Method of making semiconductor device
Номер патента: RU2584273C1
Опубликовано: 20-05-2016
Автор(ы): Асламбек Идрисович Хасанов, Гасан Абакарович Мустафаев, Магомед-Али Вахаевич Зубхаджиев
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Чеченский государственный университет (ФГБОУ ВПО Чеченский государственный университет)
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 20-05-2016
Автор(ы): Асламбек Идрисович Хасанов, Гасан Абакарович Мустафаев, Магомед-Али Вахаевич Зубхаджиев
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Чеченский государственный университет (ФГБОУ ВПО Чеченский государственный университет)
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device and method for manufacturing same
Номер патента: US20140167126A1. Автор: LI Wang,Zhewei Wang,Xuelei Chen,Liangwei Mou,Zhaoxing Huang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.