Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • 반도체 소자의 다층금속 배선의 형성방법

반도체 소자의 다층금속 배선의 형성방법

Номер патента: KR950034482A
Опубликовано: 28-12-1995
Автор(ы): 박내학
Принадлежит: 금성일렉트론 주식회사, 문정환
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for forming multi layer metal wiring of semiconductor device using damascene process

Номер патента: KR100808601B1. Автор: 김수현,이영진,황선우,김정태,정동하,김백만. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-02-29.

Semiconductor device with multi-layered metalizations

Номер патента: US4200969A. Автор: Masaharu Aoyama,Toshio Yonezawa,Shunichi Hiraki. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-05-06.

Method of forming multi layer conductive line in semiconductor device

Номер патента: TWI234846B. Автор: Dong-Joon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-21.

Method of forming multi-layer wiring

Номер патента: KR0172541B1. Автор: 황준. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-03-30.

Method for forming multi-layer conductive line

Номер патента: CN1258216C. Автор: 金东俊. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-31.

Semiconductor device with multi-layer metallization

Номер патента: US20180301414A1. Автор: Matthias Stecher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-18.

Multi-layer metal pads

Номер патента: US09887170B2. Автор: Manfred Schneegans,Bernhard Weidgans,Franziska HAERING. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Multi-layer metal pads

Номер патента: US09666546B1. Автор: Manfred Schneegans,Bernhard Weidgans,Franziska HAERING. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor devices manufacture

Номер патента: US3836446A. Автор: K Tiefert. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1974-09-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09818638B1. Автор: Yu-Yun Peng,Chung-Chi Ko,Shing-Chyang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09659811B1. Автор: Yu-Yun Peng,Chung-Chi Ko,Shing-Chyang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of making metal interconnections

Номер патента: RU2767154C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2022-03-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09761487B2. Автор: Toshiyuki Takahashi,Katsuhiko Hotta,Kenichi Shoji,Kotaro Horikoshi,Kiyoshi Maeshima,Hironori Ochi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010021557A1. Автор: Masazumi Matsuura,Kinya Goto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Metal pad offset for multi-layer metal layout

Номер патента: US09659859B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Volume Chien,Chi-Cherng Jeng,Fu-Tsun Tsai,Kun-Huei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for forming multi-layer metal line of semiconductor device

Номер патента: US20030129825A1. Автор: Jun Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Method for forming multi layer metal wiring of semiconductor device using damascene process

Номер патента: KR100790452B1. Автор: 김수현,이영진,김정태,정동하,김백만. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-01-03.

Method for forming multi layer metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR100910225B1. Автор: 김수현,이영진,김정태,정동하,김백만. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-07-31.

Cost Effective Method of Forming Embedded DRAM Capacitor

Номер патента: US20150102461A1. Автор: Soogeun Lee. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Multi-layer metal wiring of semiconductor device preventing mutual metal diffusion between metal wirings and method for forming the same

Номер патента: US20100193956A1. Автор: Soo Hyun Kim,Young Jin Lee,Dong Ha JUNG,Jeong Tae Kim,Baek Mann Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Method of forming multi-layer wiring on the semiconductor device

Номер патента: KR0172504B1. Автор: 황준. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-03-30.

Method for fabricating multi-layer metal interconnection of semiconductor device

Номер патента: KR100188001B1. Автор: 유왕희. Владелец: 페어차일드코리아반도체주식회사. Дата публикации: 1999-06-01.

method of of forming interconnection lines in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100558493B1. Автор: 나영섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

A method of etching one or more layers of a mixture of metals and dielectrics in a semiconductor device.

Номер патента: JP6968194B2. Автор: ゴウピル，グレゴリー,シャラン,ブルリク，ジャン. Владелец: Tescan Brno sro. Дата публикации: 2021-11-17.

Method for fabricating multi-layer metallization

Номер патента: KR100873017B1. Автор: 진원화. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-12-09.

Contact manufacturing method of a multi-layered metal line structure

Номер патента: US5354713A. Автор: Jae Kap Kim,Gon Son. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1994-10-11.

Process for forming multi-layered metallic structure for semiconductor device

Номер патента: YU18284A. Автор: A W Fischer. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1987-12-31.

Method for fabricating multi-layer metal interconnection of semiconductor device

Номер патента: KR100267106B1. Автор: 박주성,조찬형. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-10-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH MULTI-LAYER METALLIZATION

Номер патента: US20160181154A1. Автор: Stecher Matthias. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH MULTI-LAYER METALLIZATION

Номер патента: US20180301414A1. Автор: Stecher Matthias. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-18.

METHOD FOR FORMING A MULTI-LAYER METAL NETWORK FOR INTERCONNECTING THE COMPONENTS OF A HIGH DENSITY INTEGRATED CIRCUIT AND RESULTING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2588418B1. Автор: Philippe Chantraine,Pierre Merenda,Daniel Lambert. Владелец: Bull SA. Дата публикации: 1988-07-29.

Method of forming junction of semiconductor device

Номер патента: US20090111233A1. Автор: Dong Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device with safe multi-layer metal wiring without cracks

Номер патента: KR20000033091A. Автор: 김병윤,김영대,이은철. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-06-15.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Interconnection Wires of Semiconductor Devices

Номер патента: US20140315382A1. Автор: Chung-Ju Lee,Hsiang-Huan Lee,Sunil Kumar Singh,Hsin-Chieh Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-10-23.

Method of forming an interconnect structure for a semiconductor device

Номер патента: US09997404B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chia-Tien Wu,Yung-Sung Yen,Yung-Hsu WU,Yu-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200279917A1. Автор: Yu-Chih Su,Yao-Jhan Wang,Che-Hsien Lin,Chun-jen Huang,Cheng-Yeh Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Method of forming multi-layer metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR970003840A. Автор: 오세준. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-01-29.

Method for forming multi-layer wiring structure

Номер патента: US20030073303A1. Автор: Hiroyuki Iida,Yoshio Hagiwara,Atsushi Matsushita,Kazuto Ohbuchi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-17.

Method for forming multi-layered metal interconnector of semicondcutor device

Номер патента: KR100230733B1. Автор: 박상훈. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-11-15.

Multi-layer metal wiring layer formation method

Номер патента: KR950034692A. Автор: 정창원,유진산. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-12-28.

A method of forming a semiconductor interconnection having contact plug and upper metal line and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: KR100363556B1. Автор: 전윤수,이규현. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-12-05.

Method for forming multi-layer wiring structure

Номер патента: US20040248396A1. Автор: Hiroyuki Iida,Yoshio Hagiwara,Atsushi Matsushita,Kazuto Ohbuchi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-09.

Method of making two component nanospheres and their use as a low dielectric constant material for semiconductor devices

Номер патента: TW385522B. Автор: Michael R Ayers. Владелец: Michael R Ayers. Дата публикации: 2000-03-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220415712A1. Автор: Naruhisa Nagata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of forming cavity between multilayered wirings

Номер патента: US7005248B2. Автор: Takahiko Kurosawa,Kaori Shirato. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2006-02-28.

Method of forming cavity between multilayered wirings

Номер патента: US20040092127A1. Автор: Takahiko Kurosawa,Kaori Shirato. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2004-05-13.

Method of forming metal wiring for high voltage element

Номер патента: US20050153549A1. Автор: Ihl Cho. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2005-07-14.

Integrated circuit devices including a conductive via and methods of forming the same

Номер патента: US20240355727A1. Автор: Se Jung Park,Jaemyung CHOI,Kang -Ill Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09865539B2. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Cheng-Chi Chuang,Jian-Hua Chen,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Multi-layer metal wiring structure of semiconductor device

Номер патента: KR100246101B1. Автор: 한진수. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-15.

Method of Forming Multi-Layer Interconnection

Номер патента: KR970024015A. Автор: 아끼히꼬 오사끼. Владелец: 기따오까 다까시. Дата публикации: 1997-05-30.

Method for forming multi-layer conductor / insulator coplanar thin film using photosensitive polyimide polymer composition

Номер патента: JPH0831522B2. Автор: エドワード クロニン ジョン,ウェリング カーンタ カーター,ポール リー ペイ−イン,アン プレヴィティ−ケリー ローズマリー,ガードナー ライアン ジェイムズ,フーン ユーン ジュン. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-03-27.

METAL PAD OFFSET FOR MULTI-LAYER METAL LAYOUT

Номер патента: US20150333007A1. Автор: CHIEN Volume,JENG Chi-Cherng,CHEN I-CHIH,CHEN Ying-Hao,LIN Kun-Huei,Tsai Fu-Tsun. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

Metal pad offset for multi-layer metal layout

Номер патента: CN104377183A. Автор: 陈英豪,郑志成,林昆辉,简荣亮,蔡富村,陈奕志. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-25.

Semiconductor device and method of forming athin wafer without a carrier

Номер патента: SG183779A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Shuangwu Huang,Nathapong Suthiwongsunthorn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of forming patterns of semiconductor device

Номер патента: US20240194521A1. Автор: JungHan LEE,Kwanyoung Chun,Jisoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method of forming a thin wafer without a carrier

Номер патента: US09842775B2. Автор: Pandi C. Marimuthu,Shuangwu Huang,Nathapong Suthiwongsunthorn. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method comprising redistribution layers

Номер патента: US09576919B2. Автор: Christopher M. Scanlan,Craig Bishop. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of fabricating a semiconductor wafer including a through substrate via (TSV) and a stepped support ring on a back side of the wafer

Номер патента: US09984888B2. Автор: David J. Howard,Hadi Jebory. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Multi-layer metal capacitor

Номер патента: US6198617B1. Автор: Shih-Wei Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-03-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230146858A1. Автор: Takahiro Maruyama,Takuya Hagiwara,Takuya Maruyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Method of forming fine pattern of semiconductor device

Номер патента: US09812335B2. Автор: Jaehong Park,Dongchan Kim,Jinyoung Park,Je-woo Han,Sungyeon KIM,Junho Yoon,KyungYub JEON,Kyohyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Production method of semiconductor device

Номер патента: US20020127880A1. Автор: Yoshiyuki Tanaka,Masaki Saito,Yoshiyuki Enomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-09-12.

Methods of forming patterns of semiconductor devices

Номер патента: US09779941B2. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of forming insulating film in semiconductor device

Номер патента: US20050014389A1. Автор: Sung Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230395425A1. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of forming layout of semiconductor device

Номер патента: US20200111791A1. Автор: Chien-Hao Chen,Yi-Ting Chen,Chia-Hung Wang,En-Chiuan Liou,Sho-Shen Lee,Jhao-Hao Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US11776844B2. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Manufacturing method of semiconductor device, reticle correcting method, and reticle pattern data correcting method

Номер патента: US20070218673A1. Автор: Hiroko Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-20.

Method of decomposing layout of semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09928330B2. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device fabrication using a multiple exposure and block mask approach to reduce design rule violations

Номер патента: EP2499660A2. Автор: Richard Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-09-19.

Stacked die modules for semiconductor device assemblies and methods of manufacturing stacked die modules

Номер патента: US20240258243A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363724A1. Автор: Ding-Kang SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of forming multi-layered metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR100495857B1. Автор: 이상희,장성근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-09-02.

Method for forming multi layer metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR101161665B1. Автор: 유창준. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-07-03.

Methods of forming integrated circuit devices having ion-cured electrically insulating layers therein

Номер патента: SG152150A1. Автор: Zuo Biao,LUN Zhao,PARK Jae Eon,Richard Anthony Conti,William C Wille,Johnny Widodo,Kim Jun Jung,Kim Joo Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-05-29.

Chemical-mechanical polishing slurry for oxide films, used in production of metal wiring contact plug of semiconductor device, has acid to neutral pH and contains oxidant and chelant

Номер патента: DE10261407A1. Автор: Sang Ick Lee,Ki Cheol Ahn,Pan Ki Kwon,Jong Goo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-08-14.

Chemical mechanical polishing slurry for metal and method for preparing metal wire contact plug of semiconductor device by the slurry

Номер патента: CN1429873A. Автор: 权判起,李相益,安基彻,郑钟九. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-16.

Method for forming metal wire using titanium film in semiconductor device having contact holes

Номер патента: TW569383B. Автор: Heon-Do Kim. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2004-01-01.

Integrated circuits and methods of forming the same with metal layer connection to through-semiconductor via

Номер патента: US09761481B2. Автор: Chun Yu Wong,Sarasvathi Thangaraju,Percival Rayo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20160293759A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20170069586A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Method of forming multi-layered metal wiring in semiconductor device

Номер патента: KR100334961B1. Автор: 신동우,박성훈,정영석,문정언. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for forming multi layer metal wiring of semiconductor device using damascene process

Номер патента: KR100818108B1. Автор: 김은정,김찬배,정채오,이효석,민성규,구자춘,안상태,안현주. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-03-31.

Structure and formation method of semiconductor device with backside contact

Номер патента: US12015060B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Structure and formation method of semiconductor device with embedded capacitor

Номер патента: US20160064385A1. Автор: Chun-Sheng Wu,Chun-Li Lin,Yung-Tsun LIU,Yi-Fang LI,Geng-Shuoh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Method of forming multi-layer wiring utilizing hydrogen silsesquioxane resin

Номер патента: US5750403A. Автор: Takahisa Yamaha,Yushi Inoue. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 1998-05-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and mounting method of semiconductor device

Номер патента: US20150035156A1. Автор: Kazuhito Ichinose,Kazuyuki Omori,Seiji Muranaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09905633B1. Автор: Chi-Han YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor element, manufacturing method of semiconductor element, and electronic apparatus

Номер патента: US20210167115A1. Автор: Naoto Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor element, manufacturing method of semiconductor element, and electronic apparatus

Номер патента: US09978797B2. Автор: Naoto Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09966434B2. Автор: Yi-Wei Chen,Neng-Hui Yang,Yu-Shu Lin,Shi-You Liu,Ming-Shiou Hsieh,Rong-Sin Lin,I-Cheng Hu,Han-Ting Yen,Chun-Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

FinFET structures and methods of forming the same

Номер патента: US09812358B1. Автор: Teng-Chun Tsai,Joy Cheng,Yu-Chung Su,Ling-Fu Nieh,Tai-Chun Huang,Yen-Chun Huang,Ting-Ting CHEN,Pin-Chuan SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing an integrated circuit substrate

Номер патента: US09786568B2. Автор: Martin Mischitz,Andrew Wood,Claudia Sgiarovello. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for forming multi-layer metal line of semiconductor device

Номер патента: TWI233661B. Автор: Jun-ho Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-01.

Multi-layer metal-wiring method

Номер патента: KR960008524B1. Автор: Chang-Jin Ko,Hyung-Sik Ryu. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1996-06-26.

Semiconductor device with multi-layer metal line and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100878402B1. Автор: 김기중,김상희,김윤석,배효근,이이. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2009-01-13.

Pvd deposition and anneal of multi-layer metal-dielectric film

Номер патента: US20160372330A1. Автор: Er-Xuan Ping,Kai Ma,Minrui Yu,Kaushal K. Singh,Thomas Kwon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Pvd deposition and anneal of multi-layer metal-dielectric film

Номер патента: WO2016204987A1. Автор: Er-Xuan Ping,Kai Ma,Minrui Yu,Kaushal K. Singh,Thomas Kwon. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2016-12-22.

Multi layer metal in semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100701426B1. Автор: 이주완. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-30.

Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and passivating coupling material comprising multiple organic components for use in a semiconductor device

Номер патента: US20090115031A1. Автор: Janos Farkas,Srdjan Kordic,Maria Luisa Calvo-Munoz. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and passivating coupling material comprising multiple organic components for use in a semiconductor device

Номер патента: US7803719B2. Автор: Janos Farkas,Srdjan Kordic,Maria Luisa Calvo-Munoz. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-09-28.

Multi-Layer Metal Contacts

Номер патента: US20160254183A1. Автор: Lai Chih-Ming,Hsieh Ken-Hsien,Liu Ru-Gun,Shieh Ming-Feng,GAU Tsai-Sheng,Tseng Wen-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

PVD DEPOSITION AND ANNEAL OF MULTI-LAYER METAL-DIELECTRIC FILM

Номер патента: US20160372330A1. Автор: Yu Minrui,Ping Er-Xuan,Singh Kaushal K.,Ma Kai,KWON Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductordevice including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and passivating coupling material comprissing multiple organic components for use in a semiconductor device

Номер патента: WO2007095972A1. Автор: Janos Farkas,Srdjan Kordic,Maria Luisa Calvo-Munoz. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2007-08-30.

Multi-layer Metal Contacts

Номер патента: CN104037122A. Автор: 谢铭峰,赖志明,刘如淦,高蔡胜,曾文弘,谢艮轩. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-10.

Multi-layer metal contacts

Номер патента: US9337083B2. Автор: Ming-Feng Shieh,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Tsai-Sheng Gau,Ken-Hsien Hsieh,Wen-Hung Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20100323520A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20120086134A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US12027478B2. Автор: Feng-Wei Kuo,Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09673073B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor packaging structure and method of forming the same

Номер патента: US20190319010A1. Автор: Boo Yang Jung,Jason Au. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor Device and Method of Forming Conductive Vias with Trench in Saw Street

Номер патента: US20140217609A1. Автор: Byung Tai Do,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2014-08-07.

Methods of forming metal wiring of semiconductor devices

Номер патента: US20040132283A1. Автор: Dong-Ki Jeon,Jae-Won Han. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Isolation structure of semiconductor device

Номер патента: US09786543B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Shu-Han Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09779959B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods of making semiconductor device modules with increased yield

Номер патента: US20190035755A1. Автор: John F. Kaeding,Chan H. Yoo,Ashok Pachamuthu,Szu-Ying Ho. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170133490A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170084499A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20160351700A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20180308956A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US10014394B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US9899271B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09899271B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method of aligning semiconductor wafers for bonding

Номер патента: US09852972B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method of encapsulating semiconductor die

Номер патента: US09679785B2. Автор: Satyamoorthi Chinnusamy. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of adaptive patterning for panelized packaging with dynamic via clipping

Номер патента: US09978655B2. Автор: Christopher M. Scanlan,Craig Bishop. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of manufacturing a semiconductor device having reduced on-state resistance and structure

Номер патента: US09893058B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Manufacturing method of ultra-thin semiconductor device package assembly

Номер патента: US09881897B2. Автор: Chih-Cheng Hsieh,Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Bonded assembly of semiconductor dies containing pad level across-die metal wiring and method of forming the same

Номер патента: WO2021150265A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Kwang-Ho Kim,Jee-Yeon Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-29.

Bonded assembly of semiconductor dies containing pad level across-die metal wiring and method of forming the same

Номер патента: US20210225736A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Kwang-Ho Kim,Jee-Yeon Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-22.

Barrier layer for contact structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230260792A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Chi-Ruei YEH,Hsin Hsiang TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device package and method of manufacture

Номер патента: US20220068862A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20130230965A1. Автор: Gaku Sudo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7867890B2. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-11.

Method of forming interconnectings in semiconductor devices

Номер патента: US20020090810A1. Автор: Mario Napolitano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Fabrication of semiconductor devices with air gaps for ultra low capacitance interconnection structures

Номер патента: EP1352421B1. Автор: Clifford Lee Henderson,Paul Albert Kohl,Sue Ann Bidstrup Allen,Dhananjay M. Bhusari,Hollie Ann Kelleher. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2009-11-25.

Fabrication of semiconductor devices with air gaps for ultra low capacitance interconnection structures

Номер патента: EP1352421A2. Автор: Clifford Lee Henderson,Paul Albert Kohl,Sue Ann Bidstrup Allen,Dhananjay M. Bhusari,Hollie Anne Reed. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2003-10-15.

Method of fabricating thin film transistor using metal induced lateral crystallization by etch-stopper layer patterns

Номер патента: US20060003504A1. Автор: Woon Paik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240203788A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A2. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-26.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A3. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-08-14.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20160049482A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Structure and method of semiconductor device structure with gate

Номер патента: US09859113B2. Автор: Chun-Sheng Wu,Ding-I Liu,Yi-Fang LI,jing-yang Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09741554B2. Автор: Satoru Kameyama,Shuhei Oki,Masaki AJIOKA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Method of forming contact hole and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060134910A1. Автор: Pin-Yao Wang,Min-San Huang,Leon Lai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Multi-layer metal sandwich with taper and reduced etch bias and method for forming same

Номер патента: US5912506A. Автор: Kenneth P. Rodbell,James Mckell Edwin Harper,Evan G. Colgan,Peter M. Fryer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-06-15.

Methods for forming multi-layer vertical nor-type memory string arrays

Номер патента: US11844217B2. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Methods for forming multi-layer vertical nor-type memory string arrays

Номер патента: US20240099003A1. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240162092A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for forming multi-layer film and patterning process

Номер патента: US09804492B2. Автор: Tsutomu Ogihara,Jun Hatakeyama. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of forming multi-layer metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR100876860B1. Автор: 신강섭. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2008-12-31.

Method of fabricating semiconductor device isolation structure

Номер патента: US09673082B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of Fabricating Semiconductor Device Isolation Structure

Номер патента: US20160133506A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Method of forming semiconductor structure with horizontal gate all around structure

Номер патента: US09881993B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030100167A1. Автор: Shu Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Method of forming isolation structure of semiconductor device for preventing excessive loss during recess gate formation

Номер патента: US20090029521A1. Автор: Dong Sun Sheen,Sang Tae Ahn,Seok Pyo Song,Hyeon Ju An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor device isolation structures

Номер патента: US20130154052A1. Автор: Sukesh Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089A1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2003-12-17.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US8263490B2. Автор: Yutaka Fukuda,Yuji Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou,Mika Ootsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US20110207241A1. Автор: Yutaka Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Fin isolation structures of semiconductor devices

Номер патента: US20190096769A1. Автор: Yen-Ming Chen,Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Methods of fabricating semiconductor structures or devices using layers of semiconductor material having selected or controlled lattice parameters

Номер патента: US09793360B2. Автор: Chantal Arena. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-10-17.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089B1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2007-12-05.

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110244660A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09935173B1. Автор: Chia-Ching Lee,Chun-Yuan Chou,Ching-Hwanq Su,Chung-Chiang WU,Hsueh-Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09691767B2. Автор: Taiji Ema,Mitsuaki Hori,Yasunobu TORII,Kazushi FUJITA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Integration of semiconductor on implanted insulator

Номер патента: US6768130B2. Автор: Matthew J. Comard. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2004-07-27.

Methods of forming a semiconductor cell array region, method of forming a semiconductor device including the semiconductor cell array region, and method of forming a semiconductor module including the semiconductor device

Номер патента: US20110177671A1. Автор: Yong-Hoon Son,Byeong-Chan Lee,Sun-Ghil Lee,Sung-Woo Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Semiconductor structures and methods of manufacturing semiconductor structures

Номер патента: US20240047577A1. Автор: Arash Elhami Khorasani. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170178897A1. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9530839B2. Автор: Kimitoshi Okano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09847226B2. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150221564A1. Автор: Takuya Yoshida,Kazutoyo Takano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Method of plasma-stimulated atomic-layer deposition of insulating dielectric coatings on heterostructures of nitrid-gallium semiconductor devices

Номер патента: RU2633894C1. Автор: Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Андрей Валерьевич Мяконьких,Александр Егеньевич Рогожин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2017-10-19.

Method of making a semiconductor device having multiple die redistribution layer

Номер патента: US20080160674A1. Автор: Hem Takiar,Shrikar Bhagath. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-07-03.

Method of forming multi-layered metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR950001952A. Автор: 박상훈,박대일. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-01-04.

Manufacturing Method of Semiconductor Device Using Multi-Layer Metal Wiring Structure

Номер патента: KR940001373A. Автор: 이대우,윤용선,모승기,김보우. Владелец: 재단법인한국전자통신연구소. Дата публикации: 1994-01-11.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US20170098578A1. Автор: Jangwoo Lee,Youngdoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-06.

Method of forming epitaxial buffer layer for finFET source and drain junction leakage reduction and semiconductor device having reduced junction leakage

Номер патента: US09793272B2. Автор: Dechao Guo,Shogo Mochizuki,Andreas Scholze,Chun-Chen Yeh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Symmetrical multi-layer metal logic array employing single gate connection pad region transistors

Номер патента: US6097042A. Автор: Il Woo Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

METHODS FOR FORMING MULTI-LAYER VERTICAL NOR-TYPE MEMORY STRING ARRAYS

Номер патента: US20200185411A1. Автор: ZHOU JIE,HERNER Scott Brad,Chien Wu-Yi Henry,Harari Eli. Владелец: SUNRISE MEMORY CORPORATION. Дата публикации: 2020-06-11.

Methods for forming multi-layer vertical NOR-type memory string arrays

Номер патента: US11282855B2. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09646951B2. Автор: Sudhama C. Shastri,Richard D. Moyers. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for etching a multi-layered metal film and etchant

Номер патента: KR101796587B1. Автор: 서종현,김홍식,김병오. Владелец: 한국항공대학교산학협력단. Дата публикации: 2017-11-10.

Methods of forming semiconductor packages with back side metal

Номер патента: US12040310B2. Автор: Eiji KUROSE. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240030056A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP4290566A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Multi-layer metal stack for active pixel region and black pixel region of image sensor and methods thereof

Номер патента: US12080740B2. Автор: Kazufumi Watanabe,Chih-Wei Hsiung,Chao Niu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Multi-layer metal stack for active pixel region and black pixel region of image sensor and methods thereof

Номер патента: US20230207592A1. Автор: Kazufumi Watanabe,Chih-Wei Hsiung,Chao Niu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Spacer for chips on wafer semiconductor device assemblies

Номер патента: US20240055366A1. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US9524884B2. Автор: Cheol-soo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of marking a semiconductor package

Номер патента: US20160172306A1. Автор: Christopher M. Scanlan. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Method of wafer marking for multi-layer metal processes

Номер патента: US20030203589A1. Автор: Ching Chung,Kay Lee. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-10-30.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20180068976A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20190067241A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20230275065A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20210057378A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device and method of forming insulating layers around semiconductor die

Номер патента: EP3913667A1. Автор: Satyamoorthi CHINNUSAMY, Kevin SIMPSON, Mark C COSTELLO. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2021-11-24.

Semiconductor device and method of forming insulating layers around semiconductor die

Номер патента: US09837375B2. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method of forming embedded wafer level chip scale packages

Номер патента: US09704824B2. Автор: Il Kwon Shim,Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device with protected sidewalls and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US09806034B1. Автор: Rolf Brenner,Hans-Juergen Funke,Wolfgang Schnitt,Rudiger Weber,Frank Burmeister,Tobias Sprogies. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method of using a standardized carrier to form embedded wafer level chip scale packages

Номер патента: US09721862B2. Автор: Il Kwon Shim,Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of making a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US09859184B2. Автор: Hans-Martin Ritter,Frank Burmeister. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor devices having insulating substrates and methods of formation thereof

Номер патента: US20160284990A1. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-29.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09947553B2. Автор: Mamoru Yamagami,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US12033928B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device with integrated heat distribution and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290761A1. Автор: Ron Huemoeller,Bora Baloglu,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for forming multi-layer mask

Номер патента: US11120995B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Yu-Chung Su,Shen-Nan Lee,Chen-Hao WU,Tsung-Ling TSAI,Chung-Wei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-14.

Method for forming multi-layer mask

Номер патента: US20200105538A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Yu-Chung Su,Shen-Nan Lee,Chen-Hao WU,Tsung-Ling TSAI,Chung-Wei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Multi-layer metal wiring method of semiconductor elements

Номер патента: KR920010126B1. Автор: 이원규. Владелец: 정몽헌. Дата публикации: 1992-11-16.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20230178465A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Method for forming multi-layer mask

Номер патента: US20190096686A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Yu-Chung Su,Shen-Nan Lee,Chen-Hao WU,Tsung-Ling TSAI,Chung-Wei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device with integrated heat distribution and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901343B2. Автор: Ron Huemoeller,Bora Baloglu,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

METHOD FOR FORMING MULTI-LAYER MASK

Номер патента: US20190096686A1. Автор: TSAI Teng-Chun,Lee Shen-Nan,Hsu Chung-Wei,SU Yu-Chung,WU Chen-Hao,TSAI Tsung-Ling. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-03-28.

METHOD FOR FORMING MULTI-LAYER FILM AND PATTERNING PROCESS

Номер патента: US20160111287A1. Автор: OGIHARA Tsutomu,Hatakeyama Jun. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

METHOD FOR FORMING MULTI-LAYER MASK

Номер патента: US20200105538A1. Автор: TSAI Teng-Chun,Lee Shen-Nan,Hsu Chung-Wei,SU Yu-Chung,WU Chen-Hao,TSAI Tsung-Ling. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-04-02.

Method for forming multi-layer horizontal NOR type thin film memory string

Номер патента: CN113169170A. Автор: J.周,S.B.赫纳,W-Y.H.钱,E.哈拉里. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-23.

Manufacturing methods of fine cerium oxide particles and its slurry for shallow trench isolation process of semiconductor

Номер патента: WO2008023858A1. Автор: Ho-Seong Nam,Jin-Seo Lee,Gui-Ryong Ahn,Man-Woo Jung,Soon-Young Soh,Joo-Hyeong Lee,Young-Sik Hahn,Wan-Jae Myeong. Владелец: Hanwha Chemical Corporation. Дата публикации: 2008-02-28.

Manufacturing methods of fine cerium oxide particles and its slurry for shallow trench isolation process of semiconductor

Номер патента: KR100743457B1. Автор: 한영식,남호성,이진서,안귀룡,이주형,명완재,정만우,소순영. Владелец: 한화석유화학 주식회사. Дата публикации: 2007-07-30.

Etching method of back side of substrate using plasma without protective coating on front side of semiconductor substrate

Номер патента: KR950034547A. Автор: 요제프 마투니. Владелец: 발도르프, 옴케. Дата публикации: 1995-12-28.

Semiconductor package structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11862587B2. Автор: Mark Gerber. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Integrated circuit package with multi-layered metallization lines

Номер патента: US20240006327A1. Автор: Robert A. May,Aleksandar Aleksov,Kristof Darmawikarta,Hsin-Wei Wang,Darko Grujicic,Suddhasattwa NAD,Leonel Arana,Brandon Marin,Benjamin DUONG,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor package having substrate with multi-layer metal bumps

Номер патента: US20030116866A1. Автор: Lee Chai,Victor Cher 'Khng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-26.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09899275B2. Автор: Kenzo Naito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070128833A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Takuya Tsurume,Tomoko Tamura,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Method of wafer dicing and manufacturing method of semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240290658A1. Автор: Jimin Kim,Youngchul KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for improving surface of semiconductor device

Номер патента: US11749524B2. Автор: Jung-Tang WU,Chin-Szu Lee,Szu-Hua Wu,Yao-Shien Huang,Yu-Jen Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030096505A1. Автор: Kenji Shintani,Junji Tanimura,Takahiro Maruyama,Mutumi Tuda,Ryoichi Yoshifuku. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Methods of manufacturing multi-die semiconductor device packages and related assemblies

Номер патента: US09865578B2. Автор: Wei Zhou,Sony Varghese,Aibin Yu,Zhaohui Ma,Jonathan S. Hacker,Bret K. Street,Shijian Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor devices comprising protected side surfaces and related methods

Номер патента: US09786643B2. Автор: Wei Zhou,Aibin Yu,Zhaohui Ma,Soo Loo Ang,Chee Chung So. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240274698A1. Автор: Takashi Yoshimura,Misaki Uchida,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Manufacturing method of semiconductor device including a nitride semiconductor layer

Номер патента: US09905433B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima,Akira Uedono. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods of forming hydrophobic surfaces on semiconductor device structures, methods of forming semiconductor device structures, and semiconductor device structures

Номер патента: US20130292647A1. Автор: Prashant Raghu,Ian C. Laboriante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09960278B2. Автор: Keiji Sato,Tetsunori Maruyama,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Atsuo Isobe,Sachiaki TEZUKA,Tsutomu Murakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Structure and formation method of semiconductor device with channel layer

Номер патента: US09847334B1. Автор: Shih-Chieh Chang,Tsung-Lin Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Test architecture of semiconductor device, test system, and method of testing semicondurctor devices at wafer level

Номер патента: US09824946B2. Автор: Young-Yong Byun,Chi-wook Kim,Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Group iii nitride-based monolithic microwave integrated circuits having multi-layer metal-insulator-metal capacitors

Номер патента: US20230291367A1. Автор: Scott Sheppard,Jeremy Fisher,Dan Namishia. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Group iii nitride-based monolithic microwave integrated circuits having multi-layer metal-insulator-metal capacitors

Номер патента: WO2023172403A1. Автор: Scott Sheppard,Jeremy Fisher,Dan Namishia. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-09-14.

Insulation systems and methods of depositing insulation systems

Номер патента: US20200347509A1. Автор: Anil Raj Duggal,Ravisekhar Nadimpalli Raju,Weijun Yin. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-11-05.

Method of manufacturing wiring substrate and method of manufacturing electronic component device

Номер патента: US8176627B2. Автор: Kazuhiro Kobayashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-15.

Method of forming multi-layer bumps on a substrate

Номер патента: DE102006051151A1. Автор: Hei Ming Shiu,On Lok Chau,Gor Amie Lai. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-06-06.

Method for forming multi-layer bumps on a substrate

Номер патента: TWI330876B. Автор: Hei Ming Shiu,On Lok Chau,Gor Amie Lai. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-09-21.

Method for forming multi-layer bumps on a substrate

Номер патента: KR101279234B1. Автор: 헤이 밍 시우,온 록 차우,고 아미 라이. Владелец: 프리스케일 세미컨덕터, 인크.. Дата публикации: 2013-06-26.

Wafer scale package and method of assembly

Номер патента: EP1606840A1. Автор: Li-Shu Chen,Philip C. Smith,Howard Fudem,Thomas J. Moloney. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2005-12-21.

Waveguide of multi-layer metal structure and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2009048207A1. Автор: Dong-Hyun Lee,Sung-Tae Choi,Young-Hwan Kim,Young-Woo Kwon,Cheol-Gyu Hwang,Jung-han Choi,Woo-Yeol Choi. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2009-04-16.

Method of forming solder bump terminals on semiconductor elements

Номер патента: US4273859A. Автор: Arthur H. Mones,Jack A. Sartell,Vahram S. Kardashian. Владелец: Honeywell Information Systems Inc. Дата публикации: 1981-06-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080268601A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-30.

Growth substrate, nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666759B2. Автор: Minseok Choi,Taehyeong Kim,Jonghyun Rho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234557A1. Автор: Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4401145A1. Автор: Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Etching method of metal wiring contact region of semiconductor device

Номер патента: KR940002949A. Автор: 양대근. Владелец: 금성 일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1994-02-19.

Multi-layer metalizing method of semiconductor device

Номер патента: KR950011554B1. Автор: 오민록. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1995-10-06.

Method for forming multi-layer wiring of semiconductor integrated circuit

Номер патента: JP2671902B2. Автор: 朗 及川,俊一 福山. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-11-05.

Method for forming metal wiring contact portion of semiconductor device

Номер патента: JP3510939B2. Автор: スック キム ヒュン. Владелец: エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド. Дата публикации: 2004-03-29.

Photo mask set for forming multi-layered interconnection lines and semiconductor device fabricated using the same

Номер патента: KR100519795B1. Автор: 김성진,장승현,남기흠. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-10.

Multi-layer metal interconnection structure of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100198649B1. Автор: 전병욱,박유배. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Lower layer film formation composition for lithography and method for forming multi-layer resist pattern

Номер патента: TWI437370B. Автор: Seiji Kita,Mitsuharu Kitamura,Dai Oguro,Go Higashihara,Masashi Ogiwara. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co. Дата публикации: 2014-05-11.

METHOD FOR FORMING HEXAGONAL BORON NITRIDE THIN FILM, METHOD FOR FORMING MULTI-LAYERED STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SWITCHING ELEMENT USING THE SAME

Номер патента: US20200144390A1. Автор: PARK Jaehyun,SIM Yumin,KIM Jaikyeong. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-05-07.

METHOD FOR FORMING MULTI-LAYER FILM AND PATTERNING PROCESS

Номер патента: US20170199457A1. Автор: KORI Daisuke,Hatakeyama Jun. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2017-07-13.

METHOD OF MAKING A TRANSISTOR HAVING A SOURCE AND A DRAIN OBTAINED BY RECRYSTALLIZATION OF SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20170345931A1. Автор: Batude Perrine,Reboh Shay,PIEGAS LUCE Flavia. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Forming method of multi-layered metal-silicide nanocrystal floating gate

Номер патента: KR101132863B1. Автор: 윤종환. Владелец: 강원대학교산학협력단. Дата публикации: 2012-04-03.

Coated thin metal wire and method for making semiconductor device using same

Номер патента: CN1215214A. Автор: 木村直人,伊藤隆博. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-04-28.

Interconnections including multi-layer metal film stack for improving corrosion and heat resistances

Номер патента: TW200414431A. Автор: Satoshi Doi. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2004-08-01.

Interconnections including multi-layer metal film stack for improving corrosion and heat resistances

Номер патента: TWI234232B. Автор: Satoshi Doi. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2005-06-11.

Multi-Layer Metal Contacts

Номер патента: US20140252433A1. Автор: Lai Chih-Ming,Hsieh Ken-Hsien,Liu Ru-Gun,Shieh Ming-Feng,GAU Tsai-Sheng,Tseng Wen-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-11.

Methods of manufacturing a substrate for a mask blank, a mask blank, a photomask and a semiconductor device

Номер патента: TW201044105A. Автор: Masaru Tanabe. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2010-12-16.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US8067274B2. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-29.

Semiconductor device and method of forming TSV semiconductor wafer with embedded semiconductor die

Номер патента: US09754858B2. Автор: Seung Uk Yoon,Yaojian Lin,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method of forming vertical interconnect in FO-WLCSP using leadframe disposed between semiconductor die

Номер патента: US09842808B2. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,HanGil Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of forming capacitor of semiconductor device by successively forming a dielectric layer and a plate electrode in a single processing chamber

Номер патента: US20060234500A1. Автор: Jong Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09741578B2. Автор: Tohru Oka,Noriaki Murakami,Kota YASUNISHI. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of forming fine island patterns of semiconductor devices

Номер патента: US20190074182A1. Автор: Shing-Yih Shih,Chiang-Lin Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Method of forming strained structures of semiconductor devices

Номер патента: US09748388B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20150118852A1. Автор: Yool Kang,Hyung-Rae Lee,Seong-Ji Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688863C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Manufacturing method of semiconductor structure for improving quality of epitaxial layers

Номер патента: US09741818B2. Автор: Yu-Ying Lin,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Tien-I Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of forming inner spacers on a nano-sheet/wire device

Номер патента: US09799748B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Isolation Structures Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20240250122A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Wet processing apparatus, wet processing method and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20040262265A1. Автор: Kazunori Nemoto,Norio Suzuki,Michimasa Funabashi,Hiroyuki Mima,Masakatsu Kuwabara. Владелец: Trecenti Technologies Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Method for manufacturing contact windows with a reduced size for semiconductor devices

Номер патента: RU2767484C1. Автор: Самвел Грантович Тадевосян,Андрей Григорьевич Шелегеда,Михаил Валентинович Хохлов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Монолит". Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor die and method of forming through organic viashaving varying width in peripheral region of the die

Номер патента: SG184758A1. Автор: Byung Tai Do,Reza A Pagaila,Shuangwu Huang. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-10-30.

Semiconductor device and method of unit specific progressive alignment

Номер патента: US20180082911A1. Автор: Christopher M. Scanlan,Craig Bishop. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor device and method of unit specific progressive alignment

Номер патента: WO2018053441A1. Автор: Christopher M. Scanlan,Craig Bishop. Владелец: DECA TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2018-03-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050158943A1. Автор: Yoshihiko Miyawaki. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Multi-channel devices and methods of manufacture

Номер патента: US12087638B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chih-Chung Chiu,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Multi-channel devices and methods of manufacture

Номер патента: US20240363425A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chih-Chung Chiu,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20240371776A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Ying-Cheng Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7803716B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-28.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7439190B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-21.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20080299752A1. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12062552B2. Автор: Takashi Saito,Ryoichi Kato,Yuma Murata,Ryotaro Tsuruoka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Manufacturing method of semiconductor device and dry etching apparatus for the same

Номер патента: US20140273482A1. Автор: Masaki Matsui,Yoshinori Tsuchiya,Shinichi Hoshi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor constructions, methods of forming semiconductor constructions, and methods of recessing materials within openings

Номер патента: US20080169504A1. Автор: David K. Hwang,Aaron R. Wilson,Larson Lindholm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-07-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240304459A1. Автор: Tatsuji Nagaoka,Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20240312852A1. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: RU2606780C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-01-10.

Method of forming and/or modifying a dielectric film on a semiconductor surface

Номер патента: EP1540718A2. Автор: Ignaz Eisele,Jörg SCHULZE,Georg Roters,Zsolt Nenyei,Waltraud Dietl,Alexandra Ludsteck. Владелец: Mattson Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140091316A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180261617A1. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10249637B2. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-04-02.

Fabrication system of semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20200348599A1. Автор: Jinhong Park,Seungmin Lee,Suntaek LIM,Jinseok Heo,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor package and manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US12113022B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Ying-Cheng Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Hard mask composition, carbon nanotube layer structure, pattern forming method, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09892915B2. Автор: Seung Hyun Lee,Yool Kang,Yun Seok Choi,Seung Yun Yang,Yi Seul Kim,Kyoung Sil PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09818840B2. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09799572B2. Автор: Takehiro Oura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09721805B1. Автор: Yi-Wei Chiu,Tzu-Chan Weng,Chen-Wei Pan,Chia-Hui Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09673331B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device structures with doped elements and methods of formation

Номер патента: US09773677B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor Device and Method of Forming Conductive Pillars in Recessed Region of Peripheral Area around the Device for Electrical Interconnection to Other Devices

Номер патента: US20120175770A1. Автор: Byung Tai Do,Reza A. Pagaila,Linda Pei Ei Chua. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-07-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09972508B2. Автор: Kei Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Cooling Cover and Packaged Semiconductor Device Including the Same

Номер патента: US20230420337A1. Автор: Chih-Hang Tung,Chung-Jung Wu,Tung-Liang Shao,Sheng-Tsung HSIAO,Jen Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method of forming package-on-package structure electrically interconnected through TSV in WLCSP

Номер патента: US09922955B2. Автор: Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Dioscoro A. Merilo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrated Assemblies Which Include Carbon-Doped Oxide, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20190348419A1. Автор: Sanh D. Tang,Silvia Borsari,Sau Ha Cheung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180069135A1. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09972725B2. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device having multiple die redistribution layer

Номер патента: US20080157355A1. Автор: Hem Takiar,Shrikar Bhagath. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-07-03.

Method and apparatus for forming multi-layered vias in sequentially fabricated circuits

Номер патента: US20160343652A1. Автор: Maurice S. Karpman,Gary B. Tepolt,Russell Berman,Nicole S. Mueller. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Multi-layered metal frame power package

Номер патента: WO2023133448A2. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas. Владелец: FERRIC INC.. Дата публикации: 2023-07-13.

Multi-layered metal frame power package

Номер патента: WO2023133448A3. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas. Владелец: FERRIC INC.. Дата публикации: 2023-08-24.

Punched adhesive tape for semiconductor, method of manufacturing lead frame with the adhesive tape, lead frame with the adhesive tape, and semiconductor device comprising the lead frame

Номер патента: US20030021990A1. Автор: Yoshihiro Nomura,Hiroshi Kirihara,Yoshiyuki Tanabe,Youichi Hosokawa,Shinji Iioka,Satoru Yanagisawa. Владелец: Satoru Yanagisawa. Дата публикации: 2003-01-30.

Multi-layered metal routing technique

Номер патента: US7012020B2. Автор: Tzong-Shi Jan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-03-14.

Punched adhesive tape for semiconductor, method of manufacturing lead frame with the adhesive tape, lead frame with the adhesive tape, and semiconductor device comprising the lead frame

Номер патента: US6523446B1. Автор: Yoshihiro Nomura,Hiroshi Kirihara,Yoshiyuki Tanabe,Youichi Hosokawa,Shinji Iioka,Satoru Yanagisawa. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-25.

Semiconductor Device and Method of Forming Holes In Substrate to Interconnect Top Shield and Ground Shield

Номер патента: US20110121432A1. Автор: KyungHoon Lee,Sunmi Kim,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-05-26.

Semiconductor device and method of forming holes in substrate to interconnect top shield and ground shield

Номер патента: US8264059B2. Автор: KyungHoon Lee,Sunmi Kim,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-09-11.

Semiconductor Device and Method of Forming Holes in Substrate to Interconnect Top Shield and Ground Shield

Номер патента: US20120292751A1. Автор: KyungHoon Lee,Sunmi Kim,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor Device and Method of Forming Protective Coating Material Over Semiconductor Wafer to Reduce Lamination Tape Residue

Номер патента: US20110266656A1. Автор: WonJun Ko,JaEun Yun,HunTeak Lee,SeungYong Chai. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-11-03.

Method of forming package structure

Номер патента: US20240347506A1. Автор: Wen-Chih Chiou,Ebin Liao,Yi-Hsiu Chen,Hong-Ye Shih,Jia-Ling Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Shielding elements for packages of semiconductor devices

Номер патента: US20230056509A1. Автор: Ranjan Rajoo,Venkata Narayana Rao Vanukuru. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Methods of processing wafer-level assemblies to reduce warpage, and related assemblies

Номер патента: US09786612B2. Автор: Wei Zhou,Aibin Yu,Zhaohui Ma,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of encapsulating semiconductor devices utilizing a dispensing apparatus with rotating orifices

Номер патента: US20020058360A1. Автор: Joseph M. Brand,Scott Gooch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Cutting method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050012193A1. Автор: Kiyoshi Mita,Koujiro Kameyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Method of making a plurality of packaged semiconductor devices

Номер патента: US20180301353A1. Автор: Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Jetse de Witte,Jan Gulpen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-10-18.

Method of making a plurality of packaged semiconductor devices

Номер патента: US10431476B2. Автор: Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Jetse de Witte,Jan Gulpen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-10-01.

Subtractive Metal Structuring on Surface of Semiconductor Package

Номер патента: US20240312956A1. Автор: Chee Hong Lee,Swee Kah Lee,Pei Luan Pok,Soon Lock Goh,Chee Chiew Chong,Samsun Paing. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-19.

A method for transferring and stacking of semiconductor devices

Номер патента: EP1252654A2. Автор: Eric Beyne,Staf Borghs,Raf Vandersmissen. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2002-10-30.

Thermosetting resin composition (versions), construction of attachment of semiconductor device and method of manufacture of semiconductor device with use of thermosetting resin composition

Номер патента: RU2195474C2. Автор: Марк КОНАРСКИЙ,Збигнев А. ЩЕПАНЯК. Владелец: Локтайт Корпорейшн. Дата публикации: 2002-12-27.

Methods of reinforcing integrated circuitry of semiconductor devices and related semiconductor devices and packages

Номер патента: US20190393110A1. Автор: AJAY Kumar,John House,Hyunsoo Yeom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

mask sheet for assembly of semiconductor device and assembling method of semiconductor device

Номер патента: MY138636A. Автор: Toshihiro NAKAJIMA,Yuichi Moriya,Katsuji Nakaba. Владелец: Tomoegawa Paper Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-31.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240312976A1. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09837376B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210327779A1. Автор: Shotaro SAKUMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190318939A1. Автор: Shoji Hashizume,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9076777B2. Автор: Yoshiharu Kaneda,Naoko Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Methods of forming conductors on substrates involving electroplating

Номер патента: GB1527108A. Автор: . Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1978-10-04.

Semiconductor Device and Method of Forming Multi-Layered UBM with Intermediate Insulating Buffer Layer to Reduce Stress for Semiconductor Wafer

Номер патента: US20140070410A1. Автор: Choi JoonYoung,Choi DaeSik,Kwon WonIl. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2014-03-13.

Passivation layer for semiconductor device packaging

Номер патента: US20120208321A1. Автор: David Keating Foote,James Donald Getty. Владелец: Nordson Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING MULTI-LAYERED VIAS IN SEQUENTIALLY FABRICATED CIRCUITS

Номер патента: US20160343652A1. Автор: Tepolt Gary B.,Karpman Maurice S.,BERMAN Russell,Mueller Nicole S.. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

METAL PAD OFFSET FOR MULTI-LAYER METAL LAYOUT

Номер патента: US20150048518A1. Автор: CHIEN Volume,CHEN I-CHIH,CHEN Ying-Hao,LIN Kun-Huei,Tsai Fu-Tsun,Jeng Chi-Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-02-19.

Zirconium as an adhesion material in a multi-layer metallic structure

Номер патента: US4751349A. Автор: Da-Yuan Shih,Jungihl Kim,Sheree H. Wen,Walter F. Lange. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-06-14.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040115924A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Manufacturing method of semiconductor device comprising oxide semiconductor film

Номер патента: US09905435B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Double etch stop layer to protect semiconductor device layers from wet chemical etch

Номер патента: US20210082866A1. Автор: Chen Yu Chen,Eugene Chen,Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160027651A1. Автор: Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09893202B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Layout of semiconductor device, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10553577B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20010053579A1. Автор: TAKESHI Toda,Yoshiro Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2015177685A1. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-11-26.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210320193A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Naoki Okuno,Yuji EGI,Tetsuya Kakehata,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Manufacturing method of microcrystalline semiconductor film and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110263080A1. Автор: Satoshi Toriumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

A method of forming dual gate oxide layers of varying thickness on a single substrate

Номер патента: EP1145307A1. Автор: Jeffrey Lutze,Emmanuel de Muizon. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2001-10-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170125553A1. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09831326B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240234419A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien Ning Yao,Lo Heng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: US20210343598A1. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Gate structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US20240322016A1. Автор: Ru-Shang Hsiao,Ying Hsin Lu,Ying Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Manufacturing method of semiconductor device having semiconductor layers with different thicknesses

Номер патента: US8962418B2. Автор: Yutaka Hoshino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09685520B1. Автор: Ta-Kang Lo,Tsai-Fu Chen,Hsin-Ta Hsieh,Chun-Chia Chen,Hung-Chang Chang,Shang-Jr Chen,Chen-Chien Li,Shuo-Lin Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of mounting semiconductor chips on a gold-coated surface

Номер патента: RU2714538C1. Автор: Александр Сергеевич Ионов,Нина Демьяновна Худякова,Татьяна Николаевна Забегина. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2020-02-18.

Method of forming semiconductor plates doped on one side, particularly solar semiconductor plates, and manipulation system for loading process tray with batches of semiconductor plates

Номер патента: RU2411608C1. Автор: Штефан ЙОНАС,Лутц РЕДМАНН. Владелец: Йонас Унд Редманн Аутомационстехник Гмбх. Дата публикации: 2011-02-10.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: RU2606248C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-01-10.

Epitaxial structures of semiconductor devices that are independent of local pattern density

Номер патента: US20200328306A1. Автор: Jin Wallner,Judson Robert Holt,Heng Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200013870A1. Автор: Sungmin Kim,Keun Hwi Cho,Seungseok HA,Gukil AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-09.

[method of forming ldd of semiconductor devices]

Номер патента: US20040229416A1. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-11-18.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US7235449B2. Автор: Eun Soo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-26.

Semiconductor device and method of forming the same as well as data processing system including the semiconductor device

Номер патента: US20120025324A1. Автор: Yoshihiro Takaishi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20060258106A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-11-16.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20070210358A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor device with low resistances and methods of forming such

Номер патента: US12094938B2. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao,Wang-Chun Huang,Yu-Xuan Huang,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of fabricating multi-fingered semiconductor devices on a common substrate

Номер патента: US20110171801A1. Автор: Akif Sultan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Method of making semiconductor pressure sensors

Номер патента: RU2702820C1. Автор: Сергей Павлович Малюков,Александр Михайлович Светличный,Юлия Владимировна Клунникова,Александр Викторович Саенко,Дина Алексеевна Бондарчук,Дмитрий Викторович Тимощенко. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет). Дата публикации: 2019-10-11.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2726904C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-07-16.

Article containing a silicon base and a coating layer in the form of a nanofilm of carbon with a diamond-type crystal lattice, and a method of making said article

Номер патента: RU2715472C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-02-28.

Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190071771A1. Автор: Fumiki Aiso,Tomohisa Iino,Kensei Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Methods of forming a plurality of semiconductor layers using trench arrays

Номер патента: WO2001063654A2. Автор: Robert F. Davis,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2001-08-30.

Method of semiconductor arrangement formation

Номер патента: US09773889B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Wei-Chieh Chen,Shu-Han Chen,Hao-Hsiung Lin,You-Ru Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2629657C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Sheet of semiconducting material, system for forming same, and method of forming same

Номер патента: WO2014058698A1. Автор: Prantik Mazumder,Samir Biswas,Glen Bennett Cook,Balram Suman,Kamal Kishore Soni,Douglass Lane Blanding. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2014-04-17.

Method of Forming Ultra Shallow Junction

Номер патента: US20140302656A1. Автор: TianJin XIAO. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-07-22.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor chip, semiconductor wafer, semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020013012A1. Автор: Masao Mitani,Jin Murayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09929160B1. Автор: Sung-dae Suk,Seungmin Song,Yong-Suk Tak,Juri LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09876117B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Chih-Chieh Yeh,Hung-Ming Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of contact-barrier metallization production

Номер патента: RU2698540C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-08-28.

Method of making semiconductor structures

Номер патента: RU2738772C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-12-16.

Vertical structure of semiconductor device and method of formation thereof

Номер патента: RU2338683C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Питер МИТЧЕЛЛ,Ларри Алан НЕСБИТ. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-11-20.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160197050A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yuki YAGYU,Akihiro Tobita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Production process standardization system of semiconductor device and method of same and storage medium storing that method

Номер патента: EP1187045A3. Автор: Nakamura Tadahiko,Kadowaki Tomohiko. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2006-05-03.

Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20080149953A1. Автор: Yoshinori Kinoshita,Masanobu Ando,Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi,Ryohei Inazawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020135074A1. Автор: Haruo Shimamoto,Kazushi Hatauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Methods of forming a stack of multiple deposited semiconductor layers

Номер патента: EP3649670A1. Автор: LONG Lin,Chentsau Ying,Xinhai Han,Liyan Miao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-13.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09768317B2. Автор: Daigo Ito,Kazuya Hanaoka,Takahisa ISHIYAMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09735325B2. Автор: Mitsuyoshi Endo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of forming a submicron t-shaped gate

Номер патента: RU2724354C1. Автор: Евгений Викторович Ерофеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР). Дата публикации: 2020-06-23.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12027377B2. Автор: Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20160070848A1. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-10.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20160079102A1. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Gate Dielectric Of Semiconductor Device

Номер патента: US20140091400A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Formation method of metallic compound layer, manufacturing method of semiconductor device, and formation apparatus for metallic compound layer

Номер патента: US20090170252A1. Автор: Takashi Nakagawa,Toru Tatsumi,Kensuke Takahashi,Kenzo Manabe,Makiko Oshida,Nobuyuki Ikarashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09841672B2. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09660025B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Chih-Chieh Yeh,Hung-Ming Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Device for separation of composite structure from substrate on basis of semiconductor film (options)

Номер патента: RU2683808C1. Автор: Евгений Александрович Емельянов,Михаил Альбертович Путято,Валерий Владимирович Преображенский,Михаил Олегович Петрушков,Борис Рэмович Семягин,Дмитрий Федорович Феклин,Андрей Васильевич Васев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2019-04-02.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240055506A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa,Misaki Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Laser bonding apparatus, method of bonding semiconductor devices, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US10886248B2. Автор: Satoshi Inada,Jun-Su Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230069568A1. Автор: Tsutomu Kato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method of designing layout of semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230290686A1. Автор: Jongdoo Kim,Juyun PARK,Yeojin NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20240274691A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Kuo-Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Device and methods for characterization of semiconductor films

Номер патента: US20240264113A1. Автор: Michel DE KEERSMAECKER,Erin L. RATCLIFF,Neal R. Armstrong. Владелец: University of Arizona. Дата публикации: 2024-08-08.

Fabricating method of semiconductor structure

Номер патента: US20180061963A1. Автор: Chih-Wei Yang,Po-Wen Su,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou,Wen-Chien Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Method of manufacture of integral elements of microcircuits on the epitaxial structures of gallium arsenide

Номер патента: RU2665368C1. Автор: Александр Сергеевич Федоров,Григорий Юрьевич Вечерко. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" ОАО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2018-08-29.

Methods of forming power semiconductor devices having merged split-well body regions therein and devices formed thereby

Номер патента: EP1027725A2. Автор: Jun Zeng,Carl Franklin Wheatley. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2000-08-16.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230307532A1. Автор: Yoshihisa Suzuki,Hiroshi TAKISHITA,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of Forming Contacts for Devices with Multiple Stress Liners

Номер патента: US20120299160A1. Автор: Peter Baars,Thilo Scheiper,Marco Lepper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

Methods of forming doped and un-doped strained semiconductor and semiconductor films by gas-cluster ion irradiation

Номер патента: EP1723667A2. Автор: John O. Epion Corporation BORLAND,John J. Epion Corporation HAUTALA,Wesley J. Epion Corporation SKINNER,Martin D. Epion Corporation TABAT. Владелец: TEL Epion Inc. Дата публикации: 2006-11-22.

Method of manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20070166977A1. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Haruko Akutsu,Yoshimasa Kawase,Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and driving method of semiconductor device

Номер патента: US7508035B2. Автор: Masanao Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Method of manufacture of semiconductor device

Номер патента: US7557040B2. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Haruko Akutsu,Yoshimasa Kawase,Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-07.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stack

Номер патента: US09837487B2. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09768178B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for forming multi-layer film and patterning process

Номер патента: US09785049B2. Автор: Jun Hatakeyama,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Methods of and Apparatus for Electrochemically Fabricating Structures Via Interlaced Layers or Via Selective Etching and Filling of Voids

Номер патента: US20120261267A1. Автор: Dennis R. Smalley. Владелец: Microfabrica Inc. Дата публикации: 2012-10-18.

Methods of detecting bonding between a bonding wire and a bonding location on a wire bonding machine

Номер патента: US20200350216A1. Автор: Gary S. Gillotti. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Method of thin lightshield process for solid-state image sensors

Номер патента: US7402787B2. Автор: Eric G. Stevens,David N. Nichols,Stephen L. Kosman. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2008-07-22.

Method of thin lightshield process for solid-state image sensors

Номер патента: US20080057617A1. Автор: David Nichols,Eric Stevens,Stephen Kosman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-06.

Manufacturing method and measurement method of semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20220352040A1. Автор: Fangfang Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Method of fabricating a multi-layer metal silicide infrared detector

Номер патента: US5015592A. Автор: Anton G. Moldovan. Владелец: Loral Aerospace Corp. Дата публикации: 1991-05-14.

Metal wiring test pattern of semiconductor device

Номер патента: KR19990069045A. Автор: 이강열. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1999-09-06.

Semiconductor integrated circuit device, method of reducing noise produced by semiconductor integrated circuit device and internal power system of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: JPH10135336A. Автор: 浩 三谷,和仁 藤井,信孝 北川,Hiroshi Mitani,Nobutaka Kitagawa,Kazuhito Fujii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-05-22.

Method of producing clear potential contrast image through scanning with electron beam for diagnosis of semiconductor device and electron beam testing system used therein

Номер патента: EP0785441A2. Автор: Hiroyuki Hamada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-07-23.

Method for forming multi-layered binary oxide film for use in resistance random access memory

Номер патента: WO2007004843A1. Автор: Jin-Pyo Hong,Young-Ho Do,Kap-Soo Yoon,Koo-Woong Jeong. Владелец: Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University. Дата публикации: 2007-01-11.

Method for forming multi-layered structure, method for manufacturing wiring substrate, and method for manufacturing electronic apparatus

Номер патента: CN1753600A. Автор: 桜田和昭,新馆刚,山田纯. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-03-29.

Method for forming multi-layer film and patterning process

Номер патента: KR101932832B1. Автор: 다이스케 고리,쥰 하타케야마. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2018-12-27.

High voltage semiconductor device comprising a combined junction terminal protection structure with a ferroelectric material and method of making the same

Номер патента: US11862674B2. Автор: Min-Hwa Chi,Min Li,Richard Ru-Gin Chang. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

High pressure device of resurf containing ferroelectric material and method of making the same

Номер патента: US20210399086A1. Автор: Min-Hwa Chi,Min Li,Richard Ru-Gin Chang. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Methods of detecting bonding between a bonding wire and a bonding location on a wire bonding machine

Номер патента: US11404330B2. Автор: Gary S. Gillotti. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2022-08-02.

Multi-layer highly reflective ohmic contacts for light-emitting semiconductor devices

Номер патента: EP1163702A1. Автор: Michael R. Krames,Jonathan J. Wierer, Jr.,Serge L. Rudaz. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2001-12-19.

Method of and apparatus for analyzing ions adsorbed on surface of mask

Номер патента: US20090101811A1. Автор: Dong-Hun Lee,Sung-Jae Han,Hae-Young Jeong,Byung-Cheol Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor device and thin film transistor comprising multi-layered metal oxide thin films, and method for fabricating the same

Номер патента: KR101451928B1. Автор: 윤석현,김현재,김시준,탁영준. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-10-23.

Method of inspecting a semiconductor processing chamber using a vision sensor, and method for manufaturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20210013074A1. Автор: Byeongsang KIM,Kyungwon Yun,Wooram KIM,Taehyoung Lee,Sung Chai KIM,Keonho Lee,Sangil Im,Namyoung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-14.

Method of producing heat-treated coated article with transparent coating of conducting oxide for use in semiconductor device

Номер патента: RU2436743C2. Автор: Алексей КРАСНОВ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2011-12-20.

MULTI-LAYER METAL FILM STACKS FOR SHINGLED SILICON SOLAR CELL ARRAYS

Номер патента: US20190019911A1. Автор: Hardin Brian E.,Peters Craig H.,Suseno Dhea,Hellebusch Daniel J.,Susanto Fillarry. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

Multi-Layer Metal Pads

Номер патента: US20170317042A1. Автор: Weidgans Bernhard,Schneegans Manfred,Haering Franziska. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Regenerator circuit for CCD arrangements in a multi-layer metallization structure

Номер патента: US4230952A. Автор: Karl Knauer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1980-10-28.

Metal particle for adhesive paste, method of preparing the same, solder paste including the same, composite bonding structure formed therefrom, and semiconductor device including the composite bonding structure

Номер патента: US20230117153A1. Автор: Junghoon Lee,Kunmo Chu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Method for forming low-stress multi-layer metallized structure and leadless solder end electrode

Номер патента: CN100428414C. Автор: 王津洲. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-10-22.

Symmetrical multi-layer metal logic array with continuous substrate taps and extension portions for increased gate density

Номер патента: CA2126479C. Автор: Patrick Yin. Владелец: Aspec Tech Inc. Дата публикации: 1998-12-22.

Symmetrical multi-layer metal logic array with continuous substrate taps

Номер патента: CA2114790C. Автор: Patrick Yin. Владелец: Aspec Tech Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Symmetrical Multi-Layer Metal Logic Array with Continuous Substrate Taps and Extension Portions for Increased Gate Density

Номер патента: CA2126479A1. Автор: Patrick Yin. Владелец: Aspec Technology Inc.. Дата публикации: 1995-02-27.

Symmetrical Multi-Layer Metal Logic Array with Continuous Substrate Taps

Номер патента: CA2114790A1. Автор: Patrick Yin. Владелец: Aspec Technology, Inc.. Дата публикации: 1993-12-23.

Semiconductor package with a controlled impedance bus and method of forming same

Номер патента: US20040155318A1. Автор: Donald Perino,Nader Gamini. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2004-08-12.

Semiconductor package with a controlled impedance bus and method of forming same

Номер патента: US20030202373A1. Автор: Donald Perino,Nader Gamini. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2003-10-30.

Mim capacitor of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100155890A1. Автор: Jong-Yong Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Method of designing semiconductor device

Номер патента: US20090134495A1. Автор: Keiichirou Kondou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Structure and formation method of semiconductor device with embedded capacitor

Номер патента: US09761592B2. Автор: Chun-Sheng Wu,Chun-Li Lin,Yung-Tsun LIU,Yi-Fang LI,Geng-Shuoh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device packages including a controller element

Номер патента: US09761562B2. Автор: Seng Kim Dalson Ye,Hong Wan Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240071971A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240321720A1. Автор: Yuki Yano,Yoji Kawauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Housing of semiconductor device from metal matrix composite and method of its manufacturing

Номер патента: RU2724289C1. Автор: Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Алексеевич Золотарев,Лариса Владимировна Чумакова. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-06-22.

Method of making metal-ceramic housings of to-220, to-247, to-254 type

Номер патента: RU2740006C1. Автор: Владимир Алексеевич Сидоров,Сергей Владимирович Катаев,Алексей Геннадьевич Чупрунов,Андрей Анатольевич Пронин,Кирилл Владимирович Сидоров. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-12-30.

Chip size package and method of fabricating the same

Номер патента: US20010035294A1. Автор: Sang Park,Ji Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Chip size package and method of fabricating the same

Номер патента: GB9915229D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-01.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8928002B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140001482A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20110207263A1. Автор: Mitsuru Watanabe,Tetsuya Fukui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080220568A1. Автор: Hiroshi Sato,Akira Muto,Masahiko Osaka,Hiroyuki Nakamura,Katsuo Arai,Takuya Nakajo,Ichio Shimizu,Hidemasa Kagii,Keiichi Okawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Methods of Forming Integrated Assemblies Having Conductive Material Along Sidewall Surfaces of Semiconductor Pillars

Номер патента: US20240365538A1. Автор: Hong Li,Sanh D. Tang,Ramaswamy Ishwar Venkatanarayanan,Erica L. Poelstra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods of forming integrated assemblies having conductive material along sidewall surfaces of semiconductor pillars

Номер патента: US12069852B2. Автор: Hong Li,Sanh D. Tang,Ramaswamy Ishwar Venkatanarayanan,Erica L. Poelstra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2748455C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-05-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110183470A1. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2007043285A9. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Ryosuke Watanabe. Дата публикации: 2007-06-07.

Fabrication method of semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20220301948A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Method of forming a diode for integration with a semiconductor device and method of forming a transistor device having an integrated diode

Номер патента: EP1102318B1. Автор: Evgueniy Stefanov,Jean-Michel Reynes,Ivana Deram. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-29.

Method of production of semiconductor device

Номер патента: US20170186874A1. Автор: Tetsuya Goto,Makoto Takeshita. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240312997A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of forming a semiconductor device including forming a shield conductor overlying a gate conductor

Номер патента: US09780196B2. Автор: Gordon M. Grivna,Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Manufacturing method of light emitting device

Номер патента: US9887337B2. Автор: Shinji Nakamura,Akinori Yoneda,Yoshiyuki Aihara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

FinFET with Embedded MOS Varactor and Method of Making Same

Номер патента: US20150270368A1. Автор: Chung-Hui Chen,Jaw-Juinn Horng,Po-Zeng Kang,Wan-Te CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-24.

Manufacturing method of light emitting device

Номер патента: US20170301844A1. Автор: Shinji Nakamura,Akinori Yoneda,Yoshiyuki Aihara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Manufacturing method of light emitting device

Номер патента: US09887337B2. Автор: Shinji Nakamura,Akinori Yoneda,Yoshiyuki Aihara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor Device and Method of Forming Bump Structure with Insulating Buffer Layer to Reduce Stress on Semiconductor Wafer

Номер патента: US20120217640A1. Автор: SungWon Cho,Joonyoung Choi,YoungJoon Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230197850A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Pei-Yu Wang,Cheng-Ting Chung,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device and method of forming bump structure with insulating buffer layer to reduce stress on semiconductor wafer

Номер патента: US09780063B2. Автор: SungWon Cho,Joonyoung Choi,YoungJoon Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745586C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Semiconductor device with backside contact and methods of forming such

Номер патента: US12087837B2. Автор: Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device with backside contact and methods of forming such

Номер патента: US20240363715A1. Автор: Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for transfer of semiconductor devices

Номер патента: US09871023B2. Автор: Andrew Huska,Cody Peterson,Clinton Adams,Sean Kupcow. Владелец: Rohinni LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Inspection method for semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor device and inspection device for semiconductor substrate

Номер патента: US09753082B2. Автор: Yohei Iwahashi,Hidemi Senda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Field effect transistors having improved breakdown voltages and methods of forming the same

Номер патента: EP2622638A1. Автор: Edward John Coyne,Jagar Singh,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Paul Malachy Daly,Seamus Whiston. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-08-07.

Manufacturing method of semiconductor device using a heat-resistant adhesive sheet

Номер патента: MY164683A. Автор: Chang-Hoon Sim,Ki-Jeong Moon,Sung-Hwan Choi,Hae-Sang Jeon,Yun-Min Park. Владелец: Toray Advanced Mat Korea Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240290886A1. Автор: Feng-Ming Chang,Chih-Chuan Yang,Lien Jung Hung,Kian-Long Lim,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20220344219A1. Автор: Tatsuro SAWADA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240274473A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Yao-Sheng Huang,Jung-Hung CHANG,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: US20040161902A1. Автор: Jeong Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-19.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240162284A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yuusuke OOSHIMA,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20220037491A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US8445359B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Koichiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US20230268409A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Chi On Chui,Chih-Wei Lee,Jo-Chun Hung,Hsin-Han Tsai,Hsiang-Ju LIAO,Yi-Lun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20150059957A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20180038806A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Methods of forming patterns of semiconductor devices

Номер патента: US20170129972A1. Автор: Tasuku Matsumiya,Katsumi Ohmori,Eun-Sung Kim,Shi-Yong Yi,Kyeong-Mi Lee,Seung-chul Kwon,Jeong-Ju Park,Tsuyosh KUROSAWA. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor device, manufacturing method and controlling method of semiconductor device

Номер патента: US20180083026A1. Автор: Kouji Matsuo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Testing of semiconductor devices and devices, and designs thereof

Номер патента: US09945899B2. Автор: Stefano Aresu,Michael Roehner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US09810641B2. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09735267B1. Автор: Yi-Hsien Lin,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of forming perovskite-like material film

Номер патента: RU2692110C1. Автор: Евгений Алексеевич Гудилин,Алексей Борисович Тарасов,Алексей Юрьевич Гришко,Яша Михайлович Финкельберг. Владелец: АО "Красноярская ГЭС". Дата публикации: 2019-06-21.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220320283A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Power semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20100140657A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Nanowire led structure with decreased leakage and method of making same

Номер патента: EP2973756A1. Автор: Scott Brad Herner,Linda Romano,Cynthia LEMAY,Carl Patrik Theodor Svensson. Владелец: Lemay Cynthia. Дата публикации: 2016-01-20.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20090278235A1. Автор: Yoshiro Hirose,Masayuki Asai,Kenji Kanayama,Kazuyuki Okuda,Norikazu Mizuno. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2009-11-12.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US20100171130A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Ceramic composition having dispersion of nano-particles therein and methods of fabricating same

Номер патента: WO2014093391A2. Автор: Georgeta Masson,Juanita N. Kurtin. Владелец: Pacific Light Technologies Corp.. Дата публикации: 2014-06-19.

Apparatus of inspecting resistive defects of semiconductor devices and inspecting method using the same

Номер патента: US20160084901A1. Автор: Yu-Sin Yang,Chung-Sam Jun,Mi-Ra PARK,Sang-Kil Lee,Yong-Deok Jeong,Na-Kyoung LEE,Dae-Jin SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-24.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018614B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: WO2010070269A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Advantage West Midlands. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: EP2366198A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Advantage West Midlands. Дата публикации: 2011-09-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12021080B2. Автор: Dongsoo Lee,Wonkeun Chung,Hoonjoo NA,Suyoung BAE,Jaeyeol Song,Jonghan LEE,HyungSuk Jung,Sangjin Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210028068A1. Автор: Naoto Horiguchi,Lars-Ake Ragnarsson,Yusuke Oniki,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-01-28.

Method for measuring withstand voltage of semiconductor epitaxial wafer and semiconductor epitaxial wafer

Номер патента: US20050118736A1. Автор: Makoto Kiyama,Masashi Yamashita,Katsushi Akita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-06-02.

Method for measuring withstand voltage of semiconductor epitaxial wafer and semiconductor epitaxial wafer

Номер патента: US7195937B2. Автор: Makoto Kiyama,Masashi Yamashita,Katsushi Akita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2007-03-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: SG10201802450PA. Автор: LEE Dongsoo,Hyun Sangjin,Na Hoonjoo,Chung Wonkeun,Bae Suyoung,Song Jaeyeol,Lee Jonghan,Jung HyungSuk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070032056A1. Автор: Izuo Iida. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US20230301064A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of fabricating specimen for analyzing defects of semiconductor device

Номер патента: US5840205A. Автор: Doo-Jin Park,Jeong-Hoi Koo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6608344B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-19.

Method of wire bonding of a semiconductor device for resolving oxidation of copper bonding pad

Номер патента: US20040082174A1. Автор: Yu-Chun Huang,Ning Huang,Wen-Tsung Weng,Wen-Lo Shieh,Hui-Pin Chen,Fu-Yu Huang,Chia-Ling Lu,Chih-Yu Tsai,Shu-Wan Lu,Mei-Hua Chen,Yu-Ju Wang,Ya-Hsin Tseng,Zhe-Sung Wu,Tzu-Lin Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20010008789A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20020038881A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100120241A1. Автор: Shigeru Saito. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Structure and formation method of semiconductor device with epitaxial structures

Номер патента: US20240355901A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien-Ning YAO,Tsung-Han CHUANG,Chia-Cheng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit, semiconductor device, and method of designing layout of semiconductor device

Номер патента: US20240371830A1. Автор: Hyunchul Hwang,Chanhee Park,Byung-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Conductive paste for front electrode of semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US9023253B2. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li,Ran Guo. Владелец: Soltrium Technology Ltd. Дата публикации: 2015-05-05.

Semiconductor device and operating method of semiconductor device

Номер патента: US12034322B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kei Takahashi,Yuki Okamoto,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Conductive paste for front electrode of semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20150162481A1. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li. Владелец: Soltrium Tech Ltd Shenzhen. Дата публикации: 2015-06-11.

Method of making less electric current dependence of electric current gain of semiconductor device

Номер патента: US20140030878A1. Автор: Yutaka Hayashi,Toshitaka Ota,Yasushi Nagamune. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240055503A1. Автор: Mark Griswold,Arash Elhami Khorasani. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20120077310A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180145001A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190057913A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20160035636A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8415199B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

3D devices with 3D diffusion breaks and method of forming the same

Номер патента: US12040236B2. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Conductive paste for front electrode of semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20150159026A1. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li. Владелец: Soltrium Tech Ltd Shenzhen. Дата публикации: 2015-06-11.

Resistive random access memory devices, and related semiconductor device structures

Номер патента: US20140145138A1. Автор: Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Analysis method, storage medium, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230118297A1. Автор: Yusuke Shimizu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230276718A1. Автор: Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Amrita Singh,Elvedin MEMISEVIC. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device, display device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040113150A1. Автор: Satoshi Murakami,Masayuki Sakakura,Hirokazu Yamagata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor device, display device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030038321A1. Автор: Satoshi Murakami,Masayuki Sakakura,Hirokazu Yamagata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-27.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6514812B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Manufacturing method of semiconductor device having DRAM capacitors

Номер патента: US20020086493A1. Автор: Ken Inoue,Ryo Kubota. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100112770A1. Автор: Yoshitaka Kubota. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-06.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US20030100156A1. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Methods of designing layout of semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240265184A1. Автор: Sungwe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of semiconductor device fabrication

Номер патента: WO1999025016A1. Автор: Paul A. Jerred. Владелец: Zetex PLC. Дата публикации: 1999-05-20.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US6624020B2. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-09-23.

Structure and formation method of semiconductor device with photodetector

Номер патента: US20240363774A1. Автор: Chen-Hao Chiang,Jiun-Yi Wu,Li-Weng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Manufacturing method of semiconductor device, manufacturing method of electronic appliance, semiconductor device, display device, memory device, and electronic appliance

Номер патента: US09947802B2. Автор: Masayuki Kimura,Yukiko TOJO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Methods of forming conductive materials on semiconductor devices, and methods of forming electrical interconnects

Номер патента: US09768134B2. Автор: Anilkumar Chandolu,Kenneth N. Hagen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for obtaining consumable electrodes of electroslag remelting for forming multi-layer casting

Номер патента: RU2674596C1. Автор: Валерий Иванович Чуманов,Илья Валерьевич Чуманов,Мария Андреевна Матевеева. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южно-Уральский государственный университет (национальный исследовательский университет)" ФГАОУ ВО "ЮУрГУ (НИУ)". Дата публикации: 2018-12-11.

Shielding film having multi-layered metal structure

Номер патента: US11765875B2. Автор: Haiyu TIAN. Владелец: Haining Zhuotai Electronic Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of forming sheet having foreign material portions used for forming multi-layer wiring board and sheet having foreign portions

Номер патента: US20060223331A1. Автор: Shunji Aoki,Masayuki Yoshida,Genichi Watanabe,Junichi Sutoh. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-10-05.

Method of manufacturing graphene-coated composite powder

Номер патента: US09859030B2. Автор: Jungwoo Lee,Youngil SONG,Sujeong SUH. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2018-01-02.

Vertical cavity surface emitting laser and method of producing same

Номер патента: US20240364081A1. Автор: Ulrich Weichmann,Sven Bader. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of forming multi-layer films using corona treatments

Номер патента: TWI378862B. Автор: Richard Lewis Walter,Gregory Francis King,Mark Anthony Strobel,Scott Lyle Ciliske,Joel Arland Getschel,Mark Jay Kushner. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2012-12-11.

Method for forming multi-layer embedded capacitors on a printed circuit board

Номер патента: US7444727B2. Автор: Gregory J. Dunn,Jovica Savic,Remy J. Chelini. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2008-11-04.

Method for forming multi layer ceramic chip and multi layer ceramic capacitor

Номер патента: KR100650319B1. Автор: 신유선. Владелец: 신유선. Дата публикации: 2006-11-27.

Method for forming multi-layered ceramic chip and multi-layered ceramic capacitor

Номер патента: WO2006049429A1. Автор: Yu-Seon Shin. Владелец: Yu-Seon Shin. Дата публикации: 2006-05-11.

High-temperature superconducting coil and method of manufacturing same

Номер патента: US09721708B2. Автор: Tomohisa Yamashita,Katsutoshi Mizuno,Masafumi Ogata. Владелец: RAILWAY TECHNICAL RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2017-08-01.

Multi-layer metallization for multi-channel emitter array

Номер патента: US12003076B2. Автор: Ajit Vijay Barve,Eric R. Hegblom,Matthew Glenn Peters. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

MULTI-LAYER METALLIZATION FOR MULTI-CHANNEL EMITTER ARRAY

Номер патента: US20210344174A1. Автор: Barve Ajit Vijay,HEGBLOM Eric R.,PETERS Matthew Glenn. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-04.

A three-dimensional microstructure having a first dielectric element and a second multi-layer metal element configured to define a non-solid volume

Номер патента: US20160336635A1. Автор: William D. Houck,David W. Sherrer. Владелец: Nuvotronics Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

MULTI-LAYERED METAL-CARBON MATERIALS-BASED NANOARCHITECTURES

Номер патента: US20190388883A1. Автор: Zeng Zhiping,Tan Thatt Yang Timothy. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-12-26.

Anode active material comprising multi layered metal nanotube, anode and lithium battery comprising the material, and preparation method thereof

Номер патента: KR101890742B1. Автор: 백운규,김한수,최재만,황승식,권문석,송민상,손정국,김명훈,송태섭. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2018-08-23.

Microstrip stack patch antenna using multi-layered metallic disk and a planar array antenna using it

Номер патента: KR100683005B1. Автор: 김창주,엄순영,전순익. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2007-02-15.

Anode active material comprising multi layered metal nanotube, anode and lithium battery comprising the material, and preparation method thereof

Номер патента: KR20130010733A. Автор: 백운규,김한수,최재만,황승식,권문석,송민상,손정국,김명훈,송태섭. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2013-01-29.

Shaped-beam antenna with multi-layered metallic disk array structure surrounded by dielectric ring

Номер патента: US20100109964A1. Автор: Soon-Young Eom,Je-Hoon Yun,Soon-Ik Jeon,Chang-Joo Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-05-06.

Self-aligned multi-layer metal film electro-lens of a micro-column electron beam apparatus and method for fabricating same

Номер патента: KR100496643B1. Автор: 김대용,최상국. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2005-06-20.

Wire connector and method of using said connector

Номер патента: US3566006A. Автор: Irving R Metcalf. Владелец: Ideal Industries Inc. Дата публикации: 1971-02-23.

Fabrication method of semiconductor luminescent device

Номер патента: US7629187B2. Автор: Hiroyuki Sumitomo,Makoto Ueda,Satoshi Kajiyama. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2009-12-08.

Method of fastening parts inside vacuum devices

Номер патента: RU2622050C2. Автор: Иван Алексеевич Свищёв,Михаил Рувимович Айнбунд,Андрей Владимирович Пашук,Елена Борисовна Андреева. Владелец: Открытое акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт "Электрон". Дата публикации: 2017-06-09.

Fabrication method of semiconductor luminescent device

Номер патента: US20070166961A1. Автор: Hiroyuki Sumitomo,Makoto Ueda,Satoshi Kajiyama. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Manufacturing method of semiconductor device, exposure data preparing method, preparing method of aperture mask data, and charge beam exposure apparatus

Номер патента: US20020142238A1. Автор: Ryoichi Inanami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Multi-layered body with first layer sensitive to laser radiation and second layer sensitive to laser radiation and method for forming multi-layer image in such a multi-layered body

Номер патента: RU2296378C2. Автор: Норберт ЛУТЦ,Герхард ЦИННЕР,Маттиас ШУМАХЕР,Ульрих КНААК,Дирк ФИШЕР,Норберт ЛУТЦ (DE),Герхард ЦИННЕР (DE),Маттиас ШУМАХЕР (DE),Ульрих КНААК (DE),Дирк ФИШЕР (DE). Владелец: Орга Системз Гмбх. Дата публикации: 2007-03-27.

Multi-layered metallic armour with non-bonded regions and method for forming the same

Номер патента: EP3782813A1. Автор: Marc R. Matsen,John R. Hull,Mark A. Negley,Landon K. Henson. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-02-24.

Method for forming non-bonded regions in multi-layered metallic armor

Номер патента: US11865809B2. Автор: Marc R. Matsen,John R. Hull,Mark A. Negley,Landon K. Henson. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for manufacturing integrally formed multi-layer light-emitting device

Номер патента: US20130283604A1. Автор: Yung-Fu Wu,Jon-Fwu Hwu,Kui-Chiang Liu. Владелец: Gem Weltronics TWN Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Process for forming multi layered shaped film

Номер патента: RU2678037C2. Автор: Курт БИННЕР,Кеннет А. ПЕЛЛИ. Владелец: Джонсон энд Джонсон Консьюмер Инк.. Дата публикации: 2019-01-22.

Method for forming multi-layer coating film

Номер патента: US20230302493A1. Автор: Hiroshi Murata,Kaisei TERADA. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Curable film-forming compositions containing lithium silicates as the corrosion inhibitors and coated multi-layer metal substrates

Номер патента: RU2682604C1. Автор: Эрик Л. МОРРИС,Майкл А. МЭЙО,Элизабет А. ФУРАР,Томми Дж. БАНТЕН. Владелец: Прк-Десото Интернэшнл, Инк.. Дата публикации: 2019-03-19.

Multi-layer metallized paper-based packaging material

Номер патента: US20230272584A1. Автор: Alexey VISHTAL,Abhijit Bhattacharya. Владелец: SOCIETE DES PRODUITS NESTLE SA. Дата публикации: 2023-08-31.

Multi-layer metallized paper-based packaging material

Номер патента: WO2023198730A1. Автор: Gerhard Niederreiter,Abhijit Bhattacharya,Jenni Irina JUKARAINEN,Nicola Galaffu,Karim Missoum,Marie-Amélie Françoise Suzanne GLERON. Владелец: Societe des Produits Nestle S.A.. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of forming multi-layer film

Номер патента: WO2003012887A1. Автор: Masaharu Kawachi,Masahito Yoshizawa. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2003-02-13.

Improved process for deposition and forming multi-layer nano metal particle based compound materials

Номер патента: WO2018163191A1. Автор: Adarsh SIMON. Владелец: Simon Adarsh. Дата публикации: 2018-09-13.

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING MULTI-LAYERED METALLIC ARMOR

Номер патента: US20190289681A1. Автор: Matsen Marc R.,Negley Mark A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

Display device substrate, method for manufacturing the same, display device, method for forming multi-layer wiring, and multi-layer wiring substrate

Номер патента: WO2009110136A1. Автор: 森脇弘幸. Владелец: シャープ株式会社. Дата публикации: 2009-09-11.

A method for forming a light oil passage in a multi-layer target and a method for forming an ultraviolet laser system (method for forming multi-layered targets)

Номер патента: KR970704544A. Автор: 마크 디. 오웬,제임스 엔 오브리엔. Владелец: 일렉트로 사이언티픽 인더스트리스, 인코포레이티드. Дата публикации: 1997-09-06.

Method for forming multi-layered binary oxide film for use in resistance random access memory

Номер патента: EP1905086A4. Автор: Jin-Pyo Hong,Young-Ho Do,Kap-Soo Yoon,Koo-Woong Jeong. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2011-12-21.

Method for forming multi-layer circuit

Номер патента: JPH06103794B2. Автор: ジヨン・エドウイン・ガンツホーン・ジユニア,ステイーブン・アール・ナン. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1994-12-14.

A method for forming multi-layer PCB for optical-waveguides

Номер патента: KR100467833B1. Автор: 김영우,양덕진,조영상,임규혁. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2005-01-25.

Method and apparatus for forming multi-layered circuits using liquid crystalline polymers

Номер патента: US20070017092A1. Автор: Steven Dutton. Владелец: Dutton Steven L. Дата публикации: 2007-01-25.

Enclosure of anodized multi-layer metallic shell with molded plastic scaffolding and method of manufacture

Номер патента: CN102763295A. Автор: J.秦,S.杜,R.D.米乔斯基,W.B.李,S.纳罗塔莫. Владелец: Flextronics International USA Inc. Дата публикации: 2012-10-31.

SHIELDING FILM HAVING MULTI-LAYERED METAL STRUCTURE

Номер патента: US20220361384A1. Автор: TIAN Haiyu. Владелец: HAINING ZHUOTAI ELECTRONIC MATERIALS CO., LTD. Дата публикации: 2022-11-10.

Stacking and bonding methods for forming multi-layer, three-dimensional, millimeter scale and microscale structures

Номер патента: US09919472B1. Автор: Dennis R. Smalley,Adam L. Cohen,Michael S. Lockard,Kieun Kim,Uri Frodis,Rulon J. Larsen, III. Владелец: Microfabrica Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

A method of forming multi-layer paint films

Номер патента: WO2009019547A3. Автор: Satoshi Matsumoto,Hisayuki Nakashima,Souichi Mori,Daiki Fujihira. Владелец: Daiki Fujihira. Дата публикации: 2009-04-09.

Measuring integrity of semiconductor multi-layer metal structures

Номер патента: US5049811A. Автор: Michael Dreyer,Robert L. Duffin. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1991-09-17.

Semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US12108587B2. Автор: Er Xuan PING,Soon Byung PARK. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of forming metal wiring and metal wiring formed using the same

Номер патента: US8216635B2. Автор: Jae Woo Joung,Tae Hoon Kim,Ji Hoon Lee,In Young Kim,Sung Il Oh,Young Ah Song,Young Chang Joo,Seol Min Yi. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-10.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12102021B2. Автор: HE Qian,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12096703B2. Автор: Qi Xiang,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240341206A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of forming a video signal on a sensor chip, made by the technology of a cmos

Номер патента: RU2709461C1. Автор: Вячеслав Михайлович Смелков. Владелец: Вячеслав Михайлович Смелков. Дата публикации: 2019-12-18.

Multi-layer films and methods of forming same

Номер патента: US09802393B2. Автор: Paul Thomas Weisman,Eric Patton Weinberger,Michael Remus,Pier-Lorenzo Caruso. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods of making melt-bonded thermoplastic bags with tailored bond strength

Номер патента: US09744706B2. Автор: Matthew W. Waldron,Shaun T. Broering,Robert W. Fraser,Michael G. Borchardt,Robert T. Dorsey,Daniel C. Peck,Robert H. Turner,David Hoying. Владелец: Glad Products Co. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of forming a multi-layer paint film

Номер патента: US09718097B2. Автор: Hisayuki Nakashima,Souichi Mori,Takamasa Miyamoto. Владелец: BASF COATINGS GMBH. Дата публикации: 2017-08-01.

Multi-Layer Composite Laminate and Method of Forming Multi-Layer Composite Laminate with Asymmetric Thickness Film Inputs

Номер патента: US20240198631A1. Автор: Joseph E. Luttwak,Mark Emmett Heimstra,Jacob Klatt. Владелец: Lingrove Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Multi-layer composite laminate and method of forming multi-layer composite laminate with asymmetric thickness film inputs

Номер патента: WO2024137815A1. Автор: Joseph E. Luttwak,Jacob Klatt,Mark Emmet Hiemstra. Владелец: Lingrove Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of forming multi-layer coating films on automobile bodies without a primer bake

Номер патента: WO2007044774A3. Автор: Jeffery W Johnson,San C Yuan. Владелец: San C Yuan. Дата публикации: 2007-08-23.

Method of forming multi-layer coating films on automobile bodies without a primer bake

Номер патента: CA2620917A1. Автор: Jeffery W. Johnson,San C. Yuan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Method of forming multi-layer coatings on automobile bodies without a primer bake

Номер патента: CA2620533C. Автор: Delson J. Trindade,Peter W. Uhlianuk,San C. Yuan. Владелец: Coatings Foreign Ip Co Llc. Дата публикации: 2014-01-14.

Method of forming multi-layer coating on automobile bodies without a primer bake

Номер патента: US7867569B2. Автор: Delson Jayme Trindade,Robert R. Matheson,Peter William Uhlianuk,Jeffery W. Johnson,Isidor Hazan. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2011-01-11.

Method of forming multi layer thin film using laser

Номер патента: TW200914922A. Автор: Il-ho Kim. Владелец: Cowindst Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-01.

System of paint coating and method of obtaining multi-layered paint coating

Номер патента: RU2535697C2. Автор: Дэвид КРЭНФИЛЛ,Уолтер Х. ОРБОМ,Грегори Г. МЕНОВЧИК,Пэтрик Дж. МОРМАЙЛ,Доналд Х. КЭМПБЕЛЛ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2014-12-20.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US12073896B2. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of forming multi-layer sintering object support structure

Номер патента: US20190375009A1. Автор: Michael A. Gibson. Владелец: Desktop Metal Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Work with multi layers coating films and method of forming multi layers coating films

Номер патента: US20070065668A1. Автор: Hiroshi Idei. Владелец: Akebono Brake Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-22.

Method of producing panel-shaped products

Номер патента: CA2362720C. Автор: Gernot Von Haas,Kay-Henrik Von Der Heide. Владелец: Dieffenbacher Schenck Panel GmbH. Дата публикации: 2007-01-09.

Process for forming multi-layer coatings

Номер патента: GB1535448A. Автор: . Владелец: Dai Nippon Toryo KK. Дата публикации: 1978-12-13.

Method of forming multi-layer sintering object support structure

Номер патента: US20190375009A1. Автор: Michael A. Gibson. Владелец: Desktop Metal Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Method of forming multi-layered patterned coating film

Номер патента: EP1810757A1. Автор: Takashi Kawasaki,Isao Kamimori,Ikumi Ono. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-25.

Method of forming multi-layer coating on automobile bodies without a primer bake

Номер патента: KR101325475B1. Автор: 이시도르 하잔,제프리 더블유. 존슨,로버트 알. 매테슨,델슨 제이. 트린데이드,피터 더블유. 울리아누크. Владелец: 코팅즈 포린 아이피 코퍼레이션. 엘엘씨. Дата публикации: 2013-11-07.

Method of forming multi-layer coatings on automobile bodies without a primer bake

Номер патента: US7740912B2. Автор: Delson Jayme Trindade,Peter William Uhlianuk,San C. Yuan. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2010-06-22.

A method of forming multi-layer paint films

Номер патента: CN101772382A. Автор: 松本哲,中岛久之,森聪一,藤平大辉. Владелец: BASF Lacke und Farben AG. Дата публикации: 2010-07-07.

Method of forming multi-layer coating film

Номер патента: CA3190236A1. Автор: Hiroshi Murata,Kaisei TERADA. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Packaging for disposable soft contact lenses having pre-formed multi-layer structural laminate

Номер патента: CA2852882C. Автор: Stephen D. Newman. Владелец: Menicon Singapore PTE LTD. Дата публикации: 2021-07-27.

Process for forming multi-layered coatings and multi-layered coating

Номер патента: EP1342509A3. Автор: Hisaichi Muramoto,Hitoshi Hori,Koji Izumiya. Владелец: Nippon Paint Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-17.

Method of forming multi-layer coatings on automobile bodies without a primer bake

Номер патента: CA2620533A1. Автор: Delson J. Trindade,Peter W. Uhlianuk,San C. Yuan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

MULTI-LAYERED BODY WITH THE FIRST LASER SENSITIVE TO LASER RADIATION LAYER AND WITH THE SECOND LASER-SENSITIVE LASER RADIATION LAYER AND METHOD FOR FORMING MULTI-LAYERED IMAGE IN SUCH MULTI-LAYER

Номер патента: RU2004116691A. Автор: Норберт ЛУТЦ,Герхард ЦИННЕР,Маттиас ШУМАХЕР,Ульрих КНААК,Дирк ФИШЕР,Норберт ЛУТЦ (DE),Герхард ЦИННЕР (DE),Маттиас ШУМАХЕР (DE),Ульрих КНААК (DE),Дирк ФИШЕР (DE). Владелец: Орга Картензюстеме Гмбх (De). Дата публикации: 2005-03-10.

system and method of forming multi-layer confectionery

Номер патента: BR112013022712A2. Автор: Bharat Jani,Vesselin D Miladinov. Владелец: Intercontinental Great Brands LLC. Дата публикации: 2016-08-09.

Micro-fabricated device for controlling trapped ions and method of manufacturing the same by micro-fabrication

Номер патента: EP4371133A1. Автор: Clemens Roessler,Sokratis Sgouridis,Marco Valentini,Silke Auchter,Jonathan HOME,Gerald Stocker,Philip HOLZ,Chiara DECAROLI,Yves Colombe. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Eth Zuerich. Дата публикации: 2024-05-22.

Micro-fabricated device for controlling trapped ions and method of manufacturing the same by micro-fabrication

Номер патента: WO2023285443A1. Автор: Clemens Roessler,Sokratis Sgouridis,Marco Valentini,Silke Auchter,Jonathan HOME,Gerald Stocker,Philip HOLZ,Chiara DECAROLI,Yves Colombe. Владелец: Eidgenössische Technische Hochschule - Eth Zürich. Дата публикации: 2023-01-19.

Micro-Fabricated Device for Controlling Trapped Ions and Method of Manufacturing the Same by Micro-Fabrication

Номер патента: US20240347223A1. Автор: Sokratis Sgouridis,Marco Valentini,Silke Auchter,Clemens Rössler,Jonathan HOME,Gerald Stocker,Philip HOLZ,Chiara DECAROLI,Yves Colombe. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2024-10-17.

PULTRUSION PROCESS OF FORMING MULTI-LAYERED STRUCTURES OF DISSIMILAR MATERIALS USING A MULTI-DIE PULTRUSION DEVICE

Номер патента: US20200338841A1. Автор: Kumar Anil,Parkinson Matthew Frank,Shakour Elias Ruda,Franyutti Sergio. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

Methods and Apparatus for Forming Multi-Layer Structures Including Use of A Sacrificial Patternable Mold Material

Номер патента: US20150308006A1. Автор: Dennis R. Smalley,Adam L. Cohen,Michael S. Lockard,Uri Frodis,Jill R. Thomassian,Marvin M. Kilgo, III. Владелец: Microfabrica Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Method for forming multi-layer metallic coating

Номер патента: GB9802670D0. Автор: . Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 1998-04-01.

MULTI-LAYERED COATING FILM AND METHOD FOR FORMING MULTI-LAYERED COATING FILM

Номер патента: US20190001370A1. Автор: ITOH Masayuki,NARITA Nobuhiko,KURAMOCHI Tatsuo. Владелец: KANSAI PAINT CO., LTD.. Дата публикации: 2019-01-03.

MULTI-LAYER COATING FILM AND METHOD FOR FORMING MULTI-LAYER COATING FILM

Номер патента: US20190015867A1. Автор: FUJITA Takeshi,ONISHI Isamu,ADACHI Yoichi,SUZUKI Go,KAMAYA Kazuyuki. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

MULTI-LAYER COATED SUBSTRATES AND METHODS FOR FORMING MULTI-LAYER COATINGS ON SUBSTRATES

Номер патента: US20160096974A1. Автор: Uhlianuk Peter W.,Kirshenbaum Kenneth. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

Water-Based Coating Composition, Method for Forming Multi-layer Coating Film, and Article Having Multi-layer Coating Film

Номер патента: US20150111026A1. Автор: Azuma Tatsuya,NAKANO Narihito. Владелец: KANSAI PAINT CO., LTD.. Дата публикации: 2015-04-23.

Water-Based Coating Composition, Method for Forming Multi-layer Coating Film, and Article Having Multi-layer Coating Film

Номер патента: US20170216882A1. Автор: Azuma Tatsuya,NAKANO Narihito. Владелец: KANSAI PAINT CO., LTD.. Дата публикации: 2017-08-03.

Multi-layer coating film and method for forming multi-layer coating film

Номер патента: JP6061783B2. Автор: 比呂毅 加茂,淳也 有村,豊広 前田. Владелец: Nippon Paint Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-18.

Method for forming multi-layer laminates

Номер патента: US4152387A. Автор: Peter Cloeren. Владелец: Peter Cloeren. Дата публикации: 1979-05-01.

Cosmetic composition capable of forming multi-layered structure after application to keratin substances

Номер патента: JP2022062016A. Автор: EBANKS Jody,AHMAD Rabia,リタ ジャーキー エル－クーリ，,Jaky El-Khouri Rita,ジョディー エバンクス，,ラビア アーマッド，. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2022-04-19.

Method for forming multi-layer coating film

Номер патента: CA3044198A1. Автор: Hiroshi Murata,Masahiro Omura,Masayuki Itoh,Yushi KIHIRA. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Multi-layer coated substrates and methods for forming multi-layer coatings on substrates

Номер патента: US10071398B2. Автор: Peter W. Uhlianuk,Kenneth Kirshenbaum. Владелец: AXALTA COATING SYSTEMS IP CO LLC. Дата публикации: 2018-09-11.

Method for forming multi-layer coating film

Номер патента: US6103311A. Автор: Yutaka Masuda,Akimasa Nakahata,Yoshiyuki Yukawa. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-15.

Method of determining the relative solid solution contaminate content of metallic wires

Номер патента: US4217773A. Автор: Allen K. Long,John M. Seibert. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1980-08-19.

Method of testing semiconductor integrated circuits and testing board for use therein

Номер патента: US20010011906A1. Автор: Yoshiro Nakata,Shinchi Oki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

Method of testing semiconductor integrated circuits and testing board for use therein

Номер патента: US20020190743A1. Автор: Shinichi Oki,Yoshiro Nakata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for forming multi-layer coating film

Номер патента: EP3915688A1. Автор: Junpei Suzuki,Kenichi Umezawa,Tomoyuki Okamoto,Yoshiaki Tomiyama,Takamitsu Ono,Chie MICHIURA,Tatsuo OHNUKI. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-01.

PROCESSED BY COLD FORMING MULTI-LAYERED MATERIAL FOR SUPPORTING BLISTER PACKAGING

Номер патента: RU2008118418A. Автор: Эрвин ПАСБРИГ,Оливер БРАНДЛЬ,Эрвин ПАСБРИГ (DE),Оливер БРАНДЛЬ (DE). Владелец: Алкан Технолоджи Энд Мэниджмент Лтд. (Ch). Дата публикации: 2009-11-20.

PROCESSED BY COLD FORMING MULTI-LAYERED MATERIAL FOR SUBSTITUTES OF BLISTER PACKAGES

Номер патента: RU2008119414A. Автор: Эрвин ПАСБРИГ,Эрвин ПАСБРИГ (DE). Владелец: Алкан Технолоджи Энд Мэниджмент Лтд. (Ch). Дата публикации: 2009-11-27.

Method for forming multi-layer coating film

Номер патента: EP4190458A4. Автор: Hiroshi Murata,Kaisei TERADA. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for forming multi-layer coating film

Номер патента: EP3542910B1. Автор: Hiroshi Murata,Masahiro Omura,Masayuki Itoh,Yushi KIHIRA. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Paint composition and method for forming multi-layered coating film

Номер патента: US09982159B2. Автор: Kohei Onishi. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of comparative evaluation of batches of transistors by quality and reliability

Номер патента: RU2739480C1. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Митрофан Иванович Горлов,Александр Александрович Винокуров,Игорь Алексеевич Шишкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2020-12-24.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20230307073A1. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

STACK FORMING MULTI-LAYER MECHANICAL CHEMICAL POLISHING PAD WITH SOFT AND CONDITIONABLE POLISHING LAYER

Номер патента: FR3006220A1. Автор: Bainian Qian,David B James,James Murnane,Fengji Yeh,Michelle K Jensen,Marty W Degroot,Jeffrey James Hendron,John G Nowland. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc. Дата публикации: 2014-12-05.

Method for forming multi-layered coating film and an mutli-layered coating film obtained thereof

Номер патента: US20090186228A1. Автор: Shigeyuki Sasaki,Takuhiro Kakii,Takaomi Matsuda,Kazuhi Koga,Hideki Ichimura. Владелец: Mazda Motor Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Preparation method for multi-layer metal oxide porous film nano gas-sensitive material

Номер патента: US09816176B2. Автор: Pingping Zhang,Shumin Zhang,Xuhui Sun. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-14.

METHOD FOR FORMING MULTI-LAYERED COATING FILM

Номер патента: US20140004365A1. Автор: Kitagawa Hiroshi,Kitazono Kazuaki. Владелец: KANSAI PAINT CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-02.

PROCESS FOR FORMING MULTI-LAYER FILM AND PATTERNING PROCESS

Номер патента: US20160008844A1. Автор: Hatakeyama Jun,Nagata Takeshi. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

HOT RUNNER NOZZLE AND MOLD FOR FORMING MULTI-LAYER MOLDED ARTICLE USING THE SAME

Номер патента: US20150014878A1. Автор: YAMAZAKI Minoru,Takeuchi Yasuhiko,Shimizu Kouichi. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

METHODS AND SYSTEMS FOR FORMING MULTI-LAYERED PARTICLES

Номер патента: US20210077411A1. Автор: Moaseri Ehsan. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

HIGH-FORMING MULTI-LAYER ALUMINUM ALLOY PACKAGE

Номер патента: US20170106919A1. Автор: BASSI Corrado,Timm Juergen,Florey Guillaume,BEZENCON CYRILLE,DESPOIS JEAN-FRANCOIS,STADLIN JACQUES. Владелец: Novelis Inc.. Дата публикации: 2017-04-20.

PACKAGING FOR DISPOSABLE SOFT CONTACT LENSES HAVING PRE-FORMED MULTI-LAYER STRUCTURAL LAMINATE

Номер патента: US20140246337A1. Автор: Newman Stephen D.. Владелец: MENICON SINGAPORE PTE LTD.. Дата публикации: 2014-09-04.

Methods and Apparatus for Forming Multi-Layer Structures Using Adhered Masks

Номер патента: US20140326607A1. Автор: Dennis R. Smalley,Adam L. Cohen,Michael S. Lockard,Uri Frodis,Jill R. Thomassian,Marvin M. Kilgo, III. Владелец: Microfabrica Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

METHOD FOR FORMING MULTI-LAYER COATING FILM

Номер патента: US20210276042A1. Автор: Murata Hiroshi,ITOH Masayuki,OMURA Masahiro,KIHIRA Yushi. Владелец: KANSAI PAINT CO., LTD.. Дата публикации: 2021-09-09.

PAINT COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING MULTI-LAYERED COATING FILM

Номер патента: US20150284585A1. Автор: Onishi Kohei. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

METHOD FOR FORMING MULTI-LAYERED COATING FILM

Номер патента: US20150292103A1. Автор: NEMOTO Yukihiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

HIGH-FORMING MULTI-LAYER ALUMINUM ALLOY PACKAGE

Номер патента: US20200277011A1. Автор: BASSI Corrado,Timm Juergen,Florey Guillaume,BEZENCON CYRILLE,DESPOIS JEAN-FRANCOIS,STADLIN JACQUES. Владелец: Novelis Inc.. Дата публикации: 2020-09-03.

Methods and Apparatus for Forming Multi-Layer Structures Including Use of A Sacrificial Patternable Mold Material

Номер патента: US20150308006A1. Автор: Frodis Uri,Cohen Adam L.,Lockard Michael S.,Smalley Dennis R.,Thomassian Jill R.,Kilgo,III Marvin M.. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

METHOD FOR FORMING MULTI-LAYER COATING FILM

Номер патента: US20200338591A1. Автор: Sakai Kenji,Sasaki Teruo,NAKANO Natsuko. Владелец: KANSAI PAINT CO., LTD.. Дата публикации: 2020-10-29.

Process for forming multi-layer flexible molds

Номер патента: US4929403A. Автор: Edwin F. Audsley. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-05-29.

Hot formed multi -layer reflection formula polarizer

Номер патента: CN205246924U. Автор: A·J·奥德基尔克,T·L·王,G·A·安布尔,允智省. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2016-05-18.

Disk dies for forming multi-layer resin products and the method thereof

Номер патента: KR100768441B1. Автор: 김현경. Владелец: (주)흥원피앤엠. Дата публикации: 2007-10-25.

Sheets of high explosive with high detonation speeds - prepared by compressing rough slabs, then forming multi-layers and recompressing

Номер патента: FR2278659A1. Автор: Andre Thibieroz. Владелец: Societe Nationale des Poudres et Explosifs . Дата публикации: 1976-02-13.

High-forming multi-layer aluminum alloy package

Номер патента: CA3001907A1. Автор: Cyrille Bezencon,Corrado Bassi,Guillaume FLOREY,Juergen Timm,Jean-Francois DESPOIS,Jacques STADLIN. Владелец: Novelis Inc Canada. Дата публикации: 2017-04-20.

PROCESS FOR FORMING MULTI-LAYER COATINGS

Номер патента: FR2336188A1. Автор: . Владелец: Dai Nippon Toryo KK. Дата публикации: 1977-07-22.

Coating composition and method for forming multi-layer coating

Номер патента: GB9613432D0. Автор: . Владелец: Nippon Paint Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-28.

The method forming multi-layer paint films

Номер патента: CN104271262B. Автор: 小川刚志,小岛圭介,水野重行,本田康史,青木孝昌. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-06.

Method for forming multi-layered coating film

Номер патента: CN103459048B. Автор: 北川博视,北园和明. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-27.

Method and apparatus for forming multi-layered blocks of rod-shaped articles in the tobacco processing industry

Номер патента: DE3512445A1. Автор: Gottfried Dr. 2053 Schwarzenbek Hoffmann,Friedel 2000 Oststeinbek Kruse,Dieter 2050 Hamburg Ludszeweit. Владелец: Hauni Werke Koerber & Co Kg 2050 Hamburg. Дата публикации: 1985-10-31.

Process for forming multi-layer molded articles

Номер патента: US8029718B2. Автор: Gregory S. O'brien,Bruce Clay,Ronald Partridge. Владелец: Arkema Inc. Дата публикации: 2011-10-04.

High-forming multi-layer aluminum alloy package

Номер патента: IL258504A. Автор: . Владелец: Novelis Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Co-Formed Multi-Layer Polymer Blend System and Molded Products Derived therefrom

Номер патента: KR960007175A. Автор: 마스 장-미셀,뮈렝우 자끄. Владелец: 알베르루스 빌헬무스 요아네스 쩨스트라텐. Дата публикации: 1996-03-22.

Method for forming multi-layer film

Номер патента: JP2004255878A. Автор: Thomas M Laney,Eric E Arrington,イー．アリントン エリック,エム．レイニー トーマス. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2004-09-16.

Method for forming multi-layer paint film

Номер патента: US6375820B1. Автор: Akira Kasari,Yasuhiro Tomizaki,Takayoshi Hiraki. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-23.

Anti- sagging with improvement is used for hot formed multi-layer sheet

Номер патента: CN109476134A. Автор: D.卢梭克斯,C.宝卡利迪斯. Владелец: Total Petrochemicals Research Feluy SA. Дата публикации: 2019-03-15.

Method for forming multi-layer coating film

Номер патента: EP1291090A4. Автор: Yoshiko Kobayashi,Shigeru Nakamura,Yasushi Nakao,Susumu Umemura,Kenta Shimizu. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-16.

Integrally formed multi-layer light-emitting device

Номер патента: US8714797B2. Автор: Yung-Fu Wu,Jon-Fwu Hwu,Kui-Chiang Liu. Владелец: Gem Weltronics TWN Corp. Дата публикации: 2014-05-06.

Aqueous white conductive primer coating composition and method for forming multi-layer coating film using the same

Номер патента: JP7161063B2. Автор: 信之 名畑,浩規 殿村,貴之 小野,拓夢 本田. Владелец: Toyocolor Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Sputtering device for forming multi-layered films

Номер патента: JPS61576A. Автор: Yoshio Murakami,Noribumi Kikuchi,義男 村上,Takayuki Shingyouchi,菊池　則文,新行内　隆之. Владелец: Mitsubishi Metal Corp. Дата публикации: 1986-01-06.

Method for forming multi-layer coating film

Номер патента: WO2001087502A1. Автор: Yoshiko Kobayashi,Shigeru Nakamura,Yasushi Nakao,Susumu Umemura,Kenta Shimizu. Владелец: KANSAI PAINT CO., LTD.. Дата публикации: 2001-11-22.

Method for forming multi-layer paint film

Номер патента: EP1046431A2. Автор: Akira Kasari,Tadayoshi Hiraki,Yasuhiro Tomizaki. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-25.

Powder paint composition and process for forming multi-layer coats containing the coat thereof

Номер патента: US6337108B1. Автор: Masayuki Yamaguchi,Yukihide Yamashita,Norihiko Sudo,Shinji Seo,Kazuyoshi Uemura. Владелец: Nippon Paint Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-08.

Method for forming multi-layer coating film

Номер патента: CA3172575A1. Автор: Kenji Sakai,Nobuhiko Narita. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

BRAKE SHOES WITH PRELIMINARY FORMED MULTI-LAYER Friction Lining and Gasket

Номер патента: RU2016106597A. Автор: Рэй АРБЕСМАН,Нгхи ПХАМ. Владелец: Нукап Индастриз Инк.. Дата публикации: 2017-08-30.

Clear coat paint composition and method for forming multi-layer coating film

Номер патента: JP7138100B2. Автор: 拓也 中林. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for forming multi-layered coating film

Номер патента: CA2917213A1. Автор: Yukihiro Nemoto. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

Method for forming multi-layer coating film

Номер патента: CN101218313B. Автор: 冈田荣作,冈本聪,金子敏雄,仁藤丈裕,蓬原正伸,道井诚. Владелец: Nippon Paint Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-12.

Method for forming multi-layered coating film

Номер патента: CA2917213C. Автор: Yukihiro Nemoto. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Processes for forming multi-layered pet treats

Номер патента: WO2008141085A1. Автор: Glen S. Axelrod,Ajay Gajria. Владелец: T.F.H. PUBLICATIONS, INC.. Дата публикации: 2008-11-20.

Method for manufacturing integrally formed multi-layer light-emitting device

Номер патента: US9121579B2. Автор: Yung-Fu Wu,Jon-Fwu Hwu,Kui-Chiang Liu. Владелец: Gem Weltronics TWN Corp. Дата публикации: 2015-09-01.

Method for forming multi-layered coating film

Номер патента: WO2011132551A1. Автор: 理 居原,松田　健,直人 松島,祐介 倉田. Владелец: 関西ペイント株式会社. Дата публикации: 2011-10-27.

Processes For Forming Multi-Layered Pet Treats

Номер патента: US20070264415A1. Автор: Ajay Gajria,Glen Axelrod. Владелец: TFH Publications Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

PROCESSED BY COLD FORMING MULTI-LAYERED MATERIAL FOR SUBSTITUTES OF BLISTER PACKAGES

Номер патента: RU2008123727A. Автор: Эрвин ПАСБРИГ,Эрвин ПАСБРИГ (DE). Владелец: Алкан Технолоджи Энд Мэниджмент Лтд. (Ch). Дата публикации: 2009-12-27.

Method for forming multi-layer coating film

Номер патента: EP4129493A4. Автор: Kenji Sakai,Nobuhiko Narita. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

System for forming multi-layer films using corona treatments

Номер патента: TW200812711A. Автор: Gregory Francis King,Mark Anthony Strobel,Scott Lyle Ciliske,Joel Arland Getschel,Bert Tze-Wha Chien. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2008-03-16.

Method for forming multi-layered coating film

Номер патента: EP3769857A1. Автор: Akihiro Nishimura. Владелец: Nippon Paint Automotive Coatings Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-27.

Clear paint compositions for forming multi-layered coatings on automotive bodies

Номер патента: EP1295914A3. Автор: Goro Saito,Masahiko Yamanaka,Yoshizumi Matsuno,Tatsuya Ishihara,Tetsuji Mizuno. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-21.

Sound damping multi-layered metallic sheet, articles including same, and methods thereof

Номер патента: US20240359432A1. Автор: Matthew Murphy,Karl D. Karlson,Bryan Joseph TULLIS. Владелец: Material Sciences Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of assembling the ends of metallic conveyor decks or metallic wire fabrics

Номер патента: FR660157A. Автор: Max Czaplinski. Владелец: . Дата публикации: 1929-07-08.

Device for ultrasonic inspection of a multi-layer metal workpiece

Номер патента: US6070466A. Автор: Vladimir Taran,Kenneth Jassby,Stella Muchnik,Oz Vachtenberg. Владелец: Scanmaster Systems IRT Ltd. Дата публикации: 2000-06-06.

Method of welding an article made of corrosion resistant multi-layered metal materials

Номер патента: WO2017142435A1. Автор: Владимир Александрович Грачев,Андрей Евгеньевич Розен,Сергей Геннадьевич Усатый,Евгений Викторович Кузнецов,Алексей Валерьевич Прыщак,Юрий Петрович Перелыгин,Дмитрий Борисович Крюков,Павел Иванович Абрамов,Глеб Андреевич Туричин,Михаил Валерьевич Кузнецов,Ирина Сергеевна Лось,Андрей Андреевич РОЗЕН. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Ромет". Дата публикации: 2017-08-24.

Method of and apparatus for giving antifriction properties to a metal wire

Номер патента: PL315710A1. Автор: Jan Andersson,Roland Ivarsson,Rolf Soeder. Владелец: Asea Brown Boveri. Дата публикации: 1996-11-25.

Method for laminating multi-layers metal films and heat roll used for laminating metal foils

Номер патента: TW200531825A. Автор: Katsuhiko Hayashi. Владелец: Mitsui Mining & Smelting Co. Дата публикации: 2005-10-01.

Multi-layer metal-carbon transaction cards and associated methods

Номер патента: US09665814B2. Автор: Scott Alan Blum. Владелец: Black Card LLC. Дата публикации: 2017-05-30.

MULTI-LAYER METAL ARTICLE AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20220290307A1. Автор: RINGEL Reut. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

METHOD OF GROWING HIGH-QUALITY SINGLE LAYER GRAPHENE BY USING Cu/Ni MULTI-LAYER METALIC CATALYST, AND GRAPHENE DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20150191358A1. Автор: KIM Jin Soo,CHOI Choon Gi,KIM Ki Chul,YU Young Jun,CHOI Jin Sik,CHOI Hong Kyw. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2015-07-09.

Single layer or multi-layer metal cylinder head gasket and method of making the same

Номер патента: CA2221672A1. Автор: Tom P. Plunkett. Владелец: Dana Inc. Дата публикации: 1998-05-20.

Multi-layer metallized packaging material and method of making same

Номер патента: CA2503202A1. Автор: John E. Cahill. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

Multi-layer metallized packaging material and method of making same

Номер патента: WO2004037646A3. Автор: John E Cahill. Владелец: John E Cahill. Дата публикации: 2004-07-08.

METHOD OF MANUFACTURING MULTI-LAYER METAL BLOCKS

Номер патента: ATA485272A. Автор: Boris Evgenievich Paton,Vladimir Konstantinovi Lebedev,Arseny Martinovich Makara,Nikolai Alexandrovich Mosendz,Nina Ivanovna Pinchuk,Igor Pavlovich Zhovnitsky,Valery Alexandrovich Nosatov,Elena Mikhailovna Staruschenko,Evgeny Petrovich Kuznetsov,Valery Petrovich Kalmykov,Alexei Fedorovich Dovzhenko,Nikolai Ilich Shanin,Grigory Antonovich Piven,Alexei Lavrentievich Gapshenko,Boris Petrovich Zuev,Nikolai Nikolaevi Konstantinov. Владелец: Inst Elektroswarki Patona. Дата публикации: 1975-01-15.

Method of producing multi-layered metal effect lacquerings

Номер патента: AU6829581A. Автор: Walter Uerdingen,Gerhard Mennicken,Peter Hohlein,Bernd Peltzer. Владелец: Bayer AG. Дата публикации: 1981-09-24.

Sound damping multi-layered metallic sheet, articles including same, and methods thereof

Номер патента: WO2023076535A1. Автор: Matthew Murphy,Karl D. Karlson,Bryan Joseph TULLIS. Владелец: MATERIAL SCIENCES CORPORATION. Дата публикации: 2023-05-04.

MULTI-LAYER METALLIC STRUCTURE AND COMPOSITE-TO-METAL JOINT METHODS

Номер патента: US20210101381A1. Автор: Georgeson Gary E.,Griess Kenneth Harlan. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-08.

MULTI-LAYER METALLIC STRUCTURE AND COMPOSITE-TO-METAL JOINT METHODS

Номер патента: US20150129113A1. Автор: Georgeson Gary E.,Griess Kenneth Harlan. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

Process for producing a multilayer metal product blank and multi-layer metal product blank

Номер патента: FI116453B. Автор: Taisto Ilmari Koskinen,Mika Isokytoe,Saara Koski-Laine,Ari Lind,Kauko Rajamaeki. Владелец: Outokumpu Oy. Дата публикации: 2005-11-30.

Method for the production of multi-layer metal bodies from explosively plated metal plate

Номер патента: DE3528494A1. Автор: Des Erfinders Auf Nennung Verzicht. Владелец: Hampel Heinrich. Дата публикации: 1987-02-12.

Mechanism to place repeaters on existing structured routing based on geometric consideration and to place lattice multi-layer metal structures over cells

Номер патента: US12032890B2. Автор: Sergei Babokhov,Charles Magnuson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of detecting defects, a silicon single crystal wafer using the same, method thereof and a semiconductor device

Номер патента: KR101383949B1. Автор: 박정길,황돈하. Владелец: 주식회사 엘지실트론. Дата публикации: 2014-04-10.

Multi-Layered Metal Cord Rubberized in Situ by an Unsaturated Thermoplastic Elastomer

Номер патента: US20130220505A1. Автор: Sébastien RIGO,Thibaud Pottier,Jeremy Toussain. Владелец: Michelin Recherche et Technique SA Switzerland. Дата публикации: 2013-08-29.

IMAGE-FIXATION MEMBER HAVING MULTI-LAYER METALLIC STRUCTURE

Номер патента: US20130224514A1. Автор: SUGIYAMA Shingo,Takeda Minoru,NISHIDA Akira. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-29.

Method for the Production of a Multi-Layer Metal Cord that is Rubberized in Situ using an Unsaturated Thermoplastic Elastomer

Номер патента: US20130227924A1. Автор: Custodero Emmanuel,Rigo Sebastien,Toussain Jérémy. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-05.

MULTI-LAYERED METAL SHEET

Номер патента: US20210010596A1. Автор: Murata Takeshi,TANAKA Futoshi,Imanaka Hironobu,Wasada Shinya. Владелец: Nichias Corporation. Дата публикации: 2021-01-14.

HETEROGENEOUSLY STACKED MULTI LAYERED METALLIC STRUCTURES WITH ADIABATIC SHEAR LOCALIZATION UNDER UNIAXIAL DYNAMIC COMPRESSION

Номер патента: US20190063889A1. Автор: WEI Qiuming,CHEN Xiaoxue. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING NON-BONDED REGIONS IN MULTI-LAYERED METALLIC ARMOR

Номер патента: US20210101365A1. Автор: Matsen Marc R.,HULL John R.,Negley Mark A.,Henson Landon K.. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-08.

PREPARATION METHOD FOR MULTI-LAYER METAL OXIDE POROUS FILM NANO GAS-SENSITIVE MATERIAL

Номер патента: US20170152595A1. Автор: ZHANG Shumin,SUN Xuhui,ZHANG Pingping. Владелец: SOOCHOW UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-06-01.

MECHANISM TO PLACE REPEATERS ON EXISTING STRUCTURED ROUTING BASED ON GEOMETRIC CONSIDERATION AND TO PLACE LATTICE MULTI-LAYER METAL STRUCTURES OVER CELLS

Номер патента: US20210192115A1. Автор: Babokhov Sergei,Magnuson Charles. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-06-24.

Multi-Layered Metalized Film For Use In Agriculture

Номер патента: US20180313079A1. Автор: Russell Robert D.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

Multi-Layered Metal

Номер патента: US20160347044A1. Автор: Kuan-Ting Wu,Wei Jen Chen,Chalam Kashyap. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2016-12-01.

Multi-layer metallic flat gasket, in particular cylinder head gasket

Номер патента: DE102006034784A1. Автор: Bernd Ruess,Georg Egloff,Jürgen Dr. Schneider,Albrecht Sailer,Günther Unseld,Johann Waldvogel,Kurt Höhe. Владелец: Reinz Dichtungs GmbH. Дата публикации: 2008-01-31.

Etchant composition, and method for etching a multi-layered metal film

Номер патента: KR101614879B1. Автор: 서종현. Владелец: 한국항공대학교산학협력단. Дата публикации: 2016-04-22.

Multi-layer, metallized or ceramic-coated, sealable, biaxially oriented polyester film, process for its production and its use

Номер патента: DE10231594A1. Автор: Herbert Dr. Peiffer,Bart Dr. Janssens,Stefan Dr. Bartsch. Владелец: Mitsubishi Polyester Film GmbH. Дата публикации: 2004-01-22.

Multi-layer metallic coating formation method

Номер патента: JP3692428B2. Автор: 章 加佐利,哲也 横山,浩明 小田,貢 遠藤,幹巨 島川. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-07.

Etchant composition, and method for etching a multi-layered metal film

Номер патента: KR101394469B1. Автор: 서종현. Владелец: 한국항공대학교산학협력단. Дата публикации: 2014-05-13.

COMPRESSOR COMPONENT WITH MULTI-LAYER METAL COATING

Номер патента: DE6920185U. Автор: . Владелец: Chromalloy American Corp. Дата публикации: 1970-10-02.

Method of producing high molecular weight organopolysiloxane, composition comprising the high molecular weight organopolysiloxane, and optical semiconductor device sealed with cured product thereof

Номер патента: KR20070045967A. Автор: 도시오 시오바라,히사시 시미즈,쯔또무 가시와기. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2007-05-02.

Etchant composition, and method for etching a multi-layered metal film

Номер патента: KR101404511B1. Автор: 서종현. Владелец: 플란제 에스이. Дата публикации: 2014-06-09.

PROCESS FOR AUTOMATED GAS INJECTION IN A MULTI-LAYERED METAL SYSTEM EQUIPPED WITH ENHANCED LINGOTIERES.

Номер патента: FR2698298B1. Автор: Laurent Jouet-Pastre. Владелец: Aluminium Pechiney SA. Дата публикации: 1998-09-18.

MULTI-LAYERED METAL / POLYMER COMPOSITE PRODUCTS RESISTANT TO LAYER SEPARATION

Номер патента: FR2443929A1. Автор: . Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1980-07-11.

HIGH REFLECTION MULTI-LAYER METAL / POLYMER COMPOSITES

Номер патента: FR2376747A1. Автор: Virgil Benson Kurfman,Raymond Earl Gransden Jr. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1978-08-04.

DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING MULTI-LAYER METAL PRODUCTS

Номер патента: FR2804063B1. Автор: G William Ragland,Christopher V Ragland,J Bradley Pearce. Владелец: Atd Corp. Дата публикации: 2004-09-10.

METHOD FOR MANUFACTURING A CORRUGATED MULTI-LAYER METAL BELLOWS

Номер патента: FR2512360A1. Автор: Cyril J Astill,Peter Janzen. Владелец: Atomic Energy of Canada Ltd AECL. Дата публикации: 1983-03-11.

CORRUGATED AND FLEXIBLE SHIELDS WITH MULTI-LAYERED METAL SHEETS AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: FR2764235A1. Автор: G William Ragland,Raymond E Ragland,Christopher V Ragland. Владелец: Atd Corp. Дата публикации: 1998-12-11.

Multi-layer metallized cast film and packaging made therefrom

Номер патента: JP6649357B2. Автор: ジョージ・カミネロ・ゴメス,ニコラス・シー・マッツォーラ,エンジェルス・ドメネック. Владелец: ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー. Дата публикации: 2020-02-19.

Multi-layered metal

Номер патента: WO2015060837A1. Автор: Kuan-Ting Wu,Wei Jen Chen,Chalam Kashyap. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2015-04-30.

Process for manufacturing a honeycomb body from heat-treated two-layered or multi-layered metal foils

Номер патента: US6190470B1. Автор: Ludwig Wieres,Ferdi Kurth,Hans-Peter Caspar,Günther Faust. Владелец: EMITEC GESELLSCHAFT FUER EMISSIONSTECHNOLOGIE MBH. Дата публикации: 2001-02-20.

Multi-layer metal gasket

Номер патента: KR920010898B1. Автор: 노부오 요시노. Владелец: 우에다 고오사쿠. Дата публикации: 1992-12-21.

Multi-layer metallic flat gasket, in particular cylinder head gasket.

Номер патента: MX2008011421A. Автор: Kurt Hoehe,Georg Egloff,Albrecht Sailer,Johann Waldvogel,Juergen Schneider,Guenther Unseld,Brend Ruess. Владелец: Reinz Dichtung Gmbh. Дата публикации: 2008-09-22.

Multi-layer metallic gasket

Номер патента: EP1734245B1. Автор: Kurt Hoehe,Bernd Ruess,Andreas Goettler. Владелец: Reinz Dichtungs GmbH. Дата публикации: 2007-10-31.

Method of producing high molecular weight organopolysiloxane, compositon comprising the high molecular weight organopolysiloxane, and optical semiconductor device sealed with cured product thereof

Номер патента: EP1780235A3. Автор: Hisashi Silicone Denshi Zairyo Gijutsu Shimizu,Toshio Silicone Denshi Zairyo Gijutsu Shiobara,Tsutomu Silicone Denshi Zairyo Gijut. Kashiwagi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-19.

Corrugated multi-layer metal foil insulation panels and manufacturing process

Номер патента: DE19983669T1. Автор: Raymond E Ragland,Christopher V Ragland,Matthew S Remke,Bradley J Pearce. Владелец: Atd Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

HIGH REFLECTION MULTI-LAYER METAL / POLYMER COMPOSITE PRODUCTS

Номер патента: FR2376747B1. Автор: Virgil Benson Kurfman,Raymond Earl Gransden Jr. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1986-10-10.

Coated multi-layer metal cooking vessel that can be heated by induction

Номер патента: KR20220119481A. Автор: 마르탱 루비오,장 프랑수아 브라쎄. Владелец: 세브 에스.아.. Дата публикации: 2022-08-29.

Method of producing high molecular weight organopolysiloxane, compositon comprising the high molecular weight organopolysiloxane, and optical semiconductor device sealed with cured product thereof

Номер патента: EP1780235A2. Автор: Hisashi Silicone Denshi Zairyo Gijutsu Shimizu,Toshio Silicone Denshi Zairyo Gijutsu Shiobara,Tsutomu Silicone Denshi Zairyo Gijut. Kashiwagi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-02.

Etchant composition, and method for etching a multi-layered metal film

Номер патента: KR20140011840A. Автор: 서종현. Владелец: 서종현. Дата публикации: 2014-01-29.

Device for producing multi-layer metal products

Номер патента: DE20021722U1. Автор: . Владелец: Atd Corp. Дата публикации: 2001-06-07.

Multi-layer metal mesh shielding efficiency rapid analysis and calculation method

Номер патента: CN113987754A. Автор: 杨杰,何为,张耀辉,黄刘宏,熊久良,李跃波,潘征,孙宪钢. Владелец: Institute of Engineering Protection National Defense Engineering Research Institute Academy of Military Sciences of PLA. Дата публикации: 2022-01-28.

Multi-layer metallic flat gasket, in particular cylinder head gasket

Номер патента: EP2047147A1. Автор: Bernd Ruess,Georg Egloff,Albrecht Sailer,Günther Unseld,Johann Waldvogel,Kurt Höhe,Jürgen Schneider. Владелец: Reinz Dichtungs GmbH. Дата публикации: 2009-04-15.

Multi-layer metal gasket with double beaded combustion seal

Номер патента: EP0821772B1. Автор: Colin Chen,Richard Capretta,Daniel E. Czernik,Robert H. Morris, Jr.,Richard J. Pavel. Владелец: Fel Pro Inc. Дата публикации: 2001-06-20.

Multi-layered metal sheet

Номер патента: US11635144B2. Автор: Takeshi Murata,Futoshi Tanaka,Hironobu Imanaka,Shinya Wasada. Владелец: Nichias Corp. Дата публикации: 2023-04-25.

Cobalt-based and copper-based multi-layer metal film etching solution and its manufacturing method and etching method using the same

Номер патента: KR100295805B1. Автор: 김현식,민복기,송재성. Владелец: 윤문수. Дата публикации: 2001-10-26.

Multi-layer metallic flat gasket, in particular cylinder head gasket

Номер патента: CA2627066A1. Автор: Bernd Ruess,Georg Egloff,Albrecht Sailer,Günther Unseld,Johann Waldvogel,Kurt Höhe,Jürgen Schneider. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-31.

Multi-layered Metal Stent

Номер патента: KR100309485B1. Автор: 제이콥 리춰. Владелец: 코시 리치터. Дата публикации: 2002-02-19.

Multi-layer metal gasket with adjustment device

Номер патента: DE69516050D1. Автор: Hisashi Yasui. Владелец: Ishikawa Gasket Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-11.

Multi-layer metal/shape memory polymer roll-up wing structures for fitment-constrained air vehicles

Номер патента: US20100282906A1. Автор: David R. Sar,Terry M. Sanderson,Thomas P. Mccreery,Brian J. Gowler. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2010-11-11.

Photocatalytic multi-layer metal compound thin film and process for its production

Номер патента: DE112010003373T5. Автор: Fumihiro Sei,Daisuke Noguchi,Yoshihiko Kawano. Владелец: Institute of National Colleges of Technologies Japan. Дата публикации: 2012-07-19.

Mechanism to place repeaters on existing structured routing based on geometric consideration and to place lattice multi-layer metal structures over cells

Номер патента: US20210192115A1. Автор: Sergei Babokhov,Charles Magnuson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20080227034A1. Автор: Dae Woo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-18.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

System and method for semiconductor device compact modeling using multiple specialized artificial neural networks for each semiconductor device operation region

Номер патента: US20230385494A1. Автор: Jung Hwan Park,Chan Woo Park. Владелец: Alsemy Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of obtaining group of electro-technical equipment, uniform in terms of radiation resistance

Номер патента: RU2708815C1. Автор: Владимир Петрович Миронов,Александр Аркадьевич Романов,Анатолий Яковлевич Дубовик,Валерий Анастасович Метлов,Андрей Андреевич Чистилин. Владелец: Акционерное общество "Ангстрем" (АО "Ангстрем"). Дата публикации: 2019-12-11.

Methods and systems for managing memory blocks of semiconductor devices in embedded systems

Номер патента: US20180039716A1. Автор: KODAVALLA Vijay Kumar. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Method of forming fine patterns

Номер патента: US20040067452A1. Автор: Yoshiki Sugeta,Toshikazu Tachikawa,Fumitake Kaneko. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-08.

Electronic device supporting manufacture of semiconductor device and operating method of electronic device

Номер патента: US20240346222A1. Автор: Sunghoon Kim,Jong-Seong Kim,Hyuckjoon Kwon,Jiho Han,Sungju Jang,Raehyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Systems and methods of characterizing semiconductor materials

Номер патента: US12085516B2. Автор: Gordon Deans,Hamidreza GHODDAMI,Johnson Kai Chi WONG. Владелец: Aurora Solar Technologies Canada Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing metal composite powder by wire explosion in liquid and multi carbon layer coated metal composite powder

Номер патента: US09855602B2. Автор: Jung-Ho Park,Jungwoo Lee,Byung-Wook Ahn,Young-il SONG,Jung-kab PARK,Tae-yoo KIM,Jin-ha SHIN,Hwa-jin SON,Younglae CHO,Seung-Bin BAEG,Sook-Young YUN,Su-Jeong SEO. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of forming coating from ultra-high molecular polyethylene on tillage working tools

Номер патента: RU2725548C1. Автор: Яков Петрович Лобачевский,Сергей Иванович Старовойтов,Андрей Юрьевич Измайлов,Николай Георгиевич Кынев,Бадри Хутаевич Ахалая,Игорь Анатольевич Пехальский,Юлия Сергеевна Ценч,Сергей Андреевич Квас,Юлия Александровна Лопатина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный агроинженерный центр ВИМ" (ФГБНУ ФНАЦ ВИМ). Дата публикации: 2020-07-02.

Lithographic template having a repaired gap defect method of repair and use

Номер патента: US20040023126A1. Автор: William Dauksher,David Mancini,Kevin Nordquist,Douglas Resnick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

Method of measuring transient thermal characteristics of semiconductor products

Номер патента: RU2639989C2. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Ярослав Геннадьевич Тетенькин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-12-25.

Test method of semiconductor device and semiconductor test apparatus

Номер патента: US20140133254A1. Автор: Zhiliang Xia,Sung Hee Lee,Chiho Kim,Nara KIM,Dae Sin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

Method of forming metal film and metal wiring pattern, undercoat composition for forming metal film and metal wiring pattern, and metal film

Номер патента: US20100215979A1. Автор: Tetsuya Mori,Seiji Nakajima,Hidemi Nawafune. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2010-08-26.

Method of analyzing semiconductor devices and analysis apparatus for semiconductor devices

Номер патента: US20170262557A1. Автор: Katsuhiro Shimazu,In-Sung Hwang,Kwang-ok Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Method for observing tungsten plug of semiconductor device microscopically

Номер патента: US5989930A. Автор: Shu-Ying Lu,Fei-Chun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Current detection method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09835660B2. Автор: Akira Uemura,Osamu Soma,Kenji Amada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09834435B1. Автор: Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Jung-Huei Peng,Yeong-Jyh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming multi-layer coat for cutting tools

Номер патента: RU2296812C1. Автор: Владимир Петрович Табаков,Алексей Валерьевич Чихранов,Алексей Валерьевич Циркин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-04-10.

Method of manufacture of multi-layer metal-fluoroplastic band

Номер патента: RU2286231C2. Автор: Денис Валерьевич Коваленко,Евгений Леонидович Щеглов,Владимир Георгиевич Калиниченко,Валерий Федорович Чугунов. Владелец: Валерий Федорович Чугунов. Дата публикации: 2006-10-27.

Method of production of nano-fibers

Номер патента: RU2270164C2. Автор: Виктор Яковлевич Принц,Александр Викторович Принц. Владелец: Александр Викторович Принц. Дата публикации: 2006-02-20.

Method of forming multi-layer metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR970053574A. Автор: 홍영기. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-07-31.

Semiconductor Device and Method of Forming Multi-Layered UBM with Intermediate Insulating Buffer Layer to Reduce Stress for Semiconductor Wafer

Номер патента: US20120211900A1. Автор: Choi JoonYoung,Choi DaeSik,Kwon WonIl. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-08-23.

Planarization method of interlayer insulating film of semiconductor device with multi-layer metal wiring structure

Номер патента: KR970013210A. Автор: 문병오. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1997-03-29.

Method of making semiconductor device structures based on blank substrate cloning (versions)

Номер патента: RU2546858C1. Автор: Юрий Георгиевич Шретер,Юрий Тоомасович Ребане,Алексей Владимирович Миронов. Владелец: Алексей Владимирович Миронов. Дата публикации: 2015-04-10.

The method of forming multi-layered panels of complex configuration

Номер патента: SU500060A1. Автор: Валерий Митрофанович Острецов,Валентин Николаевич Подгорный,Виталий Васильевич Хабаров. Владелец: Центральный Научно-Исследовательский Институт Типового И Экспериментального Проектирования Жилищ. Дата публикации: 1976-01-25.

METHOD OF FORMING MULTI LAYERED NETLOCK GIRDER SYSTEM

Номер патента: US20120137627A1. Автор: Vemuri Venkata Rangarao. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-07.

METHOD OF FORMING MULTI-LAYER GRAPHENE

Номер патента: US20120267041A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-10-25.

Process for forming multi-layer low-k dual damascene interconnect

Номер патента: TW569394B. Автор: Jui-Neng Tu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-01.

Method for forming multi-layered capillary tissue in heat pipes and the manufactures thereof

Номер патента: TW200613692A. Автор: Jia-Hao Li. Владелец: Jia-Hao Li. Дата публикации: 2006-05-01.

A method of erecting a high voltage power transmission network, a high voltage power transmission network, a high voltage overhead power transmission line, a method of operating a high voltage power transmission network, a phase electric wire of an overhead power transmission line, a method of transporting electricity

Номер патента: RU2014140690A. Автор: . Владелец: Селиванов Николай Павлович. Дата публикации: 2016-04-27.

Multi-layer metalizing methof of semiconductor device

Номер патента: KR950011559B1. Автор: 김영근,이광재,임일환. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1995-10-06.

Multi-layer metal wiring method

Номер патента: KR950000108B1. Автор: 박종성. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1995-01-09.

INTEGRALLY FORMED MULTI-LAYER LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20130235574A1. Автор: HWU JON-FWU,Wu Yung-Fu,Liu Kui-Chiang. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-12.

METHOD FOR MANUFACTURING INTEGRALLY FORMED MULTI-LAYER LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20130283604A1. Автор: HWU JON-FWU,Wu Yung-Fu,Liu Kui-Chiang. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

A device for forming multi-layer concrete products

Номер патента: SU550284A1. Автор: Сергей Григорьевич Румянцев,Борис Иванович Давиденко,Анатолий Александрович Редькин,Николай Сергеевич Перелехов,Семен Элевич Лемперт. Владелец: Центральный Проектно-Технологический Институт Строительного Производства "Оргтяжстрой". Дата публикации: 1977-03-15.

Feed block for forming multi-layer composite film or sheet

Номер патента: JP2668843B2. Автор: 茂 服部,木下　　清,幸夫 田村. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 1997-10-27.

Manufacturing method of multi-layer metal-silicon oxide-metal capacitor

Номер патента: CN102779732A. Автор: 王丹,毛智彪,周军,张月雨. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-11-14.

Manufacturing method of multi-layer metal-silicon oxide-metal capacitor

Номер патента: CN102655078A. Автор: 徐强,毛智彪,胡友存. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-05.

Method of connection of multi-layer metal-polymer pipes

Номер патента: RU2432517C1. Автор: Александр Дмитриевич Губанов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Мордовская Трубная компания". Дата публикации: 2011-10-27.

A kind of milling method of Multi-layer metal alloy clad steel plate

Номер патента: CN104028556B. Автор: 周凯,马林. Владелец: Anshan Ya Sheng Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-24.

Method of series welding for ends of thin-wall multi-layer metal bellows

Номер патента: RU2368474C2. Автор: Виктор Никонорович Семенов,Александр Николаевич Вычеров,Валентин Георгиевич Полушин,Владимир Иванович Бобков,Михаил Иванович Зыков. Владелец: Открытое акционерное общество "НПО Энергомаш имени академика В.П. Глушко". Дата публикации: 2009-09-27.

METHOD OF ROLLER WELDING OF END SECTIONS OF THIN-WALLED MULTI-LAYERED METAL BELLOWS

Номер патента: RU2007109293A. Автор: Виктор Никонорович Семенов,Александр Николаевич Вычеров,Валентин Георгиевич Полушин,Владимир Иванович Бобков,Михаил Иванович Зыков,Виктор Никонорович Семенов (RU),Валентин Георгиевич Полушин (RU),Александр Николаевич Вычеров (RU),Владимир Иванович Бобков (RU),Михаил Иванович Зыков (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "НПО Энергомаш имени академика В.П. Глушко" (RU). Дата публикации: 2008-09-20.

Construction method of closed type multi-layer metal flat plate

Номер патента: JP4854759B2. Автор: 敏郎 鈴木. Владелец: 株式会社 構造材料研究会. Дата публикации: 2012-01-18.

Multi-Layer Metallic Structure and Composite-to-Metal Joint Methods

Номер патента: US20130075526A1. Автор: Georgeson Gary E.,Griess Kenneth Harlan. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 2013-03-28.

Multi-layer metal formwork assembly and metal formwork for building

Номер патента: TWM569358U. Автор: 黃宇正. Владелец: 黃宇正. Дата публикации: 2018-11-01.

POLYMER HAVING SILPHENYLENE AND SILOXANE STRUCTURES, A METHOD OF PREPARING THE SAME, AN ADHESIVE COMPOSITION, AN ADHESIVE SHEET, A PROTECTIVE MATERIAL FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120299203A1. Автор: Kondo Kazunori,SUGO Michihiro. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-11-29.

METHOD FOR PRODUCING MULTI-LAYERED METAL SHEETS WITH STABLE SUBMICRO- AND NANOSIZED STRUCTURE

Номер патента: RU2009132162A. Автор: Александр Григорьевич Колесников,Андрей Иванович Плохих,Шамиль Таукаевич Мечиев,Ирина Юрьевна Михальцевич,Александр Григорьевич Колесников (RU),Андрей Иванович Плохих (RU),Шамиль Таукаевич Мечиев (RU),Ирина Юрьевна Михальцевич (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университ. Дата публикации: 2011-03-10.

Multi-layer metal junction structure with micro-gaps

Номер патента: TWI240371B. Автор: Kun-Cheng Lin,Jing-Lyang Jeng,E-I Lee,I-Te Huang. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2005-09-21.

Multi-layer metal printing stencil and its fabricating method

Номер патента: TW201141333A. Автор: Po-Chien Lee. Владелец: Transonic Prec Ind Inc. Дата публикации: 2011-11-16.

Method for reducing pattern alignment deviation in multi-layer metal production process

Номер патента: TW344104B. Автор: Shanq-Yeong Hour,Jieh-Yan Jenq. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-11-01.

Process for treating multi-layered metal composites

Номер патента: CA764935A. Автор: H. Holtzman Arnold,Pocalyko Andrew. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1967-08-08.

Preventive method of a fading and corrosion the metallic layer for forming a bonding pad of a semiconductor device

Номер патента: KR930010341B1. Автор: 김이주. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1993-10-16.

Multi-layer metal matrix composit armor with edge protection

Номер патента: US20120186427A1. Автор: Adams Richard,MacPherson Renee,Sorensen Jim. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-26.

MULTI-LAYER METALIZED THERMAL BAG

Номер патента: US20120196063A1. Автор: Duong Alice K.. Владелец: Coldpack, Inc.. Дата публикации: 2012-08-02.

MULTI-LAYER METAL SUPPORT

Номер патента: US20130200496A1. Автор: Murali Venkatesan,Prabhu Gopal,Dinan,JR. Thomas Edward,Bababyan Steve. Владелец: TWIN CREEKS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-08-08.

MULTI-LAYER METAL SUPPORT

Номер патента: US20130200497A1. Автор: Murali Venkatesan,Petti Christopher J.,Prabhu Gopal,Dinan,JR. Thomas Edward,Bababyan Steve. Владелец: TWIN CREEKS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-08-08.

Method for rolling multi-layered metal alloy composite steel plate

Номер патента: CN104028556A. Автор: 周凯,马林. Владелец: Anshan Ya Sheng Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-10.

Pressure welding production line for multi-layer metal composite plates

Номер патента: CN102529219A. Автор: 王宝根. Владелец: 王宝根. Дата публикации: 2012-07-04.

Multi-layer metal layer formation method using chemical vapor deposition

Номер патента: KR960026258A. Автор: 황성보,김춘환. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-07-22.

Multi-layer metal fiber sintered felt

Номер патента: CN103801156A. Автор: 张涛,温广武,钟博,夏龙,曾思潘. Владелец: Harbin Institute of Technology Weihai. Дата публикации: 2014-05-21.

Preparation method for multi-layer metal/graphene composite electrode thin strip

Номер патента: CN105127197B. Автор: 刘相华,刘立忠,宋孟,缪书昆,孙祥坤,邵云云. Владелец: Northeastern University China. Дата публикации: 2017-01-25.

A kind of multi-layer metal cylinder gasket with rubber ring fixing novel structure

Номер патента: CN204610063U. Автор: 陈鹏,应军,张益民,刘振家,苗文旱,吴春卫,陈孙隆,范俊贺,黄效桂,童小敏. Владелец: HANGZHOU INTERNAL COMBUSTION ENGINE CYLINDER GASKET CO Ltd. Дата публикации: 2015-09-02.

Multi-layer metal gasket with elastic gasket

Номер патента: SU86512A1. Автор: В.Н. Корнилович,Д.Я. Таращанский. Владелец: Д.Я. Таращанский. Дата публикации: 1949-11-30.

Multi-layer metal primary electrode manufacturing equipment for light emitting diode

Номер патента: JP4427036B2. Автор: 廖奇徳. Владелец: 曜富科技股▲ふん▼有限公司. Дата публикации: 2010-03-03.

Method for producing multi-layer metal one-time electrode of luminous diode and its production apparatus

Номер патента: CN101064352A. Автор: 廖奇德. Владелец: UNI-LIGHT TOUCHTEK Corp. Дата публикации: 2007-10-31.

Multi-layer metal cold-pressed compound plate

Номер патента: CN201784213U. Автор: 王建. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-06.

Etching method for multi-layered metallic film

Номер патента: JPS6286181A. Автор: Kenzo Tanaka,憲三 田中. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 1987-04-20.

Multi-layer metal clad plate

Номер патента: JP4982079B2. Автор: 啓 松本,利行 奥井. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 2012-07-25.

Multi-layer metal alloy wire

Номер патента: CN201994084U. Автор: 张晓勇,叶凯,卢香连. Владелец: HANGZHOU LINAN KAIMEI WIRE AND CABLE Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-28.

Thin film for auti-oxidation, high voltage resistance and multi-layer metallized capacitor

Номер патента: CN2911912Y. Автор: 潘旭祥,林正亮. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-13.

METHOD FOR PRODUCING LONG-DIMENSIONAL MULTI-LAYERED METAL PIPES OF A LARGE DIAMETER FOR TRANSPORTING HYDROCARBONS AND INSTALLATION FOR ITS IMPLEMENTATION

Номер патента: RU2013122303A. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Анатолий Васильевич Сафьянов,Кирилл Николаевич Никитин,Валентин Иреклеевич Тазетдинов,Владимир Яковлевич Осадчий,Евгений Юрьевич Шмаков,Александр Юрьевич Матюшин,Валерий Александрович Головинов,Александр Анатольевич Сафьянов,Владимир Сергеевич Баричко,Владимир Петрович Пашнин,Игорь Сергеевич Кувалдин. Владелец: Открытое акционерное общество "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2014-11-20.

Led multi-layer metals primary electrodes manufacturing process and installation

Номер патента: KR100910082B1. Автор: 치-테 리아오. Владелец: 터치텍 코포레이션. Дата публикации: 2009-07-30.

Routing layout of multi-layer metal lines

Номер патента: TW569415B. Автор: Tzong-Shi Jan. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-01-01.

Manufacturing method of temporary fixing resin composition, temporary fixing resin film, temporary fixing resin film sheet and semiconductor device

Номер патента: JP6859729B2. Автор: 卓二 池谷,池谷　卓二,崇 増子,増子　崇,省吾 祖父江. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-14.

Process for preventing shift tunnelling of multi-layer metal via

Номер патента: TW249294B. Автор: Charng-Er Perng,Jeng-Tsong Shyu,Chuen-Tsair Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-06-11.

Routing layout of multi-layer metal lines

Номер патента: TW200410387A. Автор: Zong-Xi Zhan. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-06-16.

Multi-layer metal junction structure with micro-gaps

Номер патента: TW200623320A. Автор: Kun-Cheng Lin,Jing-Lyang Jeng,I-Te Huang,E I Li. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2006-07-01.

Multi-layer metal printing stencil and its fabricating method

Номер патента: TW200740611A. Автор: Po-Chien Lee. Владелец: Transonic Prec Ind Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Structure of composite multi-layer metal plate and manufacture method therefor

Номер патента: TW201221351A. Автор: Lung-Chuan Tsao. Владелец: Univ Nat Pingtung Sci & Tech. Дата публикации: 2012-06-01.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERN USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003585A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,Tsuchimura Tomotaka,Yatsuo Tadateru,TSUCHIHASHI Toru,SHIRAKAWA Koji. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming contact to drain region of semiconductor device

Номер патента: RU2534439C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ALIGNMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER AND LIGHT OUTPUT DEVICE

Номер патента: US20120002696A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Manufacturing Vertical Pin Diodes

Номер патента: US20120001305A1. Автор: Peroni Marco,Pantellini Alessio. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam

Номер патента: US20120000067A1. Автор: CHOI Jin Won,KIM Seung Wan. Владелец: SAMSUNG ELLECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

System For Monitoring Foreign Particles, Process Processing Apparatus And Method Of Electronic Commerce

Номер патента: US20120002196A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING PATTERN AND DEVELOPER FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20120003591A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,IWATO Kaoru,Kato Keita,Kamimura Sou,FUJII Kana. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-CHIP PACKAGE WITH THERMAL FRAME AND METHOD OF ASSEMBLING

Номер патента: US20120001314A1. Автор: Schuetz Roland. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2581418C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова". Дата публикации: 2016-04-20.

Method of forming epitaxial copper nanostructures on surface of semiconductor substrates

Номер патента: RU2522844C1. Автор: Людмила Алексеевна Чеботкевич,Алексей Вячеславович Огнев,Александр Сергеевич Самардак,Константин Сергеевич Ермаков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный федеральный университет". Дата публикации: 2014-07-20.

Method of forming ordered structures on surface of semiconductor substrates

Номер патента: RU2593633C1. Автор: Людмила Алексеевна Чеботкевич,Алексей Вячеславович Огнев,Александр Сергеевич Самардак,Константин Сергеевич Ермаков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Дальневосточный федеральный университет". Дата публикации: 2016-08-10.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of powered semiconductor devices welding

Номер патента: RU2641601C2. Автор: Владимир Федорович Чищин,Станислав Петрович Скорняков,Сергей Николаевич Колычев,Анна Вячеславовна Синица. Владелец: Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб"). Дата публикации: 2018-01-18.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Thermosetting resin composition and method making protective coating for semiconductor devices

Номер патента: RU2391361C2. Автор: Алексей Петрович Крысин,Олег Иосифович Яковлев,Татьяна Федоровна Жаркова,Татьяна Васильевна Волосская,Людмила Ивановна Почуева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ" (ФГУП НЗПП с ОКБ). Дата публикации: 2010-06-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2567118C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

Method of rejecting semiconductor devices for radiation resistance

Номер патента: RU2253875C2. Автор: В.М. Зыков,Н.Т. Юнда,В.Г. Арчаков,А.В. Шеремет. Владелец: Государственное научное учреждение "Научно-исследовательский институт интроскопии при Томском политехническом университете Министерства образования Российской Федерации" (ГНУ "НИИ ИН при ТПУ"). Дата публикации: 2005-06-10.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2596861C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2016-09-10.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2654960C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-05-23.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2522182C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2014-07-10.

Method of forming of polycrystalline silicon layers

Номер патента: RU2261937C2. Автор: Н.М. Манжа,А.Н. Долгов,М.И. Клычников,Д.Г. Кравченко. Владелец: Акционерное общество открытого типа "НИИ молекулярной электроники и завод "МИКРОН" (АООТ "НИИМЭ и завод "МИКРОН"). Дата публикации: 2005-10-10.

Method of preparing semiconductor structure

Номер патента: RU2378740C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2010-01-10.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

QUANTUM DOT SENSITIZED WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR PHOTOVOLTAIC DEVICES & METHODS OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120003773A1. Автор: Harkness,IV Samuel D.,Richter Hans J.. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593415C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.