Method for forming semiconductor device structure
Номер патента: US20170278756A1
Опубликовано: 28-09-2017
Автор(ы): An-Lun LO, Chrong-Jung Lin, Tzong-Sheng Chang, Wei-Shuo HO, Ya-Chin King
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 28-09-2017
Автор(ы): An-Lun LO, Chrong-Jung Lin, Tzong-Sheng Chang, Wei-Shuo HO, Ya-Chin King
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for forming fin field effect transistor device structure
Номер патента: US20230369121A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.