Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Method of making a compound semiconductor device

Номер патента: US5346581A
Опубликовано: 13-09-1994
Автор(ы): Won-Tien Tsang
Принадлежит: AT&T Bell Laboratories Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of making single crystal semiconductor substrate articles and semiconductor device

Номер патента: US5030583A. Автор: Charles P. Beetz, Jr.. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1991-07-09.

Crystal growth method of III - V compound semiconductor

Номер патента: US5294565A. Автор: Yasushi Shiraishi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-03-15.

Methods of forming staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US09941122B2. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20230290866A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Methods of forming staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20190139755A1. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-09.

Methods of forming staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20160372322A1. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-22.

Methods of forming staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20180197732A1. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-12.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20210328047A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20200135903A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20190006491A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US11695063B2. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

Method of achieving higher inversion layer mobility in silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: WO2001045148A1. Автор: Dev Alok. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-06-21.

Process for making a contact arrangement for a semiconductor device

Номер патента: EP0201250A3. Автор: Hiroshi Goto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-02-08.

Process for making a contact arrangement for a semiconductor device

Номер патента: EP0201250A2. Автор: Hiroshi Goto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-11-12.

METHODS OF FORMING STAIRCASE-SHAPED CONNECTION STRUCTURES OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190139755A1. Автор: Shin Kyoungsub,OH Jung-Ik,Kim Ha-Na,JANG Daehyun. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

METHODS OF FORMING STAIRCASE-SHAPED CONNECTION STRUCTURES OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180197732A1. Автор: Shin Kyoungsub,OH Jung-Ik,Kim Ha-Na,JANG Daehyun. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

METHODS OF FORMING STAIRCASE-SHAPED CONNECTION STRUCTURES OF THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160372322A1. Автор: Shin Kyoungsub,OH Jung-Ik,Kim Ha-Na,JANG Daehyun. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Methods of forming isolated germanium-containing fins for a finfet semiconductor device

Номер патента: US20150200128A1. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Bruce Doris,Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-16.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Inorganic substrate with a thin silica type glass layer, method of manufacturing the aforementioned substrate, coating agent, and a semiconductor device

Номер патента: WO2007046560B1. Автор: Maki Itoh,Yukinari Harimoto,Elias Dimitris Katsoulis. Владелец: Elias Dimitris Katsoulis. Дата публикации: 2007-11-22.

Method of making a grooved gate structure of semiconductor device

Номер патента: US5776835A. Автор: Ching-Fa Yeh,Jwinn Lein Su. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 1998-07-07.

Method of activating implanted impurities in broad area compound semiconductors by short time contact annealing

Номер патента: US4472206A. Автор: Thomas N. Jackson,Jerry M. Woodall,Rodney T. Hodgson,Hans S. Rupprecht. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-09-18.

Method of patterning organic polymer film and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010018256A1. Автор: Mitsuru Nishitsuji,Katsuhiko Kawashima,Tsuyoshi Tanaka,Yoshihara Anda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

METHODS OF FORMING SUBSTANTIALLY SELF-ALIGNED ISOLATION REGIONS ON FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20150294912A1. Автор: Wang Wenhui,LiCausi Nicholas V.,Xie Ruilong,Kamineni Vimal K.,Wedlake Michael,Cantone Jason R.,Bello Abner F.. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

Methods of forming substantially self-aligned isolation regions on FinFET semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US9093302B2. Автор: Michael Wedlake,Ruilong Xie,Wenhui Wang,Vimal K. Kamineni,Abner F. Bello,Nicholas V. LiCausi,Jason R. Cantone. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-28.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20190006491A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Method of forming shaped source/drain epitaxial layers of a semiconductor device

Номер патента: US20200135903A1. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

METHOD OF FORMING A PATTERN USED FOR THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: FR2499726A1. Автор: Yoshihiko Mizushima,Akira Yoshikawa,Akitsu Takeda,Osamu Ochi,Tomoko Hisaki. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1982-08-13.

Method of making a strained structure of a semiconductor device

Номер патента: US09577071B2. Автор: FENG Yuan,Clement Hsingjen Wann,Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of fabricating a semiconductor device,method of cleaning a crystalline surface of a semiconductor,and semiconductor device

Номер патента: GB9506106D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-05-10.

Method for making a quad leadframe for a semiconductor device

Номер патента: US5339518A. Автор: Truoc T. Tran,Wilhelm Sterlin. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-08-23.

Method For Making Semiconductor Device By Adopting Stress Memorization Technique

Номер патента: US20210335672A1. Автор: Wei Lu,Wei Zhou,Chao Sun,Xiaolin Xu,Weiwei Ma,Yamin CAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for making semiconductor device by adopting stress memorization technique

Номер патента: US11443986B2. Автор: Wei Lu,Wei Zhou,Chao Sun,Xiaolin Xu,Weiwei Ma,Yamin CAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-09-13.

Method of fabricating semiconductor package, semiconductor package formed thereby, and semiconductor device including the same

Номер патента: US09508704B2. Автор: Hyunsoo Chung,Inyoung LEE,Taeje Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, power unit, and amplifier

Номер патента: US20180090595A1. Автор: Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Iii-v compound semiconductor device having dopant layer and method of making the same

Номер патента: US20160049477A1. Автор: Mark Van Dal,Richard Kenneth Oxland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

III-V compound semiconductor device having dopant layer and method of making the same

Номер патента: US09685514B2. Автор: Mark Van Dal,Richard Kenneth Oxland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of producing composite substrate sic and method of making a semiconductor substrate

Номер патента: RU2720397C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2020-04-29.

Semiconductor Device Manufacturing Methods and Methods of Forming Insulating Material Layers

Номер патента: US20130043512A1. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Gin-Chen Huang,Tsai-fu Hsiao,Ching-Hong Jiang,Hongfa Luan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-21.

Semiconductor device manufacturing methods and methods of forming insulating material layers

Номер патента: US09607826B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Gin-Chen Huang,Tsai-fu Hsiao,Ching-Hong Jiang,Hongfa Luan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device having an indium doped dielectric layer located therein and a method of manufacture therefor

Номер патента: US20030100195A1. Автор: John Osenbach,Julia Duncan,William Minford. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2003-05-29.

Method of making openings in a layer of a semiconductor device

Номер патента: US20070202690A1. Автор: Jian-Hong Chen,Bang-Chein Ho,Jen-Chieh Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-08-30.

Semiconductor device and method of double photolithography process for forming patterns of the semiconductor device

Номер патента: CN102386190A. Автор: 金东贤,梁松里,权五益,郑丞弼,赵哄. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-21.

Wet etching method of silicon oxide layer and method for manufacturing a semiconductor device including the wet etching method

Номер патента: KR100546358B1. Автор: 황인석,고용선,윤병문,이원준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-01-26.

Semiconductor thin film, method of producing the same, apparatus for producing the same, semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: EP1049144A1. Автор: Yoshinao Taketomi,Yoshiko Mino,Mikihiko Nishitani,Keizaburo Kuramasu,Masashi Goto,Hiroshi Tsutsu,Hikaru Nishitani,Masumi Izuchi,Hiroshi Satani. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2000-11-02.

Method of Manufacturing an Insulation Layer on Silicon Carbide and Semiconductor Device

Номер патента: US20200027716A1. Автор: Komatsu Yuji. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

Method of manufacturing insulation film inter metal wire in a semiconductor device

Номер патента: KR0159016B1. Автор: 이승무. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-02-01.

Method of forming a trench type isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100323868B1. Автор: 김선우,김한민. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-03-08.

Method of forming an inter-layer dielectric film in a semiconductor device

Номер патента: KR100363839B1. Автор: 김선우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-06.

Porous membrane shaping composition, preparation method of porous membrane, porous membrane intercalation insulating film and semiconductor device

Номер патента: CN1536023A. Автор: ,笹子胜,中川秀夫,���Ｊ¡,滨田吉隆,浅野健. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-13.

Method of forming a aluminum oxide thin film in a semiconductor device

Номер патента: KR100356473B1. Автор: 김경민,유용식,임찬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-18.

Method of forming dielectric with air gaps for use in semiconductor devices

Номер патента: US9876075B2. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09929239B2. Автор: Mohammad Rakib Uddin,Myoung-Jae Lee,Ji-hyun Hur,Dong-Soo Lee,Sang-Moon Lee,Sung-Hun Lee,Seong-Ho Cho,David Seo,Moon-seung YANG,Eui-chul HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Compound-semiconductor photovoltaic cell and manufacturing method of compound-semiconductor photovoltaic cell

Номер патента: EP3167491A1. Автор: Shunichi Sato. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-17.

Compound-semiconductor photovoltaic cell and manufacturing method of compound-semiconductor photovoltaic cell

Номер патента: US11527666B2. Автор: Shunichi Sato. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-13.

Method of controlling gate oxide thickness in the fabrication of semiconductor devices.

Номер патента: EP0631308A3. Автор: Ara Philipossian,Brian S Doyle,Hamid R Soleimani. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1996-06-12.

Process for making a field effect transistor type semiconductor device

Номер патента: EP0285206B1. Автор: Christian Rocher,Serge Gourrier,Patrick Daniel Rabinzohn. Владелец: Laboratoires dElectronique Philips SAS. Дата публикации: 1992-01-15.

Methods of forming a hole having a vertical profile and semiconductor devices having a vertical hole

Номер патента: US20110201203A1. Автор: Bo-Un Yoon,Dae-hyuk Kang,Hyo-san Lee,Kun-tack Lee,So-Ra Han,Seong-ho Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-18.

Methods of forming a stack of electrodes and three-dimensional semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20160099170A1. Автор: Seok-Won Lee,Dongseog EUN,Joonhee Lee,Young-Ho Lee,Yoocheol Shin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-04-07.

Method of manufacturing semiconductor chip including forming dicing grooves and semiconductor device

Номер патента: US20240079272A1. Автор: Jong Su Kim,Byung Cheol Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

METHOD OF MAKING A STRAINED STRUCTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160027897A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,LEE Tsung-Lin,YEH Chih Chieh,YUAN Feng,PENG Cheng-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

Methods of forming zinc oxide based II-VI compound semiconductor layers with shallow acceptor conductivities

Номер патента: US7723154B1. Автор: Robert F. Davis,Bunmi T. Adekore,Jonathan M. Pierce,George B. Kenney. Владелец: LUMENZ LLC. Дата публикации: 2010-05-25.

Methods of forming zinc oxide based II-VI compound semiconductor layers with shallow acceptor conductivities

Номер патента: US7829376B1. Автор: Robert F. Davis,Bunmi T. Adekore,Jonathan M. Pierce. Владелец: LUMENZ Inc. Дата публикации: 2010-11-09.

The method of the method for laminate layer transfer and manufacture semiconductor devices

Номер патента: CN102867736B. Автор: 丸山纯矢,高山彻,大野由美子,后藤裕吾. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-11.

Method of forming a shallow trench isolation structure in a semiconductor device

Номер патента: GB0011692D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-07-05.

Semiconductor devices, FinFET devices and methods of forming the same

Номер патента: US09997633B2. Автор: Chii-Ming Wu,Ru-Shang Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of making a semiconductor device using multiple layer sets

Номер патента: US20140167227A1. Автор: Bi-Ming Yen,Tsai-Chun Li,Chun-Ming Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Etching composition for selectively etching silicon nitride, etching method, and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240014044A1. Автор: Hyun Goo Kang,Young Mee Kang,Eun Seok Oh,Sang Woo LIM,Tae Gun Park,Go Un KIM. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-01-11.

Inhibiting propagation of imperfections in semiconductor devices

Номер патента: US20140042594A1. Автор: David J. Hill,Timothy M. Sullivan,Stephen P. Ayotte,Glen E. Richard,Heather M. TRUAX. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor Devices, Multi-Die Packages, and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20170256487A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor Devices, Multi-Die Packages, and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20160155730A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor devices, multi-die packages, and methods of manufacure thereof

Номер патента: US09984969B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor devices, multi-die packages, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09659863B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Microelectronic devices with through-substrate interconnects and associated methods of manufacturing

Номер патента: EP4322215A3. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Sarah A. Niroumand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

A method of cleaning a surface of a compound semiconductor crystal of group II-VI elements of periodic table

Номер патента: EP0827189B1. Автор: Hideyuki Doi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2003-05-14.

Method of controlling wafer bow in a type III-V semiconductor device

Номер патента: US12080785B2. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Mihir Tungare,Jianwei Wan,Seong-Eun Park. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device including uniform contact plugs and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20100200833A1. Автор: Jung-Hoon Park,Yoon-Jong Song,Jae-Min Shin,Kyu-Rie SIM,Shin-Hee HAN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Method of plasma anodizing third to fifth group compound semiconductor

Номер патента: JPS55117244A. Автор: Takeshi Kobayashi,Yoshitaka Furukawa. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1980-09-09.

Microelectronic devices with through-substrate interconnects and associated methods of manufacturing

Номер патента: EP4322215A2. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Sarah A. Niroumand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Method of forming a high quality interfacial layer for a semiconductor device by performing a low temperature ald process

Номер патента: US20140242788A1. Автор: Dina Triyoso,Gabriela Dilliway,Elke Erben,Rimoon Agaiby. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of Improving Package Creepage Distance

Номер патента: US20240105447A1. Автор: Hans-Juergen Funke,Tim Böttcher,Ivan Shiu. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: KR101749694B1. Автор: 박성수,이문상. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US8466472B2. Автор: Sung Soo Park,Moon Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-18.

Methods of fluorinating filters used in the manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US20190105613A1. Автор: Cesar M. Garza. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-11.

METHODS OF CURING A DIELECTRIC LAYER FOR MANUFACTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160307762A1. Автор: Hyun Sang-Jin,Na Hoon-Joo,HWANG Yoon-Tae,Park Moon-Kyu,Yoon Ki-Joong. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

Method of forming a inter metal insulating layer of a semiconductor device

Номер патента: KR100296330B1. Автор: 이정래,홍상기. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-08-07.

The manufacture method of stacked grinding pad and manufacture method thereof and semiconductor device

Номер патента: CN103945984B. Автор: 数野淳. Владелец: Toyo Tire and Rubber Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-18.

Method of fabricating substrate having thin film of joined for semiconductor device

Номер патента: KR101230394B1. Автор: 김경준,김동운,이보현,박승용,어성우,유율리아. Владелец: 삼성코닝정밀소재 주식회사. Дата публикации: 2013-02-06.

Method of reducing focusing error of exposure process in a semiconductor device

Номер патента: TW408366B. Автор: Ho-Young Kang,Jung-Hyeon Lee,Jin-Seog Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-10-11.

METHOD OF FORMING AN ELECTRODE ON A SUBSTRATE AND A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE INCLUDING AN ELECTRODE

Номер патента: US20210028021A1. Автор: Raisanen Petri,Hsu Peng-Fu,Johnson Ward,MOUSA MOATAZ BELLAH. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR PACKAGE, SEMICONDUCTOR PACKAGE FORMED THEREBY, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150318261A1. Автор: Cho Taeje,Chung Hyunsoo,LEE Inyoung. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

METHOD OF FORMING AN ELECTRODE ON A SUBSTRATE AND A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE INCLUDING AN ELECTRODE

Номер патента: US20190304790A1. Автор: Raisanen Petri,Hsu Peng-Fu,Johnson Ward,MOUSA MOATAZ BELLAH. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

Method of Controlling Wafer Bow in a Type III-V Semiconductor Device

Номер патента: US20200303531A1. Автор: Kim Peter,PARK Seong-eun,Tungare Mihir,Wan Jianwei,Kannan Srinivasan. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

Method of Controlling Wafer Bow in a Type III-V Semiconductor Device

Номер патента: US20180374941A1. Автор: Kim Peter,PARK Seong-eun,Tungare Mihir,Wan Jianwei,Kannan Srinivasan. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

Method of forming a shallow trench isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100564988B1. Автор: 김정근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-03-28.

2-DIMENSION SEMICONDUCTOR, METHOD OF p-TYPE DOPING THE SAME, AND 2-DIMENSION SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: KR102080083B1. Автор: 조문호,서승영,허호석,성지호. Владелец: 기초과학연구원. Дата публикации: 2020-02-24.

Method of forming a high density plasma film in a semiconductor device

Номер патента: KR100356470B1. Автор: 김정근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-18.

Method of forming a film at low temperature for a semiconductor device

Номер патента: KR0175430B1. Автор: 겐지 오까다,이찌로 나까야마,분지 미즈노. Владелец: 마쯔시다 덴기 산교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-04-01.

Method of forming an inter-layer insulating film in a semiconductor device

Номер патента: KR20010003789A. Автор: 이병주. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 2001-01-15.

Manufacturing method of small photoresist pattern using thermal flow process for semiconductor device

Номер патента: KR100510448B1. Автор: 김창환,이중현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-21.

A method of manufacturing a capacitor having high dielectric in a semiconductor device

Номер патента: KR100600286B1. Автор: 조호진,임찬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-13.

Manufacturing Method of Semiconductor Substrate having Mask Pattern for High Quality Semiconductor Device

Номер патента: KR101379341B1. Автор: 이원석,이동헌,장종진,남옥현,우서휘. Владелец: 한국산업기술대학교산학협력단. Дата публикации: 2014-04-02.

method of manufacturing a capacitor having high dielectric in a semiconductor device

Номер патента: KR100593136B1. Автор: 조호진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-26.

A method of producing a zinc oxide-containing material and a semiconductor device with a zinc oxide-containing material

Номер патента: DE102008039183A1. Автор: Fritz Prof. Dr. Henneberger,Sergey Dr. Sadofev. Владелец: Humboldt Universitaet zu Berlin. Дата публикации: 2010-02-25.

METHOD OF MANUFACTURING InAsSb SEMICONDUCTOR ON LATTICE-MISMATCHED SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE BY USING THE SAME

Номер патента: KR100921693B1. Автор: 장준연,최원준,송진동,임주영. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2009-10-15.

Method of controlling wafer bow in a type iii-v semiconductor device

Номер патента: EP3419046A2. Автор: Srinivasan Kannan,Seong Eun Park,Mihir Tungare,Peter Wook Kim,Jianwei Wan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-12-26.

Method of forming buried isolation regions in semiconductor substrates and semiconductor devices with buried isolation regions

Номер патента: TWI374507B. Автор: Toshiharu Furukawa,Mark C Hakey,Steven J Holmes,David V Horak,Charles W Koburger. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2012-10-11.

METHOD FOR MAKING A SUPPORT STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: RU2005122937A. Автор: Алан Льюис,Глен КЭРИ,Ян ДЖЕНКС,Рене ЛУДЖАН,Хайлун ЧЖО,Глен КЭРИ (US),Ян ДЖЕНКС (GB),Алан ЛЬЮИС (US),Рене ЛУДЖАН (US),Хайлун ЧЖО (US). Владелец: Новалюкс, Инк. (Us). Дата публикации: 2006-01-20.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Method of forming through-hole in silicon substrate, method of forming electrical connection element penetrating silicon substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US09633930B2. Автор: Jaegab LEE,Daekyun JEONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kookmin University. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor devices including through-silicon-vias and methods of manufacturing the same and semiconductor packages including the semiconductor devices

Номер патента: US12014972B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Ju-Il Choi,Jin-ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Methods of curing a dielectric layer for manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US09923077B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Yoon-Tae Hwang,Moon-Kyu Park,Ki-joong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same, and semiconductor packages including the semiconductor devices

Номер патента: US09691685B2. Автор: Hyung-Jun Jeon,Byung-lyul Park,Ji-Soon Park,Jum-Yong Park,Jin-Ho Chun,Kyu-Ha Lee,Jin-ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of fabricating an electrical contact for use on a semiconductor device

Номер патента: US09934978B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of forming a titanium silicide film involved in a semiconductor device

Номер патента: US5543359A. Автор: Tadahiko Horiuchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-08-06.

METHOD OF EPITAXIAL GROWTH IN LIQUID PHASE OF SEMICONDUCTORS AND SEMICONDUCTOR DEVICE THUS REALIZED

Номер патента: FR2277432A1. Автор: . Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1976-01-30.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: KR101170284B1. Автор: 아담 엘. 올슨. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2012-07-31.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: TW200903641A. Автор: Adam L Olson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-01-16.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: WO2008150722A1. Автор: Adam L. Olson. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-12-11.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: US20080296732A1. Автор: Adam L. Olson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-04.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: CN101681811A. Автор: 亚当·L·奥尔森. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-03-24.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: US20100193917A1. Автор: Adam L. Olson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Method of Fabricating an Electrical Contact for Use on a Semiconductor Device

Номер патента: US20170047228A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor devices, methods of manufacturing the same, and electronic systems including the semiconductor devices

Номер патента: US20230066186A1. Автор: Sangsoo Lee,Hyungjoon Kim,Sangmin Kang,WooJin Jang,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Manufacturing method of a tray, a socket for inspection, and a semiconductor device

Номер патента: US20050202597A1. Автор: Noriyuki Takahashi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Method of forming a shallow trench isolation structure in a semiconductor device

Номер патента: US7265026B2. Автор: Chee Hong Choi. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-04.

Methods of forming staircase structures and related staircase structures and semiconductor device structures

Номер патента: EP3732706A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Kaveri Jain,Robert Dembi,Lance Williamson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

Methods of forming staircase structures and related staircase structures and semiconductor device structures

Номер патента: WO2019133289A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Kaveri Jain,Robert Dembi,Lance Williamson. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-07-04.

Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode

Номер патента: US12020938B2. Автор: Peng-Fu Hsu,Petri Raisanen,Moataz Bellah Mousa,Ward Johnson. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of manufacturing conductive electrodes for a circuit element, and semiconductor device thus obtained

Номер патента: US4749442A. Автор: Stefan Barbu,Claude E. P. Chapron. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1988-06-07.

Method of hybrid packaging a lead frame based multi-chip semiconductor device with multiple interconnecting structures

Номер патента: US9425181B2. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Peter Wilson,Yan Xun Xue,Zhiqiang Niu,Ming-Chen Lu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of Hybrid Packaging a Lead Frame Based Multi-Chip Semiconductor Device with Multiple Interconnecting Structures

Номер патента: US20150236005A1. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Peter Wilson,Yan Xun Xue,Zhiqiang Niu,Ming-Chen Lu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor Packages and Methods of Forming RDL and Side and Back Protection for Semiconductor Device

Номер патента: US20230343668A1. Автор: Il Kwon Shim,Dzafir Bin Mohd SHARIFF,Ronnie M. DE VILLA. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9653590B2. Автор: Junji Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09997612B2. Автор: Junji Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of manufacturing semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting element, electronic device, and machine device

Номер патента: US20130168691A1. Автор: Hiromitsu Sakai. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Microelectrode array unit having liquid crystal polymer, and method of making said unit

Номер патента: RU2488914C2. Автор: Сун Джун КИМ,Сеун Воо ЛИ,Чоон Джае ЛИ,Соонкван АН. Владелец: Нуро Био-Системз Корп.. Дата публикации: 2013-07-27.

Article containing a silicon base and a coating layer in the form of a nanofilm of carbon with a diamond-type crystal lattice, and a method of making said article

Номер патента: RU2715472C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-02-28.

Compound semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190020318A1. Автор: Atsushi Yamada,Norikazu Nakamura,Junji Kotani,Kozo Makiyama,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Semiconductor device, method and apparatus for manufacturing semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20240275132A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Yuki Taniguchi. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

High voltage semiconductor devices and methods of making the devices

Номер патента: US09876104B2. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Substrates for semiconductor devices

Номер патента: EP2936550A1. Автор: Wang Nang Wang,Timothy Mollart,Quanzhong Jiang,Christopher Rhys Bowen,Michael John Edwards,Duncan ALLSOPP. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2015-10-28.

Method of growing semiconductor nanowires using a catalyst alloy

Номер патента: US20230178369A1. Автор: Magnus Tarlé BORGSTRÖM,Patrick FLATT,Lukas HRACHOWINA. Владелец: Alignedbio Ab. Дата публикации: 2023-06-08.

Method of growing semiconductor nanowires using a catalyst alloy

Номер патента: WO2021234462A2. Автор: Magnus Tarlé BORGSTRÖM,Patrick FLATT,Lukas HRACHOWINA. Владелец: Alignedbio Ab. Дата публикации: 2021-11-25.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110294297A1. Автор: Mitsunari Sukekawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

A method of making reliable wafer level chip scale package semiconductor devices

Номер патента: WO2008112725A1. Автор: Harry Gee,Umesh Sharma,Phillip Holland. Владелец: California Micro Devices Corporation. Дата публикации: 2008-09-18.

Capacitor having an electrode structure, method of manufacturing a capacitor having an electrode structure and semiconductor device having an electrode structure

Номер патента: TW201140852A. Автор: Kyung-hyun Kim,Sung-Jun Kim,Suk-Hun Choi,Jin-I LEE,Chang-Sup Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-16.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Manufacturing method of semiconductor device and dry etching apparatus for the same

Номер патента: US20140273482A1. Автор: Masaki Matsui,Yoshinori Tsuchiya,Shinichi Hoshi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Compound semiconductor layered structures and processes for making the same

Номер патента: US20240258105A1. Автор: Ulrich Schmid,Markus Leitgeb,Ben DEPUYDT,Georg PFUSTERSCHMIED. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2024-08-01.

III-nitride semiconductor device with doped epi structures

Номер патента: US09608075B1. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Scott Nelson,Mihir Tungare,Jianwei Wan,Seong-Eun Park. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150028391A1. Автор: Tsuyoshi Takahashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-01-29.

Compound semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: EP1714323A1. Автор: Aled Owen Morgan,Maurice Howard Fisher,Benoit Alfred Louis Roumiguieres. Владелец: IQE SILICON COMPOUNDS LTD. Дата публикации: 2006-10-25.

Compound semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: WO2005081320A1. Автор: Aled Owen Morgan,Maurice Howard Fisher,Benoit Alfred Louis Roumiguieres. Владелец: IQE SILICON COMPOUNDS LTD. Дата публикации: 2005-09-01.

Power device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240096944A1. Автор: Boram Kim,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device having a passivation layer and method of making the same

Номер патента: US20180166406A1. Автор: Yi-An Lin,C. C. Chang,Yu-Lung Shih,Alan KUO,Chao-Keng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor wafer, method of producing semiconductor wafer and electronic device

Номер патента: US09755040B2. Автор: Takeshi Aoki,Noboru Fukuhara,Hiroyuki Sazawa. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of making interconnect structure

Номер патента: US09748134B2. Автор: Yu-Yun Peng,Joung-Wei Liou,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of Manufacturing a Vertical Junction Field Effect Transistor

Номер патента: US20160064534A1. Автор: Romain Esteve,Cedric OUVRARD. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-03-03.

Method of manufacturing a vertical junction field effect transistor

Номер патента: US09666696B2. Автор: Romain Esteve,Cedric OUVRARD. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Coating liquid for forming thin metal oxide film, thin metal oxide film, field-effect transistor and method of making field-effect transistor

Номер патента: RU2546725C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Юдзи СОНЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2015-04-10.

Methods for fabricating semiconductor devices that have polycrystalline CVD diamond

Номер патента: US10699896B2. Автор: Daniel Francis,Daniel James Twitchen,Firooz Nasser-Faili,Frank Yantis LOWE. Владелец: RFHIC Corp Korea. Дата публикации: 2020-06-30.

Low-leakage schottky diodes and method of making a power semiconductor device

Номер патента: US20230327027A1. Автор: Kyekyoon Kim,Palash SARKER,Frank P. KELLY. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of making a polycrystalline thin film, a mask pattern used in the same and a method of making a flat panel display device using the same

Номер патента: US20070015320A1. Автор: Ki-Yong Lee,Hye-Hyang Park. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-18.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230155351A1. Автор: Shinya Nishimura,Eiji Yagyu,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor device and method forming the same

Номер патента: US12131973B2. Автор: Chang-Sheng Lin,Hsiu-Mei Yu,Cheng-Yi Hsieh,Guang-Yuan JIANG,Wei-Chan Chang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method comprising redistribution layers

Номер патента: US09576919B2. Автор: Christopher M. Scanlan,Craig Bishop. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

AlxGayIn1-x-yN CRYSTALLINE SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MAKING SAID DEVICE

Номер патента: RU2401481C2. Автор: Томоки УЕМУРА,Син ХАСИМОТО,Такудзи ОКАХИСА,Мунейюки НИСИОКА,Синсуке ФУДЗИВАРА,Кодзи УЕМАЦУ,Манабу ОКУИ. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2010-10-10.

Method of making a cmos semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (soi) wafer

Номер патента: US20180323301A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-11-08.

Method of making a cmos semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (soi) wafer

Номер патента: US20160268433A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-09-15.

Nanocrystal memory with differential energy bands and method of formation

Номер патента: US20100155824A1. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-06-24.

Method of making resist mask with wide image resolution range

Номер патента: RU2610782C1. Автор: Сергей Васильевич Зеленцов,Валентина Евгеньевна Котомина,Иван Николаевич Антонов,Олег Николаевич Горшков,Александр Валерьевич Круглов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2017-02-15.

Epitaxial metallic transition metal nitride layers for compound semiconductor devices

Номер патента: US20160035851A1. Автор: David J. Meyer,Brian P. Downey,Douglas S. Katzer. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor devices and fabrication methods

Номер патента: EP2681777A1. Автор: Tao Wang. Владелец: Seren Photonics Ltd. Дата публикации: 2014-01-08.

Semiconductor device with ferroelectric aluminum nitride

Номер патента: US11996451B2. Автор: Miin-Jang Chen,Bo-Ting Lin,Tzong-Lin Jay Shieh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-05-28.

Method of implanting a workpiece to improve growth of a compound semiconductor

Номер патента: US20120286285A1. Автор: Ludovic Godet,Morgan D. Evans. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2012-11-15.

Method of implanting a workpiece to improve growth of a compound semiconductor

Номер патента: WO2012158619A1. Автор: Ludovic Godet,Morgan D. Evans. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2012-11-22.

Method of manufacturing low resistivity p-type compound semiconductor material

Номер патента: US20020068468A1. Автор: Tzong-Liang Tsai,Chung-Ying Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-06.

Method of manufacturing low resistivity p-type compound semiconductor material

Номер патента: US20020119587A1. Автор: Tzong-Liang Tsai,Chung-Ying Chang. Владелец: United Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-29.

Method of isolating transistors using LOW-K dielectrics and resultant semiconductor device

Номер патента: TW395012B. Автор: Howard L Tigelaar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-06-21.

Method of etching porous insulating film, dual damascene process, and semiconductor device

Номер патента: TWI223341B. Автор: Koichiro Inazawa,Tomoki Suemasa,Li-Hung Chen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-11-01.

Method of controlling photoresist stripping process and regenerating photoresist stripper composition based on near infrared spectrometer

Номер патента: EP1285312A1. Автор: Jong-min Kim,Tae-Joon Park,Mi-Sun Park,Yoon-Gil Yim,Cheol-Woo Kang. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-26.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20200043732A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

METHODS OF FORMING A STACK OF ELECTRODES AND THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES FABRICATED THEREBY

Номер патента: US20160099170A1. Автор: Lee Seok-Won,Lee Young-Ho,SHIN Yoocheol,Eun Dongseog,Lee Joonhee. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

COMPOSITION FOR ETCHING, METHOD OF ETCHING SILICON NITRIDE LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190136132A1. Автор: Han Hoon,PARK Jaewan,Lee Jinuk,Lim Junghun,Bae Sang Won,HON YOUNG TAEK. Владелец: SOULBRAIN CO., LTD.. Дата публикации: 2019-05-09.

A kind of method of different line width transistor gate height in improvement semiconductor devices

Номер патента: CN110444470A. Автор: 陈建勋,李昱廷,刘怡良,吴信德. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

The manufacture method of method for regulating temperature, heat treating equipment and semiconductor devices

Номер патента: CN100576127C. Автор: 上野正昭,杉下雅士. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2009-12-30.

SELECTIVE GAS ATTACK METHOD OF A SILICON NITRIDE LAYER FOR THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: FR2375339A1. Автор: Klaus Paschke. Владелец: ITT Industries Inc. Дата публикации: 1978-07-21.

Method of Forming Ion Implantation Region in Separation Pattern of Semiconductor Device

Номер патента: KR100928097B1. Автор: 탁기덕. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2009-11-24.

Method of forming a spin on glass film of a semiconductor device

Номер патента: GB2320808B. Автор: Sang Ho Jeon,Sang Ki Hong,Hyug Jin Kwon. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-17.

Method of removing sidewall spacers in the fabrication of a semiconductor device using an improved removal process

Номер патента: US20040087155A1. Автор: Manfred Horstmann,Karsten Wieczorek,Rolf Stephan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-05-06.

Method of integrating post-etching cleaning process with deposition for semiconductor device

Номер патента: US20050158664A1. Автор: Yu-Liang Lin,Henry Lo,Mei-Sheng Zhou,Ping Chuang,Joshua Tseng,Hung-Jung Tu,Ching-Ya Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Method of forming an element isolation insulating film in a semiconductor device

Номер патента: KR100197647B1. Автор: 이일호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of determining galvanic corrosion and interconnect structure in a semiconductor device for prevention of galvanic corrosion

Номер патента: US20170169152A1. Автор: Jian-Hong Lin,Yu Ching Lee,Te-Liang Lee,Jyh-Weei Hsia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-15.

Method of determining galvanic corrosion and interconnect structure in a semiconductor device for prevention of galvanic corrosion

Номер патента: US09734271B2. Автор: Jian-Hong Lin,Yu Ching Lee,Te-Liang Lee,Jyh-Weei Hsia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US7615485B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-10.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US20110018046A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240239817A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI,Yeong Jae HEO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of fabricating nonpolar gallium nitride-based semiconductor layer, nonpolar semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09966497B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device, method of manufacturing thereof, signal transmission/reception method using such semiconductor device, and tester apparatus

Номер патента: US8334759B2. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-18.

Method of forming a bump having a rugged side, a semiconductor device having the bump, and a method of mounting a semiconductor unit and a semiconductor device

Номер патента: US5545589A. Автор: Yoshihiro Bessho,Yoshihiro Tomura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-13.

Method of packaging multiple integrated circuit chips in a standard semiconductor device package

Номер патента: WO1997037374A3. Автор: Dennis J Herrell. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1997-11-20.

Method of forming conductive bumps for cooling device connection and semiconductor device

Номер патента: US20200258814A1. Автор: Perre Kao,Chun-Jen Chen,You-Hua Chou,Yi-Jen LAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Composition for curable resin, cured product of said composition, method of producing said composition and said cured product, and semiconductor device

Номер патента: US20200024426A1. Автор: Yoshinori Nishitani,Masaki Minami. Владелец: JXTG Nippon Oil and Energy Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic apparatus including the semiconductor device

Номер патента: US20220328628A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor device, method of manufacturing thereof, signal transmission/reception method using such semiconductor device, and tester apparatus

Номер патента: US20140246743A1. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-09-04.

Method of growing nitride semiconductors, nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor device

Номер патента: US6153010A. Автор: Shuji Nakamura,Naruhito Iwasa,Hiroyuki Kiyoku,Tokuya Kozaki,Kazuyuki Chocho. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2000-11-28.

Method of manufacturing compound semiconductor substrate

Номер патента: US20020146912A1. Автор: Takao Miyajima,Akira Usui,Shigetaka Tomiya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

II-III-N semiconductor nanoparticles and method of making same

Номер патента: US09985173B2. Автор: Tim Michael Smeeton,Jonathan Heffernan,Stewart Edward Hooper,Peter Neil Taylor. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150333135A1. Автор: Naoya Okamoto,Toshihide Kikkawa,Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Compound for filling small gaps in a semiconductor device, composition including the compound, and method of fabricating a semiconductor capacitor

Номер патента: US20110151640A1. Автор: Tae Ho Kim,Chang Soo Woo,Sung Jae Lee,Hee Jae Kim,Sang Geun Yun. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Compound semiconductor solar cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180248059A1. Автор: Hyun Lee,Soohyun KIM,Wonseok Choi,Younho HEO,Gunho Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-08-30.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed circuit board (PCB) in a battery management system (BMS)

Номер патента: AU2023204342B2. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed circuit board (PCB)

Номер патента: US12080634B2. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device, printed circuit board (pcb), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (mosfet) to a printed circuit board (pcb) in a battery management system (bms)

Номер патента: US20220399256A1. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed...

Номер патента: GB2605306A. Автор: Richard Stanfield James,P Mcbride James. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2022-09-28.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed circuit board (PCB) in a battery management system (BMS)

Номер патента: AU2023204342A1. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device, printed circuit board (pcb), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (mosfet) to a printed circuit board (pcb) in a battery management system (bms)

Номер патента: EP4066317A4. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2024-01-10.

Thermally enhanced semiconductor assembly with heat spreader and integrated dual build-up circuitries and method of making the same

Номер патента: US09570372B1. Автор: Chia-Chung Wang,Charles W. C. Lin. Владелец: Bridge Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Standard cell device and method of forming an interconnect structure for a standard cell device

Номер патента: US20200328109A1. Автор: Juergen Boemmels,Julien Ryckaert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-10-15.

Manufacturing method of the semiconductor package, pick and place device, and workpiece handling apparatus

Номер патента: US20240178015A1. Автор: Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Hsien-Ju Tsou,Chien-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20080149953A1. Автор: Yoshinori Kinoshita,Masanobu Ando,Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi,Ryohei Inazawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US12062602B2. Автор: Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Ming-Shih Yeh,Hua-Wei Tseng,Chiang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device structure integrating air gaps and methods of forming the same

Номер патента: US12068372B2. Автор: Kuan-Lun Cheng,Wen-Hsing Hsieh,Chih-Ching Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20150061127A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09941140B2. Автор: Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Hung-Jui Kou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09576874B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Methods of forming finfet devices

Номер патента: US20240234534A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor Devices and Manufacturing Methods Thereof

Номер патента: US20160307928A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor devices, transistors, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09837401B2. Автор: Hung-Chih Yu,Shih-Che Lin,Ching-Kun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09646994B2. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods of Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20170278757A1. Автор: Andreas Martin,Uwe Hodel,Wolfgang Heinrigs. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-28.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09704756B2. Автор: Andreas Martin,Uwe Hodel,Wolfgang Heinrigs. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Methods of forming alternative channel materials on a non-planar semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US09627245B2. Автор: Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Nicolas Loubet,Bruce Doris. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-18.

Metal-germanium physical vapor deposition for semiconductor device defect reduction

Номер патента: US20080311747A1. Автор: Noel Russell,Douglas E. Mercer,Doufeng Yue,Peijun J. Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

Semiconductor devices with memory cells

Номер патента: US20210217859A1. Автор: WEI CHANG,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2719569C1. Автор: Ясуаки ХАЯМИ,Тецуя ХАЯСИ,Вэй НИ,Риота ТАНАКА,Кейсуке ТАКЕМОТО. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-04-21.

Methods of forming a contact structure for a vertical channel semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US09741847B2. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688863C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: RU2606780C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-01-10.

Method of making a self-aligned contact in semiconductor device

Номер патента: KR100260577B1. Автор: 김재갑. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-08-01.

Method of making a low profile highly-packaged semiconductor device

Номер патента: CN100364074C. Автор: J·H·纳普,J·A·约德,H·G·安德森. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2008-01-23.

Method of forming a titanium silicide film involved in a semiconductor device

Номер патента: GB9426039D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-02-22.

Method of forming a titanium silicide film involved in a semiconductor device

Номер патента: GB2285455B. Автор: Tadahiko Horiuchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-07-09.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09954091B2. Автор: Motonobu Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Techniques for increased dopant activation in compound semiconductors

Номер патента: US09576819B2. Автор: Kevin Jones,Christopher R. HATEM,Benjamin Colombeau,Aaron Lind. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor Devices and Methods of Making the Same

Номер патента: US20200020533A1. Автор: Wai Tien Chan,Wing Chong Tony CHAU,Wing Kit CHEUNG. Владелец: Alpha Power Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of making semiconductor device

Номер патента: US20020155727A1. Автор: Katsuya Okumura,Masaki Narita,Tokuhisa Ohiwa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: WO2024118238A1. Автор: Martin Domeij,Jimmy Robert Hannes FRANCHI. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of making metal interconnections

Номер патента: RU2767154C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2022-03-16.

Semiconductor devices comprising getter layers and methods of making and using the same

Номер патента: US9620428B2. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor devices comprising getter layers and methods of making and using the same

Номер патента: US09620428B2. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20170358462A1. Автор: Kazuhiko Kitano,Seita ARAKI. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Semiconductor device containing memory cells with a fuse in static random memory cell (SRAM) device and method of manufacturing same

Номер патента: US9905512B2. Автор: Yukio Maki,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US9209140B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20140091366A1. Автор: Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Woong-je SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20170162541A1. Автор: Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Hung-Jui Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20190295925A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chih-Hung Su,Kun-Ming Tsai,Cheng-Lung Yang,Wei-Je Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20160276270A1. Автор: Yukio Maki,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Methods of forming FinFET devices

Номер патента: US11955528B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20190115321A1. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Ching-Pin Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

A semiconductor device having a silicided gate electrode and method of manufacture therefor

Номер патента: WO2005084342A2. Автор: Jiong-Ping Lu. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2005-09-15.

Three dimensional semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11910614B2. Автор: Chang Sup Lee,Phil Ouk NAM,Sung Yun LEE,Chang Seok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Metal-germanium physical vapor deposition for semiconductor device defect reduction

Номер патента: US7803703B2. Автор: Noel Russell,Douglas E. Mercer,Doufeng Yue,Peijun J. Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-09-28.

Semiconductor device and electrical contact

Номер патента: US11978780B2. Автор: Jan Fischer,Tim Böttcher,Olrik Schumacher. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-07.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR PACKAGES INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170033032A1. Автор: Park Byung-lyul,Park Ji-Soon,Lee Kyu-Ha,PARK Jum-Yong,Chun Jin-Ho,Jeon Hyung-Jun,An Jin-Ho. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

METHODS OF FORMING SUBSTANTIALLY SELF-ALIGNED ISOLATION REGIONS ON FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20150129934A1. Автор: Wang Wenhui,LiCausi Nicholas V.,Xie Ruilong,Kamineni Vimal K.,Wedlake Michael,Cantone Jason R.,Bello Abner F.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-05-14.

METHOD OF FORMING THROUGH-HOLE IN SILICON SUBSTRATE, METHOD OF FORMING ELECTRICAL CONNECTION ELEMENT PENETRATING SILICON SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED THEREBY

Номер патента: US20160148858A1. Автор: LEE Jaegab,JEONG Daekyun. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

METHODS OF FORMING A CONTACT STRUCTURE FOR A VERTICAL CHANNEL SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICE

Номер патента: US20170154994A1. Автор: Pawlak Bartlomiej Jan. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING THROUGH-SILICON-VIAS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR PACKAGES INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180218966A1. Автор: Park Byung-lyul,MOON Kwang-Jin,CHOI Ju-Il,An Jin-Ho,FUJISAKI Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

Methods of forming alternative channel materials on a non-planar semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US20150255295A1. Автор: Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Nicolas Loubet,Bruce Doris. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same, and semiconductor packages including the semiconductor devices

Номер патента: KR102303983B1. Автор: 박병률,문광진,최주일,안진호,후지사키. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-09-23.

Method of forming an electrode on a substrate of a semiconductor device

Номер патента: US6048783A. Автор: Hye-Young Kim,Kyo-Hoo Moon. Владелец: LG LCD Co Ltd. Дата публикации: 2000-04-11.

METHOD OF FORMING INTERLAYER DIELECTRIC FILM ABOVE METAL GATE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140120706A1. Автор: Chen Li,Liu Ding-I,Leu Po-Hsiung,Lin Jyh-Nan,Sun Chin-Feng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-05-01.

Method of forming metal layer used in the fabrication of semiconductor device

Номер патента: US20090098733A1. Автор: Hyun-Suk Lee,Hyun-Young Kim,Kwang-jin Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-16.

FABRICATION METHOD OF A MIXED ALLOY LEAD FRAME FOR PACKAGING POWER SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130273697A1. Автор: Lu Jun,Feng Tao,Niu Zhi Qiang. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

METHOD OF FORMING A MULTI-LEVEL INTERCONNECT STRUCTURE IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210028106A1. Автор: Machkaoutsan Vladimir,Briggs Basoene,Tokei Zsolt. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

Method of Fabricating an Electrical Contact for Use on a Semiconductor Device

Номер патента: US20170047228A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

METHOD OF SELECTIVELY DEPOSITING A CAPPING LAYER STRUCTURE ON A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20190148224A1. Автор: ISHIKAWA Dai,Kobayashi Akiko,Kuroda Aurélie. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

METHOD OF FORMING A HIGH QUALITY INTERFACIAL LAYER FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE BY PERFORMING A LOW TEMPERATURE ALD PROCESS

Номер патента: US20140242788A1. Автор: Erben Elke,Triyoso Dina,Dilliway Gabriela,Agaiby Rimoon. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of Hybrid Packaging a Lead Frame Based Multi-Chip Semiconductor Device with Multiple Interconnecting Structures

Номер патента: US20150236005A1. Автор: Yilmaz Hamza,Xue Yan Xun,WILSON Peter,Lu Jun,Niu Zhiqiang,Lu Ming-Chen,Huo Yan. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure

Номер патента: US10910262B2. Автор: Akiko Kobayashi,Dai Ishikawa,Aurélie Kuroda. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-02-02.

Method of forming a self-aligned silicide layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100508080B1. Автор: 김한성,김호식,우성오. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-26.

Method of forming an element isolation oxide film in a semiconductor device

Номер патента: KR100232883B1. Автор: 김영태,이주석,한우식,이창권,정광용,양예석,박인옥. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-12-01.

Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode

Номер патента: US10847371B2. Автор: Peng-Fu Hsu,Petri Raisanen,Moataz Bellah Mousa,Ward Johnson. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-11-24.

Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode

Номер патента: US11398382B2. Автор: Peng-Fu Hsu,Petri Raisanen,Moataz Bellah Mousa,Ward Johnson. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-07-26.

Method of fabricating metal lines by dual damascene process and semiconductor device has the metal lines

Номер патента: KR100687434B1. Автор: 금동렬. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-02-26.

Method of forming an element field oxide film in a semiconductor device

Номер патента: KR100237023B1. Автор: 이동호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-01-15.

Formation method of silicide layer using the Excimer laser for the semiconductor devices

Номер патента: KR20230016746A. Автор: 이승희,김준업. Владелец: 주식회사 지엔테크. Дата публикации: 2023-02-03.

Method of controlling gate dopant penetration and diffusion in a semiconductor device

Номер патента: US6174807B1. Автор: Isik C. Kizilyalli,Joseph Rudolph Radosevich. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2001-01-16.

Method of fabricating a fin field effect transistor in a semiconductor device

Номер патента: US7316945B2. Автор: Jeong-Ho Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-01-08.

Method of bonding and transferring a material to form a semiconductor device

Номер патента: US6616854B2. Автор: Robert E. Jones,Sebastian Csutak. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-09-09.

Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode

Номер патента: TW201942960A. Автор: 徐鵬富,派提 瑞薩能,摩拉她 巴拉 慕薩,華德 強森. Владелец: 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司. Дата публикации: 2019-11-01.

Method of bonding and transferring a material to form a semiconductor device

Номер патента: WO2003052817A2. Автор: Robert E. Jones,Sebastian Csutak. Владелец: Motorola, Inc., A Corporation Of The State Of Delaware. Дата публикации: 2003-06-26.

Manufacturing method of semiconductor wafer with adhesive layer, photosensitive adhesive, and semiconductor device

Номер патента: JPWO2012017955A1. Автор: 真二郎 藤井,修一 森,一行 満倉. Владелец: Resonac Corporation. Дата публикации: 2013-10-03.

Electronic Materials, Methods of Manufacturing the Same, Dielectric Capacitors, Nonvolatile Memory, and Semiconductor Devices

Номер патента: KR19980064698A. Автор: 다나까마사히로,나겔니콜라스,와따나베고지,가또리겐지. Владелец: 이데이노부유끼. Дата публикации: 1998-10-07.

Method of forming a self-aligned contact pad for a semiconductor device

Номер патента: US6355547B1. Автор: Gwan-Hyeob Koh,Jae-Goo Lee,Chang-Hyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-12.

Method of forming a trench for use in manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20040171211A1. Автор: Sang-rok Hah,Hong-seong Son,Sung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-02.

A method of forming a metallic electrode and the metallic electrode semiconductor device

Номер патента: DE102008012678A1. Автор: Akihiro Kariya Niimi,Manabu Kariya Tomisaka,Hisatoshi Kariya Kojima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Methods of forming staircase structures and related staircase structures and semiconductor device structures

Номер патента: EP3732706A4. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Kaveri Jain,Robert Dembi,Lance Williamson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-08.

Method of manufacturing semiconductor laser, semiconductor laser, optical pickup, optical disk device, method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and method of growing nitride type group iii-v compound semiconductor layer

Номер патента: US20120207185A1. Автор: Eiji Nakayama,Masaru Kuramoto,Yoshitsugu Ohizumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Method of manufacturing semiconductor laser, semiconductor laser, optical pickup, optical disk device, method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and method of growing nitride type group iii-v compound semiconductor layer

Номер патента: US20090034567A1. Автор: Tsuyoshi Fujimoto,Eiji Nakayama,Masaru Kuramoto,Yoshitsugu Ohizumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-02-05.

Sulfur salt containing cig targets, methods of making and methods of use thereof

Номер патента: WO2012054476A3. Автор: Paul Shufflebotham,Daniel R. Juliano,Robert Tas,Neil M. Mackie. Владелец: MIASOLE. Дата публикации: 2012-08-02.

Compound semiconductor device, method of manufacturing compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US20200251584A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Compound semiconductor device, method of manufacturing compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US11094813B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

Semiconductor device and fabrication method of the same

Номер патента: US20070167031A1. Автор: Hiroyuki Oguri. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Method of producing diodes of medium-wave infrared spectrum

Номер патента: RU2599905C2. Автор: Наталья Дмитриевна Ильинская,Борис Анатольевич Матвеев,Максим Анатольевич Ременный,Анна Александровна Усикова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ИоффеЛЕД". Дата публикации: 2016-10-20.

Manufacturing method of compound semiconductor device

Номер патента: EP2575177A3. Автор: Naoya Okamoto,Yuichi Minoura,Toshihide Kikkawa,Kozo Makiyama,Toshihiro Ohki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-08-06.

Method of making thin-film solar module with scribing layers

Номер патента: RU2715088C1. Автор: Илья Александрович Няпшаев,Виктор Сергеевич Тарасов,Федор Сергеевич Егоров,Александр Дмитриевич Дубровский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Хевел». Дата публикации: 2020-02-25.

Method of making photocell structure

Номер патента: RU2509392C2. Автор: Йоханнес МАЙЕР,Тобиас РОШЕК,Маркус КУПИХ,Стефано БЕНАГЛИ. Владелец: Тел Солар Аг. Дата публикации: 2014-03-10.

Method of making multiple-junction and multiple-electrode photovoltaic cells

Номер патента: RU2529659C2. Автор: Марк ВЕРМЕЕРШ,Лоик ФРАНК. Владелец: Тоталь Маркетинг Сервисиз. Дата публикации: 2014-09-27.

Method of making a photoconverter on a germanium substrate with a rear contact output on the front side of the semiconductor structure

Номер патента: RU2703820C1. Автор: Борис Николаевич Самсоненко,Сергей Георгиевич Ханов. Владелец: Публичное акционерное общество "Сатурн" (ПАО "Сатурн"). Дата публикации: 2019-10-22.

Compound semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09691890B2. Автор: Atsushi Yamada,Norikazu Nakamura,Junji Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of making a photovoltaic device with scratch-resistant antireflective coating and resulting product

Номер патента: EP2156474A2. Автор: Pramod K. Sharma. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2010-02-24.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Masaki YAMAKAJI,Takuya Miwa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making permanent magnet and permanent magnet

Номер патента: RU2490745C2. Автор: Хироси НАГАТА,Йосинори СИНГАКИ,Казутоси ТАКАХАСИ,Ясуо НАКАДАИ. Владелец: Улвак, Инк.. Дата публикации: 2013-08-20.

Large area thin film capacitors on metal foils and methods of manufacturing same

Номер патента: WO2009117544A1. Автор: Seigi Suh,William J. Borland,Esther Kim,Cengiz Ahmet Palanduz. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2009-09-24.

Large area thin film capacitors on metal foils and methods of manufacturing same

Номер патента: EP2258151A1. Автор: Seigi Suh,William J. Borland,Esther Kim,Cengiz Ahmet Palanduz. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2010-12-08.

Housing of semiconductor device from metal matrix composite and method of its manufacturing

Номер патента: RU2724289C1. Автор: Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Алексеевич Золотарев,Лариса Владимировна Чумакова. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-06-22.

Method of making bond pad

Номер патента: US20160020183A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Chiang-Ming Chuang,Chun Che HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

Method of making bond pad

Номер патента: US20140322908A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Chiang-Ming Chuang,Chun Che HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-10-30.

Method of making bond pad

Номер патента: US9252109B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Chiang-Ming Chuang,Chun Che HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-02.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: CA2632233A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-14.

Doped, passivated graphene nanomesh, method of making the doped, passivated graphene nanomesh, and semiconductor device including the doped, passivated graphene nanomesh

Номер патента: US20150069305A1. Автор: Dennis M. Newns,Ahmed Maarouf,Glenn John Martyna,Ahmed Abou-Kandil,Hisham Mohamed. Владелец: Egypt Nanotechnology Center EGNC. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Method of fabricating integrated structure for MEMS device and semiconductor device

Номер патента: US09988264B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Min Chen,Bang-Chiang Lan,Chien-Hsin Huang,Hui-Min Wu,Tzung-I Su,Li-Hsun Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of forming a diode for integration with a semiconductor device and method of forming a transistor device having an integrated diode

Номер патента: EP1102318B1. Автор: Evgueniy Stefanov,Jean-Michel Reynes,Ivana Deram. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-29.

Semiconductor devices with duplicated die bond pads and associated device packages and methods of manufacture

Номер патента: US09875993B2. Автор: Nathan J. Sirocka,Trismardawi Tanadi,Andrew D. Proescholdt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of fabricating specimen for analyzing defects of semiconductor device

Номер патента: US5840205A. Автор: Doo-Jin Park,Jeong-Hoi Koo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Semiconductor devices, FinFET devices and methods of forming the same

Номер патента: US09876083B2. Автор: Chia-Ming Tsai,Wei-Cheng Wang,Miin-Jang Chen,Liang-Chen Chi,Chin-Kun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240332375A1. Автор: Jong Ho Lee. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method of forming inductor over insulating material filled trench in substrate

Номер патента: SG185341A1. Автор: Seung Uk Yoon,YongTaek Lee,Meenakshi Padmanathan. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor devices, image sensors, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09859326B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yeur-Luen Tu,Cheng-ta Wu,Sheng-Chau Chen,Chih-Hui Huang,Tung-Ting Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: US20120305994A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2012-12-06.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: EP1969617A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2008-09-17.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US11309432B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute Of Microelectronics Chinese /academy Of Sciences. Дата публикации: 2022-04-19.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US10475935B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-11-12.

Methods of forming low defect replacement fins for a FinFET semiconductor device and the resulting devices

Номер патента: US09614058B2. Автор: Jody Fronheiser,Ajey P. Jacob,Kerem Akarvardar,Witold P. Maszara. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices on diffusion barrier coated substrates and methods of making the same

Номер патента: CA2761748C. Автор: Kevin McCarthy,Michael Kocsis,Arvind Kamath,Gloria Man Ting Wong. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2016-01-12.

A semiconductor device, a method of manufacturing the same, and a circuit having the semiconductor device

Номер патента: TWI532182B. Автор: Takashi Takahama,Naoki Tega,Dai Hisamoto,Hiroyuki Okino. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-05-01.

Method of making a gate electrode on a semiconductor device

Номер патента: US20040266115A1. Автор: Bor-Wen Chan,Fang-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

DOPED, PASSIVATED GRAPHENE NANOMESH, METHOD OF MAKING THE DOPED, PASSIVATED GRAPHENE NANOMESH, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE DOPED, PASSIVATED GRAPHENE NANOMESH

Номер патента: US20150069305A1. Автор: Maarouf Ahmed,Abou-Kandil Ahmed,Newns Dennis M.,Martyna Glenn John,Mohamed Hisham. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor device, method of producing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20230343803A1. Автор: Atsushi Fujiwara,Toshiaki Iwafuchi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Methods of Forming Electrostatic Discharge Devices

Номер патента: US20130122677A1. Автор: Kai Esmark. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-05-16.

C-shaped active area semiconductor device, method of manufacturing the same and electronic device including the same

Номер патента: US20210175366A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-06-10.

Method of forming a diode for integration with a semiconductor device and method of forming a transistor device having an integrated diode

Номер патента: US6773977B1. Автор: Evgueniy Stefanov,Jean-Michel Reynes,Ivana Deram. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2004-08-10.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170162714A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-08.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGING DEVICE, APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20130256824A1. Автор: KOIKE Kaoru,Fujii Nobutoshi,Kobayashi Hideki,MIZUTA KYOHEI,OKA OSAMU,YOSHIOKA HIROTAKA. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-03.

Method of Tuning Doping Concentration in III-V Compound Semiconductor through Co-Doping Donor and Acceptor Impurities

Номер патента: US20160079366A1. Автор: Tsai Pang-Yen,CHANG Huicheng,LIN Hung-Ta,Chen Meng-Ku. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

Method of forming an epitaxially grown nitride-based compound semiconductor crystal substrate structure and the same substrate structure

Номер патента: US20030017685A1. Автор: Masatomo Shibata,Akira Usui,Yuichi Oshima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-01-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230063261A1. Автор: Wei-kai Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor Devices, Image Sensors, and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20150214267A1. Автор: JHY-JYI SZE,Yeur-Luen Tu,Cheng-ta Wu,Sheng-Chau Chen,Chih-Hui Huang,Tung-Ting Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12009296B2. Автор: Wei-kai Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150155304A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Junichiro Sakata,Hideaki Kuwabara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-04.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US20200027995A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-01-23.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140209902A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Junichiro Sakata,Hideaki Kuwabara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

Semiconductor device, method of manufacturing thereof, signal transmission/reception method using such semiconductor device, and tester apparatus

Номер патента: US20130099340A1. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THEREOF, SIGNAL TRANSMISSION/RECEPTION METHOD USING SUCH SEMICONDUCTOR DEVICE, AND TESTER APPARATUS

Номер патента: US20140246743A1. Автор: NAKASHIBA Yasutaka. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-04.

METHOD OF FABRICATING NONPOLAR GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LAYER, NONPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130248818A1. Автор: Choi Seung Kyu,Kim Chae Hon,Jung Jung Whan. Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-09-26.

METHODS OF FORMING LOW DEFECT REPLACEMENT FINS FOR A FINFET SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20160013296A1. Автор: Jacob Ajey P.,Maszara Witold P.,Akarvardar Kerem,Fronheiser Jody. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING THROUGH-SILICON-VIAS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR PACKAGES INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160086874A1. Автор: Park Byung-lyul,MOON Kwang-Jin,CHOI Ju-Il,An Jin-Ho,FUJISAKI Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

METHODS OF FORMING LOW DEFECT REPLACEMENT FINS FOR A FINFET SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20140264488A1. Автор: Jacob Ajey P.,Maszara Witold P.,Akarvardar Kerem,Fronheiser Jody. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

METHOD OF FABRICATING NONPOLAR GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LAYER, NONPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150270435A1. Автор: Choi Seung Kyu,Kim Chae Hon,Jung Jung Whan. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

METHOD OF FORMING CONDUCTIVE BUMPS FOR COOLING DEVICE CONNECTION AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200258814A1. Автор: Chen Chun-Jen,Chou You-Hua,LAI Yi-Jen,KAO Perre. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

Light emitting device having nitride based thin film, method of manufacturing the same and template for fabricating a semiconductor device

Номер патента: KR101868423B1. Автор: 최유항. Владелец: 주식회사 루미스타. Дата публикации: 2018-06-20.

A method of manufacturing a unit for a ball grid array semiconductor device and producing a ball grid array semiconductor device

Номер патента: DE19802575B4. Автор: Yong Tae Kwon,Jin Sung Kim,Kwang Sung Choi. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

The manufacture method of circuit board, semiconductor-fabricating device, circuit board and semiconductor device

Номер патента: CN101611490A. Автор: 川口均,奥川良隆,作道庆一. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-23.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US7825497B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-02.

METHODS OF FORMING A STACK OF ELECTRODES AND THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES FABRICATED THEREBY

Номер патента: US20140054787A1. Автор: Lee Seok-Won,Lee Young-Ho,SHIN Yoocheol,Eun Dongseog,Lee Joonhee. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-27.

Composition for curable resin, cured product of said composition, method of producing said composition and said cured product, and semiconductor device

Номер патента: US20200024426A1. Автор: Yoshinori Nishitani,Masaki Minami. Владелец: JXTG Nippon Oil and Energy Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

METHOD OF DETERMINING GALVANIC CORROSION AND INTERCONNECT STRUCTURE IN A SEMICONDUCTOR DEVICE FOR PREVENTION OF GALVANIC CORROSION

Номер патента: US20170169152A1. Автор: Lin Jian-Hong,Lee Te-Liang,LEE YU CHING,HSIA JYH-WEEI. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

Manufacturing method of semiconductor SAB capable of preventing electric leakage and semiconductor device

Номер патента: CN115602542A. Автор: 周黎林. Владелец: Warship Chip Manufacturing Suzhou Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2023-01-13.

DESCRIPTION NOVEL COMPUND, METHOD OF PRODUCING THE COMPOUND, ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL AND ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140051865A1. Автор: Takimiya Kazuo. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-20.

Method of Forming a Field-Effect Transistor (FET) or Other Semiconductor Device with Front-Side Source and Drain Contacts

Номер патента: US20180145170A1. Автор: Peterson Eric,Nayak Rajesh,Dix Greg,Shumate Jina. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2018-05-24.

Method of and apparatus for controlling probe tip sanding in semiconductor device testing equipment

Номер патента: US20040051519A1. Автор: Kwang-Yung Cheong,Jun-Sung Kim,Byung-Wook Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-18.

A method of arranging a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device mountable on a substrate

Номер патента: DE10101948B4. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Evergrand Holdings Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Method of growing nitride semiconductors, nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor device

Номер патента: CN1159750C. Автор: , ,Ҳ,岩佐成人,中村修二,清久裕之,小崎德也,蝶蝶一幸. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2004-07-28.

Semiconductor device with built-in contacts (versions) and method of making semiconductor devices with built-in contacts (versions)

Номер патента: RU2394305C2. Автор: Кеннет Скотт Александр БАТЧЕР,Эп ФУКЕ Мари-Пьер Франсуаз ВИНТРЕБЕР,Аланна Хулия Хуне ФЕРНАНДЕС. Владелец: Гэлиэм Энтерпрайзис Пти Лтд. Дата публикации: 2010-07-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09685445B2. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Methods of forming a compound semiconductor device including a diffusion region

Номер патента: US20100144123A1. Автор: Yong-Hwan Kwon,Mi-Ran Park,Dae Kon Oh,Bongki Mheen,Jae-Sik SIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-10.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09685338B2. Автор: Yuichi Minoura,Yoshitaka Watanabe. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of making semiconductor pressure sensors

Номер патента: RU2702820C1. Автор: Сергей Павлович Малюков,Александр Михайлович Светличный,Юлия Владимировна Клунникова,Александр Викторович Саенко,Дина Алексеевна Бондарчук,Дмитрий Викторович Тимощенко. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет). Дата публикации: 2019-10-11.

Method of making a plurality of packaged semiconductor devices

Номер патента: US20180301353A1. Автор: Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Jetse de Witte,Jan Gulpen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-10-18.

Method of making a plurality of packaged semiconductor devices

Номер патента: US10431476B2. Автор: Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Jetse de Witte,Jan Gulpen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-10-01.

Method of making a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US09859184B2. Автор: Hans-Martin Ritter,Frank Burmeister. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device package and method of making the same

Номер патента: US09564393B1. Автор: Chi-Tsung Chiu,Kuo-Hua Chen,Chih-Yi Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US20220344506A1. Автор: Kejun Xia,Saumitra Raj Mehrotra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US09947632B2. Автор: CHI HO Leung,Shun Tik Yeung,Pompeo V Umali,Wai (Kan Wae) Lam. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of making electrostatic discharge protection cell and antenna integrated with through silicon via

Номер патента: US20240234347A1. Автор: Fong-Yuan Chang,Chih-Liang Chen,Xinyong Wang,Tzu-Heng Chang,HoChe Yu. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of making semiconductor device having reduced bump height variation

Номер патента: US20240222318A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Optical element array, optical system and method of manufacturing optical element array

Номер патента: US11675220B2. Автор: Changgyun Shin,Dongsik Shim,Changbum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-13.

Optical element array, optical system and method of manufacturing optical element array

Номер патента: US20200183196A1. Автор: Changgyun Shin,Dongsik Shim,Changbum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US20170170122A1. Автор: Rainer Mintzlaff,Hans-Martin Ritter,Frank Burmeister,Jochen Wynants,Joachim Utzig,Godfried Henricus Josephus Notermans. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-06-15.

Optical element array, optical system and method of manufacturing optical element array

Номер патента: US20230258966A1. Автор: Changgyun Shin,Dongsik Shim,Changbum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Optical element array, optical system and method of manufacturing optical element array

Номер патента: US12032232B2. Автор: Changgyun Shin,Dongsik Shim,Changbum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: EP1535342A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-01.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: WO2004017414A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries L.L.C.. Дата публикации: 2004-02-26.

Method of making a semiconductor device having a functional capping

Номер патента: US09620390B2. Автор: Thorbjörn Ebefors,Edvard Kalvesten,Tomas Bauer. Владелец: SILEX MICROSYSTEMS AB. Дата публикации: 2017-04-11.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: EP3876267A1. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2021-09-08.

Semiconductor device having an inter-layer via (ilv), and method of making same

Номер патента: US20210272968A1. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Hong-Chen Cheng,Tsung-Hsien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor device with a strained region and method of making

Номер патента: US09553149B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Compound semiconductor devices having buried resistors formed in buffer layer

Номер патента: US20160358905A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Compound semiconductor devices having buried resistors formed in buffer layer

Номер патента: US20190027471A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Methods for fabricating a compound semiconductor protection device for low voltage and high speed data lines

Номер патента: US20030176042A1. Автор: Vrej Barkhordarian. Владелец: Linfinity Microelectronics Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US12087852B2. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: RU2606248C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor Devices Having pFET with SiGe Gate Electrode and Embedded SiGe Source/Drain Regions and Methods of Making the Same

Номер патента: US20100297818A1. Автор: Jiang Yan,Roman Knoefler,Alois Gutmann,Jin-Ping Han,Yung Fu Chong,Jingyu Lian,Chris Stapelmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-25.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US20020064950A1. Автор: Toshio Nagata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-30.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20240096702A1. Автор: Yuta Sugimoto,Kenta Kuroda. Владелец: Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor Device and Method of Making Same

Номер патента: US20150129950A1. Автор: Achim Gratz,Georg Tempel,Ernst-Otto Andersen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-05-14.

Method of making a transistor having asymmetric threshold voltage and buck converter

Номер патента: US20240223087A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Chin-Lung Chen,Chia-Cheng PAO,Chu Fu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of manufacturing a semiconductor device including capping layer, barrier layer and work function layer

Номер патента: US12046657B2. Автор: Hsueh Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of making a semiconductor device including an all around gate

Номер патента: US20140357036A1. Автор: Huiming Bu,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-12-04.

Semiconductor device and method of fabricating 3D package with short cycle time and high yield

Номер патента: US09941207B2. Автор: Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method of fabricating 3D package with short cycle time and high yield

Номер патента: US09653445B2. Автор: Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240243121A1. Автор: Shin-Cheng Lin,Chia-Ching HUANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods of reinforcing integrated circuitry of semiconductor devices and related semiconductor devices and packages

Номер патента: US20190393110A1. Автор: AJAY Kumar,John House,Hyunsoo Yeom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Method of making a semiconductor device having a thermal contact

Номер патента: US12094799B2. Автор: FENG HAN,Jian Wu,Shuai ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Compound semiconductor device, method for producing same, and resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: US09865679B2. Автор: Hideki Mizuhara,Yoshihiro Matsushima,Shinichi Oohashi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device having fuse array and method of making the same

Номер патента: US11626368B2. Автор: Po-Hsiang Huang,Shao-Yu Chou,Chih-hao Chen,Meng-Sheng CHANG,An-Jiao FU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-11.

Method of marking a semiconductor package

Номер патента: US20160172306A1. Автор: Christopher M. Scanlan. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Method of making a semiconductor device having a gate electrode with an hourglass shape

Номер патента: US7091094B2. Автор: Jeong-Hwan Son,Hyeong-Mo Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-15.

Packaged semiconductor device having a lead frame and inner and outer leads and method for forming

Номер патента: US09978669B2. Автор: Chee Seng Foong. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US09893231B2. Автор: CHEN Ou,Chia Chen TSAI,Chi Ling LEE,Chi Shiang HSU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of marking a semiconductor package

Номер патента: US09613912B2. Автор: Christopher M. Scanlan. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device with reinforced integrated circuitry and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2019245708A1. Автор: AJAY Kumar,John House,Hyunsoo Yeom. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2019-12-26.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160372368A1. Автор: Jian-Hong Lin,Shiou-Fan CHEN,Chwei-Ching Chiu,Yung-Huei Lee,Hsin-Chun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09966375B2. Автор: Seong-Ju Kim,Mirco Cantoro,Yong-Joon Choi,Cheol Kim,Woong-Ki Hong,Do-hyoung Kim,Dong-Hoon KHANG,Chang-Jae Yang,Seung-Mo Ha,Tae-yong Kwon,Woo-Ram KIM,Seung-Jin MUN,So-Ra YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09941159B2. Автор: Jian-Hong Lin,Shiou-Fan CHEN,Chwei-Ching Chiu,Yung-Huei Lee,Hsin-Chun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09922949B2. Автор: Sukianto Rusli. Владелец: Chip Solutions LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of making a dual strained channel semiconductor device

Номер патента: US09601385B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US12009364B2. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Meng-Hung Shen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20230275096A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Meng-Hung Shen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US20180076106A1. Автор: Isamu Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Method of making a charge compensation semiconductor device using direct bonding and corresponding device

Номер патента: EP1119871A1. Автор: Raymond J. Grover. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-08-01.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20240332303A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Meng-Hung Shen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of making semiconductor structures

Номер патента: RU2738772C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-12-16.

Method of making a load resistor of a static random access memory on a semiconductor wafer

Номер патента: US6046080A. Автор: Yi-Tyng Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-04-04.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by using such a method

Номер патента: WO2004070831A1. Автор: Yukiko Furukawa. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw,. Дата публикации: 2004-08-19.

Method of forming a capacitor and an electrical connection thereto, and method of forming DRAM circuitry

Номер патента: US20010055850A1. Автор: Howard Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Semiconductor assembly and method of manufacture

Номер патента: US09997507B2. Автор: RUI Zhou,Peter Micah Sandvik,Peter Almern Losee,Avinash Srikrishnan Kashyap. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-06-12.

Manufacturing method of transistor with independent contact to substrate

Номер патента: RU2739861C1. Автор: Александр Сергеевич Мокеев,Тамара Александровна Шоболова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2020-12-29.

Method of making a cathode active material

Номер патента: US20230268496A1. Автор: Alan Nelson,Yu-Hua Kao,Benjamin Malley,Fangfu Zhang,Edward Matios. Владелец: Redwood Materials. Дата публикации: 2023-08-24.

Method of making a cathode active material

Номер патента: AU2023220914A1. Автор: Alan Nelson,Yu-Hua Kao,Benjamin Malley,Fangfu Zhang,Edward Matios. Владелец: Redwood Mat. Дата публикации: 2024-08-01.

Multi-acid polymers and methods of making the same

Номер патента: US09694357B1. Автор: Rameshwar Yadav. Владелец: Nissan North America Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of making a two-layer anode substrate with a thin-film electrolyte for solid oxide fuel cell

Номер патента: RU2735327C1. Автор: Сергей Иванович Бредихин,Ольга Васильевна Тиунова,Ольга Юрьевна Задорожная,Юрий Кондратьевич Непочатов,Илья Николаевич Бурмистров,Дмитрий Александрович Агарков,Екатерина Алексеевна Агаркова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2020-10-30.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230036228A1. Автор: Yoshikazu Motoyama,Akito Iwao. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Compound semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130126897A1. Автор: Tadahiro Imada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2737722C1. Автор: Николай Александрович Брюхно,Василий Васильевич Афанаскин,Маргарита Юрьевна Котова,Александр Евгеньевич Яценко. Владелец: Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ". Дата публикации: 2020-12-02.

Fin-shaped semiconductor device, fabrication method, and application thereof

Номер патента: US12040356B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device and testing device

Номер патента: US20210320184A1. Автор: Kensuke Okumura,Tomoo Yamanouchi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device and testing device

Номер патента: US11764278B2. Автор: Kensuke Okumura,Tomoo Yamanouchi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20050189584A1. Автор: Hajime Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745586C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Self-aligned silicon carbide semiconductor devices and methods of making the same

Номер патента: NZ549359A. Автор: Igor Sankin,Janna B Casady,Joseph N Merrett. Владелец: Semisouth Lab Inc. Дата публикации: 2009-03-31.

Optical semiconductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200098567A1. Автор: Takehiko Kikuchi,Nobuhiko Nishiyama,Morihiro Seki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Method of making semiconductor device including optical through via and method of using

Номер патента: US20230384537A1. Автор: Hung-Yi Kuo,Chien-Te Wu,Tsung-Yuan Yu,Hui Yu Lee,Jui-Feng Kuan,Yu-Hao Chen,Chung-Ming Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of making semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US11763061B2. Автор: Yu-Jen Chen,Ling-Sung Wang,I-Shan Huang,Chan-yu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of making a low noise semiconductor device comprising a screening measurement

Номер патента: US5683917A. Автор: Cuong Tran,Ralph Francis Trambarulo,Samuel Suresh Martin. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-11-04.

Method of making a semiconductor structure useful in making a split gate non-volatile memory cell

Номер патента: WO2011084915A2. Автор: Brian A. Winstead,Sung-taeg Kang,Spencer E. Williams,Cheong M. Hong,Konstantin V. Loiko. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US11817486B2. Автор: Steven Kwan,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Method to produce a 3d multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US20240274534A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20100261301A1. Автор: Katsuki Kusunoki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2010-10-14.

Method to produce a 3D multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US12100658B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of making semiconductor device electrostatic discharge diode

Номер патента: US12100702B2. Автор: Jam-Wem Lee,Li-Wei Chu,Ming-Fu Tsai,Wun-Jie Lin,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US09929263B2. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Jan Sonsky,Godefridus Adrianus Maria Hurkx,Jeroen Antoon CROON. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-03-27.

Methods of making lateral junction field effect transistors using selective epitaxial growth

Номер патента: EP2277195A2. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-01-26.

Methods of making lateral junction field effect transistors using selective epitaxial growth

Номер патента: WO2009129049A2. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2009-10-22.

Stressed semiconductor device and method for making

Номер патента: US20100244121A1. Автор: Brian A. Winstead,Sung-taeg Kang,Cheong M. Hong,Konstantin V. Loiko,Taras A. Kirichenko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-30.

Gallium nitride based high electron mobility transistor (GaN-HEMT) device with an iron-doped cap layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09997594B2. Автор: Atsushi Yamada,Norikazu Nakamura,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method of making

Номер патента: US09653581B2. Автор: Hou-Yu Chen,Yu-Chang Lin,Chun-Feng Nieh,Wen-Tai Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of making silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7947555B2. Автор: Eiichi Okuno,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

(AI,Ga,In)N-Based compound semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: EP1772909A3. Автор: Chung Hoon Lee. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-06.

Direct bandgap substrates and methods of making and using

Номер патента: US09666600B2. Автор: Ioannis Kymissis,Vincent Wing-Ho Lee. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device having a Buried Field Plate

Номер патента: US20150214311A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-07-30.

Method of making a semiconductor chip assembly with a post/base heat spreader with a thermal via

Номер патента: US20110275180A1. Автор: Charles W.C. Lin,Chia-Chung Wang,Ming Yu Shih. Владелец: Bridge Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US20160104772A1. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-04-14.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US20180261674A1. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-09-13.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US20170040427A1. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-02-09.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US11990474B2. Автор: Chi-Feng Huang,Shu Fang Fu,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US09991351B2. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US09905662B2. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US6022773A. Автор: Masato Sakao. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-08.

Group iii-v compound semiconductor device

Номер патента: US20190267453A1. Автор: Hyunsu Ju,Jin-Dong Song,Joonyeon Chang,Gyosub LEE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-08-29.

Light-emitting device and method of making said device

Номер патента: RU2510103C2. Автор: Косуке МАТОБА,Такеаки СИРАСЕ. Владелец: Нитиа Корпорейшн. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor Device with Field Plate and Method

Номер патента: US20080296694A1. Автор: Jan Sonsky. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20080237638A1. Автор: Yasunori Bito. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Compound semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8816408B2. Автор: Toshihide Kikkawa,Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-08-26.

A method of fabricating cmos devices with ultra-shallow junctions and reduced drain area

Номер патента: EP1008174A1. Автор: Ognjen Milic-Strkalj. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-06-14.

Compound semiconductor device including a multilevel carrier

Номер патента: US09754862B2. Автор: Klaus Schiess,Ralf Otremba. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of making metal-ceramic housings of to-220, to-247, to-254 type

Номер патента: RU2740006C1. Автор: Владимир Алексеевич Сидоров,Сергей Владимирович Катаев,Алексей Геннадьевич Чупрунов,Андрей Анатольевич Пронин,Кирилл Владимирович Сидоров. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-12-30.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2648300C1. Автор: Такуя КАДОГУТИ,Наоя ТАКЭ. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2018-03-23.

Compound semiconductor device

Номер патента: US20110108853A1. Автор: Koji Katayama,Masahiro Adachi,Shinji Tokuyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

Compound semiconductor device

Номер патента: US8581296B2. Автор: Koji Katayama,Masahiro Adachi,Shinji Tokuyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-11-12.

Compound semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US20060131607A1. Автор: Hisashi Yamada,Takenori Osada,Noboru Kukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-22.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2584273C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Магомед-Али Вахаевич Зубхаджиев,Асламбек Идрисович Хасанов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Чеченский государственный университет (ФГБОУ ВПО Чеченский государственный университет). Дата публикации: 2016-05-20.

Three-dimensional memory device containing iii-v compound semiconductor channel and contacts and method of making the same

Номер патента: US20210375909A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Peter Rabkin,Ashish Baraskar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09548365B2. Автор: Norikazu Nakamura,Junji Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Fully molded semiconductor structure with face mounted passives and method of making the same

Номер патента: US20220352106A1. Автор: Craig Bishop,Clifford Sandstrom,Timothy L. Olson,Benedict San Jose. Владелец: Deca Technologies USA Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Compound semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120241758A1. Автор: Yuichi Minoura,Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of making semiconductor light- emitting device

Номер патента: US20110076788A1. Автор: Masaki Ueno,Masahiro Adachi,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Shinji Tokuyama,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Light emitting diodes formed on nanodisk substrates and methods of making the same

Номер патента: US20200274029A1. Автор: Miao-Chan TSAI,Benjamin Leung,Richard P. Schneider, Jr.,Fariba DANESH,Zulal TEZCAN OZEL. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2020-08-27.

Method of stabilizing compound semiconductor surface, method of manufacturing semiconductor laser device using the same, and semiconductor device such as semiconductor laser device

Номер патента: JP3778769B2. Автор: 昌規 渡辺. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-05-24.

Method of Soldering for Making a PTC Device

Номер патента: KR100420470B1. Автор: 이안나,이종호,이종환,고창모,최수안,한준구,김주담. Владелец: 엘지전선 주식회사. Дата публикации: 2004-03-02.

Prepreg with carrier material and method of manufacturing the same, multilayer printed circuit board, and semiconductor device

Номер патента: TW200846397A. Автор: Ryoichi Okada. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2008-12-01.

Fabrication method of semiconductor luminescent device

Номер патента: US7629187B2. Автор: Hiroyuki Sumitomo,Makoto Ueda,Satoshi Kajiyama. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2009-12-08.

Fabrication method of semiconductor luminescent device

Номер патента: US20070166961A1. Автор: Hiroyuki Sumitomo,Makoto Ueda,Satoshi Kajiyama. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

METHOD OF MAKING A BAND FROM A SOFT MAGNETIC AMORPHOUS ALLOY WITH INCREASED MAGNETIC INDUCTION BASED ON THE Fe-Ni-Si-B SYSTEM

Номер патента: RU2706081C1. Автор: Борис Владимирович Молотилов,Наталья Борисовна Дьяконова,Борис Александрович Корниенков,Михаил Аронович Либман. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Центральный научно-исследовательский институт черной металлургии им. И.П. Бардина (ФГУП "ЦНИИчермет им. И.П. Бардина"). Дата публикации: 2019-11-13.

Method of controlling an adjustable nozzle and method of making a semiconductor device

Номер патента: US10910199B2. Автор: Ding-I Liu,Wen-Long Lee,Wei-Ching Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Trialkoxysilanes, method of making polyethylenedioxythiophene-based cathode plate having silane underlayer and oxide capacitor having said cathode plate

Номер патента: RU2500682C2. Автор: Ирина Викторовна Осоргина,Александр Викторович Степанов,Владимир Сергеевич Конышев,Виктор Петрович Лебедев,Юрий Александрович Чесноков,Владимир Иванович Кичигин,Алексей Александрович Масалёв,Елена Викторовна Шкляева,Георгий Георгиевич Абашеев,Сергей Павлович Шавкунов. Владелец: Открытое акционерное общество "Элеконд". Дата публикации: 2013-12-10.

Friction-welded electrical ground and methods of making ground

Номер патента: RU2663190C2. Автор: Майкл Уилльям ДАНИО,Лоуренс Дж. ДЮПЮИ,Кимберли Энн ЛАЗАРТС,Стивен РЕУОЛТ. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2018-08-02.

Method of making a light quantity correction filter and method of manufacturing a color cathode ray tube using the light quantity correction filter made by the method

Номер патента: US20010046633A1. Автор: Hiromi Wakasono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor device, method and apparatus for manufacturing semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20240275133A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Yuki Taniguchi,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Sheet from textured electrical steel and method of manufacturing thereof

Номер патента: RU2765976C1. Автор: Макото ВАТАНАБЭ,Хидемаса КОДАМА. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2022-02-07.

Method of making multilayer electronic component

Номер патента: US20070227642A1. Автор: Hiroyuki Suzuki,Hiroshi Yagi,Kazuharu Takahashi,Kazuyuki Hasebe,Akitoshi Yoshii,Tomohiko Komuro. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Focused ion beam system and method of making focal adjustment of ion beam

Номер патента: US09646805B2. Автор: Tomohiro Mihira. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US5459082A. Автор: Jae S. Jeong. Владелец: Gold Star Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Method of treating a disease using a compound having an effect on glycolysis

Номер патента: RU2723215C2. Автор: Джеймс ГЭЛЛОУЭЙ. Владелец: Этикон, Инк.. Дата публикации: 2020-06-09.

A compound for forming a layer on a substrate, a method of forming a layer on a substrate, and a semiconductor device

Номер патента: DE10332567A1. Автор: Günter Dr. Schmid,Marcus Dr. Halik,Hagen Dr. Klauk,Ute Dr. Zschieschang. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-02-17.

Organic semiconductor compound, semiconductor device, solar cell and producing method of organic semiconductor compound

Номер патента: US8710263B2. Автор: YUKA Kobayashi,Kazuhiko Saigo. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2014-04-29.

Organic semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2780409A1. Автор: Subramanian Vaidyanathan,Nikolai Kaihovirta,Tero Mustonen,Jean-Luc Budry. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2014-09-24.

Method of making a perovskite layer at high speed

Номер патента: EP3977529A1. Автор: QI Li,Thomas Nathaniel Tombs,Scott Kenneth Christensen,Stephan J. DeLuca. Владелец: Energy Materials Corp. Дата публикации: 2022-04-06.

Method of making a perovskite layer at high speed

Номер патента: CA3142260A1. Автор: QI Li,Thomas Nathaniel Tombs,Scott Kenneth Christensen,Stephan J. DeLuca. Владелец: Energy Materials Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Method of measuring thermal resistance of transition-case of power semiconductor devices

Номер патента: RU2724148C1. Автор: Владимир Яковлевич Хорольский,Андрей Борисович Ершов,Султан Шарифидинович Байрамалиев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2020-06-22.

Polymorphic forms and methods of producing polymorphic forms of a compound

Номер патента: AU2023221889A1. Автор: Geoffrey E. Barker,Maureen BARNES. Владелец: Viking Therapeutics Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Crystalline forms and methods of producing crystalline forms of a compound

Номер патента: AU2019238090B2. Автор: Hiroko Masamune,Brian Lian,Geoffrey Barker. Владелец: Viking Therapeutics Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Crystalline forms and methods of producing crystalline forms of a compound

Номер патента: US20240043459A1. Автор: Hiroko Masamune,Brian Lian,Geoffrey Barker. Владелец: Viking Therapeutics Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of and apparatus for casting a compound metal bar

Номер патента: US4679613A. Автор: Ronald D. Adams,E. Henry Chia. Владелец: Southwire Co LLC. Дата публикации: 1987-07-14.

Method of forming a layer of a compound

Номер патента: EP4314375A1. Автор: Jochen Mannhart,Wolfgang Braun,Dong Yeong Kim. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2024-02-07.

Polymorphic forms and methods of producing polymorphic forms of a compound

Номер патента: WO2023158607A1. Автор: Geoffrey E. Barker,Maureen BARNES. Владелец: Viking Therapeutics, Inc.. Дата публикации: 2023-08-24.

Method of preparing an element or a compound of an element which is enriched with an isotope of that element

Номер патента: CA1098286A. Автор: Hans-Jurgen Lydtin,Petrus J. W. Severin,Rolf J. Wilden. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1981-03-31.

Crystalline forms and methods of producing crystalline forms of a compound

Номер патента: US11787828B2. Автор: Hiroko Masamune,Brian Lian,Geoffrey Barker. Владелец: Viking Therapeutics Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Crystalline forms and methods of producing crystalline forms of a compound

Номер патента: EP3956309A1. Автор: Lin Zhi,Henri Sasmor. Владелец: Ligand Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2022-02-23.

Crystalline forms and methods of producing crystalline forms of a compound

Номер патента: CA3133929A1. Автор: Lin Zhi,Henri Sasmor. Владелец: Ligand Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Crystalline forms and methods of producing crystalline forms of a compound

Номер патента: AU2020257397A1. Автор: Lin Zhi,Henri Sasmor. Владелец: Ligand Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Method of measuring thermal resistance between a housing of a semiconductor device and a cooling radiator

Номер патента: RU2686859C1. Автор: Павел Владимирович Сорокин,Алексей Иванович Солдатов,Андрей Алексеевич Солдатов,Мария Алексеевна Костина,Юлия Викторовна Шульгина,Иван Михайлович Васильев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2019-05-06.

Method of testing for power and ground continuity of a semiconductor device

Номер патента: US20070200586A1. Автор: Vivien Wong,Wai Phoon,Wah Tan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-30.

Method of testing for power and ground continuity of a semiconductor device

Номер патента: MY139152A. Автор: Vivien Wong,Wai Khuin Phoon,Wah Yew Tan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-08-28.

A method of measuring solubility

Номер патента: WO2003016883A1. Автор: Arnon Chait,Boris Y. Zaslavsky. Владелец: Analiza, Inc.. Дата публикации: 2003-02-27.

Method of finishing a drywall and a compound therefor

Номер патента: US6569497B2. Автор: Travis Hesler. Владелец: DWC LLC. Дата публикации: 2003-05-27.

A method of correcting a mask pattern and a mask, a method of exposure, an apparatus therefor, and a photomask and semiconductor device using the same

Номер патента: DE19628874A1. Автор: Keisuke Tsudaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1997-02-27.

Method of making ceramic base with thin-film microstrip elements

Номер патента: RU2732485C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Алексей Геннадьевич Чупрунов,Андрей Анатольевич Пронин,Кирилл Владимирович Сидоров. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (АО "НПП "Пульсар"). Дата публикации: 2020-09-17.

Method of making masks and electronic parts

Номер патента: EP1003645A1. Автор: Anthony Paul Kitson,Kevin Barry Ray,Gareth Rhodri Parsons,David Stephen Riley,Richard David Hoare,Peter Andrew Reath Bennett,Alan Stanley Victor Monk,Christopher David Mccullough,John David Riches. Владелец: Kodak Graphics Holding Inc. Дата публикации: 2000-05-31.

MEMS device and method of making a MEMS device

Номер патента: US09580299B2. Автор: Alfons Dehe,Martin Wurzer,Christian Herzum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of making a part from powder

Номер патента: RU2699761C1. Автор: Денис Эрнестович Львов. Владелец: Денис Эрнестович Львов. Дата публикации: 2019-09-10.

Manufacturing method of printed-circuit boards and device for production of conducting circuit

Номер патента: RU2697508C1. Автор: Эдуард Владимирович Репницын. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Автоматики Им.Н.Л.Духова" (Фгуп "Внииа"). Дата публикации: 2019-08-15.

Household appliance with touch-sensitive rotary switch, method of manufacturing thereof and method of operation thereof

Номер патента: RU2717048C1. Автор: Флориан МЕЦ,Томас Люберт,Александер ШЛАСС,Александер ЙОН. Владелец: Бсх Хаусгерете Гмбх. Дата публикации: 2020-03-17.

Biological material electromechanical interaction platform and methods of making and operating thereof

Номер патента: WO2020064440A1. Автор: Michael Smith,Sohini Kar-Narayan. Владелец: Cambridge Enterprise Limited. Дата публикации: 2020-04-02.

Method of making a monolithic multi-tone audio speaker cover and product made thereby

Номер патента: US20210368250A1. Автор: Joel Matthew Cormier,Donald Scott Smith,Richard Francois Audi. Владелец: OAKWOOD METAL FABRICATING Co. Дата публикации: 2021-11-25.

Method of making digital photograph and digital photograph made by that method

Номер патента: US7834913B2. Автор: Akira Aoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-16.

Method of obtaining pyripyropene derivatives

Номер патента: RU2532441C2. Автор: Масааки МИТОМИ,Такаси ВАТАНАБЕ,Нобуто МИНОВА,Такаси АНДО,Нозому НАКАНИСИ,Кимихико ГОТО,Кенити КУРИХАРА,Йосимаса ФУКУДА. Владелец: Мейдзи Сейка Фарма Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-11-10.

Methods of preparing solid particulate materials

Номер патента: US20230271142A1. Автор: David Hayward,Alex KERR,Sam TROTTER,Elina BEVENIOU,Matt Bennett. Владелец: Micropore Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

A rotary device and a method of designing and making a rotary device

Номер патента: WO2011073674A3. Автор: Anthony Osborne Dye,Marcus Ardron,Gunnar Moeller. Владелец: EPICAM LIMITED. Дата публикации: 2013-04-18.

A rotary device and a method of designing and making a rotary device

Номер патента: WO2011073674A2. Автор: Anthony Osborne Dye,Marcus Ardron,Gunnar Moeller. Владелец: EPICAM LIMITED. Дата публикации: 2011-06-23.

Rotary device and a method of designing and making a rotary device

Номер патента: US09714655B2. Автор: Marcus Ardron,Gunnar Moeller,Anthony O. Dye. Владелец: Epicam Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Compositions and methods of double-targeting virus infections and cancer cells

Номер патента: WO2002087465A2. Автор: Louis S. Kucera,Susan L. Morris-Natschke,Ronald A. Fleming,Khalid S. Ishaq,Gregory L. Kucera. Владелец: The University Of North Carolina At Chapel Hill Office Of The Technology Development. Дата публикации: 2002-11-07.

Method for placing operational cells in a semiconductor device

Номер патента: US20140351781A1. Автор: Michael Priel,Anton Rozen,Asher BERKOVITZ. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-11-27.

Ferroelectric composition, ferroelectric vapor deposition target and method of making a ferroelectric vapor deposition target

Номер патента: US20020132721A1. Автор: Jianxing Li,Tim Scott,Tamara White. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2002-09-19.

Ferroelectric composition, ferroelectric vapor deposition target and method of making a ferroelectric vapor deposition target

Номер патента: WO2001044535A1. Автор: Jianxing Li,Tim Scott,Tamara White. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2001-06-21.

Spinel-structured metal oxide on a substrate and method of making same by molecular beam epitaxy

Номер патента: US20040123797A1. Автор: Scott Chambers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Coated reinforcing member (versions), use of reinforcing member, method of making fibre-reinforced product

Номер патента: RU2561094C2. Автор: Хайнц-Гюнтер РАЙХВАЙН,Тарек ХАССОН,Дирк ЭВАЛЬД. Владелец: Моументив Спешелти Кемикалс Гмбх. Дата публикации: 2015-08-20.

Methods of making holes in blanks and associated system therewith

Номер патента: RU2667558C2. Автор: Дональд Е. ГЕНРИ,Фрэнк П. ХЕСС,Брайан А. ТОМПСОН. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2018-09-21.

Method of making a honeycomb body

Номер патента: RU2767424C2. Автор: Александер ШОЛЬЦ,Райнер ХАЙНРИХ,Лукас ХОРТ. Владелец: Кпт Груп Гмбх. Дата публикации: 2022-03-17.

Method of making heat treated coated article using diamond-like carbon (dlc) coating and protective film

Номер патента: RU2459772C2. Автор: Херберт ЛАГЕ,Цзянпин ВАН,Нестор П. МЕРФИ,Максимо ФРАТИ,Рудольф Хьюго ПЕТРМИЧЛ,Йенс-Петер МУЛЛЕР. Владелец: Сантр Люксамбуржуа Де Решерш Пур Ле Верр Э Ля Серамик С.А. (С.Р.В.С.). Дата публикации: 2012-08-27.

Method of producing sheet steel with pre-applied coating and corresponding sheet

Номер патента: RU2739892C1. Автор: Франсис ШМИТ,Кентен БЕРНАРДИ. Владелец: Арселормиттал. Дата публикации: 2020-12-29.

Method of making evacuation route label and evacuation route label

Номер патента: RU2533667C2. Автор: Вольфганг ЗУТТЕР. Владелец: Люфтганза Техник Аг. Дата публикации: 2014-11-20.

Method of making turbojet nacelle structure with cellular cores

Номер патента: RU2515750C2. Автор: Бертран ДЕЖУАЙО,Тьерри ДЕШАМ,Джон МУТЬЕ. Владелец: Эрсель. Дата публикации: 2014-05-20.

Panel comprising a cross-sectional image of a tree, a method of making a pattern for such a panel, a unit for selling panels, comprising at least one panel of this type, an embossing element for such a panel and a decorative paper for such a panel

Номер патента: RU2693513C1. Автор: Герхард ДЮРНБЕРГЕР. Владелец: Кайндль Флоринг Гмбх. Дата публикации: 2019-07-03.

Method of making structural part of organic-matrix composite and part thus made

Номер патента: RU2497675C2. Автор: Ришар МАССОН,Патрис ДЮНЛЕАВИ. Владелец: Мессье-Бугатти-Даути. Дата публикации: 2013-11-10.

Set for making mechanical object through diffusion welding and super plastic moulding and method of making such object

Номер патента: RU2355538C2. Автор: Жан-Мишель ФРАНШЕ,Патрик ЖЕЗМЬЕ. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2009-05-20.

Corner fitting and method of making corner fitting using fibre transfer

Номер патента: RU2409712C2. Автор: Джонатан ГЁРИНГ. Владелец: Олбэни Энджиниред Композитс, Инк.. Дата публикации: 2011-01-20.

Method of making part with channel to be assembled from separate parts

Номер патента: RU2480319C1. Автор: Клиффорд Х. БИЛЛ. Владелец: Бейкер Хьюз Инкорпорейтед. Дата публикации: 2013-04-27.

Method of making blading part

Номер патента: RU2497627C2. Автор: БРУ ДЕ КЮИССАР Себастьен ДИГАР,Дамьен АЛЬКЬЕР. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2013-11-10.

Method of making a grooved medical tube and apparatus for grooving the tube

Номер патента: IE58470B1. Автор: . Владелец: Sherwood Medical Co. Дата публикации: 1993-09-22.

Dry cellulose filaments and the method of making the same

Номер патента: US09803320B2. Автор: Patrick NEAULT,Yuxia Ben,Gilles Marcel Dorris,Thomas-Qiuxiong Hu. Владелец: FPINNOVATIONS. Дата публикации: 2017-10-31.

Composite core and method of making same

Номер патента: US09713913B2. Автор: Paul Oldroyd,James D. Hethcock,Kenneth E. Nunn. Владелец: Textron Innovations Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Composite material reinforcing part of pi-shaped section, in particular a platform for a turbine engine fan, and its method of fabrication

Номер патента: US09657583B2. Автор: Yann Marchal,Jean-Noel Mahieu. Владелец: SNECMA SAS. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of making a joint welded with a fillet weld and an electrically welded joint welded with a fillet weld

Номер патента: RU2617307C2. Автор: Синдзи КОДАМА,Масахиро ОГАВА,Соко ЦУТИЯ,Юуити ЕСИДА,Йосинари ИСИДА. Владелец: Ниппон Стил Энд Сумитомо Метал Корпорейшн. Дата публикации: 2017-04-24.

Attachment of stud and method of its fabrication

Номер патента: RU2481196C1. Автор: Штефан РОТ,Хельмут КРАЛЬ,Клаус ТОЦКИ. Владелец: Зитек-Шпикес Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2013-05-10.

Method of manufacturing the multi-tip probe, a multi-tip probe, and surface characteristic analysis apparatus

Номер патента: US20040074288A1. Автор: Tadashi Arai,Yoshiharu Shirakawabe,Hiroshi Takasashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-22.

Method of manufacturing the multi-tip probe, a multi-tip probe, and surface characteristic analysis apparatus

Номер патента: US20060011830A1. Автор: Hiroshi Takahashi,Tadashi Arai,Yoshiharu Shirakawabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Method of making disposable absorbent article with intergral landing zone

Номер патента: MY133749A. Автор: KLINE Mark James,Johnson Kevin Charles,Weirich David Michael. Владелец: Procter & Gamble. Дата публикации: 2007-11-30.

Shingle with reinforced nail zone and method of manufacturing

Номер патента: US09605434B2. Автор: James S. Belt,Bert W. Elliott. Владелец: OWENS CORNING INTELLECTUAL CAPITAL LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

Neuroactive steroids and their methods of use

Номер патента: AU2024205519A1. Автор: Stephen Jay KANES,Handan GUNDUZ-BRUCE,Ethan HOFFMANN,George NOMIKOS. Владелец: Sage Therapeutics Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Neuroactive steroids and their methods of use

Номер патента: AU2018327357B2. Автор: Stephen Jay KANES,Handan GUNDUZ-BRUCE,Ethan HOFFMANN,George NOMIKOS. Владелец: Sage Therapeutics Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Methods of treating anxiety

Номер патента: RU2491931C2. Автор: Джон Е. ДОНЕЛЛО,Лорен М.Б. ЛУРС. Владелец: Аллерган, Инк.. Дата публикации: 2013-09-10.

LFA-1 inhibitor and methods of preparation and polymorph thereof

Номер патента: US09708303B2. Автор: Michael Hall,James Robert Zeller,Sripathy Venkatraman,Subashree IYER,Elisabeth C. A. Brot. Владелец: Sarcode Bioscience Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of synthesising sulforaphane

Номер патента: US09567405B2. Автор: Peter Wyatt Newsome,Albert Roger Frisbee,Sahadeva Reddy DAMIREDDI,Jared K. Nelson,Kpakpo Ambroise AKUE. Владелец: PharmAgra Labs Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Microarray and method of identifying interactions between compounds and rna

Номер патента: WO2019246120A3. Автор: Matthew D. Disney,Jessica L. Childs-Disney,Tuan Tran,Sai Pradeep VELAGAPUDI. Владелец: Velagapudi Sai Pradeep. Дата публикации: 2020-04-23.

A method of treating vasomotor symptoms comprising a compound having norepinephrine reuptake inhibitor activity and 5-ht2a antagonistic activity

Номер патента: WO2004035036A1. Автор: Darlene Coleman Deecher,Istvan Joseph Merchenthaler. Владелец: Wyeth. Дата публикации: 2004-04-29.

Microencapsulated extinguishing agent and a method of producing a microencapsulated extinguishing agent

Номер патента: RU2702566C1. Автор: Александр Дмитриевич Вилесов,Александр Гастонович Климов,Ричард Петрович Станкевич. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Делси". Дата публикации: 2019-10-08.

A method of treating vasomotor symptoms comprising a compound having norepinephrine reuptake inhibitor activity and 5-ht2a antagonistic activity

Номер патента: CA2502027A1. Автор: Darlene Coleman Deecher,Istvan Jozsef Merchenthaler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Methods of measuring the ability of a test compound to inactivate a biological target in cells of a subject

Номер патента: CA2518961A1. Автор: Christopher C. Arico-Muendel,Malcolm L. Gefter,Dennis Benjamin,James Wakefield,Bryan Wang,Charles Thompson. Владелец: Charles Thompson. Дата публикации: 2004-10-28.

A method of performing an assay

Номер патента: EP3551763A1. Автор: Edin Sarajlic,Jan Willem Weener. Владелец: Minq Solutions BV. Дата публикации: 2019-10-16.

Neuroactive steroids and their methods of use

Номер патента: US20230310459A1. Автор: Stephen Jay KANES,Handan GUNDUZ-BRUCE,Ethan HOFFMANN,George NOMIKOS. Владелец: Sage Therapeutics Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of evaluating pharmacological activity

Номер патента: US20090312189A1. Автор: Sterling W. Thomas. Владелец: MIDWEST PROTEOMICS Inc. Дата публикации: 2009-12-17.

Method of performing an assay

Номер патента: US11994515B2. Автор: Edin Sarajlic,Jan Willem Weener. Владелец: Minq Solutions BV. Дата публикации: 2024-05-28.

Manufacturing method of azilsartan

Номер патента: WO2012157980A3. Автор: Young Ju Lee,Jiweon Jeong,Nam-Hyun Jo,Junho Chu. Владелец: Hanmi Fine Chemical Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-01-17.

Probe assembly and method of making electrical connections between flexible substrate and semiconductor device

Номер патента: KR20070002105A. Автор: 벤자민 엘드리지. Владелец: 폼팩터, 인크.. Дата публикации: 2007-01-04.

Method of synthesising sulforaphane

Номер патента: CA2875063C. Автор: Peter Wyatt Newsome,Albert Roger Frisbee,Sahadeva Reddy DAMIREDDI,Jared K. Nelson,Kpakpo Ambroise AKUE. Владелец: PharmAgra Labs Inc. Дата публикации: 2021-01-12.

Manufacturing method of an electronic device

Номер патента: US20240202412A1. Автор: Nobuyuki Ito,Atsushi Uemura,Kazuo Otoge. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Methods of using c-met modulators

Номер патента: CA2770100C. Автор: Thomas Mueller,Dana T. Aftab,Aaron Weitzman,Jaymes Holland. Владелец: Exelixis Inc. Дата публикации: 2021-04-20.

Method of treating cancer

Номер патента: US20190023783A1. Автор: Con Panousis,Christopher Hudson,Andrew HAMMET,Eugene Maraskovsky,Jonathan Cebon,Anne VERHAGEN,Andreas Behren,Katherine Woods. Владелец: Csl Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Compositions comprising specific ugt inhibitors and methods of use thereof

Номер патента: US20120184536A1. Автор: Anna Radominska-Pandya. Владелец: University of Arkansas. Дата публикации: 2012-07-19.

Method of neutralizing an aerosol containing a compound of interest dissolved in a low ph solution

Номер патента: US20130136702A1. Автор: Lawrence S. Zisman,Timothy S. Wiedmann,Amir A. Naqwi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-05-30.

CRYSTALLINE FORMS AND METHODS OF PRODUCING CRYSTALLINE FORMS OF A COMPOUND

Номер патента: US20210024554A1. Автор: Lian Brian,Masamune Hiroko,Barker Geoffrey. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

Crystalline forms and methods of producing crystalline forms of a compound.

Номер патента: MX2020009843A. Автор: Hiroko Masamune,Brian Lian,Geoffrey Barker. Владелец: Viking Therapeutics Inc. Дата публикации: 2020-12-11.

Method of neutralizing an aerosol containing a compound of interest dissolved in a low ph solution

Номер патента: CA2861520A1. Автор: Lawrence S. Zisman,Timothy S. Wiedmann,Amir Ahmad Naqwi. Владелец: Amir Ahmad Naqwi. Дата публикации: 2013-06-06.

The preparation method of the assorted erythronolids category-A compound of 10-dihydro-10-denitrogenation

Номер патента: CN1031703A. Автор: 斯罗布丹·德约切克,耐文卡·罗普塔,盖布里吉拉·科布来海尔,哈弗吉·克兰吉维克,奥加·卡里维克. Владелец: Pliva Farmaceutska Kemijska Prehrambena I Kozmeticka Industrija dd. Дата публикации: 1989-03-15.

Method of neutralizing an aerosol containing a compound of interest dissolved in a low ph solution

Номер патента: WO2013082340A1. Автор: Lawrence S. Zisman,Timothy S. Wiedmann,Amir Ahmad Naqwi. Владелец: Naqwi Amir Ahmad. Дата публикации: 2013-06-06.

Method of forming a layer of a compound

Номер патента: WO2023274549A1. Автор: Jochen Mannhart,Wolfgang Braun,Dong Yeong Kim. Владелец: MAX-PLANCK-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V.. Дата публикации: 2023-01-05.

Method of neutralizing an aerosol containing a compound of interest dissolved in a low ph solution

Номер патента: EP2785329A1. Автор: Lawrence S. Zisman,Timothy S. Wiedmann,Amir Ahmad Naqwi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-08.

Crystalline forms and methods of producing crystalline forms of a compound

Номер патента: EP3956309A4. Автор: Lin Zhi,Henri Sasmor. Владелец: Ligand Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2023-06-07.

Control method of washing machine equipped with a compound sensor

Номер патента: KR100326998B1. Автор: 장봉안. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-07-03.

METHOD OF EXTRACTING BY DIRECT OSMOSIS A COMPOUND CONTAINED IN A LIQUID SOLUTION

Номер патента: FR3053682A1. Автор: Fabrice Gascons Viladomat,Thomas Maugin. Владелец: EDERNA. Дата публикации: 2018-01-12.

Agnostic Model of Semiconductor Devices and Related Methods

Номер патента: US20190057175A1. Автор: James Joseph Victory,Mehrdad Baghaie Yazdi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-02-21.

Method of producing uranium fluorides and a compound produced thereby

Номер патента: US2510850A. Автор: Paul A Agron,Sol W Weller. Владелец: US Atomic Energy Commission (AEC). Дата публикации: 1950-06-06.

The internet-site that is accessible by the person only, and accesses other internet-site as a visitor instead of the person, and has a internal function to access directly other inetrnet-site, and then the method of business which makes a profit on the internet site, and then the method to prevent a lost card's payment.

Номер патента: KR20160014378A. Автор: 김금철. Владелец: 김금철. Дата публикации: 2016-02-11.

A silicon single crystal wafer, a method of manufacturing a silicon single crystal, or a method of manufacturing a silicon single crystal wafer, and a semiconductor device

Номер патента: DE112009000569T5. Автор: Koji Annaka Ebara,Shizuo Annaka Igawa,Tetsuya Annaka Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-03.

METHOD OF MODELING CONCENTRATION OF REDUCIBLE MOBILE IONIC DOPANT IN SEMICONDUCTOR DEVICE SIMULATOR

Номер патента: US20150192533A1. Автор: Venkataraman Karthik,Bajaj Mohit,Furkay Stephen S.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-07-09.

Method of testing for power and ground continuity of a semiconductor device

Номер патента: TW200739099A. Автор: Vivien Wong,Waikhuin Phoon,Wahyew Tan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-10-16.

ROTARY DEVICE AND A METHOD OF DESIGNING AND MAKING A ROTARY DEVICE

Номер патента: US20130142685A1. Автор: Moeller Gunnar,Ardron Marcus,Dye Anthony O.. Владелец: EPICAM LIMITED. Дата публикации: 2013-06-06.

Method of measuring clock jitter, clock jitter measurement circuit, and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190041456A1. Автор: Ji-Hyun Kim,Jung-Ho Kim,Won-Seok Kim,Kang-Yeop Choo,Hyun-ik KIM,Tae-Ik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

ROTARY DEVICE AND A METHOD OF DESIGNING AND MAKING A ROTARY DEVICE

Номер патента: US20180100502A1. Автор: Moeller Gunnar,Ardron Marcus,DYE Anthony Osborne. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

METHOD OF MEASURING CLOCK JITTER, CLOCK JITTER MEASUREMENT CIRCUIT, AND SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190346504A1. Автор: Kim Ji-Hyun,Kim Jung-ho,CHOO Kang-yeop,KIM Hyun-ik,KIM Tae-ik,KIM Woo-seok. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

Electron Beam Depicting Pattern Design, Photomask, Methods of Electron Beam Depicting and Fabricating Photomask, and Fabricating Semiconductor Device Using the Same

Номер патента: KR101689770B1. Автор: 이상희,최진,이래원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-12-26.

Manufacturing methods of reflection type mask blanks, reflection type mask, and semiconductor device

Номер патента: JP2006013280A. Автор: 勉 笑喜,守男 細谷,Morio Hosoya,Tsutomu Shiyouki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Method of preparing or making a bore in a ground

Номер патента: DE102020119032A1. Автор: Christian Wild,Götz Tintelnot. Владелец: TPH Bausysteme GmbH. Дата публикации: 2022-01-20.

Method of displaying and making a memo for specific positions using GPS

Номер патента: KR100444103B1. Автор: 김현철. Владелец: 에스케이텔레텍주식회사. Дата публикации: 2004-08-11.

Method of making semiconductor device and system for performing the same

Номер патента: US09639647B2. Автор: Chin-Chou Liu,Chung-min Fu,Wan-Yu Lo,Huan Chi Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Photoelectric converter (versions) and method of making said converter

Номер патента: RU2374720C1. Автор: Виталий Викторович Заддэ,Дмитрий Семенович Стребков,Александр Николаевич Кузнецов,Алексей Васильевич Чепа. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Новые Энергетические Технологии". Дата публикации: 2009-11-27.

Part with substrate from mono-crystal superalloy on base of nickel and method of its manufacturing

Номер патента: RU2738628C2. Автор: Амар САБУНДЖИ,Виржини ЖАКЕ,Жереми РАМ. Владелец: Сафран. Дата публикации: 2020-12-15.

Metal-carbon nanocomposite and method of preparing said composite

Номер патента: RU2394849C1. Автор: Геннадий Федорович Терещенко,Маргарита Мееровна Ермилова,Дмитрий Геннадьевич Муратов,Галина Петровна Карпачева,Лев Михайлович Земцов,Михаил Николаевич Ефимов,Наталья Всеволодовна Орехова. Владелец: Учреждение Российской академии наук Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева РАН (ИНХС РАН). Дата публикации: 2010-07-20.

Method of production of block cellular glass from crushed glass

Номер патента: RU2528755C1. Автор: Игорь Станиславович Пузанов,Алексей Игоревич Пузанов,Дмитрий Владимирович Саулин,Иван Филатович Волков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "УралИнвест". Дата публикации: 2014-09-20.

Nanocomposite antireflection coating in form of thick film and method of making said coating

Номер патента: RU2456710C1. Автор: Николай Михайлович Ушаков,Павел Анатольевич Музалев,Игорь Донатович Кособудский,Виталий Яковлевич Подвигалкин,Олег Николаевич Гадомский,Дмитрий Михайлович Кульбацкий. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет" (СГТУ). Дата публикации: 2012-07-20.

Method of making membrane for extracting hydrogen atoms and ions from gas mixtures

Номер патента: RU2602104C1. Автор: Александр Иосифович Лившиц,Михаил Евсеевич Ноткин,Василий Николаевич Алимов,Андрей Олегович Буснюк,Евгений Юрьевич Передистов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ). Дата публикации: 2016-11-10.

Method of making photodetector array

Номер патента: RU2573714C1. Автор: Лариса Васильевна Киселева,Павел Валентинович Власов,Алексей Алексеевич Лопухин,Александр Викторович Савостин,Елена Анатольевна Кожаринова,Елена Васильевна Умникова,Владимир Владимирович Ерошенков. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик-Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2016-01-27.

Method of making photoelectric converter chips

Номер патента: RU2391744C1. Автор: Вячеслав Михайлович Андреев,Александра Вячеславовна Малевская,Наталья Дмитриевна Ильинская,Николай Александрович Калюжный,Владимир Михайлович Лантратов,Сергей Александрович Минтаиров,Вячеслав Михайлович Андреев (RU),Владимир Михайлович Лантратов (RU),Наталья Дмитриевна Ильинская (RU),Николай Александрович Калюжный (RU),Александра Вячеславовна Малевская (RU),Сергей Александрович Минтаиров (RU). Владелец: Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. Дата публикации: 2010-06-10.

Thermal photoelectric module with parabolic-cylinder concentrator of solar radiation and method of making same

Номер патента: RU2591747C2. Автор: Владимир Александрович Майоров,Станислав Николаевич Трушевский,Леонид Дмитриевич Сагинов,Юрий Дмитриевич Арбузов,Владимир Михайлович Евдокимов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное Учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ФГБНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2016-07-20.

Methods of making metal bond and vitreous bond abrasive articles, and abrasive article precursors

Номер патента: US20210362297A1. Автор: Carsten Franke,Thomas J. Anderson,Brian D. Goers,Brian A. Shukla,Malte Korten,Negus B. Adefris,Robert L.W. Smithson,Maiken Givot,Michael C. HARPER,Elizaveta Y. PLOTNIKOV. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2021-11-25.

Methods of preparing reduced nicotinamide riboside and derivatives thereof

Номер патента: US20240239831A1. Автор: Mark Doherty,Philip REDPATH,Kerri CROSSEY,Marie MIGAUD. Владелец: Queens University of Belfast. Дата публикации: 2024-07-18.

Grid and method of making grid for selective transmission of electromagnetic radiation, particularly x-ray radiation

Номер патента: RU2538460C2. Автор: Гереон ФОГТМАЙЕР,Ральф ДОРШАЙД. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2015-01-10.

Target, meant for evaporation under effect of electron beam, method of making said target, heat barrier and coating made from said target and mechanical component with such coating

Номер патента: RU2370471C2. Автор: Андре МАЛИ,Бертран СЭН-РАМОН,Кристоф ШАПЮ,Изабель ПОРТ,Сириль ДЕЛАЖ. Владелец: Снекма Сервис. Дата публикации: 2009-10-20.

Method of making photoelectric converter based on germanium

Номер патента: RU2377697C1. Автор: Вячеслав Михайлович Андреев,Владимир Петрович Хвостиков,Ольга Анатольевна Хвостикова,Вячеслав Михайлович Андреев (RU),Владимир Петрович Хвостиков (RU),Ольга Анатольевна Хвостикова (RU). Владелец: Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. Дата публикации: 2009-12-27.

Methods of Making a Component with an Integral Strain Indicator

Номер патента: US20180209782A1. Автор: Paul Stephen Dimascio,Gregory Lee Hovis,William F. Ranson,Lacey Lynn Schwab. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-07-26.

Method of making tool path

Номер патента: US20020161471A1. Автор: Noriyuki Kato. Владелец: Okuma Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Methods of making metal bond and vitreous bond abrasive articles, and abrasive article precursors

Номер патента: US20210316503A1. Автор: Carsten Franke,Thomas J. Anderson,Brian D. Goers,Brian A. Shukla,Malte Korten,Negus B. Adefris,Robert L.W. Smithson,Maiken Givot,Michael C. HARPER,Elizaveta Y. PLOTNIKOV. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2021-10-14.

Methods of producing influenza virus replication inhibitors

Номер патента: RU2680800C1. Автор: Джеральд Дж. ТЭНОУРИ,Питер Джеймисон РОУЗ,Уилльям Алоисиус НАДЖЕНТ,Вадимс ДВОРНИКОВС. Владелец: Вертекс Фармасьютикалз Инкорпорейтед. Дата публикации: 2019-02-27.

Rotor blade, wind-driven power plant, as well as methods of mounting and manufacturing of rotor blade

Номер патента: RU2716798C1. Автор: Флориан РУБНЕР. Владелец: Воббен Пропертиз Гмбх. Дата публикации: 2020-03-17.

METHOD OF PRODUCING MONOPROTECTED α,ω-DIAMINOALCANES

Номер патента: RU2747400C2. Автор: Виро Михаэль Петрус Бернардус МЕНГЕ. Владелец: Байондис Б.В.. Дата публикации: 2021-05-04.

Method of obtaining aryl ethers

Номер патента: RU2330012C2. Автор: Матеуш ЦЕБУЛА,Кевин Эдвард ХЕНЕГАР. Владелец: Фармация Энд Апджон Компани Ллс. Дата публикации: 2008-07-27.

Method of fluorinating anilide derivatives and fluorinated benzothiazole derivatives as in vivo imaging agents

Номер патента: RU2419601C2. Автор: Бенгт ЛАНГСТРОМ,Энтони Эймон СТОРИ,Клэр Луис ДЖОУНЗ,Денис Раймон Кристоф БУВЕ,Никола ЛАСБИСТЕ,Стивен Майкл ФЭРУЭЙ,Лоренцо УИЛЛЬЯМЗ,Александер Марк ГИБСОН,Роберт Джеймс НЭРН,Фархад КАРИМИ. Владелец: Джи-И Хелткер Лимитед. Дата публикации: 2011-05-27.

Compounds, probes, and methods of synthesis and methods of imaging COX-2-associated diseases

Номер патента: US9266847B2. Автор: John C. Gore,Wellington Pham,Donald D. NOLTING. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-02-23.

Method of making imidazoazepinone compounds

Номер патента: EP2211616A1. Автор: Shawn Schiller,Mark Spyvee,Boris M. Seletsky,Francis Fang. Владелец: Eisai R&D Management Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-04.

Methods of making halogenated partially fluorinated compounds

Номер патента: US20170283351A1. Автор: Klaus Hintzer,Kai Helmut Lochhaas,Markus E. HIRSCHBERG,Oleg Shyshkov. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-10-05.

Methods of making halogenated partially fluorinated compounds

Номер патента: EP3237367A1. Автор: Klaus Hintzer,Kai Helmut Lochhaas,Markus E. HIRSCHBERG,Oleg Shyshkov. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-11-01.

Methods of making halogenated partially fluorinated compounds

Номер патента: WO2016105907A1. Автор: Klaus Hintzer,Kai Helmut Lochhaas,Markus E. HIRSCHBERG,Oleg Shyshkov. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of making porphyrins

Номер патента: US20110105746A1. Автор: Jonathan S. Lindsey,Dilek Dogutan Kiper,Marcin Ptaszek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-05.

Methods of making fused thiophenes

Номер патента: EP2571888A1. Автор: Mingqian He,Weijun Niu,Jieyu Hu,James R. Matthews. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2013-03-27.

Method of making carbonyl compounds

Номер патента: US20070049767A1. Автор: Arun Kumar,Ashok Menon,Hugo Ingelbrecht,Pradeep Nadkarni,Rupesh Pawar. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2007-03-01.

Method of making a functionalized elastomer via allylboration

Номер патента: US09574024B1. Автор: Stefan Mecking,Inigo GOTTKER genannt SCHNETMANN,Margaret Mcguigan Flook,Hannes Leicht. Владелец: Goodyear Tire and Rubber Co. Дата публикации: 2017-02-21.

A radiation sensitive recording plate with orientation identifying marker, method of making, and of using same

Номер патента: EP1495364A1. Автор: George W. Kay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-12.

Method of producing gypsum solution for forming gypsum articles and method of making gypsum article

Номер патента: RU2738561C1. Автор: Тун ЛЮ,Мартин ХАЛЬБАХ. Владелец: Кнауф Гипс КГ. Дата публикации: 2020-12-14.

Improvements in method of making a polyene aldehyde or a derivative thereof

Номер патента: GB730793A. Автор: . Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1955-06-01.

Composite piezoelectric material and method of its production

Номер патента: RU2695917C1. Автор: Алексей Анатольевич Нестеров,Михаил Игоревич Толстунов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет". Дата публикации: 2019-07-29.

Hydroxymethyl phosphine compounds for use as diagnostic and therapeutic pharmac euticals and method of making same

Номер патента: AU6542998A. Автор: Kattesh V Katti,Wynn A. Volkert,Alan R. Ketring,Srinivasa Rao Karra,Douglas E. Berning,C. Jeffrey Smith. Владелец: University of Missouri System. Дата публикации: 1998-10-12.

Hydroxymethyl phosphine compounds for use as diagnostic and therapeutic pharmaceuticals and method of making same

Номер патента: EP1009447A1. Автор: Wynn A. Volkert,Kattesh V. Katti,Alan R. Ketring,Srinivasa Rao Karra,Douglas E. Berning,C. Jeffrey Smith. Владелец: University of Missouri System. Дата публикации: 2000-06-21.

Solid forms of spirotricyclic apol1 inhibitors and methods of using same

Номер патента: EP4392426A1. Автор: Yi Shi,Ales Medek,Lori Ann Ferris,Peter Jamison Rose,Kevin James Gagnon,Stephen W. LAWS,Andrey Peresypkin,Mei-Hsiu Lai,Courtney K. Maguire,Kevin Brett DANIEL,Michael David JUDELSON,Charlene TSAY,Justin TEESDALE. Владелец: Vertex Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Method of producing workpiece, as well as workpiece

Номер патента: RU2696587C2. Автор: Удо ШУССЕР,Маркус ФОЛЛЬМАНН,Штефан ФЕХЕР,Хайнер ХЕРХОЛЬД,Мартин КУЦНЕР. Владелец: ДЕНТСПЛИ Интернешнл Инк.. Дата публикации: 2019-08-05.

Solid forms of spirotricyclic apol1 inhibitors and methods of using same

Номер патента: AU2022334580A1. Автор: Yi Shi,Ales Medek,Lori Ann Ferris,Peter Jamison Rose,Kevin James Gagnon,Stephen W. LAWS,Andrey Peresypkin,Mei-Hsiu Lai,Courtney K. Maguire,Kevin Brett DANIEL,Michael David JUDELSON,Charlene TSAY,Justin TEESDALE. Владелец: Vertex Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of producing long workpiece for production of helical spring, helical spring and method of production thereof

Номер патента: RU2739737C1. Автор: Андрей Николаевич Скворцов. Владелец: Андрей Николаевич Скворцов. Дата публикации: 2020-12-28.

Device for sealing bottles and similar containers, method of making device and arrangement of implementing the given methods

Номер патента: RU2326033C2. Автор: Гуидо РИБИ. Владелец: РИБИ ПАК С.п.А. Дата публикации: 2008-06-10.

Method of making lens for optical display

Номер патента: RU2562138C2. Автор: Седрик БЮШОН,Жерар ЖЕЛЛИ,Венсан РОПТЭН,Антуан ВИДЕМАНН. Владелец: Эссилор Интернасьональ (Компани Женераль Д'Оптик). Дата публикации: 2015-09-10.

Method of making drilling tool with precise location and orientation of slot for cutting element

Номер патента: RU2716660C2. Автор: Эрик С. САЛЛИВАН,Кеннет Р. ЭВАНС,Кеннет А. ГИБС,Алан Дж. МАССЕЙ,Джеймс Энди ОКСФОРД. Владелец: Бейкер Хьюз Инкорпорейтед. Дата публикации: 2020-03-13.

Method of making part from composite material by means of self-propagating high-temperature synthesis

Номер патента: RU2696955C2. Автор: Эрик ФИЛИПП,Эрик БУЙОН,Франсис ТЕЙССАНДЬЕ,Брис ТАЙЕ,Рене Пайе. Владелец: Сантр Насьональ Де Ля Решерш Сьянтифик. Дата публикации: 2019-08-07.

Clip for a needle cap, a cover, an automatic injection device and a method of making a clip

Номер патента: RU2720160C2. Автор: Томас Марк КЕМП,Луиз ХОДЖСОН,Джордж САЙКС. Владелец: Санофи-Авентис Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2020-04-24.

Anesthetic compounds and methods of making and using same to treat or prevent pain symptoms

Номер патента: US20230373906A1. Автор: Todd Mathis,Pendleton Wickersham,Stephen Bendel,Christian Warren. Владелец: PTC Innovations LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Anesthetic compounds and methods of making and using same to treat or prevent pain symptoms

Номер патента: US20230399290A1. Автор: Todd Mathis,Pendleton Wickersham,Stephen Bendel,Christian Warren. Владелец: PTC Innovations LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Anesthetic compounds and methods of making and using same to treat or prevent pain symptoms

Номер патента: US20230365494A1. Автор: Todd Mathis,Pendleton Wickersham,Stephen Bendel,Christian Warren. Владелец: PTC Innovations LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Anesthetic compounds and methods of making and using same to treat or prevent pain symptoms

Номер патента: US20230399291A1. Автор: Todd Mathis,Pendleton Wickersham,Stephen Bendel,Christian Warren. Владелец: PTC Innovations LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Plastic tubing for making an inner case for repairing a linear structure, a method of making a case and a case made by such a method

Номер патента: RU2732906C2. Автор: Галина Юрьевна Зупанец. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Промжилстрой". Дата публикации: 2020-09-24.

Method of film making, system for film making and polymer film

Номер патента: RU2699636C1. Автор: Фолькмар ШУЛЬЦЕ,Норберт НИКОЛАЙ,Андре ВУТЦЛЕР,Ханнес БЛОМБЕРГ,Габриэле ТОККИ. Владелец: Адлер Пельцер Холдинг Гмбх. Дата публикации: 2019-09-06.

Method of making foam concrete, the raw mixture for making foam concrete and foam concrete

Номер патента: RU2742784C1. Автор: Валерий Иванович Кондращенко,Андрей Викторович Кендюк,Алла Юрьевна Гусева,Андрей Алексеевич Казаков,Каринэ Ованесовна Мурадян,Артур Эдикович Арзуманян,Виктория Давидтбеговна Кудрявцева. Владелец: Валерий Иванович Кондращенко. Дата публикации: 2021-02-10.

Method of making polymers, polymer compositions and articles containing such polymers

Номер патента: RU2649008C2. Автор: Марк Н. ДЕДЕКЕР,Джозеф П. ПАДОЛЕВСКИ,Джеймс Х. ПОЛОУ. Владелец: ФАЙРСТОУН ПОЛИМЕРС, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2018-03-29.

Method of making a textile doll head and a doll head

Номер патента: RU2747122C1. Автор: Ирина Юрьевна Поцелуйко. Владелец: Ирина Юрьевна Поцелуйко. Дата публикации: 2021-04-28.

Method of making a panel, which includes reinforcing sheet, and floor panel

Номер патента: RU2690920C2. Автор: ВЛАССЕНРОДЕ Кристоф ВАН,Филип Гилберт Люсьен БОССЮЙТ. Владелец: АйВиСи Н.В.. Дата публикации: 2019-06-06.

Method of making a hair for a clock mechanism

Номер патента: RU2696809C1. Автор: Кристиан ШАРБОН. Владелец: Ниварокс-Фар С.А.. Дата публикации: 2019-08-06.

Method of making a removable denture

Номер патента: RU2733161C1. Автор: Сергей Дарчоевич Арутюнов,Анатолий Сергеевич Арутюнов,Дмитрий Игоревич Грачев,Евгений Александрович Чижмаков. Владелец: Сергей Дарчоевич Арутюнов. Дата публикации: 2020-09-29.

Method of manufacturing a fiber-optic matrix for a biochip (versions)

Номер патента: RU2705593C1. Автор: Нина Сослановна Кулова,Азамат Ирбекович Гусалов,Сергей Владимирович Кривов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Владикавказский Технологический центр "Баспик" (ООО ВТЦ "Баспик"). Дата публикации: 2019-11-11.

Method of single coordinated decision making in distributed computer system

Номер патента: RU2706459C1. Автор: Максим Михайлович Михайленко,Игорь Олегович Белоусов. Владелец: Игорь Олегович Белоусов. Дата публикации: 2019-11-19.

Method of making catalyst component and components made therefrom

Номер патента: RU2380380C2. Автор: Джампьеро МОРИНИ,Роза СПОТО,Паоло ВИНЧЕНЦИ,Джанни ВИТАЛЕ,Фабрицио Пьемонтези,Тициано ДАЛЛЬ'ОККО. Владелец: Базелль Полиолефин Италия С.Р.Л.. Дата публикации: 2010-01-27.

Method of making a bifurcated conduit of the pulmonary artery and a bifurcating conduit made by this method

Номер патента: RU2716062C1. Автор: Леонид Валентинович Зайцев,Константин Валентинович Шаталов,Константине Малхазович Джиджихия,Наталья Петровна Бакулева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр сердечно-сосудистой хирургии имени А.Н. Бакулева" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2020-03-05.

Method of producing polymer article

Номер патента: RU2710339C2. Автор: Йохан РОБРЕХТ. Владелец: Кейрё Пэкэджинг Са. Дата публикации: 2019-12-25.

Method of making rotary machine component and component made using said method

Номер патента: RU2733502C2. Автор: Робин РЕТТБЕРГ,Томас КРЕНЦЛЕР,Андреас ВЮРМС. Владелец: Зульцер Мэнэджмент Аг. Дата публикации: 2020-10-02.

Method of making a container with stereoscopic effect and a label applied by deformation

Номер патента: RU2730527C2. Автор: Ву Хонг БИЮН. Владелец: Ву Хонг БИЮН. Дата публикации: 2020-08-24.

Device and method of making powered ophthalmic device for optical therapy

Номер патента: RU2561984C2. Автор: Вильхельмус ДРИНКЕНБУРГ,Рэндалл Б. ПЬЮ,Уилльям Честер НИЛИ,Робертсон ТОВАРТ,Марио ПЕТЕРС,Александр МИЛЕТИЧ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2015-09-10.

Device for making coffee beverage, and also method of making coffee beverage using device

Номер патента: RU2566313C2. Автор: Шахриар РЕЙХАНЛОО. Владелец: Юра Электроаппарате АГ. Дата публикации: 2015-10-20.

Method of making a focal frame in cameras with mirror scanning of images

Номер патента: RU2722575C1. Автор: Борис Михайлович Ловягин,Вячеслав Иванович Дудоладов,Виктор Павлович Кислинский,Валерий Алексеевич Леонов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2020-06-01.

Method of making a tubular insulator with a coated inner surface and a tubular insulator made by such a method

Номер патента: RU2719161C2. Автор: Сами СКИППАРИ,Яни МАТИКАЙНЕН,Малгожата ГЛУШАК. Владелец: Парок Груп Ой. Дата публикации: 2020-04-17.

Method of making articles from composite materials

Номер патента: RU2722532C1. Автор: Александр Григорьевич Мелехин,Оксана Александровна Вострокнутова. Владелец: Публичное акционерное общество Научно-производственное объединение "Искра". Дата публикации: 2020-06-01.

Method of making zinc oxide-based target

Номер патента: RU2491252C2. Автор: Марат Хаджи-Муратович Абдуев,Аслан Хаджимуратович Абдуев,Ибрагимхан Камилович Камилов,Абил Шамсудинович Асваров,Ахмед Кадиевич Ахмедов. Владелец: Учреждение Российской Академии наук "Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН". Дата публикации: 2013-08-27.

Method of making a composite reinforcement mesh from non-metallic materials, a production line for its implementation and a composite reinforcement mesh based thereon

Номер патента: RU2714060C1. Автор: Андрей Викторович Борисов,Владислав Эдуардович Канц. Владелец: Владислав Эдуардович Канц. Дата публикации: 2020-02-11.

Antimicrobials and methods of making and using same

Номер патента: US20200017504A1. Автор: Ashoke Bhattacharjee,Erin M. Duffy,Zoltan F. Kanyo,Joseph A. Ippolito. Владелец: BioVersys AG. Дата публикации: 2020-01-16.

Antimicrobials and methods of making and using same

Номер патента: US20230250101A1. Автор: Ashoke Bhattacharjee,Erin M. Duffy,Zoltan F. Kanyo,Andrea Marra,Joseph A. Ippolito. Владелец: BioVersys AG. Дата публикации: 2023-08-10.

Conjugates for delivering an anti-cancer agent to nerve cells, methods of use and methods of making thereof

Номер патента: EP3823674A1. Автор: Stephen B. Kahl,Constance McKee. Владелец: Manzanita Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2021-05-26.

Chiral 1,8-diarylnaphthalenes, methods of making them, and their use as sensors

Номер патента: WO2005043124A3. Автор: Christian Wolf,Xuefeng Mei. Владелец: Xuefeng Mei. Дата публикации: 2005-07-21.

Method of making part from composite material having body integral with one or more platforms

Номер патента: RU2717808C2. Автор: Себастьен ПОТАР,Николя Пьер ЛАНФАН. Владелец: Сафран. Дата публикации: 2020-03-25.

Method of making elastic forming element

Номер патента: RU2585650C1. Автор: Нина Васильевна Щербинина,Марина Владимировна Батуева. Владелец: Открытое акционерное общество "Пермский завод "Машиностроитель". Дата публикации: 2016-05-27.

Long hollow wide-chord fan of aircraft trdd fan and method of its manufacturing

Номер патента: RU2726955C1. Автор: Сергей Викторинович Фалалеев,Изольд Давидович Эскин,Виктор Иванович Сусликов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева". Дата публикации: 2020-07-17.

Hidden user interface panel for personal care devices and method of making same

Номер патента: RU2589635C2. Автор: Питер Джордж НАЗАРОФФ,Арен Карл ДЖОНСОН,Рональд Аллан ХАГЕН,Рэймонд ЛО. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2016-07-10.

Method of obtaining group of electro-technical equipment, uniform in terms of radiation resistance

Номер патента: RU2708815C1. Автор: Владимир Петрович Миронов,Александр Аркадьевич Романов,Анатолий Яковлевич Дубовик,Валерий Анастасович Метлов,Андрей Андреевич Чистилин. Владелец: Акционерное общество "Ангстрем" (АО "Ангстрем"). Дата публикации: 2019-12-11.

Method of making foundation of buildings or structures in sandy areas

Номер патента: RU2720551C1. Автор: Владимир Александрович Парамошко. Владелец: Владимир Александрович Парамошко. Дата публикации: 2020-05-12.

Optical information recording medium, apparatus for recording information, apparatus for reproducing information, method of recording information, method of reproducing information and method of making information recording medium

Номер патента: RU2511701C2. Автор: Ацуси НАКАМУРА,Мамору СОДЗИ,Кийотака ИТО,Ясумори ХИНО,Наоясу МИЯГАВА. Владелец: ПАНАСОНИК КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2014-04-10.

Method of making part from composite material

Номер патента: RU2722790C2. Автор: Брюно Жак Жерар ДАМБРИН,Майкл ПОДГОРСКИ,Эду РИУС,Людовик Эдмон Камий МОЛЬЕ,Катерин БИЙОТ КАБР,Сильвен ТЮРЕН. Владелец: Сафран. Дата публикации: 2020-06-03.

Method of making water displacement concrete articles

Номер патента: RU2699462C1. Автор: Андрей Ильич Беркут,Андрей Анатольевич Волков,Георгий Васильевич Бычков,Павел Дмитриевич Челышков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Московский государственный строительный университет" (НИУ МГСУ). Дата публикации: 2019-09-05.

Coated microstructured films, methods of making same, and methods of making light control films

Номер патента: EP4405724A1. Автор: Daniel J. Schmidt,Caleb T. NELSON,Kevin W. GOTRIK,Morgan A. PRIOLO. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2024-07-31.

Composition and method of making colour hologram

Номер патента: RU2350997C2. Автор: КАСИТАС Хуан ДАВИЛА. Владелец: Неопак, Сл. Дата публикации: 2009-03-27.

Method of making a bag with a nozzle, made with possibility of filling with a fluid product

Номер патента: RU2768122C2. Автор: Дэвид БЕЛЛМОР,Кристофер Джон МЮРРЭЙ,Ерун Питер ФИРЕ,Чед МЮЛЛЕР. Владелец: ШОЛЛЕ АйПиЭн АйПи Б.В.. Дата публикации: 2022-03-23.

Carbon electrode for electrolysis bath for producing aluminium and method of making said electrode (versions)

Номер патента: RU2363773C2. Автор: Лесли С. ЭДВАРДС,М. Фрэнз ВОГТ,Ричард О. ЛАВ,Дж. Энтони РОСС,Уильям Роджерс Мл. МОРГАН. Владелец: Сенчури Эльюминум Компани. Дата публикации: 2009-08-10.

Hybrid element which generates an aerosol, and a method of making a hybrid aerosol-generating element

Номер патента: RU2738701C2. Автор: Олег МИРОНОВ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2020-12-15.

Method of making a decorative art article and a decorative artwork produced by such method

Номер патента: RU2697609C1. Автор: . Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ПАННА". Дата публикации: 2019-08-15.

Neutral electrode for hf current exposure, electrosurgical system with such electrode and method of such electrode manufacturing

Номер патента: RU2698053C2. Автор: Петер ЗЕЛИГ,Уве ШНИЦЛЕР. Владелец: Эрбе Электромедицин Гмбх. Дата публикации: 2019-08-21.

Method for making a dental osteointegrated implant

Номер патента: RU2712642C1. Автор: Геннадий Васильевич Смирнов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР). Дата публикации: 2020-01-30.

Method of making steel element

Номер патента: RU2700632C1. Автор: Хироёси ТАВА,Хироюки ИНОУЭ. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-09-19.

Method of making a chocolate product

Номер патента: RU2672326C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2018-11-13.

Method of making pipe device, pipe device and oven equipped with such pipe device

Номер патента: RU2711168C2. Автор: Андерс ВАЛЛЕРЕ,Томас БЛОМФЕЛЬДТ,Йохан Хернблом,Петер НОРДИН. Владелец: САНДВИК ИНТЕЛЛЕКЧУАЛ ПРОПЕРТИ АБ. Дата публикации: 2020-01-15.

Pad and method of its production

Номер патента: RU2736457C1. Автор: Томас Штрайхардт. Владелец: Фриц Эггер Гмбх Унд Ко. Ог. Дата публикации: 2020-11-17.

Method of making a hose connector with a pressure measurement point for a pressure sensor

Номер патента: RU2708192C1. Автор: Петер КОЛЬБ,Маттиас ДЁППЕ,Андреас КЛИНГЛЕР. Владелец: Эста Аппаратебау Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2019-12-04.

Method of making and use of sterile plastic bag

Номер патента: US20240009908A1. Автор: Nick Bruns,Greg Hood. Владелец: Whirl Pak. Дата публикации: 2024-01-11.

Methods of screening for condensate-associated specificity and uses thereof

Номер патента: US11340231B2. Автор: Mark Andrew Murcko,Bruce Aaron BEUTEL,Stephen Paul HALE,Ina POSER,Alexander SZEWCZAK. Владелец: Dewpoint Therapeutics Inc. Дата публикации: 2022-05-24.

A negative disposable mould piece for the casting of well bottoms and a method of making a disposable mould piece as well as a method of casting a well bottom with the disposable mould piece

Номер патента: WO2009149709A1. Автор: Søren Duelund SØRENSEN. Владелец: Grindsted Betonvarefabrik A/S. Дата публикации: 2009-12-17.

Method of making device containing at least one electronic element associated with substrate and antenna

Номер патента: RU2685973C2. Автор: Франсуа ДРО. Владелец: Нид Са. Дата публикации: 2019-04-23.

Absorbent product and method of making sheet with three-dimensional holes, used for absorbent product

Номер патента: RU2734809C1. Автор: Кохеи КУВАХАТА. Владелец: КАО КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2020-10-23.

Method of producing a color pattern and a method of analyzing colorimetric test strips using said pattern

Номер патента: RU2692062C1. Автор: Армаис Альбертович Камалов,Евгений Александрович Ширшин,Борис Павлович Якимов,Даниил Дмитриевич Лысухин,Арташес Георгиевич Армаганов. Владелец: Арташес Георгиевич Армаганов. Дата публикации: 2019-06-20.

Method of making portable data carrier

Номер патента: RU2382412C2. Автор: Фолькер ВАШК. Владелец: Гизеке Унд Девриент Гмбх. Дата публикации: 2010-02-20.

Drug carrier, drug structure, purpose of same, method of making same, and method of using same to inhibit h. pylori

Номер патента: US20200114009A1. Автор: Chien-Ming Lee,Chung-Hao Wang,Shu-Jyuan Yang. Владелец: Gene'e Tech Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Photochemical methods of making cyclobutane boronates and related compounds

Номер патента: US20200223870A1. Автор: Tehshik Peter Yoon,Spencer Owen Scholz,Rowan Mark Littlefield,Niecia Elizabeth Flikweert. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-07-16.

Methods of making an antistatic agent

Номер патента: EP1812502A2. Автор: Robert Dirk Van De Grampel,Theodorus Lambertus Hoeks,Chiel Albertus Leenders. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2007-08-01.

Antimicrobial compounds and solutions, uses thereof and methods of making the same

Номер патента: WO2022167909A1. Автор: Sze King James LEUNG,Heung Lin Jenny CHAN. Владелец: Ut Innovation Limited. Дата публикации: 2022-08-11.

Methods of making metal matrix composite and alloy articles

Номер патента: US09862029B2. Автор: Yixiong Liu,Qingjun Zheng,James A Faust,Sudharsan Subbaiyan,Mark J Rowe,Michael J Meyer,Danie J De Wet. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Brush head with recessed bristles, brush, method of making and method of using same

Номер патента: US09635927B2. Автор: Sarina Godin,Jennifer Allen. Владелец: Bare Escentuals Beauty Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Use and preparation method of berberine compounds

Номер патента: US09610281B2. Автор: Yan Zhang,Zhiwei Wang,Olivier Civelli,Xiuli ZHANG,Xinmiao Liang,Chaoran Wang,Yanxiong Ke,Lien Wang. Владелец: University of California Irvine. Дата публикации: 2017-04-04.

Reclosable container and method of making said container from sheet material

Номер патента: RU2589669C2. Автор: Джанмарио АНГИЛЕРИ,Джорджо ТРАНИ,Марьон СТЕРНЕР. Владелец: Новакарт С.П.А.. Дата публикации: 2016-07-10.

Part of pipe-and-tube panel and method of manufacturing part of pipe-and-tube panel in reactor with fluidised bed

Номер патента: RU2745849C1. Автор: Джон Мёрфи. Владелец: СУМИТОМО ЭсЭйчАй ФВ ЭНЕРДЖИА ОЙ. Дата публикации: 2021-04-01.

Method of making water-repellent element and use thereof

Номер патента: RU2729367C1. Автор: Франсуа РУФФЕНАХ. Владелец: Селлоз. Дата публикации: 2020-08-06.

Form of silicon and method of making the same

Номер патента: US20170355605A1. Автор: Duck Young Kim,Timothy A. STROBEL,Oleksandr O. Kurakevych. Владелец: CARNEGIE INSTITUTION OF WASHINGTON. Дата публикации: 2017-12-14.

New form of silicon and method of making the same

Номер патента: EP3019446A1. Автор: Duck Young Kim,Timothy A. STROBEL,Oleksander O. KURAKEVYCH. Владелец: CARNEGIE INSTITUTION OF WASHINGTON. Дата публикации: 2016-05-18.

Form of silicon and method of making the same

Номер патента: US10179740B2. Автор: Duck Young Kim,Timothy A. STROBEL,Oleksandr O. Kurakevych. Владелец: CARNEGIE INSTITUTION OF WASHINGTON. Дата публикации: 2019-01-15.

Goitrogen-free beverage, methods of use and method of formulating the same

Номер патента: US20170127701A1. Автор: Suzy Cohen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-11.

Method of making a sign having raised characters

Номер патента: US5554685A. Автор: Robert W. Williams,Arnold R. Wolfe,Wayne L. Dorpfeld. Владелец: American Tactile Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Biosensor, method of making the same, and molecule detection method

Номер патента: US20240310373A1. Автор: Ying-Nien CHOU,Wei-Hao Gong. Владелец: SOUTHERN TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-09-19.

Self-assembling cell aggregates and methods of making engineered tissue using the same

Номер патента: US09752116B2. Автор: Vladimir Mironov,Gabor Forgacs,Karoly Jakab,Adrian Neagu. Владелец: Medical University of South Carolina Foundation. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of making grid of grooves on inner surface of cylindrical shell and device for its implementation

Номер патента: RU2654410C1. Автор: Юрий Анатольевич Иванов,Виктор Анатольевич Коротков,Виктор Иванович Трегубов,Сергей Николаевич Ларин,Владимир Денисович Кухарь,Олег Николаевич Митин,Сергей Сергеевич Яковлев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тульский государственный университет" (ТулГУ). Дата публикации: 2018-05-17.

Method of making a detonating cord

Номер патента: RU2697554C1. Автор: Марат Растымович Хайрутдинов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Промперфоратор". Дата публикации: 2019-08-15.

Method of making a flat-link chain

Номер патента: RU2702165C1. Автор: Дирк ФОРВЕРК. Владелец: Тиле Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2019-10-04.

Method of applying composition containing cationic trivalent metal and loosener and sheet of loose cellulose made therefrom

Номер патента: RU2610240C2. Автор: Джаймс Е. СИЛЕЙ,Майкл ХЕВЕНОР. Владелец: Интернэшнл Пэйпа Кампани. Дата публикации: 2017-02-08.

Method of making package unit without pallet

Номер патента: RU2464209C2. Автор: Норберт ФРЕНЦЕЛЬ,Петер АКА,Рихард БИРКЕНФЕЛЬД. Владелец: Машиненфабрик Мёллерс Гмбх. Дата публикации: 2012-10-20.

Method of manufacturing shaped articles with base from foamed polymers

Номер патента: RU2731930C1. Автор: Дмитрий Андреевич Христов. Владелец: Дмитрий Андреевич Христов. Дата публикации: 2020-09-09.

Method of making a security document with a protective film applied and the obtained document

Номер патента: RU2725794C2. Автор: Ксавье БОРД,Жюльен ЖИЙО,Элла ДЕРМИЛЛИ. Владелец: Обертур Фидюсьер Сас. Дата публикации: 2020-07-06.

Method of making cheap plastic ultrasonic flow metre

Номер патента: RU2398191C2. Автор: Саймон Джон РОДЕС. Владелец: Флоунетикс Лимитед. Дата публикации: 2010-08-27.

Closure device for container neck (versions) and manufacturing method of closure device (versions)

Номер патента: RU2701615C1. Автор: Александер Дональд Мейклем МАКФЕРСОН,Дэвид Конуэй РИЧАРДСОН. Владелец: Обрист Кложерс Свитселэнд Гмбх. Дата публикации: 2019-09-30.

Method of making a homogeneous mixture of polyolefin solids and solid additive

Номер патента: US12037469B2. Автор: Jeffrey M. Cogen,Saurav S. Sengupta,Bharat I. Chaudhary,Manish K. Mundra,Abhijit Ghosh-Dastidar. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Devices including osmotically balanced barriers, and methods of making and using the same

Номер патента: WO2023187001A1. Автор: Alexandre RICHEZ,Xavier von Hatten,Antonio Conde-Gonzalez,Istvan Kocsis. Владелец: ILLUMINA CAMBRIDGE LIMITED. Дата публикации: 2023-10-05.

Extrudable polyurethane articles and compositions and methods of making and printing same

Номер патента: EP4413057A1. Автор: Joseph D. Rule,Jay M. Jennen,Jacob D. YOUNG,Ross E. Behling,Kolby L. WHITE,David P. SIGLIN. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2024-08-14.

Method of making a homogeneous mixture of polyolefin solids and liquid additive

Номер патента: US12043708B2. Автор: Jeffrey M. Cogen,Saurav S. Sengupta,Bharat I. Chaudhary,Manish K. Mundra,Abhijit Ghosh-Dastidar. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of making hard copy prints of successively spaced pairs of half-frame film images

Номер патента: US20020105626A1. Автор: Joel Lawther. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2002-08-08.

Self-assembling cell aggregates and methods of making engineered tissue using the same

Номер патента: US20240218321A1. Автор: Vladimir Mironov,Gabor Forgacs,Karoly Jakab,Adrian Neagu. Владелец: Medical University of South Carolina Foundation. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods of making coatings containing high density metal material and making coated articles with the same

Номер патента: US20180371282A1. Автор: Jason P. Dutter. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-12-27.

Fiber preform for a turbine engine blade made of composite material and having an integrated platform, and a method of making it

Номер патента: US09771810B2. Автор: Dominique Coupe,Bruno Jacques Gerard Dambrine,Yann Marchal,Jean-Noel Mahieu. Владелец: SNECMA SAS. Дата публикации: 2017-09-26.

Hydroprocessing catalyst and methods of making and using such catalyst

Номер патента: RU2610869C2. Автор: Джон Энтони СМЕДЖЕЛ. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2017-02-17.

Method of producing a layer of spreading of waste products for use in an absorbent article

Номер патента: RU2740084C1. Автор: Мэттью Д. ВУДС,Дэвид Дж. НИКЕЛЬ,Тодд М. АКЕ,Том ПОРТЕР. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2021-01-11.

Method of making decorative-applied products (embodiments)

Номер патента: RU2708699C1. Автор: Владимир Иванович Рубцов. Владелец: Владимир Иванович Рубцов. Дата публикации: 2019-12-11.

Method of making a construction panel

Номер патента: RU2720549C2. Автор: Юрий Михайлович Орлов. Владелец: Юрий Михайлович Орлов. Дата публикации: 2020-05-12.

Photogalvanic cell and method of making photogalvanic cell

Номер патента: RU2462424C2. Автор: Анн ДЮРАНДО,Бернар НГЬЕМ,Жорж ЗАГДУН,Эдди РОЙЕР,Эмили ВЬЯСНОФФ,Бертран КУН,БЕЛЛАК Давид ЛЕ,Фабрис ЭББОТТ,Оливье ДЮБУА,Бернар НГЬЕМ (FR),Эмили ВЬЯСНОФФ (FR),Бертран КУН (FR),БЕЛЛАК Давид ЛЕ (FR),Анн ДЮРАНДО (FR),Фабрис ЭББОТТ (FR),Эдди РОЙЕР (FR),Жорж ЗАГДУН (FR),Оливье ДЮБУА (FR). Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2012-09-27.

Formaldehyde-free binder compositions and methods of making the binders

Номер патента: US20170158923A1. Автор: Jawed Asrar,Uranchimeg Lester,Kiarash Alavi. Владелец: JOHNS MANVILLE. Дата публикации: 2017-06-08.

Composite materials and methods of making and use thereof

Номер патента: WO2023235245A1. Автор: Chih-Hao Chang,I-Te Chen,Vijay Anirudh PREMNATH. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2023-12-07.

Masks for microlithography and methods of making and using such masks

Номер патента: US20130130163A1. Автор: Zhong Shi,William A. Stanton,Byron N. Burgess. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Masks for microlithography and methods of making and using such masks

Номер патента: WO2009023479A1. Автор: Zhong Shi,William A. Stanton,Byron N. Burgess. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-02-19.

Masks for microlithography and methods of making and using such masks

Номер патента: US20110256644A1. Автор: Zhong Shi,William A. Stanton,Byron N. Burgess. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Medical Devices for Delivering a Bioactive to a Point of Treatment and Methods of Making Medical Devices

Номер патента: US20160175494A1. Автор: Colleen Gemborys. Владелец: Cook Medical Technologies LLC. Дата публикации: 2016-06-23.

A mold for making a three-dimensional complex structure, said mold comprising at least three mold portions, method of making said mold, and use of said mold for making three-dimensional complex structures

Номер патента: WO2000009307A9. Автор: Donald E Ingber,David E Butz,Eric R Roberts,Dale Clifford,John J Kummailil. Владелец: John J Kummailil. Дата публикации: 2000-08-03.

Method for deblocking a blocked isocyanate and method of making a polyurethane

Номер патента: US20200239623A1. Автор: Todd Emrick,Sunitha Grandhee,Madhu Sheri,Umesh Choudhary. Владелец: University of Massachusetts UMass. Дата публикации: 2020-07-30.

Method of making a homogeneous mixture of polyolefin solids and carbon solids

Номер патента: US12030220B2. Автор: Mohamed Esseghir,Saurav S. Sengupta. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Mats of glass fibers and pulp fibers and their method of manufacture

Номер патента: EP1218595A1. Автор: Daojie Dong. Владелец: Owens Corning. Дата публикации: 2002-07-03.

Medical Devices for Delivering a Bioactive to a Point of Treatment and Methods of Making Medical Devices

Номер патента: US20180043067A1. Автор: Colleen Gemborys. Владелец: Cook Medical Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-15.

Aerated creamers, packaged ready-to-use aerated creamers, and methods of making and using such creamers

Номер патента: US20240206489A1. Автор: James Stone,Ningrong Catherine Fu,Emanuel Jose De Freitas. Владелец: SOCIETE DES PRODUITS NESTLE SA. Дата публикации: 2024-06-27.

Aerated creamers, packaged ready-to-use aerated creamers, and methods of making and using such creamers

Номер патента: WO2024134507A1. Автор: James Stone,Emanuel Jose De Freitas,Ningrong FU. Владелец: Societe des Produits Nestle S.A.. Дата публикации: 2024-06-27.

Hydrogel structures and methods of making and use thereof

Номер патента: EP4422700A1. Автор: Andres J. Garcia,Ankur Singh,Adriana MULERO-RUSSE,Ana Mora Boza,Maria M. CORONEL,Valeria M. JUAREZ. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2024-09-04.

Medical devices for delivering a bioactive to a point of treatment and methods of making medical devices

Номер патента: US09801983B2. Автор: Colleen Gemborys. Владелец: Cook Medical Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of making a buffer board of a treadmill

Номер патента: US09724842B2. Автор: Chung-Fu Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-08.

Formaldehyde-free binder compositions and methods of making the binders

Номер патента: US09695311B2. Автор: Jawed Asrar,Kiarash Alavi Shooshtari,Uranchimeg Lester. Владелец: JOHNS MANVILLE. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of making flat edible using a compact apparatus

Номер патента: US09603370B2. Автор: Pranoti Nagarkar Israni. Владелец: ZIMPLISTIC Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of making a facing for a dental restoration, facing for a dental restoration, and method of making a dental restoration

Номер патента: US09579172B2. Автор: Holger Hauptmann,Bernd K. Burger. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of making a 3d collagen matrix

Номер патента: RU2683328C2. Автор: Сергей Васильевич Евдокимов,Алексей Александрович Венедиктов,Максим Вячеславович Гурин,Юлия Александровна Юдичева,Дарья Владимировна Шадрина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Кардиоплант". Дата публикации: 2019-03-28.

Method of producing 3-trifluoromethyl chalcones

Номер патента: RU2502720C2. Автор: Гари Дэвид АННИС. Владелец: Е.И.Дюпон де Немур энд Компани. Дата публикации: 2013-12-27.

Method of concrete platform manufacturing, concrete platform, and connection element

Номер патента: RU2504617C2. Автор: Наохиро АСАДА,Юми ТАНАКА,Такэо ТАКАКУРА. Владелец: Мицубиси Хеви Индастрис, Лтд.. Дата публикации: 2014-01-20.

Manufacturing method of thermoacoustic emitter based on graphene

Номер патента: RU2724227C1. Автор: Дмитрий Владимирович Смовж,Павел Евгеньевич Маточкин,Илья Алексеевич Костогруд,Евгений Викторович Бойко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН). Дата публикации: 2020-06-22.

Curable polymer composition and method of making a hardened product therefrom

Номер патента: RU2699556C1. Автор: Виктор Васильевич Авдеев,Марина Юрьевна Яблокова,Денис Иванович Калугин,Борис Анатольевич Булгаков,Сергей Сергеевич Нечаусов. Владелец: Акционерное общество "Институт новых углеродных материалов и технологий" (АО "ИНУМиТ"). Дата публикации: 2019-09-06.

Slab and method of its production (versions)

Номер патента: RU2738049C1. Автор: Александр Сергеевич Мещеряков,Сергей Александрович Амбарцумян. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Комбинат Инновационных Технологий-МонАрх". Дата публикации: 2020-12-07.

Method of obtaining n-acylbiphenylalanine

Номер патента: RU2534619C2. Автор: ЧЖУ Гуолян,ШИ Дэсун,ВЭЙ Юньсюй,ТАО Фэнфэн. Владелец: Чжэцзян Цзючжоу Фармасьютикл Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-11-27.

Method of producing n-substituted carbamic acid ester and method of producing isocyanate using n-substituted carbamic acid ester

Номер патента: RU2528423C2. Автор: Масааки СИНОХАТА,Нобухиса МИЯКЕ,Ацуси ОКУБО. Владелец: Асахи Касеи Кемикалз Корпорейшн. Дата публикации: 2014-09-20.

Method of metal flowers, for example rose, manufacture

Номер патента: RU2655151C1. Автор: Андрей Евгеньевич Карпенко. Владелец: Андрей Евгеньевич Карпенко. Дата публикации: 2018-05-23.

Method of producing (4s)-4-(4-cyano-2-methoxyphenyl)-5-ethoxy-2,8-dimethyl-1,4-dihydro-1,6-naphthyridine-3-carboxamide and purification thereof for use as pharmaceutical biologically active substance

Номер патента: RU2743429C2. Автор: Йоханнес Платцек. Владелец: Байер Фарма Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2021-02-18.

Method of automated motor vehicle driver alert on highly dangerous road sites

Номер патента: RU2666103C2. Автор: Сергей Николаевич Михайлов,Дмитрий Сергеевич Коптев,Алексей Николаевич Щитов,Иван Геннадьевич Бабанин,Алексей Николаевич Шевцов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2018-09-05.

Method of making locking member for opening metallic package, locking member for metallic package, package with locking member and package for drinks

Номер патента: RU2036043C1. Автор: Де Смет Габриель. Владелец: Соллак. Дата публикации: 1995-05-27.

System and method of changing user role

Номер патента: RU2739870C1. Автор: Андрей Владимирович Казачков,Дамир Рафекович Шияфетдинов,Кирилл Леонидович Бондарев,Максим Борисович Петров,Николай Сергеевич Хрол. Владелец: Акционерное общество "Лаборатория Касперского". Дата публикации: 2020-12-29.

Device for application of coating on one or several threads by method of deposition from vapour phase

Номер патента: RU2717620C2. Автор: Адриен ДЕЛЬКАМ,Седрик ДЕСКАМ,Симон ТИБО,Эмильен БЮЭ. Владелец: Сафран Серамикс. Дата публикации: 2020-03-24.

Compound-semiconductor waveguides with airgap cladding

Номер патента: EP4369065A1. Автор: Yusheng Bian,Mark D. Levy,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Method of tribological characterization

Номер патента: WO2024121733A1. Автор: Matteo Redaelli,Pietro Barale,Francesco Varriale,Davide CARLEVARIS,Jens Christian WAHLSTRÖM. Владелец: BREMBO S.p.A.. Дата публикации: 2024-06-13.

Compound-semiconductor waveguides with airgap cladding

Номер патента: US20240159962A1. Автор: Yusheng Bian,Mark Levy,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Bulk melt-to-make pectin-based gummy mix precursor and methods of making and using

Номер патента: AU2022347326A1. Автор: Sarah C. Walker-Mclaughlin,Siyue Gao. Владелец: M2m Gummies LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of making a coupled rangefinder / parallax 4x5 camera

Номер патента: US20040013422A1. Автор: Guillermo Litman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

Method of making a coupled rangefinder/parallax 4×5 camera

Номер патента: US6778772B2. Автор: Guillermo E. Litman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-17.

Coated substrate clumping litter, self-clumping coated substrate litter granules, and methods of making same

Номер патента: WO2024064412A1. Автор: John M. Lipscomb,Omar I. Rodriguez. Владелец: Pioneer Pet Products, LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of making nitride semiconductor and p-type nitride semiconductor device

Номер патента: RU2371806C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Михаил Алексеевич СИНИЦЫН. Владелец: Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-10-27.

Method of testing for power and ground continuity of a semiconductor device

Номер патента: SG135133A1. Автор: Vivien Wong,Wai Khuin Phoon,Wah Yew Tan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-09-28.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2522182C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2014-07-10.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LASER, SEMICONDUCTOR LASER, OPTICAL PICKUP, OPTICAL DISK DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF GROWING NITRIDE TYPE GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER

Номер патента: US20120207185A1. Автор: Nakayama Eiji,Kuramoto Masaru,Ohizumi Yoshitsugu. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-16.

Thermally weldeable flat material and method of of making the same

Номер патента: CS215160B1. Автор: Jan Durinda,Miloslav Marek,Jan Majling,Vladimir Keclik. Владелец: Vladimir Keclik. Дата публикации: 1982-07-30.

Methods of manufacturing MOS transistor and forming channel cut and semiconductor device

Номер патента: TW200924114A. Автор: Satoshi Shimizu,Saysamone Pittikoun,Hann-Ping Hwang,Chih-Ming Chao,Hisakazu Otoi. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2009-06-01.

Method of preventing dishing during chemical mechanical polishing and manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW200729314A. Автор: Tu-Hao Yu,Te-Kan Liao,Yu-Chia Chen,Pai-Hsuan Sun. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2007-08-01.

Methods of manufacturing mos transistor and forming channel cut and semiconductor device

Номер патента: TWI349333B. Автор: SHIMIZU Satoshi,Otoi Hisakazu,Pittikoun Saysamone,Chih Ming Chao,Hann Ping Hwang. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2011-09-21.

METHOD OF MAKING PREPARATIONS OF A SCREW FOR ASSEMBLING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: SU381119A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1973-05-15.

DOPED, PASSIVATED GRAPHENE NANOMESH, METHOD OF MAKING THE DOPED, PASSIVATED GRAPHENE NANOMESH, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE DOPED, PASSIVATED GRAPHENE NANOMESH

Номер патента: US20130028823A1. Автор: Maarouf Ahmed,Martyna Glenn J.,Abou-Kandil Ahmed,Newns Dennis M.,Mohamed Hisham. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-31.

Method of Making Capacitor With a Sealing Liner and Semiconductor Device Comprising Same

Номер патента: US20130164901A1. Автор: Richter Ralf. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-06-27.

Method of of making moulds using investment patterns

Номер патента: SU1386355A1. Автор: Олег Юрьевич Бегак,Валентин Михайлович Можаев,Алевтина Алексеевна Демидова,Владимир Константинович Крутиков. Владелец: Предприятие П/Я Р-6762. Дата публикации: 1988-04-07.

Method of fabricating GaN-based III - V group compound semiconductor light emitting device

Номер патента: KR100664981B1. Автор: 곽준섭,조제희. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2007-01-09.

Semiconductor device having memory unit, method of writing to or reading from memory unit, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120044741A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-02-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF DOUBLE PHOTOLITHOGRAPHY PROCESS FOR FORMING PATTERNS OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120049377A1. Автор: Kim Dong-hyun,CHUNG Seung-Pil,Yang Song-Yi,Kwon O-ik,Cho Hong. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120153296A1. Автор: LEE Moon Sang,PARK Sung Soo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-06-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120223288A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-09-06.

Method of Setting a Work Function of a Fully Silicided Semiconductor Device, and Related Device

Номер патента: US20120231590A1. Автор: COLOMBO Luigi,Visokay Mark R.,Chambers James J.. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor Device, Method Of Manufacturing The Same, And Electronic Device Including The Semiconductor Device

Номер патента: US20120248414A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-10-04.

MANUFACTURING METHODS OF THIN FILM TRANSISTOR, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120052625A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

Method of forming a metal interlayer insulating film of a semiconductor device

Номер патента: KR970003633A. Автор: 이정래,신동선. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-01-28.

Method of manufacturing an element isolation oxide film of a semiconductor device

Номер патента: KR980006057A. Автор: 남철우. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Removal method of fine particles generated in wet etching process of semiconductor device

Номер патента: KR970016835A. Автор: 김창욱,조영민,유정식,우용진. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-04-28.

Method of suppressing particle generation in interlayer insulating film of semiconductor device

Номер патента: KR970023836A. Автор: 최재광,유진산,강영묵. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1997-05-30.

METHOD OF MANUFACTURING SCALED EQUIVALENT OXIDE THICKNESS GATE STACKS IN SEMICONDUCTOR DEVICES AND RELATED DESIGN STRUCTURE

Номер патента: US20130330843A1. Автор: Chudzik Michael P.,JR. Joseph F.,DAI Min,Liu Jinping,Shepard,Ronsheim Paul A.,Siddiqui Shahab. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-12.

METHODS OF FORMING HIGH MOBILITY FIN CHANNELS ON THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130330916A1. Автор: Maitra Kingsuk,Miller Robert J.,Pham Daniel T.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-12-12.

Preparation method of trench grid VDMOS (vertical double-diffused metal oxide semiconductor) device with ultra-thin source region

Номер патента: CN102832134B. Автор: 张波,任敏,李泽宏,张金平,张蒙,赵起越,张灵霞,邓光敏. Владелец: Institute of Electronic and Information Engineering of Dongguan UESTC. Дата публикации: 2014-12-03.

Method of controlling doping concentration for semiconductor thin film and semiconductor device

Номер патента: JP2003104792A. Автор: Hajime Saito,Masashi Kawasaki,肇 齊藤,雅司 川崎. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-04-09.

Method of preventing dishing during chemical mechanical polishing and manufacturing semiconductor device

Номер патента: TWI296829B. Автор: Yu Chia Chen,Tu Hao Yu,Pai Hsuan Sun,Te Kan Liao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2008-05-11.

Method of in situ making a micropile directly in the ground

Номер патента: PL317803A1. Автор: Grzegorz Lagowski,Wiktor Przybylowicz. Владелец: POLITECHNIKA SWIETOKRZYSKA. Дата публикации: 1998-07-06.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STRETCHING ORGANIC PIEZOELECTRIC MATERIAL, METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC PIEZOELECTRIC MATERIAL, ULTRASONIC TRANSDUCER, ULTRASONIC WAVE PROBE AND ULTRASONIC WAVE MEDICAL IMAGE DIAGNOSIS DEVICE

Номер патента: US20120004555A1. Автор: . Владелец: Konica Minolta Medical & Graphic, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Treating an Overweight or Obese Subject

Номер патента: US20120004162A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making compound

Номер патента: RU2461598C2. Автор: Виктор Иванович Котак,Виталий Григорьевич Кушниренко. Владелец: Виталий Григорьевич Кушниренко. Дата публикации: 2012-09-20.

High-voltage inductance coil and method of making same

Номер патента: RU2324248C1. Автор: Павел Иванович Бойко,Юрий Александрович Кондрашенков,Тамара Николаевна Ершова,Анатолий Алексеевич Ларкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2008-05-10.

Conductive ink and method of making said ink

Номер патента: RU2388774C2. Автор: Кванг-Чоон ЧУНГ,Хиун-Нам ЧО,Миоунг-Сеон ГОНГ,Йи-Суп ХАН,Дзеонг-Бин ПАРК,Сеонг-Йонг УХМ,Йоунг-Кван СЕО,Донг-Хун НАМ,Нам-Боо ЧО. Владелец: Инктек Ко., Лтд.. Дата публикации: 2010-05-10.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PYRIMIDINE CLASSICAL CANNABINOID COMPOUNDS AND RELATED METHODS OF USE

Номер патента: US20120004250A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2506660C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2014-02-10.

METHOD OF PRODUCING A NOVEL OPIOID PEPTIDE

Номер патента: US20120004180A1. Автор: LIPKOWSKI Andrej. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Thermosetting resin composition and method making protective coating for semiconductor devices

Номер патента: RU2391361C2. Автор: Алексей Петрович Крысин,Олег Иосифович Яковлев,Татьяна Федоровна Жаркова,Татьяна Васильевна Волосская,Людмила Ивановна Почуева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ" (ФГУП НЗПП с ОКБ). Дата публикации: 2010-06-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERN USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003585A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,Tsuchimura Tomotaka,Yatsuo Tadateru,TSUCHIHASHI Toru,SHIRAKAWA Koji. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SCREENING METHOD OF ANTI-LUNG OR ESOPHAGEAL CANCER COMPOUNDS

Номер патента: US20120004172A1. Автор: Nakamura Yusuke,Tsunoda Takuya,Daigo Yataro. Владелец: Oncotherapy Science, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

INHIBITION OF FATTY ACID SYNTHESIS BY IODO-NITROBENZAMIDE COMPOUNDS AND METHODS OF TREATMENT THEREOF

Номер патента: US20120004260A1. Автор: Sherman Barry,Ossovskaya Valeria. Владелец: BIPAR SCIENCES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

VIOLET LASER EXCITABLE DYES AND THEIR METHOD OF USE

Номер патента: US20120004397A1. Автор: . Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

High-power semiconductor resistor and method of making said resistor

Номер патента: RU2531381C1. Автор: Алексей Юрьевич Коваленко,Светлана Степановна Асина,Игорь Евгеньевич Кудрявцев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт имени В.И. Ленина". Дата публикации: 2014-10-20.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ASSESSING PEOPLE'S SELF-PRESENTATION AND ACTIONS TO EVALUATE PERSONALITY TYPE, BEHAVIORAL TENDENCIES, CREDIBILITY, MOTIVATIONS AND OTHER INSIGHTS THROUGH FACIAL MUSCLE ACTIVITY AND EXPRESSIONS

Номер патента: US20120002848A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Making a Combustion Turbine Component Having a Plurality of Surface Cooling Features and Associated Components

Номер патента: US20120000072A9. Автор: James Allister W.,Morrison Jay A.,Merrill Gary B.,Fraser Iain A.,Paulus John R.,Lane Jay E.,Appleby Mike P.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WALL FORMED IN SOIL, THE WALL INCLUDING A HOLLOW PREFABRICATED ELEMENT, AND A METHOD OF MAKING SUCH A WALL

Номер патента: US20120000148A1. Автор: MATHIEU Fabrice,BOREL Serge,HAMELIN Jean Pierre,CANO Joël. Владелец: SOLETANCHE FREYSSINET. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-Layer Compressible Foam Sheet and Method of Making the Same

Номер патента: US20120000384A1. Автор: Vest Ryan W.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods of Using Living and Non-Living Bioactive Devices with Components Derived from Self-Renewing Colony Forming Cells Cultured and Expanded In Vitro

Номер патента: US20120003188A1. Автор: KOPEN Gene,RAGAGLIA Vanessa,BRAYFIELD Candace. Владелец: Garnet Biotherapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF TREATING A MATERIAL TO ACHIEVE SUFFICIENT HYROPHILICITY FOR MAKING HYROPHILIC ARTICLES

Номер патента: US20120003382A1. Автор: Cipollini Ned E.,Vance,Allen Glenn M.,Resnick Gennady,JR. Zebulon D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003530A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPRESSION SPRINGS AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120000073A1. Автор: . Владелец: Renton Coil Spring Company. Дата публикации: 2012-01-05.

Metal pallet and method of making same

Номер патента: US20120000401A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOL-GEL MONOLITHIC COLUMN WITH OPTICAL WINDOW AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20120000850A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LED module, LED package, and wiring substrate and method of making same

Номер патента: US20120002420A1. Автор: IMAI Noboru,ISAKA Fumiya,Noguchi Masahiro,Shibata Akiji,Ashidate Yuzuru,Suzuki Aki. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Molded Expanded Pellet Product and Method of Making

Номер патента: US20120003365A1. Автор: Ramirez Fernando,GUZMAN Roberto,GARCIA Anamaria,PACHECO Antonio. Владелец: SABRITAS, S. DE R.L. DE C.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making multiple-layer coating for cutting instrument

Номер патента: RU2363762C1. Автор: Владимир Петрович Табаков,Алексей Валерьевич Чихранов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2009-08-10.

Display Device and Arrangement Method of OSD Switches

Номер патента: US20120001942A1. Автор: ABE Masatoshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POROUS CLUSTERS OF SILVER POWDER COMPRISING ZIRCONIUM OXIDE FOR USE IN GAS DIFFUSION ELECTRODES, AND METHODS OF PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120003549A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Improving Print Performance in Flexographic Printing Plates

Номер патента: US20120003588A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making photocathode and apparatus for making photocathode

Номер патента: RU2502151C1. Автор: Сергей Григорьевич Гаранин,Николай Николаевич Денисов,Владимир Александрович Терёхин,Юрий Алексеевич Трутнев,Сергей Владимирович Гарнов,Вадим Михайлович Брендель,Владимир Валентинович Букин,Владимир Хачатурович Багдасаров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук (ИОФ РАН). Дата публикации: 2013-12-20.

Method of making sculptures or copies thereof

Номер патента: RU2541945C1. Автор: Николай Алексеевич Козин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ростр". Дата публикации: 2015-02-20.

Method of making master model for making flat spherical fresnel lens (versions)

Номер патента: RU2373054C2. Автор: Владимир Николаевич Краснов,Владимир Дмитриевич Тронько,Андрей Васильевич Скрипец,Михаил Леонтьевич Марченко,Елена Владимировна Кожохина. Владелец: Национальный Авиационный Университет. Дата публикации: 2009-11-20.

Method of making clock face marking for wall analogue clocks

Номер патента: RU2502108C1. Автор: Александр Иванович Максимов. Владелец: Александр Иванович Максимов. Дата публикации: 2013-12-20.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2596861C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2016-09-10.

Method of making precision optical scales using lift-off photolithography

Номер патента: RU2370799C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Кручинин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Производственное объединение "Уральский оптико-механический завод" имени Э.С. Яламова" (ФГУП "ПО "УОМЗ"). Дата публикации: 2009-10-20.

Method of making heat-dissipating panel, heat-dissipating panel made using said method, panel-formed structure and heat-dissipating system

Номер патента: RU2467519C2. Автор: Йосиказу ДАММУРА,Тосиаки ИТО,Такаказу САВАДА,Эцуо ХИНО,Ясутоси ХОНДА,Гаку ОКУНО,Кацунобу ЯМАНАКА,Мунеюки ТАНАКА. Владелец: Фигла , Ко., Лтд.. Дата публикации: 2012-11-20.

Method of making protective films based on hafnium oxide

Номер патента: RU2357320C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Айшат Расуловна Шахмаева,Таджидин Экберович Саркаров. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2009-05-27.

Method of making interconnections for semiconductor device

Номер патента: RU2421847C1. Автор: Сергей Александрович Гаврилов,Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Андрей Евгеньевич Миронов,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ). Дата публикации: 2011-06-20.

Method of making nano-barcode

Номер патента: RU2490708C1. Автор: Корнелий Васильевич Иову,Владимир Дмитриевич Шкилев,Николай Павлович Мартынюк,Виталий Иванович Вакарчук,Мринал Дас. Владелец: Мринал Дас. Дата публикации: 2013-08-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making film-type electric heater (versions)

Номер патента: RU2394398C1. Автор: Игорь Николаевич Панасюк,Владимир Николаевич Лукьянов,Юрий Васильевич Мантуров,Игорь Николаевич Панасюк (RU),Владимир Николаевич Лукьянов (RU),Юрий Васильевич Мантуров (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Завод "Рациональные отопительные системы". Дата публикации: 2010-07-10.

Catalyst head element, preparation method thereof (versions) and method of carrying out catalytic exothermal reactions

Номер патента: RU2383389C1. Автор: Валентин Николаевич Пармон,Александр Дмитриевич Симонов,Николай Алексеевич Языков,Вадим Анатольевич Яковлев. Владелец: Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук (статус государственного учреждения). Дата публикации: 2010-03-10.

Method of making absorbent coating

Номер патента: RU2503103C1. Автор: Андрей Александрович Жуков,Андрей Сергеевич Корпухин,Вадим Петрович Лаврищев,Олег Юрьевич Казанцев,Ольга Анатольевна Дюкарева. Владелец: Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2013-12-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

System For Monitoring Foreign Particles, Process Processing Apparatus And Method Of Electronic Commerce

Номер патента: US20120002196A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Infrared radiation sensitive structure and method of making said structure

Номер патента: RU2396635C1. Автор: Николай Николаевич Михайлов,Владимир Васильевич Васильев,Василий Семенович Варавин,Юрий Георгиевич Сидоров,Александр Васильевич Войцеховский,Сергей Николаевич Несмелов,Станислав Михайлович Дзядух,Сергей Алексеевич Дворецкий,Максим Витальевич Якушев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет" (ТГУ). Дата публикации: 2010-08-10.

Method of making diffraction grating

Номер патента: RU2544873C1. Автор: Владимир Иванович Нуждин,Андрей Львович Степанов,Валерий Фердинандович Валеев,Юрий Николаевич Осин,Мансур Фаляхутдинович Галяутдинов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского Казанского научного центра Российской Академии наук (КФТИ КазНЦ РАН). Дата публикации: 2015-03-20.

Method of making sensitive element of oxygen or hydrogen concentration sensor

Номер патента: RU2526231C2. Автор: Александр Антонович Колганов,Анатолий Васильевич Мартыненко,Рафаэль Хайбуллович Жалилов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "ЛУЧ" (ФГУП "НИИ НПО "ЛУЧ"). Дата публикации: 2014-08-20.

Method of making housing based on chip dimensions

Номер патента: RU2410793C2. Автор: Владимир Иванович Громов. Владелец: Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ". Дата публикации: 2011-01-27.

Method of changing dimensions of liquid crystal array

Номер патента: RU2535233C1. Автор: Александр Сергеевич Войтенков,Александр Иванович Вильчиков,Виталий Владимирович Антипов,Сергей Валентинович Гашков,Мария Викторовна Евтушенко. Владелец: Открытое акционерное общество "Конструкторское бюро "Дисплей". Дата публикации: 2014-12-10.

Method of making thin-film pressure sensor

Номер патента: RU2423678C1. Автор: Евгений Михайлович Белозубов,Нина Евгеньевна Белозубова. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2011-07-10.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ALIGNMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER AND LIGHT OUTPUT DEVICE

Номер патента: US20120002696A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making planar waveguide of zinc oxide in lithium niobate

Номер патента: RU2487084C1. Автор: Светлана Анатольевна Кузнецова,Владимир Васильевич Козик,Станислав Михайлович Шандаров,Веста Вячеславовна Щербина,Станислав Александрович Смычков,Николай Иванович Буримов,Максим Викторович Бородин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет". Дата публикации: 2013-07-10.

Method of making nano- and micro-electromechanical pressure sensor system and pressure sensor based on said system

Номер патента: RU2398195C1. Автор: Валерий Анатольевич Васильев,Евгений Михайлович Белозубов,Павел Сергеевич Чернов. Владелец: Павел Сергеевич Чернов. Дата публикации: 2010-08-27.

Method of making liga template

Номер патента: RU2431881C1. Автор: Владимир Иванович Кондратьев,Александр Николаевич Генцелев,Александр Георгиевич Зелинский. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН). Дата публикации: 2011-10-20.

Method of making fireproof coating for fibre-glass

Номер патента: RU2494129C1. Автор: Виктор Федорович Каблов,Наталья Александровна Кейбал,Сергей Николаевич Бондаренко,Марина Сергеевна Лобанова,Галина Александровна Жукова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградский государственный технический универститет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2013-09-27.

Method of making cover of antenna cap from quartz ceramic

Номер патента: RU2345970C1. Автор: Михаил Юрьевич Русин,Владимир Гаврилович Ромашин,Тамара Алексеевна Пашутина,Василий Васильевич Василенко,Любовь Павловна Мужанова,Сергей Михайлович Кубахов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2009-02-10.

Reinforced graphite foil and method of making said foil

Номер патента: RU2415108C2. Автор: Игорь Андреевич Годунов,Виктор Васильевич Авдеев,Сергей Геннадьевич Ионов,Анатолий Николаевич Селезнев,Алексей Валерьевич Кепман,Александр Викторович Козлов,Наталья Евгеньевна Сорокина,Александр Афанасьевич Свиридов,Денис Витальевич Савченко. Владелец: Закрытое акционерное общество "УНИХИМТЕК", (ЗАО "УНИХИМТЕК"). Дата публикации: 2011-03-27.

Method of forming nanosized conducting element

Номер патента: RU2478239C1. Автор: Дмитрий Борисович Омороков,Владимир Александрович Русецкий. Владелец: Открытое акционерное общество "Концерн "Созвездие". Дата публикации: 2013-03-27.

Vg vokhmyanin's method of making long holes in parts

Номер патента: RU2554841C1. Автор: Владислав Григорьевич Вохмянин. Владелец: Владислав Григорьевич Вохмянин. Дата публикации: 2015-06-27.

Method of making pressure sensor having carbon nanotubes

Номер патента: RU2504746C1. Автор: Александр Николаевич Сауров,Александр Александрович Павлов,Евгений Владимирович Благов,Сергей Николаевич Скорик,Юрий Петрович Шаман,Артемий Андреевич Шаманаев,Вячеслав Александрович Галперин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук. Дата публикации: 2014-01-20.

Method of making diffraction grating

Номер патента: RU2470333C1. Автор: Виктор Алексеевич Турков. Владелец: Виктор Алексеевич Турков. Дата публикации: 2012-12-20.

Method of making optical detection window in monolithic fused silica column

Номер патента: RU2446390C2. Автор: Алексей Юрьевич Шмыков. Владелец: Учреждение Российской академии наук институт аналитического приборостроения Российской академии наук (ИАП РАН). Дата публикации: 2012-03-27.

Method of making luminescent panel

Номер патента: RU2381637C1. Автор: Виктор Александрович Зуккель,Ирина Викторовна Зуккель. Владелец: Ирина Викторовна Зуккель. Дата публикации: 2010-02-10.

DIESEL PARTICULATE FILTER AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20120000171A1. Автор: Zheng Jing,Maxey Kirk. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making laced ceramic article

Номер патента: RU2594904C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2016-08-20.

METHOD OF MAKING NITRIDE FILM ON SURFACE OF GaSb BASED HETEROSTRUCTURE

Номер патента: RU2370854C1. Автор: Владимир Петрович Улин,Юрий Павлович Яковлев,Игорь Анатольевич Андреев,Екатерина Вадимовна Куницына,Владимир Леонидович Берковиц,Татьяна Викторовна Львова. Владелец: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. Дата публикации: 2009-10-20.

Method of making clock-face marking for dial wall clocks

Номер патента: RU2501062C1. Автор: Александр Иванович Максимов. Владелец: Александр Иванович Максимов. Дата публикации: 2013-12-10.

Method of making semiconductor radiator

Номер патента: RU2503094C1. Автор: Владимир Валерьевич Акпаров,Владимир Петрович Дураев,Евгений Тихонович Неделин,Татьяна Петровна Недобывайло,Михаил Александрович Сумароков. Владелец: Закрытое акционерное общество "НОВАЯ ЛАЗЕРНАЯ ТЕХНИКА" (ЗАО "НОЛАТЕХ"). Дата публикации: 2013-12-27.

Fibre-optic level gauge and method of making said gauge

Номер патента: RU2564683C1. Автор: Татьяна Ивановна Мурашкина,Дмитрий Иванович Серебряков,Александр Григорьевич Пивкин,Елена Александровна Бадеева,Инна Таджиддиновна Назарова. Владелец: Татьяна Ивановна Мурашкина. Дата публикации: 2015-10-10.

Method of making clock-face marking holder for wall clocks

Номер патента: RU2500007C1. Автор: Александр Иванович Максимов. Владелец: Александр Иванович Максимов. Дата публикации: 2013-11-27.

Method of making a tensoresistor pressure sensor with high time and temperature stability based on thin-film nano- and micro-electromechanical system

Номер патента: RU2594677C1. Автор: Валерий Анатольевич Васильев,Евгений Михайлович Белозубов,Нина Евгеньевна Белозубова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "Пензенский государственный университет"). Дата публикации: 2016-08-20.

Method of making shunt diode for spacecraft solar batteries

Номер патента: RU2411607C1. Автор: Андрей Александрович Жуков,Владимир Анатольевич Харитонов,Андрей Андреевич Басовский,Любовь Владимировна Анурова. Владелец: Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2011-02-10.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING PATTERN AND DEVELOPER FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20120003591A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,IWATO Kaoru,Kato Keita,Kamimura Sou,FUJII Kana. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

PDK INHIBITOR COMPOUNDS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004284A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING THIN-FILM DIODE LASER BASED ON THIN MULTIPASS EMITTING p-n HETEROSTRUCTURE

Номер патента: RU2381604C1. Автор: Юрий Иванович Тишин,Виталий Львович Крюков,Увиналий Афанасьевич Бекирев,Людмила Петровна Сидорова,Андрей Владимирович Скипер. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью ООО "Юник Ай Сиз". Дата публикации: 2010-02-10.

Method of making steep trench

Номер патента: RU2534297C1. Автор: Алексей Викторович Яковлев,Георгий Григорьевич Саканцев,Татьяна Максимовна Зырянова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт горного дела Уральского отделения Российской академии наук (ИГД УрО РАН). Дата публикации: 2014-11-27.

Method of making microwave field-effect transistor

Номер патента: RU2523060C2. Автор: Геннадий Андреевич Блинов,Елена Васильевна Бутенко. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт микроприборов-технология" (ЗАО "НИИМП-Т"). Дата публикации: 2014-07-20.

Clock having ornamental housing made of precious metal, ornamental housing and thin-wall ornamental cover made of precious metal for said clock and method of making clock from precious metal

Номер патента: RU2532957C2. Автор: Тенгиз Амиранович Саникидзе. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Часовой завод "НИКА". Дата публикации: 2014-11-20.

Method of making through-type target of x-ray tube and through-type target of x-ray tube (versions)

Номер патента: RU2477542C1. Автор: Света Львовна Эльяш,Андрей Леонидович Юрьев,Дмитрий Павлович Николаев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" - ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2013-03-10.

Radar absorbent material and method of making radar absorbent coating

Номер патента: RU2502766C1. Автор: Владимир Петрович Кудрявцев,Иосиф Михайлович Старобинец,Сергей Васильевич Козырев,Василий Андреевич Слугин,Михаил Сергеевич Андрющенко,Леонид Владимирович Луцев,Евгений Анатольевич Штагер. Владелец: Закрытое акционерное общество "СПЕЦХИММОНТАЖ" (ЗАО "СПЕЦХИММОНТАЖ"). Дата публикации: 2013-12-27.

METHOD OF MAKING HETEROGENEOUS p-n JUNCTION BASED ON ZINC OXIDE NANORODS

Номер патента: RU2396634C2. Автор: Андрей Николаевич Баранов,Олег Викторович Кононенко,Геннадий Николаевич Панин,Аркадий Николаевич Редькин,Тае-Вон Канг. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН (ИПТМ РАН). Дата публикации: 2010-08-10.

Vacuum concrete block and method of making same

Номер патента: RU2324037C2. Автор: Михаил Юрьевич Слесарев,Елена Анатольевна Король,Валерий Иванович Теличенко,Герман Вадимович Макаров. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный строительный университет. Дата публикации: 2008-05-10.

Method of preparing thin-film metal structure of tungsten on silicon

Номер патента: RU2375785C1. Автор: Геннадий Михайлович Михайлов,Светлана Всеволодовна Плющева,Сергей Юрьевич Шаповал,Александра Викторовна Андреева,Геннадий Михайлович Михайлов (RU),Светлана Всеволодовна Плющева (RU),Сергей Юрьевич Шаповал (RU),Александра Викторовна Андреева (RU). Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов. Дата публикации: 2009-12-10.

Method of making mould for controlling glass surface geometry

Номер патента: RU2408547C1. Автор: Александр Львович Гореловский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ТЕХНОСОЮЗСЕРВИС". Дата публикации: 2011-01-10.

METHOD OF ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, ELECTROLYSIS SOLUTION FOR ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, AND METALLIC MATERIAL

Номер патента: US20120000783A1. Автор: Konishi Tomoyoshi,Suda Arata. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods Of Enhancing Antibody-Dependent Cellular Cytotoxicity

Номер патента: US20120003213A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NEW METHODS OF TREATING DRY EYE SYNDROME

Номер патента: US20120003296A1. Автор: Shantha Totada R.,Shantha Erica Maya,Shantha Jessica Gowramma. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

BIGLYCAN MUTANTS AND RELATED THERAPEUTICS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004178A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LONG-ACTING VETERINARY POLYPEPTIDES AND METHODS OF PRODUCING AND ADMINISTERING SAME

Номер патента: US20120004286A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making ceramic wall article (versions)

Номер патента: RU2532511C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина,Любовь Александровна Радченко. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2014-11-10.

Method of making helical welded tubes

Номер патента: RU2476283C1. Автор: Дмитрий Борисович Фрункин,Игорь Львович Пермяков,Николай Евгеньевич Кардаев,Владимир Владимирович Вятченников,Елена Евграфовна Благова. Владелец: Открытое акционерное общество "Волжский трубный завод". Дата публикации: 2013-02-27.

METHOD OF PRODUCING ALKYLBENZENE AND CATALYST USED THEREFOR

Номер патента: US20120000819A1. Автор: MATSUSHITA Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VIRUS LIKE PARTICLE COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120003266A1. Автор: . Владелец: The United States of America,as represented by The Secretary, National Institues of Health. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing nanostructured target for producing molybdenum-99 radioisotopes

Номер патента: RU2588594C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Чувилин,Алексей Николаевич Семенов,Леонид Иеронимович Меньшиков,Яков Максимович Кравец,Александр Алексеевич Артюхов,Александр Васильевич Рыжков,Татьяна Андреевна Удалова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2016-07-10.

Method of making rifled stepped barrel

Номер патента: RU2060083C1. Автор: А.С. Митин. Владелец: Акционерное общество открытого типа "Завод им.В.А.Дегтярева". Дата публикации: 1996-05-20.

Method of producing catalyst for cleaning water from hydrocarbon contaminants

Номер патента: RU2479349C1. Автор: Александр Владиленович Гороховский,Елена Васильевна Третьяченко,Мария Александровна Викулова,Владимир Георгиевич Гоффман,Диана Сергеевна Ковалева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2013-04-20.

SEMICONDUCTOR ON GLASS SUBSTRATE WITH STIFFENING LAYER AND PROCESS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20120001293A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

REDUCED SUCROSE SUGAR COATINGS FOR CEREALS AND METHODS OF PREPARATION

Номер патента: US20120003360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making josephson junction

Номер патента: RU2376686C1. Автор: Владимир Николаевич Игумнов,Виталий Евгеньевич Филимонов,Александр Павлович Большаков,Владимир Николаевич Игумнов (RU),Александр Павлович Большаков (RU),Виталий Евгеньевич Филимонов (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Марийский государственный технический университет. Дата публикации: 2009-12-20.

Method of making welded thin-wall conical shells with stiffness ribs

Номер патента: RU2510686C1. Автор: Валерий Александрович Поклад,Александр Иванович Никитин,Валерий Александрович Гейкин,Наталия Ивановна Шаронова,Игорь Александрович Афонин. Владелец: Российская Федерация от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли (Минпромторг России). Дата публикации: 2014-04-10.

Method of making circuit node

Номер патента: RU2377657C2. Автор: Гарри Б. Мл. РОУЭ,Гарри Б. Мл. РОУЭ (US). Владелец: Алкоа Клоужер Системз Интернэшнл, Инк.. Дата публикации: 2009-12-27.

STILTS WITH NON-CIRCULAR SUPPORT POLE AND METHOD OF IMPROVING SAFETY

Номер патента: US20120004078A1. Автор: . Владелец: CINTA TOOLS, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making flat bottom in tube biller with central bore of required diameter

Номер патента: RU2465975C2. Автор: Сергей Анатольевич Петриков,Александр Григорьевич Карнаушенко,Татьяна Павловна Беляева,Людмила Николаевна Тарабрина. Владелец: Открытое акционерное общество Научно-производственное объединение "Центральный научно-исследовательский институт технологии машиностроения". Дата публикации: 2012-11-10.

Method of producing 6,7-substituted 2,3,5,8-tetrahydroxy-1,4-naphoquinones (spinazarins) and intermediate compounds used in said method

Номер патента: RU2437870C2. Автор: Сергей Георгиевич Полоник,Виктор Филиппович Ануфриев,Никита Сергеевич Полоник. Владелец: Учреждение Российской академии наук Тихоокеанский институт биоорганической химии Дальневосточного отделения РАН (ТИБОХ ДВО РАН). Дата публикации: 2011-12-27.

V.g. vokhmyanin's method of making long holes in parts

Номер патента: RU2544709C1. Автор: Владислав Григорьевич Вохмянин. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кировская государственная медицинская академия" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ГБОУ ВПО Кировская ГМА Минздрава России). Дата публикации: 2015-03-20.

Method of making a polymer article and resulting article

Номер патента: MY171179A. Автор: Diing Yaw CHIENG,Hung Than MAR. Владелец: NOBEL SCIENT Sdn Bhd. Дата публикации: 2019-09-30.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.