반도체 장치 및 그 제조 방법.

반도체 장치 및 그 제조 방법

Номер патента: KR100780539B1
Опубликовано: 29-11-2007
Автор(ы): 모미야마요이찌, 삼본스기야스히로, 스가따니신지, 오따히로유끼
Принадлежит: 후지쯔 가부시끼가이샤
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US20080305623A1. Автор: Haoren Zhuang,Helen Wang,Scott D. Halle,Len Yuan Tsou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6608344B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6514812B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20010008789A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20020038881A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Semiconductor device, display device, photoelectric conversion device, electronic apparatus, illumination device, moving body, wearable device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP4383984A1. Автор: Yoshihisa Kawamura,Kotaro Abukawa,Norihiko Nakata,Yuto Nozaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor device, display device, photoelectric conversion device, electronic apparatus, illumination device, moving body, wearable device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240196711A1. Автор: Yoshihisa Kawamura,Kotaro Abukawa,Norihiko Nakata,Yuto Nozaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Merged memory and logic semiconductor device of salicided dual gate structure including embedded memory of self-aligned contact structure and manufacturing method thereof

Номер патента: TW495856B. Автор: Bong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-21.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20020180053A1. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device, capacitor device and manufacture method of capacitor device

Номер патента: US20220077133A1. Автор: Cheng-Hung Hsu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device, capacitor device and manufacture method of capacitor device

Номер патента: US11749669B2. Автор: Cheng-Hung Hsu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030020066A1. Автор: Shigenori Kido,Yukihiro Nagai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Switching element, switching element manufacturing method, semiconductor device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09893276B2. Автор: Naoki Banno,Munehiro Tada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10347644B2. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150333070A1. Автор: Takeshi Nagai,Kanta Saino. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220122981A1. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device and its manufacturing method, memory and memory system

Номер патента: US20240164096A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor Device Including at Least One Lateral IGFET and at Least One Vertical IGFET and Corresponding Manufacturing Method

Номер патента: US20170018461A1. Автор: Thorsten Meyer,Werner Schwetlick. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-19.

Method for semiconductor device planarization

Номер патента: US20020151137A1. Автор: Byoung-Ho Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Semiconductor devices with conductive lines that are laterally offset relative to corresponding contacts

Номер патента: US6903401B2. Автор: Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301091A1. Автор: SUNG Wook Jung,Ji Hui Baek,Jang Hee Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080006861A1. Автор: Katsuhiro Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301096A1. Автор: Sang Soo Kim,Kun Young Lee,Nam Kuk KIM,Sang Wan JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US12041774B2. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Manufacturing method of semiconductor device having DRAM capacitors

Номер патента: US20020086493A1. Автор: Ken Inoue,Ryo Kubota. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Information acquiring method, information acquiring apparatus, semiconductor device comprising array of plurality of unit components for detecting physical quantity distribution, and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20090317935A1. Автор: Atsushi Toda,Hirofumi Sumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-12-24.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US8445359B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Koichiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110183470A1. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2007043285A9. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Ryosuke Watanabe. Дата публикации: 2007-06-07.

Heterojunction field effect type semiconductor device having high gate turn-on voltage and low on-resistance and its manufacturing method

Номер патента: US20040104404A1. Автор: Yasunori Bito. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2004-06-03.

Semiconductor device which includes a capacitor and an interconnection film coupled to each other and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20080135979A1. Автор: Daisuke Inomata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

A vertical oriented semiconductor device comprising well regions having two lateral doping gradients at different depths and a corresponding manufacturing method

Номер патента: EP4310920A1. Автор: Falk-Ulrich Stein,Jakob Teichrib. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-01-24.

Semiconductor device having a field effect transistor using a high dielectric constant gate insulating film and manufacturing method of the same

Номер патента: US20060125006A1. Автор: Shigenori Hayashi,Masaaki Niwa,Yoshinao Harada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Method of fabricating a semiconductor device using laser annealing

Номер патента: US20230180473A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Method of fabricating semiconductor device using laser annealing

Номер патента: WO2023097607A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-06-08.

Method of fabricating semiconductor device using laser annealing

Номер патента: EP4434078A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor device manufacturing method comprising first conductive layer with increased roughness in array region

Номер патента: US12108594B2. Автор: Jingwen Lu,Bingyu ZHU,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220077289A1. Автор: Cheng Yeh HSU,Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8436420B2. Автор: Kyu Hyun Mo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-05-07.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20110168983A1. Автор: Kyu Hyun Mo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor Device Including at Least One Lateral IGFET and at Least One Vertical IGFET and Corresponding Manufacturing Method

Номер патента: US20170018461A1. Автор: Meyer Thorsten,Schwetlick Werner. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-19.

Imaging device and manufacturing method for imaging device

Номер патента: US20240170507A1. Автор: Suguru Saito,Jun YOSHIGIWA,Tomoki Hirano,Rikiichi Oono. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: EP3823023A1. Автор: Takashi Hashimoto,Digh Hisamoto,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-19.

Semiconductor device and production method thereof

Номер патента: US20100264416A1. Автор: Masahiro Tamura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-10-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060275622A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Precious metal-coated silver wire for ball bonding and its manufacturing method, and semiconductor device using precious metal-coated silver wire for ball bonding and its manufacturing method

Номер патента: JP6869920B2. Автор: 淳千葉,千葉　淳,優希安徳,将太川野. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2021-05-12.

Power Semiconductor Device Having a Control Cell for Controlling a Load Current

Номер патента: US20220231125A1. Автор: Stefan Loesch,Olaf Storbeck,Marc Probst,Hans-Juergen Thees,Tom Richter. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-07-21.

Power semiconductor device having a control cell for controlling a load current

Номер патента: US12087816B2. Автор: Stefan Loesch,Olaf Storbeck,Marc Probst,Hans-Juergen Thees,Tom Richter. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-09-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE IN WHICH THE SEMICONDUCTOR IS FORMED ON AN INSULATING SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: FR2525031B1. Автор: Junichi Ohno,Takao Ohta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-01-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE OF WHICH THE SEMICONDUCTOR IS FORMED ON AN INSULATING SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: FR2525031A1. Автор: Junichi Ohno,Takao Ohta. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-10-14.

Heterojunction field effect type semiconductor device having high gate turn-on voltage and low on-resistance and its manufacturing method

Номер патента: EP1424734A2. Автор: Yasunori c/o NEC Compound Semiconductor Bito. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2004-06-02.

Heterojunction field effect type semiconductor device having high gate turn-on voltage and low on-resistance and its manufacturing method

Номер патента: EP1424734A3. Автор: Yasunori c/o NEC Compound Semiconductor Bito. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2005-03-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20210143260A1. Автор: Takashi Hashimoto,Digh Hisamoto,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Method for forming a line of semiconductor device

Номер патента: US20020090807A1. Автор: Tae Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for forming a line of semiconductor device

Номер патента: US6548377B2. Автор: Tae Seok Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-15.

Semiconductor device and manufacturing process thereof

Номер патента: US6246105B1. Автор: Yukio Morozumi,Takenori Asahi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-06-12.

Resin composition for sealing a semiconductor device, device using this semiconductor device, and mounting structure of this semiconductor device

Номер патента: DE60104784T2. Автор: Tadaaki Ibaraki-shi HARADA. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Semiconductor device having fin gate, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160079398A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150318368A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140370670A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-18.

Integrated metal resistor and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2355135A3. Автор: Akira Matsumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-07.

Semiconductor device having a chip with via hole soldered on a support, and its method of fabrication

Номер патента: EP0793269A1. Автор: Pierre Baudet. Владелец: Philips Electronics NV. Дата публикации: 1997-09-03.

Semiconductor device having ring-shaped conductive spacer which connects wiring layers

Номер патента: US5929524A. Автор: Kuniaki Koyama,John Mark Drynan. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-07-27.

Semiconductor device with improved interconnections between the chip and the terminals, and process for its manufacture

Номер патента: EP1028464A1. Автор: Pieramedeo Bozzini. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2000-08-16.

Semiconductor device with improved interconnections between the chip and the terminals, and process for its manufacture

Номер патента: EP1028464B1. Автор: Pieramedeo Bozzini. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2006-07-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TERMINALS FORMED ON A CHIP PACKAGE INCLUDING A PLURALITY OF SEMICONDUCTOR CHIPS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160079222A1. Автор: SATO Takao. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A UNIFORM AND THIN SILICIDE LAYER ON AN EPITAXIAL SOURCE/ DRAIN STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210035806A1. Автор: Sheu Jyh-Cherng,Wang Sheng-Chen,WANG Sung-Li,Yeong Sai-Hooi,Lee Kai-Hsuan,Yang Cheng-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device having dielectric layer improved dielectric characteristic and leakage current and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100480622B1. Автор: 이승환,임재순,김기철,김성태,김영선,남갑진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-31.

Semiconductor device having a field effect transistor using a high dielectric constant gate insulating film and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090242983A1. Автор: Shigenori Hayashi,Masaaki Niwa,Yoshinao Harada. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Measuring method of image formation characteristic, exposure method, exposure apparatus and its adjustment method, manufacture method of device, and recording medium

Номер патента: TWI220999B. Автор: Masato Hamatani,Toshio Tsukakoshi. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2004-09-11.

Tubular thermoelectric module and its structural element manufacturing method

Номер патента: RU2615211C2. Автор: Рольф БРЮКК,Вильфрид МЮЛЛЕР. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2017-04-04.

Connection storage grid storage unit and its operation and manufacture method

Номер патента: CN104600076B. Автор: 骆志炯. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150340492A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20080111209A1. Автор: Chihiro Shin. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device

Номер патента: US8928072B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor device and its manufacture

Номер патента: US20020140008A1. Автор: Makoto Yasuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device and its manufacture

Номер патента: US20030107064A1. Автор: Makoto Yasuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070032056A1. Автор: Izuo Iida. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Method of generating layout and method of manufacturing semiconductor devices using same

Номер патента: US20190131139A1. Автор: Dong Hyun Kim,Sung Keun Park,Byung Sung Kim,Ho Jun Choi,In Wook OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745586C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Semiconductor integrated circuit device, current control device using semiconductor integrated circuit device, and automatic transmission control device using current control device

Номер патента: US20200381454A1. Автор: Yoichiro Kobayashi,Shinichirou WADA,Masato Kita. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor integrated circuit device, current control device using semiconductor integrated circuit device, and automatic transmission control device using current control device

Номер патента: US11043508B2. Автор: Yoichiro Kobayashi,Shinichirou WADA,Masato Kita. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2021-06-22.

Logic circuit and semiconductor device formed using unipolar transistor

Номер патента: US11777502B2. Автор: Takeshi Aoki,Hiroki Inoue,Sho Nagao,Munehiro KOZUMA,Shuji Fukai,Fumika AKASAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4398307A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Manufacturing method of a semiconductor device using multiple etching mask

Номер патента: US09825177B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Satoru Okamoto,Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12096703B2. Автор: Qi Xiang,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09947777B2. Автор: Yusuke Nonaka,Hiromi Sawai,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Kazutaka Kuriki,Yuji EGI,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4012758A1. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Manufacturing method for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: EP4203000A1. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046593B2. Автор: Wei Wang,King Yuen Wong,Xiaoyan Zhang,Danfeng MAO,Jinhan Zhang,Jianjian SHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040063292A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-04-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6867079B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-15.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US6649458B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-18.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US20030157775A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: US20240250148A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12102021B2. Автор: HE Qian,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10121888B2. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240244841A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180158816A1. Автор: Satoshi Kura,Keiji Sakamoto,Taichi Iwasaki,Mitsuo Nissa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

High frequency equalizer using a demultiplexing technique and related semiconductor device

Номер патента: US6983010B1. Автор: Soo-In Cho,Jung-Bae Lee,Hong-Joon Park,Jae-Yoon Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-03.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20240250141A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: EP2622640A1. Автор: Takashi Okawa,Kiyoharu Hayakawa,Atsushi Onogi,Hiroomi Eguchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2013-08-07.

Semiconductor device with multi-layer dielectric and methods of forming the same

Номер патента: US12057398B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device with integrated delay chain

Номер патента: US20100164585A1. Автор: Carlo Alberto Romani,Massimo Scipioni,Corrado Giorgio Castiglione,Elvio Romanucci,Donato Tancredi. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor Device

Номер патента: US20170110585A1. Автор: Kei Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200020806A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20070252188A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20100068857A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor device with air gaps between metal gates and method of forming the same

Номер патента: US12100625B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4443519A1. Автор: Xi Liu,John Ye,Jun Lin,Kehao Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor device with an upper surface of a substrate at different levels and method of manufacturing the same

Номер патента: US09917083B2. Автор: Satoshi Kura,Keiji Sakamoto,Taichi Iwasaki,Mitsuo Nissa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Method for fabricating mask, method for fabricating semiconductor device using the mask, and the semiconductor device fabricated using the mask

Номер патента: US20220302176A1. Автор: Myoung-ho KANG,Seong-Yul PARK,Yong-Ah KIM,Dong Hyo PARK,Chang Hyeon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180358438A1. Автор: Ryo Kanda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Patterning multiple, dense features in a semiconductor device using a memorization layer

Номер патента: US20150303273A1. Автор: Guillaume Bouche,Xiang Hu,Andy Chih-Hung Wei,Sandeep Gaan,Jerome F. Wandell. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190051746A1. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Logic circuit formed using unipolar transistor, and semiconductor device

Номер патента: US12040795B2. Автор: Takeshi Aoki,Hiroki Inoue,Shintaro Harada,Sho Nagao,Munehiro KOZUMA,Shuji Fukai,Fumika AKASAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240194772A1. Автор: Qiyue Zhao,Zhiwen DONG,Shaopeng CHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Forming esd devices using multi-gate compatible processes

Номер патента: US20240258301A1. Автор: Chih-Hung Wang,Chih Chieh Yeh,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su,Chia-Ju Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20230282743A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050158943A1. Автор: Yoshihiko Miyawaki. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US12068413B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: US20180076195A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device and liquid jetting device using the same

Номер патента: EP1380418A3. Автор: Yukihiro Hayakawa,Mineo Shimotsusa,Kei Fujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-21.

Semiconductor device and liquid jetting device using the same

Номер патента: US20040007767A1. Автор: Yukihiro Hayakawa,Mineo Shimotsusa,Kei Fujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-15.

Method for fabricating mask, method for fabricating semiconductor device using the mask, and the semiconductor device fabricated using the mask

Номер патента: US12068327B2. Автор: Myoung-ho KANG,Seong-Yul PARK,Yong-Ah KIM,Dong Hyo PARK,Chang Hyeon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170229448A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20210351297A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087809B2. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240347579A1. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Logic circuit formed using unipolar transistor, and semiconductor device

Номер патента: US20240364343A1. Автор: Takeshi Aoki,Hiroki Inoue,Shintaro Harada,Sho Nagao,Munehiro KOZUMA,Shuji Fukai,Fumika AKASAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device with gate isolation structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371877A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2015177685A1. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200287009A1. Автор: Toru Anezaki,Fumitaka Ohno. Владелец: United Semiconductor Japan Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Optically triggered semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20130153953A1. Автор: ARTHUR STEPHEN DALEY,Alexey Vert,Peter Almern Losee,Ahmed Elasser,Stanislav I. Soloviev. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2013-06-20.

Optically triggered semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US8691634B2. Автор: Stephen Daley Arthur,Alexey Vert,Peter Almern Losee,Ahmed Elasser,Stanislav Ivanovich Soloviev. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-04-08.

Semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US10714487B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10170483B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11574916B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150243562A1. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9082643B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9230865B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190081040A1. Автор: Toshiyuki Kanaya,Tsuyoshi Hosono. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor device

Номер патента: US7667244B2. Автор: Tadashi Narita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160148845A1. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170125553A1. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240274698A1. Автор: Takashi Yoshimura,Misaki Uchida,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240284671A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20130230965A1. Автор: Gaku Sudo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US20240349482A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09966434B2. Автор: Yi-Wei Chen,Neng-Hui Yang,Yu-Shu Lin,Shi-You Liu,Ming-Shiou Hsieh,Rong-Sin Lin,I-Cheng Hu,Han-Ting Yen,Chun-Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09947658B2. Автор: yu-sheng Wu,Hou-Yu Chen,Chen Hua TSAI,Chia-Wei Soong,Chih-Pin TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device including fin structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871038B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Chieh Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09831326B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180204911A1. Автор: Weili Zhao,Yiqi Wang,XiaoFang Yang,Jianxiang Cai,JingGuo Jia. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230290905A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20210126113A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Lo-Heng Chang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190139956A1. Автор: I-Chih Chen,Chih-Mu Huang,Ting-Chun Kuan,Kuan-Jung Chen,Ming-Feng Lee,Kai-Di Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device and power amplifier using the same

Номер патента: US20040140480A1. Автор: Kazuhiro Mochizuki,Kiichi Yamashita,Tohru Oka,Isao Ohbu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US20160104772A1. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor device with multi-layer dielectric

Номер патента: US12040273B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20080017922A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-01-24.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US20180261674A1. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8614469B2. Автор: Yoshihiko Kusakabe,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258312A1. Автор: I-Chih Chen,Chih-Mu Huang,Ting-Chun Kuan,Kuan-Jung Chen,Ming-Feng Lee,Kai-Di Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230307532A1. Автор: Yoshihisa Suzuki,Hiroshi TAKISHITA,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220181491A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US12051688B2. Автор: Keiichi Murayama,Kazumi TSUTSUMIDA,Katsuyoshi Jokyu. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US20170040427A1. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor Devices and Manufacturing Methods Thereof

Номер патента: US20160307928A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20100295116A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200321239A1. Автор: Kazunobu Kuwazawa,Hiroaki Nitta,Shigeyuki SAKUMA,Mitsuo SEKISAWA,Takehiro Endo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Forming esd devices using multi-gate compatible processes

Номер патента: US20230268337A1. Автор: Chih-Hung Wang,Chih Chieh Yeh,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su,Chia-Ju Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Field-Effect Semiconductor Device and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20140061647A1. Автор: Wolfgang Werner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-03-06.

Manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20240290774A1. Автор: Keiichi Murayama,Kazumi TSUTSUMIDA,Katsuyoshi Jokyu. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US09985031B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180097082A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220352372A1. Автор: Jie Bai,Wenli Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20050059196A1. Автор: Masahiro Hayashi,Takafumi Noda,Masahiko Tsuyuki,Akihiko-Ebina. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-03-17.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20110318904A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Matthias Stecher,Thomas Neidhart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150008507A1. Автор: Yasufumi Morimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US6933575B2. Автор: Masahiro Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-08-23.

Antenna duplexer and its design method ,manufacturing method and communication device

Номер патента: CN100342581C. Автор: 中村弘幸,关俊一. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-10.

Transformer with low eddy current and magnetic hysteresis losses and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100983516B1. Автор: 이승훈,원종근,윤민선. Владелец: 원종근. Дата публикации: 2010-09-24.

Transformer with low eddy current and magnetic hysteresis loss and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2530687A4. Автор: Jong Keun Won. Владелец: YOUNGSIN METAL IND CO Ltd. Дата публикации: 2014-05-21.

Current and voltage combined transformer and manufacturing method thereof

Номер патента: CN109473268B. Автор: 胡波,周平安. Владелец: CHONGQING HUAHONG INSTRUMENT Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-01.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: RU2544887C2. Автор: Хидео КОБАЯСИ,Масанори ОГУРА,Тецунобу КОТИ,Масаси КИТАНИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2015-03-20.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2503085C1. Автор: Масахико СУЗУКИ,Хирохико НИСИКИ,Такеси ХАРА,Юудзи МИДЗУНО,Есимаса ТИКАМА,Есифуми ОХТА,Тецуя АИТА,Митико ТАКЕИ,Окифуми НАКАГАВА,Есиюки ХАРУМОТО. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-12-27.

Semiconductor device with reduced leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US09893107B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Chia-Yu WEI,Chin-Hsun Hsiao,Yen-Liang Lin,Yung-Lung Hsu,Ssu-Chiang Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Fiber SOI substrate, semiconductor device using this, and manufacturing method thereof

Номер патента: US8598017B2. Автор: Kenkichi Suzuki,Takashi Fuyuki,Hisashi Koaizawa,Sadayuki Toda. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-03.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4071818A1. Автор: FAN YANG,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-12.

Fiber soi substrate, semiconductor device using this, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130023090A1. Автор: Kenkichi Suzuki,Takashi Fuyuki,Hisashi Koaizawa,Sadayuki Toda. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor device with an image sensor and method for the manufacture of such a device

Номер патента: EP1878055A1. Автор: Willem Hoekstra,Willem-Jan Toren,Daniel W. E. Verbugt,Hein O. Folkerts,Daniel H. J. M. Hermes,Joris P. V. Maas,Willem H. Maes. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-01-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070128833A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Takuya Tsurume,Tomoko Tamura,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160351694A1. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20170141234A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor device having surface regions with different crystal orientation and manufacturing method

Номер патента: EP1677350A3. Автор: Dong-Suk Shin,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Tetsuji Ueno,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-30.

Semiconductor transistor device structure with back side source/drain contact plugs, and related manufacturing method

Номер патента: US20110169083A1. Автор: Bin Yang,Rohit Pal,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222517A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110244660A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20210005751A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Ryota Hodo,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US20160225722A1. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device for a system for measuring the temperature, and manufacturing method thereof

Номер патента: US9806216B2. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of forming pn junction including transition metal dichalcogenide, method of fabricating semiconductor device using the same, and semiconductor device fabricated by the same

Номер патента: US20230245887A1. Автор: Jin-Hong Park,Jin-Hyuk Kim,Sang-Yong Park,Sejin KYUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20180308884A1. Автор: Fumitoshi Takahashi,Yotaro Goto,Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09922961B2. Автор: Yoshifumi ZAIZEN,Masaki Okamoto,Masaki HANEDA,Satoru Wakiyama,Kazunori Nagahata,Reijiroh Shohji,Yutaka Ooka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871143B2. Автор: Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US09871000B2. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09852926B2. Автор: Kengo Akimoto,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837460B2. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Yosuke Takeuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20190355686A1. Автор: Jun Zhu,You WU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Manufacturing method of optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US10600932B2. Автор: Hsien-Te Chen. Владелец: Ultra Display Technology Corp. Дата публикации: 2020-03-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210119055A1. Автор: Masashi TSUBUKU,Tatsuya TODA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20230090278A1. Автор: Eiichirou Kishida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US12014968B2. Автор: Eiichirou Kishida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12068399B2. Автор: Takashi Okada,Tomoyuki Ito,Toshiki Kaneko,Akihiro Hanada,Takuo Kaitoh,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device provided with photodiode, manufacturing method thereof, and optical disc device

Номер патента: US20140319643A1. Автор: Katsuhiko Takeuchi,Hiroshi Yumoto,Tomokazu Mukai,Shuji Yoneda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057453B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09985073B2. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device, manufacturing method of the same, and electronic device

Номер патента: US09911861B2. Автор: Yuichi Sato,Daisuke Matsubayashi,Yutaka Okazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887211B2. Автор: Yoshiki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and semiconductor-device manufacturing method

Номер патента: US09865639B2. Автор: Kan Shimizu,Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837459B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200185533A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170154789A1. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140151720A1. Автор: Ted-Hong Shinn,Wei-Chou Lan. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130075733A1. Автор: Toshihiko Saito,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka,Sho Nagamatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor device having enhanced photo sensitivity and method for manufacture thereof

Номер патента: US8124495B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Tzu-Hsuan Hsu,Shou-Gwo Wuu,Jeng-Shyan Lin,Chien-Hsien Tseng,Ho-Ching Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080073798A1. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180315603A1. Автор: Guang Li YANG,Dae Sub Jung,De Yan CHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor for Device and Its Manufacturing Method

Номер патента: US20080265436A1. Автор: Yoshihito Fujiwara,Masahito Kawabata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US10453968B2. Автор: Hai Yang Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180152801A1. Автор: Yu Hua,Chao Wang,Yijun Chen,Shan ZHANG,Kuanchieh YU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

GaN Single-Crystal Mass and Method of Its Manufacture, and Semiconductor Device and Method of Its Manufacture

Номер патента: US20100314625A1. Автор: Takashi Sakurada,Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20080061327A1. Автор: Yu-Chou Lee,Tsung-Chi Cheng,Hung-Yi Hsu,Yea-Chung Shih,Jui-Chung Chang,Hsiang-Hsien Chung,Wen-Kuang Tsao,Ching-Yeh Kuo. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Insulated gate type semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1671374A2. Автор: Hidefumi Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha TAKAYA,Kimimori Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha HAMADA,Yasushi Denso Corporation OKURA,Akira Denso Corporation KUROYANAGI,Norihito Denso Corporation TOKURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20200145771A1. Автор: Yu Hua,Chao Wang,Yijun Chen,Shan ZHANG,Kuanchieh YU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190326441A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11069821B2. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

A semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180145182A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device manufacturing method with reduced gate electrode height loss and related devices

Номер патента: US10535750B2. Автор: Yang Liu,Yongmeng Lee,Shaofeng Yu,Jianhua Ju,Zhaoxu Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-14.

Semiconductor device having a reduced concentration of carbon vacancies and its manufacturing method

Номер патента: US20240339322A1. Автор: Lars Knoll,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243176A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180151696A1. Автор: Yang Liu,Yongmeng Lee,Shaofeng Yu,Jianhua Ju,Zhaoxu Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device having trench-type gate and its manufacturing method capable of simplifying manufacturing steps

Номер патента: US20090227102A1. Автор: Wataru Sumida. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Semiconductor device having reinforced low-k insulating film and its manufacture method

Номер патента: US8772182B2. Автор: Yoshiyuki Ohkura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-07-08.

Semiconductor device with shallow trench isolation and its manufacture method

Номер патента: US7211480B2. Автор: Hiroyuki Ota,Kengo Inoue. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-01.

Semiconductor Device and Manufacturing Method thereof

Номер патента: US20130082362A1. Автор: Huaxiang Yin,Qiuxia Xu,Dapeng Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-04-04.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09972505B2. Автор: Masahiro Matsumoto,Kazuyoshi Maekawa,Yuichi Kawano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

High-speed and high-capacity mos transistor and its manufacturing process

Номер патента: RU2197769C2. Автор: Хюн-Сик Ким,Хеон-Йонг Син,Соо-Чеол Ли. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2003-01-27.

Semiconductor device and its manufacturing method, and display device and electronic appliance

Номер патента: US20070138477A1. Автор: Tatsuya Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030127685A1. Автор: Takashi Kuroi,Katsuyuki Horita,Katsuomi Shiozawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-10.

Resin-encapsulated semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09991213B2. Автор: Shoji Yasunaga,Yasumasa Kasuya,Motoharu Haga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20220246750A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Manufacturing method of semiconductor device using a heat-resistant adhesive sheet

Номер патента: MY164683A. Автор: Chang-Hoon Sim,Ki-Jeong Moon,Sung-Hwan Choi,Hae-Sang Jeon,Yun-Min Park. Владелец: Toray Advanced Mat Korea Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Super-fine junctions manufacturing method

Номер патента: RU2733924C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2020-10-08.

Light emitting device, semiconductor device, and method of manufacturing the devices

Номер патента: US20020056841A1. Автор: Koichi Miyazaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2719622C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев,Зелимхан Лечиевич Хазбулатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-04-21.

Housing of semiconductor device from metal matrix composite and method of its manufacturing

Номер патента: RU2724289C1. Автор: Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Алексеевич Золотарев,Лариса Владимировна Чумакова. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-06-22.

Semiconductor device, optical sensor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09818895B2. Автор: Hiroshi Inada,Takashi Ishizuka,Hideaki Nakahata,Yasuhiro Iguchi,Katsushi Akita,Youichi Nagai,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2709603C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-12-18.

Semiconductor device, fabrication method, and electronic device

Номер патента: EP3958295A1. Автор: Weibin Chen,Zilan Li,Shuxin Zhang. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-23.

Semiconductor device, optical sensor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120217478A1. Автор: Hiroshi Inada,Takashi Ishizuka,Hideaki Nakahata,Yasuhiro Iguchi,Katsushi Akita,Youichi Nagai,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991293B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Avalanche photodiode and method for its manufacture

Номер патента: RU2769749C1. Автор: Наталья Александровна Валишева,Татьяна Александровна Левцова,Евгений Александрович Емельянов,Игорь Борисович Чистохин,Михаил Альбертович Путято,Валерий Владимирович Преображенский,Игорь Ильич Рябцев,Михаил Олегович Петрушков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2022-04-05.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20170033074A1. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20090072286A1. Автор: Takafumi Noda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US20090174034A1. Автор: Wibo D. Van Noort,Francois Neuilly,T. M. Donkers Johannes J.. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-09.

Overlay mark forming Moire pattern, overlay measurement method using same, overlay measurement apparatus using same, and manufacturing method of semiconductor device using same

Номер патента: US12107052B2. Автор: Hyun Chul Lee,Hyun Jin Chang. Владелец: Auros Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09929120B2. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2719569C1. Автор: Ясуаки ХАЯМИ,Тецуя ХАЯСИ,Вэй НИ,Риота ТАНАКА,Кейсуке ТАКЕМОТО. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-04-21.

Light-emitting diode semiconductor device in casing for surface wiring

Номер патента: RU2267188C2. Автор: С.П. Черных,Г.В. Федорова. Владелец: Черных Сергей Петрович. Дата публикации: 2005-12-27.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Method of wafer dicing and manufacturing method of semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240290658A1. Автор: Jimin Kim,Youngchul KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6376331B1. Автор: Minoru Higuchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-23.

Semiconductor device having impurity concentrations for preventing a parasitic channel

Номер патента: US6144047A. Автор: Minoru Higuchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20080138995A1. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor device using a self-assembly method for its manufacturing

Номер патента: WO2015008870A4. Автор: Akihiro Kojima,Yoshiaki Sugizaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-07-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110045615A1. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020135074A1. Автор: Haruo Shimamoto,Kazushi Hatauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor circuit device

Номер патента: US11695045B2. Автор: Keiji Okumura,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

Direct cooling type semiconductor package unit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266251A1. Автор: Hyun Wook Jung,Jong Won Lim,Min Soo Kang,Sung Jae Chang,Ho Kyun Ahn,Sang Heung LEE,Hae Cheon Kim,Seong Il Kim,Hyoung Soon Lee,Il Gyu CHOI,Jun Rae PARK. Владелец: Republic Of Korea Defense Acquisition Program Administration. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773915B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2737722C1. Автор: Николай Александрович Брюхно,Василий Васильевич Афанаскин,Маргарита Юрьевна Котова,Александр Евгеньевич Яценко. Владелец: Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ". Дата публикации: 2020-12-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: USRE41696E1. Автор: Michiko Yamauchi. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US6642124B1. Автор: Michiko Yamauchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-04.

Diboride single crystal substrate, semiconductor device using this and its manufacturing method

Номер патента: EP1538243A4. Автор: Satoshi Kamiyama,Hiroyuki Matsunami,Hiroyuki Kinoshita,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Shigeki Otani,Jun Suda. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2008-04-02.

Semiconductor device measurement method using x-ray scattering and semiconductor device manufacturing method including the measurement method

Номер патента: US20230380783A1. Автор: Hidong Kwak,Jaeyong Lee,Minjung Shin,Chuhee LEE,Seungryeol Oh,Byunghyun HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device, its manufacturing method, circuit board, and electronic unit

Номер патента: US20050110141A1. Автор: Hideo Miyasaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-05-26.

Semiconductor device having bed structure underlying electrode pad

Номер патента: US6465894B2. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-15.

Thermoplastic resin composition for semiconductor, adhesion film, lead frame, and semiconductor device using the same, and method of producing semiconductor device

Номер патента: MY140876A. Автор: Tomohiro Nagoya,Yoshiyuki Tanabe,Toshiyasu Kawai,Naoko Tomoda,Kiyohide Tateoka. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-29.

Typical metal containing polysiloxane composition, process for its production, and its uses

Номер патента: US20130090447A1. Автор: Daiji Hara,Masato Shimizu. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150056730A1. Автор: Myung cheol Yoo,Sang Don Lee,Se Jong Oh,Kyu Sung Hwang,Moo Keun Park. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Bed structure underlying electrode pad of semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20010040242A1. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243204A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Etching composition for selectively etching silicon nitride, etching method, and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240014044A1. Автор: Hyun Goo Kang,Young Mee Kang,Eun Seok Oh,Sang Woo LIM,Tae Gun Park,Go Un KIM. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966300B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for preparing substrate using germanium condensation process and method for manufacturing semiconductor device using same

Номер патента: US09825151B2. Автор: Jea Gun Park,Seung Hyun Song,Du Yeong LEE,Tea Hun SHIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2017-11-21.

Methods of cleaning a semiconductor device and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20080124909A1. Автор: Keum-Joo Lee,Jin-Hye Bae,Dae-Keun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Method and system supporting production of a semiconductor device using a plurality of fabrication processes

Номер патента: EP2056338A3. Автор: Masood Syaed. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Method of Manufacturing Semiconductor Device, Substrate Processing Method and Apparatus, Non-Transitory Computer Readable Recording Medium, and Semiconductor Device

Номер патента: US20140084389A1. Автор: Arito Ogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901447B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method of fabricating multi-fingered semiconductor devices on a common substrate

Номер патента: US20110171801A1. Автор: Akif Sultan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device with integrated heat distribution and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290761A1. Автор: Ron Huemoeller,Bora Baloglu,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method for operating semiconductor device

Номер патента: US11727873B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kiyotaka Kimura,Hidetomo Kobayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor substrate and semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20130306979A1. Автор: Masayuki Iwami,Takuya Kokawa. Владелец: ADVANCED POWER DEVICE RESEARCH ASSOCIATION. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010050363A1. Автор: Haruhiko Ono. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-13.

Dipping detecting device for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080090311A1. Автор: Youn-Sung Ko,Yong-Kyun Sun,Dong-joo ROH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-17.

Method for fabricating a semiconductor device using a wafer inspection apparatus

Номер патента: US20240304501A1. Автор: Ki Hun Kim,Yong Ju Jeon,Jeong-su Ha,Jhong Kwon KIM,Da Young MYOUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Flexible semiconductor device, method for manufacturing the same, image display device using the same and method for manufacturing the image display device

Номер патента: US20130168681A1. Автор: Takeshi Suzuki,Koichi Hirano,Shinobu Masuda. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09893200B2. Автор: Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2680989C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-03-01.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745589C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: федеральное государственное бюджетно образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

P-Type Semiconductor Material and Semiconductor Device

Номер патента: US20130214271A1. Автор: Yoshinobu Asami,Riho KATAISHI,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US8101507B2. Автор: Shigeru Tahara,Ryuichi Asako,Gousuke Shiraishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-01-24.

Manufacturing method of vertical GaN-based semiconductor device and vertical GaN-based semiconductor device

Номер патента: US10903352B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Light-emitting device with quantum dots and holes, and its fabricating method

Номер патента: US20020190264A1. Автор: Hoon Kim. Владелец: NMCTek Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4391046A1. Автор: XIAOFENG Xu,Ming Wu,Eckart HOENE,Zhengyan HE,Luise PAWLAK. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075594A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Manufacturing method of the semiconductor package, pick and place device, and workpiece handling apparatus

Номер патента: US20240178015A1. Автор: Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Hsien-Ju Tsou,Chien-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

P-Type Semiconductor Material and Semiconductor Device

Номер патента: US20150001535A1. Автор: Yoshinobu Asami,Riho KATAISHI,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Thin film semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20020173147A1. Автор: Mitsutoshi Miyasaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-11-21.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US8067274B2. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-29.

A dielectrically isolated semiconductor device and a method for its manufacture

Номер патента: SG49599A1. Автор: Andrej Litwin. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 1998-06-15.

A dielectrically isolated semiconductor device and a method for its manufacture

Номер патента: MY110382A. Автор: Litwin Andrej. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 1998-04-30.

Semiconductor device structure and manufacturing method

Номер патента: US20150262955A1. Автор: Chun-Jen Chen,Yi-Chen Liu,Yi-Jen LAI,Hsi-Kuei Cheng,Yung-Sheng Liu,Li-Guo LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

Wafer manufacturing method and laminated device chip manufacturing method

Номер патента: US11764115B2. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai,Byeongdeck Jang,Shunsuke Teranishi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Wafer manufacturing method and laminated device chip manufacturing method

Номер патента: US11756831B2. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai,Byeongdeck Jang,Shunsuke Teranishi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Wafer manufacturing method and laminated device chip manufacturing method

Номер патента: US11764114B2. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai,Byeongdeck Jang,Shunsuke Teranishi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Wafer manufacturing method and laminated device chip manufacturing method

Номер патента: US20220157668A1. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai,Byeongdeck Jang,Shunsuke Teranishi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Wafer manufacturing method and laminated device chip manufacturing method

Номер патента: US20220157659A1. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai,Byeongdeck Jang,Shunsuke Teranishi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Wafer manufacturing method and laminated device chip manufacturing method

Номер патента: US20220157669A1. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai,Byeongdeck Jang,Shunsuke Teranishi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Wafer manufacturing method and laminated device chip manufacturing method

Номер патента: US20220157658A1. Автор: Youngsuk Kim,Akihito Kawai,Byeongdeck Jang,Shunsuke Teranishi. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7501317B2. Автор: Hiroshi Kitajima,Tomoko Matsuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070161197A1. Автор: Hiroshi Kitajima,Tomoko Matsuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-07-12.

Multistage coupling semiconductor carrier, semiconductor device using the semiconductor carrier

Номер патента: US6194787B1. Автор: Naoji Senba,Kazuyuki Mikubo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2007004595A3. Автор: Takashi Nakamura,Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Mineo Miura,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi,Takayuki Kitou,Noriaki Kawamoto. Владелец: Noriaki Kawamoto. Дата публикации: 2007-05-24.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20100258816A1. Автор: Yoshitaka Sugawara,Tomonori Nakamura,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Katsunori Asano,Joji Nakayama,Toshiyuki Miyanagi. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US12046480B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Vincent Chen,Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Ching-Feng Yang,Chuei-Tang Wang,Wei-Ting Lin,Shou Zen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device using semiconductor processing apparatus

Номер патента: US20240282604A1. Автор: SunWoo PARK,Seungdon Lee,Hyunjin Lee,Minwoo Rhee,Kyeongbin LIM,Bumki Moon,Sujie Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Systems and methods for non-destructive inspection of semiconductor devices using reflective x-ray microscope tomographic imaging

Номер патента: US20230417687A1. Автор: Shogo Tomita,Michiaki Sano,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4290584A1. Автор: Qian Zhao,Wentao Yang,Zhaozheng Hou,Kang Wang,Boning Huang,Loucheng DAI,Chaofan SONG,Lianghao WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Semiconductor device, semiconductor device control method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240313094A1. Автор: Ayanori Gatto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

High current and field-managed transistor

Номер патента: US20240332397A1. Автор: James G. Fiorenza,Daniel Piedra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09978878B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09947553B2. Автор: Mamoru Yamagami,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device structure and manufacturing method

Номер патента: US09806046B2. Автор: Chun-Jen Chen,Yi-Chen Liu,Yi-Jen LAI,Hsi-Kuei Cheng,Yung-Sheng Liu,Li-Guo LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09741587B2. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tsunehiro Nakajima,Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2717149C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2020-03-18.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294815A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor Device and Manufacturing Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20240234359A9. Автор: Takayuki Oshima,Osamu Ikeda,Naoki Sakurai,Takuma Hakuto. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20090179261A1. Автор: Yuji Takahashi,Kazuya Sekiguchi,Daisuke Ono,Tatsuhiko Miura,Tsuyoshi Kachi,Katsuhiro Mitsui,Yoshio Fukayama,Tomokuni Chino. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: US20180217203A1. Автор: Tomoaki Tamura,Yoshiyuki Nakamura,Kouichi KUMAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220319908A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: GB2589484A. Автор: Nakamura Keisuke,YAGYU Eiji,YOSHITSUGU Koji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-06-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2024124388A1. Автор: Ke SHEN,Huaifeng Wang,Jiajie CUI,Meiyan Lin. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Molding apparatus and manufacturing method of molded semiconductor device

Номер патента: US12011859B2. Автор: Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Sheng-Hsiang Chiu,Sheng-Feng Weng,Yao-Tong Lai,Chia-Min Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and semiconductor device structure

Номер патента: US20020096784A1. Автор: Hitoshi Shibue,Koichi Kamikuri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US7846771B2. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Manikam Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2010-12-07.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US7414305B2. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Manikam Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-08-19.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220393005A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US20060245908A1. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-11-02.

Method of making a semiconductor device using multiple layer sets

Номер патента: US20140167227A1. Автор: Bi-Ming Yen,Tsai-Chun Li,Chun-Ming Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240162284A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yuusuke OOSHIMA,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Manufacturing method of semiconductor device, reticle correcting method, and reticle pattern data correcting method

Номер патента: US20070218673A1. Автор: Hiroko Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-20.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device with multichannel heterostructure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220123137A1. Автор: HAO LI,Jian Wang,King Yuen Wong,Anbang ZHANG,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10079157B2. Автор: YONG Song,Doo Hyun Park,Eun Young Lee,Jong Sik Paek,Seong Min Seo,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Sung Geun Kang,Wang Gu Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-18.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device using the same

Номер патента: US20040097632A1. Автор: Katsumi Shimada,Shinya Akizuki,Kazuhiro Ikemura,Tsutomu Nishioka,Hisataka Ito,Takahiro Uchida,Takuya Eto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor device, preparation method, power conversion circuit and vehicle

Номер патента: EP4407691A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

A semiconductor device with an improved gate electrode pattern and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20020030236A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor device and preparation method therefor, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: EP4407701A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Resin sealed semiconductor device having improved arrangement for reducing thermal stress within the device

Номер патента: US6265784B1. Автор: Hideo Miura,Hiroaki Doi,Akio Yasukawa,Kenya Kawano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-07-24.

Atomic layer deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20080057738A1. Автор: June Woo Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046544B2. Автор: Wen-Shiang Liao,Ying-Chih Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Lateral-optical-mode-controlled high-power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240291234A1. Автор: Wu Zhao,Jun Wang,Shaoyang TAN,Xinsheng LIAO,Bangguo WANG,Wuling LIU. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Ic card and its frame

Номер патента: AU2546499A. Автор: Daisuke Ito,Takashi Ikeda,Masatoshi Akagawa. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-30.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20190221430A1. Автор: Fu Hai Liu. Владелец: Semconductor Manufacturing International (shanghai) Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Light-emitting device with quantum dots and holes, and its fabricating method

Номер патента: US6753545B2. Автор: Hoon Kim. Владелец: NMCTek Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-22.

Method of manufacturing semiconductor device having SOI structure

Номер патента: US20030186173A1. Автор: Akira Takahashi,Motoki Kobayashi,Jun Kanamori,Kousuke Hara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Terminal, semiconductor device, terminal forming method and flip chip semiconductor device manufactrring method

Номер патента: US20030222326A1. Автор: Hideaki Sakaguchi,Mitsutoshi Higashi,Hiroko Koike. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor device including semiconductor dies of differing sizes and capacities

Номер патента: US20220230992A1. Автор: Hooi Bin Lim,Ahmad Zarif Bin Azahar,Nur Syazwani Binti Mohd Najman,Muhammad Syafiq Bin Mazlan,Rolando Reyes, JR.. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266189A1. Автор: YONG Song,Doo Hyun Park,Eun Young Lee,Jong Sik Paek,Seong Min Seo,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Sung Geun Kang,Wang Gu Lee. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device manufacturing method, x-ray diffraction device and semiconductor pattern transfer system

Номер патента: US20240231234A1. Автор: Yasuhiro Matsuo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with multichannel heterostructure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240297231A1. Автор: HAO LI,Jian Wang,King Yuen Wong,Anbang ZHANG,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240322024A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Pin Chun Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor component, package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294984A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh,Chi-Hwang Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Vertical semiconductor device, manufacturing method therefor, integrated circuit and electronic device

Номер патента: US12096623B2. Автор: Huilong Zhu,Kunpeng JIA,Weixing Huang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-09-17.

High-threshold power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12107167B2. Автор: Shen Li,Chen Ge,Chi Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Siyang Liu,Shuxuan XIN,Le QIAN. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-01.

Manufacturing method for semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20140106557A1. Автор: Ying-Tsung Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Shih-Hung Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240332032A1. Автор: Hyun Cho,Dong Jin Kim,Jae Hun Bae,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Won Chul Do,Jun Hwan Park,Ji Hun Lee,Dong Hoon Han,Curtis Zwenger,Seung Nam Son,Won Myoung Ki. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device active region profile and method of forming the same

Номер патента: US20240339541A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20240371776A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Ying-Cheng Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09963587B2. Автор: Katsushi Kan,Yukari Kouno. Владелец: Nagase Chemtex Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09960328B2. Автор: David Clark,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09899275B2. Автор: Kenzo Naito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09893211B2. Автор: Takashi Yoshimura,Yuichi Onozawa,Hiroshi TAKISHITA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US09876101B2. Автор: Masaru Shinomiya,Ken Sato,Hirokazu Goto,Hiroshi Shikauchi,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Display driver semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871063B1. Автор: Jeong Hyeon Park,Bo Seok OH,Hee Hwan JI. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09837376B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818645B2. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688866C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-07-22.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688851C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Exposure mask and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20100159701A1. Автор: Hyoung Soon Yune,Joo Kyoung SONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240204101A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Hsien-Shih Chu,Junkun CHEN,Guoguo Kong,Mingru Ge. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190214477A1. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160365423A1. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US9941379B2. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180190786A1. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190148518A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Photonic semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US11853870B2. Автор: Zhan SU,Huaiyu MENG,Yichen SHEN,Yanfei BAI,Jinghui ZOU. Владелец: Nanjing Guangzhiyuan Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and preparation method therefor, and power amplification circuit and electronic device

Номер патента: EP4394890A1. Автор: Tao Liu,Ming Lu,Haijun Li,Zhili Zhang,Jin Rao,Shuiming LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Modulation-doping-based high mobility atomic layer semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4386858A1. Автор: DongHun Lee,Chul-ho Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150093855A1. Автор: Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, integrated circuit element, and integrated circuit element manufacturing method

Номер патента: US20240170447A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US11961921B2. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234637A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Mirng-Ji Lii,Chen-En Yen,Chin-Wei Kang,Cheng-Jen Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device including a passivation structure and manufacturing method

Номер патента: US20200185297A1. Автор: Dethard Peters,Christian Stahlhut,Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Bernd Zippelius,Juergen Steinbrenner,Paul Salmen,Tobias Schmidutz,Vice Sodan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110037147A1. Автор: Kiyonori Watanabe. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8110923B2. Автор: Kiyonori Watanabe. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190043977A1. Автор: Yi Pei,Chenggong YIN. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240186308A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Ming-Yu Yen,Hung-Chih Chen,Chin-Wei Liang,Kai-Fung Chang,Sheng-Feng Weng,Yi-Yang Lei,Hung-Chou LIAO,Cheyu LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US20220223712A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US11848370B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor Device Active Region Profile and Method of Forming the Same

Номер патента: US20230117516A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20160079102A1. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11728408B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20120261677A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187513A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device with increased channel length and width and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080185663A1. Автор: Young Ho Lee,Dong Sun Sheen,Seok Pyo Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-08-07.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, semiconductor device manufacturing apparatus and storage medium

Номер патента: US20140103529A1. Автор: Kenji Matsumoto,Atsushi Gomi,Tatsuo Hatano,Tatsufumi Hamada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Method for fabrication of semiconductor device

Номер патента: US12062722B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor structure, memory device, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210082817A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and circuit device

Номер патента: US20230291401A1. Автор: Kazuhisa Mori,Toshiyuki Hata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device, manufacturing method, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: EP4407692A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Interposer including air gap structure, methods of forming the same, semiconductor device including the interposer, and multi-chip package including the interposer

Номер патента: US20120074530A1. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

Semiconductor device formation substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110133185A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Method for forming an ohmic contact on a wide-bandgap semiconductor device and wide-bandgap semiconductor device

Номер патента: US20240222462A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and manufacturing method and testing method of the same

Номер патента: US20030062623A1. Автор: Akio Inohara,Hirokazu Yoshida,Atsushi Ono,Makoto Kanda,Motoji Shiota,Yasunori Chikawa,Satoru Tone,Norimitsu Nie. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20190288000A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US12046672B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of making a low noise semiconductor device comprising a screening measurement

Номер патента: US5683917A. Автор: Cuong Tran,Ralph Francis Trambarulo,Samuel Suresh Martin. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-11-04.

Wet processing apparatus, wet processing method and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20040262265A1. Автор: Kazunori Nemoto,Norio Suzuki,Michimasa Funabashi,Hiroyuki Mima,Masakatsu Kuwabara. Владелец: Trecenti Technologies Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor device having buried-type element isolation structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010028097A1. Автор: Fumitomo Matsuoka,Kunihiro Kasai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258119A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus, semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240313151A1. Автор: Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355900A1. Автор: Man-Nung SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Composition for semiconductor processing and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12110421B2. Автор: Han Teo PARK,Seung Chul Hong,Deok Su Han. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20240312852A1. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Gas tube, gas supply system and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US12037687B2. Автор: Cheng-Yi Huang,Shou-Wen Kuo,Yi-Shiung Chen,Chih-shen Yang,Po-Wen Chai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US12136569B2. Автор: Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Filnex Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device, manufacturing method and controlling method of semiconductor device

Номер патента: US20180083026A1. Автор: Kouji Matsuo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09922858B2. Автор: Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method and system for testing indirect bandgap semiconductor devices using luminescence imaging

Номер патента: US09912291B2. Автор: Thorsten Trupke,Robert Andrew Bardos. Владелец: BT IMAGING PTY LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Manufacturing method of semiconductor device comprising oxide semiconductor film

Номер патента: US09905435B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Silicon precursor, method of forming a layer using the same, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US09899392B2. Автор: Younjoung CHO,Xiaobing Zhou,Michael David Telgenhoff,JunHyun Cho,Kyunghye Jung. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device with trench termination structure

Номер патента: US09882043B2. Автор: Young Jae Kim,Jin Woo Han. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Charge accumulator, method of its manufacturing, method for manufacturing of electroconductive structure for charge accumulator, mobile electronic device using charge accumulator and microelectronic device containing charge accumulator

Номер патента: RU2553981C2. Автор: Дональд С. ГАРДНЕР,Эрик К. ХАННА,Джон Л. ГУСТАФСОН,Жун ЧЭН. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2015-06-20.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180351001A1. Автор: Hai Yang Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Optical measurement apparatus, optical measurement method using the same, and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240219314A1. Автор: Young Hoon Sohn,Min Ho Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semicondcutor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190341322A1. Автор: Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Shih-Hao Tseng,Chia-Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Semicondcutor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190148255A1. Автор: Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Shih-Hao Tseng,Chia-Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160197050A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yuki YAGYU,Akihiro Tobita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220148987A1. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200328170A1. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US11842970B2. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Metrology apparatus and method based on diffraction using oblique illumination and method of manufacturing semiconductor device using the metrology method

Номер патента: US12002698B2. Автор: Myungjun Lee,Jaehwang Jung,Wookrae Kim,Jinseob KIM,Changhyeong YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12027377B2. Автор: Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060076583A1. Автор: Shinji Fujikake,Manabu Takei,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180061710A1. Автор: Hidemasa Oshige. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20220293581A1. Автор: Hideo Numata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and electronic device

Номер патента: US20230317839A1. Автор: Naoya Okamoto,Naoki Hara,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki,Yusuke Kumazaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device, semiconductor memory device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210296238A1. Автор: Mitsuo Ikeda,Akihiro Kajita,Daisuke Ikeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Method of bonding a semiconductor device using a compliant bonding structure

Номер патента: EP2404331A2. Автор: Stefano Schiaffino,John E. Epler,James G. Neff. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2012-01-11.

Method of bonding a semiconductor device using a compliant bonding structure

Номер патента: WO2010100577A2. Автор: Stefano Schiaffino,John E. Epler,James G. Neff. Владелец: PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC. Дата публикации: 2010-09-10.

Semiconductor device with increased channel length and width and method for manufacturing the same

Номер патента: US7687362B2. Автор: Young Ho Lee,Dong Sun Sheen,Seok Pyo Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-30.

Method for fabricating semiconductor device using tilted etch process

Номер патента: US20220076959A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20070120185A1. Автор: Toshiaki Komukai,Hideaki Harakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Method of fabricating non-polar and semi-polar devices using epitaxial lateral overgrowth

Номер патента: EP3776672A1. Автор: Takeshi Kamikawa,Hongjian Li,Srinivas GANDROTHULA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2021-02-17.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20100216300A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Toshihisa Nozawa,Akinobu Teramoto,Takaaki Matsuoka,Hirokazu Ueda. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2010-08-26.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180019189A1. Автор: Katsuhito Kamachi,Hideaki Tamimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US9806007B2. Автор: Katsuhito Kamachi,Hideaki Tamimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6890866B2. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2005-05-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040185660A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-09-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060115963A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20210184041A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device testing apparatus and methods of testing and fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230366853A1. Автор: Donghyun Lee,Younghoon Sohn,Sung Yoon Ryu,Sooseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Anodic aluminum oxide film-based interposer for electrical connection and manufacturing method therefor, semiconductor package and manufacturing method therefor, multi-stacked semiconductor device and manufacturing method therefor, display and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240112968A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Sung Hyun BYUN. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device and preparation method therefor, power conversion circuit and vehicle

Номер патента: EP4404274A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240030056A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP4290566A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100233853A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-16.

Semiconductor Device Including Electrode Trench Structure and Isolation Trench Structure and Manufacturing Method Therefore

Номер патента: US20200303528A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Juergen Thees. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343866A1. Автор: Samuel C. Pan,I-Hsieh Wong,Cheewee Liu,Fang-Liang LU,Shih-Ya Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2021-11-04.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURE OF OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: EP2079101B1. Автор: Hideto Tamaso,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240030317A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Ming-Hua Yu,Han-Yu Tang,Heng-Wen Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device, semiconductor module and manufacturing method

Номер патента: WO2023138873A1. Автор: Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Fabian MOHN,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-07-27.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20090278235A1. Автор: Yoshiro Hirose,Masayuki Asai,Kenji Kanayama,Kazuyuki Okuda,Norikazu Mizuno. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2009-11-12.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258253A1. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Vacuum dryer and method of drying semiconductor device using the same

Номер патента: US6112430A. Автор: Jong-jae Lee,Chan-geun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160126325A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20210118916A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20180190677A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220415712A1. Автор: Naruhisa Nagata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Ion implantation method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US7785994B2. Автор: Hideki Okai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device

Номер патента: US20170125420A1. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11152515B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120292699A1. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040185659A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-09-23.

Method of inspecting semiconductor device

Номер патента: US20230266258A1. Автор: Suyoung LEE,Chungsam Jun,Yujin Cho,Inhye Park,Jong Cheon Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and mounting method of semiconductor device

Номер патента: US20150035156A1. Автор: Kazuhito Ichinose,Kazuyuki Omori,Seiji Muranaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120001226A1. Автор: Akio Iwabuchi,Shuichi Kaneko. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140091316A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20200135770A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Adhesive for temporary bonding, adhesive layer, wafer work piece and method for manufacturing semiconductor device using same, rework solvent, polyimide copolymer, polyimide mixed resin, and resin composition

Номер патента: MY193426A. Автор: Fujiwara Takenori,Tomikawa Masao,Arimoto Shinji. Владелец: Toray Industries. Дата публикации: 2022-10-12.

Semiconductor device and its maunfacturing method

Номер патента: US20040159885A1. Автор: Tatsuo Yoneda,Takahiro Kawano,Hirobumi Matsuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20160111451A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Contact forming method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: US20110073922A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Hiroaki Tanaka,Akinobu Teramoto,Tatsunori Isogai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200006372A1. Автор: Feng Ji,Haoyu Chen,Qiwei Wang,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9013048B2. Автор: Norio Kainuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-04-21.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20140339713A1. Автор: Norio Kainuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266321A1. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Molded semiconductor device and manufacturing method of molded semiconductor device

Номер патента: US20240293962A1. Автор: Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Sheng-Hsiang Chiu,Sheng-Feng Weng,Yao-Tong Lai,Chia-Min Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7867890B2. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7737037B2. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080293247A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20050142789A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Formation method of metallic compound layer, manufacturing method of semiconductor device, and formation apparatus for metallic compound layer

Номер патента: US20090170252A1. Автор: Takashi Nakagawa,Toru Tatsumi,Kensuke Takahashi,Kenzo Manabe,Makiko Oshida,Nobuyuki Ikarashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110233794A1. Автор: Yasuaki Iwata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Method for manufacturing semiconductor device using immersion lithography process

Номер патента: US20070264593A1. Автор: Cheol Kyu Bok,Tae Seung Eom,Hyun Sook Jun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

BGA semiconductor device using insulating film

Номер патента: US20020079565A1. Автор: Noriaki Kikuchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor chip, semiconductor wafer, semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020013012A1. Автор: Masao Mitani,Jin Murayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Wafer level fan out semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243084A1. Автор: Sang Gyu Lee,Sung Kyu Kim,Jong Sik Paek,Sang Won Kim,Choon Heung Lee,In Bae Park,Boo Yang Jung. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods and assemblies for cooling semiconductor devices using carbon allotropes

Номер патента: US20240258197A1. Автор: Michael Roberg,Christo Bojkov,zhi-qi Li,Harold Isom. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device with gate recess and methods of forming the same

Номер патента: US20240306360A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321780A1. Автор: Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Chih-Hao Chang,Shih-Wei Chen,Po-Chun Lin,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Chun-Ti LU,Zheng-Gang Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US6939773B2. Автор: Yong Keon Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: EP4383340A1. Автор: MEI Yuan,Liang Song,Qiang Zhang,Lin Luo,Yanan Wang,Yongshun LI,Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor package and manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US12113022B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Ying-Cheng Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: US20240304720A1. Автор: MEI Yuan,Liang Song,Qiang Zhang,Lin Luo,Yanan Wang,Yongshun LI,Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12132012B2. Автор: Hsin-Pin Huang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Polymer for preparing resist underlayer film, resist underlayer film composition containing the polymer and method for manufacturing semiconductor device using the composition

Номер патента: US09996007B2. Автор: Yu Na Shim,Min Ho Jung,Soo Young Hwang,Jin Su Ham,Kyun Phyo Lee. Владелец: SK Global Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966276B2. Автор: Doo Hyun Park,Jong Sik Paek,Won Chul Do,Seong Min Seo,Ji Hun Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09960278B2. Автор: Keiji Sato,Tetsunori Maruyama,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Atsuo Isobe,Sachiaki TEZUKA,Tsutomu Murakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Junction field effect transistor (JFET) with first and second top layer of opposite conductivity type for high driving current and low pinch-off voltage

Номер патента: US09929283B1. Автор: Manoj Kumar,Wen-Hsin Lin,Shin-Cheng Lin,Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09929113B2. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09911853B2. Автор: Masahiro Takahashi,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Junichi Koezuka,Motoki Nakashima,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai,Shunsuke Adachi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Manufacturing method of semiconductor device including a nitride semiconductor layer

Номер патента: US09905433B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima,Akira Uedono. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of forming nanostructure, method of manufacturing semiconductor device using the same, and semiconductor device including nanostructure

Номер патента: US09899473B2. Автор: Hyeokshin Kwon,Hwansoo Suh,Insu Jeon,Youngtek OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US09899419B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899405B2. Автор: Yong Min Yoo,Young Jae Kim,Seung Woo Choi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for separating epitaxial layers from growth substrates, and semiconductor device using same

Номер патента: US09882085B2. Автор: Ki Bum Nam,Joo Won Choi,A Ram Cha LEE,Yu Dae Han,Jeong Hun HEO,Choong Min Lee,Su Jin Shin. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363724A1. Автор: Ding-Kang SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09831129B2. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09818840B2. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device

Номер патента: US09773787B2. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09761487B2. Автор: Toshiyuki Takahashi,Katsuhiko Hotta,Kenichi Shoji,Kotaro Horikoshi,Kiyoshi Maeshima,Hironori Ochi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Wafer level fan out semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748154B1. Автор: Sang Gyu Lee,Sung Kyu Kim,Jong Sik Paek,Sang Won Kim,Choon Heung Lee,In Bae Park,Boo Yang Jung. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09705005B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20030155652A1. Автор: Kenji Masumoto,Mutsumi Masumoto,Kensho Murata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-21.

Field effect semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US5034791A. Автор: Shuichi Kameyama,Atsushi Hori. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-23.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20030107054A1. Автор: Kenji Masumoto,Mutsumi Masumoto,Kensho Murata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240234631A9. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device layout structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180069093A1. Автор: Gang Qian,Yanlin Sun,Yiming Miao,Xubo Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120077341A1. Автор: Masamichi Suzuki,Atsuhiro Kinoshita,Hirotaka Nishino,Yoshifumi Nishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027364B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US12033928B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7968448B2. Автор: Chia-Lun Tsai,Jack Chen,Ching-Yu Ni,Wen-Cheng Chien. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12021122B2. Автор: King Yuen Wong,Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20140151873A1. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Wiring board, semiconductor device and semiconductor element

Номер патента: US7884463B2. Автор: Hitoshi Sato,Takashi Ozawa. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240213197A1. Автор: Sichao LI,Haohua MA. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240055506A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa,Misaki Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor Device Including Trench Structure and Manufacturing Method

Номер патента: US20220149156A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-05-12.

Photo-imaged stress management layer for semiconductor devices

Номер патента: US20060199282A1. Автор: James Guenter,Robert Hawthorne,Jose Aizpuru. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2006-09-07.

Semiconductor structure and manufacturing method for the semiconductor structure

Номер патента: US11777031B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20230378252A1. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030096505A1. Автор: Kenji Shintani,Junji Tanimura,Takahiro Maruyama,Mutumi Tuda,Ryoichi Yoshifuku. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Manufacturing method and apparatus for electronic component

Номер патента: EP4400635A1. Автор: Cao Yu,Gangqiang DONG. Владелец: Suzhou Maxwell Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Method of forming a packaged semiconductor device using ganged conductive connective assembly and structure

Номер патента: US20180350735A1. Автор: Siang Miang Yeo,Mohd Hasrul Bin ZULKIFLI. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor device manufacturing method and wafer-attached structure

Номер патента: US20230377973A1. Автор: Kazunori Fuji,Masatoshi Aketa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Embedded component package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11062996B2. Автор: Hsing Kuo TIEN,Chih Cheng Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-07-13.

Embedded component package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343648A1. Автор: Hsing Kuo TIEN,Chih Cheng Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US9899301B2. Автор: Katsuhito Kamachi,Hideaki Tamimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and manufacturing process for the same

Номер патента: US20240128339A1. Автор: Le Li,Jun Zhou,Guangjie XUE. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and power supply device using the same

Номер патента: US20090154209A1. Автор: Takayuki Hashimoto,Masaki Shiraishi,Tetsuya Kawashima,Nobuyoshi Matsuura,Yukihiro Satou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor device and power supply device using the same

Номер патента: US20120014155A1. Автор: Takayuki Hashimoto,Masaki Shiraishi,Tetsuya Kawashima,Nobuyoshi Matsuura,Yukihiro Satou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8987903B2. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Semiconductor device with tall and slender interconnecting bumps and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP4163965A2. Автор: Gang Duan,Steve Cho,Edvin Cetegen,Nicholas Haehn,Onur OZCAN,Jacob VEHONSKY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-12.

Semiconductor Device and Its Driving Method

Номер патента: US20090032839A1. Автор: Hideaki Kawahara,Toshiyuki Tani,Toshimi Satoh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-02-05.

Metal clip assembly, semiconductor device assembly, method for manufacturing semiconductor device assembly, and application of semiconductor device assembly

Номер патента: US20240250005A1. Автор: Xin Huang,Limin Wang. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US6121160A. Автор: Hideaki Sato,Kinichi Igarashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170178897A1. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240162092A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Manufacturing method and apparatus for electronic component

Номер патента: US20240254646A1. Автор: Cao Yu,Gangqiang DONG. Владелец: Suzhou Maxwell Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Oxide semiconductor and semiconductor device

Номер патента: US20200027955A1. Автор: Naoto Kikuchi,Shintarou Ikeda,Yoshihiro Aiura,Akane Samizo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2020-01-23.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027362B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device with a corrosion resistant bonding pad and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1160864A3. Автор: Kazuhisa c/o NEC Kyushu Ltd. Nagaya,Naoshi c/o NEC Kyushu Ltd. Arikawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-14.

Method for dividing semiconductor wafer and manufacturing method for semiconductor devices

Номер патента: US20090197393A1. Автор: Kazuhiro Noda,Akira Nakagawa,Hiroshi Haji,Kiyoshi Arita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9530839B2. Автор: Kimitoshi Okano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230253275A1. Автор: Nobuhiro HIGASHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Manufacturing method for semiconductor device, manufacturing apparatus for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20120217497A1. Автор: Fumito Shoji,Noriteru Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Method of making a cmos semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (soi) wafer

Номер патента: US20180323301A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-11-08.

Low dielectric constant insulating film resin composition, method of forming low dielectric constant insulating film, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20010036689A1. Автор: Masakazu Muroyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Semiconductor device manufacturing method and wafer-attached structure

Номер патента: US11742243B2. Автор: Kazunori Fuji,Masatoshi Aketa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20090309133A1. Автор: Kunihiro Miyazaki,Takayuki Ito,Takuo Ohashi,Kiyotaka Miyano,Kouji Matsuo,Kenichi Yoshino,Toshihiko Iinuma,Yusuke Oshiki,Takaharu Itani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor structure and manufacturing method for the semiconductor structure

Номер патента: US20230387298A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and manufacturing method for the semiconductor structure

Номер патента: US20220181495A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170110412A1. Автор: Chen-Hua Yu,Vincent Chen,Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Ming-Kai Liu,Ching-Feng Yang,Chuei-Tang Wang,Wei-Ting Lin,Tzu-Chun Tang,Shou Zen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, semiconductor device mounting structure and power semiconductor device

Номер патента: US20130062745A1. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-03-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230069568A1. Автор: Tsutomu Kato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US20160042986A1. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US9472439B2. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200279917A1. Автор: Yu-Chih Su,Yao-Jhan Wang,Che-Hsien Lin,Chun-jen Huang,Cheng-Yeh Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130105919A1. Автор: LI Jiang,Mingqi Li,Pulei Zhu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230307547A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20180102310A1. Автор: Toshitsugu Ishii,Hidekazu Iwasaki,Jun MATSUHASHI,Naohiro Makihira. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12074215B2. Автор: Tomomi Yamanobe,Yoshinobu Takeshita,Kazutaka Kodama,Minako Oritu. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device having a side wall insulating film and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20050230749A1. Автор: Amane Oishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor Devices and Methods

Номер патента: US20230299159A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor Device Manufacturing Methods and Methods of Forming Insulating Material Layers

Номер патента: US20130043512A1. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Gin-Chen Huang,Tsai-fu Hsiao,Ching-Hong Jiang,Hongfa Luan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof including a probe test step and a burn-in test step

Номер патента: US20020182796A1. Автор: Makoto Kitano,Kunio Matsumoto,Akihiko Ariga,Terutaka Mori,Hidetaka Shigi,Takayoshi Watanabe,Yuji Wada,Tetsuo Kumazawa,Susumu Kasukabe,Ryuji Kohno,Naoto Ban,Shuji Shibuya,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234249A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230197470A1. Автор: Takashi Katsuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor package and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100155928A1. Автор: Masahiro Sunohara,Hideaki Sakaguchi,Akinori Shiraishi,Yuichi Taguchi,Mitsutoshi Higashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7936016B2. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234252A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190318939A1. Автор: Shoji Hashizume,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

High-voltage semiconductor device used as switching element or the like

Номер патента: US20030015771A1. Автор: Akio Nakagawa,Yusuke Kawaguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Metallic oxide thin film transistor, array substrate and their manufacturing methods, display device

Номер патента: US20160365366A1. Автор: Wei Guo,Lei Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Vertical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160380093A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050085036A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-21.

Manufacturing method of semiconductor device and dry etching apparatus for the same

Номер патента: US20140273482A1. Автор: Masaki Matsui,Yoshinori Tsuchiya,Shinichi Hoshi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer

Номер патента: US20170186725A1. Автор: Takehiro Oura,Yuichi Ota,Kohei Yoshida,Kentaro Kita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor device

Номер патента: US11764074B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiko Hayakawa,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Suzunosuke Hiraishi,Takashi HAMOCHI,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: US20240268119A1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of making a cmos semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (soi) wafer

Номер патента: US20160268433A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170301541A1. Автор: Jaehong Park,Jeoungwoo KIM,Wangyu LEE,Hoseung JEON,Junghwan HYUNG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20230260556A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tomoaki Atsumi,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20030129836A1. Автор: Takashi Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080220568A1. Автор: Hiroshi Sato,Akira Muto,Masahiko Osaka,Hiroyuki Nakamura,Katsuo Arai,Takuya Nakajo,Ichio Shimizu,Hidemasa Kagii,Keiichi Okawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3792980A1. Автор: JianFeng Zhang,Eddie Huang,Jingjing CUI. Владелец: Ween Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110207317A1. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060223274A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Method of manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20070166977A1. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Haruko Akutsu,Yoshimasa Kawase,Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20090206398A1. Автор: Haruo Nakazawa,Manabu Takei,Noriyuki Iwamuro,Akio Sugi,Koh Yoshikawa,Kouta Takahashi. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Manufacturing method of microcrystalline semiconductor film and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110263080A1. Автор: Satoshi Toriumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Method for screening semiconductor devices for contact coplanarity

Номер патента: US20030059965A1. Автор: Lik Wong. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-03-27.

Method for fabricating thermoelectric coolers and semiconductor devices formed therefrom

Номер патента: US20020119593A1. Автор: Joseph Freund,Mindaugas Dautartas,George Przybylek. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing by the same method

Номер патента: US20010018254A1. Автор: Ichiro Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-30.

Wet etching process-based modeling method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240202399A1. Автор: Hui ZENG,Ruijing Han. Владелец: Cansemi Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, power unit, and amplifier

Номер патента: US20180090595A1. Автор: Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor device, manufacturing method and electronic equipment

Номер патента: US12100759B2. Автор: Weibin Chen,Zilan Li,Shuxin Zhang. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240312976A1. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9070696B2. Автор: Masahiro Kikuchi,Kazunaga Onishi,Rikihiro Maruyama,Masafumi TEZUKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160027651A1. Автор: Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240304459A1. Автор: Tatsuji Nagaoka,Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

WAFER LEVEL PACKAGED GaN POWER DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130309811A1. Автор: JU Chull Won. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-11-21.

Vertical Power Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240304718A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,TaChuan Kuo. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Packaging systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20240339429A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Sam Ziqun Zhao,Teong Swee Tan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device thermal management module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355699A1. Автор: Dae Young Kong,Hyoung Soon Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chung Ang University. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated method for low-cost wide band gap semiconductor device manufacturing

Номер патента: US12125697B2. Автор: Bishnu Gogoi,Tirunelveli Subramaniam Ravi. Владелец: Thinsic Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Packaging systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: EP4443481A2. Автор: Arun Ramakrishnan,Sam Ziqun Zhao,Teong Swee Tan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Electrode for source/drain of organic semiconductor device, organic semiconductor device using same, and method for manufacturing same

Номер патента: US12133397B2. Автор: Junichi Takeya,Shunichiro Watanabe,Tatsuyuki MAKITA. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method of adaptive patterning for panelized packaging with dynamic via clipping

Номер патента: US09978655B2. Автор: Christopher M. Scanlan,Craig Bishop. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09972715B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Precise junction placement in vertical semiconductor devices using etch stop layers

Номер патента: US09954101B2. Автор: Huiming Bu,Junli Wang,Siyuranga O. Koswatta,Liying Jiang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09953890B2. Автор: Hideaki Takahashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor chip scale package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09941240B2. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Ming-Kai Liu,Shih-Wei Liang,Ching-Feng Yang,Chia-Chun Miao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09929259B2. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09917010B2. Автор: Kazumi Onda,Mitsuo Umemoto,Hideaki Yoshimi,Kazumi Horinaka. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09899216B2. Автор: Jaehong Park,Jeoungwoo KIM,Wangyu LEE,Hoseung JEON,Junghwan HYUNG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-02-20.

Hard mask composition, carbon nanotube layer structure, pattern forming method, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09892915B2. Автор: Seung Hyun Lee,Yool Kang,Yun Seok Choi,Seung Yun Yang,Yi Seul Kim,Kyoung Sil PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Manufacturing method of ultra-thin semiconductor device package assembly

Номер патента: US09881897B2. Автор: Chih-Cheng Hsieh,Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355720A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Ying-Chih Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09847226B2. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09837545B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09818627B2. Автор: Yoshihiro Ogawa,Shinsuke Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer

Номер патента: US09786630B2. Автор: Takehiro Oura,Yuichi Ota,Kohei Yoshida,Kentaro Kita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20190067114A1. Автор: JIQUAN Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187484A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US7855383B2. Автор: Yu-Chou Lee,Tsung-Chi Cheng,Hung-Yi Hsu,Yea-Chung Shih,Jui-Chung Chang,Hsiang-Hsien Chung,Wen-Kuang Tsao,Ching-Yeh Kuo. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2010-12-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12033970B2. Автор: Dong Hyun Kim,Jae Hun Bae,Min Hwa Chang,Won Chul Do,Seok Geun Ahn,Young Rae Kim,Min Yoo,Ah Ra Jo. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and electronic device

Номер патента: US20240213360A1. Автор: Naoya Okamoto,Naoki Hara,Yasuhiro Nakasha,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki,Yusuke Kumazaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180308826A1. Автор: Hironori KAWAMINAMI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Silicon carbide semiconductor device, power conversion device, and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027590B2. Автор: Munetaka Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240097023A1. Автор: Shingo Sato,Tsuyoshi Kachi,Katsura Miyashita,Yuhki FUJINO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170076980A1. Автор: Takashi Ohashi,Takuya Ohtsuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20190006179A1. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10395927B2. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-08-27.

Optical semiconductor device package, optical semiconductor device, and manufacturing method for optical semiconductor device package

Номер патента: US20200251634A1. Автор: Takahiro Fukunaga,Akinobu KITTAKA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180248022A1. Автор: Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-08-30.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240213023A1. Автор: Chan Hwang,Seung Yoon Lee,Jeong Jin Lee,Doo Gyu LEE,Min-Cheol KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8835083B2. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150380541A1. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Conductive hardening resin for a semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20030214032A1. Автор: Akira Fukuizumi,Kazuto Oonami. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-20.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20120183891A1. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20160070848A1. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-10.

Method of manufacturing a semiconductor device using a halo implantation

Номер патента: EP1234335B1. Автор: Zoran Krivokapic,Brian Swanson,Ahmad Ghaemmaghami. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-11-15.

Compound semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120241758A1. Автор: Yuichi Minoura,Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device and method of making including cap layer and nitride semiconductor layer

Номер патента: US20160163822A1. Автор: Kohji Ishikura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20200303221A1. Автор: Kazuyuki Fukuyama,Masaru Hatano. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210327779A1. Автор: Shotaro SAKUMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12040368B2. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Jian Rao. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device and testing device

Номер патента: US20210320184A1. Автор: Kensuke Okumura,Tomoo Yamanouchi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device and testing device

Номер патента: US11764278B2. Автор: Kensuke Okumura,Tomoo Yamanouchi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20120077310A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180145001A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190057913A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20160035636A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8415199B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240164112A1. Автор: Takahiro Maruyama,Ryo Ogura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory device, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210183820A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160372441A1. Автор: Hiroshi Kobayashi,Tetsuya Takahashi,Kimio Nakamura,Shuichi Takeuchi,Naoki Ishikawa,Takatoyo Yamakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140030657A1. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Method of manufacturing semiconductor device using gas blowing agent

Номер патента: US20230087718A1. Автор: Hwail Jin,Myoungchul Eum,Cheonil Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10438933B2. Автор: Hironori KAWAMINAMI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-10-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230268230A1. Автор: Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,Fumihito Tachibana. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device, electric equipment, bidirectional field effect transistor, and mounted structure body

Номер патента: US20160093691A1. Автор: Fumihiko Nakamura,Shuichi Yagi,Hiroji Kawai,Souta Matsumoto,Shoko ECHIGOYA. Владелец: Powdec KK. Дата публикации: 2016-03-31.

Manufacturing method of oxide semiconductor device

Номер патента: US10446689B1. Автор: Hui-Ling Chen,Chien-Ming Lai,Sheng-Yao HUANG,Yen-Chen Chen,Han Chuan Fang,Jen-Po Huang,Seng Wah Liau. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Adhesive sheet for temporary fixation and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US11702571B2. Автор: Kwang Joo Lee,Sera Kim,Ji Ho HAN. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100193802A1. Автор: Ssu-Yuan Weng. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-05.

Semiconductor device, power conversion device using same, and driving method for semiconductor device

Номер патента: EP3952082A1. Автор: Hiroshi Suzuki,Masaki Shiraishi,Tomoyasu Furukawa,Tomoyuki Miyoshi,Yujiro Takeuchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-02-09.

Semiconductor device, power conversion apparatus, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220301956A1. Автор: Masayuki Mafune. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160225892A1. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US7968396B2. Автор: Nobuyuki Mise,Shinji Migita,Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US7645655B2. Автор: Nobuyuki Mise,Shinji Migita,Yukimune Watanabe. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-01-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7745318B2. Автор: Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050212057A1. Автор: Shigeru Kusunoki,Norifumi Tokuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-09-29.

Semiconductor package and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210143117A1. Автор: Hsin He HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Analysis method, storage medium, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230118297A1. Автор: Yusuke Shimizu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Device with patterned semiconductor electrode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008057814A3. Автор: Madhukar B Vora. Владелец: DSM Solutions Inc. Дата публикации: 2008-07-10.

Silicon carbide semiconductor device and power conversion device using silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240274709A1. Автор: Shiro Hino,Kotaro Kawahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Polishing pad, preparation method thereof and method for preparing semiconductor device using same

Номер патента: US11759909B2. Автор: Kyung Hwan Kim,Jang Won Seo,Jae In Ahn,Sung Hoon Yun,Kang Sik MYUNG. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US11756793B2. Автор: Yohei Ishii,Kathryn Maier,Medhat Khalil. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140113687A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Takashi Shimazu,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-24.

Device with patterned semiconductor electrode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008057814A2. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9130039B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-08.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US11195749B2. Автор: Yoshiharu Kato,Tohru SHIRAKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12062552B2. Автор: Takashi Saito,Ryoichi Kato,Yuma Murata,Ryotaro Tsuruoka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230299207A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Manufacturing method for semiconductor chips and semiconductor wafer

Номер патента: WO2006075725A3. Автор: Kiyoshi Arita,Teruaki Nishinaka. Владелец: Teruaki Nishinaka. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor device with metal carrier and manufacturing method

Номер патента: US9646855B2. Автор: Oliver Haeberlen,Markus Zundel,Walter Rieger,Christoph Kadow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-09.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US20220302305A1. Автор: Nailong He. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Method of making a charge compensation semiconductor device using direct bonding and corresponding device

Номер патента: EP1119871A1. Автор: Raymond J. Grover. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-08-01.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9570602B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9337327B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4228007A1. Автор: Tao Liu,Wei Lu,Haijun Li,Juncai Ma,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Lingcong LE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200235220A1. Автор: Chen-Chiang Liu,Kuo-Sheng Shih,Hung-Kwei Liao,Ming-Tsung Hsu,Yung-Yao Shih. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220059493A1. Автор: Yoshiharu Okada,Masatoshi Kawato,Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20180277375A1. Автор: Kota YASUNISHI. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160064505A1. Автор: Hitomi Sato,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10818813B2. Автор: Takashi Ogura,Shigeaki Shimizu,Shinichi Watanuki,Tomoo Nakayama,Teruhiro KUWAJIMA,Futoshi Komatsu,Hiroyuki OKUAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-27.

Monitoring system for manufacturing semiconductor device and monitoring method for manufacturing the semiconductor device using the same

Номер патента: US20240272559A1. Автор: Jeong-Gil Kim,Hyuck Shin,Dong-Hyub LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

A boride-based substrate for growing semiconducting layers thereon and a semiconductor device using the same

Номер патента: EP1176231A3. Автор: Shigeki Otani,Jun Suda,Hiroyuki Kyocera Shiga Factory Kinoshita. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180261617A1. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10249637B2. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-04-02.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160355948A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160099381A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Fabrication system of semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20200348599A1. Автор: Jinhong Park,Seungmin Lee,Suntaek LIM,Jinseok Heo,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Capacitor and its manufacturing method

Номер патента: US20010017758A1. Автор: Mutsuaki Murakami,Toshiharu Saito,Motoi Kitano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-30.

Manufacturing method of semiconductor device, exposure data preparing method, preparing method of aperture mask data, and charge beam exposure apparatus

Номер патента: US20020142238A1. Автор: Ryoichi Inanami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Antenna-feeder microwave device made of carbon composite material and its manufacturing method

Номер патента: RU2577918C1. Автор: Николай Александрович Дугин,Татьяна Михайловна Заборонкова,Евгений Николаевич Мясников,Виктор Владимирович Чугурин. Владелец: федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Научно-исследовательский радиофизический институт". Дата публикации: 2016-03-20.

Multiple-element electrochemical capacitor and its manufacturing method

Номер патента: RU2419907C1. Автор: Юрий Мидхатович Гинатулин,Андрей Викторович Десятов,Антон Владимирович Асеев,Александр Петрович Кубышкин,Сергей Иванович Сиротин,Любовь Владимировна Булибекова,Любовь Денсуновна Ли. Владелец: ЮГ Инвестмент Лтд.. Дата публикации: 2011-05-27.

High-voltage bushing insulator, and its manufacturing method

Номер патента: RU2653498C1. Автор: Ахим ЛАНГЕНС,Энгельберт ЭНГЕЛЬС. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2018-05-10.

Supercapacitor and its manufacturing method

Номер патента: RU2668533C1. Автор: Вячеслав Викторович Светухин,Дмитрий Владимирович Марков,Владимир Дмитриевич Рисованый,Виктор Николаевич Николкин,Сергей Викторович Булярский,Леонид Прокопьевич Синельников,Сергей Борисович Злоказов,Александр Александрович Джанелидзе. Владелец: Акционерное общество "ИНСТИТУТ РЕАКТОРНЫХ МАТЕРИАЛОВ". Дата публикации: 2018-10-01.

Electric double-layer capacitor and its manufacturing method

Номер патента: US20240055194A1. Автор: Shinji Miyata,Satoshi Nishishita,Keisuke Oga. Владелец: Tokin Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Fuel cell separator plated with nickel and its manufacturing method

Номер патента: WO2008066278A1. Автор: Yong Hun Lee,Joon Taik Suh,Jung Hyuk Suh. Владелец: Jung Hyuk Suh. Дата публикации: 2008-06-05.

Optoelectronic interconnection board, optoelectronic interconnection apparatus, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080181561A1. Автор: Hideto Furuyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-31.

Coexistence system to integrate heterogeneous wireless network devices using the same frequency band into one hardware board and its operation method

Номер патента: KR101214617B1. Автор: 이종욱,신수용,김남훈,김용호,최재영,권욱현,하재열,신영희. Владелец: 주식회사 케이티. Дата публикации: 2012-12-21.

Piezoelectric motor with rotor position detector and its piezomotor stator manufacturing method

Номер патента: KR100341871B1. Автор: 로랜드루디어. Владелец: 아스라브 쏘시에떼 아노님. Дата публикации: 2002-11-29.

A kind of PCB radiating subassemblies, PCB circuit devcies and its radiating and manufacture method

Номер патента: CN106961786A. Автор: 李红雨,姜桂宾. Владелец: Zhuhai Enpower Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20110211390A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Satoru Hanzawa,Nozomu Matsuzaki,Fumihiko Nitta. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09832824B2. Автор: Noriyuki Tanaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20140241051A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Satoru Hanzawa,Nozomu Matsuzaki,Fumihiko Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Pixel block structure and its manufacturing method

Номер патента: RU2747443C2. Автор: Ших-Сиэнь ТСЭН. Владелец: Ших-Сиэнь ТСЭН. Дата публикации: 2021-05-05.

Hearing protection assembly with ear plugs and its manufacturing method

Номер патента: RU2746154C1. Автор: Кеннет Ф. ТЕЕТЕРС,Джейкоб ЭЛИ,Роберт С. КОФФИН,Фэн ЦАЙ. Владелец: 3М Инновейтив Пропертиз Компани. Дата публикации: 2021-04-07.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20240291402A1. Автор: Chihiro Kawahara,Kenichi Morokuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

OGS touch screen substrate bridge structure and manufacturing method thereof, OGS touch screen and its manufacturing method as well as display device

Номер патента: US09939936B2. Автор: Xiaofeng Wang,Weigang Gong,Qingchao Meng,Chengzhu Lu. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Power module power generation redundant circuit and its control method

Номер патента: RU2741338C1. Автор: Хайин Ли,Дунмин ЦАО,Чжунфэн ЧЖАН,Еюань Се,Тяньгуй ЦЗЯН,Минлянь Чжу. Владелец: Нр Энджиниринг Ко., Лтд. Дата публикации: 2021-01-25.

Semiconductor device

Номер патента: US10547170B2. Автор: Makoto Tanaka,Akihiro Nakahara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-01-28.

Method and apparatus for semiconductor device simulation with linerly changing quasi-fermi potential, medium storing program for the simulation, and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US6304834B1. Автор: Toshiyuki Enda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-16.

Liquid crystal display and its operation and manufacture method

Номер патента: CN101290415A. Автор: 吴诗聪,李汪洋,葛志兵,朱欣宇,托马斯·X·Z·吴,韦忠光. Владелец: Chi Mei Electronics Co ltd. Дата публикации: 2008-10-22.

Liquid crystal display and its operation and manufacture method

Номер патента: CN101290415B. Автор: 吴诗聪,李汪洋,葛志兵,朱欣宇,托马斯·X·Z·吴,韦忠光. Владелец: Chi Mei Electronics Co ltd. Дата публикации: 2012-10-03.

Energy-saving electric heating fan and its electrothermal element manufacture method

Номер патента: CN101334214A. Автор: 劳鑑滔. Владелец: BIJI INTERNATION Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-31.

The color melamine material of one kind seven and its melamine product manufacture method

Номер патента: CN108003561A. Автор: 诸葛剑锋. Владелец: From Dongguan Science And Technology Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Oral care product and its use and manufacture method

Номер патента: CN107106473A. Автор: 斯泰西·拉文德,R·萨利文,纳杰马·卡恩. Владелец: Colgate Palmolive Co. Дата публикации: 2017-08-29.

Inorganic composition and its products and manufacturing method

Номер патента: CN101265064B. Автор: 中川温. Владелец: Nichiha Corp. Дата публикации: 2013-03-13.

Color filter, display device using color filter, apparatus comprising display device, ink-jet head, and color filter manufacturing method and apparatus

Номер патента: US5956063A. Автор: Hiroshi Sato,Takeshi Miyazaki,Akio Kashiwazaki,Shoji Shiba,Hideto Yokoi,Katsuhiro Shirota. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-09-21.

Organ with microchannel imitates device and its use and manufacture method

Номер патента: CN104328050B. Автор: 唐纳德·E·英格贝尔,胡东恩. Владелец: Childrens Medical Center Corp. Дата публикации: 2017-12-15.

A kind of metallic aluminium fiber melt-blowing device and its melt-blown manufacture method

Номер патента: CN107876788A. Автор: 袁洋,殷世春. Владелец: Jiangsu Wodesai Mold Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-06.

Enteric sustained-release fine particles of tamsulosin and its salt and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040253309A1. Автор: Akira Ito,Shigeru Yamazaki,Tetsuya Tamura,Takao Mizumoto,Yoji Tanijiri,Hiroya Sugao,Mare Nishura. Владелец: Yamanouchi Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-16.

Contact lens for inhibiting myopia progression and its design and manufacturing method

Номер патента: KR102522801B1. Автор: 다카시 후지카도,아사키 스자키,미쓰히코 나카다,유키히사 사카이. Владелец: 가부시끼가이샤 메니콘. Дата публикации: 2023-04-19.

Hot-worked copper alloy and its usage and manufacturing method of hot-worked copper alloy

Номер патента: JP7017316B2. Автор: アルテンバーガールゴール,ハンスアチームクアン. Владелец: Wieland Werke AG. Дата публикации: 2022-02-08.

Oral care product and its use and manufacturing method

Номер патента: CN108472514A. Автор: 图兰·马图尔,安德烈·布鲁内拉,露丝·欣里希斯. Владелец: Colgate Palmolive Co. Дата публикации: 2018-08-31.

DEFORMABLE TUBULAR CONTAINER AND ITS ONE PIECE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: FR2627463B1. Автор: . Владелец: Simon Patrick. Дата публикации: 1990-06-15.

A kind of sandwich structure divertor module and its integrally formed manufacturing method

Номер патента: CN109036590A. Автор: 王冲,文世峰,周燕,杨展,段隆臣,谭松成,方小红. Владелец: Wuhan Huake 3d Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-18.

Animal feed composition and its use and manufacturing method

Номер патента: KR950700747A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1995-02-20.

Functional nano particles evenly adsorbing textile products and it's effective manufacturing method

Номер патента: KR101773547B1. Автор: 박흥수,전영민,김영률,이상락,양중식,전준후,황민수. Владелец: 사단법인 코티티시험연구원. Дата публикации: 2017-09-01.

A case for storing eyelash extensions and its use and manufacturing method

Номер патента: JP2023129458A. Автор: LOTTI Sahara,ロッティサハラ. Владелец: Lashify Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Fin cooling system, cooling fins and its increasing material manufacturing method

Номер патента: CN108161002A. Автор: 王智勇,刘学胜,何欢,闫岸如,曹明真. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-06-15.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20190284044A1. Автор: Guangcai Fu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Improved fragmentation shell and its manufacturing method

Номер патента: RU2754907C2. Автор: Йюрген ВОЛЬФ,Михель МУСТЕР,Дональд Мейер,Петер ШПАЦ. Владелец: Руаг Аммотек Аг. Дата публикации: 2021-09-08.

Analog switch for measuring sources with semiconductor devices under test

Номер патента: RU2751647C1. Автор: Алексей Михайлович Бабец. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ФОРМ". Дата публикации: 2021-07-15.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

On-wafer burn-in of semiconductor devices using thermal rollover

Номер патента: US20040119486A1. Автор: Charlie WANG,Hong Hou,Wenlin Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Monitoring device for a semiconductor component, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4443123A1. Автор: Geraint SEYMOUR,David Bock,Christian BURTON,Alejandro VILLARRUEL-PARRA,Phil Mawby. Владелец: Compound Semiconductor Applications Catapult Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Sound absorption material having excellent absorption characteristics and the method of its manufacture

Номер патента: RU2641875C2. Автор: Дзунг Воок ЛИ,Кие Йоун ДЗЕОНГ,Бонг Хиун ПАРК,Хио Сеок КИМ,До Хиун КИМ,Чи Хун КИМ. Владелец: Торэй Кемикал Корея Инк.. Дата публикации: 2018-01-22.

Heat exchange tube and its manufacturing method

Номер патента: RU2561802C1. Автор: Сунг-хван ЧОИ. Владелец: Сунг-хван ЧОИ. Дата публикации: 2015-09-10.

Method of automated determination of thermal resistance transition - body of packed power semiconductor devices

Номер патента: RU2653962C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-05-15.

Identification and individualization device and its manufacturing method

Номер патента: RU2676932C1. Автор: Сергей Николаевич Полушкин. Владелец: Сергей Николаевич Полушкин. Дата публикации: 2019-01-11.

Infant formula containing sialic acid and its manufacturing method

Номер патента: RU2396879C2. Автор: Джошуа К. ЭНТОНИ,Роберт Дж. МАКМАОН,Мэри Фрэнсиз ЛОКНИСКАР,Стивен Чарльз РАМСИ,Ратчапонг ВАНТАНАГОРН. Владелец: Мид Джонсон Ньютришн Компани. Дата публикации: 2010-08-20.

Structural support and its manufacturing method

Номер патента: RU2764270C2. Автор: Массимо Виллано. Владелец: Гуарнифлон С.П.А.. Дата публикации: 2022-01-17.

Estimating a property of a semiconductor device using a quantum computing device

Номер патента: WO2024096767A1. Автор: Rui Hou,Ahsan Javed AWAN,Anders WINKA. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2024-05-10.

Semiconductor device for mitigating through current and electronic apparatus thereof

Номер патента: US09892706B2. Автор: Noriyuki Ishii,Atsushi Shikata. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2018-02-13.

Sample for the reinforcing threads and polymer binder adhesion connection strength determining and its manufacturing method

Номер патента: RU2683106C1. Автор: Александр Алексеевич Кульков,Юрий Валентинович Антипов,Павел Михайлович Хавалкин. Владелец: Акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт специального машиностроения" (АО "ЦНИИСМ"). Дата публикации: 2019-03-26.

Flowmeter and its manufacturing method

Номер патента: RU2662035C1. Автор: Андрей Владимирович Штырлин,Максим Юрьевич Сагайдак,Евгений Валерьевич Смирнов,Сергей Иванович Сидоров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Компания Штрай". Дата публикации: 2018-07-23.

Deformed magnesium alloy allowing well formability and its manufacture method

Номер патента: RU2384639C2. Автор: Канг-Хыунг КИМ,Канг-Хыунг КИМ (KR). Владелец: Примометал Ко. Лтд.. Дата публикации: 2010-03-20.

Three-layer tape and its manufacturing method

Номер патента: RU2656040C2. Автор: Геннадий Степанович Железнов,Алексей Анатольевич Алексеев. Владелец: Алексей Анатольевич Алексеев. Дата публикации: 2018-05-30.

Photo-alignment material and liquid crystal display device and its manufacturing method using the same

Номер патента: US20020071079A1. Автор: Mi Nam. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-13.

Photo-alignment material and liquid crystal display device and its manufacturing method using the same

Номер патента: US20040022964A1. Автор: Mi Nam. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-05.

Sealing assembly with non-contact labyrinth (versions), and its manufacturing method

Номер патента: RU2464468C2. Автор: Скотт Б. ЛАТТИМЕ,Ричард БОРОВСКИ,Алисия БЛЭК,Кевин М. ДИЛЛОН,Роджер ТРЕНТМАН,Стефен И. БРИСТЕР,Карл Ф. МЭДОУС,Брайан М. ХУПП,Дэвид Ж. ТОТ. Владелец: Федерал-Могул Корпорейшн. Дата публикации: 2012-10-20.

Bushing for high-pressure bottles, and its manufacturing method

Номер патента: RU2507437C2. Автор: Джованни ФРАТТИ. Владелец: К.Т.С.С.П.А.. Дата публикации: 2014-02-20.

Low-lactose and lactose-free milk product and its manufacture method

Номер патента: RU2551230C2. Автор: Ретта ТИКАНМЯКИ,Харри КАЛЛИОЙНЕН. Владелец: Валио Лтд. Дата публикации: 2015-05-20.

Laminated glass and its manufacturing method

Номер патента: RU2768804C1. Автор: Кристиан ЭФФЕРТЦ,Бастиан КЛАУСС,Михаэль ЦАЙС,Габор ФАРГА. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2022-03-24.

Probe Storage Container, Prober Apparatus, Probe Arranging Method and Manufacturing Method of Probe Storage Container

Номер патента: US20110093991A1. Автор: Shigeru Izawa,Tsutomu Saito,Masanori Gunji,Katsunori Nakajima,Yasuhiko Nara. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2011-04-21.

Brush roller and its manufacturing method and brush roller mold

Номер патента: US20220125193A1. Автор: Chen-Ping Hsu. Владелец: CENEFOM CORP. Дата публикации: 2022-04-28.

Brush roller and its manufacturing method and brush roller mold

Номер патента: US12108871B2. Автор: Chen-Ping Hsu. Владелец: CENEFOM CORP. Дата публикации: 2024-10-08.

Nanocomposite electrochemical capacitor and its manufacturing method

Номер патента: RU2518150C2. Автор: Юрий Мидхатович Гинатулин,Андрей Викторович Десятов,Антон Владимирович Асеев,Александр Петрович Кубышкин,Сергей Иванович Сиротин,Любовь Владимировна Булибекова,Любовь Денсуновна Ли. Владелец: ЮГ Инвестмент Лтд.. Дата публикации: 2014-06-10.

High-strength steel pipes with low ratio of yield strength to ultimate strength, welded with electric contact welding, steel strip for pipes, welded with electric contact welding, and manufacturing methods thereof

Номер патента: RU2605396C2. Автор: Ясухиро МАЦУКИ,Томохиро ИНОУЭ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2016-12-20.

Waste decontaminating reagent for oil and gas industry and its manufacturing method

Номер патента: RU2527288C2. Автор: Юрий Михайлович Гержберг,Василий Николаевич Большаков. Владелец: Открытое акционерное общество "Северные магистральные нефтепроводы" (ОАО "СМН"). Дата публикации: 2014-08-27.

Filler of hose towed extended antennas and its manufacturing method

Номер патента: RU2771158C2. Автор: Игорь Валентинович Котельников,Денис Анатольевич Олейник,Федор Алексеевич Шариков,Алексей Александрович Джуманиязов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Фордевинд". Дата публикации: 2022-04-27.

Composite material hinge and its manufacturing method

Номер патента: RU2604745C2. Автор: Аттилио МАЗИНИ. Владелец: Аутомобили Ламборгини С.П.А.. Дата публикации: 2016-12-10.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180265352A1. Автор: Guangcai Fu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US10351421B2. Автор: Guangcai Fu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-07-16.

Remote programming of serialised semiconductor devices using web or internet protocols

Номер патента: EP1343081A3. Автор: David Watson,Francis Zhu. Владелец: Mitel Knowledge Corp. Дата публикации: 2003-12-17.

Sequence circuit and semiconductor device using sequence circuit

Номер патента: EP1204119A3. Автор: Masaharu Wada,Atsushi c/o Fujitsu Limited Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-02-04.

Methods for decomposing circuit design layouts and for fabricating semiconductor devices using decomposed patterns

Номер патента: US20130219347A1. Автор: Peng XIE,Yi Zou,Luigi Capodieci,Vito Dai,Swamy Muddu,Lynn T. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Probe storage container, prober apparatus, probe arranging method and manufacturing method of probe storage container

Номер патента: US7875156B2. Автор: Shigeru Izawa,Tsutomu Saito,Masanori Gunji,Katsunori Nakajima,Yasuhiko Nara. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2011-01-25.

High-strength sheet steel with coating obtained with hot dipping, which has high impact strength at low temperatures, for being used in forming, and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2430185C2. Автор: Масаюки АБЕ,Синити ЯМАГУТИ,Ясуто ГОТО,Хиронори САТО. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2011-09-27.

Multilayer protective material and its manufacturing method

Номер патента: RU2373070C2. Автор: Еис РЕММЕР. Владелец: Кауттуа Пейпер Милл Ой. Дата публикации: 2009-11-20.

Chassis and its manufacturing method

Номер патента: RU2665505C1. Автор: Андерс Исакссон. Владелец: Ссаб Текнолоджи Аб. Дата публикации: 2018-08-30.

Two-component adhesive composition and its manufacturing method

Номер патента: RU2757011C2. Автор: Жуй СЕ,Джонатан БАРРУС,Михаил И. ГЕЛФЕР. Владелец: Дау Глоубл Текнолоджиз Ллк. Дата публикации: 2021-10-08.

Blade with changeable installation angle and its manufacturing method, stator section unit, stator section, turbomachine module and turbomachine

Номер патента: RU2511811C2. Автор: Клод Робер Луи ЛЕЖАР,Од АБАДИ. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2014-04-10.

Metastable beta-titanium alloy, clock spring based on such an alloy and its manufacturing method

Номер патента: RU2764070C2. Автор: Паскаль ЛАЕРТ,Пьер ШАРБОННЬЕ,Лоран ПЕЛЬТЬЕ. Владелец: Сас Инно Тек Консей. Дата публикации: 2022-01-13.

Device for manufacturing a semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20230212749A1. Автор: Jung Min Park,Su Hwan Kim,Han Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US7914958B2. Автор: Hirofumi Inoue,Ryoichi Inanami,Shinji Mikami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-29.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device manufacturing equipment, and computer readable medium

Номер патента: US20090214964A1. Автор: Takashi Murakami. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-08-27.

Method for observing tungsten plug of semiconductor device microscopically

Номер патента: US5989930A. Автор: Shu-Ying Lu,Fei-Chun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Coffee capsule manufacturing tool and its manufacturing method

Номер патента: US20240336383A1. Автор: Xiaofeng Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-10.

Hot-rolled sheet steel for small-diameter flexible tubing and its manufacturing method

Номер патента: RU2753344C1. Автор: Такеси ЁКОТА,Хидэюки КИМУРА,Судзи КАВАМУРА,Итиро СУГИМОТО,Макото АСАИ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2021-08-13.

Power converter used to feed electric arc furnace with direct current and power converter unit

Номер патента: RU2115268C1. Автор: Дю Парк Жак,Гленски Кристоф,Вюрстейзен Мишель. Владелец: Сежелек Металь Систем. Дата публикации: 1998-07-10.

Filtering element for purifying hot gas from dust and its manufacturing method

Номер патента: RU2759084C2. Автор: Борис Лазаревич Красный,Константин Игоревич Иконников,Анастасия Сергеевна Сизова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Научно-технический центр «Бакор». Дата публикации: 2021-11-09.

Textured sheet magnetic steel with insulating coating and its manufacturing method

Номер патента: RU2675887C1. Автор: Тосито ТАКАМИЯ,Такаси ТЭРАСИМА,Рюйти СУЭХИРО,Макото ВАТАНАБЭ,Кацутоси ХАНАДА. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2018-12-25.

Photodefined aperture plate and its manufacturing method

Номер патента: RU2593254C2. Автор: Хон СЮЙ. Владелец: Стэмфорд Девайсиз Лтд.. Дата публикации: 2016-08-10.

Blade of gas turbine engine for airborne vehicle, and its manufacturing method

Номер патента: RU2462620C2. Автор: Хидео МОРИТА,Цутому МУРАКАМИ,Икуо ОКУМУРА,Такахиро ОГИ,Кацуёси МОРИЯ. Владелец: АйЭйчАй АЭРОСПЕЙС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2012-09-27.

A fibre optic gas sensor and manufacturing method of fibre optic gas sensor

Номер патента: WO2016137348A4. Автор: Marek Napierala,Karol WYSOKINSKI,Tomasz Nasilowski,Tomasz STAŃCZYK,Michał MURAWSKI,Michał SZYMAŃSKI,Małgorzata Broczkowska,Agnieszka Kołakowska. Владелец: Inphotech Sp. Z O. O.. Дата публикации: 2016-10-27.

System for reference current tracking in a semiconductor device

Номер патента: US20030016556A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20230307015A1. Автор: Mitsunori MATSUBA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2567118C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

Face mask and its high speed manufacturing method

Номер патента: GB202008754D0. Автор: . Владелец: Concepts for Success C4S. Дата публикации: 2020-07-22.

Piezoelectric actuator and its driving method, manufacturing method for piezoelectric actuator, and droplet injection device

Номер патента: JP2003243741A. Автор: Maki Ito,Koji Sumi,浩二角,マキ伊藤. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-08-29.

A kind of cycle frame and its integrated forming manufacture method

Номер патента: CN107599442A. Автор: 朱元勇. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-19.

Coil bracket component and its mould and manufacture method

Номер патента: CN104066218B. Автор: 李河,肖移龙. Владелец: Foshan Shunde Midea Electrical Heating Appliances Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Guide plate and its dot pattern manufacturing method

Номер патента: TWI567435B. Автор: 羅秉澤. Владелец: 茂林光電科技股份有限公司. Дата публикации: 2017-01-21.

Fluid bearing device and its sealing member manufacturing method

Номер патента: JP2006077860A. Автор: Mitsugi Kaji,貢加治. Владелец: NTN Toyo Bearing Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-23.

A kind of very thin directional silicon steel and its short route manufacture method

Номер патента: CN104962816B. Автор: 刘海涛,刘振宇,王国栋,刘文强,曹光明,李成刚,张宝光,宋红宇,王银平,安灵子,赵士淇. Владелец: Northeastern University China. Дата публикации: 2017-10-24.

Gas container and its cap and manufacturing method thereof

Номер патента: TW334409B. Автор: Mamoru Shibasaka,Sumio Takeishi,Naoshi Morishita,Hiroo Ikenoue,kuniichi Iwabuchi. Владелец: TOYO SEIKAN KAISHA LTD. Дата публикации: 1998-06-21.

Engine and its camshaft, the manufacture method of camshaft

Номер патента: CN107587908A. Автор: 奚勇,杨洲,朱松. Владелец: Shanghai Universoon Auto Parts Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

A bean loose being eaten together with rice or bread and its processing and manufacturing method

Номер патента: CN101161101A. Автор: 陈崧. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-16.

The high contrast screen for projector and its self-aligned manufacturing method

Номер патента: TW293887B. Автор: Jeng-Jong Lin,Shyh-Yuan Yu. Владелец: CTX Opto Electronics Corp. Дата публикации: 1996-12-21.

Face mask and its high speed manufacturing method

Номер патента: GB202009810D0. Автор: . Владелец: Concepts for Success C4S. Дата публикации: 2020-08-12.

TRANSFORMER WITH LOW EDDY CURRENT AND MAGNETIC HYSTERESIS LOSS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120299684A1. Автор: . Владелец: YOUNGSIN METAL INDUSTRIAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-11-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

GRIPPING DEVICE, TRANSFER DEVICE, PROCESSING DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120004773A1. Автор: . Владелец: SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of shf powerful field ldmos transistors

Номер патента: RU2364984C1. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Сергей Александрович Ерохин,Татьяна Николаевна Пекарчук,Сергей Сергеевич Бычков,Виктор Васильевич Бачурин (RU),Сергей Сергеевич Бычков (RU),Сергей Александрович Ерохин (RU),Татьяна Николаевна Пекарчук (RU). Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2009-08-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SPARK PLUG AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001533A1. Автор: . Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

HOLLOW MEMBER AND AN APPARATUS AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20120003496A1. Автор: Tomizawa Atsushi,Kubota Hiroaki. Владелец: Sumitomo Metal Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C1. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Александр Валерьевич Старцев,Анатолий Александрович Черников. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2006-07-10.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593415C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C9. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Анатолий Александрович Черников,Александр Валерьевич Ставцев. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2007-01-27.

PRINTED CIRCUIT BOARD MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120000068A1. Автор: Sugiyama Tadashi,KARIYA Takashi,SAKAMOTO Hajime,Wang Dongdong. Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL DISC, OPTICAL DISC MANUFACTURING METHOD, OPTICAL DISC RECORDING DEVICE AND OPTICAL DISC REPRODUCTION DEVICE

Номер патента: US20120002517A1. Автор: Yamaoka Masaru,Shoji Mamoru,Nishikiori Keiji,Usui Makoto,Moriya Mitsuro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.