Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device
Номер патента: KR100674715B1
Опубликовано: 25-01-2007
Автор(ы): 이동호
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 25-01-2007
Автор(ы): 이동호
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Field effect transistor and method of manufacturing a field effect transistor
Номер патента: EP1738405A1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-01-03.