Method for the formation of high temperature semiconductors
Номер патента: US5270292A
Опубликовано: 14-12-1993
Автор(ы): Aaron Barkatt, Hamid Hojaji
Принадлежит: Catholic University of America
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 14-12-1993
Автор(ы): Aaron Barkatt, Hamid Hojaji
Принадлежит: Catholic University of America
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Technique and process for the imaging and formation of various devices and surfaces
Номер патента: WO2001031656A9. Автор: Spyridon Zafiratos. Владелец: Spyridon Zafiratos. Дата публикации: 2002-07-04.