Semiconductor device, electric power conversion device, and method for manufacturing semiconductor device
Номер патента: US20240274655A1
Опубликовано: 15-08-2024
Автор(ы): Kohei Ebihara
Принадлежит: Mitsubishi Electric Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 15-08-2024
Автор(ы): Kohei Ebihara
Принадлежит: Mitsubishi Electric Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device, power conversion device using same, and driving method for semiconductor device
Номер патента: EP3952082A1. Автор: Hiroshi Suzuki,Masaki Shiraishi,Tomoyasu Furukawa,Tomoyuki Miyoshi,Yujiro Takeuchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-02-09.