Semiconductor device and manufacturing method thereof
Номер патента: US11152515B2
Опубликовано: 19-10-2021
Автор(ы): Chia-Jung Hsu, Chih-Kai Hsu, Chin-Hung Chen, Chun-Ya Chiu, Ssu-I Fu, Yu-Hsiang Lin
Принадлежит: United Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 19-10-2021
Автор(ы): Chia-Jung Hsu, Chih-Kai Hsu, Chin-Hung Chen, Chun-Ya Chiu, Ssu-I Fu, Yu-Hsiang Lin
Принадлежит: United Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device, power circuit, and manufacturing method of semiconductor device
Номер патента: US09647131B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kei Takahashi,Yoshiaki Ito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.