Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US20180261674A1
Опубликовано: 13-09-2018
Автор(ы): Nicolas Loubet, Prasanna Khare
Принадлежит: STMicroelectronics lnc USA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Methods of Forming Epitaxial Source/Drain Feautures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210202699A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Tzu-Hsiang HSU,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Gate-all-around/multi-gate semiconductor device with body contact, method of manufacturing gate-all-around/multi-gate semiconductor device with body contact, and electronic apparatus

Номер патента: US20240072135A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-29.

Nanosheet Devices With Hybrid Structures And Methods Of Fabricating The Same

Номер патента: US20240321643A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09972717B2. Автор: Dong-Suk Shin,Si-Hyung Lee,Jeong-Yun Lee,Yeong-Jong Jeong,Geo-Myung SHIN,Seo-Jin JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230154921A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20210305246A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG,Chiao-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09887194B2. Автор: Se-Wan Park,Jung-Gun You,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09870949B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device having gate spacers extending below a fin top surface

Номер патента: US12125891B2. Автор: Chih-Han Lin,Chang-Yin Chen,Wei-liang LU,Chia-Yang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057478B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332359A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Nanosheet devices with hybrid structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US12009261B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US12080798B2. Автор: Sung Soo Kim,Dong Hyun ROH,Sun Ki MIN,Chae Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Gate Spacers In Semiconductor Devices

Номер патента: US20230387245A1. Автор: Chih-Han Lin,Chang-Yin Chen,Wei-liang LU,Chia-Yang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of forming a semiconductor device having a conductor in a sidewall of the substrate

Номер патента: US09761659B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240312990A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09449886B2. Автор: Mei-Yun Wang,I-Wen Wu,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Shih-Wen Liu,Hsiao-Chiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11901409B2. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device having silicide on gate sidewalls in isolation regions

Номер патента: US20130341732A1. Автор: Hoon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-26.

Semiconductor device having silicide on gate sidewalls in isolation regions

Номер патента: US20150061039A1. Автор: Hoon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20150194486A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20170358644A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-14.

Semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: US9548203B2. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20160079355A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20210233906A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor Devices

Номер патента: US20210367053A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Gate Capping Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20230317828A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20160233131A1. Автор: Mei-Yun Wang,I-Wen Wu,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Shih-Wen Liu,Hsiao-Chiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240145535A1. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Isolation structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230307285A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Jui-Chien Huang,Cheng-Yin WANG,Sandy Szuya Liao,Wei-Chen Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Gate structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230040346A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Pinyen Lin,Tzu-Li Lee,Yu-Chia LIANG,Hsiang-Pi Chang,Wen-Chung Liu,Chun-I Wu,Duen-Huei HOU,Chun-Chun LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Method of peak on-state voltage reduction for semiconductor device fabrication

Номер патента: US20240290828A1. Автор: Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of making a thin film semiconductor device

Номер патента: US5897344A. Автор: Satoshi Teramoto,Yasuhiko Takemura,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20150311203A1. Автор: Fenghua FU,Shicheng DING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device

Номер патента: US9472632B2. Автор: Fenghua FU,Shicheng DING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device having decoupling capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: US7883970B2. Автор: Ji-Young Kim,Hyun-Ki Kim,Jung-Hwa Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-08.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200013870A1. Автор: Sungmin Kim,Keun Hwi Cho,Seungseok HA,Gukil AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-09.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09484265B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Kun-Mu Li,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Epitaxial source/drain structure and method of forming same

Номер патента: US12062720B2. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Epitaxial Source/Drain Structure and Method of Forming Same

Номер патента: US20240363753A1. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Strained and unstrained semiconductor device features formed on the same substrate

Номер патента: US09917154B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor devices including finFETs and local interconnect layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US09443851B2. Автор: RWIK Sengupta,RAHEEL Azmat. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same, and solid-state image pickup device using the same

Номер патента: US20140239360A1. Автор: Ryosuke Nakamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Methods of designing layout of semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240265184A1. Автор: Sungwe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09837537B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09859129B2. Автор: Chii-Ming Wu,Chi-Cherng Jeng,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Chen-Chieh Chiang,Chia-Pin Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09536825B2. Автор: Choong-ho Lee,Jung-Gun You,Wei-Hua Hsu,Hyung-Jong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Gate Contact And Via Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240282859A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Sheng-Tsung Wang,Haung-Lin Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Methods of designing layout of semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US11989497B2. Автор: Sungwe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Nanotube semiconductor devices

Номер патента: US09704955B2. Автор: John Chen,Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Hong Chang,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-07-11.

FinFET device and method of forming same

Номер патента: US11862508B2. Автор: Tai-Chun Huang,Chi On Chui,Chih-tang Peng,Bo-Cyuan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Spacer structures and contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230369456A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Tsung-Han CHUANG,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170250089A1. Автор: Chii-Ming Wu,Chi-Cherng Jeng,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Chen-Chieh Chiang,Chia-Pin Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230378305A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US11810960B2. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Gate contact and via structures in semiconductor devices

Номер патента: US12002885B2. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

METHOD OF MAKING A HIGH SPEED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200027878A1. Автор: CHEN Chia-Chung,Liang Victor Chiang,Huang Chi-Feng,Fu Shu Fang,TSAI Fu-Huan. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

Method of making a high speed semiconductor device

Номер патента: US10741553B2. Автор: Chi-Feng Huang,Shu Fang Fu,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-11.

Method of forming fully silicided nmos and pmos semiconductor devices having independent polysilicon gate thicknesses, and related device

Номер патента: US20090057776A1. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Steven A. Vitale,Craig H. Huffman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor Device and Method using a Sacrificial Layer

Номер патента: US20120068240A1. Автор: Rudolf Berger,Reinhard Goellner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-03-22.

Method of Forming Fully Silicided NMOS and PMOS Semiconductor Devices Having Independent Polysilicon Gate Thicknesses, and Related Device

Номер патента: US20090321846A1. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Steven A. Vitale,Craig H. Huffman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Metal gate structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US20240243190A1. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Metal Gate Structures And Methods Of Fabricating The Same In Field-Effect Transistors

Номер патента: US20220367688A1. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Metal gate structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US11949000B2. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device having spacer and method of making same

Номер патента: US5929483A. Автор: Heon-Jong Shin,Hyun-Sik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-07-27.

Gate structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US11824100B2. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Gate Structure of Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240021697A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: EP1535342A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-01.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: WO2004017414A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries L.L.C.. Дата публикации: 2004-02-26.

Method of making a charge compensation semiconductor device using direct bonding and corresponding device

Номер патента: EP1119871A1. Автор: Raymond J. Grover. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-08-01.

Methods of forming doped epitaxial SiGe material on semiconductor devices

Номер патента: US09455140B2. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of fabricating self aligned schottky junctions for semiconductors devices

Номер патента: EP1958244A1. Автор: Markus Müller. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-08-20.

Method of manufacturing lateral double-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US6780697B2. Автор: Katsuhito Sasaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-24.

Methods of forming epitaxial source/drain features in semiconductor devices

Номер патента: US12119378B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor Device Made by Using a Laser Anneal to Incorporate Stress into a Channel Region

Номер патента: US20090065880A1. Автор: Manoj Mehrotra,Amitabh Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-12.

Methods of Forming Epitaxial Source/Drain Features in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210134955A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Methods of Forming Epitaxial Source/Drain Features in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200075724A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Method of manufacturing a transistor of a semiconductor device

Номер патента: US20070166941A1. Автор: Jeong Ho Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Epitaxial features in semiconductor devices and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230378320A1. Автор: Chun-Fai Cheng,Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240120421A1. Автор: Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung,EunTae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Ldmos fin-type field-effect transistors including a dummy gate

Номер патента: US20200135917A1. Автор: Jerome Ciavatti,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Nanosheet and nanowire devices having doped internal spacers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09773886B1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Dharmendar Reddy Palle. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Devices and methods of forming VFET with self-aligned replacement metal gates aligned to top spacer post top source drain EPI

Номер патента: US09773708B1. Автор: John Zhang,Kwan-Yong Lim,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4350779A1. Автор: Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung,EunTae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-10.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11923455B2. Автор: Chun-Sheng Liang,Ming-Heng Tsai,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20200044074A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ming-Heng Tsai,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Dopant profile control in gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US20220336289A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11943936B2. Автор: Yu-Der Chih,Yun-sheng Chen,Ya-Chin King,Jonathan Tsung-Yung Chang,Chieh Lee,Wen Zhang Lin,Chrong Jung Lin,May-Be Chen,Wang-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Dopant profile control in gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US20210391220A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09853024B2. Автор: Masaru Senoo,Yasuhiro Hirabayashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

FinFET device having flat-top epitaxial features and method of making the same

Номер патента: US11769771B2. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee,Li-Wei Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Method of making silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7947555B2. Автор: Eiichi Okuno,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09870996B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09825036B2. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20170250179A1. Автор: Masaru Senoo,Yasuhiro Hirabayashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180040558A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

Dual threshold voltage (VT) channel devices and their methods of fabrication

Номер патента: US11967615B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Neville L. DIAS,Hsu-Yu Chang,Roman W. OLAC-VAW,Chen-Guan LEE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Method of forming gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US09978853B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Harry Hak-Lay Chuang,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Fin-shaped semiconductor device, fabrication method, and application thereof

Номер патента: US12040356B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device having fin gate, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466671B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Dummy cell arrangement and method of arranging dummy cells

Номер патента: US20190074272A1. Автор: Yu-Hsiang Lin,Chung-Liang Chu,Yu-Ruei Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Methods of forming replacement gate structures for nfet semiconductor devices and devices having such gate structures

Номер патента: US20140145274A1. Автор: Huang Liu,Wonwoo Kim,Jean-Baptiste Laloe. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Cmos device, method of manufacturing cmos device, and semiconductor memory device including cmos device

Номер патента: US20240074175A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Metal Gate Structures And Methods Of Fabricating The Same In Field-Effect Transistors

Номер патента: US20210257481A1. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11950424B2. Автор: Tsung-Hua Yang,Chia-Ta Hsieh,Yu-Ting Tsai,Ching-Tzer Weng,Kao-Chao Lin,Chi-Wei Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240206184A1. Автор: Tsung-Hua Yang,Chia-Ta Hsieh,Yu-Ting Tsai,Ching-Tzer Weng,Kao-Chao Lin,Chi-Wei Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240079493A1. Автор: Chun-Chia Chen,Kun-Tsang Chuang,Yu-Shan Huang,Tung-I Lin,Guan-Qi Chen,Chen Chi Hsiao,Fang Yi Liao,Yu Shan Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device with fin end spacer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210217665A1. Автор: Tung Ying Lee,Wei-Sheng Yun,Tzu-Chung Wang,Kai-Tai Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor device with fin end spacer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200098876A1. Автор: Tung Ying Lee,Wei-Sheng Yun,Tzu-Chung Wang,Kai-Tai Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device and memory device including a dummy element

Номер патента: EP4071811A3. Автор: Sunghoon Kim,ChangBum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-16.

Semiconductor device and memory device including a dummy element

Номер патента: EP4071811A2. Автор: Sunghoon Kim,ChangBum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-12.

Thin film transistor, method of fabricating the same, and organic light emitting diode display device having the same

Номер патента: US20100224882A1. Автор: Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Kil-won Lee,Jae-Wan Jung,Tae-Hoon Yang,Maxim Lisachenko. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-09.

Method of manufacturing a transistor of a semiconductor device

Номер патента: US7189618B2. Автор: Sang Don Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-13.

Methods of forming structures, semiconductor processing systems, and semiconductor device structures

Номер патента: US11959173B2. Автор: ROBINSON JAMES,Caleb Miskin,Amir Kajbafvala,Yanfu Lu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-04-16.

Methods of forming structures, semiconductor processing systems, and semiconductor device structures

Номер патента: US20240209510A1. Автор: ROBINSON JAMES,Caleb Miskin,Amir Kajbafvala,Yanfu Lu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140284683A1. Автор: Sachiyo Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070284583A1. Автор: Tomohiro Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09859376B2. Автор: Jae-Young Park,Sun-Young Lee,Dong-Hun Lee,Bon-young Koo,Jae-jong Han,Han-Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20130168746A1. Автор: Fumitake Mieno. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09673305B2. Автор: Toshinari Sasaki,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

High-voltage semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20220069081A1. Автор: Wen-Hsin Lin,Yu-Hao Ho,Chiu-Hao Chen,Cheng-Tsung WU,Shin-Chen Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160293705A1. Автор: Jae-Young Park,Sun-Young Lee,Dong-Hun Lee,Bon-young Koo,Jae-jong Han,Han-Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10985255B2. Автор: Dae Hyun Kim,Jisoo Lee,Dongchan Kim,Junghwan HUH,Euiju KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-20.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20200152753A1. Автор: Dae Hyun Kim,Jisoo Lee,Dongchan Kim,Junghwan HUH,Euiju KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Spacer structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230343854A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070166953A1. Автор: Hyung Sun Yun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Field effect semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US5034791A. Автор: Shuichi Kameyama,Atsushi Hori. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-23.

METHOD OF MAKING A WIRE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150214301A1. Автор: Maes Jan Willem,Xie Qi,Machkaoutsan Vladimir. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: US20070238278A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-11.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A3. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Veeraraghavan Dhandapani. Дата публикации: 2007-12-27.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A2. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-18.

Method of tuning work function for a semiconductor device

Номер патента: US09812366B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of fabricating dual gate electrode of CMOS semiconductor device

Номер патента: US7402478B2. Автор: Tae-Hyun AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-22.

Thin film, method of forming thin film, semiconductor device including thin film, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09425323B2. Автор: Anass Benayad,Kyoung-seok SON,Tae-Sang Kim,Eun-ha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Semiconductor device having vertical channel, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150236126A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080283915A1. Автор: Duck-Ki Jang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09893150B2. Автор: Chih-Kang Chao,Ling-Sung Wang,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Chen-Chieh Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210313452A1. Автор: Chen-Feng Hsu,Yu-Lin Yang,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Wei-Sheng Yun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US09419133B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120313183A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09735261B2. Автор: Li-Ting Wang,Hung-Ta Lin,Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Meng-Ku Chen,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Methods of forming semiconductor device

Номер патента: US20240274527A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Jr-Hung Li,Meng-Han Chou,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor devices including electrically conductive contacts and related systems and methods

Номер патента: US20200027982A1. Автор: Takayuki Iwaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Dual side contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US12046634B2. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

[method of forming ldd of semiconductor devices]

Номер патента: US20040229416A1. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-11-18.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12125706B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Dual Side Contact Structures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240339497A1. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US12040372B2. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20220045188A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Contact Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332393A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor-on-insulator device having a laterally-graded channel region and method of making

Номер патента: US5670389A. Автор: Marco Racanelli,Wen-Ling Margaret Huang,Hyungcheol Shin. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-09-23.

Method of multiple patterning to form semiconductor devices

Номер патента: US20140024191A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Kuang-Jung Chen,Sen Liu,Steven J. Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Methods of forming fin isolation regions on FinFET semiconductor devices using an oxidation-blocking layer of material and by performing a fin-trimming process

Номер патента: US09431306B2. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Ali Khakifirooz,Bruce Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Super junction semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9190469B2. Автор: Hyuk Woo,Chang Yong Choi,Moon Soo Cho,Kwang Yeon JUN,Soon Tak KWON. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-11-17.

Super junction semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496335B2. Автор: Hyuk Woo,Chang Yong Choi,Moon Soo Cho,Kwang Yeon JUN,Soon Tak KWON. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20040061189A1. Автор: Sang-Yong Kim,Ji-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor device having optimized drain termination and method therefor

Номер патента: US20200066838A1. Автор: Moshe Agam,Johan Camiel Julia Janssens,Jaroslav Pjencak. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US8643088B2. Автор: Jin Won Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-02-04.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20120001255A1. Автор: Jin Won Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US6818489B2. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11764304B2. Автор: Hiroshi Yoshida. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and methods of forming the same

Номер патента: US11973027B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Jr-Hung Li,Meng-Han Chou,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190074250A1. Автор: Kuan-Hung Chen,Chun-Tsen Lu,Rung-Yuan Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Comprising First and Second Field Stop Zone Portions

Номер патента: US20190165090A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-30.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110133288A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Method of fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: US7435669B2. Автор: Dae Kyeun Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210057224A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Dual Side Contact Structures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20220052157A1. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20230317524A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20230121210A1. Автор: Tze-Liang Lee,Jen Hung Wang,Wei-Ren Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE, AND A METHOD OF IMPROVING BREAKDOWN VOLTAGE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150014791A1. Автор: Lane William Allan,Coyne Edward John,Ó hAnnaidh Breandán Pol Og,Whiston Seamus P.,McAuliffe Donal P.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

Method of fabricating an interconnection structure in a CMOS comprising a step of forming a dummy electrode

Номер патента: US9105692B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Lee-Wee Teo,Han-Guan Chew. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-11.

A method for forming a semiconductor structure, a method of forming a mask set for forming semiconductor devices, a resistor

Номер патента: TW200743161A. Автор: Chih-Sheng Chang,Michael Yu,Chih-Ping Chao,Chun-Hong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-16.

Methods of making a field-effect semiconductor device

Номер патента: EP2109135A3. Автор: Hitoshi Yamaguchi,Jun Sakakibara,Toshio Sakakibara,Toshiyuki Morishita,Takumi Shibata. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2013-09-04.

Method of making a double gate semiconductor device with self-aligned gates and structure thereof

Номер патента: WO2006023019A2. Автор: Yang Du,Leo Mathew. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-03-02.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100332107B1. Автор: 이정호. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-04-10.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100436291B1. Автор: 조규석,박경욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-16.

Method of depositing thin passivating film on microminiature semiconductor devices

Номер патента: US5620909A. Автор: Fan Ren,Jenshan Lin,James R. Lothian. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-04-15.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09911659B2. Автор: Chul Woong Lee,Youngmook Oh,Hanseung KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor devices with scalable two transistor memory cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US20040227173A1. Автор: Gwan-Hyeob Koh,Su-Jin Ahn,Hyoung-Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-18.

Methods of forming fin isolation regions on FinFET semiconductor devices by implantation of an oxidation-retarding material

Номер патента: US09673083B2. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Ali Khakifirooz,Bruce Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of epitaxial structure formation in a semiconductor

Номер патента: US09768017B1. Автор: Tsung-Hsun Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Polishing compostion for semiconductor process, manufacturing method of polishing composition and method for manufacturing semiconductor device by using the same

Номер патента: US20230332014A1. Автор: Han Teo PARK,Jang Kuk KWON,Seung Chul Hong,Deok Su Han. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Methods of Forming Patterns with Multiple Layers for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170125256A1. Автор: Hong-Rae Kim,Jun-Soo Lee,Jeon-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Method of forming self-aligned silicide layers on semiconductor devices

Номер патента: US20020182860A1. Автор: Jerry Lin,Cheng-Kuo Yuan,Chi-Wei Chou. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2002-12-05.

Methods of forming a silicon-insulator layer and semiconductor device having the same

Номер патента: US11195713B2. Автор: Joachim Hirschler,Michael Roesner,Olaf Storbeck,Michael Hutzler,Ingmar Neumann,Markus Heinrici,Georg Ehrentraut,Mathias Plappert,Stefan KRIVEC,Christoffer Erbert,Klaus Goeschl,Wolfgang Koell. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-07.

Methods of forming patterns with multiple layers for semiconductor devices

Номер патента: US10014181B2. Автор: Hong-Rae Kim,Jun-Soo Lee,Jeon-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-03.

Semiconductor device structure and method for forming same

Номер патента: US20240332395A1. Автор: Zeyong CHEN,Yunbo Chen,Yohtz Julian CHANG,Canyang HUANG. Владелец: Guangzhou Cansemi Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090065864A1. Автор: Sang Yong Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240170346A1. Автор: Kosuke KITAICHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Stacked semiconductor device and method

Номер патента: US12057446B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Stacked semiconductor device and method

Номер патента: US20240355815A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Stacked Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20230387106A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Stacked semiconductor device and method

Номер патента: US11791332B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Structure and method of making a high performance semiconductor device having a narrow doping profile

Номер патента: CN100463217C. Автор: 加里·H·罗切尔特. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2009-02-18.

Method of forming a gate of a semiconductor device

Номер патента: CN101211770B. Автор: 金守镇. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-29.

Method of fabricating contact pads of a semiconductor device

Номер патента: US6458680B2. Автор: Tae-Young Chung,Gwan-Hyeob Koh,Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-01.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09768266B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09564499B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Ki-Hyun Hwang,Kwang-Soo Seol,Hanmei Choi,Sunghoi Hur,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Ju-Yul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09536970B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Ohmic electrode for sic semiconductor, method of manufacturing ohmic electrode for sic semiconductor, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: CA2667648A1. Автор: Hideto Tamaso,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-05-08.

Method of making a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US09859184B2. Автор: Hans-Martin Ritter,Frank Burmeister. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-01-02.

Methods of designing a layout of a semiconductor device including field effect transistor and methods of manufacturing a semicondutor device using the same

Номер патента: US09928333B2. Автор: Jung-Ho Do,Sanghoon Baek,Taejoong Song,Jinyoung Lim,Sungwe Cho,Giyoung Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of triggering avalanche breakdown in a semiconductor device

Номер патента: US09705026B2. Автор: Andreas Meiser,Matthias Stecher,Ulrich Glaser,Joost Willemen,Magnus-Maria Hell,Yiqun Cao,Michael Mayerhofer,Julien Lebon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US09805929B2. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09530693B2. Автор: Jong Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Methods of designing a layout of a semiconductor device including field effect transistor and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: USRE49780E1. Автор: Jung-Ho Do,Sanghoon Baek,Taejoong Song,Jinyoung Lim,Sungwe Cho,Giyoung Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: US09478616B2. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240334674A1. Автор: Miao SUN,Feng-Lun Wu,Chung-Ping Hsia,Guangrong WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of Arranging L-Shaped Cell Blocks In Semiconductor Devices

Номер патента: US20110286295A1. Автор: HongSik Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09530899B2. Автор: Jae-Young Ahn,Ki-Hyun Hwang,Jin-Tae Noh,Bi O Kim,Su-Jin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

P-Type Semiconductor Material and Semiconductor Device

Номер патента: US20130214271A1. Автор: Yoshinobu Asami,Riho KATAISHI,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

P-Type Semiconductor Material and Semiconductor Device

Номер патента: US20150001535A1. Автор: Yoshinobu Asami,Riho KATAISHI,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Method of forming a trench using epitaxial lateral overgrowth

Номер патента: US09768273B2. Автор: Ravi Joshi,Martin Poelzl,Johannes Baumgartl,Matthias Kuenle,Christoph Gruber,Georg Ehrentraut,Juergen Steinbrenner,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20210118916A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20180190677A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20200135770A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20160111451A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US09899419B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: EP4375400A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-29.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: US20240178324A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-30.

Manufacturing method of optoelectronic apparatus, optoelectronic apparatus, manufacturing method semiconductor device, semiconductor device, projection type display apparatus, and electronic machine

Номер патента: TWI226124B. Автор: Masahiro Yasukawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-01.

Fabrication method of semiconductor memory device

Номер патента: US9305775B2. Автор: Min Yong Lee,Young Ho Lee,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Methods of forming ohmic contacts on semiconductor devices with trench/mesa structures

Номер патента: US20230420536A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Rahul R. Potera,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of Forming a Trench Using Epitaxial Lateral Overgrowth

Номер патента: US20160308028A1. Автор: Ravi Joshi,Martin Poelzl,Johannes Baumgartl,Matthias Kuenle,Christoph Gruber,Georg Ehrentraut,Juergen Steinbrenner,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device and crack detection method

Номер патента: US20210223305A1. Автор: Hiroyuki Nakamura,Kazutoyo Takano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Method of making a wire-based semiconductor device

Номер патента: US9553148B2. Автор: Qi Xie,Vladimir Machkaoutsan,Jan Willem Maes. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-01-24.

A method of fabricating gate electrodes of a semiconductor device fabricated by a hardmask and double exposure in conjunction with a size reduction spacer

Номер патента: DE102010040066B4. Автор: Klaus Gebauer,Sven Beyer,Andreas Hellmich,Steffen Laufer. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2012-05-24.

Method of forming a recess in a semiconductor substrate having at least one pn junction

Номер патента: US3570195A. Автор: Michio Otsuka,Syuji Sugioka. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1971-03-16.

Method of repairing shorts in parallel connected vertical semiconductor devices by selective anodization

Номер патента: US4488349A. Автор: Koichi Murakami,Teruyoshi Mihara. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1984-12-18.

Method of making field effect type compound semiconductor device

Номер патента: KR101903509B1. Автор: 이종민,김성일,윤형섭,민병규,임종원,문재경,안호균,남은수. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2018-10-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190148518A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate using a dummy area

Номер патента: US20230262975A1. Автор: Nhan Do,Serguei Jourba,Xian Liu,Leo XING,Zhuoqiang Jia. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device comprising two-dimensional material and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230275128A1. Автор: Sangwoo Kim,Taehyeong Kim,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Minseok SHIN,JunYoung KWON,Jaehwan Jung,Pin Zhao. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240258305A1. Автор: Chung-Hui Chen,Tsung-Hsin Yu,Wan-Te CHEN,Tzu Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057449B2. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Gate Structure of Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240379812A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US20150170919A1. Автор: Yong Sun JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Method of fabricating a MOS device with a localized punchthrough stopper

Номер патента: US5963811A. Автор: Horng-Nan Chern. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-10-05.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: TW200805676A. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-01-16.

Semiconductor devices having late-formed isolation structures

Номер патента: US11908857B2. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11984444B2. Автор: Chung-Hui Chen,Tsung-Hsin Yu,Wan-Te CHEN,Tzu Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Metal-insulator-semiconductor device manufacture

Номер патента: CA1120605A. Автор: William A. Pliskin,Joseph F. Shepard,Martin Revitz,James R. Gardiner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-03-23.

Method of delta-channel in deep sub-micron process

Номер патента: US6232160B1. Автор: Shui-Hung Chen,Jian-Hsing Lee,Jiaw-Ren Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-05-15.

METHOD OF FORMING GATE STRUCTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170186853A1. Автор: ZHU Ming,Young Bao-Ru,Chuang Harry Hak-Lay,Chen Chao-Cheng,LIN Hui-Wen,HUANG Yuan-Sheng,CHEN Ryan Chia-Jen,Ching Kuo-Cheng,DIAZ Carlos H.,HSIEH Ting-Hua. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

a manufacturing method of a contact structure of a semiconductor device

Номер патента: KR100361572B1. Автор: 남창길. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2002-11-21.

Method of Tuning Work Function for A Semiconductor Device

Номер патента: US20160049301A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100380154B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-04-11.

Gate Formation Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20210183713A1. Автор: Chang-Yun Chang,Chih-Hao Yu,Hsiu-Hao Tsao,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Charge-coupled device and method of manufacturing the same

Номер патента: CA1267975A. Автор: Jan W. Slotboom,Henricus G. R. Maas,Geert J. T. Davids,Kazimierz Osinski. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1990-04-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8796104B2. Автор: Chang Eun Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2014-08-05.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20130093054A1. Автор: Chang Eun Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-04-18.

Method of manufacturing a inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR100577528B1. Автор: 최경근. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-05-10.

Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing display apparatus, apparatus of manufacturing semiconductor device, and display apparatus

Номер патента: US20090095962A1. Автор: Yoshio Inagaki,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Method of fabricating a vertically profiled electrode and semiconductor device comprising such an electrode

Номер патента: US20030153178A1. Автор: Bernd Maile. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-14.

Layout structure and method of a column path of a semiconductor memory device

Номер патента: US6700168B2. Автор: Hyang-Ja Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-02.

Methods of making integrated circuits and components thereof

Номер патента: US20160064515A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky,Gerd Zschatzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Dummy bit line MOS capacitor and device using the same

Номер патента: US9236501B2. Автор: Jeong Sub LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-12.

Semiconductor device and power converter

Номер патента: US20190312113A1. Автор: Ze Chen. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Methods of forming self-aligned contact structures on semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US09502286B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Lateral transistor structure and method of making the same

Номер патента: US3651565A. Автор: David V Talbert. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1972-03-28.

Methods of forming silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20050142727A1. Автор: Jin Jung. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Methods of forming self-aligned contact structures on semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US20160163585A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Method of manufacturing conductive pattern of a semiconductor device and method of manufacturing flash memory device using the same

Номер патента: KR100483843B1. Автор: 이창엽,권철순,이돈우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-04-19.

Semiconductor device with reduced power and method of manufacturing the same

Номер патента: US11797745B2. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Ching-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Method of forming nanowire and method of manufacturing semiconductor device comprising the nanowire

Номер патента: US7928017B2. Автор: Jun-Youn Kim,Eun-ju Bae,Joong S. Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-19.

Semiconductor device with reduced power

Номер патента: US20240020453A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Ching-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of making high voltage, junction isolation semiconductor device having dual conductivity type buried regions

Номер патента: US5837553A. Автор: Lawrence G. Pearce. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1998-11-17.

Method of manufacturing a junction in a semiconductor device

Номер патента: KR100347544B1. Автор: 이정호,이승철,이상규,여인석,곽노열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-07.

Method of forming a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR101017042B1. Автор: 황경진. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-02-23.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR101133523B1. Автор: 황경진. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2012-04-05.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100642420B1. Автор: 류혁현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-11-03.

Method of Elevated Salicide Source/Drain Region Using method of Forming T-Shape Isolation Layer and Semiconductor Device using thereof

Номер патента: KR100338766B1. Автор: 구자흠,안동호,홍석훈,김철성,최철준,유재윤. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-05-30.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100473734B1. Автор: 류두열. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-03-11.

Method of manufacturing a junction in a semiconductor device

Номер патента: KR20000056136A. Автор: 이정호,이승철,이상규,여인석,곽노열. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 2000-09-15.

Method of making a low noise semiconductor device comprising a screening measurement

Номер патента: US5683917A. Автор: Cuong Tran,Ralph Francis Trambarulo,Samuel Suresh Martin. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-11-04.

Method of forming inter-level dielectric structures on semiconductor devices

Номер патента: US20160307791A1. Автор: Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-10-20.

Method of forming inter-level dielectric structures on semiconductor devices

Номер патента: US09818642B2. Автор: Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device manufacturing method using a multilayer resist

Номер патента: US09711344B2. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US8067274B2. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-29.

Semiconductor device, method of designing a layout of a semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10474783B2. Автор: SUBHASH KUCHANURI,Sidharth Rastogi,Jae-Seok Yang,Chul-Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-12.

Method of assembling carbon nanotubes of a semiconductor device via fringing field assisted dielectrophoresis

Номер патента: US09923160B2. Автор: Fei Liu,Kangguo Cheng,Shu-Jen Han,Qing Cao,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of anodising a surface of a semiconductor device

Номер патента: US09786808B2. Автор: Xi Wang,Jie Cui. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, apparatus for manufacturing semiconductor device, circuit board, and electronic instrument

Номер патента: US20030013229A1. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Method of fabricating specimen for analyzing defects of semiconductor device

Номер патента: US5840205A. Автор: Doo-Jin Park,Jeong-Hoi Koo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Method of making openings in a semiconductor device with reduced residue by transferring layers

Номер патента: US09431291B2. Автор: Keisuke Nakazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Structure and method of reinforcing a conductor soldering point of semiconductor device

Номер патента: US09837371B2. Автор: Jing Wu,Honghui Wang,Haizhong SHI. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method of forming cantilevered protrusion on a semiconductor die

Номер патента: US09935045B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of manufacturing semiconductor chip, semiconductor chip, and semiconductor device

Номер патента: US09460967B2. Автор: Kazuhito Higuchi,Taizo Tomioka,Tomohiro Iguchi,Yusaku Asano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of forming hybrid diffusion barrier layer and semiconductor device thereof

Номер патента: US09812397B2. Автор: Hung-Wen Su,Ya-Lien Lee,Ken-Yu Chang,Kai-Shiang KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor devices and manufacturing methods of the same, and electronic systems including semiconductor devices

Номер патента: US20240315039A1. Автор: Inho Kim,Young-Ho Lee,Jumi Yun,Wongi Hong,Gyeongsik EOM,Chankyu KIM,Dasom JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of preventing charge accumulation in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US09881785B2. Автор: Chang-Won Lee,Un-Jeong Kim,Young-geun Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Methods of performing chemical-mechanical polishing process in semiconductor devices

Номер патента: US11742239B2. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Methods of forming a pattern of a semiconductor device

Номер патента: US09520289B2. Автор: Jin Park,Hyun-Woo Kim,Cha-Won Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Methods of Performing Chemical-Mechanical Polishing Process in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200312708A1. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Method of analyzing a manufacturing of a semiconductor structure

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Chih-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device, manufacturing method of the same, and electronic system including semiconductor device

Номер патента: US20240349520A1. Автор: Seungwoo Paek,Sunil Shim,Jimin Lee,Moorym CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor Device and Method of Forming Compartment Shielding for a Semiconductor Package

Номер патента: US20240321845A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,Yejin PARK. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of protecting sidewall surfaces of a semiconductor device

Номер патента: US20140120720A1. Автор: Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-01.

Gettering regions and methods of forming gettering regions within a semiconductor wafer

Номер патента: US20020022346A1. Автор: Fernando Gonzalez,Jeffrey Honeycutt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of forming fine interconnection for a semiconductor device

Номер патента: US20200185268A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of separating semiconductor dies from a semiconductor substrate, semiconductor substrate assembly and semiconductor die assembly

Номер патента: US09972535B2. Автор: Markus Brunnbauer,Franco Mariani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of intensive cooling of high-heat-stressed semiconductor devices

Номер патента: RU2657341C1. Автор: Александр Семенович Косой,Алексей Борисович Шмелев,Юрий Павлович Большаков,Егор Александрович Дружинин,Наталья Игоревна Вяземская,Андрей Александрович Михасев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "РСК Лабс" (ООО "РСК Лабс"). Дата публикации: 2018-06-13.

Method of making and stacking a semiconductor package

Номер патента: US6564454B1. Автор: Steven Webster,Thomas P. Glenn,Roy D. Holloway. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2003-05-20.

Method of stacking semiconductor element in a semiconductor device

Номер патента: US6958259B2. Автор: Hitoshi Shibue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-10-25.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US20100019383A1. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US20020001858A1. Автор: Han Song,Dong Kim,Kyong Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Layout method of semiconductor chip, semiconductor chip manufacturing method and computing device using same

Номер патента: US20230205963A1. Автор: Akio Misaka,Sanghwa Lee,Noyoung CHUNG,Woonhyuk Choi,Taekyum KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device, method of designing a layout of a semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180157781A1. Автор: SUBHASH KUCHANURI,Sidharth Rastogi,Jae-Seok Yang,Chul-Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Method of forming a leadframe for a semiconductor package

Номер патента: US20050037544A1. Автор: Darrell Truhitte,Guan Quah. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-02-17.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US6387749B1. Автор: Chan Lim. Владелец: Hyundai Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, apparatus for manufacturing semiconductor device, circuit boa and electronic instrument

Номер патента: US6908776B2. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-06-21.

Apparatus and method of activating impurity atom in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20060105552A1. Автор: Jun-Seuck Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-18.

Method of forming metal lines and bumps for semiconductor devices

Номер патента: US20080076248A1. Автор: Dong-Hyeon Jang,Soon-bum Kim,Sung-min Sim,Jae-Sik Chung,Se-Yong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

Method of fabricating metal lines in a semiconductor device

Номер патента: US20020090811A1. Автор: Byung-hee Kim,Gil-heyun Choi,Jong-Myeong Lee,Myoung-Bum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Method of manufacturing semiconductor chip, semiconductor chip, and semiconductor device

Номер патента: US10410976B2. Автор: Kazuhito Higuchi,Taizo Tomioka,Tomohiro Iguchi,Yusaku Asano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-09-10.

Method of employing multi-layer tab tape in semiconductor device assembly by selecting, breaking, downwardly bending and bonding tab tape trace free ends to a ground or power plane

Номер патента: US5638596A. Автор: John McCormick. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1997-06-17.

Structure and method of reinforcing a conductor soldering point of semiconductor device

Номер патента: US20170207189A1. Автор: Jing Wu,Honghui Wang,Haizhong SHI. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US20160293419A1. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Method of Forming Conductive Contacts on a Semiconductor Device with Embedded Memory and the Resulting Device

Номер патента: US20120322225A1. Автор: Till Schloesser,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

Electroless plating bath used for forming a wiring of a semiconductor device, and method of forming a wiring of a semiconductor device

Номер патента: US5795828A. Автор: Mikio Nishio,Shin Hashimoto,Masayuki Endo,Akemi Kawaguchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-08-18.

Method of fabricating a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US5937306A. Автор: Jin Gu Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-10.

Metal contact structure and method of forming the same in a semiconductor device

Номер патента: US11854874B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Metal Contact Structure and Method of Forming the Same in a Semiconductor Device

Номер патента: US20240087953A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods of forming layer patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20140242800A1. Автор: Kwang-sub Yoon,Tae-Sun Kim,Tae-Hwan OH,Yu-Ra KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of fin selection for improved performance in semiconductor devices

Номер патента: US20240046021A1. Автор: Shellin Liu,Jui-Tse Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of fabricating a mask for a semiconductor device

Номер патента: US20080280213A1. Автор: Sung Hyun Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-13.

Methods of forming metallization patterns on beam lead semiconductor devices

Номер патента: US4011144A. Автор: Albert K. Bachman. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1977-03-08.

Semiconductor structure comprising a stress sensitive element and method of measuring a stress in a semiconductor structure

Номер патента: GB2430306A. Автор: Ehrenfried Zschech,Eckhard Langer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-03-21.

Semiconductor device marking apparatus using a rotating stopper

Номер патента: US6087623A. Автор: Sung Ho Choi,Mun Ki Kwon,Byung Mun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-07-11.

Method of improving a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US20080124899A1. Автор: Wen Lin. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2008-05-29.

Method of forming an inductor on a semiconductor wafer

Номер патента: US8309452B2. Автор: Qing Zhang,Yaojian Lin,Haijing Cao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-11-13.

Method of forming polycrystalline silicon thin films for semiconductor devices

Номер патента: US5464795A. Автор: Shizuo Oguro. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-11-07.

Method of forming a groove in a semiconductor laser diode and a semiconductor laser diode

Номер патента: US5920767A. Автор: Nobuyuki Hosoi,Hideki Goto,Satoru Nagao,Hideyoshi Horie,Toshinari Fujimori. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 1999-07-06.

Methods of Performing Chemical-Mechanical Polishing Process in Semiconductor Devices

Номер патента: US20230386910A1. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of forming electrical contact to a semiconductor substrate via a metallic silicide or silicon alloy layer formed in the substrate

Номер патента: US4577396A. Автор: Noriyuki Sakudo,Naoki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-03-25.

Method of manufacturing a semiconductor package with a bump using a carrier

Номер патента: US7838332B2. Автор: Chau Fatt Chiang,Soon Lock Goh. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-11-23.

Method of forming a mass over a semiconductor substrate

Номер патента: US7179361B2. Автор: Rita J. Klein,Dale W. Collins,Richard H. Lane. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-20.

Boosting circuit improved to operate in a wider range of power supply voltage, and a semiconductor memory and a semiconductor integrated circuit device using the same

Номер патента: US5404329A. Автор: Yoshikazu Morooka,Tadato Yamagata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-04-04.

Method of manufacturing a device comprising a semiconductor body

Номер патента: US3968565A. Автор: Jan T. Gerkema,Theodorus Cornelius Johannes Maria Bertens,Hendrikus Josephus Antonius Van Dijk. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1976-07-13.

Semiconductor device manufacturing method using a sealing layer for sealing of a gap between two wafers bonded to each other

Номер патента: WO2016071064A1. Автор: Wolfgang Janisch,Sven Matthias,Atze De Vries. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-05-12.

Method of planarizing a surface of a semiconductor wafer

Номер патента: US20040018733A1. Автор: Baek Hak. Владелец: 1st Silicon (Malaysia) Sdn Bhd. Дата публикации: 2004-01-29.

Method of forming fine patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20180182623A1. Автор: Jongchul Park,Jong-Kyu Kim,Jongsoon Park,Yil-hyung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-28.

Method of fabricating a semiconductor package or circuit assembly using a fluxing underfill composition applied to solder contact points in a dip process

Номер патента: EP2260512A2. Автор: Qing Ji,Mark Currie,Neil Poole,Chew B. Chan,Geraldine Kelly. Владелец: Henkel Ltd. Дата публикации: 2010-12-15.

Method of storing GaN substrate, stored substrate and semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: EP1868252A3. Автор: Hideyuki Ijiri,Seiji Nakahata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

System and method for peeling a semiconductor chip from a tape using a multistage ejector

Номер патента: US09929036B2. Автор: Kok Yeow Lim,Zhiqiang Mao,Kim Mone Kwong. Владелец: Manufacturing Integration Technology Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of designing arrangement of tsv in stacked semiconductor device and designing system for arrangement of tsv in stacked semiconductor device

Номер патента: US20140258949A1. Автор: Myung-Soo JANG,Jae-Rim LEE,Jong-Wha Chong,Min-Beom KIM,Wen Rui LI,Cheol-Jon JANG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2014-09-11.

Method of determining the active region width between shallow trench isolation structures using a c-v measurement technique for fabricating a flash memory semiconductor device and a device thereby formed

Номер патента: US6818462B1. Автор: Zhigang Wang,Tien-Chun Yang,Nian Yang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-11-16.

Method of dry etching copper thin film and semiconductor device

Номер патента: US11791165B2. Автор: Cheewon CHUNG,Jaesang CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of fabricating void-free conductive feature of semiconductor device

Номер патента: US20230402313A1. Автор: Cheng-Yan Ji,Chu-Hsiang HSU,Jing Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of forming isolation region in integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US5004701A. Автор: Kazumasu Motokawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-04-02.

Method for forming a temporary attachment between a semiconductor die and a substrate using a metal paste comprising spherical modules

Номер патента: US5468655A. Автор: Stuart E. Greer. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-11-21.

System and method for peeling a semiconductor chip from a tape using a multistage ejector

Номер патента: PH12016502349B1. Автор: Kok Yeow Lim,Zhiqiang Mao,Kim Mone Kwong. Владелец: MIT SEMICONDUCTOR PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-13.

System and method for peeling a semiconductor chip from a tape using a multistage ejector

Номер патента: MY188507A. Автор: Kok Yeow Lim,Zhiqiang Mao,Kim Mone Kwong. Владелец: MIT SEMICONDUCTOR PTE LTD. Дата публикации: 2021-12-17.

System and method for peeling a semiconductor chip from a tape using a multistage ejector

Номер патента: PH12016502349A1. Автор: Kok Yeow Lim,Zhiqiang Mao,Kim Mone Kwong. Владелец: Mfg Integration Tech Ltd. Дата публикации: 2017-02-13.

A semiconductor device including a cross-coupled gate circuit in a 3d stack and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP4036959A2. Автор: Seunghyun Song,Saehan Park,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-03.

A semiconductor device including a cross-coupled gate circuit in a 3d stack and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP4036959A3. Автор: Seunghyun Song,Saehan Park,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-12.

Method to produce a 3d multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US20240274534A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of fabricating metal gate of the same

Номер патента: US20090057783A1. Автор: Sung-Ho Park,Jin-seo Noh,Joong-S. Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190312119A1. Автор: Satoru Yamada,Hyun Park,Dongjin Lee,Sungjin Kim,Dong Su KO,Ji Eun Lee,Sung Heo,Jiho Yoo,Kyoung-Ho Jung,Moonyoung JEONG,Gyeongsu PARK,Han Jin Lim,EunAe Cho,Yongsu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-10.

Semiconductor Devices Having Gate Structures with Conductive Patterns of Different Widths and Methods of Fabricating Such Devices

Номер патента: US20100133604A1. Автор: Young-woo Park,Jung-Dal Choi,Ju-Hyung Kim,Sung-Il Chang,Chang-seok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260813A1. Автор: Satoru Yamada,Hyun Park,Dongjin Lee,Sungjin Kim,Dong Su KO,Ji Eun Lee,Sung Heo,Jiho Yoo,Kyoung-Ho Jung,Moonyoung JEONG,Gyeongsu PARK,Han Jin Lim,EunAe Cho,Yongsu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230352548A1. Автор: Satoru Yamada,Hyun Park,Dongjin Lee,Sungjin Kim,Dong Su KO,Ji Eun Lee,Sung Heo,Jiho Yoo,Kyoung-Ho Jung,Moonyoung JEONG,Gyeongsu PARK,Han Jin Lim,EunAe Cho,Yongsu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210376099A1. Автор: Satoru Yamada,Hyun Park,Dongjin Lee,Sungjin Kim,Dong Su KO,Ji Eun Lee,Sung Heo,Jiho Yoo,Kyoung-Ho Jung,Moonyoung JEONG,Gyeongsu PARK,Han Jin Lim,EunAe Cho,Yongsu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100671663B1. Автор: 안태항. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-18.

Method of forming a gate in a semiconductor device

Номер патента: KR100516991B1. Автор: 조흥재,임관용,안태항. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-09-22.

Method of designing layout of semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230290686A1. Автор: Jongdoo Kim,Juyun PARK,Yeojin NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20080277694A1. Автор: Prasad Venkatraman,Zia Hossain,Francine Y. Robb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20120223375A1. Автор: Tetsuya Watanabe,Satoshi Maeda,Yasushi Sekine. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-06.

Semiconductor device

Номер патента: US8198698B2. Автор: Tetsuya Watanabe,Satoshi Maeda,Yasushi Sekine. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-12.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US20160283634A1. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-29.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US09904753B2. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09608054B2. Автор: Chongkwang Chang,Yeong-Jong Jeong,Duck-nam Kim,Youngjoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device structure and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20070166887A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Yi-Lung Cheng,Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110294297A1. Автор: Mitsunari Sukekawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Method For Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20080081408A1. Автор: Myung Hwan Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor device having a reduced bit line parasitic capacitance and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130052788A1. Автор: Jeong Hoon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

METHODS OF DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHODS OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20180173836A1. Автор: Baek Sanghoon,Lim Jinyoung,DO Jung-ho,SONG TAEJOONG,YANG GIYOUNG,CHO SUNGWE. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130270569A1. Автор: Chongkwang Chang,Yeong-Jong Jeong,Duck-nam Kim,Youngjoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160056259A1. Автор: Chongkwang Chang,Yeong-Jong Jeong,Duck-nam Kim,Youngjoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-25.

Methods of designing layouts of semiconductor devices

Номер патента: US20210064807A1. Автор: Jin Kim,Jaehwan Kim,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

A method of making a plurality of semiconductor devices

Номер патента: EP3125284A1. Автор: Hans-Martin Ritter,Frank Burmeister. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-02-01.

METHOD OF MAKING A PLURALITY OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170033029A1. Автор: RITTER Hans-Martin,Burmeister Frank. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

APPARATUS AND METHOD OF GENERATING A LAYOUT FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210124863A1. Автор: CHANG FENG-MING,Chang Ruey-Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of Triggering Avalanche Breakdown in a Semiconductor Device

Номер патента: US20160225932A1. Автор: Stecher Matthias,Hell Magnus-Maria,Mayerhofer Michael,Willemen Joost,Meiser Andreas,Glaser Ulrich,Cao Yiqun,Lebon Julien. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Preventing method of gate oxide damage in a semiconductor device

Номер патента: KR100575613B1. Автор: 허은미. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-05-03.

Method of fabricating an inductor for a semiconductor device

Номер патента: US7875524B2. Автор: Nam Joo Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-25.

Methods of forming semiconductor devices to include single body interconnection patterns using fine patterning techniques, and semiconductor device so formed

Номер патента: US09590034B2. Автор: Chul Lee,Seok-ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and methods of forming the same

Номер патента: US11769716B2. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Chin-Yu Ku,Cheng-Lung Yang,Yung-Sheng Lin,Fu Wei Liu,Tang-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor devices comprising a heterojunction

Номер патента: US3679496A. Автор: Ties Siebolt Te Velde,Sybrandus Van Heusden. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-07-25.

Semiconductor devices including capacitor and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20240186368A1. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device with an ohmic ontact and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030132442A1. Автор: Bor-Jen Wu,Liann-Be Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240014105A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Chin-Yu Ku,Cheng-Lung Yang,Yung-Sheng Lin,Fu Wei Liu,Tang-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

A method of trimming the resistance of a semiconductor resistor device

Номер патента: DE3176458D1. Автор: Shigeru Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-10-22.

Method of etching a layer of a semiconductor device using an etchant layer

Номер патента: US20100068884A1. Автор: Ching-Yu Chang,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-03-18.

Method of etching a layer of a semiconductor device using an etchant layer

Номер патента: US8153523B2. Автор: Ching-Yu Chang,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-10.

Semiconductor device and method of manufacturing a substrate for a semiconductor device

Номер патента: DE102020131850B4. Автор: Thomas Schröder,Christiane Frank-Rotsch,Martin Zorn,Jos Boschker. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2022-12-22.

The method of making quantum-dot and the single electron device using quantum-dot

Номер патента: KR20010104946A. Автор: 김훈. Владелец: (주) 상록코리아. Дата публикации: 2001-11-28.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100674715B1. Автор: 이동호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-25.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100351251B1. Автор: 강영석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of forming a gate in a semiconductor device

Номер патента: KR101158391B1. Автор: 원용식. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2012-06-22.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100351252B1. Автор: 강영석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US09893070B2. Автор: Chin-Shan WANG,Shun-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device including passivation layer and method of fabricating electronic apparatus

Номер патента: US20230361251A1. Автор: Hyunjoon Kim,Dongkyun KIM,Seogwoo Hong,Junsik Hwang,Kyungwook Hwang,Minchul YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device including memory structure

Номер патента: US20240237326A9. Автор: Yu-Ting Lin,Shih-Fan Kuan,Wei-Chen Pan,Huei-Ru Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US09496328B2. Автор: Sun Ho Kim,Hyun Jun Kim,Young Geun Park,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An,Bong Hyun Kim,Jong Bom Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of forming layout of semiconductor device

Номер патента: US20200111791A1. Автор: Chien-Hao Chen,Yi-Ting Chen,Chia-Hung Wang,En-Chiuan Liou,Sho-Shen Lee,Jhao-Hao Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220139923A1. Автор: Jun Xia,Zhongming Liu,Xinman CAO,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor chip and manufacturing method therefor, semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: US20240170511A1. Автор: Naoki Komai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor devices including capacitor and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20230084276A1. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor devices and CMOS image sensors having a shielding wall, electronic apparatuses having the same and methods of fabricating the same

Номер патента: US20100224918A1. Автор: Eun-Gyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-09.

Semiconductor device including memory structure

Номер патента: US20240138138A1. Автор: Yu-Ting Lin,Shih-Fan Kuan,Wei-Chen Pan,Huei-Ru Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Stacked image sensor device and method of forming same

Номер патента: US20230197760A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Interconnect layout for semiconductor device

Номер патента: US11961878B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yu-Ming Lin,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Interconnect Layout for Semiconductor Device

Номер патента: US20220102482A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yu-Ming Lin,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Interconnect layout for semiconductor device

Номер патента: US20210036097A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yu-Ming Lin,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Method of forming layout of semiconductor device

Номер патента: US10707213B2. Автор: Chien-Hao Chen,Yi-Ting Chen,Chia-Hung Wang,En-Chiuan Liou,Sho-Shen Lee,Jhao-Hao Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-07.

Interconnect Layout for Semiconductor Device

Номер патента: US20240194730A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yu-Ming Lin,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device including 3d memory structure

Номер патента: US20240121939A1. Автор: Yu-Ting Lin,Jiann-Jong Wang,Chung-Hsin Lin,Shih-Fan Kuan,Hsu-Cheng Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Backside illuminated image sensor device having an oxide film and method of forming an oxide film of a backside illuminated image sensor device

Номер патента: US09691809B2. Автор: Li Te Hsu,Hung Jui Chang,Jeng Chang HER,Chung-Bin Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING CANTILEVERED PROTRUSION ON A SEMICONDUCTOR DIE

Номер патента: US20180182698A1. Автор: Seddon Michael J.,Carney Francis J.. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2018-06-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING CANTILEVERED PROTRUSION ON A SEMICONDUCTOR DIE

Номер патента: US20180240742A1. Автор: Seddon Michael J.,Carney Francis J.. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2018-08-23.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100624903B1. Автор: 김민수,임찬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-19.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100351253B1. Автор: 이기정,한일근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-09-09.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100338110B1. Автор: 이기정,주광철. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-24.

Method of forming a gate in a semiconductor device

Номер патента: KR100674901B1. Автор: 이철웅,오영묵,성석현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-26.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100335775B1. Автор: 이기정. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-09.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100436288B1. Автор: 최재성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-16.

Method of Dispositioning and Control of a Semiconductor Manufacturing Process

Номер патента: US20240258066A1. Автор: Michael E. Adel,Chris Mack. Владелец: Fractilia LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of dispositioning and control of a semiconductor manufacturing process

Номер патента: WO2024178198A1. Автор: Michael E. Adel,Chris Mack. Владелец: FRACTILIA, LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of frequency-pulse modulation of a semiconductor laser source of optical radiation for optical interferometric sensors

Номер патента: RU2646420C1. Автор: Артем Сергеевич Алейник,Михаил Викторович Мехреньгин,Михаил Юрьевич Плотников,Александр Юрьевич Киреенков. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2018-03-05.

A method of monitoring the performance of a semiconductor laser diode arrangement

Номер патента: WO2010113066A1. Автор: Jens Pollmann-Retsch,Pavel Pekarski. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2010-10-07.

Method of making a cathode from tungsten and iridium powders using a reaction product from reacting a group III A metal with barium peroxide as an impregnant

Номер патента: US5007874A. Автор: Bernard Smith,Louis E. Branovich,Donald W. Eckart,Gerard Freeman. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1991-04-16.

Method of determining the temperature coefficient of resistance of thin conducting films using a four-probe measurement method

Номер патента: RU2703720C1. Автор: Иван Александрович Корж. Владелец: Акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (АО "ОНИИП"). Дата публикации: 2019-10-22.

Method of synthesizing of a multi-beam self-focusing adaptive antenna array using a parametric model of the spatial frequency spectrum of emission sources signals

Номер патента: RU2659613C1. Автор: Андрей Германович Зайцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Центральный научно-исследовательский институт Войск воздушно-космической обороны" Минобороны России (ФГБУ "ЦНИИ ВВКО" Минобороны России). Дата публикации: 2018-07-03.

Mask for photolithography, method for fabricating the same and method for manufacturing semiconductor device using the mask

Номер патента: US09470972B2. Автор: Suk-joo Lee,Se-Jin Park,Jong-Doo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20160070848A1. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-10.

Method of decomposing layout of semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09928330B2. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09841672B2. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Exposure methods using e-beams and methods of manufacturing masks and semiconductor devices therefrom

Номер патента: US09671686B2. Автор: Sang-Hee Lee,Jin Choi,In-kyun Shin,Byoung-Sup Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Trench in semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US20040121532A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Method to produce a 3D multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US12100658B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of forming patterns and method of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09905754B1. Автор: Jong-Kyu Kim,Sang-Kuk Kim,Yil-hyung LEE,Yoo-Chul Kong,Hye-Ji YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and fault detecting method

Номер патента: US09935577B2. Автор: Yuji Takehara,Daisuke IIJIMA,Katsutoshi Bito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US8263490B2. Автор: Yutaka Fukuda,Yuji Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou,Mika Ootsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US20110207241A1. Автор: Yutaka Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Methods of forming conductive materials on semiconductor devices, and methods of forming electrical interconnects

Номер патента: US09768134B2. Автор: Anilkumar Chandolu,Kenneth N. Hagen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030080412A1. Автор: Masaaki Irie. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor devices having a fuse and methods of cutting a fuse

Номер патента: US20110212613A1. Автор: Jeong-Kyu Kim,Kun-Gu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-01.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Bonding structures in semiconductor packaged device and method of forming same

Номер патента: US20240266304A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Mirng-Ji Lii,Kuo-Ching Hsu,Hao Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method and apparatus for sweeping overflowed resin on semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US6116487A. Автор: Nobuhiro Nagamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09478559B2. Автор: Sung Lae OH,Jae Eun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device including memory structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240237327A9. Автор: Yu-Ting Lin,Shih-Fan Kuan,Wei-Chen Pan,Huei-Ru Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device package having warpage control and method of forming the same

Номер патента: US20230299017A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Interconnect arrangement with stress-reducing structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09818666B2. Автор: Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US09607942B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09991203B2. Автор: Nae-in Lee,Byung-hee Kim,Rak-Hwan Kim,Jin-Nam Kim,Eun-ji Jung,Jong-min Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09520408B2. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20140205952A1. Автор: Yuan He,Scott Light,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20160048074A1. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240282712A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240282711A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240249988A1. Автор: Yu-Chang Chen,Jen-Chieh Kao,Wei-Tung CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing a semiconductor device package having dummy dies

Номер патента: US12125822B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Stacked capacitor with enhanced capacitance and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871095B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Szu-Yu Wang,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US09465287B2. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20220157849A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US11963351B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Method of using silicon rich carbide as a barrier material for fluorinated materials

Номер патента: SG142153A1. Автор: Xu Yi,Zhou Mei Sheng,Simon Chooi,Han Licheng,Joseph Xie Zhifeng. Владелец: Inst Of Microelectronics. Дата публикации: 2008-05-28.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US12058852B2. Автор: Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240282715A1. Автор: Wei-Hao Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of forming patterns of semiconductor device

Номер патента: US20240194521A1. Автор: JungHan LEE,Kwanyoung Chun,Jisoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230354717A1. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hai-Dang Trinh,Bi-Shen LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240304606A1. Автор: Wei-Hao Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of forming a staircase in a semiconductor device using a linear alignment control feature

Номер патента: US09985046B2. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Makoto Yoshida,Koji Miyata,Johann Alsmeier,Hiro Kinoshita,Jixin Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887157B2. Автор: Hyun Ho LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Manufacturing method of patterned structure of semiconductor device

Номер патента: US09673049B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20150118852A1. Автор: Yool Kang,Hyung-Rae Lee,Seong-Ji Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

Method of forming low dielectric constant insulation film for semiconductor device

Номер патента: US20030124874A1. Автор: Nobuo Matsuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240222134A1. Автор: Pinyen Lin,Chih-Kai Yang,Yi-Chen Lo,Yi-Shan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of evaluating metal contamination in semiconductor wafer and method of manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: US09842779B2. Автор: Kazutaka ERIGUCHI,Noritomo Mitsugi,Tsuyoshi Kubota,Kei Matsumoto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of evaluating metal contamination in semiconductor sample and method of manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US09372223B2. Автор: Kei Matsumoto,Ryuji OHNO. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

Method of fabricating topside structure of a semiconductor device

Номер патента: US5989938A. Автор: Hsingya Arthur Wang,Bandali B. Mohamed,Shyam Garg,Bruce Pickelsimer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-11-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Interconnect Structure for Semiconductor Devices

Номер патента: US20150187697A1. Автор: Liang-Guang Chen,Han-Hsin Kuo,Chi-Ming Tsai,Chung-Chi Ko,Neng-Jye Yang,Fu-Ming HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Interconnect structure for semiconductor devices

Номер патента: US09679848B2. Автор: Liang-Guang Chen,Han-Hsin Kuo,Chi-Ming Tsai,Chung-Chi Ko,Neng-Jye Yang,Fu-Ming HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Interconnect structure for semiconductor devices

Номер патента: US09460997B2. Автор: Liang-Guang Chen,Han-Hsin Kuo,Chi-Ming Tsai,Chung-Chi Ko,Neng-Jye Yang,Fu-Ming HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of forming trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: WO2006112964A3. Автор: Glenn C Abeln,Gompel Toni D Van,Mohamad Jahanbani,James D Burnett,Peter J Beckage,Kyle T Gilliland. Владелец: Kyle T Gilliland. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of forming trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: WO2006112964A2. Автор: Peter J. Beckage,James D. Burnett,Glenn C. Abeln,Toni D. Van Gompel,Mohamad Jahanbani,Kyle T. Gilliland. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-10-26.

Apparatus for routing signals, multi-layer card, packaged semiconductor device, and method of fabricating a package for a semiconductor device

Номер патента: TW580762B. Автор: Mark P Jamieson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-03-21.

Method of providing variant fills in semiconductor trenches

Номер патента: US6410402B1. Автор: Liang-Kai Han,Jay Harrington. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-06-25.

Integrated circuit packaging system with coreless substrate and method of manufacture thereof

Номер патента: US09673171B1. Автор: Heesoo Lee,HeeJo Chi,Omin Kwon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Methods of fabricating features associated with semiconductor substrates

Номер патента: US09466504B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US7410898B2. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-08-12.

Tape substrate and semiconductor module for smart card, method of fabricating the same, and smart card

Номер патента: US20090079053A1. Автор: Yucai Huang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-26.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186777A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of forming light emitting diode with high-silica substrate

Номер патента: US09859477B2. Автор: Xinghua Li,Daniel Warren Hawtof,Hisham Menkara,Archit Lal,Brent Karl Wagner,William Judson Ready, IV. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-07-22.

Method of controlling performance boosting of semiconductor device and semiconductor device performing the method

Номер патента: US20210057420A1. Автор: Sangkyu Kim,Jungwook Kim,Jonglae Park,Hyunju KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

System and method of determining pulse properties of semiconductor device

Номер патента: US7495456B2. Автор: Hideki Horii,Yong-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-24.

Method of forming a via in a semiconductor device

Номер патента: US8685854B2. Автор: Kazuhito Ichinose,Tatsunori Murata,Kotaro Kihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-01.

Method of forming a semiconductor package and leadframe therefor

Номер патента: US20050127482A1. Автор: James Letterman,Joseph Fauty,James Knapp. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-16.

Method of making a capacitor to semiconductor device

Номер патента: KR960010003B1. Автор: Sung-Wook Lee,Suk-Bin Han. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1996-07-25.

Encapsulated semiconductor device and encapsulation method

Номер патента: US09831467B2. Автор: Herbert Lifka,Peter Van De Weijer,Sören HARTMANN,Jens Meyer,Stefan Peter Grabowski,Rainald Manfred Gierth,Manfred Stephan RUSKE,Volker Lambert Van Elsbergen,Petrus Cornelis-Paulus Bouten. Владелец: OLEDWorks GmbH. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of forming isolation structures in a semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20070178662A1. Автор: CHEN Liao,Chun Chen,Chi Huang,Yung Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Method of measuring misregistration in the manufacture of topographic semiconductor device wafers

Номер патента: EP3970184A1. Автор: Amnon Manassen,Daria Negri,Gilad Laredo. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-03-23.

Methods of forming conductive and insulating layers

Номер патента: US09865575B2. Автор: HeeJo Chi,HanGil Shin,KyungMoon Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Mounted structure and manufacturing method of mounted structure

Номер патента: US09603295B2. Автор: Atsushi Yamaguchi,Arata Kishi,Naomichi Ohashi,Hisahiko Yoshida. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the device

Номер патента: US20180342432A1. Автор: Tomoshige Yunokuchi. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of Transferring Tin Sulfide Film and Photoelectric Device Using the method

Номер патента: US20190341511A1. Автор: Joon Dong Kim,Malkeshkumar PATEL. Владелец: INU Research & Business Foundation. Дата публикации: 2019-11-07.

Method of forming trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: TW200727388A. Автор: Gompel Toni D Van,Mohamad Jahanbani,James D Burnett,Peter J Beckage,Glenn C Abelin,Kyle T Gilliand. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-07-16.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160049346A1. Автор: Woojin Cho,Hansoo Kim,Jaehoon Jang,Wonseok Cho,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-18.

Interposer, microelectronic device assembly including same and methods of fabrication

Номер патента: EP3942604A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-26.

Interposer, microelectronic device assembly including same and methods of fabrication

Номер патента: WO2020190587A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device package having warpage control and method of forming the same

Номер патента: US11978729B2. Автор: Pei-Haw Tsao,Fu-Jen Li,Heh-Chang Huang,Shyue-Ter Leu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device package with stress reduction design and method of forming the same

Номер патента: US11894320B2. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Method of forming a pattern of semiconductor device of a semiconductor device on a semiconductor substrate by using an extreme ultraviolet mask

Номер патента: US20230106148A1. Автор: Kisung Kim,Sangoh PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Method of predicting shape of semiconductor device

Номер патента: US20200201952A1. Автор: Ji-Hye Lee,Kwang-Hoon KIM,Woo-Young CHEON,Do-Yun Kim,Sung-Bo Shim,Dong-Chul Ihm,Ki-Wook SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Shallow trench isolation type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20020020887A1. Автор: In-seak Hwang,Keum-Joo Lee,Young-min Kwon,Chang-Lyoung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of manufacturing an opening of a semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device using the same method

Номер патента: KR100763514B1. Автор: 배근희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-10-04.

Method and equipment for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5492864A. Автор: Yoshiharu Saitoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-02-20.

Cooling system for a semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20060099815A1. Автор: Louis Hsu,Howard Chen,Joseph Shepard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-11.

Methods of Thinning and Structuring Semiconductor Wafers by Electrical Discharge Machining

Номер патента: US20190295855A1. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Nirdesh Ojha. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

Bonding structures in semiconductor packaged device and method of forming same

Номер патента: US11990428B2. Автор: Ching-Wen Hsiao,Mirng-Ji Lii,Kuo-Ching Hsu,Hao Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090159980A1. Автор: Dae Kyeun Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of fabricating semiconductor device including a substrate attached to a carrier

Номер патента: US8912048B2. Автор: Jong-Youn Kim,Cha-Jea JO,Ji-Hwang KIM,Hae-jung Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-16.

Packaged Semiconductor Devices and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230361068A1. Автор: Chen-Hua Yu,Sey-Ping Sun,Chih-Hang Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230290714A1. Автор: Li-Hui Cheng,Chih-Chien Pan,Ping-Yin Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Interconnect arrangement with stress-reducing structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20150206845A1. Автор: Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor device, semiconductor package, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220254699A1. Автор: Tun-Ching PI. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor device and a method for film deposition

Номер патента: US20240128077A1. Автор: Ji-Feng Liu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US11355432B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-07.

Semiconductor device package having warpage control

Номер патента: US20240145448A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Fu-Jen Li,Heh-Chang Huang,Shyue-Ter Leu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US20170250135A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US10665539B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-26.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US20200286826A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Three-dimensional semiconductor device including a mold structure providing gap regions and an interconnection structure including a plurality of interconnection patterns formed in the gap regions

Номер патента: US8742466B2. Автор: Woojin Cho,Hansoo Kim,Jaehoon Jang,Wonseok Cho,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-03.

Apparatus and method for manufacturing a light-emitting device using a neutral particle beam

Номер патента: US20140017827A1. Автор: Suk Jae Yoo,Seong Bong Kim. Владелец: Korea Basic Science Institute KBSI. Дата публикации: 2014-01-16.

Polymer, method of preparing the same, and organic optoelectric device including the same

Номер патента: US09847489B1. Автор: Sang Jin Moon,Won Suk Shin,Sang Kyu Lee,Jong Cheol Lee,Changeun Song,Hoang Quoc Viet. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2017-12-19.

Wireless communicating among vertically arranged integrated circuits (ICs) in a semiconductor package

Номер патента: US09570420B2. Автор: Ahmadreza Rofougaran,Arya Reza Behzad,Sam Ziqun Zhao,Michael BOERS,Jesus Alfonso Castaneda. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for forming interconnection of semiconductor device

Номер патента: US5801099A. Автор: Nae Hak Park,Yong Kwon Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-01.

Manufacturing method of insert case for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220165583A1. Автор: Hiroyuki Masumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11672130B2. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-06.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210151506A1. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210210433A1. Автор: Chao Wei LIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Manufacturing method of semiconductor devices

Номер патента: EP1797589A1. Автор: Kiyoshi c/o Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. ARITA. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-20.

Semiconductor device having heat radiating configuration

Номер патента: US20110133328A1. Автор: Takeshi Miyajima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device including memory structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240138139A1. Автор: Yu-Ting Lin,Shih-Fan Kuan,Wei-Chen Pan,Huei-Ru Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180158781A1. Автор: Young Hun Kim,Byung Hee Kim,Rak Hwan Kim,Eun Ji Jung,Gyeong Yun Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202412A1. Автор: Chih-Cheng LEE,Yu-Lin Shih. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220310521A1. Автор: Chao Wei LIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor wafer, method of manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: US20030102530A1. Автор: Masahiro Inohara,Takeo Nakayama,Masahiko Matsumoto,Kunihiro Kasai,Hisato Oyamatsu,Yasuhiro Fukaura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-05.

METHODS OF DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHODS OF MANUFACTURING A SEMICONDUTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20170032074A1. Автор: Baek Sanghoon,Lim Jinyoung,DO Jung-ho,SONG TAEJOONG,YANG GIYOUNG,CHO SUNGWE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-02-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180157781A1. Автор: PARK Chul-hong,YANG Jae-Seok,KUCHANURI Subhash,RASTOGI Sidharth. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

Method of forming a thin film using an atomic layer deposition process and method of forming a capacitor of a semiconductor device using the same

Номер патента: KR20050117286A. Автор: 김성태,이종철,최한메,김영선,유차영,임기빈,남갑진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-12-14.

Method of planarizing a semiconductor workpiece surface

Номер патента: US5679610A. Автор: Katsuya Okumura,Tetsuo Matsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-10-21.

Method of forming a thin film using an atomic layer deposition process and method of forming a capacitor of a semiconductor device using the same

Номер патента: KR100589062B1. Автор: 김성태,이종철,최한메,김영선,유차영,임기빈,남갑진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-06-12.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200335458A1. Автор: Chien-Hua Chen,Sheng-chi Hsieh. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor manufacturing equipment and method of providing support base with filling material disposed into openings in semiconductor wafer for support

Номер патента: US11935777B2. Автор: HunTeak Lee,HyunSu Tak,Hyeonchul Lee,WanIl Lee,InHo Seo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210335742A1. Автор: Bernd Karl Appelt,You-Lung Yen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150054171A1. Автор: Hyun Ho LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11791293B2. Автор: Wen Hung HUANG,Yan Wen CHUNG,Wei Chu SUN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Redistribution structure for integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US11854994B2. Автор: Chen-Hua Yu,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Ming Shih Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20230262968A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210013163A1. Автор: Wen Hung HUANG,Yan Wen CHUNG,Wei Chu SUN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

System for dispensing spin-on glass (sog) and method of using

Номер патента: US20220367181A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor Device And Method Of Manufacturing The Same

Номер патента: US20230026305A1. Автор: Ching-Hung Kao,Kuei-Yu Deng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US20120040527A1. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20170309637A1. Автор: Sun Young Kim,Jang Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device interconnect

Номер патента: WO2002093648A2. Автор: Anthony Stamper,Edward Cooney, III. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2002-11-21.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US8193088B2. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20230309296A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of forming a bump of a semiconductor element

Номер патента: TW328146B. Автор: Yoshihiro Ishida,Tetsuo Sato. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-11.

Method of forming a dielectric film

Номер патента: US5763021A. Автор: Andrew W. Young,Don D. Smith. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-06-09.

Method of making connections in a semiconductor device

Номер патента: DE19700868C2. Автор: Young Kwon Jun. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

Method of making and testing a semiconductor device

Номер патента: EP0618455A2. Автор: Clyde George Bethea. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1994-10-05.

Method of making interconnections in a semiconductor device

Номер патента: DE2217538C3. Автор: Jean-Pierre Epron Cambes en Plaine Rioult. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1981-12-03.

Method for passivating a semiconductor junction

Номер патента: US4717641A. Автор: Henry G. Hughes,Emanuel Belmont. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1988-01-05.

Passive Semiconductor Device

Номер патента: US20240079353A1. Автор: Fu-Chiang KUO,Meei-Shiou Chern,Jyun-Ting Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of detecting a defect in a simiconductor device

Номер патента: US20060019419A1. Автор: Sang-oh Park,Hyun-Beom Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-26.

Semiconductor device including interlayer support patterns on a substrate

Номер патента: US10115734B2. Автор: Sun Young Kim,Jang Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-30.

Semiconductor device with reduced resistance and method for manufacturing the same

Номер патента: US11854973B2. Автор: Fong-Yuan Chang,Po-Hsiang Huang,Chih-Liang Chen,Chi-Yu Lu,Fei Fan DUAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Methods of forming wells in semiconductor devices

Номер патента: US20050142728A1. Автор: Dae Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Stacked Integrated Circuit Structure and Method of Forming

Номер патента: US20210242173A1. Автор: Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Wei-Ming Chen,Wen-Hsin Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Method of forming electroconductive domains in integrated monolithic semiconductor devices, and high package density semiconductor device manufactured by said method

Номер патента: DE3366507D1. Автор: Richard Percival,Ernst Uhlmann. Владелец: Lasarray Holding Ag. Дата публикации: 1986-11-06.

Slurry composition, method of polishing an object and method of forming a contact in a semiconductor device using the slurry composition

Номер патента: US20060189152A1. Автор: Kyung-hyun Kim,Yong-Sun Ko,Ki-Hoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-24.

Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same

Номер патента: US8624276B2. Автор: Ki Yeol Park,Pun Jae Choi,Jin Hyun Lee,Myong Soo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-07.

Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same

Номер патента: US8981395B2. Автор: Ki Yeol Park,Pun Jae Choi,Jin Hyun Lee,Myong Soo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-17.

Semiconductor wafer, wafer alignment patterns and method of forming wafer alignment patterns

Номер патента: US5700732A. Автор: Mark E. Jost,David J. Hansen,Steven M. McDonald. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-12-23.

Resin composition for sealing a semiconductor device, device using this semiconductor device, and mounting structure of this semiconductor device

Номер патента: DE60104784T2. Автор: Tadaaki Ibaraki-shi HARADA. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US5661068A. Автор: Mitsuru Sekiguchi,Masanori Fukumoto,Hisashi Ogawa,Yuka Terai,Isao Miyanaga,Shuji Hirao. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1997-08-26.

Methods of optimizing clamping of a semiconductor element against a support structure on a wire bonding machine, and related methods

Номер патента: US11935864B2. Автор: Wei Qin,HUI XU,JeongHo Yang,Ziauddin Ahmad. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor package and method of providing surface temperature of semiconductor package

Номер патента: US20230402341A1. Автор: Sukyoung LEE,Sangmin An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of storing GaN substrate, stored substrate, and semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: TW200805549A. Автор: Hideyuki Ijiri,Seiji Nakahata. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2008-01-16.

Method of manufacturing a contact of a semiconductor device using cluster apparatus having at least one plasma pretreatment module

Номер патента: US20020064944A1. Автор: Chang-Woong Chu,Kyeong-koo Chi,Seung-pil Chung,Ji-soo Kim,Sang-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-30.

Semiconductor structures and a method of manufacturing semiconductor structures

Номер патента: CA1332341C. Автор: David Martin Cooper,Andrew William Nelson,Simon Cole,Ian Francis Lealman,William John Devlin. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1994-10-11.

Overlapping contacts for semiconductor device

Номер патента: US8940634B2. Автор: Brett H. Engel,Lindsey Hall,Randolph F. Knarr,Steven R. Soss,Jin Z. Wallner,David F. Hilscher. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-01-27.

Method for shaping features of a semiconductor structure using chemical mechanical planarization (CMP)

Номер патента: US5302233A. Автор: Scott Meikle,Sung C. Kim. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1994-04-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230298992A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US11978640B2. Автор: Pinyen Lin,Chih-Kai Yang,Yi-Chen Lo,Yi-Shan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor Constructions Comprising Dielectric Material, and Methods of Forming Dielectric Fill Within Openings Extending into Semiconductor Constructions

Номер патента: US20200357682A1. Автор: Sony Varghese,Gurtej S. Sandhu,Scott L. Light,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Transfer device for semiconductor light emitting device and display device of semiconductor light emitting device using same

Номер патента: US20230327047A1. Автор: Sungjin Park,Taesu Oh,Joonkwon Moon,Bongseok Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190081014A1. Автор: Naofumi Ohashi,Toshiyuki Kikuchi,Hideharu Itatani. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor Constructions Comprising Dielectric Material, and Methods of Forming Dielectric Fill Within Openings Extending into Semiconductor Constructions

Номер патента: US20190067084A1. Автор: Sony Varghese,Gurtej S. Sandhu,Scott L. Light,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Method of forming alignment marks in a semiconductor body

Номер патента: DE3563148D1. Автор: Paul Edmand Cade. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-07-07.

Semiconductor device and method of designing a wiring of a semiconductor device

Номер патента: US20120025377A1. Автор: Yukihito Oowaki,Shoji Seta,Hideaki Ikuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

METHOD OF DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A FIN

Номер патента: US20180174953A1. Автор: Kim Dong-hyun,PARK Chul-hong,LEE Hae-wang,NAM SEON-AH,NAKAMATSU IKUO,OH YUN-SE,CHOI HO-JUN. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

METHOD OF FORMING A STAIRCASE IN A SEMICONDUCTOR DEVICE USING A LINEAR ALIGNMNENT CONTROL FEATURE

Номер патента: US20170358594A1. Автор: Alsmeier Johann,YOSHIDA Makoto,Miyata Koji,Lu Zhenyu,YU Jixin,Kinoshita Hiro,Mao Daxin. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Method of planarizing a surface of a semiconductor device and a semiconductor device manufactured according to the same

Номер патента: US20040029375A1. Автор: Chang-ki Hong,Jae-dong Lee,Yong-Pil Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-02-12.

Cleaning methods of porous surface and semiconductor surface

Номер патента: US6058945A. Автор: Hideya Kumomi,Yasutomo Fujiyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-05-09.

Apparatuses and methods of protecting nickel and nickel containing components with thin films

Номер патента: EP4133120A1. Автор: LEI Zhou,Avgerinos V. Gelatos,Mei Chang,Jennifer Y. Sun,Dien-Yeh Wu,Pingyan Lei,Xiao Ming He,Takashi KURATOMI,Steven D. Marcus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-02-15.

Semiconductor device and method of designing a wiring of a semiconductor device

Номер патента: US8269346B2. Автор: Yukihito Oowaki,Shoji Seta,Hideaki Ikuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-18.

Method of making cavities in a semiconductor wafer

Номер патента: US20040180519A1. Автор: Christophe Maleville,Walter Schwarzenbach. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2004-09-16.

A method of forming isolation regions of a semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: DE102004032703B4. Автор: Jiang Yan,Danny Shum. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2013-08-22.

Interconnect Structure for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170278785A1. Автор: Liang-Guang Chen,Han-Hsin Kuo,Chi-Ming Tsai,Chung-Chi Ko,Neng-Jye Yang,Fu-Ming HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Method for fabricating multiplexed hollow waveguides of variable type on a semiconductor package

Номер патента: US11721650B2. Автор: Aleksandar Aleksov,Brandon C. MARIN,Suddhasattwa NAD,Jeremy D. Ecton,Georgios Dogiamis,Mohammad Mamunur RAHMAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Method of measuring misregistration of semiconductor devices

Номер патента: EP3942600A1. Автор: Roie VOLKOVICH,Ido Dolev. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2022-01-26.

Method of measuring misregistration of semiconductor devices

Номер патента: US20200271596A1. Автор: Roie VOLKOVICH,Ido Dolev. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Method of measuring misregistration of semiconductor devices

Номер патента: US20210149314A1. Автор: Roie VOLKOVICH,Ido Dolev. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of isolation of the elements on the semiconductor device

Номер патента: KR970003715B1. Автор: Yong-Tae Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-03-21.

Manufacturing method of substrate for a semiconductor package, manufacturing method of semiconductor package, substrate for a semiconductor package and semiconductor package

Номер патента: US20120064666A1. Автор: Yoichiro Hamada,Shigeru Hosomomi. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2012-03-15.

Manufacturing method of substrate for a semiconductor package, manufacturing method of semiconductor package, substrate for a semiconductor package and semiconductor package

Номер патента: US20130309818A1. Автор: Yoichiro Hamada,Shigeru Hosomomi. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2013-11-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING STACKED MEMORY ELEMENTS AND METHOD OF STACKING MEMORY ELEMENTS ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150102509A1. Автор: Gu Shiqun,Henderson Brian M.. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor device having stacked memory elements and method of stacking memory elements on a semiconductor device

Номер патента: US20140225280A1. Автор: Shiqun Gu,Brian M. Henderson. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Method of disposing conductive bumps onto a semiconductor device and semiconductor devices so formed

Номер патента: US20010002044A1. Автор: Chad Cobbley,Michael Ball. Владелец: Ball Michael B.. Дата публикации: 2001-05-31.

Manufacturing method of substrate for a semiconductor package, manufacturing method of semiconductor package, substrate for a semiconductor package and semiconductor package

Номер патента: KR101109795B1. Автор: 요이치로 하마다,시게루 호소모미. Владелец: 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-02-24.

Semiconductor device having stacked memory elements and method of stacking memory elements on a semiconductor device

Номер патента: KR101615276B1. Автор: 시쿤 구,브라이언 엠. 헨더슨. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2016-04-25.

Magnetic random access memory device and method of forming the same

Номер патента: US7645619B2. Автор: Jun-Soo Bae,Jang-eun Lee,Hyun-Jo Kim,Young-ki Ha,Se-Chung Oh,Kyung-Tae Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-12.

Method of and apparatus for measuring lifetime of carriers in semiconductor sample

Номер патента: US5760597A. Автор: Hiroyuki Takamatsu,Hidehisa Hashizume,Naoyuki Yoshida,Yuji Hirao,Yutaka Kawata,Futoshi Ojima,Shingo Sumie. Владелец: Genesis Technology Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-02.

A method of forming resist patterns in a semiconductor device and a semiconductor washing liquid used in said method

Номер патента: KR100393118B1. Автор: 현만석. Владелец: 현만석. Дата публикации: 2003-07-31.

Semiconductor devices and methods of forming a trench in a semiconductor device

Номер патента: US20040135199A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-15.

Interconnect structure for semiconductor devices

Номер патента: US9564355B2. Автор: Chih-Yuan Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of reducing semiconductor substrate surface unevenness

Номер патента: US11901186B2. Автор: LI ZHANG,Kwang Hong LEE,Keith Cheng Yeow NG,Kenneth Eng Kian Lee,Eugene A. Fitzgerald,Soo Jin Chua,Chuan Seng Tan. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-02-13.

Method of forming light emitting diode with high-silica substrate

Номер патента: US20170207372A1. Автор: Xinghua Li,Daniel Warren Hawtof,Hisham Menkara,Archit Lal,Brent Karl Wagner,William Judson Ready, IV. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2017-07-20.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186790A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186770A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20070141835A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-21.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: EP1719168A1. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: WO2005083778A1. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-09-09.

Method of manufacturing an organic light emitting diode by lift-off

Номер патента: US09985237B2. Автор: Dong Zhang,Sang Sool Koo. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2018-05-29.

METHOD OF MAKING A WIRE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140030859A1. Автор: Maes Jan Willem,Xie Qi,Machkaoutsan Vladimir. Владелец: ASM IP HOLDING B.V.. Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor device and method of forming cantilevered protrusion on a semiconductor die

Номер патента: US20170084520A1. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-03-23.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20160293419A1. Автор: NAM Yun Suk. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING CANTILEVERED PROTRUSION ON A SEMICONDUCTOR DIE

Номер патента: US20190378788A1. Автор: Seddon Michael J.,Carney Francis J.. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2019-12-12.

Method of making a capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR960011816B1. Автор: 서동령. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1996-08-30.

Method of establishing electrical contact between a semiconductor substrate and a semiconductor device

Номер патента: US6780758B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Garo J. Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-08-24.

Carrier substrate, package, and method of manufacture

Номер патента: US20190103313A1. Автор: Ming-Wa TAM. Владелец: UBOTIC Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Auxiliary wafer, preparation method of auxiliary wafer, and semiconductor production process

Номер патента: US20210384090A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Manufacturing method of half tone mask

Номер патента: WO2010151087A3. Автор: Moosung Kim. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2011-04-14.

Imprint method, imprint apparatus, and method of manufacturing article

Номер патента: US20220242013A1. Автор: Yoshihiro Matsuoka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

METHOD OF FORMING A PATTERN IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING A GATE USING THE SAME

Номер патента: US20130230979A1. Автор: Kang Hee-Sung,Ryou Choong-Ryul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-09-05.

METHOD OF FORMING A PATTERN IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING A GATE USING THE SAME

Номер патента: US20160005624A1. Автор: Kang Hee-Sung,Ryou Choong-Ryul. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

METHOD OF FORMING A PATTERN IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING A GATE USING THE SAME

Номер патента: US20150017804A1. Автор: Kang Hee-Sung,Ryou Choong-Ryul. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

METHOD OF SEPARATING SEMICONDUCTOR DIES FROM A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE ASSEMBLY AND SEMICONDUCTOR DIE ASSEMBLY

Номер патента: US20180247872A1. Автор: Brunnbauer Markus,Mariani Franco. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

Method of Separating Semiconductor Dies from a Semiconductor Substrate, Semiconductor Substrate Assembly and Semiconductor Die Assembly

Номер патента: US20170345716A1. Автор: Brunnbauer Markus,Mariani Franco. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Method of bonding semiconductor chips to a substrate

Номер патента: US5249732A. Автор: Michael E. Thomas. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-10-05.

A method of separating semiconductor dies from a semiconductor substrate, semiconductor substrate array, and semiconductor die array

Номер патента: DE102016109693A1. Автор: Markus Brunnbauer,Franco Mariani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-30.

Method of forming opening on semiconductor substrate

Номер патента: US8962486B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Po-Chun Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-02-24.

Method of forming opening on semiconductor substrate

Номер патента: US20140106568A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Po-Chun Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Method of stabilizing amorphous semiconductors, thus-stabilized amorphous semiconductors and devices using such semiconductors

Номер патента: AU2504695A. Автор: Kazunori Tsuge,Hideo Yamagishi,Hitoshi Nishio,Keiko Miki,Yoshihisa Tawada,William Andrew Nevin. Владелец: Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 1995-09-14.

Method of forming field oxide film on the semiconductor device

Номер патента: KR970011664B1. Автор: Hyun-Woo Lee,Se-Uk Jang. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-07-12.

Method of etching conductive layers for capacitor and semiconductor device fabrication

Номер патента: TW591719B. Автор: Hideyuki Yamauchi,Kouji Tsutsumi,Yohei Kawase. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-06-11.

Apparatus and method of applying a film to a semiconductor wafer and method of processing a semiconductor wafer

Номер патента: US20120168940A1. Автор: Florian Bieck. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2012-07-05.

Method of Forming Conductive Contacts on a Semiconductor Device with Embedded Memory and the Resulting Device

Номер патента: US20120322225A1. Автор: Till Schloesser,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

Method of protecting sidewall surfaces of a semiconductor device

Номер патента: US20140120720A1. Автор: Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-01.

A METHOD OF ANODISING A SURFACE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160064592A1. Автор: Wang Xi,CUI Jie. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED. Дата публикации: 2016-03-03.

Metallic Interconnect, a Method of Manufacturing a Metallic Interconnect, a Semiconductor Arrangement and a Method of Manufacturing a Semiconductor Arrangement

Номер патента: US20190103378A1. Автор: Mahler Joachim,Nikitin Ivan,Hosseini Khalil,Meyer-Berg Georg,Meyer Thorsten,Pufall Reinhard,RIEDL Edmund,ESCHER-POEPPEL Irmgard,Schmidt Klaus,LODERMEYER Johannes,Schneegans Manfred,Schwarz Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

Apparatus and method of detecting a defect of a semiconductor device

Номер патента: US20140208850A1. Автор: Hyun Kim,Jae-Yong Park,Sang-Jun Kim,Yun-sik Yoo,Tae-Gyeong Chung,Geun-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-31.

METHODS OF FORMING LAYER PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140242800A1. Автор: KIM Tae-Sun,Yoon Kwang-sub,Oh Tae-Hwan,KIM Yu-Ra. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of Patterning a Feature of a Semiconductor Device

Номер патента: US20140273446A1. Автор: Lai Chih-Ming,Hsieh Ken-Hsien,Liu Ru-Gun,Shieh Ming-Feng,GAU Tsai-Sheng,HUANG Yen-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-18.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180182623A1. Автор: Park Jongchul,Park Jongsoon,Kim Jong-Kyu,LEE Yil-Hyung. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

METHODS OF FORMING SUBLITHOGRAPHIC FEATURES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200176255A1. Автор: Gupta Rajesh N.,Nigam Akash. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

METHODS OF FORMING A PATTERN OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150243520A1. Автор: Park Jin,KIM Hyun-woo,Koh Cha-won. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

METHOD OF IMPROVING THE YIELD OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140357070A1. Автор: XU Ying,Zhou Fei,YU Hongjun. Владелец: SHANGHAI HUALI MICROELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-12-04.

METHOD OF PATTERNING A FEATURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150287635A1. Автор: Lai Chih-Ming,Hsieh Ken-Hsien,Liu Ru-Gun,Shieh Ming-Feng,GAU Tsai-Sheng,HUANG Yen-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140370713A1. Автор: HA Hyoun-jee. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

METHOD OF FABRICATING CONDUCTIVE LINE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150303104A1. Автор: Chen Mu-Chin,Chiang Yuan-Sheng,Hsiung Chi-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

A method of making a defined recess in a damascene structure using a CMP process and a damascene structure

Номер патента: DE102005004384A1. Автор: Rico Hueselitz,Gerd Franz Christian Marxsen,Frank Mauersberger. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-08-10.

Method of forming a contact of a semiconductor device

Номер патента: KR980005626A. Автор: 신동원. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming metal wire of a semiconductor device

Номер патента: KR0172283B1. Автор: 곽노정,김정태,김춘환. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-03-30.

A method of forming trench isolation of a semiconductor device

Номер патента: KR100245561B1. Автор: 윤보언,정인권. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-03-02.

Method of fabricating conductive line of a semiconductor device

Номер патента: US9318381B2. Автор: Mu-Chin Chen,Yuan-Sheng Chiang,Chi-Sheng Hsiung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

A method of manufacturing a flange for a semiconductor device and a flange made by this method

Номер патента: DE102004047659A1. Автор: Stefan Paulus,Jochen Dangelmaier,Volker Dr. Guengerich. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-04-13.

Method of Fabricating a Contact of a Semiconductor Device

Номер патента: KR101033986B1. Автор: 안광호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-05-11.

Method of manufacturing through holes in a semiconductor device

Номер патента: US6022797A. Автор: Shigeru Takahashi,Shigeo Ogasawara,Noriaki Oka,Tadayasu Miki,Masahito Hiroshima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-02-08.

Method of making phase shift mask of semiconductor device

Номер патента: KR940003581B1. Автор: 금은섭. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1994-04-25.

Method of forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR20020094462A. Автор: 김경민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-18.

Method of planarizing the surface of a semiconductor device

Номер патента: KR0125763B1. Автор: 데 브루인 렌데르트,마르티누스 프란시스쿠스 게라르두스 반 라아르 호펜 요세푸스. Владелец: 엔. 브이. 필립스 글로아이람펜파브리켄. Дата публикации: 1997-12-26.

Method of fabricating a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US6797561B2. Автор: Chang Hyun Ko,Ki Hyun Hwang,Young Sub You,Jai Dong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-28.

Method of manufacturing a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100988780B1. Автор: 최호영. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2010-10-20.

Method of forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR20020094461A. Автор: 김경민,송한상,박기선. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-18.

Method of forming a pattern of a semiconductor device

Номер патента: US20090170031A1. Автор: Woo Yung Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Method of evaluating metal contamination in a semiconductor wafer and method of manufacturing a semiconductor wafer

Номер патента: EP2950337B1. Автор: Kazutaka ERIGUCHI,Noritomo Mitsugi,Tsuyoshi Kubota,Kei Matsumoto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-07-04.

Apparatus and method of applying a film to a semiconductor wafer and method of processing a semiconductor wafer

Номер патента: TW201126585A. Автор: Florian Bieck. Владелец: Empire Technology Dev Llc. Дата публикации: 2011-08-01.

A method of forming an electrode of a semiconductor device

Номер патента: DE3279012D1. Автор: Naoki Yamamoto,Shojiro Sugaki,Masahiko Ogirima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-10-13.

Method of isolating adjacent components of a semiconductor device

Номер патента: AU2003233867A1. Автор: Anthony Gerard O'Neill. Владелец: Newcastle University of Upon Tyne. Дата публикации: 2003-11-17.

Method of isolating adjacent components of a semiconductor device

Номер патента: AU2003233867A8. Автор: Anthony Gerard O'Neill. Владелец: Newcastle University of Upon Tyne. Дата публикации: 2003-11-17.

Metal Contact Structure and Method of Forming the Same in a Semiconductor Device

Номер патента: US20210050254A1. Автор: CHANG CHIH-WEI,Chou You-Hua,Lin Yu-Hung,Lin Sheng-Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

Method of Forming an Interconnect in a Semiconductor Device

Номер патента: US20210082752A1. Автор: Lee Pei-Hsuan,CHI Chih-Chien,Liu Yu-Ying. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

METHOD OF FORMING FINE INTERCONNECTION FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200185268A1. Автор: Shih Shing-Yih. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

METHOD OF FORMING A TRENCH IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160233105A1. Автор: Li Yuzhu. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

METHODS OF FORMING WIRING STRUCTURES IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160276267A1. Автор: Kim Byung-hee,Matsuda Tsukasa,Lee Nae-In,LEE Jong-Jin,Kim Rak-Hwan,Kim Jin-Nam,Cha Jeong-Ok,Hwang Jung-Ha. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

Method of forming a contact in a semiconductor device

Номер патента: US20060094227A1. Автор: Bo-Yeoun Jo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-04.

Method of forming a contact in a semiconductor device

Номер патента: US7816259B2. Автор: Bo-Yeoun Jo. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-19.

Method of forming a contact in a semiconductor device

Номер патента: KR100271426B1. Автор: 이희기. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-12-01.

Method of forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100539153B1. Автор: 윤준호. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-12-26.

Method of chemical mechanical polishing in a semiconductor device

Номер патента: KR100444605B1. Автор: 김형준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-08-16.

Method of forming a inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR100568417B1. Автор: 표성규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-04-05.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100373162B1. Автор: 신동우,전승준,이금범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-02-25.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100671605B1. Автор: 임찬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-18.

Method of forming conductive pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100672823B1. Автор: 백은경,나규태,서동철,김문준,차용원,최용순. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-22.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100624926B1. Автор: 홍권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-19.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100859254B1. Автор: 백계현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2008-09-18.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100358066B1. Автор: 이기정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100501595B1. Автор: 홍권,최형복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-07-14.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100358063B1. Автор: 이상협,박대규,차태호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100824136B1. Автор: 이민용,손권,안병권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-04-21.

Method of forming a Isolation in a semiconductor device

Номер патента: KR100672155B1. Автор: 이인노. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-19.

Forming method of the polycide layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100250744B1. Автор: 정성희,김정태. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-05-01.

Method of forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100418092B1. Автор: 박동수,김정복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-02-11.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100624904B1. Автор: 조호진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-19.

A photosensitive resin composition, a cured film, a laminated body, the manufacturing method of a cured film, and a semiconductor device

Номер патента: KR102461621B1. Автор: 토시아키 후쿠하라,켄타 요시다,하루나 이노우에. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-11-01.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100361205B1. Автор: 신동우,지연혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-18.

Method of fabricating a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100361518B1. Автор: 서정민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-21.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100551884B1. Автор: 김민수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-02-10.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100328450B1. Автор: 유용식,홍권. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-03-16.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100583157B1. Автор: 주광철,안병권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-24.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100616211B1. Автор: 송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-25.

Method of forming a viahole in a semiconductor device

Номер патента: KR100710183B1. Автор: 정석원. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-04-20.

Method of forming a isolation in a semiconductor device

Номер патента: KR20060123994A. Автор: 이인노. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-12-05.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100549336B1. Автор: 홍권,송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-02-02.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100317484B1. Автор: 박형순,윤종윤. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-24.

Method of forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR20020096745A. Автор: 김동현,조용태,최봉호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-31.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100376266B1. Автор: 송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-03-17.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100342821B1. Автор: 홍권,김정태,곽흥식. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-07-02.

A method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR20010114049A. Автор: 조호진,임찬. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-29.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100335773B1. Автор: 김경민,송한상,박기선,임찬,박창서,김유성. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-09.

Method of forming a gate in a semiconductor device

Номер патента: KR20070046383A. Автор: 문정훈. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-05-03.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100356466B1. Автор: 홍권,송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-18.

RECOVERY METROLOGY MARK AND METHOD OF MEASURING RECOVERY ERROR IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2877767A1. Автор: Nigel Peter Smith,Yi Sha Ku,Hsiu Lan Pang. Владелец: Accent Optical Technologies Inc. Дата публикации: 2006-05-12.

Method of forming isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100244300B1. Автор: 박진원,김준기. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-03-02.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR20010113324A. Автор: 홍권. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-28.

Method of manufacturing via hole in a semiconductor device

Номер патента: US8455358B2. Автор: Kohei Miki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-06-04.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US6468874B1. Автор: Yong Sik Yu,Kweon Hong. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-22.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100415516B1. Автор: 김경민,김동준,송한상. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-01-31.

Method of fabricating a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100639193B1. Автор: 이승희. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-10-31.

Method of forming metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100538634B1. Автор: 조일현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-12-22.

method of forming interconnection lines in a semiconductor device

Номер патента: KR100568449B1. Автор: 이효종,박병률,이태훈,손홍성. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-04-07.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100685637B1. Автор: 송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-22.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100376268B1. Автор: 조호진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-03-17.

Method of forming fine pattern in a semiconductor device fabricating

Номер патента: KR20080022611A. Автор: 강창진,이동석,민경진,정승필,임석현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-03-12.

Method of forming quantum dots in a semiconductor device

Номер патента: GB2332564B. Автор: Jang-yeon Kwon,Ki Bum Kim,Tae Sik Yoon. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-04-05.

Method of making superconducting wire and superconducting device

Номер патента: RU2366017C1. Автор: Казуя ОХМАЦУ,Мунецугу ЮЯМА. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2009-08-27.

Semiconductor USB device for detecting foreign substances and method of operating the same

Номер патента: US11749954B2. Автор: Je Kook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20180062325A1. Автор: Je Kook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

A method of exposing a semiconductor integrated circuit and a method of exposing a pattern of a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: TWI251720B. Автор: Satoshi Yamauchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-03-21.

Method of producing an un-distorted dark field strain map at high spatial resolution through dark field electron holography

Номер патента: US09551674B1. Автор: Yun-Yu Wang,John Bruley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device of USB interface and method of operating the same

Номер патента: US10686283B2. Автор: Je Kook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-16.

Sintered body, method of fabricating the same, semiconductor fabricating device, and method of fabricating semiconductor fabricating device

Номер патента: US20220162083A1. Автор: Takafumi Noguchi,Chang Hwan Kim,Kenichi Nagayama,Toshihiro Iizuka. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Method of production of rare earth magnetic alloy ribbon

Номер патента: US20140116577A1. Автор: Noritsugu Sakuma,Hidefumi Kishimoto,Mikiya Nozaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Guided-mode laser apparatus with improved cladding structure and a method of fabricating thereof

Номер патента: US20030012534A1. Автор: David Sumida,Hans Bruesselbach,Alexander Betin. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2003-01-16.

Fuel cell apparatus and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2006044845A1. Автор: Yoocharn Jeon. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2006-04-27.

Method of Kelvin current sense in a semiconductor package

Номер патента: US20070164775A1. Автор: Erin L. Taylor,John A. Billingsley. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2007-07-19.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A2. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Envision Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-04-26.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: US20210194521A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Joseph Pratt,Christopher Mayer,Praveen Chandrasekaran. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-24.

Method of reducing mechanical stress on a semiconductor die during fabrication

Номер патента: US20070254407A1. Автор: Hui Liu,Hem Takiar,Cheemen Yu,Chin-Tien Chiu,Jack Chang-Chien,Jiang Java Zhu. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A3. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Sharon Zohar. Дата публикации: 2007-11-15.

Method of designing a datapath in a semiconductor component, and semiconductor component having a datapath

Номер патента: WO2021259476A1. Автор: Mustafa Badaroglu. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-12-30.

Method of detecting a nfc device emulating several contactless cards which may use a plurality of protocols

Номер патента: US20120028579A1. Автор: Alain Rhelimi,Jean-Yves Fine. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of detecting a nfc device emulating several contactless cards which may use a plurality of protocols

Номер патента: EP2417753A1. Автор: Alain Rhelimi,Jean-Yves Fine. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2012-02-15.

Method of detecting a nfc device emulating several contactless cards which may use a plurality of protocols

Номер патента: WO2010115889A1. Автор: Alain Rhelimi,Jean-Yves Fine. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2010-10-14.

System and method of alerting CMS and registered users about a potential duress situation using a mobile application

Номер патента: US09779614B2. Автор: Shaiju Janardhanan,Hemanth Pv,Ravikumar Vemagal Aswath,Deepak Sundar Meganathan,Vinay Hegde. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of communication and associated system of glasses type for a user using a viewing station

Номер патента: US09628785B2. Автор: Marc Bertin. Владелец: Oberthur Technologies SA. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of encrypting and transferring data between a sender and a receiver using a network

Номер патента: US09497172B2. Автор: Michael H. Alculumbre. Владелец: Litera Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of controlling battery power, power control apparatus, and portable device using the same

Номер патента: US20090051223A1. Автор: Jae Ho Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-26.

Method of providing sound that matches displayed image and display device using the method

Номер патента: US20200213737A1. Автор: Jin Oh KWAG,Yi Joon Ahn,Sung Chan Jo,Byeong Hee Won,Jae Been LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Method of providing multiple voltage references to a radio-frequency device using a single analog line

Номер патента: US20150137878A1. Автор: YING Shen,HONG Hu,Shawn Walsh,Aleksandr SEMENYSHEV,Thanh Hung NGUYEN. Владелец: ZTE USA Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

Method of registering location in mobile communication system and mobile device used in said method

Номер патента: US20010034232A1. Автор: Soichi Kuwahara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-10-25.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: EP3843267A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Pratt,Praveen Chandrasekaran,Chris Mayer. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-30.

A method of encrypting and transferring data between a sender and a receiver using a network

Номер патента: CA2569761A1. Автор: Michael Alculumbre. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-08.

Method of operating a discharge lamp system and a discharge lamp system using a combination radial and longitudinal acoustic mode to reduce vertical segregation

Номер патента: EP1519637B1. Автор: Nancy H. Chen,Joseph A. Olsen,Scott J. Butler. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2011-08-31.

Buffer circuit for compensating for a mismatch between on-die termination resistors and semiconductor device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09438232B2. Автор: Kyung-Soo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and method of managing secret information

Номер патента: US20240232383A9. Автор: Akira Hamaguchi,Yuichi Iwaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US10410332B2. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-10.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US20180012348A1. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor device with a resonator

Номер патента: EP1687896A1. Автор: Patrice c/o Société Civile SPID GAMAND. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-08-09.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US12114511B2. Автор: Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240373650A1. Автор: Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US12133396B2. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of channel coding for digital communication system and channel coding device using the same

Номер патента: US20070171989A1. Автор: Kwy-Ro Lee,Young Hwan Kim,Mi-Hyun Son,Sang-Min Han,Seong Soo Lee,Dae Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-26.

Method of previewing processed image, device using the same, and storage medium having computer program stored thereon

Номер патента: US20150042835A1. Автор: Chia-Wei Chiu. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Method of providing interoperability of heterogeneous network devices and network device using the same

Номер патента: US20070136451A1. Автор: Sang-Do Park,Moon-Jeong Choi,Jun-hyeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-14.

Method of previewing processed image, device using the same, and storage medium having computer program stored thereon

Номер патента: US09413966B2. Автор: Chia-Wei Chiu. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Systems and methods for programming embedded devices using graphical user interface

Номер патента: US09521729B2. Автор: Ramin Soheili. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-13.

A hybrid organic-inorganic semiconductor device and a method of its fabrication

Номер патента: WO2001057939A3. Автор: Ron Naaman,David Cahen. Владелец: David Cahen. Дата публикации: 2002-01-17.

Method for displaying objects on a screen display and image display device using same

Номер патента: US09778835B2. Автор: Dongjun Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of managing secret information

Номер патента: US20240135005A1. Автор: Akira Hamaguchi,Yuichi Iwaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Telephone Interface Unit And A Method Of Configuring Headset System To Telephone Device

Номер патента: US20130259223A1. Автор: Thomas Pedersen,Jesper Birk Jepsen. Владелец: Gn Netcom As. Дата публикации: 2013-10-03.

Method and system for synchronizing all clock sources of semiconductor devices

Номер патента: US7210052B2. Автор: De-Wei Lee,Wu-Han Yang. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

Rubbing cloth, roller, method of forming LC alignment angle and method of cleaning debris

Номер патента: US9465255B2. Автор: Chao TIAN,Yupeng Wang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Rubbing cloth, roller, method of forming lc alignment angle and method of cleaning debris

Номер патента: US20150253630A1. Автор: Chao TIAN,Yupeng Wang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Creating decentralized multi-party traceability of sla using a blockchain

Номер патента: US20240291730A1. Автор: Sergio Fernando Ocon Cardenas,Pau Garcia Quiles. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Centralized access point provisioning system and methods of operation thereof

Номер патента: US09820153B2. Автор: Matthew Allen Clemenson,Lawrence Anthony Dimatteo, Iii. Владелец: Wyfi Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Cutting method of flat wire, and cutting tool

Номер патента: US09570893B2. Автор: Hideki Manabe. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

System and method of diagnosing battery cells that support one-to-many wireless communication using common-frequency-channel and multiple communication-frequency-channels

Номер патента: US20240331528A1. Автор: Jun Ho Cho,Sung Jun Baik. Владелец: Cell Point Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of and system for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020124228A1. Автор: Arshad Madni. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of designing a circuit of a semiconductor device

Номер патента: US20050229133A1. Автор: Kazuaki Goto,Reiko Harada. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

Method of hologram exposure, mask for hologram exposure, semiconductor device, and electronic equipment

Номер патента: US20050063030A1. Автор: Chiharu Iriguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-03-24.

Method of orienting an intervertebral spacer device having recessed notch pairs by using a surgical tool

Номер патента: US09814596B2. Автор: Rafail Zubok,Joseph P. Errico,Michael W. Dudasik. Владелец: Spinecore Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of producing a multi-microchannel, flow-through element and device using same

Номер патента: US20160282294A1. Автор: Vladimir SHAPOVALOV,Dmitri Ivnitski. Владелец: New Mexico Tech Research Foundation. Дата публикации: 2016-09-29.

Method of operating fast fourier transform for hologram generation and device using the same

Номер патента: US20230162336A1. Автор: Ho Min Kang,Jae Hong Lee,Duk Su Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-05-25.

Method of producing a multi-microchannel, flow-through element and device using same

Номер патента: US09404882B2. Автор: Vladimir SHAPOVALOV,Dmitri Ivniski. Владелец: New Mexico Tech Research Foundation. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of manufacturing group III nitride substrate and semiconductor device

Номер патента: US7221037B2. Автор: Yasuo Kitaoka,Akihiko Ishibashi,Isao Kidoguchi,Hisashi Minemoto. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-22.

Method of simulation and design of a semiconductor device

Номер патента: US20140019101A1. Автор: Zhanming Li. Владелец: Crosslight Software Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Method of making a cemented carbide or cermet powder by using a resonant acoustic mixer

Номер патента: EP2768995A2. Автор: Michael Carpenter,Jane Smith,Tommy Flygare,Carl-Johans MADERUD. Владелец: Sandvik Intellectual Property AB. Дата публикации: 2014-08-27.

Method of preparing soy isoflavone nanoparticles by precipitation with compressed antisolvent (pca) using a supercritical fluid

Номер патента: US20130190392A1. Автор: Kathy Qian Luo,Jinjie XU. Владелец: Nano and Advanced Materials Institute Ltd. Дата публикации: 2013-07-25.

A monitoring circuit, an operation method of the monitoring circuit, and a semiconductor system including the same

Номер патента: US20200110883A1. Автор: Dong Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Methods of operating cell libraries and of realizing large scale integrated circuits using a programmed compiler including a cell library

Номер патента: WO1992004684A1. Автор: Paul Holt,Frank T. Riherd,Valery F. Gravoulet,Michel Altheimer. Владелец: Vlsi Technology Inc.. Дата публикации: 1992-03-19.

Gas turbine engine having a metallic test sample and a method of determining the service life of a gas turbine engine component using a metallic test sample

Номер патента: US20190292992A1. Автор: Grant J. GIBSON. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2019-09-26.

Method of Quantifying the G Protein-Coupled Receptor (Gpcr)/G Protein Coupling Using a Cell Membrane Array

Номер патента: US20080318799A1. Автор: Rafael Rodriguez Puertas,Gabriel BARREDA GÓMEZ,Maria Teresa Giralt Rue,Begona Fernandez Pastor. Владелец: Euskal Herriko Unibertsitatea. Дата публикации: 2008-12-25.

Method of quantifying the G protein-coupled receptor (GPCR)/G protein coupling using a cell membrane array

Номер патента: US8017346B2. Автор: Rafael Rodriguez Puertas,Gabriel BARREDA GÓMEZ,Maria Teresa Giralt Rue,Begona Fernandez Pastor. Владелец: Euskal Herriko Unibertsitatea. Дата публикации: 2011-09-13.

Method of producing a powerful and efficient internal combustion four stroke engine using a blower and a single valve cylinder

Номер патента: US20040261734A1. Автор: Yeap Lim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Testing mechanism in a semiconductor integrated circuit device using an external clock signal and a non-connection pin input signal

Номер патента: US6125462A. Автор: Fumihiko Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-09-26.

Fingerprint-resistant cured film and production method of same; display and touch panel using same; electronic device using the latter

Номер патента: EP2439230A1. Автор: Koichi Kubo,Yasunori Mori,Akira Miyazaki,Haruya Kakuta. Владелец: Tsujiden Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-11.

Method of forming an inductor on a semiconductor substrate

Номер патента: US20070138001A1. Автор: Teng-Yuan Ko,Ying-Zhan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Method of providing whether patient is accompanied by caregiver and device using the same

Номер патента: US11890091B1. Автор: Jin Young Park,Dong Won Kim,Duk Yong Yoon,Woo Chul Jung,Soo Jeong KIM,Ji Hoon SEO. Владелец: People & Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Method of characterization of surface coating containing metallic flakes and device used therein

Номер патента: CA2523953C. Автор: Allan Blase Joseph Rodrigues,Arun Prakash,Judith Elaine Obetz,Roger Albert Karmes,William B. Schenk,John P. Gallagher. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2013-01-08.

Method of characterization of surface coating containing metallic flakes and device used therein

Номер патента: CA2523953A1. Автор: Allan Blase Joseph Rodrigues,Arun Prakash,Judith Elaine Obetz,Roger Albert Karmes,William B. Schenk,John P. Gallagher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Fabrication method of liquid crystal display panel and seal pattern forming device using the same

Номер патента: US7342639B2. Автор: Johann Jung,Jeong-Rok Kim,Kyung-Kyu Kang,Jae-Deuk Shin,Myung-Woo Nam. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-11.

Method of custom-defined functions of input device and electronic device using the same

Номер патента: US20140145963A1. Автор: yun-feng Yan,Lin-Yan Yang. Владелец: ASUS TECHNOLOGY PTE LTD. Дата публикации: 2014-05-29.

Method of adsorptive desulfurization of oil and petroleum products: gasoline, diesel fuel using a composite adsorbent based on minerals of natural origin

Номер патента: RU2743291C1. Автор: Альбина Ивановна Леонтьева,Константин Вячеславович Брянкин,Нина Николаевна Балобаева,Ехсан Хашим Мохаммед Алаамери. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования «Тамбовский государственный технический университет» (ФГБОУ ВО «ТГТУ»). Дата публикации: 2021-02-16.

Method of purifying uranium tetrafluoride hydrate and preparing uranium (vi) peroxide hydrate using a fluoride complexing agent

Номер патента: CA1141521A. Автор: Agustin J. Barreiro,Jo A. Lefever,Charles M.T. Lowe,Ronald L. Pyman. Владелец: Gardinier Inc. Дата публикации: 1983-02-22.

Method of obtaining a uniform surface finish effect on fabrics or garments using a gel and composition therefor

Номер патента: US5639281A. Автор: Gregory J. Hopkins. Владелец: Hopkins Chemical Inc. Дата публикации: 1997-06-17.

Method of determining the presence or absence of a target analyte comprising using a reporter polynucleotide and a transmembrane pore

Номер патента: US20240060969A1. Автор: Daniel George FORDHAM. Владелец: Oxford Nanopore Technologies PLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of forming micro- or nanowires at predetermined positions of an object using a micro- or nanopipette

Номер патента: US11911983B2. Автор: Jung Ho Je,Un YANG,Seung Soo OH,Moon Jung YONG,Byung Hwa Kang. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-02-27.

Method of determining the presence or absence of a target analyte comprising using a reporter polynucleotide and a transmembrane pore

Номер патента: US11789014B2. Автор: Daniel George FORDHAM. Владелец: Oxford Nanopore Technologies PLC. Дата публикации: 2023-10-17.

Methods of determining the location of an analyte in a biological sample using a plurality of wells

Номер патента: US20230313279A1. Автор: Marlon STOECKIUS,Paulius Mielinis,Stefania Giacomello. Владелец: 10X Genomics Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of applying a slip-resistant coating to a spin-on filter using a fluidized bed coating apparatus, and spin-on filter which is a product thereof

Номер патента: WO2000054871A1. Автор: Jerry Bolser,Gregory Valcke,Steven W. Quist. Владелец: Alliedsignal Inc.. Дата публикации: 2000-09-21.

System and method of unlocking features and parameters in a welding or cutting system using a physical key

Номер патента: US20190308269A1. Автор: Charles Cross,Michael Relko. Владелец: Lincoln Global Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Method for making a photodurable aqueous titanium dioxide pigment slurry using a high level of aluminum co-oxidant

Номер патента: US5824146A. Автор: Michael Warren Ott. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1998-10-20.

On-demand table model for semiconductor device evaluation

Номер патента: US20130116985A1. Автор: TONG Li,Peter Feldmann,David W. Winston,Ali Sadigh,Calvin J. Bittner,Richard D. Kimmel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-09.

Method of inspecting semiconductor device, semiconductor device, and probe card

Номер патента: US12078659B2. Автор: Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230296928A1. Автор: Wen-Shun Lo,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Computing device executing program performing method of analyzing power noise in semiconductor device, semiconductor device design method, and program storage medium storing program

Номер патента: US09958495B2. Автор: Young Hoe Cheon,Chan Seok Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of designing layout of semiconductor device

Номер патента: US09811626B2. Автор: Kwangok Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20080227034A1. Автор: Dae Woo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-18.

Method of generating layout of semiconductor device

Номер патента: US20110029936A1. Автор: Suk-joo Lee,Seong-Woon Choi,Kyoung-Yun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-03.

Semiconductor apparatus and method of detecting characteristic degradation of semiconductor apparatus

Номер патента: US8717058B2. Автор: Ikuo Fukami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-06.

Method of making composite solid rocket propellant charge

Номер патента: RU2660101C1. Автор: Юрий Михайлович Милёхин,Владимир Михайлович Шабалин,Сергей Александрович Поваров,Геннадий Иванович Мельник,Валерий Александрович Шиманский,Лидия Николаевна Алексеева,Юрий Борисович Банзула,Святослав Владимирович Карязов,Юрий Александрович Ляханов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Федеральный центр двойных технологий "Союз" (ФГУП "ФЦДТ "Союз"). Дата публикации: 2018-07-04.

Automated simulation method based on database in semiconductor design process, automated simulation generation device and semiconductor design automation system performing the same, and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240142960A1. Автор: Jinwoo Park,Jaehoon Jeong,Songyi Han,Jiseong Doh,Yero Lee,Hyeonkyeong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory compiler with ultra low power feature and method of use

Номер патента: US20050149891A1. Автор: Hung-jen Liao,Ruei-chin Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Surface treated polycrystalline ceramic orthodontic bracket and method of making same

Номер патента: US09717569B2. Автор: Farrokh Farzin-Nia,Rodolfo Rodriguez,William W. Wood,Albert Ruiz-Vela. Владелец: Ormco Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US20120033484A1. Автор: Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor device and memory system including the same

Номер патента: US09496010B2. Автор: Jae Woong Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of manufacturing light-emitting device

Номер патента: US09440880B2. Автор: Akihisa Shimomura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of designing semiconductor device integrated circuit and layout thereof

Номер патента: US20240169138A1. Автор: Sunghoon Kim,Kiwon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of inspecting semiconductor device, semiconductor device, and probe card

Номер патента: US20240142497A1. Автор: Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Movement disorder therapy and brain mapping system and methods of tuning remotely, intelligently and/or automatically

Номер патента: US11759642B1. Автор: Dustin A. Heldman. Владелец: Great Lakes Neurotechnologies Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

A Method of Extracting Tetramethylbenzene from Light C10 Aromatic Solvent Oil

Номер патента: AU2021102463A4. Автор: Xiaoyan Cao,Zhenggui Gu. Владелец: Nanjing Normal University. Дата публикации: 2021-07-01.

Movement disorder therapy system and methods of tuning remotely, intelligently and/or automatically

Номер патента: US09522278B1. Автор: Dustin A Heldman,Joseph P Giuffrida,Thomas O Mera,Christopher L Pulliam. Владелец: Great Lakes Neurotechnologies Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Reticle for use in exposing semiconductor, method of producing the reticle, and semiconductor device

Номер патента: US6352800B1. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-05.

A method of patterning photoresist on a wafer using a transmission mask with a carbon layer

Номер патента: WO2004065287A2. Автор: Pawitter Mangat,James R. Wasson. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2004-08-05.

A method of patterning photoresist on a wafer using a transmission mask with a carbon layer

Номер патента: EP1588221A2. Автор: Pawitter Mangat,James R. Wasson. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-10-26.

A method of patterning photoresist on a wafer using a transmission mask with a carbon layer

Номер патента: WO2004065287A3. Автор: Pawitter Mangat,James R Wasson. Владелец: James R Wasson. Дата публикации: 2005-01-20.

Damage detection method of wire rope, and signal processor and damage detection device used for damage detection of wire rope

Номер патента: US20210382009A1. Автор: Toshiyuki Moriya,HIROAKI Itoi,Masamichi Sugahara,Sadanori SHIIKI. Владелец: Tokyo Rope Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

A rotary device and a method of designing and making a rotary device

Номер патента: WO2011073674A3. Автор: Anthony Osborne Dye,Marcus Ardron,Gunnar Moeller. Владелец: EPICAM LIMITED. Дата публикации: 2013-04-18.

A rotary device and a method of designing and making a rotary device

Номер патента: WO2011073674A2. Автор: Anthony Osborne Dye,Marcus Ardron,Gunnar Moeller. Владелец: EPICAM LIMITED. Дата публикации: 2011-06-23.

Rotary device and a method of designing and making a rotary device

Номер патента: US09714655B2. Автор: Marcus Ardron,Gunnar Moeller,Anthony O. Dye. Владелец: Epicam Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of forming a thin film using an atomic layer deposition process and method of forming a capacitor of a semiconductor device using the same

Номер патента: KR100578786B1. Автор: 이승환,김성태,이종철,최한메,김영선,유차영,임기빈,남갑진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-11.

Versions of adenoassociated virus capsids and methods of use thereof

Номер патента: RU2725286C2. Автор: Мелисса КОТТЕРМАН,Дэвид Шаффер,Дэвид Х. КЕРН. Владелец: 4Д Молекьюлар Терапьютикс Инк.. Дата публикации: 2020-06-30.

Method of testing radiation hardness of a semiconductor device

Номер патента: US4168432A. Автор: Richard Williams,Murray H. Woods. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-09-18.

Method of making a fishing line indicator

Номер патента: US4194936A. Автор: Leon L. Martuch. Владелец: Jfl Development Co. Дата публикации: 1980-03-25.

Method of hand-washing dishes with stable foam

Номер патента: RU2552624C2. Автор: Карл Гислэйн БРЭИКМЭН,ИДРИССИ Икрам ЕЛ,Ашмита РАНДХАВА,Ганг СИ. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2015-06-10.

Method of producing and using a substrate coated with cement

Номер патента: RU2692716C1. Автор: МОЙА Маурисио Хосе ФАРИНАС,ДЕР ВЕГЕН Герардус Йоханнес Леонардус ВАН,Клаудия Джейн ХЭКБАРТ,Гёй Лоде Магда Мария ВЕРБИСТ,ОКАМПОС Эрнесто Рафаэль ФОНСЕКА,Йохем Окке Бур,Питер Лайам БРЕТТ,Корнелис Питер Хамелинк,Робертус Херманнес Йоханнес Йосеф ХАВЕРКОРТ,Джеффри Мэлой НОУ,ДЕР ХОРСТ Йеспер ВАН,СЕЛСТ Хенрикус Ламбертус Мария ВАН. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2019-06-26.

Device for burning, method of producing oxide catalyst and method of producing unsaturated acid or unsaturated nitrile

Номер патента: RU2590522C2. Автор: Тосихико ФУКУЗОНО,Эри ТАТЕНО,Масатоси КАНЕТА,Харухико ВАТАНАБЕ. Владелец: Асахи Касеи Кемикалз Корпорейшн. Дата публикации: 2016-07-10.

Method of hard to weld materials production

Номер патента: RU2742963C1. Автор: Бернд БУРБАУМ,Ахмед КАМЕЛ,Казим ОЗБАЙСАЛ,Томас ЛОРЕНЦ,Инго РАЙНКЕНСМАЙЕР,Хеннинг ХАНЕБУТ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2021-02-12.

Method of vessel movement in ice

Номер патента: RU2768413C1. Автор: Александр Васильевич Суслов. Владелец: Публичное акционерное общество "Информационные телекоммуникационные технологии" (ПАО "Интелтех"). Дата публикации: 2022-03-24.

Method of manufacturing silica glass member and silica glass member obtained by the method

Номер патента: US6769273B1. Автор: Kazuhiro Nakagawa,Hiroyuki Hiraiwa. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2004-08-03.

Installation and method of manufacturing paper rolls

Номер патента: RU2679050C2. Автор: Фабио ПЕРИНИ. Владелец: ФУТУРА С.п.а.. Дата публикации: 2019-02-05.

Method of designing layout of semiconductor integrated circuit and design system performing same

Номер патента: EP4220471A1. Автор: Jonghyeok Kim,Myungjin Choi,Yoongi Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-02.

Automated method of manufacturing oral appliances

Номер патента: US09808327B1. Автор: SUNG Kim,David W. Kuhns,Leonard A. LIPTAK. Владелец: Prosomnus Sleep Technologies Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Polymer for an anti-reflective coating composition for an anti-reflective coating and method of forming a pattern in a semiconductor device using the composition

Номер патента: KR101585992B1. Автор: 김영호,박지만,최재희,윤효진,김부득,류진아. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-01-19.

Method of cleaning contaminated polymers

Номер патента: RU2687936C1. Автор: Кара УИЛЬЯМС,Джон Монкреф ЛАЙМАН,Мэгги ГУННЕРСОН,Ханс ШОНЕМАН. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2019-05-16.

Optimal calculation method of energy operating condition in iron mill, optimal calculation device of energy operating condition in iron mill, and running method of iron mill

Номер патента: US20230151447A1. Автор: Masahiro Uno,Koji Yoshihara,Tomoyoshi OGASAHARA,Kazushige YATSU. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Method of and system for detecting structures on or below the surface of a sample using a probe including a cantilever and a probe tip

Номер патента: US20190369140A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-12-05.

Obturator, methods of forming a prefabricated, innervated, pre-vascularized, prelaminated (pipp) flap using an obturator to maintain a stoma or lumen, and methods of restoring damaged or surgically-removed soft tissue with a pipp free or rotational flap

Номер патента: US20220168469A1. Автор: Stephen E. Feinberg,James Brian WASHINGTON,Shiuhyang Kuo. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2022-06-02.

Method of gradient harvesting plant product and combine harvester for the same

Номер патента: US20230210053A1. Автор: Roger Keith O'Kelley,Kevin McCowan. Владелец: Benson Hill Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Method of encoding audio signal and encoder, method of decoding audio signal and decoder

Номер патента: US20230230604A1. Автор: Tae Jin Lee,Inseon Jang,Jongwon Shin,Seung Kwon Beack,Jongmo Sung,Sangwook HAN,Woo-taek Lim,Youngwon Choi,Soojoong HWANG,Byeongho CHO,Eunkyun LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of forming a container using a liquid

Номер патента: EP3377297A1. Автор: Pankaj Kumar,Pascal Bernier. Владелец: DISCMA AG. Дата публикации: 2018-09-26.

Method of forming a container using a liquid

Номер патента: WO2017087523A1. Автор: Pankaj Kumar,Pascal Bernier. Владелец: DISCMA AG. Дата публикации: 2017-05-26.

Systems, assemblies, and methods of fabrication of radio-frequency coil assemblies of a magnetic resonance system

Номер патента: US20240369656A1. Автор: Jana M. Vincent,Fraser J.L. Robb. Владелец: GE Precision Healthcare LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of preparing natural graphene cellulose blended fiber

Номер патента: US10351971B2. Автор: Wen-Tung Chou,Ming-Yi Lai,Kun-Shan Huang,Shao-Hua CHOU,Chia-Yu Hsu. Владелец: Acelon Chemicals and Fiber Corp. Дата публикации: 2019-07-16.

A method of depositing metal nanoparticles on a surface in an electrochemical process, the surface obtained by this method and its application

Номер патента: EP3382063A3. Автор: Robert Hołyst,Ewa Roźniecka,Monika Ksiezopolska-Gocalska,Pawel Albrycht,Marta Podrazka,Joanna Niedziótka-Jönsson. Владелец: Instytut Chemii Fizycznej of PAN. Дата публикации: 2018-10-17.

Machining jig, machining method, and method of manufacturing seamless can bodies

Номер патента: US20230286032A1. Автор: Tomohiro Ogawa,Naoya Matsumoto,Masahiro Shimamura,Ryozo SHIROISHI,Takuho KUMAGAI. Владелец: Toyo Seikan Group Holdings Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of simultaneously estimating movement and shape of target vehicle using preliminary distribution model of tracklet

Номер патента: US12065147B2. Автор: Seul Ki HAN,Boyoung Jung,Dahye Ham,Won-Sang Ra,Ui-Suk Suh. Владелец: Handong Global University Industry-Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of preparing natural graphene cellulose blended fiber

Номер патента: US20170107643A1. Автор: Wen-Tung Chou,Ming-Yi Lai,Kun-Shan Huang,Shao-Hua CHOU,Chia-Yu Hsu. Владелец: Acelon Chemicals and Fiber Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Method of analyzing antimony ion, inspection tool used for analyzing pentavalent antimony ion, and inspection tool used for analyzing antimony ion according to its valence

Номер патента: US20230296527A1. Автор: Mitsuhiro Oki,Sayaka Morimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Crosslinked hydrogels and related method of preparation

Номер патента: US09987225B2. Автор: May Griffith,Fengfu Li,Jae-Il Ahn. Владелец: OTTAWA HEALTH RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of assembling an offset working platform on a scaffold structure using a foldable knee-out scaffold frame member

Номер патента: US09482020B2. Автор: Yates W Hayman. Владелец: Deltak Manufacturing Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Improved flexographic printing, device and method of flexographic printing

Номер патента: RU2573363C2. Автор: Густаво БАРРОС. Владелец: ТЕТРА ЛАВАЛЬ ХОЛДИНГЗ ЭНД ФАЙНЭНС С.А.. Дата публикации: 2016-01-20.

Defect examination on a semiconductor specimen

Номер патента: US11961221B2. Автор: Dror Shemesh,Miriam BROOK. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Layout design method for a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7979830B2. Автор: Mitsuyuki Katsuzawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Memory controller, method of controlling the same, and semiconductor memory device having both

Номер патента: US20160196209A1. Автор: Jungug Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Methods of producing venous angioblasts and sinusoidal endothelial cell-like cells and compositions thereof

Номер патента: US20220025324A1. Автор: Gordon Keller,Blair Kenneth GAGE. Владелец: UNIVERSITY HEALTH NETWORK. Дата публикации: 2022-01-27.

Methods of producing venous angioblasts and sinusoidal endothelial cell-like cells and compositions thereof

Номер патента: EP3853349A1. Автор: Gordon Keller,Blair Kenneth GAGE. Владелец: University of Health Network. Дата публикации: 2021-07-28.

Methods of producing venous angioblasts and sinusoidal endothelial cell-like cells and compositions thereof

Номер патента: WO2020058882A1. Автор: Gordon Keller,Blair Kenneth GAGE. Владелец: UNIVERSITY HEALTH NETWORK. Дата публикации: 2020-03-26.

Preparation method of super absorbent polymer

Номер патента: EP4386014A1. Автор: Jungmin Lee,Ju Eun Kim,Hoyong Lee,Serin LEE. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Clamp for fluid container/method of use

Номер патента: WO2015031314A1. Автор: Charles KRAL,Gary REDPATH. Владелец: Burrell Scientific LLC. Дата публикации: 2015-03-05.

Realization Method of 4diac-Based Distributed Multi-Axis Motion Control System Technical Field

Номер патента: NL2025804B9. Автор: YANG Fan,Zhang Cheng,Han Bing,Sun Haitao,Qin Feng,Yu Xiaolong,Zhang Hualiang. Владелец: Shenyang Inst Automation Cas. Дата публикации: 2022-01-14.

Method of separating a-olefin by a simulated moving bed

Номер патента: US20210380505A1. Автор: Yuan Gao,ZHEN Qian,Juncheng Li,Xiaolong Zhang,Jingwei Wu,Qinge JIAN,Xueting WU,Haoting CHEN. Владелец: Inner Mongolia Yitai Coal Based New Materials Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Methods of screening and expression of disulfide-bonded binding polypeptides

Номер патента: CA3218571A1. Автор: Vaughn Smider,Ruiqi HUANG,Duncan Mcgregor,Gabrielle WARNER JENKINS. Владелец: Applied Biomedical Science Institute. Дата публикации: 2022-11-17.

In-system structural testing of a system-on-chip (soc) using a peripheral interface port

Номер патента: US20200241070A1. Автор: Punit Kishore,Sharon Graif,Tomer Rafael Ben-Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Method of producing isoprenoids and proteins, genes, and transformants for the same

Номер патента: US20200063143A1. Автор: Kiyoshi Kita,Yasuko Araki,Yasutomo Shinohara. Владелец: Nagasaki University NUC. Дата публикации: 2020-02-27.

Methods of selecting therapeutic molecules

Номер патента: US11761951B2. Автор: Dong Li,Niels Fisker Nielsen,Peter Hagedorn,Richard E. Olson,Angela M. Cacace,Marianne Lerbech Jensen,Jeffrey M. Brown,Stephen E. Mercer,Anja Mølhart HØG. Владелец: Bristol Myers Squibb Co. Дата публикации: 2023-09-19.

In-system structural testing of a system-on-chip (SoC) using a peripheral interface port

Номер патента: US10877088B2. Автор: Punit Kishore,Sharon Graif,Tomer Rafael Ben-Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-12-29.

Method for carrying out an ionic current measurement in a co mbustion engine using a lean fuel mixture

Номер патента: AU5293196A. Автор: Jorgen Bengtsson,Lars-Olof Ottosson. Владелец: SEM AB. Дата публикации: 1996-10-23.

Heat-resistant optical fiber, a method of manufacturing the same, a method of fixing an optical fiber, and a heat-resistant optical fiber using a protective tube

Номер патента: US20060140566A1. Автор: Yasushi Murakami,Masanori Nonomura,Hidehiko Shimizu,Asuka Nakayama,Tomio Kaise,Tatuo Yamaguchi. Владелец: Totoku Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Clamp for a Fluid Container and Method of Use Thereof

Номер патента: US20150063056A1. Автор: Charles KRAL,Gary REDPATH. Владелец: Burrell Scientific LLC. Дата публикации: 2015-03-05.

Method of producing graphene and holey graphene and electrode for the same

Номер патента: WO2024121783A1. Автор: Monserrat Gutierrez MUNOZ,Eva CORREIA,Nitul RAJPUT,Meriam MOHAMMEDTURE,Alya ALHAMMADI,Nesma ABOULKHAIR. Владелец: Technology Innovation Institute – Sole Proprietorship LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of stabilizing amorphour semiconductors, thus-stabilized amorphous semiconductors and devices using such semiconductors

Номер патента: AU1636401A. Автор: Kazunori Tsuge,Hideo Yamagishi,Hitoshi Nishio,Yoshihisa Tawada,William Andrew Nevin,Heiko Miki. Владелец: Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-03-22.

Method of Producing Graphene and Holey Graphene and Electrode for the Same

Номер патента: US20240317588A1. Автор: Monserrat Gutierrez MUNOZ,Eva CORREIA,Nitul RAJPUT,Meriam MOHAMMEDTURE,Alya ALHAMMADI,Nesma ABOULKHAIR. Владелец: Technology Innovation Institute Sole Proprietorship LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Clamp for a fluid container and method of use thereof

Номер патента: US09511334B2. Автор: Charles KRAL,Gary REDPATH. Владелец: Burrell Scientific LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Methods of cancer treatment by delivery of sirnas against bclxl and mcl1 using a polypeptide nanoparticle.

Номер патента: WO2022197607A3. Автор: David Evans,Vera Simonenko. Владелец: Sirnaomics, Inc.. Дата публикации: 2022-11-17.

Method of stabilizing amorphour semiconductors, thus-stabilized amorphous semiconductors and devices using such semiconductors

Номер патента: AU7391798A. Автор: Kazunori Tsuge,Hideo Yamagishi,Hitoshi Nishio,Yoshihisa Tawada,William Andrew Nevin,Heiko Miki. Владелец: Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 1998-08-27.

Method of using viscosified fracture fluid to improve flow of liquids and gases from a subterranean fracture

Номер патента: US09982524B2. Автор: Andrew Desbarats,Vince Yacyshyn. Владелец: Immortazyme Co. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of MRI imaging using non-slice-selective, spatially tailored tip-up pulse

Номер патента: US09791530B2. Автор: Jon-Fredrik Nielsen,Daehyun Yoon,Douglas C. Noll. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2017-10-17.

METHOD OF SIMULATION AND DESIGN OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140019101A1. Автор: Li Zhanming. Владелец: Crosslight Software Inc.. Дата публикации: 2014-01-16.

Method of forming a pattern of a semiconductor device

Номер патента: GB9515148D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-09-20.

Method of making a paper web containing refined long fiber using a charge controlled headbox and a single ply towel made by the process

Номер патента: US7252741B2. Автор: Kang Chang Yeh,Thomas N. Kershaw,Gary L. Worry,Henry S. Ostrowski. Владелец: Georgia Pacific Consumer Products LP. Дата публикации: 2007-08-07.

Method of simulation and design of a semiconductor device

Номер патента: US20110313748A1. Автор: Zhanming Li. Владелец: Crosslight Software Inc. Дата публикации: 2011-12-22.

Method of maintaining remission of depressive symptoms

Номер патента: US20240238276A1. Автор: Herriot Tabuteau. Владелец: Antecip Bioventures II LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Methyl degron peptide and methods of controlling protein lifespan

Номер патента: US09783575B2. Автор: Sung Hee Baek. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-10-10.

Blade for an impeller or a turbine for a torque converter, a torque converter and method of producing the same

Номер патента: US09695921B1. Автор: Scott Schrader. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of repairing a mask in a semiconductor device

Номер патента: KR100361514B1. Автор: 임문기. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-21.

A photosensitive resin composition, a cured film, a laminated body, the manufacturing method of a cured film, and a semiconductor device

Номер патента: KR102420765B1. Автор: 켄타 요시다,유 이와이. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-07-14.

A resin composition, a cured film, a laminated body, the manufacturing method of a cured film, and a semiconductor device

Номер патента: KR102441260B1. Автор: 유 이와이,미치히로 오가와. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-09-07.

High speed simulation method of an oxidation process in a semiconductor device

Номер патента: EP1071127A2. Автор: Yutaka Akiyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-01-24.

Method of forming contact to drain region of semiconductor device

Номер патента: RU2534439C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

Method of double-conveyor concrete mixes aggregates discharge and discharging device used for method realisation

Номер патента: RU2340535C1. Автор: Олег Васильевич Деготьков,Владимир Васильевич Щербатый,Надежда Леонидовна Острякова,кова Надежда Леонидовна Остр,Виктор Кузьмич Гиенко. Владелец: Открытое акционерное общество "Завод ЖБК-1". Дата публикации: 2008-12-10.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making interconnections for semiconductor device

Номер патента: RU2421847C1. Автор: Сергей Александрович Гаврилов,Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Андрей Евгеньевич Миронов,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ). Дата публикации: 2011-06-20.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam

Номер патента: US20120000067A1. Автор: CHOI Jin Won,KIM Seung Wan. Владелец: SAMSUNG ELLECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING OPERATION THEREOF

Номер патента: US20120001551A1. Автор: Abe Hirohisa,Hong Cheng. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of rejecting semiconductor devices for radiation resistance

Номер патента: RU2253875C2. Автор: В.М. Зыков,Н.Т. Юнда,В.Г. Арчаков,А.В. Шеремет. Владелец: Государственное научное учреждение "Научно-исследовательский институт интроскопии при Томском политехническом университете Министерства образования Российской Федерации" (ГНУ "НИИ ИН при ТПУ"). Дата публикации: 2005-06-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2641617C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-01-18.

Method of making a dielectrically isolated semiconductor device

Номер патента: CA1033469A. Автор: Wilhelmus H.C.G. Verkuijlen. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1978-06-20.

Method of analyzing the contaminants of a semiconductor device fabrication facility

Номер патента: TW514681B. Автор: Yong-Woo Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-21.

Seismic Acquisition in Marine Environments Using Survey Paths Following a Series of Linked Deviated Paths and Methods of Use

Номер патента: US20120002503A1. Автор: EICK Peter M.,BREWER Joel D.,Shan Shan,Janiszewski Frank D.. Владелец: ConocoPhillips Company. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003385A1. Автор: Naito Ryusuke. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Thermally weldeable flat material and method of of making the same

Номер патента: CS215160B1. Автор: Jan Durinda,Miloslav Marek,Jan Majling,Vladimir Keclik. Владелец: Vladimir Keclik. Дата публикации: 1982-07-30.

PLASMID FOR EXPRESSION IN BACTERIA CELLS OF GENUS Escherichia OF INACTIVE PRECURSOR OF MUTEIN [C112S] OF HUMAN ENTEROKINASE LIGHT CHAIN, BACTERIA BELONGING TO GENUS Escherichia, - PRODUCER OF PRECURSOR OF RECOMBINANT MUTEIN [C112S] OF HUMAN ENTEROKINASE LIGHT CHAIN, PRECURSOR OF RECOMBINANT MUTEIN [C112S] OF HUMAN ENTEROKINASE LIGHT CHAIN, METHOD OF PRODUCTION OF RECOMBINANT MUTEIN [C112S] OF HUMAN ENTEROKINASE LIGHT CHAIN, RECOMBINANT MUTEIN [C112S] OF HUMAN ENTEROKINASE LIGHT CHAIN

Номер патента: RU2495934C2. Автор: Надежда Александровна Орлова,Иван Иванович Воробьев,Виктор Александрович Мацкевич,Иван Владимирович Звягин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Лаборатория медицинской биотехнологии" (ООО "ЛМБТ"). Дата публикации: 2013-10-20.

Memory element, array of memory cell, method of forming contact structure and apparatus and semiconductor device produced by the method

Номер патента: TWI280635B. Автор: Ming-Hsiu Lee,Rui-Chen Liu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-01.

Memory element, array of memory cell, method of forming contact structure and apparatus and semiconductor device produced by the method

Номер патента: TW200618171A. Автор: Ming-Hsiu Lee,Rui-Chen Liu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-01.

Method of measuring spatial distribution gas temperature

Номер патента: RU2466362C2. Автор: Владимир Александрович Карачинов,Дмитрий Владимирович Карачинов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого. Дата публикации: 2012-11-10.

Method of adaptive enhancement of facsimile images of documents

Номер патента: RU2365993C1. Автор: Виктор Валентинович БУЧА. Владелец: Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд.". Дата публикации: 2009-08-27.

Standoff for and method of supporting a coil in a semiconductor fabrication system, and standoff for coupling RF current

Номер патента: TW447016B. Автор: Sergio Edelstein,Howard Grunes,Bradley O Stimson,Anantha Subramani,John C Forster. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-07-21.

Method of fabricating contact structures on a semiconductor chip

Номер патента: TWI222702B. Автор: Yi-Nan Chen,Kuo-Chien Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-21.

Method of fabricating contact structures on a semiconductor chip

Номер патента: TW200428571A. Автор: Yi-Nan Chen,Kuo-Chien Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-16.

Method of making a capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR960011815B1. Автор: Jae-Bum Seo. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-30.

Method of removing scale and like from linear material and device used therefor

Номер патента: JPS5290424A. Автор: Noboru Kitazawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 1977-07-29.

Transformation method of a multiple primary color signal and color transformation device using the same

Номер патента: TW200818926A. Автор: you-ye Chen,Kuo-Hsuan Peng. Владелец: Chi Mei Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2008-04-16.

Method of controlling buffering memory with self-determined resetting and device using the same

Номер патента: TW200622609A. Автор: Kuo-Wei Kuo,Guan-Xun Chen,Fei-Tau Chu. Владелец: Elan Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-07-01.

A method of making waterproofing a waterproofing coating for a device using a shotcrete method in deep-laid tunnels

Номер патента: SU87227A1. Автор: Э.З. Юдович,Я.Н. Новиков,Н.Д. Трофимова. Владелец: Н.Д. Трофимова. Дата публикации: 1949-11-30.

Method of preservative treatment of engineered bamboo

Номер патента: PH22014000680U1. Автор: Marina A Alipon,Carlos M Garcia,Elvina O Bondad. Владелец: Nat Res Council Of The Philippines. Дата публикации: 2016-05-06.

Method of accessing memory for digital audio/vedio data and device using the same

Номер патента: TW200629060A. Автор: Jeng-Lung Jang. Владелец: Via Tech Inc. Дата публикации: 2006-08-16.

Method of preservative treatment of engineered bamboo

Номер патента: PH22014000680Y1. Автор: Marina A Alipon,Carlos M Garcia,Elvina O Bondad. Владелец: Nat Res Council Of The Philippines. Дата публикации: 2016-05-06.

Method of measuring the kink effect in the semiconductor device

Номер патента: TW400598B. Автор: Meng-Lin Ye,Yang-Huei Fang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-08-01.

Method of inspecting contaminative impurities in optical sensing components and device used thereby

Номер патента: TW200902956A. Автор: Frank Wang,I-St Tseng. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2009-01-16.

Method of controlling buffering memory with self-determined resetting and device using the same

Номер патента: TWI272484B. Автор: Kuo-Wei Kuo,Guan-Xun Chen,Fei-Tau Chu. Владелец: Elan Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

The method of making quantum-dot and the single electron device using quantum-dot

Номер патента: KR100336817B1. Автор: 김훈. Владелец: 상록코리아 (주). Дата публикации: 2002-05-16.

Method of forming a contact of a semiconductor device

Номер патента: KR980011893A. Автор: 이강현. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

METHODS OF FORMING CONDUCTIVE CONTACTS FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130307032A1. Автор: Xie Ruilong,Kamineni Vimal. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-11-21.

Method of interlayer insulating film in a semiconductor device

Номер патента: KR0166826B1. Автор: 김학남. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-02-01.

Method of forming metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: TW518715B. Автор: Sung-Gyu Pyo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-21.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.