• Главная
  • Semiconductor Device and a Manufacturing Method Therefor

Semiconductor Device and a Manufacturing Method Therefor

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor Device and a Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20190051647A1. Автор: Franz Hirler,Joachim Weyers,Maximilian Treiber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-02-14.

Trench power device and source capacitor integration and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4246562A1. Автор: Liang Shi,Yi Zhao. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

High voltage semiconductor device with esd self-protection capability and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230023179A1. Автор: Hee Hwan JI. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Trench power device and source capacitor integration and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4246562A4. Автор: Liang Shi,Yi Zhao. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4398307A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: US20240250148A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US9455248B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140346594A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190148363A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160358906A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230307532A1. Автор: Yoshihisa Suzuki,Hiroshi TAKISHITA,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150340492A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor device

Номер патента: US8928072B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor Device Including Trench Transistor Cell Array and Manufacturing Method

Номер патента: US20140327053A1. Автор: Manfred Schneegans,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-11-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180358438A1. Автор: Ryo Kanda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240194772A1. Автор: Qiyue Zhao,Zhiwen DONG,Shaopeng CHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device with non-volatile memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230378284A1. Автор: Seung Hoon Lee,Min Kuck Cho,Jae Hoon Kim. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

A power semiconductor device with a temperature sensor

Номер патента: EP3807933A1. Автор: Ian DEVINY,Yangang WANG,Vinay Suresh,Chunlin ZHU. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-04-21.

A power semiconductor device with a temperature sensor

Номер патента: US20210257355A1. Автор: Ian DEVINY,Yangang WANG,Vinay Suresh,Chunlin ZHU. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

A semiconductor device voltage converter and a method for forming the same

Номер патента: KR101244080B1. Автор: 에베르 프랑소와. Владелец: 인터실 아메리카스 엘엘씨. Дата публикации: 2013-03-18.

A semiconductor device voltage converter and a method for forming the same

Номер патента: KR101156861B1. Автор: 에베르 프랑소와. Владелец: 인터실 아메리카스 엘엘씨. Дата публикации: 2012-06-20.

Semiconductor device including a columnar intermediate region and manufacturing method thereof

Номер патента: US8058686B2. Автор: Tomomi Yamanobe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240162221A1. Автор: Hiroyoshi Kudou,Hideki Niwayama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10381444B2. Автор: Youichi Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-08-13.

Semiconductor devices and method, semi-conductor device manufacturing method

Номер патента: CN103681673B. Автор: 金子贵昭,砂村润,林喜宏,古武直也,齐藤忍. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device with junction field-effect transistor and manufacturing method of the same

Номер патента: US20120080728A1. Автор: Rajesh Kumar Malhan. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor device having vertical field effect transistor, and manufacturing method thereof

Номер патента: JP2010056215A. Автор: Kiyoshi Takeuchi,潔 竹内. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-03-11.

Field-Effect Semiconductor Device and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20140061647A1. Автор: Wolfgang Werner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-03-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170133386A1. Автор: Yu Ming-Hua,Lee Yi-Jing,KWOK Tsz-Mei,Li Kun-Mu. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09954120B2. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200287009A1. Автор: Toru Anezaki,Fumitaka Ohno. Владелец: United Semiconductor Japan Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device with shallow trench isolation and its manufacture method

Номер патента: US7211480B2. Автор: Hiroyuki Ota,Kengo Inoue. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-01.

Semiconductor device having high-density capacitor elements, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010053578A1. Автор: Atsushi Tominaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor device, manufacture thereof, and a radiation measurement method

Номер патента: US20200185503A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

A semiconductor device, manufacture thereof, and a radiation measurement method

Номер патента: US20180331192A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device, manufacture thereof, and a radiation measurement method

Номер патента: US10566431B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Double Diffused Drain Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140151799A1. Автор: Chien-Hao Huang,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-06-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240204075A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150243562A1. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9082643B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9230865B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160148845A1. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170229448A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device with fast turn-on esd protection circuit and method therefor

Номер патента: EP4372819A1. Автор: Guido Wouter Willem Quax. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor device with fast turn-on esd protection circuit and method therefor

Номер патента: US20240170959A1. Автор: Guido Wouter Willem Quax. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-23.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070032056A1. Автор: Izuo Iida. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Power semiconductor device

Номер патента: US11855203B2. Автор: LIU Yuan,Bo Zhang,Ming Qiao,Zhao Wang,Wenliang LIU. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device with capacitor and fuse and its manufacture method

Номер патента: TWI246767B. Автор: Masayoshi Omura. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2006-01-01.

Semiconductor device with capacitor and fuse and its manufacturing method

Номер патента: KR100718614B1. Автор: 오무라마사요시. Владелец: 야마하 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-05-16.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075594A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11152515B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130307072A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-11-21.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09882063B2. Автор: LI ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device, manufacturing method, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: EP4407692A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09853099B1. Автор: Tsung-Yi Huang,Chu-Feng CHEN. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device with etched landing pad surface and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240023308A1. Автор: Yen-Ho CHU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20210242305A1. Автор: Guipeng Sun,Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US20120264265A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor device having multilayered metal interconnection structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US6087250A. Автор: Yasuhito Hyakutake. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Semiconductor device with gate recess and methods of forming the same

Номер патента: US20240306360A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US10381435B2. Автор: Yoshinori Hoshino,Tsuyoshi Kachi,Senichirou NAGASE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180358434A1. Автор: Yoshinori Hoshino,Tsuyoshi Kachi,Senichirou NAGASE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US10453968B2. Автор: Hai Yang Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Semiconductor Devices and Methods

Номер патента: US20230299159A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

A semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180145182A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device having wiring line with hole, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030146515A1. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-07.

Semiconductor device with non-volatile memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220359674A1. Автор: Seung Hoon Lee,Min Kuck Cho,Jae Hoon Kim. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device controllable by electric field effect and manufacturing method thereof

Номер патента: JP3728073B2. Автор: チハニ イエネ. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2005-12-21.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040063292A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-04-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6867079B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-15.

A SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURE THEREOF, AND A RADIATION MEASUREMENT METHOD

Номер патента: US20180331192A1. Автор: Zhou Fei. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURE THEREOF, AND A RADIATION MEASUREMENT METHOD

Номер патента: US20200185503A1. Автор: Zhou Fei. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device with relatively high breakdown voltage and manufacturing method

Номер патента: CN101203960B. Автор: 简·雄斯基,安科·黑林格. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2012-09-26.

Semiconductor device comprising an oxygen diffusion barrier and manufacturing method

Номер патента: US9601368B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-21.

Passive devices and modules for transceiver and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1276152A2. Автор: Insang Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-01-15.

Inverter and preparation method therefor, semiconductor device, chip, and terminal device

Номер патента: EP4318585A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200020806A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8614469B2. Автор: Yoshihiko Kusakabe,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-24.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20230282743A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US12068413B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20210351297A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4443519A1. Автор: Xi Liu,John Ye,Jun Lin,Kehao Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor device having an ultra-thin substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190181117A1. Автор: Ronald Huemoeller. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050158943A1. Автор: Yoshihiko Miyawaki. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20170301783A1. Автор: Yuji Ebiike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355900A1. Автор: Man-Nung SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190051746A1. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10121888B2. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20190280084A1. Автор: Takayuki Ito,Yasunori OSHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Semiconductor Device Including Trench Transistor Cell Array and Manufacturing Method

Номер патента: US20140327053A1. Автор: Zundel Markus,Schneegans Manfred. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-11-06.

Image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US9401382B2. Автор: Hiroyuki Sekine,Kazushige Takechi,Fuminori Tamura,Toru Ukita,Takayuki Ishino. Владелец: NLT Technologeies Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US8101507B2. Автор: Shigeru Tahara,Ryuichi Asako,Gousuke Shiraishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-01-24.

Semiconductor device having shallow trench isolation structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030030076A1. Автор: Joo-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-13.

Semiconductor device having shallow trench isolation structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020100953A1. Автор: Joo-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120292699A1. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190043977A1. Автор: Yi Pei,Chenggong YIN. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187513A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150093855A1. Автор: Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210183874A1. Автор: Yao-Ting Tsai,Hsin-Huang Shen,Yu-Shu Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20020048871A1. Автор: Koichi Hirata,Nobuyuki Sekikawa,Shinya Enomoto,Masaaki Momen. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-25.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220319908A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20170053914A1. Автор: Takeshi Ishitsuka,Hiroko Tashiro. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US10854543B2. Автор: Takashi Nakano,Shin Takizawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-12-01.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20170256505A1. Автор: Takashi Nakano,Shin Takizawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240097023A1. Автор: Shingo Sato,Tsuyoshi Kachi,Katsura Miyashita,Yuhki FUJINO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180097082A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: EP4383340A1. Автор: MEI Yuan,Liang Song,Qiang Zhang,Lin Luo,Yanan Wang,Yongshun LI,Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: US20240304720A1. Автор: MEI Yuan,Liang Song,Qiang Zhang,Lin Luo,Yanan Wang,Yongshun LI,Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Power semiconductor device with buried gate bus and the manufacturing method therefor

Номер патента: TW200635039A. Автор: Jun Zeng,Po-I Sun. Владелец: Pyramis Corp. Дата публикации: 2006-10-01.

Metal oxide semiconductor device capable of reducing on-resistance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200066878A1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2020-02-27.

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF REDUCING ON-RESISTANCE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200066878A1. Автор: Huang Tsung-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A DIFFUSED GUARD RING AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2450505A1. Автор: Andre Peyre Lavigne,Annie Collumeau. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1980-09-26.

Semiconductor device having fin field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080054374A1. Автор: Noriaki Mikasa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20240363688A1. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Yi-Tse Hung,Ang-Sheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09837532B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11843029B2. Автор: Shiran ZHANG,Gongyi WU,Youquan YU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220102489A1. Автор: Shiran ZHANG,Gongyi WU,Youquan YU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220352372A1. Автор: Jie Bai,Wenli Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343866A1. Автор: Samuel C. Pan,I-Hsieh Wong,Cheewee Liu,Fang-Liang LU,Shih-Ya Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device and manufacturing process for the same

Номер патента: US20240128339A1. Автор: Le Li,Jun Zhou,Guangjie XUE. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220223713A1. Автор: Satoru Yamada,Honglae PARK,Chunhyung Chung,Junsoo Kim,Naoto Umezawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210134975A1. Автор: Satoru Yamada,Honglae PARK,Chunhyung Chung,Junsoo Kim,Naoto Umezawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device, memory, and memory system

Номер патента: EP4283677A1. Автор: He Chen,Lei Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Semiconductor device having multi-level wiring structure

Номер патента: US5517042A. Автор: Mamoru Kitamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-05-14.

Semiconductor device with MOS field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: DE4200753C2. Автор: Hiroshi Kimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-09-26.

Semiconductor device with a multilayer connection structure and manufacturing method therefor

Номер патента: DE4202294C2. Автор: Hiroyuki Fujii,Shigeru Harada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-06-16.

Semiconductor device having a self-aligned contact plug and fabricating method therefor

Номер патента: KR100450686B1. Автор: 손승용,지경구,강창진,김명철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-10-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A MULTI-LAYER CONNECTION STRUCTURE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: DE4202294A1. Автор: Hiroyuki Fujii,Shigeru Harada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-08-13.

Semiconductor device having a multi-layer pad and manufacturing method thereof

Номер патента: KR20000009043A. Автор: 김진현,이태철. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-02-15.

Semiconductor device having electrode of polyside structure and manufacturing method thereof

Номер патента: KR950028175A. Автор: 히로유끼 오오타. Владелец: 후지쓰 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1995-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4228007A1. Автор: Tao Liu,Wei Lu,Haijun Li,Juncai Ma,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Lingcong LE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220393005A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057453B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150008507A1. Автор: Yasufumi Morimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230290905A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7504698B2. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150060958A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240355936A1. Автор: Boon Keat Toh,Chi REN,Chih-Hsin Chang,Szu Han Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Thin film semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030027405A1. Автор: Hisao Hayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Method for fabrication of semiconductor device

Номер патента: US12062722B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20210184041A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160351694A1. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09960040B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Youichi Makifuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120001226A1. Автор: Akio Iwabuchi,Shuichi Kaneko. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222517A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US7323744B2. Автор: Yukio Hayakawa. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-01-29.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20060237779A1. Автор: Yukio Hayakawa. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871143B2. Автор: Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Vertical Power Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240304718A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,TaChuan Kuo. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09972715B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190214477A1. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US9941379B2. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180190786A1. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160247814A1. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220077289A1. Автор: Cheng Yeh HSU,Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09905429B2. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8436420B2. Автор: Kyu Hyun Mo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-05-07.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20110168983A1. Автор: Kyu Hyun Mo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20150076611A1. Автор: Yukio Maki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240297246A1. Автор: Atsushi Yamada,Junji Kotani,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Enhancement-mode semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: US12094962B2. Автор: Yang Liu,Liang He. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US8395203B2. Автор: Yasushi Ishii,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Manufacturing method of ultra-thin semiconductor device package assembly

Номер патента: US09881897B2. Автор: Chih-Cheng Hsieh,Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20130164927A1. Автор: Yasushi Ishii,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190148518A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device packages and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11296043B2. Автор: HUNG-YI LIN,Chang-Yu Lin,Cheng-Yuan KUNG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-04-05.

Semiconductor device with transistor and capacitor and its manufacture method

Номер патента: TW200402142A. Автор: Toshiya Suzuki,Katsuhiko Hieda,Jun Lin. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-02-01.

Sic wafer and manufacturing method for sic wafer

Номер патента: EP3828318A1. Автор: Takeshi Okamoto,Masatake Nagaya,Makoto Kitabatake,Satoru Nogami,Takahiro Kanda,Satoshi TORIMI. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2021-06-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: GB2589484A. Автор: Nakamura Keisuke,YAGYU Eiji,YOSHITSUGU Koji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-06-02.

Semiconductor device and preparation method therefor, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: EP4407701A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device and preparation method therefor, power conversion circuit and vehicle

Номер патента: EP4404274A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Trench power device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4246595A1. Автор: LI YANG,Liang Shi. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901447B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240204101A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Hsien-Shih Chu,Junkun CHEN,Guoguo Kong,Mingru Ge. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20190288000A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3792980A1. Автор: JianFeng Zhang,Eddie Huang,Jingjing CUI. Владелец: Ween Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11335808B1. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-05-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09847396B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Daisuke Kawae. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11984322B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Tien-Shun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device, method for producing same, and electronic device

Номер патента: EP4425535A1. Автор: Keisuke Hatano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180197865A1. Автор: Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device

Номер патента: US7492014B2. Автор: Sergey Pidin. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-02-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190341385A1. Автор: Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200152529A1. Автор: Hitomi Sakurai,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6608344B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6514812B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20010008789A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20020038881A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Semiconductor device, and preparation method therefor and use thereof

Номер патента: EP4199117A1. Автор: Tzung-Han Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Semiconductor device having a side wall insulating film and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20050230749A1. Автор: Amane Oishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor device, preparation method, power conversion circuit and vehicle

Номер патента: EP4407691A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device, manufacturing method and electronic equipment

Номер патента: US12100759B2. Автор: Weibin Chen,Zilan Li,Shuxin Zhang. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240164112A1. Автор: Takahiro Maruyama,Ryo Ogura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210320193A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Naoki Okuno,Yuji EGI,Tetsuya Kakehata,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device including the same

Номер патента: US20200251557A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-08-06.

Display driver semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871063B1. Автор: Jeong Hyeon Park,Bo Seok OH,Hee Hwan JI. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device, fabrication method, and electronic device

Номер патента: EP3958295A1. Автор: Weibin Chen,Zilan Li,Shuxin Zhang. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-23.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09865686B2. Автор: Huaxiang Yin,Huilong Zhu,Xiaolong Ma. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160126325A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110306188A1. Автор: Kazuhiro Tsuruta,Nobuyuki Kato,Jun Kawai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991293B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and its manufacturing method, and display device and electronic appliance

Номер патента: US20070138477A1. Автор: Tatsuya Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180315603A1. Автор: Guang Li YANG,Dae Sub Jung,De Yan CHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773915B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11575045B2. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9530839B2. Автор: Kimitoshi Okano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and power management ic

Номер патента: US20230361092A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and power management IC

Номер патента: US12015020B2. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and power management IC

Номер патента: US11742336B2. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230411341A1. Автор: Koichi Ono,Mika KOTANAGI. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device, busbar, and power converter

Номер патента: US20230231487A1. Автор: Eiichi Ide,Masahito Mochizuki,Junpei Kusukawa. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Packaged semiconductor device having improved reliability and inspectionability and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3968372B1. Автор: Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-11-06.

Packaged semiconductor device having improved reliability and inspectionability and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3968372A1. Автор: Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-03-16.

Manufacturing method for optical device, and optical device

Номер патента: US20240153985A1. Автор: Yu Wang,Zhilei HUANG,Qiujun QIN. Владелец: Beijing Seetrum Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device having wiring of laminated structure and manufacturing method

Номер патента: KR950025957A. Автор: 가오루 미까기. Владелец: 닛본덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1995-09-18.

Semiconductor device having element for test and its manufacturing method

Номер патента: JP2002164517A. Автор: Miki Miyajima,幹 宮嶋. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-06-07.

Semiconductor device including the overlay mark and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100698750B1. Автор: 임병진. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-03-23.

Semiconductor device with siliceous metal wiring layer and manufacturing method thereof

Номер патента: CN1457095A. Автор: 宇佐美达矢,大音光市,竹胁利至,山西信之. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-11-19.

Display panel, display apparatus, and display panel manufacturing method

Номер патента: US11900860B2. Автор: Yipeng CHEN,Ling Shi. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Display panel manufacturing apparatus and display panel manufacturing method using the same

Номер патента: US20230125730A1. Автор: Dae Hong Kim,Byung Kyu SON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-27.

Battery case sealing method and a sealed battery manufacturing method

Номер патента: US20180193952A1. Автор: Katsuya Shikata. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20240222490A1. Автор: Zilan Li,Lezhi WANG. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and semiconductor package including same

Номер патента: US20240213200A1. Автор: Reona Takeoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor module, electronic device, and printed wiring board

Номер патента: US20200411424A1. Автор: Hideto Takahashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing of the same

Номер патента: US20110221052A1. Автор: Takahiro Fukunaga,Yasuko Imanishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-15.

Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing of the same

Номер патента: US8110904B2. Автор: Takahiro Fukunaga,Yasuko Imanishi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-02-07.

Electronic device and method of producing the same

Номер патента: US09953937B2. Автор: Daijiro Ishibashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Package for a microwave semiconductor device

Номер патента: US4672151A. Автор: Shigeyuki Yamamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-06-09.

Semiconductor device, semiconductor package for use therein, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040082102A1. Автор: Takaaki Sasaki. Владелец: Takaaki Sasaki. Дата публикации: 2004-04-29.

Semiconductor Device Comprising an Oxygen Diffusion Barrier and Manufacturing Method

Номер патента: US20170018457A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Baumgartl Johannes. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AN ULTRA-THIN SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190181117A1. Автор: Huemoeller Ronald. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240282621A1. Автор: Wenwen Zhang,Renrui HUANG,Yongzhi FANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301091A1. Автор: SUNG Wook Jung,Ji Hui Baek,Jang Hee Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220415712A1. Автор: Naruhisa Nagata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240276706A1. Автор: Hung-Yu Wei. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899405B2. Автор: Yong Min Yoo,Young Jae Kim,Seung Woo Choi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-20.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11705189B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200235220A1. Автор: Chen-Chiang Liu,Kuo-Sheng Shih,Hung-Kwei Liao,Ming-Tsung Hsu,Yung-Yao Shih. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9711525B2. Автор: Min Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170076980A1. Автор: Takashi Ohashi,Takuya Ohtsuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060275622A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060094186A1. Автор: Junichi Mitani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-05-04.

Electrically conductive device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130168861A1. Автор: HAIYANG Zhang,XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Electrically conductive device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8932950B2. Автор: HAIYANG Zhang,XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-01-13.

Three-dimensional semiconductor device with connection pattern that contacts vertical channel and source channel

Номер патента: US12075619B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: EP4372826A1. Автор: DONGLIANG Zhang,XIN Wang,Dongsheng Wang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor structure, memory device, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210082817A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Polysilicon fuse, manufacturing method thereof, and semiconductor device including polysilicon fuse

Номер патента: US20140339675A1. Автор: Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09960328B2. Автор: David Clark,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09741578B2. Автор: Tohru Oka,Noriaki Murakami,Kota YASUNISHI. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20070026604A1. Автор: Masatomi Okanishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966276B2. Автор: Doo Hyun Park,Jong Sik Paek,Won Chul Do,Seong Min Seo,Ji Hun Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Power conversion device and method for manufacturing power conversion device

Номер патента: US20240030827A1. Автор: Yusuke Takagi,Yujiro Kaneko,Masanori Miyagi,Xudong Zhang. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Test method of a semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US11885716B2. Автор: Hajime Sasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Method of separating a semiconductor device from a substrate

Номер патента: WO2024052695A1. Автор: Tongtong ZHU,Kunal Kashyap,Jia-liang TU,Kai-Jyun Huang. Владелец: Poro Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor Device and Method for Producing a Plurality of Semiconductor Devices

Номер патента: US20170338384A1. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-23.

Method of manufacturing a multilayer semiconductor device

Номер патента: US4596604A. Автор: Shin-ichi Ogawa,Yasuaki Terui,Shigenobu Akiyama. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1986-06-24.

Electronic device and method of producing the same

Номер патента: US20160351729A1. Автор: Daijiro Ishibashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

A semiconductor device washing apparatus and a method of washing a semiconductor device

Номер патента: KR100335450B1. Автор: 아오끼히데미쓰. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2002-05-04.

Display panel and display panel manufacturing method

Номер патента: US10978678B2. Автор: Wenzhi Zhang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

A semiconductor devices with leds and a fabricating method thereof

Номер патента: KR101006777B1. Автор: 헴 타키아르,슈레쉬 유파디야율라. Владелец: 샌디스크 코포레이션. Дата публикации: 2011-01-10.

A semiconductor devices with leds and a fabricating method thereof

Номер патента: KR100955091B1. Автор: 헴 타키아르,슈레쉬 유파디야율라. Владелец: 샌디스크 코포레이션. Дата публикации: 2010-04-28.

Semiconductor device having field shield isolation region and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100281889B1. Автор: 황민욱,백원식. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-03-02.

Semiconductor device preventing the arcing defect and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100764456B1. Автор: 이완기. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-10-05.

Semiconductor device having trench type isolation structure and manufacturing method

Номер патента: KR950021370A. Автор: 김재갑. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-07-26.

Semiconductor device with vertical electron injection and its manufacturing method

Номер патента: US7820461B2. Автор: Fabrice Letertre,Robert Baptist. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2010-10-26.

Semiconductor device without a short channel eefect and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100265826B1. Автор: 김종식,우영탁,엄재철. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-09-15.

Semiconductor device having shallow trench isolation structure and manufacturing method thereof

Номер патента: TW527685B. Автор: Joo-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-11.

Contactless card manufacturing apparatus and contactless card manufacturing method

Номер патента: US11948037B2. Автор: Xiaodong Li. Владелец: Shanghai Oriental Magnetic Card Engineering Co ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Display substrate, display apparatus, and display substrate manufacture method

Номер патента: US20220406857A1. Автор: Zhao Li,Paoming TSAI,Shuang DU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

A substrate having a multilayer reflective film, a reflective mask substrate, and a reflective mask manufacturing method

Номер патента: TWI402612B. Автор: Tsutomu Shoki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2013-07-21.

Exposure device and exposure method, and device-manufacturing method

Номер патента: KR102203305B1. Автор: 유이치 시바자키. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2021-01-14.

Exposure device and exposure method, and device-manufacturing method

Номер патента: KR102311833B1. Автор: 유이치 시바자키. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2021-10-12.

Exposure device and exposure method, and device-manufacturing method

Номер патента: EP2905805A4. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2015-11-18.

Mobile device, exposure device and exposure method, and component manufacturing method

Номер патента: TWI454859B. Автор: 田中慶一. Владелец: 尼康股份有限公司. Дата публикации: 2014-10-01.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL, ORGANIC EL DISPLAY DEVICE, AND ORGANIC EL DISPLAY PANEL MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20190189713A1. Автор: Kondo Masahiko. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

Composite substrate and manufacturing method therefor, and semiconductor device structure

Номер патента: US20240234514A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Vertical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160380093A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-12-29.

Power semiconductor device

Номер патента: EP2546879A3. Автор: Seung Bae HUR,Ki Se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-11.

Semiconductor device with stepped source structure

Номер патента: US11765896B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20060086990A1. Автор: Kazumi Kurimoto,Makoto Misaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-27.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US11961921B2. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20230378252A1. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837459B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12132012B2. Автор: Hsin-Pin Huang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Manufacturing method of semiconductor device and dry etching apparatus for the same

Номер патента: US20140273482A1. Автор: Masaki Matsui,Yoshinori Tsuchiya,Shinichi Hoshi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12027377B2. Автор: Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180261617A1. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10249637B2. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-04-02.

Compound semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US8709886B2. Автор: Naoya Okamoto,Yuichi Minoura,Kozo Makiyama,Toyoo Miyajima,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-29.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140091316A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230146858A1. Автор: Takahiro Maruyama,Takuya Hagiwara,Takuya Maruyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09972508B2. Автор: Kei Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363724A1. Автор: Ding-Kang SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US11462627B2. Автор: Xiang Peng,Haoyu Chen,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180248022A1. Автор: Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-08-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2024124388A1. Автор: Ke SHEN,Huaifeng Wang,Jiajie CUI,Meiyan Lin. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4071818A1. Автор: FAN YANG,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-12.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US20160225722A1. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10347644B2. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240213197A1. Автор: Sichao LI,Haohua MA. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20030129836A1. Автор: Takashi Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363593A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12062640B2. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234249A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234252A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20180308884A1. Автор: Fumitoshi Takahashi,Yotaro Goto,Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070128833A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Takuya Tsurume,Tomoko Tamura,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20090200629A1. Автор: Akihiro Morimoto,Hiroshi Asami,Yoshihiro Nabe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-08-13.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US8445359B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Koichiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20160172419A1. Автор: Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20240371776A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Ying-Cheng Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20030057493A1. Автор: Atsuo Hirabayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-27.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US12033928B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: WO2010010668A1. Автор: Yoshiyuki Kikuchi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2010-01-28.

Manufacturing method of optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US10600932B2. Автор: Hsien-Te Chen. Владелец: Ultra Display Technology Corp. Дата публикации: 2020-03-24.

Semiconductor for Device and Its Manufacturing Method

Номер патента: US20080265436A1. Автор: Yoshihito Fujiwara,Masahito Kawabata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor device, semiconductor memory device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210296238A1. Автор: Mitsuo Ikeda,Akihiro Kajita,Daisuke Ikeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220122981A1. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09985073B2. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and semiconductor-device manufacturing method

Номер патента: US09865639B2. Автор: Kan Shimizu,Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US09754990B2. Автор: Masaki Okamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230253275A1. Автор: Nobuhiro HIGASHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20070224805A1. Автор: Mitsuru Oota. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20060220231A1. Автор: Mitsuru Oota. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080073798A1. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190318939A1. Автор: Shoji Hashizume,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Manufacturing method of semiconductor device and test socket for use in the same

Номер патента: US20240201223A1. Автор: Toshitsugu Ishii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030020066A1. Автор: Shigenori Kido,Yukihiro Nagai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

WAFER LEVEL PACKAGED GaN POWER DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130309811A1. Автор: JU Chull Won. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20010026958A1. Автор: Kazunori Asano,Junko Kohno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20020047195A1. Автор: Kazunori Asano,Junko Kohno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-25.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20010036685A1. Автор: Michiyoshi Takano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-11-01.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20220028833A1. Автор: Hidekazu Hayashi,Takuro Okubo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US11444061B2. Автор: Hidekazu Hayashi,Takuro Okubo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-13.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200249188A1. Автор: HIROSHI Matsubara,Junko Izumitani,Hideaki Ooe,Masutaro Nemoto. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050116272A1. Автор: Takashi Nishida,Masahito Hiroshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-06-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070172746A1. Автор: Takashi Nishida,Masahito Hiroshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7208788B2. Автор: Takashi Nishida,Masahito Hiroshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-04-24.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US12080673B2. Автор: Kazuhiro Tada,Masaaki Taruya,Tatsuya Kitagawa,Masao Akiyoshi,Dai YOSHII,Shin Uegaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Manufacturing method of semiconductor device having DRAM capacitors

Номер патента: US20020086493A1. Автор: Ken Inoue,Ryo Kubota. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Power semiconductor device, preparation method therefor, and electronic apparatus

Номер патента: EP4383323A1. Автор: Ming Wu,Jian Zhou,Yonghuan Ding. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor device and power source device

Номер патента: US20140203444A1. Автор: Keiji Watanabe,Tadahiro Imada,Nobuhiro Imaizumi,Kozo Shimizu,Keishiro Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030234445A1. Автор: Wu-Chang Wang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2003-12-25.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09947553B2. Автор: Mamoru Yamagami,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US09837373B2. Автор: Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09837376B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080006861A1. Автор: Katsuhiro Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Semicondcutor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190341322A1. Автор: Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Shih-Hao Tseng,Chia-Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Semicondcutor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190148255A1. Автор: Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Shih-Hao Tseng,Chia-Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7936016B2. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110207317A1. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240312976A1. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US20240332206A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09997484B2. Автор: Hideo Aoki,Masatoshi Fukuda,Takeori Maeda,Ryoji Matsushima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Packaging device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4006967A1. Автор: Zhixiang Hu,Gang Ye,Weijian PAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-01.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200006372A1. Автор: Feng Ji,Haoyu Chen,Qiwei Wang,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Dual-gate CMOS semiconductor device and dual-gate CMOS semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20030203561A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Dual-gate CMOS semiconductor device and dual-gate CMOS semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020027252A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-07.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160365423A1. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor Device and Manufacturing Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20240234359A9. Автор: Takayuki Oshima,Osamu Ikeda,Naoki Sakurai,Takuma Hakuto. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160355948A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301096A1. Автор: Sang Soo Kim,Kun Young Lee,Nam Kuk KIM,Sang Wan JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160099381A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200259082A1. Автор: Tianhui Li,Qiang Ma,Yanlei Ping. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11011703B2. Автор: Tianhui Li,Qiang Ma,Yanlei Ping. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070210300A1. Автор: Kenichi Kawaguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7875875B2. Автор: Kenichi Kawaguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-01-25.

Manufacturing method of semiconductor device and adjusting apparatus

Номер патента: US9153459B2. Автор: Takashi Kyuho. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150056730A1. Автор: Myung cheol Yoo,Sang Don Lee,Se Jong Oh,Kyu Sung Hwang,Moo Keun Park. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Manufacturing method of semiconductor device, reticle correcting method, and reticle pattern data correcting method

Номер патента: US20070218673A1. Автор: Hiroko Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-20.

Semiconductor manufacturing method including forming additional active layer

Номер патента: US20040185609A1. Автор: Shuichi Ueno,Haruo Furuta,Yoshinori Okumura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-23.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030096505A1. Автор: Kenji Shintani,Junji Tanimura,Takahiro Maruyama,Mutumi Tuda,Ryoichi Yoshifuku. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Light-emitting solar energy collection device and manufacturing method therefor

Номер патента: AU2021365997A1. Автор: ZHEN Peng,Jusong Wang. Владелец: Mpw Tech International Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Light-emitting solar energy collection device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4394898A1. Автор: ZHEN Peng,Jusong Wang. Владелец: Mpw Technologies International Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Light-emitting solar energy collection device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240363784A1. Автор: ZHEN Peng,Jusong Wang. Владелец: Mpw Technologies International Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Manufacturing method of semiconductor device including multi-layered source layer and channel extending therethrough

Номер патента: US09978771B2. Автор: Sun Kak Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160197050A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yuki YAGYU,Akihiro Tobita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20080138995A1. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: EP4020526A1. Автор: Chuanyang ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110045615A1. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09927654B2. Автор: Masami Jintyou,Yamato Aihara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20210193523A1. Автор: Tomoaki Ichikawa,Ryota Mita. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: EP3817034A1. Автор: Tomoaki Ichikawa,Ryota Mita. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2021-05-05.

Manufacturing method for semiconductor device and manufacturing apparatus for semiconductor device

Номер патента: US7897524B2. Автор: Masaki Kamimura,Kenichi Yoshino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Alloy nanomaterial, preparation method therefor, and semiconductor device

Номер патента: US20200181490A1. Автор: LEI QIAN,Zheng Liu,Yixing YANG. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240304459A1. Автор: Tatsuji Nagaoka,Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170178897A1. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230268230A1. Автор: Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,Fumihito Tachibana. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20010053579A1. Автор: TAKESHI Toda,Yoshiro Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Battery back passivation structure, manufacturing method therefor, and solar cell

Номер патента: EP4401155A1. Автор: Hongbo Li,Wei Shan,Wei-Chih Hsu,Sheng HE. Владелец: Chint New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09847226B2. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180061710A1. Автор: Hidemasa Oshige. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US6605512B2. Автор: Yukihiro Kiyota. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-08-12.

Magnetic tunnel junction element and manufacturing method therefor

Номер патента: US09935262B2. Автор: Jinpyo Hong,Jabin LEE,Gwangguk AN. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060115963A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7737037B2. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080293247A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7968448B2. Автор: Chia-Lun Tsai,Jack Chen,Ching-Yu Ni,Wen-Cheng Chien. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20140151873A1. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8987903B2. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Manufacturing apparatus for semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20100136716A1. Автор: Hisashi Okuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Electrode Plate, a Manufacturing Method Therefor and a Battery

Номер патента: US20240372059A1. Автор: Juntai Lu,Jianliang Wei,Xintian ZHANG. Владелец: Jiangsu Zenergy Battery Technologies Co ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Battery module manufacturing device and battery module manufacturing method

Номер патента: US20240145754A1. Автор: Lu Wu,Hong Zhu,Yue Cui,Sitong CHEN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Plasma Display Panel Manufacturing Method

Номер патента: US20080132137A1. Автор: Masanori Suzuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

Laser manufacturing method and laser

Номер патента: EP4224645A1. Автор: Qiufang DENG. Владелец: Zhongxing Photonics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-09.

Secondary battery manufacturing apparatus and secondary battery manufacturing method using same

Номер патента: EP4120411A1. Автор: Jin Yong Lee,Hae Ho Hwang. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-01-18.

Spark plug inspection method and spark plug manufacturing method

Номер патента: US11146042B2. Автор: Atsutoshi Hidaka. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-12.

Spark plug inspection method and spark plug manufacturing method

Номер патента: US20200244049A1. Автор: Atsutoshi Hidaka. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Manufacturing method for secondary battery

Номер патента: US20150091578A1. Автор: Kosuke IWASE. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Fiber optic mode scrambler and a method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2014091065A1. Автор: Jari Näppi,Arto Salokatve. Владелец: ROFIN SINAR LASER GMBH. Дата публикации: 2014-06-19.

Fiber optic mode scrambler and a method of manufacturing thereof

Номер патента: EP2807510A1. Автор: Jari Näppi,Arto Salokatve. Владелец: ROFIN SINAR LASER GMBH. Дата публикации: 2014-12-03.

Device and mathod for a manufacturing cold forging of hollow power plug pin

Номер патента: KR101081022B1. Автор: 이완규. Владелец: 이완규. Дата публикации: 2011-11-09.

Winding structure, coil winding, coil part, and coil winding manufacturing method

Номер патента: US20140152414A1. Автор: Hiroshi Kawashima. Владелец: Sumida Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

BATTERY CASE SEALING METHOD AND A SEALED BATTERY MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180193952A1. Автор: SHIKATA Katsuya. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2018-07-12.

Laser light source device and laser light source device manufacturing method

Номер патента: JP6173303B2. Автор: 昌史 井出,剛男 小味山,薫 依田. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-02.

Cold cathode display device and cold cathode display device manufacturing method

Номер патента: CN1557011A. Автор: ,西村邦彦,中田修平. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-12-22.

Cable assembly and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240154401A1. Автор: Chao Wang. Владелец: Changchun Jetty Automotive Parts Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20110211390A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Satoru Hanzawa,Nozomu Matsuzaki,Fumihiko Nitta. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240306364A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Circuit system and manufacturing and operating method therefor

Номер патента: US20240170943A1. Автор: Yi Sun,Yan-Cun Li. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Display substrate, display apparatus, and display substrate manufacture method

Номер патента: US12063839B2. Автор: Zhao Li,Paoming TSAI,Shuang DU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Chip and pinout design method therefor

Номер патента: US20230394215A1. Автор: Lei Liang,Qingsong Qin. Владелец: Suzhou Wave Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor unit, semiconductor device, battery unit, and vehicle

Номер патента: US20210359620A1. Автор: Mineo Miura,Masashi Hayashiguchi,Jun Terada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor unit, semiconductor device, battery unit, and vehicle

Номер патента: US11909329B2. Автор: Mineo Miura,Masashi Hayashiguchi,Jun Terada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Manufacturing method of stator and stator and motor

Номер патента: US20150145353A1. Автор: Masahiro Kino,Yukihisa Yamamoto,Masashige Tanaka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-05-28.

Manufacturing method of semiconductor structure, semiconductor structure, and memory

Номер патента: US20230389270A1. Автор: Yizhi Zeng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and semiconductor structure manufacturing method

Номер патента: US12127395B2. Автор: Zhan Ying,Yuhan ZHU,Chuxian LIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Chip and pinout design method therefor

Номер патента: US11928414B2. Автор: Lei Liang,Qingsong Qin. Владелец: Suzhou Wave Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

ELECTRONIC DEVICE AND GATEWAY FOR NETWORK SERVICE, AND OPERATION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20160105331A1. Автор: LEE Woo-Kwang,CHO Eun-young,HAN Sang-Bum. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

IMAGE PROCESSING DEVICE AND DISPLAY DEVICE INCLUDING SAME, AND CONTROL METHOD THEREFOR

Номер патента: US20200273323A1. Автор: Kim Dong-wook,YUN Hyun-kyu,KIM Kwan-young,YOON Seung-il,HUR Jae-myung. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

Air quality notifying device connecting air quality measurement device and wireless terminal, and air quality notifying method therefor

Номер патента: GB201701912D0. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-22.

Core unit manufacturing apparatus and core unit manufacturing method

Номер патента: US20220060094A1. Автор: Yuji Takeda,Katsumi Amano,Takashi Fukumoto. Владелец: Mitsui High Tec Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Core unit manufacturing method

Номер патента: US11632026B2. Автор: Yuji Takeda,Katsumi Amano,Takashi Fukumoto. Владелец: Mitsui High Tec Inc. Дата публикации: 2023-04-18.

Protective case for electronic device and protective case manufacturing method

Номер патента: US20240097732A1. Автор: Bo Zhang. Владелец: Shenzhen Zhangla Innovation Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Cover plate, box body for server, and box body manufacturing method

Номер патента: US20220330441A1. Автор: Chang-You Zhang,Zhi-Hua Han,Rui-Fang Lv. Владелец: Fulian Precision Electronics Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

High dynamic range image sensing device and image sensing method and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103139488A. Автор: 刘智民. Владелец: Himax Imaging Inc. Дата публикации: 2013-06-05.

COMBINATION OF IMAGE DISPLAY DEVICE AND DIFFRACTIVE OPTICAL FILTER AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20180088349A1. Автор: Okada Makoto,Seki Daisuke,SAKOHIRA Yosuke. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US09990207B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Bubble bag manufacturing apparatus and a bubble bag manufacturing method

Номер патента: US20180111310A1. Автор: Yao-Sheng Liu. Владелец: Ampacs Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US20150227378A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Storage device and its control method and manufacturing method

Номер патента: US20060082919A1. Автор: Yukio Abe,Yoshifumi Obara,Shunji Saitou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-04-20.

Three-dimensional shaping device and three-dimensional shaped object manufacturing method

Номер патента: EP3756856A1. Автор: Koichi Saito,Kohei YUWAKI,Masayuki GOZU. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-12-30.

Three-dimensional shaping device and three-dimensional shaped object manufacturing method

Номер патента: US20200406548A1. Автор: Koichi Saito,Kohei YUWAKI,Masayuki GOZU. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Display device and display panel thereof, and manufacturing method for display device

Номер патента: US20210165295A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Noodle string cutting device, noodle manufacturing device, and noodle and instant noodle manufacturing method

Номер патента: CA3165445C. Автор: Yoshiaki Nagayama. Владелец: Sanyo Foods Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Three-Dimensional Shaping Device And Three-Dimensional Shaped Object Manufacturing Method

Номер патента: US20230405934A1. Автор: Masaaki Ogihara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20070252188A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20100068857A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4012758A1. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090309091A1. Автор: Masahiko Ishida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-12-17.

Piezoelectric plate and manufacturing method therefor, saw device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240195382A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6146945A. Автор: Jun Osanai. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-11-14.

Manufacturing method for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: EP4203000A1. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-28.

High frequency resonator, and manufacturing method therefor

Номер патента: US6259189B1. Автор: Min Soo Kim,Jeong Ho Cho,Nak Cheol Sung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240244841A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Quantum dot light-emitting device and manufacture method therefor

Номер патента: EP3910696A1. Автор: Dong Li. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-17.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240284671A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Blue-light-emitting device and manufacturing method therefor, and display apparatus

Номер патента: US20240147751A1. Автор: Dongxu Zhang,Yuqian SUN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Graphite steel wire rod for tv pem nut parts, graphite steel, and manufacturing and machining method therefor

Номер патента: EP4421202A1. Автор: Sewon PARK,Sangwoo CHOI,Namsuk LIM. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Photoresist composition and color filter manufacturing method

Номер патента: US09880465B2. Автор: Yueyan Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Poly(arylene sulfide) resin mixture, resin composition, molded article, and production methods therefor

Номер патента: EP4435056A1. Автор: Nobuyuki Matsumoto,Masashi Kunishige. Владелец: DIC Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Touch panel, display device, and touch panel manufacturing method

Номер патента: US09952713B2. Автор: Yuji Takahashi. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Display panel, display device and display panel manufacturing method

Номер патента: US20210405444A1. Автор: Qin Liu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Flash memory array, and write method and erasure method therefor

Номер патента: EP4394771A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Panxin Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Deuterated hpk1 kinase inhibitor, and preparation method therefor and use thereof

Номер патента: AU2021367554B2. Автор: Xingyu LIN,Tingting Lu. Владелец: Zhuhai Yufan Biotechnologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method for driving a display panel

Номер патента: US20200082760A1. Автор: Atsushi Maruyama,Goro Sakamaki,Toshifumi Ogata. Владелец: Synaptics Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

System, semiconductor device for controlling refresh operation of stacked chips and method therefor

Номер патента: KR101175248B1. Автор: 박병권. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-08-21.

System comprising a product offering server and a search engine server and method therefor

Номер патента: WO2014161597A1. Автор: Matthias Bolz. Владелец: Jenjo Patent Holding Ug. Дата публикации: 2014-10-09.

Seat pad and seat pad manufacturing method

Номер патента: US12108881B2. Автор: Yoshiyuki Takahashi,Yukiko Yamaguchi,Taichi Itabashi. Владелец: Archem Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Crane, transportation method, and plate member manufacturing method

Номер патента: EP4446272A1. Автор: Atsushi Kurimoto,Yuki TAKAKI,Yusaku Takemura,Kento Uematsu,Ayaka USUI. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Brake disc and brake disc manufacturing method

Номер патента: US20190120309A1. Автор: Se Hoon Kim,Si Young Sung,Beom Suck Han,Jae Hyuk Shin,Jin Pyeong Kim. Владелец: KOREA AUTOMOTIVE TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2019-04-25.

Liquid crystal panel and manufacturing method of the same

Номер патента: US09927563B2. Автор: Chikaaki MIZOKUCHI,Tomomi Miyake. Владелец: NLT Technologeies Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Wafer Lens Manufacturing Method

Номер патента: US20120243111A1. Автор: Yasushi Iijima,Naohiro Kageyama. Владелец: Konica Minolta Opto Inc. Дата публикации: 2012-09-27.

Core yarn manufacturing machine and core yarn manufacturing method

Номер патента: US20020026781A1. Автор: Masazumi Shigeyama,Harutoshi Sawada. Владелец: MURATA KIKAI KYOTO-SHI JAPAN KK. Дата публикации: 2002-03-07.

System comprising a product offering server and a search engine server and method therefor.

Номер патента: NL2007547C2. Автор: Matthias Bolz. Владелец: Jenjo Patent Holding Ug. Дата публикации: 2013-04-09.

Display panel and display panel manufacturing method

Номер патента: US12078901B2. Автор: Hongyuan Xu,Woosung SON,Maoxia ZHU. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Multispecific protein drug and library thereof, preparing method therefor and application thereof

Номер патента: CA3062962A1. Автор: James Jeiwen CHOU,Liqiang PAN. Владелец: Assembly Medicine LLC. Дата публикации: 2019-12-02.

Multispecific protein drug and library thereof, preparing method therefor and application thereof

Номер патента: CA3062962C. Автор: James Jeiwen CHOU,Liqiang PAN. Владелец: Assembly Medicine LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Multilayer sheet, integrated sheet using same, and manufacturing method therefor

Номер патента: CA2940435C. Автор: Yoshikazu Yakake,Teruhisa Sato,Toru Arakane,Ai Suzuki. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2022-04-12.

Dual-screen tablet computer and display and touch control method therefor

Номер патента: US20170315648A1. Автор: Golden Lin,Castle Zhang. Владелец: Asll Electronics Technology Ltd Co. Дата публикации: 2017-11-02.

Surgical operating system and monopolar-bipolar hybrid output method therefor

Номер патента: US20230263568A1. Автор: Pengfei Li,MIN Lin,Chunxiao Liu,Weitao Luo. Владелец: Simai Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Deuterated hpk1 kinase inhibitor, and preparation method therefor and use thereof

Номер патента: AU2021367554A1. Автор: Xingyu LIN,Tingting Lu. Владелец: Zhuhai Yufan Biotechnologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Retaining block wall, retaining blocks and manufacturing method

Номер патента: US20150275464A1. Автор: Michael Sharp. Владелец: VERTI-CRETE LLC. Дата публикации: 2015-10-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE, DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20150227378A1. Автор: KUROKAWA Yoshiyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: TWI656478B. Автор: 黒川義元. Владелец: 日商半導體能源研究所股份有限公司. Дата публикации: 2019-04-11.

Semiconductor device with electrically broken fuse and its manufacture method

Номер патента: US20070171691A1. Автор: Tetsuo Ashizawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-26.

Apparatus for starting a personal communications device using a pen and a touch sensate panel and method therefor

Номер патента: KR100275685B1. Автор: 이진철,오재성,이제형. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-12-15.

System comprising a kitchen air conditioner and a range hood, and control method therefor

Номер патента: EP4050266B1. Автор: Min Zhou,Yaowen LIU,Huandi YANG. Владелец: Guangdong Giwee Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-20.

Forging device, and method for manufacturing forged product

Номер патента: EP3960327A1. Автор: Shoichi Takahashi,Shogo Suzuki,Etsuo Fujita,Takanori Matsui,Takeshi Fukuyama. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2022-03-02.

Forging device and method for manufacturing forged product

Номер патента: US11883875B2. Автор: Shoichi Takahashi,Shogo Suzuki,Etsuo Fujita,Takanori Matsui,Takeshi Fukuyama. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

BLOOD PRESSURE MEASURING AUXILIARY DEVICE AND BLOOD PRESSURE MEASURING APPARATUS, AND DESIGN METHOD THEREFOR

Номер патента: US20170290519A1. Автор: Zhou Jialu. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

Refrigerator with an ice maker and a water dispenser and control method therefor

Номер патента: DE19645018C2. Автор: Kun Bin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-08-05.

Atomizing device, and performance evaluation method and scale-up method therefor

Номер патента: WO2012023217A1. Автор: 神谷哲. Владелец: 株式会社明治. Дата публикации: 2012-02-23.

Three-dimensional shaping device and three-dimensional shaped object manufacturing method

Номер патента: EP3756856B1. Автор: Koichi Saito,Kohei YUWAKI,Masayuki GOZU. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-10-26.

Display apparatus and display apparatus manufacturing method

Номер патента: US9529242B2. Автор: Yoshiki Nakashima. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Display apparatus and display apparatus manufacturing method

Номер патента: US20150370143A1. Автор: Yoshiki Nakashima. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Display panel and display panel manufacturing method

Номер патента: US20240027860A1. Автор: Hongyuan Xu,Woosung SON,Maoxia ZHU. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Strengthened Glass Manufacturing Apparatus and Strengthened Glass Manufacturing Method Using the Same

Номер патента: US20220002193A1. Автор: Hoi Kwan Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Inspection device, ptp packaging machine, and ptp sheet manufacturing method

Номер патента: EP3614127A1. Автор: Yukihiro Taguchi,Tsuyoshi Ohyama,Norihiko Sakaida. Владелец: CKD Corp. Дата публикации: 2020-02-26.

A functional a wood carpet by the method and a wood carpet manufacture method

Номер патента: KR100417537B1. Автор: 조춘남. Владелец: 주식회사 청송하이테크. Дата публикации: 2004-02-19.

A TEARABLE CORE, A ROLL INCLUDING SUCH A CORE AND A TEARABLE CORE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170361563A1. Автор: CATTACIN Gilles,BRENDLE Damien. Владелец: SCA TISSUE FRANCE. Дата публикации: 2017-12-21.

Measurement device and measurement method, exposure device and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: WO2016125790A1. Автор: 哲寛 上田. Владелец: 株式会社ニコン. Дата публикации: 2016-08-11.

Tearable core, a roll including such a core and a tearable core manufacturing method

Номер патента: US9950490B2. Автор: Gilles Cattacin,Damien Brendle. Владелец: SCA Tissue France SAS. Дата публикации: 2018-04-24.

A tearable core, a roll comprinsing such a core and a tearable core manufacturing method

Номер патента: PL3233688T3. Автор: Gilles Cattacin,Damien Brendle. Владелец: Essity Operations France. Дата публикации: 2019-07-31.

A probe unit, a substrate inspection apparatus, and a probe unit manufacturing method

Номер патента: TWI591347B. Автор: Masashi Kobayashi. Владелец: Hioki Electric Works. Дата публикации: 2017-07-11.

UNPACKING DEVICE AND METHOD, AND UNPACKED CONTENT MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20130125517A1. Автор: GOMI Kazuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA YASKAWA DENKI. Дата публикации: 2013-05-23.

TOOTH IMPLANTATION TECHNIQUE AND A SUBPERIOSTEAL IMPLANT MANUFACTURING METHOD FOR THE SOLUTION OF EXTREME ATROPHY OF A TOOTH BONE

Номер патента: US20170312057A1. Автор: CHENG Jung-Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

BUBBLE BAG MANUFACTURING APPARATUS AND A BUBBLE BAG MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180111310A1. Автор: Liu Yao-Sheng. Владелец: Ampacs Corporation. Дата публикации: 2018-04-26.

DISPLAY DEVICE AND DISPLAY PANEL THEREOF, AND MANUFACTURING METHOD FOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20210080791A1. Автор: SHAN Jianfeng. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

DISPLAY DEVICE AND DISPLAY PANEL THEREOF, AND MANUFACTURING METHOD FOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20210165295A1. Автор: SHAN Jianfeng. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

Air-packing device and its charge valve and manufacturing method

Номер патента: CN105151529B. Автор: 聂会平,张嘉盈. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-03-08.

Plug for contacting a cable with an implantable device and cable with plug and manufacturing method

Номер патента: DE102018204610A1. Автор: Thomas Alexander Schlebusch. Владелец: Kardion GmbH. Дата публикации: 2019-10-02.

Air packaging device and inflation valve thereof and manufacturing method

Номер патента: TWI609824B. Автор: hui-ping Nie. Владелец: Nie hui ping. Дата публикации: 2018-01-01.

Noodle string cutting device, noodle manufacturing device, and noodle and instant noodle manufacturing method

Номер патента: EP4082347B1. Автор: Yoshiaki Nagayama. Владелец: Sanyo Foods Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

WATER TREATMENT DEVICE AND ION CONCENTRATION ADJUSTED WATER MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20210214247A1. Автор: Takagi Toshio,Shimizu Yasushi,Murata Katsuyuki,TANIGAKI Naoto. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20200272009A1. Автор: Nakagawa Teruhisa. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

THREE-DIMENSIONAL SHAPING DEVICE AND THREE-DIMENSIONAL SHAPED OBJECT MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20200406548A1. Автор: Saito Koichi,YUWAKI Kohei,GOZU Masayuki. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Metal band stabilizing device and hot-dip metal band manufacturing method

Номер патента: WO2017110667A1. Автор: 雄亮 石垣,西名 慶晃. Владелец: Jfeスチール株式会社. Дата публикации: 2017-06-29.

Variable power optical system, optical device, and variable power optical system manufacturing method

Номер патента: WO2020250671A1. Автор: 幸介 町田. Владелец: 株式会社ニコン. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20190284044A1. Автор: Guangcai Fu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Sealing device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4403803A1. Автор: Xin Liu,Yuelin Zhang. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2024-07-24.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Ammonium Fluoroalkanesulfonates and a Synthesis Method Therefor

Номер патента: US20120004447A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEPARATOR FOR AN ELECTRICITY STORAGE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003525A1. Автор: . Владелец: TOMOEGAWA CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AT LEAST ONE CONTACT, AND MANUFACTURING METHOD FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AT LEAST ONE CONTACT

Номер патента: US20120292641A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ZINC OXIDE THIN FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120104383A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor device with improved charge transfer characteristics and manufacturing method thereof

Номер патента: KR970052450A. Автор: 정상일. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-07-29.

CIRCUIT FOR SETTING A PLURALITY OF BLOCKS AS AN IN-SYSTEM PROGRAMMING AREA AND A DATA BUFFER AREA AND METHOD THEREFORE

Номер патента: US20130173881A1. Автор: Chen Ding-Yun,Hsiao You-Chang. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-04.

A heating roller, a fixing device, an image forming apparatus, and a heating roller manufacturing method.

Номер патента: JP5493437B2. Автор: 貴智 福元,清輝 香月. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2014-05-14.

HIGH DYNAMIC RANGE IMAGE SENSING DEVICE AND IMAGE SENSING METHOD AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130128083A1. Автор: LIU Chih-Min. Владелец: HIMAX IMAGING LIMITED. Дата публикации: 2013-05-23.

Portable electronic device and antenna structure thereof and manufacturing method of antenna

Номер патента: CN103036022A. Автор: 张胜杰,罗文魁,许馨卉. Владелец: WISTRON NEWEB CORP. Дата публикации: 2013-04-10.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY DEVICE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120154460A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-06-21.

Micro-fluidic paper chip manufacturing device and micro-fluidic paper chip manufacturing method

Номер патента: CN104475178A. Автор: 傅建中,贺永,吴文斌. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2015-04-01.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GRIPPING DEVICE, TRANSFER DEVICE, PROCESSING DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120004773A1. Автор: . Владелец: SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SIGNAL TRANSMISSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120002923A1. Автор: Nakano Yoshiaki,Song Xueliang,Yit Foo Cheong,Wang Shurong,Horiguchi Katsumasa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120000068A1. Автор: Sugiyama Tadashi,KARIYA Takashi,SAKAMOTO Hajime,Wang Dongdong. Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120004360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

MASS FLOW CONTROLLER, MASS FLOW CONTROLLER SYSTEM, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND GAS FLOW RATE ADJUSTING METHOD

Номер патента: US20120000542A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, AND LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE

Номер патента: US20120001222A1. Автор: CHOI Kwang Ki,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O.,KIM Chung Song. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HEAT PIPE TYPE COOLING DEVICE AND RAILCAR CONTROL EQUIPMENT USING THE SAME

Номер патента: US20120002373A1. Автор: KITAJIMA Hironori,SAKAYORI Hitoshi,SHIRAISHI Yuuzou. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CARRIER COMPRISING AT LEAST ONE SEMICONDUCTOR LUMINOUS DEVICE AND CARRIER SYSTEM

Номер патента: US20120002409A1. Автор: . Владелец: OSRAM AG. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

GRAPHENE PROCESSING FOR DEVICE AND SENSOR APPLICATIONS

Номер патента: US20120003438A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.