Semiconductor device and method of fabricating the same
Номер патента: US09627509B2
Опубликовано: 18-04-2017
Автор(ы): Byung-Suk Jung, Kyungbum KOO, Sangjin Hyun, Shinhye Kim, TaekSoo JEON, Wandon Kim
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-04-2017
Автор(ы): Byung-Suk Jung, Kyungbum KOO, Sangjin Hyun, Shinhye Kim, TaekSoo JEON, Wandon Kim
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device, integrated circuit and method of forming a semiconductor device
Номер патента: US09735243B2. Автор: Rolf Weis,Franz Hirler,Andreas Meiser,Markus Zundel,Martin Vielemeyer,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-15.