Semiconductor device and a method making the same
Номер патента: US20230061462A1
Опубликовано: 02-03-2023
Автор(ы): Shibing QIAN
Принадлежит: Changxin Memory Technologies Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-03-2023
Автор(ы): Shibing QIAN
Принадлежит: Changxin Memory Technologies Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device with carbon liner over gate structure and method for forming the same
Номер патента: US11456298B2. Автор: Chun-Heng Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-27.