Bipolar junction transistor with high beta
Номер патента: WO2006098868A3
Опубликовано: 12-04-2007
Автор(ы): Adrian Mcdonald, Moshe Agam, Richard Smoak, Robert Bartel
Принадлежит: Lattice Semiconductor Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 12-04-2007
Автор(ы): Adrian Mcdonald, Moshe Agam, Richard Smoak, Robert Bartel
Принадлежит: Lattice Semiconductor Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Bipolar transistor with carbon alloyed contacts
Номер патента: US20150236093A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning,Kevin K. Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-20.