Bipolar junction transistor with high beta

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Bipolar transistor with carbon alloyed contacts

Номер патента: US20150236093A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning,Kevin K. Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Bipolar junction transistors with a nanosheet intrinsic base

Номер патента: US20230071998A1. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Zhenyu Hu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Bipolar junction transistor structure

Номер патента: US09685502B2. Автор: John Wood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-20.

Bipolar junction transistor

Номер патента: US09991367B1. Автор: Chen-Wei Pan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Bipolar junction transistor formed on fin structures

Номер патента: US09780003B2. Автор: Shien-Yang Wu,Sun-Jay Chang,Chia-Hsin Hu,Min-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Bipolar transistor with carbon alloyed contacts

Номер патента: US20170018606A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning,Kevin K. Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Bipolar transistor with carbon alloyed contacts

Номер патента: US20160204234A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning,Kevin K. Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Bipolar junction transistor having an integrated switchable short

Номер патента: US20220037311A1. Автор: Peter Hugh Blair. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Lateral bipolar junction transistor

Номер патента: US8674454B2. Автор: Ching-Chung Ko,Tung-Hsing Lee. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2014-03-18.

Fin-based lateral bipolar junction transistor with reduced base resistance and method

Номер патента: US11967637B2. Автор: Haiting Wang,Jagar Singh,Ali Razavieh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Device having bipolar junction transistors and finFET transistors on the same substrate

Номер патента: US11721691B2. Автор: BO Wang,Runzi Chang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Electrical performance of bipolar junction transistors

Номер патента: US20210296309A1. Автор: BO Wang,Runzi Chang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Lateral bipolar junction transistors with a back-gate

Номер патента: US11923417B2. Автор: Hong Yu,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Pnp bipolar junction transistor fabrication using selective epitaxy

Номер патента: US20150008562A1. Автор: Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Trenched and implanted bipolar junction transistor

Номер патента: US09917180B2. Автор: Anup Bhalla,Leonid Fursin. Владелец: United Silicon Carbide Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Bipolar junction transistor integrated with pip capacitor and method for making the same

Номер патента: US20100283123A1. Автор: Jian-Bin Shiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-11-11.

Bipolar Junction Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20090221125A1. Автор: Nam Joo Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Bipolar junction transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070152240A1. Автор: NAM Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Bipolar junction transistor arrays

Номер патента: EP4373237A1. Автор: Hong Yu,Venkatesh Gopinath,David Pritchard,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Bipolar junction transistor arrays

Номер патента: US20240170560A1. Автор: Hong Yu,Venkatesh Gopinath,David Pritchard,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Bipolar junction transistor

Номер патента: US09978745B2. Автор: Kun-Hsien Lee,Ling-Chun Chou,Kuan-Ti Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Bipolar junction transistor layout structure

Номер патента: US09899502B2. Автор: Yuan-Heng Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Electronic circuits including diode-connected bipolar junction transistors

Номер патента: US20170025409A1. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-26.

Bipolar junction transistor structures

Номер патента: US20240145466A1. Автор: Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Self-aligned bipolar junction transistors

Номер патента: US20140284758A1. Автор: Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Diode-connected bipolar junction transistors and electronic circuits including the same

Номер патента: US9490251B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Electronic circuits including diode-connected bipolar junction transistors

Номер патента: US09806073B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Diode-connected bipolar junction transistors and electronic circuits including the same

Номер патента: US20150228643A1. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-13.

Bipolar junction transistor and operating and manufacturing method for the same

Номер патента: US20140266407A1. Автор: Jeng Gong,Wing-Chor CHAN,Li-Fan Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Bipolar junction device

Номер патента: US20220216330A1. Автор: Chih Chieh Yeh,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Bipolar junction device

Номер патента: US11289591B1. Автор: Chih Chieh Yeh,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Bipolar junction device

Номер патента: US20230207671A1. Автор: Chih Chieh Yeh,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor structure of BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR (BJT)

Номер патента: US20240014295A1. Автор: Shih-Chuan CHIU,Zheng Zeng,Chia-Hsin Hu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Bipolar junction transistor

Номер патента: US20180068998A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Ling-Chun Chou,Kuan-Ti Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Self-aligned bipolar junction transistors

Номер патента: US20150008558A1. Автор: Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Super self-aligned collector device for mono-and hetero bipolar junction transistors

Номер патента: MY122940A. Автор: Green Richard,BOHR Mark,Chambers Stephen,Ahmed Shahriar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-05-31.

Bipolar junction device

Номер патента: US11830938B2. Автор: Chih Chieh Yeh,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Bipolar junction device

Номер патента: US11600719B2. Автор: Chih Chieh Yeh,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

Bipolar junction device

Номер патента: US20220102537A1. Автор: Chih Chieh Yeh,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Bipolar junction transistors with double-tapered emitter fingers

Номер патента: US09728603B2. Автор: Anthony K. Stamper,Hanyi Ding,Vibhor Jain,Alvin J. Joseph. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Bipolar junction transistors and methods of fabrication

Номер патента: US20160181393A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Bipolar junction transistors and methods of fabrication

Номер патента: US09905668B2. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Bipolar junction transistors including wrap-around emitter and collector contacts

Номер патента: US11769806B2. Автор: Hong Yu,Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Bipolar junction transistor with gate over terminals

Номер патента: US12051729B2. Автор: Ying-Keung Leung,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Bipolar junction transistor with gate over terminals

Номер патента: US20240339508A1. Автор: Ying-Keung Leung,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Lateral bipolar junction transistors with an airgap spacer

Номер патента: EP4170727A1. Автор: Hong Yu,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

Bipolar junction transistors and methods of fabrication

Номер патента: US20160027905A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Forming horizontal bipolar junction transistor compatible with nanosheets

Номер патента: US09991254B1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Closed cell transistor with built-in voltage clamp

Номер патента: US5136349A. Автор: Hamza Yilmaz,Izak Bencuya. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1992-08-04.

Lateral bipolar junction transistors with an airgap spacer

Номер патента: US11967636B2. Автор: Hong Yu,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Trench isolation for bipolar junction transistors in bicmos technology

Номер патента: US20150048478A1. Автор: Qizhi Liu,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Bipolar junction transistor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09947746B2. Автор: Kai-Kuen Chang,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Self-aligned base and emitter for a bipolar junction transistor

Номер патента: US20210066474A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Collector-up bipolar junction transistors in bicmos technology

Номер патента: US20140231878A1. Автор: James W. Adkisson,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Bipolar junction transistor structure for reduced current crowding

Номер патента: US09755018B2. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Bipolar junction transistor with gate over terminals

Номер патента: US11843038B2. Автор: Ying-Keung Leung,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Bipolar junction transistor with gate over terminals

Номер патента: US20230378287A1. Автор: Ying-Keung Leung,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Bipolar junction transistors with a wraparound base layer

Номер патента: US20220262930A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Judson R. Holt,Tayel Nesheiwat,Christopher Durcan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Method for manufacturing a bipolar junction transistor

Номер патента: US20180323293A1. Автор: Dirk Manger,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-11-08.

Shaped terminals for a bipolar junction transistor

Номер патента: US20170288033A1. Автор: John J. Pekarik,Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Bipolar junction transistor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180047809A1. Автор: Kai-Kuen Chang,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Trench isolation structures and methods for bipolar junction transistors

Номер патента: US20150060950A1. Автор: Marwan H. Khater,Renata Camillo-Castillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

SUPER-ß BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20240006477A1. Автор: Liang Song,Yongshun LI,Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for manufacturing a bipolar junction transistor

Номер патента: US10468497B2. Автор: Dmitri Alex Tschumakow. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-11-05.

Method for manufacturing a bipolar junction transistor

Номер патента: US20170317198A1. Автор: Dirk Manger,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-11-02.

Method for manufacturing a bipolar junction transistor

Номер патента: US10020387B2. Автор: Dirk Manger,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-07-10.

Trench isolation for bipolar junction transistors in bicmos technology

Номер патента: US20140217551A1. Автор: Qizhi Liu,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-07.

Collector-up bipolar junction transistors in bicmos technology

Номер патента: US20140231877A1. Автор: James W. Adkisson,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Method for manufacturing a bipolar junction transistor

Номер патента: US20180061961A1. Автор: Dmitri Alex Tschumakow. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-03-01.

Gate all around transistors with high charge mobility channel materials

Номер патента: WO2021150392A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-07-29.

Gate all around transistors with high charge mobility channel materials

Номер патента: US20210226009A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Gate all around transistors with high charge mobility channel materials

Номер патента: EP4094287A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-11-30.

Bipolar junction transistors with duplicated terminals

Номер патента: EP4156272A1. Автор: Hong Yu,Shesh Mani Pandey,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-03-29.

Bipolar junction transistors with duplicated terminals

Номер патента: US11749727B2. Автор: Hong Yu,Shesh Mani Pandey,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Hybrid bipolar junction transistor

Номер патента: US09812508B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Reverse bipolar junction transistor integrated circuit

Номер патента: US09589953B2. Автор: Kyoung Wook SEOK. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

A method of manufacturing a silicon bipolar junction transistor, and a bjt

Номер патента: EP4398310A1. Автор: Patrick SEBEL,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-10.

Method of manufacturing a silicon bipolar junction transistor, and a bjt

Номер патента: US20240234552A1. Автор: Patrick SEBEL,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-11.

Power Semiconductor Device Comprising a Thyristor and a Bipolar Junction Transistor

Номер патента: US20230118951A1. Автор: Tobias Wikstroem. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-04-20.

Method of junction control for lateral bipolar junction transistor

Номер патента: US9929258B1. Автор: Pouya Hashemi,Tak H. Ning,Kam-Leung Lee,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

High holding voltage bipolar junction device

Номер патента: US12068401B2. Автор: Prantik Mahajan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

High holding voltage bipolar junction device

Номер патента: US20230317835A1. Автор: Prantik Mahajan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

High-electron-mobility transistor with high voltage endurance capability and preparation method thereof

Номер патента: US20210066481A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Bipolar junction transistor (BJT) base conductor pullback

Номер патента: US09831328B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Lih-Tien Shyu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of fabricating bipolar junction transistor

Номер патента: US20070184608A1. Автор: Mingshang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Implementing stress in a bipolar junction transistor

Номер патента: US09608096B1. Автор: Vibhor Jain,James W. Adkisson,Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of fabricating a bipolar junction transistor

Номер патента: US20060099757A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-05-11.

Methods for making bipolar junction transistors including emitter-base and base-collector superlattices

Номер патента: US20240250146A1. Автор: Richard Burton. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Bipolar junction transistor (bjt) base conductor pullback

Номер патента: US20180047837A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Lih-Tien Shyu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Bipolar junction transistors including emitter-base and base-collector superlattices and associated methods

Номер патента: WO2021146236A1. Автор: Richard Burton. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2021-07-22.

Structure of a bipolar junction transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20060199347A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-09-07.

Bipolar junction transistors including emitter-base and base-collector superlattices

Номер патента: US20240097003A1. Автор: Richard Burton. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Implementing stress in a bipolar junction transistor

Номер патента: US20170098699A1. Автор: Vibhor Jain,James W. Adkisson,Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-06.

Array arrangements of vertical bipolar junction transistors

Номер патента: US20240172455A1. Автор: Hong Yu,Venkatesh Gopinath,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Darlington pair bipolar junction transistor sensor

Номер патента: EP4420166A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Bipolar junction transistor devices

Номер патента: US20120025352A1. Автор: Cheng-Chi Lin,Shuo-Lun Tu,Shih-Chin Lien,Wei-Hsun Hsu,Chin-Pen Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Array arrangements of vertical bipolar junction transistors

Номер патента: EP4373236A1. Автор: Hong Yu,Venkatesh Gopinath,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Cascaded bipolar junction transistor and methods of forming the same

Номер патента: US20230402532A1. Автор: Kuo-Ming Wu,Hong-Shyang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Bipolar junction transistor (BJT) comprising a multilayer base dielectric film

Номер патента: US11710783B2. Автор: Jiech-Fun Lu,Chun-Tsung Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Darlington pair bipolar junction transistor sensor

Номер патента: WO2023066637A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak Ning. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-04-27.

Vertical bipolar junction transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09666700B2. Автор: Francois Hebert,Ju Ho Kim,Seong Min Cho,Yon Sup PANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Bipolar junction transistor with improved avalanche capability

Номер патента: WO2013152003A1. Автор: LIN Cheng,Qingchun Zhang,Anant Kumar Agarwal. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2013-10-10.

Bipolar junction transistor with improved avalanche capability

Номер патента: US20130264581A1. Автор: LIN Cheng,Qingchun Zhang,Anant K. Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-10-10.

Wide based high voltage bipolar junction transistor with buried collectors as hybrid igbt building block

Номер патента: US20240222476A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: IPOWER SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2024-07-04.

Conductivity modulation in a silicon carbide bipolar junction transistor

Номер патента: EP2593967A1. Автор: Martin Domeij,Benedetto Buono. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-05-22.

Bidirectional bipolar junction transistor devices from bonded wide and thick wafers

Номер патента: WO2024123521A1. Автор: Jiankang Bu,Yifan Jiang,Ruiyang Yu,R. Daniel BRDAR. Владелец: Ideal Power Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

Bipolar junction transistor with improved avalanche capability

Номер патента: US9601605B2. Автор: LIN Cheng,Qingchun Zhang,Anant K. Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Thin bidirectional bipolar junction transistor devices from bonded wide and thick wafers

Номер патента: US20240194736A1. Автор: Jiankang Bu,Yifan Jiang,Ruiyang Yu,R. Daniel BRDAR. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Bipolar junction transistor device and a method of fabricating the same

Номер патента: US6028329A. Автор: Chungpin Liao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2000-02-22.

III-V lateral bipolar junction transistor

Номер патента: US09865714B2. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Vertical junction field effect transistors and bipolar junction transistors

Номер патента: US8587024B2. Автор: LIN Cheng. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2013-11-19.

Fin-based lateral bipolar junction transistor and method

Номер патента: US11888031B2. Автор: Hong Yu,Zhenyu Hu,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Method and system of operating a bi-directional double-base bipolar junction transistor (b-tran)

Номер патента: US20230066664A1. Автор: Alireza MOJAB,Daniel BRDAR,Ruiyang Yu. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Method and system of operating a bi-directional double-base bipolar junction transistor (b-tran)

Номер патента: US20220190115A1. Автор: Alireza MOJAB,Daniel BRDAR. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Method and system of operating a bi-directional double-base bipolar junction transistor (b-tran)

Номер патента: EP4260375A1. Автор: John Wood,Alireza MOJAB,Daniel BRDAR,Ruiyang Yu. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2023-10-18.

Single crystalline extrinsic bases for bipolar junction structures

Номер патента: US10998419B2. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak Ning,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-04.

Bipolar junction transistor exhibiting suppressed kirk effect

Номер патента: CA2124843A1. Автор: James A. Matthews. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-09-02.

Iii-v lateral bipolar junction transistor

Номер патента: US20170294525A1. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

Bipolar junction transistor

Номер патента: US20230352570A1. Автор: Qizhi Liu,Mark D. Levy,Jason E. Stephens,Sarah A. McTaggart,Laura J. Silverstein. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

High voltage insulated gate bipolar transistors with minority carrier diverter

Номер патента: EP2438611A2. Автор: Qingchun Zhang,Sei-Hyung Ryu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-04-11.

High voltage insulated gate bipolar transistors with minority carrier diverter

Номер патента: WO2010141237A2. Автор: Qingchun Zhang,Sei-Hyung Ryu. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2010-12-09.

Circuits, methods, and systems with optimized operation of double-base bipolar junction transistors

Номер патента: GB2536586A. Автор: C Alexander William. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2016-09-21.

Symmetrical bipolar junction transistor array

Номер патента: US20150348844A1. Автор: Chung H. Lam,Tak H. Ning,Jin Cai,Sangbum Kim,Matthew J. BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

A method of fabricating a bipolar junction transistor

Номер патента: WO1996010839A1. Автор: Rick C. Jerome,Ian R. C. Post. Владелец: UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 1996-04-11.

Method for modeling excess current in irradiated bipolar junction transistors

Номер патента: US11017143B2. Автор: Hugh James Barnaby,Philippe Adell,Blayne Tolleson. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2021-05-25.

Method for manufacturing a bipolar junction transistor

Номер патента: US20020039815A1. Автор: Samuel Nawaz,Jeffrey Brighton. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-04-04.

Method of making bipolar transistor with integrated base contact and field plate

Номер патента: US20040036145A1. Автор: Sheldon Haynie. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Bipolar junction transistor (bjt) base conductor pullback

Номер патента: US20160240636A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Lih-Tien Shyu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Bipolar junction transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US10600894B2. Автор: Sinan Goktepeli,Plamen Vassilev Kolev,Peter Graeme Clarke. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-03-24.

Self aligned compact bipolar junction transistor layout, and method of making same

Номер патента: MY122957A. Автор: Murthy Anand,Green Richard,BOHR Mark,Chambers Stephen,Ahmed Shahriar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-05-31.

Self aligned compact bipolar junction transistor layout, and method of making same

Номер патента: EP1451864A2. Автор: Stephen Chambers,Anand Murthy,Richard Green,Mark Bohr,Shahriar Ahmed. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-09-01.

High beta, high frequency transistor structure

Номер патента: US4151540A. Автор: Wendell B. Sander,William H. Shepherd. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1979-04-24.

Magnetic tunnel junction transistor

Номер патента: US20100264475A1. Автор: Daniel C. Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

High-gain pnp bipolar junction transistor in a cmos device and method for forming the same

Номер патента: US20020036333A1. Автор: Wen-Ying Wen,Shyh-Chyi Wong. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-03-28.

High speed bipolar junction transistor for high voltage applications

Номер патента: US20150249085A1. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-03.

Method and system of current sharing among bidirectional double-base bipolar junction transistors

Номер патента: US20210384900A1. Автор: Alireza MOJAB. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Fabricating Bipolar Junction Select Transistors For Semiconductor Memories

Номер патента: US20100155894A1. Автор: Fabio Pellizzer,Giorgio Servalli,Agostino Pirovano,Augusto Benvenuti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-24.

Method for fabricating an accumulated-base bipolar junction transistor

Номер патента: US5614424A. Автор: Mong-Song Liang,Shyh-Chyi Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1997-03-25.

High breakdown voltage wide band-gap mos-gated bipolar junction transistors with avalanche capability

Номер патента: EP2454756A2. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-05-23.

Anti-fuse nonvolatile memory devices employing lateral bipolar junction transistors as selection transistors

Номер патента: US20170271346A1. Автор: Kwang Il Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Method and system of operating a bi-directional double-base bipolar junction transistor (B-TRAN)

Номер патента: US11804835B2. Автор: Alireza MOJAB. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Construction and optical control of bipolar junction transistors and thyristors

Номер патента: WO2015179718A1. Автор: William C. Nunnally. Владелец: APPLIED PHYSICAL ELECTRONICS, L.C.. Дата публикации: 2015-11-26.

Bipolar Junction Transistor Having a Carrier Trapping Layer

Номер патента: US20110260292A1. Автор: Chrong-Jung Lin,Yi-Hung Tsai,Ya Chin King. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Bipolar transistor with improved reverse breakdown characteristics

Номер патента: US6383885B1. Автор: Patrice Parris,Vasudev Venkatesan. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2002-05-07.

Bipolar junction transistor (bjt) structure

Номер патента: US20240128262A1. Автор: Shih-Chuan CHIU,Zheng Zeng,Chia-Hsin Hu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Common base lateral bipolar junction transistor circuit for an inkjet print head

Номер патента: EP2237957A1. Автор: Rohit Gupta,Adam Ghozeil,Bee Peh. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2010-10-13.

Semiconductor networks including field-effect and junction transistors

Номер патента: GB983275A. Автор: . Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1965-02-17.

Integrated circuit device formed with high Q MIM capacitor

Номер патента: US20030025144A1. Автор: Ping Liou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Integrated circuit device formed with high Q MIM capacitor

Номер патента: US6620678B2. Автор: Ping Liou. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-09-16.

Magnetic tunnel junction transistor devices

Номер патента: GB2505599A. Автор: Vladislav Korenivski,Daniel C Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-05.

Silicon layer with high resistance and fabricating method thereof

Номер патента: US20060273322A1. Автор: Yu-Chi Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-12-07.

Complementary schottky junction transistors and methods of forming the same

Номер патента: WO2003079445A1. Автор: Trevor J. Thornton. Владелец: Arizona State University. Дата публикации: 2003-09-25.

Bipolar junction transistor and cmos image sensor having the same

Номер патента: US20080048222A1. Автор: Su Lim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

Charge sensors using inverted lateral bipolar junction transistors

Номер патента: US9170338B2. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Sufi Zafar,Jeng-Bang Yau. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-27.

Array assemblies with high voltage solid state lighting dies

Номер патента: EP2659513A2. Автор: Martin F. Schubert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-06.

Nonvolatile bipolar junction memory cell

Номер патента: US09711718B1. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Resistive memory elements accessed by bipolar junction transistors

Номер патента: US20240147736A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Alexander Derrickson,Hongru Ren. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Low power memory cell with high sensing margin

Номер патента: US09583167B2. Автор: Yang Hong,Tze Ho Simon Chan,Yong Wee Francis POH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor package with high routing density patch

Номер патента: US20240266324A1. Автор: Michael Kelly,Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Power tools with high-emissivity heat sinks

Номер патента: US12017336B2. Автор: Steven L C B Hartig, Jr.. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Tape carrier having high flexibility with high density wiring patterns

Номер патента: US20020157857A1. Автор: Noriaki Atou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor structure for use with high-frequency signals

Номер патента: WO2002009150A3. Автор: Jamal Ramdani,Ravindranath Droopad,Kurt Eisenbeiser,Nada El-Zein. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Improvements in or relating to junction transistors

Номер патента: GB864771A. Автор: George Roman. Владелец: Pye Ltd. Дата публикации: 1961-04-06.

Double-sided cooling package for double-sided, bi-directional junction transistor

Номер патента: US20230386987A1. Автор: Jiankang Bu,Robert Daniel BRDAR. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Double-sided cooling package for double-sided, bi-directional junction transistor

Номер патента: WO2023229978A1. Автор: Jiankang Bu,Robert Daniel BRDAR. Владелец: Ideal Power Inc.. Дата публикации: 2023-11-30.

Electronic assembly with high capacity thermal interface and methods of manufacture

Номер патента: EP1342268A2. Автор: Gregory M. Chrysler,Abhay A. Watwe. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-09-10.

LED lighting device with high color rendering index

Номер патента: EP2610909A3. Автор: Min Chen,Bishou Chen,Na Feng,Chungen Chen. Владелец: Jiashan Jinghui Photoelectricity Tech Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-22.

Super low profile package with high efficiency of heat dissipation

Номер патента: US20020066954A1. Автор: Tzong-Dar Her,Chien-Ping Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-06.

Small-sized vertical light emitting diode chip with high energy efficiency

Номер патента: US12062746B2. Автор: Fu-Bang CHEN,Kuo-Hsin Huang. Владелец: Excellence Opto Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Hall effect devices integrated with junction transistors

Номер патента: US20230403949A1. Автор: Xinfu Liu,Wensheng Deng,Jason Kin Wei Wong,Qianqian Meng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

High-voltage feedthrough, and electrical high-voltage device with high-voltage feedthrough

Номер патента: CA3123505C. Автор: Achim Langens. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-10-17.

High-voltage feedthrough, and electrical high-voltage device with high-voltage feedthrough

Номер патента: CA3123505A1. Автор: Achim Langens. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2021-12-30.

Elastomer composites with high dielectric constant

Номер патента: US20200035376A1. Автор: Evangelos Manias,Bo Li,David Eric RYAN. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Elastomer composites with high dielectric constant

Номер патента: PH12018502267A1. Автор: Evangelos Manias,Bo Li,David Eric RYAN. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2019-09-23.

Lithium ion battery with high capacity

Номер патента: US20240079581A1. Автор: Zhen Lin,Nengjian XIE,Guozhen WEI,Leiying ZENG,Bolie Yu. Владелец: Xtc New Energy Materials Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

High capacitance multilayer with high voltage capability

Номер патента: EP2449569A2. Автор: James R. Magee,John Bultitude,Lonnie G. Jones. Владелец: Kemet Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-09.

Electrolytic copper foil with high strength and high elongation characteristic

Номер патента: EP4446476A1. Автор: Seulki Park,Sun Hyoung Lee,Kideok Song,Soo Un LEE. Владелец: Lotte Energy Materials Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Method of operating fuel cell with high power and high power fuel cell system

Номер патента: US09780396B2. Автор: Won-Ho Lee,Tae-Geun Noh. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for producing through extrusion an anisotropic magnet with high energy product

Номер патента: US20030052433A1. Автор: Vijay Chandhok. Владелец: Advanced Materials Corp. Дата публикации: 2003-03-20.

Method for producing through extrusion an anisotropic magnet with high energy product

Номер патента: WO2001084569A1. Автор: Vijay K. Chandhok. Владелец: ADVANCED MATERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2001-11-08.

Multi-mode radar system with high isolation between modes

Номер патента: EP4451464A1. Автор: Dennis Vollbracht,Sachit VARMA,Navid Razi. Владелец: Aptiv Technologies Ag. Дата публикации: 2024-10-23.

Pseudo bipolar junction transistor

Номер патента: US6323719B1. Автор: Cheng-Chieh Chang,Shen-Iuan Liu. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2001-11-27.

Power detector with all transistors being bipolar junction transistors

Номер патента: EP3709510A3. Автор: Hwey-Ching Chien. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2020-11-04.

Power detector with all transistors being bipolar junction transistors

Номер патента: EP3709510A2. Автор: Hwey-Ching Chien. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-16.

High-Efficiency Base-Driver Circuit For Power Bipolar Junction Transistors

Номер патента: US20130176010A1. Автор: Charles R. Sullivan,Michael Teroerde. Владелец: Dartmouth College. Дата публикации: 2013-07-11.

Rectifier with sic bipolar junction transistor rectifying elements

Номер патента: WO2010107509A1. Автор: Robert Joseph Callanan,Fatima Husna. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2010-09-23.

Rectifier with sic bipolar junction transistor rectifying elements

Номер патента: EP2409391A1. Автор: Robert Joseph Callanan,Fatima Husna. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-01-25.

Detection and control mechanism for tail current in a bipolar junction transistor (BJT)-based power stage

Номер патента: US09603206B2. Автор: Ramin Zanbaghi. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Nonvolatile bipolar junction memory cell

Номер патента: WO2017189082A1. Автор: Daniel Bedau. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2017-11-02.

Linear bipolar junction transistor amplifier

Номер патента: US5420538A. Автор: Anthony K. D. Brown. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1995-05-30.

Power detector with all transistors being bipolar junction transistors

Номер патента: US20200266764A1. Автор: Hwey-Ching Chien. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Charge sensitive amplifier with high common mode signal rejection

Номер патента: CA2244720C. Автор: Richard E. Colbeth,Martin Mallinson,Max J. Allen. Владелец: Varian Medical Systems Inc. Дата публикации: 2002-01-22.

Resistance measurement of a resistor in a bipolar junction transistor (bjt)-based power stage

Номер патента: US20160242258A1. Автор: Rahul Singh,Shatam Agarwal. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Low voltage, beta immune variable gain amplifier with high supply voltage rejection

Номер патента: EP1040572A2. Автор: Hamid Rafati,Rudolphe G. Eschauzier. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-10-04.

Improvements in or relating to junction transistor multivibrators

Номер патента: GB797398A. Автор: . Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1958-07-02.

High beta plasma operation in a toroidal plasma producing device

Номер патента: US4115190A. Автор: John F. Clarke. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1978-09-19.

Logic circuits utilizing a composite junction transistor-MOSFET device

Номер патента: US4829200A. Автор: Joel F. Downey. Владелец: Delco Electronics LLC. Дата публикации: 1989-05-09.

Apparatus and method for applying high voltage with high frequency

Номер патента: US20090072798A1. Автор: Jaechan PARK,Kyungil Cho,Jeongje Park,WANTAEK Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-19.

Video encoding and decoding with high resistance to errors

Номер патента: RU2688252C1. Автор: Гийом ЛАРОШ,Кристоф ЖИСКЕ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-05-21.

Stereoscopic 3d projection system with high level of optical light efficiency

Номер патента: RU2705729C2. Автор: Стефен Палмер. Владелец: ВОЛЬФОНИ Эр анд Ди ЕУРЛ. Дата публикации: 2019-11-11.

Coupled resonantor filter with high quality factor

Номер патента: US20220116007A1. Автор: Chih-Ming Chang,Jyh-Wen Sheen. Владелец: Advanced Ceramic X Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Method and apparatus for regulated ac-to-dc conversion with high power factor and low harmonic distortions

Номер патента: US20180191237A1. Автор: Alexei V. Nikitin. Владелец: Avatekh Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Stage light fixture with high-stable rotational positioning

Номер патента: US12078320B1. Автор: Weikai JIANG,Wenfeng Chen,Yingru Peng,Xianwen Mai. Владелец: Guangzhou Haoyang Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method and apparatus for regulated three-phase AC-to-DC conversion with high power factor and low harmonic distortions

Номер патента: US09923448B2. Автор: Alexei V. Nikitin. Владелец: Avatekh Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Envelope detectors with high input impedance

Номер патента: US09819313B2. Автор: Sukhijinder S. Deo. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Low-power type-C receiver with high idle noise and DC-level rejection

Номер патента: US09811135B2. Автор: Rishi Agarwal,Nicholas Alexander Bodnaruk. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Multiphase DC power supply with high switching frequency

Номер патента: US09787189B1. Автор: Mu-Chun Lin. Владелец: Chyng Hong Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Bipolar junction transistor voltage-drop-based temperature sensors

Номер патента: US09970826B2. Автор: William Xia,Kendrick Hoy Leong YUEN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Apparatus and methods including a bipolar junction transistor coupled to a string of memory cells

Номер патента: US09711223B2. Автор: Roberto Gastaldi,Paolo Tessariol. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor temperature sensor with high sensitivity

Номер патента: US09464942B2. Автор: BO LIU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Barley mutant lines having grain with ultra-high beta glucan content

Номер патента: US09681620B2. Автор: Gongshe Hu. Владелец: US Department of Agriculture USDA. Дата публикации: 2017-06-20.

High-beta-conglycinin products and their use

Номер патента: CA2346203C. Автор: Neal A. Bringe. Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 2010-12-07.

High beta-conglycinin products and their use

Номер патента: AU6948198A. Автор: Neal A Bringe. Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1998-10-30.

Make-up product with high water content

Номер патента: RU2357723C1. Автор: Салваторе Дж. БАРОНЕ. Владелец: Коти Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2009-06-10.

Catalysts with high geometrical surface area for producing vinyl acetate monomer

Номер патента: RU2722157C1. Автор: ДЕАК Дитер Г. ФОН. Владелец: Басф Корпорейшн. Дата публикации: 2020-05-27.

Method and system for production of lignin with high molecular weight

Номер патента: RU2723917C1. Автор: Матти КУРКИ. Владелец: Фибратек Пте. Лтд. Дата публикации: 2020-06-18.

Method of sputtering a carbon protective film on a magnetic disk with high sp3 carbon.

Номер патента: MY124998A. Автор: PENG Gang,YAMASHITA Tsutomu,Chen Tu,Hong Liu Wen. Владелец: Komag Incorporated. Дата публикации: 2006-07-31.

TM optical switch based on slab photonic crystals with high degree of polarization and large extinction ratio

Номер патента: US09971227B2. Автор: Zhengbiao OUYANG,Guohua Wen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-15.

Method to produce milk or milk products with high content of melatonin

Номер патента: RU2409191C2. Автор: Тони ГНАН. Владелец: Тони ГНАН. Дата публикации: 2011-01-20.

Method for production of egg yolk with high content of af-16

Номер патента: RU2723097C1. Автор: Стефан ЛАНГЕ. Владелец: Лантменнен Ас-Фактор Аб. Дата публикации: 2020-06-08.

Centrifugal impeller with high blade camber

Номер патента: EP1210264A4. Автор: Thomas R Chapman. Владелец: ROBERT BOSCH LLC. Дата публикации: 2002-12-04.

Backing fabric with high water permeability and artificial turf containing same

Номер патента: AU2023208069A1. Автор: Qing Wang,Chungui Zhao,Yangjing SUN. Владелец: Cocreation Grass Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Recombinant Minced Fillet Product with High Gelation Properties and Preparation Method Thereof

Номер патента: NL2030455A. Автор: Liu Xiaoxia,ZHAI Lu,Jin Renyao. Владелец: Univ Zhejiang Gongshang. Дата публикации: 2022-12-19.

Backing fabric with high water permeability and artificial turf containing same

Номер патента: AU2023208069B2. Автор: Qing Wang,Chungui Zhao,Yangjing SUN. Владелец: Cocreation Grass Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Self-centering vise with high reliability and high precision

Номер патента: LU506474B1. Автор: Wei Xu,Li Liu,Jili Lu,Bosong Rong. Владелец: Shandong Shansen Numerical Control Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-30.

Recombinant Minced Fillet Product with High Gelation Properties and Preparation Method Thereof

Номер патента: NL2030455B1. Автор: Liu Xiaoxia,ZHAI Lu,Jin Renyao. Владелец: Univ Zhejiang Gongshang. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device with high charging voltage bit line

Номер патента: US20040174758A1. Автор: Chieng-Chung Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Display device with high resolution of display image and low current consumption

Номер патента: US20240257725A1. Автор: Ju Hyun PARK,Hwi Jeong Jo. Владелец: TLI Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Homogeneous antibody-conjugates with high payload loading

Номер патента: EP4410313A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Synaffix BV. Дата публикации: 2024-08-07.

Axial Flow Fan with High Temperature Resistance for Ship Desulfurization System

Номер патента: US20210148375A1. Автор: Xiaotian WANG. Владелец: Shandong Pure Ocean Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Display device with high resolution of display image and low current consumption

Номер патента: US12100343B2. Автор: Ju Hyun PARK,Hwi Jeong Jo. Владелец: TLI Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Partition with high strength of fastening

Номер патента: RU2707317C2. Автор: Адам Ричардсон,Ян РАЙДАУТ,Ник ДЖОНС. Владелец: Сен-Гобен Плако Сас. Дата публикации: 2019-11-26.

Heat radiator with high operating mobility

Номер патента: RU2503894C2. Автор: Оливо ФОЛЬЕНИ. Владелец: Фекс Партечипациони С.Р.Л.. Дата публикации: 2014-01-10.

Solar-control substrate having coat with high reflective characteristic

Номер патента: RU2248945C2. Автор: ЛЕГРАН Филипп. Владелец: Главербель. Дата публикации: 2005-03-27.

An industrial internet gateway with high efficiency heat dissipation

Номер патента: LU505224B1. Автор: Jie Wan. Владелец: Chongqing Vocational Inst Eng. Дата публикации: 2024-03-28.

Ink jet ink with high structure pigment particles

Номер патента: EP2619275A1. Автор: Dennis Z. Guo,Stephen Horvath. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2013-07-31.

Device for removing circumferential burrs of wheel with high precision

Номер патента: US20190224802A1. Автор: Huiying Liu,Yongwang ZHAO,Hongsen ZHANG,Shoujun FU. Владелец: CITIC Dicastal Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

Modified crumb rubber concrete with high wet packing density

Номер патента: NL2036523A. Автор: Wang Qing,LU Han,FENG Weiguang,Mo Jinxu,Lin Mingxin,Zhou Wenmei,Guo Shaozu,Tian Shiyu,Ren Fengming. Владелец: Univ Guangzhou. Дата публикации: 2024-06-20.

Method and device for detecting propellers with high-precision

Номер патента: US12118740B2. Автор: Yongshun Wang,Zhidong Fu,Gongtao Xu. Владелец: Qingdao Polaris Intelligent Manufacturing Co ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of preparing a water-based adhesive with high binding property based on polymer composites

Номер патента: US10160890B2. Автор: Yang Li,Xiang Li,Zilin Wang,Junqi SUN. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2018-12-25.

Active compositions with high ph value

Номер патента: RU2753059C2. Автор: Лон ПАН,Скотт СМАРТ. Владелец: КОЛГЕЙТ-ПАЛМОЛИВ КОМПАНИ. Дата публикации: 2021-08-11.

Preparation method of ferment with high-activity ingredients

Номер патента: AU2020103265A4. Автор: Zhong Li,Ronghua Ju,Feifei Ma,Dehong SHEN,Liping Lu. Владелец: NANJING FORESTRY UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-01-14.

Process and device for preparing phycoerythrin with high OD ratio

Номер патента: NZ541689A. Автор: Chihyi Lu,Youngmeng Chiang,Hongnong Chou,Jiunming Jeng. Владелец: Chihyi Lu. Дата публикации: 2008-04-30.

Aircraft with high transport efficiency and a method of operation

Номер патента: US20240253780A1. Автор: John Vassberg,Mark Allan Page. Владелец: Jetzero Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Solar control coating with high coefficient of solar heat gain

Номер патента: RU2502688C2. Автор: Эндрю В. ВАГНЕР. Владелец: Ппг Индастриз Огайо, Инк.. Дата публикации: 2013-12-27.

Chromatographic method for collecting blood coagulation factor VII with high yield

Номер патента: US11952398B2. Автор: Takashi Kai,Nozomi Matsuo,Kentaro EBISU. Владелец: KM Biologics Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Thermodynamic exchanger with high energy potential

Номер патента: WO2023242819A1. Автор: Luciano Valotto. Владелец: Brevetti Vl - Srl.S. Дата публикации: 2023-12-21.

Development of wire seam welding machine with high frequency transformer

Номер патента: EP4271534A1. Автор: Yavuz Dogan,Ali Lütfü KIRANTAY. Владелец: Sente Makina Insaat Sanayi ve Ticaret LS. Дата публикации: 2023-11-08.

Process and device for preparing phycoerythrin with high od ratio

Номер патента: CA2514648A1. Автор: Chihyi Lu,Youngmeng Chiang,Hongnong Chou,Jiunnming Jeng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Process and device for preparing phycoerythrin with high od ratio

Номер патента: EP1591518A1. Автор: Chihyi Lu,Youngmeng Chiang,Hongnong Chou,Jiunnming Jeng. Владелец: Zen U Biotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-02.

RAID with high power and low power disk drives

Номер патента: EP1605455A3. Автор: Sehat Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2006-10-04.

Process and device for preparing phycoerythrin with high OD ratio

Номер патента: AU2004207600A1. Автор: Chihyi Lu,Youngmeng Chiang,Hongnong Chou,Jiunnming Jeng. Владелец: Zen U Biotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-12.

Method for selecting nucleic acids that bond with high-affinity to a target

Номер патента: US20120231964A1. Автор: Andreas Kage. Владелец: APTARES AG. Дата публикации: 2012-09-13.

Thermodynamic exchanger with high energy potential

Номер патента: WO2023242819A9. Автор: Luciano Valotto. Владелец: Brevetti Vl - Srl.S. Дата публикации: 2024-02-08.

Formulations of microencapsulated microbial culture with high storage stability

Номер патента: AU2022219238A1. Автор: Deepak Jain,Surender Kumar DHAYAL. Владелец: Chr Hansen AS. Дата публикации: 2023-08-17.

Electrostatic device with high hourly capacity for indoor air sanitization

Номер патента: WO2022118069A1. Автор: Rosario Rocco Tulino. Владелец: Tulino Research & Partner Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Intelligent logistics transportation device with high robustness

Номер патента: AU2019101499A4. Автор: Jinlan XU. Владелец: Nanjing Hanxiyue Automation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Use of manganese superoxide dismutase with high stability

Номер патента: US20200155652A1. Автор: Fanguo Meng. Владелец: Hangzhou Redox Pharmatech Co ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Animals with high histamine productivity

Номер патента: EP1269836A4. Автор: Hiroshi Ohtsu. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2005-09-21.

LED Device With High Color-Rendering Index

Номер патента: US20110051408A1. Автор: Ming-Chang WU,Chih-Hung Wei,Johnny Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-03.

Processing Method for Minced Fillet Products with High Calcium Absorption Rate

Номер патента: NL2030457B1. Автор: Yang Jiacheng,ZHAI Lu,Jin Renyao. Владелец: Univ Zhejiang Gongshang. Дата публикации: 2024-05-31.

Wheel with high strength flexible spokes

Номер патента: US12077014B2. Автор: Martin Connolly. Владелец: Spinergy Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Vertical alignment liquid crystal display with high transmittance and wide view angle

Номер патента: US7804571B2. Автор: QI Hong,Shin-Tson Wu,Thomas X. Wu,Ruibo Lu. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2010-09-28.

Sustained-release microgel ointments with high drug loading and preparation methods and uses thereof

Номер патента: US20220257573A1. Автор: Yan Wu,Tao Zhu,Hong Nie,Jianhao Zhao. Владелец: Jinan University. Дата публикации: 2022-08-18.

Inclined plate baffled a2o reactor with high oxygen transfer efficiency

Номер патента: US20240262728A1. Автор: Lan Li,JIA Li,Ming Li,Zhiming Zhou,Jing Zhao,Changbing YE,Sujie SHI. Владелец: Yuxi Normal University. Дата публикации: 2024-08-08.

Wheel With High Strength Flexible Spokes

Номер патента: US20240316985A1. Автор: Martin Connolly. Владелец: Spinergy Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for preparing instant chinese sauerkraut product with high crispness

Номер патента: LU506018B1. Автор: Chen Wang. Владелец: Liaoning Acad Agricultural Sciences. Дата публикации: 2024-07-04.

Ventilation unit with high sound absorption and thermal insulation performance

Номер патента: WO2022024098A1. Автор: Sandro NUTINI,Nicola Antonio MORGANTI. Владелец: Morganti Nicola Antonio. Дата публикации: 2022-02-03.

Pipe with high abrasion resistance

Номер патента: AU2024216351A1. Автор: Xiqiang Liu,Hongtao Shi,Maria Soliman,Dong WAN,Kai Guo,Dongbo Xing. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2024-09-12.

Preparation Method for Heterogeneous Mg Alloys Bar with High Elastic Modulus

Номер патента: US20240360539A1. Автор: ZHEN Peng,Rui Luo,Xuefei CHEN,Qile Huo,Manping Liu. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-10-31.

Jak Inhibitor With High Oral Bioavailability

Номер патента: US20240308984A1. Автор: Yang Wang,XIANG PAN,Wenkui Ken Fang,Wenhao Zhu,Zengquan Wang,Guanqun LI,Yuting Cai. Владелец: Technoderma Medicines Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Jak inhibitor with high oral bioavailability

Номер патента: EP4382522A1. Автор: Yang Wang,XIANG PAN,Wenkui Ken Fang,Wenhao Zhu,Zengquan Wang,Guanqun LI,Yuting Cai. Владелец: Technoderma Medicines Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Aluminum base alloy with high thermal conductivity for die casting

Номер патента: US09920401B2. Автор: Gi Dong Kang,Ho Sung Seo. Владелец: SANGMOON. Дата публикации: 2018-03-20.

Material with high resistance to wear

Номер патента: US09855603B2. Автор: Devrim Caliskanoglu,Gert Kellezi. Владелец: Boehler Edelstahl GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-01-02.

Conveyor belt with high flexibility and at the same time high flame resistance

Номер патента: US09771219B2. Автор: Georg Müller,Daniel VAZQUEZ-MAGGIO. Владелец: ContiTech Transportbandsysteme GmbH. Дата публикации: 2017-09-26.

Sheet of glass with high infrared radiation transmission

Номер патента: US09701571B2. Автор: Thomas LAMBRICHT,Audrey DOGIMONT. Владелец: AGC Glass Europe SA. Дата публикации: 2017-07-11.

Wheel with high strength flexible spokes

Номер патента: US09682596B2. Автор: Martin Connolly. Владелец: Spinergy Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of extracting ethane from a gas fraction with high content of hydrocarbons

Номер патента: RU2689866C2. Автор: Хайнц БАУЭР. Владелец: Линде Акциенгезелльшафт. Дата публикации: 2019-05-29.

Filter with high filtration capacity

Номер патента: US20120000847A1. Автор: Carlo Pola. Владелец: LOSMA SpA. Дата публикации: 2012-01-05.

Composition of mixture of polymers with high barrier properties

Номер патента: RU2747023C2. Автор: Гвидо БАРИОН. Владелец: Грейф Интернэшнл Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2021-04-23.

COATING WITH HIGH Tg

Номер патента: RU2369624C2. Автор: Саид ФАРХА. Владелец: Эдванст Пластикс Текнолоджиз Люксембург С.А.. Дата публикации: 2009-10-10.

Pointing device "mouse" with high reliability

Номер патента: RU2691841C2. Автор: . Владелец: Немнюгин Андрей Юрьевич. Дата публикации: 2019-06-18.

Autothermal method of continuous gasification of substances with high content of carbon

Номер патента: RU2471856C2. Автор: Роланд МЁЛЛЕР. Владелец: Эколуп Гмбх. Дата публикации: 2013-01-10.

Method of work of radar station with high doppler characteristics

Номер патента: RU2628566C1. Автор: Роберт У. ЛИ. Владелец: Роберт У. ЛИ. Дата публикации: 2017-08-21.

System of monitoring products/operation with high reliability

Номер патента: RU2502081C2. Автор: Марио МУЗМЕЧИ. Владелец: Телеспацио С.П.А.. Дата публикации: 2013-12-20.

Wedge-shaped lock washer with high corrosion resistance and method of its manufacturing

Номер патента: RU2690150C2. Автор: Маттиас Андерссон. Владелец: Норд-Лок Аб. Дата публикации: 2019-05-30.

Consecutive casting of metal with high compresion ratio

Номер патента: RU2416485C2. Автор: Роберт Брюс ВАГСТАФФ. Владелец: Новелис Инк.. Дата публикации: 2011-04-20.

Method and installation for hydrocracking with high conversion

Номер патента: RU2753415C2. Автор: Майкл Гленн ХАНТЕР. Владелец: ХАЛЬДОР ТОПСЕЭ А/С. Дата публикации: 2021-08-16.

Large larva storage with high density

Номер патента: RU2764801C1. Автор: Петрус Мария Янсен МАУРИЦ. Владелец: Бюлер Инсект Текнолоджи Солюшнз Аг. Дата публикации: 2022-01-21.

Borosilicate glass with high resistance to hydrolysis

Номер патента: RU2324665C2. Автор: Кристоф КАСС. Владелец: Шотт АГ. Дата публикации: 2008-05-20.

POSITIVE ELECTRODE FOR RECHARGEABLE LITHIUM BATTERY WITH HIGH VOLTAGE AND RECHARGEABLE LITHIUM BATTERY INCLUDING SAME

Номер патента: US20120003534A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

High beta-conglycinin products and their use

Номер патента: CA2606758A1. Автор: Neal A. Bringe. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-10-15.

Smoke-free heating system that burns high calorie solid fuels with high efficiency

Номер патента: WO2024181942A1. Автор: Ali HASHIMI. Владелец: Hashi̇mi̇ Ali̇. Дата публикации: 2024-09-06.

Terminal cable coupling for use with high-voltage cable

Номер патента: RU2448382C2. Автор: Минъян ЧЖОУ. Владелец: Джи ЭНД ДаблЮ ЭЛЕКТРИК КОМПАНИ. Дата публикации: 2012-04-20.