• Главная
  • Semiconductor device and semiconductor device production system

Semiconductor device and semiconductor device production system

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20190172925A1. Автор: Masataka Yoshinari. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Insulated gate semiconductor device and method of fabricating

Номер патента: US5510648A. Автор: Juan Buxo,Robert B. Davies,Peter J. Zdebel. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-04-23.

Method of manufacturing a semiconductor device and the corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4220693A1. Автор: Mauro Mazzola,Fabio Marchisi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-02.

Compound semiconductor device, manufacturing method for compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US20240039486A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Compound semiconductor device, manufacturing method for compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US20200251585A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20020102430A1. Автор: Masayoshi Shirahata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Manufacturing method of semiconductor device, supporting substrate, and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20140073070A1. Автор: Hiroshi Tsujii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Compound semiconductor device, method of manufacturing compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US20200251584A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Compound semiconductor device, method of manufacturing compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US11094813B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

Semiconductor device sorting system and semiconductor device

Номер патента: US10566222B2. Автор: Shigeru Mori,Hiroyuki Nakamura,Toru Iwagami,Maki Hasegawa,Shuhei Yokoyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Semiconductor device sorting system and semiconductor device

Номер патента: US20190103297A1. Автор: Shigeru Mori,Hiroyuki Nakamura,Toru Iwagami,Maki Hasegawa,Shuhei Yokoyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Dual metal gate structures on nanoribbon semiconductor devices

Номер патента: EP4141920A2. Автор: Yang-chun Cheng,Andy Chih-Hung Wei,Dax CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-01.

Backside vias in semiconductor device

Номер патента: US12132092B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method and apparatus for separating semiconductor devices from a wafer

Номер патента: US09984927B2. Автор: Mathias Vaupel,Kian Pin Queck,Kurt Gehrig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device structure with inner spacer

Номер патента: US20230299204A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device structure with dielectric stressor

Номер патента: US12132115B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device structure with nanostructure

Номер патента: US20230207625A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230290859A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device structure with backside contact

Номер патента: US20240339510A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device structure with nanostructure

Номер патента: US20240355881A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding apparatus and semiconductor device

Номер патента: US12125803B2. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-10-22.

Dual metal gate structures on nanoribbon semiconductor devices

Номер патента: US20230062210A1. Автор: Yang-chun Cheng,Andy Chih-Hung Wei,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230282702A1. Автор: Yi-Kan Cheng,Chia-Chung Chen,Zi-Ang Su,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US11923361B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20020025651A1. Автор: Yushin Takasawa,Hajime Karasawa. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210391466A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device structure with inner spacer

Номер патента: US20220190162A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US20240194674A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device structure with nanostructure

Номер патента: US12034045B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20220254929A1. Автор: Wei-Sheng Yun,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor device structure with source/drain structure

Номер патента: US11848365B2. Автор: Kai-Tai Chang,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US11935958B2. Автор: Wei-Sheng Yun,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device structure with source/drain structure

Номер патента: US20220302270A1. Автор: Kai-Tai Chang,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US11929413B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240186417A1. Автор: Wei-Sheng Yun,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of manufacturing high-voltage semiconductor device and low-voltage semiconductor device

Номер патента: US7910466B2. Автор: Choul Joo Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US9954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US09954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12087821B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09881996B2. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Active device and high voltage-semiconductor device with the same

Номер патента: US20160190270A1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Method for producing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12100739B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor device and system including semiconductor device

Номер патента: US20210151568A1. Автор: Mitsuru Okigawa,Koji Amazutsumi,Kazuyoshi NORIMATSU. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of Manufacturing a Super Junction Semiconductor Device and Super Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20180006147A1. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-04.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231129A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160087032A1. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9954094B2. Автор: Yasuhiro Nishimura,Kinya Ohtani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20160240654A1. Автор: Yasuhiro Nishimura,Kinya Ohtani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20180204943A1. Автор: Yasuhiro Nishimura,Kinya Ohtani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20230081981A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20070272984A1. Автор: Hisashi Hasegawa,Jun Osanai,Akiko Tsukamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: US20090184367A1. Автор: Hiroyuki Fujimoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20120273887A1. Автор: Hideaki Kuroda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US8860149B2. Автор: Hideaki Kuroda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-10-14.

Semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: US20230335410A1. Автор: Tsuyoshi Kawakami,Akira KIYOI,Naoyuki Kawabata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20150123187A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Junichi Ariyoshi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20130264624A1. Автор: Hirokazu Ishida,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20200251551A1. Автор: Wensheng Wang,Kazuaki Takai,Youichi Okita. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Method of encapsulating semiconductor devices utilizing a dispensing apparatus with rotating orifices

Номер патента: US20020058360A1. Автор: Joseph M. Brand,Scott Gooch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Battery monitoring system and semiconductor device

Номер патента: US20130257441A1. Автор: Masaru Sekiguchi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor device, semiconductor device control method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240313094A1. Автор: Ayanori Gatto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US09831126B2. Автор: Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device forming method and semiconductor device

Номер патента: EP4325576A1. Автор: Shuai Guo,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Semiconductor device, semiconductor wafer and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180301366A1. Автор: Masamichi Yanagida,Nobuyoshi Matsuura. Владелец: Ubiq Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20190385859A1. Автор: Yukinori Nose. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US11018013B2. Автор: Yukinori Nose. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2021-05-25.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20120104614A1. Автор: Motofumi Saitoh,Nobuyuki Ikarashi,Kouji Masuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US8841210B1. Автор: Tomomi Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-23.

Sic semiconductor device manufacturing method and sic semiconductor device

Номер патента: US20230307503A1. Автор: Takuma Kobayashi,Tsunenobu Kimoto,Keita TACHIKI. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20140287576A1. Автор: Tomomi Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Self-aligned buried power rail formation for semiconductor devices

Номер патента: EP4420162A1. Автор: Huiming Bu,Miaomiao Wang,Ruilong Xie,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor device and oscillation suppressing device

Номер патента: US20180309438A1. Автор: Susumu Iwamoto,Seiki Igarashi,Hideaki Kakiki,Naotaka Matsuda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device and oscillation suppressing device

Номер патента: US10566966B2. Автор: Susumu Iwamoto,Seiki Igarashi,Hideaki Kakiki,Naotaka Matsuda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-18.

Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, and positioning jig

Номер патента: US09991242B2. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Packaging devices and methods for semiconductor devices

Номер патента: US09893021B2. Автор: Wensen Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device formation substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110133185A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US8101507B2. Автор: Shigeru Tahara,Ryuichi Asako,Gousuke Shiraishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-01-24.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US12136569B2. Автор: Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Filnex Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Method of manufacturing semiconductor device having base and semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20170229415A1. Автор: Daisuke Hiratsuka,Yuchen Hsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabrication system

Номер патента: US20080081384A1. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US09892996B2. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9013048B2. Автор: Norio Kainuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-04-21.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20140339713A1. Автор: Norio Kainuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20070120185A1. Автор: Toshiaki Komukai,Hideaki Harakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20120306068A1. Автор: Hirokazu Saito. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4451327A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20220293581A1. Автор: Hideo Numata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer

Номер патента: US20170186725A1. Автор: Takehiro Oura,Yuichi Ota,Kohei Yoshida,Kentaro Kita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20080173980A1. Автор: Yoshitaka Nakamura,Tomohiro Uno. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-07-24.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9070696B2. Автор: Masahiro Kikuchi,Kazunaga Onishi,Rikihiro Maruyama,Masafumi TEZUKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer

Номер патента: US09786630B2. Автор: Takehiro Oura,Yuichi Ota,Kohei Yoshida,Kentaro Kita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4383318A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-06-12.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20230005825A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20240155824A1. Автор: Koji Akiyama,Koji Maekawa,Masahiro Ikejiri,Masaki TERABAYASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20150235850A1. Автор: Hidetami Yaegashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20120199946A1. Автор: Satoshi Kageyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20130023117A1. Автор: Masanori Shindou. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US20150380479A1. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US8883635B2. Автор: Masanori Shindou. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US9660018B2. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20020024095A1. Автор: Katsuomi Shiozawa,Yasuyoshi Itoh,Syuichi Ueno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4312250A1. Автор: Dario Vitello. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-01-31.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20240038636A1. Автор: Dario Vitello. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US11862510B2. Автор: Mie Matsuo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20200303241A1. Автор: Mie Matsuo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20210343584A1. Автор: Mie Matsuo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device, semiconductor device mounting structure and power semiconductor device

Номер патента: US9484336B2. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US20180130724A1. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device, semiconductor device mounting structure and power semiconductor device

Номер патента: US20150102474A1. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20190295901A1. Автор: Ikuo Motonaga. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device manufacture method and semiconductor device

Номер патента: US8497170B2. Автор: Hajime Kurata,Kenzo IIZUKA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-30.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20210287968A1. Автор: Masanori Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device manufacture method and semiconductor device

Номер патента: US20130285148A1. Автор: Hajime Kurata,Kenzo IIZUKA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

Manufacturing method of semiconductor device, semiconductor wafer, and semiconductor device

Номер патента: US20160268217A1. Автор: Kenji Konomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device assembly method and semiconductor device produced by the method

Номер патента: US6046077A. Автор: Mikio Baba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-04-04.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-01.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20200091098A1. Автор: Keita Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20020033541A1. Автор: Shotaro Uchida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US9159563B2. Автор: Tomohide Terashima,Eiko OTSUKI,Yasuhiro Yoshiura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-10-13.

Semiconductor device, chip module, and semiconductor module

Номер патента: US10707159B2. Автор: Takanobu Naruse. Владелец: Aisin AW Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-07.

Heating apparatus for a semiconductor device, heating system, and semiconductor device

Номер патента: US20230223283A1. Автор: Chengchun Tang. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US20230326739A1. Автор: Tatsuya Yamaguchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor mounting substrate

Номер патента: US20150216040A1. Автор: Daisuke Mizutani,Mamoru Kurashina. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor mounting substrate

Номер патента: US9048332B2. Автор: Daisuke Mizutani,Mamoru Kurashina. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-06-02.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabrication system

Номер патента: US20050014377A1. Автор: Hiroyuki Kamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Bonding process for forming semiconductor device structure

Номер патента: US11772963B2. Автор: I-Shi WANG,Jen-Hao Liu,Chih-Hang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Ceramic substrate, electrostatic chuck, substrate fixing device, and package for semiconductor device

Номер патента: US20230307282A1. Автор: Akira Goto. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Methods and systems for packaging semiconductor devices to improve yield

Номер патента: US10431574B2. Автор: Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2019-10-01.

Methods and systems for packaging semiconductor devices to improve yield

Номер патента: US20180331088A1. Автор: Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2018-11-15.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US5264731A. Автор: Kazufumi Ogawa,Hideharu Tamura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1993-11-23.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240038677A1. Автор: Ying-Chung Chen,Lu-Ming Lai. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Display driver semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871063B1. Автор: Jeong Hyeon Park,Bo Seok OH,Hee Hwan JI. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method for operating semiconductor device

Номер патента: US11727873B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kiyotaka Kimura,Hidetomo Kobayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for inducing stress in semiconductor devices

Номер патента: US11757039B2. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Edge termination structures for semiconductor devices

Номер патента: EP4218057A1. Автор: Edward Robert Van Brunt,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09953858B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor devices and methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US12069849B2. Автор: Daeik Kim,Bong-Soo Kim,Yoosang Hwang,Taejin Park,Jemin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110079852A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240251562A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and semiconductor system including semiconductor device

Номер патента: US12100760B2. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220393002A1. Автор: Takafumi Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device, method of manufacturing the semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US10008584B2. Автор: Shigeharu Okaji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

Conductive structures in semiconductor devices

Номер патента: US10867906B2. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Tien-Lu Lin,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-15.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09911821B2. Автор: Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Chi-Ruei YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20240334671A1. Автор: Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Wide bandgap material in drift well of semiconductor device

Номер патента: US20240363691A1. Автор: Ebenezer Eshun. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device structure

Номер патента: US10163516B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Wen-Chao Shen,Yung-Hsien Wu,I-Chen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-25.

Semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20220223736A1. Автор: Chung-Ting Ko,Bo-Cyuan Lu,Chi-On CHUI,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device structures

Номер патента: US20210125943A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Karuna NIDHI,Yu-Kai Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device structure with spacer

Номер патента: US12040237B2. Автор: Chun-Sheng Liang,Ming-Heng Tsai,Yi-Ren CHEN,Shih-Hsun Chang,Pei-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20190109051A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ming-Heng Tsai,Yi-Ren CHEN,Shih-Hsun Chang,Pei-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Semiconductor device structure with dielectric layer

Номер патента: US12051746B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device with contact structures

Номер патента: US20230290683A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US11769819B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device having fin structures

Номер патента: US12057505B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device structure with cap layer

Номер патента: US12107165B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device structure with barrier layer

Номер патента: US12046662B2. Автор: Ting-Chun Wang,Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Yung-Si YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device including a stacked wire structure

Номер патента: US20170301787A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Hsien Wu,Chih-Chieh Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor device including a stacked wire structure

Номер патента: US20170148907A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Hsien Wu,Chih-Chieh Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor device structure with barrier layer

Номер патента: US20230268425A1. Автор: Ting-Chun Wang,Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Yung-Si YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US12132096B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device

Номер патента: US12051744B2. Автор: Yutaka Fukui,Katsutoshi Sugawara,Rina Tanaka,Hideyuki HATTA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor devices including source/drain regions having silicon carbon

Номер патента: US09837500B2. Автор: Hyunjung Lee,Yong-Suk Tak,Jinyeong Joe,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Display driver semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180019262A1. Автор: Jeong Hyeon Park,Bo Seok OH,Hee Hwan JI. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Display driver semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180083043A1. Автор: Jeong Hyeon Park,Bo Seok OH,Hee Hwan JI. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor devices for improved measurements and related methods

Номер патента: WO2022125495A1. Автор: James Richmond,Edward Robert Van Brunt. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200066753A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor devices for improved measurements and related methods

Номер патента: EP4260362A1. Автор: James Richmond,Edward Robert Van Brunt. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-10-18.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210296186A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20180197768A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device and semiconductor system including semiconductor device

Номер патента: US20200388684A1. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11980033B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor package for a lateral device and related methods

Номер патента: US20160276250A1. Автор: Stephen St. Germain,Peter Moens,Roger Arbuthnot. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200243546A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device structure

Номер патента: US12029025B2. Автор: Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20180254341A1. Автор: Sung-dae Suk,Dong-Ho Cha,Sunhom Steve Paak,Yeon-ho PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-06.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20160163876A1. Автор: Wei-Hang Huang,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Method for manufacturing semiconductor device and integrated semiconductor device

Номер патента: US20200350420A1. Автор: Yan Gu,Sen Zhang,Shikang CHENG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

A stacked semiconductor device

Номер патента: WO2023151950A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Juntao Li. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for manufacturing semiconductor device and integrated semiconductor device

Номер патента: US11171223B2. Автор: Yan Gu,Sen Zhang,Shikang CHENG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-09.

Semiconductor device, display device, and electronic device

Номер патента: WO2018042285A1. Автор: Masashi Fujita. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device, method of manufacturing the semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20150024563A1. Автор: Shigeharu Okaji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor device, method of manufacturing the semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20130001677A1. Автор: Shigeharu Okaji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20160071976A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Yung-Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-10.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20170222044A1. Автор: Yi-Hsien Lin,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240030138A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Kuo-Chiang Tsai,Jeng-Ya Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20230335605A1. Автор: Susumu Kawashima,Tomoaki Atsumi,Hideaki Shishido,Koji KUSUNOKI,Motoharu Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Display device, semiconductor device, and driving method thereof

Номер патента: US20230352491A1. Автор: Hajime Kimura,Atsushi Umezaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20180012769A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20130323911A1. Автор: Young Man Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230402543A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device with cap element

Номер патента: US20190115429A1. Автор: Shing-Huang Wu,Jian-Shian Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor device structure with barrier layer

Номер патента: US11784240B2. Автор: Ting-Chun Wang,Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Yung-Si YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device with cap element

Номер патента: US20210043732A1. Автор: Shing-Huang Wu,Jian-Shian Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor devices

Номер патента: US9991387B2. Автор: Sung-dae Suk,Dong-Ho Cha,Sunhom Steve Paak,Yeon-ho PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Power Semiconductor Device with Embedded Field Electrodes

Номер патента: US20150279946A1. Автор: Timothy D. Henson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20220278239A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor device structure

Номер патента: US11784252B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Silicide transistor device and method

Номер патента: US20240064987A1. Автор: Dan Mihai Mocuta,Toshihiko Miyashita,Ronald Allen Weimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device structure with barrier layer

Номер патента: US20210296472A1. Автор: Ting-Chun Wang,Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Yung-Si YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US20230378321A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor Device and Super Junction Semiconductor Device Having Semiconductor Mesas

Номер патента: US20150303298A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Weber Hans,IRSIGLER Peter. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor device including dll and semiconductor system

Номер патента: US20180159543A1. Автор: Young-Suk Seo,Da-In IM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Method for manufacturing static induction type semiconductor device and thereby manufactured semiconductor device

Номер патента: GB9005988D0. Автор: . Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1990-05-09.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150287601A1. Автор: Hong-fei LU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR CONTROLLING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140111270A1. Автор: Lu Hong-fei. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-24.

Semiconductor device

Номер патента: CA1142268A. Автор: Mordehai Heiblum. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-03-01.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20120031331A1. Автор: Takashi Nakao,Ichiro Mizushima,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Sonos Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20140329387A1. Автор: Chih-Yuan Wu,Kai-Hsiang Chang,Kuang-Wen Liu,Ching-Chang Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Sonos device and method for fabricating the same

Номер патента: US20140070299A1. Автор: Chih-Yuan Wu,Kai-Hsiang Chang,Kuang-Wen Liu,Ching-Chang Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor device

Номер патента: US11538908B2. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Hans Broekman. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-12-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170236831A1. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180130813A1. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9899400B2. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method of forming thereof

Номер патента: EP4394856A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,MyungHoon JUNG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220319908A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US9397230B2. Автор: XIN Lin,Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-19.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US20150162417A1. Автор: XIN Lin,Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-11.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US20150333189A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,XIin LIN. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-11-19.

Monolithic semiconductor device assemblies

Номер патента: US20230352525A1. Автор: Gordon M. Grivna,Yusheng Lin,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20220344219A1. Автор: Tatsuro SAWADA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Vias for Semiconductor Devices Formed from Multiple Etching

Номер патента: US20240274507A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with fin structures

Номер патента: US12080602B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: EP4435869A1. Автор: Takuma Suzuki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321969A1. Автор: Takuma Suzuki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220148948A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor Device Having Semiconductor Structure with Polarity Inverting Layer

Номер патента: US20240266419A1. Автор: Christer Hallin,Kyle BOTHE,Matthew R. King. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device having semiconductor structure with polarity inverting layer

Номер патента: WO2024163583A1. Автор: Christer Hallin,Kyle BOTHE,Matthew R. King. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09870991B1. Автор: Do Youn Kim,Hyoung Soon Yune. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20040046217A1. Автор: Hideo Miura,Tomio Iwasaki. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor device

Номер патента: US6875662B2. Автор: Hideo Miura,Tomio Iwasaki. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2005-04-05.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: TWI587394B. Автор: Yasuhiro Fujii,Kazumasa Yonekura,Tatsunori Kaneoka. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-06-11.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: TWI597780B. Автор: Yasuhiro Fujii,Kazumasa Yonekura,Tatsunori Kaneoka. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-09-01.

Semiconductor device forming method and semiconductor device

Номер патента: EP4325576A4. Автор: Shuai Guo,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10290646B2. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-14.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US11482446B1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-25.

Semiconductor device with high-k/dual metal gate

Номер патента: US20090039433A1. Автор: Harry Chuang,Chien-Liang Chen,Wen-Chih Yang,Chii-Horng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160043131A1. Автор: Yotaro Goto,Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Electrostatic discharge protection device and method of making

Номер патента: US20230411381A1. Автор: Jam-Wem Lee,Wun-Jie Lin,Tzu-Hao CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Stacked semiconductor device and related method

Номер патента: US7682450B2. Автор: Jin-Hong Kim,Joon Kim,Suk-Chul Bang,Eun-Kuk Chung,Yun-Seung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9564466B2. Автор: Yotaro Goto,Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240088260A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device with increased breakdown voltage

Номер патента: US5495124A. Автор: Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-02-27.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: EP4307345A1. Автор: Yongseok Kim,Suhwan Lim,Minjun LEE,Juhyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor device with fin structures

Номер патента: US20230317522A1. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: US20240023340A1. Автор: Yongseok Kim,Suhwan Lim,Minjun LEE,Juhyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US9059126B1. Автор: Chien-Hsuan Liu,Chao-Chi Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11830737B2. Автор: Jung-Hoon Lee,Sanghyeon Kim,Ji Young Choi,Insung Kim,Woojeong SHIN,Hanhum Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device with fin structures

Номер патента: US20230282521A1. Автор: Chi On Chui,Chunyao Wang,Kun-Yu LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: EP4002448A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-25.

Production method of semiconductor device, semiconductor wafer, and semiconductor device

Номер патента: US20140203411A1. Автор: Toru Onishi,Kunihito Kato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor device including polysilicon structures and method of making

Номер патента: US11676856B2. Автор: J. J. Lee,Chun-Tse TSAI,M. C. Hang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20180337174A1. Автор: Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Cong-Min FANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Semiconductor device

Номер патента: US10734510B2. Автор: Hajime Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2020-08-04.

Power semiconductor device

Номер патента: US20130026485A1. Автор: Heon Bok LEE,Seung Bae HUR,Ki Se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-31.

Devices and methods of packaging semiconductor devices

Номер патента: US09935084B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and integrated semiconductor device

Номер патента: US8659018B2. Автор: Masami Kuroda,Gaku Shimada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-02-25.

Semiconductor device and integrated semiconductor device

Номер патента: US20110297932A1. Автор: Masami Kuroda,Gaku Shimada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20200020641A1. Автор: Un-Byoung Kang,Yeong-kwon Ko,Jun-Yeong Heo,Ja-Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device package

Номер патента: US20200343219A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Kil-Soo Kim,Tae-Joo Hwang,Kyung-suk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device having a plurality of terminals arranged thereon

Номер патента: US11948916B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US12094849B2. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device including combed bond pad opening, assemblies and methods

Номер патента: US6232146B1. Автор: Warren M. Farnworth,Walter L. Moden,Larry D. Kinsman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-15.

Semiconductor device including combed bond pad opening, assemblies and methods

Номер патента: US20010050845A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US12051684B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Detection devices and methods

Номер патента: US09851454B2. Автор: Lei Cao. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09972555B2. Автор: Soshi KURODA,Tatsuya Kobayashi,Takanori Aoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240203832A1. Автор: Koji Watanabe,Tetsu Ohtou,Tomonari Yamamoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060115963A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7737037B2. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080293247A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20170243840A1. Автор: Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US9679858B2. Автор: Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Electronic device and semiconductor device

Номер патента: US9087160B2. Автор: Yasuhiro Yoshikawa,Motoo Suwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09892985B2. Автор: Po Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device assembly, method for manufacturing same, and application thereof

Номер патента: US20240243095A1. Автор: Xin Huang,Limin Wang. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device package and the method of manufacturing the same

Номер патента: US12107056B2. Автор: Ya Fang CHAN,Yuan-Feng CHIANG,Po-Wei LU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device including metal-oxide-semiconductor disposed in a column decoder region

Номер патента: US09997223B2. Автор: Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US20240274578A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Thermally regulated semiconductor device

Номер патента: US20240347413A1. Автор: Chong Leong Gan,Chen Yu Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Thermally regulated semiconductor device

Номер патента: WO2024215485A1. Автор: Chong Leong Gan,Chen Yu Huang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device structure

Номер патента: US09875989B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Hsun-Ying Huang,Min-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Method and apparatus for characterizing a semiconductor device

Номер патента: EP1208591A1. Автор: Gary Gene Putnam,Jennifer Meng-Tsu Cheng,Chin-Yang Sun. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-05-29.

Method and system for making and cleaning semiconductor device

Номер патента: US8673764B1. Автор: Zhugen Yuan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2014-03-18.

Semiconductor device structures

Номер патента: US20180005942A1. Автор: Ting-You LIN,Chi-Li TU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Pressure-contact-type semiconductor device

Номер патента: US12051671B2. Автор: Jun Okada,Kazunori Taguchi,Tetsuo Motomiya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20240243238A1. Автор: Chin-I Lin,Shih-I Chen,Chun-Ming Wu,Ya-Nan Lin,Chun-Ru Yang. Владелец: Unikorn Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device structures for burn-in testing and methods thereof

Номер патента: US20190064257A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210343649A1. Автор: Chao Wei LIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230114278A1. Автор: Chao Wei LIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230154905A1. Автор: Wei-Hao Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US20240297149A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Stacked semiconductor device

Номер патента: WO2024186481A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Akshay N. Singh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-09-12.

Power semiconductor device

Номер патента: US09978671B2. Автор: Ralf Otremba,Teck Sim Lee,Franz Stueckler,Xaver Schloegel,Fabio Brucchi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device, heat dissipation structure of semiconductor device and method of making the same

Номер патента: TW200423350A. Автор: Takashi Noguchi. Владелец: Oki Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-01.

Semiconductor device package connector structure and method therefor

Номер патента: EP4105985A1. Автор: Kabir Mirpuri. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09853002B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device structure having fuse elements

Номер патента: US20240260259A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device structure including overlay mark structure

Номер патента: US12125800B2. Автор: Chun-Yen Wei. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device fabricating method

Номер патента: US20240371784A1. Автор: Jung Han Lee,Ji Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device structure

Номер патента: US12046310B2. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing by the same method

Номер патента: US20010018254A1. Автор: Ichiro Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-30.

Semiconductor device

Номер патента: EP4411818A1. Автор: Minho Kim,Jin Heo,Chanhee Jeon,Jongkyu Song,Jooyoung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor device, semiconductor wafer, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: TW201135880A. Автор: Makoto Murakami. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2011-10-16.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20240194570A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20230031422A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device, semiconductor system, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: EP3451121B1. Автор: Kazuki Fukuoka,Toshifumi Uemura,Yuko Kitaji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-11-25.

Manufacturing device and method of semiconductor device

Номер патента: TW533452B. Автор: Ichiro Honma,Masaharu Nakamori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-21.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20240355714A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of selectively transferring semiconductor device

Номер патента: US11901478B2. Автор: Shih-I Chen,Hao-Min Ku,Fu-Chun Tsai,Hsin-Chih CHIU,You-Hsien Chang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Stacked semiconductor device architecture and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220230961A1. Автор: Saehan Park,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: TW201030842A. Автор: Shigeru Tahara,Ryuichi Asako,Gousuke Shiraishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-08-16.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: TWI532107B. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi,Hideki Akiba. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2016-05-01.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20020004269A1. Автор: Yoshikazu Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-10.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: TWI646608B. Автор: 石井斉. Владелец: 東芝記憶體股份有限公司. Дата публикации: 2019-01-01.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: EP3521845B1. Автор: Tomonori Nakamura,Akihiro Otaka. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-09-20.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140021624A1. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Electronic device including semiconductor device package

Номер патента: US20190148337A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Kil-Soo Kim,Tae-Joo Hwang,Kyung-suk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160181229A1. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Pattern formation method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: TW201005794A. Автор: Satoru Shimura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-02-01.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121B1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-28.

Chip scale package semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20190189530A1. Автор: Edward Then,Weng Khoon Mong,Loh Choong KEAT. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor package device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200212023A1. Автор: Chi-Han Chen,Chieh-Chen Fu,Chang-Yu Lin. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Chip scale package semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US11817360B2. Автор: Edward Then,Weng Khoon Mong,Loh Choong KEAT. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-11-14.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US20230420440A1. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device assemblies including tsvs of different lengths and methods of making the same

Номер патента: US20230139278A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US20230013960A1. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US20210202454A1. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US11749665B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor Component and Semiconductor Package

Номер патента: US20200273788A1. Автор: Gerhard Noebauer,Ashita Mirchandani. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device having solder-free die connection to redistribution layer

Номер патента: US20230093186A1. Автор: Rahul N. Manepalli,Sairam Agraharam,Xiaoxuan SUN,Tarek A. Ibrahim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US20100322285A1. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US8215830B2. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-07-10.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US11915967B2. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20040135260A1. Автор: Jae Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-15.

Silicon spacers with improved adhesion and semiconductor device assemblies incorporating the same

Номер патента: US20230268263A1. Автор: Aibin Yu,Yee Chon Chin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9484280B2. Автор: Tiam Meng PON,Theng Chao Long,Tian San Tan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20190371833A1. Автор: Susumu HOGYOKU. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor device package and method for packaging the same

Номер патента: US20210151398A1. Автор: Sheng-wen YANG,Teck-Chong Lee,Yung-Shun CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device module

Номер патента: US20190131213A1. Автор: Natsuki Tsuji,Korehide Okamoto,Arata Iizuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor device module

Номер патента: US10510642B2. Автор: Natsuki Tsuji,Korehide Okamoto,Arata Iizuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-12-17.

Power Package Including Multiple Semiconductor Devices

Номер патента: US20120313232A1. Автор: Jiangyuan Zhang,Elite Lee,Dana Liu. Владелец: Shanghai Kaihong Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-13.

RESIN-SEALED TYPE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: NL2022613A. Автор: SHINOTAKE Yohei,NAKAGAWA Masao,Kuwano Ryoji. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2019-09-06.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20180033709A1. Автор: Soshi KURODA,Tatsuya Kobayashi,Takanori Aoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device and semiconductor device measuring method

Номер патента: US9824945B2. Автор: Hiroki Shinkawata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20180299706A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Shinichi Kuwabara,Tetsuya Iida,Shinichi Watanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device having routing structure

Номер патента: US20240113010A1. Автор: Chun-Yuan Shih,Yu-Huei Lee,Hsin-Hung Lin,Po-Hsien Huang,Lien-Chieh Yu. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device and semiconductor device measuring method

Номер патента: US20180040523A1. Автор: Hiroki Shinkawata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

Driving method and apparatus for a pnpn semiconductor device

Номер патента: US5153758A. Автор: Yoshiharu Tashiro,Kenichi Kasahara,Takahiro Numai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-10-06.

Semiconductor device and manufacture method of the same

Номер патента: US10685917B2. Автор: Zhiqi Wang. Владелец: China Wafer Level CSP Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-16.

Electronic device and semiconductor device

Номер патента: US20230335512A1. Автор: Shuuichi Kariyazaki,Ryuichi Oikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Combined semiconductor device packaging system

Номер патента: US20220392877A1. Автор: Uthayarajan A/L Rasalingam,Toh Kok Wei. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device and method of forming semiconductor device

Номер патента: US20100078773A1. Автор: Shigeo Ishikawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor device interconnection systems and methods

Номер патента: WO2020264037A1. Автор: Richard E. Bornfreund,Edward K. Huang. Владелец: Flir Commercial Systems, Inc.. Дата публикации: 2020-12-30.

Heater for semiconductor device

Номер патента: US20130342263A1. Автор: Thorsten Meyer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-12-26.

Combined semiconductor device packaging system

Номер патента: US11948924B2. Автор: Toh Kok Wei,Uthayarajan A L Rasalingam. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Power semiconductor device, method for manufacturing power semiconductor device, and power conversion apparatus

Номер патента: US11887903B2. Автор: Tomonori Tagami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10796976B2. Автор: Szu-Wei Lu,Chin-Fu Kao,Li-Hui Cheng,Chih-Chien Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-06.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20170213790A1. Автор: Carlos H. Diaz,Tien-Lu Lin,Yung-Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11901255B2. Автор: Szu-Wei Lu,Chin-Fu Kao,Li-Hui Cheng,Chih-Chien Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device assemblies with lids including circuit elements

Номер патента: US20180358330A1. Автор: Thomas H. Kinsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device assemblies with lids including circuit elements

Номер патента: US20200126954A1. Автор: Thomas H. Kinsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device assemblies with lids including circuit elements

Номер патента: WO2018231497A1. Автор: Thomas H. Kinsley. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-12-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20230178454A1. Автор: Tadatsugu Yamamoto,Ryoji MURAI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20240222566A1. Автор: Shih-I Chen,Ya-Wen Lin,Tzu-Ling Yang,Ching-En Huang,Hao-Ming Ku,Chuang-Sheng Lin,Chien-Jun Wei. Владелец: Unikorn Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

3D integrated circuit structure, semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US9064849B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-06-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110019709A1. Автор: Yuji Masui,Takahiro Arakida,Rintaro Koda,Kouichi Kondo,Naoki Jogan. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-01-27.

Semiconductor device including a column decoder

Номер патента: US20180025762A1. Автор: Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20240021772A1. Автор: Shih-I Chen,Ya-Wen Lin,Tzu-Ling Yang,Yi-Chia Ho,Ching-En Huang,Hao-Ming Ku,Chuang-Sheng Lin. Владелец: Unikorn Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Package-on-package semiconductor device assemblies including one or more windows and related methods and packages

Номер патента: EP3479405A1. Автор: Matthew Monroe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-08.

Semiconductor wiring device and method

Номер патента: US20240071425A1. Автор: Keizo Kawakita,Hidenori Yamaguchi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method and apparatus for characterizing a semiconductor device

Номер патента: WO2001011680A1. Автор: Gary Gene Putnam,Jennifer Meng-Tsu Cheng,Chin-Yang Sun. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-02-15.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20170062362A1. Автор: Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Method of measuring misregistration of semiconductor devices

Номер патента: EP3942600A1. Автор: Roie VOLKOVICH,Ido Dolev. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2022-01-26.

Method of measuring misregistration of semiconductor devices

Номер патента: US20200271596A1. Автор: Roie VOLKOVICH,Ido Dolev. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Method of measuring misregistration of semiconductor devices

Номер патента: US20210149314A1. Автор: Roie VOLKOVICH,Ido Dolev. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20140299986A1. Автор: Daisuke Sakurai,Kazuya Usirokawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: US20030030154A1. Автор: Hiroyuki Kimura,Taibo Nakazawa. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2003-02-13.

System and methods for optically measuring dielectric thickness in semiconductor devices

Номер патента: US6166819A. Автор: Rainer Florian Schnabel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-12-26.

High-frequency semiconductor device

Номер патента: US11855601B2. Автор: Shinsuke Watanabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Conductive paths through dielectric with a high aspect ratio for semiconductor devices

Номер патента: US10229858B2. Автор: Thorsten Meyer,Andreas Wolter. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2019-03-12.

Conductive paths through dielectric with a high aspect ratio for semiconductor devices

Номер патента: US20170148698A1. Автор: Thorsten Meyer,Andreas Wolter. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180323168A1. Автор: Masaru Yamada,Yoshinori Miyaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20190006278A1. Автор: Takafumi Betsui,Tetsushi Hada,Nobuyuki MORIKOSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Methods of semiconductor device fabrication

Номер патента: EP3909069A1. Автор: Qiguang Wang,Gonglian Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-17.

Semiconductor device package

Номер патента: US20180151790A1. Автор: Young Hyun Jeon,Eun Joo Kim,Jung Hwan Son,Ga Yeon Kim,Nak Hun KIM. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20170033045A1. Автор: Takafumi Betsui,Tetsushi Hada,Nobuyuki MORIKOSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor device package comprising power module and passive elements

Номер патента: US11848296B2. Автор: Han-Chee Yen,Min-Yao CHENG,Ying-Nan Liu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device package

Номер патента: US20220052013A1. Автор: Han-Chee Yen,Min-Yao CHENG,Ying-Nan Liu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device package comprising power module and passive elements

Номер патента: US20210296278A1. Автор: Han-Chee Yen,Min-Yao CHENG,Ying-Nan Liu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device, test method for semiconductor device, and tester for semiconductor device

Номер патента: US6768133B2. Автор: Yasumasa Nishimura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-27.

Semiconductor device package

Номер патента: US20230307380A1. Автор: Ming-Chiang Lee,Yung-I Yeh,Cheng-Nan Lin. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20230253398A1. Автор: Yusuke OJIMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220336317A1. Автор: Chang-Lin Yeh. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device package

Номер патента: US11817397B2. Автор: Lu-Ming Lai,Yu-Che Huang,Chi Sheng Tseng,Hui-Chung Liu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20230099534A1. Автор: Huaiyu MENG,Yichen SHEN,Jianhua Wu,Cheng-kuan LU. Владелец: Shanghai Xizhi Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device structures including staircase structures, and related methods

Номер патента: US20190139977A1. Автор: Eric N. Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240038712A1. Автор: Chieh-Chen Fu,Shih-Yuan Sun,Jung Jui KANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Plurality of semiconductor devices between stacked substrates

Номер патента: US12009351B2. Автор: Wei-Hao Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device structures for burn-in testing and methods thereof

Номер патента: US20190170811A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor devices including staircase structures

Номер патента: US20210143169A1. Автор: Eric N. Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Method and computing system for manufacturing three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20240213054A1. Автор: Sunghoon Kim,Youngsik OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING A LATERAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND A VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150001692A1. Автор: LEE Chia-Yen,TSAI Hsin-Chang,LEE Peng-Hsin. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor component having a lateral semiconductor device and a vertical semiconductor device

Номер патента: CN104253156A. Автор: 李嘉炎,蔡欣昌,李芃昕. Владелец: Delta Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2014-12-31.

Semiconductor device, semiconductor package containing the semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: CN101645443A. Автор: 金维植. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-02-10.

Semiconductor device structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230369151A1. Автор: Hsiao-Lan Yeh,Chin-Kang CHEN,Kung-Hua CHENG,Szu-Hui MA LEE,Chi-Jia TONG. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and system including semiconductor device

Номер патента: US20220114077A1. Автор: Yuki Ishikawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7713819B2. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-11.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20240008273A1. Автор: Takuya Konno,Shinya Okuda,Rikyu Ikariyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device structure with movable membrane

Номер патента: US12043538B2. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng,Yi-Chuan Teng,Chun-Yin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device structure with movable membrane

Номер патента: US20240343551A1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng,Yi-Chuan Teng,Chun-Yin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Switching device and related switchgear

Номер патента: US20120285806A1. Автор: Roberto Penzo,Carlo Boffelli. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2012-11-15.

Switching device and related switchgear

Номер патента: US20160042886A1. Автор: Roberto Penzo,Carlo Boffelli. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method

Номер патента: US20190271734A1. Автор: Toru Matsumoto,Akira Shimase. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US09990207B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method

Номер патента: US09880196B2. Автор: Akira Okada,Hajime Akiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device simulation system and semiconductor device simulation method

Номер патента: US20230130199A1. Автор: Sung Min Hong. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device evaluation apparatus and semiconductor device evaluation program product

Номер патента: CA2275781C. Автор: Naoya Tamaki,Norio Masuda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-03-18.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US20150227378A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device, semiconductor system with the semiconductor device and method of driving the semiconductor system

Номер патента: US20160180912A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US20050196706A1. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-09-08.

Semiconductor device, memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US20220301642A1. Автор: Shinji Maeda,Katsuhiko Iwai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US11971364B2. Автор: Shinsuke Suzuki. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor drive device and semiconductor module

Номер патента: US20240195408A1. Автор: Tatsunori Sakano,Kento Adachi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

High voltage device and method

Номер патента: US20240334707A1. Автор: Uma Sharma,Salil Shashikant Mujumdar,Mandar Suresh Bhoir. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

High voltage device and method

Номер патента: WO2024206854A1. Автор: Uma Sharma,Salil Shashikant Mujumdar,Mandar Suresh Bhoir. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US12046993B2. Автор: Kei MINAGAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230389306A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Plasma display panel driving device and plasma display

Номер патента: GB2457410A. Автор: Hidetoshi Ishida,Manabu Inoue,Manabu Yanagihara,Tatsu Morita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-08-19.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US11980096B2. Автор: In-Shiang CHIU,Kuang-Chu Chen,Peng-Chan HSIAO,Han-YING LIU. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor Device and Ultrasonic Diagnostic Apparatus Using the Same

Номер патента: US20120108963A1. Автор: Kenji Hara,Junichi Sakano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor device and ultrasonic diagnostic apparatus using the same

Номер патента: US9190992B2. Автор: Kenji Hara,Junichi Sakano. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2015-11-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09990970B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US20130297956A1. Автор: Yoshifumi Tanada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor device development information integrating system

Номер патента: US5933350A. Автор: Mitsuhiro Matsuura,Shinichi Fujimoto,Masaaki Kakihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-08-03.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170169865A1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

Cost effective semiconductor devices and semiconductor systems with reduced test time

Номер патента: US09911505B2. Автор: Mi Hyun Hwang,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09817425B2. Автор: Jong Joo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09916887B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and system including sense amplifier and pre-charge voltage by a variation

Номер патента: US09837134B2. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09959922B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20170032830A1. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20180067796A1. Автор: Hyung Sik WON,Hae Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US09959164B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Methods, semiconductor devices, and semiconductor systems

Номер патента: US20170365303A1. Автор: Donggun Kim,Do-Sun HONG,Yong Ju Kim,Sang Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

Methods, semiconductor devices, and semiconductor systems

Номер патента: US20190295611A1. Автор: Donggun Kim,Do-Sun HONG,Yong Ju Kim,Sang Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device test system and method

Номер патента: US20080246505A1. Автор: Carsten Ohlhoff,Markus Kollwitz. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor device, driver IC, and electronic device

Номер патента: US09984624B2. Автор: Kei Takahashi,Roh YAMAMOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348990A1. Автор: Qiang Chen,Yanrong Qiu,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09837138B1. Автор: Hong Ki Moon,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Managing secure writes in semiconductor devices

Номер патента: US12086457B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Chia-Jung Chen,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240331752A1. Автор: Jae Il Kim,Ki Hun KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device relating to generate target address to execute a refresh operation

Номер патента: US09947384B1. Автор: Dong Yoon KA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor devices

Номер патента: US09858972B1. Автор: Dong Uk Lee,Kyung Whan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor devices relating to a refreshing operation

Номер патента: US09990978B2. Автор: Bo Yeun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device defect monitoring

Номер патента: US20150042371A1. Автор: Kelly Malone,Brian L. Walsh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20100003831A1. Автор: Satoshi Yasuda,Shin-Ichi Imai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US11455703B2. Автор: Chun Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Semiconductor device and semiconductor system including same

Номер патента: EP3709179A1. Автор: Chun Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-16.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20210183006A1. Автор: Chun Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170084318A1. Автор: Sang Kwon Lee,In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US10083760B2. Автор: Haeng Seon CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-25.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170038428A1. Автор: Mi Hyun Hwang,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US20170069396A1. Автор: Dong Keum Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Data i/o circuits and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20180039532A1. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US10360105B2. Автор: Hyung Sik WON,Hae Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-07-23.

Driving method of semiconductor device

Номер патента: US20140253533A1. Автор: Hiroyuki Miyake. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-11.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US20170242749A1. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Active matrix semiconductor device

Номер патента: US7084862B2. Автор: Shoichiro Matsumoto. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-01.

Active matrix semiconductor device

Номер патента: US20030089916A1. Автор: Shoichiro Matsumoto. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-15.

Temperature control method and apparatus and test method and apparatus of semiconductor devices

Номер патента: US20070296434A1. Автор: Hiroshi Yamada,Takashi Morimoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Method for estimating the early failure rate of semiconductor devices

Номер патента: US20060107094A1. Автор: Thomas Anderson,John Carulli. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-05-18.

Method of designing semiconductor device

Номер патента: US10552566B2. Автор: Jin Young Park,Myung Jin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-04.

Semiconductor device and method thereof

Номер патента: US20180090192A1. Автор: Dong Yoon KA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SYSTEM WITH THE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF DRIVING THE SEMICONDUCTOR SYSTEM

Номер патента: US20160180912A1. Автор: SONG Choung-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor devices

Номер патента: US20190189170A1. Автор: Min su Park,Hak Song KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor devices

Номер патента: US10262709B2. Автор: Min su Park,Hak Song KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-16.

Semiconductor devices for controlling input of a data strobe signal

Номер патента: US10607673B2. Автор: Min su Park,Hak Song KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-31.

Method of designing a semiconductor device

Номер патента: US20090007045A1. Автор: Noriaki Oda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Method of designing a semiconductor device

Номер патента: US8146044B2. Автор: Noriaki Oda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND APPARATUS FOR TESTING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160047857A1. Автор: Lee Junhee. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device, driver ic, and electronic device

Номер патента: US20180211595A1. Автор: Kei Takahashi,Roh YAMAMOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20180033473A1. Автор: Sung Soo Chi,Sung Yub Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device method relating to latch circuit testing

Номер патента: US20180059181A1. Автор: Young Bo Shim,Tae Kyun SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Method for performing double clustering to evaluate placement of semiconductor devices

Номер патента: US12008297B1. Автор: Seungju KIM,Wooshik MYUNG,Jiyoon LIM,Wonjun Yoo. Владелец: MakinaRocks Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Managing reference currents in semiconductor devices

Номер патента: US20240185899A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Shang-Chi Yang,Fu-Nian Liang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device evaluation apparatus and semiconductor device evaluation program product

Номер патента: CA2380707C. Автор: Naoya Tamaki,Norio Masuda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-02-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

EPOXY RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING A SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF ENCAPSULATING A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120168968A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor device, method for fabricating the semiconductor device and method for designing the semiconductor device

Номер патента: CN1870264A. Автор: 田中琢尔. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-11-29.