорах корпуса и фланца, закрепленных на боковой стенке ванны, при этом каждый вал снабжен внутренним кольцевым магнитом, взаимодействующим с наружным магнитом, закрепленным на подвижном корпусе, установленном в подшипниках внешнего корпуса, который с помощью упомянутого фланца также закреплен на боковой стенке ванны, при этом на внешнем корпусе одного из валов выполнен кронштейн, на котором установлен привод вращения, взаимодействующий с подвижным корпусом, а фланец и корпус для установки вала содержат средства для подачи моющего раствора, кроме того, каждый вал с роликом, фланец и корпус вала выполнены из стойкого к моющему раствору материала, например фторопласта, а мегазвуковой излучатель закреплен на задней стенке ванны. (19) RU (11) 37 952 (13) U1 (51) МПК B08B 3/00 (2000.01) H01L 21/304 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2004103302/20 , 04.02.2004 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 04.02.2004 (46) Опубликовано: 20.05.2004 (73) Патентообладатель(и): Общество с ограниченной ответственностью "Новые технологии и оборудование" (RU) U 1 3 7 9 5 2 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 (57) Формула полезной модели Устройство для двухсторонней очистки полупроводниковых пластин с помощью мегазвука, содержащее ванну для очистки пластин моющим раствором, мегазвуковой излучатель, механизм вращения пластин, взаимодействующий с приводом, отличающееся тем, что механизм вращения пластин выполнен в виде двух валов, каждый из которых снабжен роликом с клиновидным пазом и установлен в опорах корпуса и фланца, закрепленных на боковой стенке ...

Подробнее
20-07-2004 дата публикации

УСТРОЙСТВО ПИТАНИЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ

Номер: RU0000039224U1

1. Устройство питания для электронно-оптического преобразователя, содержащее два параллельно расположенных генератора, к каждому из которых подсоединены умножители напряжения, отличающееся тем, что в него введены преобразователь и источник опорного напряжения, устройство ключевое, микроконтроллер, интегратор автоматической регулировки яркости и цифроаналоговые преобразователи, при этом вход микроконтроллера подключен к выходу интегратора автоматической регулировки яркости, а два выхода подключены к цифроаналоговым преобразователям. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что дополнительно снабжено шиной данных для цифровой регулировки уровней напряжений микроканальной пластины, экрана и тока автоматической регулировки яркости. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 39 224 (13) U1 (51) МПК H01L 27/142 (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2004103393/20 , 09.02.2004 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 09.02.2004 (46) Опубликовано: 20.07.2004 (73) Патентообладатель(и): Федеральное государственное унитарное предприятие "Производственное объединение "Новосибирский приборостроительный завод" (RU) U 1 3 9 2 2 4 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 Формула полезной модели 1. Устройство питания для электронно-оптического преобразователя, содержащее два параллельно расположенных генератора, к каждому из которых подсоединены умножители напряжения, отличающееся тем, что в него введены преобразователь и источник опорного напряжения, устройство ключевое, микроконтроллер, интегратор автоматической регулировки яркости и цифроаналоговые преобразователи, при этом вход микроконтроллера подключен к выходу интегратора автоматической регулировки яркости, а два выхода подключены к цифроаналоговым преобразователям. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что дополнительно снабжено шиной данных для цифровой регулировки уровней напряжений микроканальной пластины, экрана и тока ...

Подробнее
27-07-2004 дата публикации

ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ОСУШИТЕЛЬ ГАЗОВ ГРУЗДЕВА

Номер: RU0000039282U1
Автор: Груздев В.Б.

Термоэлектрический осушитель газов, содержащий устройство для охлаждения газа и конденсации влаги и камеру осушения с устройствами для подвода газа и отвода осушенного газа и конденсата, отличающийся тем, что устройство для охлаждения газа и конденсации влаги содержит заключенные в корпус термоэлектрический охладитель, составленный из элементов Пельтье, и радиатор, причем термоэлектрический охладитель поверхностями холодных спаев элементов Пельтье установлен с тепловым контактом на наружной поверхности камеры осушения, радиатор размещен на наружной поверхности термоэлектрического охладителя с тепловым контактом на поверхностях горячих спаев элементов Пельтье и образует с корпусом каналы, сообщенные с устройством для подвода и отвода охлаждающей среды, а устройство для отвода осушенного газа снабжено влагомером. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 39 282 (13) U1 (51) МПК B01D 53/26 (2000.01) H01L 23/38 (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2003113933/20 , 08.05.2003 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 08.05.2003 (46) Опубликовано: 27.07.2004 (72) Автор(ы): Груздев В.Б. (RU) (73) Патентообладатель(и): Груздев Вячеслав Борисович (RU) U 1 3 9 2 8 2 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 Формула полезной модели Термоэлектрический осушитель газов, содержащий устройство для охлаждения газа и конденсации влаги и камеру осушения с устройствами для подвода газа и отвода осушенного газа и конденсата, отличающийся тем, что устройство для охлаждения газа и конденсации влаги содержит заключенные в корпус термоэлектрический охладитель, составленный из элементов Пельтье, и радиатор, причем термоэлектрический охладитель поверхностями холодных спаев элементов Пельтье установлен с тепловым контактом на наружной поверхности камеры осушения, радиатор размещен на наружной поверхности термоэлектрического охладителя с тепловым контактом на поверхностях горячих спаев элементов Пельтье и ...

Подробнее
10-09-2004 дата публикации

ЕМКОСТНО-КИНЕТИЧЕСКИЙ ИСТОЧНИК ЭНЕРГИИ

Номер: RU0000040535U1

Емкостно-кинетический источник энергии, содержащий конденсаторную батарею, включенную в силовую цепь электрической машины постоянного тока, и маховик, вал которого сопряжен с ее валом через механическую передачу и муфту сцепления, отличающийся тем, что конденсаторная батарея собрана из последовательно-параллельно соединенных конденсаторов путем закрепления их на периферической поверхности маховика, а выводы батареи соответствующей полярности подключены к контактным кольцам, каждое из которых установлено на валу маховика и оснащено щеточно-контактным аппаратом для включения в силовую цепь электрической машины. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 40 535 (13) U1 (51) МПК H01L 29/96 (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2004114405/22 , 17.05.2004 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 17.05.2004 (46) Опубликовано: 10.09.2004 (73) Патентообладатель(и): Аруов Болат Баранбаевич (KZ), Дидманидзе Отари Назирович (RU), Иванов Сергей Александрович (RU) U 1 4 0 5 3 5 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 Формула полезной модели Емкостно-кинетический источник энергии, содержащий конденсаторную батарею, включенную в силовую цепь электрической машины постоянного тока, и маховик, вал которого сопряжен с ее валом через механическую передачу и муфту сцепления, отличающийся тем, что конденсаторная батарея собрана из последовательно-параллельно соединенных конденсаторов путем закрепления их на периферической поверхности маховика, а выводы батареи соответствующей полярности подключены к контактным кольцам, каждое из которых установлено на валу маховика и оснащено щеточно-контактным аппаратом для включения в силовую цепь электрической машины. 4 0 5 3 5 (54) ЕМКОСТНО-КИНЕТИЧЕСКИЙ ИСТОЧНИК ЭНЕРГИИ R U Адрес для переписки: 249052, Калужская обл., Малоярославецкий р-н, д. Митинка, ул. Новостройки, 9-1, С.А. Иванову (72) Автор(ы): Аруов Болат Баранбаевич (KZ), Дидманидзе О.Н. (RU) , Иванов С. ...

Подробнее
20-10-2004 дата публикации

ОХЛАДИТЕЛЬ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Номер: RU0000041388U1

1. Охладитель для полупроводниковых приборов, выполненный в виде плиты с наружным оребрением, отличающийся тем, что плита выполнена из набора одинаковых пластин, имеющих не равные между собой длину и ширину, причем соседние пластины повернуты относительно друг друга на 90°, а торец плиты предназначен для прикрепления полупроводникового прибора. 2. Охладитель по п.1, отличающийся тем, что соседние пластины сдвинуты поочередно в разные стороны относительно друг друга. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 41 388 (13) U1 (51) МПК H01L 23/36 (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2004118580/22 , 21.06.2004 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 21.06.2004 (45) Опубликовано: 20.10.2004 4 1 3 8 8 R U Формула полезной модели 1. Охладитель для полупроводниковых приборов, выполненный в виде плиты с наружным оребрением, отличающийся тем, что плита выполнена из набора одинаковых пластин, имеющих не равные между собой длину и ширину, причем соседние пластины повернуты относительно друг друга на 90°, а торец плиты предназначен для прикрепления полупроводникового прибора. 2. Охладитель по п.1, отличающийся тем, что соседние пластины сдвинуты поочередно в разные стороны относительно друг друга. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) ОХЛАДИТЕЛЬ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ 4 1 3 8 8 (73) Патентообладатель(и): Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Петербургский государственный университет путей сообщения" (RU) R U Адрес для переписки: 190031, Санкт-Петербург, Московский пр., 9, ПГУПС, патентный отдел (72) Автор(ы): Буянов А.Б. (RU) , Суслова К.Н. (RU) , Тимофеев А.А. (RU) , Митрофанова И.В. (RU) RU 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 41 388 U1 Полезная модель относится к силовой полупроводниковой преобразовательной технике и может быть использована при конструировании устройств для преобразования электрического тока большой мощности на ...

Подробнее
10-12-2004 дата публикации

ПРОФИЛЬ

Номер: RU0000042698U1

Профиль, включающий верхнее и нижнее основания, объединенные продольными параллельными стенками, отличающийся тем, что продольные стенки на внутренней поверхности выполнены с равномерно расположенными по высоте выступами и радиусной полкой в середине, причем крайние верхние и нижние выступы имеют длину, большую остальных выступов, а наружные поверхности продольных стенок выполнены с волнообразным рельефом, при этом верхнее основание выполнено с продольным пазом, а нижнее основание - с L-образными опорными лапами по краям. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 42 698 (13) U1 (51) МПК H01L 23/043 (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2004127374/22 , 15.09.2004 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 15.09.2004 (45) Опубликовано: 10.12.2004 (72) Автор(ы): Новоселова О.Ю. (RU) 4 2 6 9 8 R U Формула полезной модели Профиль, включающий верхнее и нижнее основания, объединенные продольными параллельными стенками, отличающийся тем, что продольные стенки на внутренней поверхности выполнены с равномерно расположенными по высоте выступами и радиусной полкой в середине, причем крайние верхние и нижние выступы имеют длину, большую остальных выступов, а наружные поверхности продольных стенок выполнены с волнообразным рельефом, при этом верхнее основание выполнено с продольным пазом, а нижнее основание - с L-образными опорными лапами по краям. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) ПРОФИЛЬ 4 2 6 9 8 Адрес для переписки: 107023, Москва, ул. Б.Семеновская, 49, оф.404, Фирма пат. поверенных ООО "ИННОТЭК", пат.пов. Т.А. Вахниной, рег.№ 122 R U (73) Патентообладатель(и): Общество с ограниченной ответственностью "ДЕЦИМА" (RU) RU 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 42 698 U1 Полезная модель относится к профилям коробчатой формы, предназначенным в частности для изготовления корпусов для малогабаритных блоков, например, радиоэлектронной аппаратуры. Известен профиль, включающий верхнее и нижнее ...

Подробнее
27-03-2005 дата публикации

КОРПУС ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

Номер: RU0000044876U1

Корпус полупроводникового прибора, содержащий металлокерамическую ножку, состоящую из теплоотводящего фланца с последовательно напаянными на его поверхность керамическими изоляторами с внешними выводами, и баллона, состоящего из трубчатого каркаса с впаянным в него керамическим изолятором, в отверстиях которого закреплены три полых наконечника, отличающийся тем, что фланец ножки изготовлен из стали в виде ромбовидной плоской пластины с двумя крепежными отверстиями по длинной диагонали и впаянной медной вставкой в его средней части. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 44 876 (13) U1 (51) МПК H01L 23/00 (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2004126358/22 , 01.09.2004 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 01.09.2004 (45) Опубликовано: 27.03.2005 (73) Патентообладатель(и): ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ОСОБОЕ КОНСТРУКТОРСКОЕ БЮРО "ИСКРА" (ОАО "ОКБ "ИСКРА") (RU) U 1 4 4 8 7 6 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 Формула полезной модели Корпус полупроводникового прибора, содержащий металлокерамическую ножку, состоящую из теплоотводящего фланца с последовательно напаянными на его поверхность керамическими изоляторами с внешними выводами, и баллона, состоящего из трубчатого каркаса с впаянным в него керамическим изолятором, в отверстиях которого закреплены три полых наконечника, отличающийся тем, что фланец ножки изготовлен из стали в виде ромбовидной плоской пластины с двумя крепежными отверстиями по длинной диагонали и впаянной медной вставкой в его средней части. 4 4 8 7 6 (54) КОРПУС ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА R U Адрес для переписки: 432030, г.Ульяновск, пр. Нариманова, 75, ОАО "ОКБ "Искра" (72) Автор(ы): Севастьянов Н.В. (RU) , Обмайкин Ю.Д. (RU) , Филиппов В.В. (RU) , Гордеев А.И. (RU) RU 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 44 876 U1 Полезная модель на корпус полупроводникового прибора предназначена для защиты полупроводниковых структур о внешних воздействий и может быть ...

Подробнее
10-05-2005 дата публикации

ОХЛАДИТЕЛЬ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Номер: RU0000045559U1

Охладитель для полупроводниковых приборов, выполненный в виде плиты с наружным оребрением, отличающийся тем, что плита с разных сторон имеет пазы для крепления дополнительных ребер, причем дополнительные ребра отличаются от основных ребер по конфигурации. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 45 559 (13) U1 (51) МПК H01L 23/36 (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2005100937/22 , 17.01.2005 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 17.01.2005 (45) Опубликовано: 10.05.2005 R U 4 5 5 5 9 Формула полезной модели Охладитель для полупроводниковых приборов, выполненный в виде плиты с наружным оребрением, отличающийся тем, что плита с разных сторон имеет пазы для крепления дополнительных ребер, причем дополнительные ребра отличаются от основных ребер по конфигурации. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) ОХЛАДИТЕЛЬ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ 4 5 5 5 9 (73) Патентообладатель(и): Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Петербургский государственный университет путей сообщения Министерства путей сообщения Российской Федерации" (ПГУПС МПС России) (RU) R U Адрес для переписки: 190031, Санкт-Петербург, Московский пр., 9, ПГУПС МПС России, патентный отдел (72) Автор(ы): Буянов А.Б. (RU) , Краснов А.С. (RU), Корнева А.Е. (RU) RU 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 45 559 U1 Полезная модель относится к силовой полупроводниковой преобразовательной технике и может быть использована при конструировании устройств для преобразования электрического тока. Известен охладитель для полупроводниковых приборов, содержащий оребренный воздушный охладитель, выполненный в виде массивной плиты с ребрами, причем полупроводниковый прибор прижат к неоребренной площадке плиты (Охладители серий ОА и ОМ. Паспорт ОДЖ 468.338, ТУ 16-729.377-83). Недостатком известного охладителя является узкая область использования, за счет работы в одном режиме охлаждения, что ...

Подробнее
10-05-2005 дата публикации

СИСТЕМА ПРЕОБРАЗОВАНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ

Номер: RU0000045560U1

1. Система преобразования напряжения, включающая преобразовательный блок, блок управления и внутренний контур охлаждения с охлаждающей жидкостью, отличающаяся тем, что дополнительно содержит наружный контур воздушного охлаждения, включающий теплообменник с регулируемым коэффициентом теплопередачи, а в качестве охлаждающей жидкости во внутреннем контуре охлаждения использована незамерзающая жидкость. 2. Система преобразования напряжения по п.1, отличающаяся тем, что в качестве незамерзающей жидкости использована деионизированная жидкость на основе этиленгликоля. 3. Система преобразования напряжения по п.1, отличающаяся тем, что теплообменник с регулируемым коэффициентом теплопередачи включает регулируемый привод вентилятора. 4. Система преобразования напряжения по п.1, отличающаяся тем, что теплообменник с регулируемым коэффициентом теплопередачи включает устройство плавного пуска двигателя вентилятора. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 45 560 (13) U1 (51) МПК H01L 25/03 (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2004123479/22 , 30.07.2004 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 30.07.2004 (45) Опубликовано: 10.05.2005 (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество "Российская электротехническая компания" (RU) U 1 4 5 5 6 0 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 Формула полезной модели 1. Система преобразования напряжения, включающая преобразовательный блок, блок управления и внутренний контур охлаждения с охлаждающей жидкостью, отличающаяся тем, что дополнительно содержит наружный контур воздушного охлаждения, включающий теплообменник с регулируемым коэффициентом теплопередачи, а в качестве охлаждающей жидкости во внутреннем контуре охлаждения использована незамерзающая жидкость. 2. Система преобразования напряжения по п.1, отличающаяся тем, что в качестве незамерзающей жидкости использована деионизированная жидкость на основе этиленгликоля. 3. Система ...

Подробнее
27-05-2005 дата публикации

ВТОРИЧНЫЙ ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ

Номер: RU0000045862U1

Устройство питания для электронно-оптического преобразователя, содержащее два параллельно расположенных генератора, к каждому из которых подсоединены умножители напряжения, преобразователь и источник опорного напряжения, устройство ключевое, микроконтроллер, интегратор автоматической регулировки яркости и цифроаналоговые преобразователи, при этом вход микроконтроллера подключен к выходу интегратора автоматической регулировки яркости, а два выхода подключены к цифроаналоговым преобразователям, отличающееся тем, что оно снабжено схемой защиты от засветок высокого уровня, выполненной на микроконтроллере. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 45 862 (13) U1 (51) МПК H01L 27/142 (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2005101225/22 , 19.01.2005 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 19.01.2005 (45) Опубликовано: 27.05.2005 4 5 8 6 2 R U Формула полезной модели Устройство питания для электронно-оптического преобразователя, содержащее два параллельно расположенных генератора, к каждому из которых подсоединены умножители напряжения, преобразователь и источник опорного напряжения, устройство ключевое, микроконтроллер, интегратор автоматической регулировки яркости и цифроаналоговые преобразователи, при этом вход микроконтроллера подключен к выходу интегратора автоматической регулировки яркости, а два выхода подключены к цифроаналоговым преобразователям, отличающееся тем, что оно снабжено схемой защиты от засветок высокого уровня, выполненной на микроконтроллере. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) ВТОРИЧНЫЙ ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ 4 5 8 6 2 (73) Патентообладатель(и): Федеральное государственное унитарное предприятие "Производственное объединение "Новосибирский приборостроительный завод" (ФГУП "ПО "НПЗ") (RU) , Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральное конструкторское бюро точного приборостроения" (ФГУП "ЦКБ " ...

Подробнее
10-06-2005 дата публикации

БЕСКОРПУСНОЙ ПРИБОР

Номер: RU0000046129U1

Бескорпусной прибор, содержащий кристалл, гибкий носитель из слоя проводника и диэлектрика, внутренние выводы, разваренные на контактные площадки кристалла, и внешние выводы для установки на монтажной подложке, отличающийся тем, что внешние выводы на подводящем проводнике выполнены, по крайней мере, дважды и размещены в соответствии с посадочным местом на монтажной подложке при установке прибора поверхностью с контактными площадками вверх и вниз, а также при двухъярусном и многоярусном их размещении. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 46 129 (13) U1 (51) МПК H01L 23/28 (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2004112959/22 , 06.05.2004 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 06.05.2004 (45) Опубликовано: 10.06.2005 (73) Патентообладатель(и): Хохлов Михаил Валентинович (RU), Бражник Валерий Анатольевич (RU), Лобенцов Вячеслав Алексеевич (RU), Кузьмин Андрей Викторович (RU) U 1 4 6 1 2 9 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 Формула полезной модели Бескорпусной прибор, содержащий кристалл, гибкий носитель из слоя проводника и диэлектрика, внутренние выводы, разваренные на контактные площадки кристалла, и внешние выводы для установки на монтажной подложке, отличающийся тем, что внешние выводы на подводящем проводнике выполнены, по крайней мере, дважды и размещены в соответствии с посадочным местом на монтажной подложке при установке прибора поверхностью с контактными площадками вверх и вниз, а также при двухъярусном и многоярусном их размещении. 4 6 1 2 9 (54) БЕСКОРПУСНОЙ ПРИБОР R U Адрес для переписки: 124460, Москва, Южная промзона, корп.Б, п/я 14, ГУП "НИИТАП", М.В. Хохлову (72) Автор(ы): Хохлов М.В. (RU), Бражник В.А. (RU) , Лобенцов В.А. (RU) , Кузьмин А.В. (RU) RU 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 46 129 U1 Полезная модель относится к области радиоэлектроники и может быть использована при изготовлении бескорпусных полупроводниковых приборов, многокристальных модулей, ...

Подробнее
10-07-2005 дата публикации

МОЩНЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР

Номер: RU0000046606U1

Биполярный мощный высоковольтный переключательный транзистор, содержащий гребенчатую эмиттерную область в центре кристалла и четыре делительных кольца на периферии. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 46 606 (13) U1 (51) МПК H01L 29/72 (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2004126352/22 , 01.09.2004 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 01.09.2004 (45) Опубликовано: 10.07.2005 (73) Патентообладатель(и): ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ОСОБОЕ КОНСТРУКТОРСКОЕ БЮРО "ИСКРА" ("ОАО "ОКБ "ИСКРА") (RU) Формула полезной модели Биполярный мощный высоковольтный переключательный транзистор, содержащий гребенчатую эмиттерную область в центре кристалла и четыре делительных кольца на периферии. 4 6 6 0 6 (54) МОЩНЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР R U Адрес для переписки: 432030, г.Ульяновск, пр. Нариманова, 75, ОАО "ОКБ "Искра" (72) Автор(ы): Гордеев А.И. (RU), Андреева Е.Е. (RU) , Обмайкин Ю.Д. (RU) , Левкина Т.А. (RU) R U 4 6 6 0 6 U 1 U 1 Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 4 6 6 0 6 4 6 6 0 6 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 46 606 U1 Полезная модель представляет собой кристалл биполярного мощного переключательного высоковольтного транзистора, предназначенного для использования в преобразователях частоты системы энергоснабжения, для работы в переключающих схемах, импульсных модуляторах, во вторичных источниках питания и другой аппаратуре широкого применения. Кристалл такого транзистора должен обеспечивать напряжение коллектор-база свыше 800В, максимальный ток коллектора более 25А при значениях обратного тока коллектор-база, эмиттер-база порядка одного миллиампера. В конструкции кристаллов транзисторов такого типа повышение напряжения пробоя достигается за счет создания вокруг базовой области транзистора кольцевых областей того же типа проводимости, что и данная базовая область (RU, патент №2019894 Н 01 L 29/72 «Высоковольтный биполярный ...

Подробнее
10-08-2005 дата публикации

СИЛОВОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ СТАТИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

Номер: RU0000047134U1

Силовой полупроводниковый модуль для статических преобразователей, содержащий монтажное изолирующее средство с основной опорной пластиной, с которой соединены установленные с зазором параллельно друг другу два охлаждающих радиатора, каждый из которых имеет теплопринимающую поверхность и теплоотдающие ребра, а также установленные в упомянутом зазоре две шины, свободные концы которых пропущены в щелевые отверстия основной опорной пластины, а между зажимающими противоположными концами шин размещен силовой тиристор в корпусе-таблетке, отличающийся тем, что он снабжен платой формирования импульсов управления силовым тиристором и дополнительными первой и второй опорными пластинами, установленными под радиаторами поверх основной опорной пластины, при этом первая опорная пластина выполнена из пластического материала, например, резины, а вторая опорная пластина выполнена из материала с повышенной электрической и механической прочностью, например, стеклотекстолита, а монтажное изолирующее средство выполнено в виде коробки с основанием в виде трех упомянутых основной, первой и второй опорных пластин и с фигурными боковыми сторонами, из которых две первые противолежащие стороны выполнены в виде фигурного коромысла с трапецеидальным вырезом, обращенными наружу, а две другие противолежащие стороны снабжены угловыми наружными фиксаторами, причем зажимающие концы упомянутых шин закреплены на радиаторах, а плата формирования импульсов управления силовым тиристором размещена на стойках, установленных на внутренней поверхности основной опорной пластины монтажного изолирующего средства. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 47 134 (13) U1 (51) МПК H01L 25/00 (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ Адрес для переписки: 394062, г.Воронеж, ул. Дорожная, 17/2, ОАО "РИФ", А.С.Иванову (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество "РИФ" (RU) (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 04.02. ...

Подробнее
10-08-2005 дата публикации

СИЛОВОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ СТАТИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

Номер: RU0000047135U1

Силовой полупроводниковый модуль для статических преобразователей, содержащий монтажное изолирующее средство с основной опорной пластиной, с которой соединены установленные с зазором параллельно друг другу два охлаждающих радиатора, каждый из которых имеет теплопринимающую поверхность и теплоотдающие ребра, а также установленные в упомянутом зазоре две шины, свободные концы которых пропущены в щелевые отверстия основной опорной пластины, а между зажимающими противоположными концами шин размещен силовой тиристор в корпусе-таблетке, отличающийся тем, что он снабжен платой формирования импульсов управления силовым тиристором и дополнительными первой и второй опорными пластинами, установленными под радиаторами поверх основной опорной пластины, при этом первая опорная пластина выполнена из пластического материала, например, резины, а вторая опорная пластина выполнена из материала с повышенной электрической и механической прочностью, например, стеклотекстолита, а монтажное изолирующее средство выполнено в виде коробки с основанием в виде трех упомянутых основной, первой и второй опорных пластин и с прямоугольными боковыми сторонами, причем зажимающие концы упомянутых шин закреплены на радиаторах, а плата формирования импульсов управления силовым тиристором размещена на стойках, установленных на внутренней поверхности основной опорной пластины монтажного изолирующего средства. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 47 135 (13) U1 (51) МПК H01L 25/00 (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ Адрес для переписки: 394062, г.Воронеж, ул. Дорожная, 17/2, ОАО "РИФ" (73) Патентообладатель(и): Открытое акционерное общество "РИФ" (RU) (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 04.02.2005 Ñòðàíèöà: 1 U 1 4 7 1 3 5 R U U 1 Формула полезной модели Силовой полупроводниковый модуль для статических преобразователей, содержащий монтажное изолирующее средство с основной опорной пластиной, с которой ...

Подробнее
10-09-2005 дата публикации

ИНФОРМАЦИОННО-ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА КОНТРОЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ

Номер: RU0000048107U1

1. Информационно-измерительная система контроля полупроводниковой структуры, содержащая генератор управляющего воздействия и сканирующий зондовый микроскоп, оснащенный предметным столиком для помещения исследуемого образца полупроводниковой структуры, блоком потенциального контраста и анализатором распределения электрического потенциала на поверхности исследуемого образца, отличающаяся тем, что в качестве генератора управляющего воздействия в ней установлен генератор логического напряжения, выходные каналы которого присоединены к соответствующим электрическим входам исследуемого образца, а в качестве сканирующего зондового микроскопа в ней установлен атомно-силовой микроскоп, блок потенциального контраста которого выполнен по схеме Кельвин-моды. 2. Информационно-измерительная система по п.1, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит блок хранения и регистрации информации, при этом первый вход блока хранения и регистрации информации связан с выходом генератора управляющего воздействия, второй вход блока хранения и регистрации информации связан с электрическим выходом исследуемого образца, а третий вход блока хранения и регистрации информации связан с выходом анализатора распределения электрического потенциала на поверхности исследуемого образца. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 48 107 (13) U1 (51) МПК H01L 21/66 (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2005100081/22 , 11.01.2005 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 11.01.2005 (45) Опубликовано: 10.09.2005 4 8 1 0 7 R U Формула полезной модели 1. Информационно-измерительная система контроля полупроводниковой структуры, содержащая генератор управляющего воздействия и сканирующий зондовый микроскоп, оснащенный предметным столиком для помещения исследуемого образца полупроводниковой структуры, блоком потенциального контраста и анализатором распределения электрического потенциала на поверхности ...

Подробнее
10-09-2005 дата публикации

СИЛОВОЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ТРАНСПОРТНОГО СРЕДСТВА

Номер: RU0000048108U1

Силовое полупроводниковое выпрямительное устройство для транспортного средства, содержащее клеммы А, В, С для подключения соответствующих фаз трехфазного переменного напряжения к трем шинам, к которым подключен силовыми входами функциональный блок трехфазного мостового выпрямителя, имеющий первое, второе и третье плечи, подключенные к выходной анодной шине выпрямленного напряжения, и четвертое, пятое и шестое плечи, подключенные к катодной выходной шине выпрямленного напряжения, причем каждое из упомянутых плеч блока трехфазного мостового выпрямителя включает основную электрическую ветвь из последовательно соединенных силового полупроводникового диода и предохранителя, отличающееся тем, что оно снабжено первым блоком сигнализации о неисправности в первом, втором и третьем упомянутых плечах, вторым блоком сигнализации о неисправности в четвертом, пятом и шестом упомянутых плечах, а также первым, вторым и третьем блоками селективной диагностики состояния каждого диода и предохранителя соответственно в первом, втором и третьем плечах, и четвертым, пятым и шестым блоками селективной диагностики состояния каждого диода и предохранителя четвертого, пятого и шестого плеч соответственно, клеммный блок для подключения упомянутых первого и второго блоков сигнализации о неисправностях к пульту управления транспортным средством, причем в каждое из упомянутых плеч трехфазного мостового выпрямителя введены две дополнительные электрические ветви с силовым полупроводниковым диодом и предохранителем, которые подсоединены параллельно основной электрической ветви, при этом входы первого, второго и третьего блоков селективной диагностики каждого диода и предохранителя подключены соответственно к третьему, четвертому и пятому выходам функционального блока трехфазного мостового выпрямителя, а входы четвертого, пятого и шестого блоков селективной диагностики каждого диода и предохранителя подключены соответственно к шестому, седьмому и восьмому выходам функционального блока трехфазного ...

Подробнее
10-09-2005 дата публикации

СИЛОВОЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ТРАНСПОРТНОГО СРЕДСТВА

Номер: RU0000048141U1

Силовое полупроводниковое выпрямительное устройство для транспортного средства, содержащее корпус с центральным каналом воздушного охлаждения и внутренними элементами крепежа, на которых установлены соединительные силовые шины переменного тока, а на них смонтированы катодные и анодные группы силовых полупроводниковых приборов, закрепленные на катодном и анодном групповых охладителях, каждый из которых имеет теплопоглощающее основание, на одной поверхности которого размещены силовые полупроводниковые приборы с индивидуальными предохранителями, а на противоположной стороне упомянутого основания размещены теплопередающие ребра, причем с анодными и катодными групповыми охладителями соединены соответствующие анодные и катодные выходные шины постоянного тока, а к соединительным силовым шинам переменного тока крепят входные фазные шины для подключения соответствующих фаз трехфазного переменного тока, отличающееся тем, что оно снабжено установленными на концах соединительных силовых шин переменного тока тепло-компенсирующими рессорами, каждая из которых выполнена в виде звена пружины, например, в форме прямого зуба, а корпус выполнен в виде двух состыкованных друг с другом ячеек, каждая из которых составлена из двух прямоугольных рам, а верх каждой ячейки закрыт крышкой с перфорацией, при этом внутренние элементы крепежа соединительных силовых шин переменного тока выполнены в виде изолирующих втулок, размещенных на противолежащих боковых сторонах упомянутых рам корпуса и соединенных с теплокомпенсирующими рессорами, а теплопередающие ребра анодных и катодных групповых охладителей размещены в центральном канале воздушного охлаждения, при этом каждый предохранитель закреплен между двумя дополнительными шинами, одна из которых соединена с силовым полупроводниковым прибором, а другая закреплена на соединительной силовой шине переменного тока. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 48 141 (13) U1 (51) МПК H05K 7/20 (2000.01) H01L 23/00 (1990.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ ...

Подробнее
27-10-2005 дата публикации

ЭЛЕКТРОННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ С ТРЕМЯ СОСТОЯНИЯМИ НА ВЫХОДЕ

Номер: RU0000048674U1

Электронный переключатель с тремя состояниями на выходе, содержащий две входные шины управления, выходную шину, две шины питания, между которыми включена пара последовательно соединенных комплементарных транзисторов, общая точка соединения которых подключена к выходной шине, а ко входу управления каждого транзистора подключен выход одного из двух логических элементов, между первыми входами которых установлен инвертор, отличающийся тем, что в качестве транзисторов применена комплементарная пара n-p-n и p-n-p транзисторов "Дарлингтона" (т.е. составных транзисторов), в качестве логического элемента на входе n-p-n транзистора установлен элемент 2И или 2ИЛИ-НЕ, а на входе p-n-p транзистора установлен элемент 2И-НЕ или 2ИЛИ, вторые входы логических элементов объединены и подключены к первой входной шине управления, а вторая входная шина управления подключена ко входу инвертора. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 48 674 (13) U1 (51) МПК H01L 29/00 (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2005109639/22 , 04.04.2005 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 04.04.2005 (45) Опубликовано: 27.10.2005 (73) Патентообладатель(и): Реута Виктор Павлович (RU), Туктагулов Айдар Фархатович (RU) U 1 4 8 6 7 4 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 Формула полезной модели Электронный переключатель с тремя состояниями на выходе, содержащий две входные шины управления, выходную шину, две шины питания, между которыми включена пара последовательно соединенных комплементарных транзисторов, общая точка соединения которых подключена к выходной шине, а ко входу управления каждого транзистора подключен выход одного из двух логических элементов, между первыми входами которых установлен инвертор, отличающийся тем, что в качестве транзисторов применена комплементарная пара n-p-n и p-n-p транзисторов "Дарлингтона" (т.е. составных транзисторов), в качестве логического элемента на входе n-p-n транзистора ...

Подробнее
27-10-2005 дата публикации

ЭЛЕКТРОННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ С ТРЕМЯ СОСТОЯНИЯМИ НА ВЫХОДЕ

Номер: RU0000048675U1

Электронный переключатель с тремя состояниями на выходе, содержащий входную сигнальную, выходную и две шины питания, между которыми включен эмиттеральный повторитель на комплементарной паре (n-p-n и p-n-p) транзисторов "Дарлингтона" (составных транзисторов), эмиттеры которых подключены к выходной шине, отличающийся тем, что он снабжен двум резисторами и двумя запираемыми ключами без инверсии или с инверсией сигнала, сигнальные входы которых объединены и подключены ко входной сигнальной шине, входы управления также объединены и подключены к дополнительно введенной входной шине управления третьим состоянием переключателя, а выходы ключей подключены к разделенным базам транзисторов, причем между базой n-p-n транзистора и общей шиной включен первый резистор, а между базой p-n-p транзистора и шиной питания включен второй резистор. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 48 675 (13) U1 (51) МПК H01L 29/00 (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2005109640/22 , 04.04.2005 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 04.04.2005 (45) Опубликовано: 27.10.2005 (73) Патентообладатель(и): Реута Виктор Павлович (RU), Туктагулов Айдар Фархатович (RU) U 1 4 8 6 7 5 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 Формула полезной модели Электронный переключатель с тремя состояниями на выходе, содержащий входную сигнальную, выходную и две шины питания, между которыми включен эмиттеральный повторитель на комплементарной паре (n-p-n и p-n-p) транзисторов "Дарлингтона" (составных транзисторов), эмиттеры которых подключены к выходной шине, отличающийся тем, что он снабжен двум резисторами и двумя запираемыми ключами без инверсии или с инверсией сигнала, сигнальные входы которых объединены и подключены ко входной сигнальной шине, входы управления также объединены и подключены к дополнительно введенной входной шине управления третьим состоянием переключателя, а выходы ключей подключены к разделенным базам ...

Подробнее
10-11-2005 дата публикации

УСТАНОВКА ДЛЯ ГИДРОМЕХАНИЧЕСКОЙ ОТМЫВКИ И НАНЕСЕНИЯ КОМПОЗИЦИЙ

Номер: RU0000049358U1
Автор:

Установка для гидромеханической отмывки и нанесения композиций, содержащая вращающийся от центрифуги рабочий столик с отверстием для вакуумного присасывания, который выполнен с возможностью подъема и опускания, причем механизм перемещения центрифуги состоит из каретки с закрепленной центрифугой, вакуумного цилиндра для перемещения центрифуги по вертикали, электродвигателя, вакуумные дозирующие устройства, механизмы подачи пластин в кассете и приема обработанных пластин в кассете, расположенные по разные стороны установки относительно рабочего столика и снабженные электродвигателями, защитный кожух с кольцом-ловушкой, выполненным по периметру кожуха под острым углом разбрызгиваемому потому воздуха с отработанными частицами, коллектор распределения вакуума, механизм перемещения щеток, механизмы перемещения пластин, отличающаяся тем, что механизмы перемещения пластин состоят из двух кареток, на которых закреплены вакуумные присоски, направляющей планки для перемещения держателей пластин, двух шаговых электродвигателей с ведущими роликами, а механизм перемещения щеток связан с реверсивным синхронным электродвигателем для перемещения щеток по поверхности пластины и реверсивными синхронными электродвигателями, по одному на каждую щетку, для подъема и опускания щеток, и кроме того, введено устройство ориентации пластин, блок управления, а кольцо-ловушка соединена с вытяжной вентиляцией, дозирующие устройства выполнены вакуумными. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 49 358 (13) U1 (51) МПК H01L 21/304 (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2005120816/22 , 06.07.2005 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 06.07.2005 (73) Патентообладатель(и): Камынин Андрей Николаевич (RU) (45) Опубликовано: 10.11.2005 Ñòðàíèöà: 1 U 1 4 9 3 5 8 R U U 1 Формула полезной модели Установка для гидромеханической отмывки и нанесения композиций, содержащая вращающийся от центрифуги ...

Подробнее
10-12-2005 дата публикации

МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ КОДОВЫЙ ФОТОПРИЕМНИК

Номер: RU0000050048U1

1. Многоэлементный кодовый фотоприемник, содержащий полупроводниковую подложку одного типа проводимости с областями противоположного типа проводимости, образующими фоточувствительные площадки, размещенные в виде основных и дополнительных разрядов, отличающийся тем, что фоточувствительные площадки каждого разряда размещены в соответствии с кодом Грея, они содержат токопроводящие дорожки по периметру и электрически соединены между собою с помощью других токопроводящих дорожек, изолированных от полупроводниковой подложки. 2. Устройство по п.1, дополнительно содержащее стоп-область, проводимость которой того же типа, но значительно выше по значению, чем проводимость подложки, причем стоп-область размещена на поверхности подложки, свободной от фоточувствительных площадок. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 50 048 (13) U1 (51) МПК H01L 27/00 (2000.01) H01L 31/00 (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2005118450/22 , 14.06.2005 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 14.06.2005 (45) Опубликовано: 10.12.2005 5 0 0 4 8 R U Формула полезной модели 1. Многоэлементный кодовый фотоприемник, содержащий полупроводниковую подложку одного типа проводимости с областями противоположного типа проводимости, образующими фоточувствительные площадки, размещенные в виде основных и дополнительных разрядов, отличающийся тем, что фоточувствительные площадки каждого разряда размещены в соответствии с кодом Грея, они содержат токопроводящие дорожки по периметру и электрически соединены между собою с помощью других токопроводящих дорожек, изолированных от полупроводниковой подложки. 2. Устройство по п.1, дополнительно содержащее стоп-область, проводимость которой того же типа, но значительно выше по значению, чем проводимость подложки, причем стоп-область размещена на поверхности подложки, свободной от фоточувствительных площадок. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ КОДОВЫЙ ...

Подробнее