Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same
Номер патента: US20060237783A1
Опубликовано: 26-10-2006
Автор(ы): Byung Eun
Принадлежит: Hynix Semiconductor Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 26-10-2006
Автор(ы): Byung Eun
Принадлежит: Hynix Semiconductor Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device having a recess-fin field effect transistor and methods of fabrication the same
Номер патента: KR20080000921A. Автор: 이진우,한성희,정태영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-01-03.