Bipolar Junction Transistor and Manufacturing Method Thereof.

Bipolar Junction Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20090221125A1
Опубликовано: 03-09-2009
Автор(ы): Nam Joo Kim
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Bipolar junction transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070152240A1. Автор: NAM Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Lateral silicon-on-insulator bipolar junction transistor process and structure

Номер патента: US20150214346A1. Автор: John J. Ellis-Monaghan,Steven M. Shank,Leah M. Pastel,John Z. Colt, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Bipolar junction transistors with a wraparound base layer

Номер патента: US20220262930A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Judson R. Holt,Tayel Nesheiwat,Christopher Durcan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Methods for making bipolar junction transistors including emitter-base and base-collector superlattices

Номер патента: US20240250146A1. Автор: Richard Burton. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Bipolar junction transistors including emitter-base and base-collector superlattices and associated methods

Номер патента: WO2021146236A1. Автор: Richard Burton. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2021-07-22.

Bipolar junction transistors including emitter-base and base-collector superlattices

Номер патента: US20240097003A1. Автор: Richard Burton. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20180350802A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20200111782A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Fin-bipolar junction transistor and preparation method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4386856A1. Автор: Guangxing Wan,Waisum Wong,Ziliang TIAN,Chengbo QIU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Hybrid bipolar junction transistor

Номер патента: US09812508B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Bipolar junction transistors with self-aligned terminals

Номер патента: US20150214344A1. Автор: James R. Elliott,Qizhi Liu,Alvin J. Joseph,Peter B. Gray,John J. Benoit,Christa R. Willets. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-07-30.

SUPER-ß BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20240006477A1. Автор: Liang Song,Yongshun LI,Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Lateral bipolar junction transistors with an airgap spacer

Номер патента: US11967636B2. Автор: Hong Yu,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Lateral bipolar junction transistors with an airgap spacer

Номер патента: EP4170727A1. Автор: Hong Yu,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

Bipolar junction transistor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09947746B2. Автор: Kai-Kuen Chang,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Bipolar junction transistor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180047809A1. Автор: Kai-Kuen Chang,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor devices having fin field effect transistor (FinFET) structures and manufacturing and design methods thereof

Номер патента: US09818745B2. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Lateral bipolar junction transistors including a graded silicon-germanium intrinsic base

Номер патента: US20230275145A1. Автор: Judson Holt,Arkadiusz Malinowski,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Bipolar junction transistor and operating and manufacturing method for the same

Номер патента: US20140266407A1. Автор: Jeng Gong,Wing-Chor CHAN,Li-Fan Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Pnp bipolar junction transistor fabrication using selective epitaxy

Номер патента: US20150008562A1. Автор: Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Bipolar junction transistors with a nanosheet intrinsic base

Номер патента: US20230071998A1. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Zhenyu Hu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Structure of a bipolar junction transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20060199347A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-09-07.

Lateral bipolar junction transistors including a graded silicon-germanium intrinsic base

Номер патента: US11916136B2. Автор: Judson Holt,Arkadiusz Malinowski,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Bipolar junction transistor layout structure

Номер патента: US09899502B2. Автор: Yuan-Heng Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Self-aligned emitter-base-collector bipolar junction transistors with a single crystal raised extrinsic base

Номер патента: US20150311324A1. Автор: Peng Cheng,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-10-29.

Self-aligned base and emitter for a bipolar junction transistor

Номер патента: US20210066474A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Method of fabricating a bipolar junction transistor

Номер патента: US20060099757A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-05-11.

Bipolar junction transistor with high beta

Номер патента: WO2006098868A3. Автор: Moshe Agam,Robert Bartel,Richard Smoak,Adrian Mcdonald. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-04-12.

Lateral bipolar junction transistors including a graded silicon-germanium intrinsic base

Номер патента: EP4235795A1. Автор: Judson Holt,Arkadiusz Malinowski,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Method of fabricating bipolar junction transistor

Номер патента: US20070184608A1. Автор: Mingshang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Bipolar junction transistor structure for reduced current crowding

Номер патента: US09755018B2. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Superlattice lateral bipolar junction transistor

Номер патента: US09666669B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor structure of BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR (BJT)

Номер патента: US20240014295A1. Автор: Shih-Chuan CHIU,Zheng Zeng,Chia-Hsin Hu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for manufacturing a bipolar junction transistor

Номер патента: US20180323293A1. Автор: Dirk Manger,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-11-08.

Superlattice lateral bipolar junction transistor

Номер патента: US20170179229A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Superlattice lateral bipolar junction transistor

Номер патента: US20170236924A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Superlattice lateral bipolar junction transistor

Номер патента: US9984871B2. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Bipolar junction transistor structure for reduced current crowding and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2013090250A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant Kumar Agarwal. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2013-06-20.

Method for manufacturing a bipolar junction transistor

Номер патента: US10020387B2. Автор: Dirk Manger,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-07-10.

Self-aligned emitter-base-collector bipolar junction transistors with a single crystal raised extrinsic base

Номер патента: US20150194510A1. Автор: Peng Cheng,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Superlattice lateral bipolar junction transistor

Номер патента: US9935185B2. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for manufacturing a bipolar junction transistor

Номер патента: US20170317198A1. Автор: Dirk Manger,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20210098452A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20200111782A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

Bipolar junction transistors and methods of fabrication

Номер патента: US20160181393A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Bipolar junction transistors and methods of fabrication

Номер патента: US09905668B2. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Bipolar junction transistors including wrap-around emitter and collector contacts

Номер патента: US11769806B2. Автор: Hong Yu,Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Bipolar junction transistors with double-tapered emitter fingers

Номер патента: US09728603B2. Автор: Anthony K. Stamper,Hanyi Ding,Vibhor Jain,Alvin J. Joseph. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Cascaded bipolar junction transistor and methods of forming the same

Номер патента: US20230402532A1. Автор: Kuo-Ming Wu,Hong-Shyang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Bipolar junction transistor with multiple emitter fingers

Номер патента: US20130119508A1. Автор: John J. Pekarik,Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,David L. Harame,Ramana M. MALLADI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-16.

Bipolar junction transistor with multiple emitter fingers

Номер патента: US20150008559A1. Автор: John J. Pekarik,Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,David L. Harame,Ramana M. MALLADI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Bipolar junction transistors and methods of fabrication

Номер патента: US20160027905A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Bipolar junction transistors including a portion of a base layer inside a cavity in a dielectric layer

Номер патента: US20230084007A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Jagar Singh,Judson Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Lateral bipolar junction transistors with a back-gate

Номер патента: US11923417B2. Автор: Hong Yu,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Vertical bipolar junction transistor and method

Номер патента: US20230268394A1. Автор: Qizhi Liu,Rajendran Krishnasamy,Sarah A. McTaggart. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Bipolar junction transistors including a portion of a base layer inside a cavity in a dielectric layer

Номер патента: US11848374B2. Автор: Shesh Mani Pandey,Jagar Singh,Judson Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Trench isolation for bipolar junction transistors in bicmos technology

Номер патента: US20150048478A1. Автор: Qizhi Liu,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Lateral bipolar junction transistor device and method of making such a device

Номер патента: US20220199810A1. Автор: Haiting Wang,Ali Razavieh,Arkadiusz Malinowski,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Bipolar junction transistor structure

Номер патента: US09685502B2. Автор: John Wood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-20.

Collector-up bipolar junction transistors in bicmos technology

Номер патента: US20140231878A1. Автор: James W. Adkisson,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Bipolar junction transistor

Номер патента: US09991367B1. Автор: Chen-Wei Pan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Bipolar junction transistor formed on fin structures

Номер патента: US09780003B2. Автор: Shien-Yang Wu,Sun-Jay Chang,Chia-Hsin Hu,Min-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Bipolar junction transistors with a buried dielectric region in the active device region

Номер патента: US09722057B2. Автор: Marwan H. Khater,Vibhor Jain,Renata Camillo-Castillo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Bipolar junction transistor having an integrated switchable short

Номер патента: US20220037311A1. Автор: Peter Hugh Blair. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Bipolar junction transistors with reduced base-collector junction capacitance

Номер патента: US20150311283A1. Автор: John J. Pekarik,Marwan H. Khater,James R. Elliott,James W. Adkisson,Qizhi Liu,Robert K. Leidy,David L. Harame. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-10-29.

Bipolar junction transistors with reduced base-collector junction capacitance and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2014088658A1. Автор: Robert K Leidy,Qizhi Liu,John J Pekarik,David L Harame,Marwan H Khater,James W Adkisson,James R ELLIOTT. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-12.

Single column compound semiconductor bipolar junction transistor fabricated on iii-v compound semiconductor surface

Номер патента: US20190157416A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Lateral bipolar junction transistor

Номер патента: US8674454B2. Автор: Ching-Chung Ko,Tung-Hsing Lee. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2014-03-18.

Shaped terminals for a bipolar junction transistor

Номер патента: US20170288033A1. Автор: John J. Pekarik,Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Bipolar junction transistor (bjt) structure and related method

Номер патента: US20220173230A1. Автор: Jagar Singh,Alexander M. Derrickson,Alexander L. Martin,Mankyu Yang,Richard F. Taylor, III. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Trench isolation structures and methods for bipolar junction transistors

Номер патента: US20150060950A1. Автор: Marwan H. Khater,Renata Camillo-Castillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Method for manufacturing a bipolar junction transistor

Номер патента: US10468497B2. Автор: Dmitri Alex Tschumakow. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-11-05.

Trench isolation for bipolar junction transistors in bicmos technology

Номер патента: US20140217551A1. Автор: Qizhi Liu,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-07.

Collector-up bipolar junction transistors in bicmos technology

Номер патента: US20140231877A1. Автор: James W. Adkisson,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Method for manufacturing a bipolar junction transistor

Номер патента: US20180061961A1. Автор: Dmitri Alex Tschumakow. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-03-01.

Vertical bipolar junction transistor and method

Номер патента: US11869941B2. Автор: Qizhi Liu,Rajendran Krishnasamy,Sarah A. McTaggart. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20160056231A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Silicon carbide mosfet device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234536A9. Автор: Hui Chen,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor Devices and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20130228866A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huie Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor Devices Having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20180040618A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20180350802A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor devices and manufacturing and design methods thereof

Номер патента: KR20130100660A. Автор: 퉁 잉 리,치-하오 창,웬-훼이 궈,쇼우 젠 창. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2013-09-11.

Bipolar junction transistor with improved avalanche capability

Номер патента: WO2013152003A1. Автор: LIN Cheng,Qingchun Zhang,Anant Kumar Agarwal. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2013-10-10.

Bipolar junction transistor with improved avalanche capability

Номер патента: US20130264581A1. Автор: LIN Cheng,Qingchun Zhang,Anant K. Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-10-10.

Bipolar junction transistor devices

Номер патента: US20120025352A1. Автор: Cheng-Chi Lin,Shuo-Lun Tu,Shih-Chin Lien,Wei-Hsun Hsu,Chin-Pen Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Bipolar junction transistor (BJT) base conductor pullback

Номер патента: US09831328B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Lih-Tien Shyu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Trenched and implanted bipolar junction transistor

Номер патента: US09917180B2. Автор: Anup Bhalla,Leonid Fursin. Владелец: United Silicon Carbide Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Device having bipolar junction transistors and finFET transistors on the same substrate

Номер патента: US11721691B2. Автор: BO Wang,Runzi Chang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Bipolar junction transistor with improved avalanche capability

Номер патента: US9601605B2. Автор: LIN Cheng,Qingchun Zhang,Anant K. Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Electrical performance of bipolar junction transistors

Номер патента: US20210296309A1. Автор: BO Wang,Runzi Chang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Bipolar junction device

Номер патента: US20220216330A1. Автор: Chih Chieh Yeh,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Bipolar junction device

Номер патента: US11289591B1. Автор: Chih Chieh Yeh,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Bipolar junction device

Номер патента: US20230207671A1. Автор: Chih Chieh Yeh,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Bipolar junction transistor and integrated circuit device

Номер патента: US20180277666A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Chung-Hao Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

High voltage device having polysilicon region in trench and fabricating method thereof

Номер патента: US20040183154A1. Автор: Lee-Yeun Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Method of fabricating a bipolar junction transistor using multiple selectively implanted collector regions

Номер патента: US6352901B1. Автор: Kuan-Lun Chang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2002-03-05.

Bipolar junction transistor (bjt) base conductor pullback

Номер патента: US20180047837A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Lih-Tien Shyu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Super self-aligned collector device for mono-and hetero bipolar junction transistors, and method of making same

Номер патента: EP1451876A2. Автор: Stephen Chambers,Richard Green,Mark Bohr,Shahriar Ahmed. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-09-01.

Super self-aligned collector device for mono-and hetero bipolar junction transistors, and method of making same

Номер патента: US20030107106A1. Автор: Stephen Chambers,Richard Green,Mark Bohr,Shahriar Ahmed. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-06-12.

Super self-aligned collector device for mono-and hetero bipolar junction transistors, and method of making same

Номер патента: WO2003050881A2. Автор: Stephen Chambers,Richard Green,Mark Bohr,Shahriar Ahmed. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2003-06-19.

Super self-aligned collector device for homo- and hetero bipolar junction transistors, and method of making same

Номер патента: EP1451876B1. Автор: Stephen Chambers,Mark Bohr,Shahriar Ahmed,Richard c/o INTEL Corporation GREEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-06-22.

High voltage device having polysilicon region in trench and fabricating method thereof

Номер патента: US20020013029A1. Автор: Lee-Yeun Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

High voltage device having polysilicon region in trench and fabricating method thereof

Номер патента: US6706567B2. Автор: Lee-Yeun Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-03-16.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US10153379B2. Автор: Zhe Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180226507A1. Автор: Zhe Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Super self-aligned collector device for mono-and hetero bipolar junction transistors

Номер патента: MY122940A. Автор: Green Richard,BOHR Mark,Chambers Stephen,Ahmed Shahriar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-05-31.

Fin-based lateral bipolar junction transistor with reduced base resistance and method

Номер патента: US11967637B2. Автор: Haiting Wang,Jagar Singh,Ali Razavieh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09882063B2. Автор: LI ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Oxide thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09947796B2. Автор: XIANG Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Bipolar junction device

Номер патента: US11830938B2. Автор: Chih Chieh Yeh,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, display substrate, and display device

Номер патента: US20220223745A1. Автор: ZHI Wang,Jie Huang,Zhengliang Li,ce Ning,Feng Guan,Hehe HU,Jiayu HE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Bipolar junction device

Номер патента: US11600719B2. Автор: Chih Chieh Yeh,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

Bipolar junction device

Номер патента: US20220102537A1. Автор: Chih Chieh Yeh,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Carbon nanotube thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3424082A1. Автор: Guanbao HUI,Fangzhen Zhang,Haiyan Zhao,Xuelei Liang,Jiye XIA,Boyuan TIAN,Qiuping YAN,Lianmao Peng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-09.

Lateral diffused metal oxide semiconductor transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899513B1. Автор: Wei-Chih Lin,Chih-Chia Hsu,Yin-Fu Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170084739A1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Chia-Min Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

High voltage device having polysilicon region in trench and fabricating method thereof

Номер патента: US7301201B2. Автор: Lee-Yeun Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-27.

Carbon nanotube thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180358569A1. Автор: Guanbao HUI,Fangzhen Zhang,Haiyan Zhao,Xuelei Liang,Jiye XIA,Boyuan TIAN,Qiuping YAN,Lianmao Peng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

TFT substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728647B2. Автор: Yue Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09680033B2. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

VERTICAL FERROELECTRIC THIN FILM STORAGE TRANSISTOR AND DATA WRITE AND READ METHODS THEREOF

Номер патента: US20190181147A1. Автор: LIU FU-CHOU. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

Diode-connected bipolar junction transistors and electronic circuits including the same

Номер патента: US9490251B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Diode-connected bipolar junction transistors and electronic circuits including the same

Номер патента: US20150228643A1. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-13.

Bipolar junction transistor

Номер патента: US09978745B2. Автор: Kun-Hsien Lee,Ling-Chun Chou,Kuan-Ti Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Bipolar junction transistor layout

Номер патента: US09780089B2. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Hsiao-Chun LEE,Han-Min Tsai,Shu-Fang Fu,Shou-Chun Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Implementing stress in a bipolar junction transistor

Номер патента: US09608096B1. Автор: Vibhor Jain,James W. Adkisson,Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Wide based high voltage bipolar junction transistor with buried collectors as hybrid igbt building block

Номер патента: US20240222476A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: IPOWER SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2024-07-04.

Electronic circuits including diode-connected bipolar junction transistors

Номер патента: US20170025409A1. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-26.

Self-aligned bipolar junction transistors

Номер патента: US20140284758A1. Автор: Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Electronic circuits including diode-connected bipolar junction transistors

Номер патента: US09806073B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method and system of operating a bi-directional double-base bipolar junction transistor (B-TRAN)

Номер патента: US11888030B2. Автор: John Wood,Alireza MOJAB,Daniel BRDAR,Ruiyang Yu. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Method and system of operating a bi-directional double-base bipolar junction transistor (b-tran)

Номер патента: US20230066664A1. Автор: Alireza MOJAB,Daniel BRDAR,Ruiyang Yu. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Methods and systems of operating a pnp bi-directional double-base bipolar junction transistor

Номер патента: WO2024102546A1. Автор: Jiankang Bu,Ruiyang Yu,R. Daniel BRDAR,Mudit KHANNA. Владелец: Ideal Power Inc.. Дата публикации: 2024-05-16.

Power Semiconductor Device Comprising a Thyristor and a Bipolar Junction Transistor

Номер патента: US20230118951A1. Автор: Tobias Wikstroem. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-04-20.

Method and system of operating a bi-directional double-base bipolar junction transistor (b-tran)

Номер патента: US20220190115A1. Автор: Alireza MOJAB,Daniel BRDAR. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Methods and systems of operating a pnp bi-directional double-base bipolar junction transistor

Номер патента: US20240154029A1. Автор: Jiankang Bu,Ruiyang Yu,R. Daniel BRDAR,Mudit KHANNA. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Method and system of operating a bi-directional double-base bipolar junction transistor (b-tran)

Номер патента: EP4260375A1. Автор: John Wood,Alireza MOJAB,Daniel BRDAR,Ruiyang Yu. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2023-10-18.

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR, BiCOMOS DEVICE INCLUDING SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING BiCMOS DEVICE

Номер патента: US20200357790A1. Автор: Hyun-Jin Kim,Yong-Jin Kim,Sang-Gil Kim,Seung-Hyun EOM. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Bipolar junction transistor exhibiting suppressed kirk effect

Номер патента: CA2124843A1. Автор: James A. Matthews. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-09-02.

Vertical fin-type bipolar junction transistor with self-aligned base contact

Номер патента: US20200152755A1. Автор: Seyoung Kim,Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Vertical fin-type bipolar junction transistor with self-aligned base contact

Номер патента: US20190371900A1. Автор: Seyoung Kim,Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Vertical fin-type bipolar junction transistor with self-aligned base contact

Номер патента: US11139380B2. Автор: Seyoung Kim,Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-05.

Bipolar junction transistor

Номер патента: US20180068998A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Ling-Chun Chou,Kuan-Ti Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Vertical fin-type bipolar junction transistor with self-aligned base contact

Номер патента: US10777648B2. Автор: Seyoung Kim,Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-15.

Self-aligned bipolar junction transistors

Номер патента: US20150008558A1. Автор: Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Bipolar junction transistors with reduced epitaxial base facets effect for low parasitic collector-base capacitance

Номер патента: US20140264341A1. Автор: Marwan H. Khater,Vibhor Jain,Renata Camillo-Castillo,David L. Harame,Vikas K. Kaushal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Implementing stress in a bipolar junction transistor

Номер патента: US20170098699A1. Автор: Vibhor Jain,James W. Adkisson,Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-06.

High holding voltage bipolar junction device

Номер патента: US12068401B2. Автор: Prantik Mahajan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230369460A1. Автор: Chun-Wei Yu,Shao-Wei Wang,Wei-Chung Sun,Kuang-Hsiu Chen,Kuan Hsuan Ku,Chao Nan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Thin film transistor and array substrate, manufacturing methods thereof, and display device

Номер патента: US09882060B2. Автор: Gang Wang,Xiaodi LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Thin Film Transistor and Array Substrate, Manufacturing Methods Thereof, and Display Device

Номер патента: US20170104102A1. Автор: Gang Wang,Xiaodi LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20150348967A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes

Номер патента: EP2877845A1. Автор: Axel Scherer,Stefan Petry,Aditya Rajagopal,Oliver Plettenburg,Chieh-Feng Chang,Charles L. TSCHIRHART. Владелец: Sanofi Inc. Дата публикации: 2015-06-03.

Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes

Номер патента: US20150279949A1. Автор: Axel Scherer,Stefan Petry,Aditya Rajagopal,Oliver Plettenburg,Chieh-Feng Chang,Charles L. TSCHIRHART. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2015-10-01.

Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes

Номер патента: US09966443B2. Автор: Axel Scherer,Stefan Petry,Aditya Rajagopal,Oliver Plettenburg,Chieh-Feng Chang,Charles L. TSCHIRHART. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-05-08.

Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes

Номер патента: US09960238B2. Автор: Axel Scherer,Stefan Petry,Aditya Rajagopal,Oliver Plettenburg,Chieh-Feng Chang,Charles L. TSCHIRHART. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-05-01.

Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes

Номер патента: US20150279948A1. Автор: Axel Scherer,Stefan Petry,Aditya Rajagopal,Oliver Plettenburg,Chieh-Feng Chang,Charles L. TSCHIRHART. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2015-10-01.

Symmetric read operation resistive random-access memory cell with bipolar junction selector

Номер патента: WO2022134870A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie,Heng Wu. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-06-30.

Symmetric read operation resistive random-access memory cell with bipolar junction selector

Номер патента: GB2618233A. Автор: Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman,Xie Ruilong,Wu Heng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Manufacturing method of polysilicon layer, and polysilicon thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150155390A1. Автор: Zuqiang Wang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-04.

Back-channel-etched tft substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190157431A1. Автор: Chunsheng Jiang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Vertical ferroelectric thin film storage transistor and data write and read methods thereof

Номер патента: US20190181147A1. Автор: Fu-Chou Liu. Владелец: Nustorage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Symmetrical lateral bipolar junction transistor and use of same in characterizing and protecting transistors

Номер патента: US09966459B2. Автор: Jagar Singh,Biswanath Senapati. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Lateral bipolar junction transistors on a silicon-on-insulator substrate with a thin device layer thickness

Номер патента: US20160064484A1. Автор: Michael L. Kerbaugh,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Bipolar junction transistors with a link region connecting the intrinsic and extrinsic bases

Номер патента: US20130009280A1. Автор: Marwan H. Khater,Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,Alvin J. Joseph,David L. Harame,Peter B. Gray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-10.

Bipolar junction transistors with a link region connecting the intrinsic and extrinsic bases

Номер патента: US20130147017A1. Автор: Marwan H. Khater,Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,Alvin J. Joseph,David L. Harame,Peter B. Gray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

Bipolar junction transistors with a link region connecting the intrinsic and extrinsic bases

Номер патента: WO2013006277A3. Автор: Marwan H. Khater,Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,Alvin J. Joseph,David L. Harame,Peter B. Gray. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-07.

Conductivity modulation in a silicon carbide bipolar junction transistor

Номер патента: EP2593967A1. Автор: Martin Domeij,Benedetto Buono. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-05-22.

Lateral bipolar junction transistor with abrupt junction and compound buried oxide

Номер патента: US09673307B1. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning,Kevin K. Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Lateral bipolar junction transistor with controlled junction

Номер патента: US09947778B2. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

III-V lateral bipolar junction transistor

Номер патента: US09865714B2. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Fin-based lateral bipolar junction transistor and method

Номер патента: US11888031B2. Автор: Hong Yu,Zhenyu Hu,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Method of junction control for lateral bipolar junction transistor

Номер патента: US9929258B1. Автор: Pouya Hashemi,Tak H. Ning,Kam-Leung Lee,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of junction control for lateral bipolar junction transistor

Номер патента: US20180083125A1. Автор: Pouya Hashemi,Tak H. Ning,Kam-Leung Lee,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Single crystalline extrinsic bases for bipolar junction structures

Номер патента: US10998419B2. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak Ning,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-04.

Highly integrated bipolar junction transistors having trench-based emitter and base regions and methods of forming same

Номер патента: US6100151A. Автор: Kang-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-08-08.

Iii-v lateral bipolar junction transistor on local facetted buried oxide layer

Номер патента: US20200058777A1. Автор: Mahmoud Khojasteh,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Silicon carbide bipolar junction transistors having epitaxial base regions and multilayer emitters and methods of fabricating the same

Номер патента: EP1938384A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sumithra Krishnaswami,Edward Harold Hurt. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-07-02.

Bipolar junction transistor with vertically integrated resistor

Номер патента: GB2616576A. Автор: Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman,Balakrishnan Karthik. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Silicon carbide bipolar junction transistors having epitaxial base regions and multilayer emitters and methods of fabricating the same

Номер патента: US20070235757A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sumithra Krishnaswami,Edward Hurt. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2007-10-11.

Iii-v lateral bipolar junction transistor

Номер патента: US20170294525A1. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

Iii-v lateral bipolar junction transistor on local facetted buried oxide layer

Номер патента: US20200058776A1. Автор: Mahmoud Khojasteh,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Single crystalline extrinsic bases for bipolar junction structures

Номер патента: US20200066876A1. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak Ning,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Memory, semiconductor structure, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230301056A1. Автор: Runping WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Bipolar junction transistors with duplicated terminals

Номер патента: EP4156272A1. Автор: Hong Yu,Shesh Mani Pandey,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-03-29.

Bipolar junction transistors with duplicated terminals

Номер патента: US11749727B2. Автор: Hong Yu,Shesh Mani Pandey,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

A method of manufacturing a silicon bipolar junction transistor, and a bjt

Номер патента: EP4398310A1. Автор: Patrick SEBEL,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-10.

Method of manufacturing a silicon bipolar junction transistor, and a bjt

Номер патента: US20240234552A1. Автор: Patrick SEBEL,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-11.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09647073B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods of making vertical junction field effect transistors and bipolar junction transistors without ion implantation and devices made therewith

Номер патента: CA2762564A1. Автор: LIN Cheng. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2010-12-23.

Vertical junction field effect transistors and bipolar junction transistors

Номер патента: US8587024B2. Автор: LIN Cheng. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2013-11-19.

Bidirectional bipolar junction transistor devices from bonded wide and thick wafers

Номер патента: WO2024123521A1. Автор: Jiankang Bu,Yifan Jiang,Ruiyang Yu,R. Daniel BRDAR. Владелец: Ideal Power Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

Thin bidirectional bipolar junction transistor devices from bonded wide and thick wafers

Номер патента: US20240194736A1. Автор: Jiankang Bu,Yifan Jiang,Ruiyang Yu,R. Daniel BRDAR. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Bipolar junction transistor structures

Номер патента: US20240145466A1. Автор: Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Lateral bipolar junction transistor including a stress layer and method

Номер патента: US11837653B2. Автор: Andreas Knorr,Judson R. Holt,Alvin J. Joseph,Jagar Singh,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Lateral bipolar junction transistor and method

Номер патента: US20220376093A1. Автор: Judson R. Holt,Jagar Singh,Alexander M. Derrickson,Alexander L. Martin,Mankyu Yang,Richard F. Taylor, III. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20160126316A1. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20170213890A1. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-27.

Three-dimensional stackable multi-layer cross-point memory with bipolar junction transistor selectors

Номер патента: US20200381480A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230010950A1. Автор: Yumeng SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Capacitor-less floating-body volatile memory cell comprising a pass transistor and a vertical read/write enable transistor and manufacturing and programming methods thereof

Номер патента: CN101641788B. Автор: 钱德拉·V·穆利,费尔南多·冈萨雷斯. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-08.

Thin Film Transistor and Array Substrate, Manufacturing Methods Thereof, and Display Device

Номер патента: US20170104102A1. Автор: Wang Gang,LIU Xiaodi. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-04-13.

Field effect transistor and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020125510A1. Автор: Atsuo Watanabe,Takasumi Ohyanagi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-09-12.

Vertical bipolar junction transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09666700B2. Автор: Francois Hebert,Ju Ho Kim,Seong Min Cho,Yon Sup PANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Array arrangements of vertical bipolar junction transistors

Номер патента: US20240172455A1. Автор: Hong Yu,Venkatesh Gopinath,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Bipolar junction transistor integrated with pip capacitor and method for making the same

Номер патента: US20100283123A1. Автор: Jian-Bin Shiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-11-11.

Semiconductor Device Structures for Bipolar Junction Transistors and Methods of Fabricating Such Structures

Номер патента: US20080003757A1. Автор: Louis Lu-Chen Hsu,Kangguo Cheng,Jack Allan Mandelman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: CA2632233A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-14.

Bipolar junction transistor, and a method of forming an emitter for a bipolar junction transistor

Номер патента: US20210098574A1. Автор: Edward John Coyne,Breandan Pol Og O Hannaidh,Alan Brannick,Shane Tooher,Catriona Marie O'Sullivan,Shane Patrick Geary. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-04-01.

A bipolar junction transistor, and a method of forming an emitter for a bipolar junction transistor

Номер патента: EP3813126A2. Автор: Edward Coyne,Breandan Pol Og O Hannaidh,Alan Brannick,Shane Tooher,Catriona Marie O'Sullivan,Shane Patrick Geary. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-04-28.

A bipolar junction transistor, and a method of forming an emitter for a bipolar junction transistor

Номер патента: EP3813126A3. Автор: Edward Coyne,Breandan Pol Og O Hannaidh,Alan Brannick,Shane Tooher,Catriona Marie O'Sullivan,Shane Patrick Geary. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-07-21.

Array arrangements of vertical bipolar junction transistors

Номер патента: EP4373236A1. Автор: Hong Yu,Venkatesh Gopinath,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Bipolar junction transistor arrays

Номер патента: EP4373237A1. Автор: Hong Yu,Venkatesh Gopinath,David Pritchard,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Bipolar junction transistor arrays

Номер патента: US20240170560A1. Автор: Hong Yu,Venkatesh Gopinath,David Pritchard,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for fabricating an accumulated-base bipolar junction transistor

Номер патента: US5614424A. Автор: Mong-Song Liang,Shyh-Chyi Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1997-03-25.

Bipolar junction transistor with constricted collector region having high gain and early voltage product

Номер патента: US20210242308A1. Автор: Alexei Sadovnikov,Natalia Lavrovskaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Bipolar junction transistor device and a method of fabricating the same

Номер патента: US6028329A. Автор: Chungpin Liao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2000-02-22.

vertical type bipolar junction transistor and the fabrication method, CMOS image sensor having it and the fabrication method thereof

Номер патента: KR100812079B1. Автор: 임수. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-03-07.

Vertical type bipolar junction transistor and the fabrication method, cmos image sensor having it and the fabrication method thereof

Номер патента: KR20080017743A. Автор: 임수. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-02-27.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: US20120305994A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2012-12-06.

High breakdown voltage wide band-gap mos-gated bipolar junction transistors with avalanche capability

Номер патента: EP2454756A2. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-05-23.

Profile control over a collector of a bipolar junction transistor

Номер патента: US20160104770A1. Автор: Marwan H. Khater,Vibhor Jain,Renata Camillo-Castillo,David L. Harame,Vikas K. Kaushal. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: EP1969617A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2008-09-17.

Lateral bipolar junction transistor device and method of making such a device

Номер патента: US20210273061A1. Автор: Haiting Wang,Tung-Hsing Lee,Zhenyu Hu,Tamilmani Ethirajan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Bipolar junction transistor

Номер патента: US20230352570A1. Автор: Qizhi Liu,Mark D. Levy,Jason E. Stephens,Sarah A. McTaggart,Laura J. Silverstein. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Trench insulated-gate bipolar transistor and manufacture method thereof

Номер патента: US20140346562A1. Автор: Jianxin Ji,Yongsheng Sun,Weiqing Ma,Hongxiang Tang. Владелец: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Vertical transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09577091B2. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Cheng-Hang Hsu,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Operating point optimization with double-base-contact bidirectional bipolar junction transistor circuits, methods, and systems

Номер патента: US09660551B2. Автор: William C. Alexander. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Gated Bipolar Junction Transistors, Memory Arrays, and Methods of Forming Gated Bipolar Junction Transistors

Номер патента: US20190296016A1. Автор: Farid Nemati,Rajesh N. Gupta,Scott T. Robins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

A bipolar junction transistor, and a method of forming an collector for a bipolar junction transistor

Номер патента: EP3800668A1. Автор: Edward Coyne,Breandan Pol Og O Hannaidh,Alan Brannick,Shane Tooher,Catriona Marie O'Sullivan,Shane Geary. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-04-07.

Bipolar junction transistor, and a method of forming a collector for a bipolar junction transistor

Номер патента: US20210098576A1. Автор: Edward John Coyne,Breandan Pol Og O Hannaidh,Alan Brannick,Shane Tooher,Catriona Marie O'Sullivan,Shane Patrick Geary. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-04-01.

High performance isolated vertical bipolar junction transistor and method for forming in a cmos integrated circuit

Номер патента: US20160372376A1. Автор: Amitava Chatterjee,Derek W. Robinson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

High performance isolated vertical bipolar junction transistor and method for forming in a CMOS integrated circuit

Номер патента: US09721849B2. Автор: Amitava Chatterjee,Derek W. Robinson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Forming horizontal bipolar junction transistor compatible with nanosheets

Номер патента: US09991254B1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Circuits, methods, and systems with optimized operation of double-base bipolar junction transistors

Номер патента: US09742395B2. Автор: Richard A. Blanchard,William C. Alexander. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Bipolar junction transistor with gate over terminals

Номер патента: US12051729B2. Автор: Ying-Keung Leung,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Bipolar junction transistor (BJT) comprising a multilayer base dielectric film

Номер патента: US11710783B2. Автор: Jiech-Fun Lu,Chun-Tsung Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Vertical fin bipolar junction transistor with high germanium content silicon germanium base

Номер патента: US20190165128A1. Автор: Seyoung Kim,Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Bipolar junction transistor with gate over terminals

Номер патента: US20240339508A1. Автор: Ying-Keung Leung,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Bipolar junction transistors and p-n junction diodes including stacked nano-semiconductor layers

Номер патента: US20230361112A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Byounghak Hong,Gunho JO,Hyoeun Park,Wookhyun Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09899532B2. Автор: WEI Liu,Chunsheng Jiang,Xuyuan Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Sputtering target and manufacturing method thereof, and oxide thin film, thin film transistor and display device manufacturing method using the target

Номер патента: JP5990167B2. Автор: 公規矢野,矢野　公規,重和笘井,恒太寺井,滋夫松崎,一晃江端,松崎　滋夫. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-07.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US9954070B2. Автор: Gang Wang,Baoxia ZHANG,Yongqian Li,Cuili Gai,Zhongyuan Wu,Kun CAO,Quanhu LI,Longyan Wang,Jingwen Yin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US09954070B2. Автор: Gang Wang,Baoxia ZHANG,Yongqian Li,Cuili Gai,Zhongyuan Wu,Kun CAO,Quanhu LI,Longyan Wang,Jingwen Yin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Circuits, methods, and systems with optimized operation of double-base bipolar junction transistors

Номер патента: GB2536586A. Автор: C Alexander William. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2016-09-21.

Bipolar junction transistor (bjt) base conductor pullback

Номер патента: US20160240636A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Lih-Tien Shyu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Methods of forming bipolar junction transistors having preferred base electrode extensions and transistors formed thereby

Номер патента: US6048773A. Автор: Hee-Seog Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-04-11.

Forming horizontal bipolar junction transistor compatible with nanosheets

Номер патента: US20180261593A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12068416B2. Автор: Xiaobo Hu. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Bipolar junction transistor with gate over terminals

Номер патента: US20230378287A1. Автор: Ying-Keung Leung,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Bipolar junction transistor with gate over terminals

Номер патента: US11843038B2. Автор: Ying-Keung Leung,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US20160197274A1. Автор: Yanzhao Li,Yong Qiao,Long Wang,Yongchun Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Thin film transistor having germanium thin film and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US09704891B2. Автор: Yanzhao Li,Yong Qiao,Long Wang,Yongchun Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Polysilicon thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, display panel

Номер патента: US20160300858A1. Автор: Dong Li,Zheng Liu,Chunping Long,Liang Sun,Xiaoyong Lu,Shuai ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-13.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US09698278B2. Автор: Chunsheng Jiang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09960189B2. Автор: Guangcai Yuan,Chunsheng Jiang,Ce ZHAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Low temperature poly-silicon thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923075B2. Автор: Jian Min. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

MOS Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20090236674A1. Автор: Hyuk Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110084283A1. Автор: Chi-Neng Mo,Huang-Chung Cheng,Ying-Hui Chen,Ta-Chuan Liao,Sheng-Kai Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2011-04-14.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US8143623B2. Автор: Chi-Neng Mo,Huang-Chung Cheng,Ying-Hui Chen,Ta-Chuan Liao,Sheng-Kai Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2012-03-27.

Field effect transistor with spacers and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355898A1. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Trench power transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09876106B2. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Array substrate, manufacturing method thereof, display device, thin-film transistor (TFT) and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818775B2. Автор: Chunping Long,Chien Hung Liu,Jang Soon Im. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09773817B2. Автор: Haipeng Yang,Jaikwang Kim,Zhizhong TU,Yongjun Yoon. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

TFT and manufacturing method thereof, array substrate and manufacturing method thereof, X-ray detector and display device

Номер патента: US09647019B2. Автор: Peng Li,Zongmin Tian,Huichao Gao. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Metal oxide thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210184017A1. Автор: Wei Yu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US20160329356A1. Автор: Yucheng CHAN,Chienhung Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof, display substrate and display device

Номер патента: US20160351724A1. Автор: Xufei Xu,Na Zhao,Gaofei Shi. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Low temperature poly-silicon thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899530B2. Автор: Jinming LI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871123B2. Автор: Chih-Jung Wang,Tong-Yu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Thin film transistor array substrate and manufacture method thereof

Номер патента: US09806106B2. Автор: Xiaowen LV. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Low temperature poly-silicon thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09882057B2. Автор: Hui Tian. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Ferroelectric stacked-layer structure, field effect transistor, and ferroelectric capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20090152607A1. Автор: Hiroyuki Tanaka,Yukihiro Kaneko,Yoshihisa Kato. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130187197A1. Автор: Woo Jin Chang,Ho Kyun Ahn,Sung Bum Bae,Chull Won JU,Young Rak PARK,Jae Kyoung Mun,Eun Soo Nam,Dong Min Kang,Sang-Heung Lee,Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Seong-Il Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-07-25.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US9620647B2. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Wenhui Li,Chih-yu Su,Zhiyuan ZENG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160343877A1. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Wenhui Li,Chih-yu Su,Zhiyuan ZENG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Lateral double-diffused transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100741B2. Автор: YANG LU,Guangtao Han,Weiwei Ge. Владелец: Joulwatt Technology Hangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Dual-gate TFT array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966450B2. Автор: Shimin Ge. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711606B1. Автор: Yen-Yu Huang,Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Thin film transistor, array substrate, display device and manufacturing method of the thin film transistor and array substrate

Номер патента: US09711580B2. Автор: LI ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09634148B2. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Wenhui Li,Chih-yu Su,Zhiyuan ZENG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Array substrate, display device, thin film transistor, and array substrate manufacturing method

Номер патента: WO2019210776A1. Автор: 刘宁. Владелец: 合肥鑫晟光电科技有限公司. Дата публикации: 2019-11-07.

Bidirectional conduction trench gate power mos device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230170411A1. Автор: Dong Fang,Bo Zhang,Yong Chen,Ming Qiao,Wenliang LIU,Fabei ZHANG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2023-06-01.

Thin film transistor (tft) array substrates and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20180331132A1. Автор: Mian Zeng,Xiaodi LIU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Oxide thin-film transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210359133A1. Автор: Ming-Jiue Yu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09660042B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Oxide semiconductor having ohmic junction structure, thin-film transistor having same, and manufacturing methods therefor

Номер патента: US20240120379A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Ho Jae Lee. Владелец: Iucf Hyu Industry University Cooperation Hanyang Foundation University. Дата публикации: 2024-04-11.

Thin film transistor and a manufacturing method thereof, array substrate and a manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US9773813B2. Автор: Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Manufacturing methods of thin film transistors and manufacturing methods of array substrates

Номер патента: US20180301481A1. Автор: Xiaolong CAI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Manufacturing method of polysilicon semiconductor layer,thin film transistor and manufacturing method

Номер патента: US20200006524A1. Автор: Ming-Jen Lu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Thin film transistor and a manufacturing method thereof, array substrate and a manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US20160141311A1. Автор: Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150340492A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-11-26.

Display substrate and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US11728416B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US20220302305A1. Автор: Nailong He. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140187003A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-07-03.

High reliability field effect power device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780176B2. Автор: Hyun Wook Jung,Ho Kyun Ahn,Chull Won JU,Jong Min Lee,Dong-Young Kim,Dong Min Kang,Sang-Heung Lee,Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Hae Cheon Kim,Seong-Il Kim,Byoung-Gue Min,Kyu Jun CHO,Jae Won DO. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-10-03.

Fabricating Bipolar Junction Select Transistors For Semiconductor Memories

Номер патента: US20100155894A1. Автор: Fabio Pellizzer,Giorgio Servalli,Agostino Pirovano,Augusto Benvenuti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-24.

A method of fabricating a bipolar junction transistor

Номер патента: WO1996010839A1. Автор: Rick C. Jerome,Ian R. C. Post. Владелец: UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 1996-04-11.

Darlington pair bipolar junction transistor sensor

Номер патента: EP4420166A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Vertically stacked cascode bipolar junction transistor (bjt) pair sensor

Номер патента: US20230260990A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Lateral bipolar junction transistor with dual base region

Номер патента: US20190371923A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Method for modeling excess current in irradiated bipolar junction transistors

Номер патента: US11017143B2. Автор: Hugh James Barnaby,Philippe Adell,Blayne Tolleson. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2021-05-25.

Method for modeling excess current in irradiated bipolar junction transistors

Номер патента: US20180341733A1. Автор: Hugh James Barnaby,Philippe Adell,Blayne Tolleson. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2018-11-29.

Method for manufacturing a bipolar junction transistor

Номер патента: US20020039815A1. Автор: Samuel Nawaz,Jeffrey Brighton. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-04-04.

Anti-fuse nonvolatile memory devices employing lateral bipolar junction transistors as selection transistors

Номер патента: US20170271346A1. Автор: Kwang Il Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Darlington pair bipolar junction transistor sensor

Номер патента: WO2023066637A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak Ning. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-04-27.

Method and system of operating a bi-directional double-base bipolar junction transistor (B-TRAN)

Номер патента: US11804835B2. Автор: Alireza MOJAB. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Bipolar junction transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US10600894B2. Автор: Sinan Goktepeli,Plamen Vassilev Kolev,Peter Graeme Clarke. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-03-24.

Construction and optical control of bipolar junction transistors and thyristors

Номер патента: WO2015179718A1. Автор: William C. Nunnally. Владелец: APPLIED PHYSICAL ELECTRONICS, L.C.. Дата публикации: 2015-11-26.

Self aligned compact bipolar junction transistor layout and method of making same

Номер патента: US20030219939A1. Автор: Stephen Chambers,Anand Murthy,Richard Green,Mark Bohr,Shahriar Ahmed. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-27.

Self aligned compact bipolar junction transistor layout, and method of making same

Номер патента: US20030109108A1. Автор: Stephen Chambers,Anand Murthy,Richard Green,Mark Bohr,Shahriar Ahmed. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-06-12.

Self aligned compact bipolar junction transistor layout, and method of making same

Номер патента: MY122957A. Автор: Murthy Anand,Green Richard,BOHR Mark,Chambers Stephen,Ahmed Shahriar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-05-31.

Self aligned compact bipolar junction transistor layout, and method of making same

Номер патента: EP1451864A2. Автор: Stephen Chambers,Anand Murthy,Richard Green,Mark Bohr,Shahriar Ahmed. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-09-01.

Bipolar junction transistor (bjt) comprising a multilayer base dielectric film

Номер патента: US20210134988A1. Автор: Jiech-Fun Lu,Chun-Tsung Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Bipolar Junction Transistor Having a Carrier Trapping Layer

Номер патента: US20110260292A1. Автор: Chrong-Jung Lin,Yi-Hung Tsai,Ya Chin King. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Symmetrical bipolar junction transistor array

Номер патента: US20150348844A1. Автор: Chung H. Lam,Tak H. Ning,Jin Cai,Sangbum Kim,Matthew J. BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Self aligned compact bipolar junction transistor layout, and method of making same

Номер патента: WO2003050876A2. Автор: Stephen Chambers,Anand Murthy,Richard Green,Mark Bohr,Shahriar Ahmed. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2003-06-19.

Isolated gate field effect transistor and manufacture method thereof

Номер патента: US09722064B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Mask, manufacturing method thereof and manufacturing method of a thin film transistor

Номер патента: US09741828B2. Автор: Rui Xu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US12094958B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Array substrate and manufacturing method thereof, display panel, and display device

Номер патента: EP3796385A1. Автор: Zhen Zhang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-24.

Organic thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate

Номер патента: US10050200B2. Автор: Qiang SHI,Honhang FONG,Yingtao Xie,Shihong OUYANG,Shucheng CAI,Ze Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

Organic thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate

Номер патента: US9728723B2. Автор: Qiang SHI,Honhang FONG,Yingtao Xie,Shihong OUYANG,Shucheng CAI,Ze Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Solid-state imaging element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240313013A1. Автор: Yosuke Saito,Kenichi Murata,Fumihiko Koga,Shintarou HIRATA,Iwao Yagi,Masahiro Joei,Hideaki Togashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Organic Thin Film Transistor and Manufacturing Method Thereof, Array Substrate

Номер патента: US20170294584A1. Автор: Qiang SHI,Honhang FONG,Yingtao Xie,Shihong OUYANG,Shucheng CAI,Ze Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, display substrate and display device

Номер патента: US09773917B2. Автор: Jiangbo Chen,Dongfang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Organic thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate

Номер патента: US09728723B2. Автор: Qiang SHI,Honhang FONG,Yingtao Xie,Shihong OUYANG,Shucheng CAI,Ze Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Array substrate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US11133363B2. Автор: WEI YANG,Ke Wang,ce Ning,Hehe HU,Xinhong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-28.

Optical sensor and manufacturing method thereof, display device and display apparatus

Номер патента: US20200251537A1. Автор: Ling Wang,Pan Xu,Zhen Song,Cuili Gai,Yicheng Lin,Guoying Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Array substrate and manufacturing method thereof and display panel

Номер патента: US12074174B2. Автор: Jiangbo Yao,Chuanbao LUO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Thin film transistor comprising light shielding layers, array substrate and manufacturing processes of them

Номер патента: US09978876B2. Автор: Youngsuk Song,Hongda Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Complementary thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966415B2. Автор: Mian Zeng,Shengdong Zhang,Hsiangchih Hsiao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Array substrate and manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US09966389B2. Автор: FAN LI,Yang Wang,Yue Long. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Array substrate and manufacturing method thereof, and touch display device

Номер патента: US09619063B2. Автор: Cheng Li,Seongjun An,Xueguang HAO,Xiangdong WEI,Bongyeol Ryu. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Thin film transistor structure and manufacturing method thereof, circuit structure, display substrate and display device

Номер патента: US20210257393A1. Автор: MENG Li,Pan Xu,Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan,Xuehuan Feng,Zhenfei Cai. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Electroluminescence display apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991312B1. Автор: Jungchul Kim,JunYoung KWON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Printed circuit, thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09867273B2. Автор: Yu-Hsuan Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device, thin-film transistor (tft) and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160027807A1. Автор: Jiaxiang ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-28.

Organic semiconductor element, manufacturing method thereof, compound, composition for forming organic semiconductor film, organic semiconductor film, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09932441B2. Автор: Tetsu Kitamura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device, thin-film transistor (TFT) and manufacturing method thereof

Номер патента: US09653484B2. Автор: Jiaxiang ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Thin film semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030027405A1. Автор: Hisao Hayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Displaying base plate and manufacturing method thereof, and displaying device

Номер патента: US20240162247A1. Автор: Zheng Fang,Zhen Zhang,Zhenyu Zhang,Fuqiang Li,Lizhong Wang,Chenyang ZHANG,ce Ning,Jiahui HAN,Yawei Wang,Chengfu XU,Yunping DI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Array substrate and manufacturing method therefor, and display device

Номер патента: US20210288082A1. Автор: Tingting Zhou,Bin Zhang,Xiaolong He,Yu Cheng Chan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

C-axis aligned crystalline igzo thin film and manufacture method thereof

Номер патента: US20190153595A1. Автор: Xuanyun Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Array substrate and manufacture method thereof

Номер патента: US09804459B2. Автор: Liwang Song. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Pixel array structure having doped active layer with uneven thickness and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09985140B2. Автор: Tiansheng Li. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Thin-film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09876037B2. Автор: Xiaowen LV,Chihyu SU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728403B2. Автор: YUAN Guo,Chao He,Juan Li,Guoqiang Tang,Yuxia Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and display device

Номер патента: US09651839B2. Автор: Xiaojing QI,Like HU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Field effect transistor and manufacturing method therefor, and switching circuit and circuit board

Номер патента: EP4300549A1. Автор: Yuhua Zhang,Xingfei Ke,Mingtao Zhou,Mengqi Yang,Gaochao XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Memory device, and manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: US20230232635A1. Автор: Shuai Guo,Shijie BAI,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1817796A1. Автор: Hiroko Abe,Mikio c/o Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd YUKAWA,Ryoji c/o Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd NOMURA,Satoshi Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd SEO,Shunpei c/o Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. YAMAZAKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-15.

Polycide gate stucture and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050148120A1. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Stacked neural device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12096627B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Oled drive circuit and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20190213954A1. Автор: Xiaodong GUO. Владелец: Changchun Flexible Display Technology Co ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Display substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170038622A1. Автор: Tiansheng Li. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865619B2. Автор: Peng Du,Cong Wang,Xiaoxiao Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09847396B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Daisuke Kawae. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Display substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09791758B2. Автор: Tiansheng Li. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Micro electro mechanical device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100133537A1. Автор: Konami Izumi,Mayumi Yamaguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-03.

Micro electro mechanical device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130307030A1. Автор: Mayumi Yamaguchi,Konmai Izumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-21.

Micro electro mechanical device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8030651B2. Автор: Konami Izumi,Mayumi Yamaguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899405B2. Автор: Yong Min Yoo,Young Jae Kim,Seung Woo Choi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-20.

Micro electro mechanical device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120080727A1. Автор: Konami Izumi,Mayumi Yamaguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-05.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040159878A1. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US6972455B2. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-06.

Buried gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230140073A1. Автор: GuangSu SHAO,Yong Gun KIM,Cheong Soo Kim,Xianrui HU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Electrically conductive structure and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US10204931B2. Автор: Na Zhao. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160247814A1. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor structure including gate structure including barrier layer and conductive layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12113111B2. Автор: Chuyu WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09576972B2. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Sensor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190285499A1. Автор: Hiroki IKESHO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230007974A1. Автор: Tzung-Han Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Array substrate wiring and the manufacturing and repairing method thereof

Номер патента: US9666609B2. Автор: Chao Liu,Lei Chen,Yujun Zhang,Zengsheng He. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

DISPLAY CONTROL CIRCUIT AND DRIVING METHOD THEREOF, DISPLAY PANEL AND MANUFACTURING AND CONTROLLING METHODS THEREOF

Номер патента: US20200043963A1. Автор: HU Weipin,BU Qianqian. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Array substrate and manufacturing and repairing method thereof, display device

Номер патента: US20160013211A1. Автор: Jaikwang Kim,Yongjun Yoon. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Display device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: US20160043107A1. Автор: Jin Seob Park,Jun Su Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Touch Glasses-Free Grating 3D Display Device and Manufacturing and Control Methods Thereof

Номер патента: US20170048516A1. Автор: Dong Xue,Wang Haisheng,Ding Xiaoliang,Yang Shengji,ZHAO Wenqing,Xue Hailin. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING AND TESTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20150155212A1. Автор: KIM Jun Su,PARK Jin Seob. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

Gas sensor chip with dielectric multi-layer, and manufacturing and sensing method thereof

Номер патента: KR100927379B1. Автор: 조민석,정호철,김영섭,진성일,장성우,박찬량,항 최. Владелец: 박찬량. Дата публикации: 2009-11-19.

High-brightness LED with surface microstructure and manufacturing and screening method thereof

Номер патента: CN103872203A. Автор: 吴超瑜,王笃祥,吴俊毅,陶青山,卢怡安,蔡坤煌. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-18.

Display device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: EP2878996B1. Автор: Jin Seob Park,Jun Su Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-29.

Substrate and manufacturing and application method thereof

Номер патента: WO2013083007A1. Автор: 梁秉文. Владелец: 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司. Дата публикации: 2013-06-13.

Liquid crystal display device and manufacturing and repairing methods thereof

Номер патента: US20110037934A1. Автор: Dae Young Seok,Mon Soo Kang,Hyun Jeong Lee,Jae Ho YOON,Dong Chun KANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

Solid State Image Sensing Device and Manufacturing and Driving Methods Thereof

Номер патента: US20070134836A1. Автор: Masaki Funaki. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

Display device such as electro-optic element and thin film transistor and display device manufacturing method

Номер патента: US6674106B2. Автор: Tsutomu Tanaka,Minoru Nakano,Masahiro Fujino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-01-06.

Circuit and device including a transistor and diode

Номер патента: US20240250683A1. Автор: Roger Light,David Summerland,Luke Knight. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Bipolar junction transistor and cmos image sensor having the same

Номер патента: US20080048222A1. Автор: Su Lim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

Memory cells with darlington pair bipolar junction transistor selector devices

Номер патента: US20240196628A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Praneet Adusumilli,Fabio Carta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

High-gain pnp bipolar junction transistor in a cmos device and method for forming the same

Номер патента: US20020036333A1. Автор: Wen-Ying Wen,Shyh-Chyi Wong. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-03-28.

Nonvolatile bipolar junction memory cell

Номер патента: US09711718B1. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Circuit and device including a transistor and diode

Номер патента: US11929741B2. Автор: Roger Light,David Summerland,Luke Knight. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor devices comprising failure detectors for detecting failure of bipolar junction transistors and methods for detecting failure of the bipolar junction transistors

Номер патента: US20230296661A1. Автор: DongHun Heo,Cheolhwan LIM,Himchan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Sensors including complementary lateral bipolar junction transistors

Номер патента: US20170110492A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Tak H. Ning,Michael S. Gordon,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Control circuits of collector current of substrate bipolar junction transistors and circuits of compensating for base current for generating a proportional to absolute temperature (PTAT) voltage using the control circuits

Номер патента: US09912330B2. Автор: Sang Won Lee,Hee Jun Kim,Hang Geun Jeong. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chonbuk National University. Дата публикации: 2018-03-06.

Sensors including complementary lateral bipolar junction transistors

Номер патента: US09659979B2. Автор: Kenneth P. Rodbell,Tak H. Ning,Michael S. Gordon,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Bipolar junction transistor (bjt) structure

Номер патента: US20240128262A1. Автор: Shih-Chuan CHIU,Zheng Zeng,Chia-Hsin Hu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Common base lateral bipolar junction transistor circuit for an inkjet print head

Номер патента: EP2237957A1. Автор: Rohit Gupta,Adam Ghozeil,Bee Peh. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2010-10-13.

Three-dimensional stackable multi-layer cross-point memory with single-crystalline bipolar junction transistor selectors

Номер патента: US20200381481A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

High speed bipolar junction transistor for high voltage applications

Номер патента: US20150249085A1. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-03.

Bipolar junction transistor (bjt) for liquid flow biosensing applications without a reference electrode and large sensing area

Номер патента: US20190207011A1. Автор: Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Tak H. Ning,Sufi Zafar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Charge sensors using inverted lateral bipolar junction transistors

Номер патента: US9170338B2. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Sufi Zafar,Jeng-Bang Yau. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-27.

Semiconductor devices comprising failure detectors for detecting failures of bipolar junction transistors

Номер патента: EP4246155A1. Автор: DongHun Heo,Cheolhwan LIM,Himchan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-20.

Resistive memory elements accessed by bipolar junction transistors

Номер патента: US20240147736A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Alexander Derrickson,Hongru Ren. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Method and system of current sharing among bidirectional double-base bipolar junction transistors

Номер патента: US20210384900A1. Автор: Alireza MOJAB. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Detection substrate and manufacturing method thereof, flat panel detector and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230378100A1. Автор: Ye Zhang,Bin Zhao,Jinyu Li,Chuncheng CHE,Shuai Xu,Binbin Xu,Xuecheng Hou. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Control circuits of collector current of substrate bipolar junction transistors and circuits of compensating for base current for generating a proportional to absolute temperature (ptat) voltage using the control circuits

Номер патента: US20180006642A1. Автор: Sang Won Lee,Hee Jun Kim,Hang Geun Jeong. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chonbuk National University. Дата публикации: 2018-01-04.

Invisible light flat plate detector and manufacturing method thereof, imaging apparatus

Номер патента: US09705024B2. Автор: FENG Jiang,Xingdong LIU,Chungchun LEE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

A circuit and device including a transistor and diode

Номер патента: EP4250569A3. Автор: Roger Light,David Summerland,Luke Knight. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

A circuit and device including a transistor and diode

Номер патента: EP3804138A1. Автор: Roger Light,David Summerland,Luke Knight. Владелец: Seach For Next Ltd. Дата публикации: 2021-04-14.

A Circuit and Device Including a Transistor and Diode

Номер патента: WO2019229432A1. Автор: Roger Light,David Summerland,Luke Knight. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Display apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190229133A1. Автор: Chin-Tang LI. Владелец: Gio Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

A circuit and device including a transistor and diode

Номер патента: EP4250569A2. Автор: Roger Light,David Summerland,Luke Knight. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Separation type unit pixel having 3d structure for image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2006109937A9. Автор: Do Young Lee. Владелец: Do Young Lee. Дата публикации: 2007-11-15.

Separation type unit pixel having 3d structure for image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1869706A1. Автор: Do Young Lee. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2007-12-26.

Double-sided display substrate and manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US09825113B2. Автор: Kun Li. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Pixel driving circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210225971A1. Автор: Mingjun Liu,Tan WANG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Tft array substrate and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US20180197896A1. Автор: NI YANG,WEI Hu,Xin Liu,Shaoru LI,Zhijian Qi,Keke Gu,Yusong HOU. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Pixel structure of liquid crystal display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09791756B2. Автор: Sikun HAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Organic light emiting transistor and manufacturing method thereof, display panel and electronic device

Номер патента: US20210359280A1. Автор: Li Xiao,LIANG Chen,MING Yang,Lei Wang,MINGHUA XUAN,Xiaochuan Chen,Dongni LIU,Detato ZHAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240237404A9. Автор: Chen Xu,Dachao Li,Shengji Yang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Display substrate and manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US12041826B2. Автор: Tian Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Flexible display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210375947A1. Автор: Jing Huang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Detection substrate and manufacturing method thereof, and detector

Номер патента: US09947713B2. Автор: Lei Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Array substrate, display panel, display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09933645B2. Автор: Jun Ma,Qijun Yao,Xingyao Zhou. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Organic light-emitting diode display and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865667B2. Автор: Seung Gyu Tae,Elly Gil. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Transparent display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09645434B2. Автор: Won-Ho Lee,Tae-Han Kim,Ju-Un Park. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

thermally stable bicmos fabrication method and bipolar junction trnasistors formed according to the method

Номер патента: US20100273301A1. Автор: VENKAT RAGHAVAN,Arun K. Nanda,Nace Rossi. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2010-10-28.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240138189A1. Автор: Chen Xu,Dachao Li,Shengji Yang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display deviceice

Номер патента: US20210223644A1. Автор: Jun Wu,Jianjun Wang,Qi SANG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Metal mesh array and manufacturing method thereof, thin film sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240211082A1. Автор: Feng Qu,Kui Liang. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12120914B2. Автор: Chen Xu,Dachao Li,Shengji Yang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818645B2. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-11-14.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US09685467B2. Автор: Hao Wu,Hong Zhu,Jing Xue,Ziwei Cui,Hongjun Yu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor element and operating method thereof

Номер патента: US8867284B2. Автор: Chin-Fu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-10-21.

Touch display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US11747937B2. Автор: Chingyuan CHENG,Dongchen Huang. Владелец: Huizhou China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Touch display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230097945A1. Автор: Chingyuan CHENG,Dongchen Huang. Владелец: Huizhou China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor thin-film and manufacturing method thereof, thin-film transistor, and display apparatus

Номер патента: US20190067609A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2019-02-28.

Array substrate and manufacturing method thereof, and display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210217837A1. Автор: Qi Yao,Zhiwei Liang,Yingwei Liu,Renquan Gu,Wusheng Li,Muxin DI,Jaiil Ryu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Circuit-board component and manufacturing method thereof, and light-emitting component and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230073554A1. Автор: Feng Zhai,Chun-Lung Hsiao. Владелец: Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Encapsulant film and manufacturing method thereof, solar cell module and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4235812A1. Автор: Xinwei NIU,Hongyue CHEN,Yanfang Zhou. Владелец: JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Through substrate via structure and manufacturing method thereof, redistribution layer structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087665B2. Автор: Hsiang-Hung Chang,Wei-Lan Chiu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-09-10.

Manufacturing method of via-hole connection structure, array substrate and manufacturing method thereof, display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210351353A1. Автор: HUI Wang,Xiaochuan Chen,Pengcheng LU,Shengji Yang,Kuanta HUANG,Yanming Wang,Weihai WANG,Guohong QIN,Jiantong LI,Yage SONG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Skin-conformable biosignal monitoring sensor by applying organic-inorganic hybrid photo transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220255028A1. Автор: Byung Ha Kang,Hyun Jae Kim,Hyung Tae Kim,Kyung Ho Park,Jin Hyeok LEE. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2022-08-11.

Conductive flexible substrate and manufacture thereof, and OLED display device and manufacture method thereof

Номер патента: US09634269B2. Автор: Yifan Wang,Qinghua Zou,Taipi Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Mid-infrared light emitting diode and manufacturing method thereof, silicon photonic circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220140187A1. Автор: Chang-Hua Liu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-05-05.

Array substrate and manufacturing method thereof, display panel, and display device

Номер патента: US20240237406A1. Автор: Yong Yuan. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Chip scale light-emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220115557A1. Автор: Seunghyun Oh,Sungsik JO,Pyoynggug KIM. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Manufacturing Method of Via Hole, Display Substrate, and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20190311943A1. Автор: Wenlong Wang,Ke Cao,Chengshao Yang,Yunhai Wan. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Chip scale light-emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12015101B2. Автор: Seunghyun Oh,Sungsik JO,Pyoynggug KIM. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Chip scale light-emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240304750A1. Автор: Seunghyun Oh,Sungsik JO,Pyoynggug KIM. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Array substrate comprising separating region and manfacturing method thereof,display apparatus

Номер патента: US09905591B2. Автор: Tao Wu,Chun Li,Hongwei Sun,Yanming Wang,Ruitao Song. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US09721883B1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Wen-Lung Lai,Shiu-Ko Jangjian,Chen-Chieh Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Backlight module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240280855A1. Автор: Chien-Tzu Chu,Chao-Chin Sung,Chueh-Yuan NIEN,Chao-Sen Yang. Владелец: Carux Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20020158277A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Pixel circuit, display device using the same and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240177654A1. Автор: Younghyun Kim,Taewon Jin,Taehyeon Noh,Seoungmin Park. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-30.

Quantum dot color filter substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09817264B2. Автор: Dongze Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Array substrate and manufacturing method and display panel

Номер патента: US12148758B2. Автор: WENXU Xianyu,Hui Zheng,Can Huang,Haiyan Shen,Chunpeng Zhang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Quantum dot color filter substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170254933A1. Автор: Dongze Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Release film for semiconductor package, manufacturing method thereof, and manufacturing method of semiconductor package using the same

Номер патента: US20240222146A1. Автор: Jeong-Eun Lee,Goan-Hee Yoon. Владелец: Siltech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4333082A1. Автор: Chaohui LIN,Kairui LIN. Владелец: Gold Stone Fujian Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4333083A1. Автор: Chaohui LIN,Kairui LIN. Владелец: Gold Stone Fujian Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Solar cell string, string group, module, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210257506A1. Автор: Hongyue CHEN,Yanfang Zhou. Владелец: Jingao Solar Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Array substrate and manufacturing method thereof, as well as display device

Номер патента: US20160247829A1. Автор: Jinzhong Zhang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US20200401005A1. Автор: Xinjie Zhang,Chengwei Liu. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9881931B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Array substrate and manufacturing method thereof, as well as display device

Номер патента: US9646998B2. Автор: Jinzhong Zhang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Electronic device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240275024A1. Автор: Ying-Jen Chen,Yan-Zheng WU. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for forming a thin-film layer pattern, display substrate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20160020231A1. Автор: Ming Tian,Junwei Wang,Liyan XU. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

Array substrate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09958748B2. Автор: Bo Feng,Yu Ma. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof

Номер патента: US09917279B2. Автор: Seung-Yong Song,Cheol Jang,Jin-Kwang Kim,Seung-Hun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09881931B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

OLED display device comprising an insulative layer of varying thickness and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773851B2. Автор: Hejing ZHANG,Chihyu SU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Light emitting device and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09748513B2. Автор: Changyan WU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Array substrate and manufacturing method thereof, as well as display device

Номер патента: US09646998B2. Автор: Jinzhong Zhang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Solid-state imaging device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620552B2. Автор: Kazuichiro Itonaga. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Highly Reliable Nonvolatile Memory and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20150349253A1. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yinglong Huang,Muxi Yu,Wenliang Bai. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-12-03.

Sensor packaging structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180366381A1. Автор: Yangyuan LI,Shaobo DING. Владелец: Microarray Microelectronics Corp ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Ceramic wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240246258A1. Автор: Yan-Kai Zeng,Bai-Xuan Jiang,Rui-Feng Jiang. Владелец: Hong Chuang Applied Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Pattern of a flim layer including aluminum, and manufacturing method and aftertreatment method thereof

Номер патента: US20190062925A1. Автор: Jihoon Lee,Soondong LEE,Xiaodi Huo,Guote Wu. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Photovoltaic cell module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355948A1. Автор: Yaolun HUANG. Владелец: Cando Solarphotoelectric Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

OLED display device and manufacture method thereof

Номер патента: US09893132B2. Автор: Yifan Wang,Longqiang Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Wafer rewiring double verification structure, and manufacturing method and verification method thereof

Номер патента: US20240079271A1. Автор: Wenjie Huang. Владелец: Hefei Chipmore Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160358946A1. Автор: Bing Han,Zuomin Liao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Board on chip package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070210439A1. Автор: Myung-Sam Kang,Jung-Hyun Park,Chang-Sup Ryu,Ji-Eun Kim,Hoe-Ku Jung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Wireless communication module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150044976A1. Автор: Hyung Goo BAEK. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Display panel motherboard and manufacturing method thereof

Номер патента: US09730331B2. Автор: PENG Shen,Guang Yang,Yanming Wang. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Array substrate with high qualified rate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09716114B2. Автор: Bing Han,Zuomin Liao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222266A1. Автор: Xiaoling Wang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Light emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220216383A1. Автор: Ming-Chang Lin. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240186469A1. Автор: Hongzhao Deng. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Electronic device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240233590A9. Автор: Kai Cheng,Tsau-Hua Hsieh,Ming-Chang Lin,Fang-Ying Lin. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Photoresist structure, patterned deposition layer, semiconductor chip and manufacturing method thereof

Номер патента: US12040188B2. Автор: Shengyu ZHANG,Wenlong Zhang,Yarui ZHENG. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Light conversion substrate and manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US20200203584A1. Автор: Dong Wei,Xiaolong Yang,Jiantai WANG,Rubo Xing,Huashan CHEN. Владелец: Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Electronic device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240135846A1. Автор: Kai Cheng,Tsau-Hua Hsieh,Ming-Chang Lin,Fang-Ying Lin. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Array substrate and manufacturing method therefor and display device

Номер патента: EP3696600A1. Автор: Lu Yang,Fang Yan,Lei Yan,Lei Yao,Wentao Wang,Haifeng Xu,Jinfeng Wang,Dawei Shi,Zifeng Wang,Lin Hou,Jinjin XUE,Xiaowen SI. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-19.

Electronic component package and manufacturing method thereof

Номер патента: US8779580B2. Автор: Jae-Cheon Doh,Joon-Seok Kang,Sung Yi,Sun-Kyong Kim,Jong-Hwan Baek,Do-Jae Yoo. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-15.

Composite layer circuit element and manufacturing method thereof

Номер патента: US11764077B2. Автор: Cheng-Chi Wang,Chuan-Ming Yeh,Kuo-Jung Fan,Heng-Shen Yeh. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220077422A1. Автор: Changming XIANG. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Heating vessel of detecting and preventing leakage of high temperature metal material and manufacture method thereof

Номер патента: US20150333298A1. Автор: Xindi Zhang,Youyuan Kuang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Solar cell and manufacturing method thereof, photovoltaic module, and photovoltaic system

Номер патента: EP4407696A2. Автор: Daming Chen,Guangtao YANG,Binglun HAN. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230061921A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Opto-electronic apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170170160A1. Автор: Yung-Yu Yen. Владелец: Ultra Display Technology Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Printed circuit board and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090294162A1. Автор: Jaewoo Joung,Kyoung-Jin JEONG,Rowoon Lee,Kwansoo Yun. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080073798A1. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240079505A1. Автор: Chaohui LIN,Kairui LIN. Владелец: Gold Stone (fujian) Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and backlight module

Номер патента: US20220310660A1. Автор: Qi Qi,Ke Wang,Guocai ZHANG,Jianguo Wang,Zhiwei Liang,Zhanfeng CAO,Xinhong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Chip packaging structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190189541A1. Автор: Xiaochun Tan. Владелец: Hefei Smat Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-20.

Display panel with grooves and manufacturing method thereof

Номер патента: US12068214B2. Автор: Peng Hu,Yanqiang DUAN,Congcong JIANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210151349A1. Автор: Nianheng ZHANG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor chips, semiconductor packages, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20240170334A1. Автор: Hyun Chul Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12094720B2. Автор: Chung-Yen Chou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Group-III-nitride structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US12095002B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US12107187B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Solar cell and manufacturing method thereof, photovoltaic module, and photovoltaic system

Номер патента: US20240363776A1. Автор: Daming Chen,Guangtao YANG,Binglun HAN. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Flexible organic light emitting diode display and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200052230A1. Автор: Jiangjiang JIN,Hsianglun HSU. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and display device

Номер патента: US09958747B2. Автор: Huibin Guo,Yao Liu,Jinchao BAI,Xiangqian Ding. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Recess structure for print deposition process and manufacturing method thereof

Номер патента: US09954170B2. Автор: Yawei Liu,Tsungyuan Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Array substrate and manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09911766B2. Автор: Yong Chen,Tianlei Shi,Zailong Mo,Seungyik Park. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Flexible OLED and manufacture method thereof

Номер патента: US09859521B2. Автор: Tao Sun,Wen Shi,Shimin Ge,Wenhui Li,Yanhong Meng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Opto-electronic apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US09831228B2. Автор: Yung-Yu Yen. Владелец: Ultra Display Technology Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Thin heat pipe structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09802240B2. Автор: Hsiu-Wei Yang. Владелец: Asia Vital Components Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Display device, thin film transistor, array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09754979B2. Автор: JING Yang,Xuehui Zhang,ce Ning. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Frameless display device with concealed drive circuit board and manufacturing method thereof

Номер патента: US09741964B2. Автор: Wenhui Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Mask plate, organic light-emitting diode (OLED) transparent display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09627645B2. Автор: Hao Wu,Jing Xue,Ziwei Cui,Yanyan Yin,Hongyan Xing. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Light emitting diode module structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09559277B2. Автор: Wei-Chen Liang,Pin Chang. Владелец: Wisetop Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Flexible display panels and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20180294439A1. Автор: Hsiang Lun Hsu,Jiangjiang JIN,Simin PENG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Array Substrate and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20210257391A1. Автор: Zhihai ZHANG,Kui Gong,Xianxue Duan,Biliang Dong. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Tungsten-including diamond-like carbon film and manufacturing method thereof, and dental device manufactured by the method

Номер патента: US20060280947A1. Автор: Kwang-Ryeol Lee,Ai-Ying Wang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2006-12-14.

Electrically conductive device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130168861A1. Автор: HAIYANG Zhang,XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Electrically conductive device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8932950B2. Автор: HAIYANG Zhang,XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-01-13.

Photovoltaic module, integrated photovoltaic/photo-thermal module and manufacturing method thereof

Номер патента: CA3016112A1. Автор: HAO WANG,Hongming Liu,Delin YAN,Jiahui LIN,Wenbing CAO. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2017-09-08.

Array Substrate and Manufacturing Method Thereof, Display Device

Номер патента: US20170012060A1. Автор: Yue Li,Qingnan AI,Hepan ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

Array Substrate and Manufacturing Method Thereof, Display Device

Номер патента: US20190326328A1. Автор: Yue Li,Qingnan AI,Hepan ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Array substrate, testing method and manufacturing method thereof, and displaying device

Номер патента: US20220310758A1. Автор: Wenli Zhang,Liangliang HE. Владелец: Mianyang BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Micro component structure and manufacturing method thereof, and transfer method for light-emitting diode chip

Номер патента: US12132032B2. Автор: Chun-Lung Hsiao,Xia DENG. Владелец: Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Slim-bezel flexible display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09793330B2. Автор: Wenhui Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

OLED display panel and manufacturing method thereof, display device and filling method of filling adhesive

Номер патента: US09768406B2. Автор: Kaihong MA,Zhongyuan Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Display panel and manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US09698369B2. Автор: Kaihong MA,Zhongyuan Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190067514A1. Автор: Ming-Sen Hsu,Hsin Liang Yeh. Владелец: EPILEDS TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7968448B2. Автор: Chia-Lun Tsai,Jack Chen,Ching-Yu Ni,Wen-Cheng Chien. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

Quantum dot ensemble and manufacturing method thereof, quantum dot ensemble layer, and imaging device

Номер патента: US20230240089A1. Автор: Mamoru Tanabe,Michinori Shiomi,Syuuiti TAKIZAWA,Shunsuke Yamashita. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Evaporating concave-convex platform structure of vapor chamber and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240155810A1. Автор: Chih-Wei Chen,Pang-Hung Liao. Владелец: Jws Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Pixel defining layer, display substrate, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20200043999A1. Автор: Qing Dai. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Stackable 3d artificial neural network device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210175262A1. Автор: Sanghyeon Kim,Seong Kwang KIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-06-10.

High efficiency solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008004791A1. Автор: Don-Hee Lee,Kwy-Ro Lee,Seh-Won Ahn,Heon-Min Lee,Kun-Ho Ahn. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2008-01-10.

Solar cell and manufacturing method thereof, and photovoltaic system

Номер патента: EP4404279A2. Автор: HONG Chen,Shuai ZHANG,Wanli Li,Yang Zou,Xiaopeng Wu,Chengfa Liu,Yugang Lu,Yaqian Zhang,Kunzhou WANG. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Emitter for electron-beam projection lithography system and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040178405A1. Автор: Dong-Wook Kim,Chang-wook Moon,Soo-Hwan Jeong,In-Keyong Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-16.

Emitter for electron-beam projection lithography system and manufacturing method thereof

Номер патента: US6953946B2. Автор: Dong-Wook Kim,In-kyeong Yoo,Chang-wook Moon,Soo-Hwan Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-10-11.

Wafer-level package structure of light emitting diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US8445919B2. Автор: Wei Wang,Wenbin Wang,Junjie Li,Guoqing Yu,Qiuhong Zou. Владелец: China Wafer Level CSP Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Thin-film type solar cell including by-pass diode and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008030019A1. Автор: Seh-Won Ahn,Hwa-Nyeon Kim,Kwang-Sun Ji,Young-Joo Eo,Bum-Sung Kim,Heon-Min Lee,Jung-Heum Yun,Hae-Seok Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2008-03-13.

Two-dimensional comb-drive actuator and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110309717A1. Автор: Ta-Wei Lin,Chang-Li Hung. Владелец: OPU Microsystems Application Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Mask plate and manufacturing method thereof, and manufacturing method of organic light emitting diode display

Номер патента: US20180375027A1. Автор: Xiaochuan Chen,Can Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Ball grid array IC package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020185746A1. Автор: Sang Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-12.

Device and operation method and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180210253A1. Автор: Miki Kashima. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010020710A1. Автор: Jiro Matsufusa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Display Substrate and Manufacturing Method Thereof, and Display Device

Номер патента: US20210217815A1. Автор: Youngsuk Song. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Photovoltaic module, integrated photovoltaic/photo-thermal module and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2021225259A1. Автор: HAO WANG,Hongming Liu,Delin YAN,Jiahui LIN,Wenbing CAO. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2021-09-30.

Photovoltaic module, integrated photovoltaic/photo-thermal module and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2020202105A1. Автор: HAO WANG,Hongming Liu,Delin YAN,Jiahui LIN,Wenbing CAO. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2020-04-16.

Heat dissipation module and base and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090107654A1. Автор: Chin-Ming Chen,Yu-Hung Huang,Chun-Yang Hung,Sung-Ching Ho. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof including a probe test step and a burn-in test step

Номер патента: US20020182796A1. Автор: Makoto Kitano,Kunio Matsumoto,Akihiko Ariga,Terutaka Mori,Hidetaka Shigi,Takayoshi Watanabe,Yuji Wada,Tetsuo Kumazawa,Susumu Kasukabe,Ryuji Kohno,Naoto Ban,Shuji Shibuya,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Shadow mask and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070001577A1. Автор: Oh Kwon,Soon Yoo. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-04.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210091008A1. Автор: Dong Hoon Oh,Ju Hyun Nam,Su Yun Kim. Владелец: Nepes Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Silicon carbide composite wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4095291A1. Автор: Yan-Kai Zeng,Bai-Xuan Jiang. Владелец: Hong Chuang Applied Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-30.

Silicon carbide composite wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220384385A1. Автор: Yan-Kai Zeng,Bai-Xuan Jiang. Владелец: Hong Chuang Applied Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200365623A1. Автор: Ching Fu Chien. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Flexible display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230180590A1. Автор: Kunsong Ma. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Thin-film type solar cell including by-pass diode and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2008312A1. Автор: Seh-Won Ahn,Hwa-Nyeon Kim,Kwang-Sun Ji,Young-Joo Eo,Bum-Sung Kim,Heon-Min Lee,Jung-Heum Yun,Hae-Seok Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2008-12-31.

Semiconductor package substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110031617A1. Автор: Wen-Hung Hu. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2011-02-10.

Semiconductor package substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US7847400B2. Автор: Wen-Hung Hu. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

Display substrate and manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20240212564A1. Автор: Lizhong Wang,Shuilang Dong,ce Ning,Chengfu XU,Dapeng XUE,Binbin TONG,Nianqi YAO,Yunping DI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180197865A1. Автор: Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087809B2. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Single-photon avalanche diode integrated with quenching resistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240322061A1. Автор: Tao Yang,Zheng Bian,Jinjie Hu,Kui Xiao,Aifeng ZHAO. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240347579A1. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Nitride-based semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof, and manufacturing method of nitride-based semiconductor crystal

Номер патента: US12119618B2. Автор: Shinji Yoshida,Isao Kidoguchi,Shuichi Nakazawa. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-10-15.

Capacitor component and manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: EP4447079A1. Автор: Heng Li,Yong Guan,Nan Zhao,Yiwei REN,Jikai Xu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Flexible photovoltaic cell module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363781A1. Автор: Yaolun HUANG. Владелец: Cando Solarphotoelectric Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

OLED display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09978978B2. Автор: Xin Mou,Bin Zhang,Chung Che Tsou,Hsin Chih LIN. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Display substrate and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US09935131B2. Автор: Lei Wang,Zhenhua Lv,Zhiying BAO,Yanna Xue. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200365597A1. Автор: Ming-Chih Hsu,Yi-Hao Chien,Huang-Nan Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Wafer-level semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780276B2. Автор: Yibin Zhang,Fei Xu,Yong Cai. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2017-10-03.

Wire grid polarizer and manufacturing method thereof, display panel and display device

Номер патента: US09759947B2. Автор: Yanbing WU,Xiangyan ZHANG,Wenbo Li,Kairan LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Array substrate and manufacturing method thereof, and display apparatus thereof

Номер патента: US09741753B2. Автор: Jian Zhao,Xuebing JIANG,Jilei Gao. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

OLED touch control display device and manufacture method thereof

Номер патента: US09698372B2. Автор: Weijing ZENG,Changcheng Lo. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Curved liquid crystal panel wherein stage differences between primary and secondary photo-spacers decrease from a center to boundaries thereof and manufacturing method of the same

Номер патента: US09690144B2. Автор: Chuan Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Embedded terminal module and connector and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: US12034242B2. Автор: Kuo-Chi Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-09.

Resolver and manufacturing manufacturing method thereof

Номер патента: KR101964371B1. Автор: 박용호,이진주,진창성. Владелец: 한화디펜스 주식회사. Дата публикации: 2019-04-01.

Electrode assembly and manufacturing apparatus and method thereof, cylindrical battery including the electrode assembly, and battery pack and vehicle including the same

Номер патента: CA3237122A1. Автор: Joo-Young Chung,Tae-Jong Kim,Jin-Gon Kim,Su-Taek Jung,Byeong-Kyu Lee. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Embedded Terminal Module and Connector and Manufacturing and Assembling Method Thereof

Номер патента: US20220102895A1. Автор: YU Kuo-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

Integral structure of electroabsorption modulation laser and manufacturing and testing method thereof

Номер патента: CN108242763B. Автор: 王宝军,黄永光,朱洪亮,张瑞康. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2020-02-18.

Anode material of lithium ion battery and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN108432006B. Автор: 马晓华,马克·N·奥布罗瓦茨. Владелец: JOHNSON MATTHEY PLC. Дата публикации: 2022-04-26.

Socket insulation assembly and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN112186391B. Автор: 吴学东,何泽顺. Владелец: Hongya Chuangjie Communication Co ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Secondary battery and manufacturing system and method thereof

Номер патента: EP1489679A2. Автор: Yukimasa Nishide. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2004-12-22.

Enameled wire and manufacturing and processing method thereof

Номер патента: CN112349451A. Автор: 吕宁,盛珊瑜. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-09.

Electron generating device, image forming device and manufacturing and adjusting method thereof

Номер патента: KR970060294A. Автор: 히데또시 스즈끼,에이지 야마구찌,아끼라 후지이. Владелец: 미따라이 후지오. Дата публикации: 1997-08-12.

Regulating controller for controlled self-oscillating converters using bipolar junction transistors

Номер патента: GB2478992A. Автор: David Robert Coulson,Russell Jacques,Nicolaas Pieter Van Der Duijn Schouten. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-28.

Nano-porous electrode for super capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09847183B2. Автор: Myung Gi Jeong,Chanhwa Chung,Serhiy Cherevko. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2017-12-19.

Tag for marking defective part of electrode for secondary battery and manufacturing method thereof

Номер патента: CA3206420A1. Автор: Eun Mi CHO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-08-25.

High-voltage composite positive electrode material and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2023203287A1. Автор: Han-Wei Hsieh,Ding-De He. Владелец: Advanced Lithium Electrochemistry Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Metal foil with conductive layer and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2572840C2. Автор: Михаил Рудольфович Предтеченский,Андрей Геннадьевич Косолапов,Олег Филиппович Бобренок. Владелец: МСД Текнолоджис частная компания с ограниченной ответственностью. Дата публикации: 2016-01-20.

High-voltage composite positive electrode material and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2023203287B2. Автор: Han-Wei Hsieh,Ding-De He. Владелец: Advanced Lithium Electrochemistry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

High-efficiency oxidized vcsel including current diffusion layer having high-doping emission region, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200203928A1. Автор: Hyung Joo Lee. Владелец: AUK CORP. Дата публикации: 2020-06-25.

High-efficiency oxide vcsel with improved light extraction, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200059072A1. Автор: Hyung Joo Lee. Владелец: AUK CORP. Дата публикации: 2020-02-20.

Conductive paste, manufacturing method thereof, capacitor element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266119A1. Автор: Ching Feng Lin,Chieh Lin,Shang-Che Lan,Shuo Yan MA. Владелец: Apaq Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Electric device, battery, and battery unit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240297419A1. Автор: Qian Liu,Yonghuang YE,Quanguo LI,Chunpeng YU,Dejun XIAO. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Pad for wireless charging and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210184497A1. Автор: I-Kuang Lai. Владелец: E-Century Technical & Industrial Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Chip electronic component and manufacturing method thereof

Номер патента: US09945042B2. Автор: Hye Yeon Cha,Tae Young Kim,Chan Yoon,Dong Hwan Lee,Jung Hyuk JUNG,Hye Min BANG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Tensile conducting monofilament and conducting wire and manufacturing method thereof

Номер патента: US09887021B2. Автор: Zhao-Yuan LI,Ben-Yi YAO. Владелец: Dongguan City Huayang Lighting Co ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Film for cell pouch and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4442452A1. Автор: Ji Min Lee,Hee Sik Han,Sung Chul Shin,Nok Jung Song,Han Chul Park,Doohee LEE,Geon Ryong Kim,Moonkyu Song,Huihun KIM. Владелец: Youlchon Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Circuit board and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240006748A1. Автор: Chih-Chieh Fu,Yu-Jia Men. Владелец: Garuda Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Flexible charging pad and manufacturing method thereof

Номер патента: US11990787B2. Автор: Ho-Lung Lu,Shih-Wei Pan. Владелец: Dexin Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Dual wavelength semiconductor laser emitting apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US7184456B2. Автор: Chih-Sung Chang,Shu-Wei Chiu. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2007-02-27.

Flexible Charging Pad and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: AU2021100802A4. Автор: Ho-Lung Lu,Shih-Wei Pan. Владелец: Dexin Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Optical combiner and manufacturing method for the same

Номер патента: US20180299621A1. Автор: Sung Chang Kim,Hyun Seo Kang,Young Soon HEO,Chan Il Yeo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-10-18.

Dual wavelength semiconductor laser emitting apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050243880A1. Автор: Chih-Sung Chang,Shu-Wei Chiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-03.

Flexible transparent conductive composite film and manufacturing method thereof

Номер патента: US12051521B2. Автор: Ying-Hung Chen,Ping-Yen HSIEH,Chu-Liang Ho,Jia-Lin Syu. Владелец: FENG CHIA UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-30.

Double-layer pcb of low power wireless sensing system and manufacturing method

Номер патента: US20130148311A1. Автор: Chia-Chi Chang,Jang Ping SHEU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-13.

Silver nanowire protection layer structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220197415A1. Автор: Chung-Chin Hsiao,Wei-Chia Fang,Chun-Hung Chu,Ya-Ting Lin,Shih-Ching Chen,Yeh-Sheng Wang. Владелец: Cambrios Film Solutions Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Magnetic element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240029940A1. Автор: Haijun Yang,Jiamin Shi,Debao Quan. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Lattice current collector with both functions of strain sensing and high-temperature circuit breaking and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240359233A1. Автор: Bin Su,Chunze YAN,Hongzhi Wu,Yusheng Shi. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-10-31.

High-performance NdFeB rare earth permanent magnet with composite main phase and manufacturing method thereof

Номер патента: US09863021B2. Автор: Baoyu Sun. Владелец: Shenyang General Magnetic Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Secondary battery and manufacturing method thereof

Номер патента: US09853294B2. Автор: Junyong Lee,Seungyeol YOO,Huijun Lee. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Surge absorber and manufacturing method thereof

Номер патента: US09735551B2. Автор: Kyung Mi LEE,Doo Won Kang,Jong Il Jung,Gyu Jin Ahn,Dong Ho Jeon,Sang Joon Jin,Hyun Chang Kim,Dong Jin Kang. Владелец: Smart Electronics Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Variable resistance and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728309B2. Автор: Hong Wang,Tianyue ZHAO,Yanling Han. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Microwave detector and manufacturing method thereof and stray electromagnetic radiation suppression method

Номер патента: US11659633B2. Автор: Xin Zou,Gaodi Zou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-23.

Microwave Detector and Manufacturing Method Thereof and Stray Electromagnetic Radiation Suppression Method

Номер патента: US20210243856A1. Автор: Xin Zou,Gaodi Zou. Владелец: Shenzhen Merrytek Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Device and method for testing semiconductor element, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080150561A1. Автор: Wang Zhiping,Ma Zhaohui,CHEW Hwee-Seng Jimmy,ONG Chee Kian,ABD. RAZAK Bin Chichik. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Low noise cable core and manufacturing method thereof and low noise cable using the same

Номер патента: US20240347230A1. Автор: Yang Zhou,Wen-Cheng Wu,Shi-Wen Huang. Владелец: Dongguan Ching Tai Electric Wire & Cable Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Organic polymer film and manufacturing method thereof

Номер патента: US11969752B2. Автор: Ying-Hung Chen,Ping-Yen HSIEH,Xuan-Xuan Chang,Chu-Liang Ho. Владелец: FENG CHIA UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-30.

Current collector for electrochemical capacitors with double electric layer, and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2397568C2. Автор: Валерий Павлович Недошивин,Самвел Авакович Казарян,Сергей Николаевич Разумов,Сергей Витальевич Литвиненко,Гамир Галиевич Харисов,Владимир Александрович Казаров. Владелец: ЮНИВЕРСАЛ СУПЕРКАПАСИТОРЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2010-08-20.

Coil-integrated-type yoke and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200066477A1. Автор: Tsutomu Karimata,Keisuke Matsushima. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Electrical Connector and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20210005999A1. Автор: Ying-Chung Chen,Mu-Jung Huang. Владелец: Tarng Yu Enterpries Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

High-vacuum multi-layer flexible heat-insulated pipe for high-temperature superconducting cable and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2021338587B2. Автор: Jian Zheng,Jianping Yang,Wei Xie,Xiang Tian,Bengang WEI,Zhiyue CHEN,ting Jiao,Yijia HUANG,Yunwu HAN,Xize Zhang,Xihua ZONG. Владелец: Shanghai International Superconduction Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Metal halide lamp and manufacturing method thereof

Номер патента: US10861691B2. Автор: Changzheng Zhang,Niangen FENG. Владелец: Junwa Lighting Technology Corp. Дата публикации: 2020-12-08.

Fuel Cell Stack and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: EP1988594A3. Автор: Chan-Hee c/o Legal & IP Team Samsung SDI Co. Ltd. Park,Dong-Uk c/o Legal & IP Team Samsung SDI Co. Ltd. Lee,Seong-Jin c/o Legal & IP Team Samsung SDI Co. Ltd. An,Chi-Seung c/o Legal & IP Team Samsung SDI Co. Ltd. Lee. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-02.

Cold cathode discharge tube and manufacturing method thereof and liquid crystal display device

Номер патента: US20100157203A1. Автор: Kazumasa Hirai. Владелец: Hitachi Display Devices Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Zinc Can of Environmental Protection Type for Battery and Manufacture Method Thereof

Номер патента: US20090162752A1. Автор: Qinghua Jiang. Владелец: Asia Royal Dev Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

High-vacuum multi-layer flexible heat-insulated pipe for high-temperature superconducting cable and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2021338587A1. Автор: Jian Zheng,Jianping Yang,Wei Xie,Xiang Tian,Bengang WEI,Zhiyue CHEN,ting Jiao,Yijia HUANG,Yunwu HAN,Xize Zhang,Xihua ZONG. Владелец: Shanghai International Superconduction Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

High-voltage composite positive electrode material and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4418357A1. Автор: Han-Wei Hsieh,Ding-De He. Владелец: Advanced Lithium Electrochemistry Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Electrochemical catalyst of core-shell structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240204208A1. Автор: Albert Lee,Seung Sang Hwang,Seon Joon KIM,Young Sang Park,Ji Yoon JUNG,Gwan Hyun CHOI,Taegon Oh,Dong Jun HWANG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-06-20.

Switch seat body structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09870877B2. Автор: Chih-Yuan Wu,Chih-Hao Sung,Chen-Yun Hsieh. Владелец: Switchlab Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Magnetic random access memory using single crystal self-aligned diode and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: TWI332210B. Автор: Chia Hua Ho,Hsiang Lan Lung,Yen Hao Shih. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-21.

Electrostatically actuated oscillating structure with oscillation starting phase control, and manufacturing and driving method thereof

Номер патента: US09921405B2. Автор: Benedetto Vigna,Marco Ferrera,Sonia Costantini,Marco Salina. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-03-20.

Memory device with vertical transistor and trench capacitor and fabrication method thereof

Номер патента: TW200629527A. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-16.

ELECTROSTATICALLY ACTUATED OSCILLATING STRUCTURE WITH OSCILLATION STARTING PHASE CONTROL, AND MANUFACTURING AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170123202A1. Автор: Vigna Benedetto,FERRERA Marco,COSTANTINI Sonia,Salina Marco. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

ELECTROSTATICALLY ACTUATED OSCILLATING STRUCTURE WITH OSCILLATION STARTING PHASE CONTROL, AND MANUFACTURING AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180157030A1. Автор: Vigna Benedetto,FERRERA Marco,COSTANTINI Sonia,Salina Marco. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

ELECTROSTATICALLY ACTUATED OSCILLATING STRUCTURE WITH OSCILLATION STARTING PHASE CONTROL, AND MANUFACTURING AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150168715A1. Автор: Vigna Benedetto,FERRERA Marco,COSTANTINI Sonia,Salina Marco. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

Resistive random access memory device and manufacturing and operating methods thereof

Номер патента: CN102270654B. Автор: 孙兵,高滨,康晋锋,刘晓彦,刘力锋,韩汝琦,陈沅沙. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-16.

Electrostatically actuated oscillating structure with oscillation starting phase control, and manufacturing and driving method thereof

Номер патента: US9753279B2. Автор: Benedetto Vigna,Marco Ferrera,Sonia Costantini,Marco Salina. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile memory and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: US20060170038A1. Автор: Ching-Sung Yang,Wei-Zhe Wong. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-08-03.

Automatic door control image intensifier shell and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN111885861A. Автор: 王强,周盛涛,杜培德,朱文锦,曾进能,杨玺文,李亚情. Владелец: North Night Vision Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Flexible Printed Cercuit Board having Conductive Circuit Pattern by Laser Direct Writing Method and Manufacturing System and Method Thereof

Номер патента: KR100906408B1. Автор: 이제훈,손현기,신동식,노지환,서정,조수재. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2009-07-09.

Multi-valued resistor memory device and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: JP5209852B2. Автор: 正賢李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-12.

Decorative nail tip and manufacturing system and method thereof

Номер патента: US20240251926A1. Автор: Jingbiao DENG. Владелец: Shanghai Huizi Cosmetics Co ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Decorative nail tip and manufacturing system and method thereof

Номер патента: US12102206B2. Автор: Jingbiao DENG. Владелец: Shanghai Huizi Cosmetics Co ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Methods for overdriving a base current of an emitter switched bipolar junction transistor and corresponding circuits

Номер патента: US09748948B2. Автор: Vijay Gangadhar Phadke. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Ultra-low power and ultra-low voltage bandgap voltage regulator device and method thereof

Номер патента: US09780652B1. Автор: Ali Tasdighi Far. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-03.

Reference voltage generator having at least one bipolar junction transistor biased by negative base voltage and associated reference voltage generating method

Номер патента: US09755507B2. Автор: Ta-Hsin Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of using bipolar junction transistor as self-oscillating down converter of a satellite down converter

Номер патента: US20030036372A1. Автор: Mao-Jen Chen. Владелец: Prime Electronics and Satellitics Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Pseudo bipolar junction transistor

Номер патента: US6323719B1. Автор: Cheng-Chieh Chang,Shen-Iuan Liu. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2001-11-27.

Power detector with all transistors being bipolar junction transistors

Номер патента: EP3709510A3. Автор: Hwey-Ching Chien. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2020-11-04.

Power detector with all transistors being bipolar junction transistors

Номер патента: EP3709510A2. Автор: Hwey-Ching Chien. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-16.

Nonvolatile bipolar junction memory cell

Номер патента: WO2017189082A1. Автор: Daniel Bedau. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2017-11-02.

High-Efficiency Base-Driver Circuit For Power Bipolar Junction Transistors

Номер патента: US20130176010A1. Автор: Charles R. Sullivan,Michael Teroerde. Владелец: Dartmouth College. Дата публикации: 2013-07-11.

Circuit for compensating bipolar junction transistor base current and LED driving apparatus having the same

Номер патента: US09642197B2. Автор: Jun Sik MIN,Gyu Ho LIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Switching power converting apparatus, switching controller for the same, and method of controlling a bipolar junction transistor of the same

Номер патента: US20140286057A1. Автор: Yu-Chang Chen,Jung-Pei CHENG,Isaac Y. Chen,Jiun-Hung Pan,Jyun-Che Ho,Chien-Fu Tang,Yung-Chih Lai. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-09-25.

Power sourcing equipment having bipolar junction transistor for controlling supply and supporting ac disconnect-detection function

Номер патента: WO2007070234A1. Автор: Jacob Herbold. Владелец: LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2007-06-21.

Rectifier with sic bipolar junction transistor rectifying elements

Номер патента: EP2409391A1. Автор: Robert Joseph Callanan,Fatima Husna. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-01-25.

Rectifier with sic bipolar junction transistor rectifying elements

Номер патента: WO2010107509A1. Автор: Robert Joseph Callanan,Fatima Husna. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2010-09-23.

Method of using bipolar junction transistor as local oscillator in a satellite down converter to eliminate second and third harmonic interference between two local oscillators

Номер патента: US20030036370A1. Автор: Mao-Jen Chen. Владелец: Prime Electronics and Satellitics Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Linear bipolar junction transistor amplifier

Номер патента: US5420538A. Автор: Anthony K. D. Brown. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1995-05-30.

Power detector with all transistors being bipolar junction transistors

Номер патента: US20200266764A1. Автор: Hwey-Ching Chien. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Dynamic vision sensor in low light environment and the operating method thereof

Номер патента: US20240348950A1. Автор: Keun Joo Park,Junseok Kim,Bongki Son,Se-Hoon Lim,Hee-Jae Jo,Raeyoung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Resistance measurement of a resistor in a bipolar junction transistor (bjt)-based power stage

Номер патента: US20160242258A1. Автор: Rahul Singh,Shatam Agarwal. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Cascode-type dimming switch using a bipolar junction transistor for driving a string of light emitting diodes

Номер патента: WO2015077636A1. Автор: Alexander Mednik. Владелец: Microschip Technology, Inc.. Дата публикации: 2015-05-28.

Power sourcing equipment having bipolar junction transistor for controlling supply and supporting ac disconnect-detection function

Номер патента: EP1961152A1. Автор: Jacob Herbold. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 2008-08-27.

Cascode-type dimming switch using a bipolar junction transistor for driving a string of light emitting diodes

Номер патента: WO2015077636A8. Автор: Alexander Mednik. Владелец: Microchip Technology, Inc.. Дата публикации: 2015-10-01.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240130099A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240324176A1. Автор: Shou-Te WANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Organic light-emitting transistor and manufacturing method therefor, display panel, and electronic device

Номер патента: EP3787053A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-03.

Wavelength conversion device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12044868B2. Автор: Chi-Tang Hsieh,I-Hua Chen. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Brushless direct currency (bldc) motor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200195088A1. Автор: Hyun Tae LEE,Gyu Sang Yu,Dong Heon Mo,Jung Kil Lee. Владелец: COAVIS. Дата публикации: 2020-06-18.

Lead free solder alloy and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2009084798A1. Автор: Hyun Kyu Lee,Sang Ho Jeon,Yong Cheol Chu,Kang Hee KIM,Myoung Ho Chun. Владелец: DUKSAN HI-METAL CO., LTD.. Дата публикации: 2009-07-09.

Counterweighted vibration device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240030796A1. Автор: Ming-Hung Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-25.

Flexible printed circuit and manufacturing method thereof, electronic device module and electronic device

Номер патента: US11765828B2. Автор: Qiang Tang,Ren XIONG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240272494A1. Автор: Xiaodong Wang,Jian Wang,Ce Wang,Donghua Zhang,Hongsheng BI,Yao BI,Jin Gao,Xingxing GUAN,Kangdi ZHOU,Xueyong ZHAI. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Encoder and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200278221A1. Автор: Hirosato Yoshida,Nobuyuki OOTAKE. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Counterweighted vibration device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12113419B2. Автор: Ming-Hung Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-08.

Radio frequency filter and manufacturing method thereof

Номер патента: US09954511B2. Автор: Chul Soo Kim,Moon Chul Lee,Duck Hwan Kim,In Sang Song,Jea Shik Shin,Sang Uk Son,Ho Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

OGS touch screen substrate bridge structure and manufacturing method thereof, OGS touch screen and its manufacturing method as well as display device

Номер патента: US09939936B2. Автор: Xiaofeng Wang,Weigang Gong,Qingchao Meng,Chengzhu Lu. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Paper-base flexible power-generation apparatus, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09755553B2. Автор: Bin Hu,Jun Zhou,Qize Zhong,Junwen Zhong,Qiyi Hu. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-09-05.

Electronic device embedded substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09743525B2. Автор: Bong-Soo Kim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Multi-functional mobile phone protection case and manufacturing method thereof

Номер патента: US09712202B2. Автор: Shiyou BAO. Владелец: Far East Tooling Co Ltd China. Дата публикации: 2017-07-18.

LIGHT GUIDE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, LIGHT GUIDE PLATE AND MANUFACTURING AND RECYCLING METHODS THEREOF

Номер патента: US20170115445A1. Автор: Wang Peina. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

Easy-split reclosable tape and manufacturing method thereof, and packaging bag with easy-split reclosable tape and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: TWI399326B. Автор: Kenichi Tanaka,Shuichi Goto,Yoshinori Namba. Владелец: Idemitsu Unitech Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-21.

Multi-component thermal spray coating material for semiconductor processing equipment, and manufacturing and coating method thereof

Номер патента: TW201043592A. Автор: Hyun-Kwang Seok,Kyeong-Ho Baik,Yu-Chan Kim. Владелец: Korea Inst Sci & Tech. Дата публикации: 2010-12-16.

Fixed value residual stress test block and manufacturing and preservation method thereof

Номер патента: US09989496B2. Автор: XIAO Li,LANG Xu,Chunguang Xu,Wentao SONG,Dingguo Xiao,Qinxue PAN. Владелец: Beijing Institute of Technology BIT. Дата публикации: 2018-06-05.

High-strength glued wood beam bridge convenient to manufacture and construct and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN112482186A. Автор: 陈义龙,周建华,陈浩东,陈爱军,王虎瑞,王皓磊,贺国京,王解军. Владелец: Central South University of Forestry and Technology. Дата публикации: 2021-03-12.

Pocket spring mattress attached with strip material at side surface thereof and manufacturing device and method thereof

Номер патента: EP3821765A1. Автор: Zhiming Tan,Jie Liang. Владелец: Guangzhou Lianrou Machinery and Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

MULTI-HEAD PROBE AND MANUFACTURING AND SCANNING METHODS THEREOF

Номер патента: US20140020140A1. Автор: Tseng Fan-Gang,CHANG JOE-MING. Владелец: National Tsing Hua University. Дата публикации: 2014-01-16.

Fixed Value Residual Stress Test Block And Manufacturing And Preservation Method Thereof

Номер патента: US20160033452A1. Автор: Li Xiao,Xu Chunguang,Xiao Dingguo,SONG Wentao,XU Lang,PAN Qinxue. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Heat protector and manufacturing and mounting methods thereof

Номер патента: US20150060026A1. Автор: Tae-Wan Kim,Kwang-Weon Ahn. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2015-03-05.

Gel Nail Polish and Manufacturing and Using Method Thereof

Номер патента: US20170056312A1. Автор: Zhen Lijuan. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURING AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20160148684A1. Автор: Wu Chien-Min,Wu Bo-Lun,LIN Meng-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

Bagged spring bed core with side connected to strip-shaped material and manufacturing device and method thereof

Номер патента: US20200198961A1. Автор: Zhiming Tan,Jie Liang. Владелец: Guangzhou Lianrou Machinery and Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Fixed Value Residual Stress Test Block And Manufacturing And Preservation Method Thereof

Номер патента: US20180231499A1. Автор: Li Xiao,Xu Chunguang,Xiao Dingguo,SONG Wentao,XU Lang,PAN Qinxue. Владелец: Beijing Institute of Technology. Дата публикации: 2018-08-16.

Gel Nail Polish and Manufacturing and Using Method Thereof

Номер патента: US20180250219A1. Автор: Zhen Lijuan. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

ENCODER SCALE AND MANUFACTURING AND ATTACHING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160313144A1. Автор: MORITA Ryo,Kodama Kazuhiko,Otsuka Takanori,Wakasa Taisuke,Yoshihara Kouichi. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Self-healing asphalt composition and manufacturing, waterproofing structure method thereof

Номер патента: KR102265535B1. Автор: 황정준. Владелец: 주식회사 삼송마그마. Дата публикации: 2021-06-17.

Grinding wheel and manufacturing apparatus, mold, method thereof

Номер патента: KR100459810B1. Автор: 이환철,김상욱,박강래,서준원. Владелец: 신한다이아몬드공업 주식회사. Дата публикации: 2004-12-03.

Fiber and manufacture system and method thereof

Номер патента: CN105988160A. Автор: 蒋方荣,邹国辉,肖尚宏. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-05.

Single-clad-surface bendable multi-layer stacked corrugated core material and manufacturing and bending method thereof

Номер патента: CN113306259B. Автор: 张志智,郝景新,于利亚,李士豪,吴新凤. Владелец: Shenzhen Langhui Exhibition Co ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

Surface wettability variable micro-pore model and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112161907B. Автор: 郭威,王一凡,胡冉,魏鹳举,廖震,周晨星,陈旭升,武东生,陈益峰. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2021-06-04.

Converter slag modifier and manufacture and using method thereof

Номер патента: CN102719575B. Автор: 徐鹏飞,于淑娟,侯洪宇,马光宇,耿继双,王向锋,杨大正. Владелец: Angang Steel Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-04.

Multi-layer wet tissue sheets and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: KR100495309B1. Автор: 박한욱. Владелец: 애드윈코리아 주식회사. Дата публикации: 2005-06-16.

I section composite girder, girder bridge and manufacturing and constructing method thereof

Номер патента: KR101182680B1. Автор: 박정환. Владелец: 대영스틸산업주식회사. Дата публикации: 2012-09-14.

Bedding layer for dairy cow breeding and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112205307B. Автор: 张青,杨洋,刘国锋,张华斌,程媛,程泽华,程武增,孙海栓,花勤孟,孙正沿,付希强,刘哲澔. Владелец: Shandong Huibangbohai Agricultural Development Co ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

High-stability small infrared gas sensor and manufacturing and implementation method thereof

Номер патента: CN112067572B. Автор: 卿笃安,曹绍情. Владелец: Shenzhen Nuoan Environmental & Safety Inc. Дата публикации: 2021-06-15.

Conditioner for fermenting organic fertilizer from sludge and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN102391027B. Автор: 陈志峰,黄明强,许文江,刘美龄,谢小青,戴兰华,余淑蓉,郑晓倩,谢鸿根,宋志瑜. Владелец: SUBTROPICAL CROPS INSTITUTE OF FUJIAN PROVINCE. Дата публикации: 2014-04-02.

Protection barrier layer and manufacture and use method thereof

Номер патента: CN106163809A. Автор: J·P·凯利,R·D·乔丹,R·C·小诺里斯,F·J·柯西奥. Владелец: Georgia Pacific Consumer Products LP. Дата публикации: 2016-11-23.

Strain sensor based on flexible capacitor and manufacturing and test method thereof

Номер патента: CN105783696A. Автор: 刘昊,王亚楠,秦国轩,黄治塬,靳萌萌,党孟娇. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-07-20.

anti-transfer RFID intelligent label and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN106682722B. Автор: 朱阁勇. Владелец: SHANGHAI CHINA CARD SMART CARD CO Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

3-dimension structural semiconductor bridge igniter and manufacturing and packaging method thereof

Номер патента: KR100482156B1. Автор: 박종욱,김선환,김윤범,이정복,김길현,박명일. Владелец: 주식회사 한화. Дата публикации: 2005-04-13.

Decorative surface of complete furniture and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN111493566A. Автор: 吴根水. Владелец: Suzhou Jiahui Wooden Industry Constructing Co ltd. Дата публикации: 2020-08-07.

Water bag concrete engineering deformation joint water stop type cavity die and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN104314047A. Автор: 张朝利. Владелец: 张朝利. Дата публикации: 2015-01-28.

Root crop hoe blade, blade set, hoe blade and manufacturing and maintaining method thereof

Номер патента: CN111083984A. Автор: 安东·诺伊迈尔,爱德华·里克特. Владелец: EXEL INDUSTRIES SA. Дата публикации: 2020-05-01.

Flexible pipe with stable flow speed and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN110603140A. Автор: J·贝克,C·S·哥鲁布,H·S·列侬,M·T·怀特,L·雷,G·H·凌. Владелец: Saint Gobain Performance Plastics Corp. Дата публикации: 2019-12-20.

Steel-UHPC combined structure shear connector and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN112176850B. Автор: 刘扬,曾丹,曹磊,鲁乃唯,陈方怀. Владелец: Hunan University of Technology. Дата публикации: 2022-07-01.

Prefabricated wall modular decoration combination and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN113802789A. Автор: 林有昌. Владелец: Tongtong Global Co ltd. Дата публикации: 2021-12-17.

Positioning device with external spiral grooves and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN109727682B. Автор: 刘璐,冯丽,王大伟,李金阳,张璐,于锐,彭天骥,盛鑫,顾龙,朱彦雷,秦长平,姜韦,范大军,唐延泽,田旺盛,范旭凯,崔青蓝. Владелец: Institute of Modern Physics of CAS. Дата публикации: 2020-11-10.

Micro-nano optical sensor for detecting chemical components and manufacturing and detecting method thereof

Номер патента: CN113804630A. Автор: 金庆辉,郜晚蕾,鹿胜康,管轶华,冯璐璠. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2021-12-17.

Grinding wheel and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN103567858A. Автор: 聂大仕,黄胜蓝,缑高翔. Владелец: Saint Gobain Abrasifs SA. Дата публикации: 2014-02-12.

Concrete slump detection device and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: CN112269018A. Автор: 李岳,阳欢,夏开飞,邱燕飞,蔡关虎. Владелец: Sichuan Xing Cheng Gang Rui Building Materials Co ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Multilayer compound eccentric-wear-preventing continuous sucker rod and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN104060944A. Автор: 李强,崔昌瑞,王瑞星,吴永太. Владелец: Shengli Oilfield Xinda Pipes Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-24.

Packaging structure and manufacturing machine and method thereof

Номер патента: JP4633343B2. Автор: アレクンダーテーラーアルフレッド,ディパルマルイギ. Владелец: ティー・エヌ・エーオーストラリアピィー・ティー・ワイリミテッド. Дата публикации: 2011-02-16.

Modular assembly type copper-aluminum composite efficient cooling and heating radiation plate unit and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN109323344B. Автор: 张文丰. Владелец: Langfang Congpin Air Conditioning Equipment Manufacturing Co ltd. Дата публикации: 2022-02-18.

Gas-insulated GIL size effect test electrode device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: CN109633397B. Автор: 郑宇�,张天然,周文俊,喻剑辉. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2021-02-02.

Circular polarization device and manufacturing and application methods thereof

Номер патента: CN106646919A. Автор: 苏刚. Владелец: SHENZHEN WANMING PRECISION TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Projection welding insulation positioning pin and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN111250852A. Автор: 黎华. Владелец: Jiangling Motors Corp Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Anti-transfer RFID intelligent label and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN106682722A. Автор: 朱阁勇. Владелец: SHANGHAI CHINA CARD SMART CARD CO Ltd. Дата публикации: 2017-05-17.

Projection exposure apparatus and manufacturing and adjusting methods thereof

Номер патента: US6621556B2. Автор: Osamu Yamashita,Masaya Iwasaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2003-09-16.

Endoscope optical system and manufacture device and method thereof

Номер патента: CN104473613A. Автор: 赵跃东. Владелец: NANJING DONGLILAI PHOTOELECTRIC INDUSTRIAL Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-01.

Foldable water stopping type cavity die for concrete deformation joint and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN104314049A. Автор: 张朝利. Владелец: 张朝利. Дата публикации: 2015-01-28.

External steel beam joint of original concrete cylindrical structure and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN115596083A. Автор: 余晓波,孙江龙,张洪,张洋洋,潘炜,刘超超,张泽玉,杨同林,周帅翰. Владелец: China Construction First Group Construction and Development Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-13.

Eelectricity candle paraffin wax body and manufacturing instrument and method thereof

Номер патента: KR101323505B1. Автор: 이종걸. Владелец: 이종걸. Дата публикации: 2013-11-04.

Flexible 3D biological printing coaxial nozzle and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN106671408B. Автор: 赵波,李瑜,王建平,石国宏,卞平艳,殷森. Владелец: Henan University of Technology. Дата публикации: 2023-02-28.

Encoder scale and manufacturing and attaching method thereof

Номер патента: US9739642B2. Автор: Kazuhiko Kodama,Ryo Morita,Takanori Otsuka,Taisuke Wakasa,Kouichi Yoshihara. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Modularized ship cabin and manufacturing and installing method thereof

Номер патента: CN106628012A. Автор: 王旭,姜军,于航,储云泽,周文鑫,邢宏岩. Владелец: Shanghai Shipbuilding Technology Research Institute. Дата публикации: 2017-05-10.

Impact-resistant, high-temperature-resistant and high-hardness welding wire and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN110560959B. Автор: 曾斌,刘鑫. Владелец: Angang No3 Steel Making And Repairing Plant. Дата публикации: 2021-07-13.

Conductive Structure Body Having Conductive Darkening Layer, and Manufacturing Apparatus and Method thereof

Номер патента: KR20160127295A. Автор: 이상일,이정현,정좌진,권이태. Владелец: 주식회사 아텍. Дата публикации: 2016-11-03.

Cross form for porous concrete pile and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN107116665B. Автор: 陈�峰. Владелец: Maanshan City Sanshan Machinery Co ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

Mold for customizing whole complete gourd appliance and manufacturing and use method thereof

Номер патента: CN105493917A. Автор: 黄全华. Владелец: TIANJIN ZHAOFU SCIENCE & TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-20.

Accurate positioning device for embedded bolts of prefabricated stairs and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN109025323B. Автор: 尹万云,钱元弟,鲁德建. Владелец: China MCC17 Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-19.

Nasal cavity dust removal and humidification dosing device and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN105963872A. Автор: 张朝峰,许小磊. Владелец: Suzhou Huicheng Zhizao Industrial Design Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-28.

Through bar type concrete composite floor slab structure and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: CN106368365A. Автор: 李明,王浩然,赵唯坚. Владелец: Shenyang Jianzhu University. Дата публикации: 2017-02-01.

Gusset for lightweight bag, bag assembled therefrom, and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: JP4376864B2. Автор: ティムジェイフェントン,ポールヴィーシクルーナ,ディックエイチポーウェル. Владелец: テューミインコーポレイテッド. Дата публикации: 2009-12-02.

Composite bearing and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN113508241A. Автор: B·S·墨菲,文森特·迪玛蒂诺,格雷戈里·阿里. Владелец: Saint Gobain Performance Plastics Corp. Дата публикации: 2021-10-15.

Hard umbrella skirt composite insulated cross arm for use at high voltage and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN106320797A. Автор: 吴昊,吴亚民. Владелец: TAIPURUI ELECTROTECHNICAL INSULATION TECHNIQUE CO Ltd SHAANXI. Дата публикации: 2017-01-11.

SHEET WITH HIGH PRICE PRINTABLE "SKIN" TOUCH AND MANUFACTURING AND PACKAGING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2791368A1. Автор: Gilles Gesson,Philippe Baretje. Владелец: ArjoWiggins SAS. Дата публикации: 2000-09-29.

Hydraulic closing system for water gate and manufacturing and constructing method thereof

Номер патента: CN105507217A. Автор: 张朝峰. Владелец: Suzhou Duogu Engineering Design Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-20.

Tank of benzene hydrogenation engineering and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN104843357B. Автор: 陈和平,刘昌球,匡礼毅,兰静,冯娜. Владелец: MCC5 Group Shanghai Corp Ltd. Дата публикации: 2017-02-15.

Bone cutting navigation device capable of positioning accurately and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN104706425B. Автор: 李伟,李川,陆声,周游,徐小山,王均. Владелец: 周游. Дата публикации: 2017-02-22.

Manual pipe bending tool for marine instrument pipeline and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN111702051A. Автор: 李为民,左浩,许淳雄. Владелец: Hudong Zhonghua Shipbuilding Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-25.

Injection molded optical ferrules and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: KR100301075B1. Автор: 멜빈해리 존슨,프랭크마스덴 윌리스. Владелец: 이.아이,듀우판드네모아앤드캄파니. Дата публикации: 2001-10-22.

Condensation heat exchange pipe and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN105547032A. Автор: 李凯,王恩禄,茅锦达,万丛,徐煦. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2016-05-04.

Composite pipe and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN107345598B. Автор: 黄险波,熊鑫,陈大华,孙雅杰,蔡华轮,范欣愉,徐光磊,李晓拓,蒲颖. Владелец: Guangzhou Kingfa Carbon Fiber New Materials Development Co ltd. Дата публикации: 2020-04-07.

Information processing apparatus and method, information recording medium, and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: CN1971740B. Автор: 高岛芳和. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-06-16.

High-safety intelligent hydrogen storage device and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN114370597B. Автор: 陆晓峰,朱晓磊,刘杨. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-14.

Steel-UHPC combined structure shear connector and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN112176850A. Автор: 刘扬,曾丹,曹磊,鲁乃唯,陈方怀. Владелец: Hunan University of Technology. Дата публикации: 2021-01-05.

Novel radio frequency electrode and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN114343836A. Автор: 李芳�,冯超,卢科军,王李成. Владелец: Shaanxi Xindailu Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-04-15.

Flexible magnetic flux sensor and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN111830445A. Автор: 魏建东,郝放,戚丹丹,陈家模,齐清华. Владелец: ZHENGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-10-27.

Hardware address addressing circuit and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN106844266B. Автор: 黄赛,蒋政,李繁,颜然. Владелец: Tianjin Comba Telecom Systems Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Silver wear-resisting powder coating and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN104962180A. Автор: 袁文荣. Владелец: Suzhou Pu Le New Material Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-07.

Cutting torch cutting nozzle adapter and structure and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN112958868A. Автор: 宋晓波. Владелец: Anhui Jinhuoshen Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Underground windowless side waterproof sheet film and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112776426A. Автор: 埃米尔·夏伊·卢蒂安. Владелец: Ai MierXiayiLudian. Дата публикации: 2021-05-11.

Medium-low temperature fast curing trivalent chromium passivation solution and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112301338A. Автор: 俞威,陈星�,朱丹青,陆海涛,曾建峰,朱洪帆. Владелец: Shanghai Xingsaier Surface Material Co ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Resistive random access memory and manufacturing and control methods thereof

Номер патента: US20160148684A1. Автор: Meng-Heng Lin,Bo-Lun Wu,Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Resistive random access memory with high-reliability and manufacturing and control methods thereof

Номер патента: US9899078B2. Автор: Meng-Heng Lin,Bo-Lun Wu,Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Bipolar junction transistor voltage-drop-based temperature sensors

Номер патента: US09970826B2. Автор: William Xia,Kendrick Hoy Leong YUEN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Apparatus and methods including a bipolar junction transistor coupled to a string of memory cells

Номер патента: US09711223B2. Автор: Roberto Gastaldi,Paolo Tessariol. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Apparatus and methods including a bipolar junction transistor coupled to a string of memory cells

Номер патента: US20190221264A1. Автор: Roberto Gastaldi,Paolo Tessariol. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and driving method thereof

Номер патента: US09984637B2. Автор: Yue Shi,Kaidi Fang,Hao CHU. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Apparatus and methods including a bipolar junction transistor coupled to a string of memory cells

Номер патента: US20140140134A1. Автор: Roberto Gastaldi,Paolo Tessariol. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

Apparatus and methods including a bipolar junction transistor coupled to a string of memory cells

Номер патента: US20120300546A1. Автор: Roberto Gastaldi,Paolo Tessariol. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

Apparatus and methods including a bipolar junction transistor coupled to a string of memory cells

Номер патента: WO2012162494A2. Автор: Roberto Gastaldi,Paolo Tessariol. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-11-29.

Apparatus and methods including a bipolar junction transistor coupled to a string of memory cells

Номер патента: US20170316831A1. Автор: Roberto Gastaldi,Paolo Tessariol. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Touch display panel having a plurality of spacers connected to a thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09710089B2. Автор: Xi Chen,Zheng Liu,Xiaoxiang Zhang,Zhichao Zhang,Jinchao BAI,Mingxuan Liu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Humidity sensitive nano-photonics and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240125974A1. Автор: Jae Kyoung Kim,Jun Suk RHO,Trevon Badloe,Young Hwan YANG,Byoung Su KO. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2024-04-18.

Spunbond nonwoven fabric with improved opening quality and no hazardous residue, manufacturing method thereof and manufacturing apparatus thereof

Номер патента: US20230279594A1. Автор: Min-Ho Lee,Dongheon KANG,Woo-Seok Choi,Young-Shin Park,Hee-jung CHO,Jung-soon JANG. Владелец: KOLON INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2023-09-07.

Nutrition gum and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2006126786A1. Автор: Seung Hee Shin. Владелец: Seung Hee Shin. Дата публикации: 2006-11-30.

Waveguide structure and manufacturing method therefor, and photonic integrated circuit and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4451023A1. Автор: Yunpeng Zhu,Dadi Setiadi,Zhan SU,Huaiyu MENG,Yichen SHEN,Jianhua Wu,Yelong Xu,Yanfei BAI,Jinghui ZOU. Владелец: Shanghai Xizhi Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Display panel and manufacturing method thereof, mask and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09880426B2. Автор: Huifang Yuan. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Film and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2600431C2. Автор: Людвиг БРЕМ,Дитер ГАЙМ,Ханс Петер БЕЦОЛЬД. Владелец: Леонхард Курц Штифтунг Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2016-10-20.

High-strength steel pipes with low ratio of yield strength to ultimate strength, welded with electric contact welding, steel strip for pipes, welded with electric contact welding, and manufacturing methods thereof

Номер патента: RU2605396C2. Автор: Ясухиро МАЦУКИ,Томохиро ИНОУЭ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2016-12-20.

Display substrate, display device, and manufacturing method of display substrate

Номер патента: US20240112639A1. Автор: MENG Li,Yao Huang,Weiyun HUANG,Yue Long,Chao Zeng. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Micro total analysis system, operating method and manufacturing method thereof

Номер патента: US11703478B2. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Liwen Dong,Zhijun LV,Libo Wang,Wenqu Liu,Xiaoxin Song,Zhao CUI,Detian MENG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Decorative building material manufactured by using sublimation transfer printing technique and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200071940A1. Автор: Gye Hyun LEE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-05.

Hydrophilic acrylic-modified polyurethane and method for preparing same, and water-based paint composition prepared therefrom and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230235112A1. Автор: Jae Hoon Lee,Hoon Ryu,Jun Seop Im,Seong Ye SEO. Владелец: Samyang Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Powder for ceramic manufacturing, ceramic manufactured object, and manufacturing method thereof

Номер патента: US11718567B2. Автор: Makoto Kubota,Hiroshi Saito,Yoshihiro Ohashi,Hisato Yabuta,Nobuhiro Yasui,Akira UEBAYASHI,Kanako Oshima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Powder for ceramic manufacturing, ceramic manufactured object, and manufacturing method thereof

Номер патента: US12024469B2. Автор: Makoto Kubota,Hiroshi Saito,Yoshihiro Ohashi,Hisato Yabuta,Nobuhiro Yasui,Akira UEBAYASHI,Kanako Oshima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

High-strength sheet steel with coating obtained with hot dipping, which has high impact strength at low temperatures, for being used in forming, and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2430185C2. Автор: Масаюки АБЕ,Синити ЯМАГУТИ,Ясуто ГОТО,Хиронори САТО. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2011-09-27.

Porous tricalcium phosphate material, method for bone healing using the same and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2022201939A1. Автор: Yu-Hao Chan,Yi-Jen Sheng,Yu-Quan Peng. Владелец: Popeye Marine Biotechnology Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Food container having improved oxygen barrier properties and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2819930A1. Автор: Seong Jin Kim,Kyoung Sik Jo,Myoung Woon Moon,Kwang Ryeol Lee,Eun Kyung Song,Tae Kyung Yun. Владелец: Korea Institute of Science and Technology KIST. Дата публикации: 2015-01-07.

Plated steel sheets for hot press forming having excellent hydrogen brittleness resistance and impact resistance, hot press formed parts, and manufacturing methods thereof

Номер патента: EP4242341A1. Автор: Sang-Heon Kim,Seong-Woo Kim,Jin-keun Oh,Sang-Bin Han. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Moisture permeable waterproof fabric and manufacturing method thereof

Номер патента: WO1995011332A1. Автор: In Hee Kim,Youn Heum Park. Владелец: Sung Won Ind. Co., Ltd.. Дата публикации: 1995-04-27.

Element for neutralising or decreasing toxic level of waste gases and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2352794C2. Автор: Рольф БРЮКК,Петер ХИРТ,Томас ХЭРИГ. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2009-04-20.

Spherical silicon oxycarbide particle material and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160368776A1. Автор: KEIZO Iwatani,TETSURO Kizaki. Владелец: JNC Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Composite nanofiber catalyst having improved lifespan performance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200261890A1. Автор: Ji Min Lee,Dong Hoon Nam,Joo Hyun Park,Hoon Mo Park,Yong Ho Choa,Kyung Moon Lee,Seung Hyeon CHOI. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-08-20.

Granule aggregate for substituting bone and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2019031772A3. Автор: Ki Soo Kim,Seok Beom Song. Владелец: BIOALPHA CORPORATION. Дата публикации: 2019-03-28.

Thin cycloidal speed reducer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12013012B2. Автор: Chang-Hyun Kim. Владелец: Bonsystems Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Food container having improved oxygen barrier properties and manufacturing methed thereof

Номер патента: US20140332437A1. Автор: Seong Jin Kim,Kyoung Sik Jo,Myoung Woon Moon,Kwang Ryeol Lee,Eun Kyung Song,Tae Kyung Yun. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2014-11-13.

Led illumination apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120294018A1. Автор: Sung-Chul Park,Cheol-Hyun Kim. Владелец: V L SYSTEM CO Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Protective film for substrate, manufacturing method thereof, substrate and manufacturing method of display panel

Номер патента: US20210341650A1. Автор: HAO Yan,Yu Zhang,Zhiliang Jiang,Zhenghong Wang,Haitao YI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Gel nail sticker containing graphene and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230074733A1. Автор: Shin Woong KOH. Владелец: Transurfing Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Nanotube dispersion, nanotube film using the nanotube dispersion and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230340281A1. Автор: Sang Seok Lee,Dong Su Lee,Jungwon Kim,Jangyup Son,Seokhoon AHN,Se Gyu Jang,Yongho Joo,Dae-Young Jeon,Sukang Bae. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-10-26.

Ultra-high strength cold-rolled steel sheet having excellent elongation and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4442851A1. Автор: Eun-Young Kim,Min-Seo KOO. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Display panel and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US09953596B2. Автор: Ang Xiao. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Liquid crystal display and manufacturing method thereof

Номер патента: US09664956B2. Автор: Seon Uk LEE,Jung Suk Bang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140204300A1. Автор: Chang Oh Jeong,Hyang-Shik Kong,Seon-Il Kim,Yeun Tae KIM,Hong Sick Park,Min Ho MOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Catalyst for removing nitrogen oxides and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240149218A1. Автор: Kwan-Young Lee,Do Heui KIM,Se Won JEON,Inhak SONG. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-09.

Quantum dot polarizer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09921343B2. Автор: TAO Hu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrally cast excavator bucket and manufacturing method thereof

Номер патента: US09903093B2. Автор: Jiwen WAN. Владелец: Hubei Wanxin Precision Casting & Forging Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Liquid crystal display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09874780B2. Автор: Yanan Wang,Hongquan Wei. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Scanner for two-dimensional optical scanning, manufacturing method thereof, and medical imaging apparatus using the same

Номер патента: US09835852B2. Автор: Hyeon Cheol PARK,Ki-Hun Jeong,Yeong-Hyeon SEO,Kyung Min HWANG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-12-05.

Cutting/polishing tool and manufacturing method thereof

Номер патента: US09764442B2. Автор: Jeong-Hun Suh. Владелец: Shinhan Diamond Ind Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Heat exchanger equipped with cold reserving part and manufacturing method thereof

Номер патента: US09746245B2. Автор: Hong-Young Lim,Kwang Hun Oh,Young-Ha Jeon,Jun Young Song,Jung Sam GU,Yong Sung Kwon. Владелец: Hanon Systems Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Contact lenses and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20240293984A1. Автор: Han-Yi Chang,Ting-yu LI. Владелец: Pegavision Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Plastic-metal composite material and manufacturing method thereof

Номер патента: US09987780B2. Автор: Shaohua Zhang,Yuhua Lai. Владелец: Guangdong Janus Intelligent Group Corp Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Chewing gum composition based on powder of dried fruit and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2584438C2. Автор: Сяоху СЯ,Сяоцюнь МО,Филип ШЕПАРД. Владелец: Вм. Ригли Дж. Компани. Дата публикации: 2016-05-20.

Composite high-temperature dynamic sealing, and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2403475C2. Автор: Брайан А. ДЖЕЙМС,Джон Э. ШРЁДЕР,Ром РИЧАРДСОН,Лэнни Л. ДИТЛ,Брайан А. ДЖЕЙМС (US),Джон Э. ШРЁДЕР (US),Ром РИЧАРДСОН (US),Лэнни Л. ДИТЛ (US). Владелец: КОЛСИ ЭНДЖИНИРИНГ, ИНК.. Дата публикации: 2010-11-10.

Foamed fabric structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200362483A1. Автор: Yih-Ping Luh. Владелец: Qingyuan Global Technology Services Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Ink jet printer head actuator and manufacturing method thereof

Номер патента: US6503407B1. Автор: Il Kim,Jae Woo Joung,Young Seuck Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-01-07.

Functional soy whey beverage having refreshing flavor and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2018325047A1. Автор: Li Li,Ke Huang,Yongtao FEI,Suijun LI. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2020-03-19.

Composition and manufacturing method of self-diagnosis and reduction catalyst processing for permanent & straighter

Номер патента: WO2004069214A1. Автор: Jong-Ho Park,Sang-Uk Chung,Chang-Koo Shim. Владелец: Beebong Fine Co., Ltd.. Дата публикации: 2004-08-19.

Inner container structure and manufacturing method for inner container structure by using blow molding

Номер патента: EP4063099A8. Автор: Tong Liu,Lei Fan,Xiaogong CHEN,Mingche ZHOU. Владелец: Canature Health Technology Group Co ltd. Дата публикации: 2022-12-14.

Surface-treated steel sheet for battery container, manufacturing production method thereof, battery container and battery

Номер патента: MY117915A. Автор: Tatsuo Tomomori,Yukio Numamoto,Hideo Ohmura,Hitoshi Ohmura. Владелец: Toyo Kohan Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-30.

Conductive particle and manufacturing method thereof, adhesive and application thereof

Номер патента: US12024660B2. Автор: Chongwei TANG,Yuming XIA. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Ferroelectric film and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150232979A1. Автор: Takeshi Kijima,Yuuji Honda. Владелец: Youtec Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

High strength cold rolled steel sheet having excellent surface quality and low mechanical property deviation and manufacturing method of same

Номер патента: EP4407058A1. Автор: Sung-il Kim,Chang-Hyo Seo,Joo-Hyun Ryu. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Entirely recoverable artificial turf and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2017414195B2. Автор: Hao Qian,Chungui Zhao. Владелец: Cocreation Grass Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Key, X-structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070033792A1. Автор: Chien Hsu,Pin Liao. Владелец: Darfon Electronics Corp. Дата публикации: 2007-02-15.

Electrowetting display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10001637B2. Автор: Suk-Won Jung,Kyung Tea PARK. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2018-06-19.

Electrowetting display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140022622A1. Автор: Suk-Won Jung,Kyung Tea PARK. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Graded-index polymer waveguide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230084877A1. Автор: Rui Wang,Yongkai Li,Xiaofeng Liu,Guodong Wang,Hua Miao,Tengfei YAO. Владелец: Shennan Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Fire retardant strength member for optical fiber cables and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230204887A1. Автор: Pramod Marru. Владелец: Sterlite Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Orthodontic wire and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1965721A1. Автор: Sang-Gi Kim,In-Jae Kim,Seong-Chul Shin,Ji-Hun Jung,Seung-Jae Park,Chang-Seob Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-10.

Orthodontic wire and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2007075003A1. Автор: Sang-Gi Kim,In-Jae Kim,Seong-Chul Shin,Ji-Hun Jung,Seung-Jae Park,Chang-Seob Han. Владелец: Woowon Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Functional soy whey beverage having refreshing flavor and manufacturing method thereof

Номер патента: CA3110913A1. Автор: Li Li,Ke Huang,Yongtao FEI,Suijun LI. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2019-03-07.

Functional soy whey beverage having refreshing flavor and manufacturing method thereof

Номер патента: CA3110913C. Автор: Li Li,Ke Huang,Yongtao FEI,Suijun LI. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2023-07-18.

Composition and manufacturing method of self-diagnosis and reduction catalyst processing for permanent & straighter

Номер патента: US20060280707A1. Автор: Jong-Ho Park,Sang-Uk Chung,Chang-Koo Shim. Владелец: BEEBONG FINE CO Ltd. Дата публикации: 2006-12-14.

Environmental protection and safety sign pad and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080220238A1. Автор: Su-Tuan Hsu Tang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Human body cleaner and manufacturing method thereof

Номер патента: MY197072A. Автор: shu-chun Wu. Владелец: Wu Shu Chun. Дата публикации: 2023-05-24.

Porous carbon material and manufacturing method thereof and porous graphite material and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230264959A1. Автор: Tsong-Pyng Perng,Ming-Wei Liao,Tzu-Kang CHIN. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-08-24.

Filter material and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3685901A1. Автор: Chun-Hung Chen,Cheng-Sheng Liang,Po-Ju Lin,Yu-Ping Chen,Pei-Chieh Chuang. Владелец: Sangtech Lab Inc. Дата публикации: 2020-07-29.

Electromagnetically absorbing composition and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130062815A1. Автор: Tzu-Hao Ting. Владелец: R O C MILITARY ACADEMY. Дата публикации: 2013-03-14.

Optical wiring board and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110116736A1. Автор: Sang-Hoon Kim,Joon-Sung Kim,Han-Seo Cho,Jae-Hyun Jung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-19.

Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100091230A1. Автор: Hsiang-Lin Lin,Chih-Jen Hu,Ching-Huan Lin,Sung-Kao Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-04-15.

Optical pickup module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050063279A1. Автор: Sun-Ho Kim,Geun-Ho Kim,Ki-Chang Song. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2005-03-24.

High strength cold rolled steel sheet having excellent surface quality and low mechanical property deviation and manufacturing method of same

Номер патента: US20240247349A1. Автор: Sung-il Kim,Chang-Hyo Seo,Joo-Hyun Ryu. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Saltcore for die-casting with aluminum and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180178271A1. Автор: Ji-Yong Lee,Cheol-Ung Lee. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-06-28.

Photoluminescent gold nanoparticles and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170087640A1. Автор: Yeu-Kuang Hwu,Sheng-Feng Lai,Edwin Bin-Leong ONG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-30.

Key, x-structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110056061A1. Автор: Chien Shih Hsu,Pin Chien Liao. Владелец: Darfon Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Display Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20110157871A1. Автор: Chen-Hsien Liao,Yun-I Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-06-30.

Biochemical labeling materials and manufacturing method thereof

Номер патента: US7338812B2. Автор: Yuh-Jiuan Lin,Kang-Ping Lin,Chin-I Lin,Chao-Kang Chang,Sheng-Ming Shih,K Abraham Joseph. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-03-04.

Test optical disk and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060159000A1. Автор: Emily Lee. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2006-07-20.

Wooden patch and manufacturing method thereof using laser

Номер патента: US20090094871A1. Автор: Byoung-Woo Cho. Владелец: Yupoong Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Hot stamping component and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220162722A1. Автор: Chang-Wook Lee,Yeon-Jung Hwang. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Ceramic material for thermal barrier coating and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240067573A1. Автор: Yixin XIAO,Pengsen Zhao,Haizhong Zheng,Yongxiang Geng,Xinpeng Cao,Peifeng Zhou. Владелец: NANCHANG HANGKONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-29.

Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190072801A1. Автор: WU CAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-07.

Electromagnetically absorbing composition and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120295088A1. Автор: Tzu-Hao Ting. Владелец: R O C MILITARY ACADEMY. Дата публикации: 2012-11-22.

Pressure sensor and manufacture method thereof

Номер патента: US20150375988A1. Автор: Li-Tien Tseng,Yu-Hao Chien. Владелец: MIRAMEMS SENSING TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Polyurethane fiber and spinneret therefor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240318355A1. Автор: Shi-Yang Chen,Chih-Yen Chiang,Min-Yung Huang. Владелец: Bright Cheers International Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Polyurethane fiber and spinneret therefor and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4435156A1. Автор: Shi-Yang Chen,Chih-Yen Chiang,Min-Yung Huang. Владелец: Bright Cheers International Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Degradable synthetic fiber composition and manufacturing method and product thereof

Номер патента: US20180072866A1. Автор: Hao Wu,Chi Chung LAM. Владелец: Hong Kong Research Institute of Textiles and Apparel Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Ultrasonic endoscope and manufacturing method of ultrasonic endoscope

Номер патента: US12076187B2. Автор: Yasuhiko Morimoto,Tsuneo Fukuzawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Hydrogen sulfide sustained releasing dressing and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200237811A1. Автор: Chih-Yuan CHAO,Lie-Sian YAP,Yu-Pu Wang. Владелец: BenQ Materials Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Probe cleaning sheet and manufacture method thereof

Номер патента: US20240359293A1. Автор: Chun-Liang Chen,Li-Wen Hsu,Chih-Tang LEE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-31.

Wire grid polarizer and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09952367B2. Автор: Yanbing WU,Chunyan JI,Yingyi LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Glass fiber-reinforced hot-mix asphalt mixture, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09944797B2. Автор: Taewoo Kim,Jiyoung Choi,Pyeongjun YOO,Booil KIM,Taeyoung YUN,Byungsik OHM,Jongeun BAEK,Sangmin HAM. Владелец: Korea Institute of Civil Engineering and Building Technology KICT. Дата публикации: 2018-04-17.

Electrode strip and sensor strip and manufacture method thereof and system thereof

Номер патента: US09880128B2. Автор: Ying-Che Huang,Ching-Yuan Chu,Lan-Hsiang Huang. Владелец: Apex Biotechnology Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Array substrate and manufacturing method thereof, touch screen and display apparatus

Номер патента: US09772710B2. Автор: Lei Wang,Xue Dong,Haisheng Wang,Yingming Liu,Shengji Yang,Weijie Zhao,Xiaoliang DING,Hongjuan Liu,Tao Ren,Chunlei Wang. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Capsule cosmetics and manufacturing method thereof

Номер патента: US09717317B2. Автор: Jin Woo Kim,In Yong Chung. Владелец: CTK Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

In-cell self capacitive touch control display panel and manufacture method thereof

Номер патента: US09715303B2. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Ultrasonic diagnostic instrument and manufacturing method thereof

Номер патента: US09642597B2. Автор: Jin Ho Gu,Won Hee Lee,Jae-Yk Kim. Владелец: Samsung Medison Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Moulded body and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2678031C2. Автор: Томонори КАТО,Кадзуя САТО,Маюми КИКУТИ,Масаюки КОБАЯСИ. Владелец: Мицубиси Гэс Кемикал Компани, Инк.. Дата публикации: 2019-01-22.

Mixing device and method and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2736040C2. Автор: Йохен ЮНГ,Бернд КАСТНЕР,Сэмми АЙХЕ,Флориан КИКИЛЛУС,Николь РОН. Владелец: Экато Рюр- Унд Миштехник Гмбх. Дата публикации: 2020-11-11.

Digital denture manufacturing method and manufacturing system, and denture hole guider applied thereto and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3649984A1. Автор: Jin Cheol Kim,Jin Baek Kim,Byung Ho Choi,Seung Mi Jung. Владелец: Dio Corp. Дата публикации: 2020-05-13.

Hot-rolled steel sheet and cold-rolled steel sheet and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100209283A1. Автор: Mitsuru Yoshida,Tamotsu Toki,Norio Imai,Kaori Kawano,Masayuki Wakita,Masanori Yasuyama,Hitomi Nishibata,Toshirou Tomida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-19.

Herbaceous fiber and manufacturing method thereof and refiner manufacturing therefor

Номер патента: WO2009119956A1. Автор: Chan Oh PARK. Владелец: Chan Oh PARK. Дата публикации: 2009-10-01.

Liquid crystal display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230273483A1. Автор: Jun Tanaka,Tomio Yaguchi,Toshiki Kaneko,Yuko Matsumoto,Hidehiro Sonoda,Shoichi Uchino,Noboru Kunimatsu,Chikae Matsui. Владелец: Panasonic Intellectual Property Corp of America. Дата публикации: 2023-08-31.

Contact lens and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4431564A1. Автор: Hsiu-Yi CHENG,Kuen-Tsan LEE. Владелец: Pegavision Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Tft-lcd, manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: US20120105754A1. Автор: Xiaoling Xu,Jaegeon You,Jianlei ZHU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-03.

Method for patterning film layer, wire grid polarizer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190204489A1. Автор: Hua Huang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Liquid crystal display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12072581B2. Автор: Jun Tanaka,Tomio Yaguchi,Toshiki Kaneko,Yuko Matsumoto,Hidehiro Sonoda,Shoichi Uchino,Noboru Kunimatsu,Chikae Matsui. Владелец: Panasonic Intellectual Property Corp of America. Дата публикации: 2024-08-27.

Seamless elastic strap with forked structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240360603A1. Автор: YANG LU,Shilian LI. Владелец: Elastique Seamless Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Writable liquid crystal display device and manufacturing method, driving method thereof

Номер патента: US09990073B2. Автор: Junwei Wang,Yuxi Wang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Sensor for detecting saccharide and manufacturing method thereof and detection method of glycated hemoglobin using the same

Номер патента: US09897920B2. Автор: Yoo Min Park,Moosub KIM,Kang Sun Lee,Yunhee KU,Seung Yeon Song,Yong Duk Han,Hyun Chul Yoon,Yongju YANG. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2018-02-20.

Thermoplastic elastomer yarn with improved unwinding, weaving and yarn shrinking property, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200214383A1. Автор: Chan Won Lee,Gu Hwan KIM,Yong In Cho. Владелец: Jeongsan International Co ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Flexible glass and manufacturing method thereof

Номер патента: US12024457B2. Автор: Ching-Fang Wong,Yu-Wei Liu,Wei-Lun Zeng,Kuan-Hua Liao. Владелец: CHENFENG OPTRONICS Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Sustained/controlled release coating, sustained/controlled release mulching film, and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2020217326A1. Автор: YUAN Li,YANG Zhao,Ke Wang,Xiaoyan Sun,Dong Xie,Junjia CHEN. Владелец: Guangdong Institute of Bioengineering Guangzhou Cane Sugar Industry Research Institute. Дата публикации: 2021-12-23.

Photocatalytic filter for degrading mixed gas and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160089660A1. Автор: Daewoong Suh,Jaeseon Yi,Geundo Cho,Doug Youn Lee,Hye Kyung Ku,Kyung Sik Yoon. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-31.

Micro electro mechanical system probe and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240174512A1. Автор: Ming-Wei Huang,Shang-Kuang Wu,Yu-Tsung Fu. Владелец: Taiwan Mask Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Casting product and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170016378A9. Автор: Chul Jun Youm,Jae Kwon Lee,Jong Hyuck Kim,Soon Hyon HWANG. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-01-19.

New glass-linked reactor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170007979A1. Автор: Wenhua Zhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-12.

Photosensitive resin composition, cured product and manufacturing method thereof, light conversion layer and light emitting device

Номер патента: US20240018379A1. Автор: Yu-Chun Chen,Ya-Qian Chen,Chun-Kuan Tai. Владелец: Advanced Echem Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Fire retardant laminated sheet and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030236041A1. Автор: Kyun-Kil Lee. Владелец: SEO HAN MELAMINE Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-25.

Hot-rolled steel sheet and cold-rolled steel sheet and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100263767A1. Автор: Mitsuru Yoshida,Tamotsu Toki,Norio Imai,Kaori Kawano,Masayuki Wakita,Masanori Yasuyama,Hitomi Nishibata,Toshirou Tomida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-21.

Core-shell catalyst with improved durability and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240253026A1. Автор: Seok-Hee Park,Seung Wook Choi,Dongwon Shin,Won-Yong Lee,Minjin Kim,Young-Jun Sohn,Gu-Gon Park,Byungchan Bae,Sung-Dae Yim,Tae-Hyun Yang,Hyejin Lee,Seung-gon Kim,Yoon Young Choi,Eunjik Lee,Yun Sik KANG,So Jeong LEE,Seung Hee Woo,Hwangyeong OH. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2024-08-01.

Ophthalmic lens and manufacturing method thereof

Номер патента: US10429671B2. Автор: Fan-Dan Jan. Владелец: BenQ Materials Corp. Дата публикации: 2019-10-01.

Display motherboard, display panel and manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US10012856B2. Автор: Yue Li,Lei Wang,Yong Zhang,Xiaochuan Chen,Zhenhua Lv,Zhiying BAO,Shijun Wang,Wenjun XIAO,Chunlei Wang,Yanna Xue,Wenbo Jiang. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

Large-size diesel exhaust valve and manufacturing method thereof

Номер патента: DK202430287A1. Автор: Lu Hong,Zhang Xiaolin,Dai Weiwei,Jiang Lihe,Quan Guozheng. Владелец: Cosco Shipping Marine Equipment & Spares Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-05.

High-strength protective cloth with moisture permeability and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230050800A1. Автор: Hsing-Hsun LEE. Владелец: Quann Cheng International Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Calcium-containing graphite steel wire rod, graphite steel, and manufacturing and cutting method therefor

Номер патента: EP4421203A1. Автор: Sangwoo CHOI,Namsuk LIM. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

TFT-LCD, manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: US8836902B2. Автор: Xiaoling Xu,Jaegeon You,Jianlei ZHU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-16.

Paper box with wireless signal transmission component and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160010285A1. Автор: Chien-Kuan Kuo,Chun-Huang Huang. Владелец: Golden Arrow Printing Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Optical fiber cable with compressed core and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4206775A1. Автор: Vikash Shukla. Владелец: Sterlite Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Zinc-modified ferritic stainless steels and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140119976A1. Автор: Swe-Kai Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2014-05-01.

Iron-based absorbable and implantable medical device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190008994A1. Автор: LI QIN,Deyuan Zhang,Ziqiang LIU,Wenjiao Lin,Haiping Qi. Владелец: Lifetech Scientific Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-10.

High transmittance PSVA liquid crystal display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US9785012B2. Автор: Xinhui Zhong. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Algae fluorescence protein dry powder structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060258844A1. Автор: Jiunn-Ming Jeng,Chih-Yi Lu,Wen-Jen Yang. Владелец: Zen U Biotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-16.

Anti-fogging material and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220204804A1. Автор: Li-Ching WANG,Yuan-Yin Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2022-06-30.

Pixel unit, pixel array and electronic apparatus having sensing function element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240231520A1. Автор: Shih-Hsien Tseng,Chih-Wen Lu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-11.

Medicarpin, its derivatives, manufacturing method thereof

Номер патента: US20180086772A1. Автор: Yu Zhao,Xiaoming Yang,Kuo-Hsiung Lee,Rong-Tsun Wu,Lin-Yea HORNG,Yi-Li Lee,Hui-Ching SUNG,Chien-Hsin Cheng,Pei-Lun Hsu. Владелец: Phytohealth Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Wiredrawing inflatable mattress and manufacturing method thereof

Номер патента: US12102236B1. Автор: Bowen Sha. Владелец: Shanghai Quluying Outdoor Products Co ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Directly injection-molded steering wheel damper and manufacturing method thereof

Номер патента: US12097649B2. Автор: Tae Ho YEO,Sang Ho SEOK,Sung Soo JIN. Владелец: AIA Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Magnetic recording head and manufacturing method thereof, magnetic recording apparatus, and manufacturing method of magnetic recording medium

Номер патента: US12087334B2. Автор: Tetsuya Kaneko,Kento NISHIMURA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Large-size diesel exhaust valve and manufacturing method thereof

Номер патента: US12104508B1. Автор: Xiaolin Zhang,Hong Lu,Weiwei Dai,Lihe JIANG,Guozheng QUAN. Владелец: Cosco Shipping Marine Equipt & Spares Nj Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

large-size diesel exhaust valve and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240328333A1. Автор: Xiaolin Zhang,Hong Lu,Weiwei Dai,Lihe JIANG,Guozheng QUAN. Владелец: Cosco Shipping Marine Equipt & Spares Nj Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Multi-core fiber and manufacturing method thereof and multi-core fiber marker

Номер патента: US12105321B2. Автор: Anand Pandey,Ranjith Balakrishnan. Владелец: Sterlite Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Glass-lined reactor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09975102B2. Автор: Wenhua Zhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Refrigerator and manufacturing method thereof

Номер патента: US09970703B2. Автор: Ho Sang Park,Kwon Chul Yun,Kwang Hyuk Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Light guide plate and manufacturing method thereof, backlight module

Номер патента: US09791615B2. Автор: YONG Song,Hong Zhu,Gang Yang,Jun Long,Rui Li,Hongkun Zhang,Hongjun Yu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

High transmittance PSVA liquid crystal display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09785012B2. Автор: Xinhui Zhong. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Display substrate and manufacturing method thereof, liquid crystal cell as well as display

Номер патента: US09740051B2. Автор: Tingze Dong,Zhinan Zhang,Xing Qin,Xiuliang WANG,Xuejiao Huang. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Curved liquid crystal display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09684210B2. Автор: YUAN Xiong. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Manufacturing and assembling mechanism of light guide plate with scheduled torn off edge material and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: TWI776615B. Автор: 李明彥. Владелец: 茂林光電科技股份有限公司. Дата публикации: 2022-09-01.

Self-adhesive waterproof roll and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN103556788A. Автор: 崔学民,宋敦清,薛兴勇,龚荣华. Владелец: GUANGXI QINGLONG CHEMICAL BUILDING MATERIAL CO Ltd. Дата публикации: 2014-02-05.

Double-layer solid wood floorboard and manufacturing and installing method thereof

Номер патента: CN103510682A. Автор: 陈建国. Владелец: Shanghai Zhubang Wood Industry Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-15.

Unit extensible type assembled metal gutter and manufacturing and installing method thereof

Номер патента: CN103422625A. Автор: 李春光,刘献文,杨时银,杨亚. Владелец: Jangho Group Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-04.

Improved sandwiched color-steel plate and manufacture and construction method thereof

Номер патента: CN105064602A. Автор: 吴耀荣. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-11-18.

Connector capable of realizing deep-sea hot plugging and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN101944678B. Автор: 康图强. Владелец: 康图强. Дата публикации: 2012-09-05.

Filled karst pipeline system and manufacturing and refilling methods thereof

Номер патента: CN104215425A. Автор: 周毅,李利平,石少帅,李术才,张乾青,陈迪杨,许振浩,孙尚渠. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2014-12-17.

Solid-state imaging device, and manufacturing and driving method thereof

Номер патента: CN100481482C. Автор: 阿部秀司,佐藤充,北野良昭,黑岩淳,平田清,大木洋昭,唐泽信浩,滝泽律夫,山下满,国分胜则. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-04-22.

Connector capable of realizing deep-sea live-wire insertion and extraction and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN101944678A. Автор: 康图强. Владелец: 康图强. Дата публикации: 2011-01-12.

Belt transmission water flow energy dissipation, power generation and settling device and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN104819090A. Автор: 张朝利. Владелец: Suzhou Huicheng Zhizao Industrial Design Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-05.

Micro-pressure sensor and manufacturing and detecting method thereof

Номер патента: CN103983395A. Автор: 赵玉龙,李萍,赵立波,乔智霞,蒋庄德,李支康,叶志英,薛方正. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2014-08-13.

High-molecular polymer based resistance type humidity sensor and manufacturing and testing method thereof

Номер патента: CN102928475B. Автор: 陈宏�,吴佳俊,卞侃,熊克,潘潇. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2015-01-14.

Surface-mounted electronic device package structure and manufacturing and application methods thereof

Номер патента: CN104340516A. Автор: 弗兰克·魏. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-11.

Blank-filling bar code circle menu and manufacturing and interpreting methods thereof

Номер патента: CN101739580A. Автор: 吴坤荣,吴伊婷,黄景焕,郑维恒,简大为. Владелец: Chunghwa Telecom Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-16.

Automatic ordering and manufacturing system and method thereof

Номер патента: KR100561067B1. Автор: 김상현,오인환,송병래. Владелец: 주식회사 포스코. Дата публикации: 2006-03-16.

Image identifier capable of obtaining hidden information and manufacturing and reading method thereof

Номер патента: CN103295047A. Автор: 谢婧. Владелец: 谢婧. Дата публикации: 2013-09-11.

Foldable multifunctional overhanging unloading platform and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN105239765B. Автор: 张磊,孙涛,陈晓东,于光,张平平,杨少林,史一剑,包海明,王立营,史剑. Владелец: China Construction Baili Engineering Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-26.

Differential transformer type line displacement sensor and manufacture and use methods thereof

Номер патента: CN102175128A. Автор: 杨蕾,梁锋,韦林,王卫斌. Владелец: XI'AN XUTONG ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-07.

Adjustable body type hybrid power system test-bed and manufacturing and adjusting method thereof

Номер патента: CN102435439B. Автор: 张伟健,张兆龙,周炳峰. Владелец: Shanghai Zhongke Shenjiang Electric Vehicle Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-09.

Patch type RFID (Radio Frequency Identification Device) tire electronic tag device and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN102054195B. Автор: 陈海军,王曙光,董兰飞,袁仲雪,邬立春,刘川来. Владелец: Mesnac Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-17.

Building construction all-steel mold plate and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: CN102182302B. Автор: 李春林,张晓亮,李青文,刘肆方,邝维萍. Владелец: THIRD INSTALLATION ENGINEERING Co Ltd OF SINOCHEM 2 CONSTRUCTION GROUP Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-30.

Glass rod preventing liquid from bumping, and manufacture and usage method thereof

Номер патента: CN104415800A. Автор: 彭慧仙. Владелец: Pangang Group Panzhihua Iron and Steel Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-18.

Arc diameter detector and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN101650149A. Автор: 宁杰,袁福吾,黄恭祝,覃洪东. Владелец: Guangxi Yuchai Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-17.

Grouting bag for grouting and lifting of ballastless track and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN104153260A. Автор: 曾志,郑新国,王月华,杨德军,谢永江,李书明,刘竞,翁智财,朱长华,仲新华. Владелец: Railway Engineering Research Institute of CARS. Дата публикации: 2014-11-19.

Film transistor array substrate and manufacturing and repairing methods thereof

Номер патента: CN102213879A. Автор: 白国晓. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-12.

Dismantling-free stiffened composite template and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN103195238A. Автор: 张建华. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-10.

Electric-controlled equipment real-time reading and writing system in assembly and manufacture process and method thereof

Номер патента: CN101387869A. Автор: 陈兴,邢晓龙. Владелец: Shanghai Baosight Software Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-18.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2369795C2. Автор: Владимир Николаевич Бекетов,Сергей Анатольевич Перепелкин,Сергей Геннадиевич Куликов,Константин Валерьевич Лаптинский,Вячеслав Алексеевич Маклаков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Актан". Дата публикации: 2009-10-10.

Start target composition on basis of radium, and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2436179C1. Автор: Ростислав Александрович Кузнецов,Павел Сергеевич Буткалюк,Евгений Геннадьевич Романов. Владелец: Открытое акционерное общество "Государственный научный центр Научно-исследовательский институт атомных реакторов". Дата публикации: 2011-12-10.

Electrode catheter and manufacturing method thereof

Номер патента: MY170678A. Автор: Onuma Tadatsugu,Osaki Ikuno. Владелец: Japan Lifeline Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-26.

Bipolar Junction Transistor and Manufacturing Method Thereof

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты