Semiconductor structure with overlay mark and system for manufacturing the same
Номер патента: US20240071843A1
Опубликовано: 29-02-2024
Автор(ы): Tsai-Wei Lin
Принадлежит: Nanya Technology Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 29-02-2024
Автор(ы): Tsai-Wei Lin
Принадлежит: Nanya Technology Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor structure with overlay mark, method of manufacturing the same, and system for manufacturing the same
Номер патента: US20240071842A1. Автор: Tsai-Wei Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-29.