Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor Substrate including plural insulating regions in the substrate, semiconductor device using thereof and manufacturing method the same

Semiconductor Substrate including plural insulating regions in the substrate, semiconductor device using thereof and manufacturing method the same

Номер патента: KR100834742B1
Опубликовано: 05-06-2008
Автор(ы): 이원창
Принадлежит: 삼성전자주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device of the silicon on insulator type and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20230387119A1. Автор: Olivier Weber,Franck Arnaud. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device structure and preparation method thereof and semiconductor fin manufacture method

Номер патента: CN102956457B. Автор: 赵超,罗军,钟汇才,梁擎擎. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-08-12.

Semiconductor device including fin and drain extension region, and manufacturing method

Номер патента: CN103855220A. Автор: A.迈泽,C.坎彭. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-06-11.

Semiconductor device with integrated junction field effect transistor and associated manufacturing method

Номер патента: US20240055514A1. Автор: Vipindas Pala,Sauvik CHOWDHURY. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device with integrated junction field effect transistor and associated manufacturing method

Номер патента: US20240055511A1. Автор: Vipindas Pala,Sauvik CHOWDHURY. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device with integrated junction field effect transistor and associated manufacturing method

Номер патента: US20240055512A1. Автор: Vipindas Pala,Sauvik CHOWDHURY. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device with integrated junction field effect transistor and associated manufacturing method

Номер патента: US20240055513A1. Автор: Vipindas Pala,Sauvik CHOWDHURY. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device with integrated junction field effect transistor and associated manufacturing method

Номер патента: US20240055473A1. Автор: Vipindas Pala,Sauvik CHOWDHURY. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device having patterned SOI structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20030119228A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-26.

Superjunction semiconductor device with columnar region under base layer and manufacturing method therefor

Номер патента: US09490359B2. Автор: Toshio Nakajima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240274698A1. Автор: Takashi Yoshimura,Misaki Uchida,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09412621B2. Автор: Jae Bum Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US9059126B1. Автор: Chien-Hsuan Liu,Chao-Chi Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-16.

Limited strain regions formed in the contact plane of a semiconductor device

Номер патента: DE102008059498A1. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Kai Frohberg. Владелец: AMD Fab 36 LLC and Co KG. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor device including electrostatic discharge (ESD) protection circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US09679889B2. Автор: Zhenghao Gan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20240290845A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yasunori Agata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: EP4350776A1. Автор: Daisuke Ozaki,Seiji Noguchi,Yosuke Sakurai,Yoshihiro Ikura,Ryutaro Hamasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20240120412A1. Автор: Daisuke Ozaki,Seiji Noguchi,Yosuke Sakurai,Yoshihiro Ikura,Ryutaro Hamasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Superjunction semiconductor device

Номер патента: US20230299131A1. Автор: Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US11984482B2. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yasunori Agata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device and a method of making a semiconductor device

Номер патента: US10153365B2. Автор: Philip Rutter,Steven Thomas Peake,Chris Rogers. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-12-11.

Semiconductor device and a method of making a semiconductor device

Номер патента: US20170077291A1. Автор: Philip Rutter,Steven Thomas Peake,Chris Rogers. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device structure and method of manufacture

Номер патента: US20190165111A1. Автор: Soenke Habenicht,Stefan Berglund,Seong-Woo BAE,Martin ROEVER. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof, memory systems

Номер патента: US20240164117A1. Автор: LAN Yao,CHENG Chen,Jing Li,Quan Zhang,Yanwei Shi,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US11837497B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Silicon on Insulator Substrate, Manufacturing Method Thereof, and Floating Structure Manufacturing Method using the same

Номер патента: KR100605368B1. Автор: 최형,정석환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20080067616A1. Автор: Young-Suk Ko. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor device and process for production thereof, and display device

Номер патента: WO2011078005A1. Автор: 中村　好伸. Владелец: シャープ株式会社. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor device including mosfet region and diode region and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240128260A1. Автор: Seung Hyun Kim,Hee Bae Lee,Jae Yuhn MOON,Soon Jong Park. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

D/A converter circuit, semiconductor device incorporating the D/A converter circuit, and manufacturing method of these

Номер патента: EP1469507A3. Автор: Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun c/o Koyama,Kazuhiko c/o Sharp Kabushiki Kaisha Miyata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-24.

Semiconductor device and method for manufacturing partial SOI substrates

Номер патента: US20050023609A1. Автор: Ichiro Mizushima,Hajime Nagano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20240120423A1. Автор: Tetsuya Okada,Kikuo Okada,Remi Hagiwara. Владелец: Will Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device having a locally reinforced metallization structure

Номер патента: US09397022B2. Автор: Roman Roth,Frank Umbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-07-19.

Manufacturing method of selectively etched DMOS body pickup

Номер патента: US09893170B1. Автор: Ji-Hyoung Yoo,Jeesung Jung,Joel M. McGregor. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210328025A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11929400B2. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120058612A1. Автор: Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-08.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11728408B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20230063993A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11830929B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20230066077A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device having fin-shaped field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US8916918B2. Автор: Hiroo NISHI,Hiromitsu OSHIMA. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2014-12-23.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20190103400A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Shin-Cheng Lin,Yu-Hao Ho. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US11715771B2. Автор: Takashi Yoshimura,Yoshiharu Kato,Yuichi Onozawa,Hiroshi TAKISHITA,Soichi Yoshida,Kaname MITSUZUKA,Tohru SHIRAKAWA,Misaki TAKAHASHI,Toru AJIKI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor device including a superlattice and providing reduced gate leakage

Номер патента: US20210391426A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09911814B2. Автор: Kazunobu Kuwazawa,Hiroaki Nitta. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8614469B2. Автор: Yoshihiko Kusakabe,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8294186B2. Автор: Yoshihiko Kusakabe,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130075733A1. Автор: Toshihiko Saito,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka,Sho Nagamatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09536994B2. Автор: Toshihiko Saito,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka,Sho Nagamatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12074024B2. Автор: Anhao CHENG,Yen-Liang Lin,Chung-Lei Chen,Meng-I Kang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Transistors, semiconductor devices, and electronic devices including transistor gates with conductive elements including cobalt silicide

Номер патента: US09882015B2. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor Module and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20230016808A1. Автор: Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,NackYong JOO,Jungyeop Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US11804495B2. Автор: Hyun-Jung Lee,Ki-Won Kim,Young-Wook Lee,Woo-Geun Lee,Ji-Soo OH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140349444A1. Автор: Toshihiko Saito,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka,Sho Nagamatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING WAFER-TO-WAFER BONDING STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20220045009A1. Автор: OH Sung Lae. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230207313A1. Автор: Anhao CHENG,Yen-Liang Lin,Chung-Lei Chen,Meng-I Kang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US11837636B2. Автор: Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,NackYong JOO,Jungyeop Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Improvements in or relating to Methods of Producing rectifying Metal-Semiconductor Junctions in the Manufacture of Thin-Film Semiconductor Devices

Номер патента: GB1193942A. Автор: Werner Kosak,Roland Kohler,Hans Lippmann. Владелец: Arbeitsstelle fuer Molekularelektronik. Дата публикации: 1970-06-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170098662A1. Автор: Hiroshi Sunamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-06.

Electrostatic discharge protection apparatus having at least on junction and method for operating the same

Номер патента: US20200051970A1. Автор: Shih-Yu Wang,Ming-Yin Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Display device using semiconductor light-emitting element, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240266329A1. Автор: Wonseok Choi,Jeonghyo Kwon,Byoungkwon Cho,Junoh SHIN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-08.

Display device using semiconductor light-emitting elements and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4020569A1. Автор: Hyunwoo Cho,Dohee Kim,Bongchu Shim,Gunho Kim,Yongil SHIN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-06-29.

Display device using semiconductor light-emitting element and manufacturing method therefor

Номер патента: US12074147B2. Автор: Changseo Park,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-27.

Display device using semiconductor light-emitting element and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200365567A1. Автор: Changseo Park,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220262672A1. Автор: Yutaka Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Dmos device having junction field plate and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240222473A1. Автор: Li Lu,FENG Lin,Shuxian Chen,Weifeng Sun,Siyang Liu,Chunxu LI,Chaoqi XU. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

High voltage semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11682726B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Igbt with built-in diode and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160240528A1. Автор: Shuo Zhang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

IGBT with built-in diode and manufacturing method therefor

Номер патента: US09595520B2. Автор: Shuo Zhang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09991212B2. Автор: Hidenori Fujii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Ion implantation method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US7785994B2. Автор: Hideki Okai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Methods for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09899270B2. Автор: Chao Zhao,Huilong Zhu,Qiuxia Xu,Huajie Zhou,Gaobo Xu,Qingqing Liang,Dapeng Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device with peripheral breakdown protection

Номер патента: US09543379B2. Автор: XIN Lin,Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110049643A1. Автор: Misa MATSUOKA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-03.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20230361167A1. Автор: Tomoyuki Obata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240154031A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of forming a semiconductor device with a dual gate dielectric layer having middle portion thinner than the edge portions

Номер патента: US11968828B2. Автор: Yong-Shiuan Tsair,Meng-Han LIN,Wen-Tuo Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Method for forming wells of a semiconductor device

Номер патента: US5898007A. Автор: Kil Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20070026600A1. Автор: Shigeki Komori. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Semiconductor device and method for preparing same

Номер патента: US20220013655A1. Автор: Yong Lu,Yafei HUANG,Gongyi WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09882063B2. Автор: LI ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

MOS semiconductor device having gate insulating film containing nitrogen and manufacturing method of the same

Номер патента: TW535191B. Автор: Kazuya Ohuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-01.

Array substrate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20210210526A1. Автор: Hongwei Ma,Kai Zhang,Tingliang Liu. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Transistor device and forming method thereof and CMOS device manufacturing method

Номер патента: TW200503175A. Автор: Chung-Cheng Wu,Yi-Ming Sheu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-16.

Semiconductor device having a side wall insulating film and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20050230749A1. Автор: Amane Oishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Zero-stress zones and controlled-fracturing zones in the passivation layer of a semiconductor device

Номер патента: EP4439651A1. Автор: Mark Andrzej Gajda,Hamza Hanif Patel,Nivasan Yogeswaran. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-02.

Zero-stress zones and controlled-fracturing zones in the passivation layer of a semiconductor device

Номер патента: EP4451325A1. Автор: Mark Andrzej Gajda,Hamza Hanif Patel,Nivasan Yogeswaran. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-23.

Zero-stress zones and controlled-fracturing zones in the passivation layer of a semiconductor device

Номер патента: US20240332107A1. Автор: Mark Andrzej Gajda,Hamza Hanif Patel,Nivasan Yogeswaran. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-03.

Zero-stress zones and controlled-fracturing zones in the passivation layer of a semiconductor device

Номер патента: US20240332108A1. Автор: Mark Andrzej Gajda,Hamza Hanif Patel,Nivasan Yogeswaran. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device having stacks aside stacked gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240172434A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Chien-Hsuan Liu,Chih-Ming Lee,Hung-Che Liao,Kun-Tsang Chuang,Chiang-Ming Chuang,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device with polysilicon layer of good crystallinity and its manufacture method

Номер патента: US5970369A. Автор: Satoshi Murakami,Kuninori Kitahara,Akito Hara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-10-19.

Bi-directional punch-through semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837516B2. Автор: Shijun Wang,Fei Yao,Bo Qin. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Bi-directional punch-through semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09679998B2. Автор: Shijun Wang,Fei Yao,Bo Qin. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: EP4404267A1. Автор: Bo Gao,Fei Hu,Yunbin GAO,Longgu TANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: US20240297214A1. Автор: Bo Gao,Fei Hu,Yunbin GAO,Longgu TANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Bi-directional punch-through semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160300939A1. Автор: Shijun Wang,Fei Yao,Bo Qin. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2016-10-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20180145134A1. Автор: Nao NAGATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20240055483A1. Автор: Kaname MITSUZUKA,Yuki Karamoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20150380536A1. Автор: Keisuke Kimura,Satoru Kameyama. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Power semiconductor device having field plate electrode

Номер патента: US09536959B2. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240105784A1. Автор: Oliver Blank,Thomas Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-03-28.

Thin film transistor assembly, array substrate method of manufacturing the same, and display device

Номер патента: US09543443B2. Автор: Jing NIU,Zhijun LV,Fangzhen Zhang,Shuang Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method of producing a cavity in a trench

Номер патента: US20240128329A1. Автор: Alexander Breymesser,Michael Hutzler,László Juhász. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and method of producing a cavity in a trench

Номер патента: EP4354508A1. Автор: Alexander Breymesser,Michael Hutzler,Laszio JUHASZ. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-04-17.

Oxide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180331233A1. Автор: Zhibiao Zhou,Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Manufacturing methods for low temperature poly-silicon array substrate and low temperature poly-silicon thin-film transistor

Номер патента: US20190386031A1. Автор: CHEN CHEN. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20080067625A1. Автор: Hideo Yamamoto,Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20160260808A1. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Thin film transistor substrate, organic light-emitting apparatus including the same, method of manufacturing the thin film transistor substrate, and method of manufacturing the organic light-emitting apparatus

Номер патента: US09595694B2. Автор: Dong-Won Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20190221430A1. Автор: Fu Hai Liu. Владелец: Semconductor Manufacturing International (shanghai) Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor device structure useful for bulk transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09412788B2. Автор: Takashi Yokoyama,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor Device and Method for Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20080087957A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device with buried metal layer

Номер патента: US09673107B2. Автор: Yun Ik Son,Min Soo Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09911733B2. Автор: Hiroshi Miyata,Souichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device having two-layered charge storage electrode

Номер патента: US20040229422A1. Автор: Seiichi Mori,Mitsuhiro Noguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-11-18.

Semiconductor device having reinforced low-k insulating film and its manufacture method

Номер патента: US8772182B2. Автор: Yoshiyuki Ohkura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-07-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140335682A1. Автор: Makoto Mizukami,Takashi Shinohe,Chiharu Ota,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US6281565B1. Автор: Nobuyuki Yoshitake. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-08-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120056196A1. Автор: Makoto Mizukami,Takashi Shinohe,Chiharu Ota,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-08.

Method of fabricating a semiconductor device including ion implantation at a tilt angle in exposed regions

Номер патента: US20110275204A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Soo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240304614A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20200006526A1. Автор: Digh Hisamoto,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device having wafer-to-wafer bonding structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12040280B2. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device having wafer-to-wafer bonding structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321756A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1719164A1. Автор: Gerben Doornbos,Marcus J. H. Van Dal,Radu C. Surdeanu. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-11-08.

Method of forming a doped region in a semiconductor body comprising a step of amorphization by irradiation

Номер патента: WO2003046967A3. Автор: Peter A Stolk. Владелец: Peter A Stolk. Дата публикации: 2003-10-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20200227559A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Packaged semiconductor device having a shielding against electromagnetic interference and manufacturing process thereof

Номер патента: US20170325329A1. Автор: Federico Giovanni Ziglioli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-11-09.

Packaged semiconductor device having a shielding against electromagnetic interference and manufacturing process thereof

Номер патента: US09736925B2. Автор: Federico Giovanni Ziglioli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device having wafer-to-wafer bonding structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230268279A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device having wafer-to-wafer bonding structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11676901B2. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor device having wafer-to-wafer bonding structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220045009A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: US11956958B2. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: EP4139954A1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Silicon carbide substrate and silicon carbide semiconductor device including the same

Номер патента: US20240186381A1. Автор: Hideyuki Uehigashi,Akiyoshi HORIAI. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device with contact holes differing in depth and manufacturing method thereof

Номер патента: US6043158A. Автор: Koji Miyamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-03-28.

Stacked semiconductor device and related method

Номер патента: US7682450B2. Автор: Jin-Hong Kim,Joon Kim,Suk-Chul Bang,Eun-Kuk Chung,Yun-Seung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-23.

Substrate for semiconductor device, semiconductor chip mounting substrate, semiconductor device and method of fabrication thereof, and circuit board, together with electronic equipment

Номер патента: US20040227259A1. Автор: Toshinori Nakayama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-11-18.

Non-planar I/O and logic semiconductor devices having different workfunction on common substrate

Номер патента: US11823954B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Roman W. OLAC-VAW,Pei-Chi Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Non-planar i/o and logic semiconductor devices having different workfunction on common substrate

Номер патента: US20240038592A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Roman W. OLAC-VAW,Pei-Chi Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED CONTACTS, INTEGRATED CIRCUIT AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20100155743A1. Автор: Oliver Haeberlen,Franz Auerbach,Michael Treu,Kathrin Rueschenschmidt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device inspection apparatus, semiconductor device inspection method, program thereof, semiconductor apparatus, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190064248A1. Автор: Akira Kano,Mitsuaki Kato,Kenji Hirohata,Akihiro Goryu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof, and power conversion apparatus

Номер патента: US20190259872A1. Автор: Yasuhiro Kagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Wiring material and a semiconductor device having a wiring using the material, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20070222075A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor device, methods of manufacturing semiconductor device, and semiconductor module

Номер патента: US20240243198A1. Автор: Koichi Hasegawa,Kazuhisa Mori,Yasutaka Nakashiba,Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120244680A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8551864B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09620632B2. Автор: Yusuke Yamashita,Satoru Machida,Jun OKAWARA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20180301550A1. Автор: Yosuke Sakurai,Yuichi Onozawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device including cell region and peripheral region having high breakdown voltage structure

Номер патента: US20110309464A1. Автор: Tsuyoshi Ishikawa,Kensaku Yamamoto,Masahiro Sugimoto,Jun Morimoto,Naohiro Suzuki,Yukihiko Watanabe,Hidefumi Takaya,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Wide band gap semiconductor device

Номер патента: US09761705B2. Автор: Naoki Kumagai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor and method of manufacturing the same

Номер патента: US12125907B2. Автор: Sang Hoon Kim,Jeong Woo Park,Dongwoo Suh,Tae Moon Roh,Seong Hyun LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240088275A1. Автор: Hitoshi Matsuura,Masafumi Hirose. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20230335627A1. Автор: Naoki Mitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20180294033A1. Автор: Keiichi Maekawa,Eiji Tsukuda,Kenichiro Sonoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4290584A1. Автор: Qian Zhao,Wentao Yang,Zhaozheng Hou,Kang Wang,Boning Huang,Loucheng DAI,Chaofan SONG,Lianghao WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Semiconductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US10658466B2. Автор: Masao Uchida. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-19.

Semiconductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190245043A1. Автор: Masao Uchida. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Display apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US09997688B2. Автор: Motonobu Takeya,Jong Ik Lee,Young Hyun Kim,Kwang Yong Oh. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20160240641A1. Автор: Yusuke Yamashita,Satoru Machida,Jun OKAWARA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor Device Including a Transistor Array and a Termination Region and Method of Manufacturing Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20180026133A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-25.

Wide band gap semiconductor device

Номер патента: US20160225894A1. Автор: Naoki Kumagai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Compensation of temperature effects in semiconductor device structures

Номер патента: US09837439B1. Автор: Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Array substrate, preparation method thereof, and display panel

Номер патента: US20240030242A1. Автор: Chuanbao LUO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Array substrate, display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US11699707B2. Автор: Chao Liu,JING Yu,Yujun Zhang,Julong FENG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-11.

Driving substrate and manufacturing method thereof, and micro LED bonding method

Номер патента: US11894353B2. Автор: Guoqiang Wang,Zhiwei Liang,Wenqian Luo,Yingwei Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Laminated substrate for oled, method for producing oled display device using the same, and oled display device

Номер патента: US20180090721A1. Автор: Xiyuan Wang,Yuqing PENG,Yubao Zi. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Active device substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187455A1. Автор: Chen-Shuo Huang,Yang-Shun FAN. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device, method for preparing same, and electronic device

Номер патента: US20230411445A1. Автор: Qian Zhao,Wentao Yang,Zhaozheng Hou,Kang Wang,Boning Huang,Loucheng DAI,Chaofan SONG,Lianghao WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor devices with selectively doped gate electrode structure

Номер патента: WO2024228783A1. Автор: Pinghai Hao,Henry Litzmann Edwards,Dhanoop Varghese. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-11-07.

Transparent display substrate, manufacturing method thereof and transparent display panel

Номер патента: US20200075701A1. Автор: Zhen Song,Guoying Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Array substrate and method for manufacturing the same, display panel and display device

Номер патента: US20240274623A1. Автор: PAN Jin,Zhen Wu,Zhe Piao,Jiaqi Kang,Xuhui Peng,Yiwei Wu,Changgang WU,Xiaoxia HONG. Владелец: Xiamen Tianma Optoelectronics Co ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12132035B2. Автор: Hyun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor Device Comprising a Plurality of Transistor Cells and Manufacturing Method

Номер патента: CN105280640A. Автор: F·希尔勒. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-01-27.

Semiconductor device having steps in a termination region and manufacturing method thereof

Номер патента: US10269952B2. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

Display device using semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR20220123024A. Автор: 김정섭,문성현,김명수,김윤철,정연홍. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2022-09-05.

Semiconductor Device Comprising a Plurality of Transistor Cells and Manufacturing Method

Номер патента: US20160020315A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-01-21.

Semiconductor Device Comprising a Plurality of Transistor Cells and Manufacturing Method

Номер патента: US20180175187A1. Автор: Hirler Franz. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor device having tipless epitaxial source/drain regions and manufacturing method

Номер патента: CN101681842B. Автор: M·T·博尔. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-07-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7956390B2. Автор: Manabu Kojima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-06-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090050979A1. Автор: Manabu Kojima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor device including nitride layer

Номер патента: US20040031985A1. Автор: Masao Inoue,Junichi Tsuchimoto,Akinobu Teramoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-02-19.

Non-volatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09761314B2. Автор: Jung-Dal Choi,Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device with improved pads

Номер патента: US20080258262A1. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-23.

Semiconductor device isolation via depleted coupling layer

Номер патента: US09941350B1. Автор: XIN Lin,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Ronghua Zhu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device including a trench in a semiconductor substrate and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20140042593A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-02-13.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09508554B2. Автор: Toshio Kudo,Shinichiro Abe,Shoji Yoshida,Daisuke Okada,Seiji Muranaka,Fukuo Owada,Hideaki YAMAKOSHI,Kazuharu YAMABE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Film stack and method for fabricating the same

Номер патента: WO2007037805A3. Автор: Bohumil Lojek,Gary Frazier. Владелец: Gary Frazier. Дата публикации: 2009-06-04.

Film stack and method for fabricating the same

Номер патента: WO2007037805A2. Автор: Bohumil Lojek,Gary Frazier. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2007-04-05.

Split-gate flash memory having mirror structure and method for forming the same

Номер патента: US09831354B2. Автор: Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for manufacturing semiconductor substrate, method for manufacturing semiconductor device, semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US20110121311A1. Автор: Fumitaka Sato,Naoki Matsumoto,Seiji Nakahata,Akihiro Hachigo,Yoko MAEDA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-05-26.

Doping method and semiconductor device fabricated using the method

Номер патента: EP1396880A3. Автор: Toshihiko Nat. Inst. of A. I. S. & T. Kanayama,Takehide Nat. Inst. of A. I. S. & T. Miyazaki,Hidefumi NEC Corporation Hiura. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2006-07-12.

Semiconductor device having a stacked gate insulation film and a gate electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US6847079B2. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-01-25.

Semiconductor device having a stacked gate insulation film and a gate electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050093061A1. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Semiconductor device having a stacked gate insulation film and a gate electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US7180131B2. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-02-20.

Semiconductor device including transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US8937343B2. Автор: NaeIn Lee,Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Hoi Sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-20.

MOS devices with mask layers and methods for forming the same

Номер патента: US09947762B2. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Chu-Fu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor devices having through-contacts and related fabrication methods

Номер патента: SG182041A1. Автор: HEINRICH Jens,Richter Ralf,SCHUEHRER Holger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-07-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120244657A1. Автор: Tadashi Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device with conductive cap layer over conductive plug and method for forming the same

Номер патента: US20200373308A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716157B2. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450060B2. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor devices including gate insulation layers on channel materials and methods of forming the same

Номер патента: US09997537B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Jung-Hwan Lee,Jee-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Backside power distribution network semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US11769728B2. Автор: Ki-Il KIM,Hoonseok Seo,Saehan Park,Jeonghyuk Yim,Gil Hwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220093442A1. Автор: Yoshiharu Takada. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Isolation of semiconductor devices by buried separation rails

Номер патента: US20230197527A1. Автор: Richard Geiger,Peter Baumgärtner,Uwe Hodel,Walther Lutz,Georgios Panagopoulos,Richard HUDECZEK,Alexander Bechtold,Carla Moran Guizan,Johannes Xaver Rauh,Roshini Sachithanandan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20170365608A1. Автор: Ji-Eun Lee,Dong-Jin Lee,Sang-kwan KIM,Sung-Hak Cho,Seok-hyang Kim,So-yeon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20180331111A1. Автор: Ji-Eun Lee,Dong-Jin Lee,Sang-kwan KIM,Sung-Hak Cho,Seok-hyang Kim,So-yeon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US10748905B2. Автор: Ji-Eun Lee,Dong-Jin Lee,Sang-kwan KIM,Sung-Hak Cho,Seok-hyang Kim,So-yeon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-18.

Cointegration of bulk and SOI semiconductor devices

Номер патента: US09443871B2. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Jan Hoentschel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2629657C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Semiconductor device structure with bonding pad and method for forming the same

Номер патента: US20210351144A1. Автор: Mirng-Ji Lii,Kuo-Chin Chang,Chien-Hao HSU,Wei-Hsiang TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Substrate for semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US10211295B2. Автор: Sun-Zen Chen,Puru Lin,Jiann-Heng Chen. Владелец: National Chi Nan University. Дата публикации: 2019-02-19.

Method of preventing charge accumulation in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US09881785B2. Автор: Chang-Won Lee,Un-Jeong Kim,Young-geun Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device with polycrystalline silicon film

Номер патента: US09530855B2. Автор: Masamichi Suzuki,Mitsuhiro Tomita,Kiwamu Sakuma,Yuichiro Mitani,Yusuke Higashi,Riichiro TAKAISHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor devices

Номер патента: US10347641B2. Автор: Jihoon Kim,Wonchul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-09.

Stacked semiconductor device architecture and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220230961A1. Автор: Saehan Park,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor devices including gate insulation layers on channel materials and methods of forming the same

Номер патента: US20170092657A1. Автор: Dae-Seok Byeon,Jung-Hwan Lee,Jee-Yong Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-30.

Manufacturing method of optical semiconductor device, thermoelectric conversion element, semiconductor crystal substrate, and manufacturing method of infrared detection device

Номер патента: JP6794840B2. Автор: 奥村　滋一,滋一 奥村,秀一 苫米地. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-12-02.

Semiconductor devices including a gate structure in a substrate

Номер патента: US10050038B2. Автор: Ji-Eun Lee,Dong-Jin Lee,Sang-kwan KIM,Sung-Hak Cho,Seok-hyang Kim,So-yeon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-14.

Backside power distribution network semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230411294A1. Автор: Ki-Il KIM,Hoonseok Seo,Saehan Park,Jeonghyuk Yim,Gil Hwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2723981C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09685445B2. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Bidirectional Low Clamping Transient Voltage Suppression Device Using Lateral Type Schokley Diodes and manufacturing method thereof

Номер патента: KR102019395B1. Автор: 김현식,장희원. Владелец: 주식회사 케이이씨. Дата публикации: 2019-09-09.

Cointegration of bulk and soi semiconductor devices

Номер патента: US20160204128A1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Jan Hoentschel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor device

Номер патента: US11810957B2. Автор: Yuri Lee,Jin-Wook Kim,Deokhan Bae,Juhun PARK,Yoonyoung Jung,Inyeal Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device having silicide of low contact resistance and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100270614B1. Автор: 김상용. Владелец: 아남반도체주식회사. Дата публикации: 2000-12-01.

Semiconductor device with MOS field effect transistor (MOSFET) and manufacturing method thereof

Номер патента: KR950021721A. Автор: 노리후미 사또. Владелец: 니뽄 덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1995-07-26.

Trench gate semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240250166A1. Автор: Hidemoto Tomita. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Reduced topography-related irregularities during the patterning of two different stress-inducing layers in the contact level of a semiconductor device

Номер патента: US20100133620A1. Автор: Ralf Richter. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2010-06-03.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240290616A1. Автор: Tomohiro Mimura,Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device with a corrosion resistant bonding pad and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1160864A3. Автор: Kazuhisa c/o NEC Kyushu Ltd. Nagaya,Naoshi c/o NEC Kyushu Ltd. Arikawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-14.

Semiconductor device with tall and slender interconnecting bumps and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP4163965A2. Автор: Gang Duan,Steve Cho,Edvin Cetegen,Nicholas Haehn,Onur OZCAN,Jacob VEHONSKY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-12.

Semiconductor device with tall and slender interconnecting bumps and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP4163965A3. Автор: Gang Duan,Steve Cho,Edvin Cetegen,Nicholas Haehn,Onur OZCAN,Jacob VEHONSKY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-07-19.

Semiconductor device, manufacturing method of the same, solid-state imaging device, and electronic device

Номер патента: US20190035902A1. Автор: Akiko Honjo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776B1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-12-11.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776A3. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-09-12.

Active matrix substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US11817459B2. Автор: Katsunori Misaki. Владелец: Sharp Display Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device comprising junction type filed effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102916049A. Автор: 张磊,李铁生,马荣耀,傅达平. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-06.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776A2. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050212057A1. Автор: Shigeru Kusunoki,Norifumi Tokuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-09-29.

High-voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09876069B1. Автор: Chih-Wei Lin,Keng-Yu Lin,Pao-Hao Chiu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9287261B2. Автор: Eisuke Seo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110204451A1. Автор: Eisuke Seo. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150091102A1. Автор: Eisuke Seo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Method for fabricating polycide dual gate in semiconductor device

Номер патента: US20010006832A1. Автор: Jong Bae,Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-05.

Method for fabricating different gate oxide thickness within the same chip

Номер патента: US20030094660A1. Автор: Paul Ronsheim,Anthony Domenicucci,Liang-Kai Han,Scott Crowder,Michael Hargrove. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Reliable electrical fuse with localized programming and method of making the same

Номер патента: US20140370671A1. Автор: Jian Yu,Zhengwen Li,Chengwen Pei,Yan Zun Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20090134519A1. Автор: Keun Soo Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-28.

Method of fabricating semiconductor device, and plating apparatus

Номер патента: US8038864B2. Автор: Koji Arita,Ryohei Kitao. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-18.

Method of fabricating semiconductor device, and plating apparatus

Номер патента: US20080023335A1. Автор: Koji Arita,Ryohei Kitao. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US10854730B2. Автор: Digh Hisamoto,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-12-01.

Method of fabricating semiconductor device having trench interconnection

Номер патента: US6472318B2. Автор: Kazuyoshi Ueno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-29.

Method of manufacturing semiconductor device using surface treatment and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US09576840B2. Автор: Sunyoung Lee,Han Ki LEE,Sungho Kang,Jaeyoung Park,Kichul Kim,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Reliable electrical fuse with localized programming and method of making the same

Номер патента: US20120275208A1. Автор: Jian Yu,Zhengwen Li,Chengwen Pei,Yan Zun Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11456201B2. Автор: Yoshiharu Takada. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-09-27.

Method of fabricating a vertically profiled electrode and semiconductor device comprising such an electrode

Номер патента: US20030153178A1. Автор: Bernd Maile. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-14.

Method and system for creating self-aligned twin wells with co-planar surfaces in a semiconductor device

Номер патента: US20080166862A1. Автор: Gayle W. Miller,Bryan D. Sendelweck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20130328210A1. Автор: Woo-Seok Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-12.

Semiconductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US11749677B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9502348B2. Автор: Xiaoyan Bao,Hongtao Ge. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20160163641A1. Автор: Xiaoyan Bao,Hongtao Ge. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09620503B1. Автор: Shih-Chieh Chang,Chii-Ming Wu,Chien-Wei Lee,Chun-Ju Huang,Chin-I Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for producing semiconductor device including a refractory metal pattern

Номер патента: US4957880A. Автор: Hitoshi Itoh,Takahiko Moriya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-09-18.

A semiconductor device having an improved interlayer conductor connections and a manufacturing method thereof

Номер патента: TW407343B. Автор: Masanobu Iwasaki,Yuichi Sakai,Yoshifumi Takata,Hiroyuki Chibahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-10-01.

Semiconductor device having Ti- and N-containing layer, and manufacturing method of same

Номер патента: US9343402B2. Автор: Atsuko Sakata,Jun-ichi Wada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Method for improving the resistance of titanium disilicide in the pinch active region of semiconductor devices.

Номер патента: JP4248882B2. Автор: デ ヴェン ゲラルダス イー エイ エム ヴァン,ミカエル ジェイ ビー ボルト. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-04-02.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device having stepped gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09461133B1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09947708B2. Автор: Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device including an ultraviolet light receiving element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277690A1. Автор: Takeshi Koyama. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Photo-sensing device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220320169A1. Автор: Chia-Chan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Back side illumination type solid state imaging device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8653620B2. Автор: Maki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-18.

Solid-state imaging device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140027874A1. Автор: Toshihiko Hayashi,Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Solid-state imaging device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09666628B2. Автор: Toshihiko Hayashi,Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Image sensor and method of operating the same

Номер патента: US20220360731A1. Автор: Hana Choi,Youngsun OH,Munhwan KIM,Jongyoon Shin,Honghyun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-10.

Image sensors and image processing devices including the same

Номер патента: US10128288B2. Автор: Jung Chak Ahn,Young Woo Jung,Young Sun Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-13.

Combining light-emitting elements of differing divergence on the same substrate

Номер патента: US20190348819A1. Автор: Marc Drader,Arnaud Laflaquière. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Back side illumination type solid state imaging device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120146116A1. Автор: Maki Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-14.

Photoelectric conversion device, method of manufacturing the same, and equipment

Номер патента: US20190165034A1. Автор: Toshihiro Shoyama,Tasuku Kaneda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Photoelectric conversion device, method of manufacturing the same, and equipment

Номер патента: US10692922B2. Автор: Toshihiro Shoyama,Tasuku Kaneda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-06-23.

Solid-state image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090302408A1. Автор: Masanori Murakami,Atsuo Nakagawa,Ichiroh Murakami. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-12-10.

Solid-state imaging device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150270305A1. Автор: Toshihiko Hayashi,Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20230207630A1. Автор: Kenichi Ookubo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Image sensor and method of operating the same

Номер патента: US20240048866A1. Автор: Hana Choi,Youngsun OH,Munhwan KIM,Jongyoon Shin,Honghyun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Image sensor and method of operating the same

Номер патента: US11812175B2. Автор: Hana Choi,Youngsun OH,Munhwan KIM,Jongyoon Shin,Honghyun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Image sensor and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230299096A1. Автор: Junghyun Kim,Jonghoon Park,YunKi Lee,Junsik Lee,Gyeongjin Lee,Yoongi Joung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor structure including boundary header cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230260984A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Hao-Tien KAN,Yan-Shen You. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Display device using semiconductor light-emitting elements and manufacturing method therefor

Номер патента: US12080689B2. Автор: Hyunwoo Cho,Dohee Kim,Bongchu Shim,Gunho Kim,Yongil SHIN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US20220238639A1. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220216208A1. Автор: Kazutaka Manabe,Hung-Yu Wei. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20230284436A1. Автор: Tsun-Min Cheng,Yu Chun Lin,Chia-Wei Wu,Yukihiro Nagai,Hsiao-Han Lin,Sun-Hung Chen,Lu-Yung Lin,Zheng Guo Zhang,Wu Xiang Li. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230024465A1. Автор: Chun-Lin LI. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Display device using semiconductor light-emitting element and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4002468A4. Автор: Hyunwoo Cho,Wonjae Chang,Jisoo KO,Hyeyoung Yang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-08-23.

Display device using semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4095915A4. Автор: Junghoon Kim,Sunghyun Hwang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-03-06.

Display device using semiconductor light-emitting elements, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4068354A4. Автор: Soohyun KIM,Indo Chung,Jeonghyo Kwon. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-12-27.

Semiconductor device and method for fabricating thereof

Номер патента: US09929203B1. Автор: Keng-Ying Liao,Yi-Hung Chen,Chih-Yu Wu,Chih-Wei SUNG,Yi-Fang YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230328967A1. Автор: Sung Gil Kim,Ji Hun NOH,Beom Seo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Display device using semiconductor light emitting device

Номер патента: US20190206954A1. Автор: Younghak Chang,Sukkoo JUNG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2019-07-04.

Light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200013929A1. Автор: Seung Hoon Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device, solid-state imaging device, electronic apparatus, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10622563B2. Автор: Toshihiko Hayashi,Takayoshi Honda,Yuji Uesugi,Katsunori Hiramatsu. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-04-14.

DISPLAY DEVICE USING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DIODES, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20180138235A1. Автор: LEE Eunah. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2018-05-17.

Display device using semiconductor light-emitting elements, and manufacturing method therefor

Номер патента: WO2021107237A1. Автор: 김수현,정인도,권정효. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2021-06-03.

Display device using semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230047241A1. Автор: Junghoon Kim,Sunghyun Hwang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor device and operation thereof

Номер патента: US10192868B2. Автор: Yan Lin SUN,Shou Zhu GUO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-29.

Display device using semiconductor light-emitting element, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4020566A4. Автор: Byungjoon Rhee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-09-27.

Display device using semiconductor light-emitting element, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4075507A4. Автор: Kisu Kim,Jinhyung LEE,Changseo Park,Seongmin MOON,Younho HEO. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-02-28.

Display device using semiconductor light-emitting elements and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4020569A4. Автор: Hyunwoo Cho,Dohee Kim,Bongchu Shim,Gunho Kim,Yongil SHIN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-10-04.

Display device using semiconductor light emitting element, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3579663B1. Автор: Jinhong Park,Changseo Park,Kiseong Jeon,Hwankuk YUH. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-03-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6372571B2. Автор: Jae Kap Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-16.

Semiconductor device and operation thereof

Номер патента: US20180261599A1. Автор: Yan Lin SUN,Shou Zhu GUO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor device incorporating dram section and logic section and manufacture thereof

Номер патента: KR100203313B1. Автор: 마사또 사까오. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-06-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20210111202A1. Автор: Changhwa KIM,Hyoun-Jee Ha,Jeongsoon KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Micro light emitting diode chip, manufacturing method thereof and display panel manufacturing method

Номер патента: CN110649060A. Автор: 王国英,宋振. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-03.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US8445359B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Koichiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20090206398A1. Автор: Haruo Nakazawa,Manabu Takei,Noriyuki Iwamuro,Akio Sugi,Koh Yoshikawa,Kouta Takahashi. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240282817A1. Автор: Yuuki Oda,Tohru SHIRAKAWA,Atsushi ONOGAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Bipolar Junction Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20090221125A1. Автор: Nam Joo Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20230275148A1. Автор: WEI Liu,LEI Liu,Yuanlin Yuan,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US20220302305A1. Автор: Nailong He. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080093701A1. Автор: Eun-Mi Hong,Kwang-tae Kim,Ji-hoon Park,Tea-kwang Yu,Kong-Sam Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor Device Including an LDMOS Transistor and a Resurf Structure

Номер патента: US20180269279A1. Автор: Albert Birner,Helmut Brech,Michaela Braun,Matthias Zigldrum,Christian Eckl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor Device Including Insulating Layer of Cubic System or Tetragonal System

Номер патента: US20120168904A1. Автор: Jong-Cheol Lee,Sung-Hae Lee,Ki-Vin Im,Ki-yeon Park,Sang-Yeol Kang,Jun-noh Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-05.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20110294235A1. Автор: Takuro Maede. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Conductive structures in semiconductor devices

Номер патента: US10867906B2. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Tien-Lu Lin,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-15.

Methods for processing a semiconductor substrate

Номер патента: US20210159115A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Marko David Swoboda,Werner Schustereder,Wolfgang Lehnert,Alexander Breymesser,Mihai Draghici,Tobias Franz Wolfgang Hoechbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-05-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240290663A1. Автор: Tatsuya Hashimoto,Kazuhiro Kitahara,Naoko Kodama,Ryota KATAOKA,Noriaki Noji,Shunya HAYASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: WO2013135005A1. Автор: Wei Wang,Lei Guo,Jing Wang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-09-19.

Semiconductor device having modified profile metal gate

Номер патента: US09673292B2. Автор: Chi-Wen Liu,Clement Hsingjen Wann,Yu-Lien Huang,Ming-Huan Tsai,Zhao-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20180301409A1. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Tien-Lu Lin,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20160118336A1. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Tien-Lu Lin,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09543387B2. Автор: Hsiu-Ting Chen,Yi-Ming Huang,Shih-Chieh Chang,Huai-Tei Yang,Wen-Chu Hsiao,Ying-Min Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Manufacture of a substrate structure for a composite semiconductor device using wafer bonding and epitaxial refill

Номер патента: US4948748A. Автор: Koichi Kitahara,Yu Ohata,Tsuyoshi Kuramoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-08-14.

Compound semiconductor substrate

Номер патента: US20220069090A1. Автор: Hiroki Suzuki,Keisuke Kawamura,Mitsuhisa Narukawa,Sumito OUCHI. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240250017A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Backside stress compensation for gallium nitride or other nitride-based semiconductor devices

Номер патента: US20110140118A1. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09614095B2. Автор: Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100133698A1. Автор: Naoto Kurosawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20060163668A1. Автор: Tomoko Matsuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor electronic devices including sidewall barrier layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230411484A1. Автор: Hoon Kim,Robert George Manley. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20220028780A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: EP3944293A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Semiconductor electronic devices including sidewall barrier layers and methods of fabricating the same

Номер патента: EP4248491A1. Автор: Hoon Kim,Robert George Manley. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

Semiconductor electronic devices including sidewall barrier layers and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2022108793A1. Автор: Hoon Kim,Robert George Manley. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2022-05-27.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US11948879B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of manufacturing semiconductor devices with combined array and periphery patterning in self-aligned quadruple patterning

Номер патента: US09553047B2. Автор: Yu-Min Hung,Tzung-Ting Han,Miao-Chih Hsu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US5899734A. Автор: Hong Hee Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-05-04.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20170117256A1. Автор: Mituharu Tabata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Semiconductor device or thin-film transistor manufacturing apparatus and manufacturing method

Номер патента: US6103557A. Автор: Shiro Nakanishi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20230155036A1. Автор: Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Yu-Chun Shen,Shun-Neng WANG,Ya-Chi HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING JUNCTION MATERIAL IN A TRENCH AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20200066857A1. Автор: LEENDERTZ Caspar,Konrath Jens Peter,WEHRHAHN-KILIAN Larissa. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Method for preventing contamination during the fabrication of a semiconductor device

Номер патента: EP1351282A2. Автор: Akira Asai,Hidenori Notake,Teruhito Ohnishi,Shigetaka Aoki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-08.

Manufacturing method of array substrate, array substrate and display device

Номер патента: US11749693B2. Автор: En-Tsung Cho,Yuming XIA,Lidan YE. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

The non-volatile memory device using organic ferroelectric thin film and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR101211070B1. Автор: 윤성민,강승열,유병곤,황치선,변춘원,양신혁. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2012-12-12.

Gallium nitride epitaxial crystal, method for production thereof and field effect transistor

Номер патента: GB2460197A. Автор: Naohiro Nishikawa,Masahiko Hata,Hiroyuki Sazawa. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-25.

Methods for forming semiconductor regions in trenches

Номер патента: US09780174B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Low-cost semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09691893B2. Автор: Francois Hebert,Ju Ho Kim,Seong Min Cho,Yu Shin RYU,Yon Sup PANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10504791B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-10.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods of the same

Номер патента: US20240321970A1. Автор: Mitsuru Morimoto,Takuji Maekawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899267B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Flash memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US20100163969A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor chips, semiconductor packages, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20240170334A1. Автор: Hyun Chul Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for forming Schottky Diodes and Ohmic Contacts in the Same Integrated Circuit

Номер патента: US20070281451A1. Автор: Schyi-Yi Wu. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2007-12-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180047821A1. Автор: Shinya Iwasaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor devices with superlattice and punch-through stop (PTS) layers at different depths and related methods

Номер патента: US09941359B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for forming Zener Zap Diodes and Ohmic Contacts in the Same Integrated Circuit

Номер патента: US20090093116A1. Автор: Schyi-Yi Wu. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2009-04-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10269910B2. Автор: Shinya Iwasaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor devices with superlattice and punch-through stop (pts) layers at different depths and related methods

Номер патента: EP3281231A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2018-02-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230261079A1. Автор: Seunghyun Song,Sungmin Kim,Young-seok Song,Takeshi Okagaki,Yonghee PARK,Pilkwang Kim,Joohyung You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US6140183A. Автор: Jun Osanai. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-10-31.

III-V SEMICONDUCTOR ALLOYS FOR USE IN THE SUBFIN OF NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20180323310A1. Автор: Ghani Tahir,Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Metz Matthew V.,Kennel Harold W.,Murthy Anand S.,Mohapatra Chandra S.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-11-08.

Iii-v semiconductor alloys for use in the subfin of non-planar semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: KR102318743B1. Автор: 타히르 가니,아난드 에스. 머시,잭 티. 카발리에로스,매튜 브이. 메츠,길버트 듀이,찬드라 에스. 모하파트라,윌리 라흐마디,해롤드 더블유. 커넬. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20240096702A1. Автор: Yuta Sugimoto,Kenta Kuroda. Владелец: Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor integrated circuit apparatus and its manufacturing method

Номер патента: US20030034493A1. Автор: Kazunobu Kuwazawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20010040265A1. Автор: Ha Zoong Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-15.

Radio-frequency device package and method for fabricating the same

Номер патента: US09607894B2. Автор: Ming-Tzong Yang,Tung-Hsing Lee,Wei-Che Huang,Yu-Hua Huang,Cheng-Chou Hung. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110241094A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor die including guard ring structure and three-dimensional device structure including the same

Номер патента: US20240312931A1. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai,Chien-Chang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor die including guard ring structure and three-dimensional device structure including the same

Номер патента: US12027475B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai,Chien-Chang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of forming a semi-insulating region

Номер патента: US20050170619A1. Автор: Water Lur,Joey Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-08-04.

Method of forming a semi-insulating region

Номер патента: US7105426B2. Автор: Water Lur,Joey Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-09-12.

Method of producing a semiconductor device with through-substrate via covered by a solder ball

Номер патента: US09870988B2. Автор: Franz Schrank,Martin Schrems,Cathal Cassidy. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437490B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Chao-Wen Shih,Hung-Yi Kuo,Tsung-Yuan Yu,Pi-Lan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140070425A1. Автор: Makoto Wada,Akihiro Kajita,Tatsuro Saito,Atsunobu Isobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150056807A1. Автор: Makoto Wada,Akihiro Kajita,Tatsuro Saito,Atsunobu Isobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

SiC semiconductor substrate, method for manufacturing same, and device for manufacturing same

Номер патента: US12020928B2. Автор: Tadaaki Kaneko,Koji Ashida,Daichi DOJIMA,Tomoya IHARA. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20030107061A1. Автор: Hiroki Ootera. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-12.

Embedded component package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11062996B2. Автор: Hsing Kuo TIEN,Chih Cheng Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-07-13.

Embedded component package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343648A1. Автор: Hsing Kuo TIEN,Chih Cheng Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Cleaning composition and cleaning method using the same

Номер патента: US11926807B2. Автор: Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Jun Her,Na Rae YIM,Hyun Jin JUNG. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Three-dimensional multilayer memory with interconnection of low-resistance silicides and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240349496A1. Автор: Ke Wang,Jack Zezhong Peng. Владелец: Chengdu Pbm Technology Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20190148217A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Andreas Moser,Matteo Dainese,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device structure with energy removable structure and method for preparing the same

Номер патента: US20240186243A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device structure with energy removable structure and method for preparing the same

Номер патента: US20240186244A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09548253B2. Автор: Kei Yamaguchi,Yuji Ichimura,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for manufacturing a multi-layer wiring structure of a semiconductor device

Номер патента: US5851917A. Автор: Sang-In Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-12-22.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20030232480A1. Автор: So Suzuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-18.

Semiconductor die including guard ring structure and three-dimensional device structure including the same

Номер патента: US20230352427A1. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai,Chien-Chang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device capable of preventing an increase in the number of manufacturing steps relating to wiring and a method for manufacturing the same

Номер патента: US11495543B2. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-08.

Method of releasably attaching a semiconductor substrate to a carrier

Номер патента: US09644118B2. Автор: Zhifeng BAI,Michael K. Gallagher,Mark S. OLIVER. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Silicon semiconductor substrate and method for production thereof

Номер патента: EP1293591A2. Автор: Akiyoshi Tachikawa,Kazunori Ishisaka. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 2003-03-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20080036042A1. Автор: Masao Takahashi,Koji Takemura,Hiroshige Hirano,Hikari Sano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-14.

Semiconductor installation, containing at-least also a long narrow semiconductor substrate transfer / processing tunnel-arrangement to during its operation the uninterruptedly taking place of a total semiconductor processing / treatment- process of the therein displacing semiconductor substrates

Номер патента: WO2011145918A1. Автор: Edward Bok. Владелец: Edward Bok. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor device structure with barrier portion

Номер патента: US20230395505A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device package and method of making the same

Номер патента: US09564393B1. Автор: Chi-Tsung Chiu,Kuo-Hua Chen,Chih-Yi Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for pretreating semiconductor substrate by photochemically removing native oxide

Номер патента: US5470799A. Автор: Masanobu Iwasaki,Katsuhiro Tsukamoto,Akira Tokui,Hiromi Itoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-11-28.

Method of making a semiconductor device using multiple layer sets

Номер патента: US20140167227A1. Автор: Bi-Ming Yen,Tsai-Chun Li,Chun-Ming Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210035912A1. Автор: Hsing Kuo TIEN,Chih Cheng Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Light emitting display apparatus and multi-screen display apparatus including the same

Номер патента: US20230232682A1. Автор: Kyungmin Kim,Hyundong Kim,Youngin JANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor

Номер патента: US4507675A. Автор: Hiroyuki Fujii,Mikio Nishikawa,Kenichi Tateno. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1985-03-26.

Bi-level resist structure and fabrication method for contact holes on semiconductor substrates

Номер патента: US6780782B1. Автор: Hun-Jan Tao,Ming-Huan Tsai,Tsang Jiuh Wu,Ju Wang Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-08-24.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240194594A1. Автор: Min-Teng Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070194435A1. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-23.

Packaging unit for direct cooling of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230361000A1. Автор: Hyun Wook Jung,Jong Won Lim,Min Soo Kang,Ho Kyun Ahn,Hae Cheon Kim,Hyoung Soon Lee. Владелец: Chung Ang University Industry Academic Cooperaiton Foundation. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor Device, Method of Fabricating the Same, and Apparatus for Fabricating the Same

Номер патента: US20080237593A1. Автор: Tetsuya Inui,Junichiro Nakayama,Ikumi Itsumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-02.

Soi-type semiconductor device using electro-chemical etching method and manufacturing method of active drive liquid crystal display device using the same

Номер патента: JPH1070188A. Автор: Saikan Kin,Churuki Kan,▲チュル▼煕 韓,Kitoku Ri,煕▲徳▼ 李,載官 金. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 1998-03-10.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230009932A1. Автор: Sunyoung Lee,Seokcheon Baek,Shinhwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210233846A1. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor package including reinforcement structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240063128A1. Автор: Wei-Hung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12107059B2. Автор: Yan-Liang Ji. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20230402415A1. Автор: Tian ZENG,Guoliang YE,Di Zhan. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Redistribution substrate and semiconductor package including the same

Номер патента: US20210118788A1. Автор: Seokhyun Lee,Gwangjae JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150069601A1. Автор: Kei Yamaguchi,Yuji Ichimura,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Substrate material for mounting semiconductor device thereon and manufacturing method thereof

Номер патента: US5167697A. Автор: Yoshihiro Umeda,Takeshie Koumura,Jitsuo Matsumoto. Владелец: Nippon Tungsten Co Ltd. Дата публикации: 1992-12-01.

Separating semiconductor devices from substrate by etching graded composition release layer disposed between semiconductor devices and substrate including forming protuberances that reduce stiction

Номер патента: US20140048123A1. Автор: Gregory N. Nielson,Anna Tauke-Pedretti,Jose Luis Cruz-Campa,Jeffrey G. Cederberg. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor device package and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20190341368A1. Автор: Chih-Pin Hung,Chih-Yi Huang,Ian HU,Ming-Han WANG,Tsun-Lung HSIEH. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20070249162A1. Автор: Yoshihisa Matsubara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-10-25.

Adhesive for mounting flip chip for use in a method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09748195B2. Автор: Yoshio Nishimura,Hiroaki Nakagawa,Sayaka Wakioka,Shujiro Sadanaga. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060046421A1. Автор: Yoshitake Kato,Tomoe Yamamoto,Naomi Fukumaki,Tomohisa Iino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Semiconductor device with a multi-layered encapsulant and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US20240222145A1. Автор: Jonathan S. Hacker,Shijian Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20230395468A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Chin-Yu Ku,Ting-Li Yang,Jhao-Yi Wang,Fu Wei Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device having at least one via including concave portions on sidewall

Номер патента: US11942398B2. Автор: Wen-Hsiung LU,Chin-Yu Ku,Ting-Li Yang,Jhao-Yi Wang,Fu Wei Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US09484304B2. Автор: Shigeo Ishikawa,Hiroshi Amaike,Kazuhiro Okuda. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2016-11-01.

Lead frame having improved arrangement of supporting leads and semiconductor device employing the same

Номер патента: WO1986002200A1. Автор: Arlan J. Carroll. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 1986-04-10.

Method and system for fabrication semiconductor device

Номер патента: US20180158725A1. Автор: Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4071805A1. Автор: Yan-Liang Ji. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2022-10-12.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20030155652A1. Автор: Kenji Masumoto,Mutsumi Masumoto,Kensho Murata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20030107054A1. Автор: Kenji Masumoto,Mutsumi Masumoto,Kensho Murata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210098330A1. Автор: Der-Chyang Yeh,Tsung-Shu Lin,Shih-Peng Tai,Yi-Chung Huang,Shih-Hui Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Wafer-level semiconductor device packages with three-dimensional fan-out and manufacturing methods thereof

Номер патента: US8372689B2. Автор: Ming-Chiang Lee,Chien-Hao Wang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2013-02-12.

Semiconductor device with a multi-layered encapsulant and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US10763131B2. Автор: Jonathan S. Hacker,Shijian Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Wafer-Level Semiconductor Device Packages with Three-Dimensional Fan-Out and Manufacturing Methods Thereof

Номер патента: CN102136433A. Автор: 王建皓,李明锦. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2011-07-27.

Semiconductor device with an improved lead connection structure and manufacturing method therefor

Номер патента: DE19841435C2. Автор: Takashi Yamashita,Shigeru Harada,Tomohiro Ishida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor device including interconnects formed by damascene process and manufacturing method thereof

Номер патента: CN1315190C. Автор: 松原直辉,藤田和范. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-09.

Method for resin coating of semiconductor device, coating resin and liquid crystal display device

Номер патента: US20010044170A1. Автор: Eiji Muramatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Method of separating a semiconductor device from a substrate

Номер патента: WO2024052695A1. Автор: Tongtong ZHU,Kunal Kashyap,Jia-liang TU,Kai-Jyun Huang. Владелец: Poro Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device with a multi-layered encapsulant and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US11955346B2. Автор: Jonathan S. Hacker,Shijian Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200251353A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Method for producing a semiconductor device by consecutively sinter-bonding a plurality of semiconductor chips to a substrate upon application of pressure and heat and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4047641A3. Автор: Tomoaki Ichikawa,Ryota Mita,Mayu Sato. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Semiconductor device fabrication

Номер патента: US20220181349A1. Автор: Zhu Yang,CHEN ZUO,ZHEN Guo,BIN Yuan,Zongke Xu,Jingjing Geng,Qiangwei Zhang,Xiangning Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor devices with underfill control features, and associated systems and methods

Номер патента: US20190371755A1. Автор: Kyle K. Kirby,Owen R. Fay,Sameer S. Vadhavkar,Suresh Yeruva. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor devices with underfill control features, and associated systems and methods

Номер патента: US20180122762A1. Автор: Kyle K. Kirby,Owen R. Fay,Sameer S. Vadhavkar,Suresh Yeruva. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140329363A1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9240332B2. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

Shape memory polymer for use in semiconductor device fabrication

Номер патента: US20230093214A1. Автор: Benjamin Stassen Cook,Steven Alfred Kummerl. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor Device Including First and Second Contact Layers and Manufacturing Method

Номер патента: US20190229013A1. Автор: Huesken Holger,Pfirsch Frank Dieter. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

Package semiconductor device having a flange on the side and manufacturing method thereof

Номер патента: KR950021459A. Автор: 이쿠오 요시다,노리오 기시카와,데츠야 히야시다. Владелец: 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼. Дата публикации: 1995-07-26.

Semiconductor device inspection method

Номер патента: US20030022401A1. Автор: Minori Noguchi,Yoshimasa Ohshima,Hidetoshi Nishiyama,Akira Hamamatsu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor device including interconnects formed by damascene process and manufacturing method thereof

Номер патента: US7361992B2. Автор: Kazunori Fujita,Naoteru Matsubara. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A MULTI-LAYER INTERCONNECTION STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2489042B1. Автор: Seiichi Iwamatsu. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1986-09-26.

The method of semiconductor device and its manufacture and operation method and manufacture semiconductor subassembly

Номер патента: CN104425413B. Автор: G.比尔,J.赫格尔,O.霍尔费尔德,P.坎沙特,I.埃舍尔-珀佩尔. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-15.

Method for manufacturing semiconductor device and adhesive for mounting flip chip

Номер патента: US20160056120A1. Автор: Yoshio Nishimura,Hiroaki Nakagawa,Sayaka Wakioka,Shujiro Sadanaga. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor device with sealed through-substrate via and method for producing thereof

Номер патента: WO2022218610A1. Автор: Georg Parteder,Peter JERABEK. Владелец: Ams-Osram Ag. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device having wire studs as vertical interconnect in FO-WLP

Номер патента: US09443797B2. Автор: Yaojian Lin,Jose A. Caparas,Pandi C. Marimuthu,Sheila Marie L. Alvarez,Yang Kern Jonathan Tan. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A SHIELDING AGAINST ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF

Номер патента: US20170325329A1. Автор: ZIGLIOLI Federico Giovanni. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

Resin composition for sealing a semiconductor device, device using this semiconductor device, and mounting structure of this semiconductor device

Номер патента: DE60104784T2. Автор: Tadaaki Ibaraki-shi HARADA. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Semiconductor device with field shield electrode

Номер патента: US6191450B1. Автор: Yasuo Yamaguchi,Shigenobu Maeda,Toshiaki Iwamatsu,Takashi Ipposhi,Yuichi Hirano,Shigeto Maegawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-02-20.

The manufacture method for the semiconductor device that Substrate for semiconductor device, semiconductor device are carried out with Wiring member and their manufacture method and using Substrate for semiconductor device

Номер патента: CN107112289A. Автор: 久保田觉史. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for manufacturing compound semiconductor epitaxial substrates including heating of carrier gas

Номер патента: US09711353B2. Автор: Chiaki Kudou. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

RESTRICTED STRESS REGIONS FORMED IN THE CONTACT LEVEL OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130084703A1. Автор: Feustel Frank,Werner Thomas,Frohberg Kai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-04-04.

The non-volatile programable switch device using phase-change memory device and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100968888B1. Автор: 이준석,윤성민,이승윤,유병곤,박영삼,정순원. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2010-07-09.

Addition of Nitrogen-Containing Sources in the Atmospheric CVD Method of Semiconductor Device Fabrication Through Reaction of Organic Sources and Ozone

Номер патента: KR940010187A. Автор: 쭈까사 도이,유끼꼬 모리. Владелец: 쓰지 하루오. Дата публикации: 1994-05-24.

Substrate for a semiconductor device, semiconductor chip mounting substrate, semiconductor device and method of fabrication thereof, and circuit board, together with electronic equipment

Номер патента: KR100356323B1. Автор: 나카야마도시노리. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2002-10-19.

Power semiconductor device cell structure, preparation method thereof and power semiconductor device

Номер патента: CN111106043B. Автор: 曾丹,马颖江,史波,肖婷,敖利波. Владелец: Zhuhai Zero Boundary Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-19.

Underfill of bumped or raised die using a barrier adjacent to the sidewall of semiconductor device

Номер патента: US5973404A. Автор: Salman Akram,James M. Wark. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-10-26.

Substrate for semiconductor device, semiconductor chip mounting substrate, semiconductor device and method of fabrication thereof, and circuit board, together with electronic equipment

Номер патента: SG112797A1. Автор: Toshinori Nakayama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-07-28.

Power semiconductor device cell structure, preparation method thereof and power semiconductor device

Номер патента: CN111106043A. Автор: 曾丹,马颖江,史波,肖婷,敖利波. Владелец: Zhuhai Zero Boundary Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-05.

Support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semiconductor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9312197B2. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba,Shinsuke Yamaguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-12.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: EP2469590A3. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-08.

Support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semiconductor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20160035638A1. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba,Shinsuke Yamaguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Methods and apparatus for using epoxy-based or ink-based spacer to support large die in semiconductor devices

Номер патента: US20230207403A1. Автор: Chong Leong Gan,Li Jao,Min Hua Chung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device having silicon-including metal wiring layer and its manufacturing method

Номер патента: KR100542644B1. Автор: 오토고이치,다케와키도시유키,우사미다쓰야,야마니시노부유키. Владелец: 닛본 덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2006-01-11.

Semiconductor device having silicon-diffused metal wiring layer and its manufacturing method

Номер патента: US20100224995A1. Автор: Toshiyuki Takewaki,Tatsuya Usami,Koichi Ohto,Nobuyuki Yamanishi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-09.

Semiconductor device composite structure with heat dissipation structure and associated manufacturing method

Номер патента: DE102012206289B4. Автор: Tomas KRÄMER. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor device having projection on surface thereof, and method of identifying semiconductor package

Номер патента: US20060076675A1. Автор: Norifumi Hori. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-04-13.

Collar positionable about a periphery of a contact pad and around a conductive structure secured to the contact pads, semiconductor device components including same, and methods for fabricating same

Номер патента: US20020105074A1. Автор: Salman Akram,Syed Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor device having substrate made from silicone crystal and its manufacturing method

Номер патента: KR0127999B1. Автор: 아끼또 하라,마사아끼 고이즈까. Владелец: 세키사와 다까시. Дата публикации: 1998-04-02.

Semiconductor device having reinforced low-k insulating film and its manufacture method

Номер патента: US20100216303A1. Автор: Yoshiyuki Ohkura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-08-26.

Heat spreader assembly for use with a semiconductor device

Номер патента: US20240030088A1. Автор: KyungEun Kim,Youjin Shin,InWeon RA. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for selectively forming a shielding layer on a semiconductor device

Номер патента: US20230411305A1. Автор: Seonghwan Park,KyoungHee Park,Bom Lee. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200020813A1. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Wen-Shun Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190043983A1. Автор: Taro Moriya,Hiroyoshi Kudou,Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014213A1. Автор: Zheng Lv,Xunyi SONG,Chihsen Huang. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220415712A1. Автор: Naruhisa Nagata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09691767B2. Автор: Taiji Ema,Mitsuaki Hori,Yasunobu TORII,Kazushi FUJITA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor substrates and manufacturing methods of the same

Номер патента: US7902007B2. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,Yoon-dong Park,Dae-kil Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-08.

Semiconductor substrates and manufacturing methods of the same

Номер патента: US20090212364A1. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,Yoon-dong Park,Dae-kil Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046671B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ruei-Jhe Tsao,Che-Hua CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device

Номер патента: US7358564B2. Автор: Akio Takano,Yoshitaka Hokomoto,Bungo Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-04-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030025153A1. Автор: Sug Chun. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240339534A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ruei-Jhe Tsao,Che-Hua CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090108362A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device including memory cells and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030015747A1. Автор: Jiro Ida,Naoko Nakayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Heteroepitaxial semiconductor devices with enhanced thermal dissipation

Номер патента: US20240355918A1. Автор: Matt King,Christer Hallin,Thomas Kuhr. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Non-volatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US20140160854A1. Автор: Jung-Dal Choi,Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4024456A1. Автор: Jingwen Lu,Bingyu ZHU,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-06.

Split gate flash memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030137002A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Bin-Shing Chen,Evans Yang,Lein-Yi Leu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-07-24.

Semiconductor devices having encapsulated stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20120193686A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Split gate flash memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030047766A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Bin-Shing Chen,Len-Yi Leu,Evans Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-03-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20240194616A1. Автор: Youngwoo KIM,Kyungmin Kim,Beomjin Kim,Kyoungwoo Lee,Seungseok HA,Gukhee Kim,Sangcheol NA,Anthony Dongick LEE,Myeonggyoon CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: EP4386828A2. Автор: Youngwoo KIM,Kyungmin Kim,Beomjin Kim,Kyoungwoo Lee,Seungseok HA,Gukhee Kim,Sangcheol NA,Anthony Dongick LEE,Myeonggyoon CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device

Номер патента: EP4386828A3. Автор: Youngwoo KIM,Kyungmin Kim,Beomjin Kim,Kyoungwoo Lee,Seungseok HA,Gukhee Kim,Sangcheol NA,Anthony Dongick LEE,Myeonggyoon CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor Device and Switching Circuit

Номер патента: US20150171070A1. Автор: Masayuki Hanaoka. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device and switching circuit

Номер патента: US09613944B2. Автор: Masayuki Hanaoka. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Bipolar transistor having recessed and rounded surface and its manufacturing method

Номер патента: US20010022386A1. Автор: Akira Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Multi-level ferroelectric memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09954000B2. Автор: Se Hun Kang,Deok Sin Kil. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Method to seperate storage regions in the mirror bit device

Номер патента: US8318566B2. Автор: Yukio Hayakawa,Fumihiko Inoue,Haruki SOUMA. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-11-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20060197146A1. Автор: Akio Takano,Yoshitaka Hokomoto,Bungo Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-09-07.

Method to seperate storage regions in the mirror bit device

Номер патента: US20110233651A1. Автор: Yukio Hayakawa,Fumihiko Inoue,Haruki SOUMA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-29.

High voltage semiconductor device

Номер патента: WO2002061836A9. Автор: Timothy Edward Boles,David Russell Hoag,Daniel G Curcio. Владелец: Daniel G Curcio. Дата публикации: 2004-04-01.

High voltage semiconductor device

Номер патента: US20040113231A1. Автор: David Hoag,Timothy Boles,Daniel Curcio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-17.

High voltage semiconductor device

Номер патента: EP1364405A1. Автор: Timothy Edward Boles,David Russell Hoag,Daniel G. Curcio. Владелец: MA Com Inc. Дата публикации: 2003-11-26.

Cell structure of EPROM device and method for fabricating the same

Номер патента: US7053443B2. Автор: Tae-jung Lee,Byung-Sun Kim,Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-30.

Semiconductor device having word line structure

Номер патента: US20230299161A1. Автор: Wei-Tong Chen,Cheng-Yan Ji. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with resistor and method of fabricating same

Номер патента: US20090278189A1. Автор: Hoo-Sung Cho,Kyoung-hoon Kim,Nok-Hyun JU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-12.

High voltage semiconductor device

Номер патента: EP1364405A4. Автор: Timothy Edward Boles,David Russell Hoag,Daniel G Curcio. Владелец: MA Com Inc. Дата публикации: 2008-12-24.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09812569B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Ying-Lang Wang,Chih-Mu Huang,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device including graphene

Номер патента: US20240014315A1. Автор: Changhyun KIM,Kyung-Eun Byun,Keunwook SHIN,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11462634B2. Автор: Ryuji Ueno,Koji Tanaka,Masahiro Ujike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210143269A1. Автор: Ryuji Ueno,Koji Tanaka,Masahiro Ujike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240079493A1. Автор: Chun-Chia Chen,Kun-Tsang Chuang,Yu-Shan Huang,Tung-I Lin,Guan-Qi Chen,Chen Chi Hsiao,Fang Yi Liao,Yu Shan Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor devices with package-level configurability

Номер патента: US20200152620A1. Автор: James E. Davis,Kevin G. Duesman,Zhiping Yin,John B. Pusey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor devices with package-level configurability

Номер патента: US20190148358A1. Автор: James E. Davis,Kevin G. Duesman,Zhiping Yin,John B. Pusey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor devices with package-level configurability

Номер патента: US20190148359A1. Автор: James E. Davis,Kevin G. Duesman,Zhiping Yin,John B. Pusey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor devices with package-level configurability

Номер патента: US10312232B1. Автор: James E. Davis,Kevin G. Duesman,Zhiping Yin,John B. Pusey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-04.

Semiconductor devices including gate insulation layers on channel materials

Номер патента: US09553105B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Jung-Hwan Lee,Jee-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and method for evaluating characteristics of the same

Номер патента: US7042007B2. Автор: Takatoshi Yasui,Atsuhiro Kajiya. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020064923A1. Автор: Tsunenori Yamauchi,Hiroshi Kaneta,Katsuhiro Homma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-05-30.

Multicomponent-alloy material layer, method of manufacturing the same and capacitor structure of semiconductor device

Номер патента: US20230343848A1. Автор: Chuan-Feng Shih,Hsuan-Ta Wu,Cheng-Hsien YEH,Bernard Hao-Chih Liu,Wen-Dung Hsu,Chung-Hung Hung. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240178281A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device inspection apparatus, semiconductor device inspection method, program thereof, semiconductor apparatus, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190064248A1. Автор: Akira Kano,Mitsuaki Kato,Kenji Hirohata,Akihiro Goryu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Array base palte and manufacture method thereof and comprise its manufacture method of display unit

Номер патента: CN103579220B. Автор: 文泰亨,李揆煌,李炅河. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-06.

Semiconductor devices with package-level configurability

Номер патента: US11848323B2. Автор: James E. Davis,Kevin G. Duesman,Zhiping Yin,John B. Pusey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor devices with package-level configurability

Номер патента: WO2019094097A1. Автор: James E. Davis,Kevin G. Duesman,Zhiping Yin,John B. Pusey. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-05-16.

Mems array, manufacturing method thereof, and mems device manufacturing method based on the same

Номер патента: US20050156259A1. Автор: Mitsuhiro Yuasa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20230343777A1. Автор: Yupeng Chen,Rouying Zhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-10-26.

DEEP GRID SEMICONDUCTOR DEVICE, ITS APPLICATION TO A BLOCKABLE DIODE, AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: FR2480502A1. Автор: Jacques Arnould,Eugene Tonnel. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1981-10-16.

Mems array, manufacturing method thereof, and mems device manufacturing method based on the same

Номер патента: EP1535879A4. Автор: Mitsuhiro Yuasa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-06-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20220216343A1. Автор: Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Yu-Chun Shen,Ya-Chi HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20230268446A1. Автор: Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Yu-Chun Shen,Ya-Chi HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF, AND POWER CONVERSION APPARATUS

Номер патента: US20190259872A1. Автор: Kagawa Yasuhiro. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2019-08-22.

Structure for holding fine structure, semiconductor device, tft driving circuit, panel, display, sensor and their manufacturing methods

Номер патента: WO2006085559A1. Автор: Norihisa Mino,Takahiro Kawashima,Tohru Saitoh. Владелец: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Дата публикации: 2006-08-17.

Structure for holding fine structure, semiconductor device, TFT driving circuit, panel, display, sensor and their manufacturing methods

Номер патента: CN1976869B. Автор: 斋藤彻,美浓规央,川岛孝启. Владелец: 松下电器产业株式会社. Дата публикации: 2010-12-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE COMBINING THE ADVANTAGES OF MASSIVE ARCHITECTURES AND ITSELF, MANUFACTURING METHOD

Номер патента: FR2799307B1. Автор: Thomas Skotnicki,Malgorzata Jurczak,Daniel Bois. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 2002-02-15.

Semiconductor device

Номер патента: EP3846204A1. Автор: Eiji Sato,Akira Yamazaki,Hajime Yamagishi,Takayuki SEKIHARA,Makoto HAYAFUCHI,Syunsuke ISHIZAKI. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-07-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090065802A1. Автор: Taro Sugizaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09508774B2. Автор: Koji Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09927499B2. Автор: Mamoru Yamagami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20020050650A1. Автор: Atsushi Kobayashi,Makoto Inai,Masaaki Sueyoshi,Masaaki Kanae. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: EP4447109A1. Автор: Takushi Shigetoshi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and electronic thermoelectric power generation device

Номер патента: US09455390B2. Автор: Kazuaki Kurihara,Osamu Tsuboi,Norinao Kouma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20030205791A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-06.

Semiconductor packages and data storage devices including the same

Номер патента: US09599516B2. Автор: Eungchang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Shadow mask for oled evaporation and manufacturing method therefor, and oled panel manufacturing method

Номер патента: US20200044010A1. Автор: Tieer Gu,Jie Kong,Yuhan Ju. Владелец: Shanghai Seeo Optronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device formation substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110133185A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Non-volatile memory device including ferroelectrics and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170250337A1. Автор: Se Hun Kang,Deok Sin Kil. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240063160A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Chih-Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device and manufacturing process for the same

Номер патента: US20240128339A1. Автор: Le Li,Jun Zhou,Guangjie XUE. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6376892B1. Автор: Masanori Itoh. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-23.

Metal oxide semiconductor transistor circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US6469568B2. Автор: Yuichi Sato,Shinji Toyoyama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-10-22.

Flip chip package and method of fabricating the same

Номер патента: US20080006919A1. Автор: Chi-hyun In. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and electronic thermoelectric power generation device

Номер патента: US20150214461A1. Автор: Kazuaki Kurihara,Osamu Tsuboi,Norinao Kouma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Method for evaluating semiconductor device

Номер патента: EP2290677A3. Автор: Masahiro Kato,Atsushi Yoshida,Shigekazu Komatsu,Mitsuyoshi Miyazono,Dai Shinozaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

Pattern shape evaluation method, semiconductor device manufacturing method, and pattern shape evaluation device

Номер патента: US09449790B2. Автор: Hiroshi Fukuda. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods of the same

Номер патента: US12074201B2. Автор: Mitsuru Morimoto,Takuji Maekawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and electronic apparatus encapsulated in resin with embedded filler particles

Номер патента: US10319656B2. Автор: Tomoyuki Furuhata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-06-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09899275B2. Автор: Kenzo Naito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Power converter embodied in a semiconductor substrate member

Номер патента: US11908886B2. Автор: Hoà Lê THANH,A. A. Nour Yasser. Владелец: Danmarks Tekniskie Universitet. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240105634A1. Автор: Chang-Hung Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

LED mounting substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US8853728B2. Автор: Hiroyuki Tajima,Akira Sengoku,Shota Shimonishi,Yosuke Tsuchiya. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-07.

Led mounting substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140014992A1. Автор: Hiroyuki Tajima,Akira Sengoku,Shota Shimonishi,Yosuke Tsuchiya. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-16.

Passivation contact structure and manufacturing method therefor and solar cell using same

Номер патента: US20240313132A1. Автор: Yifeng Chen,Yiqi CHEN,Jifan Gao,Peter Altermatt PIETRO. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Fabricating method of photomask, photomask structure thereof, and semiconductor manufacturing method using the same

Номер патента: US20210349388A1. Автор: Chih-Ming Chen,Chung-Yang Huang,Cheng-Ming Lin,Hao-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US09799739B2. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Micromachined differential pressure transducers and method of producing the same

Номер патента: CA2054668C. Автор: Henry Guckel,Todd R. Christenson. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 1996-07-02.

Resistive memory device including ferroelectrics and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190109279A1. Автор: Se Hun Kang,Deok Sin Kil. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240128179A1. Автор: Cheng-Ta Ko,Pu-Ju Lin,Jyun-Hong Chen,Chi-Hai Kuo. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

SOI semiconductor substrate

Номер патента: US5266824A. Автор: Takao Abe,Yasuaki Nakazato,Atsuo Uchiyama. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1993-11-30.

Methods of manufacturing semiconductor device with bump interconnection

Номер патента: US12002783B2. Автор: Jun Yong Song,Kang Hun KIM,Si Yun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Display substrate, manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20210313404A1. Автор: Yu Zhang,YAN Cui,Chuan PENG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Lens structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20180166594A1. Автор: Chien-Chih Chen,Su-Yu Yeh,Tzu-Shin Chen,Mu-Han Cheng,Chun-Hai Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, power conversion device, three-phase motor system, automobile, and railway vehicle

Номер патента: US09711600B2. Автор: Kazuhiro Mochizuki,Norifumi Kameshiro. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4322045A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-14.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding ribbon, apparatus and device

Номер патента: US20240250058A1. Автор: Mauro Mazzola,Fabio Marchisi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240213403A1. Автор: Yung-Hsiang Lin,Tien-Yu Wang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Sealed semiconductor device and lead frame used for the same

Номер патента: US20020070431A1. Автор: Yoshihiro Hirata,Kazuyuki Misumi,Kazunari Michii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Semiconductor Device

Номер патента: US20150206860A1. Автор: Toshiaki Nagase,Kazuyoshi Kontani,Naohito Kanie. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor device having a substrate and input and output electrode units

Номер патента: US09543281B2. Автор: Toshiaki Nagase,Kazuyoshi Kontani,Naohito Kanie. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Application of industrial watch stone as the millimeter range wave length semiconductor device housing and the oscillator with such device

Номер патента: RU2657324C2. Автор: Елизавета Алексеевна Смирнова,Николай Федорович Карушкин,Илья Андреевич Обухов. Владелец: ООО "НПО "Синергетика". Дата публикации: 2018-06-13.

Semiconductor device assembly, crimping power semiconductor module, and manufacturing method

Номер патента: EP4254490A1. Автор: Han Li,Wenhao Zhang,Haihui Luo,Yongdian PENG,Xingfeng Li,Guiqin CHANG,Tingchang SHI,Liangxing LI,Guozhong DONG. Владелец: Zhuzhou CRRC Times Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Inductor embedded in a substrate of a semiconductor device

Номер патента: US20240332170A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Yu-Jui Wu,Harry-HakLay Chuang,Yi Ching Ong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and operation method thereof

Номер патента: US09742362B2. Автор: Atsushi Hirose. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20090250697A1. Автор: Takayuki Enda. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-10-08.

Display substrate, method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US20210151522A1. Автор: Xuwu HU,Mengxia KONG,Donghui SI,Mingchun Qi. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Color conversion unit, color conversion structure using the same, and light-emitting diode display using the same

Номер патента: US20230163254A1. Автор: Shinn-Jen Chang,Wei-Hung Kuo,Ruo-Han YU,Kai-Ling LIANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-05-25.

Power electronics assemblies with metal inverse opal bonding, electrical contact and cooling layers, and vehicles incorporating the same

Номер патента: US20190237425A1. Автор: Shailesh N. Joshi,Ercan Mehmet DEDE. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Measurement of lateral diffusion of implanted ions in doped well region of semiconductor devices

Номер патента: US20140011304A1. Автор: YIN Long,Kai Wang,Hunglin Chen,Qiliang Ni,Rongwei FAN. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: GB2629261A. Автор: MIYAWAKI Katsumi,NAGAMINE Takumi,Abe Shunichi,Higashide Seiu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor package device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859232B1. Автор: Ming-Hsiang Cheng,Chung-Hsin Chiang,Kuang-Ting Chi. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US09640502B2. Автор: Po-Chen Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Organic insulating film, manufacturing method thereof, semiconductor device using such organic insulating film and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100649917B1. Автор: 오또고이찌,우사미다쯔야,모리따노보루,엔도가즈히꼬. Владелец: 닛본 덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2006-11-27.

Solid-state imaging device, camera module, and camera-module manufacturing method

Номер патента: EP1475960A2. Автор: Hiroshi c/o Fuji Photo Film Co. Ltd. Maeda,Shigehisa c/o Fuji Photo Film Co. Ltd. Shimizu,Kazuhiro c/o Fuji Photo Film Co. Ltd. Nishida. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-10.

Passivation contact structure and manufacturing method therefor and solar cell using same

Номер патента: AU2022324515A1. Автор: Yifeng Chen,Yiqi CHEN,Jifan Gao,Peter Altermatt PIETRO. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Display substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220093883A1. Автор: Yue Feng,YAN Zhao,Qinglin Ma,Shuaimin JIAN,Lubiao SUN. Владелец: Mianyang BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Display substrate and method for manufacturing the same, and display apparatus

Номер патента: US20230163264A1. Автор: Pei Li,JIAN Li,Haiwei Sun,Zhiqiang Wang,Teng ZHANG,Jinpeng Li,Pengjun CAO,Zongying Shu. Владелец: BOE Jingxin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150270482A1. Автор: Young-Ju Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-24.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US9252361B2. Автор: Young-Ju Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-02.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US11894418B2. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device assemblies with cavity-embedded cubes and logic-supporting interposers

Номер патента: US20240063068A1. Автор: Kunal R. Parekh,Bret K. Street,Terrence B. Mcdaniel,Jaekyu Song. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140160419A1. Автор: Tae Gyun Kim,Woo Yong Sung,Seung-Yeon CHAE,Tae Woon CHA,Sang Gun Choi,A Ram Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Display substrate and manufacturing method thereof, display module, and display apparatus

Номер патента: US20230088027A1. Автор: MING Yang,Wei Wang,Weifeng ZHOU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Passivation contact structure and manufacturing method therefor and solar cell using same

Номер патента: EP4383348A1. Автор: Yifeng Chen,Yiqi CHEN,Jifan Gao,Peter Altermatt PIETRO. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor device with a protective security coating and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1490902A1. Автор: Ronald Dekker,Robertus A. M. Wolters,Petra E. De Jongh. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-12-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09824944B2. Автор: Fumio Tsuchiya,Masanao Sato,Hisanori Ito,Bunji Yasumura,Takuji Ide,Naoki Kawanabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Printed circuit board, semiconductor device connection structure, and method of manufacturing a printed circuit board

Номер патента: US09549472B2. Автор: Ryuichi Shibutani. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Lead frame for semiconductor device

Номер патента: US09472494B2. Автор: Jung Soo Park,Gi Jeong Kim,Joon Su Kim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device provided with tin diffusion inhibiting layer, and manufacturing method of the same

Номер патента: US8237277B2. Автор: Hiroyasu Jobetto. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-07.

Power semiconductor device

Номер патента: EP3097585A1. Автор: Jaroslav Homola,Ladislav DORT,Ladislav RADVAN. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-11-30.

Organic light emitting display device, method of fabricating the same, and color filter plate

Номер патента: US09831293B2. Автор: Hyo-Dae Bae,Jeong-won Lee,Jong-Hoon Yeo,Seung-Han Paek,Young-Mu Oh,Heon-Il SONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of making a semiconductor device using a nanochannel glass matrix

Номер патента: US5306661A. Автор: Brian L. Justus,Ronald J. Tonucci. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1994-04-26.

Substrate comprising a lid structure, package substrate comprising the same and semiconductor device

Номер патента: WO2023004103A1. Автор: Sungjin Kim,Jincheol Kim. Владелец: ABSOLICS INC.. Дата публикации: 2023-01-26.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150077952A1. Автор: Hwa-Jeong Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Substrate comprising a lid structure, package substrate comprising the same and semiconductor device

Номер патента: EP4158686A1. Автор: Sungjin Kim,Jincheol Kim. Владелец: Absolics Inc. Дата публикации: 2023-04-05.

Organic light emitting display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09472786B2. Автор: Byung Chul Ahn,Bong Geum LEE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device using anisotropic conductive adhesive layer and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101256998A. Автор: 褚福堂,黄明玉,程至谦. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2008-09-03.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240130176A9. Автор: MuGyeom Kim,Kwanghoon Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SOLID-STATE IMAGING DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180114909A1. Автор: Hayashi Toshihiko,HONDA Takayoshi,UESUGI YUJI,Hiramatsu Katsunori. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP1569270A3. Автор: Daisuke Ito,Toshimi Kawahara. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-01.

Device having a plurality of driver circuits to provide a current to a plurality of loads and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160057842A1. Автор: Andrea Logiudice,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-02-25.

Organic light emitting display panel and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230217719A1. Автор: Jin Ah KWAK. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050191772A1. Автор: Daisuke Ito,Toshimi Kawahara. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-01.

DISPLAY DEVICE USING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENTS AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20220278082A1. Автор: Shim Bongchu,KIM Gunho,KIM Dohee,Cho HyunWoo,SHIN Yongil. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2022-09-01.

DISPLAY DEVICE USING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20220278254A1. Автор: RHEE Byungjoon. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2022-09-01.

DISPLAY DEVICE USING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20220302092A1. Автор: Shim Bongchu,Park Changseo. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device with nanostructures aligned with grating coupler and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220308284A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Tsang-Jiuh Wu,Ping-Jung Wu,Yu-Kuang Liao,Jia-Xsing Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

DISPLAY DEVICE USING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20200235077A1. Автор: Park Jinhong,Park Changseo,YUH Hwankuk,JEON Kiseong. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2020-07-23.

DISPLAY DEVICE USING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160315068A1. Автор: Kang Mingu,LEE Eunah. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2016-10-27.

DISPLAY DEVICE USING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20200365567A1. Автор: Shim Bongchu,Park Changseo. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2020-11-19.

DISPLAY DEVICE USING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20220367421A1. Автор: YANG Hyeyoung,KO Jisoo,Cho HyunWoo,CHANG Wonjae. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor device and data processor

Номер патента: US20110016345A1. Автор: Toru Hayashi,Kazuo Murakami,Motoo Suwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Display device using semiconductor light-emitting device and manufacturing method therefor

Номер патента: WO2017007215A1. Автор: 김선옥,여환국. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2017-01-12.

Manufacture of semiconductor device, and jig used thereof and semiconductor device

Номер патента: JPH11111650A. Автор: 雄二 和田,Akihiko Ariga,Yuji Wada,Hitoshi Nakano,Eiji Wada,Takayuki Maehara,仁 中野,昭彦 有賀,孝行 前原,英二 和田. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-04-23.

Display substrate and method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US20210167149A1. Автор: Pan Zhao,Ge Wang,Zhiliang Jiang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Interface for a semiconductor chip with adaptive via region arrangement and semiconductor device with stacked semiconductor chips

Номер патента: US20240014174A1. Автор: Yung-Chih Chen,Chih-Kang Chiu,Igor Elkanovich,Kun-Ti Lee. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Semicondutor package structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210175385A1. Автор: JR-Wei LIN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

High Quality Non-polar/Semi-polar Semiconductor Device on Prominence and Depression Patterned Substrate and Manufacturing Method thereof

Номер патента: KR101118268B1. Автор: 유근호,남옥현. Владелец: 한국산업기술대학교산학협력단. Дата публикации: 2012-03-20.

Capacitor for semiconductor device having metal plug in storage node and manufacturing method thereof

Номер патента: KR960043191A. Автор: 이규필. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1996-12-23.

Semiconductor device capable of reducing interelectrode leak current and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070262417A1. Автор: TAKESHI Toda,Naoya Inoue,Yoshihiro Hayashi,Hiroto Ohtake,Ippei Kume. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Method of fabricating an electronic circuit including an aperture through the substrate thereof

Номер патента: US4520561A. Автор: Richard Brown. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1985-06-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20180040521A1. Автор: Fumio Tsuchiya,Masanao Sato,Hisanori Ito,Bunji Yasumura,Takuji Ide,Naoki Kawanabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20170018470A1. Автор: Fumio Tsuchiya,Masanao Sato,Hisanori Ito,Bunji Yasumura,Takuji Ide,Naoki Kawanabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20150137125A1. Автор: Fumio Tsuchiya,Masanao Sato,Hisanori Ito,Bunji Yasumura,Takuji Ide,Naoki Kawanabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor device with a protective security coating and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050140003A1. Автор: Ronald Dekker,Petra De Jongh,Robertus Adrianus Wolters. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for reducing or eliminating semiconductor device wire sweep in a multi-tier bonding device and a device produced by the method

Номер патента: SG137863A1. Автор: Rakesh Batish. Владелец: Kulicke & Soffa Ind Inc. Дата публикации: 2007-12-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20210287992A1. Автор: Hitoshi Ishii. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Substrate including test circuit and substrate test apparatus including the substrate

Номер патента: US20240194542A1. Автор: Junghyun Park,Heeju Seo,Yongil KWAK,Jekook LYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A SHIELDING AGAINST ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF

Номер патента: US20150223322A1. Автор: ZIGLIOLI Federico Giovanni. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor device mounting method, semiconductor device mounting structure, electro-optical device, electro-optical device manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: JP3722137B2. Автор: 政彦 中沢,一幸 山田,正則 湯本,剛士 芦田. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-11-30.

Active element substrate, manufacturing method thereof, and display device using active element substrate manufactured by this manufacturing method

Номер патента: JPWO2010110179A1. Автор: 良高 山元,洋一 野田,山元　良高,齋藤　裕,裕 齋藤. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device with a contact clip with projections and manufacture thereof

Номер патента: DE102012105929B4. Автор: Ralf Otremba. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-01.

Method for preparing surface-modified inorganic filler, an inorganic filler and an epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device manufactured by using thereof

Номер патента: KR20230070855A. Автор: 이지훈,박성환,안유미,김수성. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2023-05-23.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device manufacturing method,

Номер патента: JP4705070B2. Автор: 努 松平,恵一郎 林. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2011-06-22.

Stacked die package including a first die coupled to a substrate through direct chip attachment and a second die coupled to the substrate through wire bonding, and related methods and devices

Номер патента: US11705432B2. Автор: Mitsuaki Katagiri,Satoshi Isa,Hiroki Fujisawa,Shunji Kuwahara,Raj K. Bansal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-18.

Pressure contact type semiconductor device, ring-shaped gate terminal thereof, and power application device

Номер патента: JP4129082B2. Автор: 克己 佐藤,三樹生 別所,智信 川村. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-07-30.

Method for nondestructive measurement of dopant concentrations and profiles in the drift region of certain semiconductor devices

Номер патента: KR19990078175A. Автор: 헬무트 봄가트. Владелец: 피터 토마스. Дата публикации: 1999-10-25.

Improvements in the frequency characteristic of a semiconductor device in a microwave frequency band

Номер патента: DE69514142D1. Автор: Akira Kumagai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-03.

Method for nondestructive measurement of dopant concentrations and profiles in the drift region of certain semiconductor devices

Номер патента: TW429321B. Автор: Helmut Baumgart. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-04-11.

Semiconductor devices, methods of controlling temperature thereof and semiconductor package

Номер патента: TW201230255A. Автор: Mi-Na Choi,Se-Ran Bae,Eun-seok Cho,Hee-Jung Hwang,Kyoung-sei Choi,Jae-choon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-16.

Semiconductor device and method of prodn. thereof and semiconductor mounting structure and method

Номер патента: CN1288591A. Автор: 田口升,户井田孝志. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 2001-03-21.

WIRING BOARD, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: JP5067481B2. Автор: 泰治 酒井,誠樹 作山. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-11-07.

SUBSTRATE FOR MOUNTING OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING THE SUBSTRATE, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140138724A1. Автор: KUBOTA MASASHI,HITOMI Takuma. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions and related methods

Номер патента: WO2024229217A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions

Номер патента: US20240371943A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Methods for making semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions

Номер патента: US20240371883A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Holder manufacturing method for loading substrate of semiconductor manufacturing device, batch type boat having holder, loading/unloading method of semiconductor substrate using the same, and semiconductor manufacturing device having the same

Номер патента: US20060239799A1. Автор: Byoung Lee,Taek Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818645B2. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140232011A1. Автор: Kazumichi Tsumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor chip and method for manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: US20060006493A1. Автор: Tsutomu Tashiro,Masaya Kawano,Yoichiro Kurita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Semiconductor devices having stacked structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09653430B2. Автор: Pil-Kyu Kang,Byung Lyul Park,Jin Ho An,Seokho KIM,Joo Hee Jang,Taeyeong Kim,HyoJu KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332258A1. Автор: Da Il RIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Vacuum dryer and method of drying semiconductor device using the same

Номер патента: US6112430A. Автор: Jong-jae Lee,Chan-geun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-09-05.

Semiconductor device manufacturing method comprising first conductive layer with increased roughness in array region

Номер патента: US12108594B2. Автор: Jingwen Lu,Bingyu ZHU,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080079099A1. Автор: Hiroyuki Enomoto,Shuntaro Machida,Taro Asai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7411260B2. Автор: Hiroyuki Enomoto,Shuntaro Machida,Taro Asai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-08-12.

Semiconductor component and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991383B2. Автор: Koichi Amari. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor component and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748384B2. Автор: Koichi Amari. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor component and manufacturing method thereof

Номер патента: US09548360B2. Автор: Koichi Amari. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140077292A1. Автор: Hideki Okumura,Takuya Nogami,Takahiro Kawano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Lateral-optical-mode-controlled high-power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240291234A1. Автор: Wu Zhao,Jun Wang,Shaoyang TAN,Xinsheng LIAO,Bangguo WANG,Wuling LIU. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Polymerizable Diazonium Salts, Process For The Preparation Thereof And Uses Thereof

Номер патента: US20100184932A1. Автор: Gerard Bidan,Rémi De Bettignies,Bruno Jousselme. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2010-07-22.

Polymerizable diazonium salts, process for the preparation thereof and uses thereof

Номер патента: US7812139B2. Автор: Gerard Bidan,Rémi De Bettignies,Bruno Jousselme. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2010-10-12.

Substrate for flat panel display device, method of manufacturing the same, flat panel display device using substrate and method of manufacturing flat panel display device

Номер патента: WO2007132979A1. Автор: Jong-Uk Bu,Dong-Chun Kim. Владелец: Senplus Inc.. Дата публикации: 2007-11-22.

Surface-emitting laser device and light emitting device including the same

Номер патента: US11942762B2. Автор: Jeong Sik Lee,Sang Heon Han,Yeo Jae YOON,Keun Uk PARK. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Conductive paste composition for external electrode and multilayer ceramic electronic component including the same

Номер патента: US09343232B2. Автор: Byoung Jin CHUN,Jae Hwan Han,Hyun Hee Gu,Kyung Pyo Hong,Byung Jun JEON. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Gas dispersion plate and manufacturing method therefor

Номер патента: US20070079934A1. Автор: Keiji Morita,Keisuke Watanabe,Yukitaka Murata,Shigenori Wakabayashi,Sachiyuki Nagasaka. Владелец: Toshiba Ceramics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-12.

Plasma Display Panel Manufacturing Method

Номер патента: US20080132137A1. Автор: Masanori Suzuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

Negative electrode sheet and use thereof

Номер патента: US20230369605A1. Автор: Shiguang Li,Kejun LIAO. Владелец: Zhuhai Cosmx Battery Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Substrate inspection apparatus and a method of inspecting a substrate using the same

Номер патента: US20240151664A1. Автор: Sungeun Lee,Sewon Kim,Jeongho Ahn,Seo Young PARK,Kwang-Eun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Non-destructive interconnect system for semiconductor devices and a carrier assembly for use therewith

Номер патента: US5741141A. Автор: Austin S. O'Malley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-04-21.

Resolver and manufacturing manufacturing method thereof

Номер патента: KR101964371B1. Автор: 박용호,이진주,진창성. Владелец: 한화디펜스 주식회사. Дата публикации: 2019-04-01.

Exposure data correcting method, exposure method, photomask, semiconductor device, exposure data correcting device, exposure device and manufacturing equipment for semiconductor device

Номер патента: JPH10153851A. Автор: Eiju Onuma,英寿 大沼. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-06-09.

Laser Device Used Especially for Optical Pumping and Manufacture Process for Said Device

Номер патента: CA2190876A1. Автор: Isabelle Riant,Pierre Doussiere. Владелец: Alcatel Optronics France SA. Дата публикации: 1997-05-22.

Semiconductor device and method of making

Номер патента: US11921325B2. Автор: Yi-Chen Chen,Shih-Wei Lin,Lee-Chuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device and method of making

Номер патента: US20220373740A1. Автор: Yi-Chen Chen,Shih-Wei Lin,Lee-Chuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device and method of making

Номер патента: US20240210624A1. Автор: Yi-Chen Chen,Shih-Wei Lin,Lee-Chuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Manufacturing method of a transparent conductive film, a manufacturing method of a transparent electrode of an organic electroluminescence device, an organic electroluminescence device and the manufacturing method

Номер патента: US20070231939A1. Автор: Yutaka Kuriya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-04.

Ceramic suitable for inducing localised heating in the presence of a radio frequency magnetic field, and use thereof

Номер патента: DE3173424D1. Автор: Nicholas Francis Borrelli,Albert August Luderer,Joseph Nicholas Panzarino. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 1986-02-20.

Secondary battery pouch, manufacturing method thereof, and secondary battery manufacturing method

Номер патента: EP4270610A1. Автор: Sin young PARK,Chung Hee Lee,Dong Hyeuk PARK,Jeong Woo Hong. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Line narrowing gas laser device, control method thereof, and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20220385022A1. Автор: Osamu Wakabayashi,Takahito Kumazaki. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device with CMOS process based hall sensor and manufacturing method

Номер патента: US12035637B2. Автор: Jungmun JUNG. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Display substrate, manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US12133438B2. Автор: Yu Zhang,YAN Cui,Chuan PENG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor devices having contact plugs

Номер патента: US20240260250A1. Автор: Jinseong Lee,Jihun Kim,Jihye Kwon,Kyosuk CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: EP3734312A1. Автор: Yohei Ogawa,Hirotaka Uemura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

Multilayered substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US09832866B2. Автор: Myung-Sam Kang,Young-Gwan Ko,Seok-Hwan Ahn,Jong-Seok Bae,Mi-Sun Hwang. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Print element substrate, method of manufacturing the same, printhead and printing apparatus

Номер патента: US09451692B2. Автор: Keiichi Sasaki,Noriyuki Kurita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Ceramic heater, glow plug, and ceramic heater manufacturing method

Номер патента: US20060011602A1. Автор: Haruhiko Sato,Tetsuya Suzuki,Masahiro Konishi,Takahiro Matsui. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-19.

Semiconductor memory device including non-volatile memory cell array having MOS structure in well region formed on semiconductor substrate

Номер патента: US20020057623A1. Автор: Tadayuki Taura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-05-16.

Quantum dot light-emitting device and manufacturing method therefor, and display apparatus

Номер патента: US20240298456A1. Автор: Yang Gao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Display substrate, manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20230292570A1. Автор: Yu Zhang,YAN Cui,Chuan PENG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Display substrate, manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US11690269B2. Автор: Yu Zhang,YAN Cui,Chuan PENG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Systems and apparatus having top port integrated back cavity micro electro-mechanical system microphones and methods of fabrication of the same

Номер патента: US20160165331A1. Автор: Fang Liu,Martin Lim. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor devices having landing pad structures

Номер патента: US20240306376A1. Автор: Soobin KIM,Jinsub KIM,Taeyong Song,Dongkyun LIM,Sunwoo HEO,Seungyoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Display substrate and preparation method thereof, and display apparatus

Номер патента: US12127439B2. Автор: Zhaowei YU,Qinhe WEI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Systems and apparatus having top port integrated back cavity micro electro-mechanical system microphones and methods of fabrication of the same

Номер патента: US09621975B2. Автор: Fang Liu,Martin Lim. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Thermoelectric semiconductor device for massaging neck-collar zone

Номер патента: RU2634688C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Тамара Азаматовна Рагимова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-11-02.

Display device and manufacturing method therefor

Номер патента: US12007634B2. Автор: Yong Min Park,Eun Sung Kim,In Suk Lee,Won Gyu Lee. Владелец: Tovis Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Flash memory cell and method of fabricated the same

Номер патента: US6060359A. Автор: Jong-Seok Kwak. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-09.

Gate driving circuit and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09543928B2. Автор: Keisuke Yamashiro,Hiromu Takubo. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device including a normal mode, a debug mode, and a key

Номер патента: US12047504B2. Автор: Yuji Ishikawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Display substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US11871646B2. Автор: Yue Feng,YAN Zhao,Qinglin Ma,Shuaimin JIAN,Lubiao SUN. Владелец: Mianyang BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240237329A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and device used in wireless communication

Номер патента: EP4443946A1. Автор: Xiaobo Zhang,Jinfang Zhang. Владелец: Shanghai Langbo Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Device including single wire interface and data processing system including the same

Номер патента: US20180013546A1. Автор: Chul Jin Kim,Jun Ho Huh,Ho Rang Jang,Suh Ho Lee,Tomas Scherrer. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Method for plating printed circuit board and printed circuit board using the same

Номер патента: US20200413548A1. Автор: Min Soo Kim,Jong Chan Choi,Young Kwon Jeong,Seong Jae Mun. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Quartz Crystal Device Using At-Cut Quartz Substrate and Manufacturing the Same

Номер патента: US20110241492A1. Автор: Takehiro Takahashi,Syuichi Mizusawa. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Window, electronic device including the same, and method of manufacturing the window

Номер патента: US20230400889A1. Автор: Jusuk Oh,Kangyoon Kim,Bang-Geul CHOI. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Organic light emitting layer material, organic light emitting layer forming coating liquid using organic light emitting layer material, organic light emitting element using organic light emitting layer forming coating liquid, light source device using organic light emitting element, and manufacturing method thereof

Номер патента: JPWO2013190982A1. Автор: 介和 荒谷,広貴 佐久間,荒谷　介和. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-05-26.

DISPLAY DEVICE USING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20180192495A1. Автор: YUH Hwankuk,KIM Seonock. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2018-07-05.

Display substrate and method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US20230263015A1. Автор: Pan Zhao,Ge Wang,Zhiliang Jiang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and system including semiconductor device

Номер патента: US20220114077A1. Автор: Yuki Ishikawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Quantum dot, preparation method therefor and use thereof

Номер патента: EP3733812A1. Автор: LEI QIAN,Chengyu Yang,Yixing YANG,Zhiwen NIE,Jielong QIU. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-04.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230380147A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Laser irradiation apparatus and method of fabricating organic light emitting display using the same

Номер патента: US20090202950A1. Автор: Jin-soo Kim,Seong-taek Lee,Jae-ho Lee,Tae-min Kang. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-13.

Novel druggable regions in the human cytomegalovirus glycoprotein b polypeptide and methods of use thereof

Номер патента: AU2022225742A1. Автор: Weifeng Liu,Xiaoyuan Sherry Chi,Philip Ralph Dormitzer,Yuhang Liu. Владелец: PFIZER INC. Дата публикации: 2023-09-07.

Novel druggable regions in the human cytomegalovirus glycoprotein b polypeptide and methods of use thereof

Номер патента: US20240299587A1. Автор: Weifeng Liu,Xiaoyuan Sherry Chi,Philip Ralph Dormitzer,Yuhang Liu. Владелец: PFIZER INC. Дата публикации: 2024-09-12.

EUV lighting device using multilayer reflection zone plate and manufacturing method thereof

Номер патента: US11829064B2. Автор: Dong Gun Lee. Владелец: Esol Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

A composition in the form of a lignin polyol, a method for the production thereof and use thereof

Номер патента: CA2932275C. Автор: Dimitri Areskogh,Henri J.M. GRÜNBAUER. Владелец: STORA ENSO OYJ. Дата публикации: 2021-12-28.

Novel druggable regions in the human cytomegalovirus glycoprotein b polypeptide and methods of use thereof

Номер патента: CA3211449A1. Автор: Weifeng Liu,Xiaoyuan Sherry Chi,Philip Ralph Dormitzer,Yuhang Liu. Владелец: PFIZER INC. Дата публикации: 2022-09-01.

Novel druggable regions in the human cytomegalovirus glycoprotein b polypeptide and methods of use thereof

Номер патента: EP4298444A2. Автор: Weifeng Liu,Xiaoyuan Sherry Chi,Philip Ralph Dormitzer,Yuhang Liu. Владелец: PFIZER INC. Дата публикации: 2024-01-03.

Developing treatment apparatus used in the process for manufacturing a semiconductor device, and method for the developing treatment

Номер патента: US5885755A. Автор: Yasushi Ito,Seiji Nakagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-03-23.

Method for classifying mineral material in the presence of additives containing glycerol, products obtained and uses thereof

Номер патента: RS53304B. Автор: Matthias Buri,Patrick A. C. Gane. Владелец: Omya International AG. Дата публикации: 2014-08-29.

Cosmetic composition in the form of a compact powder, manufacturing process and uses thereof

Номер патента: EP3324920A1. Автор: Mario De Luigi. Владелец: B Kolormakeup & Skincare SpA. Дата публикации: 2018-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12096703B2. Автор: Qi Xiang,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor element and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20160244326A1. Автор: DIRK Meinhold,Christian Bretthauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor element and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09938141B2. Автор: DIRK Meinhold,Christian Bretthauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Ferroelectric film and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150232979A1. Автор: Takeshi Kijima,Yuuji Honda. Владелец: Youtec Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of projecting printing on semiconductor substrate and workpiece including such substrate

Номер патента: US4405229A. Автор: Herbert E. Mayer. Владелец: Censor Patent und Versuchsanstalt. Дата публикации: 1983-09-20.

Planar buried optical waveguides in semiconductor substrate and methods of forming

Номер патента: US20240019632A1. Автор: Young-Kai Chen. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Planar buried optical waveguides in semiconductor substrate and methods of forming

Номер патента: EP4307034A1. Автор: Young-Kai Chen. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Method and device for determining the temperature of a semiconductor substrate

Номер патента: EP2010880A2. Автор: Srdjan Kordic,Jean-Philippe Jacquemin,Meindert M. Lunenborg. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-01-07.

Display substrate and manufacturing method thereof, liquid crystal cell as well as display

Номер патента: US09740051B2. Автор: Tingze Dong,Zhinan Zhang,Xing Qin,Xiuliang WANG,Xuejiao Huang. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

Magnetoresistive sensor integrated in a chip for detecting magnetic fields perpendicular to the chip and manufacturing process thereof

Номер патента: US09568566B2. Автор: Dario Paci,Dino Faralli,Andrea Picco. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-02-14.

MEMS device and manufacturing method of MEMS device

Номер патента: US20060180882A1. Автор: Akira Sato,Shogo Inaba. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-08-17.

Chalcogenide phase change material based all-optical switch and manufacturing method therefor

Номер патента: US11609443B2. Автор: Yi Wang,Hao Tong,Xiangshui Miao,Yitao LU. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-03-21.

Chalcogenide phase change material based all-optical switch and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200379276A1. Автор: Yi Wang,Hao Tong,Xiangshui Miao,Yitao LU. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-12-03.

Touch device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200379586A1. Автор: Yu-Min Hung,Jin-Li Wang,Ying-Long YE. Владелец: General Interface Solution Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Touch device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11416090B2. Автор: Yu-Min Hung,Jin-Li Wang,Ying-Long YE. Владелец: General Interface Solution Ltd. Дата публикации: 2022-08-16.

Exposure apparatus and article manufacturing method

Номер патента: US20240231238A9. Автор: Shohei Iwata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Biochip, micro liquid sample loading structure thereof, and micro quantitative sampling method

Номер патента: EP3858971A1. Автор: Xiaoxiang ZHOU,Pengcheng WU,Sumin XIANG,Hengwei YANG. Владелец: Hunan Legend Ai Chip Biotechnology Co ltd. Дата публикации: 2021-08-04.

Photo-alignment material and liquid crystal display device and its manufacturing method using the same

Номер патента: US20020071079A1. Автор: Mi Nam. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-13.

Photo-alignment material and liquid crystal display device and its manufacturing method using the same

Номер патента: US20040022964A1. Автор: Mi Nam. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-05.

P-selectin targeted nanoparticles and uses thereof

Номер патента: WO2024161404A1. Автор: Ronit Satchi-Fainaro,Pradip DEY,Shani MICHAEL. Владелец: Ramot at Tel-Aviv University Ltd.. Дата публикации: 2024-08-08.

Transition piece of combustor, and gas turbine having the same

Номер патента: US20140144147A1. Автор: Hiroaki Kishida. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

semiconductor device using Atomic Layer Deposition processing and manufacturing method at the same

Номер патента: KR100809000B1. Автор: 이정희,김윤수,조현익,공성호,도관우,함성호,배남진. Владелец: 경북대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-03-05.

Triterpene oxidase derived from plant belonging to genus glycyrrhiza, gene encoding the same, and method of using the same

Номер патента: US20120246760A1. Автор: Hiroshi Sudo,Toshiya Muranaka,Kazuki Saito,Hikaru Seki,Kiyoshi Ohyama,Satoru Sawai. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2012-09-27.

Triterpene oxidase derived from plant belonging to genus glycyrrhiza, gene encoding the same, and method of using the same

Номер патента: US20190185824A1. Автор: Hiroshi Sudo,Toshiya Muranaka,Kazuki Saito,Hikaru Seki,Kiyoshi Ohyama,Satoru Sawai. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2019-06-20.

Triterpene oxidase derived from plant belonging to genus glycyrrhiza, gene encoding the same, and method of using the same

Номер патента: US20150275191A1. Автор: Hiroshi Sudo,Toshiya Muranaka,Kazuki Saito,Hikaru Seki,Kiyoshi Ohyama,Satoru Sawai. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2015-10-01.

A powder for additive manufacturing, use thereof, and an additive manufacturing method

Номер патента: EP3881954A1. Автор: Faraz DEIRMINA. Владелец: Sandvik Machining Solutions AB. Дата публикации: 2021-09-22.

Powder for additive manufacturing, use thereof, and an additive manufacturing method

Номер патента: US20240300019A1. Автор: Faraz DEIRMINA. Владелец: Sandvik Machining Solutions AB. Дата публикации: 2024-09-12.

Amide compound and use thereof

Номер патента: AU2022310062B2. Автор: Lixin Zhang,Jing Zhang,Zhuo Kang,Hongyan Pei. Владелец: Metisa Biotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Current detection method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09835660B2. Автор: Akira Uemura,Osamu Soma,Kenji Amada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Powered prosthetic devices using EMG-based locomotion state classifier

Номер патента: US09649207B2. Автор: Michael Hahn,Deepak Joshi. Владелец: University of Oregon. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for determining stresses in the material during thermal fatigue testing

Номер патента: RU2750424C1. Автор: Татьяна Владимировна Прохорова,Софья Павловна Дегтярева. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение по исследованию и проектированию энергетического оборудования им. И.И. Ползунова" (ОАО "НПО ЦКТИ"). Дата публикации: 2021-06-28.

Glutarimide compound and use thereof

Номер патента: EP4400499A1. Автор: YU Xu,Shuhui Chen,Yunfu Luo,Shaohui Wang,Maoyi LEI. Владелец: Medshine Discovery Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Akkermansia guangxiensis capable of resisting oxidation, reducing fat and inhibiting tumor growth, and product and use thereof

Номер патента: EP4442806A1. Автор: Lili Meng,Zhilong LU,Enqiu LU,Weifei LUO,Shifu Pang,Xinli WEI,Guilong XIAO,Meng Yin. Владелец: Aiage Life Science Corp Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Perinaphthenone compound and use thereof

Номер патента: US20240343666A1. Автор: Tao Zhang,Shan Cen,Liyan Yu,Xu PANG,Jianyuan ZHAO,Wancang LIU. Владелец: Institute of Medicinal Biotechnology of CAMS. Дата публикации: 2024-10-17.

Stable pharmaceutical composition for oral administration comprising levocetirizine, or pharmaceutically acceptable salt thereof and montelukast or pharmaceutically acceptable salt thereof

Номер патента: RU2614382C2. Автор: Йонг Ил Ким,Дзае Хиун Парк,Дзонг Соо Воо,Киеонг Соо Ким,Донг Хо КИМ,Таек Кван КВОН. Владелец: Ханми Фарм. Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-03-24.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160062159A1. Автор: Tae Gyun Kim,Woo Yong Sung,Seung-Yeon CHAE,Tae Woon CHA,Sang Gun Choi,A Ram Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Bispecific antibody and use thereof

Номер патента: EP4435006A1. Автор: Jing Zhang,Pengfei Zhou,Lijuan Fang,Shan Hua. Владелец: Wuhan Yzy Biopharma Co ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Novel amide derivatives and medicinal use thereof

Номер патента: CA2422342A1. Автор: Yoichi Naka,Mitsuharu Nakamura,Seigo Ishibuchi,Takao Kamahori,Hiroshi Sumichika,Katsuhiko Itoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-13.

Novel amide derivatives and medicinal use thereof

Номер патента: CA2422342C. Автор: Yoichi Naka,Mitsuharu Nakamura,Seigo Ishibuchi,Takao Kamahori,Hiroshi Sumichika,Katsuhiko Itoh. Владелец: Mitsubishi Tanabe Pharma Corp. Дата публикации: 2009-12-08.

Exposure apparatus and article manufacturing method

Номер патента: EP4361728A1. Автор: Shohei Iwata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-05-01.

Exposure apparatus and article manufacturing method

Номер патента: US20240134286A1. Автор: Shohei Iwata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Novel piperazine compound, and use thereof as hcv polymerase inhibitor

Номер патента: CA2649521C. Автор: Masahiro Tanaka,Kiyosei Iio,Hiroyuki Abe,Kazuyuki Sugimoto,Akira Suma,Masahiro Yokota,Makoto Shiozaki,Kazuhito Ueyama,Dai Motoda,Toru Noguchi,Tsuyoshi Adachi,Junichiro Tsuruha,Satoki Doi. Владелец: Japan Tobacco Inc. Дата публикации: 2011-11-01.

Siloxazane compound and composition comprising the same, and method for producing silceous film using the same

Номер патента: EP3545019A1. Автор: Toshiya Okamura,Rikio KOZAKI,Naoko Nakamoto,Naotaka NAKADAN,Bertram BARNICKEL. Владелец: Ridgefield Acquisition. Дата публикации: 2019-10-02.

Laser-induced ultrasound generator and method of manufacturing the same

Номер патента: US09865246B2. Автор: Chang-Jung Kim,Jong-Seok Kim,Ki-Hun Jeong,Young-jae OH,Yong-seop Yoon,Sung-Chan Kang,Seung-Bum Yang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-01-09.

Piperidinylpyrazolopyrimidinones and use thereof

Номер патента: RU2713937C2. Автор: Йоахим Шумахер,Йоханнес КЁББЕРЛИНГ,Мануэль Эллерманн,Гелле ФАЛОТ,ГРАНДЕ Иоланда КАНХО,Йорма Хассфельд,Том Кинцель,Кристин Байер,Зузанне Рёриг,Михаэль ШПЕРЦЕЛЬ,Ян ШТАМПФУСС,Имке МАЙЕР,Мариа Кёлльнбергер,Нильс БУРКХАРДТ,Карл-Хайнц Шлеммер,Кристиан Штегманн,Маттиас Вернер,Йорг ХАЙЕРМАНН,Виллем Ян ХЕНГЕВЕЛЬД. Владелец: Байер Фарма Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2020-02-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE USING A POLYMER CONTAINING PHOTORESIST, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2773152B1. Автор: Jae Chang Jung,Min Ho Jung,Cheol Kyu Bok,Ki Ho Baik. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-10.

6-(heterocycle-substituted benzyl)-4-oxoquinoline compound and use of the same as hiv integrase inhibitor

Номер патента: CA2653830C. Автор: Hiroshi Nakamura,Hiroshi Kawakami,Masafumi Inoue,Motohide Satoh,Hisateru Aramaki,Hisashi Shinkai,Yuji Matsuzaki,Shuichi Wamaki,Masaki Yamashita. Владелец: Japan Tobacco Inc. Дата публикации: 2011-11-22.

Apparatus for manufacturing concrete panel and manufacturing method thereof and concrete panel manufacturing method

Номер патента: KR101992246B1. Автор: 김경택,오지원,이영철,박진수,최한신,나현웅. Владелец: 한국생산기술연구원. Дата публикации: 2019-06-25.

Derivatives of androstane and androstene with ascorbic acid and use thereof in treating or preventing diseases or disorders

Номер патента: NZ537053A. Автор: James P Kutney,Duanjie Hou,Hongming Chen,Changqing Wang. Владелец: Forbes Medi Tech Inc. Дата публикации: 2007-11-30.

Electrophotographic photoreceptor, method of producing the same, process cartridge, and image-forming apparatus

Номер патента: US20080070134A1. Автор: Kenji Ikeda,Naoki Morita,Kazuyuki Tada,Tomomasa Sato,Toru Asahi,Tomotake Inagaki,Masaru Agatsuma. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Novel derivatives of androstane and androstene with ascorbic acid and use thereof in treating or preventing various conditions, diseases, and disorders

Номер патента: EP1513862A2. Автор: Duanjie Hou,Hongming Chen,James P. Kutney,Changqing Wang. Владелец: Forbes Medi-Tech Inc. Дата публикации: 2005-03-16.

Novel modification of the compound 4-hydroxy-2-methyl-n-(5-methyl-2-thiazolyl)-2h-1,2-benzothiazine-3-carboxamide-1,1-dioxide in the form of a crystalline acetic acid solvate and use thereof as a medicament

Номер патента: AU2003271635A1. Автор: Peter Sieger,Rainer Soyka,Ulrike Werthmann,Peter Luger,Guenter Trummlitz. Владелец: BOEHRINGER INGELHEIM PHARMA. Дата публикации: 2004-04-23.

A composition in the form of a lignin polyol, a method for the production thereof and use thereof

Номер патента: US20170002129A1. Автор: Dimitri Areskogh,Henri J.M. GRÜNBAUER. Владелец: STORA ENSO OYJ. Дата публикации: 2017-01-05.

Amide compound and use thereof

Номер патента: AU2022310062A1. Автор: Lixin Zhang,Jing Zhang,Zhuo Kang,Hongyan Pei. Владелец: Metisa Biotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for generating new gene in organism and use thereof

Номер патента: AU2022268461A1. Автор: Bo Chen,Qiang Hu,Huarong Li,Jiyao Wang,Linjian JIANG,Sudong MO,Dehui DING. Владелец: Qingdao Kingagroot Chemical Compound Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for generating new gene in organism and use thereof

Номер патента: CA3218515A1. Автор: Bo Chen,Qiang Hu,Huarong Li,Jiyao Wang,Linjian JIANG,Sudong MO,Dehui DING. Владелец: Qingdao Kingagroot Chemical Compound Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

A method for generating new mutation in organism and use thereof

Номер патента: US20230287389A1. Автор: WEI Qi,Bo Chen,Huarong Li,Jiyao Wang,Yucai Li,Linjian JIANG,Sudong MO. Владелец: Qingdao Kingagroot Chemical Compound Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Khl polypeptide, and use thereof in preparation of tabp-eic cell

Номер патента: US20240076315A1. Автор: LE YIN,Yuchun GU. Владелец: Allife Medicine Zhuhai Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for generating new gene in organism and use thereof

Номер патента: EP4334452A1. Автор: Bo Chen,Qiang Hu,Huarong Li,Jiyao Wang,Linjian JIANG,Sudong MO,Dehui DING. Владелец: Qingdao Kingagroot Chemical Compound Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Dermatological agent for aiding oxygen transport in the skin

Номер патента: CA2138974C. Автор: Leonhard Zastrow,Joachim Roding,Klaus Stanzl,Udo Gross. Владелец: Lancaster Group AG. Дата публикации: 2006-01-03.

Novel druggable regions in the human cytomegalovirus glycoprotein b polypeptide and methods of use thereof

Номер патента: IL305419A. Автор: Liu Weifeng,Liu Yuhang,Ralph Dormitzer Philip,Sherry Chi Xiaoyuan. Владелец: Sherry Chi Xiaoyuan. Дата публикации: 2023-10-01.

Method for the production of biocompatible nanomaterials with selective recognition capabilities and uses thereof

Номер патента: US20230270679A1. Автор: Alessandra Maria Bossi,Devid MANIGLIO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-31.

Bispecific antibody and use thereof

Номер патента: CA3238406A1. Автор: Jing Zhang,Pengfei Zhou,Lijuan Fang,Shan Hua. Владелец: Wuhan Yzy Biopharma Co ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Microelectrode of gene sequencing chip, manufacturing method therefor, and gene sequencing chip

Номер патента: EP4075128A1. Автор: Yunpeng Su,Dayu Zhou,Nana Sun,Jiaye GU. Владелец: Geneus Technologies Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-19.

Microelectrode of gene sequencing chip, manufacturing method therefor, and gene sequencing chip

Номер патента: US20230010894A1. Автор: Yunpeng Su,Dayu Zhou,Nana Sun,Jiaye GU. Владелец: Geneus Technologies Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Bispecific antibody and use thereof

Номер патента: AU2021474386A1. Автор: Jing Zhang,Pengfei Zhou,Lijuan Fang,Shan Hua. Владелец: Wuhan Yzy Biopharma Co ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Hybrid bio ink, manufacturing method thereof, and artificial tissue manufacturing method using the same

Номер патента: KR102146682B1. Автор: 강동구,안근선,진송완,심진형,윤원수. Владелец: 주식회사 티앤알바이오팹. Дата публикации: 2020-08-21.

Biscuit semi-product manufacturing method

Номер патента: RU2631693C1. Автор: Наталья Алексеевна Бугаец,Мария Сергеевна Конева,Анастасия Константиновна Калоева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный технологический университет" (ФГБОУ ВО "КубГТУ"). Дата публикации: 2017-09-26.

Multiple-layer growth of plural semiconductor devices

Номер патента: US4774904A. Автор: Jamie Knapp. Владелец: Santa Barbara Research Center. Дата публикации: 1988-10-04.

Method for manufacturing a surimi based food product in the form of a pectinide wheat, such as a saint jakobs shell, product and manufacturing chain thereof

Номер патента: EP3213644A1. Автор: Jerome Bertin. Владелец: Fleury Michon SA. Дата публикации: 2017-09-06.

Method for manufacturing a surimi based food product in the form of a pectinide wheat, such as a saint jakobs shell, product and manufacturing chain thereof

Номер патента: EP3213644B1. Автор: Jerome Bertin. Владелец: Fleury Michon SA. Дата публикации: 2018-09-19.

Method for forming an optical image, a mask used in the method, a method for manufacturing a device using the method, and an apparatus for performing the method

Номер патента: JP2004501405A. Автор: アントニウス、ジェイ．エム．ネリッセン. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-01-15.

Liquid dispersion device, and reactor with use thereof and reaction product manufacturing method

Номер патента: JP2023000379A. Автор: 真司 ▲濱▼,忠弘 向田,秀夫 野田,Hideo Noda,Shinji Hama,Tadahiro MUKAIDA. Владелец: Bio Energy Corp. Дата публикации: 2023-01-04.

Channel device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230356220A1. Автор: Kenichi Yasuda,Takahiro Oba,Aya Mochizuki,Hiroyuki Yukawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Array substrate and liquid crystal panel with the same

Номер патента: US20140016055A1. Автор: LIANG Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-16.

A powder for additive manufacturing, use thereof, and an additive manufacturing method

Номер патента: EP4363138A1. Автор: Faraz DEIRMINA. Владелец: Sandvik Machining Solutions AB. Дата публикации: 2024-05-08.

Methods for laser bonding optical elements to substrates and optical assemblies fabricated by the same

Номер патента: EP4066031A1. Автор: Alexander Mikhailovich Streltsov,David Mark LANCE. Владелец: Corning Research and Development Corp. Дата публикации: 2022-10-05.

Method for cutting of the leader of the web in a paper or board machine in the drying section of the machine

Номер патента: CA2099378A1. Автор: Ismo Koponen,Jari Vainio,Ilmari Rintasalo. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-05-20.

Method for cutting of the leader of the web in a paper or board machine in the drying section of the machine

Номер патента: WO1993010307A1. Автор: Ismo Koponen,Jari Vainio,Ilmari Rintasalo. Владелец: Valmet Paper Machinery Inc.. Дата публикации: 1993-05-27.

CARRYING SUPPORT FOR MEDICAL TUBE, MEDICAL TUBE MANUFACTURING SYSTEM USING SUCH CARRYING SUPPORT, MEDICAL TUBE MANUFACTURING DEVICE USING SUCH CARRYING SUPPORT AND MEDICAL TUBE MANUFACTURING METHOD USING SUCH CARRYING SUPPORT

Номер патента: US20170157371A1. Автор: TSUNEOKA Katsuyuki,SHIMARU Masayasu. Владелец: KANEKA CORPORATION. Дата публикации: 2017-06-08.

Novel hydroxy acid derivatives, a method for production thereof and pharmaceutical compositions containing them

Номер патента: RU2745430C9. Автор: Зольтан СЛАВИК,Андраш Кочи,Майя Шанрион,Оливье Женест,Джеймс Эдуард Пол Дейвидсон,Джеймс Брук МЮРРЕЙ,Сабольч Шипош,Аттила Пацаль,Балаж Балинт,Агнеш ПРОСЕНЬЯК. Владелец: Верналис (Р&Д) Лимитед. Дата публикации: 2021-06-28.

Semiconductor device having single-crystal silicon island region and manufacture thereof

Номер патента: JPH01111348A. Автор: Yoshiaki Yamamoto,Kiyotaka Nakai,井 清 隆 中,Takenori Nagata,田 武 則 永,本 喜 章 山. Владелец: Aisin Seiki Co Ltd. Дата публикации: 1989-04-28.

Method for manufacturing a pharmaceutical composition in the form of extended-release tablets containing pirfenidone and use thereof in the regression of chronic renal insufficiency, breast capsular contracture and hepatic fibrosis in humans

Номер патента: EP2907506B1. Автор: Juan Armendariz Borunda,José Augustin Rogelio MAGAÑA CASTRO,Jorge CERVANTES GUADARRAMA. Владелец: Cell Therapy and Technology SA de CV. Дата публикации: 2017-11-15.

Method for manufacturing a pharmaceutical composition in the form of extended-release tablets containing pirfenidone and use thereof in the regression of chronic renal insufficiency, breast capsular contracture and hepatic fibrosis in humans

Номер патента: EP2907506A1. Автор: Juan Armendariz Borunda,José Augustin Rogelio MAGAÑA CASTRO,Jorge CERVANTES GUADARRAMA. Владелец: Cell Therapy and Technology SA de CV. Дата публикации: 2015-08-19.

Method for manufacturing a pharmaceutical composition in the form of extended-release tablets containing pirfenidone and use thereof in the regression of chronic renal insufficiency, breast capsular contracture and hepatic fibrosis in humans

Номер патента: PT2907506T. Автор: CERVANTES GUADARRAMA Jorge,ARMENDÁRIZ BORUNDA Juan,Augustin Rogelio Magaña Castro José. Владелец: Cell Therapy And Tech S A De C V. Дата публикации: 2018-02-22.

Method for manufacturing a pharmaceutical composition in the form of extended-release tablets containing Pirfenidone and use thereof in the regression of chronic renal insufficiency, breast capsular contracture and hepatic fibrosis in humans

Номер патента: AU2012284627B2. Автор: Jose Agustin Rogelio Magana Castro,Juan Armendariz Borunda,Jorge CERVANTES GUADARRAMA. Владелец: Cell Therapy and Technology SA de CV. Дата публикации: 2017-07-20.

Oxide-based catalyst support for a group ivb metal in the periodic table of elements, and the preparation and use thereof

Номер патента: CA2308982A1. Автор: Alain Milan,Sebastien Decker,Pedro Da Silva,Marc Bisson,Joeri Denayer. Владелец: Total Raffinage Distribution SA. Дата публикации: 2000-11-18.

Carrying support for medical tube, medical tube manufacturing system using such carrying support, medical tube manufacturing device using such carrying support and medical tube manufacturing method using such carrying support

Номер патента: WO2016009705A1. Автор: 克幸 恒岡,聖康 四丸. Владелец: 株式会社カネカ. Дата публикации: 2016-01-21.

A powder for additive manufacturing, use thereof, and an additive manufacturing method

Номер патента: WO2021185767A1. Автор: Faraz DEIRMINA. Владелец: Sandvik Machining Solutions AB. Дата публикации: 2021-09-23.

A signal transmission system for transmitting signals between LSI chips, receiver circuitry for use in the signal transmission system, and semiconductor memory device using the signal transmission system

Номер патента: DE19758674B4. Автор: Hirotaka Kawasaki Tamura,Miyoshi Kawasaki Saito,Kohtaroh Kawasaki Gotoh,Shigetoshi Kawasaki Wakayama,Junji Kawasaki Ogawa,Hisakatsu Kawasaki Araki,Tsz-shing Kawasaki Cheung. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Vulcanization composition in the form of granules, process for preparing same and use thereof

Номер патента: US20140005309A1. Автор: Delphine Simard,Serge Krafft. Владелец: Eiffage Travaux Publics SAS. Дата публикации: 2014-01-02.

Formulations of organo-platinic compounds in the presence of associative polymers, products thus obtained and uses thereof

Номер патента: WO2009050555A2. Автор: Jean-Marc Suau,Olivier Guerret. Владелец: COATEX S.A.S.. Дата публикации: 2009-04-23.

Formulations of organo-platinic compounds in the presence of associative polymers, products thus obtained and uses thereof

Номер патента: WO2009050555A3. Автор: Jean-Marc Suau,Olivier Guerret. Владелец: Olivier Guerret. Дата публикации: 2009-06-04.

Novel phosphoprotein secreted in the extracellular matrices of mammalian organs and methods for use thereof

Номер патента: WO1996021006A1. Автор: Paul A. Price. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 1996-07-11.

NOVEL COSMETIC EMULSIONS PRESENTED IN THE FORM OF FOAM, PROCESS FOR OBTAINING THEM AND USE THEREOF IN COSMETICS

Номер патента: FR3043546B1. Автор: Severine Sigurani,Cécile Taillebois,Benoit SOUYRI. Владелец: Societe dExploitation de Produits pour les Industries Chimiques SEPPIC SA. Дата публикации: 2018-01-05.

NOVEL COSMETIC EMULSIONS PRESENTED IN THE FORM OF FOAM, PROCESS FOR OBTAINING THEM AND USE THEREOF IN COSMETICS

Номер патента: FR3034988B1. Автор: Severine Sigurani,Cécile Taillebois,Benoit SOUYRI. Владелец: Societe dExploitation de Produits pour les Industries Chimiques SEPPIC SA. Дата публикации: 2017-03-31.

A method for preventing blood coaguli from being formed in the extra-body circuit of dialysis apparatus and composition useful thereof

Номер патента: EP0317766B1. Автор: Renato Rossi. Владелец: Crinos Industria Farmacobiologica SpA. Дата публикации: 1992-12-30.

Methods for identifying antibodies and peptides useful in the treatment of septic shock and experimental arthritis and uses thereof

Номер патента: CA2295440A1. Автор: Milan S. Blake,John B. Zabriskie. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-12-23.

Mould for use in the manufacture of hollow turbine blades and method of use thereof

Номер патента: ES432010A1. Автор: . Владелец: United Aircraft Corp. Дата публикации: 1976-10-16.

NOVEL COSMETIC EMULSIONS PRESENTED IN THE FORM OF FOAM, PROCESS FOR OBTAINING THEM AND USE THEREOF IN COSMETICS

Номер патента: FR3043546A1. Автор: Severine Sigurani,Cécile Taillebois,Benoit SOUYRI. Владелец: Societe dExploitation de Produits pour les Industries Chimiques SEPPIC SA. Дата публикации: 2017-05-19.

Novel indolizine derivatives useful as bcl-2 inhibitors, method for the production thereof and pharmaceutical compositions containing same

Номер патента: NZ716156A. Автор: Olivier Geneste,Nanteuil Guillaume De,Tiran Arnaud Le,James Edward Paul Davidson,James Brooke Murray,I-Jen Chen,Diguarher Thierry Le,Jérôme-Benoît Starck,Jean-Michel Henlin. Владелец: Vernalis R&D Ltd. Дата публикации: 2019-05-31.

Method for grinding mineral materials in the presence of thickening agents, resulting aqueous suspensions and uses thereof

Номер патента: CN1984718A. Автор: J·蒙戈因,D·鲁尔曼,C·杰奎梅特,J-M·叙奥. Владелец: Coatex SAS. Дата публикации: 2007-06-20.

Food composition in the form of a dry emulsion, preparation method and use thereof

Номер патента: CA2320335A1. Автор: Gilles Guerin,Sophie Vaslin,Mikel Morvan. Владелец: Mikel Morvan. Дата публикации: 1999-08-05.

Method for identifying novel genes involved in the regulation of angiogenesis, study of said genes and use thereof for therapeutic purposes

Номер патента: US6716585B2. Автор: Salman Al-Mahmood. Владелец: GeneSignal. Дата публикации: 2004-04-06.

Metal oxide particle, production process thereof and exhaust gas purifying catalyst

Номер патента: EP1740307B1. Автор: Masahide c/o TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA MIURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-08-15.

Method for grinding mineral materials in the presence of thickening agents, resulting aqueous suspensions and uses thereof

Номер патента: WO2006016037A1. Автор: Jean-Marc Suau,Christian Jacquemet,Jacques Mongoin,Denis Ruhlmann. Владелец: COATEX S.A.S.. Дата публикации: 2006-02-16.

Food composition in the form of a dry emulsion, preparation method and use thereof

Номер патента: CA2320335C. Автор: Gilles Guerin,Sophie Vaslin,Mikel Morvan. Владелец: Rhodia Chimie SAS. Дата публикации: 2004-04-20.

Axially chiral N-(2-acylaryl)-2-[5,7-dihydro-6h-dibenzo[c,e]azepin-6-yl] acetamide compound and chirality interconversion method of a-amino acid using the same

Номер патента: US09688612B2. Автор: Hiroki Moriwaki,Aki KAWASHIMA,Ryosuke TAKEDA,Akie KAWAMURA,Vadim A. Soloshonok. Владелец: Hamari Chemicals Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Digital and analog recording device using near field optical imaging, and its manufacturing method

Номер патента: JP2003233934A. Автор: リン パットン デビッド,David Lynn Patton,John P Spoonhower,ピー スプーンハワー ジョン. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2003-08-22.

Optical coupling system device using ball lens and optical coupling system manufacturing method

Номер патента: JP3051349B2. Автор: 鍾雄 盧,映周 金,建俊 安. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-06-12.

Axially chiral n-(2-acylaryl)-2-[5,7-dihydro-6h-dibenzo[c,e]azepin-6-yl]acetamide compound and chirality interconversion method of .alpha.-amino acid using the same

Номер патента: CA2895334C. Автор: Hiroki Moriwaki,Aki KAWASHIMA,Ryosuke TAKEDA,Akie KAWAMURA,Vadim A. Soloshonok. Владелец: Hamari Chemicals Ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

Substrate for display device, liquid crystal device using the substrate for display device, electronic machine having the liquid crystal device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW200301387A. Автор: Tomomi Kawase. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-07-01.

NANOBUBBLE MANUFACTURING METHOD AND SYSTEM THEREOF, AND A FERTILIZER MANUFACTURING METHOD AND SYSTEM THEREOF

Номер патента: US20210016234A1. Автор: LIN Bo-Han. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

HEAT-RESISTANT ROLL, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND PLATE GLASS MANUFACTURING METHOD USING SUCH HEAT-RESISTANT ROLL

Номер патента: US20160221861A1. Автор: Watanabe Kazuhisa,Mihara Tetsuya. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Ultraviolet hardening type resin, making method thereof, and pattern film manufacturing method using it

Номер патента: KR100972625B1. Автор: 김필융. Владелец: 주식회사 신광화학산업. Дата публикации: 2010-07-27.

Glass ferrule manufacturing base material, manufacturing method thereof, and glass ferrule manufacturing method

Номер патента: JP4071715B2. Автор: ファン，ソン−チョル,キム，ソン−ウク,チャン，ミョン−チョル. Владелец: ジェイシー コム カンパニー リミテッド. Дата публикации: 2008-04-02.

Photomask, manufacturing method thereof, and electronic device manufacturing method

Номер патента: US7879512B2. Автор: Kanji Takeuchi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-02-01.

Bearing assembly, manufacturing method thereof, and propulsion shaft manufacturing method

Номер патента: JP6560809B1. Автор: 祥 梅澤,大珍 申. Владелец: Showa Corp. Дата публикации: 2019-08-14.

Heat-resistant roll, manufacturing method thereof, and plate glass manufacturing method using such heat-resistant roll

Номер патента: KR101938464B1. Автор: 카즈히사 와타나베,테츠야 미하라. Владелец: 니찌아스 카부시키카이샤. Дата публикации: 2019-01-14.

class d enzyme inhibition method in the treatment of a bacterial infection in a patient in need thereof; and method for treating bacterial infection or disease in a patient in need thereof

Номер патента: BRPI0611491A2. Автор: Aranapakam Mudumbai Venkatesan,Tarek Suhayl Mansour. Владелец: Wyeth Corp. Дата публикации: 2010-12-21.

Metal plate for press forming, manufacturing method thereof, and press product manufacturing method

Номер патента: JPWO2018012405A1. Автор: 雄司 山▲崎▼,祐輔 藤井,欣哉 中川. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Antibacterial fiber treatment agent, manufacturing method thereof, and antibacterial fiber manufacturing method

Номер патента: WO2012049978A1. Автор: 勘藤　芳弘,裕幸 土手. Владелец: 松本油脂製薬株式会社. Дата публикации: 2012-04-19.

Mask blank, manufacturing method thereof and transfer plate manufacturing method

Номер патента: KR20070039910A. Автор: 히데오 코바야시. Владелец: 호야 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-04-13.

Single-layer container, manufacturing method thereof, and recycled polyester manufacturing method

Номер патента: US20230356450A1. Автор: Masayuki Daito,Kosuke Otsuka,Takumi Yamada. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Single-layer container, manufacturing method thereof, and recycled polyester manufacturing method

Номер патента: EP4201828A4. Автор: Masayuki Daito,Kosuke Otsuka,Takumi Yamada. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Method for immobilizing a biomolecule on a solid substrate at a high density by using the substrate having an activated carboxyl group on a surface thereof and microarray produced using the method

Номер патента: US20050153350A1. Автор: Kyu-Youn Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-07-14.

Method for immobilizing a biomolecule on a solid substrate at a high density by using the substrate having an activated carboxyl group on a surface thereof and microarray produced using the method

Номер патента: US7195924B2. Автор: Kyu-Youn Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-27.

Improvements in the Manufacture and Production of Phenyl-glycinecarboxylic Acid and of Derivatives thereof and of Intermediate Products relating thereto.

Номер патента: GB190005763A. Автор: Harris Lake Henry. Владелец: Farbwerk Muhlheim Vorm A Leonhardt & Co. Дата публикации: 1901-01-19.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD FOR SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120003778A1. Автор: OOTAKE Hajime. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE MANUFACTURING METHOD, SOLID-STATE IMAGING DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS

Номер патента: US20120001290A1. Автор: Sawada Ken. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD FOR SPARK PLUGS

Номер патента: US20120001532A1. Автор: Kyuno Jiro,Kure Keisuke. Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

HETEROCYCLICALLY SUBSTITUTED METHOXYPHENYL DERIVATIVES WITH AN OXO GROUP, PROCESSES FOR PREPARATION THEREOF AND USE THEREOF AS MEDICAMENTS

Номер патента: US20120004165A1. Автор: Keil Stefanie,DEFOSSA Elisabeth,DIETRICH Viktoria,KLABUNDE Thomas,STENGELIN Siegfried,HASCHKE Guido,HERLING Andreas. Владелец: SANOFI. Дата публикации: 2012-01-05.

ARYLOXYALKYLENE-SUBSTITUTED HYDROXYPHENYLHEXYNOIC ACIDS, PROCESS FOR PREPARATION THEREOF AND USE THEREOF AS A MEDICAMENT

Номер патента: US20120004166A1. Автор: Keil Stefanie,DEFOSSA Elisabeth,DIETRICH Viktoria,KLABUNDE Thomas,STENGELIN Siegfried,HASCHKE Guido,HERLING Andreas. Владелец: SANOFI. Дата публикации: 2012-01-05.

(2-ARYLOXYACETYLAMINO) PHENYLPROPIONIC ACID DERIVATIVES, PROCESSES FOR PREPARATION THEREOF AND USE THEREOF AS MEDICAMENTS

Номер патента: US20120004167A1. Автор: Keil Stefanie,DEFOSSA Elisabeth,DIETRICH Viktoria,KLABUNDE Thomas,STENGELIN Siegfried,HASCHKE Guido,HERLING Andreas. Владелец: SANOFI. Дата публикации: 2012-01-05.

SPIROCYCLICALLY SUBSTITUTED 1,3-PROPANE DIOXIDE DERIVATIVES, PROCESSES FOR PREPARATION THEREOF AND USE THEREOF AS A MEDICAMENT

Номер патента: US20120004187A1. Автор: . Владелец: SANOFI. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NOVEL CATALYTIC REFORMING PROCESS WITH A RECYCLE OF THE REDUCTION EFFLUENT UPSTREAM OF THE FIRST REACTOR AND A RECYCLE OF THE RECYCLE GAS TO THE LAST REACTOR OR REACTORS IN THE SERIES

Номер патента: US20120000822A1. Автор: . Владелец: IFP ENERGIES NOUVELLES. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2654960C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-05-23.

Cleaning solution for semiconductor device containing platinum, cleaning method using same and manufacturing method of memory device using same

Номер патента: KR19980082844A. Автор: 이문희,송재인. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1998-12-05.

Silicone-based pressure sensitive adhesive layer-forming composition and use thereof

Номер патента: WO2024130670A1. Автор: Qing Cao,Chao Zhou,Zhihua Liu,Chengrong ZHU,Maki Itoh,Jingui Jiang,Guodong SHEN,Jiayin Zhu. Владелец: Dow Silicones Corporation. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for creating new gene in organism and use thereof.

Номер патента: OA21191A. Автор: Bo Chen,Huarong Li,Jiyao Wang,Linjian JIANG,Sudong MO. Владелец: Qingdao Kingagroot Chemical Compound Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-29.

Method to reduce the thermal budget in the node contact process of semiconductor devices

Номер патента: TW479350B. Автор: Yung-Chang Lin,Dung-Po Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-03-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FIN-SHAPED FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130264621A1. Автор: Oshima Hiromitsu,NISHI Hiroo. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor device

Номер патента: RU2446511C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии" (ООО НКТ). Дата публикации: 2012-03-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CYLINDRICAL LOWER ELECTRODE OF CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130032924A1. Автор: ISOGAI SATORU,KUMAUCHI TAKAHIRO. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2013-02-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130043545A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,LEE Kun-Yu,YAO Liang-Gi,OKUNO Yasutoshi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-02-21.

Method for manufacturing of semiconductor device

Номер патента: RU2431904C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдула Гасанович Мустафаев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor device having end mark of mechanochemical polishing and manufacturing method

Номер патента: KR19990070214A. Автор: 김상용. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 1999-09-15.

Semiconductor device having MOS transistor of vertical structure and manufacturing method thereof

Номер патента: KR970018704A. Автор: 김규철,장형순. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-04-30.

Semiconductor Device Including a Contact Clip Having Protrusions and Manufacturing Thereof

Номер патента: US20130009295A1. Автор: . Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-01-10.

COMPOSITION IN THE FORM OF AN OIL-IN-WATER EMULSION AND USES THEREOF

Номер патента: US20120301414A1. Автор: NOEL Christine,LIVERNETTE Anne-France. Владелец: L'OREAL. Дата публикации: 2012-11-29.

Network system, path setting method in the system, network management device and network device used in the system

Номер патента: JP4199575B2. Автор: 耕二 仲道. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-12-17.

A composition in the form of solid body, its preparation process and uses thereof as bone filler

Номер патента: TW200503793A. Автор: Jen-Lin Chen,kui-hua Su. Владелец: Jen-Lin Chen. Дата публикации: 2005-02-01.

Substrate Including Thin Film Transistors and Organic Light Emitting Display Apparatus Including the Substrate

Номер патента: US20130175533A1. Автор: Jin Seong-Hyun,LEE Won-Kyu,Chang Young-Jin. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-07-11.

Application in the conjugates of hyaluronic acid of halfcystine functionalization and synthetic method thereof and the hydrogel that formed at Injectable in-situ

Номер патента: CN103910886B. Автор: 胡碧煌,张歆. Владелец: Hainan University. Дата публикации: 2016-04-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SILICON-DIFFUSED METAL WIRING LAYER AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120108060A1. Автор: Usami Tatsuya,Ohto Koichi,TAKEWAKI Toshiyuki,YAMANISHI Nobuyuki. Владелец: NEC ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-03.

Steel sheet excellent in deep drawability, manufacturing method thereof and steel pipe manufacturing method excellent in workability

Номер патента: JP4171296B2. Автор: 展弘 藤田,康浩 篠原,直樹 吉永,学 高橋,真也 坂本,浩二 橋本. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2008-10-22.

Phase difference control member, alignment adjustment method thereof, and color filter manufacturing method

Номер патента: JP5007572B2. Автор: 徳久 守谷. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2012-08-22.

Semiconductor device with improved electrical properties of junction and its manufacturing method

Номер патента: KR970004071A. Автор: 김기남,노병혁. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-01-29.

Plate laminating apparatus, driving method thereof, and inkjet head manufacturing method

Номер патента: JP4285446B2. Автор: 敏也 松山,豊 安藤,達雄 寺倉,裕二 溝口. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2009-06-24.

EPITAXIAL SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE USING SUCH EPITAXIAL SUBSTRATE AND FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20120112158A1. Автор: Hsu Wen-Ching,Chien Hung-Chi,Chyan Jiunn-Yih,Yang Kun-Lin. Владелец: SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC.. Дата публикации: 2012-05-10.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Formation of III-V Based Devices on Semiconductor Substrates

Номер патента: US20120001239A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,KO Chih-Hsin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001152A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Ki Sung,KIM Gi Bum,KIM Tae Hun,SHIN Young Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR, LITHIUM ION CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002348A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING MATERIAL, AND PHOTOSENSITIVE FILM, PATTERN FORMING METHOD, PATTERN FILM, LOW REFRACTIVE INDEX FILM, OPTICAL DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE EACH USING THE SAME

Номер патента: US20120003436A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RADIATION IMAGE DETECTION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF RADIATION IMAGE DETECTOR

Номер патента: US20120001201A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001185A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

HOLOGRAM RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, HOLOGRAM REPRODUCTION APPARATUS, AND HOLOGRAM REPRODUCTION METHOD

Номер патента: US20120002257A1. Автор: Shirakura Akira,Baba Shigeyuki,Arai Toshiyuki,Higashihara Teruaki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120000068A1. Автор: Sugiyama Tadashi,KARIYA Takashi,SAKAMOTO Hajime,Wang Dongdong. Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

HUMIDITY SENSOR PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000284A1. Автор: Hasegawa Hideki,Yokoyama Shinya,Waga Satoshi,Tondokoro Atsushi,Sakashita Tadashi,Morita Sumihito,Kamimura Hideki,Yamatani Masaya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, RADIOLOGICAL IMAGING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF TESTING SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001081A1. Автор: . Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

Switchable 3-Dimensional Conversion Device, Method for Manufacturing the Same and Stereoscopic Image Display Device Using the Same

Номер патента: US20120001890A1. Автор: Im Hee-Jin,Kim Chul-Ho,KOOK Yun-Ho,Yoo Soon-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.