Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

METHOD FOR FORMING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160225880A1
Опубликовано: 04-08-2016
Автор(ы): CHEN TAI-JU, CHEN TE-CHIH, Lee Kung-Hong, Tang Chun-Jung
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for forming metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09741830B2. Автор: Kung-Hong Lee,Chun-Jung Tang,Te-Chih Chen,Tai-Ju Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of making a CMOS semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (SOI) wafer

Номер патента: US09466720B2. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of making a cmos semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (soi) wafer

Номер патента: US20180323301A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-11-08.

Method of making a cmos semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (soi) wafer

Номер патента: US20160268433A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-09-15.

Methods for forming fins for metal oxide semiconductor device structures

Номер патента: US09607987B2. Автор: Tahir Ghani,Martin D. Giles. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US9564490B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US20170104069A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US20160118464A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US8633471B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Method for Producing a Substrate, Substrate, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with a Substrate, Micro-Electromechanical System with a Substrate, and Motor Vehicle

Номер патента: US20160218208A1. Автор: Trautmann Achim,Banzhaf Christian Tobias. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11855163B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240113183A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Oxide semiconductor, semiconductor device, semiconductor memory device, and solid-state imaging device

Номер патента: US20180076292A1. Автор: Hisayo Momose,Nobuki KANREI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Oxide semiconductor, semiconductor device and method of manufacturing an oxide semiconductor

Номер патента: US20240250179A1. Автор: Hitoshi Takane,Kentaro Kaneko,Toshimi Hitora. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Amorphous oxide semiconductor, semiconductor device, and thin film transistor

Номер патента: EP2150982A1. Автор: Hisato Yabuta,Ryo Hayashi,Nobuyuki Kaji,Ayanori Endo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-02-10.

Methods for forming fins for metal oxide semiconductor device structures

Номер патента: KR101700213B1. Автор: 타히르 가니,마틴 디. 자일스. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2017-01-26.

Methods for forming fins for metal oxide semiconductor device structures

Номер патента: TW201730982A. Автор: 馬丁 吉爾斯,塔何 甘尼. Владелец: 英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2017-09-01.

Method for forming metal-semiconductor alloy using hydrogen plasma

Номер патента: US09972499B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Kenichi Iguchi,Kiyokazu Nakagawa,Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for manufacturing NMOS (N-channel metal oxide semiconductor) transistor

Номер патента: CN103000522B. Автор: 涂火金. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-04-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240072171A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11848383B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

METHOD FOR SELECTIVELY DEPOSITING A GROUP IV SEMICONDUCTOR AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20190027584A1. Автор: Tolle John,Margetis Joe. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures

Номер патента: US11018002B2. Автор: John Tolle,Joe Margetis. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-05-25.

Method for manufacturing silicon carbide substrate, silicon carbide substrate, and semiconductor device

Номер патента: CA2759856A1. Автор: Shin Harada,Takeyoshi Masuda,Yasuo Namikawa,Makoto Sasaki,Shinsuke Fujiwara,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-04-21.

Metal Oxide Thin Film Semiconductor Device Monolithically Integrated With Dissimilar Device on the Same Wafer

Номер патента: US20200135769A1. Автор: Kevin D. Leedy,Andrew J. Green,Michael L. Schuette,Gregg H. Jessen,Robert C. Fitch, JR.. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2020-04-30.

Metal oxide thin film semiconductor device monolithically integrated with dissimilar device on the same wafer

Номер патента: US10930676B2. Автор: Kevin D. Leedy,Andrew J. Green,Michael L. Schuette,Gregg H. Jessen,Robert C. Fitch, JR.. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2021-02-23.

Method for making semiconductor device

Номер патента: US20230352347A1. Автор: Guang Yang,Chin-Chun Huang,Wen Yi Tan,Jinjian Ouyang,Linshan Yuan,Yuchun Guo. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Methods for forming a transistor

Номер патента: EP1759409A2. Автор: Victor Moroz,Lori D. Washington,Faran Nouri. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-03-07.

Semiconductor device, method for fabricating the same, and memory system including the semiconductor device

Номер патента: US09786785B2. Автор: Seok-jun Won,Ji-Hye Yi,Kook-Tae KIM,Young-Tak Kim,Ho-Sung Son,Chul-Woong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for manufacturing lateral double-diffused metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US09627513B2. Автор: Meng Wang,Budong You,Zheng Lyu. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for forming via profile of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09536964B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US10056452B2. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2018-08-21.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US20160315142A1. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2016-10-27.

Method for forming sidewall in fork-shaped structure and semiconductor device with fork-shaped structure

Номер патента: EP4228008A1. Автор: Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Methods for performing a gate cut last scheme for FinFET semiconductor devices

Номер патента: US09991361B2. Автор: Xintuo Dai,Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Amorphous oxide semiconductor, semiconductor device, and thin film transistor

Номер патента: TW200849605A. Автор: Hisato Yabuta,Ryo Hayashi,Nobuyuki Kaji,Ayanori Endo. Владелец: Canon Kk. Дата публикации: 2008-12-16.

Methods for performing a gate cut last scheme for finfet semiconductor devices

Номер патента: US20170345913A1. Автор: Xintuo Dai,Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2017090285A1. Автор: 太郎 西口,和田　圭司,洋典 伊東. Владелец: 住友電気工業株式会社. Дата публикации: 2017-06-01.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6856156B2. Автор: 圭司 和田,太郎 西口,和田　圭司,洋典 伊東. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-04-07.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2017090285A9. Автор: 太郎 西口,和田　圭司,洋典 伊東. Владелец: 住友電気工業株式会社. Дата публикации: 2018-04-19.

Shielding structure for a vertical iii-nitride semiconductor device

Номер патента: EP4391065A1. Автор: Hu Liang,Stefaan Decoutere,Karen GEENS. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Shielding structure for a vertical iii-nitride semiconductor device

Номер патента: WO2024132524A1. Автор: Hu Liang,Jens Baringhaus,Kevin Dannecker,Stefaan Decoutere,Karen GEENS. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2024-06-27.

Metal Oxide Thin Film Semiconductor Device Monolithically Integrated With Dissimilar Device on the Same Wafer

Номер патента: US20210057454A1. Автор: Jr. Robert C.,Green Andrew J.,Schuette Michael L.,Jessen Gregg H.,Leedy Kevin D.,Fitch. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

Metal Oxide Thin Film Semiconductor Device Monolithically Integrated With Dissimilar Device on the Same Wafer

Номер патента: US20180254290A1. Автор: Green Andrew J.,Schuette Michael L.,Jessen Gregg H.,Leedy Kevin D.,Fitch Robert C.. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

Metal Oxide Thin Film Semiconductor Device Monolithically Integrated With Dissimilar Device on the Same Wafer

Номер патента: US20200135769A1. Автор: Kevin D. Leedy,Andrew J. Green,Michael L. Schuette,Gregg H. Jessen,Robert C. Fitch, JR.. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160268311A1. Автор: Chia-Fu Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US12136629B2. Автор: Hideyuki Kishida,Toshikazu Kondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09496375B2. Автор: Atsuo Isobe,Kunio Hosoya. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09490265B2. Автор: Chia-Fu Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US09859306B2. Автор: Hideyuki Kishida,Toshikazu Kondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09425295B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Lateral double diffused metal-oxide-semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09634099B2. Автор: Jui-Chun Chang,Shang-Hui Tu,Tsung-Hsiung LEE. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09911864B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masashi Oota,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masashi TSUBUKU,Masami Jintyou,Noritaka ISHIHARA,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09761734B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masashi Oota,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masashi TSUBUKU,Masami Jintyou,Noritaka ISHIHARA,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09425217B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masashi Oota,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masashi TSUBUKU,Masami Jintyou,Noritaka ISHIHARA,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: US09871145B2. Автор: Daigo Ito,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Yoshiaki Yamamoto,Takashi Hamada,Daisuke Matsubayashi,Yutaka Okazaki,Masaharu Nagai,Naoto Yamade. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: US09691905B2. Автор: Daigo Ito,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Yoshiaki Yamamoto,Takashi Hamada,Daisuke Matsubayashi,Yutaka Okazaki,Masaharu Nagai,Naoto Yamade. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09711655B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto,Tatsuya Honda,Akiharu Miyanaga,Masashi TSUBUKU,Takatsugu Omata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240088302A1. Автор: Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Takaya Tamaru. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09647095B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09356026B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09985118B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09412768B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

METHODS FOR FORMING FINS FOR METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20170200744A1. Автор: Ghani Tahir,Giles Martin D.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor device, method for fabricating the same, and memory system including the semiconductor device

Номер патента: US9312376B2. Автор: Seok-jun Won,Ji-Hye Yi,Kook-Tae KIM,Young-Tak Kim,Ho-Sung Son,Chul-Woong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-12.

METHODS FOR PERFORMING A GATE CUT LAST SCHEME FOR FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170345913A1. Автор: Huang Haigou,Wu Xusheng,DAI Xintuo. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Source-channel junction for III-V metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs)

Номер патента: US11756998B2. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Anand Murthy,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Matthew Metz,Cheng-Ying Huang,Sean Ma,Harold Kennel,Nicholas MINUTILLO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230170401A1. Автор: He Sun,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Lateral-diffused metal oxide semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09461166B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Method to optimize work function in complementary metal oxide semiconductor (cmos) structures

Номер патента: US20110269276A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Dechao Guo,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Method for Manufacturing Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20190363187A1. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2019-11-28.

Coating liquid for forming thin metal oxide film, thin metal oxide film, field-effect transistor and method of making field-effect transistor

Номер патента: RU2546725C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Юдзи СОНЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2015-04-10.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09997455B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09589889B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for implanting ions to a wafer for manufacturing of semiconductor device and method of fabricating graded junction using the same

Номер патента: TWI278921B. Автор: Sun-Hwan Hwang,Seung-Woo Jin,Kyoung-Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-04-11.

Method for improving threshold voltage of oxide semiconductor thin-film transistor

Номер патента: EP3644347A1. Автор: Xuanyun Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-29.

Method for forming pattern of metal oxide and method for manufacturing thin film transistor using the same

Номер патента: US20120329209A1. Автор: Jae-Min Hong,Jung Ah Lim,Yong-Won Song,Hak-Sung Kim,Seong-Ji Kwon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2012-12-27.

Method for fabricating lateral double-diffused metal oxide semiconductor

Номер патента: KR100592224B1. Автор: 송유선. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-23.

Method for Forming Sidewall in Forksheet Structure and Forksheet Semiconductor Device

Номер патента: US20230261081A1. Автор: Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

For forming coating fluid, metal-oxide film, field-effect transistor and its manufacture method of metal-oxide film

Номер патента: CN107424910A. Автор: 曾根雄司,植田尚之,中村有希,安部由希子. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-01.

Method for forming barrier layer for dielectric layers in semiconductor devices

Номер патента: US9508548B2. Автор: Ting-Chun Wang,Yu-Ting Lin,Sheng-Wen Chen,Che-Hao Chang,Wei-Ming You. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for forming laterally varying doping concentrations and a semiconductor device

Номер патента: CN103531450A. Автор: Y.加利纳,F.J.尼德诺斯泰德,H-J.舒尔策. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-01-22.

Method for forming sidewall in fork-shaped structure and semiconductor device with fork-shaped structure

Номер патента: EP4228008A4. Автор: Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles

Номер патента: EP1908120A1. Автор: Timothy D. Dunbar. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2008-04-09.

Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles

Номер патента: CN101213671B. Автор: 蒂莫西·D·邓巴. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2013-01-02.

Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles

Номер патента: KR20080027276A. Автор: 티모시 디. 던바. Владелец: 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니. Дата публикации: 2008-03-26.

Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles

Номер патента: WO2007044098A1. Автор: Timothy D. Dunbar. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2007-04-19.

Flexible semiconductor device and method for producing same, image display device using the flexible semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102812541A. Автор: 平野浩一,铃木武,增田忍. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-05.

Method for doping semiconductor layer, method for producing thin film semiconductor element and thin film semiconductor device

Номер патента: CN1251307C. Автор: 町田晓夫,碓井节夫,达拉姆·P·戈塞恩. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-04-12.

Semiconductor device, method for fabricating the same, and memory system including the semiconductor device

Номер патента: US20140369115A1. Автор: Seok-jun Won,Ji-Hye Yi,Kook-Tae KIM,Young-Tak Kim,Ho-Sung Son,Chul-Woong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-18.

Method for the manufacture of an insulated gate field effect semiconductor device using photo enhanced CVD

Номер патента: US5094966A. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1992-03-10.

Silicon carbide semiconductor base substance, crystal axis alignment method for the same, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP2018037560A. Автор: Yasuyuki Kawada,泰之 河田,Takeshi Tawara,河田　泰之,武志 俵,俵　武志. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

METHOD FOR FABRICATING CONTACTS TO NON-PLANAR MOS TRANSISTORS IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170103981A1. Автор: Hung Yu-Hsiang,Jenq Jyh-Shyang,LIN CHIEN-TING,Hsu Chih-Kai,Fu Ssu-I. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-13.

Method for fabricating gate dielectrics of metal-oxide-semiconductor transistors using rapid thermal processing

Номер патента: US20090108377A1. Автор: Zhi Chen,Jun Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-30.

Crystal, crystalline oxide semiconductor, semiconductor film containing crystalline oxide semiconductor, semiconductor device including crystal and/or semiconductor film and system including semiconductor device

Номер патента: US20210143251A1. Автор: Takahiro Sasaki,Isao Takahashi,Toshimi Hitora,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Transistor including oxide semiconductor, semiconductor device including the transistor, and electronic device including the transistor

Номер патента: US09954113B2. Автор: Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Yutaka Okazaki,Hiroaki Honda,Takuya Tsurume,Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of Forming Metal Silicide Regions on a Semiconductor Device

Номер патента: US20130015527A1. Автор: Peter Baars,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Method for forming epitaxial Co self-align silicide for semiconductor device

Номер патента: US6077750A. Автор: Jeong Soo Byun,Dong Kyun Sohn. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-20.

Metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US12087825B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Polycrystalline film, method for forming polycrystalline film, laser crystallization device and semiconductor device

Номер патента: US11791160B2. Автор: Hiroshi Ikenoue,Jun Gotoh,Kaori Saito. Владелец: V Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Composite oxide semiconductor, semiconductor device using the composite oxide semiconductor, and display device including the semiconductor device

Номер патента: US11940702B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method for forming hardmask formation by hybrid materials in semiconductor device

Номер патента: US11948843B2. Автор: Chung-Ting Ko,Sung-En Lin,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Metal Oxide Film And Semiconductor Device

Номер патента: US20230420522A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Lid. Дата публикации: 2023-12-28.

LATERAL EXTENDED DRAIN METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR (LEDMOSFET) HAVING A HIGH DRAIN-TO-BODY BREAKDOWN VOLTAGE (Vb), A METHOD OF FORMING AN LEDMOSFET, AND A SILICON-CONTROLLED RECTIFIER (SCR) INCORPORATING A COMPLEMENTARY PAIR OF LEDMOSFETS

Номер патента: US20120168817A1. Автор: Alvin J. Joseph,James A. Slinkman,Alan B. Botula,Michel J. Abou-Khalil,Theodore J. Letavic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240194769A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Chia-Wei Wu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for manufacturing oxide semiconductor film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09496138B2. Автор: Toru Hasegawa,Masaki Koyama,Akihisa Shimomura,Kosei Nei,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Thin film transistor substrate having metal oxide semiconductor and manufacturing the same

Номер патента: US09748286B2. Автор: Woocheol Jeong,Imkuk KANG,SungKeun Lee,Yongtae SONG,Sungjun YUN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

P-type oxide semiconductor film and method for forming same

Номер патента: US20200279955A1. Автор: Isao Takahashi,Takashi Shinohe,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Method for forming oxide below control gate in vertical channel thin film transistor

Номер патента: US09368601B2. Автор: Akira Nakada,Michiaki Sano,Kensuke Yamaguchi,Naohito Yanagida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09601631B2. Автор: Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074210B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Kojiro SHIRAISHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device including oxide semiconductor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274722A1. Автор: Jun Hwe CHA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and fabricating the same

Номер патента: US09847332B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ting-Hung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and fabricating the same

Номер патента: US09443856B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ting-Hung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for manufacturing laterally diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US9190280B2. Автор: Zhengfeng WEN. Владелец: Founder Microelectronics International Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-17.

Coating liquid for forming metal oxide film, metal oxide film, field-effect transistor, and method for producing field-effect transistor

Номер патента: US09748097B2. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Mikiko Takada. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240332429A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09768292B2. Автор: Shu Zhang,Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09647127B2. Автор: XIANG Liu,Woobong Lee. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09406786B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09954084B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20190103400A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Shin-Cheng Lin,Yu-Hao Ho. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Method for forming multilayer film including oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09595435B2. Автор: Ryosuke Watanabe,Masashi Oota,Masashi TSUBUKU,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09806198B2. Автор: Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film

Номер патента: US09735280B2. Автор: Kosei Noda,Suzunosuke Hiraishi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor devices with a rare earth metal oxide layer

Номер патента: US12062576B2. Автор: Kenichi Sano,Pinyen Lin,Po-Cheng Wang,Han-Yu Lin,Wei-Yen Woon,Kuan-Kan HU,Che Chi Shih,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for manufacturing thin film transistor array substrate and display panel

Номер патента: US20240162253A1. Автор: Wei Wu,SHAN Li,Jun Zhao,Bin Zhao,Juncheng Xiao. Владелец: Guangzhou China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210351292A1. Автор: Yung-Chang Chen,Hsin-Yu Hsu,Chen-Huang Wang. Владелец: Cystech Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120252173A1. Автор: Yuki Imoto,Yuhei Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09972644B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09653614B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yukie Suzuki,Kosei Noda,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Mechanism for forming metal gate structure

Номер патента: US09496367B2. Автор: Hung-Chang Hsu,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Yi-Chun Lo,Chia-Der Chang,Tien-Chun Wang,Guo-Chiang CHI,Chia-Ping LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US09704704B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

High voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150325570A1. Автор: Hsin-Liang Chen,Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Improved cmos devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same

Номер патента: WO2008000556A1. Автор: Thomas Dyer,Xiangdong Chen,Haining Yang,Kenneth Settlemeyer. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2008-01-03.

Systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20150155355A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-06-04.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130075816A1. Автор: Jong Min Kim,Jae Hyun Yoo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US09685563B2. Автор: Yasumasa Yamane,Masashi Oota,Toshihiko Takeuchi,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Improved cmos devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same

Номер патента: EP2041785A1. Автор: Thomas Dyer,Xiangdong Chen,Haining Yang,Kenneth Settlemeyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140332886A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20150140764A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: EP4404269A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Array substrate, method for manufacturing the same and display device

Номер патента: US09646997B2. Автор: Liangchen YAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: US20240250120A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09768199B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Low on resistance semiconductor device

Номер патента: US09653561B2. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US20150279869A1. Автор: Lei Du. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240332427A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Array substrate comprising a barrier layer pattern and the method for manufacturing the same, and liquid crystal display device

Номер патента: US09632382B2. Автор: XIANG Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US09437622B2. Автор: Lei Du. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer

Номер патента: US12034047B2. Автор: Sang Woo Lee,Min Hee Cho,Woo Bin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12062724B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Hideyuki Kishida,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Metal oxide semiconductor thin film, thin film transistor, and their fabricating methods, and display apparatus

Номер патента: US09806097B2. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2017-10-31.

Metal oxide semiconductor thin film, thin-film-transistor, and their fabricating methods, and display apparatus

Номер патента: EP3317899A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-05-09.

Semiconductor device having an oxide semiconductor film and a metal oxide film

Номер патента: US09842937B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Array substrate, method for manufacturing the same and liquid crystal display device

Номер патента: US09684217B2. Автор: XIANG Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Bottom-gate transistor including an oxide semiconductor layer contacting an oxygen-rich insulating layer

Номер патента: US09502572B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220376076A1. Автор: Toshiki Kaneko,Fumiya Kimura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Method for fabricating trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US7615442B2. Автор: Chien-Ping Chang,Mao-Song Tseng,Hsin-Huang Hsieh. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2009-11-10.

Extended drain metal-oxide-semiconductor transistor

Номер патента: US09871132B1. Автор: Kun Liu,Li Cao,Xiaoping Wang,Francis Lionel Benistant. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09680008B2. Автор: Ashraf W. Lotfi,Jian Tian. Владелец: Empirion Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Power MOSFETs and methods for forming the same

Номер патента: US09601616B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu,Tung-Yang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Oxide semiconductor film, method for forming oxide semiconductor film, and semiconductor device

Номер патента: US09583632B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for fabicating trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20070134882A1. Автор: Chien-Ping Chang,Mao-Song Tseng,Hsin-Huang Hsieh. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Stacked device structures and methods for forming the same

Номер патента: US12119348B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Ying-Hsun CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991293B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09831101B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device having super junction metal oxide semiconductor structure and fabrication method for the same

Номер патента: US09755065B2. Автор: Toshio Nakajima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120302004A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Metal oxide thin film transistor and method for manufacturing same, and display panel

Номер патента: US20240363760A1. Автор: Bin Lin,Yang Wang,Xue Yu,Wenxing Xi,Fadian LE,Zhenyou ZOU. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09985056B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Crystallization method for oxide semiconductor layer, semiconductor device manufactured using the same, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09960282B2. Автор: Min-Cheol Kim,Ho-Young Jung,Youn-Gyoung Chang,Kwon-Shik Park,So-Hyung LEE,Ha-Jin Yoo,Jeong-Suk Yang. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09954115B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09812533B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Array substrate and display device and method for making the array substrate

Номер патента: US09768204B2. Автор: Yi-Chun Kao,Hsin-Hua Lin. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09660020B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Oxide semiconductor film and method for forming oxide semiconductor film

Номер патента: US09577107B2. Автор: Masaki Koyama,Masashi Oota,Akihisa Shimomura,Takuya Hirohashi,Takahisa ISHIYAMA,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09515175B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Satoshi Higano,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09484437B2. Автор: Hung-Der Su,Kuo-Cheng Chang,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Wen-Yi Liao. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09466728B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and manufacturing method the same

Номер патента: US09379141B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20180076292A1. Автор: KANREI Nobuki,MOMOSE Hisayo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2018-03-15.

Method for manufacturing etch stop areas for contacting semiconductor devices

Номер патента: US20180114724A1. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-26.

Method for manufacturing etch stop areas for contacting semiconductor devices

Номер патента: US10354917B2. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-07-16.

METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LAYER CONTAINING METAL OXIDE AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20150122334A1. Автор: Sato Yoshiharu,YAMAZAKI Masanori,Yamauchi Ritsuko,Yokoyama Takamichi,Otsubo Saika,ARAMAKI Shinji,TAKEI Izuru. Владелец: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2015-05-07.

Metal Oxide Film and Semiconductor Device

Номер патента: US20170186843A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Koezuka Junichi,OKAZAKI Kenichi,HAMOCHI Takashi,HOSAKA Yasuharu,SHIMA Yukinori,KUROSAKI Daisuke,JINTYOU Masami,OBONAI Toshimitsu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2017-06-29.

Calibration method for emulating group iii-v semiconductor device and method for manufacturing group iii-v semiconductor device

Номер патента: US20230066030A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Chu Fu CHEN,Chiao-Chun Hsu,Kuan-Hung Liu,Shufang Fu,Fu-Yu Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for producing ohmic contacts on silicon carbide substrate of semiconductor device of e.g. power electronics device, involves producing oxide layer on surface of substrate, and applying contact metallization layer on contact region

Номер патента: DE102011078331A1. Автор: Michael Grieb,Thomas Suenner,Tim Behrens,Kathrin Rueschenschmidt. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2012-08-09.

The method for controlling the wafer bow in III-V type semiconductor devices

Номер патента: CN109103099A. Автор: S.肯南,P.W.金,S.E.朴,M.唐加尔,万建伟. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-12-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160211378A1. Автор: WON Seok-Jun,Lee Chul-Woong,Kim Young-Tak,KIM Kook-Tae,Son Ho-Sung,Yi Ji-Hye. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

High voltage metal oxide semiconductor device and method for making same

Номер патента: US09627524B2. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-04-18.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20180277679A1. Автор: Hung-Lin Shih,Wei-Lun Hsu,Hsin-Che Huang,Shyan-Liang Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device having groove and method of fabricating the same

Номер патента: US20030068875A1. Автор: Nak-Jin Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-10.

Method of manufacturing high-voltage semiconductor device and low-voltage semiconductor device

Номер патента: US7910466B2. Автор: Choul Joo Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

High-voltage semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070155107A1. Автор: Choul Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method for manufacturing lateral double-diffused metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: KR101068139B1. Автор: 홍대욱. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-09-27.

Method for improving PMOS (P-channel Metal Oxide Semiconductor) performance in contact etch stop layer process

Номер патента: CN102664150A. Автор: 周军. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-12.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9520483B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

COMPOSITE OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE COMPOSITE OXIDE SEMICONDUCTOR, AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190115474A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2019-04-18.

COMPOSITE OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE COMPOSITE OXIDE SEMICONDUCTOR, AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210165258A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2021-06-03.

Composite oxide semiconductor, semiconductor device using the composite oxide semiconductor, and display device having the semiconductor device

Номер патента: JPWO2017168283A1. Автор: 舜平 山崎,山崎　舜平. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Method for forming a metal silicide layer in a semiconductor device

Номер патента: US7005373B2. Автор: Kwan-Jong Roh,In-sun Park,Eung-joon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-28.

METHODS FOR FORMING SILICON-CONTAINING EPITAXIAL LAYERS AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20180323059A1. Автор: Tolle John,Goodman Matthew,Margetis Joe,Vyne Robert,Bhargava Nupur. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

METHOD FOR FORMING VIA PROFILE OF INTERCONNECT STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20160351669A1. Автор: Chang Che-Cheng,CHENG Tai-Shin,CHEN Wei-Ting,SHIAO Wei-Yin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-12-01.

Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures

Номер патента: US10446393B2. Автор: John Tolle,Matthew Goodman,Robert Vyne,Joe Margetis,Nupur Bhargava. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-10-15.

Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures

Номер патента: US10886123B2. Автор: Peng-Fu Hsu,Petri Raisanen,Moataz Bellah Mousa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-01-05.

Method for forming gate electrode and salicide contact of semiconductor devices

Номер патента: KR100315451B1. Автор: 김서원. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-11-28.

Method for forming fully silicided gate electrode in a semiconductor device

Номер патента: US7659189B2. Автор: Chien-Ting Lin,Li-Wei Cheng,Che-Hua Hsu,Guang-Hwa Ma,Yao-Tsung Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-02-09.

Method for manufacturing a double diffusion metal oxide silicon (DMOS) transistor using a six-step masking process

Номер патента: KR940004839A. Автор: 제-혼 관,후-이완 쉬에,예-세 호,킹 오양,마이크 에프 창.. Владелец: 실리코닉스 인코오포레이티드. Дата публикации: 1994-03-16.

Metal Oxide Film and Semiconductor Device

Номер патента: US20190051727A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Koezuka Junichi,OKAZAKI Kenichi,HAMOCHI Takashi,HOSAKA Yasuharu,SHIMA Yukinori,KUROSAKI Daisuke,JINTYOU Masami,OBONAI Toshimitsu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2019-02-14.

Metal Oxide Film and Semiconductor Device

Номер патента: US20200161435A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Metal Oxide Film and Semiconductor Device

Номер патента: US20210343843A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Koezuka Junichi,OKAZAKI Kenichi,HAMOCHI Takashi,HOSAKA Yasuharu,SHIMA Yukinori,KUROSAKI Daisuke,JINTYOU Masami,OBONAI Toshimitsu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2021-11-04.

Metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: CN113105213A. Автор: 山崎舜平,神长正美,肥塚纯一,黑崎大辅,冈崎健一,生内俊光,保坂泰靖,岛行德,羽持贵士. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-13.

Tantalum semiconductor contacts and method for fabricating same

Номер патента: CA1111570A. Автор: Hormazdyar M. Dalal,Majid Ghafghaichi,Hans Wimpfheimer,Lucian A. Kasprzak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-10-27.

Production method of T-shaped gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US5304511A. Автор: Masayuki Sakai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-04-19.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: JPWO2008126729A1. Автор: 英男 大野,浦山　雅夫,雅夫 浦山,川崎　雅司,雅司 川崎,大野　英男. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2010-07-22.

Method for manufacturing peripheral dummy gate of transistor for testing semiconductor device

Номер патента: KR100223941B1. Автор: 남상혁. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

METHODS FOR DEPOSITING A DOPED GERMANIUM TIN SEMICONDUCTOR AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20190067004A1. Автор: Kohen David,Profijt Harald Benjamin. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

METHOD FOR MANUFACTURING VERTICAL SUPER JUNCTION DRIFT LAYER OF POWER SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160315142A1. Автор: ZHANG BO,Zhang Jinping,LI Zehong,SONG Wenlong,SONG Xunyi,GU Hongming,ZOU Youbiao. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures

Номер патента: US10236177B1. Автор: David Kohen,Harald Benjamin Profijt. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-03-19.

METHOD FOR SELF-ALIGNING METAL CONTACTS ON A SELF-ALIGNED SEMICONDUCTOR DEVICE.

Номер патента: FR2663157B1. Автор: Collot Philippe,Schmidt Paul Erick. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1992-08-07.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP7070437B2. Автор: 勉 堀,圭司 和田,洋典 伊東. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-05-18.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6954316B2. Автор: 勉 堀,洋典 伊東. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-10-27.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JPWO2019044029A1. Автор: 勉 堀,洋典 伊東. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09583608B2. Автор: Yasuhiro Yamada,Yoshiharu Anda,Asamira Suzuki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Mechanism for forming metal gate structure

Номер патента: US09553161B2. Автор: Li-Chieh Wu,Chi-Jen Liu,Liang-Guang Chen,Shich-Chang Suen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Metal silicide, metal germanide, methods for making the same

Номер патента: US20160035852A1. Автор: Tom E. Blomberg,Suvi P. Haukka,Eva E. Tois,Viljami J. Pore. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-02-04.

Doped metal germanide and methods for making the same

Номер патента: US09634106B2. Автор: Tom E. Blomberg,Suvi P. Haukka,Eva E. Tois,Viljami J. Pore. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for forming metal oxide film, metal oxide film and apparatus for forming metal oxide film

Номер патента: US09574271B2. Автор: Akio Yoshida,Shizuo Fujita,Naoki Kameyama,Takahiro Shirahata,Hiroyuki Orita,Toshiyuki Kawaharamura. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130230989A1. Автор: Tzu-Yu Tseng,An-Chi Liu,Chi-Heng Lin,Chih-Wen Teng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Mechanism for forming metal gate structure

Номер патента: US09941152B2. Автор: Chih-Lin Wang,Chia-Der Chang,Wen-Jia HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Mechanism for forming metal gate structure

Номер патента: US09564332B2. Автор: Chih-Lin Wang,Chia-Der Chang,Wen-Jia HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09613990B2. Автор: Seiichi Uchida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09443874B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20080298135A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20100213528A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Method of integrating thyristor and metal-oxide semiconductor transistor on a semiconductor substrate

Номер патента: US10134736B2. Автор: Yukihiro Nagai,Le-Tien Jung. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Sputtering target, method for manufacturing sputtering target, and method for forming thin film

Номер патента: US20240254616A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tetsunori Maruyama,Masahiro Watanabe,Hitomi Sato,Yuki Imoto,Kenichi Okazaki,Takashi Shimazu,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09590111B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09484207B2. Автор: Yu-Sheng Su,Chia-Cheng Lin,Hung-Jui Chang,Shu-Huei Suen,Jeng-Chang Her. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09806201B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Yoshinori Yamada,Takashi Hamada,Masashi Oota,Yuji EGI,Yoichi Kurosawa,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device with integrated memory devices and mos devices and process of making the same

Номер патента: US20210233924A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Metal oxide film and method for forming metal oxide film

Номер патента: US09881939B2. Автор: Masahiro Takahashi,Masashi Oota,Takuya Hirohashi,Masashi TSUBUKU,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Metal oxide film and method for forming metal oxide film

Номер патента: US09871058B2. Автор: Masahiro Takahashi,Masashi Oota,Takuya Hirohashi,Masashi TSUBUKU,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Metal oxide film and method for forming metal oxide film

Номер патента: US09831274B2. Автор: Masahiro Takahashi,Masashi Oota,Takuya Hirohashi,Masashi TSUBUKU,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190214458A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor device including first and second metal oxide semiconductor transistors

Номер патента: US10636906B2. Автор: Takeshi Imamura,Eiji Yasuda,Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Dohwan AHN,Toshikazu Imai,Shigetoshi Sota,Masaaki HIRAKO,Tomonari Ota. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210328042A1. Автор: Chun-Shun Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for forming integrated circuit having monos device and mixed-signal circuit

Номер патента: US20030036275A1. Автор: Erh-Kun Lai,Ying-Tso Chen,Hsin-Huei Chen,Shou-Wei Hwang,Yu-Ping Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20240379865A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor structure having metal contact features and method for forming the same

Номер патента: US20200294806A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Opto-thermal annealing methods for forming metal gate and fully silicided gate-field effect transistors

Номер патента: US20080220581A1. Автор: Brian J. Greene,Scott D. Allen,Chun-Yung Sung,Christian Lavoie,Huilong Zhu,Sunfei Fang,Rajarao Jammy,Zhijiong Luo,Hung Ng,Cyril Cabral,Kevin K. Dezfulian,Clement H. Wann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor device and display device

Номер патента: US20240332428A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20240322045A1. Автор: Takahiro Fujii,Kotaro Noda,Takanori Akita,Kasumi Okabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Floating body contact circuit method for improving ESD performance and switching speed

Номер патента: US09941347B2. Автор: Eric S. Shapiro,Matt Allison. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Metal oxide thin film transistor, semiconductor device and display device

Номер патента: US20240332425A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO,Fangqing Wen. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device for a low-loss antenna switch

Номер патента: US20240371859A1. Автор: Jun-De JIN,Tzu-Jin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device for a low-loss antenna switch

Номер патента: US12080706B2. Автор: Jun-De JIN,Tzu-Jin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09947799B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09590112B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472676B2. Автор: Tetsunori Maruyama,Yuki Imoto,Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: US09472677B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: US09793412B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20180151604A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Heterogeneous structures comprising iii-v semiconductors and metal oxide dielectrics, and a method of fabrication thereof

Номер патента: US20210126107A1. Автор: Alexander Gerber,Gregory KOPNOV. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Method for manufacturing gate stack structure in insta-metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

Номер патента: US20160013283A1. Автор: Thomas George,Wei-Ting Lai,Po-Hsiang Liao,Pei-Wen Li,Ting-Chia Hsu,Kuo-Ching Yang. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2016-01-14.

ELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE BASED ON COPPER NICKEL AND GALLIUM-TIN-ZINC-COPPER-TITANIUM p AND n-TYPE OXIDES, THEIR APPLICATIONS AND CORRESPONDING MANUFACTURE PROCESS

Номер патента: EP2115770A1. Автор: Rodrigo Ferrao De Paiva Martins,Elvira Maria Correia Fortunato. Владелец: Universidade Nova De Lisboa. Дата публикации: 2009-11-11.

Vertical semiconductor device having frontside interconnections

Номер патента: US09673316B1. Автор: Albert Bergemont,Sudarsan Uppili,Guillaume Bouche,Christopher S. Blair,Fanling H. Yang. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device configured for gate dielectric monitoring

Номер патента: US12032014B2. Автор: Edward John Coyne,Colm Patrick Heffernan,Mark Forde,Shane Geary,John P. Meskell. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-09.

Capacitor comprising metal oxide film having high alignment

Номер патента: US09905586B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

METHOD FOR IMPROVING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING SiGe FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED BY USING THIS METHOD

Номер патента: KR100519202B1. Автор: 요시다아끼라,바바도모야. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-10-06.

Refractory metal nitride capped electrical contact and method for frabricating same

Номер патента: US20110049720A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2011-03-03.

Biased reactive refractory metal nitride capped contact of group III-V semiconductor device

Номер патента: US9484425B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Biased reactive refractory metal nitride capped contact of group III-V semiconductor device

Номер патента: US09484425B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for p-type doping wide band gap oxide semiconductors

Номер патента: WO2004025712A3. Автор: Theodore Moustakas,Yong Ki Min,Harry L Tuller. Владелец: Massachusetts Inst Technology. Дата публикации: 2004-05-06.

Method for fabricating at least three metal-oxide semiconductor transistors having different threshold voltages

Номер патента: US20120080758A1. Автор: Franck Arnaud. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2012-04-05.

Methods for dual metal gate complementary metal oxide semiconductor integration

Номер патента: WO2007025277A2. Автор: Naim Moumen,Muhammad Mustafa Hussain,Zhibo Zhang,Seung-Chul Song,Byoung Hun Lee,Rino Choi,Husam Alshareef,Joel Barnett. Владелец: SEMATECH, INC.. Дата публикации: 2007-03-01.

Method of making a semiconductor device using trench isolation regions to maintain channel stress

Номер патента: US20150099335A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-04-09.

Method of Fabricating an Electrical Contact for Use on a Semiconductor Device

Номер патента: US20170047228A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Method for p-type doping wide band gap oxide semiconductors

Номер патента: AU2003267230A8. Автор: Theodore Moustakas,Yong Ki Min,Harry L Tuller. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2004-04-30.

Method for forming a doped metal oxide for use in resistive switching memory elements

Номер патента: US09543516B2. Автор: Imran Hashim,Jinhong Tong,Vidyut Gopal,Randall Higuchi. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Methods for forming dielectric materials with selected polarization for semiconductor devices

Номер патента: US20220044922A1. Автор: Robert D. Clark,Kandabara N. Tapily,Dina H. Triyoso,Steven P. CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Methods for forming dielectric materials with selected polarization for semiconductor devices

Номер патента: WO2022035618A1. Автор: Robert D. Clark,Kandabara Tapily,Dina H. Triyoso,Steven CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-02-17.

Method for manufacturing contact windows with a reduced size for semiconductor devices

Номер патента: RU2767484C1. Автор: Самвел Грантович Тадевосян,Андрей Григорьевич Шелегеда,Михаил Валентинович Хохлов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Монолит". Дата публикации: 2022-03-17.

Method for forming pattern of metal oxide and method for producing semiconductor element

Номер патента: US20240105466A1. Автор: Kazuma Matsui,Yuki Oka,Moe TANIWAKI. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Surface-modified metal oxide particle dispersion liquid, method for producing same, surface-modified metal oxide particle-silicone resin composite composition, surface-modified metal oxide particle-silicone resin composite body, optical member and light emitting device

Номер патента: US09856361B2. Автор: Takeshi Otsuka,Kenji Harada,Yasuyuki Kurino,Takeru Yamaguchi. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for inspecting pattern and an apparatus for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09965851B2. Автор: Seunghune YANG,Kiho Yang,Kaiyuan Chi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for controlling sheet resistance of poly in fabrication of semiconductor device

Номер патента: US20090077509A1. Автор: Nan Soon CHOI. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Method for measuring and correcting misregistration between layers in a semiconductor device, and misregistration targets useful therein

Номер патента: US20220199437A1. Автор: YOEL Feler,Roie VOLKOVICH,Liran Yerushalmi,Renan MILO,Moran Zaberchik,David Izraeli. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Methods for forming a lanthanum-metal oxide dielectric layer

Номер патента: US7494939B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-24.

Apparatuses and methods for extracting defect depth information and methods of improving semiconductor device manufacturing processes using defect depth information

Номер патента: US20140307052A1. Автор: Byoung-Ho Lee,Jeong-Ho Ahn,Dong-ryul Lee,Jong-Cheon Sun,Dong-Chul Ihm,Soo-bok Chin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-16.

Method for making deep trench isolation of cis device, and semiconductor device structure

Номер патента: US20220230909A1. Автор: XIAO FAN,Peng Huang,Jialong Li,Wensheng QIAN. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: US20010038152A1. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Method of forming metal lines and bumps for semiconductor devices

Номер патента: US20080076248A1. Автор: Dong-Hyeon Jang,Soon-bum Kim,Sung-min Sim,Jae-Sik Chung,Se-Yong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

Apparatus and method for measuring and controlling the internal temperature of a semiconductor device

Номер патента: US09568537B1. Автор: Jason Christopher McCullough. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer, and semiconductor device made using the method

Номер патента: US09564401B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device

Номер патента: US20080118737A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Masaru Sasago,Fujio Yagihashi,Hideo Nakagawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-22.

Zeolite sol and method for preparing the same, composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device

Номер патента: US20070108593A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Masaru Sasago,Fujio Yagihashi,Hideo Nakagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-17.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US20030219985A1. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: CV Research Corp. Дата публикации: 2003-11-27.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US20050095850A1. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: Cv Res Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US6916747B2. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: Cv Res Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

Method for manufacturing soi structure in desired region of a semiconductor device

Номер патента: US20090186463A1. Автор: Min Jung SHIN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Method for processing a semiconductor wafer, semiconductor wafer, clip and semiconductor device

Номер патента: US20210305198A1. Автор: Roland Rupp,Carsten Von Koblinski,Matteo Piccin,Chiew Li Tai,Daniel PEDONE,Jia Yi WONG. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-09-30.

Method for forming a mental wiring pattern on a semiconductor device

Номер патента: US6296988B1. Автор: Bok-Hyung Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2001-10-02.

Methods for manufacturing spinel-type ternary metal oxides as hole transport materials

Номер патента: WO2020020039A1. Автор: Chik Ho Wallace CHOY,Zhanfeng HUANG,Yangdan OU. Владелец: The University of Hong Kong. Дата публикации: 2020-01-30.

Methods for manufacturing spinel-type ternary metal oxides as hole transport materials

Номер патента: US11820668B2. Автор: Chik Ho Wallace CHOY,Zhanfeng HUANG,Yangdan OU. Владелец: University of Hong Kong HKU. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for forming a fine contact hole in a semiconductor device

Номер патента: US5767019A. Автор: Sang Wook Kim,Hae Jung Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-16.

Methods for forming assemblies and packages that include stacked semiconductor devices separated a distance defined by adhesive material interposed therebetween

Номер патента: US20040157375A1. Автор: James Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Method for forming photo mask for use in fabricating semiconductor device

Номер патента: US5679499A. Автор: Atsushi Yamamori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-10-21.

Method for forming interlayer dielectric film, interlayer dielectric film, semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20090127669A1. Автор: Yoshihiro Hayashi,Hironori Yamamoto,Fuminori Ito. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Methods for forming contacts for dual stress liner CMOS semiconductor devices

Номер патента: US7816271B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kyoung Woo Lee,Ja Hum Ku,WanJae Park,Chong Kwang Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Metal-oxide-metal cell semiconductor device and method

Номер патента: US20230282580A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Chung-Ting Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Resist pattern thickening material, process for forming resist pattern, and process for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7364829B2. Автор: Takahisa Namiki,Koji Nozaki,Junichi Kon,Miwa Kozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-29.

Method for manufacturing a multi-layer wiring structure of a semiconductor device

Номер патента: US5851917A. Автор: Sang-In Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-12-22.

Manufacturing method for filling a trench or contact hole in a semiconductor device

Номер патента: US5824562A. Автор: Tai-su Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-10-20.

Method for measuring and correcting misregistration between layers in a semiconductor device, and misregistration targets useful therein

Номер патента: US20200312687A1. Автор: YOEL Feler,Roie VOLKOVICH,Liran Yerushalmi,Renan MILO,Moran Zaberchik,David Izraeli. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Method for inspecting pattern and an apparatus for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20160275663A1. Автор: Seunghune YANG,Kiho Yang,Kaiyuan Chi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-22.

Lead frame, method for partial noble plating of said lead frame and semiconductor device having said lead frame

Номер патента: CA2186695C. Автор: Hideo Horita,Chiaki Hatsuta. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2001-08-07.

Dispatch method for production line in semiconductor process, storage medium and semiconductor device

Номер патента: US11988969B2. Автор: Chin-Chang Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Dispatch method for production line in semiconductor process, storage medium and semiconductor device

Номер патента: US20230057823A1. Автор: Chin-Chang Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US20190304855A1. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US20190333830A1. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US10847433B2. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-24.

Method for providing a self-aligned pad protection in a semiconductor device

Номер патента: US20150357234A1. Автор: Michael Rogalli,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-10.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer and, semiconductor device made using the method

Номер патента: US8945988B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-03.

System and method for automatically identifying defect-based test coverage gaps in semiconductor devices

Номер патента: EP4248490A1. Автор: John Robinson,David W. Price,Robert J. Rathert,Oreste Donzella,Mike Von den Hoff,Barry Saville,Thomas Groos,Justin LACH,Narayani Narasimhan,Chet LENOX,Kara SHERMAN,Teng Song LIM. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, circuit board, electronic apparatus, and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20040115920A1. Автор: Masahiro Kubo,Ichiro Hazeyama,Sakae Kitajo,Hirobumi Inoue,Hidehiko Kuroda,Takao Yamazaki,Yoshimichi Sogawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Method for producing a semiconductor body, semiconductor body and power semiconductor device

Номер патента: WO2024056185A1. Автор: Yulieth Cristina Arango,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for processing a semiconductor wafer, semiconductor wafer, clip and semiconductor device

Номер патента: US11756917B2. Автор: Roland Rupp,Carsten Von Koblinski,Matteo Piccin,Chiew Li Tai,Daniel PEDONE,Jia Yi WONG. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for forming a gate insulating film for semiconductor devices

Номер патента: US6303481B2. Автор: Dong Su Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-16.

CRYSTAL, CRYSTALLINE OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR FILM CONTAINING CRYSTALLINE OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING CRYSTAL AND/OR SEMICONDUCTOR FILM AND SYSTEM INCLUDING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210143251A1. Автор: TAKAHASHI Isao,Sasaki Takahiro,Hitora Toshimi,MATSUDA Tokiyoshi. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-13.

Method for forming a gate of a high integration semiconductor device

Номер патента: US20020093066A1. Автор: Young-Hun Bae,Won-sung Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

METHODS OF FORMING METAL SILICIDE REGIONS ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140319617A1. Автор: Baars Peter,Thees Hans-Juergen. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

Method for reduction of filaments between electrodes

Номер патента: US4878996A. Автор: Howard L. Tigelaar,Allan T. Mitchell,Kalipatnam V. Rao,Shaym G. Garg. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1989-11-07.

Method for adjusting effective work function of gate structure in semiconductor device

Номер патента: JP2014146789A. Автор: Spessot Alessio,Caillat Christian,Kauerauf Thomas,トーマス・カウエラウフ,アレッシオ・スペソット,クリスチャン・カイヤ. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2014-08-14.

Method for fabricating CMOS compatible contact layers in semiconductor devices

Номер патента: US09698309B2. Автор: Celso Cavaco,Brice De Jaeger,Marleen Van Hove,Vasyl Motsnyi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for producing a lithium-containing metal oxide that can be used as an active material for a positive electrode

Номер патента: US12077451B2. Автор: David Peralta. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-09-03.

Method For Producing Sodium Composite Transition Metal Oxide, Positive Electrode Active Material For Sodium Secondary Battery, Positive Electrode And Sodium Secondary Battery Comprising The Same

Номер патента: US20200119348A1. Автор: Hyo Jung Yoon,Kyu Tae Lee,Mi-Sook Kwon,Shin Gwon Lim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for producing sodium composite transition metal oxide, positive electrode active material for sodium secondary battery, positive electrode and sodium secondary battery comprising the same

Номер патента: US11251426B2. Автор: Hyo Jung Yoon,Kyu Tae Lee,Mi-Sook Kwon,Shin Gwon Lim. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2022-02-15.

Devices and methods for enhancing insertion loss performance of an antenna switch

Номер патента: US12142585B2. Автор: Jun-De JIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) ultrasonic transducers and methods for forming the same

Номер патента: US09944514B2. Автор: Jonathan M. Rothberg,Keith G. Fife,Gregory L. Charvat,Tyler S. Ralston,Nevada J. Sanchez. Владелец: Butterfly Network Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) ultrasonic transducers and methods for forming the same

Номер патента: US09499395B2. Автор: Jonathan M. Rothberg,Keith G. Fife,Gregory L. Charvat,Tyler S. Ralston,Nevada J. Sanchez. Владелец: Butterfly Network Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for fabricating at least three MOS transistors having different threshold voltages.

Номер патента: EP2437292A3. Автор: ARNAUD Franck. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-05-14.

Method for forming interlayer insulation film in semiconductor device

Номер патента: US7160810B2. Автор: Sang Wook Ryu,Kang Sup Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-09.

Method of forming interconnectings in semiconductor devices

Номер патента: US20020090810A1. Автор: Mario Napolitano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for forming interlayer insulation film in semiconductor device

Номер патента: US20050142848A1. Автор: Kang Shin,Sang Ryu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for etching metal or metal oxide by ozone water, method for smoothing surface of metal or metal oxide by ozone water, and patterning method using ozone water

Номер патента: US09797046B2. Автор: Takatoki Yamamoto,Ryuji Hatsuki. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for forming low dielectric constant layer

Номер патента: US20020132494A1. Автор: Wen-Yi Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-09-19.

Method for forming capacitor, capacitor and semiconductor device

Номер патента: US12041763B2. Автор: GuangSu SHAO,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for forming buried word line in semiconductor device

Номер патента: US20110027988A1. Автор: Sun-Hwan Hwang,Se-Aug Jang,Kee-Joon Oh,Soon-Young Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-02-03.

Passivation layer structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20140042440A1. Автор: Wen-Ching Sun,Tzer-Shen Lin,sheng-min Yu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20240250019A1. Автор: Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Ting-Li Yang,Yung-Han Chuang,Hsueh-Sheng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for obtaining extreme selectivity of metal nitrides and metal oxides

Номер патента: US20130244426A1. Автор: Kevin R. Shea. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-09-19.

Bipolar shell resurfaced perovskite quantum dots and methods for producing same

Номер патента: WO2022100636A1. Автор: Edward Sargent,Peter Chun,Makhsud SAIDAMINOV,Sjoerd HOOGLAND,Fanglong YUAN,Quan LYU,Giovanni Francesco COTELLA,Yitong DONG,Ya-Kun WANG. Владелец: Quan LYU. Дата публикации: 2022-05-19.

METHODS FOR FORMING FINS FOR METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20140151814A1. Автор: Ghani Tahir,Giles Martin D.. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-05.

Method for forming metal-metal oxide etch stop/ electromigration barrier for integrated circuit interconnects and device

Номер патента: EP1430526A1. Автор: Jihperng Leu,Xiaorong Morrow,Markus Kuhn,Jose Miaz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-06-23.

Method for forming metal-metal oxide etch stop/ electromigration barrier for integrated circuit interconnects and device

Номер патента: EP1430526B1. Автор: Jihperng Leu,Xiaorong Morrow,Markus Kuhn,Jose Miaz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-10-28.

Etching techniques for semiconductor devices

Номер патента: US09768327B2. Автор: Robert Woehl,David Aaron Randolph BARKHOUSE,Paul LOSCUTOFF. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US7217633B2. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-15.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US20050142805A1. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Apparatus and methods for sensing long wavelength light

Номер патента: US12113086B2. Автор: Ying-Hao Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for producing non-contiguous metal oxide semiconductors, of uniform and controlled size and density

Номер патента: US20230360912A1. Автор: Thierry Baron,Pierre-Vincent GUENERY,Jérémy MOEYAERT. Владелец: Ecole Superieure Chimie Physique Electronique Lyon. Дата публикации: 2023-11-09.

Electronic device, semiconductor device, packaging structure, bracket and method of manufacturing the bracket

Номер патента: US20220165926A1. Автор: YE Yuan,Wei Luo,Yongde Li,Junjie Kang,Xinqiang Wang,Weiyun WANG,Houjin WANG. Владелец: Songshan Lake Materials Laboratory. Дата публикации: 2022-05-26.

Electronic device, semiconductor device, packaging structure, bracket and method of manufacturing the bracket

Номер патента: US11881548B2. Автор: YE Yuan,Wei Luo,Yongde Li,Junjie Kang,Xinqiang Wang,Weiyun WANG,Houjin WANG. Владелец: Songshan Lake Materials Laboratory. Дата публикации: 2024-01-23.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20020121704A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20010028092A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Method and apparatus for forming metal-metal oxide etch stop/barrier for integrated circuit interconnects

Номер патента: US20040058547A1. Автор: Jihperng Leu,Jose Maiz,Xiaorong Morrow,Markus Kuhn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-25.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: WO2020185762A8. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for evaulating of molding material with dams formed on a semiconductor substrate to define slits for capturing the fillers contained in the molding material

Номер патента: US20020088974A1. Автор: Masaru Takahara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Method and apparatus for a direct buried strap for same level interconnections for semiconductor devices

Номер патента: EP1292979A2. Автор: Michael Stetter,Frank Grellner. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-03-19.

Method and apparatus for forming metal-metal oxide etch stop/barrier for integrated circuit interconnects

Номер патента: US8299617B2. Автор: Jihperng Leu,Xiaorong Morrow,Markus Kuhn,Jose A. Maiz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Pixel structure based on inkjet printing technology and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190273206A1. Автор: Chun Hsiang Fang,Yuan Chun Wu,Po Yen Lu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12033940B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for oxidizing a structure during the fabrication of a semiconductor device

Номер патента: EP2063464A3. Автор: Takayuki Niuya,Ming Hwang,Boyang Lin,Song C. Park. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-06-17.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09978680B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09666587B1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for forming a titanium dioxide layer

Номер патента: US6251803B1. Автор: Hsin-Chih Liao,Ming-Kwei Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-06-26.

Method for forming align key pattern in semiconductor device

Номер патента: US5578519A. Автор: Yun-hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-11-26.

Method for forming interlayer dielectric film for semiconductor device by using polyhedral molecular silsesquioxane

Номер патента: US7470634B2. Автор: Hyeon Jin Shin,Hyun Dam Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-30.

Method for forming graphene barrier layer for semiconductor device and contact structure formed by the same

Номер патента: US20230081962A1. Автор: Won Jun Yoon,Jee Hye Park,Dong Woo Kim,Tae Sung Kim,Jin Ho Jeon,Hong Ki PARK,Woo Hoon SUN,Keon Jung LEE. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Method for producing silicon nitride films and process for fabricating semiconductor devices using said method

Номер патента: EP1548814A3. Автор: Kazutaka Yanagita,Christian Dussarrat,Takeshi Hoshi,Tsuyoshi Saito,Takako Kimura. Владелец: Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. Дата публикации: 2009-05-27.

Etching composition and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US12110435B2. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Laisheng SUN,Aiping Wu,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Conductive powder formation method, device for forming conductive powder, and method of forming semiconductor device

Номер патента: US20180301375A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Method for forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US5728597A. Автор: Suk Soo Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-17.

Methods for forming porous insulator structures on semiconductor devices

Номер патента: US7285502B2. Автор: Tongbi Jiang,Warren M. Farnworth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-10-23.

Method for forming an isolation region in a semiconductor device and resulting structure using a two step oxidation process

Номер патента: US6420241B2. Автор: Jong Choul Kim,Se Aug Jang,Young Bog Kim,In Seok Yeo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-16.

Protective layers formed on semiconductor device components so as to reduce or eliminate the occurrence of delamination thereof and cracking therein

Номер патента: US20040183210A1. Автор: Tongbi Jiang,Shijian Luo,S. Hinkle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-23.

Method for forming capacitor, capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20230063571A1. Автор: GuangSu SHAO,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

METHOD FOR MAKING THREE DIMENSIONAL COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR CARBON NANOTUBE THIN FILM TRANSISTOR CIRCUIT

Номер патента: US20190088722A1. Автор: LI QUN-QING,JIN YUAN-HAO,FAN SHOU-SHAN,ZHAO YU-DAN,XIAO XIAO-YANG,LI GUAN-HONG. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

METHOD FOR MAKING THREE DIMENSIONAL COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR CARBON NANOTUBE THIN FILM TRANSISTOR CIRCUI

Номер патента: US20170323930A1. Автор: LI QUN-QING,JIN YUAN-HAO,FAN SHOU-SHAN,ZHAO YU-DAN,XIAO XIAO-YANG,LI GUAN-HONG. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

Method for extracting charge distribution of metal oxide semiconductor (MOS) tube along channel

Номер патента: CN102163568B. Автор: 张兴,杨东,黄如,谭斐,安霞. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-10-10.

Method for forming metal layer used the manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR100714269B1. Автор: 문광진,이현석,김현영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-05-02.

Method for forming metal wiring contact portion of semiconductor device

Номер патента: JP3510939B2. Автор: スック キム ヒュン. Владелец: エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド. Дата публикации: 2004-03-29.

Method for forming metal interlayer insulating film in semiconductor device

Номер патента: JPH0777219B2. Автор: 昶圭 金,志鉉 崔. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-08-16.

Method for forming pattern of metal oxide and method for producing semiconductor element

Номер патента: WO2022163182A1. Автор: 一真 松井,優希 岡,萌 谷脇. Владелец: 昭和電工株式会社. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for forming self aligned contacts

Номер патента: US20020098640A1. Автор: Ii-Wook Kim,Jong-Sam Kim,Dong-kuk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Method for obtaining extreme selectivity of metal nitrides and metal oxides

Номер патента: US20120214306A1. Автор: Kevin R. Shea. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-23.

Method of forming beam leads on semiconductor devices and integrated circuits

Номер патента: US3653999A. Автор: Clyde Rhea Fuller. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1972-04-04.

Semiconductor Device, a Semiconductor Wafer Structure, and a Method for Forming a Semiconductor Wafer Structure

Номер патента: US20150028456A1. Автор: Wolfgang Wagner,Francisco Javier Santos Rodriguez,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-01-29.

Methods for Forming Resistive-Switching Metal Oxides for Nonvolatile Memory Elements

Номер патента: US20130109149A1. Автор: Chiang Tony P.,Barstow Sean,Malhotra Sandra G.,Kumar Pragati. Владелец: Intermolecular Inc.. Дата публикации: 2013-05-02.

Methods for forming an enriched metal oxide surface

Номер патента: US7396774B2. Автор: Max Hineman,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-07-08.

Methods for forming an enriched metal oxide surface

Номер патента: US20060258172A1. Автор: Max Hineman,Stephen Russell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11955423B2. Автор: Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Ting-Li Yang,Yung-Han Chuang,Hsueh-Sheng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Etching techniques for semiconductor devices

Номер патента: US20160380122A1. Автор: Robert Woehl,David Aaron Randolph BARKHOUSE,Paul LOSCUTOFF. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-29.

Etching techniques for semiconductor devices

Номер патента: WO2016209846A1. Автор: Robert Woehl,David Aaron Randolph BARKHOUSE,Paul LOSCUTOFF. Владелец: TOTAL MARKETING SERVICES. Дата публикации: 2016-12-29.

Zeolite sol and method for preparing the same, composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device

Номер патента: US20040091419A1. Автор: Tsutomu Ogihara,Masaru Sasago,Fujio Yagihashi,Hideo Nakagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-13.

Zeolite sol and method for preparing the same, composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device

Номер патента: TW200415217A. Автор: Tsutomu Ogihara,Masaru Sasago,Fujio Yagihashi,Hideo Nakagawa. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-16.

Method for oxidizing a structure during the fabrication of a semiconductor device

Номер патента: EP2063464B1. Автор: Takayuki Niuya,Ming Hwang,Boyang Lin,Song C. Park. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-29.

System and method for automatically identifying defect-based test coverage gaps in semiconductor devices

Номер патента: EP4248490A4. Автор: John Robinson,David W Price,Oreste Donzella,Barry Saville,Thomas Groos,Den Hoff Mike Von,Justin LACH,Narayani Narasimhan,Chet LENOX,Kara SHERMAN,Teng Song LIM,Robert J Rathert. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

P-type Metal oxide-carbon nanotube composite film for organic solar cell, the method for preparation of P-type metal oxide-carbon nanotube composite film and organic solar cell with enhanced light to electric energy conversion using thereof

Номер патента: KR101085101B1. Автор: 박선영,정용수,임동찬,김영태,이규환,강재욱,박미영,최강호,심원현. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2011-11-21.

Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device

Номер патента: US20040201007A1. Автор: Masaru Sasago,Fujio Yagihashi,Yoshitaka Hamada,Hideo Nakagawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-14.

METHOD FOR FORMING A DUAL DAMASCENE STRUCTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND A SEMICONDUCTOR DEVICE THEREWITH

Номер патента: US20140175669A1. Автор: Lee Chul-Ho,LEE Sung-jae,MOON Joon-Young,PARK You-Jung,YOON Yong-Woon,LEE Chung-Heon,Cho Youn-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-26.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: TW200305952A. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: Cv Res Corp. Дата публикации: 2003-11-01.

METHOD FOR SURFACE TREATMENT ON A METAL OXIDE AND METHOD FOR PREPARING A THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20130171836A1. Автор: Cheng Jun,LIU Xiaodi. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-07-04.

METHODS FOR FORMING DIELECTRIC MATERIALS WITH SELECTED POLARIZATION FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20220044922A1. Автор: Clark Robert D.,Consiglio Steven P.,Tapily Kandabara N.,Triyoso Dina H.. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

Method for forming local interconnection line for use in semiconductor device

Номер патента: KR100526870B1. Автор: 고용선,권성운. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-11-09.

METHOD FOR PRODUCING NANOSTRUCTURES ON A METAL OXIDE SUBSTRATE, METHOD FOR DEPOSITING THIN LAYERS ON SUCH A SUBSTRATE, AND DISPOSITION OF THIN LAYERS

Номер патента: FR2928939B1. Автор: Pierre Jean Alet,I Cabaroccas Pere Roca. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2010-04-30.

Methods for forming contacts for dual stress liner CMOS semiconductor devices

Номер патента: KR101465703B1. Автор: 이경우,구자흠,박완재,장종광,데오도로스 이. 스탄데르트. Владелец: 인터내셔널 비즈니스 머신즈 코오퍼레이션. Дата публикации: 2014-11-28.

Method for forming dielectric layer for metallic pattern in semiconductor device

Номер патента: KR100557944B1. Автор: 김찬배. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-03-10.

Method for forming a capacitor for use in a semiconductor device

Номер патента: US7361547B2. Автор: Yong-Sun Ko,In-seak Hwang,Ki-Hyun Hwang,Kwang Wook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-22.

Film for forming spacer, method for manufacturing semiconductor wafer conjugant, semiconductor wafer conjugant and semiconductor device

Номер патента: TW201133653A. Автор: Fumihiro Shiraishi,Toyosei Takahashi,Toshihiro Sato,Masahiro Yoneyama,Masakazu Kawata,Hirohisa Dejima. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2011-10-01.

METHODS FOR FORMING LOW TEMPERATURE SEMICONDUCTOR LAYERS AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20180350588A1. Автор: Raisanen Petri,Hsu Peng-Fu,MOUSA MOATAZ BELLAH. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

A method for forming a self-aligned contact of a semiconductor device

Номер патента: KR100609523B1. Автор: 남상혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-04.

Method for forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100189733B1. Автор: 박주석. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-06-01.

A method for forming a inter-layer oxide of a semiconductor device

Номер патента: KR100447253B1. Автор: 염승진,김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-09-07.

Method for forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100190053B1. Автор: 김성의. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-01.

Method for forming titanium silicide ohmic contact layer of semiconductor device

Номер патента: KR100626741B1. Автор: 손현철,엄장웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-22.

Method for forming dual poly silicon gate electrode in semiconductor device

Номер патента: KR100582365B1. Автор: 안현주. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-22.

Method for forming a gate oxide layer of a semiconductor device

Номер патента: KR20010091519A. Автор: 황철주,양두영. Владелец: 황 철 주. Дата публикации: 2001-10-23.

Method for forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100189992B1. Автор: 이재경,박찬식,조경환,이성한. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-01.

A method for forming a contact hole pattern of a semiconductor device

Номер патента: KR20050002368A. Автор: 복철규,이원욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-01-07.

Method for forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100203906B1. Автор: 김영복. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for forming the landing plug contact hole in semiconductor device

Номер патента: KR100745052B1. Автор: 남기원,박상수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-01.

METHOD FOR FORMING A SELF-ALIGNED CONTACT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2784229B1. Автор: Chang Hyum Cho,Kyu Hyun Lee,Lae Goo Lee,Sang Sub Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-12.

Method for forming a metal line pattern of the semiconductor device

Номер патента: KR100827488B1. Автор: 문주형. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-05-06.

A method for forming capacitor using polysilicon plug structure in semiconductor device

Номер патента: KR100464938B1. Автор: 정경철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-01-05.

Method for forming a metallic wiring layer in a semiconductor device

Номер патента: DE4200809C2. Автор: Chang-Soo Park,Sang-In Lee,Jeong-Ha Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-12-12.

Method for forming a gate oxide layer of a semiconductor device

Номер патента: KR100440501B1. Автор: 황철주,양두영. Владелец: 주성엔지니어링(주). Дата публикации: 2004-07-15.

Methods of forming metallization patterns on beam lead semiconductor devices

Номер патента: US4011144A. Автор: Albert K. Bachman. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1977-03-08.

METHOD FOR FORMING A SELF-ALIGNED CONTACT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2784229A1. Автор: Chang Hyum Cho,Kyu Hyun Lee,Lae Goo Lee,Sang Sub Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-04-07.

Method for forming a field oxide layer of a semiconductor device

Номер патента: DE4109184C2. Автор: Taek-Yong Jang,Weon-Sik Paek,Weon-Taek Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-12-21.

Method for forming a self aligned contact in a semiconductor device

Номер патента: US6177320B1. Автор: Sang-Sup Jeong,Chang-jin Kang,Hong-Sik Jeong,Chul Jung,Chan-ouk Jung,Jae-Goo Lee,Chang-Hyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-01-23.

Method for forming a self aligned contact in a semiconductor device

Номер патента: GB9909492D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-23.

Method for forming contact hole with different depth of semiconductor device

Номер патента: KR100257771B1. Автор: 서원준. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-06-01.

Method for forming sti to prevent poly stringer in semiconductor device

Номер патента: KR100763702B1. Автор: 김정호. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-10-04.

Method for forming contact hole in metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR950015589A. Автор: 서동량. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1995-06-17.

METHOD FOR FORMING A MULTIPLE LEVEL CONNECTION IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: DE4125221A1. Автор: Han-su Kim,Jang-Rae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1992-07-16.

Method for forming a hard mask pattern in a semiconductor device

Номер патента: CN101447398A. Автор: 郑宇荣. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-06-03.

A method for forming a fine pattern transistor of a semiconductor device

Номер патента: KR100673099B1. Автор: 복철규,김희범,임창문. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-22.

Method for forming a metal interconnection layer of a semiconductor device using a modified dual damascene process

Номер патента: TWI313495B. Автор: LEE Kyung-Woo,KIM Jae-Hak,Lee Soo-Geun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-11.

Method for forming an electrical interconnect in a silicon semiconductor device

Номер патента: JP2685253B2. Автор: ラッセル・クレイグ・エルナンガー,ヨハネス・エリザベス・ヨセフ・シュミッツ. Владелец: フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ. Дата публикации: 1997-12-03.

Method for forming a copper metal interconnection of a semiconductor device using two seed layers

Номер патента: US20070155145A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method for forming transistors with different channel lengths in semiconductor device

Номер патента: CN114628326A. Автор: 李俊杰,周娜,申靖浩. Владелец: Zhenxin Beijing Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

Method for forming contact hole buried metal wiring in semiconductor device

Номер патента: KR970053577A. Автор: 조경수. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-07-31.

Method for forming fine contact and conductive line in semiconductor device

Номер патента: KR970052274A. Автор: 신동원. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-07-29.

Apparatus and method for detecting failure in a mechanical press

Номер патента: US20200047442A1. Автор: Kwok Pun LAW,Hong Yeung LI,Cho Wai LEUNG. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

METHODS FOR MANUFACTURING SPINEL-TYPE TERNARY METAL OXIDES AS HOLE TRANSPORT MATERIALS

Номер патента: US20210198120A1. Автор: Huang Zhanfeng,CHOY Chik Ho Wallace,Ou Yangdan. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species

Номер патента: US20140346650A1. Автор: Jung Sung-Hoon,Verghese Mohith,Petri Raisanen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2014-11-27.

CONDUCTIVE POWDER FORMATION METHOD, DEVICE FOR FORMING CONDUCTIVE POWDER, AND METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180301375A1. Автор: Chou You-Hua,Chuang Kuo-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-18.

METHODS FOR ETCH OF METAL AND METAL-OXIDE FILMS

Номер патента: US20150318186A1. Автор: Wang Anchuan,Zhang Jingchun,Ingle Nitin K.. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species

Номер патента: US8802201B2. Автор: Jung Sung-Hoon,Verghese Mohith,Petri Raisanen. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2014-08-12.

Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species

Номер патента: US10804098B2. Автор: Jung Sung-Hoon,Verghese Mohith,Petri Raisanen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-10-13.

Method for producing semiconductor structure with metal oxide interface between silicons

Номер патента: CN1196172C. Автор: 加莫·拉姆达尼,拉文德兰纳特·德鲁帕德,志仪·J·于. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-04-06.

Methods for etch of metal and metal-oxide films

Номер патента: WO2012125654A2. Автор: Nitin Ingle,Anchuan Wang,Jingchun Zhang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-09-20.

Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen—oxygen species

Номер патента: US8883270B2. Автор: Sung Hoon Jung,Eric Shero,Chang-gong Wang,Petri I. Raisanen. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor device and method for producing a carrier element suitable for a semiconductor device

Номер патента: WO2019114968A1. Автор: Choo Kean Lim,Choon Keat OR,Choon Kim LIM,Siew Yan CHUA. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-06-20.

Washing solution and washing method for semiconductor substrate

Номер патента: US20230402275A1. Автор: Atsushi Mizutani. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor module and method for mounting the same

Номер патента: US20050116330A1. Автор: Tomotoshi Sato,Rina Murayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-02.

Apparatus and Method For Generating Test Pattern Data For Testing Semiconductor Device

Номер патента: US20080040639A1. Автор: Jong Koo Kang. Владелец: UniTest Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Method of forming metal interconnection using plating and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US6610596B1. Автор: Bo-Un Yoon,Jong-Won Lee,Sang-rok Hah,Kun-tack Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-08-26.

Method for the anisotropic etching of metal films in the fabrication of interconnects

Номер патента: US5350484A. Автор: Xiao-Chun Mu,Donald S. Gardner,David B. Fraser. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1994-09-27.

Apparatus and methods for sensing long wavelength light

Номер патента: US20230402478A1. Автор: Ying-Hao Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Apparatus and methods for sensing long wavelength light

Номер патента: US11798969B2. Автор: Ying-Hao Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, and semiconductor package

Номер патента: US11948920B2. Автор: Wen-Chih Chiou,Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Chia-Yin Chen,Yang-Chih Hsueh,Yan-Zuo Tsai,I-Chun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and method for generating integrated circuit layout

Номер патента: US20240014202A1. Автор: Chun-Cheng Ku,Kuan-Jung Jhu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Mold for measuring the flow property, method for measuring the flow property, resin composition for encapsulating semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW201128177A. Автор: Atsunori Nishikawa. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2011-08-16.

Method for producing laminate, producing apparatus for laminate, laminate, and semiconductor device

Номер патента: US20240177993A1. Автор: Hiroshi Hashigami. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Mehtod for forming inter layer insulting film in the semiconductor device

Номер патента: KR100301530B1. Автор: 김창규,조웅래. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2001-10-19.

Resist pattern thickening material, process for forming resist pattern, and process for manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR101013474B1. Автор: 고자와미와,노자키고지,나미키다카히사,곤주니치. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2011-02-14.

PROCESS FOR FORMING A FIELD OXIDE LAYER OF A SEMICONDUCTOR DEVICE.

Номер патента: FR2669467B1. Автор: Paek Weon-Sik,Jang Taek-Yong,Choi Weon-Taek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-07-04.

Process for forming deposited film and process for producing semiconductor device

Номер патента: EP0420590B1. Автор: Shigeyuki C/O Canon Kabushiki Kaisha Matsumoto,Osamu C/O Canon Kabushiki Kaisha Ikeda,Kazuaki C/O Canon Kabushiki Kaisha Ohmi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1996-03-27.

Process for forming deposited film and process for preparing semiconductor device

Номер патента: EP0420589A2. Автор: Shigeyuki C/O Canon Kabushiki Kaisha Matsumoto,Osamu C/O Canon Kabushiki Kaisha Ikeda,Kazuaki C/O Canon Kabushiki Kaisha Ohmi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1991-04-03.

Method for monitoring the shape of the processed surfaces of semiconductor devices and equipment for manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20040048399A1. Автор: Hiroyuki Yano,Katsuya Okumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-03-11.

Process for forming deposited film and process for producing semiconductor device

Номер патента: EP0420590A2. Автор: Shigeyuki C/O Canon Kabushiki Kaisha Matsumoto,Osamu C/O Canon Kabushiki Kaisha Ikeda,Kazuaki C/O Canon Kabushiki Kaisha Ohmi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1991-04-03.

Material for forming adhesion reinforcing layer, adhesion reinforcing layer, semiconductor device, and manufacturing method thereof

Номер патента: US7830013B2. Автор: Tadahiro Imada,Yoshihiro Nakata,Ei Yano,Junichi Kon. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-11-09.

Composition for forming alpha-ray-shielding film, laminate, and semiconductor device

Номер патента: CN115210328A. Автор: 荒山恭平,宫田哲志,横山宪文. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-10-18.

Etching composition and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: WO2021067150A1. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Laisheng SUN,Aiping Wu,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Curing composition and method for preparing same, light-shielding paste, light-shielding resin and method for producing same, package for light-emitting diode, and semiconductor device

Номер патента: EP1609835A1. Автор: Masahito Ide,Katsuya Ouchi,Manabu Tsumura,C/o Nichia Corporation KURAMOTO Masafumi,C/o Nichia Corporation MIKI Tomohide. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2005-12-28.

Systems for forming insulative coatings for via holes in semiconductor devices

Номер патента: US20050282383A1. Автор: Warren Farnworth. Владелец: Farnworth Warren M. Дата публикации: 2005-12-22.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US11955341B2. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: EP3938465A1. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2022-01-19.

Semiconductor assemblies with system and method for smoothing surfaces of 3d structures

Номер патента: US20230317511A1. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for producing silicon nitride films and process for fabricating semiconductor devices using said method

Номер патента: TW200525642A. Автор: Kazutaka Yanagita,Christian Dussarrat,Takeshi Hoshi,Tsuyoshi Saito,Takako Kimura. Владелец: Semiconductor Leading Edge Tec. Дата публикации: 2005-08-01.

METHOD FOR THINNING, METALIZING, AND DICING A SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MADE USING THE METHOD

Номер патента: US20150108612A1. Автор: NUMAGUCHI Hiroyuki. Владелец: LAPIS SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2015-04-23.

Method for chemically mechanically polishing organic film, method of manufacturing semiconductor device, and program therefor

Номер патента: US20070000872A1. Автор: Gaku Minamihaba,Hiroyuki Yano,Yukiteru Matsui,Atsushi Shigeta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-01-04.

Method for chemically mechanically polishing organic film, method of manufacturing semiconductor device, and program therefor

Номер патента: US7402521B2. Автор: Gaku Minamihaba,Hiroyuki Yano,Yukiteru Matsui,Atsushi Shigeta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-07-22.

Heterodyne interference lithography apparatus, method for drawing pattern using the same device, wafer, and semiconductor device

Номер патента: KR101229786B1. Автор: 김건우,이주형,양민양,강봉철,노지환. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2013-02-05.

Method for manufacturing molecular beam epitaxial growth device and optical semiconductor device

Номер патента: KR960012304A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1996-04-20.

Film for use in semiconductors, method for making a film for use in semiconductor, and semiconductor device

Номер патента: TW200821368A. Автор: Akitsugu Sasaki,Takashi Hirano,Naoya Oda. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2008-05-16.

Method for stabilizing cleaning baths for SI wafers, especially for semiconductor devices

Номер патента: EP0390254A2. Автор: Johannes Engelbertus A. M. Van Den Meerakker. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1990-10-03.

It is used to form the method for pattern and the method using this method manufacturing semiconductor devices

Номер патента: CN110323139A. Автор: 千宰协. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-10-11.

Heat-curable silicon resin sheet having phosphor-containing layer and white pigment-containing layer, and method for producing light emitting device and encapsulated light emitting semiconductor device using the same

Номер патента: KR20140081736A. Автор: 도시오 시오바라,츠토무 가시와기. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2014-07-01.

PLATE WITH EPITAXIAL LAYER OF GaN AND SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD FOR PRODUCING PLATES WITH EPITAXIAL LAYER OF GaN AND SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: RU2009122487A. Автор: Сейдзи НАКАХАТА,Кенсаку МОТОКИ,Сейдзи НАКАХАТА (JP),Кенсаку МОТОКИ (JP). Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд. (Jp). Дата публикации: 2010-12-20.

Methods for removing selected fins that are formed for finfet semiconductor devices

Номер патента: US20150318215A1. Автор: Ruilong Xie,William J. Taylor, Jr.. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-11-05.

Method for CVD and apparatus for performing the same in semiconductor device processing

Номер патента: KR100375102B1. Автор: 김종우,김광식,이희태,박윤세. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-03-08.

Composition for curing resin, cured product of the composition, method for producing the composition and the cured product, and semiconductor device

Номер патента: CN111278882B. Автор: 西谷佳典,南昌树,佐藤树生. Владелец: Jxtg Energy Corp. Дата публикации: 2022-12-30.

Composition for curing resin, cured product of the composition, method for producing the composition and the cured product, and semiconductor device

Номер патента: CN111278883B. Автор: 西谷佳典,南昌树,佐藤树生. Владелец: Jxtg Energy Corp. Дата публикации: 2022-12-30.

Method for fabricating a lower plate for a capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100338959B1. Автор: 박상희. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-06-01.

Production method for copolymer film, copolymer film for med therefrom, and semiconductor device using said copolymer film

Номер патента: CN1269866C. Автор: 林喜宏,川原润. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-08-16.

Inspection apparatus and method for film carrier tapes for mounting electronic components and semiconductor devices

Номер патента: KR100852225B1. Автор: 마사히코 야마모토,요시히로 고잔,사치오 노토,기요히토 고바야시. Владелец: 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-08-14.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: KR100420780B1. Автор: 아이-밍 첸. Владелец: 에버그랜드 홀딩스 리미티드. Дата публикации: 2004-03-02.

Method for adjusting characteristic size of reticle pattern for manufacturing semiconductor device

Номер патента: CN107845573B. Автор: 李东根,郑镛席,权星元,金熙范. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-28.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate, and semiconductor device adapted for mounting on substrate

Номер патента: AU742589B2. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Evergrand Holdings Ltd. Дата публикации: 2002-01-10.

Method for reducing line edge roughness for trench etch, and semiconductor device thereof

Номер патента: CN100477135C. Автор: P·勒温哈德特,D·乐,H·H·朱,E·沃加纳. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2009-04-08.

Light-shielding resin and method for producing same, package for light-emitting diode, and semiconductor device

Номер патента: CN101197408B. Автор: 井手正仁,三木伦英,大内克哉,藏本雅史,津村学. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-08.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: KR100415239B1. Автор: 아이-밍 첸. Владелец: 에버그랜드 홀딩스 리미티드. Дата публикации: 2004-01-14.

Light-shielding resin and method for producing same, package for light-emitting diode, and semiconductor device

Номер патента: CN101197408A. Автор: 井手正仁,三木伦英,大内克哉,藏本雅史,津村学. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2008-06-11.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: US20020109225A1. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Computech International Ventures Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Composition for curing resin, cured product of the composition, method for producing the composition and the cured product, and semiconductor device

Номер патента: CN112424256B. Автор: 西谷佳典,南昌树,佐藤树生. Владелец: Eneos Corp. Дата публикации: 2023-02-17.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: KR100353223B1. Автор: 아이-밍 첸. Владелец: 아이-밍 첸. Дата публикации: 2002-09-18.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate, and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: KR100367809B1. Автор: 아이-밍 첸. Владелец: 아이-밍 첸. Дата публикации: 2003-01-10.

Thermal Conducting Sheet, Method for Manufacturing Thermal Conducting Sheet, Heat Dissipation Member, and Semiconductor Device

Номер патента: US20190019739A1. Автор: Aramaki Keisuke,Kanaya Hiroki,Uchida Shinichi. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

ADVANCED PROCESS CONTROL METHOD FOR CONTROLLING WIDTH OF SPACER AND DUMMY SIDEWALL IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160027649A1. Автор: Tsuei Cherng-Chang,TSAI Hsien-Chieh,LIN Tz-Wei,YANG Sheng-Jen,LIN Hung-Yin,LU Chen-Hsiang. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

METHOD FOR ELECTRICALLY CONNECTING WAFERS USING BUTTING CONTACT STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATED THROUGH THE SAME

Номер патента: US20140138847A1. Автор: Jeon In Gyun. Владелец: SILICONFILE TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-05-22.

Organic Compound, Organic Semiconductor Material, Organic Thin Film And Method For Producing The Same, Organic Semiconductor Composition, And Organic Semiconductor Device

Номер патента: US20180062087A1. Автор: Sadamitsu Yuichi,Shinamura Shoji,Hamada Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

Thermal Conducting Sheet, Method for Manufacturing Thermal Conducting Sheet, Heat Dissipation Member, and Semiconductor Device

Номер патента: US20220084902A1. Автор: Aramaki Keisuke,Kanaya Hiroki,Uchida Shinichi. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

ELECTROMAGNETIC WAVE ABSORBING HEAT CONDUCTIVE SHEET, METHOD FOR PRODUCING ELECTROMAGNETIC WAVE ABSORBING HEAT CONDUCTIVE SHEET, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190080978A1. Автор: Aramaki Keisuke,KUBO Yusuke,RYOSON Hiroyuki,KUMURA Tatsuo. Владелец: DEXERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2019-03-14.

ADVANCED PROCESS CONTROL METHOD FOR CONTROLLING WIDTH OF SPACER AND DUMMY SIDEWALL IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150140692A1. Автор: Tsuei Cherng-Chang,TSAI Hsien-Chieh,LIN Tz-Wei,YANG Sheng-Jen,LIN Hung-Yin,LU Chen-Hsiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-05-21.

Etching Composition And Method For Selectively Removing Silicon Nitride During Manufacture Of A Semiconductor Device

Номер патента: US20220298182A1. Автор: LEE Yi-Chia,LIU Wen Dar,WU Aiping,Ge Jhih Kuei,Sun Laisheng. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2022-09-22.

APPARATUSES AND METHODS FOR ARRANGING THROUGH-SILICON VIAS AND PADS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200212008A1. Автор: KITANO Tomohiro. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-07-02.

APPARATUSES AND METHODS FOR COUPLING CONTACT PADS TO A CIRCUIT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190304855A1. Автор: Igeta Masahiko,Terui Yoshimi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-03.

Method for measuring and correcting misregistration between layers in a semiconductor device, and misregistration targets useful therein

Номер патента: US20200312687A1. Автор: YOEL Feler,Roie VOLKOVICH,Liran Yerushalmi,Renan MILO,Moran Zaberchik,David Izraeli. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

METHOD FOR PROVIDING A SELF-ALIGNED PAD PROTECTION IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150357234A1. Автор: Lehnert Wolfgang,Rogalli Michael. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US20190333830A1. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

METHOD FOR ELIMINATING DISLOCATIONS IN ACTIVE AREA AS WELL AS SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190341262A1. Автор: Zhou Jun,Li Yun,XU Jingjing,LUO Qingwei. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

Method for manufacturing a spin on glass film in a semiconductor device

Номер патента: KR100246779B1. Автор: 권혁진,홍상기,전상호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-15.

Method for integrating selective ruthenium deposition into manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: KR101506755B1. Автор: 켄지 스즈키. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-03-27.

Methods for Manufacturing Adhesive Compositions, Film Adhesives, Adhesive Sheets, and Semiconductor Devices

Номер патента: JPWO2020026757A1. Автор: 祐也 平本,昌典 夏川,紘平 谷口. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Method for fabricating isolation layer using fluid dielectric layer in semiconductor device

Номер патента: KR100881135B1. Автор: 은병수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-02.

Method for manufacturing wine glass type contact hole of the semiconductor device

Номер патента: KR100781455B1. Автор: 강병주. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-12-03.

Thermally conductive sheet, method for manufacturing thermally conductive sheet, heat dissipating member, and semiconductor device

Номер патента: CN108463882B. Автор: 荒卷庆辅,内田俊介,金谷纮希,野村优,内田信一. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2022-05-13.

METHOD FOR MAKING AT LEAST ONE DEEP LAYER IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2548831A1. Автор: Pieter Johannes Wilhel Jochems. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1985-01-11.

METHOD FOR PACKAGING A CHIP WITH PARTICULARLY OPTICAL SENSORS AND SEMICONDUCTOR DEVICE OR PACKAGE CONTAINING SUCH A CHIP

Номер патента: FR2798000A1. Автор: Remi Brechignac,Juan Exposito. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2001-03-02.

METHOD FOR ESTABLISHING AN ELECTRICAL INTERCONNECTION STRUCTURE ON A SILICON SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2624304B1. Автор: Russell Craig Ellwanger,Johannes Elisabeth Jos Schmitz. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1990-05-04.

Method for fabricating interconnect lines with reduced line capacitance in semiconductor devices

Номер патента: JP4014234B2. Автор: − プー ジェング シン. Владелец: テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド. Дата публикации: 2007-11-28.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6798293B2. Автор: 太郎 西口,健二 平塚. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-12-09.

Method for fabricating a pad-layer/fuse-layer of a semiconductor device

Номер патента: KR100413582B1. Автор: 이기민. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2003-12-31.

Apparatus and method for flattening an insulating layer by etching in a semiconductor device

Номер патента: EP0620585A1. Автор: Yasukazu Intell. Property Division Mase,Masahiro Intell. Property Division Abe,Ken-Ichi Intell. Property Division Tomita,Kazuyuki Intell. Property Division Yahiro,Akira Intell. Property Division Ishiguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-10-19.

Method for arranging wiring line including power reinforcing line and semiconductor device having power reinforcing line

Номер патента: US20030211722A1. Автор: Won-suk Yang,Jae-Young Lee,Ki-nam Kim,Chang-Hyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-11-13.

Lead frame, method for partially plating lead frame with noble meta and semiconductor device formed by using the lead frame

Номер патента: KR100266726B1. Автор: 히데오 호리타,치아키 하츠타. Владелец: 기타지마 요시토시. Дата публикации: 2000-09-15.

Method for providing increased dopant concentration in selected regions of semiconductor devices

Номер патента: EP0313777A2. Автор: David Stanasolovich,Jeffrey R. Barber,Harish N. Kotecha,David D. Meyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1989-05-03.

Method for low stress flip-chip assembly of fine-pitch semiconductor devices

Номер патента: US8530360B2. Автор: Abram M. Castro. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-09-10.

Method for producing plate shape body, lead wire frame and semiconductor device

Номер патента: CN1237611C. Автор: 坂本则明,小林义幸,阪本纯次,前原荣寿,高桥幸嗣,真下茂明,大川克实. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-18.

Method for producing a diffusion barrier metal layer in a semiconductor device

Номер патента: DE19620022A1. Автор: Kyeong Keun Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-11-21.

Method for removing circle defect on the metal layer of semiconductor device

Номер патента: KR100702796B1. Автор: 조보연. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-04-03.

Method for producing semiconductor wafer assembly, semiconductor wafer assembly, and semiconductor device

Номер патента: EP2400542A1. Автор: Fumihiro Shiraishi,Toyosei Takahashi,Toshihiro Sato,Masahiro Yoneyama,Masakazu Kawata,Hirohisa Dejima. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-28.

Method for examining the defect of gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: KR100591149B1. Автор: 나유석. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-19.

Method for fabricating a trench of dual damascene interconnection in semiconductor device

Номер патента: KR100642486B1. Автор: 이기민. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-11-02.

Method for cleaning the inside of a pipe of a semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: JP2910761B1. Автор: 康 佐々木. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-06-23.

METHOD FOR PRODUCING AT LEAST ONE DEEP LAYER IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2548831B1. Автор: Pieter Johannes Wilhel Jochems. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1988-10-14.

Electromagnetic wave absorbing heat transfer sheet, method for producing electromagnetic wave absorbing heat transfer sheet, and semiconductor device

Номер патента: WO2018061712A1. Автор: 久村　達雄. Владелец: デクセリアルズ株式会社. Дата публикации: 2018-04-05.

Thermal conducting sheet, method for manufacturing thermal conducting sheet, heat dissipation member, and semiconductor device

Номер патента: KR101947333B1. Автор: 게이스케 아라마키,신이치 우치다,히로키 가나야. Владелец: 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-02-12.

Method for producing a diffusion barrier metal layer in a semiconductor device

Номер патента: DE19620022C2. Автор: Kyeong Keun Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Method for adjusting transport position of wafer, adjustment apparatus, and semiconductor device

Номер патента: WO2023035434A1. Автор: 刘洋. Владелец: 长鑫存储技术有限公司. Дата публикации: 2023-03-16.

Method for manufacturing external connection electrode, external connection electrode, and semiconductor device

Номер патента: JP3589794B2. Автор: 純一 河西,正孝 水越,豊 牧野,城次 藤森,健一 永重,英二 渡辺,博行 依田,実 仲田. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-11-17.

Thermally conductive sheet, method for manufacturing thermally conductive sheet, heat-radiating member, and semiconductor device

Номер патента: CN111739856A. Автор: 荒卷庆辅,金谷纮希,大门正英. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2020-10-02.

Jin Beifu bonding wire, method for manufacturing the same, semiconductor wire bonding structure, and semiconductor device

Номер патента: CN115398607A. Автор: 安德优希,川野将太,崎田雄祐,平井祐佳. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2022-11-25.

Method for protecting semiconductor integrated circuit against reverse engineering and semiconductor device

Номер патента: CN111610425A. Автор: 村上洋树. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-01.

Non-contact method for monitoring and controlling plasma charging damage in a semiconductor device

Номер патента: US6251697B1. Автор: Pradip K. Roy,Carlos M. Chacon. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2001-06-26.

Thermal conducting sheet, method for manufacturing thermal conducting sheet, heat dissipation member, and semiconductor device

Номер патента: EP3404708A4. Автор: Shinichi Uchida,Hiroki Kanaya,Keisuke Aramaki. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2019-09-11.

Structure and Method for Monitoring Variation Within an Active Region of a Semiconductor Device Using Scaling

Номер патента: US20080288188A1. Автор: William Y. Chang,Sharon L. Von Bruns. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-20.

Advanced process control method for controlling width of spacer and dummy sidewall in semiconductor device

Номер патента: US9613816B2. Автор: Cherng-Chang TSUEI,Chen-Hsiang LU,Hsien-Chieh TSAI,Tz-Wei LIN,Sheng-Jen YANG,Hung-Yin Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: EP3938465A4. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2022-10-26.

METHOD FOR IMPLANTING IONS NOT SUBJECT TO MASS ANALYSIS AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCED USING THE SAME

Номер патента: FR2524200A1. Автор: Takashi Tokuyama,Tadashi Saitoh,Katsumi Tokiguchi,Haruo Itoh,Terunori Warabisako. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-09-30.

Method for fabricating a diffusion barrier metal layer in a semiconductor device

Номер патента: GB9610393D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-07-24.

Method for manufacturing a shallow trench isolation layer of the semiconductor device

Номер патента: KR100503344B1. Автор: 김성래. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-07-26.

Thermally conductive sheet, method for manufacturing thermally conductive sheet, heat-radiating member, and semiconductor device

Номер патента: CN111725162A. Автор: 荒卷庆辅,金谷纮希,大门正英. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2020-09-29.

Fabrication method for chip size package and non-chip size package semiconductor devices

Номер патента: US7632711B2. Автор: Makoto Terui. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-15.

System and method for automatically identifying defect-based test coverage gaps in semiconductor devices

Номер патента: IL303364A. Автор: . Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Method for forming metal oxide film, metal oxide film, and apparatus for forming metal oxide film

Номер патента: US20120040083A1. Автор: Akio Yoshida,Shizuo Fujita,Naoki Kameyama,Takahiro Shirahata,Hiroyuki Orita. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2012-02-16.

Composition for forming metal oxide film, patterning process, and method for forming metal oxide film

Номер патента: US20230280648A1. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiharu Yano,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for forming multi-layer film and patterning process

Номер патента: US09804492B2. Автор: Tsutomu Ogihara,Jun Hatakeyama. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for forming active structures for microelectronic devices and microelectronic device containing active structures

Номер патента: RU2749070C1. Автор: Евгений Викторович Данилкин,Валентина Александровна Гайдедей,Владимир Марк Крупник. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Крокус Наноэлектроника" (Ооо "Крокус Наноэлектроника"). Дата публикации: 2021-06-03.

Method for forming metal wires in semiconductor device

Номер патента: US20050233579A1. Автор: Ihl Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Method for fabricating complementary metal oxide semiconductor image sensor

Номер патента: US20040185595A1. Автор: Won-Ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-23.

Method for forming metallization structure

Номер патента: US20170271173A1. Автор: Yu-Hsuan Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Method for forming high-drain-voltage tolerance MOSFET transistor in a CMOS process flow with double well dose approach

Номер патента: US20080248623A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Michael Yu,Chih-Ping Chao,Yung Chih Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

Material for metal line in semiconductor device, metal line in semiconductor device, and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240194604A1. Автор: Eunyoung LEE,Dong-Chan Lim,Seulgi Bae,Wonwoong Chung,Buseo CHOI,Kkotchorong PARK,Uisuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Material for metal line, metal line in semiconductor device and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240266291A1. Автор: Wei Guo,Eunyoung LEE,Sanghyun Park,Wulin HE,Wonwoong Chung,Buseo CHOI. Владелец: Huizhou Top Metal Material Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Layout scheme and method for forming device cells in semiconductor devices

Номер патента: US09853035B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Jung-Hsuan Chen,Shao-Yu Chou,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for the fabrication of bonding solder layers on metal bumps with improved coplanarity

Номер патента: US20130052817A1. Автор: Tim Hsiao. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12041784B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334710A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for improving inversion layer mobility in a silicon carbide metal-oxide semiconductor field-effect transistor

Номер патента: EP1430518A2. Автор: Richard Intern. Octrooibureau BV EGLOFF,Satyendranath Intern. Octrooibureau BV MUKHERJEE,Dev Intern. Octrooibureau BV ALOK,Emil Intern. Octrooibureau BV ARNOLD. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-06-23.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US20070166987A1. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US7632754B2. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-15.

Vertical transfer gate structure for a back-side illumination (BSI) complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor using global shutter capture

Номер патента: US09818788B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yimin Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for forming semiconductor memory structure

Номер патента: US20210390992A1. Автор: Tsann Lin,Jui-Fen CHIEN,Hanwen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device structure comprising a plurality of metal oxide fibers and method for forming the same

Номер патента: US09508664B1. Автор: Chen-Hua Yu,Jing-Cheng Lin,Szu-Wei Lu,Yen-Yao Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method For Forming Semiconductor Structure And A Semiconductor

Номер патента: US20240268104A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Mechanisms for forming metal-insulator-metal (mim) capacitor structure

Номер патента: US20160233158A1. Автор: Chia-Lun Hsu,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Mechanisms for forming metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure

Номер патента: US09960111B2. Автор: Chia-Lun Hsu,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for forming silicon-containing film, and silicon-containing film formed thereby

Номер патента: US20240318305A1. Автор: Jin Sik Kim,Byung Kwan KIM,Da Som YU. Владелец: UP Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Vertical transfer gate structure for a back-side illumination (BSI) complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor using global shutter capture

Номер патента: US09515116B1. Автор: JHY-JYI SZE,Yimin Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes

Номер патента: US12040177B2. Автор: Yoshio SUSA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device including metal-oxide-semiconductor disposed in a column decoder region

Номер патента: US09997223B2. Автор: Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for integrating complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices with microelectromechanical systems (MEMS) devices using a flat surface above a sacrificial layer

Номер патента: US09796582B1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Package structure and method for forming the same

Номер патента: US09633924B1. Автор: Chen-Hua Yu,Jing-Cheng Lin,Tsei-Chung Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Composition for ferroelectric thin film formation, method for forming ferroelectric thin film, and ferroelectric thin film formed by the method thereof

Номер патента: US09502636B2. Автор: Takashi Noguchi,Nobuyuki Soyama,Jun Fujii,Hideaki Sakurai. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for forming CMOS sensor without blooming effect

Номер патента: US6245592B1. Автор: Sheng-Hsiung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-06-12.

Composition for forming metal oxide film, patterning process, and method for forming metal oxide film

Номер патента: EP4303657A3. Автор: Naoki Kobayashi,Daisuke Kori,Nobuhiro Nagamachi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Composition for forming metal oxide film, patterning process, and method for forming metal oxide film

Номер патента: EP4303657A2. Автор: Naoki Kobayashi,Daisuke Kori,Nobuhiro Nagamachi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Composition For Forming Metal Oxide Film, Patterning Process, And Method For Forming Metal Oxide Film

Номер патента: US20240019782A1. Автор: Naoki Kobayashi,Daisuke Kori,Nobuhiro Nagamachi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for forming metal wiring

Номер патента: US20190088539A1. Автор: Tsutomu Nakanishi,Yusuke Tanaka,Akihiko Happoya,Atsushi Hieno,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Substrate structure, complementary metal oxide semiconductor device, and method of manufacturing complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09570359B2. Автор: Mohammad Rakib Uddin,Myoung-Jae Lee,Sang-Moon Lee,Sung-Hun Lee,Seong-Ho Cho,Moon-seung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Coating material for forming porous metal oxide semiconductor film for photovoltaic cell

Номер патента: EP2128880A3. Автор: Tsuguo Koyanagi,Takaki Mizuno. Владелец: JGC Catalysts and Chemicals Ltd. Дата публикации: 2012-09-26.

Methods for the controlled synthesis of layered lithium and sodium transition metal oxides using electrochemically assisted ion-exchange

Номер патента: US20230282800A1. Автор: YU Han,Chong Liu. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for producing layered composite metal oxide crystal material

Номер патента: US20240162435A1. Автор: Masaki Matsui,Rannosuke Maeda. Владелец: Hokkaido University NUC. Дата публикации: 2024-05-16.

Nanostructured metal oxides comprising internal voids and methods of use thereof

Номер патента: EP2038899A2. Автор: Lynden A. Archer,Xiong Wen Lou. Владелец: Cornell Research Foundation Inc. Дата публикации: 2009-03-25.

Methods for making graphene-supported metal oxide monolith

Номер патента: US20170054137A1. Автор: Jianchao Ye,Juergen Biener,Monika M. Biener,Yinmin Wang,Marcus A. Worsley,Theodore F. Baumann,Elijah Tylski. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2017-02-23.

Block-type supercapacitors and fabricating method for the same, graphene oxide-metal oxide composite and synthesizing method for the composite

Номер патента: US09892871B2. Автор: Jung-Joon Yoo,Chan-Woo Lee. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2018-02-13.

Complexometric precursor formulation methodology for industrial production of fine and ultrafine powders and nanopowders of lithium metal oxides for battery applications

Номер патента: CA2905984C. Автор: Teresita Frianeza-Kullberg. Владелец: Nano One Materials Corp. Дата публикации: 2019-03-12.

Reactor and method for production of nanostructures

Номер патента: US09630162B1. Автор: Jeong H. Kim,Mahendra Kumar Sunkara,Vivekanand Kumar. Владелец: University of Louisville Research Foundation ULRF. Дата публикации: 2017-04-25.

Lithium cobalt metal oxide powder, method for making the same, and method for determining content of cobalt (II,III) oxide

Номер патента: US11784309B2. Автор: Xu Li,Shuang Chen,Zhihua Li,Hong Dong,Hui Shi,Yongchang LI,Xuyao HU,Xiangkang JIANG. Владелец: BASF Shanshan Battery Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Methods of making metal-oxides and uses thereof for water treatment and energy applications

Номер патента: US10322948B2. Автор: David Kisailus,Nichola Kinsinger. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2019-06-18.

Method for forming tough metal, metallic oxide, and metal alloy on ion conductive polymer film

Номер патента: JPH10212570A. Автор: Robert J Allen,ロバート・ジェイ・アレン,James R Giallombardo,ジェームズ・アール・ジアロムバルド. Владелец: De Nora SpA. Дата публикации: 1998-08-11.

Block-Type Supercapacitors and Fabricating Method for the Same, Graphene Oxide-Metal Oxide Composite and Synthesizing Method for the Composite

Номер патента: US20160133395A1. Автор: LEE Chan-woo,YOO Jung-Joon. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

Block-type supercapacitors and fabricating method for the same, graphene oxide-metal oxide composite and synthesizing method for the composite

Номер патента: KR101570983B1. Автор: 이찬우,유정준. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2015-11-23.

Method for the production of a metal oxide powder or a semiconductor oxide powder, oxide powder, solid body, and the use thereof

Номер патента: KR100676983B1. Автор: 베르나르 세롤르,미쉘르 세롤르. Владелец: 베.체. 헤레우스 게엠베하 운트 코. 카게. Дата публикации: 2007-01-31.

Method for the manufacture of a metal oxide or nitride powder or a semiconductor oxide or nitride powder, an oxide or nitride powder made thereby, and solids and uses thereof

Номер патента: CN1330560C. Автор: 伯纳德·塞罗尔,米歇尔·赛罗尔. Владелец: WC Heraus GmbH and Co KG. Дата публикации: 2007-08-08.

Ferromagnetic powder and method for producing the same

Номер патента: US4919776A. Автор: Mikio Kishimoto,Tomoji Kawai,Shichio Kawai. Владелец: Hitachi Maxell Ltd. Дата публикации: 1990-04-24.

Lithium Metal Oxide Material, the Use Thereof in a Positive Electrode of a Secondary Battery and a Method for Preparing such a Lithium Metal Oxide Material

Номер патента: US20180269476A1. Автор: Xia Xin,Han Song-Yi,Paulsen Jens. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

Method for preparing core-shell structure metal oxide and core-shell structure metal oxide

Номер патента: CN113830749A. Автор: 田宏伟,时玮,孟泽硕,巩喜良,胡小颖. Владелец: Changchun University. Дата публикации: 2021-12-24.

Quenching modification method for improving electrocatalytic performance of metal oxide, prepared metal oxide electrocatalyst and application

Номер патента: CN110975877B. Автор: 丘勇才,叶常春,陈覃. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2021-09-21.

Apparatus and method for depositing uniform charge on a thin oxide semiconductor wafer

Номер патента: US6060709A. Автор: Roger L. Verkuil,Gregory S. Horner,Tom G. Miller. Владелец: Keithley Instruments LLC. Дата публикации: 2000-05-09.

Method For Producing Sodium Composite Transition Metal Oxide, Positive Electrode Active Material For Sodium Secondary Battery, Positive Electrode And Sodium Secondary Battery Comprising The Same

Номер патента: US20200119348A1. Автор: Hyo Jung Yoon,Kyu Tae Lee,Mi-Sook Kwon,Shin Gwon Lim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for producing a lithium-containing metal oxide that can be used as an active material for a positive electrode

Номер патента: US20210261434A1. Автор: David Peralta. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-08-26.

Method for producing high nickel lithiated metal oxides for batteries

Номер патента: CN115676912A. Автор: W·吴,Y·廖,J·拉沙佩尔,B·谭,A·拉耶夫斯基. Владелец: Pacific Industrial Development Corp. Дата публикации: 2023-02-03.

Method for preparation of lithium transition metal oxides for lithium secondary battery

Номер патента: KR20230011014A. Автор: 윤석현,정한나,윤태훈. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2023-01-20.

Method for producing high nickel lithiated metal oxide for battery

Номер патента: US20230036486A1. Автор: Wei Wu,Yuhao Liao,Jeffery Lachapelle,Bing Tan,Andrew Rajewski. Владелец: Pacific Industrial Development Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Method for manufacturing a lithium complex metal oxide

Номер патента: US20120301390A1. Автор: Yoshihiro Kawakami,Satoshi Shimano,Ryuji Matsushita. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

METHOD FOR SYNTHESIS OF NANO-CRYSTALLINE METAL OXIDE POWDERS

Номер патента: US20140311913A1. Автор: Hing Peter,Ming Lim Chee,Cheol Jung Sang,Huei Low Siaw. Владелец: UNIVERSITI BRUNEI DARUSSALAM. Дата публикации: 2014-10-23.

Method for fabricating hybrid catalyst with metal oxide nanowire, electrode and fuel cell containing hybrid catalyst fabricated by the same

Номер патента: KR101113311B1. Автор: 김용석,김원배. Владелец: 광주과학기술원. Дата публикации: 2012-03-13.

Method for f passivating lithium transition metal oxide

Номер патента: KR101532997B1. Автор: 정용호,정현영,석동찬. Владелец: 한국기초과학지원연구원. Дата публикации: 2015-07-09.

A kind of method for preparing different morphologies transition metal oxide electrode material

Номер патента: CN107176620A. Автор: 李峰,鲁双,巩飞龙,王超飞,龚玉印,陈慧龙. Владелец: Zhengzhou University of Light Industry. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for synthesizing meso-structured transition metal oxide by electrochemical self-assembly

Номер патента: KR100962009B1. Автор: 박성민,이창욱,윤승범,김광범. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2010-06-08.

Method for manufacturing a lithium complex metal oxide

Номер патента: KR101753440B1. Автор: 요시히로 가와까미,류지 마쯔시따,사또시 시마노. Владелец: 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-07-03.

METHOD FOR COATING A TRANSPARENT BRIGHT METAL OXIDE LAYER

Номер патента: NL160421B. Автор: . Владелец: Triplex Safety Glass Co. Дата публикации: 1979-05-15.

Method for producing lithium-containing transition metal oxide

Номер патента: WO2009098835A1. Автор: Takahiro Sakamoto,Hidekazu Hiratsuka,Shinji Arimoto. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2009-08-13.

Method for manufacturing a lithium complex metal oxide

Номер патента: EP2520547A4. Автор: Yoshihiro Kawakami,Satoshi Shimano,Ryuji Matsushita. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-19.

Organic photoelectric semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US8692235B2. Автор: Ten-Chin Wen,Sung-Nien Hsieh,Tzung-Fang Guo,Wei-Chou Hsu,Chen-Yan Li. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2014-04-08.

Method for producing doped organic nanoparticles, method for producing a functional layer, functional layer, and organic semiconductor device

Номер патента: EP4299647A1. Автор: Christoph Brabec,Junyi Xu,Thomas HEUMÜLLER. Владелец: Friedrich Alexander Univeritaet Erlangen Nuernberg FAU. Дата публикации: 2024-01-03.

Method for protecting gate edges from charge gain/loss in semiconductor device

Номер патента: US6808996B1. Автор: Yu Sun,Mark T. Ramsbey,Sameer S. Haddad,Chi Chang,Tuan D. Pham,Angela T. Hui. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-10-26.

Tubular sofc with cathode current collector and method for forming cathode fuel collector

Номер патента: RU2754352C1. Автор: Александр Владимирович Сивак,Илья Алексеевич Гвоздков,Егор Александрович Левченко,Руслан Сергеевич Тимербулатов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-исследовательский центр "ТОПАЗ" (ООО "НИЦ "ТОПАЗ"). Дата публикации: 2021-09-01.

Method for forming metal supported solid oxide fuel cells

Номер патента: RU2670423C2. Автор: Роберт ЛИ,Майк ЛЭНКИН,Робин ПИРС,Адам Боун. Владелец: Серес Интеллектчуал Проперти Компани Лимитед. Дата публикации: 2018-10-23.

Method for forming metal nanowire or metal nanomesh

Номер патента: US09957363B2. Автор: No Ma Kim,Eun Ji Shin,Sung Soo Yoon,Yang Kyoo Han,Je Gwon Lee,Hyun Jin Lee. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for forming an electrically conductive oxide film, an electrically conductive oxide film, and uses for the same

Номер патента: US09892814B2. Автор: Jarmo Maula. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2018-02-13.

Conductive film formation composition and method for manufacturing conductive film

Номер патента: US12012523B2. Автор: Kei Anai,Shun FUKUZATO. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Method and apparatus for forming glass layer, method and apparatus for forming metal layer, and electronic component manufacturing method

Номер патента: US20010009692A1. Автор: Shizuharu Watanabe. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-26.

Method for manufacturing a photovoltaic element containing a liquid electrolyte

Номер патента: EP1095386B1. Автор: Johannes Adrianus Maria Van Roosmalen,Martin Spath,Andries Cornelis Tip,Paul Matthieu Sommeling. Владелец: Energieonderzoek Centrum Nederland ECN. Дата публикации: 2004-03-03.

Method for preparing liquid dispersion containing submicron metallic particles

Номер патента: RU2237547C2. Автор: Эрик Бейн УОСМАНД,Гриффит Освальд Ричард УИЛЛЬЯМС,Керт Кеннет КУШНИ,Рэндал Марк ШОБЕЛ. Владелец: Инко Лимитед. Дата публикации: 2004-10-10.

Systems, apparatus and methods for forming metal strips into dies

Номер патента: US20200086435A1. Автор: Petr PIRO,Nir RIKOVITCH,Tin To CHAN,Jordan LLOYD,Robert AMIRAULT. Владелец: Ontario Die International Inc.. Дата публикации: 2020-03-19.

Method for forming metal composite films for battery cells

Номер патента: US12126032B2. Автор: Frederik Grau,Kartik Jamadar,Christian Theuerkauf. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for the deposition of materials from mesomorphous films

Номер патента: WO2002099161A2. Автор: Ross H. Hill,Juan P. Bravo Vasquez. Владелец: SIMON FRASER UNIVERSITY. Дата публикации: 2002-12-12.

Method for the deposition of materials from mesomorphous films

Номер патента: EP1432845A2. Автор: Ross H. Hill,Juan P. Bravo Vasquez. Владелец: SIMON FRASER UNIVERSITY. Дата публикации: 2004-06-30.

Method for fabricating thermoelectric coolers and semiconductor devices formed therefrom

Номер патента: US20020119593A1. Автор: Joseph Freund,Mindaugas Dautartas,George Przybylek. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-29.

Dynamically adjusting operation of a circuit within a semiconductor device

Номер патента: US20090072855A1. Автор: Sujeet Ayyapureddi,Raghukiran Sreeramaneni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Method for reducing particles and defects during flash memory fabrication

Номер патента: US20030181008A1. Автор: Kent Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Method for reading images of complementary metal oxide semiconductor detector, involves forming corrected image by determining difference of image and corrected reset image based on difference of reset image and correction reset frame

Номер патента: DE102011107461B3. Автор: Dr. Eckardt Andreas,Holger Venus. Владелец: Deutsches Zentrum fuer Luft und Raumfahrt eV. Дата публикации: 2012-09-13.

Methods for forming resistive-switching metal oxides for nonvolatile memory elements

Номер патента: US7863087B1. Автор: Sandra G. Malhotra,Tony Chiang,Pragati Kumar,Sean Barstow. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Method for directly depositing metal containing patterned films

Номер патента: CA2196770C. Автор: Meihua Gao,Ross Henry Hill,Bentley Jay Palmer,Alfred Arthur Avey Jr.,Sharon Louise Blair,Chu-Hui Winnie Chu,Wai Lung Law. Владелец: SIMON FRASER UNIVERSITY. Дата публикации: 2004-02-10.

Operation method for multi-level switching of metal-oxide based RRAM

Номер патента: TW200947441A. Автор: Yi-Chou Chen,Kuo-Pin Chang,Erh-Kun Lai,Wei-Chih Chien,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-16.

Inverter for forming high-speed power driving circuit of semiconductor device

Номер патента: KR100410813B1. Автор: 여정현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-03-30.

Method for manufacturing a dynamic random access memory cell

Номер патента: US5270239A. Автор: Jae K. Kim,Wi S. Min. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1993-12-14.

A method for analog-to-digital conversion, analog-to-digital converter, semiconductor device for detecting the distribution of physical quantities and electronic device

Номер патента: DE602005013469D1. Автор: Noriyuki Fukushima,Yoshikazu Nitta,Yoshinori Muramatsu,Yukihiro Yasui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Method for producing ceramic and apparatus for producing the same, semiconductor device, and piezoelectric device

Номер патента: KR100476495B1. Автор: 나토리에이지. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-03-17.

Making method for light emitting device by ink jet printing and semiconductor device using the same

Номер патента: KR20230068909A. Автор: 박병주. Владелец: 광운대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-05-18.

Method for manufacturing material for use in manufacturing electroluminescent organic semiconductor devices

Номер патента: EP2381503B1. Автор: Janos Veres. Владелец: Polyphotonix Ltd. Дата публикации: 2013-04-17.

A method for providing a nanopattern of metal oxide nanostructures on a substrate

Номер патента: EP2788819A1. Автор: Michael Morris,Dipu Borah,Parvaneh Mokarian,Tandra GHOSHAL. Владелец: University College Cork. Дата публикации: 2014-10-15.

Method for estimating the end of lifetime for a power semiconductor device

Номер патента: EP2724170A1. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: KK-ELECTRONIC AS. Дата публикации: 2014-04-30.

Porous composite metal oxide, catalyst using the same, and methods for producing the porous composite metal oxide and the catalyst

Номер патента: US09556023B2. Автор: Akira Morikawa,Kimitoshi Sato,Kae Yamamura,Akihiko Suda. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for estimating the end of lifetime for a power semiconductor device

Номер патента: US09529037B2. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: Kk Wind Solutions As. Дата публикации: 2016-12-27.

Signal processing system and method for radiation detector based on metal oxide semiconductor (mos) transistor

Номер патента: EP4332637A1. Автор: Qiang Liu,Sheng Wu,Zhenhua LIN,Yongjie Wang,Ming Cui,Jinhan WANG,Kunliang YAO,Yudong Luo,Jianzheng GAO. Владелец: Harbin Engineering University Yantai Research Institute. Дата публикации: 2024-03-06.

Signal processing system and method for radiation detector based on metal oxide semiconductor (mos) transistor

Номер патента: US20240077626A1. Автор: Qiang Liu,Sheng Wu,Zhenhua LIN,Yongjie Wang,Ming Cui,Jinhan WANG,Kunliang YAO,Yudong Luo,Jianzheng GAO. Владелец: Harbin Engineering University Yantai Research Institute. Дата публикации: 2024-03-07.

Systems and methods for stable and elevated idle-mode temperature for assembled semiconductor devices

Номер патента: EP4409378A1. Автор: Marc Beuchat,Phani Kumar Kandula,Nikos Kaburlasos,David N. Lombard,Eric J.M. Moret,John Kelbert,Brad Bittel,Mark J. LUCKEROTH,Rodrigo VIVI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for manufacturing microspherical granules of metal oxides

Номер патента: RU2760563C1. Автор: Евгений Яковлевич Вахрушев,Константин Александрович Поздняков,Максим Валерьевич Юдин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом". Дата публикации: 2021-11-29.

Method for manufacturing a glass infiltrated metal oxide infrastructure

Номер патента: US20050181217A1. Автор: Gijsbertus De With,Qingshan Zhu,Leonardus Dortmans. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2005-08-18.

Method for manufacturing a glass infiltrated metal oxide infrastructure

Номер патента: EP1485058A1. Автор: Gijsbertus De With,Qingshan Zhu,Leonardus Johannes Maria Genovva Dortmans. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2004-12-15.

Method for manufacturing a glass infiltrated metal oxide infrastructure

Номер патента: WO2003082219A1. Автор: Gijsbertus De With,Qingshan Zhu,Leonardus Johannes Maria Genovva Dortmans. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2003-10-09.

Apparatus and method for extracting metals and/or metal oxides from industrial wastes, particularly refinery wastes

Номер патента: RU2707689C2. Автор: Лино КАРЛЕССИ,Лоренцо БРУНО,Розарио ГАЛАТИ. Владелец: САИПЕМ С.п.А.. Дата публикации: 2019-11-28.

Method for the selective chlorination of metal oxide mixtures of natural or synthetic origine

Номер патента: WO1983001249A1. Автор: Pechiney Aluminium. Владелец: Bertaud, Yves. Дата публикации: 1983-04-14.

Apparatuses and methods for outputting addresses of defective memory cells of a semiconductor device including a roll call circuit

Номер патента: US09704597B2. Автор: Masashi Oya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for making highly porous, stable metal oxide with a controlled pore structure

Номер патента: CA2794009C. Автор: Brian F. Woodfield,Calvin H. Bartholomew,Baiyu Huang,Lynn Astle,Rebecca Elizabeth Olsen. Владелец: BRIGHAM YOUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-01-07.

Method for producing liquid dispersion of metal oxide containing zirconium element, and liquid dispersion of metal oxide containing zirconium element

Номер патента: EP4310054A1. Автор: Takanori Morita,Hironobu OGATA,Takuma Ieda,Kappei FUKUROI. Владелец: Sakai Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Method for manufacturing a glass infiltrated metal oxide infrastructure

Номер патента: US20070104940A1. Автор: Gijsbertus De With,Qingshan Zhu,Leonardus Dortmans. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2007-05-10.

Method for the Manufacture of Lithium Metal Oxides and Phosphates

Номер патента: US20230331570A1. Автор: Yi-Ting Chen,Ahmad Dehestani,Daniel Teav SUN,Yanying Lu,Valeria Miramontes,Edward Stafford,Melvin Louis Luetkens, JR.. Владелец: Sylvatex Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for producing liquid dispersion of metal oxide containing zirconium element, and liquid dispersion of metal oxide containing zirconium element

Номер патента: US20240166530A1. Автор: Takanori Morita,Hironobu OGATA,Takuma Ieda,Kappei FUKUROI. Владелец: Sakai Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for preparing surface-modified, nanoparticulate metal oxides, metal hydroxides and/or metal oxyhydroxides

Номер патента: NZ566962A. Автор: Hartmut Hibst,Valerie Andre,Kee Graham Edmund Mc,Jutta Kissel,Jens Rieger. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2010-03-26.

System and method for extracting oxygen from powdered metal oxides

Номер патента: US11987893B2. Автор: Uday B. Pal,Peter Quadbeck,Achim O. Seidel,Astrid Adrian. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-05-21.

System and method for extracting oxygen from powdered metal oxides

Номер патента: EP4170067A3. Автор: Uday B. Pal,Peter Quadbeck,Achim O. Seidel,Astrid Adrian. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2023-05-10.

Method for heat treatment of a metal oxide catalyst for removal of organic material to make a porous catalyst and equipment therefore

Номер патента: AU2003291776A1. Автор: David Waller. Владелец: Yara International ASA. Дата публикации: 2005-06-24.

Porous composite metal oxide, catalyst using the same, and methods for producing the porous composite metal oxide and the catalyst

Номер патента: US20120142523A1. Автор: Akira Morikawa,Kimitoshi Sato,Kae Yamamura,Akihiko Suda. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2012-06-07.

Method for reduction of material containing metal oxide using a fluidized bed reactor and flame chamber

Номер патента: US4976776A. Автор: Rolf E. Malmstrom,Hans I. Elvander. Владелец: Ahlstrom Corp. Дата публикации: 1990-12-11.

Method for reduction of finely divided metal oxide material

Номер патента: US4070181A. Автор: Bjorn Widell. Владелец: Stora Kopparbergs Bergslags Ab. Дата публикации: 1978-01-24.

Method for growing gallium oxide single crystal by casting and semiconductor device containing gallium oxide single crystal

Номер патента: US11898266B2. Автор: Ning Xia,HUI Zhang,Yingying LIU,Deren Yang,Keke Ma. Владелец: Hangzhou Garen Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for growing gallium oxide single crystal by casting and semiconductor device containing gallium oxide single crystal

Номер патента: US20230340689A1. Автор: Ning Xia,HUI Zhang,Yingying LIU,Deren Yang,Keke Ma. Владелец: Hangzhou Garen Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Systems and methods for stable and elevated idle-mode temperature for assembled semiconductor devices

Номер патента: WO2023055461A1. Автор: Marc Beuchat,Phani Kumar Kandula,Nikos Kaburlasos,David N. Lombard,Eric J.M. Moret,Rodrigo De Oliveira Vivi,John Kelbert,Brad Bittel,Mark J. LUCKEROTH. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-04-06.

Apparatus and method for the parallel and independent testing of voltage-supplied semiconductor devices

Номер патента: US6903565B2. Автор: Udo Hartmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-07.

Device and methods for reducing peak noise and peak power consumption in semiconductor devices under test

Номер патента: US20200049765A1. Автор: Jong-Tae Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Apparatus and method for identifying proper orientation and electrical conductivity between a semiconductor device and a socket or contactor

Номер патента: US20080218174A1. Автор: James Barnett,Carlos Cisneros,Charles Engle,Maria Evans. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240373621A1. Автор: Ilyoung Yoon,Sangjun Park,Kijong Park,Yongjin Lee,Seungmin SHIN,Younggeun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for forming memristive structures based on composite oxides with nanoparticle agglomerate

Номер патента: RU2767721C1. Автор: Владимир Петрович Жалнин,Вадим Анатольевич Шахнов,Андрей Игоревич Власов,Константин Александрович Муравьев,Александр Александрович Расюк,Олег Вячеславич Косьянов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Московский Государственный Технический Университет Имени Н.Э. Баумана (Национальный Исследовательский Университет)". Дата публикации: 2022-03-18.

Method for forming a resist pattern

Номер патента: US20240219834A1. Автор: Tokio Nishita,Takahiro Kishioka,Shun KUBODERA. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for forming a synaptic memristor based on a nanocomposite of metal-nonstechometric oxide

Номер патента: RU2666165C1. Автор: Юрий Егорович Калинин,Александр Викторович Ситников,Павел Константинович Кашкаров,Андрей Вячеславович Емельянов,Владимир Васильевич Рыльков,Вячеслав Александрович Демин,Михаил Николаевич Копытин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2018-09-06.

Semiconducting metal oxide memory device using hydrogen-mediated threshold voltage modulation and methods for forming the same

Номер патента: US11942147B2. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Blandine Duriez,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method for producing metal oxide-containing particles, and method for producing aggregates of metal oxide colloidal particles

Номер патента: US09656874B2. Автор: Kazuhiro Doshita,Toshitaka Furuichi. Владелец: Nippon Sheet Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for manufacture of transition metal oxide fine particles

Номер патента: US20210229179A1. Автор: Jiyoung JUNG,Seojin Lee,Jihyun Kim,Sanghyun Hong,Yooseok Kwon,Sangeun SHIM,Sosan HWANG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-07-29.

Core-shell structured metal oxide particles and method for producing the same

Номер патента: EP2205528A2. Автор: Yoshio Tadakuma. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2010-07-14.

Coated composites of Al2O3—CeO2/ZrO2 and a method for their production

Номер патента: US12102979B2. Автор: Dirk Niemeyer,Marcos Schoneborn,Thomas Harmening,Noelia GUILLEN-HURTADO,Diane Howe. Владелец: Sasol Germany GMBH. Дата публикации: 2024-10-01.

A method for producing iron fuel

Номер патента: CA3241834A1. Автор: Marcus Wilhelmus Petrus VERHAGEN,Lex SCHEEPERS. Владелец: Renewable Iron Fuel Technology BV. Дата публикации: 2023-06-29.

Method of manufacturing complex metal oxide powder and amorphous complex metal oxide

Номер патента: US20080003161A1. Автор: Takeshi Kijima,Setsuya Iwashita,Toshihiko Kaneda,Satoshi Kimura,Hidemichi Furihata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Method for obtaining colloids of metal oxides

Номер патента: RU2557238C2. Автор: Джеймс Нил ПРАЙОР. Владелец: У.Р. Грейс Энд Ко.-Конн.. Дата публикации: 2015-07-20.

Composition for metal oxide film formation, method for producing composition for metal oxide film formation, and method for producing metal oxide film using the composition for metal oxide film formation

Номер патента: US20230416924A1. Автор: Atsushi Yamanouchi,Michihito Takahashi,Kenichi Yamauchi,Kunihiro Noda,Dai Shiota,Saeko HARAGUCHI. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for preparing size-controllable metal oxide two-dimensional material nanosheet

Номер патента: US20230348291A1. Автор: Xingke Cai. Владелец: SHENZHEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-02.

Method and apparatus for forming and drawing fused metal-oxide tubes

Номер патента: US3620704A. Автор: Foster Lee Gray. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1971-11-16.

Defect engineering and modification of substrates for supported metal/metal oxide catalysts

Номер патента: US20220347668A1. Автор: Fudong Liu,Shaohua Xie. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2022-11-03.

Defect engineering and modification of substrates for supported metal/metal oxide catalysts

Номер патента: US11890608B2. Автор: Fudong Liu,Shaohua Xie. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2024-02-06.

INSTALLATION AND METHOD FOR REMOVING METALS AND / OR METAL OXIDES FROM INDUSTRIAL WASTE, IN PARTICULAR OF OIL REFINING WASTE

Номер патента: RU2017130828A. Автор: Лино КАРЛЕССИ,Лоренцо БРУНО,Розарио ГАЛАТИ. Владелец: САИПЕМ С.п.А.. Дата публикации: 2019-03-06.

Improved mixed metal oxide crystalline powders and method for the synthesis thereof

Номер патента: CA2115460C. Автор: Robert P. Blonski,John J. Maloney,Ivan H. Joyce,John J. Welch,Richard A. Pipoly,Christine J. Byrne. Владелец: Ferro Corp. Дата публикации: 2004-03-23.

Method for Manufacturing Amorphous Multielement Metal Oxide Hydroxide Film

Номер патента: US20220145467A1. Автор: Chun-Hu Chen,Ren-Huai JHANG,Chang-Ying YANG. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for extraction of metals and metal oxides from minerals, industrial by-products and waste materials

Номер патента: AU4769297A. Автор: Peter L. Weinwurm,Paul S Weinwurm,Lou Bodnar. Владелец: Agglo Inc. Дата публикации: 1998-05-22.

Apparatuses and methods for controlling wordlines and sense amplifiers

Номер патента: US09984739B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Preparation of unagglomerated metal oxide particles with uniform particle size

Номер патента: US4778671A. Автор: Raja R. Wusirika. Владелец: Corning Glass Works. Дата публикации: 1988-10-18.

Method for remediation of subterranean-formed metal-polymer complexes using a metal complexing agent

Номер патента: CA2928641C. Автор: Andrew Bryce CONWAY,Robert EASTERLY. Владелец: Flex Chem Holding Co LLC. Дата публикации: 2023-03-14.

Metal or metal oxide deposited fibrous materials

Номер патента: WO2010028017A3. Автор: Yury Gogotsi,Byung-Yong Lee,Kris Behler,Richard Rest. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-05-27.

Method and device for producing lithium transition metal oxide

Номер патента: US20220135430A1. Автор: YING Wang,Jinfu Wang,Huibin Zhang,Longwei NIU,Hongdong ZHAO. Владелец: Shandong Zstone New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

WAT test method for threshold voltage of MOS (Metal oxide semiconductor) tube

Номер патента: CN109507560B. Автор: 莫保章,肖尚刚. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Core-shell structured metal oxide particles and method for producing the same

Номер патента: WO2009041543A3. Автор: Yoshio Tadakuma. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2009-12-10.

Method for metal production

Номер патента: EP4384337A1. Автор: Rajnikant Patel,Adam VOLLANS,Katerina HRUBANTOVA,Russell HODGETTS. Владелец: Bradford Metallurgy Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Method of forming metal* metal oxide or metal carbide layer on polyolefin

Номер патента: JPS5665029A. Автор: Korunirusu Boi,Bueebaa Yurugen,Reeberuku Geruto,Teihanii Bera. Владелец: Ruhrchemie AG. Дата публикации: 1981-06-02.

Method for producing coating solution for metal oxide coating, coating solution for metal oxide coating, and metal oxide coating

Номер патента: KR102094049B1. Автор: 겐이치 모토야마,가즈키 에구치,게이타 무라카지. Владелец: 닛산 가가쿠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2020-03-26.

Coated composites of al2o3-ceo2/zro2 and a method for their production

Номер патента: CA2962477C. Автор: Dirk Niemeyer,Marcos Schoneborn,Noelia GUILLEN-HURTADO,Thomas HARNENING,Diane Howe. Владелец: Sasol Germany GMBH. Дата публикации: 2022-11-29.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR FORMING STABLE, LIQUID METAL OXIDE/HYDROXIDE FORMULATIONS

Номер патента: US20180007914A1. Автор: Walker Brandon,Sanford Bill,Malchesky Paul S.,Knappenberger Kyle,Kissick Calvin Jeffrey,Steward Eric. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-11.

Compositions and methods for forming stable, liquid metal oxide/hydroxide formulations

Номер патента: EP3481511A4. Автор: Paul S. Malchesky,Bill Sanford,Brandon Walker,Kyle Knappenberger,Calvin Jeffrey KISSICK,Eric STEWARD. Владелец: Timilon Technology Acquisitions LLC. Дата публикации: 2019-12-18.

Compositions and methods for forming stable, liquid metal oxide/hydroxide formulations

Номер патента: CA3029431A1. Автор: Paul S. Malchesky,Bill Sanford,Brandon Walker,Kyle Knappenberger,Calvin Jeffrey KISSICK,Eric STEWARD. Владелец: Timilon Technology Acquisitions LLC. Дата публикации: 2018-01-11.

Tungsten materials and a method for providing such materials

Номер патента: US3577227A. Автор: Gail F Davies. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1971-05-04.

A method for producing iron fuel

Номер патента: AU2022418399A1. Автор: Marcus Wilhelmus Petrus VERHAGEN,Lex SCHEEPERS. Владелец: Renewable Iron Fuel Tech BV. Дата публикации: 2024-06-13.

SURFACE-MODIFIED METAL OXIDE PARTICLE DISPERSION LIQUID, METHOD FOR PRODUCING SAME, SURFACE-MODIFIED METAL OXIDE PARTICLE-SILICONE RESIN COMPOSITE COMPOSITION, SURFACE-MODIFIED METAL OXIDE PARTICLE-SILICONE RESIN COMPOSITE BODY, OPTICAL MEMBER AND LIGHT EMITTING DEVICE

Номер патента: US20170226418A1. Автор: OTSUKA Takeshi,HARADA Kenji,Kurino Yasuyuki,Yamaguchi Takeru. Владелец: Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-08-10.

Method for remediation of subterranean-formed metal-polymer complexes using peracetic acid

Номер патента: CA3157356A1. Автор: Scott Bailey,Andrew Bryce CONWAY. Владелец: Flex Chem Holding Co LLC. Дата публикации: 2021-04-15.

Method for producing dense and epitaxial metal oxide film, precursor of metal oxide and method for producing the same

Номер патента: JP2976028B1. Автор: 俊弥 熊谷,高明 真部,和吉 近藤,進 水田,巌 山口,紀夫 清水,剛司 寺山. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1999-11-10.

Foams containing functionalized metal oxide nanoparticles and methods of making same

Номер патента: US20020022672A1. Автор: Kristin Thunhorst,Douglas Hanggi. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2002-02-21.

Metal film and metal film-coated member, metal oxide film and metal oxide film-coated member, thin film forming apparatus and thin film forming method for producing metal film and metal oxide film

Номер патента: USRE41747E1. Автор: Kazuya Shimizu,Takahiro Okura,Masakazu Takei. Владелец: Kyocera Optec Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-21.

plant for the recovery of metals and / or metal oxides from industrial process waste and method for recovering metals and / or metal oxides from industrial process waste

Номер патента: BR112017016813A2. Автор: Carlessi Lino,Bruno Lorenzo,Galati Rosario. Владелец: Saipem Spa. Дата публикации: 2018-04-03.

Manufacturing method for carbon based multi-composite metal-oxide nanocatalysts support via melt-infiltration process and carbon based multi-composite metal-oxide nanocatalyst support thereof

Номер патента: KR101272210B1. Автор: 김태완,이호태,정헌,천동현,양정일,박지찬,홍성준. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2013-06-11.

Plasma electrolytic oxidation coating method for aluminum metal and aluminum metal-oxide

Номер патента: KR101214400B1. Автор: 송정환,박병선,임대영,페도로프 블라디미르,알렉세이 알렉산드로비치 니키포로프. Владелец: 배재대학교 산학협력단. Дата публикации: 2012-12-21.

Method for producing molded article using metal oxide sol, molded article, and use thereof in producing alkene oxide

Номер патента: JP4335445B2. Автор: ヘッセ ミヒャエル,ミュラー ウルリッヒ,ハインリッヒ グロッシュ ゲオルク,ロッケマン クリスティアン. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2009-09-30.

Plasma electrolytic oxidation method for magnesium metal and magnesium metal-oxide

Номер патента: KR101464962B1. Автор: 송정환,임대영,페도로프 블라디미르,알렉세이 알렉산드로비치 니키프로프. Владелец: 배재대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-11-25.

Method for producing particles comprising a metal oxide coating and particles having a metal oxide coating

Номер патента: JP5382723B2. Автор: トレダノ、オフェル,− シマントフ、ハイム バー,ビルマン、ニッシム,シャピロ、レオラ,− レシク、ラエド アブ,スリアディバトラ、スリカンス,ティー． ソマー、ウィリアム,セルトチョック、ハナン. Владелец: ソル − ゲル テクノロジーズ リミテッド. Дата публикации: 2014-01-08.

Method for producing liquid dispersion of metal oxide containing zirconium element, and liquid dispersion of metal oxide containing zirconium element

Номер патента: TW202248138A. Автор: 緒方宏宣,家田拓馬,袋井克平,森田考則. Владелец: 日商堺化學工業股份有限公司. Дата публикации: 2022-12-16.

Method for forming a pattern and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050153245A1. Автор: Yasunobu Onishi,Yasuhiko Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-07-14.

Method for forming pre-metal dielectric layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100508531B1. Автор: 김성래. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-08-17.

Method for preparing porous mold charcoal/metal oxide composite material for super capacitor electrode

Номер патента: CN101944396A. Автор: 康龙,孔令斌,刘卯成. Владелец: Lanzhou University of Technology. Дата публикации: 2011-01-12.

ANTIREFLECTIVE ORGANIC COATING COMPOSITION, METHOD FOR FORMING PHOTORESIST PATTERNS USING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MADE THEREBY

Номер патента: FR2842533B1. Автор: Jae Chang Jung,Ki Soo Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-11-24.

Method for preparing porous mold charcoal/metal oxide composite material for super capacitor electrode

Номер патента: CN101944396B. Автор: 康龙,孔令斌,刘卯成. Владелец: Lanzhou University of Technology. Дата публикации: 2013-01-02.

METHOD FOR THE CHEMICAL DEPOSITION OF METAL OXIDES ON A TRANSPARENT SUBSTRATE FOR PRODUCING GLASS COATINGS

Номер патента: PT101523B. Автор: George Andrew Neuman,Royann Lynn Stewart-Davis. Владелец: PPG Industries Inc. Дата публикации: 1999-12-31.

Method for blowing fine particles containing metal oxides into a reducing gas and apparatus for making the same

Номер патента: CZ295453B6. Автор: Michael Nagl,Felix Wallner,Franz Hauzenberger,Leopold Werner Kepplinger,Johannes Schenk,Peter Brandl,Bernhard Ing. Rinner,Udo Gennnari. Владелец: Research Institute Of Industrial Science & Technol. Дата публикации: 2005-08-17.

PLANT AND METHOD FOR RECOVERING METALS AND/OR METAL OXIDES FROM INDUSTRIAL PROCESS WASTE, IN PARTICULAR REFINERY WASTE

Номер патента: US20180017327A1. Автор: Carlessi Lino,Bruno Lorenzo,Galati Rosario. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

METHOD FOR PROVIDING A NANOPATTERN OF METAL OXIDE NANOSTRUCTURES ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20150021293A1. Автор: Morris Michael,Borah Dipu,Ghoshal Tandra,Mokarian Parvaneh. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

METHOD FOR PRODUCING GRANULAR MATERIAL CONTAINING METAL OXIDE

Номер патента: US20150166359A1. Автор: Doshita Kazuhiro,Shimokawa Kosei. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

COMPOSITION AND METHODS FOR TETHERING BIOACTIVE PEPTIDES TO METAL OXIDE SURFACES

Номер патента: US20170189531A1. Автор: TANG Wen,BECKER Matthew. Владелец: THE UNIVERSITY OF AKRON. Дата публикации: 2017-07-06.

Methods For Low Temperature ALD Of Metal Oxides

Номер патента: US20190309412A1. Автор: Balseanu Mihaela,Trinh Cong,Saly Mark,Kalutarage Lakmal C.,Bhuyan Bhaskar Jyoti. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

Method for making highly porous, stable metal oxides with a controlled pore structure

Номер патента: US9334173B2. Автор: Brian F. Woodfield,Calvin H. Bartholomew,Baiyu Huang,Lynn Astle,Rebecca Elizabeth Olsen. Владелец: BRIGHAM YOUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-05-10.

Method for detection of rare earth metal oxide inclusions in titanium and other non-magnetic or metal alloy castings

Номер патента: US6320375B1. Автор: James D. Cotton,Darryl F. Garrigus. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2001-11-20.

Method for synthesizing nanocrystalline/nanoporous transition metal oxides

Номер патента: KR100986941B1. Автор: 이수경,유룡. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2010-10-12.

Method for washing a suspension of metal oxides

Номер патента: FR3112496A1. Автор: Aurelie Dandeu,Cyprien Charra,Fabien Salvatori,Marion SERVEL. Владелец: IFP Energies Nouvelles IFPEN. Дата публикации: 2022-01-21.

METHOD FOR DEPOSITING LAYERS BASED ON METAL OXIDE (S)

Номер патента: FR2775914B1. Автор: Tsutomu Minami,Kiyoharu Tadanaga. Владелец: Saint Gobain Vitrage SA. Дата публикации: 2000-04-21.

METHOD FOR MANUFACTURING CARBON-COATED TRANSITION METAL OXIDE NANOPARTICLES

Номер патента: FR2917080A1. Автор: Christine Bogicevic,Fabienne Karolak,Gianguido Baldinozzi,Mickael Dolle,Dominique Gosset,David Simeone. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2008-12-12.

Method for transferring at least one metal oxide onto and into a carbon fiber preform

Номер патента: FR3128708A1. Автор: Jean-François Daniel René POTIN,Stéphane Roger André GOUJARD. Владелец: Safran Ceramics SA. Дата публикации: 2023-05-05.

Method for removing coating metal from metal oxide base material

Номер патента: JPS6475688A. Автор: Toru Shoji. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 1989-03-22.

Method for blowing fine particles containing metal oxide into a reducing gas

Номер патента: WO1998015660A1. Автор: Michael Nagl,Felix Wallner,Udo Gennari,Franz Hauzenberger,Leopold Werner Kepplinger,Johannes Schenk,Peter Brandl,Bernhard Rinner. Владелец: Embst, Meinhilde. Дата публикации: 1998-04-16.

METHOD FOR IMPROVING THE ACTIVITY OF METAL OXIDE CATALYSTS CONTAINING TELLUR

Номер патента: DE3217700A1. Автор: Yutaka Fujisawa Kanagawa Kiyomiya,Toshio Yokosuka Kanagawa Nakamura,Yutaka Yokohama Kanagawa Sasaki. Владелец: Nitto Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 1982-12-02.

METHOD FOR INJECTIONING FINE PARTICLES CONTAINING METAL OXIDE IN A REDUCING GAS

Номер патента: AT405650B. Автор: Felix Dipl Ing Dr Wallner,Franz Dipl Ing Hauzenberger,Leopold Werner Dipl Kepplinger,Johannes Dipl Ing Dr Schenk,Michael Dipl Ing Nagl,Bernhard Ing Rinner,Peter Dipl Ing Brandl,Udo Dr Gennari. Владелец: Res Inst Ind Science & Tech. Дата публикации: 1999-10-25.

Method for injecting fine particles containing metal oxide into reducing gas

Номер патента: JP2001501678A. Автор: ヴェーナー ケプリンゲル，レオポルト,ヴォルネル，フェリクス,ナグル，ミヒャエル,ハウゼンベルガー，フランツ,ブランドル，ペーター,ゲンナリ，ウド,シュンク，ヨハネス. Владелец: ヴォエスト―アルピーネ インデュストリーアンラーゲンバウ ゲーエムベーハー. Дата публикации: 2001-02-06.

Method for recovering metals and/or metal oxides from refinery waste

Номер патента: EP3253895B1. Автор: Lino Carlessi,Lorenzo BRUNO,Rosario GALATI. Владелец: Saipem Spa. Дата публикации: 2020-12-16.

METHOD FOR PREPARING PARTICULES OF COLOID METAL OXIDES

Номер патента: AR069976A1. Автор: . Владелец: Grace W R & Co. Дата публикации: 2010-03-03.

Method for reducing substances containing solid metal oxide

Номер патента: KR950700426A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1995-01-16.

METHOD FOR INJECTIONING FINE PARTICLES CONTAINING METAL OXIDE IN A REDUCING GAS

Номер патента: DE59708966D1. Автор: Michael Nagl,Werner Kepplinger,Felix Wallner,Udo Gennari,Franz Hauzenberger,Johannes Schenk,Peter Brandl,Bernhard Rinner. Владелец: Pohang Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-23.

A new method for molecular bonding to metal / metal oxide surfaces.

Номер патента: JP2014524567A. Автор: リ・ツィユ,ラッセル・トーマス,ガオ・ジュン. Владелец: Janssen Diagnostics LLC. Дата публикации: 2014-09-22.

Method for producing niobium-containing composite metal oxide

Номер патента: JP3560070B2. Автор: 孝 牛窪,聡 小早川,啓 犬丸. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2004-09-02.

Method for modifying thin layer of metal oxide etc. using low ion beam

Номер патента: JP3708564B2. Автор: ルルベ フランソワーズ,ピリア ダニエル. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2005-10-19.

Method for producing multiple-phase multi-metal oxide materials

Номер патента: CN1220551C. Автор: H·阿诺尔德,J·佩佐尔特,S·翁弗里希特,R·费尔德. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2005-09-28.

Method for producing core-shell type metal oxide fine particle dispersion and dispersion thereof

Номер патента: JP5201655B2. Автор: 伊豆　　典哉,申　　ウソク,敏雄 伊藤,一郎 松原. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2013-06-05.

METHOD FOR PRODUCING A MATERIAL WITH METAL OXIDES IN A SOLID PHASE

Номер патента: DE69301025D1. Автор: Rolf Malmstroem. Владелец: Ahlstrom Corp. Дата публикации: 1996-01-25.

Method for producing antimony-containing composite metal oxide

Номер патента: JP4666336B2. Автор: 守 渡辺,英範 日名子. Владелец: Asahi Kasei Chemicals Corp. Дата публикации: 2011-04-06.

Method for preparing high-activity ternary metal oxide oxygen evolution catalyst by utilizing waste ternary nickel cobalt lithium manganate

Номер патента: CN112626558A. Автор: 李毅,王宇,杨霄,郑成,魏海滨,杜佳,李虎林,蔡建荣. Владелец: Pearson Environmental Protection Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-04-09.

Method for the production of multi-metal oxide masses

Номер патента: EP1755779A1. Автор: Frank Rosowski,Klaus Joachim MÜLLER-ENGEL,Frieder Borgmeier,Hartmut Hibst. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2007-02-28.

METHOD FOR RECOVERING VOLATILE METALS FROM METAL OXIDS

Номер патента: ATA561880A. Автор: . Владелец: Skf Steel Eng Ab. Дата публикации: 1983-05-15.

APPARATUS AND METHOD FOR THE GASEOUS REDUCTION OF METAL OXIDES AT HIGH TEMPERATURES

Номер патента: AR204299A1. Автор: . Владелец: Fierro Esponja. Дата публикации: 1975-12-10.

Method for producing hollow microspheres of metal oxides

Номер патента: RU2663886C2. Автор: Дмитрий Анатольевич Тарасов,Андрей Анатольевич Тарасов,Максим Николаевич Кудряш. Владелец: Андрей Анатольевич Тарасов. Дата публикации: 2018-08-13.

Method for removing coating metal from metal oxide base material

Номер патента: JPS6479384A. Автор: Toru Shoji. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 1989-03-24.

METHOD FOR INJECTIONING FINE PARTICLES CONTAINING METAL OXIDE IN A REDUCING GAS

Номер патента: ATA178096A. Автор: . Владелец: Res Inst Ind Science & Tech. Дата публикации: 1999-02-15.

Method for sputter-induced deposition of metal oxide layers and optically acting layer system

Номер патента: KR100279110B1. Автор: 요아힘 스즈크지르보프스키,귄터 브로이어. Владелец: 레이볼트 시스템즈 게엠베하. Дата публикации: 2001-01-15.

Preparing method for flake-feature nano-composite metal oxide catalyst CeO2-Co3O4

Номер патента: CN105597769A. Автор: 王�华,郑敏,魏永刚,李孔斋,祝星,祁先进,曾良鹏,黄樊. Владелец: KUNMING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-05-25.

Method for blowing fine particles containing metal oxide into a reducing gas

Номер патента: CA2267793A1. Автор: Michael Nagl,Felix Wallner,Udo Gennari,Franz Hauzenberger,Leopold Werner Kepplinger,Johannes Schenk,Peter Brandl,Bernhard Rinner (Deceased). Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-04-16.

METHOD FOR PRODUCING PARTICLES OF DOPED METAL OXIDES

Номер патента: RU2008123125A. Автор: Кай ШУМАХЕР,Хельмут РОТ,Райнер ГОЛЬХЕРТ,Харальд АЛЬФ,Андрее-Маттиас РОХНИА,Кай ШУМАХЕР (DE),Хельмут РОТ (DE),Райнер ГОЛЬХЕРТ (DE),Харальд АЛЬФ (DE),Андрее-Маттиас РОХНИА (DE). Владелец: Эвоник Дегусса ГмБх (DE). Дата публикации: 2009-12-27.

Method for the preparation of nanometric metal oxide additives that reduce sintering temperature and/or increase productivity in the manufacture of ceramic pieces, improving mechanical properties without affecting the vitrification properties of ceramic bodies, tiles or coatings

Номер патента: EP3608299A1. Автор: Carlos FIX FIERRO,Guillermo Enrique ACOSTA GONZÁLEZ,Mónica Ibeth AGUILERA BUSTOS,Joel GUTIÉRREZ ANTONIO. Владелец: Nanomateriales SA De Cv. Дата публикации: 2020-02-12.

METHOD FOR PRODUCING Hollow Microspheres of Metal Oxides

Номер патента: RU2017102289A. Автор: Дмитрий Анатольевич Тарасов,Андрей Анатольевич Тарасов,Максим Николаевич Кудряш. Владелец: Андрей Анатольевич Тарасов. Дата публикации: 2018-07-24.

Method for preparing surface-modified, nanoparticulate metal oxides, metal hydroxides and/or metal oxyhydroxides

Номер патента: CA2622363A1. Автор: Hartmut Hibst,Valerie Andre,Graham Edmund McKee,Jutta Kissel,Jens Rieger. Владелец: Jens Rieger. Дата публикации: 2007-04-05.

Plant and method for recovering metals and/or metal oxides from industrial process waste, in particular refinery waste

Номер патента: US11199360B2. Автор: Lino Carlessi,Lorenzo BRUNO,Rosario GALATI. Владелец: Saipem Spa. Дата публикации: 2021-12-14.

A method for providing a nanopattern of metal oxide nanostructures on a substrate

Номер патента: EP2594995A1. Автор: Michael Morris,Dipu Borah,Tandra Goshal,Parvaneh Mokarian. Владелец: University College Cork. Дата публикации: 2013-05-22.

Plant and method for recovering metals and/or metal oxides from industrial process waste, in particular refinery waste

Номер патента: CA2973663A1. Автор: Lino Carlessi,Lorenzo BRUNO,Rosario GALATI. Владелец: Saipem Spa. Дата публикации: 2016-08-11.

METHOD FOR PRODUCING INDIVIDUAL AND MIXED METAL OXIDES

Номер патента: RU2013139742A. Автор: Андрей Анатольевич Мурзин,Леонид Владиленович Красников,Александр Александрович Лумпов,Надежда Андреевна Семенова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное объединение "Радиевый институт имени В.Г. Хлопина". Дата публикации: 2015-03-10.

Method for chemical removal of a metal oxide coating from a superalloy article

Номер патента: CN1702196A. Автор: R·G·小滋梅曼. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2005-11-30.

Method for production of carbon composite metal oxide briquette

Номер патента: AU2008255866A1. Автор: Takao Harada,Hiroshi Sugitatsu. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Method for manufacturing a glass infiltrated metal oxide infrastructure

Номер патента: AU2003219617A1. Автор: Gijsbertus De With,Leonardus Johannes Maria Genovva Dortmans,Qingstan Zhu. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2003-10-13.

Method for preparing sulfur group quantum dot sensitization oxide semiconductor photo-anode

Номер патента: CN104282440A. Автор: 曾涛,陈云霞,苏小丽,余江渊,倪航建. Владелец: Jingdezhen Ceramic Institute. Дата публикации: 2015-01-14.

DEVICE AND METHOD FOR MELTING AND FORMING METAL IN VACUUM ENVIRONMENT

Номер патента: US20170113268A1. Автор: GO Dong Keun,GO Myoung Su. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

PATTERN FORMING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, MONOMER FOR PRODUCING RESIN FOR SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING PROCESS, RESIN, METHOD FOR PRODUCING RESIN, ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE FILM

Номер патента: US20180299776A1. Автор: GOTO Akiyoshi,Yonekuta Yasunori,Hatakeyama Naoya. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2018-10-18.

METHOD FOR MANUFACTURING COMPLEX FORM METAL ALLOY PARTS

Номер патента: FR3063663A1. Автор: Olivier Martin,Arnaud De Ponnat. Владелец: Mecachrome France SAS. Дата публикации: 2018-09-14.

Method for working or forming metals in the presence of aqueous lubricants with methanesulfonic acid (msa)

Номер патента: CA2466716A1. Автор: Francois Guillemet,Fabrice Domingues Dos Santos,Gilles Darvaux-Hubert. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Method for producing a formed metallic workpiece with armor

Номер патента: DE102011056480A1. Автор: Ernst-Peter Schmitz,Peter Kolbe,Thomas Korner. Владелец: GESENKSCHMIEDE SCHNEIDER GMBH. Дата публикации: 2013-06-20.

Apparatuses and methods for accessing hybrid memory system

Номер патента: US20200363978A1. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Apparatuses and methods for accessing hybrid memory system

Номер патента: US11449258B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-20.

DEVICE AND METHODS FOR REDUCING PEAK NOISE AND PEAK POWER CONSUMPTION IN SEMICONDUCTOR DEVICES UNDER TEST

Номер патента: US20200049765A1. Автор: HWANG Jong-Tae. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

APPARATUSES AND METHODS FOR EXTRACTING DEFECT DEPTH INFORMATION AND METHODS OF IMPROVING SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING PROCESSES USING DEFECT DEPTH INFORMATION

Номер патента: US20140307052A1. Автор: Lee Dong-Ryul,Ahn Jeong-Ho,Chin Soo-Bok,LEE Byoung-ho,Sun Jong-Cheon,Ihm Dong-Chul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-10-16.

Method for measuring aberation of lens in exposing device of semiconductor device

Номер патента: KR100682177B1. Автор: 김희범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-12.

Production method for exposure mask, exposure mask, and production method of semiconductor device

Номер патента: WO2003071590A1. Автор: Minoru Sugawara. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2003-08-28.

METHOD FOR ESTIMATING THE END OF LIFETIME FOR A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140125366A1. Автор: Rannestad Bjørn,Thøgersen Paul Bach. Владелец: KK-ELECTRONIC A/S. Дата публикации: 2014-05-08.

SYSTEMS AND METHODS FOR DEPOPULATING PINS FROM CONTACTOR TEST SOCKETS FOR PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180106835A1. Автор: Tong Kay Chan,Ata Hisashi,Shwe Thiha. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

Systems and Methods for Depopulating Pins from Contactor Test Sockets for Packaged Semiconductor Devices

Номер патента: US20200141974A1. Автор: Tong Kay Chan,Ata Hisashi,Shwe Thiha. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

METHOD FOR INSPECTING PATTERN AND AN APPARATUS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20160275663A1. Автор: Yang Seunghune,YANG Kiho,CHI KAIYUAN. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

Apparatus and method for collecting contaminants from an air flow for manufacturing semiconductor devices and system using the same

Номер патента: US20070039470A1. Автор: Ha-Na Kim,Yo-han Ahn,Dong-Seok Ham,Chang-Min Cho,Kwang-Min Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-22.

Systems And Methods For Predicting And Managing Power And Energy Use Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20210157966A1. Автор: Huilgol Ninad,Crowl Lawrence. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

Circuit and method for reducing number of data input and output and semiconductor device

Номер патента: JPH1152028A. Автор: Gyu-Hong Kim,金奎泓. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-02-26.

Method for manufacturing the half tone phase shift mask of semiconductor device

Номер патента: KR100588910B1. Автор: 박세진. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-09.

Method for manufacturing iron silicide layer, semiconductor substrate, and optical semiconductor device

Номер патента: JP3979115B2. Автор: 健志 山口,一樹 水嶋,文夫 長谷川,崇 末益. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2007-09-19.

Method for metal plating, pretreating agent, and semiconductor wafer and semiconductor device using same

Номер патента: CN1420944A. Автор: 熊谷正志,关口淳之辅,伊森徹. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-28.

Method for extracting the distribution of charge stored in a semiconductor device

Номер патента: WO2006128922A1. Автор: Arnaud Furnémont. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw. Дата публикации: 2006-12-07.

Carbon hybrid fiber including conductive complex, method for manufacturing the same, and functional textile assembly and semiconductor device using the same

Номер патента: KR20150144502A. Автор: 오영석,이강은,이원오,정병문,엄문광,성동기,이제욱. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2015-12-28.

Photosensitive resin composition, method for producing patterned cured film, patterned cured film, and semiconductor device

Номер патента: KR20230029588A. Автор: 마사히로 하시모토,데루아키 스즈키,유 아오키,요시미 하마노. Владелец: 레조낙 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2023-03-03.

Methods for forming white anodized films by metal complex infusion

Номер патента: EP3017094A1. Автор: Kenji Hara,Takahiro Oshima,Peter N. Russell-Clarke,Masashige Tatebe,Jody R. Akana,Ayumi HONGOU. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-05-11.

Methods for forming white anodized films by metal complex infusion

Номер патента: US09512536B2. Автор: Kenji Hara,Takahiro Oshima,Peter N. Russell-Clarke,Masashige Tatebe,Jody R. Akana,Ayumi HONGOU. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor resistive sensors manufacturing methods for the ozone in the air content measurements

Номер патента: RU2665348C2. Автор: Александр Константинович Аветисов,Марина Петровна Дмитриева,Людмила Алексеевна Обвинцева,Татьяна Борисовна Шарова,Ирина Петровна Сухарева. Владелец: Акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (АО "НИФХИ им. Л.Я. Карпова"). Дата публикации: 2018-08-29.

Method for preparing uniform metal oxide nanoparticles with high reproducibility

Номер патента: US09771275B2. Автор: Ju Young Park,Wan Jae Myeong,Bong Sik Jeon,Eung Gyu Kim,Eun Byul Kwon. Владелец: Hanwha Chemical Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for manufacturing a component of a device for precipitation of drops (variants)

Номер патента: RU2310566C2. Автор: Пол Рэймонд ДРУРИ. Владелец: Ксаар Текнолоджи Лимитед. Дата публикации: 2007-11-20.

Method for preparing particulate metal oxide materials

Номер патента: US20230278931A1. Автор: John Hryn,Yuepeng Zhang,Gregory K. Krumdick,Jungkuk LEE. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2023-09-07.

Low-temperature route for precision synthesis of metal oxide nanoparticles

Номер патента: US09517945B2. Автор: Daisuke Ito,James E. Hutchison. Владелец: University of Oregon. Дата публикации: 2016-12-13.

Shaped articles for nuclear remediation and methods for forming such shaped articles

Номер патента: WO2015183435A2. Автор: Evgeny Todorov KOLEV. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2015-12-03.

Shaped articles for nuclear remediation and methods for forming such shaped articles

Номер патента: US09682369B2. Автор: Evgeny Todorov KOLEV. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2017-06-20.

Manufacturing method for metal oxide semiconductor material for gas sensor

Номер патента: US20120112137A1. Автор: Takayuki Nakano,Takahiro Ishibashi,Daisuke Kuwahara,Tetsuji Imamura. Владелец: Hokuriku Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-10.

Metal oxide semiconductor gas sensor having nanostructure and method for manufacturing same

Номер патента: US09689785B2. Автор: Jong Kyu Kim,Sun Yong Hwang,Hyun Ah Kwon. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-06-27.

Methods for producing metal oxide thin film, capacitor, hydrogen separation membrane-electrolyte membrane assembly, and fuel cell

Номер патента: WO2008114126A2. Автор: Naoki Ito,Yasuyuki Matsumura,Kazuya Matsui. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2008-09-25.

Film forming apparatus for forming metal film and film forming method for forming metal film

Номер патента: US12110604B2. Автор: Haruki KONDOH. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Nanoparticles, methods for producing nanoparticles and nanoparticle generators

Номер патента: US10500228B1. Автор: Jay W. Grate,Nigel D. Browning,Patricia Abellan. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2019-12-10.

Method for forming metal film

Номер патента: US20220403544A1. Автор: Haruki KONDOH. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Systems and methods for enhanced weathering and calcining for c02 removal from air

Номер патента: EP3986597A1. Автор: Peter Kelemen,Jennifer Wilcox,Noah MCQUEEN,Phil RENFORTH,Greg DIPPLE. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2022-04-27.

Method for forming aluminum oxide/carbon nanotubes by ultrasonic atomization and chemical vapor deposition

Номер патента: US09834444B2. Автор: Muataz Ali Atieh,Fahad Ali RABBANI,Zuhair Omar MALAIBARI. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2017-12-05.

Film forming device and method for forming metal film using the same

Номер патента: US20200190685A1. Автор: Hirofumi Iisaka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Film forming apparatus for forming metal film and film forming method for forming metal film

Номер патента: US12123103B2. Автор: Haruki KONDOH. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for producing oxide layer on anodes of oxide-semiconductor and electrolytic capacitors

Номер патента: RU2322722C1. Автор: Лев Матвеевич Меринов,Виталий Евгеньевич Александров,Сергей Павлович Прокофьев,Натали Вениаминовна Галашина,Наталия Вениаминовна Галашина. Владелец: Открытое акционерное общество "Завод "Мезон". Дата публикации: 2008-04-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing individual and composite metal oxides

Номер патента: RU2047556C1. Автор: И.И. Калиниченко,Ю.А. Абрамов,А.И. Пуртов,О.А. Антропова. Владелец: Пуртов Анатолий Иванович. Дата публикации: 1995-11-10.

Method for forming self-aligned metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: TW563189B. Автор: Ding-Jang Jang,Huang-Jung Jeng,Jeng-Jie Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-11-21.

Reduction of a metal oxide-containing material on the basis of ammonia nh3

Номер патента: AU2023246848A1. Автор: Robert Millner,Bernd Weiss,Alexander Fleischanderl. Владелец: Primetals Technologies Austria GmbH. Дата публикации: 2024-09-26.

The method for forming protection layer of metal interconnects in semiconductor device

Номер патента: TW332338B. Автор: Rae Lee Jeong,Jae Kim Min. Владелец: Hyundai Eletronics Ind Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-21.

Formation method for VDMOS (vertical double-diffused metal oxide semiconductor) device

Номер патента: CN102148164A. Автор: 楼颖颖,克里丝. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2011-08-10.

LDMOS (laterally diffused metal oxide semiconductor), semiconductor device integrated with same and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102097389A. Автор: 乔明,毛焜. Владелец: SHENZHEN LAND HOPE MICRO-ELECTRONICS Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-15.

METHOD FOR FABRICATING AT LEAST THREE METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTORS HAVING DIFFERENT THRESHOLD VOLTAGES

Номер патента: US20120080758A1. Автор: . Владелец: STMicroelectronics, Inc.. Дата публикации: 2012-04-05.

SYSTEM AND METHOD FOR RECOVERING DATA OF COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20120166784A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

METHOD FOR BAND GAP TUNING OF METAL OXIDE SEMICONDUCTORS

Номер патента: US20120282733A1. Автор: Peng Jr-Wei,LEE Szetsen Steven. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-08.

Preparation method for split gate trench MOSFET(metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor)

Номер патента: CN104658901A. Автор: 刘锋,张海涛,白玉明. Владелец: Wuxi Tongfang Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-27.

METHODS FOR FORMING RESISTIVE-SWITCHING METAL OXIDES FOR NONVOLATILE MEMORY ELEMENTS

Номер патента: US20120149164A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-06-14.

HEXACENE DERIVATIVE, METHOD FOR FORMING HEXACENE, METHOD FOR FORMING HEXACENE CRYSTAL, PROCESS FOR MAKING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140124740A1. Автор: Chow Ta-Hsin,Watanabe Motonori. Владелец: Academia Sinica. Дата публикации: 2014-05-08.

Manufacturing method for increasing the current driving capability of high-power semiconductor device

Номер патента: TW452871B. Автор: Lin-Jung Huang,Ke-Yu Yu,Yun-Shiang Ge. Владелец: Advanced Power Electronics Cor. Дата публикации: 2001-09-01.

Detecting method for inner short-circuit on internumerical structures in encased semiconductor devices

Номер патента: CS334287A1. Автор: Jaroslav Rndr Homola,Jaroslav Rndr Zamastil,Ilja Prom Fyz Muller,Miroslav Rndr Skaloud. Владелец: Miroslav Rndr Skaloud. Дата публикации: 1989-02-10.

Method for changing isoelectric point of metal oxide, and metal oxide treated by this method

Номер патента: JP6093518B2. Автор: 浩一 山口,山口　浩一,猛 青木,浩志 浅野,美智子 伊藤,真佐人 岡,悦男 浅見,成剛 高島,由明 村瀬. Владелец: Nagoya Industries Promotion Corp. Дата публикации: 2017-03-08.

POROUS COMPOSITE METAL OXIDE, CATALYST USING THE SAME, AND METHODS FOR PRODUCING THE POROUS COMPOSITE METAL OXIDE AND THE CATALYST

Номер патента: US20120142523A1. Автор: SATO Kimitoshi,Morikawa Akira,SUDA Akihiko,Yamamura Kae. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO. Дата публикации: 2012-06-07.

Method for preparing single or composite metal oxide by atomizing and oxidizing solution and special equipment

Номер патента: CN101497432A. Автор: 郭秋松,田庆华,郭学益,冯庆明. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-08-05.

Dispersion liquid containing metal oxide cellulose nanofibers and method for producing the same having metal oxide cellulose nanofiber well-separated in the liquid, and excellent in dispersibility and applicable to various applications

Номер патента: TW201805311A. Автор: Akira Isogai,Atsushi Sone. Владелец: Univ Tokyo. Дата публикации: 2018-02-16.

AMORPHOUS OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120146021A1. Автор: Hayashi Ryo,Yabuta Hisato,Endo Ayanori,Kaji Nobuyuki. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-06-14.

Device for forming volume-porous anodes of oxide-semiconductor and electrolytic capacitors

Номер патента: SU447766A1. Автор: Виктор Владимирович Буров. Владелец: Предприятие П/Я Г-4816. Дата публикации: 1974-10-25.

Method for forming a gate electrode of a nonvolatile semiconductor device

Номер патента: KR980012447A. Автор: 홍영기. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

A kind of method for forming n-type buried regions in the semiconductor device

Номер патента: CN104392912B. Автор: 胡强,张世勇,王思亮. Владелец: Dongfang Electric Corp. Дата публикации: 2017-11-10.

Method for forming an alignment key pattern of a semiconductor device

Номер патента: KR970072014A. Автор: 권오철. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-11-07.

Method for forming low dielectric constant insulator film and semiconductor device using the same

Номер патента: JPH10209148A. Автор: Toshiaki Hasegawa,利昭 長谷川. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-08-07.

SYSTEMS AND METHODS FOR THIN-FILM DEPOSITION OF METAL OXIDES USING EXCITED NITROGEN-OXYGEN SPECIES

Номер патента: US20120098107A1. Автор: Raisanen Petri,Sung-hoon Jung,Mohith Verghese. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

METHODS FOR ETCH OF METAL AND METAL-OXIDE FILMS

Номер патента: US20120238103A1. Автор: Wang Anchuan,Zhang Jingchun,Ingle Nitin. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-09-20.

Method for Producing Polysaccharide Chemically Modified Metal Oxide Particles

Номер патента: JP7041952B2. Автор: 健 大浦,眞人 坂口. Владелец: MEIJO UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-03-25.

Method for reduction of ores and metal oxides

Номер патента: EA024243B1. Автор: Канат Шафикович Чокин. Владелец: Канат Шафикович Чокин. Дата публикации: 2016-08-31.

Method for preparing surface modified IIB metal oxide hydrogenation catalyst

Номер патента: CN1765512A. Автор: 陈松,张晓萍,谷明镝. Владелец: Sinopec Fushun Research Institute of Petroleum and Petrochemicals. Дата публикации: 2006-05-03.

Method for prepararing lanthanum nickelate conductive metal oxide film material

Номер патента: CN102320670A. Автор: 褚君浩,沈育德,李亚巍. Владелец: EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-18.

Method for preparing Nano crystal of metal oxide of anti agglomeration

Номер патента: CN1321942C. Автор: 王海,吴玉,徐柏庆. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2007-06-20.

Polysilazane coating solution and method for preparing composite coating containing metallic oxide-SiO2

Номер патента: CN103589339A. Автор: 徐彩虹,罗永明,肖凤艳,张宗波. Владелец: Institute of Chemistry CAS. Дата публикации: 2014-02-19.

Method for synthesizing spherical alkali-earth metal oxide homogenous phase mixed powder

Номер патента: CN101817546A. Автор: 李国锋,潘文,王宁会,宁桂玲. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2010-09-01.

Method for preparing perovskite-like composite metallic oxide by lamina

Номер патента: CN101041472B. Автор: 李峰,项顼,顾智军. Владелец: Beijing University of Chemical Technology. Дата публикации: 2010-05-19.

Method for producing oxygen 16-enriched metal oxide

Номер патента: CN115716661A. Автор: 李鑫,于雪,张俊峰,罗志福,罗洪义,牛厂磊,周晓晗. Владелец: China Institute of Atomic of Energy. Дата публикации: 2023-02-28.

Method for extracting resistive current of metal oxide arrester (MOA)

Номер патента: CN101986164B. Автор: 王永强,律方成,谢红玲,李燕青,徐志钮. Владелец: NORTH CHINA ELECTRIC POWER UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-28.

Method for producing organic group composite metal oxide fine particles

Номер патента: JP4237518B2. Автор: 光生 武田,弓子 森. Владелец: NIPPON SHOKUBAI CO LTD. Дата публикации: 2009-03-11.

METHOD FOR PRODUCING A CATHODE LAYER OF AN OXIDE SEMICONDUCTOR CAPACITOR

Номер патента: RU2005100286A. Автор: Валерий Николаевич Кыров,Людмила Николаевна Цыплакова,Валентина Ивановна Зирка,Юрий Афанасьевич Калинин,Нина Васильевна Мымрина,Юрий Афанасьевич Калинин (RU),Людмила Николаевна Цыплакова (RU),Валентина Ивановна Зирка (RU),Нина Васильевна Мымрина (RU),Валерий Николаевич Кыров (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Элеконд" (RU). Дата публикации: 2006-06-20.

METHOD FOR PRODUCING A CATHODE LAYER OF AN OXIDE SEMICONDUCTOR CAPACITOR

Номер патента: RU2011138040A. Автор: Владимир Зотович Пойлов,Александр Викторович Степанов,Владимир Сергеевич Конышев,Виктор Петрович Лебедев,Сергей Викторович Лановецкий,Константин Геннадьевич Кузьминых. Владелец: Открытое акционерное общество "Элеконд". Дата публикации: 2013-03-20.

Method for pressurizing and forming metallic material

Номер патента: JPS6475199A. Автор: Akira Saito,Shoichi Sakota,Atsushi Yamazaki. Владелец: Fuarukoa Kk. Дата публикации: 1989-03-20.

Method for bending and forming metal pipe by placing steel balls inside

Номер патента: CN102228922B. Автор: 杨连发,石松朝. Владелец: Guilin University of Electronic Technology. Дата публикации: 2013-01-16.

Methods of Forming Metal Patterns in Openings in Semiconductor Devices

Номер патента: US20120164826A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

Method of Forming Metal Silicide Regions on a Semiconductor Device

Номер патента: US20130015527A1. Автор: Baars Peter,Thees Hans-Juergen. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-01-17.

Collimator for forming of metal thin film in the semiconductor device

Номер патента: KR970000962B1. Автор: Kyung-Soo Cho. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-01-21.

METHODS FOR NORMALIZING STRAIN IN SEMICONDCUTOR DEVICES AND STRAIN NORMALIZED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130032894A1. Автор: Bernstein Kerry,Balch Bruce,Ellis-Monaghan John Joseph,Habib Nazmul. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-07.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SUBSTRATE, SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120012862A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-19.

METHOD FOR TESTING TRAP DENSITY OF GATE DIELECTRIC LAYER IN SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING NO SUBSTRATE CONTACT

Номер патента: US20120187976A1. Автор: Huang Ru,Fan Jiewen,Wang Runsheng,Wang Yangyuan,Zou Jibin,Liu Changze. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-07-26.

METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL CRYSTAL SUBSTRATE, EPITAXIAL CRYSTAL SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120299061A1. Автор: Momoi Hajime,Kakuta Koji. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

METHODS FOR REMOVING SILICON NITRIDE SPACER, FORMING TRANSISTOR AND FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130109173A1. Автор: LIU HUANXIN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2013-05-02.

Method for correcting error of alignment measurement and production of semiconductor device

Номер патента: JPH1089921A. Автор: Yoshikatsu Tomimatsu,喜克 富松. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-04-10.

Method for improving critical size differences of different areas of semiconductor device

Номер патента: CN103295894A. Автор: 秦伟,高慧慧,杨渝书. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-09-11.

Porous silica film precursor composition, method for producing porous silica film, porous silica film, and semiconductor device

Номер патента: JP5988817B2. Автор: 貴久 山崎,正明 平川,高博 中山,一誠 東條,中山　高博,平川　正明,剛 加賀美. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2016-09-07.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6969628B2. Автор: 勉 堀,圭司 和田,太郎 西口. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

Method for manufacturing circuit board with built-in part, and semiconductor device

Номер патента: JP2015002295A. Автор: Shigeo Nakamura,茂雄 中村,中村　茂雄,弘久 奈良橋,Hirohisa Narabashi. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2015-01-05.

Method for manufacturing p-type group iii nitride semiconductor and semiconductor device

Номер патента: JP2021182597A. Автор: 隆弘 藤井,Takahiro Fujii. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for manufacturing p-type boron phosphide semiconductor layer, compound semiconductor device, and light emitting diode

Номер патента: JP3639275B2. Автор: 隆 宇田川. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2005-04-20.

Evaluation method for evaluating positional relationship between PN junction surface of semiconductor device and bottom of trench

Номер патента: JP4815861B2. Автор: 規仁 戸倉,建策 山本,善彦 尾関. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-11-16.

Adhesive film, method for producing cured body, cured body, wiring board, and semiconductor device

Номер патента: JP6617811B2. Автор: 茂雄 中村,中村　茂雄,賢司 川合. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2019-12-11.

Method for carrying out auger analysis on bonding pad of semiconductor device structure

Номер патента: CN102455306A. Автор: 李明,段淑卿,齐瑞娟,杨卫明,芮志贤. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-05-16.

Method for producing gallium nitride substrate, gallium nitride substrate, and semiconductor device

Номер патента: JP2009073710A. Автор: Osamu Yamada,Koichi Hiranaka,修 山田,Tsutomu Takauo,力 高魚,Takamasa Matsuda,恭昌 松田,Takashi Minemoto,尚 峯本,弘一 平中,健 畑山,Takeshi Hatayama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SPUTTERING TARGETS INCLUDING EXCESS CADMIUM FOR FORMING A CADMIUM STANNATE LAYER

Номер патента: US20120000776A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING IMAGE SENSOR WITH SHIELD STRUCTURES

Номер патента: US20120003782A1. Автор: Byun Jeong Soo,Korobov Vladimir,Pohland Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001878A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001953A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ACTIVELY TRACKING MULTIPLE MOVING OBJECTS USING A MONITORING CAMERA

Номер патента: US20120002056A1. Автор: HONG Sang-Jin,NAM Yun-Young,CHO Shung-Han,KIM Yang-Weon,CHO We-Duke,HWANG Yong-Hyeon. Владелец: Ajou University Industry-Academic Corporation Foundation. Дата публикации: 2012-01-05.

Organometallic films, methods for applying organometallic films to substrates and substrates coated with such films

Номер патента: US20120003481A1. Автор: Hanson Eric L.. Владелец: Aculon, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Organometallic films, methods for applying organometallic films to substrates and substrates coated with such films

Номер патента: US20120004388A1. Автор: Hanson Eric L.. Владелец: Aculon, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

NANOSCALE METAL OXIDE RESISTIVE SWITCHING ELEMENT

Номер патента: US20120001146A1. Автор: Lu Wei,Jo Sung Hyun. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2012-01-05.

DIELECTRIC CERAMIC, METHOD FOR PRODUCING DIELECTRIC CERAMIC, AND ELECTRONIC COMPONENT

Номер патента: US20120004090A1. Автор: Nakano Takahiro,SAKURAI Toshio,ARASHI Tomohiro,KOBUKE Hisashi,NAKAMURA Tomoko,MIYAUCHI Yasuharu. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SELF-DISPERSIBLE COATED METAL OXIDE POWDER, AND PROCESS FOR PRODUCTION AND USE

Номер патента: US20120003287A1. Автор: Schlossman David,Shao Yun,Orr Carl. Владелец: KOBO PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING ANISOPTROPIC BULK MATERIALS

Номер патента: US20120001368A1. Автор: Filippov Andrey V.,Milia Charlotte Diane. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

HOLOGRAM RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, HOLOGRAM REPRODUCTION APPARATUS, AND HOLOGRAM REPRODUCTION METHOD

Номер патента: US20120002257A1. Автор: Shirakura Akira,Baba Shigeyuki,Arai Toshiyuki,Higashihara Teruaki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL GATE STACK STRUCTURE IN GATE-FIRST PROCESS

Номер патента: US20120003827A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BELTS FOR ELECTROSTATOGRAPHIC APPARATUS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20120003415A1. Автор: FROMM Paul M.. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for enhancing radiation resistance of cmos circuit components on soi substrate

Номер патента: RU2320049C2. Автор: Евгений Васильевич Кузнецов,Александр Николаевич Сауров,Елена Николаевна Рыбачек. Владелец: ГНЦ РФ Государственное учреждение научно-производственный комплекс "Технологический центр" при Московском государственном институте электронной техники /технический университет/. Дата публикации: 2008-03-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTERACTIVE POINTING DEVICE CAPABLE OF SWITCHING CAPTURE RANGES AND METHOD FOR SWITCHING CAPTURE RANGES FOR USE IN INTERACTIVE POINTING DEVICE

Номер патента: US20120001848A1. Автор: CHEN Hsin Chia,HSU En Feng,KAO Ming Tsan,HUANG Chao Chien,Lu Chih Hung,Chien Shih Chi,Lin Cho Yi. Владелец: PIXART IMAGING INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RAPID CRYSTALLIZATION OF HEAVILY DOPED METAL OXIDES AND PRODUCTS PRODUCED THEREBY

Номер патента: US20120001172A1. Автор: Li Qi,Shang Jian-Ku. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING RFID DEVICES ON SINGLE-USE CONNECTORS

Номер патента: US20120001731A1. Автор: . Владелец: GE HEALTHCARE BIOSCIENCE BIOPROCESS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS, SYSTEMS AND METHOD FOR COLLECTING AND RECLAIMING ANAESTHETIC AGENTS AND FOR REMOVING NITROUS OXIDE FROM EXHAUST GASES

Номер патента: US20120000549A1. Автор: Hunt Barry W.,Jarrett Todd Eric,Thorne Damian Ross,Ahchong Katrina Marie,Carr Dean Paul,Vazquez Cesar Laurentino Martinez. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FILLET WELD JOINT AND METHOD FOR GAS SHIELDED ARC WELDING

Номер патента: US20120003035A1. Автор: Suzuki Reiichi,Kinefuchi Masao,KASAI RYU. Владелец: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.). Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.