Semiconductor device structures for burn-in testing and methods thereof
Номер патента: US20190170811A1
Опубликовано: 06-06-2019
Автор(ы): Mark E. Tuttle
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 06-06-2019
Автор(ы): Mark E. Tuttle
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device structures for burn-in testing and methods thereof
Номер патента: US20190064257A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.