Method of making semiconductor device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140167126A1. Автор: LI Wang,Zhewei Wang,Xuelei Chen,Liangwei Mou,Zhaoxing Huang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190123151A1. Автор: YUAN Li. Владелец: Gpower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US9548297B2. Автор: LI Wang,Zhewei Wang,Xuelei Chen,Liangwei Mou,Zhaoxing Huang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of making silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7947555B2. Автор: Eiichi Okuno,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Low-leakage schottky diodes and method of making a power semiconductor device

Номер патента: US20230327027A1. Автор: Kyekyoon Kim,Palash SARKER,Frank P. KELLY. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of making a cmos semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (soi) wafer

Номер патента: US20180323301A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-11-08.

Method of making a CMOS semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (SOI) wafer

Номер патента: US09466720B2. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of making a cmos semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (soi) wafer

Номер патента: US20160268433A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of manufacturing super junction for semiconductor device

Номер патента: US09406745B2. Автор: Mei-Ling Chen,Lung-ching Kao,Kuo-Liang CHAO,Paul Chung-Chen CHANG. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US09954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US9954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450060B2. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing a bipolar transistor semiconductor device

Номер патента: EP1228533A1. Автор: Doede Terpstra,Catharina H. H. Emons. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-08-07.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10510841B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

Hetero-Junction Semiconductor Device And Method of Manufacturing a Hetero-Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20160343841A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Method of manufacturing a double-source semiconductor device

Номер патента: US09472569B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Ji Yeon Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Methods of forming silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20050142727A1. Автор: Jin Jung. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of forming gate pattern and semiconductor device

Номер патента: US20120276727A1. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Method of manufacturing wide-band gap semiconductor device

Номер патента: US20240170583A1. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Fabricating method of trench-gate metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140094013A1. Автор: Kuan-Ling LIU,Shih-Yuan UENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Method of manufacturing channel all-around semiconductor device

Номер патента: US11715765B2. Автор: Chun-Sheng Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Method of detecting failure of a semiconductor device

Номер патента: US20190385918A1. Автор: ZHAN Zhan,Ji-Young Choi,Ju-Hyun Kim,Hwa-Sung Rhee,Sung-Gun Kang,Min-Seob KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Method of manufacturing an insulated gate semiconductor device

Номер патента: US5960264A. Автор: Hideki Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11038020B2. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Method of Manufacturing a Super Junction Semiconductor Device and Super Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20180006147A1. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device and method of forming patterns for a semiconductor device

Номер патента: US20200144391A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Hetero-junction semiconductor device and method of manufacturing a hetero-junction semiconductor device

Номер патента: US9559197B2. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190252498A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Method of manufacturing an insulated gate semiconductor device having a spacer extension

Номер патента: US5879999A. Автор: Robert B. Davies,Heemyong Park,Vida Ilderem. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-03-09.

Methods of forming ohmic contacts on semiconductor devices with trench/mesa structures

Номер патента: US20230420536A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Rahul R. Potera,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device structures with doped elements and methods of formation

Номер патента: US09773677B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09929160B1. Автор: Sung-dae Suk,Seungmin Song,Yong-Suk Tak,Juri LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09698240B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Layout of semiconductor device, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10553577B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Transistors and methods of forming transistors using vertical nanowires

Номер патента: US20180233583A1. Автор: Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US9093547B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-28.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US20140203346A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of forming semiconductor device using etch stop layer

Номер патента: US09564357B2. Автор: Fang-I Chih,Yen-Chang Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US09525072B2. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor devices having high-quality epitaxial layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170162697A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20160005830A1. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20010000914A1. Автор: Young Park,Jong Lee,Hyeok Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240313097A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240312997A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4432340A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12132106B2. Автор: Shin-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09905464B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09627509B2. Автор: Sangjin Hyun,Wandon Kim,Shinhye Kim,Byung-Suk Jung,TaekSoo JEON,Kyungbum KOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09583594B2. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170025519A1. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200105765A1. Автор: Yoosang Hwang,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US09917169B2. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4386844A2. Автор: Jeongho Lee,Junsun HWANG,Sewoong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Vertical semiconductor device in narrow slots within trench

Номер патента: US20230178599A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220223620A1. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Flash memory semiconductor device and method thereof

Номер патента: US09412597B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09406521B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072485A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170092771A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20110230025A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100151642A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Methods of forming and operating semiconductor device

Номер патента: US20110194356A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor device and methods of forming and operating the same

Номер патента: US20100001339A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-07.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09941362B2. Автор: Masayuki Miyazaki,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09793121B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685333B2. Автор: Fumikazu Imai,Tsunehiro Nakajima,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09679816B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09653402B2. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09613809B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09608126B1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US09881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Vertical non-planar semiconductor device for system-on-chip (SoC) applications

Номер патента: US09520494B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of fabricating high voltage semiconductor device

Номер патента: US6180471B1. Автор: Gary Hong,Peter Chang,Joe Ko. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US20170194193A1. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US9881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09972539B2. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09793382B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09773890B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09698059B2. Автор: Chia-Fu Hsu,Tian Choy Gan,Chu-Yun Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09653460B1. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: US09328414B2. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09837540B2. Автор: Chien-Hao Chen,En-Chiuan Liou,Tang-Chun Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods of forming fins for FinFET semiconductor devices and the selective removal of such fins

Номер патента: US09704973B2. Автор: Ruilong Xie,Andy C. Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

High hole mobility transistor (HHMT) and method of manufacturing the same

Номер патента: US12136669B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09991169B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09847233B2. Автор: Yen-Ting Chen,Chee-Wee Liu,I-Hsieh Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09640658B2. Автор: Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Myungsun Kim,Hoi Sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09450096B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9142684B2. Автор: Kyung-Sik MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150115347A1. Автор: Kyung-Sik MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09640484B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of fabricating hybrid impact-ionization semiconductor device

Номер патента: US09525040B2. Автор: Ming Zhu,Lee-Wee Teo,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device with single-crystal nanowire finfet

Номер патента: US20180102411A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor device with fin transistors and manufacturing method of such semiconductor device

Номер патента: US20240047461A1. Автор: Koichi Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with fin-type field effect transistor

Номер патента: US11824057B2. Автор: Koichi Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Method of making MOS VLSI semiconductor device with metal gate and clad source/drain

Номер патента: US4661374A. Автор: Robert R. DOERING. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1987-04-28.

Method of forming a high voltage semiconductor device having a voltage sustaining region

Номер патента: EP1468439B1. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-09.

METHOD OF MAKING A CMOS SEMICONDUCTOR DEVICE USING A STRESSED SILICON-ON-INSULATOR (SOI) WAFER

Номер патента: US20150099334A1. Автор: Loubet Nicolas,Liu Qing. Владелец: STMicroelectronics, Inc.. Дата публикации: 2015-04-09.

METHOD OF MAKING A CMOS SEMICONDUCTOR DEVICE USING A STRESSED SILICON-ON-INSULATOR (SOI) WAFER

Номер патента: US20180323301A1. Автор: Loubet Nicolas,Liu Qing. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

Method of making metal oxide semiconductor devices

Номер патента: CA1026012A. Автор: Frank E. Holmes,Clement A.T. Salama. Владелец: Canadian Patents and Development Ltd. Дата публикации: 1978-02-07.

Method of making high-voltage semiconductor devices

Номер патента: EP1291907A3. Автор: Donald Ray Disney. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2004-02-04.

Method of making high-voltage semiconductor devices

Номер патента: EP1536464A3. Автор: Donald Ray Disney. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2008-08-06.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: GB2004694A. Автор: . Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1979-04-04.

Layout of semiconductor device, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20190252366A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Methods of processing semiconductor wafers having silicon carbide power devices thereon

Номер патента: EP1935007A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Matt Donofrio. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-06-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: CA2740244A1. Автор: Shin Harada,Misako Honaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-07-27.

Manufacturing method of integrated structure of semiconductor devices having split gate

Номер патента: US20230402327A1. Автор: Chin-Chin Tsai. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20170098693A1. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-04-06.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20160043235A1. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20190319101A1. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US9853105B2. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11791393B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US10269902B2. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20180122909A1. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-05-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210328025A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210126099A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230369502A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Li-Li Su,Cheng-Yen Wen,Shao-Yang Ma,Chil-Horng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220262790A1. Автор: Mirco Cantoro,Dong Il Bae,Ho-jun Kim,Beomjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-18.

Vertical nanowire semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US11699588B2. Автор: Ying Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-07-11.

Vertical nanowire semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20220208548A1. Автор: Ying Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-30.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160240380A1. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device having fin gate, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160079398A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11935924B2. Автор: Dong Il Bae,Beomjin PARK,Noh Yeong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230361190A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287598A1. Автор: Takayuki SHIMATOU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11929400B2. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Carrier injection control fast recovery diode structures and methods of fabrication

Номер патента: US20200105866A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: IPOWER SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240204054A1. Автор: Dong Il Bae,Beomjin PARK,Noh Yeong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device on SOI substrate

Номер патента: US5920094A. Автор: Myung-Hee Nam. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-07-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180366374A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220238518A1. Автор: Jae Hyun Park,Heonjong Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170047447A1. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11315944B2. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-26.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210280717A1. Автор: Chun-Wei Yu,Yu-Ren Wang,Chi-Hsuan Tang,Kuang-Hsiu Chen,Sung-Yuan Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11729981B2. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Method of forming transistors of different configurations

Номер патента: US20230369513A1. Автор: Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11823999B2. Автор: Hae Chan PARK,Jae Taek Kim,Jang Won Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190157398A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20210265462A1. Автор: Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee,Ying-Chih Lin,Gang-Yi Lin,Yi-Ching Chang,Kai-Lou Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230352587A1. Автор: Chun-Wei Yu,Yu-Ren Wang,Chi-Hsuan Tang,Kuang-Hsiu Chen,Sung-Yuan Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor Device and Method of Formation

Номер патента: US20200058751A1. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240178230A1. Автор: Jeongho Lee,Junsun HWANG,Sewoong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20190074357A1. Автор: Wei Chen,Chin-Fu Lin,Hui-Lin WANG,Ming-Chang Lu,Kuo-Chih Lai,Yi-Ting Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170263504A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210035971A1. Автор: Jae Hyun Park,Heonjong Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210028105A1. Автор: Hae Chan PARK,Jae Taek Kim,Jang Won Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20180190783A1. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200395372A1. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

SEMICONDUCTOR DEVICES (as amended)

Номер патента: US20140027824A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Jung-Ho Yoo,Keum-seok Park,Woo-Bin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-30.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230154999A1. Автор: Hidemoto Tomita. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US10461165B2. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-29.

Depletion mode semiconductor device with trench gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US8680609B2. Автор: Wei-Chieh Lin,Jia-Fu Lin. Владелец: Sinopower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-03-25.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9412831B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Depletion mode trench semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120139037A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Jia-Fu Lin. Владелец: Sinopower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-07.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287617A1. Автор: Naoko Kodama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160314973A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240120403A1. Автор: Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung,EunTae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

High speed, high voltage schottky semiconductor device

Номер патента: US5075740A. Автор: Masahiro Sato,Koji Ohtsuka. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 1991-12-24.

Transistors and methods of forming transistors using vertical nanowires

Номер патента: US20200185510A1. Автор: Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Planar dual gate semiconductor device

Номер патента: WO2005117132A1. Автор: Youri Ponomarev,Josine Loo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20150041892A1. Автор: Francois Hebert,Youngbae Kim,I-Shan Sun,Kwangil Kim,Youngju Kim,Intaek OH,Jinwoo MOON. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20150349122A1. Автор: Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Myungsun Kim,Hoi Sung Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20160049512A1. Автор: Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Myungsun Kim,Hoi Sung Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20160218214A1. Автор: Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Myungsun Kim,Hoi Sung Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-07-28.

High hole mobility transistor (hhmt) and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220199818A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Method of manufacturing trench type semiconductor device

Номер патента: US20220157958A1. Автор: Jau-Yan Lin. Владелец: Advanced Power Electronics Corp USA. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of forming a single-crystal nanowire finFET

Номер патента: US9871102B2. Автор: Hsin-Yu Chen,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Conductive structure, method of forming conductive structure, and semiconductor device

Номер патента: US11563086B2. Автор: Kazuyuki Tomida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-01-24.

Conductive structure, method of forming conductive structure, and semiconductor device

Номер патента: US20210005714A1. Автор: Kazuyuki Tomida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Method of Manufacturing a Super Junction Semiconductor Device and Super Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20180006147A1. Автор: Weber Hans. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING PATTERNS FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220173029A1. Автор: EOM Dae Sung. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor device and method of forming patterns for a semiconductor device

Номер патента: US20200144391A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190165102A1. Автор: FUJIMOTO Takumi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-05-30.

Hetero-Junction Semiconductor Device And Method of Manufacturing a Hetero-Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20160343841A1. Автор: Okawa Takashi. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-11-24.

Methods of forming fins for FinFET semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US9449881B1. Автор: Ruilong Xie,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of Forming Fin Structure of Semiconductor Device

Номер патента: US20170005004A1. Автор: Huang Jiun-Jia,LIU Chi-Wen,Ching Kuo-Cheng,Wang Chao-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED STRUCTURES OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160155801A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,WU Cheng-Hsien,KO Chih-Hsin. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

METHOD OF PATTERNING FEATURES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150228542A1. Автор: Lai Chih-Ming,Huang Wen-Chun,Liu Ru-Gun,Shieh Ming-Feng,Cheng Nian-Fuh,CHIU Wei-Chao,Chen Chen-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

METHODS OF FORMING FINS FOR FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES AND THE SELECTIVE REMOVAL OF SUCH FINS

Номер патента: US20150279971A1. Автор: Xie Ruilong,Wei Andy C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

METHOD OF FORMING STRAINED STRUCTURES OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170352760A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,WU Cheng-Hsien,KO Chih-Hsin. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

Method of forming silicide film of semiconductor device

Номер патента: KR101057698B1. Автор: 정석원. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-08-19.

Method of forming recessed gate of semiconductor device

Номер патента: KR100608378B1. Автор: 이진열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-08.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110070723A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8124510B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

Method of fabricating memory cell in semiconductor device

Номер патента: US20050189581A1. Автор: Tae Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Method of making high voltage semiconductor device

Номер патента: US5213994A. Автор: Earl D. Fuchs. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-05-25.

Method of forming gate line of semiconductor device

Номер патента: US20100048014A1. Автор: Chang Ki Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-25.

Method of and system for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11803683B2. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of and system for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230376666A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Methods of removing photoresist and fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20070093031A1. Автор: Min-Chieh Yang,Wen-Hsien Huang,Jiunn-Hsing Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160372328A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Method of forming metal contact for semiconductor device

Номер патента: US11715763B2. Автор: Sung-Li Wang,Yasutoshi Okuno,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: EP3504734A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-03.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: US09837302B1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming insulating film in semiconductor device

Номер патента: US20050014389A1. Автор: Sung Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of separating a wafer of semiconductor devices

Номер патента: US09608016B2. Автор: Stefano Schiaffino,Grigoriy Basin,Jipu Lei,Alexander H. Nickel. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing isolation structure for semiconductor device

Номер патента: US10256136B2. Автор: Eun-Jeong Kim,Han-Sang Song,Su-ho Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-09.

A thin film semiconductor device and method of manufacturing a thin film semiconductor device

Номер патента: EP1593163A2. Автор: David Thomas Britton,Margit Härting. Владелец: University of Cape Town. Дата публикации: 2005-11-09.

Method of making a passivated semiconductor device

Номер патента: CA1297834C. Автор: Grzegorz Kaganowicz,Ronald Edward Enstrom,John Walter Robinson. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1992-03-24.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple colour filter

Номер патента: WO2014127988A1. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple color filter

Номер патента: US09837573B2. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US20050186795A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of manufacturing storage electrode in semiconductor device

Номер патента: US20010048127A1. Автор: Dong Kim,Sang Park,Seung Lee,Cha Dong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Method of manufacturing storage electrode in semiconductor device

Номер патента: US20020066918A1. Автор: Dong Kim,Sang Park,Seung Lee,Cha Dong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-06-06.

Method of mounting semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: US09615464B2. Автор: Takashi Kubota,Hidehiko Kira,Masayuki Kitajima,Takatoyo Yamakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6881618B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Method of manufacturing bonding wire for semiconductor device

Номер патента: GB9509683D0. Автор: . Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 1995-07-05.

Method of manufacturing semiconductor wafer and semiconductor device

Номер патента: US20240363363A1. Автор: Haruo Sudo,Ken Hayakawa. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of manufacturing bonding wire for semiconductor device

Номер патента: SG64376A1. Автор: Ichiro Nagamatsu,Hiroto Iga,Keiko Itabashi,Taeko Tobiyama. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 1999-04-27.

Method of making a compound semiconductor device

Номер патента: US5346581A. Автор: Won-Tien Tsang. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1994-09-13.

Method of fabrication of adjacent coplanar semiconductor devices

Номер патента: US5376229A. Автор: Steven D. Lester,Jeffrey N. Miller,Danny E. Mars. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1994-12-27.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: CA1038329A. Автор: Robert B. Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-09-12.

Method of forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US7790609B2. Автор: Ji-Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-09-07.

System and method of determining pulse properties of semiconductor device

Номер патента: US7495456B2. Автор: Hideki Horii,Yong-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-24.

Method of fabricating vertical structure compound semiconductor devices

Номер патента: US20060148115A1. Автор: Myung Yoo. Владелец: Supergate Technology USA Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Method of forming contacts to a semiconductor device

Номер патента: CA2011235A1. Автор: Kathleen A. Perry,San-Mei Ku. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-11-15.

Method of forming beam leads on semiconductor devices and integrated circuits

Номер патента: US3653999A. Автор: Clyde Rhea Fuller. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1972-04-04.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: US3895127A. Автор: Robert Benedict Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1975-07-15.

Method of forming contacts for a semiconductor device

Номер патента: US20120094485A1. Автор: Shih-Chang Chen,Huan-Just Lin,Tsai-Chun Li,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Method of forming wiring layer of semiconductor device

Номер патента: US20090227101A1. Автор: Sun-jung Lee,Mu-Kyeng Jung,Ki-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-10.

Method of forming bit line in semiconductor device

Номер патента: US20060240673A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of forming gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US20040259369A1. Автор: Cha Dong,Ho Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Method of producing epoxy resin encapsulated semiconductor device

Номер патента: MY112215A. Автор: ITO Hideo,MINAMI Katsunori. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2001-04-30.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US20120189781A1. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-07-26.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8173542B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-05-08.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8273656B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-09-25.

Method of forming conductive layer of semiconductor device

Номер патента: US20240038545A1. Автор: Yu Shu Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Methods of forming metal wiring of semiconductor devices

Номер патента: US20040132283A1. Автор: Dong-Ki Jeon,Jae-Won Han. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Method of manufacturing an MIS-type semiconductor device

Номер патента: US5336361A. Автор: Akiyoshi Tamura,Masatoshi Kitagawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1994-08-09.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor device etching equipment

Номер патента: US20230014007A1. Автор: Xifei BAO,Liutao ZHOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Methods of forming connection bump of semiconductor device

Номер патента: US20130082090A1. Автор: Sun-Hee Park,Moon-Gi Cho,Hwan-Sik Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-04.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7060630B2. Автор: Sung Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-13.

Method of forming a pattern in semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US5236547A. Автор: Shigeki Takahashi,Yasuhiro Shiraki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

Method of forming isolation layer for semiconductor device

Номер патента: US5913133A. Автор: Byung Seok Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of bevel trimming three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20120270394A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US20120040527A1. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US8193088B2. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Semiconductor element mounting member, method of producing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20120292769A1. Автор: Eiji Kamijo,Kouichi Takashima,Yoshifumi Aoi. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Method of Fabricating Landing Plug in Semiconductor Device

Номер патента: US20100330801A1. Автор: Kyoung Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Structure and method of power supply routing in semiconductor device

Номер патента: US20230369310A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Bending and forming method of fabricating exposed leadframes for semiconductor devices

Номер патента: SG71148A1. Автор: David R Kee,Buford H Carter Jr,Jesse E Clark. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-03-21.

Stack type semiconductor device and method of testing the stack type semiconductor device

Номер патента: US20230307420A1. Автор: Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230301103A1. Автор: Seung Min Lee,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US7682928B2. Автор: Myung IL Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6727132B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-04-27.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6645799B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-11.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US6903020B2. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-07.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US20030203611A1. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Method of producing a complementary-type semiconductor device

Номер патента: US5036019A. Автор: Yasushi Higuchi,Hiroyuki Yamane. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-30.

Method of alignment mark protection and semiconductor device formed thereby

Номер патента: US20110304006A1. Автор: Chih-Hao Huang,Chiao-Wen Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Methods of fabricating a capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20230107346A1. Автор: Hyunjun Kim,Yukyung Shin,Cheoljin Cho,Changhwa JUNG,Jongbeom SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Structure and method of forming a multiple leadframe semiconductor device

Номер патента: US20030209804A1. Автор: James Knapp,Stephen Germain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2003-11-13.

Manufacture of trench-gate semiconductor devices

Номер патента: WO2004055884A1. Автор: Erwin A. Hijzen,Michael A. A. In 't Zandt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887202B2. Автор: Shigenobu Maeda,Hyun-Min Choi,Jihoon Yoon,Sungman Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502425B2. Автор: Shigenobu Maeda,Hyun-Min Choi,Jihoon Yoon,Sungman Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20190123139A1. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20200066840A9. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240194731A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230223306A1. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274713A1. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12100624B2. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Active structures of a semiconductor device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09768053B2. Автор: Dae-won Kim,Jae-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466600B2. Автор: Chang-Hwan Choi. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device with at least one truncated corner and/or side cut-out

Номер патента: US20160211219A1. Автор: Petko Nedelev,Luc BUYDENS,Sam Maddalena. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230299136A1. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Jet plating method of manufacture of micro-alloy semiconductor devices

Номер патента: US3034970A. Автор: George L Schnable,John G Javes. Владелец: Philco Ford Corp. Дата публикации: 1962-05-15.

A method of gate structure fabrication in semiconductor device

Номер патента: TW200514149A. Автор: Chang-Rong Wu,Tzu-En Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-16.

METHOD OF MAKING BREAKDOWN RESISTANT SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200176327A1. Автор: WANG Jhong-Sheng,SHIH Jiaw-Ren,HUANG Ting-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

METHOD OF MAKING A CMOS SEMICONDUCTOR DEVICE USING A STRESSED SILICON-ON-INSULATOR (SOI) WAFER

Номер патента: US20150206972A1. Автор: Loubet Nicolas,Liu Qing. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-23.

METHOD OF MAKING A CMOS SEMICONDUCTOR DEVICE USING A STRESSED SILICON-ON-INSULATOR (SOI) WAFER

Номер патента: US20160268433A1. Автор: Loubet Nicolas,Liu Qing. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

Method of making insulating gate semiconductor device

Номер патента: KR970003917B1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroki Adachi,Hideki Uochi,Hongyong Zhang,Tasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Lab Kk. Дата публикации: 1997-03-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100044839A1. Автор: Kikuo Okada,Kojiro Kameyama. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-25.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220093795A1. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230403844A1. Автор: Dong Soo Kim,Mun Gi SIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11978795B2. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190393242A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10438967B2. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190057975A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2024092689A1. Автор: Hui Yan,Chunhua ZHOU,Sichao LI. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-10.

Methods of forming dielectric structures in semiconductor devices

Номер патента: WO2008054689A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-05-08.

THIN FILM SEMICONDUCTOR DEVICE, ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE THIN FILM SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140225075A1. Автор: ZHAN Zhi-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-14.

The manufacture method of Method of processing a substrate and semiconductor device

Номер патента: CN100561687C. Автор: 佐佐木胜,松山征嗣,菅原卓也. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-11-18.

METHODS OF FORMING CONTACT STRUCTURES FOR SEMICONDUCTOR DEVICES AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20160190274A1. Автор: Taylor William J.,Xie Ruilong,Kamineni Vimal. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

METHODS OF FORMING PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150076617A1. Автор: KIM Myeong-cheol,Lee Choong-Ho,Kim Cheol,Lee Jong-Wook,Kim Il-Sup,Shin Jong-Chan,Choi Si-Young,Hong Jong-Seo. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

Method Of Forming Gate Pattern Of Semiconductor Device

Номер патента: KR100476922B1. Автор: 최시영,구자흠,김성만,조준규,윤선필. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-17.

Overlay mark, method of measuring overlay accuracy, method of making alignment and semiconductor device therewith

Номер патента: GB2358086B. Автор: Kazuki Yokota. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-11-12.

Testing of semiconductor devices and devices, and designs thereof

Номер патента: US09945899B2. Автор: Stefano Aresu,Michael Roehner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8928002B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140001482A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Method of forming junction of semiconductor device

Номер патента: US20090111233A1. Автор: Dong Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device and method of wire bonding for semiconductor device

Номер патента: US20040188858A1. Автор: Yoshifumi Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: US20190221537A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor device, light emitting device and method of manufacturing same

Номер патента: US09425352B2. Автор: Yong Jin Kim,Dong Kun Lee,Doo Soo Kim. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030030095A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Yoshitaka Fujiishi,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6596582B2. Автор: Yoshinori Tanaka,Yoshitaka Fujiishi,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-22.

Method of manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20090191666A1. Автор: Souu Kumagai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: WO2019136743A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor devices having dummy patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09748257B2. Автор: Jaehan Lee,Won-Seok Jung,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09607985B1. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09524975B2. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-22.

Detection of seed layers on a semiconductor device

Номер патента: US20070087530A1. Автор: Jae Kim,Ji Young Yim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11314919B2. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240265188A1. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device having polysilicon bit line contact

Номер патента: US7884441B2. Автор: Nam Yoon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Semiconductor device including through vias with different widths and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230298937A1. Автор: Jin Woong Kim,Ju Heon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of manufacturing silicon carbide seminconductor device

Номер патента: US20100233832A1. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Semiconductor device including air gaps and method of fabricating the same

Номер патента: US09627253B2. Автор: Min-ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09520556B2. Автор: Hideki Horii,Jeonghee Park,Sugwoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09449915B2. Автор: Hsu-Sheng Yu,Hong-Ji Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US20220238639A1. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20100323520A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: US11728285B2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20120086134A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12142587B2. Автор: Jinho PARK,Jeong Hoon Ahn,Chin Kim,Yongseung Bang,Jiyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200127008A1. Автор: In Su Park,Dong Sun Sheen. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230395425A1. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Methods of forming patterns of semiconductor devices

Номер патента: US09779941B2. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09666438B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor devices having a supporter and methods of fabricating the same

Номер патента: US09601494B2. Автор: Seung-Jun Lee,Dae-Ik Kim,Young-Seung Cho,Kyung-Eun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09530736B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140151627A1. Автор: Young Ok Hong,Kyoung A Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US11776844B2. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for via formation in a semiconductor device

Номер патента: US20120302062A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Chih Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09524967B1. Автор: Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Ching-Hsiang Chiu,Hao-Yeh Liu,Mon-Sen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US20240098986A1. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US20220415902A1. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US11871563B2. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US3589939A. Автор: Yoshio Tanaka,Seiichi Iwamatsu,Minoru Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1971-06-29.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: TW200411816A. Автор: Sung-Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Jet plating method of manufacture of micro-alloy semiconductor devices

Номер патента: US3102084A. Автор: Thomas J Manns. Владелец: Philco Ford Corp. Дата публикации: 1963-08-27.

Method of forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: TW200537623A. Автор: Dong-Joon Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2005-11-16.

Structure and method of forming a multiple leadframe semiconductor device

Номер патента: TW200306657A. Автор: James Howard Knapp,Stephen St Germain. Владелец: Semiconductor Components Ind. Дата публикации: 2003-11-16.

Method of forming hemispherical grain for semiconductor devices

Номер патента: TW434656B. Автор: Chan-Sik Park,Yun-Young Kwon,Jang-Hyeok Lee,Se-Hyoung Ryu,Eung-Yong Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-05-16.

Method of producing hybrid oxide for semiconductor devices

Номер патента: YU301876A. Автор: S H Cohen,J J Fabula. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1982-06-30.

Lead frame, method of manufacturing the same, and semiconductor device manufactured with the same

Номер патента: TW200405488A. Автор: Tetsuichiro Kasahara,Akinobu Abe. Владелец: Shinko Electric Ind Co. Дата публикации: 2004-04-01.

Method of fabricating recess channel in semiconductor device

Номер патента: TWI324368B. Автор: Tae-Woo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-01.

Method of forming metal line in semiconductor device

Номер патента: TW200516711A. Автор: Kyeong-Keun Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-05-16.

Method of forming isolation structure and semiconductor device with the isolation structure

Номер патента: TW201218314A. Автор: Yi-Jung Chen,Jyun-Huan Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-05-01.

METHOD OF MAKING A PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170011905A1. Автор: HEGDE RAMA I.. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

Method of making resin molded semiconductor device

Номер патента: KR940007948B1. Автор: 모리류이찌로. Владелец: 미쓰비시뎅끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1994-08-29.

Method of making contacts to semiconductor devices

Номер патента: US3508324A. Автор: Stephen A Idzik Jr,Robert L Luce. Владелец: Philco Ford Corp. Дата публикации: 1970-04-28.

Contact plug and method of making same and semiconductor device

Номер патента: TWI540678B. Автор: 林瑀宏,許嘉麟,林聖軒,張志維,周友華. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2016-07-01.

Device for holding multiple semiconductor devices during thermocompression bonding and method of bonding

Номер патента: US20150027616A1. Автор: Chun Ho Fan,Man Chung CHAN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-29.

Method of manufacturing GaN-based semiconductor device

Номер патента: US8633087B2. Автор: Hideki Matsubara,Kuniaki Ishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-21.

Thin-film semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020102777A1. Автор: Takao Yonehara,Kiyofumi Sakaguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240040773A1. Автор: Tsuo-Wen Lu,Mingqin Shangguan,Changfu Ye,Xiqin Wang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Apparatus and method for stacking semiconductor devices

Номер патента: US20200135688A1. Автор: Andrew Huska,Cody Peterson. Владелец: Rohinni LLC. Дата публикации: 2020-04-30.

Method and apparatus for manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20110079629A1. Автор: Atsushi Yoshimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-07.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US11948806B2. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device having an optical device degradation sensor

Номер патента: EP4166957A1. Автор: Hans Reisinger,Thomas Aichinger,Andre Kabakow,Maximilian Wolfgang FEIL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-19.

Method of fabricating small-area semiconductor devices

Номер патента: US3575732A. Автор: Arthur Uhlir Jr. Владелец: Microwave Associates Inc. Дата публикации: 1971-04-20.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210375720A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11328981B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-10.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11735500B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor devices including support pattern and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220130950A1. Автор: Yoosang Hwang,Sangho Lee,Jae-Hwan CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240206153A1. Автор: Shuxian Wu,Huihuang TANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of forming patterns for semiconductor device

Номер патента: US20140191405A1. Автор: Young-Ho Lee,Jae-Hwang Sim,Sang-Yong Park,Kyung-Lyul Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-10.

Semiconductor devices including support pattern and methods of fabricating the same

Номер патента: US20210043722A1. Автор: Yoosang Hwang,Sangho Lee,Jae-Hwan CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230402568A1. Автор: Min Ji JO,Duk Kyu Bae. Владелец: HEXASOLUTION Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Improvements in or relating to methods of and apparatus for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: GB1014990A. Автор: . Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1965-12-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US9893281B2. Автор: Hideki Horii,Jeonghee Park,Sugwoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for production of semiconductor device

Номер патента: US6087261A. Автор: Toshiya Suzuki,Nobuyuki Nishikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-07-11.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20150255396A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20170098576A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-06.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20180277429A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20090170033A1. Автор: Woo Yung Jung,Guee Hwang Sim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US9984924B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20190109138A1. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11804459B2. Автор: Jinho PARK,Jeong Hoon Ahn,Chin Kim,Yongseung Bang,Jiyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20150235956A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200161219A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20160314979A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US11894418B2. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11995391B2. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200176358A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230395541A1. Автор: Jinho PARK,Jeong Hoon Ahn,Chin Kim,Yongseung Bang,Jiyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230422481A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Manufacturing method and support of semiconductor device

Номер патента: US20210280416A1. Автор: Tatsuo Migita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device having metal bump and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190206816A1. Автор: Won-Young Kim,Chanho LEE,Jinchan AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor device having metal bump and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200343204A1. Автор: Won-Young Kim,Chanho LEE,Jinchan AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100164537A1. Автор: Bong-Il Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device having a capacitor and a fabrication method thereof

Номер патента: US20060186453A1. Автор: Won-mo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20180211962A1. Автор: Won Chul Lee,Ye Ram KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190386023A1. Автор: In Su Park,Dong Sun Sheen. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US12027467B2. Автор: Shao-Lun YANG,Chun-Hung Yeh,Wei-Chih CHO,Tsung-Wei LU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of Treating Protective Coatings for Semiconductor Devices

Номер патента: GB1175392A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1969-12-23.

Method for preparing electrode for semiconductor device

Номер патента: US5290664A. Автор: Nobuyuki Matsumoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1994-03-01.

Stacked-type semiconductor device

Номер патента: US5355022A. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Takashi Ipposhi,Toshiaki Ogawa,Natsuo Ajika,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-10-11.

Self-aligned chamferless interconnect structures of semiconductor devices

Номер патента: US20200098688A1. Автор: Ruilong Xie,Chun Yu Wong,Yongjun Shi,Nan FU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Interconnection structure having increased conductive features and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210375750A1. Автор: CHEN Chu,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Method of forming a light emitting diode

Номер патента: US5270245A. Автор: Chan-Long Shieh,Craig A. Gaw. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-12-14.

Semiconductor device defect analysis method

Номер патента: US20220236314A1. Автор: Hakgyun KIM,Bumsuk CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-28.

Method of etching substrate

Номер патента: US20190109010A1. Автор: Jongwoo SUN,Eunwoo LEE,Sangrok OH,Jungmo Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-11.

METHOD OF WAFER-SCALE INTEGRATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150129999A1. Автор: Schrank Franz,Siegert Joerg,Cassidy Cathal. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

METHODS OF EXPOSING CONDUCTIVE VIAS OF SEMICONDUCTOR DEVICES AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150145146A1. Автор: JINDAL ANURAG,LI Hongqi,Vasilyeva Irina. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

METHODS OF EXPOSING CONDUCTIVE VIAS OF SEMICONDUCTOR DEVICES AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210183697A1. Автор: JINDAL ANURAG,LI Hongqi,Vasilyeva Irina. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

METHODS OF REINFORCING INTEGRATED CIRCUITRY OF SEMICONDUCTOR DEVICES AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICES AND PACKAGES

Номер патента: US20190393110A1. Автор: Kumar Ajay,Yeom Hyunsoo,HOUSE John. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device and method of forming metal line of semiconductor device

Номер патента: US20080217789A1. Автор: Jin Gu Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor devices with ion-sensitive field effect transistor

Номер патента: US20210055256A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

MEMORY DEVICE AND METHODS OF FORMING MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150194434A1. Автор: Hsu Te-Hsun. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

Method of forming fine patterns in semiconductor device and method of forming gate using the same

Номер патента: US20060148226A1. Автор: Ki Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Lead frame and method of manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: MY151950A. Автор: Etsuo Uematsu. Владелец: Shinko Electric Ind Co. Дата публикации: 2014-07-31.

Lead frame and method of manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: SG137825A1. Автор: Etsuo Uematsu. Владелец: Shinko Electric Ind Co. Дата публикации: 2007-12-28.

METHODS OF FORMING CONTACT STRUCTURES FOR SEMICONDUCTOR DEVICES AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20160049332A1. Автор: JR. William J.,Taylor,Xie Ruilong,Kamineni Vimal. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor Devices, Methods of Manufacture Thereof, and Packaged Semiconductor Devices

Номер патента: US20170229421A1. Автор: Lii Mirng-Ji,Chen Chen-Shien,Lin Yen-Liang,Tseng Yu-Jen,Kuo Tin-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

Hall sensor semiconductor device and method of operating the Hall sensor semiconductor device

Номер патента: DE102011017096A1. Автор: Georg Röhrer. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2012-10-18.

Method of forming copper interconnection in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050263892A1. Автор: In Chun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-01.

Method of forming contact hole of semiconductor device using spacer made of undoped polysilicon layer

Номер патента: KR100436063B1. Автор: 인성욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-16.

Semiconductor device and method of fabricating pad in the semiconductor device

Номер патента: KR100683387B1. Автор: 이용근. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-02-15.

Semiconductor device and formation method of metal line in the semiconductor device

Номер патента: KR100529629B1. Автор: 한재원. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-11-17.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: JP3216314B2. Автор: 英雄 山中. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-10-09.

Semiconductor device and method of forming contact plug in semiconductor device

Номер патента: KR100965030B1. Автор: 김은수,조휘원,김정근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-06-21.

The manufacture method of chip attachment device and semiconductor devices

Номер патента: CN107180772A. Автор: 冈本直树. Владелец: Jie Jin Science And Technology Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method of forming patterns for the semiconductor device

Номер патента: US20100155906A1. Автор: Young-Ho Lee,Jae-Hwang Sim,Young-Seop Rah. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and formation method of metal line in the semiconductor device

Номер патента: KR100562311B1. Автор: 김경록. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-22.

Method of detecting defects in a semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US8952716B2. Автор: Yong Min Cho,Dong-ryul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-10.

Method of forming openings in a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2009016438A1. Автор: Massud Abubaker Aminpur,Scott Warrick. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2009-02-05.

The manufacturing method of substrate processing device and semiconductor devices

Номер патента: CN105274497B. Автор: 山本哲夫,佐佐木隆史. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-08-07.

Electronic device, method of producing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20090032944A1. Автор: Shuichi Tanaka,Haruki Ito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-02-05.

Electronic device, method of producing the same, and semiconductor device

Номер патента: CN101359638A. Автор: 田中秀一,伊东春树. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-02-04.

The manufacturing method of substrate processing device and semiconductor devices

Номер патента: CN105990086B. Автор: 大桥直史,松井俊,丰田行,丰田一行. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-05-22.

Manufacturing method of wire bonding device and semiconductor device

Номер патента: TW201308458A. Автор: Naoto Takebe,Yuichi Sano. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2013-02-16.

Manufacturing method of multi chamber device and semiconductor device

Номер патента: KR950034570A. Автор: 가즈히로 호시노. Владелец: 소니 가부시기가이샤. Дата публикации: 1995-12-28.

The manufacturing method of substrate processing device and semiconductor devices

Номер патента: CN106816400B. Автор: 山本哲夫,丰田一行. Владелец: INTERNATIONAL ELECTRIC CO Ltd. Дата публикации: 2019-07-19.

Structure and method of power supply routing in semiconductor device

Номер патента: US11784179B2. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Insulating substrate, method of manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20140291814A1. Автор: Hiromasa Hayashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150017808A1. Автор: Koh Cha-won. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

METHOD OF FABRICATING INTERCONNECTION LINE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200083094A1. Автор: Park Young Suk,DING SHAO FENG,LEE KYOUNG WOO. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

METHOD OF FORMING METAL INTERCONNECTIONS OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160104680A1. Автор: JANG Woojin,LEE Kyoungwoo. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

METHODS OF FORMING PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170103891A1. Автор: CHUNG Sang-gyo,LEE Jong-Sub,LEE Ha-Neul,Eom Kyoung-Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-04-13.

METHOD OF SEPARATING A WAFER OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150140711A1. Автор: Schiaffino Stefano,Basin Grigoriy,NICKEL Alexander H.,Lei Jipu. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

METHOD OF STRESS INDUCED CLEAVING OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150144968A1. Автор: Romano Linda,HERNER Scott Brad,THOMPSON Daniel Bryce,Schubert Martin. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

METHODS OF FORMING HOLE PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140220782A1. Автор: Seo Jung-Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-08-07.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140273471A1. Автор: GWAK Byoung-Yong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-09-18.

METHODS OF FORMING INTERCONNECT STRUCTURES OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210265264A1. Автор: Lee Tze-Liang,Chou Chia-Cheng,Ko Chung-Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-08-26.

METHOD OF FORMING METAL INTERCONNECTIONS OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140339701A1. Автор: JANG Woojin,LEE Kyoungwoo. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

INTERCONNECTION STRUCTURE OF METAL LINES, METHOD OF FABRICATING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200258772A1. Автор: Hsieh Ming-Teng. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

METHOD OF FORMING PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160314983A1. Автор: Seo Kang-Ill,KIM DONG-KWON,KIM Bong-cheol,HAN Eun-Shoo. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

METHOD OF DETECTING FAILURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190385918A1. Автор: Kim Ju-Hyun,RHEE Hwa-Sung,CHOI Ji-Young,ZHAN Zhan,KIM Min-Seob,KANG Sung-Gun. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

Slurry and method of forming metal wiring of semiconductor device using the slurry

Номер патента: KR101088823B1. Автор: 김원래,박형순,김성준,홍권,유춘근. Владелец: 제일모직주식회사. Дата публикации: 2011-12-06.

A method of forming contact plug of semiconductor device

Номер патента: KR100266749B1. Автор: 윤보언,정인권. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-09-15.

Method of forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: KR100211540B1. Автор: 이상규. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-08-02.

Method of forming metal interconnector of semiconductor device

Номер патента: KR100232224B1. Автор: 오한주. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 1999-12-01.

Manufacturing method of high dielectric capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100533991B1. Автор: 권 홍. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-16.

Method of manufacturing tungsten plug of semiconductor device

Номер патента: KR0172042B1. Автор: 김상용. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-03-30.

Method of manufacturing buried gate of semiconductor device

Номер патента: KR101046727B1. Автор: 곽노정,염승진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-07-05.

Method of forming fine patterns of semiconductor device

Номер патента: KR101269054B1. Автор: 이정호,박영훈,양준석,김의식,정상일. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-05-29.

Method of manufacturing insulating layer of semiconductor device using en solution

Номер патента: KR100428877B1. Автор: 유용식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-27.

Method of forming contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR0172547B1. Автор: 김정,이병렬. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-03-30.

Method of forming storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR100228344B1. Автор: 허연철. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-11-01.

Method of forming contact window of semiconductor device

Номер патента: KR940022854A. Автор: 박영욱,김영선,신유균. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1994-10-21.

Method of Manufacturing Contact Hole of Semiconductor Device

Номер патента: KR100470722B1. Автор: 황인석,고용선,윤철주,문봉호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-10.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100209599B1. Автор: 김종관,이창재. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-07-15.

Method of fabricating Copper line of semiconductor device

Номер патента: KR100419021B1. Автор: 김길호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-02-19.

Method of manufacturing a capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100240647B1. Автор: 김천수,유현규,박민. Владелец: 정선종. Дата публикации: 2000-01-15.

Method of forming bonding pads of semiconductor device

Номер патента: KR100604556B1. Автор: 조경수. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-07-28.

Method of forming contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR0172293B1. Автор: 이병석,윤용혁. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-03-30.

Method of forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: KR100214268B1. Автор: 박상균. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-08-02.

Method of forming metal line of semiconductor device for restraining reaction between metal lines

Номер патента: KR100430682B1. Автор: 염승진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-12.

Method of Forming Fine Pattern of Semiconductor Device

Номер патента: KR100944336B1. Автор: 정재창,임창문. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-03-02.

The method of forming via hole of semiconductor device

Номер патента: KR100464395B1. Автор: 권성운. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-02-28.

Method of manufacturing bit line of semiconductor device

Номер патента: KR100443517B1. Автор: 장현진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-08-09.

Method of forming metal contact of semiconductor device

Номер патента: KR0171069B1. Автор: 김현숙. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-03-30.

Method of forming contact plug of semiconductor device

Номер патента: KR100546108B1. Автор: 오찬권,남철우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-01-24.

Method of forming metal line of semiconductor devices

Номер патента: KR101034929B1. Автор: 김은수,조휘원,김석중,조종혜. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-05-17.

Method of forming multilayer metal of semiconductor device using improved intermetal dielectric

Номер патента: KR100427539B1. Автор: 김영우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of forming buried wiring of semiconductor device

Номер патента: KR100515075B1. Автор: 홍성택,권태우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-01-12.

Method of making thin layer semiconductor devices

Номер патента: US3082124A. Автор: Schneider Stanley,Barry T French,Edward M Nakaji. Владелец: Beckman Instruments Inc. Дата публикации: 1963-03-19.

Manufacturing method of ion implantation device and semiconductor device

Номер патента: TW200608496A. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Yoshimasa Kawase. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2006-03-01.

Manufacturing method of ion implantation device and semiconductor device

Номер патента: TWI266372B. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Yoshimasa Kawase. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-11-11.

Method of making an organic semiconductor device

Номер патента: WO2011146307A1. Автор: Mingqian He,Jianfeng Li,Michael L. Sorensen. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2011-11-24.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11864477B2. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of measuring trench depth of semiconductor device

Номер патента: US6500683B1. Автор: Masakazu Nakabayashi,Tadayuki Yoshiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-31.

Method of fabrication of an amorphous semiconductor device on a substrate

Номер патента: US4167806A. Автор: Pierre Kumurdjian. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1979-09-18.

Methods of correcting data errors and semiconductor devices used therein

Номер патента: US20170371746A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor device, and programming method and programming system therefor

Номер патента: US8106681B2. Автор: Tadashi Fujita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Method of making an organic semiconductor device

Номер патента: TW201218475A. Автор: Jian-Feng Li,Michael Lesley Sorensen,Mingqian He. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2012-05-01.

Method of making N-type semiconductor devices

Номер патента: US8309394B2. Автор: Deepak Shukla,Dianne M. Meyer. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2012-11-13.

Method of making n-type semiconductor devices

Номер патента: US20110183462A1. Автор: Deepak Shukla,Dianne M. Meyer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor device, and programming method and programming system therefor

Номер патента: US20100117680A1. Автор: Tadashi Fujita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Semiconducor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240049476A1. Автор: Euipil Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-08.

The abnormality diagnostic method of the booster circuit of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: CN102445613B. Автор: 伴将史. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-09.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: TW202243204A. Автор: 林毓超,邱榮標. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2022-11-01.

Apparatus and method of exposing light to a semiconductor device having a curved surface

Номер патента: WO2004063813A1. Автор: Nobuo Takeda,Ikuo Nishimoto,Ichitaroh Satoh. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-29.

Pattern correcting method of mask for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080212869A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Kei Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Method of accessing word line in semiconductor device

Номер патента: US20050232064A1. Автор: Yin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Reticle for use in exposing semiconductor, method of producing the reticle, and semiconductor device

Номер патента: US6352800B1. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-05.

Method of manufacturing photo masks and semiconductor devices

Номер патента: US20230418151A1. Автор: Wen-hao Cheng,Chun Wei HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Methods of testing cell arrays and semiconductor devices executing the same

Номер патента: US20180102183A1. Автор: Young Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Method of cleaning, support, and cleaning apparatus

Номер патента: US20240278295A1. Автор: Ker-Hsun LIAO,Yi-Chen Ho,Chih Ping Liao,Chi-Hsun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Template and method of manufacturing the same, and semiconductor device manufacturing method using the template

Номер патента: US20110237086A1. Автор: Ikuo Yoneda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-29.

Method of generating layout of semiconductor device

Номер патента: US20110029936A1. Автор: Suk-joo Lee,Seong-Woon Choi,Kyoung-Yun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-03.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20210397362A1. Автор: Ki Woong Lee,Sang Jin Lee,Young Gyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Method of cleaning, support, and cleaning apparatus

Номер патента: US20230390813A1. Автор: Ker-Hsun LIAO,Chih Ping Liao,Yi Chen Ho,Chi-Hsun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of cleaning, support, and cleaning apparatus

Номер патента: US11986869B2. Автор: Ker-Hsun LIAO,Chih Ping Liao,Yi Chen Ho,Chi-Hsun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor memory device, flag generating circuit, and method of outputting data in a semiconductor device

Номер патента: US20180268880A1. Автор: Yoo Jong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor memory device, flag generating circuit, and method of outputting data in a semiconductor device

Номер патента: US10424349B2. Автор: Yoo Jong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-24.

Communication system, semiconductor device, and data communication method

Номер патента: US20140189033A1. Автор: Hiroji Akahori. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-03.

Structure and method of signal enhancement for alignment patterns

Номер патента: US20240053673A1. Автор: Cheng-Che Chung,Hsin-Chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and method of sensing data of the semiconductor device

Номер патента: US8503220B2. Автор: Jai-Kwang Shin,Hyung-Su Jeong,Ho-Jung Kim,Hyun-Sik Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-08-06.

Semiconductor device and method of sensing data of the semiconductor device

Номер патента: KR101652785B1. Автор: 김호정,최현식,신재광,정형수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-09-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF OPERATING AND CONTROLLING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180053539A1. Автор: OH TAE YOUNG,SHIN SEUNGJUN. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

Semiconductor memory device, flag generating circuit, and method of outputting data in a semiconductor device

Номер патента: US20180268880A1. Автор: Yoo Jong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device and method of operating and controlling a semiconductor device

Номер патента: US10529393B2. Автор: Tae Young Oh,Seungjun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-07.

METHOD OF ANALYZING LATTICE STRAIN OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180012348A1. Автор: AHN MYOUNG-KI,Kwak Hyun-koo,BYUN GWANG-SEON,PARK HAN-SAEM,SHON SU-BONG,CHO UNG-KEUN. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-11.

Method of forming micro pattern of semiconductor device

Номер патента: KR950012541B1. Автор: 이헌철. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1995-10-18.

Method of fabricating capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100535093B1. Автор: 이상익,신종한. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-12-07.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Thermally weldeable flat material and method of of making the same

Номер патента: CS215160B1. Автор: Jan Durinda,Miloslav Marek,Jan Majling,Vladimir Keclik. Владелец: Vladimir Keclik. Дата публикации: 1982-07-30.

Jet plating method of manufacture of micro-alloy semiconductor devices and plating-solutions

Номер патента: AU250167B2. Автор: Junior Manns Thomas. Владелец: Philco Ford Corp. Дата публикации: 1963-05-02.

Jet plating method of manufacture of micro-alloy semiconductor devices

Номер патента: CA661914A. Автор: L. Schnable George,G. Javes John. Владелец: Philco Ford Corp. Дата публикации: 1963-04-23.

Jet plating method of manufacture of micro-alloy semiconductor devices and plating-solutions

Номер патента: AU516561A. Автор: Junior Manns Thomas. Владелец: Philco Ford Corp. Дата публикации: 1963-05-02.

Jet plating method of manufacture of micro-alloy semiconductor devices

Номер патента: CA731334A. Автор: J. Manns Thomas. Владелец: Philco Ford Corp. Дата публикации: 1966-03-29.

Manufacturing method of lateral diffusion metal oxide semiconductor device

Номер патента: TW201114032A. Автор: Bo-Jui Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-04-16.

Improvements in or relating to methods of manufacturing glass envelopes for semiconductor devices

Номер патента: AU210578B2. Автор: Cornelis Nichois and Wilhelmus Antonius Convers Herman. Владелец: . Дата публикации: 1956-01-12.

Methods of manufacturing sealed housings for semiconductor devices

Номер патента: AU251798B2. Автор: Moore Barton and David John Hunter Donald. Владелец: McKenzie and Holland Australia Pty Ltd. Дата публикации: 1963-05-02.

Methods of manufacturing sealed housings for semiconductor devices

Номер патента: AU878361A. Автор: Moore Barton and David John Hunter Donald. Владелец: McKenzie and Holland Australia Pty Ltd. Дата публикации: 1963-05-02.

Method of manufacturing gate electrode in semiconductor device

Номер патента: TW379373B. Автор: Jia-Shuen Shiau. Владелец: Maodeh Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-11.

Improvements in or relating to methods of manufacturing glass envelopes for semiconductor devices

Номер патента: AU1052355A. Автор: Cornelis Nichois and Wilhelmus Antonius Convers Herman. Владелец: . Дата публикации: 1956-01-12.

Method of manufacturing SOI substrate and semiconductor device

Номер патента: TW492048B. Автор: Nobuyoshi Hattori. Владелец: Yamakawa Satosh. Дата публикации: 2002-06-21.

Method of making junctions for semiconductor devices

Номер патента: CA853400A. Автор: R. Sivertsen David,B. Cecil Olin,R. Haberecht Rolf. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1970-10-06.

Method of diffusion in making semiconductor strain-sensitive elements

Номер патента: RU1105078C. Автор: С.А. Козин,Ю.А. Зеленцов. Владелец: Kozin S A. Дата публикации: 1996-01-10.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120049171A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF SENSING DATA OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120140545A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-06-07.

Vertical type semiconductor device and method of manufacturing a vertical type semiconductor device

Номер патента: US20120028428A1. Автор: Son Yong-Hoon,Kang Jong-Hyuk,Lee Jong-Wook. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-02.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF WRITING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120106246A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-05-03.

METHOD OF DETECTING DEFECTS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120268159A1. Автор: Cho Yong Min,Lee Dong-Ryul. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-25.

CONDUCTION PATH, SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING CONDUCTION PATH, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120299166A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

Method of munufacturing semiconductor substrate and semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: JP2007227605A. Автор: Teruo Takizawa,照夫 瀧澤. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-09-06.

Manufacturing method of semiconductor mixed crystal layer, semiconductor device and semiconductor light emitting device

Номер патента: JP4048695B2. Автор: 雅芳 角野. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-02-20.

Data writing method of semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: TW550576B. Автор: Yuji Takeuchi,Mitsuhiro Noguchi,Akira Goda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-09-01.

Method of integrating microelectromechanical device and semiconductor device

Номер патента: TW580481B. Автор: Tzung-Lung Shie,Jau-Heng Jian. Владелец: Kuender & Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-21.

METHOD OF FORMING METAL LINES OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120040527A1. Автор: KIM Suk Joong. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-16.

Methods of Forming a Pattern of Semiconductor Devices

Номер патента: US20120064724A1. Автор: Kim Young-Ho,Kim Jae-Ho,Lee Bo-hee,Kim Kyoung-mi,Park Jeong-ju,Park Mi-ra. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

METHOD OF FORMING WIRING OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120231625A1. Автор: TAJIMA Takayuki,Tojo Akira. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-13.

METHOD OF FORMING METAL INTERCONNECTIONS OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120252208A1. Автор: JANG Woojin,LEE Kyoungwoo. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

METHODS OF FORMING CONNECTION BUMP OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130082090A1. Автор: CHO Moon-gi,LIM Hwan-sik,PARK Sun-hee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-04-04.

Method of measuring electrophysical characteristics of semiconductor devices

Номер патента: SU759994A1. Автор: Arminas V Ragauskas. Владелец: Kaunassk Polt Inst Antanasa. Дата публикации: 1980-08-30.

Measuring method of high temperature performance of semiconductor device

Номер патента: JPS5517465A. Автор: Minoru Yoshida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1980-02-06.

Method of forming photosensitive pattern of semiconductor device

Номер патента: KR960002479A. Автор: 이두희,조찬섭. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-01-26.

Method of removing nitride film of semiconductor device

Номер патента: KR950007004A. Автор: 이하열. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-03-21.

Method of forming planarization layer of semiconductor device

Номер патента: KR970003618A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1997-01-28.