Semiconductor device manufacturing method
Номер патента: RU2688863C1
Опубликовано: 22-05-2019
Автор(ы): Абдулла Гасанович Мустафаев, Арслан Гасанович Мустафаев, Гасан Абакарович Мустафаев, Наталья Васильевна Черкесова
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ)
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 22-05-2019
Автор(ы): Абдулла Гасанович Мустафаев, Арслан Гасанович Мустафаев, Гасан Абакарович Мустафаев, Наталья Васильевна Черкесова
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ)
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device structure and manufacturing method thereof
Номер патента: US20240014213A1. Автор: Zheng Lv,Xunyi SONG,Chihsen Huang. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-01-11.