Semiconductor device, memory cell and method of forming the same
Номер патента: US11957070B2
Опубликовано: 09-04-2024
Автор(ы): Bo-Jiun Lin, Shao-Ming Yu, Tung-Ying Lee, Yu-Chao Lin
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 09-04-2024
Автор(ы): Bo-Jiun Lin, Shao-Ming Yu, Tung-Ying Lee, Yu-Chao Lin
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Cells and Arrays
Номер патента: US20170018708A1. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-19.