Method for forming a V-shaped gate electrode in a semiconductor device, and the structure of the electrode
Номер патента: KR100239994B1
Опубликовано: 15-01-2000
Автор(ы): 고지 몬덴, 야스시 요코이, 히데히코 사사키
Принадлежит: 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼, 무라타 야스타카
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 15-01-2000
Автор(ы): 고지 몬덴, 야스시 요코이, 히데히코 사사키
Принадлежит: 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼, 무라타 야스타카
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of manufacturing a semiconductor device
Номер патента: US09799667B2. Автор: Keisuke Tsukamoto,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.