Semiconductor device and semiconductor device production system
Номер патента: US09899419B2
Опубликовано: 20-02-2018
Автор(ы): Akihisa Shimomura, Atsuo Isobe, Chiho Kokubo, Hidekazu Miyairi, Hiroshi Shibata, Koichiro Tanaka, Koji Dairiki, Mai Akiba, Masahiko Hayakawa, Shunpei Yamazaki, Tatsuya Arao
Принадлежит: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 20-02-2018
Автор(ы): Akihisa Shimomura, Atsuo Isobe, Chiho Kokubo, Hidekazu Miyairi, Hiroshi Shibata, Koichiro Tanaka, Koji Dairiki, Mai Akiba, Masahiko Hayakawa, Shunpei Yamazaki, Tatsuya Arao
Принадлежит: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device fabrication method and semiconductor device
Номер патента: US20190172925A1. Автор: Masataka Yoshinari. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.