Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20170278756A1
Опубликовано: 28-09-2017
Автор(ы): An-Lun LO, Chrong-Jung Lin, Tzong-Sheng Chang, Wei-Shuo HO, Ya-Chin King
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for forming fin field effect transistor device structure

Номер патента: US20230369121A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: US20240290846A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods for manufacturing a trench type semiconductor device having a thermally sensitive refill material

Номер патента: WO2008131379A1. Автор: Takeshi Ishiguro. Владелец: Icemost Technology Corporation. Дата публикации: 2008-10-30.

Method for forming multi-gate semiconductor device

Номер патента: US11824088B2. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Shih-Syuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP2562794A4. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-12-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: GB201122185D0. Автор: . Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-02-01.

Integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20240282864A1. Автор: Jinwook Yang,Sungil Park,Jaehyun Park,Daewon HA,Dongkyu LEE,Kyuman HWANG,Cheoljin YUN,Jinchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for Forming a Power Semiconductor Device and a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20170345892A1. Автор: Weis Rolf,Lemke Marko,Rudolf Ralf,Stahrenberg Knut. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: EP4401119A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing the insulated gate semiconductor device

Номер патента: US20170025516A1. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Tomoyuki Shoji,Tomoharu IKEDA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Method for eliminating divot formation and semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US20230275131A1. Автор: Tsung-Hua Yang,Yu-Wen Tseng,Tsung-Yu Yang,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240072171A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11848383B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150200152A1. Автор: Sung-Dong Cho,Sin-Woo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-16.

Methods for manufacturing a trench type semiconductor device having a thermally sensitive refill material

Номер патента: TW200901325A. Автор: Takeshi Ishiguro. Владелец: Icemos Technology Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

METHOD FOR FORMING MULTI-GATE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220085162A1. Автор: Chen Tzu-Chiang,CHIANG Hung-Li,CHEN I-Sheng,CHENG Chao-Ching,Huang Shih-Syuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170053921A1. Автор: Soo-Yeon Jeong,Tae-Jong Lee,Dong-gu Yi,Jae-Po Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-23.

Method for producing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20240206146A1. Автор: Kenichi Kanazawa,Yisuo Li. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for producing a pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20170236920A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Method for forming inductor of semiconductor device

Номер патента: US20050112838A1. Автор: Hyung Kim,Young Kang. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2005-05-26.

DEVICE ARCHITECTURE AND METHOD FOR PRECISION ENHANCEMENT OF VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170179024A1. Автор: III Thomas E.,Harrington. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-06-22.

Methods for fabricating electrically-isolated finfet semiconductor devices

Номер патента: US20140213033A1. Автор: David P. Brunco,Witold Maszara. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Method for simultaneous modification of multiple semiconductor device features

Номер патента: US10217704B1. Автор: Jeffry J. Sniegowski,Randy J. Shul,Kurt W. Larson,William A. Zortman. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2019-02-26.

Method for interconnecting layers in a semiconductor device using two etching gases

Номер патента: US5234864A. Автор: Chang-lyong Song,Jin-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-08-10.

Method for filling polysilicon gate in semiconductor devices, and semiconductor devices

Номер патента: US20150357340A1. Автор: Chun-Min Cheng,Jung-Yi Guo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Method for producing semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: EP4086941A1. Автор: Katsunori Azuma,Tomohisa Hirayama. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-11-09.

Method for producing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20190157166A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230326965A1. Автор: Fei Zhao,Huaxiang Yin,Jun Luo,Yongliang Li,Wenwu Wang,Xiaohong Cheng,Anlan Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-10-12.

Power semiconductor devices and a method for forming a power semiconductor device

Номер патента: US10497694B2. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-03.

Power Semiconductor Devices and a Method for Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20180315744A1. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20110318904A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Matthias Stecher,Thomas Neidhart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-12-29.

Methods and apparatus for forming horizontal gate all around device structures

Номер патента: KR20170073644A. Автор: 빙시 선 우드,이환 김,시유 선,나오미 요시다,아담 브랜드,린 동,치-눙 니. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2017-06-28.

Manufacturing method of high-voltage semiconductor device with increased breakdown voltage

Номер патента: US11769794B2. Автор: Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing the insulated gate semiconductor device

Номер патента: US20170025516A1. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Tomoyuki Shoji,Tomoharu IKEDA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Method for manufacturing insulated gate-type semiconductor device, and insulated gate-type semiconductor device

Номер патента: WO2015098167A1. Автор: 渡辺　行彦,順 斎藤,広和 藤原,敏雅 山本,知治 池田. Владелец: 知治 池田. Дата публикации: 2015-07-02.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing the insulated gate semiconductor device

Номер патента: US9755042B2. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Tomoyuki Shoji,Tomoharu IKEDA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor Device Having an Insulated Gate Bipolar Transistor Arrangement and a Method for Forming Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20150303190A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-10-22.

METHOD FOR PRODUCING LOW-k FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20100289143A1. Автор: Takamaro Kikkawa,Yoshinori Cho. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 2010-11-18.

Method for filling recessed features in semiconductor devices with a low-resistivity metal

Номер патента: US11024535B2. Автор: Robert Clark,Gerrit Leusink,Kandabara Tapily,David O'Meara,Cory Wajda,Kai-Hung YU,Nicholas Joy,Gyanaranjan Pattanaik,Takahiro Hakamata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-06-01.

Semiconductor chip, method for manufacturing semiconductor chip, and semiconductor device

Номер патента: US20140183704A1. Автор: Akira Ide,Koji Torii. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Method for forming fin field effect transistor device structure

Номер патента: US20210313443A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chien-Wei Lee,Hsueh-Chang Sung,Yen-Ru LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Method for forming silicide of semiconductor device

Номер патента: US8105910B2. Автор: Hee-Jae Shin. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-01-31.

Method for Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20140235058A1. Автор: Rudolf Berger,Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Klemens Pruegl,Wolfgang Lehnert,Franz Hirler,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-21.

Method for doping a fin-based semiconductor device

Номер патента: US7612420B2. Автор: Damien Lenoble. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2009-11-03.

Method for forming silicide of semiconductor device

Номер патента: US20100072521A1. Автор: Hee-Jae Shin. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-03-25.

Method for producing a trench-gate semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2023194244A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Marco Bellini. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-10-12.

Methods for making radio frequency (rf) semiconductor devices including a ground plane layer having a superlattice

Номер патента: US20230352299A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for manufacturing contact plugs for semiconductor devices

Номер патента: US20150170966A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Methods for making radio frequency (RF) semiconductor devices including a ground plane layer having a superlattice

Номер патента: US12014923B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Manufacturing methods for laterally diffused metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US20130137224A1. Автор: Ronghua Zhu,Vishnu K. Khemka,Bernhard H. Grote,Tahir A. Khan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor device with a charge carrier compensation structure and method for the production of a semiconductor device

Номер патента: US20140231969A1. Автор: Anton Mauder,Holger Kapels,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Michael Rueb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-21.

SOI-type semiconductor device, and production method for manufacturing such SOI-type semiconductor device

Номер патента: US20050250259A1. Автор: Takayuki Suzuki,Akihito Sakakidani. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-11-10.

Method for fabricating a thin film semiconductor device

Номер патента: US5637512A. Автор: Mitsutoshi Miyasaka,Thomas W. Little. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1997-06-10.

Method for forming inductor of semiconductor device

Номер патента: KR101044389B1. Автор: 양준석. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-06-29.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US6096607A. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

Method for forming wiring on semiconductor device

Номер патента: US20230352341A1. Автор: Hiroshi Komatsu. Владелец: Connectec Japan Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for via formation in a semiconductor device

Номер патента: US20120302062A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Chih Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Method for forming patterns for semiconductor device

Номер патента: US20170069529A1. Автор: Home-Been Cheng,Tzu-Hao Fu,Tsung-Yin HSIEH,Ci-Dong Chu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Method for forming interconnection of semiconductor device

Номер патента: US5801099A. Автор: Nae Hak Park,Yong Kwon Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-01.

Method for forming conductive pattern, semiconductor device using the same and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20100019303A1. Автор: Jeong-Kyu KANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-01-28.

Method for forming metallization in semiconductor devices with a self-planarizing material

Номер патента: US5854126A. Автор: Dirk Tobben,Bruno Spuler,Peter Weigand,Martin Gutsche. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-12-29.

Process for forming electrodes for semiconductor devices using focused ion beams

Номер патента: US4853341A. Автор: Hiroshi Koyama,Hiroaki Morimoto,Tadashi Nishioka,Yoji Mashiko. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-08-01.

Process for forming interconnection of semiconductor device and sputtering system therefor

Номер патента: US6093654A. Автор: Kazuhide Koyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-07-25.

Method for fabricating conductive feature and semiconductor device

Номер патента: US11842925B2. Автор: Yu-Chang Chang,Che-Hsien LIAO. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Method for fabricating air gap for semiconductor device

Номер патента: US7803713B2. Автор: Hsueh-Chung Chen,Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-09-28.

Device and method for temperature monitoring of a semiconductor device

Номер патента: US20210116308A1. Автор: Yung-Chow Peng,Po-Zeng Kang,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Method for forming integrated semiconductor device with 2D material layer

Номер патента: US11935890B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Cheng-Yi Peng,Carlos H. Diaz,Ling-Yen Yeh,Meng-Hsuan Hsiao,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Methods for forming contacts in semiconductor devices having local silicide regions and semiconductor devices formed thereby

Номер патента: US20040245635A1. Автор: Sang-Woo Lee,Gil-heyun Choi,Kyung-In Choi,Jong-Myeong Lee,Hee-sook Park,Jung-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-09.

A method for forming of a semiconductor device

Номер патента: KR100557577B1. Автор: 최세경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-03-03.

Method for forming pattern of semiconductor device

Номер патента: KR102370284B1. Автор: 강춘수. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2022-03-07.

High voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090114990A1. Автор: Jeong-ho Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-05-07.

Method for producing a pillar-shaped semiconductor memory device

Номер патента: US20190123053A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and the method for lowering kink effect in semiconductor device

Номер патента: CN110504268A. Автор: 才永轩,刘珀玮,黄文铎,邱捷飞,许祐凌,施宏霖,杨世匡. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-26.

Method for forming inductor in semiconductor device

Номер патента: US20050037589A1. Автор: Young Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-02-17.

Super-junction structure and method for manufacturing the same and semiconductor device thereof

Номер патента: US20180158900A1. Автор: He Sun,Zhongping Liao. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Method for fabricating isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20040203225A1. Автор: Seung Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Method for production of thin-film semiconductor device

Номер патента: US20090191672A1. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Method for forming wells of semiconductor device

Номер патента: US5981327A. Автор: Jin-Ho Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-09.

Method for manufacturing a field-effect semiconductor device following a replacement gate process

Номер патента: EP2608264A1. Автор: Liesbeth Witters,Geert Hellings,Jerome Mitard. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2013-06-26.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: EP3876267A1. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2021-09-08.

Semiconductor device having a graphene film and method for fabricating thereof

Номер патента: US12014988B2. Автор: Jang Eun Lee,Hyun bae Lee,Wan Don KIM,Min Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

For the method for the fin for forming metal oxide semiconductor device structure

Номер патента: CN104011841B. Автор: T·加尼,M·D·贾尔斯. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-26.

METHOD FOR FORMING PATTERN OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED USING THE SAME

Номер патента: US20160086841A1. Автор: Song Seunghyun,Maeda Shigenobu,Kim Sangsu,LEE Keunho,Kwon Uihui,Lee Wonsok,Bhuwalka Krishna,NOH Hyeon Kyun,KWON TaeYong. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Method for creating electrical pathways for semiconductor device structures using laser machining processes

Номер патента: US7364985B2. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-04-29.

Method for forming contact of semiconductor device

Номер патента: KR100920000B1. Автор: 이준현,류혁현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2009-10-05.

Method for forming isolation in semiconductor device

Номер патента: KR100826779B1. Автор: 현찬순. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-04-30.

Method for forming e.g. semiconductor devices, involves realizing electric path continuously extending through metallization layers and silicon on insulator substrate between treated semiconductor structures

Номер патента: FR2973943A1. Автор: Mariam Sadaka. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2012-10-12.

Method for Forming Transistor of Semiconductor Device

Номер патента: KR100905194B1. Автор: 김승완,조영만. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-06-26.

Method for forming isolation of semiconductor device

Номер патента: KR100649836B1. Автор: 임성혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-27.

Method for forming mim in semiconductor device

Номер патента: KR100831258B1. Автор: 이용근. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-05-22.

METHODS AND APPARATUS FOR FORMING HORIZONTAL GATE ALL AROUND DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20160111495A1. Автор: Kim Yihwan,Sun Shiyu,Wood Bingxi Sun,Yoshida Naomi,Brand Adam,DONG Lin,NI CHI-NUNG. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20220005945A1. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2022-01-06.

Formation of stacked nanosheet semiconductor devices

Номер патента: US20200144122A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Capacitor and method for fabricating the same, and semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20120302033A1. Автор: Makoto Yasuda,Yoshihiro Matsuoka,Akiyoshi Watanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Capacitor and method for fabricationg the same, and semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110037110A1. Автор: Makoto Yasuda,Yoshihiro Matsuoka,Akiyoshi Watanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

Method for manufacturing air gap-containing semiconductor device and semiconductor device obtained

Номер патента: JP2005522049A. Автор: タウンセンド，ポール，エイチ．，３世,フォレスター，ケネス，エル．. Владелец: ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド. Дата публикации: 2005-07-21.

DEVICE ARCHITECTURE AND METHOD FOR PRECISION ENHANCEMENT OF VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150340318A1. Автор: III Thomas E.,Harrington. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2015-11-26.

Methods for normalizing strain in a semiconductor device

Номер патента: SG155836A1. Автор: Tan Chung Foong,TEO Lee Wee,Quek Kiok Boone Elgin,Alain Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-10-29.

Two-dimensional semiconductor device, optoelectronic unit and method for making the two-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200312965A1. Автор: Chun-An Chen,Yi-Hsien Lee,xin-quan Zhang,Ying-Yu Lai,I-tung Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2020-10-01.

Group III nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group III nitride semiconductor device

Номер патента: US9379523B2. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Method for integrating replacement gate in semiconductor device

Номер патента: US20130005097A1. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-03.

Superjunction power semiconductor device and method for manufacturing a superjunction power semiconductor device

Номер патента: WO2024099537A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for the production of a semiconductor device by implanting fluorocarbon ions

Номер патента: US5158897A. Автор: Hiroya Sato,Toshiaki Kinosada,Yasuhito Nakagawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-10-27.

Method for producing field effect type semiconductor device

Номер патента: US4578343A. Автор: Noriaki Nakayama,Sumio Yamamoto,Yoshimi Yamashita,Kinjiro Kosemura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-03-25.

Method for producing an sgt-including semiconductor device

Номер патента: US20170040329A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Method for producing an sgt-including semiconductor device

Номер патента: US20150325444A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Method for producing an sgt-including semiconductor device

Номер патента: US20170301679A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Two-dimensional semiconductor device, optoelectronic unit and method for making the two-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11183568B2. Автор: Chun-An Chen,Yi-Hsien Lee,xin-quan Zhang,Ying-Yu Lai,I-tung Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2021-11-23.

Ion implantation mask and method for manufacturing same, silicon carbide semiconductor device using ion implantation mask, and method for manufacturing same

Номер патента: US20070032002A1. Автор: Yusuke Fukuda,Masaaki Shimizu,Koichi Nishikawa,Hideki Hashimoto,Seiichi Yokoyama,Ken-ichi Nonaka,Hiroaki Iwakuro. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

System and method for addressing junction capacitances in semiconductor devices

Номер патента: US20030082894A1. Автор: Zhiqiang Wu,Kaiping Liu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-05-01.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: EP2223341A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2010-09-01.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: WO2009077583A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor Device Having an Insulated Gate Bipolar Transistor Arrangement and a Method for Forming Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20150303190A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Laven Johannes Georg,Baburske Roman. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Fuse box and method for fabricating the same and method for repairing the same in semiconductor device

Номер патента: US20090039463A1. Автор: Jeong-Kyu KANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Method for manufacture of semiconductor device

Номер патента: US5013677A. Автор: Hiroki Hozumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1991-05-07.

Top-gate type tft and process for forming thereof, and semiconductor device comprising thereof

Номер патента: KR100462508B1. Автор: 앤드리폴에스.,리브스치프랭크알.,쯔지무라다까또시. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2004-12-17.

Method for forming a DRAM semiconductor device with a sense amplifier

Номер патента: US20070148850A1. Автор: Dong Chul Koo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Method for forming fins of semiconductor device

Номер патента: US11373911B2. Автор: YONG Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-06-28.

Method For Forming Fins of Semiconductor Device

Номер патента: US20220122889A1. Автор: YONG Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Calibration method for emulating group iii-v semiconductor device and method for manufacturing group iii-v semiconductor device

Номер патента: US20230066030A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Chu Fu CHEN,Chiao-Chun Hsu,Kuan-Hung Liu,Shufang Fu,Fu-Yu Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for fabricating side contact in semiconductor device using double trench process

Номер патента: US20110129975A1. Автор: Sang-Oh Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-02.

Method for parameter extraction of a semiconductor device

Номер патента: US10345371B2. Автор: Jyh-Chyurn Guo,Yen-Ying LIN. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2019-07-09.

Method for fabricating recess pattern in semiconductor device

Номер патента: US7862991B2. Автор: Yong-Soon Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Semiconductor chip and method for manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: US20060006493A1. Автор: Tsutomu Tashiro,Masaya Kawano,Yoichiro Kurita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Wiring formed by employing a damascene process, method for forming the wiring, semiconductor device including the same, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: KR100496259B1. Автор: 김현수,최길현,강상범,문광진,박희숙,양승길. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-06-17.

Power Semiconductor Devices and a Method for Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20180315744A1. Автор: Mahler Joachim,KOLMEDER Guenther. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

Method for Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20160155743A1. Автор: KIM Dong-Won,KIM Eunsung,KIM Kyoungseon,YI Shiyong,KWON SEUNGCHUL. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

Method for forming word line semiconductor device

Номер патента: KR100419874B1. Автор: 장진만. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-02-25.

Method for forming contact of semiconductor device

Номер патента: KR100801727B1. Автор: 박동수,백정권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-02-11.

Method for manufacturing tellurium-based semiconductor device, tellurium-based semiconductor device manufactured thereby, and thin film transistor

Номер патента: US20230352596A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Tai Kyu KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20040169274A1. Автор: Michio Asahina,Yukio Morozumi,Kazuki Matsumoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-02.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024040515A1. Автор: Xiao Zhang,Wen-Yuan HSIEH,Yong Han,Lijie Zhang,Jue Ouyang. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-29.

METHOD FOR PREPARING SILICIDE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A SOURCE/DRAIN FOR USE IN THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150279737A1. Автор: Lee Hoojeong,NA Sekwon,KANG Jun Gu. Владелец: RESEARCH & BUSINESS FOUNDATION SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-10-01.

Power semiconductor device and method for manufacturing such a power semiconductor device

Номер патента: US20180047652A1. Автор: Munaf Rahimo,Charalampos Papadopoulos. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-02-15.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDCUTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200266275A1. Автор: KOMATANI Tsutomu,KURACHI Shunsuke. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor package, method for fabricating the same, and semiconductor device

Номер патента: US7402898B2. Автор: Katsutoshi Shimizu,Tatsuya Hirano,Hisaho Inao. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-22.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240063188A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US11837580B2. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Method for manufacturing resin-sealed power semiconductor device

Номер патента: US20190051539A1. Автор: Kazuo Funahashi,Ken Sakamoto,Keitaro Ichikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Method for the production of a semiconductor device

Номер патента: US5079188A. Автор: Masato Kawai. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-01-07.

Method for preparing shielded gate semiconductor device structure, and shielded gate semiconductor device structure

Номер патента: US20240274683A1. Автор: Libo Zhang,Zengyi He,Shuangshen LE,Xingmin WU,Qingwen Yuan. Владелец: Will Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120302004A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Thin-film semiconductor device and method for fabricating thin-film semiconductor device

Номер патента: US20130161630A1. Автор: Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140045322A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Process for forming vertical semiconductor device having increased source contact area

Номер патента: EP1067596A3. Автор: Thomas Grebs,Jason Trost. Владелец: Intersil Corp. Дата публикации: 2003-05-28.

Dielectric film and method for forming the same, semiconductor device, nonvolatile semiconductor memory device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP5068402B2. Автор: 忠弘 大見,昌樹 平山,成利 須川,泰雪 白井. Владелец: 公益財団法人国際科学振興財団. Дата публикации: 2012-11-07.

Semiconductor device and method for forming same

Номер патента: US20240055409A1. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-15.

METHOD FOR FORMING FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20210313443A1. Автор: LEE CHIEN-WEI,SUNG Hsueh-Chang,Yeo Yee-Chia,Lee Yen-Ru. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-10-07.

Wide bandgap semiconductor device and the method for forming wide bandgap semiconductor device

Номер патента: CN110034173A. Автор: R.鲁普,H-J.舒尔策,J.卢茨. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-07-19.

Alignment mark forming method for deep trench isolation and semiconductor device structure

Номер патента: CN112992773A. Автор: 黄鹏,李佳龙,赵德鹏,范晓. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-18.

Method for forming gate of semiconductor devices

Номер патента: KR100596880B1. Автор: 문재연. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-07-05.

Method for forming transistor in semiconductor device

Номер патента: KR101025736B1. Автор: 최신규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-04-04.

Method for forming transistor in semiconductor device

Номер патента: KR101107204B1. Автор: 신민정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2012-01-25.

Method for forming transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100937649B1. Автор: 조용수. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2010-01-19.

Method for Forming Gate of Semiconductor Device by Polymer

Номер патента: KR100741909B1. Автор: 곽성호,김성무. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-07-24.

Method for forming silicide in semiconductor device

Номер патента: CN101620998A. Автор: 郑敬华. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-06.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: US6500708B2. Автор: Hyung Bok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-12-31.

Production Method of Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20090283773A1. Автор: Takuto Yasumatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-19.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufactuing same

Номер патента: US20140042461A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230307500A1. Автор: Takuma Suzuki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Silicon carbide semiconductor devices having nitrogen-doped interface

Номер патента: US20140167073A1. Автор: Michael MacMillan. Владелец: GLOBAL POWER DEVICE CO. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230178616A1. Автор: Yi Pei,Naiqian Zhang. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150144947A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070026592A1. Автор: Yong Shin. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2007-02-01.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160087032A1. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130137198A1. Автор: Shin Harada,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231129A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9583346B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Shunsuke Yamada,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for producing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20200119166A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for Stress Reduced Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20140141592A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-22.

Method for producing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20190157426A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220336219A1. Автор: Daisuke Taniguchi,Toshikazu Tanioka,Junya MIWA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Substrate Structure Having Buried Wiring And Method For Manufacturing The Same, And Semiconductor Device And Method For Manufacturing The Same Using The Substrate Structure

Номер патента: US20120108034A1. Автор: Gil-heyun Choi,Pil-Kyu Kang,Byung-lyul Park,Dae-Lok Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-03.

GROUP III NITRIDE COMPOSITE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140225229A1. Автор: Matsumoto Naoki,ISHIBASHI Keiji,Hachigo Akihiro. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2014-08-14.

GROUP III NITRIDE COMPOSITE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160190001A1. Автор: Matsumoto Naoki,ISHIBASHI Keiji,Hachigo Akihiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

GROUP III NITRIDE COMPOSITE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150194442A1. Автор: Matsumoto Naoki,ISHIBASHI Keiji,Uematsu Koji,Yamamoto Yoshiyuki,Hachigo Akihiro,Mikami Hidenori,Yoshizumi Yusuke,NAKAHATA Seiji,Seki Yuki,NAKANISHI Fumitake,YANAGISAWA Takuya,Hiromura Yuki. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

TEST STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR OBTAINING FABRICATING INFORMATION IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200161195A1. Автор: Hsu Shih-Hsing. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

Methods for Dicing Semiconductor Wafers and Semiconductor Devices Made by the Methods

Номер патента: US20200395246A1. Автор: Komposch Alexander,Schneider Kevin. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device and the method for the manufacture of this semiconductor device

Номер патента: CN102386236B. Автор: 山崎舜平,宫入秀和,长多刚. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-10.

Semiconductor device and the method for the manufacture of this semiconductor device

Номер патента: CN102509736B. Автор: 山崎舜平,宫入秀和,长多刚. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-19.

Methods for dicing semiconductor wafers and semiconductor devices made by the methods

Номер патента: US11289378B2. Автор: Kevin Schneider,Alexander Komposch. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2022-03-29.

Semiconducting film, semiconductor device and method for manufacturing semiconducting film or semiconductor device

Номер патента: CN1389899A. Автор: 高山彻,秋元健吾. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-08.

Methods for dicing semiconductor wafers and semiconductor devices made by the methods

Номер патента: WO2020252265A1. Автор: Kevin Schneider,Alexander Komposch. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2020-12-17.

Method for dicing semiconductor wafer and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: CN113939898A. Автор: 凯文·施奈德,亚历山大·康波斯. Владелец: Wofu Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2022-01-14.

Composite substrate and method for manufacturing the same, and semiconductor device structure

Номер патента: US20240258321A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Group iii nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20150255958A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Method for forming well of semiconductor device

Номер патента: US5759884A. Автор: Kang-Sik Youn. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-02.

Method for defining submicron features in semiconductor devices

Номер патента: CA1186809A. Автор: Rafael M. Levin. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1985-05-07.

Method for forming conductors in semiconductor devices

Номер патента: US20070035027A1. Автор: Gurtej Sandhu,Fernando Gonzalez,Mike Violette. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-15.

Method for forming conductors in semiconductor devices

Номер патента: US20030122162A1. Автор: Gurtej Sandhu,Fernando Gonzalez,Mike Violette. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060014372A1. Автор: Seung-Ho Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-19.

Method for fabricating an Al-Ge alloy wiring of semiconductor device

Номер патента: US5846877A. Автор: Jun-Ki Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-08.

Capacitor and method for fabricating the same and semiconductor device

Номер патента: US20030184950A1. Автор: Shunji Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Method for fabricating contact plug in semiconductor device

Номер патента: US20080003798A1. Автор: Chang-Youn Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Method for fabricating metal plug of semiconductor device

Номер патента: TWI281725B. Автор: Jung-Geun Kim,Ki-Hong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-21.

Method for forming landing pad

Номер патента: US20020111006A1. Автор: King-Lung Wu,Kun-Chi Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Process for forming resist pattern, semiconductor device and fabrication thereof

Номер патента: US20040110099A1. Автор: Koji Nozaki,Miwa Kozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-06-10.

Method for forming patterns for semiconductor device

Номер патента: US20170069529A1. Автор: Home-Been Cheng,Tzu-Hao Fu,Tsung-Yin HSIEH,Ci-Dong Chu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

METHOD FOR FORMING PATTERNS FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160351410A1. Автор: Cheng Home-Been,Fu Tzu-Hao,Chu Ci-Dong,Hsieh Tsung-Yin. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

Method for forming contact for semiconductor device

Номер патента: KR100468694B1. Автор: 권성운. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-16.

Method for forming interconnections for semiconductor device

Номер патента: KR20060085900A. Автор: 최승만,이수근,신홍재,김태범,서봉석,이선정. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-28.

Mask for forming contact in semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100340865B1. Автор: 배상만. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for forming interconnections for semiconductor device

Номер патента: KR100688561B1. Автор: 최승만,이수근,신홍재,김태범,서봉석,이선정. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-03-02.

Method for forming patterns for semiconductor devices

Номер патента: US6767828B2. Автор: Bruno Michel,John C. Flake,Takatoshi Tsujimura,Paul S. Andry. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-07-27.

Method for forming interconnector of semiconductor device

Номер патента: KR100215846B1. Автор: 전영권. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-08-16.

Method for forming contact of semiconductor device

Номер патента: KR100253368B1. Автор: 임명호,이창덕. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-04-15.

Method for forming plug of semiconductor device

Номер патента: KR101032115B1. Автор: 류상욱,전호열. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-05-02.

Method for forming silicide of semiconductor device

Номер патента: KR100568424B1. Автор: 하승철. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-04-05.

Method for forming plug in semiconductor device

Номер патента: KR100455724B1. Автор: 이석규,원대희. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-11-12.

Method for forming contact in semiconductor device

Номер патента: KR100717811B1. Автор: 이창구,안태항. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-05-11.

Method for forming inductor in semiconductor device

Номер патента: KR100760919B1. Автор: 정석원,황상일. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-09-21.

Method for forming electrode of semiconductor device using electroplating

Номер патента: KR100555457B1. Автор: 유차영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-04-21.

Method for forming wiring of semiconductor device

Номер патента: KR100209708B1. Автор: 박정수,강창용. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-07-15.

Method for forming plug of semiconductor device

Номер патента: KR100260817B1. Автор: 이영철,김광철. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-08-01.

A method for forming of a semiconductor device

Номер патента: KR100735628B1. Автор: 김종일. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-07-04.

Method for forming contact and semiconductor device using the same

Номер патента: KR100562329B1. Автор: 김덕수. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-22.

Method for forming contact of semiconductor device

Номер патента: KR100399934B1. Автор: 유재령. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-24.

Method for forming wiring of semiconductor device

Номер патента: KR970063491A. Автор: 최지현,이해정,구주선,황병근. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-09-12.

Method for forming metalline in semiconductor device

Номер патента: KR100344823B1. Автор: 김준용,정채오. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-07-20.

A method for forming contact of semiconductor device

Номер патента: KR100365748B1. Автор: 장경식,이인찬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-03-15.

Method for forming wiring of semiconductor device

Номер патента: KR100950760B1. Автор: 유창준,하가영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-04-05.

Method for forming plug of semiconductor device

Номер патента: KR100382541B1. Автор: 박래학. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-05-01.

Method for forming bitline in semiconductor device

Номер патента: KR100632653B1. Автор: 이성훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-10-12.

Method for Forming Contact of Semiconductor Device

Номер патента: KR100596845B1. Автор: 김형환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-04.

Method for forming plug in semiconductor device

Номер патента: KR100745907B1. Автор: 최용수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-02.

Method for forming plug in semiconductor device

Номер патента: KR100431295B1. Автор: 정우석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-12.

Method for forming contact of semiconductor device

Номер патента: KR100408683B1. Автор: 김태경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-06.

Method for Forming Line In Semiconductor Device

Номер патента: KR100628239B1. Автор: 홍지호. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-09-26.

method for forming contact hole semiconductor device

Номер патента: KR100691934B1. Автор: 이동호,김연수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-08.

Method for forming copper of semiconductor device

Номер патента: KR100434700B1. Автор: 김희진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-07.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100557965B1. Автор: 박종범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-03-07.

Method for forming bitline of semiconductor device

Номер патента: KR100705936B1. Автор: 김은수,조휘원,정철모,홍승희. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-04-13.

Method for forming plug of semiconductor device

Номер патента: KR100365557B1. Автор: 김정호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-26.

Method for forming contact of semiconductor device

Номер патента: KR100273989B1. Автор: 김정석,박주욱. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-01-15.

Method for forming contact of semiconductor device using solid phase epitaxy

Номер патента: KR100716653B1. Автор: 안태항. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-05-09.

Method for forming contact of semiconductor device

Номер патента: KR100924866B1. Автор: 박지용. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2009-11-02.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100914974B1. Автор: 김재수,조호진,이동균,박철환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-09-02.

Method for Forming ILD in Semiconductor Device

Номер патента: KR20020089998A. Автор: 황인석,고용선,고정덕. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-11-30.

Method for forming interconnection of semiconductor device

Номер патента: KR100578117B1. Автор: 박제민,장순규. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-09-27.

Method for forming plug in semiconductor device

Номер патента: KR100455725B1. Автор: 정우석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-11-12.

Method for forming contact in semiconductor device

Номер патента: CN1641855A. Автор: 金正根,黄昌渊,崔奉浩. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-07-20.

method for forming metal contact semiconductor device

Номер патента: KR100393970B1. Автор: 정철모,손평근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-08-06.

Method for forming line in semiconductor device

Номер патента: KR100710192B1. Автор: 김상철,한재원. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-04-20.

Method for forming contact in semiconductor device

Номер патента: KR20090050230A. Автор: 조용태,이재균,오상록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-05-20.

Methods for forming contact in semiconductor device

Номер патента: CN1141500A. Автор: 赵景洙. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-01-29.

Method for forming interconnection of semiconductor device

Номер патента: KR100418920B1. Автор: 조영아. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-20.

Method for forming contact of semiconductor device

Номер патента: KR100290231B1. Автор: 최상준,이지혜. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2001-05-15.

Method for forming plug in semiconductor device

Номер патента: KR20010108839A. Автор: 진규안,전영호. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-08.

Method for forming wiring of semiconductor device

Номер патента: JP2832824B2. Автор: ヨン・ゴン・ゾン. Владелец: ERU JII SEMIKON CO Ltd. Дата публикации: 1998-12-09.

Method for forming inductor in semiconductor device

Номер патента: US20050130423A1. Автор: Sung Pyo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-16.

Method for forming bitline in semiconductor device

Номер патента: KR100351895B1. Автор: 홍정의. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-09-12.

Method for forming plug of semiconductor device

Номер патента: JP2828439B2. Автор: ▲キョン▼ 根 崔. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-25.

Method for forming mim in semiconductor device

Номер патента: US20080112108A1. Автор: Myung-Il Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-15.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100680947B1. Автор: 최형복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-08.

Method for forming contact in semiconductor device

Номер патента: TWI304607B. Автор: Jung-Geun Kim,Bong-Ho Choi,Chang-Youn Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-12-21.

Method for forming contact in semiconductor device

Номер патента: KR100772551B1. Автор: 정태우,유재옥. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-11-02.

method for forming contact of semiconductor device

Номер патента: KR100357186B1. Автор: 최준호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-19.

Method for forming wiring of semiconductor device

Номер патента: JP3365112B2. Автор: 一英 小山. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-01-08.

Method for forming wire in semiconductor device

Номер патента: US20020177297A1. Автор: Young-a Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-11-28.

Method for forming wire of semiconductor device

Номер патента: KR100253338B1. Автор: 김경준. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-04-15.

Method for forming wiring in semiconductor device

Номер патента: KR100333653B1. Автор: 김진국. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-07.

Method for forming contact of semiconductor device

Номер патента: KR100641084B1. Автор: 김종삼. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-02.

A method for forming contact of semiconductor device using the epitaxial process

Номер патента: KR100671563B1. Автор: 박영택,정대호. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-01-19.

Method for forming contact in semiconductor device

Номер патента: KR100422356B1. Автор: 류인철,진성곤. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-03-11.

Method for forming wiring of semiconductor device

Номер патента: KR100209704B1. Автор: 고상기. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-07-15.

Method for forming contact of semiconductor device using solid phase epitaxy

Номер патента: CN1893016A. Автор: 安台恒. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-10.

Method for forming contact in semiconductor device

Номер патента: KR100373362B1. Автор: 윤경렬,진성곤. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-02-25.

Method for forming contact of semiconductor device

Номер патента: KR100335129B1. Автор: 김규현. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-04.

Method for Forming Line In Semiconductor Device

Номер патента: KR100640947B1. Автор: 정석원. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-11-02.

Method for forming contact in semiconductor device

Номер патента: KR101195260B1. Автор: 이광표. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-11-21.

Method for Forming Line In Semiconductor Device

Номер патента: KR100628227B1. Автор: 심준범. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-09-26.

Methods for forming pad of semiconductor devices

Номер патента: KR100588376B1. Автор: 고창진. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-06-12.

A method for forming contact of semiconductor device using the epitaxial process

Номер патента: KR20060072826A. Автор: 박영택,정대호. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-28.

Method for forming contact in semiconductor device

Номер патента: KR100431822B1. Автор: 김진웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-20.

Method for forming interconnects and semiconductor device

Номер патента: TW523870B. Автор: Koji Mishima,Takao Kato,Hiroaki Inoue,Kenji Nakamura,Moriji Matsumoto. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2003-03-11.

Method for manufacturing a complementary MOS type semiconductor device

Номер патента: US4743564A. Автор: Masaki Sato,Kazuyoshi Shinada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-05-10.

Method for manufacturing semiconductor

Номер патента: US20100203680A1. Автор: Hideo Oi. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-08-12.

Multi-layer semiconductor devices fabricated using a combination of substrate and via structures and fabrication techniques

Номер патента: WO2016118209A3. Автор: Rabindra N. Das,Mark A. Gouker,Leonard M. Johnson,Pascale GOUKER,Ryan C. JOHNSON. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2016-10-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9368412B2. Автор: Fenghua FU,Yunchu Yu,Yihua Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150371903A1. Автор: Fenghua FU,Yunchu Yu,Yihua Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

METHOD FOR MANUFACTURING INTERCONNECTION DRAWINGS FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DEVICES FORMED THEREFROM

Номер патента: FR2569494B1. Автор: Kenichi Kurihara,Yojiro Kamei,Masahiro Kameda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1988-08-12.

METHOD FOR MANUFACTURING INTERCONNECTION DRAWINGS FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DEVICES FORMED BY ITS IMPLEMENTATION

Номер патента: FR2569494A1. Автор: Kenichi Kurihara,Yojiro Kamei,Masahiro Kameda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1986-02-28.

Process for forming interconnector of semiconductor device

Номер патента: KR100245091B1. Автор: 김대영,박철수. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-02.

Methd for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20060216884A1. Автор: Hyung Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-09-28.

Method for processing amorphous carbon film, semiconductor device manufacturing method using the method and computer-readable storage medium relating thereto

Номер патента: KR101130086B1. Автор: 히라쿠 이시카와,타카아키 마츠오카. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-03-28.

Method for creating narrow trenches in dielectric materials

Номер патента: US20070066028A1. Автор: Gerald Beyer. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2007-03-22.

Method for Etch Metal Layer and Semiconductor Device Manufactured by Such Method

Номер патента: KR100636983B1. Автор: 김백원. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-10-19.

METHOD FOR MANUFACTURING CONTACT PLUGS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150170966A1. Автор: TUNG Yu-Cheng. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2015-06-18.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20090174053A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2009-07-09.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20110014752A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-01-20.

A method for transferring and stacking of semiconductor devices

Номер патента: EP1252654A2. Автор: Eric Beyne,Staf Borghs,Raf Vandersmissen. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2002-10-30.

Method for forming a thin semiconductor device

Номер патента: US20140220742A1. Автор: Kahlil HOSSEINI. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-08-07.

Resin sheet for sealing electronic component, resin-sealed type semiconductor device and method for producing resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: US20140042645A1. Автор: Eiji Toyoda,Takeshi Matsumura,Tsuyoshi Torinari,yusaku Shimizu. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor

Номер патента: CA1174821A. Автор: Hiroyuki Fujii,Mikio Nishikawa,Kenichi Tateno. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1984-09-25.

Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor

Номер патента: US4507675A. Автор: Hiroyuki Fujii,Mikio Nishikawa,Kenichi Tateno. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1985-03-26.

System and method for detection of defects in semiconductor devices

Номер патента: US11830828B2. Автор: Liang Li,Wendy Yu,Kevin Hu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Method for fabricating a power semiconductor device having a voltage sustaining layer with a terraced trench facilitating formation of floating islands

Номер патента: EP2232536A1. Автор: Richard A. Blanchard,Jean-Michel Guillot. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2010-09-29.

High voltage semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150054071A1. Автор: Chung-Ren Lao,Cheng-Yi Hsieh,Chu-Feng CHEN,Wei-Chun CHOU,Yi-Hung Chiu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

A compact scr device and method for integrated circuits

Номер патента: WO2006036447A3. Автор: Cheng-Hsiung Huang,Chih-Ching Shih,Yow-Juang Liu,Hugh O Sungki. Владелец: Hugh O Sungki. Дата публикации: 2006-12-14.

Method for fabricating semiconductor device and method for fabricating capacitor in a semiconductor device

Номер патента: TWI274381B. Автор: Wu-An Weng. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-21.

Gate-all-around transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20240213336A1. Автор: Fei Zhao,Yongliang Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for fabricating a power semiconductor device having a voltage sustaining layer with a terraced trench facilitating formation of floating islands

Номер патента: WO2009073773A1. Автор: Richard A. Blanchard,Jean-Michel Guillot. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2009-06-11.

A method for fabricating isolation regions in semiconductor devices

Номер патента: DE3379700D1. Автор: Hiroshi C O Fujitsu Limit Goto,Akira C O Fujitsu Limit Tabata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-05-24.

Method for forming trench isolated semiconductor device and trench isolated semiconductor device formed thereby

Номер патента: JP4898083B2. Автор: 在 ▲せん▼ 尹,鎭 鉉 辛. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-14.

Metal oxide, method for forming metal oxide, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2020254910A1. Автор: 山崎舜平,渡邊了介,伊藤俊一,小松良寛,澤井寛美,川口忍. Владелец: 株式会社半導体エネルギー研究所. Дата публикации: 2020-12-24.

METHOD FOR FORMING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160225880A1. Автор: CHEN TAI-JU,CHEN TE-CHIH,Lee Kung-Hong,Tang Chun-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Method for forming isolation in semiconductor device

Номер патента: KR100519517B1. Автор: 박효식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-10-07.

Method for forming isolation film semiconductor device

Номер патента: KR0176198B1. Автор: 안동호. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-04-15.

Method for forming isolation in semiconductor device

Номер патента: KR100672769B1. Автор: 김현수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-22.

A method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: KR100424184B1. Автор: 장민우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-03-25.

Method for forming isolation of semiconductor device

Номер патента: KR100469763B1. Автор: 윤창준. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-02-02.

Method for forming trench in semiconductor device

Номер патента: KR100826965B1. Автор: 류상욱. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2008-05-02.

Method for forming pillar of semiconductor device and vertical channel transistor using the same

Номер патента: KR100973718B1. Автор: 김영대,이기정,김진혁,길덕신,박경웅,도관우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-08-04.

Method for forming isolation in semiconductor device

Номер патента: KR100702775B1. Автор: 안정렬,박병수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-04-03.

Method for forming trench of semiconductor device

Номер патента: KR100499397B1. Автор: 류상욱. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-07-05.

Method for forming STI of semiconductor device

Номер патента: US7371656B2. Автор: Young Hun Seo. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-13.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: KR100779360B1. Автор: 현찬순. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-11-23.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: KR20080086186A. Автор: 김충배. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-09-25.

Method for Forming Trench of Semiconductor Device

Номер патента: KR100230384B1. Автор: 신유균. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-11-15.

Method for forming isolation in semiconductor device

Номер патента: KR20010106718A. Автор: 원대희. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-07.

Method for forming trench of semiconductor device

Номер патента: KR100364814B1. Автор: 남기욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-16.

Method for forming trench in semiconductor device

Номер патента: KR100838399B1. Автор: 신수범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-06-13.

Method for forming isolation of semiconductor device

Номер патента: KR100822604B1. Автор: 김상덕,박보민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-04-16.

method for forming isolation region semiconductor device

Номер патента: KR100645188B1. Автор: 공영택. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-10.

Trench gate semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US11374123B2. Автор: HAO LI,Jiye Yang,Longjie ZHAO. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-06-28.

Trench gate semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20210119038A1. Автор: HAO LI,Jiye Yang,Longjie ZHAO. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Methods for manufacturing thin film transistor and display device

Номер патента: US8349671B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-08.

Semiconductor device with improved breakdown properties and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090014785A1. Автор: Peter Moens,Filip Bauwens,Joris Baele,Marnix Tack. Владелец: AMI Semiconductor Belgium BVBA. Дата публикации: 2009-01-15.

A compact scr device and method for integrated circuits

Номер патента: WO2006036447A2. Автор: Cheng-Hsiung Huang,Chih-Ching Shih,Yow-Juang Liu,Hugh O. Sungki. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2006-04-06.

Semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US20240063256A1. Автор: Zheng He,Yi Tang,Qiong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device and method for preparing the same

Номер патента: US20200161191A1. Автор: Jui-Hsiu JAO,Chun-Shun Huang,Wei-Li LAI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4273934A1. Автор: Yuan Fang,Ke Jiang,Huiling ZUO,Chunlin ZHU,Xukun ZHANG,Junli Xiang,Jinshan SHI. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Etching composition, method for etching insulating film of semiconductor devices using the same and method for preparing semiconductor devices

Номер патента: US20210062088A1. Автор: Cheol Woo Kim,Kwang Kuk Lee,Young Bom Kim,Jin Kyung Jo,Jong Ho Lee,Jae Hoon Kwak,Jung Ha SHIN. Владелец: SK Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for isolating elements of semiconductor device

Номер патента: US5719086A. Автор: Jong Choul Kim,Byung Jin Cho,Young Bog Kim,Sung Ku Kwon. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-17.

Semiconductor device with trench isolation structure

Номер патента: US7902628B2. Автор: Sun-Hwan Hwang,Jae-Eun Lim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-08.

Etching composition, method for etching insulating film of semiconductor devices using the same and method for preparing semiconductor devices

Номер патента: TW202111093A. Автор: 金喆禹,郭宰熏,辛姃河,李宗昊,李光國,金榮汎,趙珍耿. Владелец: 南韓商愛思開新材料有限公司. Дата публикации: 2021-03-16.

Etching composition, method for etching insulating film of semiconductor devices using the same and method for preparing semiconductor devices

Номер патента: US11186772B2. Автор: Cheol Woo Kim,Kwang Kuk Lee,Young Bom Kim,Jin Kyung Jo,Jong Ho Lee,Jae Hoon Kwak,Jung Ha SHIN. Владелец: SK Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

Etching composition, method for etching insulating film of semiconductor devices using the same and method for preparing semiconductor devices

Номер патента: TW202108747A. Автор: 金喆禹,郭宰熏,辛姃河,李宗昊,李光國,金榮汎,趙珍耿. Владелец: 南韓商愛思開新材料有限公司. Дата публикации: 2021-03-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11894457B2. Автор: Weiwei Ge. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Trench-gate semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4343850A1. Автор: FENG Zhou,Yi Zhang,Bo Gao,Fei Hu,Boning Huang,Longgu TANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

GROUP III NITRIDE COMPOSITE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180166325A1. Автор: Matsumoto Naoki,ISHIBASHI Keiji,Uematsu Koji,Yamamoto Yoshiyuki,Hachigo Akihiro,Mikami Hidenori,Yoshizumi Yusuke,NAKAHATA Seiji,Seki Yuki,NAKANISHI Fumitake,YANAGISAWA Takuya,Hiromura Yuki. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2018-06-14.

GROUP III NITRIDE COMPOSITE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200176305A1. Автор: Matsumoto Naoki,ISHIBASHI Keiji,Uematsu Koji,Yamamoto Yoshiyuki,Hachigo Akihiro,Mikami Hidenori,Yoshizumi Yusuke,NAKAHATA Seiji,Seki Yuki,NAKANISHI Fumitake,YANAGISAWA Takuya,Hiromura Yuki. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2020-06-04.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160133741A1. Автор: WATANABE Yukihiko,Onogi Atsushi,AOI Sachiko,SAKAKIBARA Jun,MATSUKI Hideo. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-05-12.

Lateral Power Semiconductor Device and Method for Manufacturing a Lateral Power Semiconductor Device

Номер патента: US20140319610A1. Автор: Mauder Anton,Weis Rolf,Thyssen Norbert. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

INTERFACE LAYER CONTROL METHODS FOR SEMICONDUCTOR POWER DEVICES AND SEMICONDUCTOR DEVICES FORMED THEREOF

Номер патента: US20210336022A1. Автор: Lichtenwalner Daniel Jenner. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-28.

METHOD FOR MANUFACTURING AN ENVELOPING GRID SEMICONDUCTOR DEVICE AND DEVICE OBTAINED

Номер патента: FR2799305A1. Автор: Thomas Skotnicki,Malgorzata Jurczak. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2001-04-06.

Silicon Carbide Semiconductor Device And Method For Manufacturing The Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: CN105590962A. Автор: 松木英夫,榊原纯,青井佐智子,渡辺行彦,小野木淳士. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-05-18.

Power semiconductor device with thick top-level metal design and method for producing such a power semiconductor device

Номер патента: CN107636806B. Автор: S.马蒂亚斯,C.帕帕多波洛斯,C.克瓦斯塞,A.科普塔. Владелец: ABB Grid Switzerland AG. Дата публикации: 2021-03-12.

Method for the Manufacture of a Semiconductor Device and a Semiconductor Device Obtained Through It

Номер патента: US20080093668A1. Автор: Youri Ponomarev,Josine Loo. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-04-24.

Preparation method for polycrystalline silicon thin film, semiconductor device, display substrate and display device

Номер патента: WO2016155149A1. Автор: 徐文清,龙春平. Владелец: 京东方科技集团股份有限公司. Дата публикации: 2016-10-06.

Lateral power semiconductor device and method for manufacturing a lateral power semiconductor device

Номер патента: CN104134692A. Автор: A·毛德,N·西森,R·威斯. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-11-05.

Method for the manufacture of a semiconductor device and a semiconductor device obtained through it

Номер патента: WO2006070310A1. Автор: Youri V. Ponomarev,Josine J. G. P. Loo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-07-06.

Chemical mechanical polishing system and method for planarizing substrates in fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20040092112A1. Автор: Chia-Lin Hsu,Teng-Chun Tsai,Shao-Chung Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2004-05-13.

Mechanisms for forming backside illuminated image sensor device structure

Номер патента: US20160172392A1. Автор: Yu-Hsiang Tsai,Chia-Wei Liu,Chung-Chuan Tseng,Li-Hsin CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Monocrystalline silicon carbide substrate, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20240105782A1. Автор: Jing Yao,Jian Yang,Guangming Wang,Chunjun Liu,Tonghua Peng,Yanfang LOU,Qing Yong. Владелец: Jiangsu Tankeblue Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240057351A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US20030090004A1. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Radio frequency semiconductor device and method for fabricating a radio frequency semiconductor device

Номер патента: US20240290733A1. Автор: Walter Hartner,Simon Kornprobst,Tuncay ERDOL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for forming an asymmetric semiconductor device

Номер патента: US20120302022A1. Автор: Venkat R. Kolagunta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-29.

Radio frequency semiconductor device and method for fabricating a radio frequency semiconductor device

Номер патента: EP4421866A1. Автор: Walter Hartner,Simon Kornprobst,Tuncay ERDOL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-28.

Method for forming resist pattern, semiconductor device and production method thereof

Номер патента: US8119325B2. Автор: Koji Nozaki,Miwa Kozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-02-21.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: US7309661B2. Автор: Ki Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: US20050245033A1. Автор: Ki Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-03.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: US6884678B2. Автор: Tae Hyeok Lee,Cheol Hwan Park,Dong Su Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-04-26.

Mechanisms for forming backside illuminated image sensor device structure

Номер патента: US20150076638A1. Автор: Hsun-Ying Huang,Chih-Ho Tai,Wei-Chih Weng,Bo-Chang Su,Hsien-Liang Meng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Photomask and method for forming pattern of semiconductor device using the same

Номер патента: US20140065524A1. Автор: Jeong Su Park,Myoung Soo Kim,Byoung Hoon Lee,Jun Taek Park,In Hwan Lee,Chang Moon Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Method, System, and Apparatus for Forming Three-Dimensional Semiconductor Device Package with Waveguide

Номер патента: US20210035927A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Stephen Ryan Hooper. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor Device and Method for Producing a Plurality of Semiconductor Devices

Номер патента: US20170338384A1. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-23.

Method for etching Pt film of semiconductor device

Номер патента: US6004882A. Автор: Byong-sun Ju,Hyoun-woo Kim,Byeong-Yun Nam,Won-jong Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-21.

Structures and methods for reducing junction leakage in semiconductor devices

Номер патента: US8633513B2. Автор: Daniel Doyle,Jeffrey Gleason. Владелец: Aptina Imaging Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Method for Producing a Nitride Compound Semiconductor Device

Номер патента: US20180144933A1. Автор: Alexander Frey,Lorenzo Zini,Joachim Hertkorn. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-24.

Method for fabricating storage electrode of semiconductor device

Номер патента: US7220641B2. Автор: Ki Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-22.

Fabrication method for a sub-micron geometry semiconductor device

Номер патента: US5147812A. Автор: James G. Gilbert,Fourmun Lee,Thomas Zirkle. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1992-09-15.

Method for manufacturing and structure of semiconductor device with polysilicon definition structure

Номер патента: US20030100149A1. Автор: Xiaoju Wu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-05-29.

System and method for removing foreign particles from semiconductor device

Номер патента: US20070199580A1. Автор: Masanobu Azukawa,Hiroshi Tanaka,Tadashi Kobayashi,Junichi Tanaka,Yuta Hasebe,Kenta Iwahana. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Method for fabricating side contact in semiconductor device

Номер патента: US20120149205A1. Автор: Sung-Eun Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240055399A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for testing bridging in adjacent semiconductor devices and test structure

Номер патента: US20180174930A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh,Chia-Lin LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Method for testing bridging in adjacent semiconductor devices and test structure

Номер патента: US20190115266A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh,Chia-Lin LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Method for testing bridging in adjacent semiconductor devices and test structure

Номер патента: US20200365471A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh,Chia-Lin LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for Making Solder-top Enhanced Semiconductor Device of Low Parasitic Packaging Impedance

Номер патента: US20120289001A1. Автор: Ming Sun,Kai Liu,Francois Hebert,Anup Bhalla. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-11-15.

Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same, And semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for Producing The Same

Номер патента: MY195984A. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2023-02-27.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: US20200395330A1. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US20080136017A1. Автор: Yoshifumi Nakamura,Michinari Tetani,Yukihiro Kozaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Method for Forming III-Nitride Semiconductor Device and the III-Nitride Semiconductor Device

Номер патента: US20200052076A1. Автор: HE Wei,Ni Xian-Feng,Fan Qian. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

Method for forming inductor of semiconductor device

Номер патента: KR100477547B1. Автор: 최치홍. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-03-18.

Method for producing bonded object and semiconductor device and copper bonding paste

Номер патента: US11890681B2. Автор: Yoshinori Ejiri,Hideo Nakako,Motohiro Negishi,Yuki Kawana,Chie Sugama,Yuichi Yanaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Multilayered printed circuit board, method for manufacturing the same, and semiconductor device using the same

Номер патента: US11848263B2. Автор: Seung Lak Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Systems and methods for non-destructive inspection of semiconductor devices using reflective x-ray microscope tomographic imaging

Номер патента: US20230417687A1. Автор: Shogo Tomita,Michiaki Sano,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20150059957A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20180038806A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240290752A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for aligning quantum dots and semiconductor device fabricated by using the same

Номер патента: US20020031900A1. Автор: Eun Kim,Kwang Kim,Yong Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2002-03-14.

Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same, And Semiconductor Device using Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same

Номер патента: MY195404A. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US20030098471A1. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Method for forming a bump, semiconductor device and method of fabricating same, semiconductor chip, circuit board, and electronic instrument

Номер патента: US20050087863A1. Автор: Fumiaki Matsushima,Tsutomu Ota,Akira Makabe. Владелец: Akira Makabe. Дата публикации: 2005-04-28.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20050202645A1. Автор: Gyu Kim,Hyo Yoon,Geun Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-15.

Method for forming capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20230389266A1. Автор: Xiaoling Wang,Hai-Han Hung,Min-Hui Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for testing contact open in semiconductor device

Номер патента: US20050272173A1. Автор: Min-Suk Lee,Sung-Kwon Lee,Tae-Woo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Method for Producing Conversion Elements, Conversion Elements, Method for Producing a Light-Emitting Semiconductor Device, and a Light-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20210280749A1. Автор: Tobias Gebuhr,Kathy Schmidtke. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US20220307818A1. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US11867497B2. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for producing a radiation emitting semiconductor device and radiation emitting semiconductor device

Номер патента: WO2023241864A1. Автор: Harald Jager,Gregory Bellynck,Tsu Pin CHNG. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-12-21.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US11984428B2. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for manufacturing oxide film, method for manufacturing semiconductor memory device, semiconductor device, and semiconductor memory device

Номер патента: US20230301089A1. Автор: Akira Takashima,Yusuke Nakajima,Tsunehiro Ino. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20210280557A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for fabricating fine pattern in semiconductor device

Номер патента: US20110076851A1. Автор: Jin-Ki Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Photosensitive resin composition, heterocyclic ring-containing polymer precursor, cured film, laminate, method for producing cured film, and semiconductor device

Номер патента: US11860538B2. Автор: Takeshi Kawabata,Akinori Shibuya,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160118250A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072486A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9711627B2. Автор: BO LIU,Dae Sub Jung. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20160293745A1. Автор: BO LIU,Dae Sub Jung. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Power semiconductor device

Номер патента: US20170288043A1. Автор: BO LIU,Dae Sub Jung. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Method for manufacturing static induction type semiconductor device and thereby manufactured semiconductor device

Номер патента: GB9005988D0. Автор: . Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1990-05-09.

Tunable semiconductor device

Номер патента: US20130130462A1. Автор: Qizhi Liu,Alvin J. Joseph,David L. Harame,Ramana M. MALLADI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Tunable semiconductor device

Номер патента: US20120248573A1. Автор: Qizhi Liu,Ramana Murty Malladi,David Louis Harame,Alvin Jose Joseph. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-04.

Method for manufacturing static induction type semiconductor device

Номер патента: GB2230136A. Автор: Kazushi Kataoka,Takuya Komoda,Masahiko Suzumura. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1990-10-10.

Thin film transistor and method for manufacturing same, display device, method for modifying oxidized film, method for forming oxidized film, semiconductor device and method for manufacturing same, and apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW200539341A. Автор: Hikaru Kobayashi,Shigeki Imai,Kazuhiko Inoguchi. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2005-12-01.

Semiconductor device and method for forming patterns of semiconductor device

Номер патента: KR101927924B1. Автор: 김동현,김기정,신경섭,민재호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-12-12.

Semiconductor device and method for forming patterns of semiconductor device

Номер патента: KR20130046812A. Автор: 김동현,김기정,신경섭,민재호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-05-08.

Methods for fabricating a metal-oxide-semiconductor device structure

Номер патента: US7951660B2. Автор: David Vaclav Horak,Charles William Koburger, III,Larry Alan Nesbit,Mark Charles Hakey,Toshiharu Furukawa,Steven John Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-05-31.

SILICON OXYNITRIDE FILM AND METHOD FOR FORMING SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130181291A1. Автор: Takahashi Eiji,FUJIWARA Masaki,ANDO YASUNORI. Владелец: NISSIN ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2013-07-18.

Method for forming gate of semiconductor device by using polishing selectivity difference between polymer and oxide layer

Номер патента: KR100456319B1. Автор: 이상익. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-11-10.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: KR100618705B1. Автор: 피승호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-08.

Method for forming transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100537186B1. Автор: 김형균,김재수,은용석,이안배. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-12-16.

Method for forming salicide of semiconductor device

Номер патента: KR100400785B1. Автор: 성낙균. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-10-08.

Method for forming salicide of semiconductor device

Номер патента: KR100955921B1. Автор: 김운용,이준현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-05-03.

Method for forming transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100675897B1. Автор: 서혜진,김재수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-02.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100465631B1. Автор: 박성훈,안병권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-01-13.

Method for forming salicide of semiconductor device

Номер патента: KR100713332B1. Автор: 임비오. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-05-04.

Method for forming silicide in semiconductor device

Номер патента: KR100573271B1. Автор: 변동일. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-04-24.

Method for forming salicide in semiconductor device

Номер патента: US20040142532A1. Автор: Joon Lee,Woo Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Method for forming gate in semiconductor device

Номер патента: KR100618709B1. Автор: 김태균. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-06.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: KR101096434B1. Автор: 김정근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-20.

Method for forming wiring in semiconductor device

Номер патента: US6599825B2. Автор: Cheol Soo Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-29.

Method for Forming Silicide of Semiconductor Device

Номер патента: KR100720399B1. Автор: 이완규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-05-22.

Methods for forming resistor of semiconductor devices

Номер патента: KR101026315B1. Автор: 정이선. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-03-31.

Method for forming transistor of semiconductor device

Номер патента: TWI278938B. Автор: Jae-Soo Kim,Hye-Jin Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-04-11.

Method for forming gate in semiconductor device

Номер патента: KR20060077490A. Автор: 전승준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-05.

Method for forming transistor of semiconductor device

Номер патента: US6720224B2. Автор: Ku Cheol Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150340508A1. Автор: Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor device

Номер патента: US10734510B2. Автор: Hajime Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2020-08-04.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20230238235A1. Автор: Tao Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP2840595A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-02-25.

Semiconductor thin film and method for manufacturing the same and semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: TW374196B. Автор: Kenji Fukunaga,Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Shoji Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Lab Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-11.

Semiconductor Devices

Номер патента: US20180033867A1. Автор: Jisoo Oh,Sungwoo Myung,Geumjung Seong,Jinwook Lee,Dohyoung Kim,Yong-Ho Jeon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-01.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140370665A1. Автор: Rahimo Munaf,Corvasce Chiara,VOBECKY Jan,Otani Yoichi. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2014-12-18.

TWO-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE, OPTOELECTRONIC UNIT AND METHOD FOR MAKING THE TWO-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200312965A1. Автор: CHEN Chun-An,Zhang Xin-quan,Chen I-tung,Lee Yi-hsien,LAI YING-YU. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

Method for manufacturing passive device of semiconductor device

Номер патента: KR100968646B1. Автор: 조진연. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-07-06.

Group III nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group III nitride semiconductor device

Номер патента: CN104916751A. Автор: 中村孝夫,上野昌纪,松浦尚,盐谷阳平,京野孝史,滨口达史,古岛裕司. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-16.

Laminate, organic semiconductor device, methods for manufacturing laminate and organic semiconductor device, composition, and composition kit

Номер патента: TW202039250A. Автор: 中村敦,後藤崇,柯統輝,西追 羅林. Владелец: 比利時商愛美科公司. Дата публикации: 2020-11-01.

Systems and methods for fabricating gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US20140357073A1. Автор: Nam Sung Kim,Hongxiang MO. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-12-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240072141A1. Автор: Xi SONG,Pengyu Han,Huiqin Wang. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190386126A1. Автор: Naiqian Zhang,Xingxing Wu,Xinchuan ZHANG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Fuse box and method for fabricating the same and method for repairing the same in semiconductor device

Номер патента: TW200913148A. Автор: Jeong-Kyu KANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-03-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10770574B2. Автор: Naiqian Zhang,Xingxing Wu,Xinchuan ZHANG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-09-08.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20240153873A1. Автор: Yu-Hsin Wu,Hui Tzu CHAN. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Methods for manufacturing non-volatile memory device and device structure thereby

Номер патента: KR20080093288A. Автор: 박창수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-10-21.

Systems and methods for direct bonding in semiconductor die manufacturing

Номер патента: US20230066395A1. Автор: Kyle K. Kirby,Bang-Ning Hsu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device with semiconductor body and method for the production of a semiconductor device

Номер патента: US20100078756A1. Автор: Gerhard Schmidt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-04-01.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024160354A1. Автор: Florin Udrea,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Nazareno DONATO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for fabricating thin-film semiconductor device for display

Номер патента: US20130071972A1. Автор: Hisao Nagai,Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Semiconductor device production method

Номер патента: US20240282616A1. Автор: Yoshihiro Yamada,Ryuma Mizusawa,Yubun Kikuchi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220285565A1. Автор: Yi Pei,Guangmin DENG. Владелец: Gpower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Replacement metal gate semiconductor device formation using low resistivity metals

Номер патента: US20140065811A1. Автор: Chang Seo Park,Vimal K. Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Method for fabricating crown-type of semiconductor device

Номер патента: TW437012B. Автор: Yong-Sun Sohn,Seung-Woo Shin. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2001-05-28.

Semiconductor device

Номер патента: US11955542B2. Автор: Hsin-Chih Lin,Shin-Cheng Lin,Yung-Hao Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

recessed gate electrode structure and method for forming the same, semiconductor device having recessed gate electrode and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100711520B1. Автор: 이창훈,유영섭,이현덕,김효정,오정환,형용우,이공수,유대한. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-04-27.

Method for forming well of semiconductor device to eliminate increase factor of junction leakage current

Номер патента: KR100440887B1. Автор: 오재근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-09-18.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: KR20060066507A. Автор: 신민정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-16.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: KR100979234B1. Автор: 김의식. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-08-31.

Method for Forming Transistor in Semiconductor Device

Номер патента: KR100685871B1. Автор: 사승훈. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-02-23.

Method for forming patterns of semiconductor device

Номер патента: US9847227B2. Автор: Chun-Soo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for forming silicide of semiconductor device

Номер патента: KR20050019964A. Автор: 채은철. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-03-04.

Method for Forming Transistor of Semiconductor Device

Номер патента: KR101119739B1. Автор: 김동훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2012-03-21.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: KR101132297B1. Автор: 황선환,오재근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2012-04-05.

Method for manufacturing a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US6066540A. Автор: Young Jin Park,Seung Jin Yeom. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-23.

Method for manufacturing gallium nitride semiconductor device

Номер патента: US11784039B2. Автор: Shoichi Onda,Masatake Nagaya,Daisuke Kawaguchi,Jun Kojima,Kazukuni Hara,Chiaki Sasaoka. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2023-10-10.

Method for generating layout pattern of semiconductor device and layout pattern generating apparatus

Номер патента: US20100152876A1. Автор: Tomoyuki Inoue. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Power semiconductor device and method for manufacturing such a power semiconductor device

Номер патента: US20130334566A1. Автор: Munaf Rahimo,Iulian NISTOR,Friedhelm Bauer,Maxi ANDENNA,Marco Bellini. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2013-12-19.

DEVICE ARCHITECTURE AND METHOD FOR PRECISION ENHANCEMENT OF VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140145240A1. Автор: III Thomas E.,Harrington. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2014-05-29.

P-TYPE OXIDE, P-TYPE OXIDE-PRODUCING COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING P-TYPE OXIDE, SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE, IMAGE DISPLAY APPARATUS, AND SYSTEM

Номер патента: US20190172914A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Takada Mikiko,Saotome Ryoichi. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2019-06-06.

Method for filling polysilicon gate in semiconductor devices, and semiconductor devices

Номер патента: US20150357340A1. Автор: GUO JUNG-YI,CHENG CHUN-MIN. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

P-TYPE OXIDE, P-TYPE OXIDE-PRODUCING COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING P-TYPE OXIDE, SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE, IMAGE DISPLAY APPARATUS, AND SYSTEM

Номер патента: US20170345901A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Takada Mikiko,Saotome Ryoichi. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2017-11-30.

P-type oxide, p-type oxide-producing composition, method for producing p-type oxide, semiconductor device, display device, image display apparatus, and system

Номер патента: US10923569B2. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Mikiko Takada. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-16.

P-type oxide, p-type oxide-producing composition, method for producing p-type oxide, semiconductor device, display device, image display apparatus, and system

Номер патента: WO2012133915A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Mikiko Takada. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-10-04.

Wide gap type semiconductor device and method for manufacturing wide gap type semiconductor device

Номер патента: JP6030806B1. Автор: 俊一 中村,小笠原　淳,淳 小笠原,良平 大澤,雄介 前山,昭彦 渋川. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

P-type oxide, p-type oxide-producing composition, method for producing p-type oxide, semiconductor device, display device, image display apparatus, and system

Номер патента: SG193994A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Mikiko Takada. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-29.

P-type oxide, p-type oxide-producing composition, method for producing p-type oxide, semiconductor device, display device, image display apparatus, and system

Номер патента: KR102045364B1. Автор: 유키코 아베,나오유키 우에다,유키 나카무라,신지 마츠모토,유지 소네,료이치 사오토메,미키코 다카다. Владелец: 가부시키가이샤 리코. Дата публикации: 2019-11-15.

Silicon carbide substrate, its manufacture method and the method for manufacturing manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN107002280A. Автор: 冲田恭子,本家翼. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for manufacturing microelectronic device and semiconductor device using the same

Номер патента: TWI377650B. Автор: Jeffrey Junhao XU,Chunhung Lee,Chiata Hsieh,Chunpei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2012-11-21.

Power semiconductor device and method for manufacturing such a power semiconductor device

Номер патента: GB2502477B. Автор: Munaf Rahimo,Iulian NISTOR,Friedhelm Bauer,Maxi ANDENNA,Marco Bellini. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2014-12-17.

Method for manufacturing microelectronic device and semiconductor device using the same

Номер патента: TW201003854A. Автор: Jeffrey Junhao XU,Chun-Pei Wu,Chia-Ta Hsieh,Chun-Hung Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-01-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200235028A1. Автор: Hyung Seok Lee,Sung-Bum BAE,Zin-Sig KIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190096782A1. Автор: Hyung Seok Lee,Sung-Bum BAE,Zin-Sig KIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor package, method for fabricating the same, and semiconductor device

Номер патента: TW200606999A. Автор: Katsutoshi Shimizu,Tatsuya Hirano,Hisaho Inao. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-16.

Method for forming inductor in semiconductor device

Номер патента: US20050014317A1. Автор: Sung Pyo. Владелец: HYMIX SEMICONDUCTOR Inc. Дата публикации: 2005-01-20.

Method for forming fuse of semiconductor device

Номер патента: KR100620656B1. Автор: 김진배. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-12-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240224500A1. Автор: Kang Sik Choi,Seung Hwan Kim,Hye Won YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

GaN Substrate, Semiconductor Device and Method for Fabricating GaN Substrate and Semiconductor Device

Номер патента: US20140361311A1. Автор: Zhang Zhenghai,Zhang Zongmin,Cao Bocheng. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PROVIDING AN INDUCTOR IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: AR095457A1. Автор: Hadjichristos Aristotele,Park Yunseo,Chen Xiaoming,Zhang Xiaonan,Nejati Babak,Kyu Song Young,David Lane Ryan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-10-21.

Semiconductor device and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20170179145A1. Автор: Boon Jiew CHEE. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-06-22.

Method for fabricating fine pattern of semiconductor device

Номер патента: KR100363703B1. Автор: Min Kyung Ko. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130049117A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-02-28.

Method for forming tungsten layer and method for forming wiring of semiconductor device using the same

Номер патента: KR100939777B1. Автор: 김준기,하가영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-01-29.

Method for forming tungsten film and method for forming wiring of semiconductor device using the same

Номер патента: CN101447427B. Автор: 河佳英,金俊基. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-02-09.

RESIST PATTERN THICKENING MATERIAL, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130200500A1. Автор: KOZAWA Miwa,Nozaki Koji. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2013-08-08.

METHOD FOR FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180226251A1. Автор: Yeh Chiu-Hsien,Feng Li-Wei,YU Kuei-Hsuan,Chen Kai-Ping. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100557961B1. Автор: 이기정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-03-07.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100557956B1. Автор: 안명규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-03-10.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: KR100802272B1. Автор: 김영석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-02-11.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100587082B1. Автор: 이기정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-08.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: KR100307537B1. Автор: 모경구. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-11-02.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR101026477B1. Автор: 송한상. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-04-01.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: KR100818653B1. Автор: 남기원,한기현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-04-01.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: KR100680970B1. Автор: 이종민,최형복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-09.

Method for forming pattern in semiconductor device

Номер патента: KR20080087200A. Автор: 남기원,한기현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-10-01.

Method for forming gate in semiconductor device

Номер патента: KR100460069B1. Автор: 피승호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-12-04.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: KR100881391B1. Автор: 곽노정,김수현,이영진,황선우,임관용,김백만. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-05.

Method for forming gateelectrode in semiconductor device

Номер патента: KR100585011B1. Автор: 정성희. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-29.

method for forming gate electrode semiconductor device

Номер патента: KR100351907B1. Автор: 이병학. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-09-12.

Method for forming junction in semiconductor device

Номер патента: KR100412129B1. Автор: 김정수,손상호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-31.

Method for forming electrode of semiconductor device

Номер патента: KR100940267B1. Автор: 지연혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-02-04.

Method for forming gateelectrode in semiconductor device

Номер патента: KR100384864B1. Автор: 지승헌. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-05-22.

Method for forming a packaged semiconductor device

Номер патента: US7838420B2. Автор: Jinbang Tang,William H. Lytle,Darrel R. Frear. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-11-23.

A method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: KR20060072829A. Автор: 정대호. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-28.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: KR100668844B1. Автор: 이진열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-16.

Method for forming pattern in semiconductor device

Номер патента: KR100874433B1. Автор: 박형순,신종한,유철휘,박점용,김성준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-12-17.

Method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing device provided with semiconductor device, semiconductor device, and device provided with semiconductor device

Номер патента: US20230162992A1. Автор: Takafumi Fukushima,Hisashi Kino,Tetsu Tanaka,Yuki Susumago. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130049116A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210358859A1. Автор: Ming-Hung Chen,Hui-Ping JIAN,Wei-Zhen QIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

COMPOSITE GaN SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING COMPOSITE GaN SUBSTRATE, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130175543A1. Автор: Okahisa Takuji,Matsubara Hideki,Kiyama Makoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-07-11.

EPITAXIAL SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130181327A1. Автор: MIYOSHI Makoto,ICHIMURA Mikiya,MAEHARA Sota,TANAKA Mitsuhiro. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2013-07-18.

Semiconductor device group and method for fabricating the same, and semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: TWI253746B. Автор: Shinichi Nakagawa,Taiji Ema,Hideyuki Kojima,Toru Anezaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-04-21.

Semiconductor device having an oxynitride film

Номер патента: US5874766A. Автор: Takashi Hori. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-23.

Epitaxial substrate for semiconductor device, method for manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20130181327A1. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Makoto Miyoshi,Sota Maehara,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2013-07-18.

Method, System, and Apparatus for Forming Three-Dimensional Semiconductor Device Package with Waveguide

Номер патента: US20210035927A1. Автор: Gong Zhiwei,Hayes Scott M.,Vincent Michael B.,Hooper Stephen Ryan. Владелец: NXP USA, Inc.. Дата публикации: 2021-02-04.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130334566A1. Автор: Rahimo Munaf,Andenna Maxi,Nistor Iulian,Bellini Marco,Bauer Friedhelm. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2013-12-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A CHARGE CARRIER COMPENSATION STRUCTURE AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140231969A1. Автор: Mauder Anton,Hirler Franz,Willmeroth Armin,Kapels Holger,RUEB Michael. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-21.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, P-TYPE CONTACT STRUCTURE, AND METHOD FOR FABRICATING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150255958A1. Автор: UENO Masaki,ENYA Yohei,Kyono Takashi,Nakamura Takao,HAMAGUCHI TATSUSHI,FURUSHIMA YUJI,Matsuura Takashi. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

METHOD FOR THE MANUFACTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED FROM THE KIND

Номер патента: FR2349955A1. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1977-11-25.

Device and method for fabrication of edge at semiconductor devices

Номер патента: RU2530454C1. Автор: Райнер БАРТЕЛЬМЕСС,Тобиас ГАМОН,Уве КЕЛЛЬНЕР-ВЕРДЕХАУЗЕН,Дирк ПИКОРЦ,Харальд КУН,Оскар НОЙХОФФ,Норберт ХАУАЙС,Йоханн БРОЙ. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Биполар Гмбх Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2014-10-10.

Driving method for reverse conducting semiconductor element, semiconductor device, and feeding device

Номер патента: CN101946324B. Автор: 添野明高,斋藤顺. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2013-02-27.

Production method for thin-film crystal wafer, semiconductor device using it and production method therefor

Номер патента: AU2003271176A1. Автор: Masahiko Hata. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-04.

Method for forming high-k charge storage device

Номер патента: SG144931A1. Автор: HSIA Liang Choo,Sohn Dong Kyun,Ang Chew Hoe. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-08-28.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US20160042986A1. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US9472439B2. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Die attachment for packaged semiconductor device

Номер патента: US20160118365A1. Автор: Rama I. Hegde,Nishant Lakhera,Akhilesh K. Singh. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-04-28.

METHOD FOR FORMING A THIN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140220742A1. Автор: HOSSEINI Kahlil. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-08-07.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US7947598B2. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-05-24.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230326836A1. Автор: Matthew Anthony,Ricardo Yandoc,Jorex Lumanog. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4213203A1. Автор: Zhou Zhou,Adam Brown,Ricardo Yandoc. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-07-19.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4261880A1. Автор: Matthew Anthony,Ricardo Yandoc,Jorex Lumanog. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-10-18.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US5689136A. Автор: Mitsuo Usami,Takashi Tase. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-11-18.

Semiconductor device, substrate for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing substrate for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JPWO2006009029A1. Автор: 永 知加雄 池,永 知加雄 池,謙太朗 関,川 和 人 細,川 和 人 細,結 卓 司 桶,結 卓 司 桶,川 桂 介 吉,川 桂 介 吉,村 和 弘 池,村 和 弘 池. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor device, substrate for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing substrate for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP4818109B2. Автор: 永 知加雄 池,謙太朗 関,川 和 人 細,結 卓 司 桶,川 桂 介 吉,村 和 弘 池. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-11-16.

THERMOSETTING RESIN SHEET FOR SEALING ELECTRONIC COMPONENT, RESIN-SEALED TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING RESIN-SEALED TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140061955A1. Автор: MATSUMURA Takeshi,Uenda Daisuke,Toyoda Eiji,SHIMIZU Yusaku,Torinari Tsuyoshi. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-06.

Thermosetting resin sheet for sealing electronic component, resin-sealed type semiconductor device, and method for producing resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: US9147625B2. Автор: Eiji Toyoda,Takeshi Matsumura,Daisuke Uenda,Tsuyoshi Torinari,yusaku Shimizu. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2015-09-29.

Thermosetting resin sheet for sealing electronic component, resin-sealed type semiconductor device, and method for producing resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: SG2013064712A. Автор: MATSUMURA Takeshi,Uenda Daisuke,Toyoda Eiji,SHIMIZU Yusaku,Torinari Tsuyoshi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2014-03-28.

Sealing method, sealing layer, mixed liquid for sealing layer formation, method for producing sealing layer, and semiconductor device

Номер патента: WO2020110534A1. Автор: 有章 志田,井　宏元,幸宏 牧島. Владелец: コニカミノルタ株式会社. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same and semiconductor device-mounted structure

Номер патента: US6930388B2. Автор: Shigeharu Tsunoda,Akira Yajima,Asao Nishimura,Kosuke Inoue,Ichiro Anjo,Yoshihide Yamaguchi,Naoya Kanda,Noriyuki Oroku,Madoka Minagawa,Kenji Ujiie,Hiroshi Hozoji,Hiroyuki Tenmei. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-16.

Wiring board, semiconductor device, and method for manufacturing wiring board and semiconductor device

Номер патента: US8552570B2. Автор: Shintaro Yamamichi,Katsumi Kikuchi,Masaya Kawano,Yoichiro Kurita,Kouji Soejima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-08.

Circuit board, method for designing circuit board, and semiconductor device

Номер патента: EP3651192A1. Автор: Takanobu Naruse. Владелец: Aisin AW Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-13.

Method for manufacturing insulating substrate for semiconductor device and metal pattern plate therefor

Номер патента: JPH07105461B2. Автор: 忍 高浜,国隆 神島. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-11-13.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US20030109103A1. Автор: Kyong Kim,Ho-Jung Sun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

Polymer for forming photoresist pattern and method for forming pattern of semiconductor device using the same

Номер патента: TW201035256A. Автор: Jae-Woo Lee,Jae-Hyun Kim,Jung-Youl Lee,Deog-Bae Kim. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-01.

Methods for thermal treatment of a semiconductor layer in semiconductor device

Номер патента: US20230138575A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Nitride compound based semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20020142563A1. Автор: YVES Lacroix,Shiro Sakai. Владелец: Nitride Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Method for forming bump and semiconductor device.

Номер патента: HK1023649A1. Автор: Akira Okamoto. Владелец: Niigata Seimitsu Co Ltd. Дата публикации: 2000-09-15.

Method for forming bump and semiconductor device

Номер патента: AU4725297A. Автор: Akira Okamoto. Владелец: Nigata Semitsu Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-29.

Method to detect photoresist residue on a semiconductor device

Номер патента: US20050250227A1. Автор: Yung-Lung Hsu,To-Yu Chen,Mei-Yen Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor device and method for manufacturing multilayered substrate for semiconductor device

Номер патента: TWI308606B. Автор: Takashi Kobori,Kazushi Hayashi,Koji Kobashi,Yoshihiro Yokota,Takeshi Tachibana. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2009-04-11.

Electrostatic attachment chuck, method for manufacturing the same, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180315635A1. Автор: Eiichi Yamamoto,Toshihiro Ito,Takahiko Mitsui,Yoshihiro TERAKUBO. Владелец: Okamoto Machine Tool Works Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Method for fabricating nanometer gate in semiconductor device using thermally reflowed resist technology

Номер патента: TW200424759A. Автор: Edward Y Chang,Huang-Ming Lee. Владелец: Univ Nat Chiao Tung. Дата публикации: 2004-11-16.

Method for manufacturing a capacitor of semiconductor device

Номер патента: TW546695B. Автор: Dong-Su Park,Cheol-Hwan Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-08-11.

Method for capturing gaseous impurities and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: GB9711576D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-07-30.

Method for forming thin film and method for forming capacitor of semiconductor device using the same

Номер патента: KR100942958B1. Автор: 김영대,이기정,송한상,염승진,김진혁,노재성,길덕신. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-02-17.

Method for forming dielectric film and method for forming capacitor in semiconductor device using the same

Номер патента: US8092862B2. Автор: Kwon Hong,Seung Jin Yeom,Deok Sin Kil. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-10.

Method For Forming Dielectric Film And Method For Forming Capacitor In Semiconductor Device Using The Same

Номер патента: US20080138503A1. Автор: Kwon Hong,Deok-Sin Kil,Seung-Jin Yeom. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor substrate manufacturing method for forming e.g. semiconductor device, involves forming metal layer, and separating transfer layer from donor structure to form composite substrate comprising transfer layer and metal layer

Номер патента: FR2972292A1. Автор: Chantal Arena,Christiaan J Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2012-09-07.

Method for etching metal film with mask, method for forming wiring of semiconductor device, method for etching metal film and etching gas

Номер патента: JP2004080045A. Автор: Chang-jin Kang,Heiin Nan,Seung-Young Son,Cheol-kyu Lee,孫　丞▲ヤン▼,李　哲圭,姜　昌珍,南　炳允. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Apparatus for fabricating semiconductor device and method for forming pattern of semiconductor device

Номер патента: KR100291331B1. Автор: 최광석,김영선,이홍,정진항,정규찬. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-07-12.

Methods for polishing copper features of semiconductor devices structures

Номер патента: US20050153556A1. Автор: Nishant Sinha,Dinesh Chopra. Владелец: Dinesh Chopra. Дата публикации: 2005-07-14.

Spin-on carbon hard mask composition including condensation polymer for spin-on carbon hard mask and method for forming pattern of semiconductor device using same

Номер патента: KR101507830B1. Автор: 허지현,손경철,김삼민,김정미. Владелец: 금호석유화학 주식회사. Дата публикации: 2015-04-27.

Solubility-improved high etch-resistant condensation polymer for carbon hard mask and carbon hard mask composition including same, method for forming pattern of semiconductor device using same

Номер патента: KR20140038810A. Автор: 허지현,손경철,김삼민,김정미. Владелец: 금호석유화학 주식회사. Дата публикации: 2014-03-31.

Method for forming resist pattern, semiconductor device and production method thereof

Номер патента: KR100845486B1. Автор: 고자와 미와,노자키 코지. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2008-07-10.

Photomask and method for forming pattern of semiconductor device using the same

Номер патента: US20140065524A1. Автор: Jeong Su Park,Myoung Soo Kim,Byoung Hoon Lee,Jun Taek Park,In Hwan Lee,Chang Moon Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

METHOD FOR FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170025284A1. Автор: KANG Chun-Soo. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

Method for Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20140235058A1. Автор: Mauder Anton,Schulze Hans-Joachim,Strack Helmut,Berger Rudolf,Lehnert Wolfgang,Hirler Franz,Pruegl Klemens. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-21.

METHOD FOR FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING SADP PROCESS

Номер патента: US20140273441A1. Автор: Kim Tae-Soo,CHO Yong-Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20160358770A1. Автор: PARK Joon-Soo,Kim Hee-Jung,DO Sin-Hae,Kim Jae-hee,HA Soon-mok,Kang Dae-Yong,CHO Seok-Won,Jeon Byung-Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Method for Forming Capacitor of Semiconductor Device

Номер патента: KR100583118B1. Автор: 정종구,박형순. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-23.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20050136590A1. Автор: Jong Jung,Hyung Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-23.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7056803B2. Автор: Jong Goo Jung,Hyung Soon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-06.

Method for forming inductor of semiconductor device

Номер патента: KR100480893B1. Автор: 조진연. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-04-07.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100405933B1. Автор: 김종국,남기원. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-11-14.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: US6444479B1. Автор: Hyung Bok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-09-03.

Method for forming gate of semiconductor device using double layer patterning

Номер патента: KR100541703B1. Автор: 한승희. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-01-16.

Method for forming pattern of semiconductor device

Номер патента: KR100403323B1. Автор: 김대영,김현곤. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-10.

Method for forming pattern of semiconductor device

Номер патента: KR100378539B1. Автор: 김명수,길명군. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-04-03.

Method for forming micropattern in semiconductor device

Номер патента: KR100955265B1. Автор: 이홍구. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-04-30.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: KR100762907B1. Автор: 채광기. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-10-08.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: KR100668850B1. Автор: 황선환,오재근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-16.

Method for forming well of semiconductor device

Номер патента: KR100290902B1. Автор: 심현숙. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2001-06-01.

Method for Forming Pattern of Semiconductor Device

Номер патента: KR101043412B1. Автор: 김진수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-06-22.

Method for forming transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100241540B1. Автор: 우영탁. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-02-01.

A method for forming electrode in semiconductor device

Номер патента: KR100529383B1. Автор: 정중택,박계순. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-11-17.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100713922B1. Автор: 이기정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-05-07.

method for forming pattern of semiconductor device

Номер патента: KR100685900B1. Автор: 김주현. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-02-26.

Method for forming pattern of semiconductor device

Номер патента: KR100557949B1. Автор: 이병석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-03-10.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100668849B1. Автор: 이기정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-16.

Method for forming patterns of semiconductor device

Номер патента: KR101200938B1. Автор: 여기성,우상균,이지영,오석환,고차원,강율. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-11-13.

Method for forming pattern of semiconductor device

Номер патента: KR100891532B1. Автор: 이종민,김찬배,정채오,이효석,민성규,안현주. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-04-03.

Method for forming layer in semiconductor device

Номер патента: KR100705423B1. Автор: 임정근. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-04-09.

Method for forming contact in semiconductor device

Номер патента: KR100717771B1. Автор: 안태항. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-05-11.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR20060007526A. Автор: 강혁수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-01-26.

Method for forming pattern in semiconductor device

Номер патента: KR20150040493A. Автор: 조병욱. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2015-04-15.

Method for forming micropattern in semiconductor device

Номер патента: KR101070307B1. Автор: 조준희. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-10-06.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: KR100900233B1. Автор: 김대영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-06-02.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: KR100650756B1. Автор: 이종민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-27.

Method for forming pattern in semiconductor device

Номер патента: KR100522094B1. Автор: 윤주영,전성오. Владелец: 주식회사 테라반도체. Дата публикации: 2005-10-18.

Method for forming patterns in semiconductor device using ArF light source

Номер патента: KR100853461B1. Автор: 김광옥,송운영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-08-21.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: KR100940115B1. Автор: 강양범. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-02-02.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: KR100447979B1. Автор: 박성훈,안병권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-09-10.

Method for forming pattern in semiconductor device

Номер патента: KR100831975B1. Автор: 남기원,김태한. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-05-26.

A method for forming plug in semiconductor device

Номер патента: KR20070001509A. Автор: 유재선. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-04.

Method for forming pattern in semiconductor device

Номер патента: KR100761362B1. Автор: 김재영,남기원. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-09-27.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR101004526B1. Автор: 채광기. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-12-31.

Method for forming gate in semiconductor device

Номер патента: KR100618707B1. Автор: 전윤석,최형복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-06.

Method for forming capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100470389B1. Автор: 이기정,홍병섭. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-02-07.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100520140B1. Автор: 신현상. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-12-01.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: KR100336748B1. Автор: 김무종. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-13.

Method for forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US8202683B2. Автор: Cheol Kyu Bok,Ki Lyoung Lee,Keun Do Ban. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-19.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: KR100384784B1. Автор: 전범진,조성윤. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-05-23.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100248814B1. Автор: 이기엽,배영헌. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-15.

Method for forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20110312184A1. Автор: Byoung Hoon Lee,Jong Sik Bang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-22.

A method for forming pattern of semiconductor device

Номер патента: KR100451509B1. Автор: 유재선. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-10-06.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100668832B1. Автор: 이기정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-16.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: KR100906499B1. Автор: 박정구. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2009-07-08.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100575887B1. Автор: 홍권,길덕신. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-03.

Method for forming bit line semiconductor device

Номер патента: KR100430557B1. Автор: 박철수. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2004-05-10.

Method for forming gate in semiconductor device

Номер патента: US20060211186A1. Автор: Hyung Choi,Yun Chun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-09-21.

Method for forming transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100340884B1. Автор: 박근숙. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: US6410381B2. Автор: Dong Jun Kim,Kyong Min Kim,Kyung Cheol Jeong,Han Sang Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-06-25.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100598984B1. Автор: 조호진,김해원,이은아,채수진,이금범,장준수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-12.

Method for forming capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100744653B1. Автор: 최형복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-01.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR20020096129A. Автор: 이재동,최성제. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-12-31.

The method for forming capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100465635B1. Автор: 김해원,채수진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-01-13.

Method for forming micropattern in semiconductor device

Номер патента: KR101094953B1. Автор: 정진기. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-15.

Methods for forming pad of semiconductor devices

Номер патента: KR101026002B1. Автор: 고창진. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-03-30.

Method for forming interconnection of semiconductor device

Номер патента: KR100209597B1. Автор: 박지수,변정수. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-07-15.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100631950B1. Автор: 송한상,박기선. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-10-04.

Method for forming well of semiconductor device

Номер патента: KR100186511B1. Автор: 김종채. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-04-15.

The method for forming bitline in semiconductor device

Номер патента: KR100511913B1. Автор: 박동수,정승훈,김형균,우상호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-09-02.

Method for forming pattern of semiconductor device

Номер патента: KR100866681B1. Автор: 김수홍. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2008-11-04.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: US20050136575A1. Автор: Sang Ho Woo,Su Ho Kim,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-23.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: JP2707415B2. Автор: ゾン・ス・ビョン,ヒョン・ズン・キム. Владелец: エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド. Дата публикации: 1998-01-28.

Method for forming contact of semiconductor device

Номер патента: KR100252924B1. Автор: 강찬호. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-04-15.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: US6716756B2. Автор: Tae Woong Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-06.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100713906B1. Автор: 이기정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-05-07.

Method for forming micropattern in semiconductor device

Номер патента: KR20070074174A. Автор: 이재영,이민석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-07-12.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100631949B1. Автор: 오재민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-10-04.

Method for forming plug in semiconductor device

Номер патента: KR100688061B1. Автор: 이정석,남기원. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-02.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100557954B1. Автор: 박동수,채수진,이태혁,박철환,송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-03-10.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100587088B1. Автор: 박종범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-08.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100753411B1. Автор: 박종범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-30.

Method for forming gallium nitride semiconductor device with improved forward conduction

Номер патента: US8383499B2. Автор: TingGang Zhu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-02-26.

Method for forming capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100722999B1. Автор: 박종범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-05-30.

Method for forming pattern in semiconductor device

Номер патента: KR101093626B1. Автор: 이강복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-15.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20030134484A1. Автор: Dong Shin,Ki Park,Kwang Cho,Kyong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-17.

Method for forming micropattern in semiconductor device

Номер патента: KR101161797B1. Автор: 조성윤. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-07-03.

Method for Forming Pattern of Semiconductor device

Номер патента: KR101077453B1. Автор: 복철규,이기령,반근도. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-10-26.

Method for forming capacitor in semiconductor device

Номер патента: TW200400587A. Автор: Byung-Jun Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-01.

Method for detecting defects in semiconductor device

Номер патента: US11854913B2. Автор: Hong-Seng Shue,Victor Chiang Liang,Yang-Che CHEN,Chen-hua Lin,Huang-Wen Tseng,Chwen-Ming Liu,Wei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Methods for selective etching of a silicon material using hf gas without nitrogen etchants

Номер патента: US20180082849A1. Автор: Mikhail Korolik,Nitin K. Ingle,Anchuan Wang,Zihui Li. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

MECHANISMS FOR FORMING BACKSIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20150076638A1. Автор: Weng Wei-Chih,Huang Hsun-Ying,MENG Hsien-Liang,SU Bo-Chang,TAI Chih-Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-03-19.

MECHANISMS FOR FORMING BACKSIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20150087104A1. Автор: LIU Chia-Wei,TSENG Chung-Chuan,Tsai Yu-Hsiang,CHU Li-Hsin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

MECHANISMS FOR FORMING BACKSIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20160172392A1. Автор: LIU Chia-Wei,TSENG Chung-Chuan,Tsai Yu-Hsiang,CHU Li-Hsin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-06-16.

Method for manufacturing substrate for semiconductor device production, method for manufacturing semiconductor device, and method for cleaning apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: AU2003284448A1. Автор: Hikaru Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-18.

Optoelectronic semiconductor device and manufacturing method of an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2023222385A1. Автор: Anna Kasprzak-Zablocka,Tansen Varghese,Martin Hetzl. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-11-23.

Methods for reducing heat transfer in semiconductor assemblies, and associated systems and devices

Номер патента: US20210343692A1. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Method for separating selected articles from an array

Номер патента: US3627124A. Автор: Peter R Hance,Ronald I Strohl,William R Wanesky. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1971-12-14.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, method for manufacturing interim product of semiconductor device, interim product of semiconductor device, and lead frame

Номер патента: WO2009084597A1. Автор: Shuji Mori,Kiyoshi Matsunaga. Владелец: MITSUI HIGH-TEC, INC.. Дата публикации: 2009-07-09.

Radiation-emitting semiconductor component and method for producing radiation-emitting semiconductor component

Номер патента: US11848406B2. Автор: Roland Heinrich Enzmann,Martin Rudolf Behringer,Hubert Halbritter. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20200286811A1. Автор: Takaaki Shirasawa,Nobuyoshi Kimoto,Shintaro Araki,Hideo KOMO,Takeshi Omaru. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Radiation-emitting semiconductor component and method for producing radiation-emitting semiconductor component

Номер патента: US20240055568A1. Автор: Roland Heinrich Enzmann,Martin Rudolf Behringer,Hubert Halbritter. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-02-15.

ETCHING COMPOSITION, METHOD FOR ETCHING INSULATING FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME AND METHOD FOR PREPARING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210062089A1. Автор: Lee Jong Ho,KIM Cheol Woo,LEE Kwang Kuk,KWAK Jae Hoon,KIM Young Bom,SHIN Jung Ha,JO Jin Kyung. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

ETCHING COMPOSITION, METHOD FOR ETCHING INSULATING LAYER OF SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD FOR PREPARING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200131439A1. Автор: Lee Jong Ho,Shim Yu Na,KIM Cheol Woo,LEE Kwang Kuk,KWAK Jae Hoon,KIM Young Bom,JO Jin Kyung. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Etching composition, method for etching insulating layer of semiconductor devices, method for preparing semiconductor devices and silane compound

Номер патента: KR102024758B1. Автор: 김철우,심유나,이광국,김영범,조진경. Владелец: 에스케이머티리얼즈 주식회사. Дата публикации: 2019-09-25.

Epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, and method for manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device

Номер патента: KR102491830B1. Автор: 요시타카 구라오카,소타 마에하라,미키야 이치무라. Владелец: 엔지케이 인슐레이터 엘티디. Дата публикации: 2023-01-25.

Conductive bump, method for manufacturing the conductive bump, semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: KR101155709B1. Автор: 다이스케 사쿠라이,요시히코 야기. Владелец: 파나소닉 주식회사. Дата публикации: 2012-06-12.

Sealing resin composition, method for producing sealing resin composition, semiconductor device, and method for producing semiconductor device

Номер патента: WO2019035431A1. Автор: 彩 水島,貴広 中田,恵太 湧口. Владелец: 日立化成株式会社. Дата публикации: 2019-02-21.

Etching composition, method for etching insulating layer of semiconductor devices and method for preparing semiconductor devices

Номер патента: US20200131439A1. Автор: Cheol Woo Kim,Yu Na Shim,Kwang Kuk Lee,Young Bom Kim,Jin Kyung Jo,Jong Ho Lee,Jae Hoon Kwak. Владелец: SK Materials Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Apparatus and method for producing group III nitride semiconductor device and method for producing semiconductor wafer

Номер патента: US9773667B2. Автор: Kenji Ishikawa,Masaru Hori,Osamu Oda,Hiroki Kondo. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 2017-09-26.

Substrate for semiconductor device and method for manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: KR100945438B1. Автор: 이혜용,최영준. Владелец: 주식회사루미지엔테크. Дата публикации: 2010-03-05.

Chip-scale packaged vertical semiconductor device

Номер патента: EP4213199A1. Автор: Hans-Juergen Funke,Wolfgang Schnitt,Joep Stokkermans,Stefan Berglund,Hartmut Bünning,Johannes Josinus Kuipers,Rene Poelma. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-07-19.

Temperature control method for substrate heat treatment apparatus, semiconductor device manufacturing method, temperature control program for substrate heat treatment apparatus, and recording medium

Номер патента: US20120219921A1. Автор: Kaori Mashimo,Masami Shibagaki. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

RESIN COMPOSITION, CONDUCTIVE RESIN CONPOSITION, ADHESIVE, CONDUCTIVE ADHESIVE, PASTE FOR FORMING ELECTRODES, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180079856A1. Автор: Yamaguchi Takashi,ABE Shinichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

Apparatus and Method for Producing Group III Nitride Semiconductor Device and Method for Producing Semiconductor Wafer

Номер патента: US20150140788A1. Автор: Hori Masaru,Kondo Hiroki,Oda Osamu,Ishikawa Kenji. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor element and a producing method for the same, and a semiconductor device and a producing method for the same

Номер патента: KR100545008B1. Автор: 니시야마도모히로,다고마사모토. Владелец: 닛본 덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2006-01-24.

Method for manufacturing a highly integrated semiconductor device having a capacitor of large capacitance

Номер патента: US5227322A. Автор: Sung-Tae Kim,Jae-hong Ko,Hee-seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-07-13.

METHOD FOR DRY FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE BY PHOTOCHEMICAL REACTION AND APPARATUS FOR CARRYING OUT SAID METHOD

Номер патента: FR2545984A1. Автор: Jun-ichi Nishizawa. Владелец: Semiconductor Research Foundation. Дата публикации: 1984-11-16.

Method and apparatus for forming pattern of semiconductor device

Номер патента: KR100248628B1. Автор: 최용규. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-03-15.

Apparatus and method for producing group iii nitride semiconductor device and method for producing semiconductor wafer

Номер патента: KR102330144B1. Автор: 겐지 이시카와,히로키 곤도,오사무 오다,마사루 호리. Владелец: 고쿠리츠 다이가쿠 호우징 도우카이 고쿠리츠 다이가쿠 기코우. Дата публикации: 2021-11-22.

Process for forming contact of semiconductor device

Номер патента: KR100215899B1. Автор: 유정윤. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-08-16.

Group-iii nitride semiconductor device, method for fabricating group-iii nitride semiconductor device, and epitaxial substrate

Номер патента: US20120112203A1. Автор: Takashi Kyono,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Koji Nishizuka,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-05-10.

P-TYPE OXIDE, P-TYPE OXIDE-PRODUCING COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING P-TYPE OXIDE, SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE, IMAGE DISPLAY APPARATUS, AND SYSTEM

Номер патента: US20140009514A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Takada Mikiko,Saotome Ryoichi. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-09.

Method for Producing a Radiation-Emitting Semiconductor Device and Radiation-Emitting Semiconductor Device

Номер патента: US20220028926A1. Автор: Katz Simeon. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-27.

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING HARDENED RELIEF PATTERN, SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20170102613A1. Автор: Sasaki Takahiro,SHIBUI Satoshi,HIRATA Tatsuya,YAMADA Taisuke. Владелец: ASAHI KASEI E-MATERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2017-04-13.

METHOD FOR MANUFACTURING MOUNTING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200243356A1. Автор: TAKANO Tetsuo,Maeda Toru,Nakamura Tomonori. Владелец: SHINKAWA LTD.. Дата публикации: 2020-07-30.

ELECTROSTATIC ATTACHMENT CHUCK, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180315635A1. Автор: Mitsui Takahiko,Ito Toshihiro,YAMAMOTO Eiichi,TERAKUBO Yoshihiro. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor Device and Method for Producing a Plurality of Semiconductor Devices

Номер патента: US20170338384A1. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-23.

Method for planarizing insulation layer of semiconductor device to prevent characteristic of semiconductor device from being deteriorated by formation of narrow and deep contact

Номер патента: KR100439838B1. Автор: 김동우,권철순. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-09-18.

Methods for manufacturing electronic component and semiconductor device, semiconductor device, circuit board and electronic equipment

Номер патента: KR100549844B1. Автор: 하시모토노부아키. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-02-06.

Methods for manufacturing electronic component and semiconductor device, semiconductor device, circuit board and electronic equipment

Номер патента: KR20050065686A. Автор: 노부아키 하시모토. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-06-29.

Positive-type photosensitive resin composition, method for production of resist pattern, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20110250396A1. Автор: Hiroshi Matsutani,Ken Nanaumi,Takumi Ueno,Alexandre Nicolas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-13.

Etching method for use in fabrication of semiconductor devices

Номер патента: US5798303A. Автор: Darwin A. Clampitt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-08-25.

Positive-type photosensitive resin composition, method for production of resist pattern, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: WO2009063808A1. Автор: Hiroshi Matsutani,Ken Nanaumi,Takumi Ueno,Alexandre Nicolas. Владелец: HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2009-05-22.

Group-iii nitride semiconductor device, method for fabricating group-iii nitride semiconductor device, and epitaxial substrate

Номер патента: TW201234415A. Автор: Takashi Kyono,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Koji Nishizuka,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2012-08-16.

SYSTEMS AND METHODS FOR FABRICATING GATE STRUCTURES FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150024585A1. Автор: Zhou Feng,KIM Seung,WANG Haiting,Lee Yong Meng,SHEN Yan Ping,LUO Tien-Ying,SHI Haoran,TONG Wei Hua. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-01-22.

ETCHING SOLUTION FOR AN ALUMINUM OXIDE FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING A THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE ETCHING SOLUTION

Номер патента: US20150099327A1. Автор: Higashi Hirofumi,Hidaka Yoshiharu. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2015-04-09.

METHOD FOR PREPARING GROUNDING SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160102394A1. Автор: Li Ming,Wu Jie,Tang Weidong,Xiong Tianying,Shen Yanfang,Cui Xinyu,LIU WEIJIE,WANG Jiqiang,MAO Tianliang,WU Minjie,LI Maocheng,HAN Xuecheng,GU Xinhai. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

Method for manufacturing of substrate for semiconductor device

Номер патента: KR101360627B1. Автор: 이성국,심광보. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-02-10.

Method for manufacturing of dielectrics for semiconductor device

Номер патента: KR100924558B1. Автор: 이종민,김찬배,정채오,이효석,민성규,안현주. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-11-02.

Method for forming a compound semiconductor device using a buffer layer over a corrugated surface

Номер патента: US6083813A. Автор: Yasumasa Kashima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170309589A1. Автор: Gyungock Kim,JiHo JOO,Jaegyu PARK,Jin Hyuk OH,Myungjoon Kwack. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-10-26.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: SG11202009825RA. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2020-11-27.

Lead frame for optical semiconductor device, method for manufacturing same, and optical semiconductor device

Номер патента: TW201029139A. Автор: Shin Kikuchi,Yoshiaki Kobayashi,Kazuhiro Koseki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-01.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE.

Номер патента: FR2690274B1. Автор: Adrien Jouvet. Владелец: Motorola Semiconducteurs SA. Дата публикации: 1997-08-22.

Semiconductor chip and method for manufacturing same, electrode structure of semiconductor chip and method for forming same, and semiconductor device

Номер патента: US20110198750A1. Автор: Goro Nakatani. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-08-18.

Method for self-aligned solder reflow bonding and devices obtained thereof

Номер патента: US20170194283A1. Автор: Eric Beyne,Jaber Derakhshandeh,Vikas Dubey. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-07-06.

Nitride-based semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230354525A1. Автор: Chunhua ZHOU,Weigang YAO. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Nitride-based semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220359454A1. Автор: Chunhua ZHOU,Weigang YAO. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Clad plate for forming interposer for semiconductor device, interposer for semiconductor device, and method of manufacturing them

Номер патента: KR100711539B1. Автор: 요시다가즈오,사이조긴지,오까모또히로아끼,오오사와신지. Владелец: 도요 고한 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-04-27.

Method for Fabricating a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20240096842A1. Автор: Paul Frank,Ralf Otremba,Alexander Heinrich,Gregor Langer,Daniel PEDONE,Alexandra Ludsteck-Pechloff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-03-21.

RESIN SHEET FOR SEALING ELECTRONIC COMPONENT, RESIN-SEALED TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING RESIN-SEALED TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140042645A1. Автор: MATSUMURA Takeshi,Toyoda Eiji,SHIMIZU Yusaku,Torinari Tsuyoshi. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-13.

NOBLE METAL-COATED SILVER WIRE FOR BALL BONDING AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING NOBLE METAL-COATED SILVER WIRE FOR BALL BONDING AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20200395330A1. Автор: Chiba Jun,Antoku Yuki,KAWANO Shota. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Package for semiconductor device, and method for manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: CN102299132A. Автор: 西野正纪,堀木厚. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-28.

Package for semiconductor device, and method for manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: CN102299132B. Автор: 西野正纪,堀木厚. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-26.

Semiconductor device, electronic apparatus comprising the same, and method for fabrication of substrate for semiconductor device used therein

Номер патента: US7719119B2. Автор: Toshiyuki Fukuda,Noriyuki Yoshikawa,Noboru Takeuchi,Kenichi Itou. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-05-18.

Plate-shaped epoxy resin composition for semiconductor device encapsulation, method for manufacturing the same, and semiconductor device encapsulated using the same

Номер патента: KR102319560B1. Автор: 김상진,이영준,조용한. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2021-10-29.

Semiconductor device, electronic apparatus comprising the same, and method for fabrication of substrate for semiconductor device used therein

Номер патента: US20070170578A1. Автор: Toshiyuki Fukuda,Noriyuki Yoshikawa,Noboru Takeuchi,Kenichi Itou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-26.

NEGATIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PRODUCTION METHOD FOR POLYIMIDE, PRODUCTION METHOD FOR CURED RELIEF PATTERN, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220291585A1. Автор: HIRATA Tatsuya,SHIMIZU Takeki,MATSUMOTO Suzuka. Владелец: ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for packaging at least one semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: DE102015223399A1. Автор: Andreas Krauss,Nicola Mingirulli,Robert Bonasewicz. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-06-01.

Devices and methods for dissipating heat in multiple semiconductor device modules

Номер патента: JP6889814B1. Автор: シャオペン ク,シャムズ ユー． アリフィーン,シャムズ ユー． アリフィーン. Владелец: マイクロン テクノロジー，インク．. Дата публикации: 2021-06-18.

Adhesive for semiconductor bonding, adhesive film for semiconductor bonding, method for mounting semiconductor chip, and semiconductor device

Номер патента: TW201111467A. Автор: Atsushi Nakayama,Sayaka Wakioka,Yang-Soo Lee,Alvin Dilao Carl. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-01.

Adhesive for flip chip mounting, adhesive film for flip chip mounting, method for mounting semiconductor chip, and semiconductor device

Номер патента: KR101688677B1. Автор: 사야카 와키오카,아츠시 나카야마,양수 이,칼 앨빈 딜라오. Владелец: 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤. Дата публикации: 2016-12-21.

Method for Manufacturing a Radiation-Emitting Semiconductor Component and Radiation-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20200013926A1. Автор: Christian Leirer,Isabel OTTO. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device, light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2389693A2. Автор: Yong-Jin Kim,Ho-Jun Lee,Doo-Soo Kim,Dong-Kun Lee. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Semiconductor stack, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057524B2. Автор: Meng-yang CHEN,Jung-Jen LI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: US11456271B2. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2022-09-27.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: SG11202009827QA. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2020-11-27.

Method for manufacturing a capacitor for semiconductor device

Номер патента: KR970008812B1. Автор: Yang-Kyu Choe. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-05-29.

Method for manufacturing a radiation-emitting semiconductor component and radiation-emitting semiconductor component

Номер патента: US11171258B2. Автор: Christian Leirer,Isabel OTTO. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-11-09.

Mounting method for exposed-pad type of semiconductor device to printed circuit board

Номер патента: TW483131B. Автор: Ji-Chiuan Wu,Jie-Yuan Lin,Ruei-Yu Juang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-11.

A method for analyzing defects in a semiconductor device

Номер патента: GB9606291D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1996-05-29.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: TWI561810B. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Shu-Guo Tang,Colosimo, Jr,David A Rauth. Владелец: Kulicke & Soffa Ind Inc. Дата публикации: 2016-12-11.

Thermosetting resin composition for forming cured film, negative radiation-sensitive resin composition, positive radiation-sensitive resin composition, cured film, method for forming the same, semiconductor device and display device

Номер патента: KR102115817B1. Автор: 유키오 니시무라,다카오 야시로,에리 미시마,츠토무 시모카와. Владелец: 제이에스알 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2020-05-27.

Porous silica precursor composition and method for preparing the same, porous silica film and method for forming the same, semiconductor device, image display device, and liquid crystal display device

Номер патента: KR20100038423A. Автор: 히로히코 무라카미,다카히로 나카야마,다츠히로 노즈에. Владелец: 가부시키가이샤 알박. Дата публикации: 2010-04-14.

Porous silica precursor composition and method for preparing the same, porous silica film and method for forming the same, semiconductor device, image display device, and liquid crystal display device

Номер патента: TW200924060A. Автор: Takahiro Nakayama,Hirohiko Murakami,Tatsuhiro Nozue. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2009-06-01.

Conductive connection sheet, method for connecting terminals, method for forming connection terminal, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: CN102725912A. Автор: 中马敏秋,键本奉广. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-10.

Resist pattern thickening material, method for forming resist pattern, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100988901B1. Автор: 고지 노자키,미와 고자와. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2010-10-20.

Method for forming pattern in semiconductor device, mask used in method and method for manufacturing mask

Номер патента: TW386179B. Автор: Sung-Chul Lim,Sung-Yong Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-04-01.

Resist pattern thickening material, method for forming resist pattern, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100934912B1. Автор: 고지 노자키,미와 고자와. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2010-01-06.

Resist pattern thickening material, method for forming resist pattern, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: TW200815926A. Автор: Koji Nozaki,Miwa Kozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-01.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method for Forming an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20200287115A1. Автор: Alias Asliza,KHOO Lay Sin. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-10.

Optoelectronic semiconductor device and method for forming an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11437557B2. Автор: Lay Sin KHOO,Asliza Alias. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-09-06.

Conductive connecting sheet, connecting method between terminals, method for forming connecting terminals, semiconductor device and electronic machine

Номер патента: TWI533382B. Автор: 鍵本奉廣,中馬敏秋. Владелец: 住友電木股份有限公司. Дата публикации: 2016-05-11.

Method for forming buffer pad, semiconductor device and making method, circuit substrate and electronic equipment

Номер патента: CN1211835C. Автор: 依田刚. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-07-20.

Method for forming bump for semiconductor device

Номер патента: JP3164341B2. Автор: 尚 西森. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2001-05-08.

Method for forming electrode for semiconductor device and package

Номер патента: JP3119739B2. Автор: 芳宏 別所,善広 戸村. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2000-12-25.

Method for forming capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100331781B1. Автор: 백용구. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-07.

The method for forming capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100979232B1. Автор: 이준현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-08-31.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100527687B1. Автор: 김영남,윤주병,황경환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-11-28.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100464652B1. Автор: 김장식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-12-31.

A method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR101096213B1. Автор: 배상만. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-22.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100316020B1. Автор: 홍권. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-02-19.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100523605B1. Автор: 곽상윤. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-10-24.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100772100B1. Автор: 이종민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-11-01.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100382553B1. Автор: 박철준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-05-09.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100691495B1. Автор: 유용식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-09.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100209377B1. Автор: 김종철,홍권,유상호,선호정. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-07-15.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100772101B1. Автор: 이기정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-11-01.

Method for forming electrode of semiconductor device

Номер патента: KR100608326B1. Автор: 류상욱. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-08-04.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100728959B1. Автор: 이기정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-06-15.

A method for forming capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100520447B1. Автор: 정경철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-10-11.

Method for forming capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR20070075532A. Автор: 이종민,박종범,최형복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-07-24.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: CN100336170C. Автор: 金奎显,尹孝根,崔根敏. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-05.

Method for forming bump on semiconductor device or wiring board

Номер патента: JP2005086127A. Автор: 俊典 小柏,Toshinori Kogashiwa,Yasunori Gama,保典 蒲. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2005-03-31.

Method for forming pad of semiconductor device

Номер патента: KR100763709B1. Автор: 김태호. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-10-04.

Method for forming capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100330571B1. Автор: 최근민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

A method for forming capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100604659B1. Автор: 유용식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-25.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR101124563B1. Автор: 박지용,김동주,윤효근,조한우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2012-03-16.

Method for forming capacitor, and semiconductor device

Номер патента: WO2023279567A1. Автор: 王晓玲,杨蒙蒙. Владелец: 北京超弦存储器研究院. Дата публикации: 2023-01-12.

Method for forming capacitor and semiconductor device

Номер патента: CN115996561A. Автор: 王晓玲,洪海涵,张民慧. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-21.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7052956B2. Автор: Cha Deok Dong,Il Keoun Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-30.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100596805B1. Автор: 이기정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-04.

Method for forming or testing semiconductor device pattern

Номер патента: JP2907971B2. Автор: 知孝 桧垣. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-06-21.

Method for forming capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100431299B1. Автор: 신동석,안병권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-12.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100997777B1. Автор: 송영표. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-12-02.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100842911B1. Автор: 강혁수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-07-02.

Method for forming micropattern in semiconductor device

Номер патента: KR100965775B1. Автор: 김원규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-06-24.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20090275186A1. Автор: Jae Soo Kim,Dong Kyun Lee,Ho Jin Cho,Cheol Hwan Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-05.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100532959B1. Автор: 강명희. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-12-01.

Method for forming capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR20020014489A. Автор: 박제민. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-02-25.

Method for producing sealed optical semiconductor device

Номер патента: US11139419B2. Автор: Steven Swier,Eiji Kitaura,Masaaki Amako. Владелец: DuPont Toray Specialty Materials KK. Дата публикации: 2021-10-05.

Method for generating identification code of semiconductor device, method for identifying semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: TW200608466A. Автор: Yoshiaki Yamaguchi,Tatsuya Furukawa,Koichi Shimokawa. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-01.

System and Method for Production Line Monitoring

Номер патента: US20160377552A1. Автор: Martin Plihal,Saravanan Paramasivam. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Method for measuring overlay and measuring apparatus, scanning electron microscope, and GUI

Номер патента: US9799112B2. Автор: Yuji Takagi,Minoru Harada,Fumihiko Fukunaga,Ryo Nakagaki. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound

Номер патента: CA2037198C. Автор: Shiro Yamazaki,Masafumi Hashimoto,Katsuhide Manabe,Isamu Akasaki,Akira Mabuchi,Norikatsu Koide,Hisaki Kato,Michinari Sassa. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 1996-04-23.

NOBLE METAL-COATED SILVER WIRE FOR BALL BONDING AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING NOBLE METAL-COATED SILVER WIRE FOR BALL BONDING AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20210050321A1. Автор: Chiba Jun,Antoku Yuki,KAWANO Shota. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHODS FOR PRODUCING MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160240586A1. Автор: MASUOKA Fujio,Nakamura Hiroki. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

Methods for testing a group of semiconductor devices simultaneously, and devices amenable to such methods of testing

Номер патента: US6492832B2. Автор: Ki-hwan Choi,Young-Ho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-10.

Methods for testing a group of semiconductor devices simultaneously, and devices amenable to such methods of testing

Номер патента: US20020149983A1. Автор: Ki-hwan Choi,Young-Ho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-17.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: US20210050321A1. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2021-02-18.

POLYIMIDE PRECURSOR COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED FILM, METHOD FOR PRODUCING CURED FILM, A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING POLYIMIDE PRECURSOR COMPOSITION

Номер патента: US20180079864A1. Автор: Shibuya Akinori,OOHASHI Hidekazu,Kawabata Takeshi,IWAI Yu,AMEMIYA Takuma. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2018-03-22.

PRECURSOR COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING PRECURSOR COMPOSITION, CURED FILM, METHOD FOR PRODUCING CURED FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180118887A1. Автор: Shibuya Akinori,KOYAMA Ichiro,Kawabata Takeshi,IWAI Yu. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2018-05-03.

Method for Producing Conversion Elements, Conversion Elements, Method for Producing a Light-Emitting Semiconductor Device, and a Light-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20210280749A1. Автор: SCHMIDTKE Kathy,Gebuhr Tobias. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

Precursor composition, photosensitive resin composition, method for producing precursor composition, cured film, method for producing cured film, and semiconductor device

Номер патента: JPWO2017002858A1. Автор: 明規 渋谷,一郎 小山,悠 岩井,健志 川端,渋谷　明規. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Light-emitting semiconductor device, light-emitting device and method for manufacturing a light-emitting semiconductor device

Номер патента: DE112016002493B4. Автор: Christoph Berger,Armin Dadgar,Andre Strittmatter. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-12-15.

Resin composition, electroconductive resin composition, adhesive, electroconductive adhesive, paste for forming electrodes, and semiconductor device

Номер патента: EP3279262A4. Автор: Takashi Yamaguchi,Shinichi Abe. Владелец: Namics Corp. Дата публикации: 2018-11-21.

Curable resin composition, method for producing curable resin composition, cured film, laminate, method for producing cured film, and semiconductor device

Номер патента: TW202122468A. Автор: 二橋亘. Владелец: 日商富士軟片股份有限公司. Дата публикации: 2021-06-16.

Circuit board and method for manufacturing the same and semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: CN100456444C. Автор: 今村博之,幸谷信之. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-28.

Negative photosensitive resin composition, production method for polyimide, production method for cured relief pattern, and semiconductor device

Номер патента: TW202223541A. Автор: 平田竜也,清水建樹,松本涼香. Владелец: 日商旭化成股份有限公司. Дата публикации: 2022-06-16.

Circuit board and method for manufacturing the same and semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050218496A1. Автор: Hiroyuki Imamura,Nobuyuki Koutani. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-06.

Resin composition, electroconductive resin composition, adhesive, electroconductive adhesive, paste for forming electrodes, and semiconductor device

Номер патента: EP3279262B1. Автор: Takashi Yamaguchi,Shinichi Abe. Владелец: Namics Corp. Дата публикации: 2023-11-08.

Resin composition, electroconductive resin composition, adhesive, electroconductive adhesive, paste for forming electrodes, and semiconductor device

Номер патента: EP3279261B1. Автор: Takashi Yamaguchi,Shinichi Abe. Владелец: Namics Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Semiconductor device and method for detecting damaging of a semiconductor device

Номер патента: US20150253375A1. Автор: DIRK Meinhold. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-09-10.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR FABRICATING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150115312A1. Автор: Kyono Takashi,YANASHIMA Katsunori,Tokuyama Shinji,Katayama Koji,HAMAGUCHI TATSUSHI,SUMIYOSHI Kazuhide,Saga Nobuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE, LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180166854A1. Автор: STRITTMATTER André,Dadgar Armin,Berger Christoph. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

Method for Producing a Light-Emitting Semiconductor Device and Light-Emitting Semiconductor Device

Номер патента: US20200194631A1. Автор: Raukas Madis,Kundaliya Darshan. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE AND LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150228870A1. Автор: Sabathil Matthias,Goeoetz Britta,Moosburger Juergen,Ploessl Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device and method for detecting damaging of a semiconductor device

Номер патента: US20150253375A1. Автор: Meinhold Dirk. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

Graphene hall device, method for preparing the same and semiconductor device comprising the same

Номер патента: KR101934644B1. Автор: 박정민,조준현,유정우,오인선,진미진. Владелец: 울산과학기술원. Дата публикации: 2019-01-02.

Photosensitive resin composition, method for producing cured relief pattern, semiconductor device and display device

Номер патента: JPWO2013085004A1. Автор: 智史 渋井,佐々木　隆弘,隆弘 佐々木,竜也 平田,山田　泰輔,泰輔 山田. Владелец: Asahi Kasei E Materials Corp. Дата публикации: 2015-04-27.

Spherical semiconductor device and the manufacture method for the same and spherical semiconductor device material

Номер патента: AU736457B2. Автор: Josuke Nakata. Владелец: SPHELAR POWER CORP. Дата публикации: 2001-07-26.

Photosensitive resin composition, method for producing hardened relief pattern, semiconductor device and display device

Номер патента: CN103988127A. Автор: 涩井智史,平田龙也,佐佐木隆弘,山田泰辅. Владелец: Asahi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-13.

Side light emitting semiconductor device and method for manufacturing side light emitting semiconductor device

Номер патента: JP4362125B2. Автор: 健 中原. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-11-11.

Photosensitive resin composition, method for producing hardened relief pattern, semiconductor device and display device

Номер патента: KR101769190B1. Автор: 사토시 시부이,다카히로 사사키,다츠야 히라타,다이스케 야마다. Владелец: 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-08-17.

Photosensitive resin composition, method for producing hardened relief pattern, semiconductor device and display device

Номер патента: WO2013085004A1. Автор: 智史 渋井,佐々木　隆弘,竜也 平田,山田　泰輔. Владелец: 旭化成イーマテリアルズ株式会社. Дата публикации: 2013-06-13.

Thin-film semiconductor device with protection diode structure and method for producing a thin-film semiconductor device

Номер патента: CN102687271A. Автор: 西格弗里德·赫尔曼,曼弗雷德·朔伊贝克. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2012-09-19.

Light-emitting semiconductor device, light-emitting semiconductor component and method for producing a light-emitting semiconductor device

Номер патента: US10673207B2. Автор: Christoph Berger,Armin Dadgar,Andre Strittmatter. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2020-06-02.

Method for optimizing clamping of a semiconductor device to a support structure on a wire bonding machine, and related methods

Номер патента: KR20220160553A. Автор: 양정호,후이 수,웨이 친,지아우딘 아마드. Владелец: 쿨리케 앤드 소파 인더스트리즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2022-12-06.

Thin-film semiconductor device with protection diode structure and method for producing a thin-film semiconductor device

Номер патента: EP2499668A1. Автор: Siegfried Herrmann,Manfred Scheubeck. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2012-09-19.

Method for manufacturing substrate for mounting semiconductor device

Номер патента: JP2953163B2. Автор: 誠 鳥海,宏和 田中,秀昭 吉田. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 1999-09-27.

Method for manufacturing lead frame for semiconductor device

Номер патента: JP2955043B2. Автор: 英美 跡部. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-04.

Method for manufacturing substrate for inspecting semiconductor device

Номер патента: US6566149B1. Автор: Shinji Tanaka,Hiroyuki Ohta,Hideo Miura,Hideyuki Aoki,Akihiko Ariga,Masatoshi Kanamaru,Atsushi Hosogane,Yoshihige Endou,Ryuji Kouno,Naoto Ban. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-05-20.

Semiconductor laser device structures and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220311206A1. Автор: Richard D. Clayton,William A. Hagley,Lawrence E. TAROF. Владелец: Electrophotonic-Ic Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for forming gate in semiconductor device

Номер патента: KR100866113B1. Автор: 조진연. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2008-10-31.

Method for forming gate in semiconductor device

Номер патента: KR20040002189A. Автор: 조진연. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-01-07.

METHODS FOR ACQUIRING PLANAR VIEW STEM IMAGES OF DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20190304744A1. Автор: Williams Scott M.,Porter Jamie C.,Davlin Clint R.,LeBret Joel B.. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

METHODS FOR ACQUIRING PLANAR VIEW STEM IMAGES OF DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20190353566A1. Автор: Williams Scott M.,Porter Jamie C.,Davlin Clint R.,LeBret Joel B.. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Silicon substrate processing method and defective portion identification method for observing defective portion of semiconductor device

Номер патента: JP4596968B2. Автор: 卓也 直永,裕彦 遠藤. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-15.

Group III Nitride Semiconductor Device and Method for Manufacturing Group III Nitride Semiconductor Device

Номер патента: US20090257467A1. Автор: Koichi Naniwae,Ichiro Masumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-10-15.

Method for fabricating thermoelectric coolers and semiconductor devices formed therefrom

Номер патента: US20020119593A1. Автор: Joseph Freund,Mindaugas Dautartas,George Przybylek. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-29.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US20070153586A1. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US7660164B2. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-09.

Apparatus and method for precision trimming of a semiconductor device

Номер патента: US20020105452A1. Автор: Lawrence Swanson,Glen Johnson,John Clapp,Douglas Lebo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Structure and a method for storing information in a semiconductor device

Номер патента: US5895962A. Автор: Todd A. Merritt,Hua Zheng,Michael Shore,Jeffrey P. Wright. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-04-20.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20100109075A1. Автор: Tae O Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20110076835A1. Автор: Tae O. Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Systems and methods for reducing power consumption in semiconductor devices

Номер патента: US20150015306A1. Автор: Mark D. Hall,Anis M. Jarrar,Surya Veeraraghavan,David R. Tipple. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-15.

A method and apparatus for forming leads of semiconductor devices using a single point contact swing cam

Номер патента: GB9307663D0. Автор: . Владелец: Advanced Systems Automation Ltd Singapore. Дата публикации: 1993-06-02.

A method and apparatus for forming leads of semiconductor devices using a single point contact swing cam

Номер патента: GB2277702B. Автор: Eng Hwee Seow. Владелец: Advanced Systems Automation Ltd Singapore. Дата публикации: 1996-05-29.

Method for producing a semiconductor device, method for producing a memory cell, semiconductor device, semiconductor processing device, integrated circuit with a memory cell

Номер патента: DE102008012339A1. Автор: Faiz Dahmani. Владелец: Altis Semiconductor SNC. Дата публикации: 2008-09-11.

A method and apparatus for forming leads of semiconductor devices using a single point contact swing cam

Номер патента: GB2277702A. Автор: Eng Hwee Seow. Владелец: Advanced Systems Automation Ltd Singapore. Дата публикации: 1994-11-09.

Source/drain electrode for organic semiconductor device, organic semiconductor device using same, and production method for source/drain electrode and semiconductor device

Номер патента: EP4027373A4. Автор: Junichi Takeya,Shunichiro Watanabe,Tatsuyuki MAKITA. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2023-10-04.

Storage device, semiconductor device, and method for manufacturing storage device and semiconductor device

Номер патента: WO2015068241A1. Автор: 広記 中村,舛岡　富士雄. Владелец: ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド. Дата публикации: 2015-05-14.

Receiving device, control method for the device, program, and semiconductor device

Номер патента: EP1768394A1. Автор: Satoshi Mats. El. Ind. Co. IPROC IP Dev KONDO,Takahiro Mats. El. Ind. Co. IPROC IP Dev NISHI,Hisao Mats. El. Ind. Co. IPROC IP Dev. SASAI,Toshiyasu Mats. El. Ind. Co IPROC IP Dev SUGIO,Tadamasa Mats. El. Ind. Co. IPROC IP Dev TOMA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2007-03-28.

Receiving Device, Control Method For The Device, Program, And Semiconductor Device

Номер патента: US20070211172A1. Автор: Satoshi Kondo,Takahiro Nishi,Hisao Sasai,Toshiyasu Sugio,Tadamasa Toma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Resin composition for wiring board, resin sheet for wiring board, composite body, method for producing composite body, and semiconductor device

Номер патента: US20110308848A1. Автор: Noriyuki Ohigashi,Kenichi Kaneda,Hideki Hara,Yuka Ito,Yasuaki Mitsui,Iji Onozuka. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-22.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348989A1. Автор: SHENG Chen,Qiang Chen,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348990A1. Автор: Qiang Chen,Yanrong Qiu,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: EP3500850A2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2019-06-26.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US20230273159A1. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for observing tungsten plug of semiconductor device microscopically

Номер патента: US5989930A. Автор: Shu-Ying Lu,Fei-Chun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Method for testing memory cell in semiconductor device

Номер патента: US6556493B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Yoon-Soo Jang,Young-Seon You,Mun-Hwa Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Circuit and method for data output in synchronous semiconductor device

Номер патента: US20030189844A1. Автор: Jin-seok Kwak,Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Resist cover film-forming material, process for forming resist pattern, semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: EP1821148A3. Автор: Koji Nozaki,Miwa Kozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-29.

System and method for accelerated degradation testing of semiconductor devices

Номер патента: US5381103A. Автор: John A. Edmond,Calvin H. Carter, Jr.,Douglas A. Asbury,Douglas G. Waltz. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1995-01-10.

Device and method for programming multiple arrays of semiconductor devices

Номер патента: US5466117A. Автор: Edwin W. Resler,Vincent L. Tong,Russell C. Swanson,W. Scott Bogden. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1995-11-14.

Semiconductor Device and Method For Preventing Attacks on the Semiconductor Device

Номер патента: US20090049548A1. Автор: Soenke Ostertun,Joachim Christoph Hans Garbe. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-02-19.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US11977053B2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Apparatuses and methods for refreshing memory of a semiconductor device

Номер патента: US20190362775A1. Автор: Masaru Morohashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-28.

Negative photosensitive resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, and semiconductor device

Номер патента: EP4317287A1. Автор: Kenta Yamazaki,Kyohei Sakita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Method for generating command pulses and semiconductor device configured to perform the method

Номер патента: US20200160899A1. Автор: Jae Il Kim,Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Method for routing between pins of semiconductor device and design system therewith

Номер патента: US20190188354A1. Автор: Hyosig WON,Chunghee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Usage of redundancy data for displaying failure bit maps for semiconductor devices

Номер патента: EP1242999A1. Автор: Michael Barnhard Sommer. Владелец: Infineon Technologies Richmond LP. Дата публикации: 2002-09-25.

Predicting Failure Parameters of Semiconductor Devices Subjected to Stress Conditions

Номер патента: US20220065919A1. Автор: Moinuddin Ahmed,John N. Hryn,Christopher Stankus. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device including plurality of parallel input/output lines and methods of fabricating and using the same

Номер патента: US20090207654A1. Автор: Sung-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG COMPANY Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Systems and methods for determining aging damage for semiconductor devices

Номер патента: US20140123085A1. Автор: Mehul D. Shroff,Peter P. Abramowitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-01.

Reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing reflective mask and semiconductor device

Номер патента: US12072619B2. Автор: Masanori Nakagawa,Tsutomu Shoki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Circuit and method for data output in synchronous semiconductor device

Номер патента: TWI263126B. Автор: Jin-seok Kwak,Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-01.

Material for forming conductive antireflection film, method for forming conductive antireflection film, method for forming resist pattern, semiconductor device, and magnetic head

Номер патента: US8557144B2. Автор: Junichi Kon. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-10-15.

COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM FOR LITHOGRAPHY AND METHOD FOR FORMING PATTERN OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20160004159A1. Автор: Kim Jae Hyun,Kim Hyun Jin,Han Man Ho,Park Jong Kyoung. Владелец: DONGJIN SEMICHEM CO., LTD.. Дата публикации: 2016-01-07.

Resist composition, method for forming resist pattern, semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20070048660A1. Автор: Takahisa Namiki,Koji Nozaki,Miwa Kozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-03-01.

Process for forming resist pattern, semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: KR100901837B1. Автор: 고지 노자키,미와 고자와. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2009-06-09.

Compositions for anti-reflective light absorbing layer and method for forming patterns in semiconductor device using the same

Номер патента: US20030162120A1. Автор: Young-Ho Kim,Jin-A Ryu,Hoe-sik Chung,Sang-Woong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-08-28.

METHOD FOR FORMING A PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150061709A1. Автор: Reber Douglas M.,Ajuria Sergio A.,Nguyen Phuc M.. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

METHOD FOR FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICE BY USING MIXED ASSIST FEATURE SYSTEM

Номер патента: US20140205954A1. Автор: Lee Jeon Kyu. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-07-24.

method for forming mask of semiconductor device

Номер патента: KR100370136B1. Автор: 전호열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-01-30.

Method for forming resistor of semiconductor device

Номер патента: KR100621229B1. Автор: 금소현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-09-13.

Method for forming contact of semiconductor device

Номер патента: KR100532954B1. Автор: 박성찬,이인노. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-12-01.

NEGATIVE RESIST COMPOSITION COMPRISING BASE POLYMER CONTAINING EPOXY RING AND SILICON-CONTAINING CROSSLINKER AND METHOD FOR FORMING PATTERN OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: JP4291041B2. Автор: 相俊 崔. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-08.

Method for forming resistor of semiconductor device

Номер патента: KR101044384B1. Автор: 김영근. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-06-29.

Method for forming transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100973260B1. Автор: 이준현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-07-30.

Method for forming insulator in semiconductor device

Номер патента: KR100434311B1. Автор: 조일현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-05.

Method for forming mask in semiconductor device

Номер патента: KR100356794B1. Автор: 배상만. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-19.

Method for forming plug in semiconductor device

Номер патента: KR100494127B1. Автор: 지연혁,전광석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-06-13.

Method for forming isolation of semiconductor device

Номер патента: KR100967201B1. Автор: 윤창준. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-07-05.

Method for forming contact in semiconductor device

Номер патента: KR100744689B1. Автор: 이영호,안태항. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-02.

Method for forming gate in semiconductor device

Номер патента: KR100456316B1. Автор: 이병학. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-11-10.

Top antireflective coating composition and method for forming pattern of semiconductor device using same

Номер патента: JP2006085149A. Автор: Jae Chang Jung,Cheol Kyu Bok,Chang Moon Lim,Seung Chan Moon,Sam Young Kim,チャン ジュン ジェ,キュ ボク キョル,ヨン キム サム,ムン リム チャン,チャン ムン スン. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-03-30.

Systems, Methods and Computer Program Products for Analyzing Performance of Semiconductor Devices

Номер патента: US20160267205A1. Автор: Jing Wang,Nuo XU,Woosung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-15.

Reconfigurable array of test structures and method for testing an array of test structures

Номер патента: US5952838A. Автор: Victor Tikhonov. Владелец: Sony Electronics Inc. Дата публикации: 1999-09-14.

Apparatuses and methods for redundance match control at refresh to disable wordline activation

Номер патента: US20220199141A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for correcting mask pattern, photomask, method for fabricating photomask, electron beam writing method for fabricating photomask, exposure method, semiconductor device, and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: TWI313787B. Автор: Kazuyoshi Kawahara,Kazuhisa Ogawa,Satomi Nakamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-08-21.

Driving method of semiconductor device

Номер патента: US20140253533A1. Автор: Hiroyuki Miyake. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-11.

Method for simulating characteristics of semiconductor device

Номер патента: US11010524B2. Автор: Jaehyun Lee,Mincheol Shin,Woo Jin JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-05-18.

Method for operating a non-volatile charge-trapping memory device and method for determining programming/erase conditions

Номер патента: US20060291287A1. Автор: Arnaud Furnémont. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2006-12-28.

Method for simulating characteristics of semiconductor device

Номер патента: US20180293342A1. Автор: Jaehyun Lee,Mincheol Shin,Woo Jin JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-10-11.

High-frequency tester for semiconductor devices

Номер патента: US20020125878A1. Автор: Mitchell Alsup,Joe Jones. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Usage of redundancy data for displaying failure bit maps for semiconductor devices

Номер патента: WO2001050475A1. Автор: Michael Barnhard Sommer. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-07-12.

Method for producing non-monocrystalline semiconductor device

Номер патента: US5420044A. Автор: Hiraku Kozuka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1995-05-30.

Photomask quality estimation system and method for use in manufacturing of semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20100112812A1. Автор: Tadahito Fujisawa,Shoji Mimotogi,Yukiyasu Arisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-06.

RESIN COMPOSITION, CONDUCTIVE RESIN COMPOSITION, ADHESIVE, CONDUCTIVE ADHESIVE, PASTE FOR FORMING ELECTRODES, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180051126A1. Автор: Yamaguchi Takashi,ABE Shinichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

Resist material, resist pattern and forming method for the same, and a semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: TWI305609B. Автор: Kon Junichi,Yano Ei. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-01-21.

Semiconductor device outputting read data in synchronization with clock signal

Номер патента: US9135979B2. Автор: Yuki Nakamura,Takuyo Kodama. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-09-15.

Semiconductor device outputting read data in synchronization with clock signal

Номер патента: US20140104970A1. Автор: Yuki Nakamura,Takuyo Kodama. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-04-17.

METHOD FOR GENERATING COMMAND PULSES AND SEMICONDUCTOR DEVICE CONFIGURED TO PERFORM THE METHOD

Номер патента: US20200160899A1. Автор: Kim Chang Hyun,Kim Jae Il. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-05-21.

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING HARDENED RELIEF PATTERN, SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20140349222A1. Автор: Sasaki Takahiro,SHIBUI Satoshi,HIRATA Tatsuya,YAMADA Taisuke. Владелец: ASAHI KASEI E-MATERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-27.

Method for testing device configuration and semiconductor device

Номер патента: JP4686124B2. Автор: ▲ジュン▼ 煥 崔. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-18.

Power conversion device and self-checking method for health state of power semiconductor device thereof

Номер патента: CN110596563A. Автор: 王浩然,王圣明,周法杰,王鼎奕. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-20.

Semiconductor device testing apparatus, system, and method for testing the contacting with semiconductor devices positioned one upon the other

Номер патента: CN1630054A. Автор: M·多布勒,C·斯托肯. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-22.

Power conversion device and self-checking method for health state of power semiconductor device thereof

Номер патента: CN110596563B. Автор: 王浩然,王圣明,周法杰,王鼎奕. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-02.

Systems and methods for determining aging damage for semiconductor devices

Номер патента: US20140123085A1. Автор: Mehul D. Shroff,Peter P. Abramowitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-01.

APPARATUSES AND METHODS FOR CYCLIC REDUNDANCY CALCULATION FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220100602A1. Автор: FUJIMAKI Ryo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-31.

RESIN COMPOSITION, RESIN LAYER, PERMANENT ADHESIVE, ADHESIVE FOR TEMPORARY BONDING, LAMINATED FILM, PROCESSED WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC COMPONENT OR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210139700A1. Автор: Fujiwara Takenori,Arimoto Shinji,Okazawa Toru. Владелец: Toray Industries, Inc.. Дата публикации: 2021-05-13.

INTERRUPT MONITORING SYSTEMS AND METHODS FOR FAILURE DETECTION FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200201796A1. Автор: KAWAKAMI Daisuke,HAMASAKI Hiroyuki,Yamaguchi Kyohei. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

INTERRUPT MONITORING SYSTEMS AND METHODS FOR FAILURE DETECTION FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210263869A1. Автор: KAWAKAMI Daisuke,HAMASAKI Hiroyuki,Yamaguchi Kyohei. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

METHOD FOR PREPARING TEST SAMPLES FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210348989A1. Автор: CHEN QIANG,Chen Sheng,GAO Jinde. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-11.

Method for exposing using reticle for semiconductor device

Номер патента: KR100728947B1. Автор: 인성욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-06-15.

Semiconductor device, method for forming a semiconductor device, method for forming a complementary semiconductor device

Номер патента: TW200929373A. Автор: Shyng-Yeuan Che. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2009-07-01.

A method for forming electrode in semiconductor devices

Номер патента: AU1916667A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1968-09-12.

A method for forming electrode in semiconductor devices

Номер патента: AU413865B2. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1968-09-12.

METHOD FOR STABILIZING ELECTRICAL PARAMETERS OF SEMICONDUCTOR DEVICES SEALED IN PLASTIC

Номер патента: RU2011145629A. Автор: Вадим Леонидович Романов. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (ОАО "ОКБ-Планета"). Дата публикации: 2013-05-20.

Fabrication method for hard mask layer and semiconductor devices

Номер патента: TW200735212A. Автор: Chih-Ming Chen,Ying-Tsun Chen,De-Haw Huang,Da-Yen Chiou,Ching-Chi Liu. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-09-16.

Method for measuring critical dimension of semiconductor device

Номер патента: TW200905768A. Автор: Yu-Chang Lin,Shao-Kang Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-02-01.

Methods for reducing cell pitch in semiconductor devices

Номер патента: TW200503099A. Автор: Jiun-Ren Lai. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-16.

Method for measuring critical dimension of semiconductor device

Номер патента: TWI340422B. Автор: Yu Chang Lin,Shao Kang Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-11.

Method for stripping and picking of semiconductor device

Номер патента: TW200426927A. Автор: Wen-Kuo Chiou. Владелец: MOTECH TAIWAN AUTOMATIC CORP. Дата публикации: 2004-12-01.

Manufacturing method for self-aligned insulated gate semiconductor device

Номер патента: TW454351B. Автор: Ke-Yu Yu. Владелец: Advanced Power Electronics Cor. Дата публикации: 2001-09-11.

Electroless plating bath used for forming wiring of semiconductor device and method for forming wiring of semiconductor device

Номер патента: JP3332668B2. Автор: 幹夫 西尾,政孝 遠藤,明実 川口,伸 橋本. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2002-10-07.

CONDUCTIVE CONNECTION SHEET, METHOD FOR CONNECTING TERMINALS, METHOD FOR FORMING CONNECTION TERMINAL, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120319268A1. Автор: Chuma Toshiaki,Kagimoto Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-20.

Resist composition, method for forming resist pattern, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: JP4686393B2. Автор: 純一 今. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-05-25.

METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120098103A1. Автор: KOZAWA Miwa,Nozaki Koji. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-04-26.

Method for manufacturing complementary metal oxide semiconductor device structure

Номер патента: CN102299111B. Автор: 张力群,赵林林. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-12-11.

METHOD FOR FORMING CAPACITOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120049260A1. Автор: Kim Hyun Seok,KIM Yang Hee,Lee Jun Ho,Jung Boo Ho,Cho Sun Ki,KIM Young Won. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-03-01.

Methods For Forming Contacts in Semiconductor Devices

Номер патента: US20120070977A1. Автор: . Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-03-22.

Method For Forming Gallium Nitride Semiconductor Device With Improved Forward Conduction

Номер патента: US20120282762A1. Автор: . Владелец: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2012-11-08.

METHOD FOR FORMING AN ASYMMETRIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120302022A1. Автор: Kolagunta Venkat R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

METHOD FOR FORMING OPENINGS IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130017687A1. Автор: Liu Hsien-Wen,Chen Yi-Nan,Lin Chih-Ching. Владелец: NANYA TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-17.

Method for forming wiring of semiconductor device

Номер патента: JP4720089B2. Автор: 英朗 吉田. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-07-13.

Method for forming wiring in semiconductor device

Номер патента: KR100784099B1. Автор: 김태경,조직호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-12-10.

Method for forming silicide in semiconductor device

Номер патента: KR100314272B1. Автор: 고창진. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-04-06.

Method for forming patterns of semiconductor device

Номер патента: KR20070051196A. Автор: 조한구,우상균,고차원,강율. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-05-17.

Method for forming spacer of semiconductor device

Номер патента: KR970063466A. Автор: 여기성,남정림. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-09-12.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR980006380A. Автор: 전범진,이호석. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for forming electrode of semiconductor device

Номер патента: JP2585106B2. Автор: 勝司 多良,則行 平山. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1997-02-26.

Method for forming capacitors of semiconductor device

Номер патента: KR0126624B1. Автор: 김석수. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1997-12-26.

Method for forming contact in semiconductor device

Номер патента: KR100365743B1. Автор: 남종완,권성우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-03-03.

Method for forming electrode in semiconductor devices

Номер патента: CA844249A. Автор: Inoue Morio,Kano Gota,Matsuno Jinichi,Takayanagi Shigetoshi. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1970-06-09.

Method for forming wiring of semiconductor device

Номер патента: KR970072318A. Автор: 김병준,이성민,이장원,윤여철. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-11-07.

Method for forming electrode of semiconductor device having diffusion barrier function

Номер патента: JP2645811B2. Автор: ゾン・ス・ビョン. Владелец: ERU JII SEMIKON CO Ltd. Дата публикации: 1997-08-25.

Method for forming electrode of semiconductor device

Номер патента: JP3340648B2. Автор: 進 村上,征男 鶴岡,光幸 松崎,実 菅野. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-05.

Method for forming electrode of semiconductor device

Номер патента: JP2709086B2. Автор: 邦彦 浜田,進 福田,博司 野口. Владелец: 株式会社 村田製作所. Дата публикации: 1998-02-04.

Method for forming polycides of semiconductor devices

Номер патента: KR980012091A. Автор: 홍영기. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Method for manufacturing insulating film for semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP5260586B2. Автор: 直紀 保田,哲也 山本,年彦 西森,俊哉 渡辺,英治 信時,卓也 神山,正 嶋津,直樹 大山,秀考 加福,敏人 藤原,尚夫 河▲崎▼. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-08-14.

EPITAXIAL SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120126293A1. Автор: MIYOSHI Makoto,SUMIYA Shigeaki,ICHIMURA Mikiya,TANAKA Mitsuhiro,KURAOKA Yoshitaka,Sugiyama Tomohiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-05-24.

FILM FOR USE IN MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES, METHOD FOR PRODUCING THE FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120052269A1. Автор: . Владелец: SUMITOMO BAKELITE COMPANY LIMITED. Дата публикации: 2012-03-01.

Method for Manufacturing Contacts for a Semiconductor Device, and Semiconductor Device Having Such Contacts

Номер патента: US20120056278A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-08.

Mask assembly for checking development uniformity of semiconductor device pattern and method for checking development uniformity of semiconductor device pattern using same

Номер патента: KR0143861B1. Автор: 이두희,구영모. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1998-07-01.

Lead frame material for semiconductor device and method for manufacturing lead frame for semiconductor device

Номер патента: JP2701495B2. Автор: 荘太郎 土岐,直美 中山. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 1998-01-21.

Mask for Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20120058420A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-08.

METHOD FOR DETERMINING WIRING PATHWAY OF WIRING BOARD AND METHOD FOR DETERMINING WIRING PATHWAY OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120060366A1. Автор: NAKANO Mikio. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-03-15.

Process for forming contact of semiconductor device and structure thereof

Номер патента: KR100228272B1. Автор: 김장래. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-11-01.

Coated copper particle, method for manufacturing coated copper particle, copper paste, method for manufacturing copper paste, and semiconductor device

Номер патента: JP2022026615A. Автор: 知直 菊池,Tomonao Kikuchi,航希 野々村,Koki Nonomura. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Metal thin film and method for manufacturing the same, dielectric capacitor and method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: JP2010157748A. Автор: Kenichi Tsuchiya,Kenichi Kurokawa,健一 土屋,Tatsuo Sawazaki,立雄 沢崎,Teruo Tagawa,輝男 田川,賢一 黒川. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Method and apparatus for forming lead of semiconductor device

Номер патента: JPS6414946A. Автор: Kenji Taguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-01-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120025303A1. Автор: Hirler Franz,Rieger Walter,Wood Andrew,Zelsacher Rudolf,Poelzl Martin,Blank Oliver,Siemieniec Ralf,Haeberlen Oliver,Born Mathias,Ropohl Jan,Hiller Uli,Roesch Maximilian,Krumrey Joachim. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-02-02.

OPTICAL SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE, PHOTOCATALYST, HYDROGEN PRODUCING DEVICE, AND ENERGY SYSTEM

Номер патента: US20120237842A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-09-20.

ADHESIVE FOR SEMICONDUCTOR BONDING, ADHESIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR BONDING, METHOD FOR MOUNTING SEMICONDUCTOR CHIP, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120267803A1. Автор: Nakayama Atsushi,WAKIOKA Sayaka,LEE Yangsoo,Dilao Carl Alvin. Владелец: Sekisui Chemical Co., LTD. Дата публикации: 2012-10-25.

Integrated Heterojunction Semiconductor Device and Method for Producing an Integrated Heterojunction Semiconductor Device

Номер патента: US20130168737A1. Автор: Prechtl Gerhard,Dippold Gebhart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-07-04.

Photosensitive resin composition, method for producing cured relief pattern, semiconductor device and display device

Номер патента: JP6454769B2. Автор: 敏章 奥田,佐々木　隆弘,隆弘 佐々木,昌樹 米谷. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2019-01-16.

Forming methods for pseudo gate device and semiconductor device in gate-last process

Номер патента: CN104576725A. Автор: 朱慧珑,殷华湘,赵治国. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-04-29.

Photosensitive resin composition, method for producing cured relief pattern, semiconductor device and display device

Номер патента: JP6108869B2. Автор: 敏章 奥田,佐々木　隆弘,隆弘 佐々木. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2017-04-05.

PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE TAPE FOR RESIN ENCAPSULATION AND METHOD FOR PRODUCING RESIN ENCAPSULATION TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130237017A1. Автор: Hoshino Shinji,ARIMITSU Yukio,Nishio Akinori,KONDO Hiroyuki. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-12.

Thick film paste, inorganic powder composition for thick film paste, ceramic wiring board and method for producing the same, and semiconductor device

Номер патента: JP3856946B2. Автор: 正英 岡本,円 木下,則夫 千石,満 藤井,円 田内,美咲 處,徳宏 阿美. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-12-13.

Method for manufacturing lead frame for semiconductor device

Номер патента: JP2520486B2. Автор: 正幸 樋口. Владелец: Mitsui High Tech Inc. Дата публикации: 1996-07-31.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.