Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device by selectively removing silicon from silicon carbide substrate to form protective carbon layer on silicon carbide substrate for activating dopants

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device by selectively removing silicon from silicon carbide substrate to form protective carbon layer on silicon carbide substrate for activating dopants

Номер патента: US09659773B2
Опубликовано: 23-05-2017
Автор(ы): Takeyoshi Masuda
Принадлежит: Sumitomo Electric Industries Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190334030A1. Автор: Katsumi Suzuki,Yuichi Takeuchi,Atsuya Akiba,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09966437B2. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150236148A1. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2669949A1. Автор: Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-06-05.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160027878A1. Автор: Toru Hiyoshi,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-01-28.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9306006B2. Автор: Toru Hiyoshi,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Semiconductor device having regions of different concentraton of lifetime killer impurity provided in a silicon carbide layer

Номер патента: US10680058B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Mitsuhiro Kushibe,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-06-09.

Method for manufacturing a iii-v gate all around semiconductor device

Номер патента: EP2924738A1. Автор: Niamh Waldron,Nadine Collaert,Clement Merckling. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2015-09-30.

Silicon carbide lateral power semiconductor device

Номер патента: WO2024052643A1. Автор: Marina Antoniou,Peter Gammon,Yunyi QI,Ben RENZ. Владелец: THE UNIVERSITY OF WARWICK. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for forming an ohmic contact on a wide-bandgap semiconductor device and wide-bandgap semiconductor device

Номер патента: WO2022214338A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-10-13.

Method for forming an ohmic contact on a wide-bandgap semiconductor device and wide-bandgap semiconductor device

Номер патента: US20240222462A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Silicon carbide lateral power semiconductor device

Номер патента: GB2622268A. Автор: Antoniou Marina,Gammon Peter,Qi Yunyi,Renz Ben. Владелец: University of Warwick. Дата публикации: 2024-03-13.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09627488B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Toru Hiyoshi,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Insulated gate silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09741797B2. Автор: Yutaka Fukui,Yuji Abe,Yasuhiro Kagawa,Masayuki Imaizumi,Naruhisa Miura,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190371893A1. Автор: Yusuke Wada,Haruo Nakazawa,Kenichi Iguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Systems and methods of masking during high-energy implantation when fabricating wide band gap semiconductor devices

Номер патента: US20200105879A1. Автор: Reza Ghandi,Christopher Bauer,Shaoxin Lu,William Gregg Hawkins. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-04-02.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20120261677A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130207124A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-08-15.

Method for producing ohmic contacts on silicon carbide substrate of semiconductor device of e.g. power electronics device, involves producing oxide layer on surface of substrate, and applying contact metallization layer on contact region

Номер патента: DE102011078331A1. Автор: Michael Grieb,Thomas Suenner,Tim Behrens,Kathrin Rueschenschmidt. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2012-08-09.

Method for recovering carbon-face-polarized silicon carbide substrate

Номер патента: US20190393090A1. Автор: Wei He,Xianfeng Ni,Qian Fan. Владелец: Suzhou Han Hua Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Method for reducing stacking faults in silicon carbide, and structure created by means of said method

Номер патента: EP4415024A1. Автор: Kiyoshi Kojima,Jun Sasaki,Tadaaki Kaneko,Kohei Toda,Daichi DOJIMA. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2024-08-14.

Semiconductor element, semiconductor device, and semiconductor element manufacturing method

Номер патента: US20130328065A1. Автор: Masahiko Niwayama,Masao Uchida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Semiconductor device with first and second electrodes forming schottky junction with silicon carbide semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US9577044B2. Автор: Masashi Hayashi,Masao Uchida,Koutarou Tanaka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20180308935A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Yuichiro Mitani,Hirotaka Nishino,Masayasu Miyata,Yoshihiko Moriyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US10249718B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Yuichiro Mitani,Hirotaka Nishino,Masayasu Miyata,Yoshihiko Moriyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-04-02.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20180323299A1. Автор: Shiro Hino,Takaaki TOMINAGA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor device, electro-optic device, power conversion device, and electronic apparatus

Номер патента: US20140217424A1. Автор: Hiroyuki Shimada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20220085169A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Silicon Carbide Trench Gate MOSFET and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20230130726A1. Автор: Hongyi Xu,Kuang Sheng,Na Ren,Chongyu JIANG. Владелец: ZJU Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center. Дата публикации: 2023-04-27.

Controlled Ion Implantation into Silicon Carbide Using Channeling and Devices Fabricated Using Controlled Ion Implantation into Silicon Carbide Using Channeling

Номер патента: US20180069083A1. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Controlled ion implantation into silicon carbide using channeling and devices fabricated using controlled ion implantation into silicon carbide using channeling

Номер патента: US09768259B2. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Controlled ion implantation into silicon carbide

Номер патента: EP3025372A1. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-06-01.

Controlled ion implantation into silicon carbide

Номер патента: EP4009380A2. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2022-06-08.

Silicon carbide lateral power semiconductor device

Номер патента: GB202213240D0. Автор: . Владелец: University of Warwick. Дата публикации: 2022-10-26.

Silicon carbide MOS type semiconductor device

Номер патента: JP5369464B2. Автор: 俊一 中村,喜幸 米澤,雅秀 後藤. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-18.

Silicon carbide epitaxial wafer, method for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, device for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, and silicon carbide semiconductor element

Номер патента: US09587326B2. Автор: Kentaro Tamura,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09647081B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09881996B2. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Silicon carbide semiconductor substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device where depression supression layer is formed on backside surface of base substrate opposite to main surface on which epitaxial layer is formed

Номер патента: US09818608B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Silicon Carbide Epitaxial Wafer, Method for Manufacturing Silicon Carbide Epitaxial Wafer, Device for Manufacturing Silicon Carbide Epitaxial Wafer, and Silicon Carbide Semiconductor Element

Номер патента: US20160168751A1. Автор: Kentaro Tamura,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-06-16.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device, method for fabricating the same, and memory system including the semiconductor device

Номер патента: US09786785B2. Автор: Seok-jun Won,Ji-Hye Yi,Kook-Tae KIM,Young-Tak Kim,Ho-Sung Son,Chul-Woong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for manufacturing a marked single-crystalline substrate and semiconductor device with marking

Номер патента: US9048244B2. Автор: Thomas Popp. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-06-02.

Method for Manufacturing a Marked Single-Crystalline Substrate and Semiconductor Device with Marking

Номер патента: US20150037964A1. Автор: Thomas Popp. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-02-05.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120126250A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-05-24.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140170841A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09773874B2. Автор: Yutaka Fukui,Nobuo Fujiwara,Yasuhiro Kagawa,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Fabrication of a high temperature silicon carbide transistor device

Номер патента: US11823899B1. Автор: Neil Goldsman,Zeynep Dilli,Akin Akturk,Mitchell Adrian Gross,Aysanew Abate. Владелец: CoolCAD Electronics LLC. Дата публикации: 2023-11-21.

Methods for forming polycrystalline channel on dielectric films with controlled grain boundaries

Номер патента: US12057321B2. Автор: Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Silicon Carbide Devices, Semiconductor Devices and Methods for Forming Silicon Carbide Devices and Semiconductor Devices

Номер патента: US20200176580A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Santos Rodriguez Francisco Javier,von Koblinski Carsten,Siemieniec Ralf,AICHINGER Thomas,Moder Iris. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

Methods for forming polycrystalline channel on dielectric films with controlled grain boundaries

Номер патента: US11742213B2. Автор: Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Methods for forming polycrystalline channel on dielectric films with controlled grain boundaries

Номер патента: US20230386856A1. Автор: Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Methods for forming polycrystalline channel on dielectric films with controlled grain boundaries

Номер патента: US20210082716A1. Автор: Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

METHOD FOR FORMING A CONTACT ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150048431A1. Автор: GRIEB Michael,Suenner Thomas. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2015-02-19.

Method for forming a contact on a semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: WO2013131690A1. Автор: Michael Grieb,Thomas Suenner. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2013-09-12.

Method for manufacturing silicon carbide substrate and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8969103B2. Автор: Shin Harada,Satomi Itoh,Makoto Sasaki,Kyoko Okita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-03-03.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160118250A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09620358B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150371856A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Method for producing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12100739B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Silicon Carbide Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20160181374A1. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Method for Forming a Via Profile of Interconnect Structure of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170194197A1. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for forming a via profile of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09997401B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

SUBSTRATE WITH SILICON CARBIDE FILM, METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE WITH SILICON CARBIDE FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160126321A1. Автор: WATANABE Yukimune. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

Substrate with silicon carbide film, method for producing substrate with silicon carbide film, and semiconductor device

Номер патента: US9362368B2. Автор: Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

Insulated-gate semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20010053561A1. Автор: Takeshi Uenoyama,Kunimasa Takahashi,Masao Uchida,Makoto Kitabatake. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-20.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130341646A1. Автор: Hideto Tamaso,Shunsuke Yamada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4425566A1. Автор: Shigeaki Takagi,Hideo Yoshihashi,Tomomi Kuraguchi,Naofumi HIRATA,Yohei ARAKAKI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240297258A1. Автор: Shigeaki Takagi,Hideo Yoshihashi,Tomomi Kuraguchi,Naofumi HIRATA,Yohei ARAKAKI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for preparing substrate using germanium condensation process and method for manufacturing semiconductor device using same

Номер патента: US09825151B2. Автор: Jea Gun Park,Seung Hyun Song,Du Yeong LEE,Tea Hun SHIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2017-11-21.

Silicon Carbide Semiconductor Device with Trench Gate Structure and Horizontally Arranged Channel and Current Spread Regions

Номер патента: US20190296110A1. Автор: Roland Rupp,Anton Mauder,Andreas Meiser,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20240096938A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20210043723A1. Автор: Toshiyuki Oshima,Shinya Kyogoku,Ryosuke Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor Device Including Trench Gate Structure and Manufacturing Method

Номер патента: US20200098868A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Thomas Aichinger,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-03-26.

Etching solution for selectively removing silicon-germanium alloy from silicon-germanium/germanium stack during semiconductor device fabrication

Номер патента: CN110240907B. Автор: 李翊嘉,刘文达. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-09-17.

Etching solution for selectively removing silicon-germanium alloys from silicon-germanium / germanium stacks during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: JP6993998B2. Автор: ウエン ダー リウ,イー－チア リ. Владелец: バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー. Дата публикации: 2022-01-14.

Flexible semiconductor device and method for producing same, image display device using the flexible semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102812541A. Автор: 平野浩一,铃木武,增田忍. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-05.

METHOD FOR SELECTIVELY DEPOSITING A GROUP IV SEMICONDUCTOR AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20190027584A1. Автор: Tolle John,Margetis Joe. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures

Номер патента: US11018002B2. Автор: John Tolle,Joe Margetis. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-05-25.

The method for controlling the wafer bow in III-V type semiconductor devices

Номер патента: CN109103099A. Автор: S.肯南,P.W.金,S.E.朴,M.唐加尔,万建伟. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-12-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing semiconductor base, silicon carbide semiconductor device, and device for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09911811B2. Автор: Yusuke Fukuda,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09842738B2. Автор: Kazuyuki Sugahara,Hiroaki Okabe,Yosuke Nakanishi,Takaaki TOMINAGA,Motoru YOSHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140045322A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device by using protective films to activate dopants in the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09691616B2. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072486A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing silicon carbide substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130017683A1. Автор: Shin Harada,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Method for manufacturing a silicon carbide semiconductor element

Номер патента: US09761453B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09613809B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9583346B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Shunsuke Yamada,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20220336658A1. Автор: Jun Hee Cho. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Method for reducing growth defects of silicon carbide epitaxial wafer and silicon carbide substrate

Номер патента: CN112701030B. Автор: 刘杰,赵建辉,梁瑞,黄海林,钱卫宁,冯淦. Владелец: Epiworld International Co ltd. Дата публикации: 2021-11-23.

Densification of silicon carbide film using remote plasma treatment

Номер патента: US09837270B1. Автор: Bhadri N. Varadarajan,Bo Gong,Zhe Gui,Guangbi Yuan,Fengyuan Lai. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Layered structures comprising silicon carbide layers, a process for their manufacture and their use

Номер патента: EP2277194A1. Автор: Norbert Wagner,Chien Hsueh Steve Shih,Alexander Traut. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2011-01-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363724A1. Автор: Ding-Kang SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: EP4350777A1. Автор: Takuya Yamada,Seiji Noguchi,Yosuke Sakurai,Kosuke Yoshida,Ryutaro Hamasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-10.

Semiconductor device

Номер патента: EP4350778A1. Автор: Takuya Yamada,Seiji Noguchi,Yosuke Sakurai,Kosuke Yoshida,Ryutaro Hamasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-10.

Silicon carbide wafer and semiconductor device

Номер патента: KR102434780B1. Автор: 김정규,구갑렬,견명옥,서정두,박종휘,최정우. Владелец: 주식회사 쎄닉. Дата публикации: 2022-08-22.

Method for Manufacturing a Marked Single-Crystalline Substrate and Semiconductor Device with Marking

Номер патента: US20150037964A1. Автор: Popp Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

Semiconductor device, method for fabricating the same, and memory system including the semiconductor device

Номер патента: US9312376B2. Автор: Seok-jun Won,Ji-Hye Yi,Kook-Tae KIM,Young-Tak Kim,Ho-Sung Son,Chul-Woong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-12.

METHOD FOR FABRICATING CONTACTS TO NON-PLANAR MOS TRANSISTORS IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170103981A1. Автор: Hung Yu-Hsiang,Jenq Jyh-Shyang,LIN CHIEN-TING,Hsu Chih-Kai,Fu Ssu-I. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-13.

OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURE OF OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: EP2079101B1. Автор: Hideto Tamaso,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-07-18.

Method for manufacturing a cubic silicon carbide single crystal thin film and semiconductor device based on the cubic silicon carbide single crystal thin film

Номер патента: US20100270561A1. Автор: Masaaki Sakuta,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Method for manufacturing a cubic silicon carbide single crystal thin film and semiconductor device based on the cubic silicon carbide single crystal thin film

Номер патента: US8216366B2. Автор: Masaaki Sakuta,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Method for p-type doping of silicon carbide by al/be co-implantation

Номер патента: EP3602609A1. Автор: Giovanni ALFIERI,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2020-02-05.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer, and semiconductor device made using the method

Номер патента: US09564401B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer and, semiconductor device made using the method

Номер патента: US8945988B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-03.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12087821B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Recycle wafer of silicon carbide and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220085172A1. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device including forming an electric field control region by a laser doping technology

Номер патента: US09825145B2. Автор: Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09893162B2. Автор: Takumi Fujimoto,Yoshiyuki Sakai,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09722017B2. Автор: Nobuyuki Tomita,Takaaki TOMINAGA,Naoyuki Kawabata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Silicon carbide substrate, silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing silicon carbide substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130092956A1. Автор: Keiji Ishibashi,Tsutomu Hori,Yu Saitoh,Kosuke Uchida,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-18.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231129A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Silicon carbide mos-gated semiconductor device

Номер патента: US20230071655A1. Автор: Cheng-Tyng Yen. Владелец: Fast SIC Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Silicon carbide MOS-gated semiconductor device

Номер патента: US11888056B2. Автор: Cheng-Tyng Yen. Владелец: Fast SIC Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Method for inspecting and manufacturing silicon wafer, method for manufacturing semiconductor device, and silicon wafer

Номер патента: TWI267117B. Автор: Miho Iwabuchi. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2006-11-21.

Method of manufacturing high-voltage semiconductor device and low-voltage semiconductor device

Номер патента: US7910466B2. Автор: Choul Joo Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

High-voltage semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070155107A1. Автор: Choul Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027576B2. Автор: Tomoaki Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR BASE, SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DEVICE FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180019307A1. Автор: Watanabe Yoshiyuki,FUKADA Yusuke. Владелец: SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2018-01-18.

Method for forming a low-k dielectric layer for a semiconductor device

Номер патента: US20050148201A1. Автор: Jae-Young Ahn,Young-Seok Kim,Ju-Wan Lim,Sang-Ryol Yang,Hong-suk Kim,Sung-Hae Lee,Man-sug Kang,Jin-Gyun Kim,Hee-seok Kim,Yong-woo Hyung,Jin-Tae No. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-07-07.

Method for providing a self-aligned pad protection in a semiconductor device

Номер патента: US20150357234A1. Автор: Michael Rogalli,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-10.

Methods for silicon carbide gate formation

Номер патента: US20230207638A1. Автор: Yi Zheng,Er-Xuan Ping. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for forming a porous dielectric material layer in a semiconductor device and device formed

Номер патента: US6831364B2. Автор: Kenneth Parker Rodbell,Sampath Purushothaman,Robert Rosenberg,Satyanarayana V. Nitta,Timothy Joseph Dalton,Jeffrey Curtis Hedrick,Stephen Edward Greco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-12-14.

Semiconductor device having barrier region and edge termination region enclosing barrier region

Номер патента: US09773924B2. Автор: Kouichi Saitou,Masao Uchida,Takayuki Wakayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevating machine

Номер патента: US20210184030A1. Автор: Katsuhisa Tanaka,Ryosuke Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Method for fabricating hydrogen treated surface of semiconductor device with buried gate

Номер патента: US11929410B2. Автор: Jin Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20230307536A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20170365664A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Ryosuke Iijima,Chiharu Ota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Method of forming a semiconductor device structure

Номер патента: US20210111021A1. Автор: Luc Haspeslagh,Robert Langer,Vasyl Motsnyi,Philippe Soussan,Bernardette Kunert,Stefano Guerrieri,Olga SYSHCHYK. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-04-15.

Silicon carbide wafer and semiconductor device applied the same

Номер патента: KR102236397B1. Автор: 김정규,구갑렬,서정두,박종휘,최정우. Владелец: 에스케이씨 주식회사. Дата публикации: 2021-04-02.

Semiconductor base substance having a boron containing buffer layer, semiconductor device including the same, and methods for manufacturing the semiconductor base substance and the semiconductor device

Номер патента: US10529842B2. Автор: Masaru Shinomiya,Ken Sato,Hiroshi Shikauchi,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09698017B2. Автор: Shinichiro Miyahara,Sachiko Aoi,Tomoharu IKEDA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Finfet structure and method for forming the same

Номер патента: US20190123175A1. Автор: Hsin-Yun Hsu,Hsiao-Kuan Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Method for forming a V-shaped gate electrode in a semiconductor device, and the structure of the electrode

Номер патента: KR100239994B1. Автор: 히데히코 사사키,야스시 요코이,고지 몬덴. Владелец: 무라타 야스타카. Дата публикации: 2000-01-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4439672A1. Автор: Tsutomu Kiyosawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Silicon carbide power mosfet with floating field ring and floating field plate

Номер патента: AU4528993A. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1994-01-04.

Silicon carbide power mosfet with floating field ring and floating field plate

Номер патента: WO1993026047A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1993-12-23.

Super-junction structure and method for manufacturing the same and semiconductor device thereof

Номер патента: US20180158900A1. Автор: He Sun,Zhongping Liao. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Super-junction structure and method for manufacturing the same and semiconductor device thereof

Номер патента: US09905636B2. Автор: He Sun,Zhongping Liao. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Super-junction silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing super-junction silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN112655096A. Автор: 小林勇介,武井学,京极真也,原田信介. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321967A1. Автор: Hiroshi Kono,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US09786778B1. Автор: Kohei MORIZUKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20240072120A1. Автор: Hiroshi Kono,Takahiro Ogata,Teruyuki Ohashi,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

SILICON CARBIDE SUPERJUNCTION POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200006496A1. Автор: VEMULAPATI Umamaheswara,Bellini Marco,Knoll Lars,Minamisawa Renato,Bauer Friedhelm. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Trench Type Silicon Carbide MOSFET Structure and Preparation Method Thereof

Номер патента: US20240145548A1. Автор: Xin Huang,Hongbo Gao. Владелец: Guangzhou Anhi Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and solid state relay using same

Номер патента: US20130033300A1. Автор: Hiroshi Okada,Takuya Sunada,Takeshi Oomori. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-02-07.

Silicon carbide based power semiconductor device with low on voltage and high speed characteristics

Номер патента: US10622446B2. Автор: Shinsuke Harada,Yusuke Kobayashi,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-14.

Silicon carbide single crystal, semiconductor device

Номер патента: JP6806270B1. Автор: 博之 木下,木下　博之. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-01-06.

Method for manufacturing integrated edge structure for high voltage semiconductor device and integrated edge structure

Номер патента: JP4597293B2. Автор: フリシナ フェルッチオ. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-12-15.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09728607B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for forming rod-shaped semiconductor layer, and rod-shaped semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: TWI222222B. Автор: Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Fu-Liang Yang,Hao-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-10-11.

Method for forming rod-shaped semiconductor layer, and rod-shaped semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: TW200417026A. Автор: Yee-Chia Yeo,Fu-Liang Yang,Hao-Yu Chen,Chen-Ming Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-09-01.

Method for producing substrate based on silicon carbide and silicon carbide substrate

Номер патента: RU2756815C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2021-10-05.

Method for manufacturing a protective layer against HF etching, semiconductor device provided with the protective layer and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09824882B2. Автор: Luigi Esposito,Stefano Losa,Raffaella Pezzuto,Roberto Campedelli,Matteo Perletti,Mikel Azpeitia Urquia. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for manufacturing a protective layer against HF etching, semiconductor device provided with the protective layer and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09758373B2. Автор: Luigi Esposito,Stefano Losa,Raffaella Pezzuto,Roberto Campedelli,Matteo Perletti,Mikel Azpeitia Urquia. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for processing a semiconductor wafer, semiconductor wafer, clip and semiconductor device

Номер патента: US20210305198A1. Автор: Roland Rupp,Carsten Von Koblinski,Matteo Piccin,Chiew Li Tai,Daniel PEDONE,Jia Yi WONG. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-09-30.

Organic silica film and method for forming same, composition for forming insulating film of semiconductor device and method for producing same, wiring structure and semiconductor device

Номер патента: US20100007025A1. Автор: Tatsuya Yamanaka,Masahiro Akiyama,Hisashi Nakagawa,Terukazu Kokubo,Youhei Nobe. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Method for producing a semiconductor body, semiconductor body and power semiconductor device

Номер патента: WO2024056185A1. Автор: Yulieth Cristina Arango,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for processing a semiconductor wafer, semiconductor wafer, clip and semiconductor device

Номер патента: US11756917B2. Автор: Roland Rupp,Carsten Von Koblinski,Matteo Piccin,Chiew Li Tai,Daniel PEDONE,Jia Yi WONG. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-12.

Silicon carbide substrate, silicon carbide device, and substrate thinning method thereof

Номер патента: US20220293737A1. Автор: Yuxi Wan,Boning Huang,Yiyu Wang,Xiaobiao HAN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Silicon carbide n-channel power LMOSFET

Номер патента: US6593594B1. Автор: Dev Alok. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-07-15.

Vertical channel oxide semiconductor field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09806191B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of fabricating semiconductor device with tilted preamorphized implant

Номер патента: US09761688B2. Автор: Ah-Young OH,Jae-Chun CHA,An-Bae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

METHOD FOR RECOVERING CARBON-FACE-POLARIZED SILICON CARBIDE SUBSTRATE

Номер патента: US20190393090A1. Автор: HE Wei,Ni Xianfeng,Fan Qian. Владелец: Suzhou Han Hua Semiconductor Co.,Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Method of preparing a silicon carbide wafer

Номер патента: EP4214741A2. Автор: Michael Cooke,Andrew Newton,Samantha MAZZAMUTO,Matthew LOVEDAY. Владелец: OXFORD INSTRUMENTS NANOTECHNOLOGY TOOLS LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Method for making jfet device, jfet device and layout structure thereof

Номер патента: US20210175349A1. Автор: FENG Jin,Ying Cai. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Method for making JFET device, JFET device and layout structure thereof

Номер патента: US11257936B2. Автор: FENG Jin,Ying Cai. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-02-22.

Method of preparing a silicon carbide wafer

Номер патента: US20230326735A1. Автор: Michael Cooke,Andrew Newton,Samantha MAZZAMUTO,Matthew LOVEDAY. Владелец: OXFORD INSTRUMENTS NANOTECHNOLOGY TOOLS LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor devices including low-k metal gate isolation and methods of fabrication thereof

Номер патента: US12009259B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Interconnect structure and method for forming the same

Номер патента: US11854883B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method for manufacturing oxide dielectric device, and memory and semiconductor device usign the device

Номер патента: EP0957516A1. Автор: Takaaki Suzuki,Toshihide Room 204 Royal Park NABATAME,Kazutoshi 1993-42 Ohaza Fukuda HIGASHIYAMA. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-11-17.

Method for manufacturing oxide dielectric device, and memory and semiconductor device usign the device

Номер патента: KR100315264B1. Автор: 스즈키다카아키,나바타메도시히데,히가시야마가즈토시. Владелец: 가나이 쓰도무. Дата публикации: 2001-11-26.

Method for manufacturing oxide dielectric device, and memory and semiconductor device usign the device

Номер патента: WO1998008255A1. Автор: Takaaki Suzuki,Toshihide Nabatame,Kazutoshi Higashiyama. Владелец: Hitachi, Ltd.. Дата публикации: 1998-02-26.

Manufacturing method for memory and memory

Номер патента: US11895831B2. Автор: Tao Chen,Junchao Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240072171A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11848383B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11855163B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240113183A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device, method for fabricating the same, and memory system including the semiconductor device

Номер патента: US20140369115A1. Автор: Seok-jun Won,Ji-Hye Yi,Kook-Tae KIM,Young-Tak Kim,Ho-Sung Son,Chul-Woong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-18.

Method for doping semiconductor layer, method for producing thin film semiconductor element and thin film semiconductor device

Номер патента: CN1251307C. Автор: 町田晓夫,碓井节夫,达拉姆·P·戈塞恩. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-04-12.

Method for the manufacture of an insulated gate field effect semiconductor device using photo enhanced CVD

Номер патента: US5094966A. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1992-03-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20120049278A1. Автор: Kyung-Ho Lee,Ju-ho Kim,Jae-han Cha,Sun-Goo KIM,Hyung-Suk Choi,Jin-Young Chae,In-Taek OH. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-01.

Methods for fabricating and etching porous silicon carbide structures

Номер патента: WO2018112297A1. Автор: Fred Sharifi,Emma Rae Mullen,Rachel Cannara. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2018-06-21.

Methods for fabricating and etching porous silicon carbide structures

Номер патента: US11732377B2. Автор: Fred Sharifi,Emma Rae Mullen,Rachel Cannara. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2023-08-22.

Methods for fabricating and etching porous silicon carbide structures

Номер патента: US11124889B2. Автор: Fred Sharifi,Emma Rae Mullen,Rachel Cannara. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2021-09-21.

Methods for fabricating and etching porous silicon carbide structures

Номер патента: EP3555908A1. Автор: Fred Sharifi,Emma Rae Mullen,Rachel Cannara. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2019-10-23.

Method for manufacturing silicon carbide base body, method for manufacturing semiconductor device, silicon carbide base body, and semiconductor device

Номер патента: US20210217619A1. Автор: Chiharu Ota,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide semiconductor device, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978651B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240332364A1. Автор: Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing silicon carbide schottky barrier diode

Номер патента: US8980732B2. Автор: Jong Seok Lee,Kyoung Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2015-03-17.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905653B2. Автор: Masayuki Kobayashi,Takeyoshi Masuda,Shunsuke Yamada,Shinji Kimura,So Tanaka,Taku Horii,Ryosuke Kubota,Daisuke Hamajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of manufacturing silicon carbide epitaxial wafer

Номер патента: US11948794B2. Автор: Masashi Sakai,Takuma Mizobe,Takuyo Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURE OF OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: EP2079101A4. Автор: Hideto Tamaso,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-30.

Single crystal silicon carbide substrate, method for manufacturing single crystal silicon carbide substrate, and semiconductor laser

Номер патента: JP6491784B1. Автор: 久 青木,英昭 竹盛,青木　久,徹 板垣. Владелец: Hitachi Power Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09953982B1. Автор: Yi-Wei Chen,Tsun-Min Cheng,Chia-Chen Wu,Tzu-Chieh Chen,Pin-Hong Chen,Chih-Chieh Tsai,Kai-Jiun Chang,Yi-An Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Preparation method for platform-shaped active region based p-i-n diode string in reconfigurable loop antenna

Номер патента: US20180175160A1. Автор: Liang Zhang,Xiaoxue YIN. Владелец: Xian Keruisheng Innovative Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

High electron mobility transistor semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: EP1923907A3. Автор: Weidong Liu,Jane Lee,Po-Hsin Liu,Jennifer Wang,Xiaobing Mei,Richard Lai,Wayne Yoshida,Linh Dang,Michael Barsky. Владелец: Northrop Grumman Space and Mission Systems Corp. Дата публикации: 2009-04-15.

COMPOSITE GaN SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING COMPOSITE GaN SUBSTRATE, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130175543A1. Автор: Okahisa Takuji,Matsubara Hideki,Kiyama Makoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-07-11.

Method for Forming a Via Profile of Interconnect Structure of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170194197A1. Автор: Chang Che-Cheng,CHENG Tai-Shin,CHEN Wei-Ting,SHIAO Wei-Yin. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

Method for fabricating isolation layer using fluid dielectric layer in semiconductor device

Номер патента: KR100881135B1. Автор: 은병수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-02.

METHOD FOR SELF-ALIGNING METAL CONTACTS ON A SELF-ALIGNED SEMICONDUCTOR DEVICE.

Номер патента: FR2663157B1. Автор: Collot Philippe,Schmidt Paul Erick. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1992-08-07.

Method for forming material layer with inclined side wall and semiconductor device

Номер патента: CN110828307A. Автор: 王珏,陈政,钟志鸿,钟荣祥,武凌. Владелец: SMIC Manufacturing Shaoxing Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-21.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09608074B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11121250B2. Автор: Takaaki TOMINAGA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-09-14.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09859434B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-01-02.

Silicon carbide metal-insulator semiconductor field effect transistor

Номер патента: CA2257232A1. Автор: Ranbir Singh,John W. Palmour. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-12-11.

Silicon carbide metal-insulator semiconductor field effect transistor

Номер патента: CA2257232C. Автор: Ranbir Singh,John W. Palmour. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-03-30.

Semiconductor device, and preparation method therefor and use thereof

Номер патента: EP4199117A1. Автор: Tzung-Han Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09997455B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods for performing a gate cut last scheme for FinFET semiconductor devices

Номер патента: US09991361B2. Автор: Xintuo Dai,Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for manufacturing trench with thick insulating bottom and semiconductor device thereof

Номер патента: WO2011143836A1. Автор: 苏冠创. Владелец: 香港商莫斯飞特半导体有限公司. Дата публикации: 2011-11-24.

Method for manufacturing a thin film transistor of a semiconductor device

Номер патента: US20030109087A1. Автор: Se-Ho Park,Cha-deok Dong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

Methods for performing a gate cut last scheme for finfet semiconductor devices

Номер патента: US20170345913A1. Автор: Xintuo Dai,Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

METHODS FOR PERFORMING A GATE CUT LAST SCHEME FOR FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170345913A1. Автор: Huang Haigou,Wu Xusheng,DAI Xintuo. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Method for planarizing surface of single crystal silicon carbide substrate, method for manufacturing single crystal silicon carbide substrate, and single crystal silicon carbide substrate

Номер патента: JP5213095B2. Автор: 忠昭 金子,滋人 西谷. Владелец: KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION. Дата публикации: 2013-06-19.

Method for making strained semiconductor device and related methods

Номер патента: US09922883B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-03-20.

Remote plasma based deposition of graded or multi-layered silicon carbide film

Номер патента: US20180240664A9. Автор: Bhadri N. Varadarajan,Bo Gong,Zhe Gui,Guangbi Yuan,Fengyuan Lai. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Method of manufacturing semiconductor device having stacks on wafer

Номер патента: US12027378B2. Автор: Takashi Watanabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for fabricating recessed lightly doped drain field effect transistors

Номер патента: US20020187603A1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Method for producing and cleaning a silicon carbide product

Номер патента: EP1666645B1. Автор: Tadahiro Ohmi,Akinobu Teramoto,Sumio Sano. Владелец: Admap Inc. Дата публикации: 2019-06-19.

Method for producing silicon nitride films and process for fabricating semiconductor devices using said method

Номер патента: EP1548814A3. Автор: Kazutaka Yanagita,Christian Dussarrat,Takeshi Hoshi,Tsuyoshi Saito,Takako Kimura. Владелец: Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. Дата публикации: 2009-05-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150115436A1. Автор: Dong-jun Lee,Jung-Sik Choi,Hoon Han,Jun-Won HAN,Hye-Reun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

Method for etching dual damascene structures in organosilicate glass

Номер патента: US6410437B1. Автор: Janet M. Flanner,Ian Morey. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2002-06-25.

Silicon carbide channel-type semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: CN103606551B. Автор: 陈彤,倪炜江. Владелец: Global Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-17.

Semiconductor devices with active semiconductor height variation

Номер патента: US8497556B2. Автор: Sey-Ping Sun,David E. Brown,Hans Van Meer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-07-30.

Method for reducing defect density of silicon carbide epitaxial material

Номер патента: CN112366130B. Автор: 周平,李赟,王翼,赵志飞. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2022-07-29.

High-performance semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110227144A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2011-09-22.

It is used to form the method for pattern and the method using this method manufacturing semiconductor devices

Номер патента: CN110323139A. Автор: 千宰协. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-10-11.

Method for manufacturing substrate processing device, ceiling heater and semiconductor device

Номер патента: WO2018100850A1. Автор: 周平 西堂,村田　等,哲也 小杉. Владелец: 株式会社日立国際電気. Дата публикации: 2018-06-07.

Method for Producing an Electric Component Comprising at Least One Dielectric Layer, and Electric Component Comprising at Least One Dielectric Layer

Номер патента: US20110037538A1. Автор: Werner Ruile,Markus Hauser,Christoph Eggs,Hans-Peter Kirschner. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2011-02-17.

Method for producing an electric component

Номер патента: US8756796B2. Автор: Werner Ruile,Markus Hauser,Christoph Eggs,Hans-Peter Kirschner. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2014-06-24.

Washing solution and washing method for semiconductor substrate

Номер патента: US20230402275A1. Автор: Atsushi Mizutani. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Tantalum semiconductor contacts and method for fabricating same

Номер патента: CA1111570A. Автор: Hormazdyar M. Dalal,Majid Ghafghaichi,Hans Wimpfheimer,Lucian A. Kasprzak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-10-27.

Production method of T-shaped gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US5304511A. Автор: Masayuki Sakai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-04-19.

Method for forming connection between upper and lower layers of semiconductor device and semiconductor device formed by the method

Номер патента: JP3824144B2. Автор: 元 鎮 金,鎮 基 洪. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-20.

Method for producing silicon nitride films and process for fabricating semiconductor devices using said method

Номер патента: TW200525642A. Автор: Kazutaka Yanagita,Christian Dussarrat,Takeshi Hoshi,Tsuyoshi Saito,Takako Kimura. Владелец: Semiconductor Leading Edge Tec. Дата публикации: 2005-08-01.

METHODS FOR DEPOSITING A DOPED GERMANIUM TIN SEMICONDUCTOR AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20190067004A1. Автор: Kohen David,Profijt Harald Benjamin. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures

Номер патента: US10236177B1. Автор: David Kohen,Harald Benjamin Profijt. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-03-19.

Method for fabricating interconnect lines with reduced line capacitance in semiconductor devices

Номер патента: JP4014234B2. Автор: − プー ジェング シン. Владелец: テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド. Дата публикации: 2007-11-28.

Method for forming a high quality insulation layer on a semiconductor device

Номер патента: US20100261355A1. Автор: Sang Tae Ahn,Seung Joon Jeon,Ja Chun Ku. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Method for forming a refractory-metal-silicide layer in a semiconductor device

Номер патента: US6548421B1. Автор: Kaoru Mikagi,Ken Inoue,Nobuaki Hamanaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-04-15.

Method for forming an ultra thin dielectric film and a semiconductor device incorporating the same

Номер патента: US20020043695A1. Автор: Vishnu Agarwal,Garry Mercaldi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Methods for forming self-aligned dual stress liners for cmos semiconductor devices

Номер патента: US20110163387A1. Автор: Thomas W. Dyer,Taehoon Lee,Seung-Man Choi,Kyoung Woo Lee,Ja Hum Ku. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-07.

Method for epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide using a feed material including a surface layer containing a polycrystalline silicon carbide with a 3C crystal polymorph

Номер патента: US09725822B2. Автор: Tsuyoshi Matsumoto,Satoru Nogami,Satoshi TORIMI. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for making deep trench isolation of cis device, and semiconductor device structure

Номер патента: US20220230909A1. Автор: XIAO FAN,Peng Huang,Jialong Li,Wensheng QIAN. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: US20010038152A1. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Manufacturing method for filling a trench or contact hole in a semiconductor device

Номер патента: US5824562A. Автор: Tai-su Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-10-20.

Method for producing thin membranes of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer membranes obtained by molecular layer precipitation

Номер патента: RU2749573C1. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-06-15.

Method for producing thin films of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer films obtained by molecular layer deposition

Номер патента: RU2749573C9. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-08-17.

Method for controlling sheet resistance of poly in fabrication of semiconductor device

Номер патента: US20090077509A1. Автор: Nan Soon CHOI. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Method for forming a contact during the formation of a semiconductor device

Номер патента: US5686357A. Автор: Bradley J. Howard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-11-11.

Semiconductor power module and method for manufacturing a semiconductor power module for a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230420271A1. Автор: David GUILLON,Harald Beyer,Roman EHRBAR. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Process for manufacturing a package for a surface-mount semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170200669A1. Автор: Fulvio Vittorio Fontana. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-07-13.

Method for forming a plug or damascene trench on a semiconductor device

Номер патента: US6391763B1. Автор: Hao-Chieh Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-05-21.

Dispatch method for production line in semiconductor process, storage medium and semiconductor device

Номер патента: US11988969B2. Автор: Chin-Chang Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Dispatch method for production line in semiconductor process, storage medium and semiconductor device

Номер патента: US20230057823A1. Автор: Chin-Chang Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Method for forming sintered silver coating film, baking apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US20140239484A1. Автор: Kenji Matsuda,Muneo Harada,Itaru Iida,Yoshinobu Mitano,Michikazu NAKAMURA,Shinjiro Watanabe,Dai Shinozaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

High voltage silicon carbide mos-bipolar devices having bi-directional blocking capabilities and methods of fabricating the same

Номер патента: EP1882273A2. Автор: John W. Palmour,Mrinal K. Das,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Jason R. Jenny,Hudson McDonald Hobgood. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-01-30.

High voltage silicon carbide mos-bipolar devices having bi-directional blocking capabilities and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2006124174A2. Автор: John W. Palmour,Mrinal K. Das,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Jason R. Jenny,Hudson McDonald Hobgood. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2006-11-23.

Semiconductor device, method for manufacturing same, and power converter using such semiconductor device

Номер патента: CN1701439A. Автор: 菅原良孝. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2005-11-23.

Method for manufacturing a buried channel (BCCD) charge-coupled semiconductor device

Номер патента: DE4041014C2. Автор: Yong Park,Seo Kyu Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160181160A1. Автор: Kazuo Kobayashi,Yoichiro Tarui,Hideaki Yuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Method for producing polycrystalline silicon carbide substrate

Номер патента: EP4421220A1. Автор: Kuniaki Yagi. Владелец: Sicoxs Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Polycrystalline silicon carbide substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240332011A1. Автор: Carlo Riva,Alexandre Ellison,Björn MAGNUSSON LINDGREN. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-03.

Polycrystalline silicon carbide substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4439630A1. Автор: Carlo Riva,Alexandre Ellison,Björn MAGNUSSON LINDGREN. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-02.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US12040218B2. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for obtaining large homogeneous crystals of silicon carbide using distillation and condensation processes

Номер патента: RU2495163C2. Автор: Марк ЛОБОДА,Сеунг-хо ПАРК,Виктор ТОРРЕС. Владелец: Доу Корнинг Корпорейшн. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20010040265A1. Автор: Ha Zoong Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-15.

Method for producing a silicon carbide-based semiconductor structure and intermediate composite structure

Номер патента: US20240170284A1. Автор: Christophe Maleville,Gweltaz Gaudin,Hugo BIARD,lonut Radu. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for manufacturing silicon nitrogenous film on substrate having a groove

Номер патента: WO2023202936A1. Автор: Issei Sakurai. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for manufacturing processed substrate

Номер патента: WO2023169968A1. Автор: Hiroyuki Aoki,Masanobu Hayashi. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for cleaning semiconductor wafer

Номер патента: US20230154742A1. Автор: Kensaku Igarashi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Self-aligned epitaxial method for the fabrication of semiconductor devices

Номер патента: US4101350A. Автор: Glen G. Possley,Robert G. Massey,Billy B. Williams. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1978-07-18.

Method for forming shaped buried layers in semiconductor devices utilizing etching, epitaxial deposition and oxide formation

Номер патента: US4251300A. Автор: Robert E. Caldwell. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1981-02-17.

Method for Producing or Modifying Silicon Carbide-Containing Articles

Номер патента: US20220097256A1. Автор: Siegmund Greulich-Weber,Rüdiger SCHLEICHER-TAPPESER. Владелец: PSC Technologies GmbH. Дата публикации: 2022-03-31.

Composition for selectively removing oxide compounds and etching residues of one or both of co and cu

Номер патента: WO2024141400A1. Автор: Cheng Shun Chen,Chia Wei Chang,Meng Ju YU,Jhih Jheng KE,Tung I WONG. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2024-07-04.

METHOD FOR MANUFACTURING AMORPHOUS HYDROGENIC SILICON CARBIDE FILMS WITH THROUGH PORES AND FILMS THUS OBTAINED

Номер патента: FR2926396B1. Автор: Aziz Zenasni. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2010-03-19.

METHOD FOR MANUFACTURING AMORPHOUS HYDROGENIC SILICON CARBIDE FILMS WITH THROUGH PORES AND FILMS THUS OBTAINED

Номер патента: FR2926396A1. Автор: Aziz Zenasni. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2009-07-17.

Reflective ohmic contacts for silicon carbide including a layer consisting essentially of nickel, methods of fabricating same, and light emitting devices including the same

Номер патента: MY127699A. Автор: Helmut Hagleitner,David B Slater Jr. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-12-29.

METHOD FOR MANUFACTURING A POLYCRYSTALLINE SILICON CARBIDE SUPPORT SUBSTRATE

Номер патента: FR3127330A1. Автор: Hugo BIARD,Mélanie LAGRANGE. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2023-03-24.

Silicon carbide wafer and method of fabricating the same

Номер патента: US11788204B2. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for manufacturing a protective layer against HF etching, semiconductor device provided with the protective layer and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: CN104053626A. Автор: S·洛萨,R·佩祖托,R·坎佩代利,M·阿兹佩提亚乌尔奎亚,M·珀尔提,L·埃斯波西托. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-09-17.

Method for fabricating ingaain light-emitting device on a combined substrate

Номер патента: WO2010020077A1. Автор: LI Wang,Shaohua Zhang,Fengyi Jiang,Chuanbing Xiong,Guping Wang,Guangxu Wang. Владелец: LATTICE POWER (JIANGXI) CORPORATION. Дата публикации: 2010-02-25.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing nitride semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20130252401A1. Автор: Naoki Matsumoto,Hidenori Mikami,Sayuri Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing nitride semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20110068434A1. Автор: Naoki Matsumoto,Hidenori Mikami,Sayuri Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Organic silica film and method for forming the same, composition for forming insulating film of semiconductor device and method for manufacturing the same, and wiring structure and semiconductor device

Номер патента: JPWO2007088908A1. Автор: 達也 山中,恭志 中川,将宏 秋山,輝一 小久保,洋平 野辺,小久保　輝一,秋山　将宏. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

METHODS FOR FABRICATING AND ETCHING POROUS SILICON CARBIDE STRUCTURES

Номер патента: US20200006074A1. Автор: Sharifi Fred,Cannara Rachel,Mullen Emma Rae. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

METHOD FOR FORMING A LAYER OF SILICON CARBIDE OR ELEMENT III NITRIDE ON A SUITABLE SUBSTRATE

Номер патента: FR2836159A1. Автор: Andre Leycuras. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2003-08-22.

METHOD FOR FORMING A LAYER OF SILICON CARBIDE OR ELEMENT III NITRIDE ON A SUITABLE SUBSTRATE

Номер патента: FR2836159B1. Автор: Andre Leycuras. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2004-05-07.

Forming method for back ohmic contact of silicon carbide device

Номер патента: CN105448673A. Автор: 刘可安,杨程,周正东,李诚瞻,刘国友,吴佳,史晶晶. Владелец: Zhuzhou CSR Times Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-30.

SUPPORTING SUBSTRATE, SUPPORTING SUBSTRATE-ATTACHED LAMINATE AND METHOD FOR MANUFACTURING A PACKAGE SUBSTRATE FOR MOUNTING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190181000A1. Автор: Kato Yoshihiro,Ogashiwa Takaaki,HIRANO Syunsuke,KAWASHITA Kazuaki,NAKAJIMA Youichi. Владелец: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.. Дата публикации: 2019-06-13.

SUPPORTING SUBSTRATE, SUPPORTING SUBSTRATE-ATTACHED LAMINATE AND METHOD FOR MANUFACTURING A PACKAGE SUBSTRATE FOR MOUNTING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210257207A1. Автор: Kato Yoshihiro,Ogashiwa Takaaki,HIRANO Syunsuke,KAWASHITA Kazuaki,NAKAJIMA Youichi. Владелец: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.. Дата публикации: 2021-08-19.

Rinsing composition, and method for rinsing and manufacturing silicon wafer

Номер патента: US7772173B2. Автор: Hiroyuki Nakagawa. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2010-08-10.

Rinsing composition, and method for rinsing and manufacturing silicon wafer

Номер патента: US20050282718A1. Автор: Hiroyuki Nakagawa. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2005-12-22.

Method for manufacturing a transparent conducting oxides for organic semiconductor device having increased work function

Номер патента: KR100977152B1. Автор: 윤영수,박훈,김수호,지승현. Владелец: 건국대학교 산학협력단. Дата публикации: 2010-08-23.

Method for manufacturing multi-thickness gate dielectric layer of semiconductor device

Номер патента: KR100442885B1. Автор: 김영욱,김경수,유혁주,강희성,오창봉. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-08-02.

Method for manufacturing hafnium silicate gate insulating film for semiconductor devices

Номер патента: KR100547282B1. Автор: 이시우,김원규,강상우. Владелец: 학교법인 포항공과대학교. Дата публикации: 2006-01-31.

Method for manufacturing multi-thickness gate dielectric layer of semiconductor device

Номер патента: US7179750B2. Автор: Young-wug Kim,Hee-Sung Kang,Kyung-Soo Kim,Chang-Bong Oh,Hyuk-ju Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-20.

A method for manufacturing pre-metal dielectric layer of a semiconductor device

Номер патента: KR100562316B1. Автор: 김성래. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-17.

Method for manufacturing C-plane GaN substrate and nitride semiconductor device

Номер патента: CN113604885A. Автор: 三川丰,藤泽英夫,望月多惠,浪田秀郎,川端绅一郎. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2021-11-05.

Method for manufacturing multi-thickness gate dielectric layer of semiconductor device

Номер патента: US20070117391A1. Автор: Young-wug Kim,Hee-Sung Kang,Kyung-Soo Kim,Chang-Bong Oh,Hyuk-ju Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-24.

A photosensitive resin composition, a method for manufacturing a hardened bump pattern, and a semiconductor device

Номер патента: TWI430024B. Автор: Mitsuru Fujita,Tatsuya Hirata,Ryoko Morita. Владелец: Asahi Kasei E Materials Corp. Дата публикации: 2014-03-11.

Rinsing composition, and method for rinsing and manufacturing silicon wafer

Номер патента: TW200601447A. Автор: Hiroyuki Nakagawa. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2006-01-01.

Method for cleaning semiconductor wafer

Номер патента: US11862456B2. Автор: Kensaku Igarashi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Adsorption site blocking method for co-doping ald films

Номер патента: US20130122678A1. Автор: Hiroyuki Ode,Toshiyuki Hirota,Sandra Malhotra,Hanhong Chen,Wim Deweerd. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Semiconductor Device Having a Copper Pillar Interconnect Structure

Номер патента: US20200258855A1. Автор: Navas Khan Oratti Kalandar,Eung San Cho,Carlo Marbella,Swee Guan Chan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-08-13.

Method and system for manufacturing layout and mask, and manufacture of semiconductor device

Номер патента: CN100392662C. Автор: 田中聪,出羽恭子,小谷敏也,井上壮一,市川裕隆,野岛茂树,姜帅现,小川龙二. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-06-04.

Organic silica film and method for forming same, composition for forming insulating film of semiconductor device and method for producing same, wiring structure and semiconductor device

Номер патента: EP1981074A1. Автор: Tatsuya Yamanaka,Masahiro Akiyama,Hisashi Nakagawa,Terukazu Kokubo,Youhei Nobe. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2008-10-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210028042A1. Автор: Naofumi Ohashi,Shun Matsui,Yasuhiro Mizuguchi,Tadashi Takasaki. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210028041A1. Автор: Naofumi Ohashi,Shun Matsui,Yasuhiro Mizuguchi,Tadashi Takasaki. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Method for producing laminate, producing apparatus for laminate, laminate, and semiconductor device

Номер патента: US20240177993A1. Автор: Hiroshi Hashigami. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Heterodyne interference lithography apparatus, method for drawing pattern using the same device, wafer, and semiconductor device

Номер патента: KR101229786B1. Автор: 김건우,이주형,양민양,강봉철,노지환. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2013-02-05.

METHOD FOR IMPROVING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING SiGe FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED BY USING THIS METHOD

Номер патента: KR100519202B1. Автор: 요시다아끼라,바바도모야. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-10-06.

PLATE WITH EPITAXIAL LAYER OF GaN AND SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD FOR PRODUCING PLATES WITH EPITAXIAL LAYER OF GaN AND SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: RU2009122487A. Автор: Сейдзи НАКАХАТА,Кенсаку МОТОКИ,Сейдзи НАКАХАТА (JP),Кенсаку МОТОКИ (JP). Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд. (Jp). Дата публикации: 2010-12-20.

Composition manufacturing method, porous material and method for forming the same, interlayer insulating film, semiconductor material, semiconductor device, and low refractive index surface protective film

Номер патента: JP4598876B2. Автор: 博文 田中,一夫 高村. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2010-12-15.

METHODS FOR FORMING A SILICON GERMANIUM TIN LAYER AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20190013199A1. Автор: Tolle John,Margetis Joe,Bhargava Nupur. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

Method for forming oxide film in SiC semiconductor and SiC semiconductor device

Номер патента: JP4470333B2. Автор: 弘之 松波,恒暢 木本,弘 塩見. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-06-02.

Method for cleaning the inside of a pipe of a semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: JP2910761B1. Автор: 康 佐々木. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-06-23.

Silicon carbide substrate, its manufacture method and the method for manufacturing manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN107002280A. Автор: 冲田恭子,本家翼. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for evaluating crystal defects in silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20240142390A1. Автор: Toru Takahashi,Yutaka Shiga,Hisao Muraki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for evaluating crystal defects of silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: EP4310893A1. Автор: Toru Takahashi,Yutaka Shiga,Hisao Muraki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Method for forming identification marks on silicon carbide single crystal substrate, and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US20130157009A1. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Calibration method for emulating group iii-v semiconductor device and method for manufacturing group iii-v semiconductor device

Номер патента: US20230066030A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Chu Fu CHEN,Chiao-Chun Hsu,Kuan-Hung Liu,Shufang Fu,Fu-Yu Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for preparing an aluminum doped silicon carbide crystal by providing a compound including aluminum and oxygen in a capsule comprised of a first and second material

Номер патента: US12006591B2. Автор: Ilya Zwieback,Andrew E. Souzis,Gary E. Ruland,Varatharajan Rengarajan. Владелец: Ii Vi Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for measuring and correcting misregistration between layers in a semiconductor device, and misregistration targets useful therein

Номер патента: US20220199437A1. Автор: YOEL Feler,Roie VOLKOVICH,Liran Yerushalmi,Renan MILO,Moran Zaberchik,David Izraeli. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Apparatuses and methods for extracting defect depth information and methods of improving semiconductor device manufacturing processes using defect depth information

Номер патента: US20140307052A1. Автор: Byoung-Ho Lee,Jeong-Ho Ahn,Dong-ryul Lee,Jong-Cheon Sun,Dong-Chul Ihm,Soo-bok Chin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-16.

Apparatus and method for measuring and controlling the internal temperature of a semiconductor device

Номер патента: US09568537B1. Автор: Jason Christopher McCullough. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Silicon carbide wafer and semiconductor device applied the same

Номер патента: US20220320296A1. Автор: Jong Hwi Park,Jung-Gyu Kim,Jung Woo Choi,Kap-Ryeol KU,Jung Doo Seo. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Method for transferring graphene film

Номер патента: WO2021159663A1. Автор: Han Xiao,Mingsheng Xu. Владелец: Zhejiang University. Дата публикации: 2021-08-19.

Method for manufacturing a multiple walled capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US5399518A. Автор: Won-Woo Lee,Jeong-gil Lee,Joo-young Yun,Sang-pil Sim,Chul-Ho Shin,Chang-Kyu Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-03-21.

SILICON CARBIDE WAFER AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220403551A1. Автор: CHOI Jung Woo,PARK Jong Hwi,KU Kap-Ryeol,KIM Jung-Gyu,KYUN Myung Ok,SEO Jung Doo. Владелец: SENIC INC.. Дата публикации: 2022-12-22.

Method for manufacturing self-aligned germanium-silicon HBT (heterojunction bipolar transistor) device by adopting non-selective epitaxy

Номер патента: CN108257867B. Автор: 周正良. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-11-24.

Methods of fabricating vertical semiconductor device utilizing phase changes in semiconductor materials

Номер патента: US20110217828A1. Автор: Vladimir Urazaev,Jung-Ho Kim,Yong-Hoon Son,Jong-Hyuk Kang,Sung-Woo Hyun,Jin-Ha Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-08.

Method for measuring and correcting misregistration between layers in a semiconductor device, and misregistration targets useful therein

Номер патента: US20200312687A1. Автор: YOEL Feler,Roie VOLKOVICH,Liran Yerushalmi,Renan MILO,Moran Zaberchik,David Izraeli. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160211378A1. Автор: WON Seok-Jun,Lee Chul-Woong,Kim Young-Tak,KIM Kook-Tae,Son Ho-Sung,Yi Ji-Hye. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

Method for reduction of filaments between electrodes

Номер патента: US4878996A. Автор: Howard L. Tigelaar,Allan T. Mitchell,Kalipatnam V. Rao,Shaym G. Garg. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1989-11-07.

Lead frame, method for partial noble plating of said lead frame and semiconductor device having said lead frame

Номер патента: CA2186695C. Автор: Hideo Horita,Chiaki Hatsuta. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2001-08-07.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US20190304855A1. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US20190333830A1. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US10847433B2. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-24.

System and method for automatically identifying defect-based test coverage gaps in semiconductor devices

Номер патента: EP4248490A1. Автор: John Robinson,David W. Price,Robert J. Rathert,Oreste Donzella,Mike Von den Hoff,Barry Saville,Thomas Groos,Justin LACH,Narayani Narasimhan,Chet LENOX,Kara SHERMAN,Teng Song LIM. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures

Номер патента: US10685834B2. Автор: John Tolle,Joe Margetis,Nupur Bhargava. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-06-16.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240274434A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor apparatus, and energization test apparatus

Номер патента: US09874596B2. Автор: Akihiro Koyama,Shigehisa Yamamoto,Yukiyasu Nakao,Kazuya Konishi,Shoyu Watanabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for forming features in a silicon containing layer

Номер патента: US20150099345A1. Автор: Jinsu Kim,Jinhan Choi,Byungkook KONG,Hun Sang Kim,Ho Jeong KIM,Hoon Sang LEE,Xiaosong JI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Method for forming features in a silicon containing layer

Номер патента: US09627216B2. Автор: Jinsu Kim,Jinhan Choi,Byungkook KONG,Hun Sang Kim,Ho Jeong KIM,Hoon Sang LEE,Xiaosong JI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Refractory metal nitride capped electrical contact and method for frabricating same

Номер патента: US20110049720A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2011-03-03.

Method for manufacturing a semiconductor device having a shileing feature for signal crosstalk suppression

Номер патента: US20230268193A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Chen-Lun TING,Yung-Chih Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Biased reactive refractory metal nitride capped contact of group III-V semiconductor device

Номер патента: US9484425B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for manufacturing of metal line contact plug of semiconductor device

Номер патента: KR100444307B1. Автор: 권판기,이상익. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-08-16.

Method of Fabricating an Electrical Contact for Use on a Semiconductor Device

Номер патента: US20170047228A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Method for stabilizing cleaning baths for SI wafers, especially for semiconductor devices

Номер патента: EP0390254A2. Автор: Johannes Engelbertus A. M. Van Den Meerakker. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1990-10-03.

Methods for removing selected fins that are formed for finfet semiconductor devices

Номер патента: US20150318215A1. Автор: Ruilong Xie,William J. Taylor, Jr.. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-11-05.

Method for forming a active cell isolation layer of a semiconductor device

Номер патента: KR100453345B1. Автор: 유지환. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2004-10-15.

Method for forming a shallow trench isolation structure of the semiconductor device

Номер патента: KR100713345B1. Автор: 장준식. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-05-04.

Method for forming the Isolation Layer and body contact of Semiconductor Device

Номер патента: KR100415440B1. Автор: 장민우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-01-24.

Method for producing semiconductor wafer assembly, semiconductor wafer assembly, and semiconductor device

Номер патента: EP2400542A1. Автор: Fumihiro Shiraishi,Toyosei Takahashi,Toshihiro Sato,Masahiro Yoneyama,Masakazu Kawata,Hirohisa Dejima. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-28.

Method for forming ohmic contact on silicon-silicon interface in semiconductor device

Номер патента: KR100336042B1. Автор: 변광선,이상은,정성희. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-05-08.

Method for adjusting effective work function of gate structure in semiconductor device

Номер патента: JP2014146789A. Автор: Spessot Alessio,Caillat Christian,Kauerauf Thomas,トーマス・カウエラウフ,アレッシオ・スペソット,クリスチャン・カイヤ. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2014-08-14.

Method for reducing line edge roughness for trench etch, and semiconductor device thereof

Номер патента: CN100477135C. Автор: P·勒温哈德特,D·乐,H·H·朱,E·沃加纳. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2009-04-08.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7084069B2. Автор: Naokatsu Ikegami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-01.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240170403A1. Автор: Shau-Lin Shue,Chia-Wei Su,Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US11923306B2. Автор: Shau-Lin Shue,Chia-Wei Su,Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Method for oxidizing a structure during the fabrication of a semiconductor device

Номер патента: EP2063464A3. Автор: Takayuki Niuya,Ming Hwang,Boyang Lin,Song C. Park. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-06-17.

Method for the anisotropic etching of metal films in the fabrication of interconnects

Номер патента: US5350484A. Автор: Xiao-Chun Mu,Donald S. Gardner,David B. Fraser. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1994-09-27.

Method for oxidizing a structure during the fabrication of a semiconductor device

Номер патента: EP2063464B1. Автор: Takayuki Niuya,Ming Hwang,Boyang Lin,Song C. Park. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-29.

Method for patterning aluminum nitride and silicon carbide composite structure and composite structure

Номер патента: CN111029256A. Автор: 阮勇,尤政,张高飞,周元楷. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-17.

Method for manufacturing isolation pattern of word line in semiconductor device

Номер патента: KR100701684B1. Автор: 조영만. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-29.

Method for manufacturing a shallow trench isolation layer of semiconductor device

Номер патента: KR100501549B1. Автор: 이대근. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-07-18.

Method for manufacturing metal layer for capacitor electrode of semiconductor device

Номер патента: KR100475045B1. Автор: 이상협,김영선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-05-27.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087809B2. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240347579A1. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09960169B2. Автор: Sang-kyun Kim,Hao Cui,Yun-jeong Kim,Seung-Ho Park,In-seak Hwang,Jun-Seok Lee,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20030113993A1. Автор: Min-Suk Lee,Sung-Kwon Lee,Sang-Ik Kim,Chang-Youn Hwang,Weon-Joon Suh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-19.

Method for chemically mechanically polishing organic film, method of manufacturing semiconductor device, and program therefor

Номер патента: US20070000872A1. Автор: Gaku Minamihaba,Hiroyuki Yano,Yukiteru Matsui,Atsushi Shigeta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-01-04.

Method for chemically mechanically polishing organic film, method of manufacturing semiconductor device, and program therefor

Номер патента: US7402521B2. Автор: Gaku Minamihaba,Hiroyuki Yano,Yukiteru Matsui,Atsushi Shigeta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-07-22.

METHOD FOR PROVIDING A SELF-ALIGNED PAD PROTECTION IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150357234A1. Автор: Lehnert Wolfgang,Rogalli Michael. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

METHOD FOR ELIMINATING DISLOCATIONS IN ACTIVE AREA AS WELL AS SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190341262A1. Автор: Zhou Jun,Li Yun,XU Jingjing,LUO Qingwei. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

Method for fabricating a pad-layer/fuse-layer of a semiconductor device

Номер патента: KR100413582B1. Автор: 이기민. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2003-12-31.

Apparatus and method for flattening an insulating layer by etching in a semiconductor device

Номер патента: EP0620585A1. Автор: Yasukazu Intell. Property Division Mase,Masahiro Intell. Property Division Abe,Ken-Ichi Intell. Property Division Tomita,Kazuyuki Intell. Property Division Yahiro,Akira Intell. Property Division Ishiguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-10-19.

Method for forming a dielectric film of a capacitor in semiconductor device

Номер патента: EP0540240A1. Автор: Kenji Okamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-05-05.

Method for forming a self-aligned contact hole in a semiconductor device

Номер патента: US6808975B2. Автор: Jun Seo,Jong-Heui Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-26.

Method for removing circle defect on the metal layer of semiconductor device

Номер патента: KR100702796B1. Автор: 조보연. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-04-03.

Method for fabricating a trench of dual damascene interconnection in semiconductor device

Номер патента: KR100642486B1. Автор: 이기민. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-11-02.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09957638B2. Автор: Takahiro Yamamoto,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of making semiconductor device having a capacitor of large capacitance

Номер патента: US5234857A. Автор: Sung-Tae Kim,Jae-hong Ko,Hyeung-gyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-08-10.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180215606A1. Автор: Yasuo Yamaguchi,Mika Okumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Method for forming multi-layer metal line of semiconductor device

Номер патента: US20030129825A1. Автор: Jun Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Methods for forming metal organic tungsten for middle of the line (MOL) applications

Номер патента: US09653352B2. Автор: David Thompson,Kai Wu,Kazuya DAITO,Sang Ho Yu,Liqi Wu,Kie Jin Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-07-22.

Semiconductor structure and method for forming the same, and memory and method for forming the same

Номер патента: US12075612B2. Автор: Er-Xuan Ping,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for selectively depositing a metallic film on a substrate

Номер патента: US12033861B2. Автор: David Kurt De Roest,Delphine Longrie. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for forming mark, packaging method of semiconductor device, and semiconductor device having the mark

Номер патента: US20240178152A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Po-Yuan TENG,Shih-Wei Chen,Chiahung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for using ion implantation to treat the sidewalls of a feature in a low-k dielectric film

Номер патента: US7183183B2. Автор: David C. Wang,Robert J. Soave,Kenneth Duerksen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-02-27.

Method for using ion implantation to treat the sidewalls of a feature in a low-k dielectric film

Номер патента: US20050087516A1. Автор: David Wang,Robert Soave,Kenneth Duerksen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-04-28.

Conductive laminate and method for manufacturing the same

Номер патента: US11745469B2. Автор: Tzu-Chien Wei,Wei-Yen Wang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-09-05.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US7217633B2. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-15.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US20050142805A1. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20020121704A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20010028092A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Method for manufacturing a chemically and thermally stable metal absorbing structure of tungsten on a silicate substrate

Номер патента: RU2767482C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Бернт,Валерий Олегович Пономаренко,Игорь Сергеевич Ерёмин,Екатерина Андреевна Мещерякова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Пилингтон Гласс". Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12033940B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020155653A1. Автор: Masaaki Ikegami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20040058530A1. Автор: Masaaki Ikegami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-03-25.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09978680B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09666587B1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and production method for semiconductor device

Номер патента: US20220139780A1. Автор: Shingo KABUTOYA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Method for forming contact hole for dual damascene interconnection of semiconductor device and resultant structure

Номер патента: TW541656B. Автор: Jeong-lim Nam,Suk-joo Lee,Hee-Hong Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-07-11.

Process for manufacturing a package for a surface-mount semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09640468B2. Автор: Fulvio Vittorio Fontana. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor power module and method for manufacturing a semiconductor power module for a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2022189066A1. Автор: David GUILLON,Harald Beyer,Roman EHRBAR. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for manufacturing of metal line contact plug of semiconductor device

Номер патента: KR100442962B1. Автор: 권판기,안기철,정종구. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-08-04.

Method for manufacturing shallow trench isolation layer of the semiconductor device

Номер патента: KR100677998B1. Автор: 안희균. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-02-02.

METHOD FOR MANUFACTURING A MEMBER ISOLATION REGION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2598557B1. Автор: Isamu Namose. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1990-03-30.

METHOD FOR MANUFACTURING AN ELEMENT ISOLATION REGION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2598557A1. Автор: Isamu Namose. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1987-11-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160276219A1. Автор: Masayuki Katagiri,Makoto Wada,Akihiro Kajita,Tadashi Sakai,Yuichi Yamazaki,Tatsuro Saito,Atsunobu Isobayashi,Hisao Miyazaki,Taishi ISHIKURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Hermetic sealing cover for a container for semiconductor devices

Номер патента: US4109818A. Автор: Norman Hascoe,Samuel W. Levine. Владелец: Semi-Alloys Inc. Дата публикации: 1978-08-29.

Apparatus and method for detecting failure in a mechanical press

Номер патента: US20200047442A1. Автор: Kwok Pun LAW,Hong Yeung LI,Cho Wai LEUNG. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

PROCESS FOR MANUFACTURING A PACKAGE FOR A SURFACE-MOUNT SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160190046A1. Автор: FONTANA Fulvio Vittorio. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2016-06-30.

PROCESS FOR MANUFACTURING A PACKAGE FOR A SURFACE-MOUNT SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170200669A1. Автор: FONTANA Fulvio Vittorio. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2017-07-13.

Board for manufacturing a BGA and method of manufacturing semiconductor device using thereof

Номер патента: TWI272707B. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Noriaki Sakamoto,Junji Sakamoto,Katsumi Okawa,Shigeaki Mashimo. Владелец: Sanyo Electric Co. Дата публикации: 2007-02-01.

Method for forming storage node contact plug of semiconductor device

Номер патента: US20040264132A1. Автор: Yun-Seok Cho,Yu-Chang Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Method of manufacturing semiconductor device and support structure for semiconductor substrate

Номер патента: US20050263907A1. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-01.

METHOD FOR FORMING ELECTRODE OF N-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR, NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150126022A1. Автор: KIM Tae Hun,LEE Wan Ho,Kim Sung Joon,Park Tae Young,JANG Tae Sung,LIM Wan Tae,Sung Young Kyu. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

Method for forming self assembled monolayer and Cu wiring of semiconductor device using the same and method for forming the same

Номер патента: KR101096031B1. Автор: 김재홍,염승진,강성군,한원규. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2011-12-19.

Film for use in semiconductors, method for making a film for use in semiconductor, and semiconductor device

Номер патента: TW200821368A. Автор: Akitsugu Sasaki,Takashi Hirano,Naoya Oda. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2008-05-16.

Semiconductor assemblies with system and method for smoothing surfaces of 3d structures

Номер патента: US20230317511A1. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

ADVANCED PROCESS CONTROL METHOD FOR CONTROLLING WIDTH OF SPACER AND DUMMY SIDEWALL IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160027649A1. Автор: Tsuei Cherng-Chang,TSAI Hsien-Chieh,LIN Tz-Wei,YANG Sheng-Jen,LIN Hung-Yin,LU Chen-Hsiang. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

METHOD FOR ELECTRICALLY CONNECTING WAFERS USING BUTTING CONTACT STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATED THROUGH THE SAME

Номер патента: US20140138847A1. Автор: Jeon In Gyun. Владелец: SILICONFILE TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-05-22.

ADVANCED PROCESS CONTROL METHOD FOR CONTROLLING WIDTH OF SPACER AND DUMMY SIDEWALL IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150140692A1. Автор: Tsuei Cherng-Chang,TSAI Hsien-Chieh,LIN Tz-Wei,YANG Sheng-Jen,LIN Hung-Yin,LU Chen-Hsiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-05-21.

APPARATUSES AND METHODS FOR ARRANGING THROUGH-SILICON VIAS AND PADS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200212008A1. Автор: KITANO Tomohiro. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-07-02.

Method for forming a lower electrode for use in a semiconductor device

Номер патента: US6465300B2. Автор: Jeong-tae Kim,Yong-Sik Yu. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-15.

Method for integrating selective ruthenium deposition into manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: KR101506755B1. Автор: 켄지 스즈키. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-03-27.

Method for forming interconnection layer and contact hole layer in semiconductor device

Номер патента: CN112599473A. Автор: 张文广,朱建军. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-02.

Method for forming barrier layer fabricating metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100781456B1. Автор: 주성중. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-12-03.

Method for forming barrier metal layer of metal interconnection of semiconductor device to improve step coverage and reduce contact resistance

Номер патента: KR100459235B1. Автор: 김진현,윤경렬,홍상기,김창영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-02-05.

METHOD FOR MAKING AT LEAST ONE DEEP LAYER IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2548831A1. Автор: Pieter Johannes Wilhel Jochems. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1985-01-11.

METHOD FOR PACKAGING A CHIP WITH PARTICULARLY OPTICAL SENSORS AND SEMICONDUCTOR DEVICE OR PACKAGE CONTAINING SUCH A CHIP

Номер патента: FR2798000A1. Автор: Remi Brechignac,Juan Exposito. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2001-03-02.

METHOD FOR ESTABLISHING AN ELECTRICAL INTERCONNECTION STRUCTURE ON A SILICON SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2624304B1. Автор: Russell Craig Ellwanger,Johannes Elisabeth Jos Schmitz. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1990-05-04.

Method for forming a multi-level interconnect structure in a semiconductor device

Номер патента: EP3770953A1. Автор: Vladimir Machkaoutsan,Basoene Briggs,Zsolt Tokei. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-01-27.

Method for providing increased dopant concentration in selected regions of semiconductor devices

Номер патента: EP0313777A2. Автор: David Stanasolovich,Jeffrey R. Barber,Harish N. Kotecha,David D. Meyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1989-05-03.

Method for producing plate shape body, lead wire frame and semiconductor device

Номер патента: CN1237611C. Автор: 坂本则明,小林义幸,阪本纯次,前原荣寿,高桥幸嗣,真下茂明,大川克实. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-18.

Method for producing a diffusion barrier metal layer in a semiconductor device

Номер патента: DE19620022A1. Автор: Kyeong Keun Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-11-21.

Inspection apparatus and method for film carrier tapes for mounting electronic components and semiconductor devices

Номер патента: KR100852225B1. Автор: 마사히코 야마모토,요시히로 고잔,사치오 노토,기요히토 고바야시. Владелец: 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-08-14.

Method for examining the defect of gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: KR100591149B1. Автор: 나유석. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-19.

METHOD FOR PRODUCING AT LEAST ONE DEEP LAYER IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2548831B1. Автор: Pieter Johannes Wilhel Jochems. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1988-10-14.

Method for forming contact hole for dual damascene interconnection in semiconductor device

Номер патента: US7276439B2. Автор: Kang-Hyun Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-02.

Method for producing a diffusion barrier metal layer in a semiconductor device

Номер патента: DE19620022C2. Автор: Kyeong Keun Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Method for forming electrical interconnection using dual damascene process of semiconductor device

Номер патента: KR100711929B1. Автор: 정성희. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-04-27.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: US20020109225A1. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Computech International Ventures Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Method for adjusting transport position of wafer, adjustment apparatus, and semiconductor device

Номер патента: WO2023035434A1. Автор: 刘洋. Владелец: 长鑫存储技术有限公司. Дата публикации: 2023-03-16.

Method for forming a contact during the formation of a semiconductor device

Номер патента: US6274936B1. Автор: Bradley J. Howard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-14.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate, and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: KR100367809B1. Автор: 아이-밍 첸. Владелец: 아이-밍 첸. Дата публикации: 2003-01-10.

Advanced process control method for controlling width of spacer and dummy sidewall in semiconductor device

Номер патента: US9613816B2. Автор: Cherng-Chang TSUEI,Chen-Hsiang LU,Hsien-Chieh TSAI,Tz-Wei LIN,Sheng-Jen YANG,Hung-Yin Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

METHOD FOR IMPLANTING IONS NOT SUBJECT TO MASS ANALYSIS AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCED USING THE SAME

Номер патента: FR2524200A1. Автор: Takashi Tokuyama,Tadashi Saitoh,Katsumi Tokiguchi,Haruo Itoh,Terunori Warabisako. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-09-30.

Method for fabricating a diffusion barrier metal layer in a semiconductor device

Номер патента: GB9610393D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-07-24.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240363696A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for producing a vanadium-doped silicon carbide volume monocrystal, and vanadium-doped silicon carbide substrate

Номер патента: US9732438B2. Автор: Ralf Mueller,Michael Vogel,Matthias Stockmeier. Владелец: SiCrystal AG. Дата публикации: 2017-08-15.

Complementary division mask having alignment mark, method for forming alignment mark of the complementary division mask, semiconductor device manufactured by using the complementary division mask, and its manufacturing method

Номер патента: US20060152723A1. Автор: Shinichiro Nohdo,Keiko Amai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-07-13.

Manufacturing method and apparatus for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer

Номер патента: US09564315B1. Автор: Takahiro Yamamoto,Yasuhiro Kimura,Masashi Sakai,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Akihito Ohno,Takuma Mizobe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for manufacturing thermoelectric conversion element and thermoelectric conversion element

Номер патента: US11665964B2. Автор: Tatsuya Shimoda,Katsushi Fukuda,Tetsushi Tanaka,Mikio Koyano. Владелец: Kelk Ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

Microelectronic devices and methods for manufacturing microelectronic devices

Номер патента: WO2007027972A2. Автор: Derek Gochnour,Jonathon G. Greenwood. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-03-08.

Silicon carbide seed crystal and method of manufacturing silicon carbide ingot

Номер патента: US11821105B2. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Method of manufacturing silicon carbide ingot

Номер патента: US20230067197A1. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for manufacturing photovoltaic module and photovoltaic module

Номер патента: US20240355947A1. Автор: Jun Feng,Wusong Tao,Yunfeng HAN,Yufan ZHAN. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for manufacturing photovoltaic module and photovoltaic module

Номер патента: EP4451346A1. Автор: Jun Feng,Wusong Tao,Yunfeng HAN,Yufan ZHAN. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Polysilocarb based silicon carbide materials, applications and devices

Номер патента: CA2962602C. Автор: Ashish P. Diwanji,Andrew R. Hopkins,Walter J. Sherwood,Douglas M. Dukes,Mark S. Land,Brian L. Benac,Glenn Sandgren. Владелец: Pallidus Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for evaluating internal stress of silicon carbide monocrystalline wafer and method for predicting warpage in silicon carbide monocrystalline wafer

Номер патента: EP3048641A4. Автор: Kiyoshi Kojima,Masashi Nakabayashi,Kota Shimomura,Yukio Nagahata. Владелец: Nippon Steel and Sumikin Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-17.

Solid-state imaging device, imaging apparatus, electronic apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US9997552B2. Автор: Takuya Nakamura,Susumu Inoue,Yukio Tagawa,Jun Ogi,Kentaro Akiyama,Keita Ishikawa,Satoru Wakiyama,Junichiro Fujimagari. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Solid-state imaging device, imaging apparatus, electronic apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US20170256577A1. Автор: Takuya Nakamura,Susumu Inoue,Yukio Tagawa,Jun Ogi,Kentaro Akiyama,Keita Ishikawa,Satoru Wakiyama,Junichiro Fujimagari. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Solid-state imaging device, imaging apparatus, electronic apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US09997552B2. Автор: Takuya Nakamura,Susumu Inoue,Yukio Tagawa,Jun Ogi,Kentaro Akiyama,Keita Ishikawa,Satoru Wakiyama,Junichiro Fujimagari. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for testing laser communication terminal with quantum information reception

Номер патента: RU2758147C1. Автор: Сергей Александрович Магницкий,Павел Павлович Гостев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Лазерлаб» (ООО «Лазерлаб»). Дата публикации: 2021-10-26.

Method for evaulating of molding material with dams formed on a semiconductor substrate to define slits for capturing the fillers contained in the molding material

Номер патента: US20020088974A1. Автор: Masaru Takahara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for fabricating a three-dimensional inductor carrier with metal core and structure thereof

Номер патента: US8513772B2. Автор: You-Ming Hsu,Chih-Ming Kuo. Владелец: Chipbond Technology Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Optically controlled silicon carbide and related wide-bandgap transistors and thyristors

Номер патента: NZ572661A. Автор: Michael S Mazzola. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2012-03-30.

Method for fabricating a three-dimensional inductor carrier with metal core and structure thereof

Номер патента: US20130127578A1. Автор: You-Ming Hsu,Chih-Ming Kuo. Владелец: Chipbond Technology Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Welding method for welding strip of back-contact solar cell chip

Номер патента: AU2021282523A1. Автор: Hsin-Wang Chiu. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Short-wave infrared and mid-wave infrared optoelectronic device and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20230352606A1. Автор: Simone Assali,Oussama Moutanabbir,Anis Attiaoui,Mahmoud Atalla. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for manufacturing thermoelectric conversion element and thermoelectric conversion element

Номер патента: US20210202820A1. Автор: Tatsuya Shimoda,Katsushi Fukuda,Tetsushi Tanaka,Mikio Koyano. Владелец: Kelk Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Radiation hardened semiconductor devices and packaging

Номер патента: US20230387079A1. Автор: Chong Leong Gan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for preparing an aluminum doped silicon carbide crystal by providing a compound including aluminum and oxygen in a capsule comprised of a first and second material

Номер патента: US20240287705A1. Автор: Ilya Zwieback,Andrew E. Souzis,Gary E. Ruland,Varatharajan Rengarajan. Владелец: Ii Vi Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Apparatus and methods for sensing long wavelength light

Номер патента: US12113086B2. Автор: Ying-Hao Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of producing different types of silicon carbide surface morphology

Номер патента: RU2724142C1. Автор: Александр Владимирович Петров,Даниил Алексеевич Евстигнеев,Владимир Александрович Карачинов,Александр Сергеевич Ионов,Андрей Валерьевич Желаннов. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2020-06-22.

Method for inspecting a reticle, a method for manufacturing a reticle, and a method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20210033958A1. Автор: Kangwon Lee,Juhyoung Lee,Seulgi KIM,Hyonseok SONG,lnyong KANG,Eunsik JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Method for inspecting a reticle, a method for manufacturing a reticle, and a method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20220365415A1. Автор: Kangwon Lee,Juhyoung Lee,Seulgi KIM,Hyonseok SONG,Eunsik JANG,Inyong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-17.

Resin composition, resin film, semiconductor laminate, method for manufacturing semiconductor laminate, and method for manufacturing seminconductor device

Номер патента: EP3453742A1. Автор: Kazunori Kondo,Naoyuki Kushihara,Kazuaki Sumita,Yoichiro Ichioka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-13.

Method for manufacturing a bottom substrate of a liquid crystal display device

Номер патента: US20070155034A1. Автор: Yi-Wei Lee,Ching-Yun Chu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-07-05.

METHOD FOR FORMING IDENTIFICATION MARKS ON SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20140205803A1. Автор: Kondo Sadahiko. Владелец: HITACHI METALS, LTD.. Дата публикации: 2014-07-24.

Method for manufacturing electronic device using plasma reactor processing system

Номер патента: EP2073253A1. Автор: Yoshinori c/o OMRON CORPORATION INOUE,Sadaharu c/o OMRON CORPORATION MORISHITA,Tadahiro c/o Tohoku University OHMI. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2009-06-24.

Method for manufacturing integrated image sensor, involves forming pixels at end of columns, and deforming structure such that another end of each of columns is brought closer or separated to form surface in shape of polyhedral cap

Номер патента: FR2989518A1. Автор: Francois Roy,Jean-Pierre Oddou,Lucile Broussous,Julien Michelot. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2013-10-18.

System and Method for Manufacturing Embedded Conformal Electronics

Номер патента: US20110171392A1. Автор: Richard Gambino,Jon Longtin,Sanjay Sampath. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-14.

Method for Forming Doped Epitaxial Layer of Contact Image Sensor

Номер патента: US20220069145A1. Автор: Chang Sun,Jun Qian,Chenchen Qiu,Zhengying Wei. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for forming doped epitaxial layer of contact image sensor

Номер патента: US11508859B2. Автор: Chang Sun,Jun Qian,Chenchen Qiu,Zhengying Wei. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-22.

Mold for measuring the flow property, method for measuring the flow property, resin composition for encapsulating semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW201128177A. Автор: Atsunori Nishikawa. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2011-08-16.

System and method for automatically identifying defect-based test coverage gaps in semiconductor devices

Номер патента: EP4248490A4. Автор: John Robinson,David W Price,Oreste Donzella,Barry Saville,Thomas Groos,Den Hoff Mike Von,Justin LACH,Narayani Narasimhan,Chet LENOX,Kara SHERMAN,Teng Song LIM,Robert J Rathert. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Method for monitoring the shape of the processed surfaces of semiconductor devices and equipment for manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20040048399A1. Автор: Hiroyuki Yano,Katsuya Okumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-03-11.

Photosensitive adhesive composition, film-like adhesive, adhesive sheet, method for forming adhesive pattern, semiconductor wafer with adhesive layer, semiconductor device and method for manufacturing

Номер патента: CN101681104A. Автор: 满仓一行,川守崇司,增子崇,加藤木茂树. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-24.

Photosensitive adhesive composition, film-like adhesive, adhesive sheet, method for forming adhesive pattern, semiconductor wafer with adhesive layer, semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR101184527B1. Автор: 카즈유키 미츠쿠라,타카시 카와모리,타카시 마스코,시게키 카토기. Владелец: 히다치 가세고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2012-09-19.

Methods of inspecting and manufacturing silicon wafer, method of manufacturing semiconductor device, and silicon wafer

Номер патента: KR100821765B1. Автор: 이와부치미호. Владелец: 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-04-11.

A leadframe and a method of manufacturing a semiconductor device device by use of it

Номер патента: GB9805912D0. Автор: . Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1998-05-13.

RESIN COMPOSITION, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180164683A1. Автор: Fujiwara Takenori,Tanigaki Yugo. Владелец: Toray Industries, Inc.. Дата публикации: 2018-06-14.

Nonvolatile memory element, method for manufacturing the nonvolatile memory element, and nonvolatile semiconductor device using the nonvolatile memory element

Номер патента: WO2010004705A1. Автор: 神澤好彦,三谷覚,高木剛,片山幸治. Владелец: パナソニック株式会社. Дата публикации: 2010-01-14.

Method for manufacturing reflective mask blanks, reflective masks and semiconductor devices

Номер патента: JP6861095B2. Автор: 洋平 池邊,勉 笑喜,弘文 小坂井,笑喜　勉,貴弘 尾上. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2021-04-21.

Method for manufacturing adhesive sheet for stealth dicing and semiconductor device

Номер патента: KR102478993B1. Автор: 시게유키 야마시타,코세이 후쿠모토,마사토모 나카무라. Владелец: 린텍 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-12-19.

Flexible printed circuit board and method for manufacturing the flexible printed circuit board and semiconductor device

Номер патента: KR100819195B1. Автор: 켄 사카타. Владелец: 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-04-07.

Method for preparing lead iodide and perovskite film

Номер патента: US20230102199A1. Автор: Kuo-Wei Huang,Yung-Liang Tung,Jen-An Chen,Shih-Hsiung Wu,Jung-Pin CHIOU,Pei-Ting Chiu,Qiao-Zhi Guan. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device and method for producing a carrier element suitable for a semiconductor device

Номер патента: WO2019114968A1. Автор: Choo Kean Lim,Choon Keat OR,Choon Kim LIM,Siew Yan CHUA. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor module and method for mounting the same

Номер патента: US20050116330A1. Автор: Tomotoshi Sato,Rina Murayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-02.

Semiconductor device layout structure, method for forming same, and test system

Номер патента: US20240071844A1. Автор: Yizhi Zeng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Apparatus and methods for sensing long wavelength light

Номер патента: US20230402478A1. Автор: Ying-Hao Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Apparatus and methods for sensing long wavelength light

Номер патента: US11798969B2. Автор: Ying-Hao Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Apparatus and Method For Generating Test Pattern Data For Testing Semiconductor Device

Номер патента: US20080040639A1. Автор: Jong Koo Kang. Владелец: UniTest Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Semiconductor device and method for generating integrated circuit layout

Номер патента: US20240014202A1. Автор: Chun-Cheng Ku,Kuan-Jung Jhu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Piezoelectric component and method for producing a piezoelectric component

Номер патента: US20140191620A1. Автор: MICHAEL Guenther,Reinhold Melcher. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-07-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8564128B2. Автор: Junji Shiota. Владелец: Teramikros Inc. Дата публикации: 2013-10-22.

A method for preparing an optical active layer with 1~10 nm distributed silicon quantum dots

Номер патента: US20070054426A1. Автор: Tsun Neng Yang,Shan Ming Lan. Владелец: Institute of Nuclear Energy Research. Дата публикации: 2007-03-08.

METHOD FOR THINNING, METALIZING, AND DICING A SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MADE USING THE METHOD

Номер патента: US20150108612A1. Автор: NUMAGUCHI Hiroyuki. Владелец: LAPIS SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2015-04-23.

Heat-curable silicon resin sheet having phosphor-containing layer and white pigment-containing layer, and method for producing light emitting device and encapsulated light emitting semiconductor device using the same

Номер патента: KR20140081736A. Автор: 도시오 시오바라,츠토무 가시와기. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2014-07-01.

Curing composition and method for preparing same, light-shielding paste, light-shielding resin and method for producing same, package for light-emitting diode, and semiconductor device

Номер патента: EP1609835A1. Автор: Masahito Ide,Katsuya Ouchi,Manabu Tsumura,C/o Nichia Corporation KURAMOTO Masafumi,C/o Nichia Corporation MIKI Tomohide. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2005-12-28.

Organic Compound, Organic Semiconductor Material, Organic Thin Film And Method For Producing The Same, Organic Semiconductor Composition, And Organic Semiconductor Device

Номер патента: US20180062087A1. Автор: Sadamitsu Yuichi,Shinamura Shoji,Hamada Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

ELECTROMAGNETIC WAVE ABSORBING HEAT CONDUCTIVE SHEET, METHOD FOR PRODUCING ELECTROMAGNETIC WAVE ABSORBING HEAT CONDUCTIVE SHEET, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190080978A1. Автор: Aramaki Keisuke,KUBO Yusuke,RYOSON Hiroyuki,KUMURA Tatsuo. Владелец: DEXERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2019-03-14.

METHOD FOR FORMING SINTERED SILVER COATING FILM, BAKING APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140239484A1. Автор: Matsuda Kenji,Harada Muneo,Nakamura Michikazu,WATANABE Shinjiro,IIDA Itaru,Shinozaki Dai,MITANO Yoshinobu. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-08-28.

APPARATUSES AND METHODS FOR COUPLING CONTACT PADS TO A CIRCUIT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190304855A1. Автор: Igeta Masahiko,Terui Yoshimi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-03.

Method for measuring and correcting misregistration between layers in a semiconductor device, and misregistration targets useful therein

Номер патента: US20200312687A1. Автор: YOEL Feler,Roie VOLKOVICH,Liran Yerushalmi,Renan MILO,Moran Zaberchik,David Izraeli. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US20190333830A1. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Method for CVD and apparatus for performing the same in semiconductor device processing

Номер патента: KR100375102B1. Автор: 김종우,김광식,이희태,박윤세. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-03-08.

Composition for curing resin, cured product of the composition, method for producing the composition and the cured product, and semiconductor device

Номер патента: CN111278882B. Автор: 西谷佳典,南昌树,佐藤树生. Владелец: Jxtg Energy Corp. Дата публикации: 2022-12-30.

Composition for curing resin, cured product of the composition, method for producing the composition and the cured product, and semiconductor device

Номер патента: CN111278883B. Автор: 西谷佳典,南昌树,佐藤树生. Владелец: Jxtg Energy Corp. Дата публикации: 2022-12-30.

Method for arranging wiring line including power reinforcing line and semiconductor device having power reinforcing line

Номер патента: US20030211722A1. Автор: Won-suk Yang,Jae-Young Lee,Ki-nam Kim,Chang-Hyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-11-13.

Lead frame, method for partially plating lead frame with noble meta and semiconductor device formed by using the lead frame

Номер патента: KR100266726B1. Автор: 히데오 호리타,치아키 하츠타. Владелец: 기타지마 요시토시. Дата публикации: 2000-09-15.

Method for low stress flip-chip assembly of fine-pitch semiconductor devices

Номер патента: US8530360B2. Автор: Abram M. Castro. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-09-10.

Method for fabricating a lower plate for a capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100338959B1. Автор: 박상희. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-06-01.

Production method for copolymer film, copolymer film for med therefrom, and semiconductor device using said copolymer film

Номер патента: CN1269866C. Автор: 林喜宏,川原润. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-08-16.

Method for forming oxide layer in semiconductor manufacturing process and semiconductor device manufactured by using the same

Номер патента: KR100362834B1. Автор: 이정호,이동준,김홍기,전상문,최정식,강대원. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-11-29.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: KR100420780B1. Автор: 아이-밍 첸. Владелец: 에버그랜드 홀딩스 리미티드. Дата публикации: 2004-03-02.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate, and semiconductor device adapted for mounting on substrate

Номер патента: AU742589B2. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Evergrand Holdings Ltd. Дата публикации: 2002-01-10.

Electromagnetic wave absorbing heat transfer sheet, method for producing electromagnetic wave absorbing heat transfer sheet, and semiconductor device

Номер патента: WO2018061712A1. Автор: 久村　達雄. Владелец: デクセリアルズ株式会社. Дата публикации: 2018-04-05.

Light-shielding resin and method for producing same, package for light-emitting diode, and semiconductor device

Номер патента: CN101197408B. Автор: 井手正仁,三木伦英,大内克哉,藏本雅史,津村学. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-08.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: KR100415239B1. Автор: 아이-밍 첸. Владелец: 에버그랜드 홀딩스 리미티드. Дата публикации: 2004-01-14.

Light-shielding resin and method for producing same, package for light-emitting diode, and semiconductor device

Номер патента: CN101197408A. Автор: 井手正仁,三木伦英,大内克哉,藏本雅史,津村学. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2008-06-11.

Composition for curing resin, cured product of the composition, method for producing the composition and the cured product, and semiconductor device

Номер патента: CN112424256B. Автор: 西谷佳典,南昌树,佐藤树生. Владелец: Eneos Corp. Дата публикации: 2023-02-17.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: KR100353223B1. Автор: 아이-밍 첸. Владелец: 아이-밍 첸. Дата публикации: 2002-09-18.

Method for protecting semiconductor integrated circuit against reverse engineering and semiconductor device

Номер патента: CN111610425A. Автор: 村上洋树. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-01.

Non-contact method for monitoring and controlling plasma charging damage in a semiconductor device

Номер патента: US6251697B1. Автор: Pradip K. Roy,Carlos M. Chacon. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2001-06-26.

Structure and Method for Monitoring Variation Within an Active Region of a Semiconductor Device Using Scaling

Номер патента: US20080288188A1. Автор: William Y. Chang,Sharon L. Von Bruns. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-20.

Fabrication method for chip size package and non-chip size package semiconductor devices

Номер патента: US7632711B2. Автор: Makoto Terui. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-15.

System and method for automatically identifying defect-based test coverage gaps in semiconductor devices

Номер патента: IL303364A. Автор: . Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Silicon carbide substrate, silicon carbide ingot, and methods for manufacturing silicon carbide substrate and silicon carbide ingot

Номер патента: US09605358B2. Автор: Makoto Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Silicon carbide ingot, method for manufacturing silicon carbide ingot, and method for manufacturing silicon carbide wafer

Номер патента: US20230193510A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for manufacturing a holey film, in particular for electron microscopy applications

Номер патента: WO2021038058A1. Автор: Philipp SELENSCHIK,Harald Nuesse,Juergen KLINGAUF. Владелец: WESTFAELISCHE WILHELMS-UNIVERSITAET MUENSTER. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for manufacturing electrode sheets and apparatus therefor

Номер патента: US09705150B2. Автор: Hiroki Ishida,Tsuyoshi Ito,Ichiro Shibata,Keisuke Omori,Akiji Hayashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for producing substrates for superconducting layers

Номер патента: EP3072167A1. Автор: Anders Christian WULFF. Владелец: Danmarks Tekniskie Universitet. Дата публикации: 2016-09-28.

METHOD FOR PRODUCING A VANADIUM-DOPED SILICON CARBIDE VOLUME MONOCRYSTAL, AND VANADIUM-DOPED SILICON CARBIDE SUBSTRATE

Номер патента: US20160068994A1. Автор: Mueller Ralf,Vogel Michael,STOCKMEIER MATTHIAS. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

Method for manufacturing a holey film, in particular for electron microscopy applications

Номер патента: EP4021707A1. Автор: Philipp SELENSCHIK,Harald Nuesse,Juergen KLINGAUF. Владелец: WESTFAELISCHE WILHELMS UNIVERSITAET MUENSTER. Дата публикации: 2022-07-06.

Lamination structure for second generation high-temperature superconducting (2g-hts) tape and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274326A1. Автор: Wei Wu,Yue Zhao,Yue Wu,Chunjiang Guo. Владелец: Supermag Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Lamination structure of second generation high-temperature superconducting (2G-HTS) tape and method for fabricating the same

Номер патента: US12094624B2. Автор: Wei Wu,Yue Zhao,Yue Wu,Chunjiang Guo. Владелец: Supermag Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for the wet deposition of thin films

Номер патента: US20180001290A1. Автор: Benoit Heinrichs,Cedric Calberg,Dimitri LIQUET,Carlos PAEZ,Christelle ALIÉ. Владелец: UNIVERSITE DE LIEGE. Дата публикации: 2018-01-04.

Method for manufacturing graphene film, graphene film manufactured by same, electronic device comprising the graphene film

Номер патента: US9567223B2. Автор: Jae Hyun Park,Yong Won Song. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for producing a fuel cell, and fuel cell

Номер патента: US20230231158A1. Автор: Thomas Kretschmar,David Thomann,Robert Landvogt,Heiko Klaumuenzer,Marco Boehnlein. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for recovering lithium precursor from lithium secondary battery

Номер патента: US20240262703A1. Автор: Ji Min Kim,Ji Yun PARK,Suk Joon Hong,Hyeon Jung Kim,Dong Ryul PARK,Min Hyuck Choi. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Polycrystalline silicon carbide with increased conductivity

Номер патента: CA1069292A. Автор: Svante Prochazka. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1980-01-08.

A method for treating a sintered, refractory, silicon carbide body such as an electrical and thermal conductor and a sintered body according to the method or the like

Номер патента: FR1404984A. Автор: . Владелец: Siemens Plania Werke AG. Дата публикации: 1965-07-02.

Process for manufacturing fine particle silicon carbide

Номер патента: CH444832A. Автор: Wallace Evans Arthur,George Wynne Reginald,Waldemar Maryowski Chester. Владелец: British Titan Products. Дата публикации: 1967-10-15.

Thermal insulation sheet and method for producing the same, and electronic device and battery unit

Номер патента: US11905647B2. Автор: Shinji Okada,Shigeaki Sakatani,Tooru Wada,Kazuma Oikawa,Rikako Shono. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Thermal insulation sheet and method for producing the same, and electronic device and battery unit

Номер патента: US20190161909A1. Автор: Shinji Okada,Shigeaki Sakatani,Tooru Wada,Kazuma Oikawa,Rikako Shono. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic system including semiconductor device

Номер патента: US20240244846A1. Автор: Kwangmin Park,JaeMin JUNG,Byongju Kim,Wonjun PARK,Donghwa LEE,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for producing doped organic nanoparticles, method for producing a functional layer, functional layer, and organic semiconductor device

Номер патента: EP4299647A1. Автор: Christoph Brabec,Junyi Xu,Thomas HEUMÜLLER. Владелец: Friedrich Alexander Univeritaet Erlangen Nuernberg FAU. Дата публикации: 2024-01-03.

Method for protecting gate edges from charge gain/loss in semiconductor device

Номер патента: US6808996B1. Автор: Yu Sun,Mark T. Ramsbey,Sameer S. Haddad,Chi Chang,Tuan D. Pham,Angela T. Hui. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-10-26.

Fabrication method for flash memory source line and flash memory

Номер патента: US20050181563A1. Автор: Ing-Ruey Liaw,Jui-Hsiang Yang,Yue-Feng Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Fabrication method for flash memory source line and flash memory

Номер патента: US7129134B2. Автор: Ing-Ruey Liaw,Jui-Hsiang Yang,Yue-Feng Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-10-31.

Display device and assembling method for the same

Номер патента: US20210307180A1. Автор: Chih-Hao Lu. Владелец: Pegatron Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Method for fabricating thermoelectric coolers and semiconductor devices formed therefrom

Номер патента: US20020119593A1. Автор: Joseph Freund,Mindaugas Dautartas,George Przybylek. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-29.

Method for separating source signals and apparatus thereof

Номер патента: US8364483B2. Автор: Hoon Chung,Yun Keun Lee,Ho-Young Jung,Ki-Young Park,Jong Jin Kim,Jeon Gue Park,Ji Hyun Wang,Byung Ok KANG,Jeom Ja Kang,Sung Joo Lee,Hyung-Bae Jeon,Eui Sok Chung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-01-29.

Dynamically adjusting operation of a circuit within a semiconductor device

Номер патента: US20090072855A1. Автор: Sujeet Ayyapureddi,Raghukiran Sreeramaneni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Method for reducing particles and defects during flash memory fabrication

Номер патента: US20030181008A1. Автор: Kent Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Method for producing honeycomb structure and method for producing electrically heating support

Номер патента: US11969721B2. Автор: Takashi Noro,Masahiro Tokuda. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Systems and methods for intelligent discard in a communication network

Номер патента: US8199645B2. Автор: David Gell,Kenneth Stanwood. Владелец: Cygnus Broadband Inc. Дата публикации: 2012-06-12.

Systems and methods for intelligent discard in a communication network

Номер патента: US8068440B2. Автор: David Gell,Kenneth Stanwood. Владелец: Cygnus Broadband Inc. Дата публикации: 2011-11-29.

SYSTEM AND METHOD FOR BACKGROUND DOWNLOAD OF DIGITAL CONTENT ON A PERMANENTLY CONNECTED PERIPHERAL DEVICE BY A WIRELESS DEVICE

Номер патента: RU2007102678A. Автор: Пол Э. ЯКОБС,Равиндер Пол ЧАНДХОК,Равиндер Пол ЧАНДХОК (US),Пол Э. ЯКОБС (US). Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед (US). Дата публикации: 2008-07-27.

Systems and methods for prioritization of data for intelligent discard in a communication network

Номер патента: WO2012078236A1. Автор: David Gell,Kenneth Stanwood. Владелец: CYGNUS BROADBAND. Дата публикации: 2012-06-14.

Memory and method for forming same

Номер патента: EP4277448A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,Juanjuan Huang,Weiping BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Method for manufacturing a laminated iron core for electrical machines and devices by welding together laminations

Номер патента: DE957416C. Автор: Duward Charles Staley. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1957-01-31.

Method for delivering components in feeder cassettes, delivery system, computer program product and computer-readable medium

Номер патента: US20230363130A1. Автор: Johannes Justinger,Vincent Pfeifer,Matthias Miksch. Владелец: ASMPT GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for making a shielding garment for a human body

Номер патента: US20240065348A1. Автор: Christian Dratva. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-29.

System and method for providing personalized security services

Номер патента: GB2577399A. Автор: SINGH A/L SURJIT SINGH JAYVINDER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-25.

Method for winding coils of single-phase induction electromotor

Номер патента: US4807821A. Автор: In S. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 1989-02-28.

Secure provisioning of devices for manufacturing and maintenance

Номер патента: US10425413B2. Автор: Ian G. Angus. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2019-09-24.

Method for providing restricted access to hardware component interfaces of a network device

Номер патента: US11657183B2. Автор: Rainer Falk,Christian Peter Feist,Johannes Zwanzger. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-05-23.

Method for producing a rotor element for a rotor of an electric machine, rotor element, rotor, electric machine and motor vehicle

Номер патента: US20230412010A1. Автор: Raphael Koch,Wanfeng LI. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

Communication routing management method for home theatre type communication network, involves modifying routing of communication in network by selection of communication path along concentrated energy transmission mode

Номер патента: FR2939267A1. Автор: Houerou Brice Le,Pascal Lagrange. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-06-04.

Method for forming a metal layer with pattern on a substrate

Номер патента: US4643912A. Автор: Shigeru Nakagawa,Kiyotaka Uchikawa. Владелец: Marui Industry Co Ltd. Дата публикации: 1987-02-17.

Method for forming cylindrical capacitor lower plate in semiconductor device

Номер патента: US5858834A. Автор: Toshiyuki Hirota,Kiyotaka Sakamoto,Shuji Fujiwara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

System and method for responding to aperiodic information requests from users of personal communication devices by providing targeted advertisements

Номер патента: US20120150608A1. Автор: Warren Citrin,Eric Conn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-14.

Method for combining media records in a cellular network terminal device and a cellular network terminal device

Номер патента: US20050157851A1. Автор: Markku Rytivaara,Minna Karukka,Mika Mustonen. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2005-07-21.

Method for selective compression of video sequence in video encoder, involves applying mask to area of interest of video sequence, so as to produce fused video sequence that is compressed to form compressed sequence

Номер патента: FR2985139A1. Автор: Didier Nicholson,Cyril Bergeron. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2013-06-28.

METHOD FOR MONITORING THE POWER SUPPLY OF A BATTERY OF AN OCCULTATION DEVICE BY A PHOTOVOLTAIC PANEL AND OCCULTATION DEVICE COMPRISING A SYSTEM FOR SUCH A CONTROL

Номер патента: FR2959884A1. Автор: Vincent Delpy. Владелец: Bubendorff SA. Дата публикации: 2011-11-11.

A method for analog-to-digital conversion, analog-to-digital converter, semiconductor device for detecting the distribution of physical quantities and electronic device

Номер патента: DE602005013469D1. Автор: Noriyuki Fukushima,Yoshikazu Nitta,Yoshinori Muramatsu,Yukihiro Yasui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Method for producing ceramic and apparatus for producing the same, semiconductor device, and piezoelectric device

Номер патента: KR100476495B1. Автор: 나토리에이지. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-03-17.

Cubic silicon carbide film manufacturing method, cubic silicon carbide film-attached substrate manufacturing method, and power device by use of the cubic silicon carbide film

Номер патента: US20150275394A1. Автор: Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Method of forming a laminate of epitaxially grown cubic silicon carbide layers, and method of forming a substrate-attached laminate of epitaxially grown cubic silicon carbide layers

Номер патента: US9732439B2. Автор: Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Fiber-reinforced silicon carbide composite materials, method for producing the fiber-reinforced silicon carbide composite materials, and uses of the fiber-reinforced silicon carbide composite materials

Номер патента: US09975814B2. Автор: Andreas Kienzle,Tanja Damjanovic,Ingrid Kraetschmer. Владелец: SGL CARBON SE. Дата публикации: 2018-05-22.

Apparatus for manufacturing reaction bonded silicon carbide

Номер патента: US6126749A. Автор: Sang-Whan Park,Huesup Song,Sang-Dong Kim,Jo-Woong Ha. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2000-10-03.

Method for estimating the end of lifetime for a power semiconductor device

Номер патента: EP2724170A1. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: KK-ELECTRONIC AS. Дата публикации: 2014-04-30.

Method for producing high-density sintered silicon carbide articles

Номер патента: US4788018A. Автор: Koichi Yamada,Masahide Mouri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1988-11-29.

Systems and methods for stable and elevated idle-mode temperature for assembled semiconductor devices

Номер патента: EP4409378A1. Автор: Marc Beuchat,Phani Kumar Kandula,Nikos Kaburlasos,David N. Lombard,Eric J.M. Moret,John Kelbert,Brad Bittel,Mark J. LUCKEROTH,Rodrigo VIVI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for producing non-core beta silicon carbide fibers

Номер патента: US11959192B2. Автор: Alexey Vladimirovich Glebov,Vladislav Konstantinovich Orlov,Leonid Aleksandrovich KARPYUK,Sergey Igorevich IVANOV,Fyodor Viktorovich MAKAROV,Roman Gennadyevich ZAKHAROV,Ivan Alexandrovich DZYUBINSKY,Alexander Pavlovich PONOMARENKO,Dmitry Vladimirovich ZHIGALOV,Alexander Pavlovich KOROLEV,Artem Andreevich VOROBYOV. Владелец: Bochvar High Tech Res Inst For Inorg Materials. Дата публикации: 2024-04-16.

Method for producing non-core beta silicon carbide fibers

Номер патента: US20230026460A1. Автор: Alexey Vladimirovich Glebov,Vladislav Konstantinovich Orlov,Leonid Aleksandrovich KARPYUK,Sergey Igorevich IVANOV,Fyodor Viktorovich MAKAROV,Roman Gennadyevich ZAKHAROV,Ivan Alexandrovich DZYUBINSKY,Alexander Pavlovich PONOMARENKO,Dmitry Vladimirovich ZHIGALOV,Alexander Pavlovich KOROLEV,Artem Andreevich VOROBYOV. Владелец: Bochvar High Technology Research Institute For Inorganic Materials. Дата публикации: 2023-01-26.

Method for assisting with guiding a surface vessel for towing an underwater device by means of a cable

Номер патента: AU2022420392A1. Автор: Christophe Borel,Quentin DUPUIS. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2024-06-20.

Apparatuses and methods for outputting addresses of defective memory cells of a semiconductor device including a roll call circuit

Номер патента: US09704597B2. Автор: Masashi Oya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

System and method for auction sales of wireless devices assets and provision of wireless devices by version of selection of assets distribution

Номер патента: RU2471235C2. Автор: Никхил ДЖАИН,Пол Э. ДЖЕЙКОБЗ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-12-27.

Method for assisting with guiding a surface vessel for towing an underwater device by means of a cable

Номер патента: CA3241137A1. Автор: Christophe Borel,Quentin DUPUIS. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for growing gallium oxide single crystal by casting and semiconductor device containing gallium oxide single crystal

Номер патента: US11898266B2. Автор: Ning Xia,HUI Zhang,Yingying LIU,Deren Yang,Keke Ma. Владелец: Hangzhou Garen Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for growing gallium oxide single crystal by casting and semiconductor device containing gallium oxide single crystal

Номер патента: US20230340689A1. Автор: Ning Xia,HUI Zhang,Yingying LIU,Deren Yang,Keke Ma. Владелец: Hangzhou Garen Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Systems and methods for stable and elevated idle-mode temperature for assembled semiconductor devices

Номер патента: WO2023055461A1. Автор: Marc Beuchat,Phani Kumar Kandula,Nikos Kaburlasos,David N. Lombard,Eric J.M. Moret,Rodrigo De Oliveira Vivi,John Kelbert,Brad Bittel,Mark J. LUCKEROTH. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-04-06.

Apparatus and method for identifying proper orientation and electrical conductivity between a semiconductor device and a socket or contactor

Номер патента: US20080218174A1. Автор: James Barnett,Carlos Cisneros,Charles Engle,Maria Evans. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Apparatus and method for the parallel and independent testing of voltage-supplied semiconductor devices

Номер патента: US6903565B2. Автор: Udo Hartmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-07.

Device and methods for reducing peak noise and peak power consumption in semiconductor devices under test

Номер патента: US20200049765A1. Автор: Jong-Tae Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20240110309A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for producing aluminum nitride substrate, aluminum nitride substrate, and method for suppressing introduction of dislocation into aluminum nitride growth layer

Номер патента: US20230392282A1. Автор: Tadaaki Kaneko,Yoshitaka Nishio,Daichi DOJIMA,Moeko Matsubara,Taku Murakawa. Владелец: Toyo Aluminum KK. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for manufacturing honeycomb structure containing silicon carbide

Номер патента: US12103856B2. Автор: Keisuke Kimura,Suguru KODAMA,Taku Nishigaki. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Silicon to silicon carbide conversion for ceramic matrix composite fabrication

Номер патента: US12054433B2. Автор: Jiping Zhang,Jonas Opperman,Austin TRAVIS,George JACOBSEN. Владелец: General Atomics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for modification of silicon carbide

Номер патента: RU2600065C1. Автор: Виктор Федорович Каблов,Виталий Сергеевич Лифанов,Вера Павловна Шабанова,Никита Викторович Писарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2016-10-20.

Silicide joint and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080176087A1. Автор: Saburo Sano,Akihiro Tsuzuki,Mari Miyano. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2008-07-24.

Method for producing ceramic composite material based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibers

Номер патента: RU2744543C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Владимир Вячеславович Закоржевский,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2021-03-11.

Silicide joint and method for manufacturing the same

Номер патента: US7807269B2. Автор: Saburo Sano,Akihiro Tsuzuki,Mari Miyano. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2010-10-05.

Method for purifying silicon carbide

Номер патента: US20220250918A1. Автор: Matthias Hausmann,Wenzel KLIETZ,Josef GARBES. Владелец: Esk Sic GmbH. Дата публикации: 2022-08-11.

A Method for Silicon Carbide Slip Casting and Sintering

Номер патента: LU102184B1. Автор: Changqing Li,Yansong Li,Baoliang Liu. Владелец: Univ Guangdong Petrochem Tech. Дата публикации: 2021-05-12.

Method for making a silicon carbide substrate

Номер патента: US4582561A. Автор: Takeshi Sakurai,Toshinori Ioku. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1986-04-15.

Method for manufacturing a fabric and an apparatus for manufacturing a fabric

Номер патента: EP1411161A3. Автор: Yoko Kobayashi,Izumi Takemoto,Tazaemon Kobayashi,Tsumugi Fujita. Владелец: Nugget Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-15.

Apparatus and method for manufacturing channel-coupled scaffold

Номер патента: US20170253860A1. Автор: Eui Sung Yoon,Il-Joo Cho,Nakwon Choi,Changjoon Justin LEE,Sohyun KIM,Sohyeon JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-09-07.

Porous silicon dioxide-carbon composite and method for preparing high-purity granular beta-phase silicon carbide powder with using the same

Номер патента: US09994454B2. Автор: Sang Whan Park,Mi Rae YOUM,Sung Il YOUN,Gyoung Sun CHO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal

Номер патента: US20240183073A1. Автор: Takahiro Kanda,Soma SAKAKIBARA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Sintering method for improving antioxidant performance of nitride combined silicon carbide material

Номер патента: EP3988518A1. Автор: Zhigang Huang,Jie Li,Jiaping Wang,Wenwu Wang,Jiguang Wu. Владелец: Sinosteel Luoyang Institute of Refractories Research Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-27.

Method for manufacturing a packing container having an inlay, insertion device, and packaging machine

Номер патента: US20240270417A1. Автор: Martin Greßler. Владелец: HDG Verpackungsmaschinen GmbH. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for manufacturing biomedical signal conductive membrane

Номер патента: US20150157740A1. Автор: Meng-Hsiu Wu,Wei-Te Chen,Wei-Ching Wang,Ping-Yi Hsieh. Владелец: METAL INDUSTRIES RESEARCH AND DEVELOPMENT CENTRE. Дата публикации: 2015-06-11.

Method of making composite articles from silicon carbide

Номер патента: US20200040449A1. Автор: William F Fischer, III,Walter Wrigglesworth, III,Lauren Montgomery. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-06.

Silicon to silicon carbide conversion for ceramic matrix composite fabrication

Номер патента: EP4211093A1. Автор: Jiping Zhang,Jonas Opperman,Austin TRAVIS,George JACOBSEN. Владелец: General Atomics Corp. Дата публикации: 2023-07-19.

Apparatus and method for silicon carbide ingot peeling

Номер патента: US20240149494A1. Автор: Yi-Wei Lin,Weng-Jung Lu,Ying-Fang Chang,Pin-Yao Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-05-09.

Process for manufacture of glued pressed products and arrangement intended for use therein

Номер патента: WO1986002032A1. Автор: Jarl-Gunnar Salin. Владелец: Ekono Oy. Дата публикации: 1986-04-10.

Method for manufacturing a guide vane from a ceramic matrix composite material

Номер патента: US20230191746A1. Автор: Clément Marie Benoît Roussille,Matthieu Arnaud Gimat,Julien André Roger Mateo. Владелец: Safran Ceramics SA. Дата публикации: 2023-06-22.

Silicon carbide based porous article and method for preparation thereof

Номер патента: US20040033893A1. Автор: Takashi Harada,Shuichi Ichikawa,Takahiro Tomita,Yuichiro Tabuchi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2004-02-19.

Method for treating a silicon carbide fibre

Номер патента: US20240279124A1. Автор: Cyril Aymonier,Marie Lefebvre,Adrien Delcamp,Nicolas BISCAY. Владелец: Institut Polytechnique de Bordeaux. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of producing a composite based on microporous zeolite and silicon carbide

Номер патента: RU2725586C1. Автор: Алексей Георгиевич Дедов,Александр Александрович Караваев,Алексей Сергеевич Локтев,Илья Иосифович Моисеев,Алексей Сергеевич Митиненко,Екатерина Андреевна Исаева. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Российский государственный университет нефти и газа (национальный исследовательский университет) имени И.М. Губкина". Дата публикации: 2020-07-02.

Chalcogenide perovskites and method for synthesizing chalcogenide perovskites

Номер патента: US20230322576A1. Автор: Rakesh Agrawal,Apurva Ajit Pradhan,Jonathan William Turnley,Suzanne C. Bart,Madeleine Claire Uible. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-10-12.

Fluid injection device and method for fabricating and operating thereof

Номер патента: US20080278544A1. Автор: Wai Wang,Chung-Cheng Chou. Владелец: Qisda Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Method of manufacturing a diamond-silicon carbide-silicon composite and a composite produced by this method

Номер патента: CA2301775C. Автор: Thommy EKSTRÖM,Sergey Konstantinovitch Gordeev,Sergey Germanovitch Zhukov,Lija Vladimirovna Danchukova. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2009-08-25.

Method of manufacturing a diamond-silicon carbide-silicon composite and a composite produced by this method

Номер патента: EP1253123A1. Автор: Sergey Konstantinovitch Gordeev,Sergey Germanovitch Zhukov,Lija Vladimirovna Danchukova,Thommy Elkström. Владелец: Frenton Ltd. Дата публикации: 2002-10-30.

Uncalcined geopolymer-based refractory material and method for its preparation

Номер патента: US11873247B2. Автор: Yuan Fang,Feng Xing,Aoxuan Wang. Владелец: SHENZHEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-16.

Uncalcined geopolymer-based refractory material and method for its preparation

Номер патента: US20230250022A1. Автор: Yuan Fang,Feng Xing,Aoxuan Wang. Владелец: SHENZHEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-10.

Machine and method for providing rolls of material for use in sheet form, particularly aluminum for food uses, of the coreless type

Номер патента: US12024396B2. Автор: Alberto Beldi',Cesare Cornalba. Владелец: Ims Technologies SpA. Дата публикации: 2024-07-02.

Vapor deposition apparatus and techniques using high purity polymer derived silicon carbide

Номер патента: EP4407079A2. Автор: Mark S. Land. Владелец: Pallidus Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for manufacturing glass substrate, and glass substrate

Номер патента: US20240308899A1. Автор: Takeaki ONO,Isao Saito,Akihiro Shibata,Takuma Fujiwara,Ryoichi Iida. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Polysilocarb based silicon carbide materials, applications and devices

Номер патента: US20240343589A1. Автор: Ashish P. Diwanji,Andrew R. Hopkins,Walter J. Sherwood,Douglas M. Dukes,Mark S. Land,Brian L. Benac,Glenn Sandgren. Владелец: Pallidus Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Vapor deposition apparatus and techniques using high purity polymer derived silicon carbide

Номер патента: EP4407079A3. Автор: Mark S. Land. Владелец: Pallidus Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Methods for making a plurality of filter assemblies

Номер патента: US09566772B2. Автор: Mark Jones,Daniel Lynn,Tat Mui,Kwang Suk Kim,James Darren Roxas,Andres Pasko,Walter Timothy Watts,Dennis Clyde Berry. Владелец: Fenwal Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for hypersonic aircraft (hac) model roll angle generation of a control signal for controlling the aerodynamic identity according to the reynolds numbers of the flight trajectories of the model and the full-scale aircraft in conducting advanced flight tests of aerodynamic characteristics

Номер патента: RU2650331C1. Автор: Лаврентий Лаврентьевич Ловицкий,Владислав Диясович Садртдинов,Айгуль Булатовна Бадретдинова. Владелец: Акционерное общество "Лётно-исследовательский институт имени М.М. Громова". Дата публикации: 2018-04-11.

Method for manufacturing vehicle brake disc

Номер патента: US10174801B2. Автор: Yeon Ho Choi,Dong Won Im,Kang YOO,Nam Cheol LEE. Владелец: Dacc Carbon Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-08.

Method for producing gas barrier paper packaging material and gas barrier paper packaging material

Номер патента: US20240278547A1. Автор: Junichi Harada,Atsushi Fujita,Hiroki Tanaka,Kyohei Kobayashi,Genta Ito. Владелец: Sakata Inx Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for producing gas barrier paper packaging material, and gas barrier paper packaging material

Номер патента: EP4364941A1. Автор: Junichi Harada,Atsushi Fujita,Hiroki Tanaka,Kyohei Kobayashi,Genta Ito. Владелец: Sakata Inx Corp. Дата публикации: 2024-05-08.

Ferrocene catalyzed method for preparing carbon nanotubes

Номер патента: US09988275B1. Автор: Muataz Ali Atieh,Fahad Ali RABBANI,Zuhair Omar MALAIBARI. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2018-06-05.

Spunbond method for producing non-woven fabrics with hygroscopic metastatic feature

Номер патента: US09745673B2. Автор: Hsiao-Chi Tsai,Wen-Tung Chou,Ming-Yi Lai,Kun-Shan Huang. Владелец: Acelon Chemicals and Fiber Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of production of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20060292057A1. Автор: Masateru Nakamura. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Material structure and method for deep silicon carbide etching

Номер патента: WO2018049081A1. Автор: Rachael L. Myers-Ward,Francis J. Kub,Karl D. Hobart,Eugene A. Imhoff. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2018-03-15.

Manufacturing method of silicon carbide ingot

Номер патента: US11859306B2. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Methods for Preparing Silicon Carbide Powder and Single Crystal Silicon Carbide

Номер патента: US20220371901A1. Автор: Yong Jin Kwon,Il Gon Kim,In Seok Yang. Владелец: HANA MATERIALS Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Method for performing a manufacturing process and associated apparatuses

Номер патента: US11733606B2. Автор: Thomas Theeuwes,Pieter Joseph Marie WOLTGENS,Koenraad VAN INGEN SCHENAU. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for preparing multi-wall carbon nanotubes using chemical vapor deposition with an atomization system

Номер патента: US9878912B2. Автор: Muataz Ali Atieh,Fahad Ali RABBANI,Zuhair Omar MALAIBARI. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for coating a substrate with a co-pi modified bivo4/wo3 heterostructure film

Номер патента: US20240133017A1. Автор: Zain Hassan Yamani,Qasem Ahmed Qasem Drmosh,Amar Kamal Mohmeadkhair SALIH,Tarek KANDIEL. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for producing a pore-containing opaque quartz glass

Номер патента: US20170341968A1. Автор: Gerrit Scheich,Christian Schenk,Nadine TSCHOLITSCH. Владелец: Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-11-30.

Skin material and method for producing the same

Номер патента: US20200331252A1. Автор: Ryo YAMANE,Yoshiaki TOMASU. Владелец: Toyota Boshoku Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Infrared reflective material and method for producing the same, and infrared reflective structure

Номер патента: US20220212948A1. Автор: Te-Chao Liao,Sen-Huang Hsu,Wei-Sheng Cheng. Владелец: Nan Ya Plastics Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Method for producing pigment dispersion, and method for producing toner for developing electrostatic charge images

Номер патента: US20230266686A1. Автор: Takeshi Tanabe,Yuta Saeki. Владелец: FUJIFILM BUSINESS INNOVATION CORP. Дата публикации: 2023-08-24.

Ferrocene catalyzed method for preparing carbon nanotubes

Номер патента: US20180155200A1. Автор: Muataz Ali Atieh,Fahad Ali RABBANI,Zuhair Omar MALAIBARI. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2018-06-07.

Method for making ferrocene-embedded multi-wall carbon nanotubes

Номер патента: US20180237302A1. Автор: Muataz Ali Atieh,Fahad Ali RABBANI,Zuhair Omar MALAIBARI. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2018-08-23.

Ferrocene catalyzed method for preparing carbon nanotubes

Номер патента: US9988275B1. Автор: Muataz Ali Atieh,Fahad Ali RABBANI,Zuhair Omar MALAIBARI. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2018-06-05.

Infrared reflective material and method for producing the same, and infrared reflective structure

Номер патента: US11772984B2. Автор: Te-Chao Liao,Sen-Huang Hsu,Wei-Sheng Cheng. Владелец: Nan Ya Plastics Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for preparing multi-wall carbon nanotubes using chemical vapor deposition with an atomization system

Номер патента: US09878912B2. Автор: Muataz Ali Atieh,Fahad Ali RABBANI,Zuhair Omar MALAIBARI. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for producing porous polymer film and porous polymer film

Номер патента: US09708453B2. Автор: Yozo Nagai,Masaharu Asano,Hiroshi Koshikawa,Junichi Moriyama,Yasunari Maekawa,Satoru Furuyama,Yosuke Yuri,Takahiro Yuyama,Tomohisa Ishizaka,Ikuo Ishibori,Ken-Ichi Yoshida,Tetsuya Yamaki. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for fracking wells using a packer to form primary and secondary fracs and seal intervals for hydraulic fracturing

Номер патента: US09664024B2. Автор: Henry A. Baski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for preparing trishydroxymethyl phosphine

Номер патента: RU2648043C2. Автор: ЗЮТФЕН Стевен ВАН,Владица БОЦОКИЦ. Владелец: Италматч Кемикалс С.п.А.. Дата публикации: 2018-03-22.

Method of forming a silicon carbide article

Номер патента: GB1509497A. Автор: . Владелец: Ford Motor Co Ltd. Дата публикации: 1978-05-04.

Silicon carbide-based filter and method for manufacturing monolith type silicon carbide-based filter

Номер патента: KR101829758B1. Автор: 이성영,배일준. Владелец: 재단법인 포항산업과학연구원. Дата публикации: 2018-02-20.

Casting method for manufacturing golf club head having weight member and golf club head manufactured thereby

Номер патента: US10821332B1. Автор: Chun-Hao Huang,Ming-Wei Huang,Shang-Ju Tsai,Kun-Han Lu,Min-Tsung Chen,Ming-Fu SU. Владелец: Advanced International Multitech Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Method for separating impurities from silicon carbide, as well as temperature-treated and purified silicon carbide powder

Номер патента: CA3168890A1. Автор: Matthias Hausmann,Jörg ADLER,Heike Heymer,Jan Räthel,Wenzel KLIETZ,Josef GARBES. Владелец: Esk Sic GmbH. Дата публикации: 2021-08-05.

Method for fabrication of a molecular filter and apparatus formed by the same

Номер патента: WO2002092497A3. Автор: Axel Scherer. Владелец: Axel Scherer. Дата публикации: 2003-07-24.

Method for fabrication of a molecular filter and apparatus formed by the same

Номер патента: WO2002092497A2. Автор: Axel Scherer. Владелец: California Institute of Technology. Дата публикации: 2002-11-21.

Producing method for cylinder block

Номер патента: US20160303773A1. Автор: Takashi Shimura,Shinsuke Sugimoto. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Systems and methods for synthesis of zsm-22 zeolite

Номер патента: WO2021097101A1. Автор: Ki-Hyouk Choi,Emad Naji Al-Shafei,Zain Hassan Yamani,Oki MURAZA,Anas Karrar JAMIL. Владелец: King Fahd University Of Petroleum & Minerals. Дата публикации: 2021-05-20.

Method for making copper-containing catalysts

Номер патента: EP4221888A1. Автор: Pauline Elizabeth GLEN,Norman MacLeod,Michael Thomas NICHOLSON,Simone ROLOFF-STANDRING,Youxin CUI,Monica GARCIA,Kaamila UN DIN. Владелец: JOHNSON MATTHEY PLC. Дата публикации: 2023-08-09.

Methods for treating cancers by using nanoframes of prussian blue or an analogue thereof and its production methods

Номер патента: US20240180830A1. Автор: Chen-Sheng Yeh,Wei-Peng Li,Liu-Chun WANG. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2024-06-06.

Growth of ulta-high purity silicon carbide crystals in an ambient containing hydrogen

Номер патента: EP1664397A1. Автор: Valeri F. Tsvetkov,Hudson McDonald Hobgood,Jason Ronald Jenny,David Phillip Malta. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-06-07.

Methods and apparatus for crosslinking a silicon carbide fiber precursor polymer

Номер патента: EP3019318A1. Автор: Slawomir Rubinsztajn,Peter Kennedy Davis. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-05-18.

Methods and apparatus for crosslinking a silicon carbide fiber precursor polymer

Номер патента: WO2015006025A1. Автор: Slawomir Rubinsztajn,Peter Kennedy Davis. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2015-01-15.

Method for manufacturing a low resistance contact of a semiconductor device

Номер патента: KR20000074281A. Автор: Gwang Jin Mun,Byeong Ryul Park,Myeong Beom Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-12-15.

A method for determining the structure of the deep lithosphere using 3D magnetotelluric survey

Номер патента: AU2021100158A4. Автор: YANG Zhao,Xin Li,Qingyun DI,Guoqiang Xue,Zhongxing WANG,Fei Tian,Lanfang HE,Tianxin ZHANG,Renzhong PEI,Wenbo Guo. Владелец: Institute of Geology and Geophysics of CAS. Дата публикации: 2021-04-15.

Systems and methods for visually scrolling through a stack of items displayed on a device

Номер патента: US09779695B2. Автор: Jerome F. Scholler. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods for preparing customized polymeric articles

Номер патента: US09610741B2. Автор: Matthew J. Kryger,Charles R. Hickenboth,Federico Menta,II David L. Lusher,Keith M. Cross. Владелец: PPG Industries Ohio Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for manufacturing material for silicon carbide fired body and method for manufacturing honeycomb structured body

Номер патента: EP1992600A1. Автор: Kazuya Naruse,Kosei Tajima. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-19.

Production and sintering of reaction bonded silicon nitride composites containing silicon carbide whiskers or silicon nitride powders

Номер патента: US4919868A. Автор: Jow-Lay Huang. Владелец: Champion Spark Plug Co. Дата публикации: 1990-04-24.

Hermetically sealed ultra high temperature silicon carbide pressure transducers and method for fabricating same

Номер патента: US6058782A. Автор: Anthony D. Kurtz,Alexander A. Ned. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2000-05-09.

Method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20190301051A1. Автор: Yohei FUJIKAWA,Hidetaka Takaba. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-10-03.

Hydrophobic substrates and methods for their production using acyloxysilanes

Номер патента: EP2625234A1. Автор: William James Schulz, Jr.,Kevin Dale Lewis. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2013-08-14.

Devices and methods for sample analysis

Номер патента: US20230348954A1. Автор: Jaeyoung YANG,Vladimira DATINSKA,Pantea GHEIBI,Keynttisha JEFFERSON. Владелец: Roche Sequencing Solutions Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Thin film transistor array substrate and method for repairing the same

Номер патента: US20060092341A1. Автор: Yi-Jen Chen,Wei-Kai Huang,Chiung-Pin Wang,Chen-Shun Tsai. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-05-04.

Method for producing ghee

Номер патента: CA3127416A1. Автор: Claus Mathiesen,Thomas Veer,Carsten Bräutigam,Wolfgang Gruchot. Владелец: GEA MECHANICAL EQUIPMENT GMBH. Дата публикации: 2020-09-03.

Method for producing ghee

Номер патента: AU2020230013A1. Автор: Claus Mathiesen,Thomas Veer,Carsten Bräutigam,Wolfgang Gruchot. Владелец: GEA MECHANICAL EQUIPMENT GMBH. Дата публикации: 2021-08-19.

Method for producing skin-covered foamed molded article and resulting product

Номер патента: US09636854B2. Автор: Tomoo Tokiwa,Masahiro Gomibuchi. Владелец: JSP Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of producing textile silicon carbide materials

Номер патента: RU2694340C1. Автор: Елена Иннокентьевна Истомина,Павел Валентинович Истомин,Владислав Эвальдович Грасс,Александр Вениаминович Надуткин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Коми научного центра Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2019-07-11.

Silicon carbide element reinforced with continuous fibers, method of its production and structural element of nuclear reactor

Номер патента: RU2692765C1. Автор: Сёко СУЯМА,Масару УКАИ,Масаюки УТИХАСИ,Кадзуо КАКИУТИ,Хидеаки ХЕКИ. Владелец: Тосиба Энерджи Системс Энд Солюшнс Корпорейшн. Дата публикации: 2019-06-27.

Mixture for producing silicon carbide for metallurgical production

Номер патента: RU2715828C1. Автор: Константин Сергеевич Ёлкин,Иван Миронович Кашлев. Владелец: Иван Миронович Кашлев. Дата публикации: 2020-03-03.

Process for preparing silicon carbide by carbothermal reduction

Номер патента: US5340417A. Автор: William G. Moore,Raymond P. Roach,Alan W. Weimer,William Rafaniello. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1994-08-23.

Container and the method for manufacturing same

Номер патента: CA2185316C. Автор: Fu-Ming HUANG. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-12-14.

Method for bottom-up graphene sheet preparation and bandgap engineering

Номер патента: US9102694B1. Автор: Chaoyin Zhou,Tina T. Salguero. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2015-08-11.

Method of depositing silicon carbide on a preform to form a ceramic matrix composite

Номер патента: EP3957770A1. Автор: Weiming Lu,Jun NABLE. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2022-02-23.

Method for manufacturing a hole jewel

Номер патента: US20190146416A1. Автор: Pascal CHOPARD-LALLIER,Bruno Besutti,Thierry Cordier. Владелец: Comadur SA. Дата публикации: 2019-05-16.

Locking arm of a carrier connecting rod and method for making the same

Номер патента: EP4344800A1. Автор: Chiu Kuei Wang. Владелец: King Rack Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-03.

Locking arm of a carrier connecting rod and method for making the same

Номер патента: AU2023233068A1. Автор: Chiu-Kuei Wang. Владелец: King Rack Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Locking arm of a carrier connecting rod and method for making the same

Номер патента: US20240124081A1. Автор: Chiu Kuei Wang. Владелец: King Rack Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for manufacturing a multicolor antique wood flooring

Номер патента: US20080090009A1. Автор: Jianguo Xu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Recovery of silicone carbide whiskers from coked,converted rice hulls by selective flocculation liquid/liquid extraction

Номер патента: AU6311480A. Автор: Ponisseril Somasundaran,Kavssery Parameswaran Ananthapadmanabhan. Владелец: Advanced Composite Materials Corp. Дата публикации: 1981-04-16.

Method for rendering visible the line of separation between cation exchangers and anion exchangers in mixed-bed filters

Номер патента: US4666608A. Автор: Friedrich Martinola. Владелец: Bayer AG. Дата публикации: 1987-05-19.

System and method for controlling printing applications over variable layouts

Номер патента: US20080143750A1. Автор: John D. Davis,Charles J. Novak,Rickey M. Fullmer,Michael S. Lafranzo,Richard L. Lenski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Method for oxidation of cellulose

Номер патента: WO2019116245A1. Автор: Adrianna Svensson. Владелец: STORA ENSO OYJ. Дата публикации: 2019-06-20.

Infant wrap and method for use

Номер патента: US8020217B2. Автор: David M Moore,Peggy Razor Clevinger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-20.

Method for oxidation of cellulose

Номер патента: SE1751540A1. Автор: Adrianna Svensson. Владелец: STORA ENSO OYJ. Дата публикации: 2019-06-14.

Method for producing raised patterns on ceramic tiles and ceramic tiles with raised patterns manufactured according to the method

Номер патента: US20240001703A1. Автор: Óscar RUIZ VEGA. Владелец: Torrecid SA. Дата публикации: 2024-01-04.

Seal cartridge assembly and method for mounting a seal cartridge assembly

Номер патента: US12117082B2. Автор: Giampiero MARINELLI. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-10-15.

Pultrusion process for manufacturing a fibre reinforced composite article for a wind turbine blade

Номер патента: WO2024223616A1. Автор: Jeppe Bjørn JØRGENSEN. Владелец: LM WIND POWER A/S. Дата публикации: 2024-10-31.

ECO-FRIENDLY METHOD FOR MANUFACTURING OF POROUS SILICON CARBIDE STRUCTURE

Номер патента: US20190144287A1. Автор: PARK Sang Whan,YOUM Mi Rae,YUN Sung Il. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-05-16.

METHOD FOR EVALUATING INTERNAL STRESS OF SILICON CARBIDE MONOCRYSTALLINE WAFER AND METHOD FOR PREDICTING WARPAGE IN SILICONE CARBIDE MONOCRYSTALLINE WAFER

Номер патента: US20160231256A1. Автор: NAKABAYASHI Masashi,KOJIMA Kiyoshi,SHIMOMURA Kota,NAGAHATA Yukio. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

FIBER-REINFORCED SILICON CARBIDE COMPOSITE MATERIALS, METHOD FOR PRODUCING THE FIBER-REINFORCED SILICON CARBIDE COMPOSITE MATERIALS, AND USES OF THE FIBER-REINFORCED SILICON CARBIDE COMPOSITE MATERIALS

Номер патента: US20140339718A1. Автор: KIENZLE ANDREAS,KRAETSCHMER INGRID,DAMJANOVIC Tanja. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

Methods and systems for manufacturing an axle

Номер патента: CA2670656C. Автор: James A. Cowan,Richard Gerard Potje,Timothy Dunagan,Jon Edmond Meyer. Владелец: American Railcar Industries Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for manufacturing liquid jet recording head

Номер патента: US20010051838A1. Автор: Takayuki Ono,Kimiyuki Hayasaki,Koji Yamakawa,Hiroyuki Kigami,Tsuyoshi Orikasa,Hisashi Fukai,Masayoshi Ohkawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Facility and method for manufacturing a rotor blade of a wind turbine and method for setting up the facility

Номер патента: WO2012130339A3. Автор: Karsten Schibsbye. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2012-12-13.

Tool insert, mould tool or core tool and method for producing moulds or cores

Номер патента: US20200391279A1. Автор: Wolfram Bach. Владелец: Soplain GmbH. Дата публикации: 2020-12-17.

Method of strengthening silicon carbide coated boron filaments

Номер патента: US3698970A. Автор: Francis S Galasso,Bernarr A Jacob,Jane P Pinto. Владелец: United Aircraft Corp. Дата публикации: 1972-10-17.

Facility and method for manufacturing a rotor blade of a wind turbine and method for setting up the facility

Номер патента: EP2633185A2. Автор: Karsten Schibsbye. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2013-09-04.

A nest for supporting a plurality of medical containers, a medical container pack comprising this nest, and a method for manufacturing a medical container

Номер патента: WO2019211139A1. Автор: Gregory Peruzzo. Владелец: BECTON DICKINSON FRANCE. Дата публикации: 2019-11-07.

Method for manufacturing dispersion and liquid mixing device

Номер патента: US20090318586A1. Автор: Tetsuo Hino,Takayuki Teshima,Yukio Hanyu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-12-24.

Basin, elements and method for manufacturing such a basin

Номер патента: EP2126249A2. Автор: Johannes Gommert Van Der Klooster. Владелец: Nepro Europe BV. Дата публикации: 2009-12-02.

Method for producing catalyst

Номер патента: WO1993022051A1. Автор: Sointu Ravola,Matti Härkönen,Matti Kivioja. Владелец: Kemira Oy. Дата публикации: 1993-11-11.

Method for producing peptides

Номер патента: US20110262962A1. Автор: Shunichi Suzuki,Kenzo Yokozeki,Isao Abe,Sonoko Takeuchi,Nobuhiro Hiratsuka. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2011-10-27.

System and method for producing microcrystalline cellulose

Номер патента: US20240199764A1. Автор: Kari Peltonen,Kari Vanhatalo,Hannu RÅMARK,Sonja Päärnilä. Владелец: ANDRITZ OY. Дата публикации: 2024-06-20.

Apparatuses and methods for controlling wordlines and sense amplifiers

Номер патента: US09984739B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

System and method for printing a pattern on footwear

Номер патента: US09918520B2. Автор: Oliver Ma,William Paul Lambert,Otto Ting,Patrick Liao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-20.

METHOD FOR FORMING IDENTIFICATION MARKS ON SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20130157009A1. Автор: Kondo Sadahiko. Владелец: HITACHI METALS ,LTD.. Дата публикации: 2013-06-20.

FEED MATERIAL FOR EPITAXIAL GROWTH OF MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE, AND METHOD FOR EPITAXIAL GROWTH OF MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE

Номер патента: US20130269596A1. Автор: Matsumoto Tsuyoshi,Torimi Satoshi,Nogami Satoru. Владелец: TOYO TANSO CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-17.

COATING MATERIAL, OUTER PERIPHERY-COATED SILICON CARBIDE-BASED HONEYCOMB STRUCTURE, AND METHOD FOR COATING OUTER PERIPHERY OF SILICON CARBIDE-BASED HONEYCOMB STRUCTURE

Номер патента: US20190300440A1. Автор: KODAMA Suguru. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2019-10-03.

Composite material including silicon carbide and/or silicon nitride short fibers as reinforcing material and aluminum alloy with copper and relatively small amount of silicon as matrix metal

Номер патента: US4720434A. Автор: Masahiro Kubo,Atsuo Tanaka,Hidetoshi Hirai,Tadashi Dohnomoto. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 1988-01-19.

Hot pressed silicon carbide

Номер патента: US3853566A. Автор: S Prochazka. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1974-12-10.

Plasma arc sintering of silicon carbide

Номер патента: CA1277487C. Автор: Viswanathan Venkateswaran,Jonathan J. Kim,Richard C. Phoenix. Владелец: Stemcor Corp. Дата публикации: 1990-12-11.

Method for preparing gradient variable modulus silicon carbide fiber reinforced silicon carbide-based composite material

Номер патента: CN114835510A. Автор: 焦春荣,焦健,杨瑞,杨金华,孙世杰,姜卓钰. Владелец: AECC BEIJING INSTITUTE OF AERONAUTICAL MATERIALS. Дата публикации: 2022-08-02.

Costumes with semi-rigid fabric components and method for manufacture of same

Номер патента: CA2237308C. Автор: Marc P. Beige,John G. Kearns. Владелец: Rubies Costume Co. Дата публикации: 2002-06-11.

Method for manufacturing a plastic material item and item made using such method

Номер патента: EP2285459A1. Автор: Valerio Aprile Di Cimia. Владелец: Produzioni Editoriali Aprile SpA. Дата публикации: 2011-02-23.

Polysilocarb based silicon carbide materials, applications and devices

Номер патента: US11820666B2. Автор: Ashish P. Diwanji,Andrew R. Hopkins,Walter J. Sherwood,Douglas M. Dukes,Mark S. Land,Brian L. Benac,Glenn Sandgren. Владелец: Pallidus Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Pattern forming method, actinic ray sensitive or radiation sensitive resin composition, resist film, method for manufacturing electronic device using same, and electronic device

Номер патента: US20160147147A1. Автор: Shuji Hirano,Hiroo Takizawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Method for manufacturing a guide vane from a ceramic matrix composite material

Номер патента: US11772359B2. Автор: Clément Marie Benoît Roussille,Matthieu Arnaud Gimat,Julien André Roger Mateo. Владелец: Safran Ceramics SA. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for manufacturing a plastic material item and item made using such method

Номер патента: WO2009122320A1. Автор: Valerio Aprile Di Cimia. Владелец: Produzioni Editoriali Aprile S.P.A.. Дата публикации: 2009-10-08.

Needle tip shielding device, process for manufacturing a thermoplasticelement

Номер патента: US20240066813A1. Автор: Per Knutsson. Владелец: GREINER BIO-ONE GmbH. Дата публикации: 2024-02-29.

Vapor Deposition Apparatus and Techniques Using High Purity Polymer Derived Silicon Carbide

Номер патента: US20240190710A1. Автор: Mark S. Land. Владелец: Pallidus Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Apparatus for producing silicon carbide crystal

Номер патента: US20240068124A1. Автор: Chih-Lung Lin,Chung-Hao LIN,Po-Fei Yang,Chie-Sheng LIU,Hsin-Chen Yeh,Hao-Wen Wu. Владелец: Hermes Epitek Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for manufacturing construction material and structure thereof

Номер патента: US20030115828A1. Автор: Shu Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-26.

Intrauterine device and method for reducing the rate of diffusion of active ingredients in said device by adding inert particulates to a polymeric coating

Номер патента: US09775905B2. Автор: John Ingvar Feldtblad Kendrup. Владелец: Qpharma AB. Дата публикации: 2017-10-03.

METHOD FOR MANUFACTURING A PROTECTIVE LAYER AGAINST HF ETCHING, SEMICONDUCTOR DEVICE PROVIDED WITH THE PROTECTIVE LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160130140A1. Автор: Perletti Matteo,Esposito Luigi,LOSA Stefano,PEZZUTO Raffaella,CAMPEDELLI Roberto,URQUIA Mikel Azpeitia. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

METHOD FOR MANUFACTURING A PROTECTIVE LAYER AGAINST HF ETCHING, SEMICONDUCTOR DEVICE PROVIDED WITH THE PROTECTIVE LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140231937A1. Автор: Perletti Matteo,Esposito Luigi,LOSA Stefano,PEZZUTO Raffaella,CAMPEDELLI Roberto,URQUIA Mikel Azpeitia. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-21.

Systems and methods for generating synthesizable netlists from register transfer level designs

Номер патента: EP3937057A1. Автор: Tze-Chiang HUANG,Chao-Chun LO,Boh-Yi HUANG,Chih-Yuan Stephen YU,Chen-Jih LUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-12.

METHOD FOR PRODUCING ALUMINUM HYDROXIDE-COATED SILICON CARBIDE PARTICLE POWDER AND METHOD FOR PRODUCING DISPERSION CONTAINING THE SAME POWDER AND DISPERSING MEDIUM

Номер патента: US20200216677A1. Автор: Miwa Naoya,Ashitaka Keiji,TSUBOTA Shogo,TAGUCHI Souma. Владелец: FUJIMI INCORPORATED. Дата публикации: 2020-07-09.

CRUCIBLE FOR CRYSTAL GROWTH AS WELL AS METHOD FOR RELEASING THERMAL STRESS IN SILICON CARBIDE CRYSTAL

Номер патента: US20200354856A1. Автор: Xin Jun,Liu XueChao,GAO Pan,Shi Erwei,KONG Haikuan,ZHENG Yanqing. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Method for preparing printing solution and patterned cigarette wrappers

Номер патента: RU2592017C2. Автор: С. Шервуд Тимоти,Н. Смит Роберт,В. Роуз Мари. Владелец: Алтриа Клайент Сервисез Ллс. Дата публикации: 2016-07-20.

Method for producing multi-layer confectionery product

Номер патента: RU2756575C2. Автор: Петрус Хенрикус ДЕ ЙОНГ,Хендрикус Якобус Катарина ХЕНДРИККС,Таня Катарина Йозефина ВЛЕГЕЛС. Владелец: Перфетти Ван Мелле С.П.А.. Дата публикации: 2021-10-01.

Encoding device, decoding device and method for operation thereof

Номер патента: RU2483367C2. Автор: Масахиро ОСИКИРИ,Томофуми ЯМАНАСИ. Владелец: ПАНАСОНИК КОРПОРЭЙШН. Дата публикации: 2013-05-27.

Method for predicting human behavior and/or activity type and giving evidence of identity

Номер патента: RU2320264C2. Автор: Лучин Марк,Васильевна Вахтеровна Нелли. Владелец: Васильевна Вахтеровна Нелли. Дата публикации: 2008-03-27.

PROCESS FOR MANUFACTURING A CARBON / SILICON CARBIDE COMPOSITE

Номер патента: FR2820737A1. Автор: Yun Chul Kim,Yong Gu Won,Hyung Sik Lee,Kwang Hyeon Lim,Dong Hyuk Sin. Владелец: Agency for Defence Development. Дата публикации: 2002-08-16.

Method for processing nuclear fuels containing silicon carbide and for unsheathing nuclear fuel particles

Номер патента: EP2074631B1. Автор: Stéphane BOURG,Frédéric PERON. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2012-05-02.

Method for preparing a packaging machine

Номер патента: WO2020182543A1. Автор: Filippo Ferrarini,Claudio Ferrari,Marco Carreri,Claudio RONCAGLIA. Владелец: TETRA LAVAL HOLDINGS & FINANCE S.A.. Дата публикации: 2020-09-17.

Method for producing aluminum hydroxide-coated silicon carbide particle powder and method for producing dispersion containing said powder and dispersion medium

Номер патента: EP3543210B1. Автор: Keiji Ashitaka,Naoya Miwa,Shogo Tsubota,Souma TAGUCHI. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2021-11-03.

Method for producing aluminum hydroxide-coated silicon carbide particle powder and method for producing dispersion containing the same powder and dispersing medium

Номер патента: US10913857B2. Автор: Keiji Ashitaka,Naoya Miwa,Shogo Tsubota,Souma TAGUCHI. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2021-02-09.

Crucible for crystal growth and method for releasing thermal stress of silicon carbide crystal

Номер патента: CN108149315B. Автор: 高攀,刘学超,王乐星,施尔畏,郑燕青,忻隽. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2020-10-23.

Crucible for crystal growth as well as method for releasing thermal stress in silicon carbide crystal

Номер патента: WO2019144804A1. Автор: 高攀,刘学超,施尔畏,郑燕青,孔海宽,忻隽. Владелец: 中国科学院上海硅酸盐研究所. Дата публикации: 2019-08-01.

Method for producing aluminum hydroxide-coated silicon carbide particle powder, and method for producing dispersion containing the powder and dispersion medium

Номер патента: JP6577160B2. Автор: 直也 三輪,創万 田口,圭史 芦▲高▼,翔吾 坪田. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2019-09-18.

Stable three-dimensional blood vessels and methods for forming the same

Номер патента: US11932876B2. Автор: Shahin Rafii,Brisa PALIKUQI. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for continuous production of high quality graphene

Номер патента: US20170267534A1. Автор: Avetik Harutyunyan. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Method for continuous production of high quality graphene

Номер патента: US20190211443A1. Автор: Avetik Harutyunyan. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Device for manufacturing slice, 3d printing apparatus and method, and 3d printed model

Номер патента: US20210206062A1. Автор: Xin Zhou,Huizhong ZHU. Владелец: Beijing BOE Special Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Method for synthesizing mesoporous nano-sized ultra-stable y zeolite

Номер патента: US20240173702A1. Автор: Lianhui Ding,Faisal Alotaibi. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for synthesizing mesoporous nano-sized ultra-stable Y zeolite

Номер патента: US12030040B2. Автор: Lianhui Ding,Faisal Alotaibi. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2024-07-09.

METHODS FOR FABRICATING AND ETCHING POROUS SILICON CARBIDE STRUCTURES

Номер патента: US20220178043A1. Автор: Sharifi Fred,Cannara Rachel,Mullen Emma Rae. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

Method for preparing flour from laminaria

Номер патента: RU2647898C1. Автор: Владимир Иванович Сыроватка,Андрей Дмитриевич Обухов,Татьяна Владимировна Комарчук. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт механизации животноводства, ФГБНУ ВНИИМЖ. Дата публикации: 2018-03-21.

In-situ bridging method for microcracks after grinding of silicon carbide ceramics

Номер патента: CN109627045B. Автор: 林超,邬国平,戚明杰,谢方民,吴晃菊. Владелец: Ningbo Vulcan Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-07-20.

Method for efficiently growing low-stress silicon carbide single crystals

Номер патента: CN112877772A. Автор: 不公告发明人. Владелец: Harbin Keyou Semiconductor Industry Equipment and Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-01.

Granules used in a cell culture and methods for production thereof

Номер патента: RU2759945C2. Автор: Мвита ФЕЛПС,Пол ГУЛД,Ричард ФАЙК,Мэри РЕЙНОЛДЗ,Ричард ХАССЕТТ,Эндрю КЭМПБЕЛЛ. Владелец: Лайф Текнолоджиз Корпорейшн. Дата публикации: 2021-11-19.

Method for preparation of ultra-dispersed silicon carbide powder

Номер патента: SU1636334A1. Автор: Александр Петрович Петров,Сергей Сергеевич Кипарисов,Людмила Петровна Костюкова,Андрей Федорович Кравченко,Григорий Маркович Вольдман. Владелец: Московский институт тонкой химической технологии им.М.В.Ломоносова. Дата публикации: 1991-03-23.

Method for preparation of n-phosphonomethylglycine

Номер патента: CA1228597A. Автор: Raymond A. Felix. Владелец: Stauffer Chemical Co. Дата публикации: 1987-10-27.

Systems and methods for continuous health monitoring using an opto-enzymatic analyte sensor

Номер патента: EP3344261A1. Автор: Troy M. Bremer. Владелец: Metronom Health Inc. Дата публикации: 2018-07-11.

A method for producing a microstructure of crystalline SiC

Номер патента: EP2258655B1. Автор: Christian Vieider,Adolf SCHÖNER. Владелец: Acreo AB. Дата публикации: 2012-04-25.

Method for forming reversible colloidal gas or liquid aphrons and compositions produced

Номер патента: US6022727A. Автор: Alec B. Scranton,Robert Mark Worden. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2000-02-08.

Method for measuring oxygen content in silicon carbide ceramic material

Номер патента: CN111257267B. Автор: 胡静,黄庆,黄政仁,何流,皇静,莫高明,甄霞丽. Владелец: Hangzhou Bay Research Institute Of Ningbo Institute Of Materials. Дата публикации: 2023-03-17.

Direct-writing forming method for short carbon fiber reinforced silicon carbide ceramic composite material ink

Номер патента: CN113666764A. Автор: 张路,王文清,张学勤,何汝杰,张可强,周妮平. Владелец: Beijing Institute of Technology BIT. Дата публикации: 2021-11-19.

Colored and fired film and method for producing the same

Номер патента: US6068939A. Автор: Kazuo Goto,Jun Kawaguchi,Shigehiko Hayashi,Yasunori Shiraishi,Yoshifumi Maeda. Владелец: Mitsuboshi Belting Ltd. Дата публикации: 2000-05-30.

Method for growing single crystal of silicon carbide

Номер патента: EP1803840B1. Автор: Kotaro Yano,Isamu Yamamoto,Nobuyuki Nagato,Masashi Shigeto. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2009-02-04.

Method for preparing thin-wall structure silicon carbide ceramics through slip casting and solid phase sintering

Номер патента: CN105601279A. Автор: 张启富,王晓波,贺智勇,千粉玲. Владелец: China Iron and Steel Research Institute Group. Дата публикации: 2016-05-25.

Method for enhancing catalytic performance of silicon carbide film material by acid etching

Номер патента: CN115448726A. Автор: 邢卫红,仲兆祥,陈嘉豪,曾毅清. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-12-09.

Method for curing unsintered polysilazane-based silicon carbide precursor fiber

Номер патента: JP6626451B2. Автор: ミルズ，ライアン・クリストファー,デイヴィス，ピーター・ケネディ,リトルジョン，マシュー・ハル,ルビンシュタイン，スロウォミール. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-12-25.

Method for producing nickel powder

Номер патента: CA2939513C. Автор: Osamu Ikeda,Kazumichi Yanagisawa,Kazuyuki Takaishi,Hideki Ohara,Shin-Ichi Heguri,Yoshitomo Ozaki,Junhao ZHANG,Tomoaki Yoneyama,Yohei KUDO. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Preparation method for elastic high-temperature-resistant silicon carbide aerogel based on melamine foam template structure

Номер патента: CN114715895A. Автор: 张和平,程旭东,潘月磊. Владелец: Institute of Advanced Technology University of Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-07-08.

Method for testing residual stress of silicon carbide ceramic matrix composite micro-area in high-temperature environment

Номер патента: CN115773835A. Автор: 张翔宇,秦浩,陈小武,杨金山,董绍明,胡建宝,薛玉冬,廖春景. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2023-03-10.

METHOD FOR PROCESSING NUCLEAR FUEL CONTAINING SILICON CARBIDE AND UNLOCKING NUCLEAR FUEL PARTICLES

Номер патента: RU2009119482A. Автор: Стефан БУРГ,Фредерик ПЕРОН,Стефан БУРГ (FR),Фредерик ПЕРОН (FR). Владелец: Коммиссариат А Л`Энержи Атомик (Fr). Дата публикации: 2010-12-10.

Method for preparing carbon fiber with silicon carbide coating on surface

Номер патента: CN110158309B. Автор: 赵晓峰,郭芳威,张醒,余亚丽,宋林郁,胡励. Владелец: Shanghai Aerospace System Engineering Institute. Дата публикации: 2021-07-02.

Method for growing single crystals of silicon carbide with n-type conductivity

Номер патента: RU2770838C1. Автор: Юрий Николаевич Макаров,Евгений Николаевич Мохов,Марк Григорьевич Рамм,Александр Дмитриевич Роенков,Александр Сергеевич Усиков,Олег Валерьевич Авдеев,Иосиф Соломонович Бараш. Владелец: Александр Сергеевич Усиков. Дата публикации: 2022-04-22.

Method for determining the presence or amount of a silver-labelled species

Номер патента: CA2569620C. Автор: Robert Andrew Porter,Brian Jeffrey Birch,Camilla Sofia Forssten,Alena Kabil. Владелец: INVERNESS MEDICAL SWITZERLAND GMBH. Дата публикации: 2014-05-13.

Skin material and method for producing the same

Номер патента: US11840053B2. Автор: Ryo YAMANE,Yoshiaki TOMASU. Владелец: Toyota Boshoku Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Method for making copper-containing catalysts

Номер патента: US20230302439A1. Автор: Pauline Elizabeth GLEN,Norman MacLeod,Michael Thomas NICHOLSON,Simone ROLOFF-STANDRING,Youxin CUI,Monica GARCIA,Kaamila UN DIN. Владелец: JOHNSON MATTHEY PLC. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for determining the presence or amount of a silver-labelled species

Номер патента: CA2569620A1. Автор: Robert Andrew Porter,Brian Jeffrey Birch,Camilla Sofia Forssten,Alena Kabil. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-22.

Method for lignin purification

Номер патента: CA3127737C. Автор: Panu Tikka,Eric Enqvist,Ville Tarvo. Владелец: Ligneasy Oy. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for forming a tribologically enhanced surface using laser treating

Номер патента: WO2007127798A3. Автор: Miguel Azevedo,Warran B Lineton,Jason Henderlong,Goeffrrey Neil Ainsworth. Владелец: Goeffrrey Neil Ainsworth. Дата публикации: 2008-05-22.

Floating structure for installation in water, a closed ring-structure and a tubular element for building a floating structure, and a method for building a vertical structure

Номер патента: EP4355092A1. Автор: Finn Sandmael. Владелец: Aquafloat. Дата публикации: 2024-04-24.

Method for Lignin Purification

Номер патента: SE2130213A1. Автор: Panu Tikka,Eric Enqvist,Ville Tarvo. Владелец: Scitech Service Oy. Дата публикации: 2021-08-04.

Method for lignin purification

Номер патента: FI20215920A1. Автор: Panu Tikka,Eric Enqvist,Ville Tarvo. Владелец: Scitech Service Oy. Дата публикации: 2021-09-02.

Method for lignin purification

Номер патента: US20220127295A1. Автор: Panu Tikka,Eric Enqvist,Ville Tarvo. Владелец: Scitech-Service Oy. Дата публикации: 2022-04-28.

Method for lignin purification

Номер патента: WO2020161397A1. Автор: Panu Tikka,Eric Enqvist,Ville Tarvo. Владелец: Scitech-Service Oy. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for joining shaped parts having silicon carbide surfaces

Номер патента: DE3464481D1. Автор: Ashok Kumar Gupta,Rudolf Munzer,Aristides Dr Naoumidis,Erno Dr Gyarmati. Владелец: Kernforschungsanlage Juelich GmbH. Дата публикации: 1987-08-06.

Method for forming a tribologically enhanced surface using laser treating

Номер патента: EP2010338A2. Автор: Miguel Azevedo,Jason Henderlong,Goeffrrey Neil Ainsworth,Warran B. Lineton. Владелец: Federal Mogul LLC. Дата публикации: 2009-01-07.

Method for forming a tribologically enhanced surface using laser treating

Номер патента: WO2007127798A2. Автор: Miguel Azevedo,Jason Henderlong,Goeffrrey Neil Ainsworth,Warran B. Lineton. Владелец: FEDERAL-MOGUL CORPORATION. Дата публикации: 2007-11-08.

Method for Lignin Purification

Номер патента: SE546154C2. Автор: Panu Tikka,Eric Enqvist,Ville Tarvo. Владелец: Ligneasy Oy. Дата публикации: 2024-06-11.

Floating structure for installation in water, a closed ring-structure and a tubular element for building a floating structure, and a method for building a vertical structure

Номер патента: US20240180128A1. Автор: Finn Sandmael. Владелец: Aquafloat. Дата публикации: 2024-06-06.

System and method for performing layer optimization of stacked resistive random-access memory device by using artificial intelligence technology

Номер патента: US20240020511A1. Автор: Lok Won Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for forming a silicon compound

Номер патента: WO2010100330A1. Автор: Ali Harlin,Karita Kinnunen,Petri Uusi-Kyyny,Thaddeus Maloney,Jonas Roininen. Владелец: Oy Keskuslaboratorio - Centrallaboratorium Ab. Дата публикации: 2010-09-10.

Method for production of crude 1,3-butadiene by extractive distillation of c4-cut and device therefor

Номер патента: RU2279421C2. Автор: Клаус КИНДЛЕР,Герд КАЙБЕЛЬ,Герд БОНЕР,Мелани ПАЛЬ. Владелец: Басф Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2006-07-10.

Method for producing an anchoring tie rod and anchoring tie rod

Номер патента: AU2017218639A1. Автор: Marie Lebreton,Serge Borel,Ivan CUBILLOS,Felipe GRUBER,Juan Fernando URIBE. Владелец: Soletanche Freyssinet SA. Дата публикации: 2018-08-16.

Method for preventing corrosion of a reinforced concrete structure

Номер патента: CA2094872C. Автор: Takayuki Sato,Akio Furuya,Toshimoto Tsuji. Владелец: Dai Nippon Toryo KK. Дата публикации: 2001-07-03.

Systems and methods for inspection of specimen surfaces

Номер патента: US20040032581A1. Автор: Guoheng Zhao,Mehrdad Nikoonahad,Kalman Kele. Владелец: KLA Tencor Technologies Corp. Дата публикации: 2004-02-19.

Element for manufacturing furniture drawers

Номер патента: US5927841A. Автор: Carlo Migli,Franco Ferrari. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-07-27.

Device and method for extracting terrain boundary

Номер патента: AU2018253470A1. Автор: Qiankun Wang. Владелец: Beijing Goldwind Science and Creation Windpower Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Method for calcining radioactive wastes

Номер патента: CA1107073A. Автор: Jack L. Mcelroy,William J. Bjorklund,John E. Mendel. Владелец: Exxon Nuclear Co Inc. Дата публикации: 1981-08-18.

Method for inspecting and manufacturing silicon single crystal

Номер патента: KR101349736B1. Автор: 다이스케 야마시타. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2014-01-10.

Method for constructing map for mower, storage medium, mower, and mobile terminal

Номер патента: AU2023204327A1. Автор: Zhuo Yao,Shaoguang Zhang,Degan LIN. Владелец: Willand Beijing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

A method for positioning elevator modules and an elevator arrangement

Номер патента: WO2023198277A1. Автор: Anssi Venho,Aki HAIKONEN,Vesa Tiainen,Sakari Korvenranta,Mika IJÄS,Kai PRUSTI. Владелец: KONE CORPORATION. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for constructing a closed steel sheet structure and closed steel sheet structure

Номер патента: EP3938593A1. Автор: Virginijus KIRTIKLIS,Laimonas LUI YS,Art ras GE AS. Владелец: PEIKKO GROUP OY. Дата публикации: 2022-01-19.

Metal particles and method for preparation thereof using electroerosion dispersion

Номер патента: US20220274171A1. Автор: Mykola MONASTYROV. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-09-01.

Method for land improvement and microorganisms therefor

Номер патента: EP1436102A2. Автор: Sándor Puskás,Ferenc Horvath,Gyula Kovacs,Gyula Lengyel,Miklos Kalman,Janos Balazs,Miklos Hlatki,Imre Mecs,Zsolt Virag,Imre Samu. Владелец: Petrolszerved Ltd. Дата публикации: 2004-07-14.

Devices and methods for sample analysis

Номер патента: EP4127219A1. Автор: Jaeyoung YANG,Vladimira DATINSKA,Pantea GHEIBI,Keynttisha JEFFERSON. Владелец: F Hoffmann La Roche AG. Дата публикации: 2023-02-08.

Method for preparing biodegradable polyester elastomer

Номер патента: US11186680B2. Автор: Jane Wang,Ken-Sen Chou,Sung-Nien Hsu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2021-11-30.

Systems and methods for synthesis of zsm-22 zeolite

Номер патента: EP4041684A1. Автор: Ki-Hyouk Choi,Emad Naji Al-Shafei,Zain Hassan Yamani,Oki MURAZA,Anas Karrar JAMIL. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2022-08-17.

Systems and methods for forming cleaned biowaste from crude biowaste

Номер патента: WO2016050860A1. Автор: Ignacio Carvajo LUCENA,Ana Isabel Vicente GARCIA,Cristina Montejo MENDEZ,Santiago MARTI MOSCAD. Владелец: ABENGOA BIOENERGIA NUEVAS TECNOLOGIAS, S.A.. Дата публикации: 2016-04-07.

Method for the manufacture of fibrous yarn

Номер патента: US20150259830A1. Автор: Juha Salmela,Harri Kiiskinen,Antti Oksanen. Владелец: Spinnova Oy. Дата публикации: 2015-09-17.

Metal particles and method for preparation thereof using electroerosion dispersion

Номер патента: CA3149353A1. Автор: Mykola MONASTYROV. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-04.

Metal particles and method for preparation thereof using electroerosion dispersion

Номер патента: EP4003626A1. Автор: Mykola MONASTYROV. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-01.

Metal particles and method for preparation thereof using electroerosion dispersion

Номер патента: WO2021019303A1. Автор: Mykola MONASTYROV. Владелец: MONASTYROV Mykola. Дата публикации: 2021-02-04.

Method for preparing polyol fatty acid polyesters by transesterification

Номер патента: US5596085A. Автор: Gerard L. Hasenhuettl,Richard S. Silver. Владелец: Kraft Foods Inc. Дата публикации: 1997-01-21.

Cement for medical use, method for producing the cement, and use of the cement

Номер патента: US6075067A. Автор: Lars Ake Alvar Lidgren. Владелец: Corpipharm GmbH and Co. Дата публикации: 2000-06-13.

Method for the manufacture of a contact body for the exchange of moisture or heat

Номер патента: US5500402A. Автор: Hakan Vangbo. Владелец: Carl Munters AB. Дата публикации: 1996-03-19.

Method for fabricating buried waveguides

Номер патента: CA2007001A1. Автор: Alfred R. Cooper. Владелец: Polaroid Corp. Дата публикации: 1990-07-23.

Method for producing metal-plastic component used in motor vehicle e.g. passenger car, involves feeding plastic melt into second cavity formed between first and third mold sections so as to form plastic component

Номер патента: DE102012007547A1. Автор: Jonas Weber,Christian Arend. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2013-10-17.

Liquid chromatography packing materials and method for making and using same

Номер патента: CA1316901C. Автор: Dwight E. Williams. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1993-04-27.

Apparatus and methods for dividing medicinal tablets and for packaging and distributing tablet portions

Номер патента: WO2006020149A3. Автор: John Edward Thurston,Jason Alan Lilly. Владелец: Prec Meds Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Method for Producing a Glass Coating on a Substrate

Номер патента: US20190316259A1. Автор: Siegfried Piesslinger-Schweiger,Olaf Boehme. Владелец: Sepies GmbH. Дата публикации: 2019-10-17.

Method for computationally designing re-usable flexible molds for the reproduction of an object

Номер патента: US11966666B2. Автор: Bernd BICKEL,Thomas ALDERIGHI,Paolo CIGNONI,Luigi MALOMO,Daniela GIORGI,Nico PIETRONI. Владелец: INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY AUSTRIA. Дата публикации: 2024-04-23.

Method for reducing variations in print density

Номер патента: EP1465774B1. Автор: Eyal Gargir. Владелец: Hewlett Packard Industrial Printing Ltd. Дата публикации: 2009-12-02.

Method for producing polyfunctional sulfur-containing epoxy compound

Номер патента: EP3816159A1. Автор: Hiroshi Horikoshi,Yousuke IMAGAWA. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2021-05-05.

Method for producing polyfunctional sulfur-containing epoxy compound

Номер патента: US20210024478A1. Автор: Hiroshi Horikoshi,Yousuke IMAGAWA. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Method for reducing variations in print density

Номер патента: WO2003059634A3. Автор: Eyal Gargir. Владелец: FRIEDMAN Mark M. Дата публикации: 2004-06-10.

Method for producing radioactive metal complex

Номер патента: AU2020332618A1. Автор: Akihiro Izawa,Tomoyuki Imai,Masato Kiriu. Владелец: Nihon Medi Physics Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Method for continuously synthesizing propellane compound

Номер патента: US11858873B2. Автор: Hao Hong,Jiangping Lu,Enxuan ZHANG,Fuliang WEI,Sihang YANG. Владелец: Asymchem Laboratories Jilin Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for constructing map for mower, storage medium, mower, and mobile terminal

Номер патента: US11917938B2. Автор: Zhuo Yao,Shaoguang Zhang,Degan LIN. Владелец: Willand Beijing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Apparatus and method for inserting thermal insulating box liners

Номер патента: US11897225B2. Автор: Martin Taillon,Tommy Damphousse,Dominic Ebacher,Simon Provencher. Владелец: CASCADES CANADA ULC. Дата публикации: 2024-02-13.

Apparatus and methods for dividing medicinal tablets and for packaging and distributing tablet portions

Номер патента: WO2006020149A2. Автор: John Edward Thurston,Jason Alan Lilly. Владелец: Precisionmeds Inc.. Дата публикации: 2006-02-23.

Method for reducing variations in print density

Номер патента: WO2003059634A2. Автор: Eyal Gargir. Владелец: Aprion Digital Ltd.. Дата публикации: 2003-07-24.

Method for reducing variations in print density

Номер патента: EP1465774A2. Автор: Eyal Gargir. Владелец: Scitex Vision Ltd. Дата публикации: 2004-10-13.

Method for reducing variations in print density

Номер патента: EP1465774A4. Автор: Eyal Gargir. Владелец: Hewlett Packard Industrial Printing Ltd. Дата публикации: 2009-02-25.

Method for constructing map for mower, storage medium, mower, and mobile terminal

Номер патента: US20240008397A1. Автор: Zhuo Yao,Shaoguang Zhang,Degan LIN. Владелец: Willand Beijing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for constructing map for mower, storage medium, mower, and mobile terminal

Номер патента: CA3205448A1. Автор: Zhuo Yao,Shaoguang Zhang,Degan LIN. Владелец: Willand Beijing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-18.

Method for constructing map for mower, storage medium, mower, and mobile terminal

Номер патента: EP4303686A1. Автор: Zhuo Yao,Shaoguang Zhang,Degan LIN. Владелец: Willand Beijing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Method for continuous synthesis of propellane compounds

Номер патента: EP3988520A1. Автор: Hao Hong,Jiangping Lu,Enxuan ZHANG,Fuliang WEI,Sihang YANG. Владелец: Asymchem Laboratories Jilin Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-27.

METHOD FOR SYNTHESISING 2,5-DI(HYDROXYMETHYL)FURAN AND 2,5-DI(HYDROXYMETHYL)TETRAHYDROFURAN BY SELECTIVE HYDROGENATION OF FURAN-2,5-DIALDEHYDE

Номер патента: US20150252015A1. Автор: Chambon Flora,Ibert Mathias,Dambrine Laurent. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

Method for temporary assembly by welding strippable plates for a mechanical release device by stripping and assembly thus obtained.

Номер патента: FR2554523A2. Автор: Jean-Pierre Philipoussi. Владелец: AIRBUS GROUP SAS. Дата публикации: 1985-05-10.

Method for the production of frozen fluid food products

Номер патента: EP1704784A1. Автор: Oreste Caselli,Marco Loschi. Владелец: Barilla G e R Fratelli SpA. Дата публикации: 2006-09-27.

Method for servicing a gas turbine air intake system

Номер патента: EP1790409A3. Автор: Michael Handley,Jim C. Rothman,Thomas D. Raether,Tim Sporre. Владелец: Donaldson Co Inc. Дата публикации: 2007-06-13.

Method for evaluating residual fatigue life of mechanical parts

Номер патента: US4709383A. Автор: Takashi Konishi,Touru Goto. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 1987-11-24.

Method for evaluating residual fatigue life of mechanical parts

Номер патента: CA1244151A. Автор: Takashi Konishi,Touru Goto. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 1988-11-01.

Method for the preparation of sevoflurane

Номер патента: CA2587672A1. Автор: Ross C. Terrell,Joshua A. Levinson,Charles W. Young. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-26.

Method for the preparation of methyl chloride from carbon tetrachloride and methyl alcohol

Номер патента: US5196618A. Автор: Takaaki Shimizu,Toshihiro Okon. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1993-03-23.

Methods for treating a divided cheese product and compositions thereof

Номер патента: US11889845B2. Автор: Andrea Stange. Владелец: Allied Blending LP. Дата публикации: 2024-02-06.

Methods for treating a divided cheese product and compositions thereof

Номер патента: US20210084923A1. Автор: Andrea Stange. Владелец: Allied Blending LP. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for for manufacturing reinforcing fabric for a transmission belt

Номер патента: EP3263947B1. Автор: Toshihiro Nishimura,Taisuke Kimura,Masakuni Yoshida. Владелец: Mitsuboshi Belting Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Systems and methods for modifying feed timing for image receiving media in an image forming device

Номер патента: US20090180787A1. Автор: Henry T. Bober. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Method for producing radioactive metal complex

Номер патента: CA3148288A1. Автор: Akihiro Izawa,Tomoyuki Imai,Masato Kiriu. Владелец: Nihon Medi Physics Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Method for making a laminate

Номер патента: US20110048623A1. Автор: Hsien-Sung Cheng,Hsien-Te Cheng. Владелец: XXENTRIA Tech MATERIALS Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-03.

Aquaculture feed and method for producing same

Номер патента: EP4280892A1. Автор: Luciaan Van Nieuwenhove. Владелец: Pearl Aqua Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Methods for treating a divided cheese product and compositions thereof

Номер патента: US20240122195A1. Автор: Andrea Stange. Владелец: Allied Blending LP. Дата публикации: 2024-04-18.

System, device, and method for mitigating bacterial biofilms associated with indwelling medical devices

Номер патента: US20230381352A1. Автор: Brian Murphy. Владелец: NanoVibronix Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Methods for fabrication of substrates for surface enhanced raman spectroscopy

Номер патента: US20140081150A1. Автор: Wei-Kan Chu,Indrajith Rajapaksa,Dharshana N. Wijesundera. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2014-03-20.

DEVICE AND METHODS FOR REDUCING PEAK NOISE AND PEAK POWER CONSUMPTION IN SEMICONDUCTOR DEVICES UNDER TEST

Номер патента: US20200049765A1. Автор: HWANG Jong-Tae. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

APPARATUSES AND METHODS FOR EXTRACTING DEFECT DEPTH INFORMATION AND METHODS OF IMPROVING SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING PROCESSES USING DEFECT DEPTH INFORMATION

Номер патента: US20140307052A1. Автор: Lee Dong-Ryul,Ahn Jeong-Ho,Chin Soo-Bok,LEE Byoung-ho,Sun Jong-Cheon,Ihm Dong-Chul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-10-16.

Method for measuring aberation of lens in exposing device of semiconductor device

Номер патента: KR100682177B1. Автор: 김희범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-12.

Production method for exposure mask, exposure mask, and production method of semiconductor device

Номер патента: WO2003071590A1. Автор: Minoru Sugawara. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2003-08-28.

PUMPING METHOD FOR ARTIFICIAL REINK OF TWO LIQUIDS IN EQUAL QUANTITIES AND PUMPING DEVICE BY APPLYING

Номер патента: FR2605228A1. Автор: Jean-Loup Coriial. Владелец: Hospal Industrie SAS. Дата публикации: 1988-04-22.

Fluid e.g. cooling fluid, passages connecting device manufacturing method for motor vehicle, involves over-molding ring on body of connecting device by injecting elastomer thermoplastic material of joint from exterior of body via opening

Номер патента: FR2922475A1. Автор: Bernard Dumoulin. Владелец: MGI Coutier SA. Дата публикации: 2009-04-24.

Method for erasing memory cell of type FAMOS and corresponding memory-cell device, by electrical means

Номер патента: FR2823363A1. Автор: Richard Fournel,Cyrille Dray,Daniel Caspar. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-10-11.

Device and method for supporting and guiding a traction cable of a vehicle transport device by means of a cable

Номер патента: CN112537324A. Автор: S.梅萨欧德,S.瓦拉耶,S.库杜里尔. Владелец: Poma SA. Дата публикации: 2021-03-23.

Apparatuses and methods for accessing hybrid memory system

Номер патента: US20200363978A1. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Apparatuses and methods for accessing hybrid memory system

Номер патента: US11449258B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-20.

METHOD FOR ESTIMATING THE END OF LIFETIME FOR A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140125366A1. Автор: Rannestad Bjørn,Thøgersen Paul Bach. Владелец: KK-ELECTRONIC A/S. Дата публикации: 2014-05-08.

SYSTEMS AND METHODS FOR DEPOPULATING PINS FROM CONTACTOR TEST SOCKETS FOR PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180106835A1. Автор: Tong Kay Chan,Ata Hisashi,Shwe Thiha. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

Systems And Methods For Predicting And Managing Power And Energy Use Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20210157966A1. Автор: Huilgol Ninad,Crowl Lawrence. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

Systems and Methods for Depopulating Pins from Contactor Test Sockets for Packaged Semiconductor Devices

Номер патента: US20200141974A1. Автор: Tong Kay Chan,Ata Hisashi,Shwe Thiha. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

Circuit and method for reducing number of data input and output and semiconductor device

Номер патента: JPH1152028A. Автор: Gyu-Hong Kim,金奎泓. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-02-26.

Method for forming the reticle bit line bottom plug of semiconductor device

Номер патента: KR100431991B1. Автор: 김광철,김문회,최상태. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-22.

Method for metal plating, pretreating agent, and semiconductor wafer and semiconductor device using same

Номер патента: CN1420944A. Автор: 熊谷正志,关口淳之辅,伊森徹. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-28.

Method for forming photomask pattern to control critical Demension of semiconductor device

Номер патента: KR101096979B1. Автор: 한덕선,김미혜. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-20.

Method for extracting the distribution of charge stored in a semiconductor device

Номер патента: WO2006128922A1. Автор: Arnaud Furnémont. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw. Дата публикации: 2006-12-07.

Photosensitive resin composition, method for producing patterned cured film, patterned cured film, and semiconductor device

Номер патента: KR20230029588A. Автор: 마사히로 하시모토,데루아키 스즈키,유 아오키,요시미 하마노. Владелец: 레조낙 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2023-03-03.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20160340796A1. Автор: Akira Matsushima,Tsutomu Hori,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Method and device for manufacturing silicon carbide single-crystal

Номер патента: US20130239881A1. Автор: Shin Harada,Makoto Sasaki,Hiroki Inoue,Shinsuke Fujiwara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING LOW THERMAL STRESS AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120001303A1. Автор: TU PO-MIN,HUANG SHIH-CHENG,YANG SHUN-KUEI,HUANG CHIA-HUNG. Владелец: ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Composition and method for manufacturing of roasting free carbide-silicon heat resistant concrete

Номер патента: RU2382008C1. Автор: Шахбутдин Даудович Батырмурзаев,Абдурахман Магомедович Даитбеков,Алимпаша Шахбутдинович Батырмурзаев,Рустам Алимпашаевич Гаджиев,Зурхай Зайбуллаевич Гусейнов,Тетей Махмудовна Темирова,Джамиля Гусейновна Магомедова. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2010-02-20.

Method for Producing a Ceramic Filter Element

Номер патента: US20120001371A1. Автор: Linhart Jochen,Lichtenwalter Kathrin,FISCHER KATHRIN,Otterbach Sabine. Владелец: MANN+HUMMEL GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

Silicon carbide-based refractory material

Номер патента: RU2232736C2. Автор: Б.А. Гнесин. Владелец: ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА РАН. Дата публикации: 2004-07-20.

System and method for heating and forming thermoplastic material

Номер патента: CA1065570A. Автор: Richard F. Mulvany (Jr.). Владелец: Individual. Дата публикации: 1979-11-06.

METHOD FOR PREPARING EPITAXIAL LAYERS OF SiC-AlN SOLID SOLUTIONS

Номер патента: RU2260636C1. Автор: М.К. Курбанов,Б.А. Билалов,Г.К. Сафаралиев,М.К. Гусейнов. Владелец: Дагестанский государственный университет. Дата публикации: 2005-09-20.

Method for mining steep medium-thickness coal seams

Номер патента: RU2064044C1. Автор: Ю.М. Пирязев,В.Н. Фрянов. Владелец: Сибирская государственная горно-металлургическая академия. Дата публикации: 1996-07-20.

METHOD FOR PRODUCING TITANIUM DIOXIDE AND SILICON CARBIDE FROM ABRASIVE TREATMENT WASTE

Номер патента: RU2004114688A. Автор: Адольф Николаевич Трубин,Галина Ивановна Гиль,Адольф Николаевич Трубин (RU),Галина Ивановна Гиль (RU). Владелец: Галина Ивановна Гиль (RU). Дата публикации: 2005-10-27.

Method of manufacturing carbide-silicon electrical heaters using black silicon carbide

Номер патента: RU2171792C2. Автор: Т.А. Тычинкина,Г.А. Горохова,Л.Ф. Саттаров. Владелец: Открытое акционерное общество "Комбинат Магнезит". Дата публикации: 2001-08-10.

Seed crystal processing method for improving growth quality of silicon carbide crystals, and method for growing silicon carbide crystals

Номер патента: CN105780107A. Автор: 王波,陈小龙,刘春俊,彭同华,赵宁,娄艳芳. Владелец: Beijing Tankeblue Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2016-07-20.

Method for removing surface contaminant of silicon carbide wafer and silicon carbide wafer

Номер патента: JPH10199848A. Автор: Makoto Saito,誠 斉藤,Fusao Fujita,房雄 藤田. Владелец: ADOMATSUPU KK. Дата публикации: 1998-07-31.

Method for erection of gabion mat of biopositive design

Номер патента: RU2406800C2. Автор: Салигаджи Омарович Курбанов,Камиль Салигаджиевич Курбанов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная фирма "БЕРЕГ". Дата публикации: 2010-12-20.

Device for treatment of bottomhole formation zone of a well and method for treatment of bottomhole formation zone of well

Номер патента: RU2487237C1. Автор: Аглям Рашидович Мухутдинов,Зульфия Рашидовна Вахидова,Максим Владимирович Окулин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский государственный энергетический университет" (ФГБОУ ВПО "КГЭУ"). Дата публикации: 2013-07-10.

Finishing oil for manufacturing of continuous silicone carbide fiber and application process thereof

Номер патента: CN101613952B. Автор: 王军,王应德,李义和,宋永才,王得印. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF DEFENSE TECHNOLOGY. Дата публикации: 2011-06-15.

Manufacturing method for increasing the current driving capability of high-power semiconductor device

Номер патента: TW452871B. Автор: Lin-Jung Huang,Ke-Yu Yu,Yun-Shiang Ge. Владелец: Advanced Power Electronics Cor. Дата публикации: 2001-09-01.

Method for performing a visual arrangement on the interface of a terminal device by using a PC

Номер патента: TWI257068B. Автор: Xiao-Long Fan,Jen-Shing Lai,Ai-Ling Shen. Владелец: Inventec Appliances Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Detecting method for inner short-circuit on internumerical structures in encased semiconductor devices

Номер патента: CS334287A1. Автор: Jaroslav Rndr Homola,Jaroslav Rndr Zamastil,Ilja Prom Fyz Muller,Miroslav Rndr Skaloud. Владелец: Miroslav Rndr Skaloud. Дата публикации: 1989-02-10.

METHODS FOR THE EPITAXIAL GROWTH OF SILICON CARBIDE

Номер патента: US20130062628A1. Автор: DAS Hrishikesh,SUNKARI Swapna,OLDHAM Timothy,CASADY Janna B.. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2013-03-14.

Method for preparing fine powder of silicon carbide

Номер патента: CN1951574A. Автор: 夏玉策. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-25.

Method for recovering polyethylene glycol and silicon carbide from silicon crystal cutting waste liquid

Номер патента: CN101817526B. Автор: 罗其洋,陈云根. Владелец: ZHEJIANG YUANSHENG SILICON MATERIALS CO Ltd. Дата публикации: 2012-06-20.

Method for synthesizing p type doped silicon carbide by microwave in situ reaction

Номер патента: CN105271234A. Автор: 张�浩,王继刚,周清. Владелец: ZHANGJIAGANG DONGDA INDUSTRY TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2016-01-27.

Method for producing long fiber reinforced silicon carbide composite material

Номер патента: JP3140701B2. Автор: 梅澤正信,薫田幸一郎. Владелец: Nippon Carbon Co Ltd. Дата публикации: 2001-03-05.

Method for preparation of graphite surface silicon carbide coating

Номер патента: CN102850085A. Автор: 孙鹏飞,孙丰武,单连文. Владелец: World Qingdao Carbon Element Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-02.

Flotation device and method for removing free carbon in silicon carbide powder

Номер патента: CN105127009A. Автор: 郭世杰. Владелец: LIANYUNGANG ROTA ABRASIVES Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-09.

Method for preparing cubic born nitride-silicon carbide composite ceramic material and product thereof

Номер патента: CN102924087A. Автор: 林文松. Владелец: Shanghai University of Engineering Science. Дата публикации: 2013-02-13.

Method for preparing high-density defect silicon carbide nanowire

Номер патента: CN103332692A. Автор: 朱嘉琦,杨振怀,韩杰才,于海玲. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2013-10-02.

Method for preparing carbon-fiber-reinforced silicon carbide composite material

Номер патента: CN102249721A. Автор: 刘海韬,陈朝辉,马青松,简科,徐天恒. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF DEFENSE TECHNOLOGY. Дата публикации: 2011-11-23.

Method for producing p-type cubic silicon carbide single crystal thin film

Номер патента: JP4123319B2. Автор: 正人 吉川,一聡 児島. Владелец: 独立行政法人 日本原子力研究開発機構. Дата публикации: 2008-07-23.

Method for producing silicon nitride-bonded silicon carbide refractory

Номер патента: JP2781440B2. Автор: 茂 半澤,敏之 伊藤. Владелец: NGK Adrec Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-30.

Method for preparing cubic born nitride-silicon carbide composite ceramic material and product thereof

Номер патента: CN102924087B. Автор: 林文松. Владелец: Shanghai University of Engineering Science. Дата публикации: 2014-07-02.

Method for cleaning sintered compact of silicon carbide

Номер патента: JP2006187680A. Автор: Sho Kumagai,祥 熊谷,賢司 沖野,Kenji Okino. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2006-07-20.

Method for preparing carbon-fiber-reinforced silicon carbide composite material

Номер патента: CN102249721B. Автор: 刘海韬,陈朝辉,马青松,简科,徐天恒. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF DEFENSE TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-04-17.

Method for forming InSb-based crystal film, and InSb-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: JP3458687B2. Автор: 丈士 田中,峰生 和島. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2003-10-20.

Method for producing high-volume fractional silicon-carbide particle reinforced aluminium-base composite material member

Номер патента: CN1644276A. Автор: 叶斌,秦明礼,曲选辉,任淑彬,何新波. Владелец: University of Science and Technology Beijing USTB. Дата публикации: 2005-07-27.

Method for deposition of nitrogen-doped silicon carbide film

Номер патента: CN102456568A. Автор: 徐强,张文广,郑春生,陈玉文. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-05-16.

Method for removing silicon dioxide (SiO2) component in silicon carbide micropowder

Номер патента: CN102502637A. Автор: 刘来宝. Владелец: JIANGSU JIAYU RESOURCE UTILIZATION CO Ltd. Дата публикации: 2012-06-20.

Method for producing high surface area silicon carbide ceramic porous body

Номер патента: JP3906354B2. Автор: 剛 坂木,昌男 柴田,修二 恒松,英司 前田,将博 小松. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2007-04-18.

Method for making a concrete block

Номер патента: CA1204585A. Автор: William L. Harbaugh,Raymond S. Smetana. Владелец: BURRELL MINING PRODUCTS INTERNATIONAL Inc. Дата публикации: 1986-05-20.

Method for preparing halosily carbamates and isocyanates derived therefrom

Номер патента: CA1108174A. Автор: Spyros Theodoropulos,Eddie Hedaya. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1981-09-01.

A negative photosensitive resin composition, a method for manufacturing a hardened embossed pattern, and a semiconductor device

Номер патента: TWI413860B. Автор: Mitsuru Fujita. Владелец: Asahi Kasei E Materials Corp. Дата публикации: 2013-11-01.

A method for synthesizing capped ultrafine silver nanoparticles

Номер патента: MY194959A. Автор: Binti Jusoh Rohayu. Владелец: Univ Malaysia Pahang. Дата публикации: 2022-12-28.

SYSTEM AND METHOD FOR RESPONDING TO APERIODIC INFORMATION REQUESTS FROM USERS OF PERSONAL COMMUNICATION DEVICES BY PROVIDING TARGETED ADVERTISEMENTS

Номер патента: US20120150608A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-14.

METHODS FOR NORMALIZING STRAIN IN SEMICONDCUTOR DEVICES AND STRAIN NORMALIZED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130032894A1. Автор: Bernstein Kerry,Balch Bruce,Ellis-Monaghan John Joseph,Habib Nazmul. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-07.

METHOD FOR FORMING MASKING LAYER BY USING ION IMPLANTATION AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATED BY USING THE SAME

Номер патента: US20120009787A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-12.

METHOD FOR TESTING TRAP DENSITY OF GATE DIELECTRIC LAYER IN SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING NO SUBSTRATE CONTACT

Номер патента: US20120187976A1. Автор: Huang Ru,Fan Jiewen,Wang Runsheng,Wang Yangyuan,Zou Jibin,Liu Changze. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-07-26.

Method for correcting error of alignment measurement and production of semiconductor device

Номер патента: JPH1089921A. Автор: Yoshikatsu Tomimatsu,喜克 富松. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-04-10.

Method for improving critical size differences of different areas of semiconductor device

Номер патента: CN103295894A. Автор: 秦伟,高慧慧,杨渝书. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-09-11.

Method for forming isolation of air buffer trench elements in semiconductor devices

Номер патента: KR19980085786A. Автор: 김성의. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1998-12-05.

Porous silica film precursor composition, method for producing porous silica film, porous silica film, and semiconductor device

Номер патента: JP5988817B2. Автор: 貴久 山崎,正明 平川,高博 中山,一誠 東條,中山　高博,平川　正明,剛 加賀美. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2016-09-07.

Evaluation method for evaluating positional relationship between PN junction surface of semiconductor device and bottom of trench

Номер патента: JP4815861B2. Автор: 規仁 戸倉,建策 山本,善彦 尾関. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-11-16.

Adhesive film, method for producing cured body, cured body, wiring board, and semiconductor device

Номер патента: JP6617811B2. Автор: 茂雄 中村,中村　茂雄,賢司 川合. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2019-12-11.

Method for carrying out auger analysis on bonding pad of semiconductor device structure

Номер патента: CN102455306A. Автор: 李明,段淑卿,齐瑞娟,杨卫明,芮志贤. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-05-16.

Method for producing gallium nitride substrate, gallium nitride substrate, and semiconductor device

Номер патента: JP2009073710A. Автор: Osamu Yamada,Koichi Hiranaka,修 山田,Tsutomu Takauo,力 高魚,Takamasa Matsuda,恭昌 松田,Takashi Minemoto,尚 峯本,弘一 平中,健 畑山,Takeshi Hatayama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Method for measuring gate-to-body current of metal oxide semiconductor device

Номер патента: TW546484B. Автор: Ke-Wei Su,Jau-Kang He. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-08-11.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Solar Cell And Method For Manufacturing Solar Cell

Номер патента: US20120000512A1. Автор: HASHIMOTO Masanori,SAITO Kazuya,SHIMIZU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SUSPENSION SUBSTRATE, SUSPENSION, HEAD SUSPENSION, HARD DISK DRIVE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SUSPENSION

Номер патента: US20120002366A1. Автор: OHNUKI Masao,YAMAZAKI Tsuyoshi. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Nozzle plate and method for manufacturing the nozzle plate, and inkjet printer head with the nozzle plate

Номер патента: US20120001986A1. Автор: Kim Young Jae. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR INSPECTION OF MAGNETIC RECORDING MEDIUM, MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND MAGNETIC RECORDING/REPRODUCING DEVICE

Номер патента: US20120002323A1. Автор: Kato Junya,Maruyama Yoshihiko. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR EXPOSING A SUBSTRATE TO UV RADIATION USING A REFLECTOR HAVING BOTH ELLIPTICAL AND PARABOLIC REFLECTIVE SECTIONS

Номер патента: US20120003398A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.