Method for forming multi-layer film and patterning process
Номер патента: US09804492B2
Опубликовано: 31-10-2017
Автор(ы): Jun Hatakeyama, Tsutomu Ogihara
Принадлежит: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 31-10-2017
Автор(ы): Jun Hatakeyama, Tsutomu Ogihara
Принадлежит: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for fabricating semiconductor device, pattern writing apparatus, recording medium recording program, and pattern transfer apparatus
Номер патента: US10884336B2. Автор: Takayuki Abe. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-05.