Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Fabrication method of semiconductor luminescent device

Fabrication method of semiconductor luminescent device

Номер патента: US20070166961A1
Опубликовано: 19-07-2007
Автор(ы): Hiroyuki Sumitomo, Makoto Ueda, Satoshi Kajiyama
Принадлежит: Sumitomo Electric Device Innovations Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Fabrication method of semiconductor luminescent device

Номер патента: US7629187B2. Автор: Hiroyuki Sumitomo,Makoto Ueda,Satoshi Kajiyama. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2009-12-08.

Oxide spacer HCG VCSELS and fabrication methods

Номер патента: US12068580B2. Автор: Constance J. Chang-Hasnain,Jiaxing Wang,Jipeng QI,Kevin T. COOK. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-08-20.

Multi-junction bottom emitting vertical cavity surface emitting laser and the fabrication method of the same

Номер патента: EP4369537A2. Автор: Yuhui Luo,Chuyuen CHAN. Владелец: Brightlaser Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Multi-junction bottom emitting vertical cavity surface emitting laser and the fabrication method of the same

Номер патента: EP4369537A3. Автор: Yuhui Luo,Chuyuen CHAN. Владелец: Brightlaser Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Multi-junction bottom emitting vertical cavity surface emitting laser and the fabrication method of the same

Номер патента: US20240162683A1. Автор: Yuhui Luo,Chuyuen CHAN. Владелец: Brightlaser Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Optoelectronic device, comprising a waveguide and a semiconductor nanowire array, and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2017041812A1. Автор: Lutz GEELHAAR,Ivano GIUNTONI,Henning Riechert,Jürgen BRUNS. Владелец: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Дата публикации: 2017-03-16.

Fabrication method of gesn alloys with high tin composition and semiconductor laser realized with such method

Номер патента: EP3895206A1. Автор: Claude MEYLAN. Владелец: Iris Industries SA. Дата публикации: 2021-10-20.

Nitride-semiconductor luminescent element, epitaxial substrate, and method of producing nitride-semiconductor luminescent element

Номер патента: EP2390972A4. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-18.

Microelectronic device fabricating method, method of forming a pair of conductive device components of different base widths from a common deposited conductive layer, and integrated circuitry

Номер патента: US6894368B2. Автор: Alan R. Reinberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-05-17.

Semiconductor device and fabrication method of the same

Номер патента: US20070167031A1. Автор: Hiroyuki Oguri. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Conformal metallization process for the fabrication of semiconductor laser devices

Номер патента: US20130163631A1. Автор: Jia-Sheng Huang,Phong Thai. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Electron beam pumped semiconductor laser screen and associated fabrication method

Номер патента: US20040028109A1. Автор: Robert Morgan,Robert Rice,Neil Ruggieri,J. Whiteley,Richard Skogman. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2004-02-12.

Fabrication method of semiconductor piece

Номер патента: US20160133476A1. Автор: Michiaki Murata,Shuichi Yamada,Mutsuya Takahashi. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Optical integrated circuit device, fabrication method of the same and module of optical communication transmission and receiving apparatus using the same

Номер патента: US20030153117A1. Автор: Ki Shin. Владелец: Iljin Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

Optical integrated circuit device, fabrication method of the same and module of optical communication transmission and receiving apparatus using the same

Номер патента: WO2002042811A1. Автор: Ki Chul Shin. Владелец: Iljin Corporation. Дата публикации: 2002-05-30.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070096138A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US7399997B2. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-07-15.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040240499A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor laser device, optical pickup and fabrication method of semiconductor laser device

Номер патента: US20040004983A1. Автор: Masayuki Honda,Takehiro Shiomoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-08.

Method of isolating semiconductor laser diodes

Номер патента: US20090155939A1. Автор: Youn Joon Sung,Su Hee Chae. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-18.

Optical element array, optical system and method of manufacturing optical element array

Номер патента: US11675220B2. Автор: Changgyun Shin,Dongsik Shim,Changbum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-13.

Optical element array, optical system and method of manufacturing optical element array

Номер патента: US20200183196A1. Автор: Changgyun Shin,Dongsik Shim,Changbum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-11.

Optical element array, optical system and method of manufacturing optical element array

Номер патента: US20230258966A1. Автор: Changgyun Shin,Dongsik Shim,Changbum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Optical element array, optical system and method of manufacturing optical element array

Номер патента: US12032232B2. Автор: Changgyun Shin,Dongsik Shim,Changbum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Light source device, projection display device, and method of cooling semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20200319538A1. Автор: Yusuke Tani. Владелец: NEC Display Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Method of removing a substrate

Номер патента: EP3619748A1. Автор: Takeshi Kamikawa,Hongjian Li,Srinivas GANDROTHULA,Daniel A. Cohen. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2020-03-11.

Method of removing a substrate

Номер патента: EP4411843A2. Автор: Takeshi Kamikawa,Hongjian Li,Srinivas GANDROTHULA,Daniel A. Cohen. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-08-07.

Testing method of semiconductor laser and laser testing device

Номер патента: US20100238426A1. Автор: Isao Baba,Makoto Sugiyama,Haruyoshi Ono. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor laser and fabrication method therefor

Номер патента: US20220247147A1. Автор: Chao-Chen Cheng,Anh Chuong Tran. Владелец: Shenzhen Lighting Institute. Дата публикации: 2022-08-04.

Alkaloid halogen-doped sulfide glasses for optical amplifier and fabricating method thereof

Номер патента: US20020025898A1. Автор: Sun-Tae Jung,Jong Heo,Dong-Chin Lee,Hye-Sun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-28.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US20160197091A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US20150221664A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US20120086070A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US20130228845A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Fabrication method and structure of semiconductor device

Номер патента: US20230369051A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

A fabrication method for dicing of semiconductor wafers using laser cutting techniques

Номер патента: TW201220380A. Автор: Kevin Huang,Ping-Wei Chen,Chang-Huang Hua,Benny Ho,Chen-Che Chin. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2012-05-16.

Cathodo-/electro-luminescent device and method of fabricating a cathodo-/electro-luminescent device using porous silicon/porous silicon carbide as an electron emitter

Номер патента: US20030218416A1. Автор: Mohamed Hasan,Deirdre Elqaq. Владелец: UNIVERSITY OF NORTH CAROLINA AT CHARLOTTE. Дата публикации: 2003-11-27.

FABRICATION METHOD AND STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130228845A1. Автор: Yasui Kan,HISAMOTO Digh,KIMURA Shinichiro,Matsuzaki Nozomu. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-05.

FABRICATION METHOD FOR DICING OF SEMICONDUCTOR WAFERS USING LASER CUTTING TECHNIQUES

Номер патента: US20140120699A1. Автор: Huang Kevin,HUA Chang-Huang,CHEN Ping Wei,HO Benny,CHIN Chen-Che. Владелец: WIN SEMICONDUCTORS CORP.. Дата публикации: 2014-05-01.

FABRICATION METHOD AND STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160197091A1. Автор: Yasui Kan,HISAMOTO Digh,KIMURA Shinichiro,Matsuzaki Nozomu. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

FABRICATION METHOD AND STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150221664A1. Автор: Yasui Kan,HISAMOTO Digh,KIMURA Shinichiro,Matsuzaki Nozomu. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

Lower electrode fabricating method for capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100240891B1. Автор: 박민규,김천수. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-01-15.

Fabricating method for capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100346455B1. Автор: 허민,안재민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-07-27.

Fabrication method for junction of semiconductor device

Номер патента: KR100226748B1. Автор: 주재현,오기영. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Fabricating method for transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100275327B1. Автор: 전성도,정재관. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-12-15.

Fabricating method and apparatus of semiconductor

Номер патента: KR100835512B1. Автор: 임근식. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-06-04.

Fabricating method for capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100376987B1. Автор: 장성근,김유성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-03-26.

Fabrication method for capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100307627B1. Автор: 박흥수,이종호,이상인,김영관. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-09-26.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US20040119107A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-24.

Microelectronic device fabricating method, method of forming a pair of conductive device components of different base widths from a common deposited conductive layer, and integrated circuitry

Номер патента: US20040183161A1. Автор: Alan Reinberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-23.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20220037491A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Method of fabricating semiconductor device and method of separating substrate

Номер патента: US20230040281A1. Автор: Wonkeun Kim,Myoungchul Eum,Cheonil Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Mold for ceramic membrane tube and fabrication method of ceramic membrane tube using the same

Номер патента: WO2007067011A1. Автор: Ji-Haeng Yu,Ki-Suk Hong,Sang-Kuk Woo,In-Sub Han,Doo-Won Seo,Shi-Woo Lee. Владелец: KOREA INSTITUTE OF ENERGY RESEARCH. Дата публикации: 2007-06-14.

Devices having substrates with openings passing through the substrates and conductors in the openings, and methods of manufacture

Номер патента: EP1412283A2. Автор: Oleg Siniaguine. Владелец: Allvia Inc. Дата публикации: 2004-04-28.

Fabrication method of battery module case having welding area with enhanced surface roughness

Номер патента: US20240243399A1. Автор: Ji Hun Kim,Hyeong Won Kim,Ki Dong Lee,Hoemin CHEONG,Sung Chel Yoon,Hyeon Jeong YOU. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Fabrication method using angled deposition and shadow walls

Номер патента: US20220149261A1. Автор: Sebastian Heedt,Leonardus Petrus Kouwenhoven,Francesco BORSOI,Marina QUINTERO-PEREZ,Kevin Alexander VAN HOOGDALEN. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-05-12.

Fabrication method using angled deposition and shadow walls

Номер патента: EP3906582A1. Автор: Sebastian Heedt,Leonardus Petrus Kouwenhoven,Francesco BORSOI,Marina QUINTERO-PEREZ,Kevin Alexander VAN HOOGDALEN. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-11-10.

Fabrication method using angled deposition and shadow walls

Номер патента: WO2020167318A1. Автор: Sebastian Heedt,Leonardus Petrus Kouwenhoven,Francesco BORSOI,Marina QUINTERO-PEREZ,Kevin Alexander VAN HOOGDALEN. Владелец: Delft University of Technology. Дата публикации: 2020-08-20.

Group iii nitride wafers and fabrication method and testing method

Номер патента: EP2900850A1. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2015-08-05.

Group iii nitride wafers and fabrication method and testing method

Номер патента: US20150329361A1. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Field-effect transistor and fabrication method of field-effect transistor

Номер патента: US11043575B2. Автор: Stephane Badel,Xiaolong Ma,Riqing Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Fabrication method of artificial dielectric lens and artificial dielectric lens thereof

Номер патента: US20230253716A1. Автор: Wei Huang,Chenxi Lv. Владелец: Beijing High Way Telecommuniction Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Artificial dielectric lens fabrication method and artificial dielectric lens thereof

Номер патента: EP4175071A1. Автор: Wei Huang,Chenxi Lv. Владелец: Beijing High Way Telecommuniction Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-03.

Semiconductor element, manufacturing method of semiconductor item, and matrix of light-emitting diodes, which is obtained by using such manufacturing method

Номер патента: RU2416135C2. Автор: Такао ЙОНЕХАРА,Кендзи ЯМАГАТА,Йосинобу СЕКИГУТИ,Кодзиро НИСИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-04-10.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220320283A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

The fabricating method of single electron transistor (set) by employing nano-lithographical technology in the semiconductor process

Номер патента: WO2007079174A3. Автор: Ming-Nung Lin. Владелец: Ming-Nung Lin. Дата публикации: 2007-12-06.

The fabricating method of single electron transistor (set) by employing nano-lithographical technology in the semiconductor process

Номер патента: EP1972016A2. Автор: Ming-Nung Lin. Владелец: Chen Chung-Chin. Дата публикации: 2008-09-24.

The fabricating method of single electron transistor (set) by employing nano-lithographical technology in the semiconductor process

Номер патента: WO2007079174A2. Автор: Ming-Nung Lin. Владелец: Chen, Chung, Chin. Дата публикации: 2007-07-12.

Method of fabricating soldering balls for semiconductor encapsulation

Номер патента: US20020072213A1. Автор: Tao-Kuang Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Semiconductor chip, semiconductor wafer, semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020013012A1. Автор: Masao Mitani,Jin Murayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20240021704A1. Автор: Dongwoo Kim,Sangmoon Lee,Jinbum Kim,Hyojin Kim,Yongjun Nam,Ingeon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Multi-layer channel structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors preliminary class

Номер патента: US12040371B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Laser firing apparatus for high efficiency solar cell and fabrication method thereof

Номер патента: WO2010077018A2. Автор: Jong-Hwan Kim,Hwa-Nyeon Kim,Ju-Hwan Yun. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2010-07-08.

Integrated circuits and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210273105A1. Автор: Soojin JEONG,Seungmin Song,Junggil YANG,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

Integrated circuits and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200395482A1. Автор: Soojin JEONG,Seungmin Song,Junggil YANG,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Nanowire led structure with decreased leakage and method of making same

Номер патента: EP2973756A1. Автор: Scott Brad Herner,Linda Romano,Cynthia LEMAY,Carl Patrik Theodor Svensson. Владелец: Lemay Cynthia. Дата публикации: 2016-01-20.

Method of separating surface layer of semiconductor chip (versions)

Номер патента: RU2459691C2. Автор: Юрий Георгиевич Шретер,Юрий Тоомасович Ребане,Алексей Владимирович Миронов. Владелец: Алексей Владимирович Миронов. Дата публикации: 2012-08-27.

Fabrication method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US11133491B2. Автор: Hiroki Adachi,Kenichi Okazaki,Yuka Sato,Satoru Idojiri,Kayo Kumakura,Seiji Yasumoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-28.

Fabrication method for capacitor electrode

Номер патента: WO2010101338A1. Автор: Ju-Young Lee,Seok-Jun Seo,Seung-Hyeon Moon,Gha-Young Kim. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2010-09-10.

Integrated circuits and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11024741B2. Автор: Soojin JEONG,Seungmin Song,Junggil YANG,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-01.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240234419A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien Ning Yao,Lo Heng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-07-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12021080B2. Автор: Dongsoo Lee,Wonkeun Chung,Hoonjoo NA,Suyoung BAE,Jaeyeol Song,Jonghan LEE,HyungSuk Jung,Sangjin Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20180269159A1. Автор: Youngsuk Kim. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12063767B2. Автор: Seunghun LEE,Keun Hwi Cho,Sung Gi Hur,Myung Gil Kang,Sangdeok KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230095479A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Fabrication method of semiconductor structure

Номер патента: US20210335671A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Isolation Structures Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20240250122A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230268230A1. Автор: Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,Fumihito Tachibana. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Stacked transistors having an isolation region therebetween and a common gate electrode, and related fabrication methods

Номер патента: EP4156243A1. Автор: Harsono Simka,Kang-ill Seo,Ming He,Jaehyun Park,Byounghak Hong,Seungchan Yun,Daewon HA,Jeonghyuk Yim,Gunho JO,Inchan HWANG,Rebecca Park,Mehdi Saremi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-29.

Isolation structures in multi-gate semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12080780B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Hsin-Wen Su,Jing-Yi Lin,Chong-De LIEN,Shang-Rong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Mask and fabricating method thereof, and displaying base plate and fabricating method thereof

Номер патента: US20220149282A1. Автор: Pengcheng LU,Yunlong Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Single electron transistor having memory function and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060255368A1. Автор: Ju-Hyung Kim,Chung-woo Kim,Soo-doo Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-16.

Fabrication Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20200388776A1. Автор: Masataka Sato,Satoru Idojiri,Kayo Kumakura,Seiji Yasumoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240204075A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Laser bonding apparatus, method of bonding semiconductor devices, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US10886248B2. Автор: Satoshi Inada,Jun-Su Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-05.

Release film for semiconductor package, manufacturing method thereof, and manufacturing method of semiconductor package using the same

Номер патента: US20240222146A1. Автор: Jeong-Eun Lee,Goan-Hee Yoon. Владелец: Siltech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Air gap in inner spacers and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US11990529B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250124A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190318939A1. Автор: Shoji Hashizume,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240274473A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Yao-Sheng Huang,Jung-Hung CHANG,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with backside contact and methods of forming such

Номер патента: US12087837B2. Автор: Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Fabricating method for quantum dot of active layer of LED by nano-lithography

Номер патента: US20090087935A1. Автор: Ming-Nung Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-02.

Manufacturing method of semiconductor device, exposure data preparing method, preparing method of aperture mask data, and charge beam exposure apparatus

Номер патента: US20020142238A1. Автор: Ryoichi Inanami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Method of wafer dicing and manufacturing method of semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240290658A1. Автор: Jimin Kim,Youngchul KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods of designing layout of semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240265184A1. Автор: Sungwe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Air gap in inner spacers and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US20240313082A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Polymer microcavity and microchannel devices and fabrication method

Номер патента: EP1977439A2. Автор: Sung-Jin Park,Meng Lu,Gary J. Eden. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2008-10-08.

Isolation structures in multi-gate semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240250152A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Ceramic composition having dispersion of nano-particles therein and methods of fabricating same

Номер патента: WO2014093391A2. Автор: Georgeta Masson,Juanita N. Kurtin. Владелец: Pacific Light Technologies Corp.. Дата публикации: 2014-06-19.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20230411226A1. Автор: Young Chan Oh,Hee Jong KANG,Young Mok BAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of forming compound semiconductor

Номер патента: WO2012001600A2. Автор: Heinz Schmid,Guy M. Cohen,Sarunya Bangsaruntip,Heike E. Riel,Mikael T. Bjoerk. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Local patterning and metallization of semiconductor structures using a laser beam

Номер патента: US20240250201A1. Автор: Taeseok Kim,Pei Hsuan LU,Benjamin I. Hsia. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230299139A1. Автор: Dongwon Kim,Gibum Kim,Keun Hwi Cho,Myung Gil Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Multi-channel devices and methods of manufacture

Номер патента: US12087638B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chih-Chung Chiu,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

RF MEMS switch and fabrication method thereof

Номер патента: US7456713B2. Автор: Hee-Chul Lee,Jae-Yeong Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2008-11-25.

RF MEMS switch and fabrication method thereof

Номер патента: US20070109081A1. Автор: Hee-Chul Lee,Jae-Yeong Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-17.

Mask, exposure method and production method of semiconductor device

Номер патента: US7517618B2. Автор: Shigeru Moriya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES WITH ATOMICALLY SMOOTH InGaP AND InP STOP LAYERS ON GaAs AND InP SUBSTRATES

Номер патента: RU2690859C1. Автор: Андрей Геннадьевич Гладышев,Антон Юрьевич Егоров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-06-06.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089A1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2003-12-17.

Method of fabricating Ge-Mn magnetic semi conductors with high cure temperature

Номер патента: US20040182307A1. Автор: Sang Lim,Sang Song. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2004-09-23.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089B1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2007-12-05.

Fabrication method of semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20220301948A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7803716B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-28.

Fabricating method of a semiconductor light emitting device

Номер патента: US20170294421A1. Автор: Tao-Chih Chang,Chih-Ming Shen,Yu-Wei HUANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-10-12.

Fabrication method of semiconductor test piece

Номер патента: US5814528A. Автор: Nam Yang Lee,Yun Hi Lee,Byeong Kwon Ju,Myung Hwan Oh,Keun Ha Koh,Dong Ky Shin. Владелец: Korea Institute of Science and Technology KIST. Дата публикации: 1998-09-29.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7439190B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-21.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20080299752A1. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US20100171130A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: WO2010070269A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Advantage West Midlands. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: EP2366198A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Advantage West Midlands. Дата публикации: 2011-09-21.

Fabrication method of semiconductor package

Номер патента: US20140342505A1. Автор: Chun-Tang Lin,Yan-Heng Chen,Mu-Hsuan Chan,Chieh-Yuan Chi,Yan-Yi Liao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US20030100156A1. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Mask and method of manufacturing the same, electro-luminescence device and method of manufacturing the same, and electronic instrument

Номер патента: US6720236B2. Автор: Shinichi Yotsuya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-04-13.

Fabrication method of semiconductor package

Номер патента: US20170294372A1. Автор: Chia-Cheng Chen,Chi-Ching Ho,Ying-Chou Tsai,Shao-Tzu Tang,Yu-Che Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Fabrication method of semiconductor package

Номер патента: US20210091011A1. Автор: Young-woo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20070087521A1. Автор: Osamu Fujita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070259522A1. Автор: Shinichi Nakabayashi,Hirofumi Tsuchiyama,Ryousei Kawai,Toshiyuki Arai,Fumiyuki Kanai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor Packaging and Fabrication Method Using Connecting Plate for Internal Connection

Номер патента: US20110221008A1. Автор: Kai Liu,Jun Lu,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-09-15.

Fabrication method of semiconductor package

Номер патента: US20240213177A1. Автор: Young-woo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20210167186A1. Автор: HAIYANG Zhang,Yan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20110303954A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Fabricating Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20240258378A1. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Die edge sealing structures and related fabrication methods

Номер патента: US20150056751A1. Автор: Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240274684A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-08-15.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020014626A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20050032339A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070207559A1. Автор: Akio Hasebe,Yasunori Narizuka,Teruo Shoji,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-06.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240203986A1. Автор: LAN Yao,Quan Zhang,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor structure and fabrication method thereof, and memory

Номер патента: US20230189518A1. Автор: Heng-Chia Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Substrate for flat panel display device, method of manufacturing the same, flat panel display device using substrate and method of manufacturing flat panel display device

Номер патента: WO2007132979A1. Автор: Jong-Uk Bu,Dong-Chun Kim. Владелец: Senplus Inc.. Дата публикации: 2007-11-22.

Antenna and fabricating method thereof, and antenna device and fabricating method thereof

Номер патента: US20220077579A1. Автор: Meng Wei,Wei Zhang,YING Wang,Liang Li,HAO LIU,Jie Wu,Chuncheng CHE,Tienlun Ting,Haocheng JIA,Cuiwei TANG,Qiangqiang LI. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Method of fabricating BGA packages

Номер патента: US6830957B2. Автор: Han-Ping Pu,Chih-Ming Huang,Chien-Ping Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-14.

Fabrication method for ball grid array semiconductor package

Номер патента: US20040058471A1. Автор: Han-Ping Pu,Chih-Ming Huang,Chien-Ping Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US8188470B2. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-05-29.

Polycrystalline Si thin film structure and fabrication method thereof and method of fabricating TFT using the same

Номер патента: US20050263774A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Do-Young Kim,Takashi Noguchi,Hans Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-01.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20120202339A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20100258800A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-10-14.

Liquid crystal display panel and method of fabricating thereof

Номер патента: US20040263707A1. Автор: Hae Kim,Hyun SEO. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor substrate and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20060022196A1. Автор: Hiroshi Ohta,Sachie Tone,Masahiro Ninomiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Fabrication method for jfet with implant isolation

Номер патента: US20240274725A1. Автор: Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Subhash Srinivas Pidaparthi,Ray Milano. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Fabrication method of two-terminal semiconductor component using trench technology

Номер патента: US8048800B2. Автор: Mi-Ra Kim,Wan-Joo Kim,Jin-Koo Rhee,Seong-Dae Lee,Dae-Hong Min. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2011-11-01.

AC driven plasma display panel for electrical commercial boards and method of fabricating the same

Номер патента: US20030129916A1. Автор: Jun-Sei Lee. Владелец: SCIENCE ADVENTURE TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-10.

Fabrication method of two-terminal semiconductor component using trench technology

Номер патента: US20110059609A1. Автор: Mi-Ra Kim,Jin-Koo Rhee,Seong-Dae Lee,Dae-Hong Min. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2011-03-10.

Display panel, array substrate, and fabrication method thereof

Номер патента: US20170221925A1. Автор: Junhui Lou,Tianyi Wu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Method of forming a capacitor and an electrical connection thereto, and method of forming DRAM circuitry

Номер патента: US20010055850A1. Автор: Howard Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Method of fabricating a resistor and a capacitor electrode in an integrated circuit

Номер патента: US20010049175A1. Автор: Kuo-Liang Huang,I- Ho Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-12-06.

Micro led transfer method, display panel and fabrication method

Номер патента: US20240006217A1. Автор: Ping Zhu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US9711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US20160035617A1. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Fabrication method of implanting siliconions into the silicon substrate

Номер патента: US20020155701A1. Автор: Nobuaki Hamanaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Polymer or resist pattern, and metal film pattern, metal pattern and plastic mold using the same, and fabrication methods thereof

Номер патента: US7989154B2. Автор: Jun-Bo Yoon,Koeng Su Lim,Jin-Wan Jeon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2011-08-02.

Fabrication method of thin film transistor substrate for X-ray detector

Номер патента: US20030096441A1. Автор: Ik kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

NROM fabrication method

Номер патента: US20020052081A1. Автор: Boaz Eitan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Method of fabricating passivation

Номер патента: US20070152304A1. Автор: Yong Keon Choi. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Semiconductor device including ferroelectric capacitors and fabricating method thereof

Номер патента: US20030224538A1. Автор: Yoichi Miyasaka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-12-04.

Method of verifying line reliability and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080160655A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Acoustic wave device and fabrication method of the same

Номер патента: US20130076205A1. Автор: Tomo Kurihara. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2013-03-28.

Method of fabricating a semiconductor device with reduced oxide film variation

Номер патента: US7947567B2. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-05-24.

Fabrication method for a chip packaging structure

Номер патента: US20070099339A1. Автор: Wen-Yin Chang. Владелец: Taiwan Solutions Systems Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor Devices Having Improved Adhesion and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20110266557A1. Автор: Van Mieczkowski,Helmut Hagleitner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-03.

Fabrication method of light emitting diodes

Номер патента: US20060138683A1. Автор: Chih-Ming Hsu. Владелец: Cleavage Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080142921A1. Автор: Atsuo Isobe,Suguru Ozawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Fabrication method of semiconductor device, evaluation method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20150311285A1. Автор: Hitoshi Abe,Seiji Momota,Kenji Kouno,Hiromitsu Tanabe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20090111221A1. Автор: Shiann-Tsong Tsai. Владелец: UTAC Taiwan Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Fabrication method of semiconductor device, evaluation method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9437678B2. Автор: Hitoshi Abe,Seiji Momota,Kenji Kouno,Hiromitsu Tanabe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Non-volatile memory, fabrication method thereof and operation method thereof

Номер патента: US20060237761A1. Автор: Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Superjunction device and fabrication method therefor

Номер патента: EP4044247A1. Автор: Yin DAI,Wenzhen REN. Владелец: Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp SMEC. Дата публикации: 2022-08-17.

Superjunction device and fabrication method therefor

Номер патента: US20220367616A1. Автор: Yin DAI,Wenzhen REN. Владелец: Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp SMEC. Дата публикации: 2022-11-17.

Normally-closed device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220285538A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Magnetoresistive stack device fabrication methods

Номер патента: US12052927B2. Автор: Jijun Sun. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Display panel, and fabrication method

Номер патента: US20240006571A1. Автор: Chao Wu,Deng-Kai Chang,Chan-Kuan Huang. Владелец: Century Technology Shenzhen Corp Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Phononic-isolated kinetic inductance detector and fabrication method thereof

Номер патента: US11313729B1. Автор: Karwan Rostem,Edward Wollack,Peter deVisser. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2022-04-26.

Fabricating method of a thin film transistor substrate for liquid crystal display device of minimizing defects due to static electricity

Номер патента: US8476092B2. Автор: Young-hun Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-02.

Integrated circuit and fabricating method and evaluating method of integrated circuit

Номер патента: US20010007356A1. Автор: Kazuyuki Inokuchi,Masahisa Ikeya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-12.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US20150380479A1. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Method of mounting semiconductor chips on a gold-coated surface

Номер патента: RU2714538C1. Автор: Александр Сергеевич Ионов,Нина Демьяновна Худякова,Татьяна Николаевна Забегина. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2020-02-18.

Method of forming semiconductor plates doped on one side, particularly solar semiconductor plates, and manipulation system for loading process tray with batches of semiconductor plates

Номер патента: RU2411608C1. Автор: Штефан ЙОНАС,Лутц РЕДМАНН. Владелец: Йонас Унд Редманн Аутомационстехник Гмбх. Дата публикации: 2011-02-10.

Semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20060025956A1. Автор: Nobuo Satake. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-02-02.

Inverted metamorphic multi-junction (imm) solar cell and associated fabrication method

Номер патента: WO2013006243A2. Автор: Frank F. Ho. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 2013-01-10.

Fabrication method of non-volatile memory

Номер патента: US20070092997A1. Автор: Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-26.

Fabricating method of pixel structure

Номер патента: US8404528B2. Автор: Meng-Chi Liou. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2013-03-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070069303A1. Автор: Takeshi Watanabe,Motoyuki Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070128833A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Takuya Tsurume,Tomoko Tamura,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Photodetector-arrays and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20170162613A1. Автор: Yoram Karni,Inna Lukomsky,Eran Avnon. Владелец: Semi Conductor Devices - An Elbit Systems-Rafael Partnership. Дата публикации: 2017-06-08.

Method of manufacturing micro-channel tubular solid oxide fuel cell using multi-pass extrusion process

Номер патента: WO2008093995A1. Автор: Jong-Hee Kim,Byong-Teak Lee,Ho-Yeon Song. Владелец: SOONCHUNHYANG UNIVERSITY INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION. Дата публикации: 2008-08-07.

Display device, display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20200295102A1. Автор: Song Zhang,Tao Wang,Dejun BU,Chengjie Qin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240222303A1. Автор: Daehyun Kim,Kunsil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220406755A1. Автор: Hwail Jin,Sang-sick Park,Jongpa Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-22.

Back-illuminated image sensor and fabricating method thereof

Номер патента: US20130334636A1. Автор: Tzeng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Fabrication method of battery

Номер патента: US20150372341A1. Автор: Chin-Ming Chen,Yen-Kai Peng. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Fabrication method of battery

Номер патента: EP2975674A3. Автор: Chin-Ming Chen,Yen-Kai Peng. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2016-01-27.

Plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20100096987A1. Автор: Chong-Gi Hong. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US12074142B2. Автор: Hwail Jin,Sang-sick Park,Jongpa Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9082783B2. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor Device and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20150079756A1. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Antenna and fabrication method

Номер патента: US12062852B2. Автор: ZHENYU Jia,Ning He,Kerui XI,Zuocai Yang,Donghua Wang,Qinyi Duan,Yunhua Liu,Yingru Hu. Владелец: Chengdu Tianma Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Fabricating method of dram structure

Номер патента: US20130052786A1. Автор: Chung-Lin Huang,Tzung-Han Lee,Ron Fu Chu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-28.

Inverted metamorphic multi-junction (imm) solar cell and associated fabrication method

Номер патента: US20130008493A1. Автор: Frank F. Ho. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2013-01-10.

Fabricating method of thin film transistor

Номер патента: US20040191965A1. Автор: Binn Kim,Jong-Uk Bae,Hae-Yeol Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Structure and method of MOS transistor having increased substrate resistance

Номер патента: US20030207543A1. Автор: Zhiqiang Wu,Craig Salling,Che-Jen Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Non-volatile memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20060110879A1. Автор: Wen-Pin Lu,Tzung-Ting Han,Ming-Shang Chen,Meng-Hsuan Weng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-25.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: EP2178104A3. Автор: Chong-Gi Hong. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-15.

Method of making semiconductor pressure sensors

Номер патента: RU2702820C1. Автор: Сергей Павлович Малюков,Александр Михайлович Светличный,Юлия Владимировна Клунникова,Александр Викторович Саенко,Дина Алексеевна Бондарчук,Дмитрий Викторович Тимощенко. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет). Дата публикации: 2019-10-11.

Method of determining parameters of cascade-excited traps of charge media in semiconductor

Номер патента: RU2649065C1. Автор: Алексей Григорьевич Витухновский,Сергей Александрович Амброзевич,Алексей Викторович Кацаба,Владимир Вячеславович Федянин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Р. Лебедева Российской академии наук, (ФГБУН ФИАН). Дата публикации: 2018-03-29.

Fabrication method of semiconductor device using epitaxial growth process

Номер патента: US5723378A. Автор: Fumihiko Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-03-03.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020102769A1. Автор: Hitoshi Shibue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Fabricating method of array substrate, array substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US10151954B2. Автор: Yang Liu,Xianwang WEI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Double-gate transistor array substrate and fabrication method of the same

Номер патента: US12034079B2. Автор: Yuhan QIAN,Libin LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Fabricating method of pixel structure

Номер патента: US20130011976A1. Автор: Meng-Chi Liou. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2013-01-10.

Image sensors including microlenses having plurality of curvatures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240234462A9. Автор: Sungeun Lee,Minkwan KIM,In Sung Joe,Jinsun PYO,Beomsuk Lee,Inyong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Flexible electronic device and fabricating method thereof

Номер патента: US20170020002A1. Автор: Jia-Chong Ho,Cheng-Chung Lee,Heng-Yin Chen,Sheng-Po Wang,Yung-Hui Yeh,Tai-Jui Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-01-19.

Anode for all solid cell and fabrication method of the same

Номер патента: US20190115618A1. Автор: Dong Wook Shin,Sun Ho Choi,Sung Woo Noh,Oh Min Kwon,Yong Sub Yoon,Chan Hwi PARK,Moon Ju Cho. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2019-04-18.

Anode for all solid cell and fabrication method of the same

Номер патента: US20200328450A1. Автор: Dong Wook Shin,Sun Ho Choi,Sung Woo Noh,Oh Min Kwon,Yong Sub Yoon,Chan Hwi PARK,Moon Ju Cho. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-10-15.

Anode for all solid cell and fabrication method of the same

Номер патента: US11735762B2. Автор: Dong Wook Shin,Sun Ho Choi,Sung Woo Noh,Oh Min Kwon,Yong Sub Yoon,Chan Hwi PARK,Moon Ju Cho. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-08-22.

Group iii nitride substrates and their fabrication method

Номер патента: US20160163801A1. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230282248A1. Автор: Yifei Yan,Huixian Lai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100330760A1. Автор: Kao-Way Tu,Yen-Chih Huang. Владелец: Nico Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

Image sensor and fabricating method of image sensor

Номер патента: US20150048466A1. Автор: Yang Wu,Inna Patrick,Yu Hin Desmond Cheung,Feixia Yu. Владелец: Himax Imaging Inc. Дата публикации: 2015-02-19.

High-mobility bulk silicon pfet fabrication method

Номер патента: EP1792346B1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Louis D. c/o IBM United Kingdom Limited LANZEROTTI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-13.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20110230025A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100151642A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060091401A1. Автор: Noriaki Matsunaga,Naofumi Nakamura,Takahiko Yoshizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130256789A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Sung-Nien Tang. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Display substrate, display panel, display device, and fabrication method of display substrate

Номер патента: US20200274088A1. Автор: Tao Wang,Chengyuan Luo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US12074129B2. Автор: Takukazu Otsuka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Integrated circuit devices including device isolation structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110248357A1. Автор: Tae-jung Lee,Sun-hyun Kim,Oh-Kyum Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor switching devices and fabrication methods

Номер патента: US20090004791A1. Автор: Raminda Udaya Madurawe. Владелец: Tier Logic Inc. Дата публикации: 2009-01-01.

Methods of fabricating nanoscale structures usable in molecular sensors and other devices

Номер патента: WO2021045900A1. Автор: Sungho Jin,Paul MOLA,Tim Geiser,Barry Merriman. Владелец: Roswell Biotechnologies, Inc.. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11742406B2. Автор: Tiantian Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Inductor and fabricating method thereof

Номер патента: US20030019835A1. Автор: Jae-Il Ju. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12080710B2. Автор: Young-Lim Park,Kyooho JUNG,Yukyung Shin,Changmu AN,Hongseon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US9660018B2. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Flexible electronic device and fabricating method thereof

Номер патента: US10165688B2. Автор: Jia-Chong Ho,Cheng-Chung Lee,Heng-Yin Chen,Sheng-Po Wang,Yung-Hui Yeh,Tai-Jui Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-12-25.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20230284436A1. Автор: Tsun-Min Cheng,Yu Chun Lin,Chia-Wei Wu,Yukihiro Nagai,Hsiao-Han Lin,Sun-Hung Chen,Lu-Yung Lin,Zheng Guo Zhang,Wu Xiang Li. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Transparent wafer with optical alignment function and fabricating method and alignment method thereof

Номер патента: US20070159631A1. Автор: Yu-Lin Huang,Kuo-Ting Wu,Jun-Yao Huang,Dun-Ying Shu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-07-12.

Fabrication method of flexible electronic package device

Номер патента: US20220201870A1. Автор: Chien-Min HSU,Chih-Ming Shen,Shih-Hsien Wu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2022-06-23.

Fabrication method of plate pattern

Номер патента: US20150309350A1. Автор: Minwoo Lee,Hooyoung SONG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2015-10-29.

Method of measuring parameters of semiconductor structures

Номер патента: RU2622600C2. Автор: Дмитрий Александрович Усанов,Александр Владимирович Скрипаль,Денис Викторович Пономарев,Екатерина Викторовна Латышева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2017-06-16.

Method of manufacture of semiconductor structures

Номер патента: RU2680606C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-02-25.

Three-dimensional multichip packages and methods of fabrication

Номер патента: US5202754A. Автор: Claude L. Bertin,Francis R. White,Howard L. Kalter,Gordon A. Kelley, Jr.,Willem B. van der Hoeven,Paul A. Farrar, Sr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-04-13.

Fabrication method of semiconductor memory device

Номер патента: US9305775B2. Автор: Min Yong Lee,Young Ho Lee,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20160225843A1. Автор: Akinobu ONISHI,Takashi Oomikawa. Владелец: Deutsche Bank AG New York Branch. Дата публикации: 2016-08-04.

Display substrate, display device, mobile terminal and fabricating method of display substrate

Номер патента: US20200219902A1. Автор: Yang Wang,Peng Chen. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Semiconductor Memory Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20240244824A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Yifei Yan,Ken-Li Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Transistor, Fabrication Method Thereof, and Display Apparatus Comprising the Same

Номер патента: US20240213369A1. Автор: Jaehyun Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of fabricating a lattice structure

Номер патента: US20220336234A1. Автор: Gabriel Aeppli,Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Mohana Krishnappa RAJPALKE,Niels Bernhard SCHRÖTER,Nicolò D'ANNA,Nicolas Pierre Michel BACHELLIER. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-10-20.

I-shaped and L-shaped contact structures and their fabrication methods

Номер патента: US20070032012A1. Автор: Ming Lee,Ruichen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Fabrication method of radio frequency identification antenna coil

Номер патента: US7661186B2. Автор: Chao-Kai Cheng,Chia-Chi Wu,Ming-Huan Yang,Chung-Wei Wang,Yung-Kuo Ho. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-02-16.

Display device fabricating method

Номер патента: US20200343330A1. Автор: Jeong-Hyun Kim,Deok-Hwan Kim,Hasook Kim,Myung-Seok KWON,Joon Ho OH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210082783A1. Автор: Youngho Kim,Hwanpil PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8928002B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140001482A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Light-emitting diode chip structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20120153339A1. Автор: Kuo-Lung Fang,Kun-Fu Huang,Jun-Rong Chen,Chi-Wen Kuo,Jui-Yi Chu. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

Thin film transistor array substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20100001286A1. Автор: Chih-Chieh Wang,Yao-Hong Chien,Xuan-Yu Liu,Li-Shan Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2010-01-07.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Holder manufacturing method for loading substrate of semiconductor manufacturing device, batch type boat having holder, loading/unloading method of semiconductor substrate using the same, and semiconductor manufacturing device having the same

Номер патента: US20060239799A1. Автор: Byoung Lee,Taek Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20180068976A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20210057378A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20190067241A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20230275065A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and method of forming insulating layers around semiconductor die

Номер патента: EP3913667A1. Автор: Satyamoorthi CHINNUSAMY, Kevin SIMPSON, Mark C COSTELLO. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2021-11-24.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US8445359B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Koichiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Fabrication method of integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20200395241A1. Автор: Jiyoung Kim,Dongsoo Woo,Joonyoung Choi,Junsoo Kim,Namho Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Fabrication method of an electrostatic discharge protection circuit with a low resistant current path

Номер патента: US6855611B2. Автор: Hua-Chou Tseng,Tien-Hao Tang,Shiao-Shien Chen,Tsun-Lai Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-02-15.

Method of fabricating a lattice structure

Номер патента: EP4032119A1. Автор: Gabriel Aeppli,Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Mohana Krishnappa RAJPALKE,Niels Bernhard SCHRÖTER,Nicolò D'ANNA,Nicolas Pierre Michel BACHELLIER. Владелец: Paul Scherrer Institute Psi. Дата публикации: 2022-07-27.

Method of fabricating a lattice structure

Номер патента: WO2021052559A1. Автор: Gabriel Aeppli,Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Mohana Krishnappa RAJPALKE,Niels Bernhard SCHRÖTER,Nicolò D'ANNA,Nicolas Pierre Michel BACHELLIER. Владелец: Paul Scherrer Institute (Psi). Дата публикации: 2021-03-25.

Non-volatile memory and fabricating method thereof and operation thereof

Номер патента: US20060240618A1. Автор: Chao-I Wu,Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor device, three-dimensional memory and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20230134659A1. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20130207201A1. Автор: Akif Sultan,Indradeep SEN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-15.

Method of fabricating package structure

Номер патента: US20200286744A1. Автор: Shin-puu Jeng,Chia-Hsiang Lin,Feng-Cheng Hsu,Shuo-Mao Chen,Arunima Banerjee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Light emitting diode structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20110260203A1. Автор: Hsien-Chia Lin,Tzu-Yu Tang. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

A strained channel transistor and method of fabrication thereof

Номер патента: SG157397A1. Автор: Luo Zhijiong,CHONG Yung Fu,Judson Holt. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-12-29.

A strained channel transistor and method of fabrication thereof

Номер патента: SG137798A1. Автор: Luo Zhijiong,CHONG Yung Fu,Judson Holt. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-12-28.

A strained channel transistor and method of fabrication thereof

Номер патента: SG137761A1. Автор: Yung Fu Chong,Zhijiong Luo,Judson Holt. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-12-28.

Fin-shaped semiconductor device, fabrication method, and application thereof

Номер патента: US12040356B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Fabricating method of a pixel structure

Номер патента: US20070099354A1. Автор: Meng-Yi Hung,Ming-Hung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor structures and methods of manufacturing semiconductor structures

Номер патента: US20240047577A1. Автор: Arash Elhami Khorasani. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240030056A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180069135A1. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device and method of unit specific progressive alignment

Номер патента: US20180082911A1. Автор: Christopher M. Scanlan,Craig Bishop. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor device and method of unit specific progressive alignment

Номер патента: WO2018053441A1. Автор: Christopher M. Scanlan,Craig Bishop. Владелец: DECA TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2018-03-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP4290566A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20110207263A1. Автор: Mitsuru Watanabe,Tetsuya Fukui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: US20120241787A1. Автор: Yeo Jin Yoon,Chang Yeon Kim. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Methods of making semiconductor device modules with increased yield

Номер патента: US20190035755A1. Автор: John F. Kaeding,Chan H. Yoo,Ashok Pachamuthu,Szu-Ying Ho. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Phase shift mask and fabrication method therefor

Номер патента: US20030091909A1. Автор: Haruo Iwasaki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Fabrication method of active device array substrate

Номер патента: US20080032235A1. Автор: Chia-Ming Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-02-07.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20150123111A1. Автор: Jen-Yu Lee,Hung-Che Ting,Tsung-Hsiang Shih,Hong-Syu Chen,Shou-Wei Fang,Wei-Hao Tseng,Fan-Wei Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2015-05-07.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US9331106B2. Автор: Jen-Yu Lee,Hung-Che Ting,Tsung-Hsiang Shih,Hong-Syu Chen,Shou-Wei Fang,Wei-Hao Tseng,Fan-Wei Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-05-03.

Microwave filter fabrication method and filters therefrom

Номер патента: WO1992022101A1. Автор: Laurice J. West,Joel J. Ravmond. Владелец: California Amplifier. Дата публикации: 1992-12-10.

Wet processing apparatus, wet processing method and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20040262265A1. Автор: Kazunori Nemoto,Norio Suzuki,Michimasa Funabashi,Hiroyuki Mima,Masakatsu Kuwabara. Владелец: Trecenti Technologies Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20070187779A1. Автор: Wen-Fang Lee,Dave Hsu,Asam Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Fabrication method of semiconductor wafer

Номер патента: US20040185665A1. Автор: Daisuke Kishimoto,Katsunori Ueno,Ryosuke Shimizu,Susumu Iwamoto,Satoshi Oka. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2004-09-23.

Fabrication Method Of Semiconductor Film, Semiconductor Film, And Field Effect Transistor

Номер патента: US20180053701A1. Автор: Junichi Takeya,Junshi SOEDA. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-02-22.

Method of fabricating poly spacer gate structure

Номер патента: US20030166319A1. Автор: Wen-Ying Wen. Владелец: Megawin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-04.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20240096702A1. Автор: Yuta Sugimoto,Kenta Kuroda. Владелец: Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12027377B2. Автор: Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor Device and Method of Forming Holes In Substrate to Interconnect Top Shield and Ground Shield

Номер патента: US20110121432A1. Автор: KyungHoon Lee,Sunmi Kim,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-05-26.

Semiconductor device and method of forming holes in substrate to interconnect top shield and ground shield

Номер патента: US8264059B2. Автор: KyungHoon Lee,Sunmi Kim,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-09-11.

Semiconductor Device and Method of Forming Holes in Substrate to Interconnect Top Shield and Ground Shield

Номер патента: US20120292751A1. Автор: KyungHoon Lee,Sunmi Kim,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Method of Thinning and Packaging a Semiconductor Chip

Номер патента: US20160218080A1. Автор: Aik Teong Tan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-28.

Wafer level flat no-lead semiconductor packages and methods of manufacture

Номер патента: US10269609B2. Автор: James P. Letterman, Jr.,Darrell D. Truhitte. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-04-23.

Power semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20100140657A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Laminated semiconductor substrate, laminated chip package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120025355A1. Автор: Yoshitaka Sasaki,Hiroyuki Ito,Atsushi Iijima. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US8067274B2. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-29.

Method of fabricating multi-fingered semiconductor devices on a common substrate

Номер патента: US20110171801A1. Автор: Akif Sultan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240274665A1. Автор: Jongryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Inductor structure having conductive sheets having fan plate shape arranged in ring structure and fabrication method thereof, electronic package and fabrication method thereof, and method for fabricating packaging carrier

Номер патента: US12062685B2. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Manufacturing method of light emitting device

Номер патента: US9887337B2. Автор: Shinji Nakamura,Akinori Yoneda,Yoshiyuki Aihara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110244660A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Method of encapsulating semiconductor devices utilizing a dispensing apparatus with rotating orifices

Номер патента: US20020058360A1. Автор: Joseph M. Brand,Scott Gooch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20220344219A1. Автор: Tatsuro SAWADA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040115924A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Fabrication method of semiconductor device with MOSFET and capacitor having lower and upper polysilicon regions

Номер патента: US5814542A. Автор: Chika Nakajima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-09-29.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20130153927A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Wafer-level stack chip package and method of manufacturing the same

Номер патента: US12033910B2. Автор: Dong Jin Kim,Se Woong Cha,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240040765A1. Автор: Yue Zhuo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Resistive memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180190352A1. Автор: Jaeyeon LEE,Cheol Seong Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Fabrication method of pixel structure

Номер патента: US20100233859A1. Автор: Yi-Wei Chen,Yi-Sheng Cheng,Ming-Yan Chen,Ying-Chi Liao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-09-16.

Fabrication method of power semiconductor structure with reduced gate impedance

Номер патента: US20120045877A1. Автор: Hsiu Wen Hsu. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

High electron mobility transistor and fabricating method of the same

Номер патента: US20240222133A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Tung Yeh,Ming-Hua Chang,Lung-En Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Double-sided adhesive tape, semiconductor packages, and methods of fabricating the same

Номер патента: US20130330881A1. Автор: Ho-geon Song,Jin-woo Park,Seok-hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-12.

Test apparatuses for testing semiconductor packages and manufacturing systems for manufacturing semiconductor packages having the same and methods of manufacturing the semiconductor packages using the same

Номер патента: US20210141014A1. Автор: Junyoung Ko,Jiyeon HAN,Jinduck Park,Chansik Kwon,Jongkeun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-13.

Method of forming oxide-nitride-oxide stack of non-volatile memory and integration to cmos process flow

Номер патента: WO2024072806A1. Автор: Michael Allen,Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: EP4020526A1. Автор: Chuanyang ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-29.

Electrode for Secondary Battery and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20220190307A1. Автор: Jong Hyuk Lee,Mi Ryeong Lee,Hee Gyoung Kang. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Method of fabricating bit line

Номер патента: US10475799B2. Автор: Yi-Wei Chen,Chi-Mao Hsu,Tsun-Min Cheng,Tzu-Chieh Chen,Pin-Hong Chen,Chih-Chieh Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

Method of fabricating bit line

Номер патента: US20190237468A1. Автор: Yi-Wei Chen,Chi-Mao Hsu,Tsun-Min Cheng,Tzu-Chieh Chen,Pin-Hong Chen,Chih-Chieh Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Pixel structure and fabrication method of pixel structure

Номер патента: US20130119386A1. Автор: Chang-Yu Huang,Pei-Ming Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2013-05-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240162092A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

A method of forming dual gate oxide layers of varying thickness on a single substrate

Номер патента: EP1145307A1. Автор: Jeffrey Lutze,Emmanuel de Muizon. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2001-10-17.

Tape carrier package (TCP) on which semiconductor chips are mounted and method of manufacuturing the same

Номер патента: US20020171140A1. Автор: Bum-Yeul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-21.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240162284A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yuusuke OOSHIMA,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160254351A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200373389A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180286949A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US8263490B2. Автор: Yutaka Fukuda,Yuji Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou,Mika Ootsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Wafer, Fabricating Method Of The Same, And Semiconductor Substrate

Номер патента: US20120056304A1. Автор: Young-soo Park,Joon-Young Choi,Sam-Jong Choi,Tae-Hyoung Koo,Sun-ha Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-08.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8999745B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20150179929A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

mask sheet for assembly of semiconductor device and assembling method of semiconductor device

Номер патента: MY138636A. Автор: Toshihiro NAKAJIMA,Yuichi Moriya,Katsuji Nakaba. Владелец: Tomoegawa Paper Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-31.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220415712A1. Автор: Naruhisa Nagata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and method of forming the same as well as data processing system including the semiconductor device

Номер патента: US20120025324A1. Автор: Yoshihiro Takaishi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Fabrication method of resistance variable memory apparatus

Номер патента: US9306166B1. Автор: Young Ho Lee,Jun Kwan Kim,Su Jin Chae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240266402A1. Автор: SangHoon HAN,Taegon Kim,Jihye Yi,Yonghee PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure with a conductive line and fabricating method of a stop layer

Номер патента: US10468417B2. Автор: Chih-Chien Liu,Tzu-Chin Wu,Chia-Lung Chang,Po-Chun Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-05.

Manufacturing and reuse of semiconductor substrates

Номер патента: EP4420152A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Bernhard Goller,Martin Huber,Francisco Javier Santos Rodriguez,Matteo Piccin,Tobias Franz Wolfgang Hoechbauer,Iris Moder,Alexander Christian BINTER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-28.

Array substrate and method of manufacturing the same, display panel and display apparatus

Номер патента: US20210063831A1. Автор: Peng Jiang,Chunxu ZHANG,Yuntian Zhang,Ke Dai,Mengmeng LI,Jingang Liu,Lihui HAN,Zhonghou WU. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US20170338186A1. Автор: Chun-Chi Ke,Fu-Tang HUANG. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Method of measuring breakdown voltage of semiconductor element and method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20160064292A1. Автор: Mitsuhiko Sakai,Susumu Yoshimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Submount-free light emitting diode (led) components and methods of fabricating same

Номер патента: EP2954564A1. Автор: Christopher P. Hussell,Peter S. Andrews,Jesse C. Reiherzer. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2015-12-16.

Apparatus of inspecting resistive defects of semiconductor devices and inspecting method using the same

Номер патента: US20160084901A1. Автор: Yu-Sin Yang,Chung-Sam Jun,Mi-Ra PARK,Sang-Kil Lee,Yong-Deok Jeong,Na-Kyoung LEE,Dae-Jin SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-24.

Manufacturing method of semiconductor device and dry etching apparatus for the same

Номер патента: US20140273482A1. Автор: Masaki Matsui,Yoshinori Tsuchiya,Shinichi Hoshi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240222251A1. Автор: Jiyoung LEE,Junhyeong PARK,Jihye SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140166964A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Method of marking a semiconductor package

Номер патента: US20160172306A1. Автор: Christopher M. Scanlan. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Resistive memory cell fabrication methods and devices

Номер патента: US20140363947A1. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Electrode structure, fabrication method thereof and PDP utilizing the same

Номер патента: US20050224801A1. Автор: Pei-Yu Chen,Chia-Hsin Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2005-10-13.

Electrode structure, fabrication method thereof and pdp utilizing the same

Номер патента: US20060286723A1. Автор: Pei-Yu Chen,Chia-Hsin Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-12-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100038767A1. Автор: Masahiro Yamaguchi,Hiroshi Moriya,Hisashi Tanie,Emi Sawayama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

MOSFET with both elevated source-drain and metal gate and fabricating method

Номер патента: US20020066913A1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-06-06.

Semiconductor structure with a conductive line and fabricating method of a stop layer

Номер патента: US20190287976A1. Автор: Chih-Chien Liu,Tzu-Chin Wu,Chia-Lung Chang,Po-Chun Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Manufacturing method of light emitting device

Номер патента: US20170301844A1. Автор: Shinji Nakamura,Akinori Yoneda,Yoshiyuki Aihara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Method of making semiconductor structures

Номер патента: RU2738772C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-12-16.

Silicone die attach adhesive, method for the fabrication of semiconductor devices, and semiconductor devices

Номер патента: US5982041A. Автор: Rikako Tazawa,Kazumi Nakayoshi,Osamu Mitani,Katsutoshi Mine. Владелец: Dow Corning Toray Silicone Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-09.

Etching method and fabrication method of semiconductor structures

Номер патента: US20170294343A1. Автор: Hai Yang Zhang,Cheng Long ZHANG,Min Da HU,Er Hu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

Etching method and fabrication method of semiconductor structures

Номер патента: US10573551B2. Автор: Hai Yang Zhang,Cheng Long ZHANG,Min Da HU,Er Hu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-02-25.

Semiconductor templates and fabrication methods

Номер патента: EP3292565A1. Автор: Tao Wang. Владелец: Seren Photonics Ltd. Дата публикации: 2018-03-14.

Semiconductor templates and fabrication methods

Номер патента: WO2016178024A1. Автор: Tao Wang. Владелец: SEREN PHOTONICS LIMITED. Дата публикации: 2016-11-10.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20100230761A1. Автор: Tadashi Yamaguchi,Kenji Kawai,Kazumasa Yonekura,Toshiaki Tsutsumi,Satoshi Ogino,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara,Yoshihiro Miyagawa,Kotaro Kihara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160197050A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yuki YAGYU,Akihiro Tobita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Reticle fabrication method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US20210165333A1. Автор: Sangwook Kim,Jaewon Yang,Woo-Yong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110183470A1. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Method of manufacturing multi-chip package

Номер патента: US20190103381A1. Автор: Won-Gil HAN,Yong-Je Lee,Jae-Heung Lee,Seung-Weon HA,Byong-Joo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-04.

Detecting defects of semiconductor manufacturing assemblies

Номер патента: WO2024107370A1. Автор: Chih-Yang Chang,Yao-Hung Yang,Shannon WANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-05-23.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Method of producing, metal contacts with low absorption losses on gallium phosphide luminescence diodes

Номер патента: US3976813A. Автор: Claus Weyrich. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1976-08-24.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240055503A1. Автор: Mark Griswold,Arash Elhami Khorasani. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Stacked die modules for semiconductor device assemblies and methods of manufacturing stacked die modules

Номер патента: US20240258243A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240071916A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230413513A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technoligies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250161A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Cutting method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050012193A1. Автор: Kiyoshi Mita,Koujiro Kameyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Fabrication method of nitride forming on silicon substrate

Номер патента: US20130217212A1. Автор: Chih-Yen Chen,Chih-Chung Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2013-08-22.

Fabrication method of nitride forming on silicon substrate

Номер патента: US9281184B2. Автор: Chih-Yen Chen,Chih-Chung Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-03-08.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US20110207241A1. Автор: Yutaka Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Method for measuring withstand voltage of semiconductor epitaxial wafer and semiconductor epitaxial wafer

Номер патента: US20050118736A1. Автор: Makoto Kiyama,Masashi Yamashita,Katsushi Akita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-06-02.

Method for measuring withstand voltage of semiconductor epitaxial wafer and semiconductor epitaxial wafer

Номер патента: US7195937B2. Автор: Makoto Kiyama,Masashi Yamashita,Katsushi Akita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2007-03-27.

Method of forming and/or modifying a dielectric film on a semiconductor surface

Номер патента: EP1540718A2. Автор: Ignaz Eisele,Jörg SCHULZE,Georg Roters,Zsolt Nenyei,Waltraud Dietl,Alexandra Ludsteck. Владелец: Mattson Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-15.

Method of production of semiconductor device

Номер патента: US20170186874A1. Автор: Tetsuya Goto,Makoto Takeshita. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020197782A1. Автор: Akio Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Electrode materials with improved hydrogen degradation resistance and fabrication method

Номер патента: EP1246231A3. Автор: HONG Ying,Tingkai Li,Sheng Teng Hsu,Fengyan Zhang,Yoshi Ono. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-15.

Integration of semiconductor on implanted insulator

Номер патента: US6768130B2. Автор: Matthew J. Comard. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2004-07-27.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12080758B2. Автор: Weichao ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020135074A1. Автор: Haruo Shimamoto,Kazushi Hatauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Method of forming junction of semiconductor device

Номер патента: US20090111233A1. Автор: Dong Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Integrated Assemblies Which Include Carbon-Doped Oxide, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20190348419A1. Автор: Sanh D. Tang,Silvia Borsari,Sau Ha Cheung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220302253A1. Автор: Weichao ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Package structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20230290733A1. Автор: Sih-Hao Liao,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Yung-Chi Chu,Jhih-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Method of designing semiconductor device

Номер патента: US20090134495A1. Автор: Keiichirou Kondou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Semiconductor Device and Method of Forming Protective Coating Material Over Semiconductor Wafer to Reduce Lamination Tape Residue

Номер патента: US20110266656A1. Автор: WonJun Ko,JaEun Yun,HunTeak Lee,SeungYong Chai. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-11-03.

Manufacturing method of microcrystalline semiconductor film and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110263080A1. Автор: Satoshi Toriumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Holder for a semiconductor substrate, and method of manufacturing a semiconductor device using such a holder

Номер патента: US20010040329A1. Автор: Johannes H. Tyveleijn. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor structure and method of overlay measurement of semiconductor structure

Номер патента: US20240266234A1. Автор: Chan Hen YANG,Yun Chen WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor packaging structure and method of forming the same

Номер патента: US20190319010A1. Автор: Boo Yang Jung,Jason Au. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2019-10-17.

Electrode structure of rear electrode of semiconductor substrate, method of its obtaining and sputtered target for use in production of electrode structure

Номер патента: RU2718134C1. Автор: Тецуя КАТО,Йохей МИЗУНО,Тихару ИСИКУРА. Владелец: Танака Кикинзоку Когио К.К.. Дата публикации: 2020-03-30.

Composition and method of producing material which absorbs electromagnetic radiation

Номер патента: RU2707656C1. Автор: Ольга Викторовна Казьмина,Валерия Игоревна Семенова,Валентин Иванович Сусляев,Кирилл Валерьевич Дорожкин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2019-11-28.

Method of making metal interconnections

Номер патента: RU2767154C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2022-03-16.

Method of fastening parts inside vacuum devices

Номер патента: RU2622050C2. Автор: Иван Алексеевич Свищёв,Михаил Рувимович Айнбунд,Андрей Владимирович Пашук,Елена Борисовна Андреева. Владелец: Открытое акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт "Электрон". Дата публикации: 2017-06-09.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11869984B2. Автор: Er-Xuan Ping,Lianhong Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Fabrication method of semiconductor package

Номер патента: US20140308780A1. Автор: LIANG Yi Hung,Chun Hsien Lin,Wei Chung Hsiao,Yu Cheng Pai,Ming Chen Sun,Shao Tzu Tang,Ying Chou Tsai,Chang Yi Lan. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-16.

Fabricating method and testing method of semiconductor device and mechanical integrity testing apparatus

Номер патента: US20120135547A1. Автор: Ra-Min Tain,Ming-Che Hsieh,John H. Lau. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2012-05-31.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220069139A1. Автор: Er-Xuan Ping,Lianhong Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Fabricating method of semiconductor device

Номер патента: US20130171747A1. Автор: Ra-Min Tain,Ming-Che Hsieh,John H. Lau. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-07-04.

Method of manufacturing a semiconductor apparatus and electronic equipment

Номер патента: US20130183807A1. Автор: Satoshi Hikida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

System for cooling semiconductor component, method of manufacturing the same, and semiconductor package having the system

Номер патента: US12027445B2. Автор: Yun hwa CHOI. Владелец: JMJ Korea Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US12033928B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Mounting method of semiconductor element and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080124834A1. Автор: Seiki Sakuyama,Toshiya Akamatsu,Joji Fujimori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240055506A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa,Misaki Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Three-dimensional nand memory device and fabrication method

Номер патента: US20240237338A9. Автор: Wei Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Longxiang Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20160049482A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory, and memory system

Номер патента: US20240164095A1. Автор: Yonggang YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Package structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12051652B2. Автор: Chen-Hua Yu,Shih-Ting Lin,Szu-Wei Lu,Chi-Hsi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12046630B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Methods of reinforcing integrated circuitry of semiconductor devices and related semiconductor devices and packages

Номер патента: US20190393110A1. Автор: AJAY Kumar,John House,Hyunsoo Yeom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: SG10201802450PA. Автор: LEE Dongsoo,Hyun Sangjin,Na Hoonjoo,Chung Wonkeun,Bae Suyoung,Song Jaeyeol,Lee Jonghan,Jung HyungSuk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070032056A1. Автор: Izuo Iida. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Method of manufacturing a semiconductor apparatus and electronic equipment

Номер патента: US9012301B2. Автор: Satoshi Hikida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-04-21.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230069568A1. Автор: Tsutomu Kato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2007043285A9. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Ryosuke Watanabe. Дата публикации: 2007-06-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200279917A1. Автор: Yu-Chih Su,Yao-Jhan Wang,Che-Hsien Lin,Chun-jen Huang,Cheng-Yeh Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230276718A1. Автор: Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Amrita Singh,Elvedin MEMISEVIC. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US9524884B2. Автор: Cheol-soo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Simultaneous multi-bandwidth optical inspection of semiconductor devices

Номер патента: US12068207B2. Автор: Xiaomeng Chen,Chien-Huei Chen,Hung-Yi Chung,Shih-Chang Wang,Hsiu-Hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Embedded non-volatile memory device and fabrication method of the same

Номер патента: US20210134811A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor package redistribution structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240282628A1. Автор: Fang-I Chih,Chi-Feng Lin,Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Jo-Lin Lan,Chen-Chiu Huang,Ying-Yao Lai,Peng-Chung Jangjian,Wen-Ling CHANG,ShuFang CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Layout of semiconductor device, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10553577B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Reduction of semiconductor stresses

Номер патента: EP2164099A3. Автор: Kai Johansson,Kari Tikkanen,Kjell Ingman,Tomi Väisälä. Владелец: ABB Oy. Дата публикации: 2016-11-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180261617A1. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10249637B2. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-04-02.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170084499A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US9899271B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Hybrid aluminum electrolytic capacitor and fabrication method therefor

Номер патента: EP3664113A1. Автор: I-Chu Lin,Jun Xiong. Владелец: Capxon Electronic Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-10.

Fabrication Method of Patterned Flexible Electrode

Номер патента: US20210218011A1. Автор: Jang-Ung PARK,Jun Hyung Kim,Sang Yoon Ji. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2021-07-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20010053579A1. Автор: TAKESHI Toda,Yoshiro Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Laser scribe on front side of semiconductor wafer

Номер патента: US20040211750A1. Автор: Byron Palla. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-10-28.

Formation method of metallic compound layer, manufacturing method of semiconductor device, and formation apparatus for metallic compound layer

Номер патента: US20090170252A1. Автор: Takashi Nakagawa,Toru Tatsumi,Kensuke Takahashi,Kenzo Manabe,Makiko Oshida,Nobuyuki Ikarashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Composite magnetic inductor element and fabrication method thereof

Номер патента: EP4369359A1. Автор: Antonio Rojas Cuevas,Francisco Ezequiel NAVARRO PÉREZ,Claudio Cañete Cabeza,José Ramón FERNÁNDEZ DE LA FUENTE,Paula PÉREZ CAMERO. Владелец: PREMO SA. Дата публикации: 2024-05-15.

Method of semiconductor device fabrication

Номер патента: WO1999025016A1. Автор: Paul A. Jerred. Владелец: Zetex PLC. Дата публикации: 1999-05-20.

Microelectronic device wafers and methods of manufacturing

Номер патента: US20120070959A1. Автор: Alan G. Wood,Ford B. Grigg,Ed A. Schrock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-22.

Current application device and manufacturing method of semiconductor element

Номер патента: US20150194353A1. Автор: Hitoshi Saito,Koichiro Sato,Hiroyuki Yamagishi,Satoshi Hasegawa,Shigeto Akahori,Shinyu Hirayama,Machie Saitou,Yoko Yamaji. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Method of vertical contact structures making on semiconductor plates or printed circuit boards

Номер патента: RU2600514C1. Автор: Иван Николаевич Петухов,Владимир Михайлович Рощин,Кирилл Сергеевич Сеньченко,Анна Владимировна Рощина. Владелец: Открытое акционерное общество "Институт точной технологии и проектирования". Дата публикации: 2016-10-20.

Fabrication method of semiconductor device by removing sacrificial layer on gate structures

Номер патента: US10748814B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-18.

Fabrication method of semiconductor device with refractory metal silicide formation by removing native oxide in hydrogen

Номер патента: US5563100A. Автор: Yoshihisa Matsubara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-10-08.

Semiconductor structure and fabricating method thereof

Номер патента: US8507338B2. Автор: Duan-Quan LIAO,Yi-Kun Chen,Xiao-Zhong Zhu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-08-13.

Semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US20160181421A1. Автор: XIN Lin,Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-23.

Fabrication method of semiconductor structure

Номер патента: US20150072517A1. Автор: Yi-Hung Lin,Yi-Hsin Chen,Feng-Lung Chien,Meng-Tsung Lee,Sui-An Kao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Image sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240234458A1. Автор: Jongmin JEON,TaekSoo JEON,Jaesung HUR,Je-Hyung Ryu,Haji LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20180315669A1. Автор: Yuji Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20160070848A1. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030096505A1. Автор: Kenji Shintani,Junji Tanimura,Takahiro Maruyama,Mutumi Tuda,Ryoichi Yoshifuku. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Electronic device bonding structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220068872A1. Автор: Chia-Fu Hsu,Kai-Ming Yang,Cheng-Ta Ko,Pu-Ju Lin. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Directly flat-attached switching component for active frequency selective surface and fabricating method thereof

Номер патента: US11056796B2. Автор: Shyh-Jer Huang,Yang-Kuo Kuo,Jian-Long Ruan. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2021-07-06.

Light emitting diodes formed on nanodisk substrates and methods of making the same

Номер патента: US20200274029A1. Автор: Miao-Chan TSAI,Benjamin Leung,Richard P. Schneider, Jr.,Fariba DANESH,Zulal TEZCAN OZEL. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2020-08-27.

Production process standardization system of semiconductor device and method of same and storage medium storing that method

Номер патента: EP1187045A3. Автор: Nakamura Tadahiko,Kadowaki Tomohiko. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2006-05-03.

Heterojunction p-i-n diode and method of making the same

Номер патента: EP1502307A1. Автор: Timothy Edward Boles,James Joseph Brogle,David Russell Hoag. Владелец: MA Com Inc. Дата публикации: 2005-02-02.

Methods of manufacturing semiconductor devices including air gap spacers

Номер патента: US20160064270A1. Автор: Hyun-Jung Lee,Nam-Gun Kim,Gyuhwan Oh,Eun-Ok Lee,Heesook Park,Kyungho JANG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-03.

Carbon ribbon to be covered with a thin layer made of semiconductor material and method for depositing a layer of this type

Номер патента: US20090302425A1. Автор: Christian Belouet. Владелец: SOLARFORCE. Дата публикации: 2009-12-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20180166342A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20170221752A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Peter Moens,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-08-03.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200381547A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230290881A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220093786A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Method of forming a diode for integration with a semiconductor device and method of forming a transistor device having an integrated diode

Номер патента: EP1102318B1. Автор: Evgueniy Stefanov,Jean-Michel Reynes,Ivana Deram. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-29.

Low-resistance conductive pattern structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110100693A1. Автор: Bo-Un Yoon,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Bump Structure with Insulating Buffer Layer to Reduce Stress on Semiconductor Wafer

Номер патента: US20120217640A1. Автор: SungWon Cho,Joonyoung Choi,YoungJoon Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Manufacturing method of semiconductor device, reticle correcting method, and reticle pattern data correcting method

Номер патента: US20070218673A1. Автор: Hiroko Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-20.

Semiconductor package, electronic apparatus and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20220293432A1. Автор: Junghoon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050158943A1. Автор: Yoshihiko Miyawaki. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Directly Flat-Attached Switching Component for Active Frequency Selective Surface and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20210005974A1. Автор: Shyh-Jer Huang,Yang-Kuo Kuo,Jian-Long Ruan. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2021-01-07.

Method of making a plurality of packaged semiconductor devices

Номер патента: US20180301353A1. Автор: Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Jetse de Witte,Jan Gulpen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-10-18.

Method of making a plurality of packaged semiconductor devices

Номер патента: US10431476B2. Автор: Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Jetse de Witte,Jan Gulpen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-10-01.

Method of fabricating organic light emitting diode display

Номер патента: US20130078748A1. Автор: Beung-Hwa Jeong,Yun-Sik Ham,Kwang-Nam Kim,Young-Ro Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-28.

Image sensor fabricating method

Номер патента: US20080160665A1. Автор: Eun Sang Cho. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor Device and Method of Forming Conductive Pillars in Recessed Region of Peripheral Area around the Device for Electrical Interconnection to Other Devices

Номер патента: US20120175770A1. Автор: Byung Tai Do,Reza A. Pagaila,Linda Pei Ei Chua. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-07-12.

Heterojunction p-i-n diode and method of making the same

Номер патента: WO2003094245A1. Автор: Timothy Edward Boles,James Joseph Brogle,David Russell Hoag. Владелец: M/A-Com, Inc.. Дата публикации: 2003-11-13.

Semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: US20210343598A1. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170133490A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20160351700A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Structure of Semiconductor Device Structure Having Fins

Номер патента: US20200312985A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20180308956A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Structure of semiconductor device structure having fins

Номер патента: US10686059B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-16.

Forming method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230282537A1. Автор: Huiwen TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100120241A1. Автор: Shigeru Saito. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

System and Method of Planar Processing of Semiconductors into Detector Arrays

Номер патента: US20110260278A1. Автор: Chris Coretsopoulos,John P. PRINEAS,Jonathan T. OLESBERG. Владелец: University of Iowa Research Foundation UIRF. Дата публикации: 2011-10-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230146858A1. Автор: Takahiro Maruyama,Takuya Hagiwara,Takuya Maruyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Device and methods for characterization of semiconductor films

Номер патента: US20240264113A1. Автор: Michel DE KEERSMAECKER,Erin L. RATCLIFF,Neal R. Armstrong. Владелец: University of Arizona. Дата публикации: 2024-08-08.

FinFET with Embedded MOS Varactor and Method of Making Same

Номер патента: US20150270368A1. Автор: Chung-Hui Chen,Jaw-Juinn Horng,Po-Zeng Kang,Wan-Te CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-24.

A method for transferring and stacking of semiconductor devices

Номер патента: EP1252654A2. Автор: Eric Beyne,Staf Borghs,Raf Vandersmissen. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2002-10-30.

Yield rate prediction method, yield rate prediction system and model training device of semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20220076146A1. Автор: Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Test element group, method of testing electrical characteristics of semiconductor elements, and fabricating method thereof

Номер патента: US9893131B2. Автор: Shuai ZHANG,Yucheng CHAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US10741670B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20190067449A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: US20140070312A1. Автор: XIN Lin,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: US20150104920A1. Автор: XIN Lin,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: US20140235025A1. Автор: XIN Lin,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor dies having substrate shunts and related fabrication methods

Номер патента: US20140252552A1. Автор: Chai Ean Gill,Wen-Yi Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-11.

Manufacturing method of semiconductor device and test socket for use in the same

Номер патента: US20240201223A1. Автор: Toshitsugu Ishii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20200075433A1. Автор: Yuji Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Cleaning composition, cleaning method of semiconductor substrate, and manufacturing method of semiconductor element

Номер патента: US20240209284A1. Автор: Tadashi Inaba,Tetsuya Kamimura,Naotsugu Muro. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor element, manufacturing method of semiconductor element, and electronic apparatus

Номер патента: US20210167115A1. Автор: Naoto Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140217569A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Naoki Yoshimatsu,Hidetoshi Ishibashi,Hidehiro Koga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-08-07.

Liquid crystal display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080143909A1. Автор: Jung Il Lee,Seung Kwang Roh. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Manufacturing method of semiconductor photonic device substrate

Номер патента: US20110003413A1. Автор: Takashi Furuya,Takehiko Tani,Hisataka Nagai,Toshihiro Morisawa. Владелец: Hitach Cable Ltd. Дата публикации: 2011-01-06.

Photomask and fabrication method therefor

Номер патента: US20180164675A1. Автор: Yuan-Chih Chu,Chien-Hung Lai,Shao-Chi Wei,Cheng-Ming Lin,Hao-Ming Chang,Hsuan-Wen Wang,Min-An Yang,S. C. Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Thin film transistor memory and its fabricating method

Номер патента: US20130264632A1. Автор: Sun Chen,Wei Zhang,Pengfei Wang,Shijin Ding,Xingmei Cui. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10177035B2. Автор: Shinichi Maeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-08.

Field effect transistors having improved breakdown voltages and methods of forming the same

Номер патента: EP2622638A1. Автор: Edward John Coyne,Jagar Singh,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Paul Malachy Daly,Seamus Whiston. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-08-07.

Piezo Actuator Fabrication Method

Номер патента: US20200152856A1. Автор: Yufeng Wang,Xiaolei Liu,Guiqin Wang,Mahmood Samiee. Владелец: MEMS Drive Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9728460B2. Автор: Shinichi Maeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120313183A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor device and method of forming athin wafer without a carrier

Номер патента: SG183779A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Shuangwu Huang,Nathapong Suthiwongsunthorn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of Forming Ultra Shallow Junction

Номер патента: US20140302656A1. Автор: TianJin XIAO. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Structure and formation method of semiconductor device with embedded capacitor

Номер патента: US20160064385A1. Автор: Chun-Sheng Wu,Chun-Li Lin,Yung-Tsun LIU,Yi-Fang LI,Geng-Shuoh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor package and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20240249990A1. Автор: Dahee Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor electronic device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20050035468A1. Автор: Paola Galbiati,Antonio Andreini,Lorenzo Cerati,Alessandra Merlini. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2005-02-17.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4383318A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-06-12.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20100323520A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Semiconductor device fabrication methods with enhanced control in recessing processes

Номер патента: US20130078791A1. Автор: Robert J. Miller,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20090278235A1. Автор: Yoshiro Hirose,Masayuki Asai,Kenji Kanayama,Kazuyuki Okuda,Norikazu Mizuno. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2009-11-12.

Stacked connections in 3D memory and methods of making the same

Номер патента: US11765898B2. Автор: Jun Liu,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of fabricating specimen for analyzing defects of semiconductor device

Номер патента: US5840205A. Автор: Doo-Jin Park,Jeong-Hoi Koo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Electrode assembly, fabricating method thereof, and rechargeable battery

Номер патента: US20130316204A1. Автор: Chan-Seok Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Fabrication method of solar cell electrode using a conductive paste that comprises an organic elastomer

Номер патента: WO2016003987A1. Автор: John Donald Summers,Hikaru Uno. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2016-01-07.

Foldable display module, method of manufacturing foldable display module, display apparatus and heat dissipation method

Номер патента: US20210192982A1. Автор: Xuan Luo,Yanping Ren,Yudan Shui,Zhengmao Yu. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Silicon photovoltaic element and fabrication method

Номер патента: US9231146B2. Автор: Devendra K. Sadana,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Bahman Hekmatshoar-Tabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Chip package structure with multiple gap-filling layers and fabricating method thereof

Номер патента: US12057363B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of removing sharp edges of dielectric coatings on semiconductor substrates and device produced

Номер патента: WO1996004680A1. Автор: Daniel J. Jackson. Владелец: Microchip Technology, Inc.. Дата публикации: 1996-02-15.

Systems and methods of automatically detecting failure patterns for semiconductor wafer fabrication processes

Номер патента: US20140106474A1. Автор: Jong-I Mou,Yen-Di Tsen,Jui-Long Chen,Hui-Yun Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170125295A1. Автор: Shinichi Maeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170338155A1. Автор: Shinichi Maeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Packaging methods of semiconductor devices

Номер патента: US20230047166A1. Автор: Peiyan CAO,Yurun LIU. Владелец: Shenzhen Xpectvision Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Contact structure with arched top surface and fabrication method thereof

Номер патента: US20240266412A1. Автор: Kuo-Hua Pan,Ruoh-Ning TZENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230197850A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Pei-Yu Wang,Cheng-Ting Chung,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US10553500B2. Автор: Yuji Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160047046A1. Автор: Takayuki Matsui,Hajime Nagano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Shielding elements for packages of semiconductor devices

Номер патента: US20230056509A1. Автор: Ranjan Rajoo,Venkata Narayana Rao Vanukuru. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US12080629B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sen-Bor Jan,Chih-Chia Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Methods of forming doped and un-doped strained semiconductor and semiconductor films by gas-cluster ion irradiation

Номер патента: EP1723667A2. Автор: John O. Epion Corporation BORLAND,John J. Epion Corporation HAUTALA,Wesley J. Epion Corporation SKINNER,Martin D. Epion Corporation TABAT. Владелец: TEL Epion Inc. Дата публикации: 2006-11-22.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20120086134A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Method of manufacturing a semiconductor device having a heat spreader

Номер патента: US20110104872A1. Автор: Yuko Sato,Takehiko Maeda,Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US10014394B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

Micro-connector structure and fabricating method thereof

Номер патента: US20060046552A1. Автор: Hsing Chen. Владелец: Solidlite Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20150059957A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20180038806A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor constructions, methods of forming semiconductor constructions, and methods of recessing materials within openings

Номер патента: US20080169504A1. Автор: David K. Hwang,Aaron R. Wilson,Larson Lindholm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-07-17.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20240274691A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Kuo-Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20240258170A1. Автор: Minoru Yamamoto,Naoto Inoue,Hiroaki Tamemoto,Masayuki Ibaraki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: RU2606248C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-01-10.

On chip zinc oxide thin film varistor, fabrication method thereof and applications thereof

Номер патента: US20080297302A1. Автор: Liann-Be Chang,Uan-Hsong CHANG. Владелец: Chang Gung University CGU. Дата публикации: 2008-12-04.

Conductive paste for front electrode of semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US9023253B2. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li,Ran Guo. Владелец: Soltrium Technology Ltd. Дата публикации: 2015-05-05.

Vertical transistor, memory cell, device, system and method of forming same

Номер патента: US20150262643A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20060073648A1. Автор: Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Tae-Hoon Yang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-06.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230395425A1. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Core substrate, package structure including the core substrate, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20230057039A1. Автор: Dowon Kim,Jangbae Son,Myeongho HONG,Seokwoo YOON,Kyomuk LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Heat exchange plate, battery, electric apparatus, and fabrication method for battery

Номер патента: EP4386935A1. Автор: Haihua Huang,Liangyi WANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Sheet of semiconducting material, system for forming same, and method of forming same

Номер патента: WO2014058698A1. Автор: Prantik Mazumder,Samir Biswas,Glen Bennett Cook,Balram Suman,Kamal Kishore Soni,Douglass Lane Blanding. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2014-04-17.

Method of Fabricating Semiconductor Device Isolation Structure

Номер патента: US20160133506A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Customized metallization patterns during fabrication of semiconductor devices

Номер патента: EP2377159A1. Автор: Michael Dovrat. Владелец: Xjet Ltd. Дата публикации: 2011-10-19.

Thin film transistor manufactured by low-temperature process, manufacturing method of the same transistor, transistor device and electronic device including the same transistor

Номер патента: US20240222466A1. Автор: Byungwook Yoo,Min Suk Oh. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2024-07-04.

Conductive paste for front electrode of semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20150162481A1. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li. Владелец: Soltrium Tech Ltd Shenzhen. Дата публикации: 2015-06-11.

Method of producing semiconductor elements using a test structure

Номер патента: WO2004057672A1. Автор: Paul L. C. Simon,Aalt M. Van De Pol. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-08.

Conductive paste for front electrode of semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20150159026A1. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li. Владелец: Soltrium Tech Ltd Shenzhen. Дата публикации: 2015-06-11.

Methods of forming semiconductor packages with back side metal

Номер патента: US12040310B2. Автор: Eiji KUROSE. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Vertical transistor, memory cell, device, system and method of forming same

Номер патента: US20130258756A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-03.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20060243193A1. Автор: Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Tae-Hoon Yang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-02.

System and method for high speed inspection of semiconductor substrates

Номер патента: US11749571B2. Автор: Yan-Cheng Chen,Jun Xiu Liu,Chung-Pin CHOU,Sheng He HUANG,Shiue-Ming GUO,Hsuan-Chia KAO,Sheng-Ching KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US10332834B2. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-06-25.

Method of designing layout of semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230290686A1. Автор: Jongdoo Kim,Juyun PARK,Yeojin NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6608344B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-19.

Analysis method, storage medium, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230118297A1. Автор: Yusuke Shimizu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20130217181A1. Автор: Jung Ho Yoon,Myeong Woo HAN,Chul Gyun PARK,Do Jae Yoo,Jung Aun Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor die and method of forming through organic viashaving varying width in peripheral region of the die

Номер патента: SG184758A1. Автор: Byung Tai Do,Reza A Pagaila,Shuangwu Huang. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-10-30.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240266339A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated circuit (ic) packages employing front side back-end-of-line (fs-beol) to back side back-end-of-line (bs-beol) stacking for three-dimensional (3d) die stacking, and related fabrication methods

Номер патента: EP4248488A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Bharani Chava. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

Integrated circuit (ic) packages employing front side back-end-of-line (fs-beol) to back side back-end-of-line (bs-beol) stacking for three-dimensional (3d) die stacking, and related fabrication methods

Номер патента: WO2022109513A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Bharani Chava. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-05-27.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6514812B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Method of semiconductor manufacturing using hard mask, method for forming pattern, and semiconductor structure

Номер патента: US20230086464A1. Автор: Meng-Cheng Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor devices and fabrication methods

Номер патента: EP2681777A1. Автор: Tao Wang. Владелец: Seren Photonics Ltd. Дата публикации: 2014-01-08.

Integrated circuit leadframe and fabrication method therefor

Номер патента: SG173394A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Byung Hoon Ahn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2011-08-29.

Method of minimizing placement-related defects in the placement of semiconductor chips and other microelectronic components

Номер патента: WO2001050519A3. Автор: Peter Borgesen. Владелец: Universal Instruments Corp. Дата публикации: 2001-12-06.

Method of examining a wafer of semiconductor material by means of X-rays

Номер патента: US20030053590A1. Автор: Ronald Dekker,Henricus Maas,Theodorus Michielsen,Catharina Emons,Ingrid Rink,Antonius Janssen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Method of examining a wafer of semiconductor material by means of x-rays

Номер патента: WO2003025980A3. Автор: Ronald Dekker,Henricus G R Maas,Theodorus M Michielsen,Catharina H H Emons,Antonius J Janssen,Ingrid A Rink. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-10-02.

Inductor device and fabrication method

Номер патента: US9515133B2. Автор: Herb He Huang,Haiting Li,Hongtao Ge. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030100167A1. Автор: Shu Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20080079098A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20010008789A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20020038881A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Multi-chip package with thermal frame and method of assembling

Номер патента: US8587111B2. Автор: Roland SCHUETZ. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-11-19.

Top-Down Fabrication Method for Forming a Nanowire Transistor Device

Номер патента: US20150053925A1. Автор: Fei-Lung Lai,Yi-Shao LIU,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device having a gate and fabrication method therefor

Номер патента: US20020034868A1. Автор: Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240258100A1. Автор: Yung-Cheng Lu,Chunyao Wang,Te-En CHENG,Ming-Han Chung,Shu-Ling Liao,Nai-Yu Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20230352351A1. Автор: Ling-Sung Wang,Kun-Ei Chen,Chen-Chieh Chiang,Hsueh-Han Lu,Pei-Lum MA,Kun Da Jhong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of extracting heat from a semiconductor body and forming microchannels therein

Номер патента: US5998240A. Автор: Paul G. Kennedy,Robin E. Hamilton,John Ostop,Martin L. Baker,Gregory A. Arlow,John C. Golombeck,Thomas J. Fagan, Jr.. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 1999-12-07.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230328971A1. Автор: Tieh-Chiang Wu,Lingxin ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Printed package and method of making the same

Номер патента: EP4272252A1. Автор: Sreenivasan K. Koduri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

Semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170076980A1. Автор: Takashi Ohashi,Takuya Ohtsuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor structure and preparation method of semiconductor structure

Номер патента: US20230238273A1. Автор: Jie Bai,Wenli Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Method of manufacturing fan-out wafer level package

Номер патента: US11056461B2. Автор: Dongkyu Kim,Seokhyun Lee,Jungho Park,Yeonho JANG,Gwangjae JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-06.

Fabrication method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9040410B2. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Edge termination structure for a charge balanced semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: WO2024092176A1. Автор: Philip Rutter,Stanislav Soloviev,David Jauregui. Владелец: Ideal Semiconductor Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor assemblies with multi-level substrates and associated methods of manufacturing

Номер патента: US20140141572A1. Автор: Chin Hui Chong,Hong Wan Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20180233472A1. Автор: Chao-Wen Shih,Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu,Shih-Wei Liang,Ching-Feng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US10312209B2. Автор: Chao-Wen Shih,Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu,Shih-Wei Liang,Ching-Feng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-04.

Gate Dielectric Of Semiconductor Device

Номер патента: US20140091400A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Trench power MOSFET structure fabrication method

Номер патента: US9035378B2. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Barrier layer for contact structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230260792A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Chi-Ruei YEH,Hsin Hsiang TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor structure and manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20240047371A1. Автор: Zhiyuan Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US7615485B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-10.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US20110018046A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Semiconductor device and driver circuit with an active device and isolation structure interconnected through a resistor circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US20140001549A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-01-02.

Manufacturing method of semiconductor device and adjusting apparatus

Номер патента: US9153459B2. Автор: Takashi Kyuho. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-06.

Fabrication Method For Semiconductor Device And Semiconductor Device

Номер патента: US20140145354A1. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Methods of forming a stack of multiple deposited semiconductor layers

Номер патента: EP3649670A1. Автор: LONG Lin,Chentsau Ying,Xinhai Han,Liyan Miao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-13.

Method of measuring misregistration in the manufacture of topographic semiconductor device wafers

Номер патента: EP3970184A1. Автор: Amnon Manassen,Daria Negri,Gilad Laredo. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-03-23.

Method of examining a wafer of semiconductor material by means of X-rays

Номер патента: US6775350B2. Автор: Ronald Dekker,Henricus Godefridus Rafael Maas,Theodorus Martinus Michielsen,Antonius Johannes Janssen,Ingrid Annemarie Rink,Catharina Huberta Henrica Emons. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-08-10.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7867890B2. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-11.

Fabrication system of semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20200348599A1. Автор: Jinhong Park,Seungmin Lee,Suntaek LIM,Jinseok Heo,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210320193A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Naoki Okuno,Yuji EGI,Tetsuya Kakehata,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080102572A1. Автор: Hirotaka Komatsubara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Chip size package and method of fabricating the same

Номер патента: US20010035294A1. Автор: Sang Park,Ji Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Method of glass deposition for semiconductor device fabrication

Номер патента: US20240258099A1. Автор: Lei He,Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Chip size package and method of fabricating the same

Номер патента: GB9915229D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-01.

Semiconductor device with through-substrate via and method of manufacturing a semiconductor device with through-substrate via

Номер патента: US12100644B2. Автор: Thomas Bodner,Joerg Siegert,Bernhard Loeffler. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2024-09-24.

Molded chip fabrication method and apparatus

Номер патента: US10164158B2. Автор: James Ibbetson,Michael S. Leung,Eric J. Tarsa. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-12-25.

Molded chip fabrication method and apparatus

Номер патента: US9105817B2. Автор: James Ibbetson,Michael S Leung,Eric J Tarsa. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2015-08-11.

Method of manufacture of integral elements of microcircuits on the epitaxial structures of gallium arsenide

Номер патента: RU2665368C1. Автор: Александр Сергеевич Федоров,Григорий Юрьевич Вечерко. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" ОАО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2018-08-29.

Stretchable composite electrode and fabricating method thereof

Номер патента: US20240212876A1. Автор: Wei Sheng CHEN,Ching Mao Huang,Jia Hui Zhou,Shu Xiong Wang,Chin Hui Lee,Huan Ran YUN. Владелец: TPK Advanced Solutions Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20080138995A1. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20200185353A1. Автор: Ryo Hayashi,Yasuhiko Akaike. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Manufacturing method of semiconductor module

Номер патента: US20160190085A1. Автор: Akira Kato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047829A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Method of Making Nanosheet Local Capacitors and NVM Devices

Номер патента: US20220278226A1. Автор: Anirban Roy,Mark Douglas Hall,Tushar Praful Merchant. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor devices having encapsulated stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20120193686A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor device structures and fabrication methods thereof

Номер патента: WO2018223967A1. Автор: Rongfu ZHU. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

Active layer, thin film transistor, array substrate, and display apparatus and fabrication methods

Номер патента: EP3403281A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-11-21.

FinFET and fabrication method thereof

Номер патента: US9647067B1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Photomask and fabrication method therefor

Номер патента: US20180321581A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof, memory systems

Номер патента: US20240164117A1. Автор: LAN Yao,CHENG Chen,Jing Li,Quan Zhang,Yanwei Shi,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Fabrication method and application of cobalt and nitrogen co-doped three-dimensional structured carbon matrix

Номер патента: US20240228296A1. Автор: Xiang Deng,Yanhua LUO,Xiaodong PEI. Владелец: Sinosteel Nanjing Advanced Materials Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Magnesium ion battery cathode material doped at magnesium site and fabricating method thereof

Номер патента: AU2021104796A4. Автор: Zhenbo Peng,Zhaoshen YU,Zhengyong Yuan. Владелец: Ningbo Polytechnic. Дата публикации: 2021-09-30.

Floating gate fabrication method

Номер патента: US20190363096A1. Автор: Jun Zhou,Yun Li,Chaoran ZHANG. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Isolation layer of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090315141A1. Автор: Ki-Moon Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.

Structure and formation method of semiconductor device structure with a dummy fin structure

Номер патента: US10727321B2. Автор: LUNG Chen,Kang-Min Kuo,Wen-Hsin CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-28.

Fabrication method for a semiconductor structure having integrated capacitors

Номер патента: US7312115B2. Автор: Harald Seidl,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-25.

Integrated inductor and integrated inductor fabricating method

Номер патента: US20140284762A1. Автор: Ta-Hsun Yeh. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US8853089B2. Автор: Takumi Shibata,Hiroshi Ohtsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-10-07.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US11776844B2. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110045615A1. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Semiconductor wafer and semiconductor wafer fabrication method

Номер патента: US20190148127A1. Автор: Po-Jen Wang,Tsung-Han Tsai,Yao-Wen Hsu,Ching-Hung Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device package and method of manufacture

Номер патента: US20220068862A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Method of semiconductor device fabrication

Номер патента: US10446396B2. Автор: Tsung-Yao Wen,Angus Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-15.

Monolithically-Integrated New Dual Surge Protective Device and Its Fabrication Method

Номер патента: US20120175704A1. Автор: Yanfeng JIANG. Владелец: NORTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabrication system

Номер патента: US20080081384A1. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12035533B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220336466A1. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Shijie BAI,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Cleaning method of semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20130014779A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Yi-Wei Chen,Kuo-Chih Lai,Shu-Min HUANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Method of forming interconnectings in semiconductor devices

Номер патента: US20020090810A1. Автор: Mario Napolitano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor structure and fabrication method

Номер патента: US20190273043A1. Автор: Xing Hua SONG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor fabrication method and structure using multiple sacrificial layers to form sidewall spacers

Номер патента: US11742245B2. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Manufacturing method of semiconductor device having DRAM capacitors

Номер патента: US20020086493A1. Автор: Ken Inoue,Ryo Kubota. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Three-dimensional (3d) integrated circuit (ic) (3dic) package with a bottom die layer employing an extended interposer substrate, and related fabrication methods

Номер патента: US20230299048A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Yangyang Sun,Lily Zhao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of Producing a Semiconductor Device and Semiconductor Device Having a Through-Wafer Interconnect

Номер патента: US20120286430A1. Автор: Jochen Kraft,Jordi Teva. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2012-11-15.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210184108A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Array substrate and fabrication method thereof and display panel

Номер патента: US20190067339A1. Автор: Haihong Zheng. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Stress-strain engineering of semiconductor membranes

Номер патента: US20240194826A1. Автор: Stephen SWEENEY,David Cox,Steven Clowes,Mateus Masteghin. Владелец: UNIVERSITY OF SURREY. Дата публикации: 2024-06-13.

Image sensor pixel and fabrication method thereof

Номер патента: EP1900029A1. Автор: Cheol Soo Park. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2008-03-19.

Stacked semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20030075788A1. Автор: Un-Young Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Fabrication method for semiconductor structure in a substrate, the semiconductor structure having at least two regions that are to be patterned differently

Номер патента: US20050191843A1. Автор: Mirko Vogt,Stephan Hartmann,Dirk Offenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-01.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Plasma processing method of semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20110250758A1. Автор: Ki-sang Kim,Jong-Bum Kim,In-Joong Kim,Hyun-Su JUN,Seung-Heong Lee,Min-Woung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-13.

Chemical mechanical polishing (cmp) slurry, semiconductor structure, and manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20230057872A1. Автор: Chang-Yi Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Wide-Bandgap Semiconductor Bipolar Charge-Trapping Non-Volatile Memory with Single Insulating Layer and A Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20230050475A1. Автор: LI ZHANG,Tao Chen,Jing Chen,Zheyang ZHENG. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2023-02-16.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20180301465A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Fabrication of semiconductor devices with air gaps for ultra low capacitance interconnection structures

Номер патента: EP1352421A2. Автор: Clifford Lee Henderson,Paul Albert Kohl,Sue Ann Bidstrup Allen,Dhananjay M. Bhusari,Hollie Anne Reed. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2003-10-15.

Fabrication of semiconductor devices with air gaps for ultra low capacitance interconnection structures

Номер патента: EP1352421B1. Автор: Clifford Lee Henderson,Paul Albert Kohl,Sue Ann Bidstrup Allen,Dhananjay M. Bhusari,Hollie Ann Kelleher. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2009-11-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12101935B2. Автор: Seo Hyun Kim,In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2621372C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-06-02.

Method of contact-barrier metallization production

Номер патента: RU2698540C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-08-28.

Transistor, fabrication method, and memory

Номер патента: US20230422467A1. Автор: Yong Yu,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-12-28.

Protection device and related fabrication methods

Номер патента: US20150021739A1. Автор: Chai Ean Gill,Wen-Yi Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-22.

Plasma etching method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US12020903B2. Автор: Yonghee Kim,Minjae Lee,Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Byunghun Han,Donghyeon NA,Minyoung HUR,Hyeongmo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Epitaxial structures of semiconductor devices that are independent of local pattern density

Номер патента: US20200328306A1. Автор: Jin Wallner,Judson Robert Holt,Heng Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Metallization of semiconductor wafer

Номер патента: EP4256605A1. Автор: Lan Wang,Erwei Liu,Fangzhong Shen,Kai-Ulrich Boldt. Владелец: Heraeus Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-10-11.

Method and system for enhancing yield of semiconductor integrated circuit devices using systematic fault rate of hole

Номер патента: US7703055B2. Автор: Choel-hwyi Bae,Sang-Deok Kwon,Min-Geon Cho,Gwang-hyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-20.

Plasma etching apparatus, plasma etching method, and semiconductor device fabrication method including the plasma etching method

Номер патента: US20220020597A1. Автор: Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Nam Kyun Kim,Kyuho Kim,Sungjun ANN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-20.

Method of bonding thin substrates

Номер патента: EP4402717A1. Автор: Cyprian Emeka Uzoh,Guilian Gao,Gabriel Z. Guevara,Dominik Suwito,Thomas Workman. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Method of manufacture of semiconductor isolation structure

Номер патента: US8962445B2. Автор: Chandra Mouli,Kamal Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-02-24.

Package module with a module stiffener and methods of forming the same

Номер патента: US20240297087A1. Автор: Chien-Li Kuo,Sheng-Kai Chang,Leo Li,Lieh-Chuan Chen,Chih-Kang Han. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20200098765A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Substrate degassing method and semiconductor fabrication method using the same

Номер патента: US20240218511A1. Автор: In-young Kim,Giduck Kweon,Dong-Gu Kim,Donghyun Jang,Sung-Woo JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Mass transfer of semiconductor die using transfer elements

Номер патента: US20230402310A1. Автор: Robert Wilcox,Joseph G. Sokol,David Suich,Colin Blakely,Michael Check,Andre Pertuit. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2626075C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" (ФГБОУ ВО "Чеченский государственный университет"). Дата публикации: 2017-07-21.

Multiband, multi-polarization plasmonic photodetector and fabrication method

Номер патента: EP4246597A1. Автор: Maria LOSURDO,Cornel Cobianu,Fernando Moreno Gracia,Marin GHEORGHE,Gonzalo SANTOS PERODIA,Mircea MODREANU,Yael Vela GUTIERREZ. Владелец: Sc Nanom Mems Srl. Дата публикации: 2023-09-20.

Fabrication method and apparatus for fabricating a spatial structure in a semiconductor substrate

Номер патента: US20030082883A1. Автор: Wolfgang Welser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-01.

Manufacturing method of semiconductor light emitting device

Номер патента: US20210013369A1. Автор: Sungjoon Kim,Inho Kim,Kiwon Park,Jaeyoon Kim,Daeyeop Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-14.

Apparatus of semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200118976A1. Автор: Jung Seok AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-16.

Inter-metal dielectric of semiconductor device and manufacturing method thereof including plasma treating a plasma enhanced fluorosilicate glass

Номер патента: US7442653B2. Автор: Tae-Young Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160358787A1. Автор: Yukiteru Matsui,Akifumi Gawase,Kenji Iwade,Takahiko Kawasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Integrated circuit (ic) package employing a re-distribution layer (rdl) substrate(s) with photosensitive dielectric layer(s) for increased package rigidity, and related fabrication methods

Номер патента: US20240243056A1. Автор: Wei Wang,Yangyang Sun,Manuel Aldrete. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Hybrid integrated optical device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140023313A1. Автор: Hyun Soo Kim,Mi-Ran Park,O-Kyun Kwon,Jong Sool Jeong,Byungseok CHOI. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-01-23.

Integrated circuit leadframe and fabrication method therefor

Номер патента: SG139758A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Byung Hoon Ahn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2008-02-29.

Semiconductor package with a controlled impedance bus and method of forming same

Номер патента: US20040155318A1. Автор: Donald Perino,Nader Gamini. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2004-08-12.

Semiconductor device, fabrication method for the same, and display apparatus

Номер патента: US20130334528A1. Автор: Mitsunobu Miyamoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Semiconductor device interconnection contact and fabrication method

Номер патента: US20070059921A1. Автор: Michael Dunbar,Gregory Cestra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Non-contact measurement of the dopant content of semiconductor layers

Номер патента: EP2567217A1. Автор: Kenneth Cadien,E. Michael Heaven,Gordon Matthew Deans,Stephen Warren Blaine. Владелец: Aurora Control Technologies Inc. Дата публикации: 2013-03-13.

Euv exposure apparatus, and overlay correction method and semiconductor device fabricating method using the same

Номер патента: US20210397079A1. Автор: Jeongjin Lee,Chan Hwang,Seungyoon LEE,Doogyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-23.

Euv exposure apparatus, and overlay correction method and semiconductor device fabricating method using the same

Номер патента: US20210333701A1. Автор: Jeongjin Lee,Chan Hwang,Seungyoon LEE,Doogyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor Heterobarrier Electron Device And Method of Making

Номер патента: US20150325676A1. Автор: Pankaj B. Shah. Владелец: US Army Research Laboratory. Дата публикации: 2015-11-12.

3d integrated charge-coupled device memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20230262996A1. Автор: Jiwon Lee,Maarten Rosmeulen,Gouri Sankar Kar,Swaraj Bandhu Mahato. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-08-17.

Evaluation method of semiconductor device

Номер патента: US7803642B2. Автор: Noriyoshi Shimizu,Masaki HANEDA,Michie SUNAYAMA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-09-28.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20170303399A1. Автор: Hwee-Seng Jimmy Chew,Shoa-Siong Raymond Lim. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-19.

Integrated circuit (ic) package employing a re-distribution layer (rdl) substrate(s) with photosensitive dielectric layer(s) for increased package rigidity, and related fabrication methods

Номер патента: WO2024155453A1. Автор: Wei Wang,Yangyang Sun,Manuel Aldrete. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-07-25.

Micro device fabricating method and apparatus

Номер патента: US20240274403A1. Автор: He Tian,Ze Zhang,Tulai SUN,Tianxing REN,Wanru ZHANG,Xinkai Chen. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-08-15.

Fabrication method for semiconductor device, exposure method, pattern correction method and semiconductor device

Номер патента: US7921386B2. Автор: Toshiyuki Ishimaru. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Semiconductor package with a controlled impedance bus and method of forming same

Номер патента: US20030202373A1. Автор: Donald Perino,Nader Gamini. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2003-10-30.

Fabrication method for photovoltaic assembly

Номер патента: AU2019460092B2. Автор: Juan Wang,Zhiqiu Guo,Yeyi Jin. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20180269223A1. Автор: Takashi Ohashi,Kazunori HORIGUCHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: EP3190610A3. Автор: Gang MAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-19.

Semiconductor device fabrication method and fabrication apparatus

Номер патента: US7371694B2. Автор: Takayuki Takahagi,Hiroyuki Sakaue,Ken Sasaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-05-13.

Pattern formation material, pattern formation method, and exposure mask fabrication method

Номер патента: US20040058279A1. Автор: Masamitsu Itoh,Takehiro Kondoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-03-25.

Layout method of semiconductor circuit structure

Номер патента: US20140089869A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Sheng-Yuan Hsueh,Shih Chieh Hsu,Yao-Chang Wang,Chia-Chen Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Multiple (multi-) die integrated circuit (IC) packages for supporting higher connection density, and related fabrication methods

Номер патента: US12062648B2. Автор: Yue Li,Durodami Lisk,Darko Popovic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of manufacturing for organic electro-luminescence device

Номер патента: KR100579547B1. Автор: 이재윤. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2006-05-12.

Method of fabricating flexible organic electro luminescent device

Номер патента: KR101267529B1. Автор: 안태준,신아람. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2013-05-24.

Staggered Vertical Comb Drive Fabrication Method

Номер патента: US20070241076A1. Автор: John M. Miller,Steven H. Moffat. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Microelectromechanical systems component and method of making same

Номер патента: EP2259995A1. Автор: Daniel N. Koury, Jr.,Lianjun Liu,Melvy F. Miller. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-12-15.

Fabrication method of rigid-flex circuit board

Номер патента: US20100043962A1. Автор: Chih-Ming Chang,Hsin-En Chung,Yu-Feng Tseng. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2010-02-25.

Polyester flex circuit constructions and fabrication methods for ink-resistant flex circuits used in ink jet printing

Номер патента: WO2007027604A1. Автор: Terry F. Hayden,Matthew P. Jones,Daniel F. Mcclure,Robert E. Loftis. Владелец: Innovex, Inc.. Дата публикации: 2007-03-08.

Fabrication method of a MgB2 superconducting tape and wire

Номер патента: US8173579B2. Автор: Hiroaki Kumakura,Takayuki Nakane,Hiroki Fujii,Hitoshi Kitaguchi. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2012-05-08.

Method of Fabricating Thin Film by Microplasma Processing and Apparatus for Same

Номер патента: US20120021132A1. Автор: Takeshi Sasaki,Yoshiki Shimizu,Naoto Koshizaki,Kazuhiro Kirihara,Davide Mariotti,Kazuo Terashima. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2012-01-26.

Display panel, display device, fabricating method and control method of display panel

Номер патента: US20240223936A1. Автор: Xue Dong,Wei Sun,Xiufeng Li,Yingming Liu,Xiaoliang DING,Yanling Han,Yaqian Ji,Wenchao HAN,Lianghao ZHANG,Peixiao LI,Yuzhen GUO,Yue Gou,Chenyang ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Display panel, display device, fabricating method and control method of display panel

Номер патента: US11991496B2. Автор: Xue Dong,Wei Sun,Xiufeng Li,Yingming Liu,Xiaoliang DING,Yanling Han,Yaqian Ji,Wenchao HAN,Lianghao ZHANG,Peixiao LI,Yuzhen GUO,Yue Gou,Chenyang ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Light emitting device and fabricating method thereof, and light emitting apparatus

Номер патента: US20240224582A1. Автор: Zhuo Chen,Tieshi WANG. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Display panel, display device, fabricating method and control method of display panel

Номер патента: US20220386019A1. Автор: Xue Dong,Wei Sun,Xiufeng Li,Yingming Liu,Xiaoliang DING,Yanling Han,Yaqian Ji,Wenchao HAN,Lianghao ZHANG,Peixiao LI,Yuzhen GUO,Yue Gou,Chenyang ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Display panel, display device, and fabricating method of display panel

Номер патента: US20240251643A1. Автор: Yang Gao,Haowei Wang,Yuanming Zhang. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Three-dimensional memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20230144830A1. Автор: YING Zhou,Ming Li,Zhenzhen Zhang,LongDong LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Front end module and fabricating method thereof

Номер патента: EP1867061A1. Автор: Sang Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-19.

Non-volatile memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20040140509A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-22.

Method of fabricating a light-emitting device having a planarized color filter

Номер патента: US7338338B2. Автор: Shih-Chang Chang,Yaw-Ming Tsai,Hsiu-Chun Hsieh. Владелец: TPO Displays Corp. Дата публикации: 2008-03-04.

Method of fabricating a printed board

Номер патента: US20020146640A1. Автор: Shin Chen,Chin Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-10.

Multi-piece board and fabrication method therefor

Номер патента: US20100124038A1. Автор: Yasushi Hasegawa. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-20.

Memristor device, method of fabricating the same, synaptic device including the same, and neuromorphic device including the synaptic device

Номер патента: US20230309327A1. Автор: Sung Yool Choi,Sang Su Park,Jun Hwe CHA,Jung Yeop Oh. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-09-28.

Oled display panel and fabrication method of oled display panel

Номер патента: US20240114722A1. Автор: Xingyu Zhou,Qianyi Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Device fabrication method for a non-volatile memory device used for non-overlapping implant

Номер патента: US6300200B1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-09.

Non-volatile memory device used for non-overlapping implant and device fabricating method

Номер патента: US20020053708A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-09.

Fabrication method for a flash memory device

Номер патента: US20040203204A1. Автор: Chun-Lein Su,Tzung-Ting Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

High-density three-dimensional multilayer memory and fabrication method

Номер патента: US20240224546A1. Автор: Ke Wang,Jack Zezhong Peng. Владелец: Chengdu Pbm Technology Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Display panel, display device and display panel fabrication method

Номер патента: EP3694011A1. Автор: CHENG Chen,Kui Gong,Xianxue Duan,Dezhi Xu,Chengcheng Wang. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-12.

Piezoelectric single crystal, fabrication method therefor, and piezoelectric and dielectric application parts using same

Номер патента: US12031232B2. Автор: Dong Ho Kim,Moon Chan Kim,Ho Yong Lee,Won Sun BAICK. Владелец: Ceracomp Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Gas detector fabrication method, gas detector, and ray detection device

Номер патента: US20240272316A1. Автор: Yi Zhou,Zhiyong Zhang,Changqing Feng,Ming SHAO,Sicheng WEN,Jianbei LIU. Владелец: University of Science and Technology of China USTC. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12102021B2. Автор: HE Qian,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Methods of starting power converter systems, and power converter systems

Номер патента: US12040697B2. Автор: Martin Geske,Thomas Brueckner,Hendrik Gloes. Владелец: GE Energy Power Conversion Technology Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Display device and fabricating method therefor

Номер патента: EP3828871A1. Автор: Xiang Zhou,Chao Dong,Zhongyuan Sun,Jingkai Ni,Jinxiang XUE,Wenqi Liu,Xiaofen Wang,Kai SUI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-02.

Structure and manufacturing method of surface acoustic wave filter with back electrode of piezoelectric layer

Номер патента: US12088271B2. Автор: Guojun WENG,Gongbin Tang. Владелец: Shenzhen Newsonic Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Switching voltage supply of voltage domain of semiconductor circuit

Номер патента: US20070052470A1. Автор: Gerald Sellmair,Pramod Acharya. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-03-08.

Switching voltage supply of voltage domain of semiconductor circuit

Номер патента: US7482715B2. Автор: Gerald Sellmair,Pramod Acharya. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-01-27.

Electro-phoretic display device and fabricating method thereof

Номер патента: US20130057464A1. Автор: Chi-Ming Wu,Kai-Cheng Chuang,Yung-Sheng Chang,Tzu-Ming WANG,Po-Wen Hsiao,Yuan-Chih Tsai,Jen-Shiun Huang. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Rotational transition based clock, rotational spectroscopy cell, and method of making same

Номер патента: EP3278184A1. Автор: Juan Alejandro Herbsommer,Simon Joshua Jacobs,Benjamin S. Cook,Django Earl Trombley,Phillip Nadeau. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-07.

Method of manufacturing the printed circuit board embedded with wafer level component

Номер патента: US20240292544A1. Автор: Seon-Kyu CHANG,Hee-Il RYU. Владелец: DAEDUCK ELECTRONICS Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Rotor, fabrication device thereof and fabrication method therefor

Номер патента: US20240305178A1. Автор: Jianxin Yan. Владелец: Zhejiang PanGood Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Electron transport material and fabricating method thereof, and organic light-emitting diode

Номер патента: US20240032419A1. Автор: Kui Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor memory devices with arrays of vias and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12058868B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US10410332B2. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-10.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US20180012348A1. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Hv switch unit, pulsing assembly and method of avoiding voltage imbalances in an hv switch

Номер патента: US20230170687A1. Автор: Andrzej Klimczak,Andrzej Gieraltowski,Michał Balcerak. Владелец: Trumpf Huettinger Sp zoo. Дата публикации: 2023-06-01.

Display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070153158A1. Автор: Gee-Sung Chae. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method of making ceramic base with thin-film microstrip elements

Номер патента: RU2732485C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Алексей Геннадьевич Чупрунов,Андрей Анатольевич Пронин,Кирилл Владимирович Сидоров. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (АО "НПП "Пульсар"). Дата публикации: 2020-09-17.

Three-dimensional memory and fabrication method thereof

Номер патента: US12052871B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Cement-based electric surface heating structure and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2023209469A1. Автор: Daniel Csanady,Péter LUDVIG. Владелец: Voltocrete Innovation Kft.. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of processing liquids, epoxy fabrication method, method of fabricating a radio frequency intelligent communication device, and method involving a mixture of different liquids

Номер патента: US6089458A. Автор: Rickie C. Lake. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-07-18.

A casting insert fabrication method using a composition of powders, a casting insert and method of obtaining local composite zones in castings

Номер патента: EP4166258A3. Автор: Ewa Olejnik,Anna JESIOLOWSKA. Владелец: Innerco Sp Z OO. Дата публикации: 2024-08-21.

Tip array structure and fabricating method of tip structure

Номер патента: US7814566B2. Автор: Wei-Su Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-10-12.

Ayurvedic encapsulated gold nanoparticles, fabrication methods and cancer therapeutic methods

Номер патента: EP3582757A1. Автор: Alsam KHAN,Kattesh Katti,Kavita Katti,Menka Khhobchandani,Chintamani Joshi,Vinay Mutalik. Владелец: University of Missouri System. Дата публикации: 2019-12-25.

Tool for friction welding with mixing, method of its fabrication, method of friction welding with mixing of two metal workpieces, and method of producing metal part

Номер патента: RU2417143C2. Автор: Роберт Ян МАЗИАРЗ. Владелец: Эебас ЮКей Лимитид. Дата публикации: 2011-04-27.

Polystyrene-based filament for support structure in fused filament fabrication, and associated fused filament fabrication method and article

Номер патента: WO2020023291A1. Автор: Juha-Matti Levasalmi,Malvika BIHARI,Ethan Liu. Владелец: Sabic Global Technologies B.V.. Дата публикации: 2020-01-30.

FABRICATION METHOD OF HEXAGONAL BORON NITRIDE (h-BN)-BASED THERMALLY-CONDUCTIVE COMPOSITE FILM

Номер патента: US20220402257A1. Автор: Daniel Huang,Chaoming Wu,Renzheng Chen,Mars GUO. Владелец: Suzhou Kanronics Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Container for volatile substance evaporation and method of its fabrication

Номер патента: RU2459633C2. Автор: ПЕРЕС Давид МОРЕНО,МАРТИНЕС Хосе Антонио МУНЬОС,ФАБРЕГА Рубен ГАРСИЯ. Владелец: Собеле Испанья, С.А.. Дата публикации: 2012-08-27.

Water-repellent resin, water-repellent fabric, and fabricating method thereof

Номер патента: US11746466B2. Автор: Chun-Hung Lin,Chen-Shou Hsu,Sun-Wen Juan. Владелец: TAIWAN TEXTILE RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2023-09-05.

Production scale fabrication method for high resolution afm tips

Номер патента: US20120331593A1. Автор: Guy M. Cohen,Mark C. Reuter,Brent A. Wacaser,Maha M. Khayyat. Владелец: King Abdulaziz City for Science and Technology KACST. Дата публикации: 2012-12-27.

Bicycle seat rail and method of making same

Номер патента: EP1487689A1. Автор: Clifford M Bugle,Jill R. Mcgibbney,Robin L. Kappeler. Владелец: Dynamet Holdings Inc. Дата публикации: 2004-12-22.

Bicycle seat rail and method of making same

Номер патента: WO2006041456A1. Автор: Clifford M. Bugle,Robin L. Pesa,Jill R. Mcgibbney. Владелец: Dynamet Holdings, Inc.. Дата публикации: 2006-04-20.

Bicycle seat rail and method of making same

Номер патента: EP1487689B1. Автор: Clifford M Bugle,Robin L. Pesa,Jill R. Mcgibbney. Владелец: Dynamet Holdings Inc. Дата публикации: 2006-05-17.

Fabrication method of v-ribbed belt

Номер патента: US20140103562A1. Автор: Takayuki Okubo,Hiroyuki Shiriike. Владелец: Bando Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Fabrication method of a holding sleeve

Номер патента: US20180369999A1. Автор: Larry Lee. Владелец: Tien I Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Fabrication method of an elastomer with topographical structure formed by the breath figure technique

Номер патента: WO2022106290A1. Автор: Xi Wu,Aldo Ferrari,Raoul HOPF,Edoardo Mazza,Andreas Kourouklis. Владелец: ETH Zurich. Дата публикации: 2022-05-27.

Electrochromic window fabrication methods

Номер патента: US11772366B2. Автор: Robert T. Rozbicki,Mark A. Collins,Ronald M. Parker,Dhairya Shrivastava. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Fabrication method of multi-functional composites from pre/post-consumer carpet

Номер патента: US20100193987A1. Автор: Ranji Vaidyanathan,Abhishek Kumar Singh,Gajendra Pandey,Raman Pal Singh. Владелец: Oklahoma State University. Дата публикации: 2010-08-05.

Monolithic bubble-ink jet print head having anti-curing-deformation part and fabrication method thereof

Номер патента: US7168787B2. Автор: Myung-Song Jung,Tae-Kyun Kim,Jung-Woog Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-30.

Manufacturing method of optical sheets for displays

Номер патента: EP1924423A1. Автор: Akihiko Takeda,Keisuke Endo. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2008-05-28.

Replication tools and related fabrication methods and apparatus

Номер патента: WO2006078918A3. Автор: Denni W Slafer. Владелец: MicroContinuum Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Replication tools and related fabrication methods and apparatus

Номер патента: US20160329075A1. Автор: W. Dennis Slafer. Владелец: MicroContinuum Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

Replication Tools and Related Fabrication Methods and Apparatus

Номер патента: US20120064188A1. Автор: W. Dennis Slafer. Владелец: MicroContinuum Inc. Дата публикации: 2012-03-15.

Fabrication methods of a luneburg lens

Номер патента: US20240227329A9. Автор: Andrey Kobyakov,Gregory Kobyakov. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Decomposition conduit fabrication method

Номер патента: US20120211116A1. Автор: David S. Young. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2012-08-23.

Hyperbranched polymer synthesizing method, hyperbranched polymer, resist composition, semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit fabrication method

Номер патента: US20110198730A1. Автор: Yukihiro Kaneko,Minoru Tamura,Kaoru Suzuki,Yuko Tanaka,Yusuke Sasaki,Yoshiyasu Kubo,Akinori Uno,Mineko Horibe,Shinichiro Kabashima. Владелец: Lion Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Method of making electrical connections to hermetically sealed MEMS devices

Номер патента: EP1593649A3. Автор: Luc Ouellet. Владелец: Dalsa Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-04-19.

Micromirror unit fabrication method and micromirror unit made by the same

Номер патента: US20040141894A1. Автор: Satoshi Ueda,Fumio Yamagishi,Ippei Sawaki,Yoshihiro Mizuno,Osamu Tsuboi,Norinao Kouma,Hisao Okuda. Владелец: Fujitsu Media Devices Ltd. Дата публикации: 2004-07-22.

Additive fabrication method of transparent rock micromodels with in-situ mineral coating

Номер патента: US12065761B2. Автор: Tiejun Zhang,Hongxia Li,Aikifa RAZA. Владелец: Khalifa University of Science, Technology and Research (KUSTAR). Дата публикации: 2024-08-20.

Lithographic template having a repaired gap defect method of repair and use

Номер патента: US20040023126A1. Автор: William Dauksher,David Mancini,Kevin Nordquist,Douglas Resnick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

Armor shell and fabrication methods

Номер патента: US20120034440A1. Автор: Wayde R. Schmidt. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Reflector rack, fabrication method thereof, and narrow band x-ray filter and system including same

Номер патента: US20050220271A1. Автор: Yong Cho. Владелец: MONOCHROMATIC X-RAY FILTER TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2005-10-06.

Semiconductor wafer polishing apparatus, and method of polishing semiconductor wafer

Номер патента: US20070128990A1. Автор: Akira Kubo. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-06-07.

Lamination fabricating method

Номер патента: US20230278102A1. Автор: Yasuyuki Yamashita,Hisataka Takagi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Graphene platelet fabrication method and graphene platelet fabricated thereby

Номер патента: US9944530B2. Автор: Hung-Cheng Lin,I-Chiao Lin. Владелец: Ritedia Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of estimating the effect of adsorbed gases on the surface of materials

Номер патента: RU2712766C1. Автор: Ольга Васильевна Попова,Екатерина Александровна Марьева,Марта Маисовна Авилова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет). Дата публикации: 2020-01-31.

Fabricating method for sleeve-type ornament of display device

Номер патента: US20100283170A1. Автор: Wen-Hung Huang. Владелец: Hannspree Inc. Дата публикации: 2010-11-11.

Superhydrophilic surface body, fabricating method thereof, and filter for oil and water separation

Номер патента: US20170190857A1. Автор: Woon Bong Hwang,Handong CHO. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20110195257A1. Автор: Shu-Lin Ho,Hsin-Chang Hsiung. Владелец: Core Precision Material Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

Method of producing silicon targets for magnetron sputtering

Номер патента: RU2631372C1. Автор: Дмитрий Николаевич Борисенко,Сергей Константинович Брантов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2017-09-21.

Method of obtaining relief image at metal surface of the product

Номер патента: RU2666658C1. Автор: Владимир Васильевич Глебов,Руслан Иосифович Ратушинский. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2018-09-11.

Crystallized artificial marble using incineration ash and related fabrication method

Номер патента: US20050179159A1. Автор: Dae Kim,Hyun Shin,Yeong Seok Yoo,Chai Gee,Soo Um. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-18.

Rubber pad fabrication method

Номер патента: US20050269739A1. Автор: Rong-Fen Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-08.

Mouse pad fabrication method

Номер патента: US20040065975A1. Автор: Bob Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-08.

Thermoluminescent dosimeter for radiation monitoring, comprising LiF doped with Mg, Cu, and Si, and fabrication method thereof

Номер патента: US20080142731A1. Автор: Jong-Soo Kim,Bong-Hwan Kim,Jung-Il Lee,Jang-Lyul Kim,Jeong-Sun Yang. Владелец: Korea Hydro and Nuclear Power Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Thermally driven digital microfluidic chip, fabricating method and control method thereof

Номер патента: US20190184397A1. Автор: Yue Li,Yu Zhao,WANG Guo,Dong Wang,Jinyu Li,Mingyang Lv,Yanchen Li,Dawei Feng,Shaojun HOU. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-20.

Membrane modules utilizing innovative geometries of net-type feed spacers for improved performance in separations and spacer-fabrication methods therein

Номер патента: US20160151745A1. Автор: Anastasios I. Karabelas,Chrysafenia P. Koutsou. Владелец: CENTER FOR RESEARCH AND TECHNOLOGY-HELLAS (CERTH). Дата публикации: 2016-06-02.

Covering for railroad switch mechanisms in hollow sleepers and fabrication method thereof

Номер патента: EP2226426A3. Автор: Cesar Fernandez Sanchez,Luis Blanco Belda. Владелец: Desarrollos Y Fabricacion Dyf Sa. Дата публикации: 2014-01-01.

Double-Layer Open-End Zipper, Double-Layer 3-in-One Open-End Zipper, and Their Fabrication Method

Номер патента: US20150026932A1. Автор: Lien-Chou Wang. Владелец: GENMORE ZIPPER CORP. Дата публикации: 2015-01-29.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7220521B2. Автор: Eiichi Kawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-22.

EXHAUST VALVE FOR LARGE-SIZE TWO-STROKE DIESEL ENGINE, METHOD OF DECREASING NOx CONTENT IN SAID ENGINE AND SAID ENGINE

Номер патента: RU2458229C1. Автор: Мадс Лютье КРИСТЕНСЕН. Владелец: Ман Дизель Энд Турбо, Филиал Аф Ман Дизель Энд Турбо Се, Тискланд. Дата публикации: 2012-08-10.

Fabrication method of conductive fabric, multi-pressure sensor for fiber type and measuring method of multi-pressure

Номер патента: US20210156752A1. Автор: Seong Jin Jang,Jae Hoon Ko,Jee Young Lim,Seung Ju LIM. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2021-05-27.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: US20110000396A1. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: EP2195399A2. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-16.

Biomimetic, nanofiber-based and directional moisture-wicking electronic skins and fabrication methods thereof

Номер патента: US20240260899A1. Автор: Jinlian Hu,Shuo SHI,Yifan Si,Chuanwei ZHI. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-08-08.

Aromatic latex and its method of fabricating

Номер патента: US20180282502A1. Автор: Guobin Liu. Владелец: Shenzhen Lezhimao Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Building materials and components and methods of making the same

Номер патента: US20240150245A1. Автор: Gang Tan,Richard HORNER,Tengyao JIANG,Jennifer Tanner EISENHAUER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-09.

Building materials and components and methods of making the same

Номер патента: US20240150246A1. Автор: Gang Tan,Richard HORNER,Tengyao JIANG,Jennifer Tanner EISENHAUER. Владелец: UNIVERSITY OF WYOMING. Дата публикации: 2024-05-09.

Building materials and components and methods of making the same

Номер патента: US11891337B2. Автор: Gang Tan,Richard HORNER,Tengyao JIANG,Jennifer Tanner EISENHAUER. Владелец: UNIVERSITY OF WYOMING. Дата публикации: 2024-02-06.

Miniature diaphragm-based fiber-optic tip FP pressure sensor, and fabrication method and application thereof

Номер патента: US12044591B2. Автор: Wei Peng,Qiang Liu,Ang Li,Yueying Liu,Zhenguo Jing. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2024-07-23.

Shoe fabric having a concealed pattern and its fabrication method

Номер патента: US20030061951A1. Автор: Tony Tseng. Владелец: Taiwan Paiho Ltd. Дата публикации: 2003-04-03.

Chiral diene ligands, a fabrication method thereof and applications thereof

Номер патента: US8586810B2. Автор: Hsyueh-Liang Wu,Chia-Chen Liu,Chun-Chih Chen,Wei-Ting Wei,Jo-Hsuan Fang. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2013-11-19.

Chiral diene ligands, a fabrication method thereof and applications thereof

Номер патента: US20130096348A1. Автор: Hsyueh-Liang Wu,Chia-Chen Liu,Chun-Chih Chen,Wei-Ting Wei,Jo-Hsuan Fang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-18.

Touch substrate, mask plate for fabricating the same, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3488329A1. Автор: Ming Zhang,Chunjian Liu,Ming Hu,Yu Zhu,Shifeng Xu,Zouming Xu,Xinbin TIAN,Qitao ZHENG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-29.

Rungs for individual rung ladders and a fabrication method for such rungs

Номер патента: WO2008070896A1. Автор: James Leslie Mann. Владелец: James Leslie Mann. Дата публикации: 2008-06-19.

Photomask blanks, photomasks fabricated using the same, and methods of fabricating photomask using the same

Номер патента: US20160238926A1. Автор: Eui Sang PARK,Kung Hoon NAM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Fibre optic based semiconductor micro sensors for sensing pressure or temperature, fabrication methods of said sensors, and a method of securing an optical fibre to a silicon block

Номер патента: WO2004034007A2. Автор: Robert Stevens,Arnold Harpin. Владелец: Council for the Central Laboratory of the Research Councils. Дата публикации: 2004-04-22.

Method of obtaining group of electro-technical equipment, uniform in terms of radiation resistance

Номер патента: RU2708815C1. Автор: Владимир Петрович Миронов,Александр Аркадьевич Романов,Анатолий Яковлевич Дубовик,Валерий Анастасович Метлов,Андрей Андреевич Чистилин. Владелец: Акционерное общество "Ангстрем" (АО "Ангстрем"). Дата публикации: 2019-12-11.

Rubbing method, method of fabricating liquid crystal display device using the same, and liquid crystal display device manufactured thereby

Номер патента: US20090128763A1. Автор: Kyung Mo Son. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Fabrication method and fabrication apparatus of head using near field light

Номер патента: US8323518B2. Автор: Manabu Oumi,Masakazu Hirata,Majung Park. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-12-04.

Electric field information reading head, electric field information writing/reading head and fabrication methods thereof and information storage device using the same

Номер патента: EP2016584A1. Автор: Yong-su Kim,Ju-Hwan Jung,Hyoung-Soo Ko,Hong-Sik Park,Seung-bum Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-21.

Method for manufacture of tobacco fabric, method for manufacture of cigarettes containing tobacco fabric and cigarette

Номер патента: RU2475168C1. Автор: Мицухару СУГИО,Суити МИЯЗАВА,Таканори ЯГАСИРА. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2013-02-20.

A fabrication method of transparent resin substrate along with transparent resin substrate

Номер патента: EP2402794A3. Автор: Takuji Mizuno. Владелец: TONY OPTICAL ENTERPRISES CO Ltd. Дата публикации: 2012-06-06.

Gas bearing fabrication method

Номер патента: EP2035719A1. Автор: Hugo George Derrick,Stephen Paul Hunter,Brendon Noel Joseph Callinan. Владелец: RENISHAW PLC. Дата публикации: 2009-03-18.

Fabrication method of minute pattern

Номер патента: US20120138569A1. Автор: Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Fabrication method of light guide plate

Номер патента: US20230244106A1. Автор: Chien-Wei Liao,Yen-Lung Chen,Yu-Huan Chiu. Владелец: Darwin Precisions Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Method of semiconductor phototransformer manufacturing

Номер патента: RU2349002C1. Автор: Владимир Иванович Поляков,Виталий Викторович Заддэ,Дмитрий Семенович Стребков,ков Владимир Иванович Пол. Владелец: Российская Академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2009-03-10.

Fabrication method of minute pattern

Номер патента: US8461048B2. Автор: Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2013-06-11.

Surface treatment method of capillary for droplet formation and surface treated capillary, and production method of droplet for microextraction of chemical using thereof

Номер патента: WO2008030070A1. Автор: Ki Hwan CHOI,Du Soo Chung. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2008-03-13.

Methods of fabrication of prewoven bit-wire memory matrix apparatus

Номер патента: US3600799A. Автор: John S Davis. Владелец: Bunker Ramo Corp. Дата публикации: 1971-08-24.

Multicolor electrochromic structure, fabrication method and application thereof

Номер патента: US11747695B2. Автор: Zhigang Zhao,ZHEN Wang,Shan Cong. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2023-09-05.

Display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20220129097A1. Автор: Cheng-Yen Yeh,Mu-Kai KANG,Sz-Kai HUANG,Jing-Xuan CHEN. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Method of semiconductor beta-voltaic cells manufacturing based on nickel-63 radionuclide

Номер патента: RU2715735C1. Автор: Сергей Михайлович Миронов,Владислав Яковлевич Панченко,Валерий Александрович Фирсов,Антон Валерьевич Лабозин,Алексей Борисович Дьячков,Михаил Алексеевич Поликарпов,Алексей Анатольевич Горкунов,Глеб Олегович Цветков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2020-03-03.

Fabricating method of semi-polar gallium nitride

Номер патента: US20220056580A1. Автор: Ping-Hai CHIAO,Wen-Chung LI. Владелец: WAFER WORKS Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Electrophoretic display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20080037106A1. Автор: Keun Kyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-14.

Color filter substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20080032215A1. Автор: Lu-Kuen Chang,Shu-Ching Hsu,Ju-Yu Lee,Chi-Kuang Lai,An-Hsu Lu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-02-07.

LCoS DISPLAY WITH A COLOR PIXEL ARRAY AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20080291373A1. Автор: Yan-Hsiu Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Defect-resistant plastic scintillation radiation detector compositions and fabrication methods

Номер патента: US20200224087A1. Автор: Stephen A. Payne,Natalia P. Zaitseva,M Leslie Carman,Andrew M. GLENN,Andrew Neil Mabe. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2020-07-16.

Methods and systems for managing memory blocks of semiconductor devices in embedded systems

Номер патента: US20180039716A1. Автор: KODAVALLA Vijay Kumar. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Test methods of semiconductor devices and semiconductor systems used therein

Номер патента: US20180068743A1. Автор: Sang Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Method for efficient analysis of semiconductor failures

Номер патента: WO2001063619A3. Автор: Joerg Wohlfahrt,Dieter Rathei,Thomas Giegold. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-04-18.

Method for efficient analysis of semiconductor failures

Номер патента: WO2001063619A2. Автор: Joerg Wohlfahrt,Dieter Rathei,Thomas Giegold. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-08-30.

Memory modules including a mirroring circuit and methods of operating the same

Номер патента: US20230186954A1. Автор: KyuDong Lee,Gyuchae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of analyzing semiconductor devices and analysis apparatus for semiconductor devices

Номер патента: US20170262557A1. Автор: Katsuhiro Shimazu,In-Sung Hwang,Kwang-ok Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Method of obtaining thin films of tin-indium oxide

Номер патента: RU2656916C1. Автор: Андрей Сергеевич Левашов,Дмитрий Сергеевич Бурый,Александра Руслановна Латыпова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный университет" (ФГБОУ ВО "КубГУ"). Дата публикации: 2018-06-07.

Management system and management method of semiconductor exposure apparatuses

Номер патента: US6801825B2. Автор: Norihiko Utsunomiya. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-10-05.

Method for observing tungsten plug of semiconductor device microscopically

Номер патента: US5989930A. Автор: Shu-Ying Lu,Fei-Chun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Enhanced security semiconductor device, semiconductor circuit arrangement, and method of production thereof

Номер патента: WO1997013226A1. Автор: Callum Gordon. Владелец: Motorola Limited. Дата публикации: 1997-04-10.

Polymer comprising a dye, nanoparticle comprising the polymer, and methods of preparing the same

Номер патента: US20130153815A1. Автор: Dominik Janczewski,Swee Kuan Yen,Tamil Selvan. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2013-06-20.

Optical pickup head of optical recording reproducing apparatus, fabrication method thereof, lubricant-coated optical pickup head of optical recording reproducing apparatus and lubricant coating method thereof

Номер патента: US20040202101A1. Автор: Chang-Hoon Oh,Young-Joo Yee,Seong-Hyok Kim,Jung-Hoon Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-10-14.

Fabrication method for mirrors for integrated optical devices

Номер патента: EP1312949A3. Автор: Yves Tremblay,Luc Quellet. Владелец: Dalsa Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-13.

Semiconductor apparatus and method of detecting characteristic degradation of semiconductor apparatus

Номер патента: US8717058B2. Автор: Ikuo Fukami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-06.

Detector of gravitational waves and method of detecting gravitational waves

Номер патента: US20140096606A1. Автор: Davide Giuseppe Patti,Alfio Russo,Alessandro MASCALI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-04-10.

Fabricating method for a ferroelectric liquid crystal panel

Номер патента: US6757035B2. Автор: Suk-Won Choi,Su-Seok Choi. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-29.

Glass structures and fabrication methods using laser induced deep etching

Номер патента: US20220267200A1. Автор: Michael J. Minot,Michael A. Detarando,Till Cremer,Alexey Lyashenko,Cole J. Hamel,Mark A. Popecki. Владелец: Incom Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Array substrate for a transflective liquid crystal display device and fabricating method thereof

Номер патента: US20050237453A1. Автор: Kyoung-Su Ha,Joo-Soo Lim,Won-Seok Kang,Se-Duk Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-27.

Current application device and manufacturing method of semiconductor element

Номер патента: US9417264B2. Автор: Hitoshi Saito,Koichiro Sato,Hiroyuki Yamagishi,Satoshi Hasegawa,Shigeto Akahori,Shinyu Hirayama,Machie Saitou,Yoko Yamaji. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Designing method of semiconductor integrated circuit using library storing mask pattern of macro circuit and designing apparatus executing the same

Номер патента: US20010016934A1. Автор: Kouichi Kumagai. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-23.

Test method of semiconductor device and semiconductor test apparatus

Номер патента: US20140133254A1. Автор: Zhiliang Xia,Sung Hee Lee,Chiho Kim,Nara KIM,Dae Sin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor memory, test method of semiconductor memory and system

Номер патента: US20090040850A1. Автор: Kaoru Mori,Toshikazu Nakamura,Jun Ohno,Masaki Okuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Cleaning method of semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20070074738A1. Автор: Takayuki Furusawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

System and method for optical mapping of semiconductor wafers at cryogenic temperatures under transmission geometry

Номер патента: US20240201105A1. Автор: Yong Chang,Silviu Velicu,Sushant Sonde,Issac L. Chang. Владелец: Epir Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

RAMAN-ENHANCED SUBSTRATE, FABRICATION METHOD THEREOF, AND METHOD FOR DETECTING miRNA

Номер патента: NL2028411A. Автор: Liu Jing,Zhou Hong,Liu Shufeng,Ding Kexin. Владелец: Qingdao Univ Of Science And Technology. Дата публикации: 2021-08-30.

RAMAN-ENHANCED SUBSTRATE, FABRICATION METHOD THEREOF, AND METHOD FOR DETECTING miRNA

Номер патента: NL2028411B1. Автор: Liu Jing,Zhou Hong,Liu Shufeng,Ding Kexin. Владелец: Qingdao Univ Of Science And Technology. Дата публикации: 2022-01-28.

Method of semiconductor circuit device

Номер патента: US20100242004A1. Автор: Hiroshi Ito. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor test device and method of driving the same

Номер патента: US20230133368A1. Автор: Nack Hyun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20100068965A1. Автор: Bong Chul Kim,Seung Hyun Lee,Jeong-Hyun Kim,Myoung Ho Lee,Min Joo Kim,Kyo Yong Koo,Hyeon Jin Seo,Se Jong Shin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-18.

Design method of semiconductor integrated circuit device, a program, and the support method of measurement evaluation

Номер патента: US20070079263A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Design method of semiconductor integrated circuit and computer readable medium

Номер патента: US20120047480A1. Автор: Hiroaki Yamaoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Method of obtaining polycrystalline silicon

Номер патента: RU2674955C1. Автор: Владимир Васильевич Митин,Александр Аркадьевич Кох,Евгений Владимирович Оствальд,Ахсарбек Борисович Пинов. Владелец: Акционерное общество "Управляющая компания "АКЦЕНТ". Дата публикации: 2018-12-13.

Waveplates on a curved surface and fabrication method thereof

Номер патента: EP3921145A1. Автор: Ying Geng,Babak Amirsolaimani. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-15.

Optical disc apparatus, information recording method, adjustment apparatus, adjustment method and fabrication method for optical disc apparatus, and method and apparatus for adjusting phase shift amount

Номер патента: US20050047297A1. Автор: Kuniaki Arai. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-03.

Refresh circuit having variable restore time according to operating mode of semiconductor memory device and refresh method of the same

Номер патента: US20030198099A1. Автор: Jong-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20060273315A1. Автор: Yong-Min Ha,Han-Wook Hwang. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Method of producing cyclopropane fullerene derivatives

Номер патента: RU2711566C2. Автор: Павел Анатольевич Трошин,Александр Валерьевич Мумятов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ОРГАНИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ" (ООО "ФОМ"). Дата публикации: 2020-01-17.

Moving and programming multiple arrays of semiconductors

Номер патента: WO1994029085A1. Автор: Edwin W. Resler,Vincent L. Tong,W. Scott Bogden,Russel C. Swanson. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 1994-12-22.

Ion detection sensor fabrication method and ion detection sensor fabricated by the same

Номер патента: US12025580B2. Автор: Ki Soo Kim,Seung Min CHO,Min Gu Cho,Hong Gi OH. Владелец: Mck Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Heat shield assembly and method of growing vacancy rich single crystal silicon

Номер патента: WO1999006615A1. Автор: William L. Luter,Kyong-Min Kim,Robert J. Braun,Lee W. Ferry,Paolo Tosi,Umberto Martini,Mauro Dioda,Srdjan Ilic,Marco Gobbo. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.. Дата публикации: 1999-02-11.

Liquid crystal display device and a fabricating method

Номер патента: US20010013918A1. Автор: Kwang Park,Dong Kwak. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-16.

Reflector structure in a liquid crystal display and its fabrication method

Номер патента: US20040228128A1. Автор: Wen-Jian Lin,Hong-Da Liu,Hung-Huei Hsu. Владелец: Prime View International Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-18.

Reflector structure in a liquid crystal display and its fabrication method

Номер патента: US7066624B2. Автор: Wen-Jian Lin,Hong-Da Liu,Hung-Huei Hsu. Владелец: Prime View International Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-27.

Concentric buckling based vertical probe and its fabrication method

Номер патента: WO2009014357A2. Автор: Jung-yup Kim,Jae-Hyun Kim,Seung-Woo Han,Byung-Ik Choi,Hak-Joo Lee,Seung-Min Hyun. Владелец: KOREA INSTITUTE OF MACHINERY & MATERIALS. Дата публикации: 2009-01-29.

Touch panel, fabrication method, repair method,and touch device

Номер патента: US20200272278A1. Автор: Conghua MA,Qijun Yao. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Active array color filter structure and fabricating method therefor

Номер патента: US20070268421A1. Автор: Chao-Kai Cheng,Yuh-Zheng Lee,Wan-Wen Chiu,Fu-Kang Cheng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-11-22.

Stereoscopic display device, fabrication method and stereoscopic display method

Номер патента: US20210223569A1. Автор: Wenchu Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Fabricating method for optical multilayer thin film structure

Номер патента: US20070247716A1. Автор: Myoung Jin Kim,Hwe Kyung KIM. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2007-10-25.

Light-emitting panel, and driving method and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US11244603B1. Автор: Lihua Wang,Conghua MA,Xiaoping Sun,Qiang Dong. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-08.

Method for pulling a single crystal composed of semiconductor material from a melt contained in a crucible

Номер патента: US20190345630A1. Автор: Walter Heuwieser,Thomas Schroeck. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor non-volatile memory, data-writing method, semiconductor non-volatile memory fabrication method, and data-writing program storage medium

Номер патента: US7630269B2. Автор: Narihisa FUJII,Kenji Oonuki. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-08.

Semiconductor non-volatile memory, data-writing method, semiconductor non-volatile memory fabrication method, and data-writing program storage medium

Номер патента: US20080062801A1. Автор: Narihisa FUJII,Kenji Oonuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

FABRICATION METHOD AND STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120086070A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-04-12.

FABRICATION METHOD FOR DICING OF SEMICONDUCTOR WAFERS USING LASER CUTTING TECHNIQUES

Номер патента: US20120115308A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-10.

Rock destroying drilling tool fabrication method

Номер патента: RU2392412C1. Автор: Родион Михайлович Богомолов,Николай Митрофанович Панин,Юрий Евдокимович Будюков,Владимир Федорович Сорокин,Игорь Николаевич Некрасов. Владелец: Николай Митрофанович Панин. Дата публикации: 2010-06-20.

Thick-film resistor fabrication method

Номер патента: RU2552631C1. Автор: Илья Николаевич Малышев,Борис Владимирович Бавыкин,Сергей Валерьевич Симаков. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "ЭРКОН" (ОАО "НПО "ЭРКОН"). Дата публикации: 2015-06-10.

Fabrication method of long hollow ship's shafts of large and mean diametres from low-magnetic corrosion-resistant steels

Номер патента: RU2387494C2. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Виктор Николаевич Еремин,Леонид Игнатьевич Лапин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Николай Григорьевич Дановский,Борис Семёнович Литвак,Константин Александрович Усанов,Дмитрий Всеволодович Марков. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2010-04-27.

Bicomponent filament for cord fabrics, method of its production, cord fabric

Номер патента: RU2175694C1. Автор: В.М. Баранов,С.Д. Лаушкин,Н.И. Столяров,ров Н.И. Стол,Н.В. Кулешова,А.П. Горшкова. Владелец: Щекинское открытое акционерное общество "Химволокно". Дата публикации: 2001-11-10.

Method of producing composite material from titanium or alloy thereof

Номер патента: RU2579708C2. Автор: Сергей Александрович Плотников,Александр Борисович Владимиров,Анна Петровна Рубштейн,Алан Юрьевич Кучиев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики металлов им. М.Н.Михеева Уральского отделения Российской академии наук (ИФМ УрО РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Manufacturing method of friction bearing

Номер патента: RU2382248C1. Автор: Анатолий Петрович Богачев,Валерий Александрович Иванов,Сергей Петрович Захарычев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования " Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2010-02-20.

Fabrication method of seamless hot-deformed tubes of large and mean diametres on tube-forming installations with pilger mills

Номер патента: RU2387498C2. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Леонид Игнатьевич Лапин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Валерий Андреевич Логовиков,Александр Юрьевич Матюшин,Николай Петрович Климов,Валерий Александрович Головинов,Владимир Сергеевич Баричко,Сергей Васильевич Ненахов,Николай Григорьевич Дановский,Борис Семёнович Литвак,Дмитрий Всеволодович Марков,Юрий Борисович Белокозович,Сергей Геннадьевич Чикалов,Константин Николаевич Бубнов. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2010-04-27.

Spiral-type heat exchanger and its fabrication method

Номер патента: RU2358218C1. Автор: Леонид Владимирович Чумазов. Владелец: Леонид Владимирович Чумазов. Дата публикации: 2009-06-10.

Method of obtaining structured semiconductor surface

Номер патента: RU2519865C1. Автор: Анатолий Васильевич Двуреченский,Жанна Викторовна Смагина,Наталья Петровна Степина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2014-06-20.

Method of powered semiconductor devices welding

Номер патента: RU2641601C2. Автор: Владимир Федорович Чищин,Станислав Петрович Скорняков,Сергей Николаевич Колычев,Анна Вячеславовна Синица. Владелец: Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб"). Дата публикации: 2018-01-18.

Manufacturing method of dielectric film for semiconductor structures of electronic equipment

Номер патента: RU2419176C1. Автор: Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров,Александр Васильевич Галанихин,Павел Александрович Галанихин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2011-05-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2581418C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова". Дата публикации: 2016-04-20.

Method of making semiconductor radiator

Номер патента: RU2503094C1. Автор: Владимир Валерьевич Акпаров,Владимир Петрович Дураев,Евгений Тихонович Неделин,Татьяна Петровна Недобывайло,Михаил Александрович Сумароков. Владелец: Закрытое акционерное общество "НОВАЯ ЛАЗЕРНАЯ ТЕХНИКА" (ЗАО "НОЛАТЕХ"). Дата публикации: 2013-12-27.

Method of preparing semiconductor structure

Номер патента: RU2378740C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2010-01-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2567118C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

Method to form epitaxial films of cobalt on surface of semiconductor substrates

Номер патента: RU2465670C1. Автор: Юрий Павлович Иванов,Людмила Алексеевна Чеботкевич,Андрей Вадимович Зотов,Александр Вячеславович Давыденко,Алексей Игоревич Ильин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный федеральный университет". Дата публикации: 2012-10-27.

Method of heat removal from heat dissipating electronic components on basis of use of semiconductor lasers

Номер патента: RU2562742C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Тимур Декартович Нежведилов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-09-10.

Method of determining duration of plasma-chemical etching of surface of semiconductor plates for submicron technology

Номер патента: RU2535228C1. Автор: Степан Степанович Волков,Михаил Юрьевич Тимашев,Дмитрий Владимирович Суворов,Геннадий Владимирович Гололобов,Алевтина Анатольевна Аристархова,Николай Николаевич Бисярин,Юрий Евгеньевич Дмитревский,Татьяна Ивановна Китаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2014-12-10.

Method for comparative assessment of reliability of batches of semiconductor articles

Номер патента: RU2538032C2. Автор: Дмитрий Юрьевич Смирнов,Митрофан Иванович Горлов,Дмитрий Михайлович Жуков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-01-10.

Method of treating quartz equipment for semiconductor production

Номер патента: RU2386188C1. Автор: Лидия Федоровна Морозова,Наталья Владимировна Снегирева,Елена Борисовна Двойникова,Эллеонора Николаевна Лисина,Алла Александровна Карасева,Юрий Иванович Гринев,Наталья Тимофеевна Гордеева. Владелец: Наталья Тимофеевна Гордеева. Дата публикации: 2010-04-10.

Method of producing titanium oxide - titanium silicide heterostructure on monocrystalline silicon substrate coated with nanocrystalline titanium film

Номер патента: RU2556183C2. Автор: Валентин Михайлович Иевлев,Сергей Владимирович Канныкин,Сергей Борисович Кущев,Сергей Анатольевич Солдатенко,Александр Михайлович Возгорьков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-07-10.

Method of application of protective coats on articles made from carbon graphite materials (versions)

Номер патента: RU2320614C2. Автор: Михаил Михайлович Миронов,Андрей Юрьевич Кривошеев,Андрей Владимирович Буржинский. Владелец: Андрей Юрьевич Кривошеев. Дата публикации: 2008-03-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2522182C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2014-07-10.

Method of forming of polycrystalline silicon layers

Номер патента: RU2261937C2. Автор: Н.М. Манжа,А.Н. Долгов,М.И. Клычников,Д.Г. Кравченко. Владелец: Акционерное общество открытого типа "НИИ молекулярной электроники и завод "МИКРОН" (АООТ "НИИМЭ и завод "МИКРОН"). Дата публикации: 2005-10-10.

Method of phosphorus diffusion from hard planar source

Номер патента: RU2359355C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Айшат Расуловна Шахмаева. Владелец: Дагестанский государственный технический университет (ДГТУ). Дата публикации: 2009-06-20.

Method of preparation of components for making optical and semiconductor materials

Номер патента: RU2152349C1. Автор: А.В. Тихомиров. Владелец: Российский научный центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2000-07-10.

Vehicle wheel tyre fabrication method and installation

Номер патента: RU2344933C1. Автор: Джанни МАНЧИНИ. Владелец: ПИРЕЛЛИ ТАЙР С.П.А.. Дата публикации: 2009-01-27.

Method of obtaining of arrays of nanodimensional filamentary silicon crystals with controlled surface density

Номер патента: RU2568217C2. Автор: Александр Юрьевич Воробьев,Валерий Александрович Небольсин,Александр Игоревич Дунаев,Максим Алексеевич Завалишин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технологический центр микро- и нанотехнологий". Дата публикации: 2015-11-10.

Method of fabrication of oxide semiconductor capacitors

Номер патента: RU2073278C1. Автор: Л.К. Бедер,Т.В. Бездворных,Н.Ю. Ершова,Л.М. Косюк,Е.А. Чупахина,Н.М. Яковлева. Владелец: Косюк Людмила Михайловна. Дата публикации: 1997-02-10.

Method of production of efficient inner getter in monocrystalline location-free silicon plates

Номер патента: RU2512258C1. Автор: Михаил Валерьевич Меженный,Владимир Яковлевич Резник. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГБНУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2014-04-10.

Process of manufacture of semiconductor structures based on compounds aiii bv by method of liquid-phase epitaxy

Номер патента: RU2031477C1. Автор: И.Н. Арсентьев,Л.С. Вавилова. Владелец: Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН. Дата публикации: 1995-03-20.

METHOD OF SELF-ORGANISING ENDOTAXY OF MONO 3C-SiC ON Si SUBSTRATE

Номер патента: RU2370851C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СиЦ-сенсор". Дата публикации: 2009-10-20.

Method of producing polycrystalline silicon

Номер патента: RU2475451C1. Автор: Пётр Михайлович Гаврилов,Александр Петрович Прочанкин,Степан Александрович Муравицкий,Ахсарбек Борисович Пинов,Михаил Викторович Болгов,Тимур Рафкатович Тимербулатов,Олег Георгиевич Войнов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "КОНТИНЕНТ ЭНЕРДЖИ". Дата публикации: 2013-02-20.

Method of laser excision of nasal cavity synechiae

Номер патента: RU2492835C1. Автор: Сергей Анатольевич Карпищенко,Александр Антонович Блоцкий,Руслан Александрович Блоцкий. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Амурская государственная медицинская академия" Минздравсоцразвития Российской Федерации. Дата публикации: 2013-09-20.

Method of fabrication of products from refractory mass (versions)

Номер патента: RU2348595C2. Автор: Владимир Васильевич Еремин,Валерий Николаевич Логинов,Мария Викторовна Рослякова,кова Мари Викторовна Росл. Владелец: Открытое акционерное общество "Северсталь" (ОАО "Северсталь"). Дата публикации: 2009-03-10.

Method of obtaining relief on surface

Номер патента: RU2546719C1. Автор: Максим Викторович Кузнецов,Владимир Владимирович Чесноков,Дмитрий Владимирович Чесноков,Валерий Андреевич Райхерт,Денис Вячеславович Кочкарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ФГБОУ ВПО "СГГА"). Дата публикации: 2015-04-10.

METHOD OF PRODUCING HIGHLY-REINFORCED COMPOSITE MATERIAL Al-SiC AND ARTICLE BASED THEREON

Номер патента: RU2493965C2. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Вячеслав Васильевич Елисеев,Сергей Михайлович Вдовин,Константин Николаевич Нищев,Денис Вячеславович Гращенков,Владимир Николаевич Кочетов,Борис Владимирович Щетанов,Владимир Васильевич Чибиркин,Борис Васильевич Пряжников,Лилия Александровна Эмих. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2013-09-27.

Method of determining presence of disordered phase in crystals of semiconductors

Номер патента: RU2019891C1. Автор: Д.Л. Федоров,Ю.А. Власов. Владелец: Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН. Дата публикации: 1994-09-15.

Method of monosilane production and device to this end

Номер патента: RU2412902C2. Автор: Юрий Викторович Демин,Юрий Константинович Кварацхели,Валентин Васильевич Шаталов,Ольга Дмитриевна Хорозова,Александр Георгиевич Кондратьев,Леонид Леонидович Фадеев. Владелец: Юрий Константинович Кварацхели. Дата публикации: 2011-02-27.

Method of determining concentration of impurities in monocrystal

Номер патента: RU2541700C1. Автор: Игорь Алексеевич Кузнецов,Владимир Владимирович Воронин,Юлия Петровна Брагинец,Евгений Георгиевич Лапин,Сергей Юрьевич Семенихин,Валерий Васильевич Федоров,Егор Олегович Вежлев. Владелец: Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение "Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова" (ФГБУ "ПИЯФ"). Дата публикации: 2015-02-20.

Method of growing epitaxial layers of semiconductor crystals of group three nitrides on layered crystalline structure

Номер патента: RU2543215C2. Автор: Юрий Георгиевич Шретер,Юрий Тоомасович Ребане,Алексей Владимирович Миронов. Владелец: Алексей Владимирович Миронов. Дата публикации: 2015-02-27.

Method of local liquid epitaxy

Номер патента: RU2072584C1. Автор: Владимир Юрьевич Гершанов,Сергей Иванович Гармашов,Юрий Владимирович Гершанов. Владелец: Юрий Владимирович Гершанов. Дата публикации: 1997-01-27.

Method of determination of concentration of gas

Номер патента: RU2065159C1. Автор: З.П. Комаровский,С.Г. Тхир. Владелец: Научно-производственная фирма "Диполь". Дата публикации: 1996-08-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.