Semiconductor device structure and methods of forming the same
Номер патента: US12068271B2
Опубликовано: 20-08-2024
Автор(ы): Chao-Ching Chang, Chih-An Yang, Chih-Ming Lee, Hsin-Chi Chen, Hsun-Ying Huang, Hung-Wei HO, Shang-Yen WU, Tsung-Wei Huang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 20-08-2024
Автор(ы): Chao-Ching Chang, Chih-An Yang, Chih-Ming Lee, Hsin-Chi Chen, Hsun-Ying Huang, Hung-Wei HO, Shang-Yen WU, Tsung-Wei Huang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor devices including through-silicon-vias and methods of manufacturing the same and semiconductor packages including the semiconductor devices
Номер патента: US12014972B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Ju-Il Choi,Jin-ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.