Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor device structures for burn-in testing and methods thereof

Semiconductor device structures for burn-in testing and methods thereof

Номер патента: US20190170811A1
Опубликовано: 06-06-2019
Автор(ы): Mark E. Tuttle
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device structures for burn-in testing and methods thereof

Номер патента: US20190064257A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES FOR BURN-IN TESTING AND METHODS THEREOF

Номер патента: US20190064257A1. Автор: Tuttle Mark E.. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES FOR BURN-IN TESTING AND METHODS THEREOF

Номер патента: US20190170811A1. Автор: Tuttle Mark E.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20180102310A1. Автор: Toshitsugu Ishii,Hidekazu Iwasaki,Jun MATSUHASHI,Naohiro Makihira. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor device and mounting structure for semiconductor element

Номер патента: US20240170353A1. Автор: Tsuyoshi Tachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and mounting structure for semiconductor device

Номер патента: US20240203849A1. Автор: Ryosuke Fukuda,Kohei Tanikawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device of stacked structure having through electrode, semiconductor memory device, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: KR101817156B1. Автор: 이동혁,유장우,이호철,김중식. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2018-01-10.

Semiconductor device having biasing structure for self-isolating buried layer and method therefor

Номер патента: US20180315747A1. Автор: Agajan Suwhanov,Moshe Agam,Johan Camiel Julia Janssens,Bruce Greenwood,Sallie Hose. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device having buffer structure for external terminals

Номер патента: US20210235579A1. Автор: Toshiyuki Miyasaka,Yuichiro HINATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Burn-in preform and method of making the same

Номер патента: US20190128953A1. Автор: Robert Jarrett,Thomas R. Gross,Craig K. Merritt,Anthony D. Lanza, Jr.. Владелец: Indium Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor Device with Shielding Structure for Cross-Talk Reduction

Номер патента: US20190006289A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chih-Yuan Chang,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Sylvia Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device with shielding structure for cross-talk reduction

Номер патента: KR102145467B1. Автор: 첸-후아 유,시-야 후앙,청-하오 차이,치-유안 창,췌이-탕 왕. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2020-08-19.

Semiconductor Device with Shielding Structure for Cross-talk Reduction

Номер патента: US20200321288A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chih-Yuan Chang,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Shih-Ya Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device having a contact clip with a contact region having a convex shape and method for fabricating thereof

Номер патента: US11869865B2. Автор: Chooi Mei Chong,Thomas Bemmerl,Michael Stadler,Edward Myers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-09.

Nitride-based semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230354525A1. Автор: Chunhua ZHOU,Weigang YAO. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Nitride-based semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220359454A1. Автор: Chunhua ZHOU,Weigang YAO. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device having a structure for insulating layer under metal line

Номер патента: US10643926B2. Автор: Min Jun Choi,Sung Hyun Yoon,Doo Won Kwon,Kwan Sik KIM,Tae Young SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-05.

Semiconductor Device having a Structure for Insulating Layer under Metal Line

Номер патента: KR102450580B1. Автор: 김관식,최민준,윤성현,권두원,송태영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-10-07.

Hybrid IC with circuit for burn-in test

Номер патента: US6157202A. Автор: Toshiya Nakano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof including a probe test step and a burn-in test step

Номер патента: US20020182796A1. Автор: Makoto Kitano,Kunio Matsumoto,Akihiko Ariga,Terutaka Mori,Hidetaka Shigi,Takayoshi Watanabe,Yuji Wada,Tetsuo Kumazawa,Susumu Kasukabe,Ryuji Kohno,Naoto Ban,Shuji Shibuya,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Fixture for burn-in testing of semiconductor wafers

Номер патента: US5461328A. Автор: Brian Higgins,Kevin M. Devereaux,Mark Bunn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1995-10-24.

Contact and socket device for burning-in and testing semiconductor IC

Номер патента: US11668744B2. Автор: Dong Weon Hwang,Logan Jae Hwang,Jae Baek Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-06.

Semiconductor device handling and sorting apparatus for a semiconductor burn-in test process

Номер патента: US6239396B1. Автор: Ju-il Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-05-29.

Contact and socket device for burning-in and testing semiconductor ic

Номер патента: US20220196727A1. Автор: Dong Weon Hwang,Logan Jae Hwang,Jae Baek Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-23.

Connections between circuit chips and a temporary carrier for use in burn-in tests

Номер патента: US5237269A. Автор: Bruno R. Aimi,Ralph F. Antonucci,Ferdinand D. Dimaria,Hamid R. Torabi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING BIASING STRUCTURE FOR SELF-ISOLATING BURIED LAYER AND METHOD THEREFOR

Номер патента: US20190228984A1. Автор: Agam Moshe,Janssens Johan Camiel Julia,Suwhanov Agajan,GREENWOOD Bruce,HOSE Sallie. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2019-07-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING VIA HOLE COATED IN SIDE SURFACES WITH HEAT TREATED NITRIDE METAL AND METHOD TO FORM THE SAME

Номер патента: US20160190299A1. Автор: WATANABE Tadashi,Matsuda Hajime. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266321A1. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method and system for an improved power distribution network for use with a semiconductor device

Номер патента: US20060087024A1. Автор: Eiichi Hosomi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-27.

Semicondcutor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190341322A1. Автор: Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Shih-Hao Tseng,Chia-Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Semicondcutor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190148255A1. Автор: Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Shih-Hao Tseng,Chia-Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4391046A1. Автор: XIAOFENG Xu,Ming Wu,Eckart HOENE,Zhengyan HE,Luise PAWLAK. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MOUNTING STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200388580A1. Автор: FURUTANI Ryuichi. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-10.

Apparatus and method for burn-in board alignment and sealing between chamber and frame for semiconductor burn-in process

Номер патента: US20240053397A1. Автор: Teck Huat TAN,Chun Hong LOW. Владелец: MSV Systems and Services Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Apparatus and method for burn-in board alignment and sealing between chamber and frame for semiconductor burn-in process

Номер патента: EP4356418A1. Автор: Teck Huat TAN,Chun Hong LOW. Владелец: MSV Systems and Services Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Apparatus and method for burn-in board alignment and sealing between chamber and frame for semiconductor burn-in process

Номер патента: WO2022146237A1. Автор: Teck Huat TAN,Chun Hong LOW. Владелец: Msv Systems & Services Pte Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Test structures for electrically detecting back end of the line failures and methods of making and using the same

Номер патента: US7622737B2. Автор: Mukta G. Farooq,Xiao H. Liu,Ian D. Melville. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-24.

Under-bump metal structures for interconnecting semiconductor dies or packages and associated systems and methods

Номер патента: US20170287857A1. Автор: Brandon P. Wirz,Jaspreet S. Gandhi,Christopher J. Gambee,Satish Yeldandi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240186308A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Ming-Yu Yen,Hung-Chih Chen,Chin-Wei Liang,Kai-Fung Chang,Sheng-Feng Weng,Yi-Yang Lei,Hung-Chou LIAO,Cheyu LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11901245B2. Автор: Chen-Chao Wang,Chih-Yi Huang,Keng-Tuan Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220399240A1. Автор: Chen-Chao Wang,Chih-Yi Huang,Keng-Tuan Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220115276A1. Автор: Chen-Chao Wang,Chih-Yi Huang,Keng-Tuan Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240186193A1. Автор: Chen-Chao Wang,Chih-Yi Huang,Keng-Tuan Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device having sealing structure for wide gap type semiconductor chip

Номер патента: US20040070059A1. Автор: Katsumi Satoh,Norihisa Asano,Yukitaka Hori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-04-15.

Burn-in test apparatus

Номер патента: US20080291761A1. Автор: Sang Kwon Lee,Bong Seok Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-27.

Burn-in test apparatus

Номер патента: US8041531B2. Автор: Sang Kwon Lee,Bong Seok Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-18.

Burn-in test circuit for semiconductor memory device

Номер патента: US5452253A. Автор: Young-Keun Choi. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1995-09-19.

Direct cooling device for integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266253A1. Автор: Hyun Wook Jung,Jong Won Lim,Min Soo Kang,Sung Jae Chang,Ho Kyun Ahn,Sang Heung LEE,Hae Cheon Kim,Seong Il Kim,Hyoung Soon Lee,Il Gyu CHOI,Jun Rae PARK. Владелец: Republic Of Korea Defense Acquisition Program Administration. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080073798A1. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor device, semiconductor body and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1604401A1. Автор: Josephus A. A. Den Ouden. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-12-14.

Method of manufacturing semiconductor device and support structure for semiconductor substrate

Номер патента: US20050263907A1. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-01.

Semiconductor device including copper wiring and via wiring having length longer than width thereof and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140306345A1. Автор: Yoshihisa Matsubara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-10-16.

Semiconductor device including mark structure for measuring overlay error and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047372A1. Автор: Chih-Hsuan Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device including mark structure for measuring overlay error and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047368A1. Автор: Chih-Hsuan Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device including resistance change layer and metal particle-embedded metal-organic framework layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230292636A1. Автор: Won Tae KOO,Woo Cheol LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device structure with air gap structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210351140A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20190122965A1. Автор: Adam R. Brown,Ricardo L. YANDOC. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

System and method for cooling a semiconductor light source bar during burn-in testing

Номер патента: US8503493B1. Автор: Ryuji Fujii,Quan Bao Wang,Chun Fei Cheung. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2013-08-06.

Manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: US20180217203A1. Автор: Tomoaki Tamura,Yoshiyuki Nakamura,Kouichi KUMAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Method for burn-in test and measurement program for burn-in test

Номер патента: TWI278630B. Автор: Suguru Sasaki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-04-11.

Structures for wafer level test and burn-in

Номер патента: SG97819A1. Автор: E Barth John,Louis Bertin Claude,H Dreibelbis Jeffrey,F Ellis Wayne,John Howell Wayne,L Hedberg Erik,L Kalter Howard,R Tonti William,L Wheater Donald. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2003-08-20.

Structures for wafer level test and burn-in.

Номер патента: MY123248A. Автор: Jeffrey H Dreibelbis,Erik L Hedberg,Wayne F Ellis,Howard Leo Kalter,Claude L Bertin,William R Tonti,John E Barth Jr,Donald L Wheater,Wayne J Howell. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2006-05-31.

Burn-in apparatus and method which individually controls the temperature of a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US5414370A. Автор: Tatsuya Hashinaga,Masanori Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1995-05-09.

Burn-in apparatus and method

Номер патента: MY131275A. Автор: Tatsuya Hashinaga,Masanori Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2007-07-31.

Multi-chamber for burn-in testing apparatus and test method thereof

Номер патента: KR101002525B1. Автор: 밍 쉬엔 리,룽-쉬우 쉬에. Владелец: 킹 유안 일렉트로닉스 코포레이션 리미티드. Дата публикации: 2010-12-17.

Chip holding device for burn-in test and manufacturing method thereof

Номер патента: KR950014897A. Автор: 이규진,정현조. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1995-06-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof including a probe test step and a burn-in test step

Номер патента: US6566150B2. Автор: Makoto Kitano,Kunio Matsumoto,Akihiko Ariga,Terutaka Mori,Hidetaka Shigi,Takayoshi Watanabe,Yuji Wada,Tetsuo Kumazawa,Susumu Kasukabe,Ryuji Kohno,Naoto Ban,Shuji Shibuya,Yasuhiro Motoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-05-20.

Apparatus and method for individual current setting for burn-in test

Номер патента: KR20090055179A. Автор: 유호상. Владелец: 주식회사디아이. Дата публикации: 2009-06-02.

Tray Transfer for Burn-in Test Sorting Handler

Номер патента: KR100792728B1. Автор: 김종태. Владелец: 미래산업 주식회사. Дата публикации: 2008-01-11.

Reusable carrier for burn-in / testing of unpackaged dies

Номер патента: KR950006474A. Автор: 신수림 사무엘,킁 탄 시우. Владелец: 선라이트 피티이. 리미티드. Дата публикации: 1995-03-21.

Solid high aspect ratio via hole used for burn-in boards, wafer sort probe cards, and package test load boards with electronic circuitry

Номер патента: US20080100291A1. Автор: Romi O. Mayder. Владелец: Silicon Test Systems Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Test structure and method for performing burn-in testing of a semiconductor product wafer

Номер патента: US5707881A. Автор: Thomas Francis Lum. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-01-13.

Integrated circuit capable of performing package burn-in test and method thereof

Номер патента: KR100674988B1. Автор: 경계현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-29.

CONDITIONS FOR BURN-IN OF HIGH POWER SEMICONDUCTORS

Номер патента: US20180301386A1. Автор: Shen Likun,Smith Kurt Vernon,Rhodes David Michael,Barr Ronald Avrom,McKay James Leroy. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-18.

Apparatus for burn-in unloading

Номер патента: KR930008223Y1. Автор: 권상병. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1993-12-13.

Method for loading/unloading device of shooting handler for burn-in tester and apparatus the same

Номер патента: KR100312862B1. Автор: 이기현,김성봉,정기현,정백운. Владелец: 정문술. Дата публикации: 2001-11-03.

Cooling air flow control device for burn-in system

Номер патента: JP4642437B2. Автор: イー． ハミルトン ハロルド,エム． コンロイ チャド. Владелец: マイクロ コントロール カンパニー. Дата публикации: 2011-03-02.

Cooling air flow control valve for burn-in system

Номер патента: US7650762B2. Автор: Harold E. Hamilton,Chad M. Conroy. Владелец: Micro Control Co. Дата публикации: 2010-01-26.

Sorting Handler for Burn-in Tester

Номер патента: KR100491304B1. Автор: 김성봉. Владелец: 미래산업 주식회사. Дата публикации: 2005-05-24.

Cooling air flow control valve for burn-in system

Номер патента: KR100937728B1. Автор: 해밀튼해럴드이,콘로이채드엠. Владелец: 마이크로 콘트롤 컴파니. Дата публикации: 2010-01-20.

Sorting handler for burn-in tester

Номер патента: US20050168214A1. Автор: Seong Kim. Владелец: Mirae Corp. Дата публикации: 2005-08-04.

Sorting handler for burn-in tester

Номер патента: US20050062463A1. Автор: Seong Kim. Владелец: Mirae Corp. Дата публикации: 2005-03-24.

Method for burning-in semiconductor chips.

Номер патента: EP0661550A3. Автор: Werner Dr Weber,Holger Dr Huebner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1997-01-08.

Semiconductor integrated circuit which can be burn-in-tested even when packaged and method of burn-in-testing semiconductor integrated circuit even when the semiconductor integrated circuit is packaged

Номер патента: TW200706893A. Автор: Kye-Hyun Kyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A STRUCTURE FOR INSULATING LAYER UNDER METAL LINE

Номер патента: US20190198426A1. Автор: Kim Kwan Sik,Choi Min Jun,YOON Sung Hyun,KWON Doo Won,SONG Tae Young. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-06-27.

Burn-in-test device

Номер патента: TW440853B. Автор: Frank Weber,Jens Lüpke,Joseph Sillup. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-06-16.

Burn-in test apparatus for the transmission of high speed signal and burn-in board therefor and method for the transmission of high speed signal

Номер патента: KR101161811B1. Автор: 유권종,이용근,이강수,박병옥. Владелец: (주)아테코. Дата публикации: 2012-07-03.

Structure and method for package burn-in testing

Номер патента: TWI261676B. Автор: Wen-Kun Yang. Владелец: Advanced Chip Eng Tech Inc. Дата публикации: 2006-09-11.

device for adjusting distance of picker in burn-in test handler

Номер патента: KR100291587B1. Автор: 정기현,정백운. Владелец: 미래산업주식회사. Дата публикации: 2001-05-15.

Burn-in test jig

Номер патента: KR940010258A. Автор: 가즈오 이노우에,히사시 오구모. Владелец: 니혼 고오세이 고무 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1994-05-24.

Holding device of burn-in test chip

Номер патента: KR950013605B1. Автор: 이규진. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1995-11-13.

Burn-in socket and burn-in test method using it

Номер патента: KR940027116A. Автор: 박재명,김구성. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1994-12-10.

burn-in test device having air volume guide

Номер патента: KR102168284B1. Автор: 유영돈. Владелец: 주식회사 두오텍. Дата публикации: 2020-10-21.

Burn-in testing device

Номер патента: EP0905521A2. Автор: Ryu Maeda. Владелец: MOLEX LLC. Дата публикации: 1999-03-31.

Burn-in test socket

Номер патента: WO1999050677A1. Автор: Akira Kaneshige,Tomohiro Nakano,Isanmu Yamamoto. Владелец: Molex Incorporated. Дата публикации: 1999-10-07.

Semiconductor chip burn-in test device possible approval of high speed frequency

Номер патента: KR100771560B1. Автор: 양재영. Владелец: 주식회사 두성기술. Дата публикации: 2007-10-30.

Burn-in test method and burn-in measurement program used therefor

Номер патента: JP4464237B2. Автор: 卓 佐々木. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-19.

Semiconductor test system being capable of virtual test and semiconductor test method thereof

Номер патента: KR100809598B1. Автор: 윤병희,서기명,변도훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-03-04.

Semiconductor device structure with stacked conductive plugs and method for preparing the same

Номер патента: US12051644B2. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device, formation method thereof, and package structure

Номер патента: US20130020618A1. Автор: Jiang Yan,Chao Zhao,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor device structure having fuse elements

Номер патента: US20240260259A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device structure

Номер патента: US12046310B2. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20240258310A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305208A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor devices and connection structure for semiconductor devices

Номер патента: CN1755928A. Автор: 廖忠志,吴启明,崔壬汾,林子贵,谢松均. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-04-05.

Semiconductor devices having a trench in a side portion of a conducting line pattern and methods of forming the same

Номер патента: US20060097390A1. Автор: Seung-Kun Lee,Chang-Hyeon Nam,Joong-Sup Choi,Chang-Moon Ahn,Wi-Seob Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

Semiconductor device having a step-like section on the back side of the substrate, and method for manufacturing the same

Номер патента: US6646325B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-11.

Semiconductor device including a structure for screening connectivity of a tsv

Номер патента: US20140014957A1. Автор: Byung Wook Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Carbon nanotube-based thermal interface materials and methods of making and using thereof

Номер патента: US20200066614A1. Автор: Baratunde Cola,Craig Green,Leonardo Prinzi. Владелец: Carbice Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

UNDER-BUMP METAL STRUCTURES FOR INTERCONNECTING SEMICONDUCTOR DIES OR PACKAGES AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20150137353A1. Автор: Gandhi Jaspreet S.,Wirz Brandon P.,Yeldandi Satish,Gambee Christopher J.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-05-21.

UNDER-BUMP METAL STRUCTURES FOR INTERCONNECTING SEMICONDUCTOR DIES OR PACKAGES AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20170287857A1. Автор: Gandhi Jaspreet S.,Wirz Brandon P.,Yeldandi Satish,Gambee Christopher J.. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

Electrode for semiconductor device including an alloy wiring layer for reducing defects in an aluminum layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US6066891A. Автор: Hiroyuki Yamane,Yoshihiko Isobe,Takeshi Yamauchi,Atsushi Komura,Tooru Yamaoka. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-23.

Method of manufacturing semiconductor device and support structure for semiconductor substrate

Номер патента: TW200539298A. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Ind Co. Дата публикации: 2005-12-01.

Semiconductor wafer for burn-in testing of integrated circuits

Номер патента: DE4444584A1. Автор: Hiroyuki Ban,Mitsuhiro Saitou,Kouji Numazaki. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1995-07-06.

Semiconductor device including copper wiring and via wiring having length longer than width thereof and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140306345A1. Автор: Yoshihisa Matsubara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-10-16.

Semiconductor Device with Shielding Structure for Cross-talk Reduction

Номер патента: US20190252326A1. Автор: Yu Chen-Hua,Tsai Chung-Hao,Chang Chih-Yuan,WANG Chuei-Tang,Huang Shih-Ya. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor Device with Shielding Structure for Cross-talk Reduction

Номер патента: US20200321288A1. Автор: Yu Chen-Hua,Tsai Chung-Hao,Chang Chih-Yuan,WANG Chuei-Tang,Huang Shih-Ya. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device with supporting structure for isolation and passivation layers

Номер патента: EP1922754A2. Автор: Soenke Habenicht,Heinrich Zeile,Ansgar Thorns. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2008-05-21.

Semiconductor device with supporting structure for isolation and passivation layers

Номер патента: WO2007017786A3. Автор: Soenke Habenicht,Heinrich Zeile,Ansgar Thorns. Владелец: Ansgar Thorns. Дата публикации: 2007-07-05.

Semiconductor Devices Having pFET with SiGe Gate Electrode and Embedded SiGe Source/Drain Regions and Methods of Making the Same

Номер патента: US20100297818A1. Автор: Jiang Yan,Roman Knoefler,Alois Gutmann,Jin-Ping Han,Yung Fu Chong,Jingyu Lian,Chris Stapelmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-25.

Semiconductor device having light-receiving elements and amplifying elements incorporated in the same chip and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040262619A1. Автор: Kenichiro Takahashi,Jea-Shik Shin,Kyeong-Ik Min. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor device having stress alleviating portion positioned at outer circumference of chip, wiring substrate, and method for producing the same

Номер патента: US20080203564A1. Автор: Hirokazu Honda,Souichirou Motoyoshi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor device and semiconductor structure for electrostatic protection

Номер патента: US20210305233A1. Автор: Yi-Hao Chen. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device with a field plate having a recessed region and an overhanging portion and method of fabrication therefor

Номер патента: EP4394885A1. Автор: Philippe Renaud,Jie Hu,Bernhard Grote,Bruce McRae Green,Congyong ZHU. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device with a field plate having a recessed region and an overhanging portion and method of fabrication therefor

Номер патента: US20240222443A1. Автор: Philippe Renaud,Jie Hu,Bernhard Grote,Bruce McRae Green,Congyong ZHU. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device having a dummy gate with a cut-out opening between adjacent fins and methods of forming the same

Номер патента: US11482420B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-10-25.

Integrated semiconductor device having isolation structure for reducing noise

Номер патента: US10074644B2. Автор: Jung Hwan Lee,Kyung Ho Lee,Hyun Chul Kim,In Chul Jung,Hee Baeg An. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-09-11.

Semiconductor device having gate electrode of stacked structure including polysilicon layer and metal layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040041213A1. Автор: Atsushi Azuma,Kazuya Ohuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-03-04.

Transistor layout structures for controlling sizes of transistors without changing active regions, and methods of controlling the same

Номер патента: US20080141204A1. Автор: Sung-Hoon Kim,Joung-yeal Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor device structure including a bonding structure

Номер патента: US20240153902A1. Автор: Shing-Yih Shih,Sheng-Fu Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for inspecting semiconductor device structure

Номер патента: US20190101586A1. Автор: Baohua Niu,Chi-Chun Lin,Chia-Nan Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device structures and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20220028800A1. Автор: Chun-Cheng Kuo,Chia-Chieh Hu,Yu-Hsiang CHAO,Yu-Hsing Lin,Jui-Tzu CHEN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12068271B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Hsun-Ying Huang,Chih-An Yang,Chih-Ming Lee,Chao-Ching Chang,Tsung-Wei Huang,Shang-Yen WU,Hung-Wei HO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Heat spreaders for use in semiconductor device testing, such as burn-in testing

Номер патента: US12078672B2. Автор: Xiaopeng Qu,Amy R. Griffin,Wesley J. Orme. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Switching power supply burn in test circuit

Номер патента: US20180196109A1. Автор: Gang Zheng,Shu Zou. Владелец: Dongguan Guanjia Electronic Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Burn-in board including strip socket with integrated heating for high volume burn-in of semiconductor devices

Номер патента: US11913989B2. Автор: Joseph Rascon,Aaron Moreno,Alberto Aguilera. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220148987A1. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200328170A1. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US11842970B2. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258253A1. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Localized onboard socket heating elements for burn-in test boards

Номер патента: WO2023149913A1. Автор: Tony Leong,Athipat Ratanavarinchai. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230010934A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Surface treated metal material for burn-in test socket, connector for burn-in test socket and burn-in test socket using the same

Номер патента: EP3521014A2. Автор: Satoru Endo. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2019-08-07.

Semiconductor chip contact structure, device assembly, and method of fabrication

Номер патента: US20210090972A1. Автор: Stefan Steinhoff. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Systems and methods for non-destructive inspection of semiconductor devices using reflective x-ray microscope tomographic imaging

Номер патента: US20230417687A1. Автор: Shogo Tomita,Michiaki Sano,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Mounting structure and method of mounting semiconductor device

Номер патента: US20010040791A1. Автор: Fumio Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Method for reading semiconductor die information in a parallel test and burn-in system

Номер патента: US20020085439A1. Автор: Keith White,Mark Eubanks. Владелец: Infineon Technologies Richmond LP. Дата публикации: 2002-07-04.

Semiconductor device structure having a profile modifier

Номер патента: US20230253214A1. Автор: Shih-En LIN,Jui-Lin Chin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device testing apparatus and methods of testing and fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230366853A1. Автор: Donghyun Lee,Younghoon Sohn,Sung Yoon Ryu,Sooseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor transistor device structure with back side source/drain contact plugs, and related manufacturing method

Номер патента: US20110169083A1. Автор: Bin Yang,Rohit Pal,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device having a test pattern same as conductive pattern to be tested and method for testing semiconductor device for short-circuit

Номер патента: US20010035525A1. Автор: Hiroaki Kikuchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-01.

Semiconductor devices and preparation methods thereof

Номер патента: US20230054495A1. Автор: Zengyan Fan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Vertical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160380093A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-12-29.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor package and method for manufacturing a semiconductor package

Номер патента: WO2023222204A1. Автор: Gilberto Curatola,Mirko Bernardoni,Lasse Petteri PALM. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device measurement method using x-ray scattering and semiconductor device manufacturing method including the measurement method

Номер патента: US20230380783A1. Автор: Hidong Kwak,Jaeyong Lee,Minjung Shin,Chuhee LEE,Seungryeol Oh,Byunghyun HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8928002B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140001482A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Pixel layout structure for raising capability of detecting amorphous silicon residue defects and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110230009A1. Автор: Wei-Chuan Lin,Lung-chuan Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING CELL REGION HAVING MOR SIMILAR CELL DENSITIES IN DIFFERENT HEIGHT ROWS, AND METHOD AND SYSTEM FOR GENERATING LAYOUT DIAGRAM OF SAME

Номер патента: US20200019667A1. Автор: LIN WEI-CHENG,TZENG JIANN-TYNG,YANG Hui-Ting,LAI Wei-An,YUAN Lipen. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

Optical coupling structure, semiconductor device, optical interconnect structure for multi-chip module, and manufacturing method for optical coupling structure

Номер патента: JP6172679B2. Автор: 祥瀚 徐,中川　茂,茂 中川. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-02.

Semiconductor integrated circuit device equipped with power make-up circuit used in burn-in test after packaging and method for testing the same

Номер патента: KR100348837B1. Автор: 다마끼사또시. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2002-08-17.

Semiconductor device including cell region having more similar cell densities in different height rows, and method and system for generating layout diagram of same

Номер патента: KR20200008526A. Автор: 후이-팅 양,지안-팅 쳉,웨이-청 린,웨이-안 라이,리펜 유안. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2020-01-28.

Semiconductor integrated circuit device equipped with power make-up circuit used in burn-in test after packaging and method for testing the same

Номер патента: US20020027226A1. Автор: Satoshi Tamaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-03-07.

Method for performing burn-in test

Номер патента: US20120139566A1. Автор: Koji Shimazawa,Masaaki Kaneko,Takashi Honda,Tsuguki Noma,Yoshito NISHIOKA,Yoichi Mugino. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

반도체 메모리의 번 인 테스트(Burn-In Test) 장치

Номер патента: KR940008674U. Автор: 최영근. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1994-04-21.

Semiconductor memory burn-in test circuit

Номер патента: JP3397850B2. Автор: チョイ ヨング−ケウン. Владелец: エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド. Дата публикации: 2003-04-21.

Burn-in test apparatus of semiconductor memory

Номер патента: KR960005387Y1. Автор: 최영근. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1996-06-28.

Method for performing burn-in test

Номер патента: US8957692B2. Автор: Koji Shimazawa,Masaaki Kaneko,Takashi Honda,Tsuguki Noma,Yoshito NISHIOKA,Yoichi Mugino. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2015-02-17.

Wafer burn-in test circuit

Номер патента: KR100845810B1. Автор: 안선모,김육희. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-07-14.

Pixel layout structure for raising capability of detecting amorphous silicon residue defects and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090267071A1. Автор: Wei-Chuan Lin,Lung-chuan Chang. Владелец: Century Display Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-29.

Pixel layout structure for raising capability of detecting amorphous silicon residue defects and method for manufacturing the same

Номер патента: US8159627B2. Автор: Wei-Chuan Lin,Lung-chuan Chang. Владелец: Century Display Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-17.

Benefit and semiconductor device made of a composite board with semiconductor chips and plastic housing composition and method for producing the same

Номер патента: DE102005026098B3. Автор: Michael Dipl.-Ing. Bauer,Kai Chong Chan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-01-04.

Structure for attaching temperature detecting member to busbar, wiring module and method for manufacturing wiring module

Номер патента: US20170328783A1. Автор: Osamu Nakayama,Ryouya OKAMOTO. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-11-16.

Structure for attaching temperature detecting member to busbar, wiring module and method for manufacturing wiring module

Номер патента: US20170328783A1. Автор: Osamu Nakayama,Ryouya OKAMOTO. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor device

Номер патента: US5552637A. Автор: Osamu Yamagata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-09-03.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20160126309A1. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Wei-Shuo HO,An-Lun LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-05.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: EP3945557A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240250017A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12046507B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device structure with conductive contacts of different widths and method for preparing the same

Номер патента: US20240258235A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device integration with an amorphous region

Номер патента: US20240105683A1. Автор: Anindya Nath,Rajendran Krishnasamy,Anupam DUTTA,Vvss Satyasuresh Choppalli,Robert Gauthier, Jr.,Xiang Xiang Lu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device structure with dielectric liner portions and method for preparing the same

Номер патента: US20240266294A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device structure with liner layer having tapered sidewall and method for preparing the same

Номер патента: US20240234313A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device structure with liner layer having tapered sidewall and method for preparing the same

Номер патента: US20240234314A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210090939A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device structure with interconnect structure having air gap

Номер патента: US12068193B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device structure integrating air gaps and methods of forming the same

Номер патента: US12068372B2. Автор: Kuan-Lun Cheng,Wen-Hsing Hsieh,Chih-Ching Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device structure with conductive via structure and method for forming the same

Номер патента: US20240274525A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Kuo-Chiang Tsai,Jeng-Ya Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device structure having protection caps on conductive lines

Номер патента: US11557508B2. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Ting-Li Yang,Sheng-Pin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-17.

Semiconductor device structure with protection cap and method for forming the same

Номер патента: US20190371653A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Ting-Li Yang,Sheng-Pin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor device structure with protection cap

Номер патента: US20200381293A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Ting-Li Yang,Sheng-Pin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device structure with stacked conductive plugs and method for preparing the same

Номер патента: US20240258231A1. Автор: Yi-Hsien CHOU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Conductive structures in semiconductor devices

Номер патента: US10867906B2. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Tien-Lu Lin,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-15.

Semiconductor device structure including forksheet transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20240178128A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Wei-Chih Kao,Hong-Chih Chen,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Structure and formation method of semiconductor device with backside contact

Номер патента: US12015060B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20240250141A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with multi-layer dielectric and methods of forming the same

Номер патента: US12057398B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device with contact structures

Номер патента: US20200020584A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Power semiconductor devices including multiple layer metallization

Номер патента: WO2024137213A1. Автор: Scott Allen,Brice Mcpherson,III Thomas Edgar HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device structure with protection cap

Номер патента: US20230154788A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Ting-Li Yang,Sheng-Pin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor device with contact structures

Номер патента: US20230290683A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device structures

Номер патента: US20180005942A1. Автор: Ting-You LIN,Chi-Li TU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US20210366762A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: EP4222781A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: WO2022072056A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-04-07.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: US20220102266A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12080751B2. Автор: Ling-Sung Wang,Kun-Ei Chen,Chen-Chieh Chiang,Jun-Nan Nian,Hsueh-Han Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device with protection structure and air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327823A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US12074193B2. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chih-Hung Su,Kuang-Yi Wu,Chi-Cheng Chen,Chun-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US20230238422A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chih-Hung Su,Kuang-Yi Wu,Chi-Cheng Chen,Chun-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Bonding contacts having capping layer and method for forming the same

Номер патента: US20210091033A1. Автор: YUAN Li,Liang Ma,Jie Pan,Xianjin Wan,Si Ping HU,Shu Liang Lv. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20170278756A1. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Wei-Shuo HO,An-Lun LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234637A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Mirng-Ji Lii,Chen-En Yen,Chin-Wei Kang,Cheng-Jen Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device structure

Номер патента: US12040364B2. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Chih-Cheng Lin,Ziwei Fang,I-Ming Chang,Chun-I Wu,Hsueh-Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device structure having air gap

Номер патента: US20240282623A1. Автор: Shau-Lin Shue,Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Hsin-Chieh Yao,Yu-Teng Dai,Wei-Hao Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device having hybrid bonding interface, method of manufacturing the semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device assembly

Номер патента: US20210242050A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Wafer level fan out semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243084A1. Автор: Sang Gyu Lee,Sung Kyu Kim,Jong Sik Paek,Sang Won Kim,Choon Heung Lee,In Bae Park,Boo Yang Jung. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234253A1. Автор: Woojin Lee,Wookyung You,Yeonggil Kim,Hoonseok Seo,Koungmin Ryu,Minjae KANG,Sangkoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: EP4401121A1. Автор: Woojin Lee,Wookyung You,Yeonggil Kim,Hoonseok Seo,Koungmin Ryu,Minjae KANG,Sangkoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor device, layout design method for the same and method for fabricating the same

Номер патента: US12068251B2. Автор: Byung Hyun Lee,Sang Do Park,Sung-Ok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor devices and methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US12069849B2. Автор: Daeik Kim,Bong-Soo Kim,Yoosang Hwang,Taejin Park,Jemin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device with fuse and anti-fuse structures and method for forming the same

Номер патента: US20220157717A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210090987A1. Автор: Hiroyuki Kawashima,Hitoshi Okano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device with a porous material layer stack with small ε with reduced UV sensitivity and method for its preparation

Номер патента: DE102006051496B4. Автор: Christof Streck,Volker Kahlert. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-09-25.

Structure for interconnecting copper with low dielectric constant medium and the integration method thereof

Номер патента: US20130187278A1. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-07-25.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Three-dimensional memory device structures and methods

Номер патента: US12052874B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Overlay measurement method and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240219845A1. Автор: Jeongjin Lee,Jinsun KIM,Seunghak Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Apparatuses and methods for testing semiconductor circuitry using microelectromechanical systems switches

Номер патента: US12099085B2. Автор: Padraig Fitzgerald,Eric James Carty,Erkan Acar,Patrick M. MCGUINNESS,Randy Oltman,Naveen Dhull,Derek W. Nolan. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US20150381169A1. Автор: Hidetomo Kobayashi,Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Method of generating layout and method of manufacturing semiconductor devices using same

Номер патента: US20190131139A1. Автор: Dong Hyun Kim,Sung Keun Park,Byung Sung Kim,Ho Jun Choi,In Wook OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-02.

3D semiconductor device, structure and methods with connectivity structures

Номер патента: US12029050B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

System and method for forming solder bumps

Номер патента: WO2021018466A1. Автор: Jae-Woong Nah,Jeng-Bang Yau,Peter Jerome Sorce,Eric Peter Lewandowski. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230282248A1. Автор: Yifei Yan,Huixian Lai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor devices including polar insulation layer capped by non-polar insulation layer

Номер патента: US9362367B2. Автор: John R. Williams,Leonard C. Feldman,Ayayi C. Ahyi,Yogesh K. Sharma,Tamara F Isaacs-Smith. Владелец: Rutgers State University of New Jersey. Дата публикации: 2016-06-07.

Method for forming a gate electrode of a semiconductor device, gate electrode structure for a semiconductor device and according semiconductor device structure

Номер патента: US20140264626A1. Автор: Ran Yan,Jan Hoentschel,Martin Trentzsch,Alban Zaka,Nicolas Sassiat,Carsten Grass. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for forming a gate electrode of a semiconductor device, gate electrode structure for a semiconductor device and according semiconductor device structure

Номер патента: SG2014012116A. Автор: Ran Yan,Jan Hoentschel,Martin Trentzsch,Alban Zaka,Nicolas Sassiat,Carsten Grass. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device capable of reducing dispersion in electrical characteristics and operating at high speed and method for fabricating the same

Номер патента: TW448474B. Автор: Yasumori Fukushima. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2001-08-01.

Chip packaging process including simplification and mergence of burn-in test and high temperature test

Номер патента: TW200917400A. Автор: Wen-Jeng Fan,Li-Chih Fang. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Burn-in test jig for semiconductor device and burn-in test method

Номер патента: JP3189812B2. Автор: 洋 松岡. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-16.

Semiconductor Devices Including Polar Insulation Layer Capped by Non-Polar Insulation Layer

Номер патента: US20150318358A1. Автор: John R. Williams,Leonard C. Feldman,Ayayi C. Ahyi,Tamara F. Isaacs-Smith,Yogesh K. Sharma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-11-05.

Epitaxy wavelength conversion element, light-emitting semiconductor component, and methods for producing the epitaxy wavelength conversion element and the light-emitting semiconductor component

Номер патента: US20200411731A1. Автор: Tansen Varghese,Martin Rudolf Behringer,Alexander Tonkikh. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-12-31.

Jig and method for performing burn-in test on semiconductor device

Номер патента: JP2000150591A. Автор: Hiroshi Matsuoka,洋 松岡. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200403125A1. Автор: Masaki ODAWARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor device structures with capacitor containers and contact apertures having increased aspect ratios and methods for making the same

Номер патента: US20040124499A1. Автор: Lingyi Zheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor device containing tubular liner spacer for lateral confinement of self-aligned silicide portions and methods of forming the same

Номер патента: WO2021177991A1. Автор: Fumitaka Amano,Yosuke Kita. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-09-10.

Intermediate Structure for Transfer, Method for Preparing Micro-device for Transfer, and Method for Processing Array of Semiconductor Device

Номер патента: US20170278760A1. Автор: Lin Shih-Chyn,CHANG CHUN-YI,CHEN Li-Yi,CHANG Pei-Yu,CHAN Chih-Hui,LEE Hsin-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

Electronic device structure including a buffer layer on a base layer

Номер патента: EP2596521A1. Автор: Qingchun Zhang,Anant Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-05-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A GATE ELECTRODE ON A PROTRUDING GROUP III-V MATERIAL LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160197161A1. Автор: CHO Young-Jin,Hong Ki-ha,LEE Sang-moon,KIM Kyoung-yeon,HWANG Eui-chul. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A GATE ELECTRODE ON A PROTRUDING GROUP III-V MATERIAL LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150200285A1. Автор: CHO Young-Jin,Hong Ki-ha,LEE Sang-moon,KIM Kyoung-yeon,HWANG Eui-chul. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A GATE ELECTRODE ON A PROTRUDING GROUP III-V MATERIAL LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150255592A1. Автор: CHO Young-Jin,Hong Ki-ha,LEE Sang-moon,KIM Kyoung-yeon,HWANG Eui-chul. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A GATE ELECTRODE ON A PROTRUDING GROUP III-V MATERIAL LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160322488A1. Автор: CHO Young-Jin,Hong Ki-ha,LEE Sang-moon,KIM Kyoung-yeon,HWANG Eui-chul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device including a gate electrode on a protruding group III-V material layer and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US9343564B2. Автор: Young-Jin Cho,Sang-Moon Lee,Ki-ha Hong,Kyoung-Yeon Kim,Eui-chul HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A FILLING CONDUCTOR COMPRISING A PLUG PORTION AND A CAP PORTION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170243869A1. Автор: Chang Che-Cheng,LIN Chih-Han,Tseng Horng-Huei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor device having compound semiconductor fet of E/D structure with high noise margin and method for manufacturing the same

Номер патента: EP0348944A2. Автор: Hikaru C/O Nec Corporation Hida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-01-03.

Semiconductor device components with structures for stabilizing the semiconductor device components upon flip-chip arrangement with high-level substrates

Номер патента: US20050269714A1. Автор: Salman Akram,Sayed Ahmad. Владелец: Ahmad Sayed S. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor device with edge region in which a zone of porous material is formed and method for its production and semiconductor wafer

Номер патента: DE102008038342B4. Автор: Dr. Schulze Hans-Joachim,Dr. Mauder Anton,Dr. Timme Hans-Joerg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-08-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING GATE STRUCTURE FOR THRESHOLD VOLTAGE MODULATION IN TRANSISTORS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150129973A1. Автор: JI Yun-Hyuck,Kim Hyung-Chul,LEE Seung-Mi,Jang Se-Aug. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-05-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING GATE STRUCTURE FOR THRESHOLD VOLTAGE MODULATION IN TRANSISTORS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160148934A1. Автор: JI Yun-Hyuck,Kim Hyung-Chul,LEE Seung-Mi,Jang Se-Aug. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING BIASING STRUCTURE FOR SELF-ISOLATING BURIED LAYER AND METHOD THEREFOR

Номер патента: US20180315747A1. Автор: Agam Moshe,Janssens Johan Camiel Julia,Suwhanov Agajan,GREENWOOD Bruce,HOSE Sallie. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2018-11-01.

Unloading apparatus for burn in board

Номер патента: KR200156150Y1. Автор: 이한웅. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-09-01.

Semiconductor device with an electric field modification structure, and corresponding integrated circuit, fabrication method and method of increasing breakdown voltage

Номер патента: EP2824710B1. Автор: Edward John Coyne,Breandan Pol Og O Hannaidh,Seamus P. Whiston,William Alan Lane,Donal P. Mcauliffe. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2020-05-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING COPPER WIRING AND VIA WIRING HAVING LENGTH LONGER THAN WIDTH THEREOF AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140057432A1. Автор: MATSUBARA Yoshihisa. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-27.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND SYSTEMS WITH CHANNEL OPENINGS OR PILLARS EXTENDING THROUGH A TIER STACK, AND METHODS OF FORMATION

Номер патента: US20200119038A1. Автор: Hopkins John D.,Dorhout Justin B.,Fazil Damir,Lomeli Nancy M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device containing tubular liner spacer for lateral confinement of self-aligned silicide portions and methods of forming the same

Номер патента: US20210280686A1. Автор: Fumitaka Amano,Yosuke Kita. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device having an edge termination area with trench electrodes at different electric potentials, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20200328303A1. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Harsh Naik,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip,Adam Amali. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor device with a field-effect transistor having a lower resistance impurity diffusion layer, and method of manufacturing the same

Номер патента: US5733812A. Автор: Satoshi Ueda,Tetsuya Ueda,Takashi Uehara,Kousaku Yano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-31.

Semiconductor device capable of improving adhesion characteristic between upper electrode and interlayer insulating layer and method for forming the same

Номер патента: KR100604662B1. Автор: 최은석,염승진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-25.

Semiconductor device comprising on conductive layer pattern buffer layer having an endurance for etching and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100459688B1. Автор: 이정우,이재한. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-01-17.

Capacitor of a semiconductor device having low contact resistance between a lower electrode and a contact plug and method for fabricating the same

Номер патента: KR100652354B1. Автор: 조학주. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-11-30.

Semiconductor device and driver circuit having drain and isolation structure interconnected through diode circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: JP6183996B2. Автор: チェン ワイズ,エム．ボーデ フーバート,ジェイ．デ ソウザ リチャード,ジェイ．デ ソウザ リチャード,エム．パリス パトリス. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-23.

MONOLITHIC SEMICONDUCTOR DEVICE WITH RECESSED INSULATION PATTERN AND FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH INSULATED GATE ELECTRODE AND METHOD FOR MAKING SAME

Номер патента: AT351597B. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1979-08-10.

Semiconductor device including transistor with composite gate structure and transistor with single gate structure, and method for manufacturing the same

Номер патента: US7452774B2. Автор: Katsuki Hazama. Владелец: Pegre Semiconductors LLC. Дата публикации: 2008-11-18.

Semiconductor devices and systems with channel openings or pillars extending through a tier stack, and methods of formation

Номер патента: US10825828B2. Автор: Justin B. Dorhout,John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI,Damir Fazil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-03.

Semiconductor device including transistor with composite gate structure and transistor with single gate structure, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070029596A1. Автор: Katsuki Hazama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor device including transistor with composite gate structure and transistor with single gate structure, and method for manufacturing the same

Номер патента: US6787844B2. Автор: Katsuki Hazama. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2004-09-07.

Semiconductor device having silicide film formed in a part of source-drain diffusion layers and method of manufacturing the same

Номер патента: US6770942B2. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-08-03.

Semiconductor device haivng silicide film formed in a part of source-drain diffusion layers and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040007745A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-01-15.

Semiconductor device formed on a silicon surface that has a plane orientation of <110> and method of manufacturing the same

Номер патента: TW561588B. Автор: Tadahiro Ohmi,Shigetoshi Sugawa. Владелец: Tadahiro Ohmi. Дата публикации: 2003-11-11.

Chip packaging process including simplification and mergence of burn-in test and high temperature test

Номер патента: TWI339871B. Автор: Wen Jeng Fan,Li Chih Fang. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2011-04-01.

INTEGRATED SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ISOLATION STRUCTURE FOR REDUCING NOISE

Номер патента: US20180182747A1. Автор: Kim Hyun Chul,Lee Jung Hwan,LEE Kyung Ho,AN Hee Baeg,JUNG In Chul. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2018-06-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING BUFFER STRUCTURE FOR EXTERNAL TERMINALS

Номер патента: US20210235579A1. Автор: Miyasaka Toshiyuki,HINATA Yuichiro. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2021-07-29.

LATERALLY DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE WITH ISOLATION STRUCTURES FOR RECOVERY CHARGE REMOVAL

Номер патента: US20180233561A1. Автор: Edwards Henry Litzmann. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH TERMINATION STRUCTURE FOR POWER MOSFET APPLICATIONS

Номер патента: US20150333174A1. Автор: Yilmaz Hamza,Calafut Daniel,Bobde Madhur,Wang Xiaobin,Lee Yeeheng,Chang Hong,Kim Jongoh,Pan Ji. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

INTEGRATED SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ISOLATION STRUCTURE FOR REDUCING NOISE

Номер патента: US20180342497A1. Автор: Kim Hyun Chul,Lee Jung Hwan,LEE Kyung Ho,AN Hee Baeg,JUNG In Chul. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2018-11-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH CONDUCTING STRUCTURE FOR REDUCING PARASITIC CAPACITANCE AND IMPROVING RC DELAY

Номер патента: US20200388676A1. Автор: Lin Chrong-Jung,Chen Wen-Chung,WEN Wen-Hua,LIU Chia-Shen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device having trench structure for element isolating regions and fabricating method therefor.

Номер патента: EP0631307A3. Автор: Shigeru Morita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-10-08.

Semiconductor device with termination structure for power MOSFET applications

Номер патента: US9356022B2. Автор: Ji Pan,Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Hong Chang,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Daniel Calafut,Jongoh Kim. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device with capacitor structure for improving area utilization

Номер патента: US20060263976A1. Автор: Shuji Sakamoto. Владелец: Seiko NPC Corp. Дата публикации: 2006-11-23.

Electronic device structure including a buffer layer on a base layer

Номер патента: US20120018737A1. Автор: Qingchun Zhang,Anant Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor integrated circuit device and burn-in test method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: JP2826404B2. Автор: 浩一 長谷川. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-11-18.

Structure for detecting ion implantation abnormality, method for manufacturing same, and method for detecting ion implantation abnormality

Номер патента: CN107316856B. Автор: 史江北. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-02-07.

Isolation structures for preventing photons and carriers from reaching active areas and methods of formation

Номер патента: US7400004B2. Автор: Bryan G. Cole,Troy Sorensen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-07-15.

Isolation structures for preventing photons and carriers from reaching active areas and methods of formation

Номер патента: US20060220069A1. Автор: Bryan Cole,Troy Sorensen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-05.

Structure for protecting the pattern of microelectronic devices from corrosion and method of forming the same

Номер патента: JP5165247B2. Автор: トニー ディー． フレイム,チェンオン リ,キンバリー エー． ルーベン. Владелец: ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー．. Дата публикации: 2013-03-21.

Isolation structures for preventing photons and carriers from reaching active areas and methods of formation

Номер патента: US20060286766A1. Автор: Bryan Cole,Troy Sorensen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-21.

Growth structure for strained channel, and strained channel using the same and method of manufacturing device using the same

Номер патента: US20220216338A1. Автор: Sanghyeon Kim,Hyeongrak LIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12087851B2. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Junhui Ma. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240243029A1. Автор: Hang Liao,Chunhua ZHOU,Qingyuan HE. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device structure with conductive bumps

Номер патента: US20240258259A1. Автор: Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Kai-Jun Zhan,Yung-Sheng Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device structures

Номер патента: US20210125943A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Karuna NIDHI,Yu-Kai Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device structure comprising source and drain protective circuits against electrostatic discharge (esd)

Номер патента: US20220415828A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Karuna NIDHI,Yu-Kai Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Bonding structure and method thereof

Номер патента: US20240304580A1. Автор: Hsiang-Fu Chen,Wen-Chuan Tai,Fan Hu,Li-Chun Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Package structure for semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US12040241B2. Автор: CHEN Liu,Yuming Zhang,Hongliang LV. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: EP2873094A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-20.

Versatile system for charge dissipation in the formation of semiconductor device structures

Номер патента: US20070057247A1. Автор: Weidong Tian,Zafar Imam,Bradley Sucher. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Versatile system for charge dissipation in the formation of semiconductor device structures

Номер патента: US20060214170A1. Автор: Weidong Tian,Zafar Imam,Bradley Sucher. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-09-28.

Versatile system for charge dissipation in the formation of semiconductor device structures

Номер патента: US20060033173A1. Автор: Weidong Tian,Zafar Imam,Bradley Sucher. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-16.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: WO2014011638A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-01-16.

High-voltage-withstanding semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20080111192A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

Cutting method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050012193A1. Автор: Kiyoshi Mita,Koujiro Kameyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor device assemblies including monolithic silicon structures for thermal dissipation and methods of making the same

Номер патента: EP4427268A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Writing medium with data structure for control over playing back of recorded static images and methods and devices for writing and playing back

Номер патента: RU2330332C2. Автор: Бён Джин КИМ,Ган Су СО,Сон Хён ЫМ,Чхан Пум КИМ,Тхэ Хо КИМ. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2008-07-27.

Recording medium with data structure for controlling video data and supplementary content data thereof and methods and devices for recording and playing back

Номер патента: RU2360304C2. Автор: Пюн Чин КИМ,Чеа Ён ЁУ. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2009-06-27.

Semiconductor device with integrated heat distribution and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290761A1. Автор: Ron Huemoeller,Bora Baloglu,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor Devices and Manufacturing Methods Thereof

Номер патента: US20160307928A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device structure with fluorine-catching layer

Номер патента: US20230378070A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device structures and printed circuit boards comprising semiconductor devices

Номер патента: US20130228922A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170365514A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240249975A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

System and methods for semiconductor burn-in test

Номер патента: EP3465238A1. Автор: Ballson Gopal,Jessie KILLION. Владелец: Kes Systems Inc. Дата публикации: 2019-04-10.

Micro-system for burn-in system program from a plug-able subsystem into main memory and method thereof

Номер патента: US20040255178A1. Автор: Chi-Cheng Hung. Владелец: Cheertek Inc. Дата публикации: 2004-12-16.

Combined board construction for burn-in and burn-in equipment for use with combined board

Номер патента: US5574384A. Автор: Kenichi Oi. Владелец: Tabai Espec Co Ltd. Дата публикации: 1996-11-12.

Automated loading/unloading of devices for burn-in testing

Номер патента: US20080169832A1. Автор: Wan Yen TEOH,Paiboon SUBPANYADEE,Kurt Joseph PEREZ,Chai Soon TEO,Swee Hin ONG. Владелец: ONG Swee HIN. Дата публикации: 2008-07-17.

Automated loading/unloading of devices for burn-in testing

Номер патента: US20070159198A1. Автор: Wan Yen TEOH,Paiboon SUBPANYADEE,Kurt Joseph PEREZ,Chai Soon TEO,Swee Hin ONG. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-07-12.

Fixture for burn-in testing of semiconductor wafers, and a semiconductor wafer

Номер патента: US5424651A. Автор: Robert S. Green,Larren G. Weber. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-06-13.

Burn-in apparatus for burning-in microwave transistors

Номер патента: US20010001291A1. Автор: Akira Inoue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-17.

Semiconductor device and burn-in test method thereof

Номер патента: US20210123972A1. Автор: Koji Suzuki,Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device generating a test voltage for a wafer burn-in test and method thereof

Номер патента: US20070165470A1. Автор: Hi-choon Lee,Jin-hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-19.

Reusable die carrier for burn-in and burn-in process

Номер патента: US6025732A. Автор: Paul Burke,See-Hack Foo,Rhea Posedel,Larry Lape,James Wrenn,Ernie Wang,Carl Buck. Владелец: Aehr Test Systems Inc. Дата публикации: 2000-02-15.

Probe head comprising pogo pins for wafer-level burn-in test

Номер патента: EP4382920A1. Автор: Giuseppe Amelio. Владелец: Microtest SpA. Дата публикации: 2024-06-12.

Wafer-level burn-in testing of integrated circuits

Номер патента: US5047711A. Автор: William H. Smith,Chau-Shiong Chen. Владелец: Silicon Connections Corp. Дата публикации: 1991-09-10.

Testing system for evaluating integrated circuits, a burn-in testing system, and a method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20010039065A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Monitored burn-in test system and monitored burn-in test method of microcomputers

Номер патента: EP1136832A2. Автор: Kazuyoshi Ajiro. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-09-26.

Burn-in test method for a semiconductor chip and burn-in test apparatus therefor

Номер патента: US20020050813A1. Автор: Shigehisa Yamamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Burn-in testing apparatus

Номер патента: US20120326740A1. Автор: Li-Hsun Chen,Chi-Ren Chen,Chiang-Cheng FAN. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Burn-in testing apparatus

Номер патента: US8779788B2. Автор: Li-Hsun Chen,Chi-Ren Chen,Chiang-Cheng FAN. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2014-07-15.

High-pressure burn-in test apparatus

Номер патента: US20210356506A1. Автор: Yi-Ming Hung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-11-18.

High-pressure burn-in test apparatus

Номер патента: US11385275B2. Автор: Yi-Ming Hung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-07-12.

Sequential Burn-In Test Mechanism

Номер патента: US20140062515A1. Автор: Victor Zia,Arman Vassighi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Probe apparatus having burn-in test function

Номер патента: US5568054A. Автор: Shinji Iino,Itaru Iida. Владелец: Tokyo Electron Yamanashi Ltd. Дата публикации: 1996-10-22.

Wafer burn-in test circuit for a semiconductor memory device

Номер патента: US5986917A. Автор: Yun-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-11-16.

Burn-in station for performing burn-in testing of electronic devices

Номер патента: EP4286862A1. Автор: Giuseppe Amelio. Владелец: Microtest SpA. Дата публикации: 2023-12-06.

Wafer burn-in test circuit and semiconductor memory including the same

Номер патента: US20180120374A1. Автор: Young Jae Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor component burn-in test module and burn-in test equipment

Номер патента: US11500012B2. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hung Tsai,Kuo-Jung Wu,Hsing-Yueh LIANG,Po-Wei LIAO. Владелец: King Yuan Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-15.

Semiconductor component burn-in test module and burn-in test equipment

Номер патента: US20220043052A1. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hung Tsai,Kuo-Jung Wu,Hsing-Yueh LIANG,Po-Wei LIAO. Владелец: King Yuan Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Display panel and burn-in test method of the display panel

Номер патента: US20240168081A1. Автор: Jida HOU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Probe head for wafer-level burn-in test (WLBI) and probe card comprising said probe head

Номер патента: US20240183882A1. Автор: Giuseppe Amelio. Владелец: Microsoft SpA. Дата публикации: 2024-06-06.

Burn-in testing of circuits

Номер патента: US20180335471A1. Автор: Human Boluki,Rex Kho,Markus Schuemmer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-22.

Burn-in test socket apparatus

Номер патента: US5865639A. Автор: Masahiro Fuchigami,Salvatore P. Rizzo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-02-02.

A semiconductor test and burn-in apparatus provided with a high current power connector for combining power planes

Номер патента: US20050112936A1. Автор: John Blondin,Gene Patrick. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-05-26.

Semiconductor Device Structures for Bipolar Junction Transistors and Methods of Fabricating Such Structures

Номер патента: US20080003757A1. Автор: Louis Lu-Chen Hsu,Kangguo Cheng,Jack Allan Mandelman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Lamination structure for second generation high-temperature superconducting (2g-hts) tape and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274326A1. Автор: Wei Wu,Yue Zhao,Yue Wu,Chunjiang Guo. Владелец: Supermag Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

ROLLER MECHANISM FOR BURN-IN SOCKET

Номер патента: US20200127414A1. Автор: GATTUSO ANDREW DAVID,CHEN MING-YUE,LIU XIAO-TONG,KODALI PRADEEP. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

Superconductor wire material having structure for inhibiting crack, superconducting power cable using the same and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2006057528A1. Автор: Byoung-Kwang Lee,Hyung-mok Kim,Bong-Ki Ji,Do-woon Kim. Владелец: LS CABLE LTD.. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20190164835A1. Автор: Tuoh-Bin Ng,Chii-Horng Li,Li-Li Su,Yi-Fang Pai,Wei-Hao LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device structure with fine boron nitride spacer patterns and method for forming the same

Номер патента: US20220037155A1. Автор: Pei-Cheng Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device structure with source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222434A1. Автор: Feng-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266396A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Che-Lun Chang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12068391B2. Автор: King Yuen Wong,Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Contact structure with arched top surface and fabrication method thereof

Номер патента: US20240266412A1. Автор: Kuo-Hua Pan,Ruoh-Ning TZENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230018480A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Po-Yu Lin,Wei-Han Fan,Tzu-Hua Chiu,Kuan-Hao CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device structure with nanostructure and method for forming the same

Номер патента: US20220238647A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor Device Structure and Method for Manufacturing the same

Номер патента: US20120043593A1. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-02-23.

Termination structure for insulated gate semiconductor device and method

Номер патента: US20210135019A1. Автор: Zia Hossain,Mohammed Tanvir Quddus,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210313449A1. Автор: Pinyen Lin,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Sidewall dopant shielding methods and approaches for trenched semiconductor device structures

Номер патента: US12094926B2. Автор: Sei-Hyung Ryu,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Termination structure for insulated gate semiconductor device and method

Номер патента: US20200006579A1. Автор: Zia Hossain,Mohammed Tanvir Quddus,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Temperature maintenance System of Probe Card for Wafer Burn-In Test

Номер патента: KR100671485B1. Автор: 이승현,주홍철,이태교,이승국. Владелец: 주식회사 씨너텍. Дата публикации: 2007-01-19.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20230041837A1. Автор: Wei-Lin Chen,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yu-Cheng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Cointegrated semiconductor structures for different voltage transistors

Номер патента: US20210202480A1. Автор: Alessio Spessot,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150187940A1. Автор: Kuan-Yu Lin,Kai-Hsiang Chang,Ming-Shan Tsai,Shin-Yeh HUANG,Chih-Chen JIANG,Yi-Wei PENG,Ching-Lun Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device structure having air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210265218A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Chia-Lin Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Superconductor Wire Material Having Structure For Inhibiting Crack, Superconductor Power Cable Using The Same And Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20070191232A1. Автор: Byoung-Kwang Lee,Hyung-mok Kim,Bong-Ki Ji,Do-woon Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-16.

Supporting structure for improving short-circuit resisting ability of power transformer and realizing method thereof

Номер патента: CN105575630A. Автор: 王恩龙,党艳阳,马嫱. Владелец: Tebian Electric Apparatus Stock Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-11.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US12034062B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju,Zhi-Chang Lin,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device structure with fine conductive contact and method for preparing the same

Номер патента: US20230034084A1. Автор: Cheng-Ling Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230290859A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240274717A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240234419A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien Ning Yao,Lo Heng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Fin field effect transistor (finFET) device structure with ultra-thin body and method for forming the same

Номер патента: US10361085B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Yung-Chun Wu,Cheng-Chieh LAI,Mu-Shih YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-23.

Fin field effect transistor (finfet) device structure with ultra-thin body and method for forming the same

Номер патента: US20170213738A1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Yung-Chun Wu,Cheng-Chieh LAI,Mu-Shih YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Device structure, layout and fabrication method for uniaxially strained transistors

Номер патента: US20120261762A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Devendra K. Sadana,Ali Khakifirooz,Stephen W. Bedell,Huiming Bu,Chun-Chen Yeh,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230127045A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device structure with dielectric dummy gate and method for forming the same

Номер патента: US20230261076A1. Автор: Tung-Heng Hsieh,Sheng-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20240297227A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150056730A1. Автор: Myung cheol Yoo,Sang Don Lee,Se Jong Oh,Kyu Sung Hwang,Moo Keun Park. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Contact structure with silicide and method for forming the same

Номер патента: US12080769B2. Автор: Mei-Yun Wang,Shih-Chieh Wu,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Kai-Hsuan LEE,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Shih-Che Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device structure with inner spacer layer and method for forming the same

Номер патента: US20230215936A1. Автор: Pinyen Lin,Fang-Wei Lee,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Chansyun David Yang,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Structure for joining electric wire and terminal, resistance-welding electrode, and method for joining electric wire and terminal

Номер патента: US20150099406A1. Автор: Shunya TSUGE. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2015-04-09.

ION BEAM APPARATUS INCLUDING SLIT STRUCTURE FOR EXTRACTING ION BEAM, ETCHING METHOD USING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC MEMORY DEVICE USING THE ION BEAM APPARATUS

Номер патента: US20180158643A1. Автор: Park Jongchul. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

ELECTRODE STRUCTURE, ELECTRODE STRUCTURE FOR POSITIVE ELECTRODE OF METAL-AIR BATTERY COMPRISING SAME, AND METHODS FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20220407149A1. Автор: Lee Jung-Ho,Shinde Sambhaji Shivaji,Kim Dong-Hyung. Владелец: Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University ERICA Campus. Дата публикации: 2022-12-22.

Structure for nanoqueous electrolyte secondary batteries, nonaqueous electrolyte secondary battery, and method for producing said structure

Номер патента: KR101822250B1. Автор: 요시유키 나가사와,아야 타케우치,유사쿠 이나바,타미토 이가라시. Владелец: 가부시끼가이샤 구레하. Дата публикации: 2018-01-25.

Systems and methods for fabricating FinFETs with different threshold voltages

Номер патента: US12027522B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device structure including a bonding structure

Номер патента: US20240153900A1. Автор: Shing-Yih Shih,Sheng-Fu Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240243186A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12040329B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US12087768B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Zhi-Chang Lin,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device structure with contact structure and method for forming the same

Номер патента: US20240313065A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Face plate structure for cathode ray tube reducing reflection by eliminating halo and method therefor

Номер патента: JPS55150533A. Автор: Dei Temupuru Maikeru,Danieru Rankooto Jieemusu,Uiriamu Anson Eritsuku. Владелец: Optical Coating Laboratory Inc. Дата публикации: 1980-11-22.

Structure for composite materials of positive temperature coefficient thermistor devices and method of making the same

Номер патента: US6590491B2. Автор: Ren-Haur Hwang,Der-Yang Liu,Chen-Ron Lin. Владелец: Protectronics Technology Corp. Дата публикации: 2003-07-08.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776B1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-12-11.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776A3. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-09-12.

Improved cmos devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same

Номер патента: EP2041785A1. Автор: Thomas Dyer,Xiangdong Chen,Haining Yang,Kenneth Settlemeyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250161A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Metal gate structures for field effect transistors and method of fabrication

Номер патента: WO2014149128A1. Автор: Naomi Yoshida,Adam Brand. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-09-25.

Improved cmos devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same

Номер патента: WO2008000556A1. Автор: Thomas Dyer,Xiangdong Chen,Haining Yang,Kenneth Settlemeyer. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2008-01-03.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230197850A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Pei-Yu Wang,Cheng-Ting Chung,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210384080A1. Автор: Huaxiang Yin,Jinbiao Liu,Junfeng Li,Junjie Li,Guilei Wang,Henry H. Radamson,Zhenzhen KONG. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294815A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230402455A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Jih-Jse Lin,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,Sheng-Yi Hsiao,Tzu-Ging LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240243015A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240250153A1. Автор: Zhen-Cheng Wu,Kun-Yi Lin,Chi On Chui,Tai-Jung Kuo,Yunn-Shiuan LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20220271148A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device structure with inner spacer

Номер патента: US20230299204A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device structure with nanostructure

Номер патента: US20230207625A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device structure with backside contact

Номер патента: US20240290851A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US10050116B2. Автор: Hung-Wen Su,Ming-Hsing Tsai,Sheng-Hsuan Lin,Ya-Lien Lee,Hung-Chang Hsu,Rueijer Lin,Hsiao-Ping Liu,Yen-Shou Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

Super-Junction Semiconductor Device Comprising Junction Termination Extension Structure and Method of Manufacturing

Номер патента: US20160322490A1. Автор: Hans Weber,Franz Hirler,Andreas Voerckel,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220376096A1. Автор: Peng-Yi Wu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device structure and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2007072021A1. Автор: Arnab Basu,Max Robinson,Ben Cantwell,Andy Brinkman. Владелец: Durham Scientific Crystals Limited. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12027597B2. Автор: Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Jia-Ying Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12034070B2. Автор: Peng-Yi Wu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20220223736A1. Автор: Chung-Ting Ko,Bo-Cyuan Lu,Chi-On CHUI,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device structure with silicide layer

Номер патента: US20230260793A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Kuo-Cheng Chiang,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190043977A1. Автор: Yi Pei,Chenggong YIN. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor Device Active Region Profile and Method of Forming the Same

Номер патента: US20230117516A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20220037491A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130134516A1. Автор: Qiuxia Xu,Huajie Zhou. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor device structure and manufacturing method

Номер патента: US20150262955A1. Автор: Chun-Jen Chen,Yi-Chen Liu,Yi-Jen LAI,Hsi-Kuei Cheng,Yung-Sheng Liu,Li-Guo LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US8932927B2. Автор: Qiuxia Xu,Huajie Zhou. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-01-13.

Self-aligned inner spacer on gate-all-around structure and methods of forming the same

Номер патента: US11749742B2. Автор: Pang-Yen Tsai,Pei-Wei Lee,Tsungyu Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device with fin structures

Номер патента: US12080602B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170133490A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Structure of Semiconductor Device Structure Having Fins

Номер патента: US20200312985A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20180308956A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Structure of semiconductor device structure having fins

Номер патента: US10686059B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-16.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240274473A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Yao-Sheng Huang,Jung-Hung CHANG,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014213A1. Автор: Zheng Lv,Xunyi SONG,Chihsen Huang. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device with air gaps between metal gates and method of forming the same

Номер патента: US12100625B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240321985A1. Автор: Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Jia-Ying Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

High voltage semiconductor device comprising a combined junction terminal protection structure with a ferroelectric material

Номер патента: US20240088216A1. Автор: Min-Hwa Chi,Min Li,Richard Ru-Gin Chang. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11088274B2. Автор: Zhongping Liao. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2021-08-10.

Semiconductor device structures and fabrication methods thereof

Номер патента: WO2018223967A1. Автор: Rongfu ZHU. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device structure with spacer

Номер патента: US12040237B2. Автор: Chun-Sheng Liang,Ming-Heng Tsai,Yi-Ren CHEN,Shih-Hsun Chang,Pei-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and semiconductor device structure

Номер патента: US20020096784A1. Автор: Hitoshi Shibue,Koichi Kamikuri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Gate-All-Around Device with Protective Dielectric Layer and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240250142A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12062693B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210336053A1. Автор: Zhongping Liao. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240266424A1. Автор: Hsu Ming Hsiao,Hsiu-Hao Tsao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor Device Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20210013338A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170084499A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US10014394B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US9899271B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device structure with work function layer and method for forming the same

Номер патента: US20240322009A1. Автор: Po-Chi WU,Ming-Chia Tai,Chang-Yin Chen,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with gate recess and methods of forming the same

Номер патента: US20240306360A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device structure with inner spacer layer

Номер патента: US20240234549A1. Автор: Pinyen Lin,Fang-Wei Lee,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Chansyun David Yang,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20170317097A1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor device structure with recessed ohmic contacts and method for producing the same

Номер патента: EP4374429A1. Автор: Ding-Yuan Chen,Jr-Tai Chen,Niklas RORSMAN. Владелец: SweGaN AB. Дата публикации: 2024-05-29.

Semiconductor device structure with recessed ohmic contacts and method for producing the same

Номер патента: WO2023001762A1. Автор: Ding-Yuan Chen,Jr-Tai Chen,Niklas RORSMAN. Владелец: SweGaN AB. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device structure with recessed ohmic contacts and method for producing the same

Номер патента: EP4123721A1. Автор: Ding Yuan Chen,Jr-Tai Chen,Niclas Rorsman. Владелец: SweGaN AB. Дата публикации: 2023-01-25.

Method of forming contact hole and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060134910A1. Автор: Pin-Yao Wang,Min-San Huang,Leon Lai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Methods of forming a masking pattern and a semiconductor device structure

Номер патента: US20160260606A1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240120391A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device structure with dielectric layer

Номер патента: US12051746B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120292699A1. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266395A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12068370B2. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Chi-Yi Chuang,Cheng-Ting Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor Devices and Methods

Номер патента: US20230299159A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device including a stacked wire structure

Номер патента: US20170148907A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Hsien Wu,Chih-Chieh Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor device structure with glue layer and method for forming the same

Номер патента: US20230290638A1. Автор: Chia-Wei Chen,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Chih-Yu Hsu,Cheng-Hong Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for forming semiconductor device structure with metal silicide layer

Номер патента: US20200044035A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Method for forming semiconductor device structure with metal silicide layer

Номер патента: US20200365696A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20160351700A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Composite substrate and method for manufacturing the same, and semiconductor device structure

Номер патента: US20240258321A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240313047A1. Автор: Chun-Yi Chang,Fu-Hsiang Su,Shih-Hsun Chang,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US12100765B2. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Improved bonding structures for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240321817A1. Автор: Chin-Fu Kao,Amram Eitan,Kai-Hsiang Yang,Ju-Pin Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220320283A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device structure with recessed spacer

Номер патента: US20200395253A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ming-Heng Tsai,Yi-Ren CHEN,Shih-Hsun Chang,Pei-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20190109051A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ming-Heng Tsai,Yi-Ren CHEN,Shih-Hsun Chang,Pei-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Semiconductor Structure with Resistor Layer and Method for Forming the Same

Номер патента: US20180026031A1. Автор: Yu-Hung Lin,Hon-Lin Huang,Chun-Hsien Huang,I-Tseng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20110165763A1. Автор: Anton Mauder,Giulliano Aloise. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-07-07.

Semiconductor devices having encapsulated stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20120193686A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Gate-All-Around Structure and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230261114A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device structure with barrier layer

Номер патента: US12046662B2. Автор: Ting-Chun Wang,Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Yung-Si YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Gate straining in a semiconductor device

Номер патента: US20080293195A1. Автор: Zoran Krivokapic. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-11-27.

Method for preparing semiconductor device structure with multiple liners

Номер патента: US11764105B2. Автор: Chia-Hsiang Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11600493B2. Автор: YU HUANG,Fulong Qiao,Pengkai Xu,Wenyan Sun. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-07.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US11769819B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device including a stacked wire structure

Номер патента: US20170301787A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Hsien Wu,Chih-Chieh Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20230284436A1. Автор: Tsun-Min Cheng,Yu Chun Lin,Chia-Wei Wu,Yukihiro Nagai,Hsiao-Han Lin,Sun-Hung Chen,Lu-Yung Lin,Zheng Guo Zhang,Wu Xiang Li. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device structure with barrier layer

Номер патента: US20230268425A1. Автор: Ting-Chun Wang,Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Yung-Si YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20240274691A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Kuo-Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Semiconductor device with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240222507A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2024124388A1. Автор: Ke SHEN,Huaifeng Wang,Jiajie CUI,Meiyan Lin. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device structure including forksheet transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20240243192A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220223713A1. Автор: Satoru Yamada,Honglae PARK,Chunhyung Chung,Junsoo Kim,Naoto Umezawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device with funnel shape spacer and methods of forming the same

Номер патента: US12051628B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Fu-Kai Yang,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Gate-all-around structure with self substrate isolation and methods of forming the same

Номер патента: US12046681B2. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Gate structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230369335A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046593B2. Автор: Wei Wang,King Yuen Wong,Xiaoyan Zhang,Danfeng MAO,Jinhan Zhang,Jianjian SHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20110303954A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20170250191A1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080153212A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100052019A1. Автор: Hiroshi Yamamoto,Mitsuru Yoshikawa. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

High-voltage semiconductor device structure

Номер патента: US20080079072A1. Автор: Chi-Hsiang Lee. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2008-04-03.

Conductivity-controlled power semiconductor device

Номер патента: EP4409641A1. Автор: Qin Huang. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor device and the method for manufacturing the same

Номер патента: US8531007B2. Автор: Katsuya Okumura,Tomoyuki Yamazaki,Kazuo Shimoyama,Hiroki Wakimoto. Владелец: Octec Inc. Дата публикации: 2013-09-10.

Semiconductor devices including metal gate protection and methods of fabrication thereof

Номер патента: US12074111B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210134975A1. Автор: Satoru Yamada,Honglae PARK,Chunhyung Chung,Junsoo Kim,Naoto Umezawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Gate-All-Around Structure with Self Substrate Isolation and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210098634A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Methods of forming a semiconductor cell array region, method of forming a semiconductor device including the semiconductor cell array region, and method of forming a semiconductor module including the semiconductor device

Номер патента: US20110177671A1. Автор: Yong-Hoon Son,Byeong-Chan Lee,Sun-Ghil Lee,Sung-Woo Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Method for preparing shielded gate semiconductor device structure, and shielded gate semiconductor device structure

Номер патента: US20240274683A1. Автор: Libo Zhang,Zengyi He,Shuangshen LE,Xingmin WU,Qingwen Yuan. Владелец: Will Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Structure and Method of Forming a Joint Assembly

Номер патента: US20240282743A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Ying-Ju Chen,Chi-Hsi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12068373B2. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Lateral-optical-mode-controlled high-power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240291234A1. Автор: Wu Zhao,Jun Wang,Shaoyang TAN,Xinsheng LIAO,Bangguo WANG,Wuling LIU. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for forming semiconductor device structure with metal-semiconductor compound layer

Номер патента: US20210384301A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10756179B2. Автор: Dong Il Bae,Dong Hun Lee,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Chang Woo SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10347718B2. Автор: Dong Il Bae,Dong Hun Lee,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Chang Woo SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor memory device capable of preventing oxidation of plug and method for fabricating the same

Номер патента: US20030001186A1. Автор: Soon-Yong Kweon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2719569C1. Автор: Ясуаки ХАЯМИ,Тецуя ХАЯСИ,Вэй НИ,Риота ТАНАКА,Кейсуке ТАКЕМОТО. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-04-21.

Semiconductor device and method for manufacturing a plurality of semiconductive devices

Номер патента: US20230130979A1. Автор: Martin Brandl,Gunther Mackh,Bernhard Drummer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-27.

Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond

Номер патента: US20190189533A1. Автор: Daniel Francis,Firooz Nasser-Faili,Frank Yantis LOWE,Daneil James Twitchen. Владелец: RFHIC Corp Korea. Дата публикации: 2019-06-20.

Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond

Номер патента: EP3234985A1. Автор: Daniel Francis,Daniel James Twitchen,Firooz Nasser-Faili,Frank Yantis LOWE. Владелец: RFHIC Corp Korea. Дата публикации: 2017-10-25.

Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond

Номер патента: WO2016096556A1. Автор: Daniel Francis,Daniel James Twitchen,Firooz Nasser-Faili,Frank Yantis LOWE. Владелец: ELEMENT SIX TECHNOLOGIES LIMITED. Дата публикации: 2016-06-23.

Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline CVD diamond

Номер патента: US10297526B2. Автор: Daniel Francis,Firooz Nasser-Faili,Frank Yantis LOWE,Daneil James Twitchen. Владелец: RFHIC Corp Korea. Дата публикации: 2019-05-21.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220393005A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Epitaxial metallic transition metal nitride layers for compound semiconductor devices

Номер патента: US20160035851A1. Автор: David J. Meyer,Brian P. Downey,Douglas S. Katzer. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof, memory systems

Номер патента: US20240164117A1. Автор: LAN Yao,CHENG Chen,Jing Li,Quan Zhang,Yanwei Shi,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250124A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: WO2022027536A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device having a memory cell region and a peripheral circuit region and method of manufacturing thereof

Номер патента: US6849490B2. Автор: Fumihiko Hayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-02-01.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190259848A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chi-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11735635B2. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20190067012A1. Автор: Yen-Ting Chen,Chun-Hsiung Lin,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Chun-An Lin,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11728408B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: EP2673806A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,D Defresart EDOUARD. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-12-18.

Methods of forming a metal telluride material, related methods of forming a semiconductor device structure, and related semiconductor device structures

Номер патента: US20140227863A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Dual silicide structure and methods thereof

Номер патента: US20240297083A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US20230268409A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Chi On Chui,Chih-Wei Lee,Jo-Chun Hung,Hsin-Han Tsai,Hsiang-Ju LIAO,Yi-Lun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Systems and methods for microwave-radiation annealing

Номер патента: US20150206808A1. Автор: Chao-Hsiung Wang,Chun-Hsiung Tsai,Zi-Wei FANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230095479A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Trench-type semiconductor device structure

Номер патента: US20090166702A1. Автор: Hung-Chang Liao,Ming-Cheng Chang,Shian-Jyh Lin,Neng Tai Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US12046672B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240274604A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240322024A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Pin Chun Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods of cleaning a semiconductor device and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20080124909A1. Автор: Keum-Joo Lee,Jin-Hye Bae,Dae-Keun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7968448B2. Автор: Chia-Lun Tsai,Jack Chen,Ching-Yu Ni,Wen-Cheng Chien. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240204101A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Hsien-Shih Chu,Junkun CHEN,Guoguo Kong,Mingru Ge. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Nitride-based semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030173560A1. Автор: Takashi Kano,Hiroki Ohbo. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-18.

Structure and formation method of semiconductor device structure with a dummy fin structure

Номер патента: US10727321B2. Автор: LUNG Chen,Kang-Min Kuo,Wen-Hsin CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20230282743A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Polishing pad, preparation method thereof and method for preparing semiconductor device using same

Номер патента: US11759909B2. Автор: Kyung Hwan Kim,Jang Won Seo,Jae In Ahn,Sung Hoon Yun,Kang Sik MYUNG. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110079852A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250125A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Wei-Yang Lee,Wen-Hsing Hsieh,Chih-Ching Wang,Ming-Chang Wen,Jo-Tzu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US20230013070A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yuhan ZHU,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Method of forming a semiconductor device structure having an isolation layer to isolate a conductive feature and a gate electrode layer

Номер патента: US11756995B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device having conducting material film formed in trench, manufacturing method thereof and method of forming resist pattern used therein

Номер патента: US20010010378A1. Автор: HIROSHI Matsubara,Syuji Nakao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-02.

Method of forming a semiconductor device structure

Номер патента: US20210111021A1. Автор: Luc Haspeslagh,Robert Langer,Vasyl Motsnyi,Philippe Soussan,Bernardette Kunert,Stefano Guerrieri,Olga SYSHCHYK. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20210351297A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: RU2276429C2. Автор: Флорин УДРИА,Джихан Анил Джозеф АМАРАТУНГА. Владелец: Кембридж Семикондактор Лимитед. Дата публикации: 2006-05-10.

Cell structure of semiconductor device, preparation method thereof and semiconductor device

Номер патента: US20240014301A1. Автор: Bo Shi,Ting Xiao,Yiren LIN. Владелец: Edgeless Semiconductor Co Ltd Of Zhuhai. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060076583A1. Автор: Shinji Fujikake,Manabu Takei,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075594A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20210184041A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for forming the same

Номер патента: US20220028970A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US20220165858A1. Автор: Shufeng Zhao. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURE OF OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: EP2079101B1. Автор: Hideto Tamaso,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150008507A1. Автор: Yasufumi Morimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100148254A1. Автор: Cho Eung Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device, light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2389693A2. Автор: Yong-Jin Kim,Ho-Jun Lee,Doo-Soo Kim,Dong-Kun Lee. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US12068413B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for fabrication of semiconductor device

Номер патента: US12062722B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20080277694A1. Автор: Prasad Venkatraman,Zia Hossain,Francine Y. Robb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Semiconductor device, preparation method, power conversion circuit and vehicle

Номер патента: EP4407691A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US20140103444A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Want. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240290752A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Bed structure underlying electrode pad of semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20010040242A1. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor structure including boundary header cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230260984A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Hao-Tien KAN,Yan-Shen You. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for manufacturing semiconductor device and method for evaluating semiconductor device

Номер патента: US20190267239A1. Автор: Katsuyoshi Suzuki,Hiroshi Takeno,Tadashi Nakasugi,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Vertically mountable semiconductor device and methods

Номер патента: US20020031857A1. Автор: Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, apparatus for manufacturing semiconductor device, and method for evaluating semiconductor device

Номер патента: US20110240846A1. Автор: Yasutaka Takeuchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Structure and formation method of semiconductor device with semiconductor nanostructure

Номер патента: US20240313048A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230290905A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105922A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190181258A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: EP3876267A1. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2021-09-08.

Optoelectronic semiconductor device and method for producing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20230084844A1. Автор: Attila Molnar,Lutz Hoeppel,Fabian Kopp. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190386126A1. Автор: Naiqian Zhang,Xingxing Wu,Xinchuan ZHANG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Method for manufacturing semiconductor device structure

Номер патента: US20230207637A1. Автор: Chun-Shun Huang,Yu-Ping Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180358438A1. Автор: Ryo Kanda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor Device Including a Trench at Least Partially Filled with a Conductive Material in a Semiconductor Substrate and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160035842A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: GB2603681A. Автор: Nakamura Keisuke,YAGYU Eiji,YOSHITSUGU Koji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-08-10.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210043539A1. Автор: Keisuke Nakamura,Eiji Yagyu,Koji YOSHITSUGU. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210091231A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210043445A1. Автор: Junghwa KIM,Jooho Lee,Yongsung Kim,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeongil BANG,Jeonggyu SONG,Myoungho JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200273698A1. Автор: Junghwa KIM,Jooho Lee,Yongsung Kim,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeongil BANG,Jeonggyu SONG,Myoungho JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Method for producing a vertical semiconductor device with epitaxially grown iii-v epitaxy using the substrate several times, and corresponding semiconductor device, in particular based on gallium nitride

Номер патента: US20240234546A1. Автор: Christian Huber,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with buried gate structures and method for preparing the same

Номер патента: US20240088248A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Edge termination structure for a charge balanced semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: WO2024092176A1. Автор: Philip Rutter,Stanislav Soloviev,David Jauregui. Владелец: Ideal Semiconductor Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8436420B2. Автор: Kyu Hyun Mo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-05-07.

Bonding process for forming semiconductor device structure

Номер патента: US11772963B2. Автор: I-Shi WANG,Jen-Hao Liu,Chih-Hang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240194772A1. Автор: Qiyue Zhao,Zhiwen DONG,Shaopeng CHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2529426A1. Автор: Nicolaas Aldegonda Jan Maria Van Aerle,Christoph Wilhelm Sele,Eduard Jacobus Antonius Lassauw. Владелец: Polymer Vision BV. Дата публикации: 2012-12-05.

Low dielectric constant insulating film resin composition, method of forming low dielectric constant insulating film, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20010036689A1. Автор: Masakazu Muroyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: EP2319083A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-05-11.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A3. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-01-14.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: US11764209B2. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170236831A1. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9899400B2. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180130813A1. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US20230301064A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor product with low-leakage current and method for forming the same

Номер патента: US20220393017A1. Автор: Yi-Hsiung Lin,Chieh Chih Ting,Simon Yaou-Dong Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Burn-in test system for projection device

Номер патента: US20090055128A1. Автор: Jian-Sheng Zhou. Владелец: Premier Image Technology China Ltd. Дата публикации: 2009-02-26.

Improved output driver circuit suppresses noise generation and improved semiconductor integrated circuit for burn-in test

Номер патента: KR940012600A. Автор: 기요히로 후루다니,히데유끼 오자끼. Владелец: 기다오까 다까시. Дата публикации: 1994-06-23.

Semiconductor integrated circuit with voltage down converter adaptable for burn-in testing

Номер патента: US20030020095A1. Автор: Fukashi Morishita,Akira Yamazaki,Yasuhiko Taito,Nobuyuki Fujii,Mihoko Akiyama,Mako Okamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Heat spreaders for use in semiconductor device testing, such as burn-in testing

Номер патента: US20210055342A1. Автор: Xiaopeng Qu,Amy R. Griffin,Wesley J. Orme. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Heat spreaders for use in semiconductor device testing, such as burn-in testing

Номер патента: US11372043B2. Автор: Xiaopeng Qu,Amy R. Griffin,Wesley J. Orme. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-28.

Apparatus for burning in electronic components

Номер патента: CA3048190A1. Автор: Mohamed BOUSSADIA. Владелец: 3D Plus SA. Дата публикации: 2019-12-29.

Apparatus for burning in electronic components

Номер патента: US11067621B2. Автор: Mohamed BOUSSADIA. Владелец: 3D Plus SA. Дата публикации: 2021-07-20.

SYSTEM AND METHOD FOR VOLTAGE REGULATOR SELF-BURN-IN TEST

Номер патента: US20180348309A1. Автор: OU YANG Kuang-Hua,HSU Kuo-Chan,SHIH Yun-Teng. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

System and method for voltage regulator self-burn-in test

Номер патента: EP3410133B1. Автор: Yun-Teng Shih,Kuang-Hua Ou Yang,Kuo-Chan Hsu. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2019-06-12.

SWITCHING POWER SUPPLY BURN IN TEST CIRCUIT

Номер патента: US20180196109A1. Автор: Zheng Gang,ZOU Shu. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

System, method and the computer readable storage medium of voltage adjuster burn-in testing

Номер патента: CN108984351A. Автор: 施云腾,欧阳光华生,许国展. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2018-12-11.

System, method and computer readable storage medium for voltage regulator burn-in testing

Номер патента: CN108984351B. Автор: 施云腾,欧阳光华生,许国展. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2021-09-07.

High-temperature structure for measuring properties of curved thermoelectric device, and system and method for measuring properties of curved thermoelectric device using the same

Номер патента: US20170205364A1. Автор: Sang Hyun Park,Min Soo Suh,Byung Jin Cho,Hong Soo Kim,Dong Kook Kim,Chung-Yul YOO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-07-20.

Dram and method for testing the same in the wafer level burn-in test mode

Номер патента: US20130021862A1. Автор: Min-Chung Chou. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Wafer burn-in test and wafer test circuit

Номер патента: US20030210589A1. Автор: Ha Min Sung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-11-13.

Wafer burn-in test circuit and a method thereof

Номер патента: US5790465A. Автор: Soo-In Cho,Jae-Gu Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-08-04.

Semiconductor memory device having wafer burn-in test mode

Номер патента: US20090116322A1. Автор: Hi-Hyun Han,Jee-Yul Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Disc player and burn-in test method for disc player

Номер патента: US20140169148A1. Автор: Ya-Guo Wang,Chun-Ching Chen. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Burn-in circuit and burn-in test method

Номер патента: US5467356A. Автор: Yun-Ho Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-11-14.

Dynamic random access memory device having power supply system appropriately biasing switching transistors and storage capacitors in burn-in testing process

Номер патента: US5363333A. Автор: Akira Tsujimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-11-08.

Semiconductor memory device having burn-in test function

Номер патента: US5119337A. Автор: Mitsuru Shimizu,Shozo Saito,Syuso Fujii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-06-02.

Semiconductor memory devices including burn-in test circuits

Номер патента: US20100246300A1. Автор: Jong-Hyun Choi,Sang-Seok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-30.

Method for burn-in of high power semiconductor devices

Номер патента: US5579826A. Автор: Harold E. Hamilton,Brian R. Bloch,James R. Zimmer. Владелец: Micro Control Co. Дата публикации: 1996-12-03.

Probe card, method for designing probe card, method for producing tested semiconductor device method for testing unpackaged semiconductor by probe card, device under test and probe system

Номер патента: US20240077519A1. Автор: Hao Wei,Yu-Hao Chen,Yang-Hung Cheng,Jhin-Ying Lyu. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Composite separation membrane structure for gas sensor, gas sensor apparatus comprising the same, and method and apparatus for measuring gas concentration using the same

Номер патента: US9266067B2. Автор: Jung Wook Lee,Hosung Kong,Hung Gu Han. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2016-02-23.

Semiconductor devices having ZQ calibration circuits and calibration methods thereof

Номер патента: US20110025373A1. Автор: Jun-Bae Kim,Yang-ki Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-03.

RECORDING MEDIA CONTAINING A DATA STRUCTURE FOR MANAGING PLAYBACK OF DATA STREAMS RECORDED ON IT AND METHODS AND DEVICES FOR RECORDING AND PLAYBACK

Номер патента: RU2006129280A. Автор: Канг Соо СЕО,Дзеа Йонг ЙОО,Биунг Дзин КИМ,Канг Соо СЕО (KR),Дзеа Йонг ЙОО (KR),Биунг Дзин КИМ (KR). Владелец: ЭлДжи ЭЛЕКТРОНИКС ИНК. (KR). Дата публикации: 2008-02-20.

Semiconductor device including latch controller for preventing DC current from flowing between differential signals and method of operating same

Номер патента: US9524761B2. Автор: Won Young Lee,Junghwan Choi,Yongcheol Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

High-temperature burn-in test method, control end, tool end and system for iMS-CPU board

Номер патента: CN112711502A. Автор: 张玉娟,张稳稳,周红阳,苏天放,吴玉洋,谷素琴,曹颖萍. Владелец: Shanghai Railway Communication Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-27.

Metal oxide multilayer structure for highly efficient resistive random access memory device and the fabrication method thereof

Номер патента: KR101149436B1. Автор: 이전국,양민규. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2012-05-24.

RECORDING MEDIA WITH A DATA STRUCTURE FOR MANAGING VIDEO DATA AND ITS ADDITIONAL CONTENT INFORMATION AND METHODS AND DEVICES FOR RECORDING AND PLAYBACK

Номер патента: RU2005140454A. Автор: Пюн Чин КИМ,Чеа Ён ЁУ,Пюн Чин КИМ (KR),Чеа Ен ЕУ (KR). Владелец: Эл Джи Электроникс Инк. (Kr). Дата публикации: 2007-08-27.

Recording medium with data structure for controlling playback of data streams recorded on it and method and device for recording and playing back

Номер патента: RU2358338C2. Автор: Кан Соо СО,Бюн Чин КИМ. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2009-06-10.

Recording medium having a data structure for managing the resumption of playback of video data, and method and apparatus for recording and reproducing accordingly

Номер патента: KR101062349B1. Автор: 김미현,김병진,유제용. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2011-09-05.

Initial material preparing process and technological process developed for burning in furnace when receiving phosphoric acid

Номер патента: RU2637909C2. Автор: Юнхэ ХОУ,Дзюн ВУ,Шихуа ЛИУ. Владелец: Сычуань Ко Чанг Технолоджи Ко., Лтд. Дата публикации: 2017-12-07.

Structures for physical unclonable function using spontaneous chiral symmetry breaking and method of preparing the same

Номер патента: US20230193134A1. Автор: Hyewon Park,Dong Ki Yoon,Geonhyeong Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-06-22.

Structures for physical unclonable function using spontaneous chiral symmetry breaking and method of preparing the same

Номер патента: EP4198107A1. Автор: Hyewon Park,Dong Ki Yoon,Geonhyeong Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-06-21.

Design Structure for a Redundant Micro-Loop Structure for use in an Integrated Circuit Physical Design Process and Method of Forming the Same

Номер патента: US20090158231A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Juergen Koehl,Jason D. Hibbeler,Jeanne P. Bickford,Markus Buehler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Design Structure for a Redundant Micro-Loop Structure for use in an Integrated Circuit Physical Design Process and Method of Forming the Same

Номер патента: US20100211923A9. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Juergen Koehl,Jason D. Hibbeler,Jeanne P. Bickford,Markus Buehler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Circuit board structure for electrical testing and fabrication method thereof

Номер патента: US8222528B2. Автор: Pao-Hung Chou. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2012-07-17.

Electric heater for burn-in knives

Номер патента: US2828402A. Автор: Eustace V Paolicelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 1958-03-25.

Process for production of contact structure for organic semiconductor device, and contact structure for organic semiconductor device

Номер патента: CN102668041B. Автор: 三成刚生,熊谷明哉,塚越一仁. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2015-06-24.

Method and apparatus for ad conversion, semiconductor device for detecting distribution of physical quantity, electronic apparatus, module, cmos image sensor and method for driving them

Номер патента: KR101067598B1. Автор: 요시노리 무라마쯔,노리유끼 후꾸시마,요시까즈 니따,유끼히로 야스이. Владелец: 소니 주식회사. Дата публикации: 2011-09-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DRIVER STRUCTURE FOR REDUCING CIRCUIT AREA

Номер патента: US20160056800A1. Автор: LEE JAE-BUM,KIM Yong-Hun,Park Soo-Jin,KO Eun-Bi,JANG Eun-Jong. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Cooling fan module of power supply used in burn in test equipment

Номер патента: KR101463607B1. Автор: 한강룡. Владелец: 주식회사 다온시스. Дата публикации: 2014-12-05.

Organic solar cell for current-voltage test and preparation method thereof

Номер патента: US20240039474A1. Автор: Peng Mao,Shanshan Wang,Jianxin Du,Qiwen YANG,Jiatao Zhang,Jianbing Gao,Qiaoshi An,Shaochun Peng,Peifeng GAO,Mengyun Jiang. Владелец: Beijing Institute of Technology BIT. Дата публикации: 2024-02-01.

Burn-in test method for hybrid integrated circuit

Номер патента: JPS6442142A. Автор: Norimasa Takada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-02-14.

A kind of whole machine cabinet server burn-in test monitoring method and system

Номер патента: CN109586994A. Автор: 王贞国. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-05.

Micro OLED display structure for improving adhesion of TFE layer and OC layer and preparation method thereof

Номер патента: CN112952026A. Автор: 王志超,赵铮涛,刘胜芳,许嵩,邓琼. Владелец: Semiconductor Integrated Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-11.

Frame structure for hand-off in tdma tdd type mobile system, and method for transmitting data on scanning bts by using it

Номер патента: KR100662930B1. Автор: 박성수,이동학,이상신,우대식,정원석. Владелец: 에스케이 텔레콤주식회사. Дата публикации: 2006-12-28.

Hardware structure for a transmission/reception device for mobile radio applications, and method for processing data in such a transmission/reception device

Номер патента: US20040250049A1. Автор: Burkhard Becker,Thuyen Le. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-09.

Hardware structure for a transmission/reception device for mobile radio applications, and method for processing data in such a transmission/reception device

Номер патента: US7050826B2. Автор: Burkhard Becker,Thuyen Le. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-05-23.

DATA STRUCTURE FOR MANAGING SENSOR NETWORK USING ID OF SENSOR NODE AND METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20130238779A1. Автор: YOO Sang-Keun,Lee Jun-Seob,Kim Yong-Woon,Kim Hyoung-Jun,LEE Byoung-Nam. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2013-09-12.

Sole structure for an article of footwear having hollow polymeric elements and method of manufacturing same

Номер патента: US11786011B2. Автор: Lee D. Peyton. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Sole structure for an article of footwear having hollow polymeric elements and method of manufacturing same

Номер патента: EP3226710A1. Автор: Lee D. Peyton. Владелец: Nike Innovate CV USA. Дата публикации: 2017-10-11.

Structure for creating housings for setting trees into the ground, and method for setting trees into the ground

Номер патента: CA2797478A1. Автор: Valerio Pontarolo,Luca PONTAROLO. Владелец: PONTAROLO ENGINEERING SPA. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor device testing method and testing equipment

Номер патента: US20060061379A1. Автор: Kazuhiro Tashiro,Hitoshi Izuru. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-03-23.

Test system and test method of semiconductor device

Номер патента: US20020109522A1. Автор: Shinya Nakatani,Heiji Kobayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Surface Treated Metal Material For Burn-In Test Socket, Connector For Burn-In Test Socket And Burn-In Test Socket Using The Same

Номер патента: US20190234994A1. Автор: Endo Satoru. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

Micro-system for burn-in system program from a plugable subsystem to main memory and method thereof

Номер патента: TW200416593A. Автор: Chi-Cheng Hung. Владелец: Cheertek Inc. Дата публикации: 2004-09-01.

Apparatus for loading and unloading semiconductor device packages using servo motors

Номер патента: US6209194B1. Автор: Hyun Ho Kim,Ju Il Kang,Byung Ro Kim,Sung Yeol Lee,Young Ki Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-04-03.

Board for burn-in test apparatus and fabrication method thereof, method for testing semiconductor chip by using it

Номер патента: KR100446429B1. Автор: 박계찬. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2004-08-30.

Semiconductor manufacturing-and-inspection system, and semiconductor device

Номер патента: US20020067182A1. Автор: Osamu Hashimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-06-06.

Connecting device for burn-in test equipment

Номер патента: TW200922016A. Автор: Chul-Sub Lee,Oh-Hyeon Kwon. Владелец: TYCO ELECTRONICS AMP KOREA LTD. Дата публикации: 2009-05-16.

Test board for burn-in test and PC base test

Номер патента: KR100408984B1. Автор: 이국상,맹주석. Владелец: 맹주석. Дата публикации: 2003-12-06.

Semiconductor device for driving liquid crystal panel

Номер патента: US5365250A. Автор: Hiroyuki Hirashima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1994-11-15.

System and method for regulating temperature during burn-in

Номер патента: WO2005085886A1. Автор: David H. Hoffman,John Laurence Niven,Eric Chien-Li Sheng. Владелец: TRANSMETA CORPORATION. Дата публикации: 2005-09-15.

Lance contact pin for burn-in test socket using lancing press and method of manufacturing the same

Номер патента: KR102172785B1. Автор: 박성규,전진국,장승철,진영학. Владелец: 주식회사 오킨스전자. Дата публикации: 2020-11-02.

Methods of fabricating full-wafer silicon probe cards for burn-in and testing of semiconductor devices

Номер патента: US6912778B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn,Jerome M. Eldridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-05.

Connector for semiconductor device testing equipment and test board for burn-in tester

Номер патента: KR101164114B1. Автор: 김대경,김진희. Владелец: 주식회사 유니테스트. Дата публикации: 2012-07-12.

System and method for burn-in test control

Номер патента: US7103495B2. Автор: Naoki Kiryu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-09-05.

System and method for reducing temperature variation during burn in

Номер патента: WO2005085884A9. Автор: DAVID H HOFFMAN,John Laurence Niven,Eric Chien-Li Sheng. Владелец: Eric Chien-Li Sheng. Дата публикации: 2006-02-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND BURN-IN TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20210123972A1. Автор: Suzuki Koji,TANIMURA Masaaki. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

Apparatus for Burn-In Test

Номер патента: US20160091559A1. Автор: Teoh Siow Khiang. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

Method of generating a wafer burn-in test current in semiconductor memory devices and semiconductor devices using the same

Номер патента: KR100671752B1. Автор: 이희춘,조진형. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-19.

Semiconductor integrated circuit having self-diagnosis test function and test method thereof

Номер патента: US20010003196A1. Автор: Hideo Miyazawa,Satoshi Hori,Atsushi Kawabe. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-07.

A system for burn-in testing of electronic devices

Номер патента: EP1540360A1. Автор: David Hendrickson,Jovan Jovanovic,Bradley R. Gunn,Alberto J. Calderon. Владелец: Aehr Test Systems Inc. Дата публикации: 2005-06-15.

Heat pipe with chilled liquid condenser system for burn-in testing

Номер патента: US7129731B2. Автор: Donald M. Ernst,John Gilbert Thayer. Владелец: Thermal Corp. Дата публикации: 2006-10-31.

System for burn-in testing of electronic devices

Номер патента: CN100395556C. Автор: D·亨德里克森,B·R·冈恩,A·J·卡尔德龙,J·约万诺维奇. Владелец: Aehr Test Systems Inc. Дата публикации: 2008-06-18.

Automated loading/unloading of devices for burn-in testing

Номер патента: US20090261854A1. Автор: Wan Yen TEOH,Paiboon SUBPANYADEE,Kurt Joseph PEREZ,Chai Soon TEO,Swee Hin ONG. Владелец: ONG Swee HIN. Дата публикации: 2009-10-22.

System for burn-in testing of electronic devices

Номер патента: US6815966B1. Автор: Jovan Jovanovic,Bradley R. Gunn,Alberto J. Calderon,David S. Hendrickson. Владелец: Aehr Test Systems Inc. Дата публикации: 2004-11-09.

HEAT SPREADERS FOR USE IN SEMICONDUCTOR DEVICE TESTING, SUCH AS BURN-IN TESTING

Номер патента: US20210055343A1. Автор: Chun Hyunsuk,Qu Xiaopeng,Griffin Amy R.. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

HEAT SPREADERS FOR USE IN SEMICONDUCTOR DEVICE TESTING, SUCH AS BURN-IN TESTING

Номер патента: US20220291280A1. Автор: Qu Xiaopeng,Griffin Amy R.,Orme Wesley J.. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

Circuit arrangement for burn in system for testing chips using board

Номер патента: DE19823943A1. Автор: Frank Weber,Joseph Sillup. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-12-02.

Burn-in testing method and device with temperature control

Номер патента: EP1295138A2. Автор: Boon Hee Wee. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-03-26.

Composite for burn-in and burn-in device using the composite

Номер патента: JP2876106B2. Автор: 建一 大井. Владелец: TABAI ESUPETSUKU KK. Дата публикации: 1999-03-31.

Combined board construction for burn-in and burn-in equipment for use with combined board

Номер патента: KR0180025B1. Автор: 겐이치 오오이. Владелец: 다바이 에스펙 가부시키가이샤. Дата публикации: 1999-04-01.

Shutters for burn-in-board connector openings and a burn-in oven having the same

Номер патента: TWI342942B. Автор: Harold E Hamilton,Chad M Conroy,Brian R Bloch. Владелец: Micro Control Company. Дата публикации: 2011-06-01.

Reusable die carrier for burn-in and burn-in process

Номер патента: KR100468308B1. Автор: 씨-핵 푸,리어 포세델,래리 라페,제임스 우렌,어니 왕,폴 버크,카알 벅크. Владелец: 에어 테스트 시스템즈. Дата публикации: 2005-03-16.

BURN-IN TESTING OF INDIVIDUALLY PERSONALIZED SEMICONDUCTOR DEVICE CONFIGURATION

Номер патента: US20170370988A1. Автор: Motika Franco,You Soungbum. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Burn-in test socket having wire silicon rubber interposed between contact pin and semiconductor device

Номер патента: KR101806472B1. Автор: 박성규,전진국. Владелец: 주식회사 오킨스전자. Дата публикации: 2017-12-07.

Method for testing circuit units to be tested with increased data compression for burn-in

Номер патента: US20030042927A1. Автор: Thomas Finteis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-03-06.

Composite testing machine and method for using composite testing machine

Номер патента: US20240053398A1. Автор: Yungshiuan Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Burn-in testing apparatus and method

Номер патента: TWI351768B. Автор: Gordon B Kuenster,Christopher A Lopez,Brian J Denheyer. Владелец: Wells CTI LLC. Дата публикации: 2011-11-01.

System and method for reducing temperature variation during burn in

Номер патента: WO2005085884A2. Автор: David H. Hoffman,John Laurence Niven,Eric Chien-Li Sheng. Владелец: TRANSMETA CORPORATION. Дата публикации: 2005-09-15.

APPARATUS FOR BURNING IN ELECTRONIC COMPONENTS

Номер патента: US20200003826A1. Автор: BOUSSADIA Mohamed. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Testing board for burn-in tester

Номер патента: KR101164116B1. Автор: 김창규,오효진,최영배. Владелец: 주식회사 유니테스트. Дата публикации: 2012-07-12.

Shutters for burn-in-board connector openings

Номер патента: US6891132B2. Автор: Harold E. Hamilton,Chad M. Conroy,Brian R. Bloch. Владелец: Micro Control Co. Дата публикации: 2005-05-10.

Method and system for intelligent failure diagnosis center for burn-in devices under test

Номер патента: US11599437B2. Автор: Yun Xi,Lang Lin,Yu huang Lin,Meng Meng Jiang,Wen Sen Que,Hua Shan Liang,Mu Shou Lan,Zhi Jian Weng. Владелец: Credit Suisse AG Cayman Islands Branch. Дата публикации: 2023-03-07.

Method and apparatus for testing circuit units to be tested with increased data compression for burn-in

Номер патента: DE10143455B4. Автор: Thomas Finteis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-15.

Temperature control system for burn-in boards

Номер патента: US20030112025A1. Автор: Harold E. Hamilton,Tom A. Tremmel. Владелец: Micro Control Co. Дата публикации: 2003-06-19.

Semiconductor integrated circuit device, method of testing semiconductor integrated circuit device, and probe card used for burn-in stress and d/s tests

Номер патента: US20090058443A1. Автор: Yoshio Kaneko,Masanobu Ohashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Integrated circuit using a back gate voltage for burn-in-operations

Номер патента: TW434876B. Автор: Anthony W Leigh,Joe W Mcpherson,Kenan J Dickerson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2001-05-16.

Monitoring burn-in test apparatus and method and heating test apparatus and method of controlling temperature therefor

Номер патента: TW200846683A. Автор: Hiroshi Teshigawara,Yoshihiro Maesaki,Yukihiko Kodaira,Naoe Sekiguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-12-01.

Circuit for test board of burn-in test system, judges quality of device for comparing output signal with test signal based on run time difference data which are stored corresponding to each type of test signal

Номер патента: DE19950536A1. Автор: Yoshiyuki Umeda. Владелец: Ando Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-04-27.

SEMICONDUCTOR COMPONENT BURN-IN TEST MODULE AND BURN-IN TEST EQUIPMENT

Номер патента: US20220043052A1. Автор: Tsai Chia-Hung,Wu Kuo-Jung,Wang Yi-Ting,LIANG Hsing-Yueh,LIAO Po-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

Burn-in test device and test method using interposer

Номер патента: US20190170814A1. Автор: Joosung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Test board having contact rubber and Burn-in test socket using the same

Номер патента: KR101683018B1. Автор: 박성규,전진국. Владелец: 주식회사 오킨스전자. Дата публикации: 2016-12-07.

SYSTEM AND METHODS FOR SEMICONDUCTOR BURN-IN TEST

Номер патента: US20190204378A1. Автор: Gopal Ballson,Killion Jesse. Владелец: KES SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2019-07-04.

BURN-IN TEST SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20160334462A1. Автор: KIM Dae Kyoung,JUNG Woo Sik. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

SYSTEM AND METHOD OF AUTOMATED BURN-IN TESTING ON INTEGRATED CIRCUIT DEVICES

Номер патента: US20200379033A1. Автор: Chang Sunny Lai-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Burn-in testing apparatus and method

Номер патента: US7042240B2. Автор: Gordon B. Kuenster,Christopher A. Lopez,Brian J. Denheyer. Владелец: Wells CTI LLC. Дата публикации: 2006-05-09.

Burn-in testing apparatus and method

Номер патента: US7187189B2. Автор: Gordon B. Kuenster,Christopher A. Lopez,Brian J. Denheyer. Владелец: Wells CTI LLC. Дата публикации: 2007-03-06.

Fullion chip wafer level burn-in test circuit and method

Номер патента: JP3774081B2. Автор: 英俊 南,榮煕 金. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-10.

Burn-in testing apparatus and method

Номер патента: US7482825B2. Автор: Gordon B. Kuenster,Christopher A. Lopez,Brian J. Denheyer. Владелец: Wells CTI LLC. Дата публикации: 2009-01-27.

System and method of automated burn-in testing on integrated circuit devices

Номер патента: TWI791571B. Автор: 黎明 張. Владелец: 加拿大商皇虎科技(加拿大)有限公司. Дата публикации: 2023-02-11.

Burn-in testing apparatus and method

Номер патента: TW200605368A. Автор: Gordon B Kuenster,Christopher A Lopez,Brian J Denheyer. Владелец: Wells CTI LLC. Дата публикации: 2006-02-01.

Sequential Burn-In Test Mechanism

Номер патента: US20140062515A1. Автор: Vassighi Arman,Zia Victor. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

Wafer burn-in test circuit and semiconductor memory including the same

Номер патента: US20180120374A1. Автор: Young Jae Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

WAFER BURN-IN TEST CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR MEMORY INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190293712A1. Автор: Choi Young Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

BURN-IN TESTING OF CIRCUITS

Номер патента: US20180335471A1. Автор: Kho Rex,Schuemmer Markus,Boluki Human. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

Wafer burn-in testing circuit of semiconductor memory device

Номер патента: KR0119887B1. Автор: 이재형,석용식. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-10-30.

Printed circuit board for performing burn-in test of semiconductor memory device

Номер патента: KR100505613B1. Автор: 조성범. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-09-26.

Pulley on-chip wafer level burn-in test circuit and its method

Номер патента: KR100278926B1. Автор: 김영희,남영준. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2001-01-15.

Method and device for automatic kill head sorting in burn-in test

Номер патента: KR100524898B1. Автор: 조진원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-12-27.

Multi Layer Ceramic Condenser(MLCC) BURN IN TEST BOARD

Номер патента: KR102337684B1. Автор: 김상철. Владелец: 주식회사 윈탑. Дата публикации: 2021-12-13.

Burn-in test apparatus

Номер патента: KR102152914B1. Автор: 문장식. Владелец: 주식회사 유니테스트. Дата публикации: 2020-09-07.

Burn-in test socket device

Номер патента: KR980006647A. Автор: 마사히로 후치가미,피. 리조 살바토레. Владелец: 덱사스 인스트루먼츠 인코오포레이티드. Дата публикации: 1998-03-30.

Wafer Burn-in Test Circuit of Semiconductor Memory Device

Номер патента: KR960002369A. Автор: 이재형,석용식. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1996-01-26.

Probe unit with burn in test

Номер патента: KR940006238A. Автор: 신지 이이노,이타루 이이다. Владелец: 도오교오 에레구토론 야마나시 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1994-03-23.

A kind of method and apparatus of smart machine burn-in test

Номер патента: CN110286281A. Автор: 孟旭,汤肖迅,杜军红,邱永伟. Владелец: Shanghai Longcheer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-27.

Wafer burn-in test circuit for semiconductor memory device

Номер патента: KR100228530B1. Автор: 이윤상. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-11-01.

Integrated circuit burn-in test system and associated methods

Номер патента: US20030214316A1. Автор: Riccardo Maggi,Massimo Scipioni. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-11-20.

A burn-in test system with protection function of control apparatus

Номер патента: KR20220102406A. Автор: 박병옥. Владелец: 박병옥. Дата публикации: 2022-07-20.

Method for performing a high-temperature burn-in test on integrated circuits

Номер патента: US6181143B1. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Burn-in test circuit

Номер патента: KR100386615B1. Автор: 김택승. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-06-02.

A kind of electrolytic capacitor burn-in test special fixture

Номер патента: CN109444483A. Автор: 李英华. Владелец: Shenzhen Hongming Automation Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-08.

Wafer burn-in test circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: CN1053757C. Автор: 昔容轼,李在蓥. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-06-21.

Wafer burn-in test circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: TW263562B. Автор: Seok Yong-Sik,Lee Jae-Hyeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-11-21.

Sliding door for opening burn-in test device and opening / closing control system

Номер патента: KR101754054B1. Автор: 유영돈. Владелец: 주식회사 두오텍. Дата публикации: 2017-07-05.

Colorimetric Fan for Measuring Corn Aflatoxin Test and Test Method Thereof

Номер патента: AU2020101202A4. Автор: Jingxin Zhang,Shoufeng Li,Zhaolin Wu,Zhenhua Zhao,Zhengyang Huang,Dongwei ZHAO,Huayun HUANG,Chunmiao LI,Qianbao WANG,Longgang XUE. Владелец: Yangzhou Xianglong Poultry Industry Development Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Support apparatus for modal test and using method thereof

Номер патента: US20240217675A1. Автор: Chuanming Kang,Baihua An,Hanxing Liang,Xiewei Lin,Yiting Guo. Владелец: China Academy of Aerospace Aerodynamics CAAA. Дата публикации: 2024-07-04.

Portable multifunctional tester for pollutant erosion effect and unidimensional consolidation and test method thereof

Номер патента: US20220026342A1. Автор: Chuang YU,Zexiang Wu,Xiaoqing Cai,Dongmei Tu. Владелец: Wenhou University. Дата публикации: 2022-01-27.

FPGA (Field Programmable Gate Array)-based S-mode secondary radar decoder and testing and error correction method thereof

Номер патента: CN104330774A. Автор: 王为,李朋,徐瑾. Владелец: Anhui Sun Create Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-04.

Cold carrying system for aircraft extreme temperature test and parameter design method thereof

Номер патента: CN114486265B. Автор: 徐健,张惠,李玄,任战鹏,吴敬涛,田培强,王博言. Владелец: AVIC Aircraft Strength Research Institute. Дата публикации: 2022-06-24.

Detachable connector device for hot helium leak detection test and leak detection method thereof

Номер патента: CN112710438B. Автор: 袁涛,周毅,孙倩,赵云华,谌继明,王平怀. Владелец: Southwestern Institute of Physics. Дата публикации: 2022-12-20.

Structure for preventing hot end of thermocouple from being grounded and use method thereof

Номер патента: CN114370947A. Автор: 马力,金涛,王伦正. Владелец: Anhui Chengfei Electric Cable Co ltd. Дата публикации: 2022-04-19.

Semiconductor device structure having channel layer with reduced aperture and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240064961A1. Автор: Yu Xiao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device structure with movable membrane

Номер патента: US12043538B2. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng,Yi-Chuan Teng,Chun-Yin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090309091A1. Автор: Masahiko Ishida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-12-17.

Memory device structure with protective element

Номер патента: US11758830B2. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Electronic device and method for predicting and compensating for burn-in of display

Номер патента: US20230306884A1. Автор: Yunpyo Hong,Taehyeong Kim,Hanyuool KIM,Seungkyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Micro-led burn-in statistics and compensation systems and methods

Номер патента: US20240304133A1. Автор: Yifan ZHANG,Mahesh B Chappalli,Tae-Wook Koh,Vincent Z Young,Jared S Price. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Foveated display burn-in statistics and burn-in compensation systems and methods

Номер патента: US20240257710A1. Автор: Shereef Shehata,Yung-Chin Chen,Jim C Chou. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Test circuit for a semiconductor memory device and method for burn-in test

Номер патента: US6055199A. Автор: Takashi Kono,Mikio Asakura,Kiyohiro Furutani,Kei Hamade. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-04-25.

Electronic device and method for predicting and compensating for burn-in of display

Номер патента: US11948484B2. Автор: Yunpyo Hong,Taehyeong Kim,Hanyuool KIM,Seungkyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Device with convolutional neural network for acquiring multiple intent words, and method thereof

Номер патента: US20210134274A1. Автор: Kwangyong Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-05-06.

Method for setting up bit error rate criterion and method for burn-in test of hard disk drive

Номер патента: KR100833198B1. Автор: 이상협,이해중. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-05-28.

Foveated display burn-in statistics and burn-in compensation systems and methods

Номер патента: US20240096262A1. Автор: Shereef Shehata,Yung-Chin Chen,Jim C Chou. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Foveated display burn-in statistics and burn-in compensation systems and methods

Номер патента: US11955054B1. Автор: Shereef Shehata,Yung-Chin Chen,Jim C Chou. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Foveated display burn-in statistics and burn-in compensation systems and methods

Номер патента: WO2024064105A1. Автор: Shereef Shehata,Yung-Chin Chen,Jim C Chou. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Auto refresh control circuit of semiconductor device

Номер патента: KR19980076907A. Автор: 전준현. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1998-11-16.

Machine for burning-in of exposed copies for blockmaking in a molten salt bath

Номер патента: GB1249400A. Автор: Anatoly Petrovich Goryachy,Mikhail Moiseevich Kachur,Mikmailovich Fomenko,Revmir Isaakovich Chernyak,Nikolaeivhc Popov,Efim Moiseevich Volovik. Владелец: VNII OBORU DLYA PECHATNYKH IZD. Дата публикации: 1971-10-13.

Method, system, and electrode structure for acquiring electrical signals from plurality of lead wires, and method for manufacturing said electrode structure

Номер патента: US20240192777A1. Автор: Masahiro Kasuya,Tatsuya Seki. Владелец: Meltin Mmi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method, system, and electrode structure for acquiring electrical signals from plurality of lead wires, and method for manufacturing said electrode structure

Номер патента: EP4327744A1. Автор: Masahiro Kasuya,Tatsuya Seki. Владелец: Meltin Mmi Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-28.

Reference Pixel Stressing for Burn-In Compensation Systems and Methods

Номер патента: US20220093059A1. Автор: Tsai Tsung-Ting,Zhang Yifan,Doyle David A.,LEE JiYe,Jin Jiayi,Yao Weijun,Hwang Injae,Yang Maofeng,Koh Tae-Wook,Mathai Mathew K.,Qian Chuang,Landry James P.,Pillai Kiran S.,Li Yongjun. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

Electronic device and method for predicting and compensating for burn-in of display

Номер патента: WO2022119112A1. Автор: 최승규,김태형,홍윤표,김한여울. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2022-06-09.

COMPRESSION TECHNIQUES FOR BURN-IN STATISTICS OF ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE (OLED) DISPLAYS

Номер патента: US20180247589A1. Автор: Sazegari Ali,LINDBERG LARS M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

Thin film transistor liquid crystal display (TFT-LCD) source driver for implementing a self burn-in test and a method thereof

Номер патента: US20050162374A1. Автор: Yong-Weon Jeon,Kyung-Wol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-07-28.

Semiconductor memory device and burn-in test method thereof

Номер патента: KR100827444B1. Автор: 손상기,임종형,김대선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-05-06.

Microcomputer and burn-in test method thereof

Номер патента: JP3198997B2. Автор: 祐介 時枝. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING LATCH CONTROLLER FOR PREVENTING DC CURRENT FROM FLOWING BETWEEN DIFFERENTIAL SIGNALS AND METHOD OF OPERATING SAME

Номер патента: US20160118090A1. Автор: Choi Junghwan,BAE YONGCHEOL,LEE WON YOUNG. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

Semiconductor integrated circuit device with built-in test circuit for applying stress to timing generator in burn-in test

Номер патента: KR19990078115A. Автор: 하라구찌요시노리. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-10-25.

Integrated circuit capable of being burn-in tested using an alternating current stress and a testing method using the same

Номер патента: US6490223B1. Автор: Choong-Keun Kwak,Yun-Seung Shin,Sang-Jib Han,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-03.

Burn-in test input circuit of a semiconductor memory device and burn-in test method therefor

Номер патента: DE69326654D1. Автор: Yun-Ho Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-11-11.

Integrated circuit capable of being burn-in tested using an alternating current stress and a testing method using the same

Номер патента: US20030035333A1. Автор: Choong-Keun Kwak,Yun-Seung Shin,Sang-Jib Han,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor memory device having improved wafer burn-in test scheme

Номер патента: TW419587B. Автор: Jong-Ryeul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-01-21.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF WAFER BURN-IN TEST FOR THE SAME

Номер патента: US20150155054A1. Автор: LEE Hyun-Sung,PARK Kee-Teok. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-06-04.

Burn-in test circuit and method for semiconductor memory device

Номер патента: JP3803145B2. Автор: 再九 盧,秀仁 趙. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-02.

Memory device having open bit line cell structure using burn-in testing scheme and method therefor

Номер патента: US7245542B2. Автор: Ki-Won Park,Byung-sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-17.

Apparatus and method for determining burn-in test progress status of hard disk drive

Номер патента: KR100505586B1. Автор: 조진원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-09-30.

Semiconductor integrated circuit device having burn-in test capability and method for using the same

Номер патента: US5909142A. Автор: Junji Ogawa,Kenichi Kawasaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-06-01.

method for controlling voltage generator for use in wafer burn-in test and voltage generator controlling circuit

Номер патента: KR100470997B1. Автор: 강상석,최종현,정용환,박충선,김형동. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-10.

DISC PLAYER AND BURN-IN TEST METHOD FOR DISC PLAYER

Номер патента: US20140169148A1. Автор: WANG YA-GUO,CHEN CHUN-CHING. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor memory device with an easy package level burn-in test

Номер патента: KR0182162B1. Автор: 윤순병. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-04-15.

Burn-in test circuit

Номер патента: KR100302617B1. Автор: 전준현. Владелец: 현대반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-11-01.

Burn-in test method

Номер патента: KR100464946B1. Автор: 이승현,정호돈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-01-05.

Driver circuit of burn-in test mode

Номер патента: KR0164802B1. Автор: 정민철,박희철. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-02-01.

Semiconductor memory device with burn-in test function

Номер патента: KR100390146B1. Автор: 유제환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-07-04.

Semiconductor memory device capable of writing different data in cells connected to one word line at burn-in test

Номер патента: KR100771853B1. Автор: 신동학. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-11-01.

Burn-in enable circuit and burn-in test method of semiconductor memory device

Номер патента: KR950003014B1. Автор: 최윤호. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1995-03-29.

Wafer Burn-in Test Circuit of Semiconductor Memory Device

Номер патента: KR970076892A. Автор: 노재구. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-12-12.

Oled panel burn-in test characteristics of luminescence detection method based on pixel brightness

Номер патента: CN110428762A. Автор: 洪志坤,张胜森,欧昌东,郑增强. Владелец: Wuhan Jingli Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-08.

Speedy burn-in test system of semiconductor memory device

Номер патента: KR102141800B1. Автор: 유호상,옥두환. Владелец: 주식회사 엑시콘. Дата публикации: 2020-08-06.

Precharge circuit for inducing sensing stress upon twist bit lines of memory, layout of the precharge circuit and wafer burn-in test method of the memory device

Номер патента: KR100630714B1. Автор: 최영주,김규홍. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-04.

The wafer burn-in test method of biasing the stress voltage on bit line

Номер патента: KR0157292B1. Автор: 전준영,정우표. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-02-18.

Semiconductor memory device having burn-in test mode

Номер патента: KR100900786B1. Автор: 허황. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-06-02.

Semiconductor memory with built-in burn-in test

Номер патента: DE69419951D1. Автор: Takashi Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-09-16.

Semiconductor memory device facilitates package-level burn-in testing

Номер патента: KR980005040A. Автор: 윤순병. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-03-30.

Wafer burn-in test method

Номер патента: KR100224776B1. Автор: 조주환. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Semiconductor memory circuit having normal operation mode and burn-in test mode

Номер патента: US6735133B1. Автор: Yasuhiko Tsukikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-05-11.

Wafer burn-in test method applying stress voltage to bit line

Номер патента: KR970022353A. Автор: 전준영,정우표. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-05-28.

Burn-in test circuit

Номер патента: JP4564148B2. Автор: チュン ジュン−ヒュン. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-10-20.

A semiconductor memory device having a burn-in test function

Номер патента: KR19990014168A. Автор: 히로아끼 하시모또. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-02-25.

Method for performing a burn-in test

Номер патента: US7463548B2. Автор: Alan D. Norris,Samuel Weinstein,Stephan Wuensche. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-09.

Semiconductor memory device capable of writing different data in cells coupled to one word line during burn-in test

Номер патента: US7474573B2. Автор: Dong-Hak Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-06.

Semiconductor memory device with circuit executing burn-in testing

Номер патента: US6704231B1. Автор: Fukashi Morishita,Mitsuya Kinoshita. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-03-09.

Wafer burn in test control citcuit

Номер патента: KR100904465B1. Автор: 한희현,김지열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-06-24.

Semiconductor memory with built-in burn-in test

Номер патента: EP0615253A2. Автор: Takashi C/O Intellectual Property Div. Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-09-14.

Method and apparatus for controlling a high voltage generator in a wafer burn-in test

Номер патента: US20060114731A1. Автор: Jong-Hyun Choi,Sang-Seok Kang,Choong-Sun Park,Hyung-Dong Kim,Yong-Hwan Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor memory and burn-in test method of semiconductor memory

Номер патента: KR100750576B1. Автор: 노부미 고다마,요시아키 오쿠야마,신야 후지오카,야스히로 다카다,다쓰히로 와타나베. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2007-08-21.

Burn-in test method for yield improvement in hard disk drive

Номер патента: KR980004779A. Автор: 조진원. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-03-30.

Semiconductor memory device having wafer burn-in test mode

Номер патента: US7660174B2. Автор: Hi-Hyun Han,Jee-Yul Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

Semiconductor memory device having function of burn-in test thereof

Номер патента: KR100494437B1. Автор: 김남종,이규찬. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-06-13.

The method and apparatus that a kind of pair of encryption currency arithmetic facility carries out burn-in test

Номер патента: CN108874599A. Автор: 张楠赓,赵建雄. Владелец: Hangzhou Canaan Creative Information Technology Ltd. Дата публикации: 2018-11-23.

Semiconductor memory device with improved wafer burn-in test scheme

Номер патента: KR100281900B1. Автор: 김종열. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-02-15.

TFT-LCD source driver implementing self burn-in test

Номер патента: KR100525000B1. Автор: 전용원,김경월. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-31.

Structure for dual-bit non-volatile memory unit and the read/write method thereof

Номер патента: TW474022B. Автор: Jin-Yang Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-01-21.

Acoustic metamaterials structures for impact vibration mitigation by controlling local resonance properties and formation method thereof

Номер патента: KR102124562B1. Автор: 이정우,황희윤,설창원. Владелец: 국방과학연구소. Дата публикации: 2020-06-18.

Double-cavity type precision seed sowing device for crop breeding test and seed sowing method thereof

Номер патента: CN107046883B. Автор: 李国梁,尚书旗,王东伟,杨诚,李国莹,徐祝欣,孙钦华. Владелец: Qingdao Plantech Mechanical Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-10-28.

Recording medium with data structure for controlling display of still images recorded on it and method and device for recording and displaying

Номер патента: RU2360302C2. Автор: Бён Джин КИМ,Ган Су СО,Сон Хён ЫМ,Сын Ван ПАК. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2009-06-27.

Recording medium with data structure for controlling main data and supplementary content data thereof and methods and devices for recording and playing back

Номер патента: RU2360301C2. Автор: Пюн Чин КИМ,Чеа Ён ЁО,Ми Хюн КИМ,Пюн Чин КИМ (KR),Чеа Ен ЕО (KR),Ми Хюн КИМ (KR). Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2009-06-27.

Barrier structures for underfill blockout regions

Номер патента: US20170131476A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Christopher D. Muzzy,Wolfgang Sauter,Eric Turcotte,Robert K. Leidy,Thomas E. Lombardi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Structure for a Voltage Detection Circuit in an Integrated Circuit and Method of Generating a Trigger Flag Signal

Номер патента: US20090144689A1. Автор: Wagdi W. Abadeer,Jeffrey S. Brown,Albert M. Chu,John A. Fifield. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

Semiconductor testing device and method of operating the same

Номер патента: US12050245B2. Автор: Jung-Hui Kao,Kong-Beng Thei,Fu-Hsiung Yang,Jing-Jung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor structure and method for operating the same

Номер патента: US20170153287A1. Автор: Ting-Sheng Huang,Shih-Hsin Chen,Jiaw-Ren Shih,Jen-Hao Lee,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

Semiconductor device verification system and method

Номер патента: US20040125675A1. Автор: Hong Kim,Ajaykumar Thadhlani. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6955870B2. Автор: Hideo Miura,Hideyuki Aoki,Masatoshi Kanamaru,Ryuji Kohno,Hiroya Shimizu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-10-18.

System of delivery of catalytic aerosol and method of catalytic of fuel burning

Номер патента: RU2386078C2. Автор: Тревор Р. ГРИФФИТС,Б. М. Гиббз,С. К. Рой,Р. С. Лундин. Владелец: ЭлДжиЭр ЭлЭлСи. Дата публикации: 2010-04-10.

Gas turbine engine and method of operation at idle speed

Номер патента: WO2002012691A1. Автор: Anatoly Rakhmailov. Владелец: Alm Development, Inc.. Дата публикации: 2002-02-14.

A method for burning in burners

Номер патента: TW201211462A. Автор: Kimio Iino,Yasuyuki Yamamoto,Yoshiyuki Hagihara,Tomoyuki Haneji. Владелец: Taiyo Nippon Sanso Corp. Дата публикации: 2012-03-16.

Coke-coal mixture for burning in local furnaces

Номер патента: CZ68893A3. Автор: Miloslav Ing Vitek. Владелец: Ostravsko Karvinske Doly. Дата публикации: 1994-11-16.

Machine for burning in bearings

Номер патента: US1517790A. Автор: Robert W Laubenheimer,Lucas Carl Louis. Владелец: Individual. Дата публикации: 1924-12-02.

Improved composition for burning in lamps

Номер патента: US1453A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1839-12-31.

Engine jack for burning in bearings

Номер патента: US1507952A. Автор: Charles P Christensen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1924-09-09.

Firing for burning, in particular, pressed bales of straw

Номер патента: DE3109915C2. Автор: Hans Dr.h.c. 3559 Battenberg Vießmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 1985-06-27.

Method for burning in electric plant boiler

Номер патента: RU2062944C1. Автор: Хауманн Юрген,Заттельмайер Томас. Владелец: Асеа Браун Бовери АГ. Дата публикации: 1996-06-27.

Meshing structure for plate welding and tack-free welding device and method

Номер патента: US20240217037A1. Автор: CAN Wang,Liping Zhang,Ang JI. Владелец: Jiangsu XCMG Construction Machinery Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for the production of a fuel gas for burning in a combustion chamber

Номер патента: DE4307167A1. Автор: Georg Dr Leibrandt,Horst Dr Kretschmer,Werner W Prof Dr Poersch. Владелец: Lurgi Lentjes Babcock Energietechnik GmbH. Дата публикации: 1994-09-08.

Method of prelimitary treatment of fuel for burning in i.c.engine

Номер патента: SU832095A1. Автор: Александр Сергеевич Гуржи,Иван Никитович Мухин,Леонид Леонидович Бойко. Владелец: Харьковский Ордена Ленина Политех-Нический Институт Им. B.И.Ленина. Дата публикации: 1981-05-23.

Apparatus for burning, in particular, inert coal dust

Номер патента: DE3441138A1. Автор: Klaus Dipl.-Ing. Brücher,Dietrich 5180 Eschweiler Buss,Rudolf Dipl.-Ing. 8520 Erlangen Pieper,Eduard Dipl.-Ing. 8500 Nürnberg Weber,Wilh. Ing.(grad.) 5142 Hückelhoven Wenz,Eberhard Dipl.-Ing. 8520 Erlangen Wittchow. Владелец: GEWERK SOPHIA JAKOBA. Дата публикации: 1986-05-15.

Heating boiler for burning, in particular, pressed bales of straw

Номер патента: DE3034669C2. Автор: Hans 3559 Battenberg Vießmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 1982-07-01.

A METHOD FOR APPLICATION FOR BURNING IN INDUSTRIAL OVEN

Номер патента: UA111701C2. Автор: Андерс ЛУГНЕТ,Томас Екман. Владелец: Лінде Акцієнгезелльшафт. Дата публикации: 2016-06-10.

Process for burning, in particular, liquid or gaseous fuels and heating boilers for carrying out the process

Номер патента: CH469234A. Автор: Profos Paul Prof Ing Dr. Владелец: Ygnis SA. Дата публикации: 1969-02-28.

METHOD AND BURNER FOR BURNING IN PARTICULAR LIQUID FUELS

Номер патента: ATA131796A. Автор: Andreas Kandler. Владелец: Man B & W Diesel Ag. Дата публикации: 1998-03-15.

Incendiary fire agent, which is obtainable by cutting corn residues, mixing them with paraffin granules or powder, pressing mixed amount under influence of heat, and producing pellets, useful e.g. as fire material for burning in fireplace

Номер патента: DE102009060993A1. Автор: Anmelder Gleich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-17.

Device for burning in bearings of automobiles

Номер патента: US1368060A. Автор: Isidore J Schultenover. Владелец: EDMUND J MCGOWAN. Дата публикации: 1921-02-08.

Structure for retaining or storing fluids* parts of same structure* and method of forming seals for same structure

Номер патента: JPS53101710A. Автор: Chiyaarusu Dei Aron,Jiyooji Hoogan Jiyon. Владелец: Head Wrightson and Co Ltd. Дата публикации: 1978-09-05.

Sole structure for an article of footwear with abrasion resistant outsole and method of manufacturing same

Номер патента: EP3581055B1. Автор: Aaron A. C. Cooper,Michael H. C. Hui. Владелец: Nike Innovate CV USA. Дата публикации: 2024-05-08.

Automatic transfer method of burn-in board by automatic guided vehicle and burn-in test system

Номер патента: JP3307189B2. Автор: 栄司 佐々木. Владелец: 安藤電気株式会社. Дата публикации: 2002-07-24.

Treatment structure for transfinite convergence deformation in shield tunnel operation period and construction method thereof

Номер патента: CN113137257B. Автор: 蒋志华,刘小荣,孟晨曦,吴增金,汪安祥,齐士乐,苏光旭,刘念武. Владелец: CREEC East China Survey and Design Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-26.

Supporting structure for coal mine to penetrate through old kiln goaf and supporting method thereof

Номер патента: CN109184752B. Автор: 刘洋,王建东,梁林,毛明仓,焦稳锋,袁亚文,高健铭. Владелец: Huangling Mining Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

U-shaped steel reinforced composite anchor net support structure for high-stress soft rock tunnel of deep well and construction method thereof

Номер патента: CN106401605A. Автор: 何壮志,姚韦靖,庞建勇. Владелец: ANHUI UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-02-15.

STRUCTURE FOR IMPROVING AERODYNAMIC EFFICIENCY OF LOW-PRESSURE TURBINE BLADE AND WORKING METHOD THEREOF

Номер патента: US20230010937A1. Автор: Rao Yu,XIE Yin,CHENG Yuli. Владелец: . Дата публикации: 2023-01-12.

Combined structure for grouting and repairing tunnel crack by biological slurry and construction method thereof

Номер патента: CN111425221A. Автор: 夏玉军. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-07-17.

Rapid upgrading installation structure for corrugated steel guardrail of active service operation highway and construction method thereof

Номер патента: CN112482275A. Автор: 刘彬,刘炜,刘丹,郭炜,赵林,万会国,杨夕卉,任萌. Владелец: Tianjin Highway Engineering General Co. Дата публикации: 2021-03-12.

Connecting structure for bottom of laminated steel column and concrete structure and construction method thereof

Номер патента: CN114562125A. Автор: 赵丹,董有,鞠树森. Владелец: Zhufu Beijing Urban Renewal And Construction Group Co ltd. Дата публикации: 2022-05-31.

Reinforced disposal structure for karst cave at middle lower part of tunnel and construction method thereof

Номер патента: CN113503166A. Автор: 刘佳,王洋,徐会超,陈小丽,冯柯,谢海彬,郭真河,廖朝晖,康桂亮,高顺治,付凯斌,苏文卓. Владелец: Guangdong Guanyue Highway and Bridge Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-15.

Structure for radiating far infrared ray which made of salt and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100601190B1. Автор: 심현진. Владелец: 심현진. Дата публикации: 2006-07-13.

Assembly type steel-UHPC combined reinforcement structure for improving shear bearing capacity of hollow plate girder and construction method thereof

Номер патента: CN112681155A. Автор: 朱经纬,肖刚,李理,辛公锋,王阳春,顾瑞海,褚锋,王瑞冰,徐传昶,龙关旭,宋秀豪,毛一波. Владелец: Shandong High Speed Linzao To Zaomu Road Co ltd. Дата публикации: 2021-04-20.

Structure for improving high-frequency characteristic of all-tantalum capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN115881440A. Автор: 刘爽,宁连才. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2023-03-31.

Structure for fastening clamped workpiece on decorative plate, clamped workpiece and fastening method thereof

Номер патента: CN101994736A. Автор: 大沼健二. Владелец: Toyoda Iron Works Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-30.

Rapid upgrading installation structure for corrugated steel guardrail of active service operation highway and construction method thereof

Номер патента: CN112482275B. Автор: 刘彬,刘炜,刘丹,郭炜,赵林,万会国,杨夕卉,任萌. Владелец: Tianjin Highway Engineering General Co. Дата публикации: 2022-04-29.

Flat-floor entrance structure for modifying old building by additionally arranging elevator stairs and construction method thereof

Номер патента: CN111852061A. Автор: 彭新亮,刘海鹏,彭禺龙. Владелец: Jiangxi Youjia Elevator Engineering Co ltd. Дата публикации: 2020-10-30.

Structure for improving aerodynamic efficiency of low-pressure turbine blade and working method thereof

Номер патента: US11608745B2. Автор: Yu RAO,Yin Xie,Yuli CHENG. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2023-03-21.

Environment-friendly structure for eliminating influence of construction vibration on retaining wall and construction method thereof

Номер патента: CN115977144A. Автор: 石川,陶文斌. Владелец: Highway Traffic Energy Saving And Environmental Protection Technology And Equipment Transportation Industry R&d Center. Дата публикации: 2023-04-18.

SLIDING STRUCTURE FOR INTERNAL COMBUSTION ENGINE, METHOD FOR CONTROLLING IDLING OPERATION, AND METHOD FOR CONTROLLING OPERATION OF INTERNAL COMBUSTION ENGINE

Номер патента: US20200325844A1. Автор: Kanno Kazuhiko,Murata Hirokazu,URABE Mitsuru,TASE Jyuta,MOROI Kazumi. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

Steel structure for hydrogen gas, method for producing hydrogen storage tank, and method for producing hydrogen line pipe

Номер патента: CA2907514A1. Автор: Shusaku Takagi,Akihide Nagao. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Steel structure for hydrogen gas, method for producing hydrogen storage tank, and method for producing hydrogen line pipe

Номер патента: AU2014245562B2. Автор: Shusaku Takagi,Akihide Nagao. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Structure for creating housings for setting trees into the ground and method for setting tress into the ground

Номер патента: US20130139433A1. Автор: Valerio Pontarolo,Luca PONTAROLO. Владелец: Pontarolo Engr SpA. Дата публикации: 2013-06-06.

STRUCTURE OF SEMI-FINISHED PRODUCT FOR MOVEMENT RESTRICTION MEMBER, APPARATUS FOR ATTACHING SEMI-FINISHED PRODUCT TO BAR MEMBER, STRUCTURE FOR ATTACHMENT OF SEMI-FINISHED PRODUCT AND BAR MEMBER, AND METHOD OF ATTACHING SEMI-FINISHED PRODUCT

Номер патента: US20170050488A1. Автор: KATSUNO Kenji. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

Steel structure for hydrogen gas, mehtod for producing hydrogen storage tank, and method for producing hydrogen line pipe (as amended)

Номер патента: US20160060738A1. Автор: Shusaku Takagi,Akihide Nagao. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

STRETCHABLE STRUCTURE FOR ABSORBENT ARTICLE, ABSORBENT ARTICLE COMPRISING SAID STRETCHABLE STRUCTURE, AND METHOD FOR FORMING STRETCHABLE STRUCTURE FOR ABSORBENT ARTICLE

Номер патента: US20160206481A1. Автор: Mori Yosuke,HONDA Akiko,ADACHI Takahiko,TANEDA Michiyo. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

Structure for erecting on the surfaces of bodies of water, and method for erecting same

Номер патента: WO2018054532A1. Автор: Martin Daum. Владелец: LEMPART, Marc-Alexander. Дата публикации: 2018-03-29.

Multilayer structure for packaging and packaging container manufactured from the same, and method for manufacturing multilayer structure

Номер патента: JP2002530224A. Автор: アンデルソン、トルブヨルン,オルソン、ハカン. Владелец: テトラ ラバル ホールデイングス エ フイナンス ソシエテ アノニム. Дата публикации: 2002-09-17.

Structure for a motor vehicle, in particular a passenger car, and method for producing such a structure

Номер патента: DE102011089153A1. Автор: Thomas Weiss,Sabine Röhrl,Ferdinand Dirschmid. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2013-06-20.

A packaging structure for a fixed blade shaver and an improved apparatus and method for prolonging blade sharpness

Номер патента: EP1334048A4. Автор: Daniel Milan Stanford,Clive Vincent Elliott. Владелец: Clive Vincent Elliott. Дата публикации: 2004-08-18.

Fast-dissolving isotropic expanded microporous composition or structure for pharmaceutical, veterinary, dietetic, food or cosmetic and use and method for obtaining same

Номер патента: CA2368651A1. Автор: Joël BOUGARET,Laurence Lachamp,Bruno Paillard,Eric Goutay,Jacques Frances. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-10-05.

Cover structure for a wood storage area for drying stacked wood and method for drying wood.

Номер патента: EP1818635A1. Автор: Antoon Van Den Hurk,Anton Joseph Van Den Hurk,David Antoon Van Den Hurk. Владелец: Houtimport Lp Rolle Schijndel Bv. Дата публикации: 2007-08-15.

Fence structure for preventing ballast from lateral flowing on ballast track, and method for constructing the same

Номер патента: KR101534797B1. Автор: 이진욱,이성혁. Владелец: 한국철도기술연구원. Дата публикации: 2015-07-08.

Structure for preventing counterfeiting, alteration and reuse, manufacturing method therefor, and method for determining authenticity of counterfeit, alteration and reuse using same

Номер патента: WO2017090831A1. Автор: 장호성,박기선,고형덕,한일기. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2017-06-01.

Structure of semi-finished product for movement restriction member, apparatus for attaching semi-finished product to bar member, structure for attachment of semi-finished product and bar member, and method of attaching semi-finished product

Номер патента: CA2939797A1. Автор: Kenji Katsuno. Владелец: NHK Spring Production Co. Дата публикации: 2015-08-27.

TEXTILE STRUCTURE FOR THE REINFORCEMENT OF COMPONENTS LIKE BARS, FROM COMPOSITES AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF.

Номер патента: DE68907742D1. Автор: Tetsuro Hirokawa,Yoshiaki C O Nagoya A Sakatani,Tetsuya C O Nagoya Ai Yamamoto,Shigeru C O Nagoya A Nishiyama. Владелец: Shikishima Boseki KK. Дата публикации: 1993-09-02.

Support structure for simultaneously supporting a plurality of vials, use thereof and method for handling such vials

Номер патента: CN108116770B. Автор: E·帕夫洛夫斯基,G·F·道赤勒. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2021-04-06.

Foundation structure for water wind power generator, water wind power generator, and method for manufacturing water wind power generator

Номер патента: JP6420971B2. Автор: 篤 山下,徹 池▲崎▼,寛 大久保,正志 鳥井. Владелец: Nippon Steel Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-07.

Concrete structure for reinforcing using themal prestressing of plate type tendon, and method for the same

Номер патента: KR102472203B1. Автор: 박기태,김건수,서동우,정규산. Владелец: 한국건설기술연구원. Дата публикации: 2022-11-30.

Structure for suspension in articles of furniture or the like and method for the assembly of said structure

Номер патента: WO1998011805A1. Автор: Anacleto Fontana. Владелец: Cintel S.A.S. Di Fontana Paola & C.. Дата публикации: 1998-03-26.

Structure for supporting planet gear in simple planet gear mechanism and method for manufacturing the mechanism

Номер патента: TW523575B. Автор: Takashi Haga,Takashi Hatanaka,Sueo Fukaya. Владелец: Sumitomo Heavy Industries. Дата публикации: 2003-03-11.

SOLE STRUCTURE FOR AN ARTICLE OF FOOTWEAR HAVING HOLLOW POLYMERIC ELEMENTS AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20160150855A1. Автор: Peyton Lee D.. Владелец: Nike, Inc.. Дата публикации: 2016-06-02.

PREFABRICATED STRUCTURE FOR USE IN CONSTRUCTING OUTDOOR FIREPLACES AND THE LIKE AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20160169526A1. Автор: Paulding Raymond. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

SOLE STRUCTURE FOR AN ARTICLE OF FOOTWEAR WITH ABRASION RESISTANT OUTSOLE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20180168285A1. Автор: Cooper Aaron A.C.,Hui Michael HC. Владелец: Nike, Inc.. Дата публикации: 2018-06-21.

SOLE STRUCTURE FOR AN ARTICLE OF FOOTWEAR WITH ABRASION RESISTANT OUTSOLE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20150181976A1. Автор: Cooper Aaron A.C.,Hui Michael HC. Владелец: Nike, Inc.. Дата публикации: 2015-07-02.

SOLE STRUCTURE FOR AN ARTICLE OF FOOTWEAR HAVING HOLLOW POLYMERIC ELEMENTS AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20200187592A1. Автор: Peyton Lee D.. Владелец: Nike, Inc.. Дата публикации: 2020-06-18.

HIGH-PRESSURE TANK HAVING STRUCTURE FOR RADIATION OF HEAT AND DISCHARGE OF REMAINING GAS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180274725A1. Автор: Chung Jae Han,Heo Seok Bong,Kim Jong Lyul,YOO Gye Hyoung. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

Sole structure for an article of footwear with abrasion resistant outsole and method of manufacturing same

Номер патента: US9930929B2. Автор: Aaron A. C. Cooper,Michael H C Hui. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Sealing structure for suction box of suction roll in paper machine and method of sealing operation of suction roll

Номер патента: JP3096587B2. Автор: スネルマン ヨルマ. Владелец: バルメット ペーパ マシーナリ インコーポレイテッド. Дата публикации: 2000-10-10.

Sole structure for an article of footwear with abrasion resistant outsole and method of manufacturing same

Номер патента: EP3086678B1. Автор: Aaron A. C. Cooper,Michael H. C. Hui. Владелец: Nike Innovate CV USA. Дата публикации: 2019-09-04.

Concrete structure for transmitting load from iron lattice of marine platform and method of building said structure

Номер патента: JPS55105018A. Автор: Jiyan Riyuuku Reon Par Yubeeru,Mishieru Dominiiku,Gaburieru Sedeiyo Furansowa. Владелец: Compagnie Generale Pour Les Developpements Operationnels Des Richesses s Ous Marines C G Doris. Дата публикации: 1980-08-12.

Sole structure for an article of footwear with abrasion resistant outsole and method of manufacturing same

Номер патента: AU2014370293B2. Автор: Aaron A. C. Cooper,Michael H. C. Hui. Владелец: Nike Innovate CV USA. Дата публикации: 2017-10-26.

Core wire with elongate structures for conductors in intraluminal device and associated devices, systems, and methods

Номер патента: WO2023202904A1. Автор: Mathijs De Wit,William Joseph BOYLE. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2023-10-26.

Apparatus for fabricating semiconductor device and method thereof

Номер патента: US20090104567A1. Автор: Dong-Chan Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-04-23.

System and method for semiconductor device compact modeling using multiple specialized artificial neural networks for each semiconductor device operation region

Номер патента: US20230385494A1. Автор: Jung Hwan Park,Chan Woo Park. Владелец: Alsemy Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor Device Simulation Platform

Номер патента: US20230394210A1. Автор: Zhiqiang Wu,Nuo XU,Zhengping Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device test system and method

Номер патента: US20080246505A1. Автор: Carsten Ohlhoff,Markus Kollwitz. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-09.

Burn-in socket and test method for burn-in test

Номер патента: KR980012184A. Автор: 김영대,정문채,서정우. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Method of preparation of water-and-coal fuel for burning in power boiler plant

Номер патента: RU2256124C1. Автор: А.С. Кондратьев. Владелец: Кондратьев Александр Сергеевич. Дата публикации: 2005-07-10.

System for preparation of water-coal fuel for burning in power boiler plant

Номер патента: RU2036376C1. Автор: А.С. Кондратьев,Я.М. Каган,Г.Н. Делягин,Б.А. Сараф,Е.А. Федорченко,А.Е. Гайворонский. Владелец: Научно-производственное объединение &#34;Гидротрубопровод&#34;. Дата публикации: 1995-05-27.

System for functioning tests and burn-in testing of digital integrated circuits (ic) and very large scale integrated circuits (vlsic)

Номер патента: RU2485529C1. Автор: Александр Анатольевич Сашов,Михаил Игоревич Краснов. Владелец: Открытое акционерное общество &#34;Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем&#34; (ОАО &#34;Российские космические системы&#34;). Дата публикации: 2013-06-20.

Burn-in test method for integrated microcircuits

Номер патента: RU2554660C1. Автор: . Владелец: Максимов Владимир Алексеевич. Дата публикации: 2015-06-27.

Underwater structure for drilling oil-gas wells and production of hydrocarbons and methods of its transportation, assembly and operation

Номер патента: RU2517285C1. Автор: Чингиз Саибович Гусейнов,Виктор Константинович Иванец,Сергей Алексеевич Швец,Антон Альфредович Мусабиров,Галина Викторовна Громова. Владелец: Чингиз Саибович Гусейнов. Дата публикации: 2014-05-27.

Method for stabilisation of electric parameters of semiconductor devices sealed in plastic

Номер патента: RU2484550C1. Автор: Вадим Леонидович Романов. Владелец: Открытое акционерное общество &#34;ОКБ-Планета&#34; (ОАО &#34;ОКБ-Планета&#34;). Дата публикации: 2013-06-10.

Method and apparatus thereof for burn-in testing of a static random access memory

Номер патента: TW514929B. Автор: Shih-Huang Huang,Jui-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-12-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE ON WHICH WAFER-LEVEL BURN-IN TEST IS PERFORMED AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120307581A1. Автор: Kodama Takuyo. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-12-06.

AUTOMATED LOADING/UNLOADING OF DEVICES FOR BURN-IN TESTING

Номер патента: US20120268148A1. Автор: TEOH Wan Yen,SUBPANYADEE Paiboon,PEREZ Kurt Joseph,TEO Chai Soon,ONG Swee HIN. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-25.

Electronic component inspection system for burn-in test

Номер патента: JP6660440B1. Автор: 忠熙 藤田. Владелец: 大分電子工業株式会社. Дата публикации: 2020-03-11.

Inrush current prevention circuit for burn-in test

Номер патента: KR200213194Y1. Автор: 이수길. Владелец: 이형도. Дата публикации: 2001-02-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH STACKED STRUCTURE HAVING THROUGH ELECTRODE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM, AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120163413A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING TEST CIRCUIT AND BURN-IN TEST METHOD

Номер патента: US20130107649A1. Автор: CHO JIn Hee. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2013-05-02.

An Improvement in Candles, applicable especially to those for Burning in Spring Lamps.

Номер патента: GB190023789A. Автор: Henry Palmer,William Calderwood. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-07-13.

Process for burn-in and testing a wafer

Номер патента: TW512475B. Автор: Yuan-Ping Tzeng,An-Hung Liou. Владелец: CHIPMOS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2002-12-01.

System for preparation of high-viscous organic fuel (mazut) for burning in low power boiler units

Номер патента: UA17597U. Автор: Anatolii Ivanovych Loboda,Fedir Stepanovych Shkrioba,Volodymyr Petrovych Metelskyi. Владелец: Ltd Liability Company Orikhivt. Дата публикации: 2006-10-16.

Machine for burning in bearings

Номер патента: CA209075A. Автор: O. White Addison. Владелец: Individual. Дата публикации: 1921-03-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING PLURAL CORE CHIPS AND INTERFACE CHIP THAT CONTROLS THE CORE CHIPS AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120262196A1. Автор: YOKOU Hideyuki. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-10-18.

A device for burning in a thick layer of fuel

Номер патента: SU12182A1. Автор: А.В. Шрубко. Владелец: А.В. Шрубко. Дата публикации: 1929-12-31.

Method of preparing mixture of lean and gas coal for burning in rotary furnace

Номер патента: SU1137280A1. Автор: Юрий Анатольевич Ушаков. Владелец: Сибирский Научно-Исследовательский И Проектный Институт Цементной Промышленности. Дата публикации: 1985-01-30.

Method of complex preparation of viscous fuel for burning in the ship

Номер патента: SU878998A1. Автор: Генрих Филиппович Левшин. Владелец: За витель. Дата публикации: 1981-11-07.

Method of charging raw bricks for burning in tunnel furnace

Номер патента: RU2012844C1. Автор: Г.Г. Голубев,П.И. Редькин. Владелец: Акционерное общество &#34;Восточно-Сибирский огнеупорный завод&#34;. Дата публикации: 1994-05-15.

Method of natural gas preparation for burning in boilers with multipurpose use of gas excessive pressure energy for generation of electric energy and chill, discharge of gas condensate, production of water condensate and system for method implementation

Номер патента: RU2338972C1. Автор: Дмитрий Тимофеевич Аксенов,Галина Петровна Аксенова,Екатерина Дмитриевна Лашкевич,Дмитрий Тимофеевич Аксенов (RU),Екатерина Дмитриевна Лашкевич (RU),Галина Петровна Аксенова (RU). Владелец: Екатерина Дмитриевна Лашкевич. Дата публикации: 2008-11-20.

Substrate insertion mechanism for burn-in system

Номер патента: JPH1123649A. Автор: Kunio Sato,邦夫 佐藤. Владелец: Ono Sokki Co Ltd. Дата публикации: 1999-01-29.

A kind of cooling system for burn-in chamber

Номер патента: CN204329220U. Автор: 田伟国,董焕萍. Владелец: Shaanxi Zizhu Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-13.

Automatically inserting and stripping mechanism for burn-in board

Номер патента: JPH10232261A. Автор: Toshihiro Otsuka,敏紘 大塚,Yasuhiro Higashiya,裕弘 東谷. Владелец: CHUO RIKEN KK. Дата публикации: 1998-09-02.

Wagon for burn-in board

Номер патента: TW435438U. Автор: Jeng-Lin Li,Ming-Jung Tzeng,Yung-Hua Chiau,Wen-Shiang Jiang. Владелец: CHIPMOS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2001-05-16.

Structure of universal slideway for burn in apparatus

Номер патента: TWM434304U. Автор: Ta-Kang Liu,Yen-Chang Liu. Владелец: King Yuan Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-21.

Boiler for burning in fluidised layer, especially for fuels with small caloric value

Номер патента: YU118986A. Автор: Bjelica Danko,Danko Bjelica,Bjelica Djordje,Djordje Bjelica. Владелец: Djordje Bjelica. Дата публикации: 1990-04-30.

Structure for electron emission source of field emission display and the fabrication method thereof

Номер патента: TW200539222A. Автор: kui-wen Zheng,jin-long Cai,Yu-An Li,jun-yan Xiao. Владелец: Teco Nanotech Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-01.

DRAM AND METHOD FOR TESTING THE SAME IN THE WAFER LEVEL BURN-IN TEST MODE

Номер патента: US20130021862A1. Автор: Chou Min-Chung. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc.. Дата публикации: 2013-01-24.

STACKED SEMICONDUCTOR DEVICES WITH A GLASS WINDOW WAFER HAVING AN ENGINEERED COEFFICIENT OF THERMAL EXPANSION AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20140070405A1. Автор: Agarwal Rahul,Alapati Ramakanth. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-03-13.

Burn-in test method and burn-in test device

Номер патента: JPH11142471A. Автор: Hideki Kano,秀樹 狩野. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-05-28.

Single wheel dynamic balancing vehicle burn-in test limiting device and the test equipment for having it

Номер патента: CN104833527B. Автор: 张辉,沈涛,程飞,陈中元,董楠,殷明春,候晓忠. Владелец: Ninebot Tianjin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-22.

Burn-in test system

Номер патента: TW201145792A. Автор: wen-nian Zhang. Владелец: Zhang Ya Dong. Дата публикации: 2011-12-16.

Wafer scale burn-in testing

Номер патента: SG72830A1. Автор: Chee Cheong Wong,Shun Shen Peter Wang. Владелец: Institution Of Microelectronic. Дата публикации: 2000-05-23.

The continuous tunnel-type burn-in test equipment

Номер патента: TW392269B. Автор: Shau-Wen Lau. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-06-01.

BATTERY PACK BURN-IN TEST SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120126820A1. Автор: Tan Eng Soon Dave,Hung Shih-Fa,Tan Chit Tee. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-24.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF PERFORMING BURN-IN TEST ON THE SAME

Номер патента: US20130148405A1. Автор: Kang Sang-beom,LEE Joon-hyung. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-13.

SYSTEM AND METHOD FOR REDUCING REACTIVE CURRENT IN POWER CONVERTER BURN-IN TESTS

Номер патента: US20130258732A1. Автор: Smith David,Zhu Huibin,Wilmer David Scott. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2013-10-03.

METHOD OF BURN-IN TESTING FOR THERMALLY ASSISTED HEAD

Номер патента: US20120147717A1. Автор: SHIMAZAWA Koji,TANAKA Kosuke,HONDA Takashi,NAGAI Yoshiteru,FUJII Ryuji,NOMA Tsuguki,Mitsuzawa Hosei. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-14.

METHOD FOR PERFORMING BURN-IN TEST

Номер патента: US20120269047A1. Автор: . Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2012-10-25.

BURN-IN TESTING APPARATUS

Номер патента: US20120326740A1. Автор: . Владелец: CHROMA ATE INC.. Дата публикации: 2012-12-27.

METHOD OF BURN-IN TEST OF EEPROM OR FLASH MEMORIES

Номер патента: US20130064015A1. Автор: Tailliet François. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2013-03-14.

BURN-IN TEST APPARATUS WITH FUNCTION OF ENERGY RECYCLING

Номер патента: US20130127482A1. Автор: Chang Hong-Chan,Kuo Cheng-Chien,Huangli Chien. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology. Дата публикации: 2013-05-23.

Burn-In Test Mode Generation Circuit

Номер патента: KR940021410U. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1994-09-24.

A kind of burn-in test platform of current logic software

Номер патента: CN105242150B. Автор: 王丹丹,王建强,袁鑫,马欢,胡连华,涂雁平,吴良风,杜跃峰,夏从东,龚奇奇. Владелец: SUZHOU LEGATE INTELLIGENT EQUIPMENT CO Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

A kind of COC burn-in test flexible jig

Номер патента: CN208752109U. Автор: 李家桐. Владелец: Tianjin Feilai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-16.

Burn-in test board

Номер патента: JP3128442B2. Автор: 尚司 奥村,佳武 宮川. Владелец: Risho Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-29.

A kind of rfid interrogator burn-in test servicing unit

Номер патента: CN103675541B. Автор: 刘海波,钟旭. Владелец: CHENGDU TIANZHI DAXING INFORMATION TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-09.

High-temperature wafer level burn-in test scheduling method for SoC (system on a chip) chip

Номер патента: CN103018646A. Автор: 程伟,崔小乐,陶玉娟,李崇仁. Владелец: Nantong Fujitsu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-03.

Fitting jig for ic burn-in test work

Номер патента: JPS6316272A. Автор: Toshio Hashimoto,美徳 門脇,Yoshinori Kadowaki,橋本　利夫. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 1988-01-23.

Burn-in test apparatus

Номер патента: JPS6418233A. Автор: Naoki Eguchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-01-23.

Wafer Level Burn-in Test Method

Номер патента: KR100193135B1. Автор: 이종학. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-15.

Wafer level dynamic burn-in test method

Номер патента: TWI550293B. Автор: 黃賢緯,蘇聖峰,劉東昱,李瀛州. Владелец: 力晶科技股份有限公司. Дата публикации: 2016-09-21.

Burn-in test method using shape memory alloy

Номер патента: KR19990069436A. Автор: 김남석,정태경. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-09-06.

Burn-in test system

Номер патента: TWI465737B. Автор: Chen Wei Hsin,yi ming Wang,Chien Ming Lai,Ke Chin Lin,Chien Hsuan Huang. Владелец: Accton Technology Corp. Дата публикации: 2014-12-21.

A kind of electrolytic capacitor burn-in test monomer jig

Номер патента: CN209372907U. Автор: 李英华. Владелец: Shenzhen Hongming Automation Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-10.

A kind of COC burn-in test built-up jig

Номер патента: CN208752108U. Автор: 李家桐. Владелец: Tianjin Feilai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-16.

Burn-in testing method

Номер патента: CN102043119A. Автор: 简维廷,张启华,丁育林,谢君强. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-05-04.

Burn-in test apparatus

Номер патента: TWI456219B. Автор: Ming Hsien Lin,Chiang Cheng Fan,Hung Chi Wang,Hsiu Wei Kuo. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2014-10-11.

Dynamic ram and burn-in test method using it

Номер патента: JPH11213696A. Автор: Kiyoomi Oshikoshi,清臣 押越. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-08-06.

Measurement Structure for Radio Frequency Scattering Parameter Measurement Applying Two Calibrators and Calibration Method Thereof

Номер патента: US20140118004A1. Автор: HUANG Chien-Chang. Владелец: YUAN ZE UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-05-01.

WAFER LEVEL LED PACKAGE STRUCTURE FOR INCREASING LIGHT-EMITTING EFFICIENCY AND HEAT-DISSIPATING EFFECT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120094407A1. Автор: . Владелец: HARVATEK CORPORATION. Дата публикации: 2012-04-19.

COMPOSITE SEPARATION MEMBRANE STRUCTURE FOR GAS SENSOR, GAS SENSOR APPARATUS COMPRISING THE SAME, AND METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING GAS CONCENTRATION USING THE SAME

Номер патента: US20130138384A1. Автор: KONG Hosung,HAN Hung Gu,LEE Jung Wook. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-05-30.

Heat-radiating structure for polycrystalline metal base-type light-emitting diode (LED) and method for manufacturing same

Номер патента: CN102339943A. Автор: 温耀隆. Владелец: Shanghai Zhuokai Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-01.

Method for oriented modification of semiconductor device structures using pulse electromagnetic field

Номер патента: RU2545077C1. Автор: Владимир Константинович Киселев,Максим Михайлович Венедиктов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр &#34;Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова&#34;. Дата публикации: 2015-03-27.

Thermosetting resin composition and method making protective coating for semiconductor devices

Номер патента: RU2391361C2. Автор: Алексей Петрович Крысин,Олег Иосифович Яковлев,Татьяна Федоровна Жаркова,Татьяна Васильевна Волосская,Людмила Ивановна Почуева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие &#34;Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ&#34; (ФГУП НЗПП с ОКБ). Дата публикации: 2010-06-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.