Method of forming a nitrogen-containing carbon film and system for performing the method
Номер патента: US12068154B2
Опубликовано: 20-08-2024
Автор(ы): Hirotsugu Sugiura, Yoshiyuki Kikuchi
Принадлежит: ASM IP Holding BV
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 20-08-2024
Автор(ы): Hirotsugu Sugiura, Yoshiyuki Kikuchi
Принадлежит: ASM IP Holding BV
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Plasma-enhanced method and system for forming a silicon oxycarbide layer and structure formed using sameplasma-enhanced method and system for forming a silicon oxycarbide layer and structure formed using same
Номер патента: US20230340663A1. Автор: Tomohiro Kubota,Takashi Yoshida,Zecheng Liu,Fanyong Ran,Kai Okabe. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-10-26.