Method of making a multiple transistor integrated circuit with thick copper interconnect
Номер патента: US5728594A
Опубликовано: 17-03-1998
Автор(ы): Dale J. Skelton, David Cotton, Taylor R. Efland
Принадлежит: Texas Instruments Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 17-03-1998
Автор(ы): Dale J. Skelton, David Cotton, Taylor R. Efland
Принадлежит: Texas Instruments Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Isolation structures for an integrated circuit element and method of making same
Номер патента: WO2017052616A1. Автор: Uygar E. Avci,Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea,David L. Kencke,Kerryann Foley. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.