• Главная
  • Method for low stress flip-chip assembly of fine-pitch semiconductor devices

Method for low stress flip-chip assembly of fine-pitch semiconductor devices

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Methods and apparatus for cleaning flip chip assemblies

Номер патента: US11876005B2. Автор: HUI Wang,Xiaoyan Zhang,Fuping CHEN. Владелец: ACM Research Shanghai Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Bumpless flip chip assembly with solder via

Номер патента: US20020125581A1. Автор: Charles Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Methods and apparatus for cleaning flip chip assemblies

Номер патента: US20190244837A1. Автор: HUI Wang,Xiaoyan Zhang,Fuping CHEN. Владелец: ACM Research Shanghai Inc. Дата публикации: 2019-08-08.

Methods and apparatus for cleaning flip chip assemblies

Номер патента: WO2013040778A1. Автор: HUI Wang,Xiaoyan Zhang,Fuping CHEN. Владелец: ACM Research (Shanghai) Inc.. Дата публикации: 2013-03-28.

Flip chip assembly and method of producing flip chip assembly

Номер патента: US20030015804A1. Автор: Joy Laskar,Daniela Staiculescu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Fabrication Process and Structure of Fine Pitch Traces for a Solid State Diffusion Bond on Flip Chip Interconnect

Номер патента: US20190043821A1. Автор: Pun Kelvin Po Leung,Cheung Chee Wah. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

SUBSTRATE STRUCTURE WITH SELECTIVE SURFACE FINISHES FOR FLIP CHIP ASSEMBLY

Номер патента: US20170040276A1. Автор: Morris Thomas Scott,Hartmann Robert. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

Integrated circuit devices and flip-chip assemblies

Номер патента: TW201133748A. Автор: Chung-Shi Liu,Yi-Wen WU,Chien-Ling Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2011-10-01.

Reducing stress in a flip chip assembly

Номер патента: US20080305581A1. Автор: Oswald Skeete. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Fabrication method for flip chip assembly

Номер патента: KR100865780B1. Автор: 손호영,백경욱. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2008-10-28.

No clean flux for flip chip assembly

Номер патента: US6103549A. Автор: Raj N. Master,Orion K. Starr,Maria Guardado,Mohammad Zubair Khan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-08-15.

Flip chip assembly with via interconnection

Номер патента: SG75841A1. Автор: Charles W C Lin. Владелец: Eriston Invest Pte Ltd. Дата публикации: 2000-10-24.

Flip chip assembly with connected component

Номер патента: US10211174B2. Автор: Jean Audet,Stephan L. Martel,Richard Langlois,Luc G. Guerin,Sylvain E. Ouimet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-19.

Flip chip assembly with connected component

Номер патента: US9984988B2. Автор: Jean Audet,Stephan L. Martel,Richard Langlois,Luc G. Guerin,Sylvain E. Ouimet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Substrate structure with selective surface finishes for flip chip assembly

Номер патента: US20190229087A1. Автор: Robert Hartmann,Thomas Scott Morris. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Flip chip assembly with connected component

Номер патента: US20170170133A1. Автор: Jean Audet,Stephan L. Martel,Richard Langlois,Luc G. Guerin,Sylvain E. Ouimet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

FLIP CHIP ASSEMBLY WITH CONNECTED COMPONENT

Номер патента: US20170170133A1. Автор: Audet Jean,Langlois Richard,MARTEL Stephan L.,GUERIN LUC G.,OUIMET SYLVAIN E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

Method and encapsulant for flip-chip assembly

Номер патента: WO2013165323A3. Автор: Sathid Jitjongruck,Anongnat Somwangthanaroj. Владелец: Mektec Manufacturing Corporation (Thailand) Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Method and encapsulant for flip-chip assembly

Номер патента: US20150054154A1. Автор: Sathid Jitjongruck,Anongnat Somwangthanaroj. Владелец: Mektec Manufacturing Corp Thailand Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Substrate structure with selective surface finishes for flip chip assembly

Номер патента: US20170040276A1. Автор: Robert Hartmann,Thomas Scott Morris. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-02-09.

Interconnections for fine pitch semiconductor devices and manufacturing method thereof

Номер патента: US8207608B2. Автор: Chee Kian Ong,Hwee-Seng Jimmy Chew. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2012-06-26.

Stress decoupling structures for flip-chip assembly

Номер патента: US20080128885A1. Автор: Mirng-Ji Lii,Chien-Hsiun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

Solder pillars in flip chip assembly and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2011088384A3. Автор: Arun K. Varanasi. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-09-09.

Solder pillars in flip chip assembly

Номер патента: TW201135891A. Автор: Arun K Varanasi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-10-16.

Solder pillars in flip chip assembly

Номер патента: WO2011088384A2. Автор: Arun K. Varanasi. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-07-21.

Flip-chip assembly of protected micromechanical devices

Номер патента: EP1127838A3. Автор: Sunil Thomas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-04-02.

Flip-chip assembly of protected micromechanical devices

Номер патента: EP1127838A9. Автор: Sunil Thomas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-01-02.

Flip chip assembly and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100823699B1. Автор: 정태경,안은철,황태주. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-04-21.

Fabrication Process and Structure of Fine Pitch Traces for a Solid State Diffusion Bond on Flip Chip Interconnecdt

Номер патента: US20210159203A1. Автор: Pun Kelvin Po Leung,Cheung Chee Wah. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

Flip chip assembly with connected component

Номер патента: US09553079B1. Автор: Jean Audet,Stephan L. Martel,Richard Langlois,Luc G. Guerin,Sylvain E. Ouimet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Flip chip assembly

Номер патента: EP4404260A1. Автор: Lykourgos Bougas,Carsten Raven. Владелец: Quantum Brilliance GmbH. Дата публикации: 2024-07-24.

Flip chip assembly

Номер патента: WO2024153820A1. Автор: Lykourgos Bougas,Carsten Raven. Владелец: Quantum Brilliance GmbH. Дата публикации: 2024-07-25.

Method and apparatus for testing a flip-chip assembly during manufacture

Номер патента: US09870959B1. Автор: Nagesh Vodrahalli. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Cleaning solder-bonded flip-chip assemblies

Номер патента: US5778913A. Автор: Yinon Degani,Dean Paul Kossives,Thomas Dixon Dudderar. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1998-07-14.

Method and encapsulant for flip-chip assembly

Номер патента: US20150054154A1. Автор: Sathid Jitjongruck,Anongnat Somwangthanaroj. Владелец: Mektec Manufacturing Corp Thailand Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

SUBSTRATE STRUCTURE WITH SELECTIVE SURFACE FINISHES FOR FLIP CHIP ASSEMBLY

Номер патента: US20190229087A1. Автор: Morris Thomas Scott,Hartmann Robert. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

FLIP CHIP ASSEMBLY

Номер патента: US20200395265A1. Автор: Thorne Sean Leighton. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Bed structure underlying electrode pad of semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20010040242A1. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor device having bed structure underlying electrode pad

Номер патента: US6465894B2. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-15.

Mold used fabricating of fine pitch ball grid array package

Номер патента: KR100970215B1. Автор: 정관호,배진호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-07-16.

Selective underfill for flip chips and flip-chip assemblies

Номер патента: WO2004061934A1. Автор: Marc Chason,Jan Danvir. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2004-07-22.

Flip chip assembly and packaging method thereof

Номер патента: CN110660681A. Автор: 蒋子博. Владелец: Shanghai Yiying New Material Science & Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-07.

Fabrication Process and Structure of Fine Pitch Traces for a Solid State Diffusion Bond on Flip Chip Interconnect

Номер патента: US20200035594A1. Автор: Pun Kelvin Po Leung,Cheung Chee Wah. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

Fabrication Process and Structure of Fine Pitch Traces for a Solid State Diffusion Bond on Flip Chip Interconnect

Номер патента: US20180102312A1. Автор: Pun Kelvin Po Leung,Cheung Chee Wah. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

Fabrication Process and Structure of Fine Pitch Traces for a Solid State Diffusion Bond on Flip Chip Interconnect

Номер патента: US20180366404A1. Автор: Pun Kelvin Po Leung,Cheung Chee Wah. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

Flip chip assembly and process with sintering material on metal bumps

Номер патента: US09443822B2. Автор: Wael Zohni. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Flip chip assembly and process with sintering material on metal bumps

Номер патента: US20170062318A1. Автор: Zohni Wael. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

Method and apparatus for conducting heat in a flip-chip assembly

Номер патента: US6861745B2. Автор: Salman Akram,Alan G. Wood. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-03-01.

Design of a flip-chip assembly for high frequency applications

Номер патента: WO2024225957A1. Автор: Daryoush Shiri,Sandoko Kosen,Hangxi LI. Владелец: Wacqt-Ip Ab. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of Fine Pitch Hybrid Bonding with Dissimilar CTE Wafers and Resulting Structures

Номер патента: US20220336405A1. Автор: Tongbi T. Jiang,Saijin Liu,Fang OU. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Method of fine pitch hybrid bonding with dissimilar cte wafers and resulting structures

Номер патента: WO2022221083A1. Автор: Tongbi T. Jiang,Saijin Liu,Fang OU. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2022-10-20.

Method for providing void free layer for semiconductor assemblies

Номер патента: US6458681B1. Автор: Joseph Fjelstad,Thomas H. DiStefano. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2002-10-01.

Flip chip assembly apparatus employing a warpage-suppressor assembly

Номер патента: US20130292455A1. Автор: Peter J. Brofman,Jae-Woong Nah,Katsuyuki Sakuma. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Flip chip assembling method and device

Номер патента: TW519704B. Автор: Yuji Tanaka. Владелец: Shinkawa Kk. Дата публикации: 2003-02-01.

FLIP CHIP ASSEMBLY AND PROCESS WITH SINTERING MATERIAL ON METAL BUMPS

Номер патента: US20150357304A1. Автор: Zohni Wael. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

Bumpless flip chip assembly with strips-in-via and plating

Номер патента: US6403400B2. Автор: Charles Wen Chyang Lin. Владелец: Charles Wen Chyang Lin. Дата публикации: 2002-06-11.

Bumpless flip-chip assembly with a compliant interposer contractor

Номер патента: CN101317266B. Автор: 韦恩·纳恩. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-11-24.

Bumpless flip-chip assembly with a compliant interposer contractor

Номер патента: WO2007063510A2. Автор: Wayne Nunn. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-06-07.

Bumpless flip chip assembly with strips-in-via and plating

Номер патента: US20010024839A1. Автор: Charles Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-27.

Pillar-to-pillar flip-chip assembly

Номер патента: US7569935B1. Автор: Wen-Jeng Fan. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2009-08-04.

Temperature sustaining flip chip assembly process

Номер патента: US20040187306A1. Автор: Song-Hua Shi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Bond pad structure for low temperature flip chip bonding

Номер патента: US09536848B2. Автор: Luke England,Christian KLEWER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for testing semiconductor wafers using temporary sacrificial bond pads

Номер патента: PH12016501263A1. Автор: Howard H Roberts Jr. Владелец: Celerint LLC. Дата публикации: 2016-08-15.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9490218B2. Автор: Akio Hasebe,Mitsuyuki Kubo,Yoshinori Deguchi,Bunji Yasumura,Naohiro Makihira,Fumikazu Takei. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09825017B2. Автор: Akio Hasebe,Mitsuyuki Kubo,Yoshinori Deguchi,Bunji Yasumura,Naohiro Makihira,Fumikazu Takei. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09490218B2. Автор: Akio Hasebe,Mitsuyuki Kubo,Yoshinori Deguchi,Bunji Yasumura,Naohiro Makihira,Fumikazu Takei. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Double solder bumps on substrates for low temperature flip chip bonding

Номер патента: US09295166B2. Автор: Peter A. Gruber,Paul A. Lauro,Jae-Woong Nah. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-22.

Formation of Fine Pitch Traces Using Ultra-Thin PAA Modified Fully Additive Process

Номер патента: US20190244882A1. Автор: Kelvin Po Leung Pun,Chee Wah Cheung. Владелец: Compass Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Methods for printing a conductive pillar with high precision

Номер патента: US12089343B2. Автор: Michael Zenou,Stephane Etienne. Владелец: Reophotonics Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Preservation of fine pitch redistribution lines

Номер патента: US09721886B2. Автор: Kevin J. Lee,Hiten KOTHARI,Wayne M. Lytle. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09412621B2. Автор: Jae Bum Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Formation of Fine Pitch Traces Using Ultra-Thin PAA Modified Fully Additive Process

Номер патента: US20200013700A1. Автор: Pun Kelvin Po Leung,Cheung Chee Wah. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

Trace structure of fine-pitch pattern

Номер патента: US20160020166A1. Автор: Cheng-Hung Shih,Yung-Wei Hsieh,Kai-Yi Wang,Heh-Chang Huang,Po-Hao Chen. Владелец: Chipbond Technology Corp. Дата публикации: 2016-01-21.

Anchoring structure of fine pitch bva

Номер патента: US20170117243A1. Автор: Liang Wang,Cyprian Emeka Uzoh,Rajesh Katkar,Guilian Gao,Xuan Li,Gabriel Z. Guevara. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2017-04-27.

PRESERVATION OF FINE PITCH REDISTRIBUTION LINES

Номер патента: US20160181196A1. Автор: Lee Kevin J.,KOTHARI HITEN,Lytle Wayne M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

Formation of Fine Pitch Traces Using Ultra-Thin PAA Modified Fully Additive Process

Номер патента: US20190385936A1. Автор: Pun Kelvin Po Leung,Cheung Chee Wah. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

Anchoring structure of fine pitch bva

Номер патента: US10332854B2. Автор: Liang Wang,Cyprian Emeka Uzoh,Rajesh Katkar,Guilian Gao,Xuan Li,Gabriel Z. Guevara. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2019-06-25.

Trace structure of fine-pitch pattern

Номер патента: SG10201406847VA. Автор: Shih Cheng-Hung,Hsieh Yung-Wei,Chen Po-Hao,Wang Kai-Yi,HUANG Heh-Chang. Владелец: Chipbond Technology Corp. Дата публикации: 2016-02-26.

Formation of Fine Pitch Traces Using Ultra-Thin PAA Modified Fully Additive Process

Номер патента: US20190385936A1. Автор: Kelvin Po Leung Pun,Chee Wah Cheung. Владелец: Compass Technology Company Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Formation of Fine Pitch Traces Using Ultra-Thin PAA Modified Fully Additive Process

Номер патента: US20200013700A1. Автор: Kelvin Po Leung Pun,Chee Wah Cheung. Владелец: Compass Tech Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Flux-compatible epoxy-phenolic adhesive compositions for low gap underfill applications

Номер патента: US20240010890A1. Автор: Laxmisha M. Sridhar,Zhan Hang Yang. Владелец: Henkel AG and Co KGaA. Дата публикации: 2024-01-11.

Double solder bumps on substrates for low temperature flip chip bonding

Номер патента: US20150195920A1. Автор: Peter A. Gruber,Paul A. Lauro,Jae-Woong Nah. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-07-09.

Double solder bumps on substrates for low temperature flip chip bonding

Номер патента: US20150194408A1. Автор: Peter A. Gruber,Paul A. Lauro,Jae-Woong Nah. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-07-09.

Double solder bumps on substrates for low temperature flip chip bonding

Номер патента: US20140363965A1. Автор: Peter A. Gruber,Paul A. Lauro,Jae-Woong Nah. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Double solder bumps on substrates for low temperature flip chip bonding

Номер патента: US9095081B1. Автор: Peter A. Gruber,Paul A. Lauro,Jae-Woong Nah. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-28.

Flip chip assembly of quantum computing devices

Номер патента: US20200152540A1. Автор: Jae-Woong Nah,Jerry M. Chow,Hanhee Paik. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of limiting capillary action of gel material during assembly of pressure sensor

Номер патента: US20150221572A1. Автор: Wai Keong Wong,Soon Kang Chan,Voon Kwai Leong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-08-06.

Three-dimensional flexible assembly of integrated circuits

Номер патента: US5646446A. Автор: Earl R. Nicewarner, Jr.,Steven L. Frinak. Владелец: Fairchild Space and Defense Corp. Дата публикации: 1997-07-08.

Group iii nitride based flip-chip integrated circuit and method for fabricating

Номер патента: CA2511005C. Автор: Primit Parikh,Yifeng Wu,Umesh K. Mishra. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Methods for printing a conductive pillar with high precision

Номер патента: WO2024047471A1. Автор: Michael Zenou,Stephane Etienne. Владелец: Reophotonics, Ltd.. Дата публикации: 2024-03-07.

Methods for printing a conductive pillar with high precision

Номер патента: US20240080992A1. Автор: Michael Zenou,Stephane Etienne. Владелец: Reophotonics Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Flip chip assembly of quantum computing devices

Номер патента: US11195773B2. Автор: Jae-Woong Nah,Jerry M. Chow,Hanhee Paik. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-12-07.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9231065B2. Автор: Jae Bum Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-05.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20150214310A1. Автор: Jae Bum Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20150028453A1. Автор: Jae Bum Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-29.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9024414B2. Автор: Jae Bum Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-05.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220199538A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

FLIP CHIP ASSEMBLY OF QUANTUM COMPUTING DEVICES

Номер патента: US20200152540A1. Автор: Nah Jae-Woong,Paik Hanhee,CHOW JERRY M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2020-05-14.

FLIP CHIP ASSEMBLY OF QUANTUM COMPUTING DEVICES

Номер патента: US20200235027A1. Автор: Nah Jae-Woong,Paik Hanhee,CHOW JERRY M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2020-07-23.

Small form factor modules using wafer level optics with bottom cavity and flip-chip assembly

Номер патента: US20140098288A1. Автор: Harpuneet Singh. Владелец: DigitalOptics Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

INTERCONNECT SUBSTRATE HAVING STRESS MODULATOR AND FLIP CHIP ASSEMBLY THEREOF

Номер патента: US20190090391A1. Автор: LIN Charles W. C.,Wang Chia-Chung. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

METHODS AND APPARATUS FOR CLEANING FLIP CHIP ASSEMBLIES

Номер патента: US20140224281A1. Автор: Wang Hui,ZHANG XIAOYAN,Chen Fuping. Владелец: ACM Research (Shanghai) Inc.. Дата публикации: 2014-08-14.

LEADFRAME SUBSTRATE HAVING MODULATOR AND CRACK INHIBITING STRUCTURE AND FLIP CHIP ASSEMBLY USING THE SAME

Номер патента: US20190182997A1. Автор: LIN Charles W. C.,Wang Chia-Chung. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

THREE DIMENSIONAL SELF-ALIGNMENT OF FLIP CHIP ASSEMBLY USING SOLDER SURFACE TENSION DURING SOLDER REFLOW

Номер патента: US20160252688A1. Автор: Martin Yves C.,Barwicz Tymon,Nah Jae-Woong. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

Small form factor modules using wafer level optics with bottom cavity and flip chip assembly

Номер патента: CN101730863B. Автор: 哈普尼特·辛. Владелец: Flextronics International USA Inc. Дата публикации: 2011-12-28.

Semiconductor flip-chip assembly with pre-applied encapsulating layers

Номер патента: US6297560B1. Автор: Miguel A. Capote,Xiaoqi Zhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-02.

Stacked flip chip assemblies

Номер патента: US20020074637A1. Автор: Jonathan McFarland. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-06-20.

Selective underfill for flip chips and flip-chip assemblies

Номер патента: AU2003296497A1. Автор: Marc Chason,Jan Danvir. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-07-29.

Flip chip assembly process and substrate used therewith

Номер патента: TW200427037A. Автор: Chao-Yuan Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-12-01.

Flip chip assembly process and substrate used therewith

Номер патента: TWI257161B. Автор: Chao-Yuan Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-06-21.

A taped semiconductor device, a method and an apparatus for producing the same

Номер патента: WO2016064351A1. Автор: Wansheng Lin. Владелец: Super Components (Singapore) Pte Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Apparatus and Methods for Low K Dielectric Layers

Номер патента: US20130072031A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Joung-Wei Liou,Hui-Chun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Low voltage high performance semiconductor devices and methods

Номер патента: US20010039096A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Integrated method for low-cost wide band gap semiconductor device manufacturing

Номер патента: US12125697B2. Автор: Bishnu Gogoi,Tirunelveli Subramaniam Ravi. Владелец: Thinsic Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09570407B2. Автор: Shuji Inoue,Takahiro Ebisui,Masako Furuichi. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Method for low topography semiconductor device formation

Номер патента: US20020175369A1. Автор: Nivo Rovedo,Phung Nguyen,David Colavito. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Method for inducing stress in semiconductor devices

Номер патента: US11757039B2. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-09-12.

Protective structures for bond wires, methods for forming same, and test apparatus including such structures

Номер патента: US20020031847A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Method for manufacturing quantum computing semiconductor device

Номер патента: EP4190742A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-07.

Method for inspecting semiconductor device structure

Номер патента: US20190101586A1. Автор: Baohua Niu,Chi-Chun Lin,Chia-Nan Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

System and method for forming solder bumps

Номер патента: WO2021018466A1. Автор: Jae-Woong Nah,Jeng-Bang Yau,Peter Jerome Sorce,Eric Peter Lewandowski. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2021-02-04.

Method for fabricating semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20170186948A1. Автор: Kyung-Wan KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Method for detecting EPI induced buried layer shifts in semiconductor devices

Номер патента: US20060038553A1. Автор: Xiaoju Wu,Qingfeng Wang,Xinfen Chen,John Arch. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-23.

Detection and Reduction of Dielectric Breakdown in Semiconductor Devices

Номер патента: US20080211500A1. Автор: Masayasu Miyata,William A. Goddard,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: WO2005031850A3. Автор: William A Goddard Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Jamil Tahir-Kheli. Дата публикации: 2006-01-05.

Processing method for semiconductor surface defects and preparation method for semiconductor devices

Номер патента: US12033857B2. Автор: Xianghong Jiang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for fabricating semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US09837148B2. Автор: Kyung-Wan KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Apparatus and methods for micro-transfer-printing

Номер патента: US09550353B2. Автор: Matthew Meitl,Christopher Bower,David Gomez,Salvatore Bonafede,David Kneeburg. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Wafer-level encapsulated semiconductor device, and method for fabricating same

Номер патента: US09450004B2. Автор: Wei-Feng Lin,Chih-Hung Tu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Apparatus and methods for micro-transfer-printing

Номер патента: US09434150B2. Автор: Matthew Meitl,Christopher Bower,David Gomez,Salvatore Bonafede,David Kneeburg. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2648300C1. Автор: Такуя КАДОГУТИ,Наоя ТАКЭ. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2018-03-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190148518A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Circuits and methods for enabling redundancy in an electronic system employing cold-sparing

Номер патента: US20230305984A1. Автор: David A. Grant,Mark Hamlyn. Владелец: Apogee Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170069503A1. Автор: Kazuyuki Higashi,Mika Fujii,Kazumichi Tsumura,Takashi Shirono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Method for forming gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: US20050142770A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Fabrication method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9040410B2. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4181182A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-17.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20050054176A1. Автор: Jong Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-03-10.

Process for low temperature atomic layer deposition of Rh

Номер патента: US20020197814A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Eugene Marsh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7081396B2. Автор: Jong Goo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-25.

Semiconductor device, light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2389693A2. Автор: Yong-Jin Kim,Ho-Jun Lee,Doo-Soo Kim,Dong-Kun Lee. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Low damage photoresist strip method for low-k dielectrics

Номер патента: WO2011072042A2. Автор: David Cheung,Ted Li,Kirk Ostrowski,Anirban Guha. Владелец: NOVELLUS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2011-06-16.

Method for fabricating a semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US8338246B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-25.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Refractory metal nitride capped electrical contact and method for frabricating same

Номер патента: US20110049720A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2011-03-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010005616A1. Автор: Jae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-28.

Fabrication Method For Semiconductor Device And Semiconductor Device

Номер патента: US20140145354A1. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150056730A1. Автор: Myung cheol Yoo,Sang Don Lee,Se Jong Oh,Kyu Sung Hwang,Moo Keun Park. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Etching methods, etching apparatus and methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20030036285A1. Автор: Takashi Kokubun. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Substrate for electronic device and method for processing same

Номер патента: US20070228527A1. Автор: Yasuo Kobayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-10-04.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20020106863A1. Автор: In-Chul Jung,Seung-Hoon Sa. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20090286380A1. Автор: Seung Bum Kim,Jong Kuk KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-19.

Method for screening semiconductor devices for contact coplanarity

Номер патента: US20030059965A1. Автор: Lik Wong. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US12100657B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

SILOXANE EPOXY POLYMERS FOR LOW-κ DIELECTRIC APPLICATIONS

Номер патента: WO2005105894A2. Автор: Shyam P. Murarka,Ramkrishna Ghoshal,Toh-Ming Lu,Pei-I Wang. Владелец: Polyset Company, Inc.. Дата публикации: 2005-11-10.

SILOXANE EPOXY POLYMERS FOR LOW-κ DIELECTRIC APPLICATIONS

Номер патента: EP1740641A2. Автор: Shyam P. Murarka,Ramkrishna Ghoshal,Toh-Ming Lu,Pei-I Wang. Владелец: Polyset Co. Дата публикации: 2007-01-10.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09997455B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09963587B2. Автор: Katsushi Kan,Yukari Kouno. Владелец: Nagase Chemtex Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US09865586B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Systems and methods for wireless transmission of biopotentials

Номер патента: US09693708B2. Автор: Bruce C. Towe. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2017-07-04.

High voltage metal oxide semiconductor device and method for making same

Номер патента: US09627524B2. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-04-18.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09589889B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Apparatus for testing package-on-package semiconductor device and method for testing the same

Номер патента: US09519024B2. Автор: Chien-Ming Chen. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Methods for making semiconductor device with sealing resin

Номер патента: US09472540B2. Автор: Junji Tanaka,Masanori Onodera,Kouichi Meguro. Владелец: VALLEY DEVICE MANAGEMENT. Дата публикации: 2016-10-18.

An integrated silicon contactor and a device and method for manufacturing same

Номер патента: WO2002084730A1. Автор: Young-Bae Chung,Jong-Cheon Shin. Владелец: ISC TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2002-10-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150179528A1. Автор: Shukun Yu,Qingsong WEI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150364427A1. Автор: Takashi KANSAKU. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234330A9. Автор: Hong-Ki Kim,Sangwoo PAK. Владелец: Power Master Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20170179145A1. Автор: Boon Jiew CHEE. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11901245B2. Автор: Chen-Chao Wang,Chih-Yi Huang,Keng-Tuan Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220399240A1. Автор: Chen-Chao Wang,Chih-Yi Huang,Keng-Tuan Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Substrate for semiconductor devices and method for producing same

Номер патента: EP4379774A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Method for semiconductor device planarization

Номер патента: US20020151137A1. Автор: Byoung-Ho Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: US20030124760A1. Автор: Seok Lee,Sung Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Transistor and method for manufacturing same, semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240179922A1. Автор: Wenyu HUA,Xilong Wang. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230053370A1. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for forming the same

Номер патента: US20220028970A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210090987A1. Автор: Hiroyuki Kawashima,Hitoshi Okano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120108078A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor device fabrication methods with enhanced control in recessing processes

Номер патента: US20130078791A1. Автор: Robert J. Miller,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor device and semiconductor device preparation method

Номер патента: EP3933903A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Semiconductor device measurement method

Номер патента: US20220077004A1. Автор: Hongxiang Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220115276A1. Автор: Chen-Chao Wang,Chih-Yi Huang,Keng-Tuan Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240186193A1. Автор: Chen-Chao Wang,Chih-Yi Huang,Keng-Tuan Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Microwave integrated circuit package and method for forming such package

Номер патента: US8153449B2. Автор: Michael G. Adlerstein,Francois Y. Colomb. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2012-04-10.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210366764A1. Автор: Jochen Kraft,Georg Parteder,Raffaele Coppeta. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-11-25.

Microwave integrated circuit package and method for forming such package

Номер патента: US20110223692A1. Автор: Michael G. Adlerstein,Francois Y. Colomb. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2011-09-15.

Biased reactive refractory metal nitride capped contact of group III-V semiconductor device

Номер патента: US9484425B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Microwave integrated circuit package and method for forming such package

Номер патента: EP2156467A1. Автор: Michael G. Adlerstein,Francois Y. Colomb. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2010-02-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070252232A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Tsunehiro Ino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Method for low temperature ion implantation

Номер патента: US20110244669A1. Автор: Zhimin Wan,John D. Pollock,Erik Collart. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197831A1. Автор: Hans Mertens,Boon Teik CHAN,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197522A1. Автор: Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Boon Teik CHAN,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130323908A1. Автор: Chun-Yen Chen,Hung-Hsien Chang,Wei-Hua Fang,Chine-Li WANG,Yung-Chin Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Etching method and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120094445A1. Автор: Shinya Sasagawa,Hiroshi Fujiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Method for Forming Isolation Layer in Semiconductor Devices

Номер патента: US20070166949A1. Автор: In Kyu Chun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Atomic layer deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20080057738A1. Автор: June Woo Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Method for fabricating semiconductor device having radiation hardened insulators

Номер патента: US20100035393A1. Автор: John M. Aitken,Ethan H. Cannon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7521305B2. Автор: Zing-Way Pei,Cha-Hsin Lin,Shing-Chii Lu,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-04-21.

Sonos Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20140329387A1. Автор: Chih-Yuan Wu,Kai-Hsiang Chang,Kuang-Wen Liu,Ching-Chang Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Method for determining status of a fuse element

Номер патента: US20230215507A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20220336658A1. Автор: Jun Hee Cho. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Method for forming a silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20030119309A1. Автор: Jeong Lee,Chang Ryoo,Yong Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Methods for manufacturing a soft error and defect resistant pre-metal dielectric layer

Номер патента: US20050287782A1. Автор: Mark Nelson,John Naughton. Владелец: AMI Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20080298135A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20100213528A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Apparatus and method for removing an organic material from a semiconductor device

Номер патента: US20020058345A1. Автор: Eckhard Marx,Bernd Stottko,Torsten Schneider,Anne Kurtenbach. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor device with single step height and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122991A1. Автор: Yu-Ting Lin,Mao-Ying Wang,Lai-Cheng TIEN,Hui-Lin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Substrate assembly of display device using light-emitting diode and method for manufacturing same

Номер патента: US20240297156A1. Автор: Jaeyong AN,Joodo Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-05.

Cathode Catalyst Layer Structure for Membrane Electrode of Fuel Cell and Method for Preparing Same

Номер патента: US20230335755A1. Автор: Xu Zhang,Bicheng Chen. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-10-19.

A Preparation Method for Low-stress Electrode Material Sintering Based on the Mesoscale Model

Номер патента: AU2020104167A4. Автор: XIN ZHAO,Chaoyu LIANG,Jinliang YUAN. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2021-03-04.

A bobbin for low stress coil wire winding

Номер патента: WO2024177624A1. Автор: Anthony William Pankratz,Gretchen Marie CONLEY. Владелец: Micro Motion, Inc.. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for producing tubular ceramic constructions

Номер патента: RU2560454C1. Автор: Кайн М. ФИННЕРТИ,Бенджамин Дж. ЭМЛИ. Владелец: Ватт Фьюэл Селл Корп.. Дата публикации: 2015-08-20.

Testing devices and method for testing semiconductor devices

Номер патента: US20230366910A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for assembling atoms and molecules

Номер патента: US20040013914A1. Автор: Judd McManus. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

Complete Addition Method for Fabrication of Fine Pitch Printed Circuit Boards

Номер патента: KR100934106B1. Автор: 김상진,조원진. Владелец: 대덕전자 주식회사. Дата публикации: 2009-12-29.

Method of fabricating reliable laminate flip-chip assembly

Номер патента: US20030077852A1. Автор: Raj Master,Diong-Hing Ding,Edward Alcid. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-04-24.

Method for assembling a metal part with a composite part and corresponding assembly of parts

Номер патента: US12060907B2. Автор: Thomas Meyer,Jérémy Cailleteau. Владелец: Safran Seats SA. Дата публикации: 2024-08-13.

Wireless device and method for low power and low data rate operation

Номер патента: US09537699B2. Автор: Thomas J. Kenney,Eldad Perahia. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Systems and methods for authentication using low quality and high quality authentication information

Номер патента: US09519761B2. Автор: Bjorn Markus Jakobsson. Владелец: PayPal Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Apparatus and method for low voltage reference and oscillator

Номер патента: US09436205B2. Автор: Guillaume De Cremoux. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method and apparatus for low power sensing for sidelink in wireless communication systems

Номер патента: EP4285665A1. Автор: Emad Nader FARAG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-06.

Method and apparatus for low power sensing for sidelink in wireless communication systems

Номер патента: US12096408B2. Автор: Emad N. Farag. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Low complexity receiver and method for low density signature modulation

Номер патента: US09614576B2. Автор: Mohammadhadi Baligh,Hosein Nikopour,Alireza Bayesteh. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Systems and methods for low power consumption in wireless communication systems

Номер патента: US09462555B2. Автор: Maruti Gupta,Puneet K. Jain,Ali T. Koc,Varun N. Rao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Offset calibration for low power and high performance receiver

Номер патента: US09385695B2. Автор: Kenneth Luis Arcudia,Minhan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Systems and methods for low-complexity max-log mimo detection

Номер патента: US20080260075A1. Автор: Anuj Batra,Deric W. Waters. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Network Access Method for Low Power Terminal, and Apparatus

Номер патента: US20190254075A1. Автор: Bin Liu,Nathan Edward Tenny,Yu Cai,Da Wang,Yongbo ZENG,Yanliang SUN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Advertising method and terminal for low-power bluetooth devices

Номер патента: US11743702B1. Автор: JUN TANG,Yongru Gu,Russell Mohn,Qun Wu. Владелец: Inplay Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Interactive content rendering application for low-bandwidth communication environments

Номер патента: US09773261B2. Автор: Raghava Viswa Mani Kiran Peddinti,Lakshmi Kumar Dabbiru. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-09-26.

Method and apparatus for low latency turbo code encoding

Номер патента: US20090313522A1. Автор: Brian S. Edmonston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-17.

Adaptive satellite-aiming method for low-orbit mobile satellite communication network

Номер патента: US11764864B2. Автор: Qin Chen,Zhiwei Xu,Chunyi Song,Yuying Xu. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2023-09-19.

Demonstration devices and methods for enhancement for low vision users and systems improvements

Номер патента: US11756168B2. Автор: Brian Kim,Jay E. Cormier,David Watola. Владелец: Eyedaptic Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method and system of error injection for low-density parity-check

Номер патента: US20240120946A1. Автор: Wen Luo,Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Inter-cell interference handling for low power wake-up signal

Номер патента: WO2024172916A1. Автор: Yi Wang,DEBDEEP CHATTERJEE,Gang Xiong,Yingyang Li,Daewon Lee,Toufiqul Islam. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2024-08-22.

Systems and methods for low power excitation in high power wireless power systems

Номер патента: US12100969B2. Автор: Milisav Danilovic,Kylee Devro Sealy,Bryan ESTEBAN. Владелец: WiTricity Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Method and apparatus for low-power scanning in WLAN system

Номер патента: US09980227B2. Автор: Yongho Seok. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-05-22.

Wi-Fi scan scheduling and power adaptation for low-power indoor location

Номер патента: US09877158B2. Автор: Lei Yang,XUE Yang,Hongtao Xu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method and apparatus for low-power scanning in WLAN system

Номер патента: US09485716B2. Автор: Yongho Seok. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-11-01.

Method and apparatus for low delay access to key-value based storage systems using FEC techniques

Номер патента: US09426517B2. Автор: Ulas C. Kozat. Владелец: NTT DOCOMO INC. Дата публикации: 2016-08-23.

Systems and methods for improved range and performance for low power radios

Номер патента: US20240107426A1. Автор: Lei Li,Siegfried Lehmann,Camille Chen,Yuelin Ma. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Systems and Methods for Low Power RF Data Reception

Номер патента: US20170135044A1. Автор: Kinney Chapman Bacon. Владелец: Cox Communications Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Digital quadrature clock for low jitter applications

Номер патента: US20240283630A1. Автор: Rajasekhar Nagulapalli,Narendra M.K. Rao. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

System and method for low latency individual sound zones

Номер патента: US20240214733A1. Автор: Tingli Cai. Владелец: Harman International Industries Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Circuitry and methods for low-latency efficient chained decryption and decompression acceleration

Номер патента: US12118130B2. Автор: Vinodh Gopal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Apparatus and methods for low power sensing of wireless access technologies

Номер патента: US09924465B2. Автор: Parvathanathan Subrahmanya,Dilip Krishnaswamy,Parag M. Kanade. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Systems and methods for low power RF data reception

Номер патента: US09681388B2. Автор: Kinney Chapman Bacon. Владелец: Cox Communications Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

System and method for low-power digital signal processing

Номер патента: US09647687B2. Автор: Curtis Ling,Jining Duan. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Apparatus and methods for paralleling amplifiers

Номер патента: US09608579B2. Автор: Gustavo Castro. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Systems and methods for low complexity forward transforms using mesh-based calculations

Номер патента: US09516345B2. Автор: Yang Yu,Marta Karczewicz,In Suk Chong,Xianglin Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Digital control method for low output dimming of light emitting diode (LED) drivers

Номер патента: US09386647B2. Автор: Gang Yao,Nina Rose SCHEIDEGGER,Anthony Steven WHITE. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-07-05.

Systems and methods for low power, high yield memory

Номер патента: EP2212888A1. Автор: Baker S. Mohammad. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-08-04.

RANDOM ACCESS RESOURCE UNITS (RA-RUs) FOR LOW-LATENCY (LL) TRAFFIC

Номер патента: US20240237037A9. Автор: Hongyuan Zhang,Liwen Chu,Kiseon Ryu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

RANDOM ACCESS RESOURCE UNITS (RA-RUs) FOR LOW-LATENCY (LL) TRAFFIC

Номер патента: US20240137959A1. Автор: Hongyuan Zhang,Liwen Chu,Kiseon Ryu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Systems, apparatus, and methods for gesture-based augmented reality, extended reality

Номер патента: US20240019940A1. Автор: Te-Won Lee,Edwin Chongwoo PARK. Владелец: SoftEye Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for low-power activation scheme of a pedestrian v2x device

Номер патента: US20230266812A1. Автор: Onn Haran. Владелец: Autotalks Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Apparatus and method for low complexity feedback in a mimo wireless network

Номер патента: EP2764635A1. Автор: Ankit Gupta. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-13.

Manufacturing method for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: EP4203000A1. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-28.

Encryption and link bringup for low power devices

Номер патента: WO2018197590A1. Автор: Sigve Tjora,Jorgen TEGDAN. Владелец: Disruptive Technologies Research AS. Дата публикации: 2018-11-01.

Electric motor, method for assembling said motor, and automotive vehicle comprising such a motor

Номер патента: EP4385117A1. Автор: Antoine Testasecca. Владелец: YUYAO ACTUATOR ELECTRIC MOTOR CO Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Encryption and link bringup for low power devices

Номер патента: GB2576845A. Автор: Tjora Sigve,Tegdan Jorgen. Владелец: Disruptive Technologies Research AS. Дата публикации: 2020-03-04.

Encryption and link bringup for low power devices

Номер патента: WO2018197590A9. Автор: Sigve Tjora,Jorgen TEGDAN. Владелец: Disruptive Technologies Research AS. Дата публикации: 2019-03-14.

Systems and methods for low complexity soft data computation for pulse position modulations

Номер патента: EP4181437A1. Автор: L. Carl Christensen,Ihab Francis. Владелец: L3Harris Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Apparatuses and methods for low power counting circuits

Номер патента: US20160226495A1. Автор: Hiroki Fujisawa. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-08-04.

Novel superconducting articles, and methods for forming and using same

Номер патента: EP1769542A2. Автор: Venkat Selvamanickam,Allan Robert Knoll,Chandra Reis. Владелец: Superpower Inc. Дата публикации: 2007-04-04.

Novel superconducting articles, and methods for forming and using same

Номер патента: WO2005089095A2. Автор: Venkat Selvamanickam,Allan Robert Knoll,Chandra Reis. Владелец: SUPERPOWER, INC.. Дата публикации: 2005-09-29.

Systems and methods for low power, high yield memory

Номер патента: WO2009062072A1. Автор: Baker S. Mohammad. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2009-05-14.

Systems and methods for efficient low density parity check (ldpc) decoding

Номер патента: US20140026015A1. Автор: Melanie J. Sandberg,Matthew M. Viens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

System and method for managing cdma communication system capacity using power-based metrics

Номер патента: WO2006071340A3. Автор: Daniel R Tayloe,Chih-Ming J Chiang,Mark H Kaya. Владелец: Mark H Kaya. Дата публикации: 2006-09-14.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020045305A1. Автор: Ki Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

H.264 decoding method for fast CAVLC

Номер патента: US7539346B2. Автор: Hae Yong Kang. Владелец: C&S Technology Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-26.

Method for low-power activation scheme of a pedestrian V2X device

Номер патента: US12079058B2. Автор: Onn Haran. Владелец: Autotalks Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Sample analyzer, and control method for sample analyzer

Номер патента: EP4365577A1. Автор: Qi Yu,Yong Dai,Yueping CHEN. Владелец: Shenzhen Mindray Bio Medical Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Methods for genome assembly and haplotype phasing

Номер патента: CA3209385A1. Автор: Liana F. Lareau,Richard E. Green, Jr. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2014-08-07.

Epitaxy reactor and method for operating the same

Номер патента: WO2024170078A1. Автор: Petrus Sundgren. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-08-22.

Apparatus and method for non-destructive, low stress removal of soldered electronic components

Номер патента: CA2259043A1. Автор: Christian Bergeron,Raymond Lord,Mario Racicot. Владелец: IBM Canada Ltd. Дата публикации: 2000-07-18.

Methods for genome assembly and haplotype phasing

Номер патента: CA2899020C. Автор: Richard E. Green, Jr.,Liana F. Lareau. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-10-03.

METHOD FOR DISSOLVING NUCLEAR FUELS IN THE FORM OF MILLED FUEL-FUEL ASSEMBLIES OF ATOMIC REACTORS AND DEVICE FOR ITS IMPLEMENTATION

Номер патента: RU2007146955A. Автор: Александр Николаевич Гусев,Геннадий Семенович Кармацкий,Пётр Яковлевич Фадеев,Юрий Васильевич Глаголенко,Валерий Фридрихович Горн,Вячеслав Лазаревич Истомин,Владимир Анатольевич Рыжаков,Сергей Алексеевич Самохотов,Петр Ильич Курдюков,Александр Сергеевич Скобцов,Евгений Геннадьевич Тихонов,Пётр Яковлевич Фадеев (RU),Геннадий Семенович Кармацкий (RU),Юрий Васильевич Глаголенко (RU),Валерий Фридрихович Горн (RU),Александр Николаевич Гусев (RU),Вячеслав Лазаревич Истомин (RU),Владимир Анатольевич Рыжаков (RU),Сергей Алексеевич Самохотов (RU),Петр Ильич Курдюков (RU),Александр Сергеевич Скобцов (RU),Евгений Геннадьевич Тихонов (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Производственное объединение "Маяк" (RU). Дата публикации: 2009-06-10.

METHOD FOR ASSEMBLING A METAL PART WITH A COMPOSITE PART AND CORRESPONDING ASSEMBLY OF PARTS

Номер патента: US20200309176A1. Автор: Cailleteau Jeremy,Meyer Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

Flip chip assembly method employing post-contact differential heating

Номер патента: US8381966B2. Автор: Eric D. Perfecto,Jae-Woong Nah,Rajneesh Kumar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-26.

System and method for low-stress optical lens using a 3d-print correction technique

Номер патента: US20230271392A1. Автор: Kurt JENKINS,Sandro Pintz. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Methods and systems for low power/low cost hematocrit measurement for blood glucose meter

Номер патента: EP3806733A1. Автор: Brent E. Modzelewski,Steven V. Leone. Владелец: Trividia Health Inc. Дата публикации: 2021-04-21.

Device for low-bacterial fluid supply

Номер патента: RU2543288C2. Автор: АРНИТЦ Тео,ЛАММЕЛЬ Михаэль,ФОККЕ Тобиас. Владелец: Ф.Хоффманн-Ля Рош Аг. Дата публикации: 2015-02-27.

Systems and methods for low power common electrode voltage generation for displays

Номер патента: US12087248B2. Автор: Stewart S. Taylor. Владелец: Snap Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

System and method for low signal knife edge wavefront sensing in an adaptive optical system

Номер патента: US09482575B1. Автор: Jeffrey D Barchers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for low-temperature transformation of domestic waste

Номер патента: AU2022425653A1. Автор: Mikhail Aleksandrovich Meshchaninov,Dmitrii Yanovich Agasarov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-13.

Plant and method for low-temperature air separation

Номер патента: US20240377129A1. Автор: Stefan Lochner. Владелец: Linde GmbH. Дата публикации: 2024-11-14.

Multi-scale distillation for low-resolution detection

Номер патента: US12136185B2. Автор: Zhe Lin,Jiuxiang Gu,Jason Kuen. Владелец: Adobe Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Device and method for assembling tires for vehicle wheels

Номер патента: RU2697336C2. Автор: Серджо САККИ. Владелец: ПИРЕЛЛИ ТАЙР С.П.А.. Дата публикации: 2019-08-13.

Method for virus replication in avian embryo stem cells

Номер патента: RU2457253C2. Автор: Маджид МЕХТАЛИ,Патрик ШАМПЬОН-АРНО,Арно ЛЕОН. Владелец: Вивалис. Дата публикации: 2012-07-27.

Method for low frequency somatic cell mutation identification and quantification

Номер патента: US12077814B2. Автор: Yue Huang,Liping Wei,Boxun ZHAO,Qixi WU,Yongxin YE,Xianing ZHENG. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-03.

Transportation method for a semiconductor device and transportation route selection method for a semiconductor device

Номер патента: US20010053617A1. Автор: Hiroo Shoji. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Method for modeling semiconductor device and network

Номер патента: US6981236B2. Автор: Hirokazu Hayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-27.

Device and method for continuous low-temperature pyrolysis

Номер патента: US20240301295A1. Автор: Mi Young Lee,Hyun Soo ANH. Владелец: Entop Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for low-temperature preparation of graphene and of graphene-based composite material

Номер патента: US09580324B2. Автор: Xianbo Jin,Yanzhong Hong. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for production of a dairy product with reduced plasmin activity

Номер патента: RU2703403C2. Автор: Харри КАЛЛИОЙНЕН,Саара ЛЯХТЕВЯНОЯ. Владелец: Валио Лтд. Дата публикации: 2019-10-16.

Method for producing catalyst and catalytic product

Номер патента: RU2751774C2. Автор: Юрген БАУЭР. Владелец: Джонсон Мэтти Паблик Лимитед Компани. Дата публикации: 2021-07-16.

Method for production of protein substances

Номер патента: RU2250264C2. Автор: Ральф РЕСКИ,Гильберт ГОРР. Владелец: Гриновейшн Байотек Гмбх. Дата публикации: 2005-04-20.

Method for testing the biological activity of aerosol preparations

Номер патента: RU2750933C1. Автор: Олег Петрович Жирнов. Владелец: Олег Петрович Жирнов. Дата публикации: 2021-07-06.

Methods for obtaining cytocapsules and cytocapsular tubes

Номер патента: RU2758487C2. Автор: Тинфан И,Герхард ВАГНЕР. Владелец: Селлмиг Биолабс Инк.. Дата публикации: 2021-10-28.

Apparatus and method for locating partial discharges in medium-voltage and high-voltage equipment

Номер патента: US12025647B2. Автор: Christoph ENGELEN,Fabian Öttl. Владелец: OMICRON Electronics GmbH. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for analyzing flow regime alterations from reservoir inflow to reservoir outflow

Номер патента: US20220398514A1. Автор: Zexin Chen,Tongtiegang ZHAO. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-12-15.

Methods and compositions for low-carbon concrete production using carbon dioxide and solid waste streams

Номер патента: US20240294434A1. Автор: Iman Mehdipour. Владелец: Carbonbuilt. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for manufacturing stainless steel sintered mesh

Номер патента: US20230392222A1. Автор: Norio Saito,Shuichi Hiratsuka. Владелец: NIFCO INC. Дата публикации: 2023-12-07.

Solid-state catalysts for low or moderate temperature leach applications and methods thereof

Номер патента: US20210246526A1. Автор: David J. Chaiko. Владелец: FLSmidth AS. Дата публикации: 2021-08-12.

Methods and compositions for low-carbon concrete production using carbon dioxide and solid waste streams

Номер патента: EP4433435A1. Автор: Iman Mehdipour. Владелец: Carbonbuilt. Дата публикации: 2024-09-25.

Solid-state catalysts for low or moderate temperature leach applications and methods thereof

Номер патента: CA3111166A1. Автор: David J. Chaiko. Владелец: FLSmidth AS. Дата публикации: 2020-03-05.

Solid-state catalysts for low or moderate temperature leach applications and methods thereof

Номер патента: FI20215346A1. Автор: David J Chaiko. Владелец: Smidth As F L. Дата публикации: 2021-03-26.

Solid-state catalysts for low or moderate temperature leach applications and methods thereof

Номер патента: WO2020044241A1. Автор: David J. Chaiko. Владелец: FLSMIDTH A/S. Дата публикации: 2020-03-05.

Systems and methods for low voltage secure digital (SD) interfaces

Номер патента: US09899105B2. Автор: Nir Gerber. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Storage and transportation method for low level radioactive mixed wastes

Номер патента: US09679669B2. Автор: Michael Sanchez,Michael Schilling,Troy Town,William Smart. Владелец: Pactec Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Storage and transportation method for low level radioactive mixed wastes

Номер патента: US09478322B1. Автор: Michael Sanchez,Michael Schilling,Troy Town,William Smart. Владелец: Pactec Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Sealing membrane and method for assembly of sealing membrane

Номер патента: RU2767850C2. Автор: Марк Бойо,Эдуард ДЮКЛУА. Владелец: Газтранспорт Эт Технигаз. Дата публикации: 2022-03-22.

Fibre stock for circular sector of turbine and method for its manufacturing

Номер патента: RU2553907C2. Автор: Гийом Жан-Клод Робер РЕНОН. Владелец: Эракль. Дата публикации: 2015-06-20.

Method for powering the system and its computer system

Номер патента: RU2690750C1. Автор: Вэй-Чэн ВАН,Чиа-Чэн ЧАН. Владелец: Гига-Байт Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-06-05.

Method for dissollution of nuclear fuel in form of ground fuel assemblies of nuclear reactors and device for its realisation

Номер патента: RU2371791C2. Автор: Александр Николаевич Гусев,Геннадий Семенович Кармацкий,Пётр Яковлевич Фадеев,Юрий Васильевич Глаголенко,Валерий Фридрихович Горн,Вячеслав Лазаревич Истомин,Владимир Анатольевич Рыжаков,Сергей Алексеевич Самохотов,Петр Ильич Курдюков,Александр Сергеевич Скобцов,Евгений Геннадьевич Тихонов,Пётр Яковлевич Фадеев (RU),Геннадий Семенович Кармацкий (RU),Юрий Васильевич Глаголенко (RU),Валерий Фридрихович Горн (RU),Александр Николаевич Гусев (RU),Вячеслав Лазаревич Истомин (RU),Владимир Анатольевич Рыжаков (RU),Сергей Алексеевич Самохотов (RU),Петр Ильич Курдюков (RU),Александр Сергеевич Скобцов (RU),Евгений Геннадьевич Тихонов (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Производственное объединение "Маяк". Дата публикации: 2009-10-27.

Winch assembly for assistance in movement of tracked vehicle and method for controlling it

Номер патента: RU2771072C2. Автор: Альберто ПАОЛЕТТИ. Владелец: ПРИНОТ С.п.А.. Дата публикации: 2022-04-26.

Method for obtaining smart card antenna on thermoplastic base, and smart card obtained

Номер патента: RU2337400C2. Автор: Пьер БЕНАТО. Владелец: Аск С.А.. Дата публикации: 2008-10-27.

Apparatus and method for low-temperature aging using slurry ice

Номер патента: US20240099318A1. Автор: Jong-Su BYEON. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-28.

Structural element for low heat-bridging attachment of a protruding exterior part to a building envelope

Номер патента: US20190352895A1. Автор: Hubert Fritschi. Владелец: Schoeck Bauteile GmbH. Дата публикации: 2019-11-21.

Method for furnishing candles with a substantially match-like system for ignition thereof, applicable for industrial use

Номер патента: WO2013052016A2. Автор: Robert HROVAL. Владелец: Hroval Robert. Дата публикации: 2013-04-11.

Methods for managing distributed snapshot for low latency storage and devices thereof

Номер патента: EP3659045A1. Автор: Rodney A. DeKoning,Tim Emami. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2020-06-03.

Composite braze liner for low temperature brazing and high strength materials

Номер патента: US20200368852A1. Автор: Marvin Goins,Baolute Ren,Michael P. DANZ. Владелец: Arconic Technologies LLC. Дата публикации: 2020-11-26.

Method for determining a cooling structure

Номер патента: WO2024069484A1. Автор: Remco Van Erp,Miguel Angel Salazar De Troya,Athanasios Boutsikakis. Владелец: Corintis Sa. Дата публикации: 2024-04-04.

Systems and methods for low-power, real-time object detection

Номер патента: US11741568B2. Автор: LE Kang,Yingze Bao,Xuejun Wang,Kuipeng WANG,Haofeng Kou. Владелец: Baidu com Times Technology Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Method and device for low energy purification of water

Номер патента: WO2012011821A1. Автор: Tore Skjetne,Sten-Roger Karlsen,Bjørn Arstad. Владелец: EcoWat AS. Дата публикации: 2012-01-26.

Pixel shader bypass for low power graphics rendering

Номер патента: US20140267318A1. Автор: Justin Cobb,Rui M. Bastos,Christian Rouet,Eric B. Lum. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Systems and methods for analyzing lower body movement to recommend footwear

Номер патента: US20240273601A1. Автор: Pete Humphrey,Andre Kriwet,Eric Rohr,Carson Caprara. Владелец: Brooks Sports Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Detection method for low-concentration metal ions in solution

Номер патента: US20240085367A1. Автор: Wen-Yih Chen. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2024-03-14.

Systems and methods for low-cost simulation of quantum algorithms

Номер патента: US20240330737A1. Автор: Marco Pistoia,Yue Sun,Ruslan Shaydulin. Владелец: JPMorgan Chase Bank NA. Дата публикации: 2024-10-03.

Lean NOx trap plus low temperature NOx adsorber system for low temperature NOx trapping

Номер патента: US12129779B2. Автор: Matthew T. Caudle. Владелец: BASF Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Methods for the generation of multispecific and multivalent antibodies

Номер патента: US09926382B2. Автор: Greg Elson,Nicolas Fischer,Giovanni Magistrelli,Franck Gueneau,Ulla Ravn. Владелец: Novimmune SA. Дата публикации: 2018-03-27.

System and method for low latency communication

Номер патента: US09916259B1. Автор: Daniel Rosenband,Grace Nordin. Владелец: Waymo LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Methods for the generation of multispecific and multivalent antibodies

Номер патента: US09834615B2. Автор: Greg Elson,Nicolas Fischer,Giovanni Magistrelli,Franck Gueneau,Ulla Ravn. Владелец: Novimmune SA. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods and systems for assembly of crews for facilitating execution of social game activity

Номер патента: US09757654B2. Автор: Andres Cantor. Владелец: Zynga Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

System and method for low power sampling of plethysmograph signals

Номер патента: US09655533B2. Автор: Jason Harris Karp,Stanislava Soro,SM Shajedul Hasan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-05-23.

Methods for low energy inorganic material synthesis

Номер патента: WO2023212552A3. Автор: Richard E. Riman,Daniel Kopp. Владелец: Rutgers, The State University of New Jersey. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for deterrmining a cooling structure

Номер патента: EP4345679A1. Автор: Remco Van Erp,Miguel Angel Salazar De Troya,Athanasios Boutsikakis. Владелец: Corintis Sa. Дата публикации: 2024-04-03.

Jet ink composition for low surface energy substrates

Номер патента: EP1594932A2. Автор: Linfang Zhu,Arsenia C. Morelos,Godwin Deng. Владелец: Videojet Technologies Inc. Дата публикации: 2005-11-16.

Devices and methods for low-latency analyte quantification enabled by sensing in the dermis

Номер патента: EP4051106A1. Автор: Thomas Arnold Peyser,Joshua Windmiller,Jared TANGNEY. Владелец: Biolinq Inc. Дата публикации: 2022-09-07.

On-wafer burn-in of semiconductor devices using thermal rollover

Номер патента: US20040119486A1. Автор: Charlie WANG,Hong Hou,Wenlin Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Configuration and method for the low-loss writing of an MRAM

Номер патента: US20020021543A1. Автор: Stefan Lammers,Helmut Kandolf,Dietmar Gogl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-21.

Systems and methods for automated segmentation of individual organs in 3D anatomical images

Номер патента: AU2021202716A1. Автор: Peet Kask,Ali BEHROOZ. Владелец: PerkinElmer Health Sciences Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Systems and methods for automated segmentation of individual skeletal bones in 3d anatomical images

Номер патента: EP3329458A1. Автор: Peet Kask,Ali BEHROOZ. Владелец: PerkinElmer Health Sciences Inc. Дата публикации: 2018-06-06.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348989A1. Автор: SHENG Chen,Qiang Chen,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Methods of constructing self-assembly of probes and method of detecting the same

Номер патента: US20030087262A1. Автор: Mitsugu Usui,Chikako Hakii,Mari Mitsuka. Владелец: Sanko Junyaku Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-08.

Semiconductor device test system and method

Номер патента: US20080246505A1. Автор: Carsten Ohlhoff,Markus Kollwitz. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-09.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348990A1. Автор: Qiang Chen,Yanrong Qiu,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

System and method for programming and/or operating an automation system with execution-oriented combination logic

Номер патента: US7231272B2. Автор: Gebhard Herkert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2007-06-12.

A method for predicting a lifetime of a power semiconductor device

Номер патента: EP4417984A1. Автор: Michal Orkisz,Marcin Firla,Erald Pjetri. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-21.

Input sampling circuit and method for processing disc read back signal

Номер патента: US7548504B2. Автор: Kuang-Yu Yen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-06-16.

System and method for operating underground machines

Номер патента: US12084834B2. Автор: Peter John BROUGHTON,Pradeep Kumar P. H.,Joshua Gerrit Bynon. Владелец: Caterpillar Underground Mining Pty Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Apparatus for producing integral finned tubing of fine pitch

Номер патента: AU258066A. Автор: G. Counts Thomas. Владелец: Calumet and Hecla Inc. Дата публикации: 1967-09-14.

Apparatus for producing integral finned tubing of fine pitch

Номер патента: AU412735B2. Автор: G. Counts Thomas. Владелец: Calumet and Hecla Inc. Дата публикации: 1967-09-14.

A kind of fine pitch external thread gauge measuring device

Номер патента: CN208432168U. Автор: 张芳,杜鹏程,王长云,吴学峰,李金鑫. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-01-25.

Apparatus for producing integral finned tubing of fine pitch

Номер патента: CA801332A. Автор: G. Counts Thomas. Владелец: Calumet and Hecla Inc. Дата публикации: 1968-12-17.

A chopper head for enhancing the forming effect of fine pitch wire feeding

Номер патента: GB202308516D0. Автор: . Владелец: Shenzhen Haizhiyi Semiconductor Tools Co ltd. Дата публикации: 2023-07-26.

A chip bonding process for flip-chip assembly

Номер патента: TW200616189A. Автор: Jung-Chi Yang,Shiou-Wen Tsau. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2006-05-16.

FLIP-CHIP ASSEMBLY COMPRISING AN ARRAY OF VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASERS (VCSELSs)

Номер патента: US20120051685A1. Автор: . Владелец: AVAGO TECHNOLOGIES FIBER IP (SINGAPORE) PTE. LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

FLIP CHIP ASSEMBLY AND PROCESS WITH SINTERING MATERIAL ON METAL BUMPS

Номер патента: US20120313239A1. Автор: . Владелец: TESSERA, INC.. Дата публикации: 2012-12-13.

A method to improve high lead solder bump reliability in flip chip assembly application

Номер патента: TW200511546A. Автор: Chang-Bing Lee,Shiow-Mei Jaw. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2005-03-16.

A chip bonding process for flip-chip assembly

Номер патента: TWI304645B. Автор: Jung Chi Yang,Shiou Wen Tsau. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2008-12-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHOD FOR ACCELEROMETER-BASED CHARACTERIZATION OF CARDIAC SYNCHRONY AND DYSSYNCHRONY

Номер патента: US20120004564A1. Автор: Dobak,III John Daniel. Владелец: CARDIOSYNC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR DETERMINING A BREEDING VALUE BASED ON A PLURALITY OF GENETIC MARKERS

Номер патента: US20120004112A1. Автор: Lund Mogens Sandø,Su Guosheng,Guldbrandtsen Bernt. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATED EGG PROTEIN AND EGG LIPID MATERIALS, AND METHODS FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120004399A1. Автор: Mason David. Владелец: Rembrandt Enterprises, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR STIMULATION OF BIOLOGICAL TISSUE

Номер патента: US20120004580A1. Автор: Wagner Timothy Andrew,Eden Uri Tzvi. Владелец: HIGHLAND INSTRUMENTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Remote Control Systems and Methods for Activating Buttons of Digital Electronic Display Devices

Номер патента: US20120001844A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR INDOOR POSITIONING

Номер патента: US20120002702A1. Автор: . Владелец: TENSORCOM INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LOADLOCK DESIGNS AND METHODS FOR USING SAME

Номер патента: US20120003063A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Stretched Thermoplastic Resin for Gluing Metal Parts to Plastics, Glass and Metals, and Method for the Production Thereof

Номер патента: US20120003468A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND APPARATUS FOR LOW COST COEFFICIENT-SUPPRESSION FOR VIDEO COMPRESSION

Номер патента: US20120002729A1. Автор: Osamoto Akira. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GRIPPING DEVICE, TRANSFER DEVICE, PROCESSING DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120004773A1. Автор: . Владелец: SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR ENHANCED PROCESSING CHAMBER CLEANING

Номер патента: US20120000490A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

EXPANSION TOOL AND METHOD FOR COLD EXPANSION OF HOLES

Номер патента: US20120000266A1. Автор: Wölcken Piet,Reese Eggert D.,Jones Timothy G.B.. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SAS. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITE GEAR BLANK AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120000307A1. Автор: Oolderink Rob,Nizzoli Ermanno,Vandenbruaene Hendrik. Владелец: QUADRANT EPP AG. Дата публикации: 2012-01-05.

ACCESSORIES FOR A BICYCLE AND THE LIKE, AND METHOD FOR ACCESSING ARTICLES FROM A MOVING BICYCLE AND THE LIKE

Номер патента: US20120000313A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR DETECTING FAULT IN AN AC MACHINE

Номер патента: US20120001580A1. Автор: Lu Bin,Zhang Pinjia,Habetler Thomas G.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR COMPRESSING DATA AND CONTROLLING DATA COMPRESSION IN BOREHOLE COMMUNICATION

Номер патента: US20120001776A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DETECTING A VIEWING APPARATUS

Номер патента: US20120002025A1. Автор: Bedingfield,SR. James Carlton. Владелец: AT&T Intellectual Property I, L. P.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003139A1. Автор: Kawakami Takahiro,Miwa Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR TREATING OR PREVENTING IL-1BETA RELATED DISEASES

Номер патента: US20120003226A1. Автор: Scannon Patrick J.,Solinger Alan M.,Bauer Robert J.. Владелец: XOMA TECHNOLOGY LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods for the Treatment of Ophthalmic Disease

Номер патента: US20120003275A1. Автор: Donello John E.,Schweighoffer Fabien J.,Rodrigues Gerard A.,McLaughlin Anne P.,Mahé Florence. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD FOR SPARK PLUGS

Номер патента: US20120001532A1. Автор: Kyuno Jiro,Kure Keisuke. Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Assembly and Method for Identifying a Ferrous Material

Номер патента: US20120001638A1. Автор: Hall David R.,Hyer Davido L.,Wahlquist David C.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY DEVICE FOR A VEHICLE AND METHOD FOR PRODUCING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002442A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

PROVIDING A BUFFERLESS TRANSPORT METHOD FOR MULTI-DIMENSIONAL MESH TOPOLOGY

Номер патента: US20120002675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, CAPACITOR, BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120003544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNET ASSEMBLIES AND METHODS FOR TEMPERATURE CONTROL OF THE MAGNET ASSEMBLIES

Номер патента: US20120004109A1. Автор: Huang Xianrui,Zhao Yan,Pan Jun,Wu Anbo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ANASTOMOSIS INSTRUMENT AND METHOD FOR PERFORMING SAME

Номер патента: US20120004678A1. Автор: . Владелец: TYCO HEALTHCARE GROUP LP. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Making Internally Overlapped Conditioners

Номер патента: US20120000045A1. Автор: Anthony William M.,Anthony David,Anthony Anthony. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR THE COOPERATION AMONG BASE STATIONS

Номер патента: US20120002745A1. Автор: Ko Eun Seok,Kim Eun Yong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ASSEMBLY AND METHOD FOR DETECTING AND MEASURING THE FOULING RATEOF FLOW HOLES IN A SECONDARY CIRCUIT OF A PRESSURIZED WATER NUCLEAR REACTOR

Номер патента: US20120002775A1. Автор: . Владелец: AREVA NP. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Reinforcing a Tubular Beam with a Sleeve

Номер патента: US20120003038A1. Автор: Yustick Robert Franklin,Mushisky Richard Kip,Davies Gregg John. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus, System, and Method for Performing an Electrosurgical Procedure

Номер патента: US20120004658A1. Автор: Chojin Edward M.. Владелец: TYCO HEALTHCARE GROUP LP. Дата публикации: 2012-01-05.

ASSEMBLY AND METHOD FOR IMPROVED SINGULATION

Номер патента: US20120000337A1. Автор: Zhang Jing,Shen Xue Fang. Владелец: Rokko Technology Pte Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for combined development of deposits

Номер патента: RU2117155C1. Автор: П.Н. Васильев. Владелец: Институт горного дела Севера СО РАН. Дата публикации: 1998-08-10.

Method for support manufacture

Номер патента: RU2158332C1. Автор: И.М. Шаферман,Э.М. Гитман,В.Г. Барбин. Владелец: Барбин Владимир Георгиевич. Дата публикации: 2000-10-27.