Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device
Номер патента: KR100338110B1
Опубликовано: 24-05-2002
Автор(ы): 이기정, 주광철
Принадлежит: 박종섭, 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 24-05-2002
Автор(ы): 이기정, 주광철
Принадлежит: 박종섭, 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of removing free halogen from a halogenated polymer insulating layer of a semiconductor device and resulting semiconductor device
Номер патента: US20030183952A1. Автор: Paul Farrar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.