Semiconductor device with through semiconductor via and method for fabricating the same
Номер патента: US20220310580A1
Опубликовано: 29-09-2022
Автор(ы): Hsih-Yang Chiu
Принадлежит: Nanya Technology Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 29-09-2022
Автор(ы): Hsih-Yang Chiu
Принадлежит: Nanya Technology Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Integrated circuit including a first semiconductor wafer and a second semiconductor wafer, semiconductor device including a first semiconductor wafer and a second semiconductor wafer and method of manufacturing same
Номер патента: US12062641B2. Автор: Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang,Chih-Lin Chen,Hui-Yu Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.